CN102956789B - 多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其中基板的周边区及导线架的表面各具有凹凸的表面结构,凹凸的表面结构可增加基板的周边区及导线架的表面粗糙度,因此液态的封装材料可填注凹点及凹部中,如此封装材料固化后所形成的封装体会与基板及导线架紧密地结合并固定成一体,另透镜底部可涂布有结合剂,藉以增加透镜的密封程度,且本发明更利用掺杂导热效能优异材质的焊膏,使LED晶粒产生的热能快速地被排散出去。
Description
技术领域
一种发光二极管光引擎的封装结构,尤其是一种完全阻绝水气进入、坚固耐用及长期维持光学组件效能的一种高强度气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构。
背景技术
按LED的发光原理是利用半导体固有特性,它不同于以往的白炽灯管的放电、发热发光原理,而是将电流顺向流入半导体的PN接面时便会发出光线,所以LED被称为冷光源(coldlight)。由于LED具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低且不含水银等有害物质等的优点,故可广泛应用于照明设备产业中,且其通常以LED阵列封装方式应用在电子广告牌、交通号志等商业领域。
请参考新型专利公告号M393044的申请案的应用于发光二极管封装结构的具有荧光层的光学透镜,在此仅作一般功能的描述。参考图1,应用于发光二极管封装结构的具有荧光层的光学透镜的剖视图,其包含基板1a、封装体2a、导线架3a、光学透镜4a及透镜罩5a,基板1a位于封装结构的最底层部分,其中基板1a的各面皆形状平整且光滑的面,该基板1a的周边部分会被该封装体1a包覆固定,封装体2a的内壁面并设置有光学反射罩6a,封装体2a并也包覆固定导线架3a,导线架3a的各面皆形状亦为平整且光滑的面。
光学反射罩6a上配置有光学透镜4a及透镜罩5a,其中透镜罩5a覆盖住光学透镜4a,透镜罩5a藉由黏合方式固定在光学反射罩6a的顶部,以及使透镜罩5a嵌合于封装体2a之中,以使透镜罩5a可紧密固定于封装体2a及光学反射罩6a上。
然而现有技术的缺点在于由于基板的各面是平滑的表面,当封装体将基板封装固定后,会形成一种平面对平面的接触关系,由于平面对平面的接触,使得封装体与基板相互间的摩擦力很少,导致会产生滑动不稳固的情形,此种滑动不稳固的情形也发生在导线架上,且封装体通常是使用液态状的材料包覆在基板或其它欲封装的构件的周围,当液态状的材料固态化以将基板封装起来,但是当基板的各面过于平滑,将难以使液态状的材料平均性的布满于基板各面,此种情形的解决方式,不外乎是增加材料用量或以人工方式去处理,相当耗损成本。
现有技术的另一缺点还有透镜罩难以长期固定于光学反射罩上,因为透镜罩的材质是塑料材质,而光学反射罩为了使光线反射高提高,会选用金属材质或在表面上镀上一层金属薄膜,但由于塑料不易与金属的表面接着固定,导致塑料材质的透镜罩会慢慢地脱离于金属材质的光学反射罩。
当基板与封装体发生松动的状况,以及透镜罩无法紧密地固定于光学反射镜时,将导致湿气或水气容易渗入于封装结构内部,导致发光组件及光学单元劣化甚至损毁,因此无法使用于潮湿的环境下,因此必须对此加以改良,并提供一种完全阻绝水气进入、并坚固耐用及长期维持光学组件效能的一种发光二极管的封装结构。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构。
为了达到上述目的,本发明的一种多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,包含有:
一基板,该基板可区分为一中心区及一周边区,该中心区的顶面为一出光面,该基板并具有一边缘,该中心区是涵盖该基板的中间区块,该周边区为在该中心区与该边缘之间的区块,其中该周边区具有一顶面、一侧面及一底面,在该顶面形成有两容置槽;
一封装体,该封装体包覆该基板的该周边区部分但不包覆该中心区,该封装体的包覆区域包含有该顶面、该侧面及该底面,该封装体具有一封装腔室,该封装腔室位于该出光面之上;
两导线架,该两导线架皆具有一内端部及一外端部,该两导线架的该内端部分别位于该两容置槽之中,该两导线架的该内端部及该外端部之间部分皆被封埋于该封装体之中,而该内端部及该外端部则露出于该封装体之外;以及
多个发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒设置于该出光面,所述发光二极管晶粒与该两导线架构成电性连接关系。
其中,基板的周边区块的各面上形成有一表面结构,该表面结构为凹陷部与凸出部相互交隔间错的态样,凹陷部可使液态状态的封装材料填流于表面结构的凹陷部,当封装材料固态化后,封装材料填流于凹陷部的部分以及封装材料对应于凸出部的部分皆与基板形成卡合的关系,如此基板与封装材料固态后所形成的封装体会紧密地结合并固定成一体,进而大幅提升基板对封装体的结构强度及封装密合度。
其中,包覆于封装体中的导线架具有多个第二凹点,所述第二凹点可使液态状态的封装材料填流其中,避免液态状的封装材料从导线架流散出去,当封装材料固态化后,封装材料填流于所述第二凹点的部分会皆与导线架形成卡合的关系,如此导线架与封装材料固态后所形成的封装体会紧密地结合并固定成一体,进而提升导线架对封装体的接合度。
其中,设置在封装结构最上层的透镜底部可进一步涂布有结合剂,结合剂可使透镜更紧密地与其之下的构件相黏合,藉以阻绝外界湿气侵入于透镜内及封装结构的内部,且透镜浮设于与透镜材质相似的硅胶隔离层上,而非配置于光学反射罩上,进而防止透镜发生松动脱离的情形,且提升透镜在封装结构中的密合性。
其中,利用掺杂钻石粉的焊膏,将发光二极管晶粒焊设于基板上,由于钻石粉具有较佳的导热效果,因此可有效将发光二极管晶粒产生的热能导出,其中钻石粉还可镀上具有导热性能优异的材质,如此发光二极管晶粒所产生的热能可被更快地排散至外部环境空间。
附图说明
图1为现有技术的应用于发光二极管封装结构的具有荧光层的光学透镜的剖视图;
图2为本发明的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构的第一实施例示意图;
图3A为本发明的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构的俯视示意图;
图3B为图2A的区域A的局部剖视放大图;
图4为本发明的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构的第二实施例示意图;
图5为本发明的基板的第一实施例示意图;
图6为本发明的基板的第二实施例示意图;
图7为本发明的基板的第三实施例示意图;
图8为本发明的基板的第四实施例示意图;
图9为本发明的基板的第五实施例示意图;
图10为本发明的基板的第六实施例示意图;
图11为本发明的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构的一较佳实施例示意图;
图12A为图11的区域A的局部放大图;
图12B为图11的区域B的局部放大图。
具体实施方式
以下配合图式对本发明的实施方式做更详细的说明,使熟悉本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。
参考图2,本发明的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构的第一实施例示意图。本发明是有关一种多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其可完全杜绝外界的湿气进入多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构的内部,防止内部的各光学组件因受潮而劣化。
多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构至少包含有一基板1、一封装体3、两导线架对5。基板1可区分为中心区11及周边区13,中心区11的顶面为出光面111,中心区11是涵盖于基板1的中心区块,较佳地中心区11的涵盖面积大于周边区13的涵盖面积,而周边区13为在中心区11及基板1边缘之间的区块,另周边区13具有顶面131、侧面133及底面135。
参考图3A,本发明的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构的俯视示意图,参考图3B,图3B为图3A的区域A的局部剖视放大图,并配合图1所示。在顶面131上形成有两容置槽131A及131B及多个第一凹点1315,较佳地两容置槽131A及131B分别设置在顶面131上的相互对应的位置,较佳地两容置槽131A及131B可设置在尽量靠近于出光面111的位置,亦即让两容置槽131A及131B位于靠近出光面111的两侧,所述第一凹点1315可设置成环状,且所述第一凹点1315也可设置于两容置槽131A及131B之中。其中该中心区11的形状可以圆形、椭圆形、四边形、多边形及其它适当形状。
封装体3包覆住基板1的周边区13的部分,但不包覆住中心区11,封装体3的包覆区域需涵盖顶面131、侧面133及底面135,其中封装体3具有封装腔室31,封装腔室31为封装体3未包覆住中心区11的部分,因此封装体3在中心区11的上方围构出容置空间,容置空间供封装腔室31之中可配置适当的光学构件,封装腔室31的底部恰为出光面111。
封装腔室31的内壁面311与出光面111相互之间具有一夹角关系,较佳地夹角小于90度,当内壁面311与出光面111之间的夹角小于90度时,内壁面311是面向于封装腔室31之外,因此当有光线射向到内壁面311时,将有助于光线被反射至封装腔室31之外,内壁面311之上可进一步设置光学反射罩4,透过在内壁面311之上设置光学反射罩4,更可大幅提升光线反射到封装腔室31之外的机率,使发光的照度得以提高。
封装体3使用封装材料来包覆住基板1的周边区13的部分,其中封装材料可以是模塑树脂(MoldResin),模塑树脂的材质可以是聚邻苯二甲酰胺压模树脂(poly-phthal-amide,PPA)或液晶聚合物(LiquidCrystallinePolymer,LCP)。
参考图3A及图3B,并配合图2所示,两导线架5皆具有内端部51及外端部53,两导线架5的内端部51分别位于两容置槽131A及131B之中,其中外端部53的水平高度可高于内端部51的水平高度,如图1所示,两导线架5的其中一部分可形成有弯折段,弯折段的两端延伸出去即是两导线架5的内端部51及外端部53。
该两导线架5与该基板1之间相隔有该封装体3,且两导线架5的内端部51及外端部53之间的部分被封埋于封装体3之中,而内端部51及外端部53则露出于封装体3之外,其中该两导线架5的一面设置有多个第二凹点511,较佳地可将所述第二凹点设置在两导线架5的内端部51及在内端部51的周围区域。
所述第一凹点1315及所述第二凹点511的设置分别在于增加封装体3对基板1及导线架5的接着性,因为导线架5是使用具导电性质的金属制成,封装体3则使用塑料或树脂的材质,由于塑料或树脂不易与金属接合,但透过在导线架5设置有所述第二凹点511,可以增加导线架5的表面粗糙度,且所述第二凹点511还可以被液态的塑料或树脂填满,让液态的塑料或树脂可以布满导线架5的表面上,因此当液态的塑料或树脂固化后,可以增加封装体3对导线架5的接着性,使封装体3更加紧密地封合于导线架5。
参考图4,本发明的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构的第二实施例示意图。其中在出光面111上可设置有多个发光二极管晶粒6,发光二极管晶粒6可以利用阵列性的排列方式配置在出光面111上,发光二极管晶粒6并与两导线架5构成电性连接,其中发光二极管晶粒6藉由打线接合与两导线架5而形成电性连接关系。
其中所述发光二极管晶粒6藉由一焊膏(图中未示)被焊设于该基板1的出光面111上,其中该焊膏可以是锡膏或银胶的至少其中之一,其中锡膏还可与碳晶与钻石晶体相混合,该钻石晶体还可镀上镍、银或其它导热性能优异的材质,透过在焊膏加入导热效果较佳的材料,可让焊膏的导热效能有效提升,藉以把发光二极管晶粒6所产生的热能快速地经由基板1传导至外部环境空间。
在所述发光二极管晶粒6之上可进一步形成有晶粒保护层7,晶粒保护层7须包覆所述发光二极管晶粒6,藉以保护所述发光二极管晶粒6免受外界的湿气及外界的污染,其中晶粒保护层7的材质为一硅胶,晶粒保护层7之上可再形成荧光胶层8,荧光胶层8可将所述发光二极管晶粒6所发出的光线予以混色。
荧光胶层8之上更可形成硅胶隔离层9,硅胶隔离层9可隔绝外界的湿气侵入至荧光胶层8,如此荧光胶层8不会因受潮而变质。再者,在硅胶隔离层9之上可配置透镜10,且透镜10被底胶层20(underfilling)黏固于硅胶隔离层9之上,其中透镜10是浮设于硅胶隔离层9之上,不与光学反射罩4直接接触,且硅胶隔离层9与透镜10都属于塑料材质,透镜10可紧密地固定于硅胶隔离层9之上,再者透过透镜10还可被底胶层20固定住,更可有效防止透镜10发生松动的情形,其中底胶层20的材质可以是环氧树脂或其它适当材质。
其中硅胶隔离层9及透镜10之间可涂布有结合剂30(primer),结合剂30用增加硅胶隔离层9及透镜10之间的封密性,并阻绝外界湿气侵入于透镜10之内及硅胶隔离层9之下的荧光胶层8。
参考图5,本发明的基板的第一实施例示意图,参考图6,本发明的基板的第二实施例示意图。其中基板1的顶面131上可形成有第一上沟槽1311,如图5所示。或者,也可如图6所示,在顶面131上进一步形成上凸部1313,其中在顶面131上可单独地设置第一上沟槽1311或上凸部1313,也可在顶面131上同时设置第一上沟槽1311及上凸部1313。
第一上沟槽1311的形状可以是U型、凹型、V型或其它适当的形状。要注意的是,上述第一上沟槽1311的数目与上凸部1313的数目视实际需要而定,在此仅是说明用的实例而已,并非用以限制本发明的范围。
参考图7,本发明的基板的第三实施例示意图。承上所述,在顶面上111可再设置出第二上沟槽1315,第二上沟槽1315设置在上凸部1313与基板1的边缘之间,第二上沟槽1315的形状可以是U型、凹型、V型或其它适当的形状。
参考图8,本发明的基板的第四实施例示意图,参考图9,本发明的基板的第五实施例示意图。在侧面133上可形成有侧沟槽1331,如图8所示。或者,也可如图9所示,在侧面133上设置出侧凸部1333,且侧凸部1333与在侧凸部1333之下的侧面133部分形成L型的结构,其中在侧面133上可单独地设置侧沟槽1331或侧凸部1333,也可在顶面133上同时设置侧沟槽1331及侧凸部1333。侧沟槽1331的形状可以是U型、凹型、V型或其它适当的形状。
参考图10,本发明的基板的第六实施例示意图。在底面135上可形成有下沟槽1351,如图10所示。或者,也可在底面135设置出一下凸部(图中未示),其中在底面135上可单独地设置下沟槽1351或下凸部,也可在底面135上同时设置下沟槽1351及下凸部。
参考图11,本发明的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构的一较佳实施例示意图。其中在本发明的较佳实施例中,可在透过在周边区13的顶面131上由内至外依序设置两个第一上沟槽1311、一个上凸部1313及一个第二上沟槽1315,其中两个第一上沟槽1311皆设置成凹型状,第二上沟槽1315设置成V形状,而侧面133上形成侧凸部1333,且侧凸部1333与侧面133形成L型的结构,底面135则形成一个下沟槽1351。
参考图12A,图12A为图11的区域A的局部放大图,参考图12B,图12B为图11的区域B的局部放大图。其中两个第一上沟槽1311的内壁面上还可形成凸缘1311a,而在第二上沟槽1315的内壁面进一步形成凹缘1315a。
上述的所述沟槽与所述沟槽可使液态状的封装材料可填流于所述沟槽之中,因此当封装材料形成固态状后,填流于所述沟槽的部分以及封装材料固态后所形成的封装体3的对应于凸部的部分会与基板1形成卡合的关系,如此基板1与封装体3会紧密地结合并固定成一体,不会因松脱而滑动,如此可增加基板与封装体的结构强度及封装密合度。
尤其是当所述沟槽的内壁面上形成有凸缘1311a及凹缘1315a的时候,当封装材料形成固态状后,会分别与所述沟槽内壁面的凸缘1311a及凹缘1315a相卡合,使基板1可与封装体3更紧密地结合并固定成一体,使基板对封装体的结构强度及封装密合度更为强化。
要注意的是,凸缘1311a及凹缘1315a的实际设置位置视实际需要而定,在此仅是说明用的实例而已,并非用以限制本发明的范围,亦即上述的任一沟槽及任一凸部都能视实际需要进一步设置凸缘1311a或凹缘1315a的至少其中之一,以提升本发明的封装结构的结构强度及封装密合度。
以上所述仅为用以解释本发明的较佳实施例,并非企图据以对本发明做任何形式上的限制,因此,凡有在相同的发明精神下所作有关本发明的任何修饰或变更,皆仍应包括在本发明意图保护的范畴。
Claims (43)
1.一种多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该封装结构包含有:
一基板,该基板可区分为一中心区及一周边区,该中心区的顶面为一出光面,该基板并具有一边缘,该中心区是涵盖该基板的中间区块,该周边区为在该中心区与该边缘之间的区块,其中该周边区具有一顶面、一侧面及一底面,在该顶面形成有两容置槽,该顶面更形成有多个第一凹点;
一封装体,该封装体包覆该基板的该周边区部分但不包覆该中心区,该封装体的包覆区域包含有该顶面、该侧面及该底面,该封装体具有一封装腔室,该封装腔室位于该出光面之上;
两导线架,该两导线架皆具有一内端部及一外端部,该两导线架的该内端部分别位于该两容置槽之中,该两导线架的该内端部及该外端部之间部分皆被封埋于该封装体之中,而该内端部及该外端部则露出于该封装体之外;以及
多个发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒设置于该出光面,所述发光二极管晶粒与该两导线架构成电性连接关系。
2.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该两容置槽为相互对应的设置。
3.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该封装腔室具有一内壁面,该内壁面与该出光面相对之间具有一交角关系。
4.如权利要求3所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该内壁面之上设置有一光学反射罩。
5.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该封装体可利用一封装材料包覆该基板的该周边区的部分。
6.如权利要求5所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该封装材料为一模塑树脂。
7.如权利要求6所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该模塑树脂的材质为聚邻苯二甲酰胺压模树脂或液晶聚合物。
8.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该两导线架与该基板之间相隔有该封装体。
9.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,在该两导线架设置有多个第二凹点。
10.如权利要求9所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,所述第二凹点设置在该两导线架的该内端部及在该内端部的周围区域。
11.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,所述发光二极管晶粒是以阵列性的排列方式配置于该出光面上。
12.如权利要求1或11所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,所述发光二极管晶粒藉打线接合与该两导线架构成电性连接关系。
13.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,所述发光二极管晶粒藉由一焊膏配置于该基板的该出光面。
14.如权利要求13所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该焊膏包含有一锡膏或一银胶的至少其中之一。
15.如权利要求14所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该锡膏混合有碳晶、钻石晶体或镀有镍的钻石晶体的至少其中之一。
16.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,更包含一晶粒保护层,该晶粒保护层形成于所述发光二极管晶粒之上,并须包覆所述发光二极管晶粒。
17.如权利要求16所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该晶粒保护层的材质为一硅胶。
18.如权利要求16所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,进一步包含一荧光胶层,该荧光胶层形成于该晶粒保护层之上。
19.如权利要求18所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,进一步包含一硅胶隔离层,该硅胶隔离层形成于该荧光胶层之上。
20.如权利要求19所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,进一步包含一透镜,该透镜被位于该硅胶隔离层之上。
21.如权利要求20所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,进一步包含一底胶层,其中该透镜被该底胶层黏固于该硅胶隔离层之上。
22.如权利要求21所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该底胶层的材质为环氧树脂。
23.如权利要求20所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该硅胶隔离层与该透镜之间具有一结合剂。
24.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,所述第一凹点可配置成环状。
25.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该顶面至少形成有一第一上沟槽、一上凸部或该第一上沟槽及该上凸部的至少其中之一。
26.如权利要求25所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该第一上沟槽的内壁面还可形成有一凸块或一凹槽的至少其中之一。
27.如权利要求25所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该上凸部的外壁面还可形成有一凸块或一凹槽的至少其中之一。
28.如权利要求25所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该第一上沟槽的形状为凹型。
29.如权利要求28所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该第一上沟槽的形状进一步为U型及V型的至少其中之一。
30.如权利要求25所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该顶面还可形成有一第二上沟槽,且该上凸部设置于该第一上沟槽及该第二上沟槽之间,且该第一上沟槽设置在靠近于该两容置槽的位置,该第二上沟槽设置在靠近于该基板的该边缘的位置。
31.如权利要求30所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该第二上沟槽的内壁面还可形成有一凸块或一凹槽的至少其中之一。
32.如权利要求30所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该第二上沟槽的形状为凹型。
33.如权利要求32所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该第二上沟槽的形状进一步为U型及V型的至少其中之一。
34.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该侧面形成有至少一侧沟槽或至少一侧凸部的至少其中之一。
35.如权利要求34所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该至少一侧沟槽的内壁面还可形成有一凸块或一凹槽的至少其中之一。
36.如权利要求34所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该至少一侧凸部的外壁面形成有一凸块或一凹槽的至少其中之一。
37.如权利要求34所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该至少一侧沟槽的形状为凹型。
38.如权利要求37所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该至少一侧沟槽的形状进一步为U型及V型的至少其中之一。
39.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该底面形成有至少一下沟槽或至少一下凸部的至少其中之一。
40.如权利要求39所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该至少一下沟槽的内壁面还可形成有一凸块或一凹槽的至少其中之一。
41.如权利要求39所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该至少一下凸部的外壁面还可形成有一凸块或一凹槽的至少其中之一。
42.如权利要求39所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该至少一下沟槽的形状为凹型。
43.如权利要求42所述的多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构,其特征在于,该至少一下沟槽的形状进一步为U型及V型的至少其中之一。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110235576.2A CN102956789B (zh) | 2011-08-17 | 2011-08-17 | 多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110235576.2A CN102956789B (zh) | 2011-08-17 | 2011-08-17 | 多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102956789A CN102956789A (zh) | 2013-03-06 |
CN102956789B true CN102956789B (zh) | 2016-01-13 |
Family
ID=47765310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110235576.2A Expired - Fee Related CN102956789B (zh) | 2011-08-17 | 2011-08-17 | 多层式阵列型发光二极管光引擎的封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102956789B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107785475B (zh) * | 2015-07-17 | 2020-02-07 | 开发晶照明(厦门)有限公司 | 发光装置复合基板及具有该发光装置复合基板的led模组 |
CN106449908B (zh) * | 2016-11-30 | 2018-10-26 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种基于量子点荧光膜的led灯珠的封装方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201732813U (zh) * | 2010-07-07 | 2011-02-02 | 盈胜科技股份有限公司 | 应用于发光二极管封装结构的具有荧光层的光学透镜 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4830768B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-08-17 CN CN201110235576.2A patent/CN102956789B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201732813U (zh) * | 2010-07-07 | 2011-02-02 | 盈胜科技股份有限公司 | 应用于发光二极管封装结构的具有荧光层的光学透镜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102956789A (zh) | 2013-03-06 |
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C06 | Publication | ||
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