JPS59112665A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS59112665A JPS59112665A JP57222454A JP22245482A JPS59112665A JP S59112665 A JPS59112665 A JP S59112665A JP 57222454 A JP57222454 A JP 57222454A JP 22245482 A JP22245482 A JP 22245482A JP S59112665 A JPS59112665 A JP S59112665A
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Classifications
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-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は表示用光源等に使用される光半導体装置に関す
る。
る。
この種の光半導体装置の従来例を第１図に示す。図中１
はリード、２はこのリード１上にマウントされた発光素
子ペレット、３はペレット２と他のリードとをつなぐボ
ンディングワイヤ、４は反射板、５はペレット２とリー
ド１め先端側を封止するエポキシ樹脂等よりなる外囲器
、６は樹脂５のＴｊＩｉｉｌｉＩ側に集積された光散乱
剤（例えばｃａｃｏ３）よシなる光散乱層である。
はリード、２はこのリード１上にマウントされた発光素
子ペレット、３はペレット２と他のリードとをつなぐボ
ンディングワイヤ、４は反射板、５はペレット２とリー
ド１め先端側を封止するエポキシ樹脂等よりなる外囲器
、６は樹脂５のＴｊＩｉｉｌｉＩ側に集積された光散乱
剤（例えばｃａｃｏ３）よシなる光散乱層である。
このものは、発光素子ペレット２よシ放射された光が反
射板４で光反射され、発光面を形成している光散乱剤の
集積層６で光散乱され、光が外部へ放射される。しかし
一部光７は、リードピッチ等の隙間から底面方向に光も
れするため、発光面に輝度むらが生じたり、光度が低下
したシしていた。
射板４で光反射され、発光面を形成している光散乱剤の
集積層６で光散乱され、光が外部へ放射される。しかし
一部光７は、リードピッチ等の隙間から底面方向に光も
れするため、発光面に輝度むらが生じたり、光度が低下
したシしていた。
この問題を回避するため、発光素子ペレット等を刺止す
る樹脂ｍの底面に反射性塗料を塗布した光半導体装置も
あるが、このものにあっては次のような問題点があった
。（イ）リードの外装めっきである半田ディ、グ時とか
環境試験時の熱で、上記反射性塗料が変色して反射率が
低下したシ、塗料のはがれが生じたシした。（ロ）塗装
時にリード根元に塗料が付着するため、半田めっきのは
じき不良が生じたシする。（ハ）塗装により工程が増え
るため、コストアーツプの原因になる。
る樹脂ｍの底面に反射性塗料を塗布した光半導体装置も
あるが、このものにあっては次のような問題点があった
。（イ）リードの外装めっきである半田ディ、グ時とか
環境試験時の熱で、上記反射性塗料が変色して反射率が
低下したシ、塗料のはがれが生じたシした。（ロ）塗装
時にリード根元に塗料が付着するため、半田めっきのは
じき不良が生じたシする。（ハ）塗装により工程が増え
るため、コストアーツプの原因になる。
に）製品外囲器に一部塗料が付着して外観不良を生じる
ことがある。
ことがある。
本発明は上記実情に鑑みてなされ／（もので、リードピ
ッチの隙間等から底面部」への光もれて輝度むらが生じ
たり、光波が低下し／ζジするのを防止し、またこの問
題を回避する／也め樹脂外囲器底面に反射性塗料を塗布
する際、新たに生じる問題をなくすことができる光半導
体装置を提供しようとするものでちる。
ッチの隙間等から底面部」への光もれて輝度むらが生じ
たり、光波が低下し／ζジするのを防止し、またこの問
題を回避する／也め樹脂外囲器底面に反射性塗料を塗布
する際、新たに生じる問題をなくすことができる光半導
体装置を提供しようとするものでちる。
本発明は、樹脂外囲器の底面ｇｂに埋込まれた比重１２
未満の白色グラスチックビーズよシ光反射層を具備させ
ることによシ、上記従来の各種問題点を一掃したもので
ある。
未満の白色グラスチックビーズよシ光反射層を具備させ
ることによシ、上記従来の各種問題点を一掃したもので
ある。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。來２
図（ａ）は同実話例の朽成を示す断面図、同図（ｂ）は
同斜視図であるが、同実力也例のものは第１図のものと
対応させた場合の例であるから、対応個所には同一符号
を付し又説明を省略し、％徴とする点の説明を行なう。
図（ａ）は同実話例の朽成を示す断面図、同図（ｂ）は
同斜視図であるが、同実力也例のものは第１図のものと
対応させた場合の例であるから、対応個所には同一符号
を付し又説明を省略し、％徴とする点の説明を行なう。
本実施例の特徴は、外囲器となる樹脂５の底面部に゛埋
込まれた比重１．２未淘の白色プラスチックビーズよシ
なる光反射層１ノを具備した点でりる〇 第３図は本装置のつくシ方を示す工程図である。即ち樹
脂配゛合時には、第３図（ａ）に示すように沈降性散乱
剤６１ と浮上性白色グラスチックビーズ１１． をい
っしょにまぜ合わせる。次に第３図〈的のように配合樹
脂５．を型２１内に注入し、キャスティングまたはモー
ルド技術により外囲器を形成する。この際白色グラスチ
ックビーズ１１．は浮上して光反射層１ノが形成され、
光散乱剤６．は沈降して光散乱層６が形成される。次に
第３図（ｃ）のように樹脂の外囲器５を型２ノから取出
せは、本光半導体装置が完成するものである。
込まれた比重１．２未淘の白色プラスチックビーズよシ
なる光反射層１ノを具備した点でりる〇 第３図は本装置のつくシ方を示す工程図である。即ち樹
脂配゛合時には、第３図（ａ）に示すように沈降性散乱
剤６１ と浮上性白色グラスチックビーズ１１． をい
っしょにまぜ合わせる。次に第３図〈的のように配合樹
脂５．を型２１内に注入し、キャスティングまたはモー
ルド技術により外囲器を形成する。この際白色グラスチ
ックビーズ１１．は浮上して光反射層１ノが形成され、
光散乱剤６．は沈降して光散乱層６が形成される。次に
第３図（ｃ）のように樹脂の外囲器５を型２ノから取出
せは、本光半導体装置が完成するものである。
本光半導体装置にあっては、脂２図（ａ）に示す如く一
部リードピッチの隙間からもれた元７は、樹脂外囲器底
面の白色グラスチックピーズよシなる光反射層１１にて
全反射されるため、被レット２から放射された光は損失
することなく、発光面を形成している光散乱／Ｍ ６で
乱反射されて外装ｉに放射さｈるため、均一な平面発光
が得られ、同時に光度か１０％前後回上する。また白色
フ０ラスチックビーズ１１１は位１力α内部に埋込まれ
ているため、リードの外装めっきである半田ディラグ時
とか環境試験時の熱が加わっても、樹脂内のビーズ１ｌ
−ｉ変色がなくまた光反射層１１のはがれも生じること
がなく、従って光反射率は良好に保持される。またリー
ド１の露出部の根本に異物か付着しないため、半田めっ
きが全体にわたって良好に行なわれる。また光散乱剤６
１と白色プラスチックビーズ１１．はいっしょに配合で
きるため、特に従来の製造工程を変更する必要がなく、
この点でコストアップが生じない。１だ従来の塗装によ
るものと異なシ、これによる外囲器付層が生じないため
、外観が良りｆに保持される。
部リードピッチの隙間からもれた元７は、樹脂外囲器底
面の白色グラスチックピーズよシなる光反射層１１にて
全反射されるため、被レット２から放射された光は損失
することなく、発光面を形成している光散乱／Ｍ ６で
乱反射されて外装ｉに放射さｈるため、均一な平面発光
が得られ、同時に光度か１０％前後回上する。また白色
フ０ラスチックビーズ１１１は位１力α内部に埋込まれ
ているため、リードの外装めっきである半田ディラグ時
とか環境試験時の熱が加わっても、樹脂内のビーズ１ｌ
−ｉ変色がなくまた光反射層１１のはがれも生じること
がなく、従って光反射率は良好に保持される。またリー
ド１の露出部の根本に異物か付着しないため、半田めっ
きが全体にわたって良好に行なわれる。また光散乱剤６
１と白色プラスチックビーズ１１．はいっしょに配合で
きるため、特に従来の製造工程を変更する必要がなく、
この点でコストアップが生じない。１だ従来の塗装によ
るものと異なシ、これによる外囲器付層が生じないため
、外観が良りｆに保持される。
以上説明した如く本発明によれは、樹脂外囲器の底面部
に白色グラスチックビーズよシなる光反射層を埋込み形
成したから、輝度むらとか光匣が低下したシするのを防
止で七、またこの問題を回避するため反射性塗料を用い
るものの問題点もなくすることができるものである。
に白色グラスチックビーズよシなる光反射層を埋込み形
成したから、輝度むらとか光匣が低下したシするのを防
止で七、またこの問題を回避するため反射性塗料を用い
るものの問題点もなくすることができるものである。
第１図は従来の光半導体装置を示す断面図、第２図（−
）は本発明の一実施例を示す断面図、同一（ｂ）は同斜
視図、第３図（ａ）ないしくＣ）はその製造工程説明図
である。 ｌ・・・リード、２・・・発光素子ペレット、５・・・
樹脂、１１・・・光反射層、１１．・・・白色プラスチ
ックビーズ。
）は本発明の一実施例を示す断面図、同一（ｂ）は同斜
視図、第３図（ａ）ないしくＣ）はその製造工程説明図
である。 ｌ・・・リード、２・・・発光素子ペレット、５・・・
樹脂、１１・・・光反射層、１１．・・・白色プラスチ
ックビーズ。
Claims (1)
- リードと、該リード上にマウントされた発光素子波レッ
トと、該被レットと前記リードのペレットマウント部付
近とを封止する樹脂′と、該樹脂の底面部に埋込まれた
比重１２未濶の白色プラスチ、クビーズよシなる光反射
層とを具備したことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222454A JPS59112665A (ja) | 1982-12-18 | 1982-12-18 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222454A JPS59112665A (ja) | 1982-12-18 | 1982-12-18 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112665A true JPS59112665A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16782660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222454A Pending JPS59112665A (ja) | 1982-12-18 | 1982-12-18 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112665A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085747A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| US7295592B2 (en) | 2002-03-08 | 2007-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light source device and optical communication module employing the device |
| US7435997B2 (en) | 2000-08-24 | 2008-10-14 | Osram Gmbh | Component comprising a large number of light-emitting-diode chips |
| US9231175B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-01-05 | Nichia Corporation | Light emitting device with sealing member containing filler particles |
-
1982
- 1982-12-18 JP JP57222454A patent/JPS59112665A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085747A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| US7435997B2 (en) | 2000-08-24 | 2008-10-14 | Osram Gmbh | Component comprising a large number of light-emitting-diode chips |
| US7295592B2 (en) | 2002-03-08 | 2007-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light source device and optical communication module employing the device |
| US9231175B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-01-05 | Nichia Corporation | Light emitting device with sealing member containing filler particles |
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