JP5724183B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5724183B2
JP5724183B2 JP2010041208A JP2010041208A JP5724183B2 JP 5724183 B2 JP5724183 B2 JP 5724183B2 JP 2010041208 A JP2010041208 A JP 2010041208A JP 2010041208 A JP2010041208 A JP 2010041208A JP 5724183 B2 JP5724183 B2 JP 5724183B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing resin
light emitting
particles
package body
dark color
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010041208A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011176247A (ja
Inventor
武夫 栗本
武夫 栗本
祐樹 宮浦
祐樹 宮浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2010041208A priority Critical patent/JP5724183B2/ja
Publication of JP2011176247A publication Critical patent/JP2011176247A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5724183B2 publication Critical patent/JP5724183B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、発光素子が搭載された発光装置に関し、特に、LEDディスプレイなどの表示装置に用いられる発光装置に関する。
今日、RGB(赤色、緑色、青色)の各色を発光可能な発光ダイオード(LED)や、白色を高輝度に発光可能なLEDが開発された結果、複数のLEDを配列して構成されるLED表示装置が種々の分野に応用されつつある。例えば、LEDは電球と比較して極めて寿命が長く、高効率、且つ振動にも強いため、これらの特性を活かして、広告、行き先案内や道路情報等の表示用、信号機の光源、小型乃至大型ディスプレイとして用いられてきている。
このようなLEDとしては、表示コントラストの低下を抑制するために、白色樹脂の外面に黒色や紺色等の暗色系の塗装または樹脂層を設けたLEDが知られている(例えば、特許文献1〜3参照)。このようなLEDの一例としては、白色樹脂からなる凹部を有するパッケージ本体と、凹部の底面に実装された半導体発光素子と、凹部内に充填された封止樹脂と、パッケージ本体の上面に形成された暗色系の樹脂層と、を有する発光装置がある。これにより、複数のLEDを並設した場合、消灯中のLEDが外光や点灯中の別のLEDの光を受けて点灯しているように見えることによる表示コントラストの低下を抑制できる。
また、光の取り出し効率を向上させるために、LEDチップを覆う封止樹脂の内部にシリカなどの比較的粒径の小さい光拡散部材を含有させた発光装置や、パッケージの表面に粒子状の光拡散部材を含有する層を形成した発光装置が提案されている(例えば、特許文献4参照)。
特開平06−274378号公報 特開2000−183405号公報 特開2006−108640号公報 特開2003−86846号公報
現在におけるLED或いは複数のLEDを使用したLED表示装置においては、その利用分野の拡大或いはより高い表示品位が要求されることに伴い、屋外、屋内を問わず、表示コントラストの低下を軽減することに対して、さらなる改良が求められている。
すなわち、LEDが点灯している場合、太陽光、照明などの外来光がある角度において当たることにより、主に、LEDにおける封止樹脂の表面にて光の反射が起こり、表示コントラストが低下するという問題があった。また、LEDが点灯していない場合においても、視認側となるLEDの上面および側面に外来光が当たることにより、その表面にて光の反射が起こり、所謂ギラつきが発生し、見た目に白っぽく映ってしまう。もちろん、複数のLEDが基板に配置されたLED表示装置の場合も、上記した同様の理由で、表示コントラストが低下してしまう。
これらの結果、図4に示すように、本来であれば視認側となるLEDの上面が暗色系であることによって表示品位が保たれていたLEDまたはLED表示装置が、その表面にて光を反射することにより表示コントラストが低下するばかりでなく、ギラつきや白っぽく映ることにより、LEDまたはLED表示装置としての品質が損なわれるという問題があった。さらに、暗色系の層の上に封止樹脂が這い上がると、封止樹脂表面で光が反射され、表示コントラストが低下する。
図4は、従来の発光装置を示す模式的な断面図である。図4に示す従来の発光装置は、凹部を有するパッケージ本体31と、パッケージ本体31に一部が被覆され、一部が露出した第1リード端子32aおよび第2リード端子32bと、凹部の底面で露出したリード端子32aに実装された半導体発光素子33と、半導体発光素子33とリード端子32a、32bを電気的に接続する金属ワイヤ34と、を有する。さらに、パッケージ本体31の上面には暗色系の層36が形成されている。パッケージ本体31の凹部内には、半導体発光素子33を被覆し、半導体発光素子33の発光を散乱する粒子を含有する封止樹脂35が充填されている。封止樹脂35は暗色系の層36の形成後に充填されるため、暗色系の層37の上に封止樹脂35の一部が這い上がり、封止樹脂35によって被覆された樹脂被覆部37が形成される場合がある。暗色系の層36が露出している部分では光の反射が抑制されるが、樹脂被覆部37の表面において光が反射されるため、表示コントラストが低下する。
また、封止樹脂を充填した後でその表面に光拡散部材を含有する層を形成する方法は、製造工程が増加するため、コストが増大する。また、半田付けのためにリードフレームを露出させる必要があり、半田付け不良を回避するために基板への半田実装後にコーティングすると、コーティングに失敗した場合には基板ごと不良品となるため、歩留まりが大きく低下する。
上記課題を解決するために、発光装置は、凹部を有するパッケージ本体と、前記凹部の底面に実装された半導体発光素子と、前記凹部内に充填された透光性の封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂は、粒子を含有し、前記凹部から前記パッケージ本体の上面にかけて形成されており、少なくとも前記パッケージ本体の上面において、その表面に前記粒子の形状に沿った凸部を有し、前記パッケージ本体の上面に、前記封止樹脂を介して、暗色系の層が形成されたことを特徴とする。
上記の発光装置には以下の構成を組み合わせることができる。
前記上面の一部に、前記封止樹脂から露出した露出部を有し、前記暗色系の層は、前記露出部と前記封止樹脂の境界を少なくとも被覆する。
前記上面は、前記封止樹脂によって被覆された下段部と、前記封止樹脂から露出した上段部と、からなる段差を有する。
前記封止樹脂は、前記凹部上の表面に前記粒子の形状に沿った凸部を有する。
前記粒子は破砕状である。
前記パッケージ本体は白色樹脂からなり、前記暗色系の層は黒色樹脂からなる。
本発明によれば、外来光が照射された際、発光装置の上面における所謂ギラつきを減少させることができ、見る人に不快感を与えず、また表示コントラストの低下を大幅に軽減することができる発光装置を、容易に得ることができる。さらに、発光素子内部からの光を均一に散乱し外部に発光させることができると共に、発光素子内部からの光の混色性を向上させることができる。
図1は本発明の実施の形態1の発光装置を示す模式的な断面図である。 図1に示す発光装置の一部を拡大した模式的な断面図である。 図3は本発明の実施の形態2の発光装置を示す模式的な断面図である。 図4は従来の発光装置を示す模式的な断面図である。
本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための半導体装置およびその形成方法を例示するものであって、本発明は、発光装置およびその形成方法を以下に限定するものではない。
また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。
[実施の形態1]
図1に、本発明の実施の形態1に係る発光装置の模式的な断面図を示す。発光装置は、凹部を有するパッケージ本体1と、パッケージ本体1に一部が被覆され、一部が露出した第1リード端子2a、第2リード端子2bと、凹部の底面で露出した第1リード端子2aに実装された半導体発光素子3と、半導体発光素子3を被覆するように凹部内に充填された封止樹脂4と、を有する。半導体発光素子3とリード端子2a、2bとは、金属ワイヤ6によって電気的に接続されている。封止樹脂4は粒子を含有し、その表面は粒子に沿った凸部を有する。封止樹脂4の一部はパッケージ本体1の上面1aにも形成されており、その封止樹脂4の上に暗色系の層5が形成されている。
図1に示す発光装置の一部を拡大した模式図を図2に示す。図2に示すように、封止樹脂4の表面には粒子7の形状に沿った凸部が形成されており、パッケージ本体1の上面1aに形成された封止樹脂4の表面を覆うように暗色系の層5が形成されている。これによって、暗色系の層5への封止樹脂4の這い上がりを防止できると共に、封止樹脂4表面の凸部によって形成された暗色系の層5表面の凸部によって光を散乱させることができ、表示コントラストの低下を抑制できる。暗色系の層5表面の凸部は、封止樹脂4に含有される粒子7の形状に沿った凸部となる。封止樹脂4表面の凸部は、少なくとも暗色系の層5が形成される領域に設けることが好ましく、さらに好ましくは凹部上の封止樹脂4の表面にも凸部を設ける。このように封止樹脂4の表面全体に粒子7の形状に沿った凸部を配置することで、外来光の照り返しを抑制でき、コントラストの低下を低減できる。
(パッケージ本体)
パッケージを構成する樹脂の具体的な材料としては絶縁性部材が好ましい。また、半導体発光素子からの光や外光などが透過しにくい部材が好ましい。また、ある程度の強度を有するもので、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができ、より具体的には、フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、BTレジンや、PPAなどが挙げられる。パッケージ本体は、半導体発光素子を載置可能な凹部を有することが好ましい。この凹部は側面と底面を有しており、底面にはリード端子が露出されており、露出されたリード端子に半導体発光素子が載置される。また、パッケージ本体を白色樹脂で構成することで、凹部の壁面における光の反射率を向上でき、光取り出し効率を向上できる。
(リード端子)
リード端子の形状は、特に限定されるものではない。半導体発光素子と電気的に接続可能で、かつ、一部が基体に内包されるとともに基体の外部から突出するように延設され、この延設部によって外部と電気的な接続がとれるような機能を有していればよい。リード端子の材料としては、熱伝導率の比較的大きな材料を用いることが好ましい。このような材料で形成することにより、半導体素子で発生する熱を効率的に逃すことができる。例えば、200W/(m・K)程度以上の熱伝導率を有しているものが好ましい。さらに、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅等が挙げられる。
リード端子は第1リード端子と第2リード端子を有する。図1に示すように、第1リード端子2aに半導体発光素子3を載置し、金属ワイヤ6によって半導体発光素子3と第1リード端子2a及び第2リード端子2bとを接続する。
(半導体発光素子)
半導体発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSeや窒化物系半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAs、InPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。さらには、半導体発光素子とともに、受光素子などを搭載することができる。また、半導体発光素子の周囲に半導体発光素子の発光を波長変換する蛍光体を配置して、任意の発光を得ることができる。例えば、青色発光の半導体発光素子と黄色発光の蛍光体を組み合わせて、白色を得ることができる。
(封止樹脂)
半導体発光素子が載置された凹部の内部は、封止樹脂によって封止される。封止樹脂は、パッケージに載置された半導体発光素子や金属ワイヤを、塵芥、水分や外力などから保護する部材であり、半導体発光素子からの光を透過可能な透光性を有する部材が用いられる。具体的な材料としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂を挙げることができる。封止部材は、半導体発光素子を完全に被覆する量を用いることが好ましい。
(粒子)
粒子の形状は、球形や破砕状とすることができる。球形の粒子は沈降し易く、封止樹脂表面に粒子の形状に対応した凸部が形成され難い。このため、封止樹脂からの光の取り出し効率を向上できるが、平坦な封止樹脂表面は外来光を反射し易く、所謂ギラツキが発生する。ギラツキを抑制するためには、破砕状の粒子とすることが好ましい。破砕状の粒子とすることで、同程度の大きさの球形の粒子より表面積が大きくでき、粒子の沈降を抑制できるので、封止樹脂の上部に粒子が存在する状態で樹脂硬化させることができる。図2に示す粒子7は、破砕状の粒子の一例である。このように粒子7を封止樹脂4の表面近傍に配置することで、粒子7の形状に沿った凸部を封止樹脂4の表面に分散して配置することができ、外来光の照り返しを抑制してコントラストの低下を低減できる。
粒子の濃度は、20%より大きくすることが好ましく、これにより、封止樹脂の表面近傍に粒子を滞留させ、粒子の形状に沿った凸部を形成することができる。一方、粒子の濃度を大きくすると封止樹脂から光が取り出され難く、光度の低下や配光の偏りが生じるため、粒子の濃度は60%以下が好ましく、さらに好ましくは40%以下とし、より好ましくは30%以下とする。粒子の大きさは、例えば0.5〜10μm程度とすることができる。
粒子は、特に限定されるものではないが、酸化ケイ素(シリカ)、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウムなどの無機部材や、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、CTUグアナミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂などの有機部材を好適に用いることができる。また、顔料や蛍光物質の粉末を用いることもできる。粒子は、光散乱剤として利用できる部材であることが好ましく、このような粒子を封止樹脂中に分散させて半導体発光素子の発光を散乱させることで、発光装置の色むらを改善できる。表示コントラストの低下抑制と光取り出し効率の両立のためには、粒子は、無着色の透光性部材であることが好ましい。
(暗色系の層)
暗色系の層は、例えばフッ素樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等に暗色系の顔料を含有させることで形成できる。暗色系の顔料としては、例えばカーボンブラックを主成分とする無機顔料を用いることができる。カーボンブラックを主成分とする無機顔料は、染料などの有機顔料に比較して光劣化に対して優れた耐久性を有するため、劣化による色変化を最小限に抑えることができる。パッケージ本体を樹脂で構成する場合は、密着性の点から暗色系の層も樹脂で構成することが好ましく、例えば黒色樹脂を用いる。また、暗色系の層を形成する手段としては、スクリーン印刷など公知の方法を用いることができる。暗色系の層は、少なくともパッケージ本体の上面と封止樹脂を被覆する。パッケージ本体を白色樹脂のような暗色系の層より外来光に対する反射率の高い材料で形成する場合は、暗色系の層によってパッケージ本体の上面を完全に被覆することで、外来光の照り返しを低減できる。製造精度を考慮すると、暗色系の層は、パッケージ本体の上面より内側、つまりパッケージ本体の凹部上に位置する封止樹脂表面まで連続して形成することが好ましい。一方、光取り出し効率向上のためには、図1及び図2に示すように、発光装置の発光面となる凹部上の封止樹脂表面を除いた領域に暗色系の層を形成し、凹部上の封止樹脂表面を暗色系の層から露出させることが好ましい。
暗色系の層は、外来光に対する反射率が低い材料で形成されるが、これに加えて、封止樹脂に含有された粒子に沿った凸部を有する構造とすることで、さらに外来光の照り返しを低減することができる。暗色系の層の膜厚を、粒子の平均の大きさより小さくすることで、暗色系の層に粒子に沿った凸部を容易に形成することができる。具体的には、例えば1〜10μmの膜厚とする。なお、ここでいう膜厚とは、凸部が形成されていない領域における暗色系の層の膜厚を示す。さらに、暗色系の層を粒子の形状に沿った凸部が形成される程度に薄く形成することにより、半導体発光素子からの光の吸収を低減でき、光取り出し効率の低下を抑制できる。
封止樹脂をパッケージ本体の上面にまで形成することで、図1に示すように、封止樹脂の周縁部が盛り上がってしまう。外来光が照射されると、この盛り上がり部周辺が特にギラついて見えるため、暗色系の層は、少なくとも封止樹脂の周縁部の盛り上がり部を含む領域に形成することが好ましい。これにより、発光装置上面のギラつきを効果的に軽減することができる。
また、暗色系の層は、封止樹脂とパッケージ本体との境界を覆うように形成することが好ましい。これにより、封止樹脂とパッケージ本体の界面からの水分の浸入を防止でき、防湿性が向上された信頼性の高い発光装置とできる。防湿性をさらに高めるためには、暗色系の層の膜厚を厚くすることが好ましい。具体的には、暗色系の層の膜厚を粒子の平均の大きさより厚くすることが好ましく、例えば10〜100μmの膜厚とすることができる。
[実施の形態2]
図3に、本発明の実施の形態2に係る発光装置の模式的な断面図を示す。実施の形態2の発光装置は、パッケージ本体21の上面21aに、下段部28と上段部29とを有する段差を備え、凹部から下段部28にかけて粒子を含有する封止樹脂24が形成されたこと以外は、実施の形態1の発光装置と同様である。下段部28は封止樹脂24によって被覆され、上段部29は封止樹脂24から露出しており、下段部28から上段部29にかけて暗色系の層25が形成されている。
下段部28と上段部29を設け、下段部28内に封止樹脂24を形成することで、封止樹脂24の這い上がりが低減でき、容易に製造でき、歩留まりが向上できる。また、暗色系の層25によって封止樹脂とパッケージ本体の界面を被覆し、水分の浸入を防止することにより、経年劣化でパッケージ本体21と封止樹脂24の剥離が発生した場合においても湿度が発光装置内に進入することを抑制する効果も期待できる。
下段部28内に入り込んだ光は、暗色系の層25やパッケージ本体21に吸収される傾向にあり、封止樹脂24の外部へ取り出され難い。このため、光取り出し効率の低下を抑制するためには、下段部28に形成される封止樹脂24の膜厚は、上述の実施の形態1と同様の範囲とすることが好ましい。
一方、製造精度を考慮すると、下段部28と上段部29との段差、下段部28の深さは0.1〜0.5mm程度とすることが好ましい。下段部28における封止樹脂24の膜厚は、下段部28の深さの50〜100%程度とすることで、暗色系の層25を形成し易く、暗色系の層25との密着力を向上できる。封止樹脂24の這い上がりを防止するためには、封止樹脂24の膜厚を下段部28の深さの90%以下とすることが好ましい。下段部28の封止樹脂24の膜厚が粒子の大さより大きい場合は、粒子の形状を破砕状とすることが好ましく、これによって、封止樹脂24の表面に粒子の形状に沿った凸部を容易に形成することができる。
本発明に係る半導体装置は、広告、行き先案内や道路情報等の表示用、信号機の光源、小型乃至大型ディスプレイなどに用いられる発光装置に利用することができる。
1、21 パッケージ本体、1a、21a パッケージ本体の上面
2a、22a 第1リード端子、2b、22b 第2リード端子
3、23 半導体発光素子
4、24 封止樹脂
5、25 暗色系の層
6、26 金属ワイヤ
7 粒子
28 下段部、29 上段部
31 パッケージ本体
32a、32b リード端子
33 半導体発光素子
34 金属ワイヤ
35 封止樹脂
36 暗色系の層
37 樹脂被覆部

Claims (5)

  1. 凹部を有するパッケージ本体と、前記凹部の底面に実装された半導体発光素子と、前記凹部内に充填された透光性の封止樹脂と、を備え、
    前記封止樹脂は、粒子を含有し、前記凹部から前記パッケージ本体の上面にかけて形成されており、少なくとも前記パッケージ本体の上面において、その表面に前記粒子の形状に沿った凸部を有し、
    前記パッケージ本体の上面に、前記封止樹脂を介して、暗色系の層が形成され、
    前記暗色系の層の膜厚は前記粒子の平均の大きさより厚く、
    前記暗色系の層は、前記パッケージ本体の上面において、前記封止樹脂と前記パッケージ本体との境界を覆うように形成され、
    前記凹部上の封止樹脂表面が、前記暗色系の層から露出した発光装置。
  2. 前記上面は、前記封止樹脂によって被覆された下段部と、前記封止樹脂から露出した上段部と、からなる段差を有する請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記封止樹脂は、前記凹部上の表面に前記粒子の形状に沿った凸部を有する請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記粒子は破砕状である請求項1〜のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 前記パッケージ本体は白色樹脂からなり、前記暗色系の層は黒色樹脂からなる請求項1〜のいずれか1項に記載の発光装置。
JP2010041208A 2010-02-26 2010-02-26 発光装置 Active JP5724183B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010041208A JP5724183B2 (ja) 2010-02-26 2010-02-26 発光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010041208A JP5724183B2 (ja) 2010-02-26 2010-02-26 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011176247A JP2011176247A (ja) 2011-09-08
JP5724183B2 true JP5724183B2 (ja) 2015-05-27

Family

ID=44688816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010041208A Active JP5724183B2 (ja) 2010-02-26 2010-02-26 発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5724183B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3716331B1 (en) 2010-12-28 2023-06-28 Nichia Corporation Light emitting device
JP5915216B2 (ja) * 2012-02-06 2016-05-11 大日本印刷株式会社 リードフレーム及び半導体装置
JP6728764B2 (ja) * 2016-02-26 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP6128254B2 (ja) * 2016-04-05 2017-05-17 大日本印刷株式会社 リードフレーム及び半導体装置
JP6846877B2 (ja) * 2016-05-16 2021-03-24 三菱電機株式会社 表示ユニット装置及び表示装置
JP7082280B2 (ja) * 2018-03-30 2022-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7476002B2 (ja) 2020-07-09 2024-04-30 シチズン電子株式会社 発光装置
JP7444718B2 (ja) 2020-07-09 2024-03-06 シチズン電子株式会社 発光装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3613041B2 (ja) * 1998-12-16 2005-01-26 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP4066620B2 (ja) * 2000-07-21 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
JP4452464B2 (ja) * 2003-08-08 2010-04-21 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011176247A (ja) 2011-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5758082B2 (ja) 発光装置
JP5724183B2 (ja) 発光装置
CN107924962B (zh) 发光器件
JP7277804B2 (ja) 発光装置及び光源
US10043954B2 (en) Lighting device with a phosphor layer on a peripheral side surface of a light-emitting element and a reflecting layer on an upper surface of the light-emitting element and on an upper surface of the phosphor layer
JP5158472B2 (ja) 半導体発光装置
US6881980B1 (en) Package structure of light emitting diode
JP4796031B2 (ja) 車両前照灯光源および車両前照灯
CN110858599A (zh) 像素阵列封装结构及显示面板
US20110089815A1 (en) Light-emitting device
JP2003086846A (ja) 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
JP2009538531A (ja) 照明装置、および、製造方法
KR20180013791A (ko) 발광 장치 및 그 제조 방법
US9293672B2 (en) Light emitting device package
JP5698808B2 (ja) 半導体発光装置
JP2010206138A (ja) 発光装置
JP4826102B2 (ja) 表示装置
WO2014050650A1 (ja) 発光装置
US9812620B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
US9093626B2 (en) Luminescence device
JP5450680B2 (ja) 半導体発光装置
US9024518B2 (en) Light-emitting diode and lighting device including the same
US20160293806A1 (en) Light-emitting diode (led) package
JP2006245080A (ja) 照明装置
CN104241262B (zh) 发光装置以及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131008

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140729

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140929

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150303

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150316

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5724183

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250