TWI556475B - 發光裝置 - Google Patents
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- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
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Description
本發明係關於一種發光裝置,更詳細而言關於一種利用密封構件密封發光元件而成之發光裝置。
近年來,將裝載有發光二極管(LED:Light Emitting Diode)元件之發光裝置配置為矩陣狀而成之大型街頭顯示器等顯示裝置正在實用化。此種顯示裝置存在如下問題:因密封發光裝置周圍之密封構件之表面光澤,使太陽光或照明光等外來光在其表面全反射,而導致產生間接眩光,或顯示對比度降低。
為了解決此種問題,例如專利文獻1中記載有一種包括框體狀之殼體、收納於殼體中之LED基板、導通固定於LED基板上之LED燈、以及注入殼體並將LED基板及LED燈之樹脂頭之基端部密封之防水性合成樹脂之密封樹脂,並形成微小凹凸面而成之LED顯示器,該微小凹凸面藉由使玻璃珠露出密封樹脂之生肧表面,而將入射之外光以散射光之形式反射。
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2000-114605號公報
[專利文獻2]日本專利特開2007-234767號公報
[專利文獻3]日本專利特開2003-086846號公報
[專利文獻4]日本專利特開2001-077433號公報
[專利文獻5]日本專利特開平10-284759號公報
然而,近來對於此種顯示裝置,隨著顯示圖像之高清晰度化,發光裝置之排列間隔開始變窄,發光裝置本身之表面光澤成為導致間接眩光或顯示對比度降低之重要因素。
因此,本發明係鑒於上述情況而完成者,其目的在於提供一種密封發光元件之密封構件之表面光澤受到抑制之發光裝置。
為了解決上述課題,本發明之發光裝置之特徵在於:包括基體、承載於上述基體上之發光元件、及密封上述發光元件之密封構件,上述密封構件含有偏靠於該密封構件之表面側之填充劑粒子,上述密封構件之表面具有由上述填充劑粒子形成之凹凸。
根據本發明,可效率良好地利用填充劑粒子而抑制密封發光元件之密封構件之表面光澤。
以下,適宜參照圖式說明發明之實施形態。其中,以下所說明之發光裝置係為了具體展現本發明之技術思想者,並非限定本發明。尤其是以下所記載之構成要素之尺寸、材質、形狀、其相對配置等,只要無特別記載,則並非旨在將本發明之範圍限定於此,僅為單純之說明例。再者,各圖式所示之構件之大小或位置關係等有時會為了明確說明而誇張表現。
圖1(a)係實施形態1之發光裝置100之俯視示意圖,圖1(b)係顯示圖1(a)之A-A剖面之剖面示意圖。圖1所示之例之發光裝置100包括基體10、承載於該基體10上之發光元件20、及密封該發光元件20之密封構件30。更詳細而言,基體10係形成有上表面開口且具有內側壁與底面之凹部12之封裝11,該凹部12之底面設置有3組以正負為一對之引線電極13。發光元件20(20a、20b、20c)分別利用接著劑接著在該引線電極13上且利用導線14進行連接。
密封構件30含有填充劑粒子(第1填充劑粒子)40並填充至封裝之凹部12中,其表面35構成本發光裝置100之發光面。該密封構件之表面35主要為與發光元件20之安裝面相對向之面,通常為密封構件之上表面,亦可與上表面連續含有側面之一部分。並且,該密封構件之表面35具有由填充劑粒子40形成之凹凸。即,密封構件之表面35具有藉由該凹凸使外來光散射之光散射面,而抑制光澤。藉此,密封構件之表面35上之間接眩光之發生受到抑制,可製成顯示對比度高之發光裝置。又,由於密封構件30所含有之填充劑粒子40偏靠於密封構件之表面35側,故而可在密封構件之表面35上效率良好地形成由該粒子40形成之凹凸。該凹凸之形成區域可為密封構件之表面35之一部分,最佳為密封構件之表面35之大致整個區域。再者,在本說明書中,所謂「填充劑粒子40偏靠於密封構件30之X側」,可定義為於將密封構件30內分為X側與相反之Y側之2個區域時,區域X所存在之填充劑粒子40之體積(總和)相對於區域X之體積之比例大於區域Y所存在之填充劑粒子40之體積(總和)相對於區域Y之體積之比例之狀態。
如此,利用添加至密封構件中之填充劑粒子,於密封構件之表面形成凹凸,可抑制密封構件之表面光澤。此與對密封構件之表面進行噴射加工或塗佈消光劑相比,非常簡便。又,於藉由噴射加工等使構成密封構件之樹脂等母材之表面直接成為粗糙面之情形時,有密封構件之表面容易白濁,使顯示對比度降低之虞。相對於此,對於由填充劑粒子所形成之本發明之凹凸構造,由於密封構件之母材之表面本身相對光滑,故而可抑制此種表面之白濁,又,可效率良好地將來自發光元件之光取出至外部。又,該凹凸構造可利用密封構件之表面之凹凸使外來光散射,同時利用表層所存在之填充劑粒子使入射至密封構件內之外來光散射。
為了於密封構件之表層配置填充劑粒子,可以填充劑粒子分散至密封構件中並堆積至密封構件之表層之方式大量添加填充劑粒子,但如此存在密封構件之黏度增加導致成形性降低,或密封構件之透光率降低導致亮度降低之虞。因此,於本發明中,藉由積極地利用密封構件中之填充劑粒子之上浮或沈澱,以相對少之添加量亦可於密封構件之表層配置填充劑粒子。再者,下文中填充劑粒子之添加量之單位「份」相當於相對於密封構件之母材之重量100 g之填充劑粒子之重量(g)。
一般而言,相對於密封構件30之母材,比重(以下,於填充劑粒子40為多孔質之粒子之情形時稱為「體積密度」)較小之填充劑粒子40容易上浮,相反比重較大之填充劑之粒子40容易沈澱。因此,例如填充劑粒子40之比重相對於密封構件30之母材而較小之情形時,若於基體10上表面即凹部12之開口上仰之狀態下使密封構件30硬化,則可使填充劑粒子40上浮至密封構件之表面35側而偏靠於該側。且於密封構件之表面35露出之狀態下,即在密封構件之表面35不接觸模具等之情形時,使密封構件30硬化,藉此可於密封構件之表面35形成由填充劑粒子40形成之凹凸。再者,如此於使基體10上表面上仰之狀態下使密封構件30硬化之情形時,與相反下俯之狀態下使密封構件30硬化之情形相比,可抑制密封構件30中產生空隙。又,密封構件30較佳為由可藉由1次灌注而簡便地形成之單層所構成,亦可由多層構成。
又,尤其是使填充劑粒子40上浮至密封構件之表面35側而於表面35形成凹凸之情形時,填充劑粒子40較佳為容易上浮之多孔質或中空之粒子。於填充劑粒子40為多孔質或中空之粒子之情形時,粒徑可為相對較大之粒徑,較佳為1~40 μm左右。尤其是為了於密封構件之表面適宜地形成凹凸,粒徑較佳為1 μm以上、35 μm以下,更佳為3 μm以上20 μm以下,最佳為5 μm以上、10 μm以下。雖然比重小容易上浮,但若過小,則填充劑粒子40會於點膠機內有偏於一側等現象,作業性變差,因此較佳為0.4~1.0左右。尤其是為了於密封構件之表面適宜地形成凹凸,比重較佳為0.4以上、0.8以下,更佳為0.5以上、0.6以下。因此,就作業性之觀點而言,更佳為多孔質之粒子。例如藉由向環氧樹脂中添加1份以上之此種比重、粒徑之多孔質或中空之粒子40,可於密封構件之表面35形成凹凸而抑制光澤。填充劑粒子40之形狀可為球狀,但破碎狀等不定形之形狀由於可以低密度進行堆積,故而容易以較少添加量而將填充劑粒子40配置於密封構件30之表層。又,填充劑粒子40亦可混合多種粒子而成。
於填充劑粒子40為無孔質之情形時,粒徑、比重較大時容易沈澱,即使少量添加粒徑小之填充劑粒子40(例如粒徑為奈米級)亦容易使密封構件30黏度增加。因此,粒徑較佳為1~3 μm左右,比重較佳為1.3~2.7左右。其中,粒徑更佳為1 μm以上、1.5 μm以下,比重更佳為2.2以上、2.6以下。例如藉由向環氧樹脂中添加15份以上之此種比重、粒徑之無孔質之粒子40,可使粒子堆積至密封構件之表層,而於密封構件之表面35上形成凹凸。又,如下文之實施形態2所述,於在基體10上表面下俯之狀態下使密封構件30硬化之情形時,可適宜地利用此種無孔質之粒子。於該情形時,填充劑粒子40之比重越大越好。
如上所述,第1填充劑粒子40係為了於密封構件之表面35形成凹凸以抑制光澤而添加者。若利用較少添加量之填充劑粒子40於密封構件之表面35形成凹凸,則可提高填充劑粒子40之利用效率,同時抑制密封構件30之黏度增加,成型性良好,又,可提高密封構件30與基體10之密接性。因此,填充劑粒子40較佳為大致偏靠於密封構件30之表層。再者,該「大致局部存在於表層」係「偏靠於表面側」之極端事例,係指填充劑粒子40偏靠於相當於堆積1~3個該粒子之厚度之表層內之狀態。
密封構件之表面35有如下傾向:因密封構件30之硬化收縮,使中央部(或中心部)凹陷,周緣部攀升而形成凹面。如此,密封構件之表面35為自周緣部至中央部凹陷之凹面之情形時,間接眩光尤其容易發生於此周緣部之表面。因此,於此種情形時,填充劑粒子40較佳為偏靠於密封構件30之周緣部側。於藉由密封構件30之硬化,其表面35成為此種凹面時,填充劑粒子40藉由上浮或沈澱至密封構件之表面35側,容易聚集至密封構件30內之空間更廣之周緣部側。藉此,於密封構件之表面35之周緣部,容易形成由填充劑粒子40形成之凹凸,可有效地使導致間接眩光之外來光散射。再者,該密封構件之表面35之凹陷量通常為10 μm以下之程度,最大為150 μm左右。
密封構件30之母材較佳為被覆填充劑粒子40。即,較佳為藉由使密封構件30之母材之表面大致沿著填充劑粒子40之形狀起伏,而形成密封構件之表面35之凹凸。藉此,可抑制填充劑粒子40自密封構件30脫離,而提高裝置之可靠性。又,利用密封構件30之母材之表面之凹凸與表層之填充劑粒子40,可有效地使外來光散射。再者,不限於此,亦可藉由使填充劑粒子40自密封構件30之母材露出,利用密封構件30之母材之表面與填充劑粒子40之表面而形成密封構件之表面35之凹凸。又,亦可混合存在該兩種形態。
若密封構件30之母材與填充劑粒子40之折射率差較小,則會降低密封構件30中之填充劑粒子40之遮光性,效率良好地使來自發光元件20之光取出至外部,因而可提高亮度。因此,密封構件30之母材與填充劑粒子40之折射率差較佳為0.1以下。例如將環氧樹脂用於密封構件30之母材之情形時,較佳為將二氧化矽(玻璃)用於填充劑粒子40。
密封構件30中可添加多種填充劑粒子,除了用於抑制密封構件之表面35之光澤之第1填充劑粒子40以外,亦可基於其他目的而添加第2填充劑粒子45。於發光裝置100中,第2填充劑粒子45偏靠於凹部12之底面側即密封構件30之底面側,主要發揮光擴散劑之功能,其係用於控制配光而添加。又,亦具有抑制導線14周邊之密封構件30之熱伸縮,減輕對導線14施加之應力之效果。再者,藉由使用碳黑等暗色之粒子作為第2填充劑粒子45,可提高顯示對比度。如此,於將容易上浮之第1填充劑粒子40與容易沈澱之第2填充劑粒子45添加至密封構件30中之情形時,雖然第1填充劑粒子40之一部分因第2填充劑粒子45抑制上浮而與第2填充劑粒子45共存,但利用穿過第2填充劑粒子45之間隙而上浮至密封構件30之表層之第1填充劑粒子40可於表面35上形成凹凸。尤其於此種情形時,較佳為於密封構件30內,於第1填充劑粒子40偏靠之第1區域與第2填充劑粒子45偏靠之第2區域之間設置大致僅由密封構件30之母材構成之第3區域。藉此,使第3區域作為透光區域而發揮功能,可提高亮度。亦可於密封構件30內,將該第1~3區域分別設置為遍及面內大致整個區域之層狀區域。
密封構件30可自凹部12攀升至封裝11之上表面之至少一部分上而形成,亦可於如此被覆封裝11之上表面之密封構件30之表面形成由填充劑粒子40形成之凹凸。藉此,可抑制封裝11之上表面之間接眩光之發生。再者,封裝11之上表面可具有與凹部12相連之階差,密封構件30可覆蓋於此階差上而形成。
圖2係實施形態2之發光裝置200之剖面示意圖。於發光裝置200中,關於與實施形態1實質上相同之構成,適宜省略說明。於圖2所示之例之發光裝置200中,基體10係上表面具有導體配線之配線基板15,於該導體配線上利用導電性接著劑倒裝晶片安裝有發光元件20。密封構件31含有填充劑粒子41,且密封發光元件20而於配線基板15上成型。該密封構件31為近似長方體,可自其表面(上表面)35與側面發光。並且,填充劑粒子41偏靠於密封構件之表面35側,密封構件之表面35具有由填充劑粒子41形成之凹凸,而抑制光澤。
此種密封構件31係藉由如下方式形成:於配線基板15上設置包圍發光元件20之框體16,向此框體16之內側滴加含有填充劑粒子41之密封構件31,並使其硬化。此時,於填充劑粒子41之比重相對於密封構件31之母材較大之情形時,係於使基體10上表面下俯且使密封構件之表面35露出之狀態下使密封構件31硬化。藉此,可使填充劑粒子41沈澱於密封構件之表面35側,而於表面35上形成由填充劑粒子41形成之凹凸。又,亦可使填充劑粒子41作為光擴散劑而發揮功能。再者,如此沈澱於密封構件之表面35側之第1填充劑粒子41或上述第2填充劑粒子45亦可為比重相對較大之YAG(釔鋁石榴石)等螢光體粒子。框體16於形成密封構件31後,可如本例般撤除,亦可留下而發揮上述封裝之功能。又,若使用內側壁形成有凹凸之框體16對密封構件31之側面進行成型,則可將密封構件31之側面作為光散射面。
以下,詳細說明本發明之發光裝置之各構成要素。
基體係支撐發光元件之支撐體,包括封裝或配線基板等。封裝係於凹部內含有支撐發光元件之引線電極,而具有自外部環境保護發光元件之功能。封裝較佳為機械強度高且難以透射來自發光元件之光或外來光者。具體而言,可列舉:PPA(聚鄰苯二甲醯胺)樹脂、苯酚樹脂、BT樹脂(bismaleimide triazine resin,雙馬來醯亞胺-三樹脂)、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、陶瓷(Al2O3、AlN等)等。封裝可為光取出效率優異之白色封裝,為了降低針對外來光之反射率,封裝之上表面之至少一部分較佳為黑色等暗色,亦可形成使外來光散射之凹凸。又,可將凹部內壁亦設為暗色而提高顯示對比度,亦可將凹部內壁設為白色而提高光取出效率。配線基板可利用於環氧玻璃、陶瓷、鋁等之各種基板上形成有與發光元件及外部端子連接之導體配線者。
發光元件可使用半導體發光元件、例如發出可見光之LED元件或雷射半導體(LD:LASER Diode)元件。作為發光元件,例如可列舉:於基板上利用氮化物、III-V族化合物、II-VI族化合物等各種半導體而形成含有p型半導體層、活性層、n型半導體層之積層構造的發光元件。又,亦可為將含有螢光體之波長轉換構件組合而成之發光元件。於為全彩顯示裝置用之發光裝置之情形時,較佳為於1個發光裝置上裝載分別發出紅色系、綠色系、藍色系之光之3個以上之發光元件。其中,1個發光裝置中之發光元件之裝載個數並不限定於3個,亦可為1個。又,關於發光元件之組合,並不限定於上述組合,亦可使用發出白色系之光之發光元件。
密封構件係為了保護發光元件或導線等而設置。密封構件之母材只要具有透光性,則無特別限定。例如可自環氧樹脂、改性環氧樹脂、玻璃環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂、聚烯烴系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯酸酯樹脂、甲基丙烯酸系樹脂(PMMA等)、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚降冰片烯樹脂、氟樹脂中之1種或2種以上之樹脂,或液晶聚合物、玻璃等中選擇。其中,較佳為耐光性或耐熱性優異之環氧樹脂或聚矽氧樹脂。環氧樹脂可使用酸酐系硬化劑、陽離子系硬化劑、胺系硬化劑、酚系硬化劑等進行硬化。尤其較佳為透光性優異之利用酸酐系硬化劑進行硬化之樹脂,或低揮發性且生產性優異之利用陽離子系硬化劑進行硬化之樹脂。使用酸酐系硬化劑時,與使用陽離子系硬化劑相比,黏度較低,容易突出填充劑粒子之上浮或沈澱,因此較佳。聚矽氧樹脂可使用加成聚合型或縮合聚合型之二甲基聚矽氧或苯基聚矽氧等。尤其較佳為硬化時由脫醇反應等引起之體積或表面形狀之變化較小之加成聚合型。再者,密封構件中可為了提高顯示對比度而添加顏料或染料,亦可為了提高耐光性而添加抗氧化劑或紫外線吸收劑。
作為填充劑粒子,例如可利用:二氧化矽、氧化鈦、碳酸鈣、矽酸鈣、三氧化二鐵、碳黑、氧化鋅、鈦酸鋇、氧化鋁等。其中,就適合密封構件表面之凹凸形成之比重、粒徑、密封構件與母材之折射率差等觀點而言,最佳為二氧化矽,繼而較佳為矽酸鈣、碳酸鈣、氧化鋁。除該等以外,可使用聚矽氧樹脂等熱硬化性樹脂之粒子,於密封構件之表面形成凹凸。
[實施例]
以下,詳細說明本發明之實施例。再者,本發明當然不僅限於以下所示之實施例。
實施例1之發光裝置係實施形態1之發光裝置100之一例,其外形為長度3.0 mm×寬度3.0 mm×高度1.8 mm之近似長方體之表面安裝型LED。基體10係上表面之大致中央部具有凹部12之封裝11。封裝11之外側係由含有碳黑之PPA樹脂形成,其凹部12內係由含有氧化鈦之PPA樹脂形成。凹部12係於俯視下角部為圓弧之正方形(長度2.6 mm×寬度2.6 mm×深度0.8 mm),且內側壁以自底面向上表面側擴展之方式傾斜。封裝之凹部12之底面設置有3組鍍銀之含鐵銅板之以正負為一對之引線電極13,該等沿著封裝11之側面及下表面(背面)彎曲同時各自延伸出。3個近似矩形之發光元件20a、20b、20c係發光色(發光波長)分別為紅色(630 nm)、綠色(550 mm)、藍色(460 nm)之LED元件,各自利用接著劑(20a為銀膏,20b、20c為環氧樹脂)接著至引線電極13上,且利用導線14進行電性連接。
封裝之凹部12中所填充之密封構件30係添加有芳香族鋶鹽之脂環式環氧樹脂(比重1.14),含有1份平均粒徑4.5 μm、體積密度0.51、球狀之多孔質二氧化矽作為第1填充劑粒子40,且含有20份平均粒徑7 μm、比重2.65、破碎狀之無孔質二氧化矽作為第2填充劑粒子45。再者,所使用之環氧樹脂之折射率(波長589 nm)為1.52,二氧化矽之折射率為1.55。於該密封構件30中,第1填充劑粒子40大致局部存在於密封構件30之表層,第2填充劑粒子45偏靠於密封構件30之底面側。並且,密封構件之表面35具有使被覆第1填充劑粒子40之樹脂之表面大致沿著該粒子之形狀起伏而形成之凹凸,大致無光澤。此種密封構件30可藉由如下方式形成:向液狀之環氧樹脂中,大致均勻分散、混合第1填充劑粒子40及第2填充劑粒子45,並滴加(灌注)至封裝之凹部12內,將其於基體10上表面上仰且樹脂之表面露出之狀態下,於140℃下硬化4小時。再者,此時密封構件之表面35成為自周緣部至中心部凹陷5 μm左右之凹面。
實施例2之發光裝置除了填充劑粒子以外,其他構成與實施例1之發光裝置相同。實施例2之發光裝置之密封構件30係於與實施例1相同之環氧樹脂中含有10份平均粒徑4.0 μm、體積密度0.5、球狀之多孔質二氧化矽作為填充劑粒子40。並且,填充劑粒子40偏靠於密封構件30之表面側,密封構件之表面35具有使被覆填充劑粒子40之樹脂之表面大致沿著該粒子之形狀起伏而形成之凹凸,大致無光澤。
實施例3之發光裝置除了填充劑粒子以外,其他構成與實施例1之發光裝置相同。實施例3之發光裝置之密封構件30係於與實施例1相同之環氧樹脂中含有10份平均粒徑40 μm、比重0.35、球狀之中空二氧化矽作為填充劑粒子40。並且,填充劑粒子40偏靠於密封構件30之表面側,密封構件之表面35具有使被覆填充劑粒子40之樹脂之表面大致沿著該粒子之形狀起伏而形成之凹凸,大致無光澤。
實施例4之發光裝置除了填充劑粒子以外,其他構成與實施例1之發光裝置相同。實施例4之發光裝置之密封構件30係於與實施例1相同之環氧樹脂中含有20份平均粒徑7 μm、比重2.65、破碎狀之無孔質二氧化矽作為填充劑粒子40。並且,填充劑粒子40偏靠於密封構件30之表面側,密封構件之表面35具有使被覆填充劑粒子40之樹脂之表面大致沿著該粒子之形狀起伏而形成之凹凸,大致無光澤。該密封構件30係藉由如下方式形成:向液狀之環氧樹脂中大致均勻地分散、混合填充劑粒子40,並滴加至封裝之凹部12內,將其於基體10上表面上仰且樹脂之表面露出之狀態下,於140℃下硬化4小時。
實施例5之發光裝置除了密封構件之母材以外,其他構成與實施例2之發光裝置相同。實施例2之發光裝置之密封構件30係於環氧樹脂(比重1.1~1.2)中含有10份平均粒徑4.0 μm、體積密度0.5、球狀之多孔質二氧化矽作為填充劑粒子40,該環氧樹脂係由主劑(脂環式環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、或其混合物)、與向作為酸酐之六氫鄰苯二甲酸酐中添加4級鏻鹽作為硬化促進劑之硬化劑所製作。並且,填充劑粒子40偏靠於密封構件30之表面側,密封構件之表面35具有使被覆填充劑粒子40之樹脂之表面大致沿著該粒子之形狀起伏而形成之凹凸,大致無光澤。
實施例6之發光裝置除了密封構件之母材與填充劑粒子以外,其他構成與實施例1之發光裝置相同。實施例6之發光裝置之密封構件30係於加成聚合型之二甲基聚矽氧樹脂(比重1.02)中含有10份平均粒徑18 μm、比重0.32、球狀之中空二氧化矽作為填充劑粒子40。並且,填充劑粒子40偏靠於密封構件30之表面側,密封構件之表面35具有使被覆填充劑粒子40之樹脂之表面大致沿著該粒子之形狀起伏而形成之凹凸,大致無光澤。
比較例1之發光裝置除了填充劑粒子以外,其他構成與實施例1之發光裝置相同。比較例1之發光裝置之密封構件含有與實施例4相同之填充劑粒子,但於基體上表面上仰之狀態下硬化,填充劑粒子偏靠於密封構件之底面側。因此,密封構件之表面大致平坦且有光澤。
以下,將實施例1、2與比較例1之發光裝置於電流值20mA下分別點亮,比較驗證其亮度。若將比較例1之發光裝置之各發光色之亮度設為1.00,則實施例1之發光裝置之亮度為紅色1.00、綠色1.03、藍色1.01,實施例2之發光裝置之亮度為紅色1.03、綠色1.08、藍色1.02。如此,實施例1、2之發光裝置可維持高亮度,同時抑制密封構件之表面光澤。又,實施例1、2之發光裝置之亮度高於比較例1之發光裝置,藉由利用填充劑粒子於密封構件之表面形成凹凸,亦可提高光之取出效率。
本發明之發光裝置可用於廣告、目的地指引或道路信息等之顯示裝置、信號機、小型至大型顯示器等。
10...基體
11...封裝
12...凹部
13...引線電極
15...配線基板
14...導線
16...框體
20(20a、20b、20c)...發光元件
30、31...密封構件
35...密封構件之表面
40、41...填充劑粒子(第1填充劑粒子)
45...第2填充劑粒子
100、200...發光裝置
圖1(a)、圖1(b)係本發明之一實施形態之發光裝置之俯視示意圖(a)與其A-A剖面之剖面示意圖(b)。
圖2係本發明之一實施形態之發光裝置之剖面示意圖。
10...基體
11...封裝
12...凹部
13...引線電極
14...導線
20(20a、20b、20c)...發光元件
30...密封構件
35...密封構件之表面
40...(第1填充劑粒子)
45...第2填充劑粒子
Claims (10)
- 一種發光裝置,其包括基體、承載於上述基體上之發光元件、及密封上述發光元件之密封構件,上述密封構件含有偏靠於該密封構件之表面側之填充劑粒子,上述密封構件之表面具有因上述填充劑粒子而形成之凹凸,上述填充劑粒子包含選自由二氧化矽、氧化鈦、碳酸鈣、矽酸鈣、三氧化二鐵、碳黑、氧化鋅、鈦酸鋇、氧化鋁所組成之群之一者。
- 如請求項1之發光裝置,其中上述基體係:具有凹部且在上述凹部內含有支撐上述發光元件之引線電極的封裝,上述封裝之上表面及上述凹部之內壁為暗色,上述密封構件係填充於上述凹部。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述密封構件之表面係自周緣部至中央部凹陷之凹面,上述填充劑粒子偏靠於密封構件之周緣部側。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述密封構件之母材被覆上述填充劑粒子。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述填充劑粒子大致局部存在於上述密封構件之表層。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述密封構件之母材與 上述填充劑粒子之折射率差為0.1以下。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述基體係具有凹部且在該凹部內含有支撐上述發光元件之引線電極的封裝,上述密封構件係自上述凹部攀升至該封裝之上表面之至少一部分上而形成,於被覆上述封裝之上表面之密封構件之表面上形成有由上述填充劑粒子形成之凹凸。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述填充材之粒子為多孔質之粒子。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述密封構件之母材係利用陽離子系硬化劑而硬化之環氧樹脂。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述密封構件之母材為加成聚合型之聚矽氧樹脂。
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