JP3690968B2 - 発光装置及びその形成方法 - Google Patents

発光装置及びその形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3690968B2
JP3690968B2 JP2000198363A JP2000198363A JP3690968B2 JP 3690968 B2 JP3690968 B2 JP 3690968B2 JP 2000198363 A JP2000198363 A JP 2000198363A JP 2000198363 A JP2000198363 A JP 2000198363A JP 3690968 B2 JP3690968 B2 JP 3690968B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
phosphor
diffusing agent
emitting element
mold member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000198363A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001077433A (ja
Inventor
雅史 蔵本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2000198363A priority Critical patent/JP3690968B2/ja
Publication of JP2001077433A publication Critical patent/JP2001077433A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3690968B2 publication Critical patent/JP3690968B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は発光素子と発光素子からの波長を変換する蛍光体を用いた発光装置にかかわり、特に、コントラスト比と光取り出し効率が高く、量産性に優れた発光装置を提供することにある。
【0002】
【従来技術】
本出願人は、高輝度に発光する青色LEDを開発した。また、その応用製品として青色が発光可能なLEDチップと、そのLEDチップからの光を吸収して黄色に発光する蛍光体とを組合せ、LEDチップからの青色光と、蛍光体から黄色光の混色によって、白色が発光可能な発光ダイオードを実用化させた。
【0003】
かかる白色系が発光可能な発光ダイオードとして具体的には、樹脂基板の凹部内にLEDチップを配置させると共にそのLEDチップをLEDチップからの青色の可視光を吸収し、黄色の蛍光を発する蛍光体含有の透光性樹脂で被覆してある。このLEDチップに電流を流すことによって、一チップ二端子構造の比較的簡単な構成で白色系が発光可能となる。このため、白色発光ダイオードとして急速に市場で利用され始めている。
【0004】
このような蛍光体は、可視光を吸収し可視光を発光するが故に有彩色に着色しており、上述のごとき、黄色に発光する蛍光体では、外来光が照射されると蛍光体自体が黄色に見える。そのため、発光ダイオードの発光観測面側から見ると蛍光体の色に発光ダイオードの表面が見え、外部からの光によって蛍光体が含有された樹脂全体が黄色に自ら発光して見える。そのため、発光素子の点灯時と非点灯時のコントラスト比が悪くなる。また、黄色の蛍光体や赤色の蛍光体では、発光観測面側が黄色や赤色に見え注意色や危険色となるため、視認性上もこのような発光ダイオードをディスプレイに用いることは好ましくない。このようなコントラスト比などを改善する方法の一つとして蛍光体が含有された樹脂を、光拡散剤が含有された樹脂で被覆することが考えられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、蛍光体が含有された樹脂とは別に光拡散剤を含有させた樹脂で封止する場合は、形成工程が複雑化し量産性などが低い。また、より小型化の発光装置が求められる現在においては、異なる樹脂を精度良く形成させることが極めて難しく、歩留まりが低下する傾向にあるという問題があった。そこで本発明は、かかる問題を解決して量産性よくコントラスト比に優れた発光装置及びその形成方法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、可視光を発光する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を被覆する透光性モールド部材と、前記透光性モールド部材に含有させた前記半導体発光素子からの可視光を吸収して、その可視光よりも長波長の可視光を発光する有彩色蛍光体と、光拡散剤と、を有し、前記半導体発光素子からの光と前記蛍光体からの光との混色光を発光する発光装置であって、前記蛍光体は、前記透光性モールド部材及び前記光拡散剤よりも大きい比重を有すると共に、前記透光性モールド部材において、前記蛍光体の濃度は前記半導体発光素子に近づくにつれて高くなり、これと反対に前記光拡散剤の濃度は前記半導体発光素子と対向する前記モールド部材表面側に近づくにつれて徐々に高くなり、前記光拡散剤の濃度が高い光拡散剤層が形成され、前記蛍光体の平均粒径は1μm以上100μm以下であり、前記光拡散剤の平均粒径は0.5μm以上10μm以下であり、前記蛍光体の平均粒径は前記光拡散剤の平均粒径よりも大きく、前記光拡散剤は、外部からの光を反射すると共に、前記半導体発光素子及び前記蛍光体からの光を散乱させ外部に光を放出し、前記蛍光体及び前記光拡散剤を有する透光性モールド部材は、外部からの光により無彩色に視認されることを特徴とする発光装置に関する。特に、本発明では蛍光体、透光性モールド部材及び光拡散剤との関係を、蛍光体の比重が透光性モールド部材及び光拡散剤よりも大きくしてある。
【0007】
これによって、コントラスト比の高い発光装置を比較的簡単に形成させることができる。また、蛍光体の使用量をより減らしつつ、白色系が発光可能な発光装置とすることができる。また、繰り返しの使用においても信頼性の高い発光装置とすることができる。
【0008】
前記蛍光体は、Ceで付活されたY・5/3Al系蛍光体、並びにEu及びCrの少なくともいずれか一方で付活された窒素含有CaO−Al−SiO蛍光体から選択される少なくとも1種であることが好ましい。これにより簡便で、高輝度に発光する、信頼性の高い混色発光可能な発光装置を提供することができる。
【0009】
前記蛍光体は、前記半導体発光素子の光で、それぞれ異なる発光色及び異なるボディーカラーを有する少なくとも2種類の蛍光体であることが好ましい。
【0010】
本発明は、可視光を発光する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を被覆する透光性モールド部材と、前記透光性モールド部材に含有させた前記半導体発光素子からの可視光を吸収して、その可視光よりも長波長の可視光を発光する有彩色蛍光体と、光拡散剤と、を有し、前記半導体発光素子からの光と前記蛍光体からの光との混色光を発光する発光装置の形成方法であって、前記蛍光体の平均粒径は1μm以上100μm以下であり、前記光拡散剤の平均粒径は0.5μm以上10μm以下であり、前記蛍光体の平均粒径は前記光拡散剤の平均粒径よりも大きい蛍光体及び光拡散剤を用いて、前記透光性モールド部材となる材料中に、前記光拡散剤と、前記透光性モールド部材及び前記光拡散剤よりも比重が大きい蛍光体とを、ほぼ均一に分散する工程と、前記半導体発光素子上に、前記光拡散剤及び前記蛍光体が含有された前記透光性モールド部材となる材料で被覆する工程と、前記透光性モールド部材となる材料の粘度を低下させ、前記蛍光体の濃度を前記半導体発光素子に近づくにつれて高くし、これと反対に前記光拡散剤の濃度を前記半導体発光素子と対向する前記透光性モールド部材表面側に近づくにつれて徐々に高くし、前記光拡散剤の濃度が高い光拡散剤層を形成した後、硬化する工程と、を有する発光装置の形成方法に関する。これによって、比較的簡単に蛍光体の使用量が少なく混色性に優れた発光装置を歩留まり良く形成することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明者は種々の実験の結果、蛍光体、光拡散剤及びそれらを含有させる樹脂の比重を特定の関係とすることによって、比較的簡単な方法で信頼性の高い発光ダイオードを形成できることを見出し本発明を成したものである。
【0013】
すなわち、赤色や黄色など有彩色に着色した蛍光体を、光拡散剤や蛍光体を含有させる樹脂よりも比重が大きいものに選択する。この様に選択された樹脂中に蛍光体、光拡散剤を含有させ、これらで発光素子を被覆し硬化させる。樹脂の硬化時などに生ずる樹脂粘性低下と比重の違いによって、比重の大きい蛍光体は発光素子側に沈降する。他方、光拡散剤は、分散あるいは発光素子と対向する表面側に分布する。したがって、発光観測面側からは、有彩色の蛍光体の色が光拡散剤で緩和される、あるいは無彩色に見えることになる。以下、本発明の具体的実施態様について、詳述するがこれのみに限定されないことはいうまでもない。
(実施態様例1)発光装置100であるチップタイプLEDを例として示す。金属平板を打ち抜きによって形成させたリード電極を金型内に配置させて樹脂をインサート成形する。これによって、発光素子を配置させるパッケージを形成させることができる。
【0014】
パッケージには、発光素子からの光を効率よく集光するためにキャビティを形成させキャビティ内に発光素子を配置させても良い。また、反射鏡となるキャビティを形成することなく、一対の対向する電極を持った平板状基板を利用することもできる。平板状基板を利用する場合は、孔版印刷法などを利用することによって本発明の発光装置を形成させることができる。このようなパッケージは、液晶ポリマーなど各種樹脂やガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板など所望に応じて種々のものを利用することができる。
【0015】
本実施態様例1では図1の断面図に示すように表面に凹部となるキャビティ104を持ち、キャビティ104内部には一対の対向するリード電極105が露出したパッケージを利用した。一対の対向するリード電極105は上述の鉄入り銅などの金属平板を利用して形成させてある。リード電極105はキャビティ104底面側からパッケージの側面まで延在しており外部からの電流を発光素子となるLEDチップ106に供給する働きをする。
【0016】
LEDチップ106からの発光によって蛍光体101を励起させるためには、LEDチップ106からの光の方が蛍光体101から放出される光よりも短波長の方が効率よい。そのため、LEDチップ106としては種々の材料や構造を利用することができるが、高効率に発光輝度の高い可視光を発光可能な半導体素子として、窒化物半導体(InxGayAl1-x-yN、0≦x≦1、0≦y≦1)を発光層に利用したものが好適に挙げられる。窒化物半導体を利用した発光素子はサファイア基板、スピネル基板やSiC、GaN単結晶などの上に形成させることができるが、量産性と結晶性を満たすものとしてサファイア基板上に低温バッファ層を介してn型及びp型の窒化物半導体を有するものが好ましい。n型及びp型の窒化物半導体を絶縁基板であるサファイア基板上に形成した場合、エッチングによりn型及びp型の窒化物半導体を露出させ同一面側に各電極を形成させる。
【0017】
こうして形成されたLEDチップ106をパッケージ内部にエポキシ樹脂を用いてダイボンド固定すると共にパッケージに設けられたリード電極105と、LEDチップの各電極とをそれぞれ金線を用いてワイヤボンディングさせる(図1(A))。なお、リード電極と発光素子との電気的接続はワイヤーのほか、フリップチップ型の発光素子の場合、半田やAgペーストなどを利用して電気的に接続させることもできる。
【0018】
他方、本発明に用いられる蛍光体101は可視光が発光可能な発光素子106からの発光を吸収し、可視光が発光可能な種々のものを利用することができる。特に、LEDチップ106からの青色可視光と、蛍光体101からの黄色の可視光との混色を利用した白色系が発光可能な発光ダイオードを構成する場合、ZnS:Ag,ClやZnS:Cu,AlなどのZnS系蛍光体(比重4〜5)やYAG:CeなどのYAG(Y23・5/3Al23)系蛍光体(比重4から7)などを利用することができる。
【0019】
他にも青色、青緑色や緑色を吸収して赤色が発光可能な蛍光体としては、Eu及び/又はCrで付活されたサファイヤ(酸化アルミニウム)蛍光体やEu及び/又はCrで付活された窒素含有CaO-Al23-SiO2蛍光体(オキシナイトライド蛍光硝子)などが挙げられる。これらの蛍光体を利用して発光素子からの光と蛍光体からの光の混色により白色光を得ることもできる。なお、本発明の比重差を満たす限り蛍光顔料だけでなく蛍光染料を利用することもできる。蛍光染料である有機蛍光体は無機蛍光体と比較して一般的に発光効率が高い。しかしながら、比重差を大きくとることが難しく量産性を考慮すると蛍光顔料の方が好ましい。なお、有機系光染料を利用する場合は、ペリレン系誘導体などを好適に利用することができる。なお、これらの蛍光体を適宜組み合わせて所望の演色性や色を得ることもできる。
【0020】
本発明の蛍光体は形成時に蛍光体を含有させる透光性モールド部材、蛍光体の色を見かけ上なくす光拡散剤との比重差を利用するため種々選択することができる。また、形成時の量産性をさらに向上させるためには、蛍光体101及び光拡散剤102が含有される透光性モールド部材103の粘度や蛍光体101の粒径が影響する。すなわち、透光性モールド部材103となる材料の粘性が低い場合や、蛍光体101の粒径が大きい場合は透光性モールド部材103となる材料との比重差による分離沈降が促進する傾向にある。また、粉砕工程での結晶破壊などにより、無機蛍光体101では粒径が小さくなると変換効率が低下する傾向にある。さらに、あまり小さくなりすぎると凝集体を構成するために透光性モールド樹脂部材中への分散性が低下し発光装置からの色むらや輝度むらを引き起こす傾向にある。
【0021】
そのため、透光性モールド部材103の材料や蛍光体101にもよるが、蛍光体101の平均粒径は1〜100μmが好ましく、5〜20μmがより好ましい。本発明に用いられる具体的蛍光体101として、Ceで付活されたYAG系蛍光体(Y、Lu、Sc、La、Gd及びSmから選ばれた少なくとも1つの元素と、Al、Ga及びInからなる群から選ばれた少なくとも1つの元素とを含んでなるセリウムで付活されたガーネット系蛍光体)を挙げる。YAG系蛍光体はY、Gd、Ceの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で沈降させる。これを焼成して得られる共沈酸化物と酸化アルミニウムを混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰め、空気中1400℃の温度で170分焼成して焼成品を得た。焼成品を水中でボールミルして洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通してYAG系蛍光体を形成させることができる。本実施態様例1のYAG系蛍光体としては、(Y0.8Gd0.2)3Al512:Ceを利用する。この蛍光体101の比重は約5.0であり、平均粒径は5μmであった。
【0022】
同様に、本発明に用いられる他の具体的蛍光体として、Eu及び/又はCrで付活された窒素含有CaO-Al23-SiO2蛍光体が挙げられる。このEu及び/又はCrで付活された窒素含有CaO-Al23-SiO2蛍光体は、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、窒化珪素及び酸化カルシウムなどの原料に希土類原料を所定比に混合した粉末を窒素雰囲気下において1300℃から1900℃(より好ましくは1500℃から1750℃)において溶融し成形させる。成形品をボールミルして洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して蛍光体を形成させることができる。これにより450nmにピークをもった励起スペクトルと約650nmにピークがある青色光により赤色発光が発光可能なEu及び/又はCrで付活されたCa-Al-Si-O-N系オキシナイトライド蛍光硝子とすることができる。
【0023】
なお、Eu及び/又はCrで付活されたCa-Al-Si-O-N系オキシナイトライド蛍光硝子の窒素含有量を増減することによって発光スペクトルのピークを575nmから690nmに連続的にシフトすることができる。同様に、励起スペクトルも連続的にシフトさせることができる。そのため、Mg、Znなどの不純物がドープされたGaNやInGaNを発光層に含む窒化ガリウム系化合物半導体からの光と、約580nmの蛍光体の光の合成光により白色系を発光させることができる。特に、約490nmの光が高輝度に発光可能なInGaNを発光層に含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子との組合せに理想的に発光を得ることもできる。
【0024】
また、上述のCeで付活されたYAG系蛍光体とEu及び/又はCrで付活された窒素含有Ca-Al-Si-O-N系オキシナイトライド蛍光硝子とを組み合わせることにより青色系が発光可能な発光素子を利用してRGB(赤色、緑色、青色)成分を高輝度に含む極めて演色性の高い発光ダイオードを形成させることもできる。このため、所望の顔料を添加するだけで任意の中間色も極めて簡単に形成させることができる。本発明においては何れの蛍光体も無機蛍光体であり、有機の光散乱剤やSiO2などを利用して高コントラストと優れた量産性が両立した発光ダイオードを形成させることができる。
【0025】
蛍光体101を光拡散剤102と共に透光性モールド部材103となる材料中に含有し攪拌させる。ここで本発明に用いられる光拡散剤102は蛍光体101と比較して比重の軽いものであり、蛍光体101の着色を外部から視認しにくくさせるものである。したがって、透光性モールド部材103中に含有させることで白色に見えるものや補色関係にある色の光拡散剤102によって灰色や黒の無彩色とすることができる。
【0026】
光拡散剤102としては、蛍光体101と比重差が大きいものほど量産性に優れる。その中でも透光性モールド部材103の比重よりも小さい光拡散剤102を選択することで、光拡散剤102が透光性モールド部材103の表面に浮いてくる。これは蛍光体101が含有された層、実質的に蛍光体101や光拡散剤102が含有されていない透光性となる層、光拡散剤103が含有された層に分離して見える。このような見かけ上、3層以上の層構成とすることで蛍光体自体の色を隠蔽する効果が均一に光拡散剤及び蛍光体が含有されたものに比べて良好となる。
【0027】
さらに、LEDチップ106から放出された光は、光拡散剤102が含有された層で反射される。そのため、蛍光体101が含有された層状に見える部分では、光の光路長が実質的に長くなる。そのため、光拡散剤を含有させない以外は同様に形成させた発光ダイオードと比べて蛍光体101の含有量を少なくすることもできる。また、蛍光体101とLEDチップ106から放出される光の混色性が増すことによって、より均一な混色光を得やすくすることができるという優れた特徴を有する。なお、光拡散剤102の選択は比重のみならず屈折率や粒径を選択することによっても大きく変化する。すなわち、透光性モールド部材103と光拡散剤102との屈折率差が大きくなるに従って、光り取り出し効率が向上する傾向にある。また、光拡散剤102の粒径が小さいものほど光取り出し効率が向上する傾向にある。他方、光拡散剤102の平均粒径が小さくなりすぎると透光性モールド部材103中に多く含有させても透明度が高くなる。そのため、光拡散剤102の平均粒径は0.5μより大きく、10μmより小さいことが好ましい。更に好ましくは、平均粒径0.5μmより大きく、5μmより小さいものである。
【0028】
光拡散剤102として具体的には二酸化珪素(比重2.2)、炭酸カルシュウム(比重2.93)、酸化チタン(比重4.26)、酸化亜鉛(比重5.8)、酸化アルミニウム(比重3.9)、チタン酸バリウム(比重5.5)などの無機粉体からなる光拡散剤やエポキシ樹脂(比重1.2)、フェノール・ホルマリン樹脂(比重1.2)、ベンゾグアナミン樹脂(比重1.4)、メラミン樹脂(比重1.4)、アクリル樹脂(比重1.2)、ポリカーボネート樹脂(比重1.2)、ポリエチレン樹脂(比重0.95)、ポリプロピレン樹脂(比重0.9)等の有機物粉体からなる光拡散剤が挙げられる。
【0029】
他方、透光性モールド部材としては発光素子及び蛍光体からの光に対して耐光性が高く、透光性に優れたものが好ましい。また、発光素子を被覆する保護膜として働く場合にはある程度の剛性が要求される。透光性モールド部材の材料として具体的にはエポキシ樹脂(比重1.2)、シリコーン樹脂(比重1.0)、ウレタン樹脂(比重1.2)、不飽和ポリエステル樹脂(比重1.2)、アクリルウレタン樹脂(比重1.2)、ポリイミド樹脂(比重1.3)等の無溶剤、あるいは溶剤タイプの液状透光性熱硬化樹脂が好適に挙げられる。同様に、アクリル樹脂(比重1.2)、ポリカーボネート樹脂(比重1.2)、ポリノルボルネン樹脂(比重1.1)等の溶剤タイプの液状透光性熱可塑樹脂も利用することができる。さらに、有機物だけでなく二酸化珪素などの無機物やゾル−ゲル法にて形成した二酸化珪素及びアクリル樹脂などを混合したハイブリッド樹脂も好適に利用することができる。
【0030】
透光性モールド部材103が発光装置の最表面側に設けられ外部環境から内部を保護する必要がある場合には、無用剤タイプの液状熱硬化性樹脂を好適に利用することができる。他方、透光性モールド部材103を更に樹脂などで被覆する場合などは透光性モールド部材103との密着性を考慮して上述で記載した樹脂を種々選択して利用することができる。
【0031】
具体的には、光拡散剤102としてメラミン樹脂(比重1.4)を蛍光体として(Y0.8Gd0.2)3Al512:Ce(比重5.1)、透光性モールド部材としてエポキシ樹脂(比重1.2)中に含有させて攪拌させる。このときのエポキシ樹脂の粘度は700cpである。この状態では蛍光体と光拡散剤は透光性モールド部材となる樹脂中でほぼ均一に分散するように混ぜてある。
【0032】
あらかじめ発光素子とリード電極とを電気的に接続し固定させたパッケージのキャビティ内に光拡散剤及び蛍光体が混合攪拌されたエポキシ樹脂を滴下させる。この直後の発光装置の模式的断面図を図1(B)に示す。これを85℃180分の一次硬化、140℃240分の二次硬化によって発光装置を形成させた。形成された発光装置を発光観測面側から観測すると発光観測面側が灰色の無彩色となっており外光が照射されてもコントラスト比が低下することなく見栄えも優れたものであった。
【0033】
なお、形成された発光装置を分析させた結果、図1(C)の断面のごとくキャビティ内部で発光素子に近づくにつれて蛍光体の濃度が高くなると共に光拡散剤は発光素子と対向する表面側で徐々に多くなっている。
【0034】
本発明の発光装置は、光拡散剤を含有させない場合と比較して蛍光体の使用量を少なくさせることができると共に混色性も優れている。
(実施態様例2) 蛍光体201としてY3Al512:Ce、光拡散剤202としてポリカーボネート(比重1.2)、透光性モールド部材103としてアクリル樹脂(比重1.2)を用いて図2の模式的断面図に示す発光装置を形成させることができる。この発光装置200は上述の蛍光体201及び光拡散剤202を透光性モールド部材となる材料中に混ぜた後、スクリーン印刷した。この状態で透光性モールド部材203となる材料を硬化させ孔版(不示図)を外すことによって発光装置を形成させることができる。実施態様例2の発光装置は、実施態様例1と同様コントラスト比の高い発光装置とすることができる。なお、図2中の発光素子206はSiC基板上に形成させた発光層がInGaNからなる青色が発光可能なLEDチップであり、LEDチップ206の各電極とリード電極205とをそれぞれ導電性ワイヤとして金線207及びAgペースト208を用いて電気的に接続させてある。なお、本発明においては、チップタイプLEDについて詳述したが、ランプタイプLEDにも適用できることはいうまでもない。
(実施態様例3) 同じ励起光源の可視発光スペクトルで異なる色が発光可能な2種類の蛍光体を用いた以外は、実施態様例2と同様にして発光装置を形成させた。2種類の蛍光体は、粒径が7.3μmである(Y0.995Gd0.0053Al512:Ce0.25と、Eu及びCrで付活された窒素含有CaO-Al23-SiO2蛍光体を用いている。この発光装置は、実施態様例2よりも高いコントラスト比を得られる発光装置とすることができる。これは蛍光体ボディーカラーである黄色と赤色が混ざるためと考えられる。なお、本実施態様例の発光装置は実施態様例2よりも演色性が高くピンクの顔料を混合させることによって中間色も高輝度に発光させることができる。
【0035】
【発明の効果】
量産性よく、均一性の高い蛍光体を利用した発光装置を形成させることができる。また、光拡散剤含有の樹脂と蛍光体含有の樹脂を別々に形成させた場合に比べ形成させた発光装置の均一性が高まる傾向にある。これは順次形成する場合、樹脂粘度の経時変化などによる量のばらつきが本発明では全く生じないためと考えられる。また、本発明は、蛍光体の使用量も減すことができるという優れた特徴を持ったものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は本発明の模式的断面図を示す。
【図2】 図2は別の本件発明の模式的断面図を示す。
【符号の説明】
100、200…発光装置
101、201…蛍光体
102、201…光拡散剤
103、203…透光性モールド部材
104…キャビティ
105、205…リード電極
106、206…LEDチップ
107、207…導電性ワイヤー
108…硬化させた導電性ペースト

Claims (4)

  1. 可視光を発光する半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子を被覆する透光性モールド部材と、
    前記透光性モールド部材に含有させた前記半導体発光素子からの可視光を吸収して、その可視光よりも長波長の可視光を発光する有彩色蛍光体と、
    光拡散剤と、
    を有し、前記半導体発光素子からの光と前記蛍光体からの光との混色光を発光する発光装置であって、
    前記蛍光体は、前記透光性モールド部材及び前記光拡散剤よりも大きい比重を有すると共に、
    前記透光性モールド部材において、前記蛍光体の濃度は前記半導体発光素子に近づくにつれて高くなり、これと反対に前記光拡散剤の濃度は前記半導体発光素子と対向する前記モールド部材表面側に近づくにつれて徐々に高くなり、前記光拡散剤の濃度が高い光拡散剤層が形成され、
    前記蛍光体の平均粒径は1μm以上100μm以下であり、前記光拡散剤の平均粒径は0.5μm以上10μm以下であり、前記蛍光体の平均粒径は前記光拡散剤の平均粒径よりも大きく、
    前記光拡散剤層は、外部からの光を反射すると共に、前記半導体発光素子及び前記蛍光体からの光を散乱させ外部に光を放出し、
    前記蛍光体及び前記光拡散剤を有する透光性モールド部材は、外部からの光により無彩色に視認されることを特徴とする発光装置。
  2. 前記蛍光体は、Ceで付活されたY・5/3Al系蛍光体、並びにEu及びCrの少なくともいずれか一方で付活された窒素含有CaO−Al−SiO蛍光体から選択される少なくとも1種である請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記蛍光体は、前記半導体発光素子の光で、それぞれ異なる発光色及び異なるボディーカラーを有する少なくとも2種類の蛍光体である請求項1に記載の発光装置。
  4. 可視光を発光する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を被覆する透光性モールド部材と、前記透光性モールド部材に含有させた前記半導体発光素子からの可視光を吸収して、その可視光よりも長波長の可視光を発光する有彩色蛍光体と、光拡散剤と、を有し、前記半導体発光素子からの光と前記蛍光体からの光との混色光を発光する発光装置の形成方法であって、
    前記蛍光体の平均粒径は1μm以上100μm以下であり、前記光拡散剤の平均粒径は0.5μm以上10μm以下であり、前記蛍光体の平均粒径は前記光拡散剤の平均粒径よりも大きい蛍光体及び光拡散剤を用いて、
    前記透光性モールド部材となる材料中に、前記光拡散剤と、前記透光性モールド部材及び前記光拡散剤よりも比重が大きい蛍光体とを、ほぼ均一に分散させる工程と、
    前記半導体発光素子上に、前記光拡散剤及び前記蛍光体が含有された前記透光性モールド部材となる材料を被覆させる工程と、
    前記透光性モールド部材となる材料の粘度を低下させ、前記蛍光体の濃度を前記半導体発光素子に近づくにつれて高くし、これと反対に前記光拡散剤の濃度を前記半導体発光素子と対向する前記透光性モールド部材表面側に近づくにつれて徐々に高くさせて、前記光拡散剤の濃度が高い光拡散剤層を形成させた後、硬化させる工程と、
    を有する発光装置の形成方法。
JP2000198363A 1999-06-30 2000-06-30 発光装置及びその形成方法 Expired - Fee Related JP3690968B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000198363A JP3690968B2 (ja) 1999-06-30 2000-06-30 発光装置及びその形成方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18543299 1999-06-30
JP11-185432 1999-06-30
JP2000198363A JP3690968B2 (ja) 1999-06-30 2000-06-30 発光装置及びその形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001077433A JP2001077433A (ja) 2001-03-23
JP3690968B2 true JP3690968B2 (ja) 2005-08-31

Family

ID=26503098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000198363A Expired - Fee Related JP3690968B2 (ja) 1999-06-30 2000-06-30 発光装置及びその形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3690968B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8540173B2 (en) 2010-02-10 2013-09-24 Imra America, Inc. Production of fine particles of functional ceramic by using pulsed laser

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314143A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2007329511A (ja) * 2001-09-03 2007-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
TW595012B (en) * 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device
JP2003101078A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
ATE525755T1 (de) * 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
JP3479062B2 (ja) * 2001-10-31 2003-12-15 サンユレック株式会社 発光ダイオード
KR20040017926A (ko) * 2002-08-22 2004-03-02 웬-치 호 광-혼합 층 및 광-혼합 방법
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
ATE543221T1 (de) 2002-09-19 2012-02-15 Cree Inc Leuchtstoffbeschichtete leuchtdioden mit verjüngten seitenwänden und herstellungsverfahren dafür
JP5138145B2 (ja) * 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
JP4292794B2 (ja) * 2002-12-04 2009-07-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
US7029935B2 (en) 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7183587B2 (en) 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
KR100616594B1 (ko) * 2004-07-02 2006-08-28 삼성전기주식회사 색 혼합성이 향상된 rgb 발광 다이오드 패키지
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
JP2006332163A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Rohm Co Ltd 白色系発光装置
US7614759B2 (en) 2005-12-22 2009-11-10 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
WO2007084640A2 (en) 2006-01-20 2007-07-26 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
JP2007227791A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法および発光装置
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
EP2027412B1 (en) 2006-05-23 2018-07-04 Cree, Inc. Lighting device
JP2008053702A (ja) * 2006-07-26 2008-03-06 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP5040355B2 (ja) * 2007-02-24 2012-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びこれを備えた発光装置
JP5013905B2 (ja) 2007-02-28 2012-08-29 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR100886785B1 (ko) 2007-06-04 2009-03-04 박기운 발광 장치 및 그 제조방법 및 백색계 발광 다이오드
US8288936B2 (en) 2007-06-05 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus, method for manufacturing the light emitting apparatus, electronic device and cell phone device
JP2007329502A (ja) * 2007-08-16 2007-12-20 Toshiba Corp 発光装置
JP5262054B2 (ja) * 2007-10-10 2013-08-14 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
RU2496182C2 (ru) * 2008-04-08 2013-10-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Осветительное устройство с сид и передающим основанием, включающим люминесцентный материал
JP4960300B2 (ja) * 2008-05-16 2012-06-27 東芝ライテック株式会社 面発光源装置
KR20110066202A (ko) * 2008-10-01 2011-06-16 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 증가된 광 추출 및 황색이 아닌 오프 상태 컬러를 위한 인캡슐런트 내의 입자들을 갖는 led
JP4403199B2 (ja) * 2008-11-17 2010-01-20 株式会社東芝 発光装置
TWI384591B (zh) 2008-11-17 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體電路板
JP5264584B2 (ja) * 2009-03-23 2013-08-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP5660766B2 (ja) * 2009-06-26 2015-01-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8547009B2 (en) * 2009-07-10 2013-10-01 Cree, Inc. Lighting structures including diffuser particles comprising phosphor host materials
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
JP2010272894A (ja) * 2010-08-27 2010-12-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
EP2426186B1 (en) * 2010-09-03 2016-03-23 Stcube, Inc. Led light converting resin composition and led member using the same
JP2012064728A (ja) 2010-09-15 2012-03-29 Stanley Electric Co Ltd 光源装置
EP2472578B1 (en) * 2010-12-28 2020-06-03 Nichia Corporation Light emitting device
JP5889646B2 (ja) * 2012-01-26 2016-03-22 シャープ株式会社 蛍光体板、蛍光体板を用いた発光装置及び蛍光体板の製造方法
KR101896687B1 (ko) * 2012-01-31 2018-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
WO2016056727A1 (en) * 2014-10-10 2016-04-14 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and method of fabricating the same
KR101602267B1 (ko) * 2014-10-10 2016-03-10 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 및 이의 제조방법
US9698315B2 (en) 2014-10-31 2017-07-04 Nichia Corporation Light emitting device
JP2018073846A (ja) * 2015-03-06 2018-05-10 シチズン電子株式会社 発光装置
JP6337859B2 (ja) * 2015-09-08 2018-06-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7137050B2 (ja) * 2017-06-12 2022-09-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102530124B1 (ko) 2017-06-12 2023-05-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
JP6777105B2 (ja) 2018-01-31 2020-10-28 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6777104B2 (ja) 2018-01-31 2020-10-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6521119B2 (ja) * 2018-02-19 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102103492B1 (ko) * 2018-11-19 2020-04-22 한국광기술원 산란재, 산란재 제조방법 및 그를 포함한 led 패키지
JP7054019B2 (ja) * 2020-04-27 2022-04-13 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8540173B2 (en) 2010-02-10 2013-09-24 Imra America, Inc. Production of fine particles of functional ceramic by using pulsed laser

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001077433A (ja) 2001-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3690968B2 (ja) 発光装置及びその形成方法
US11038089B2 (en) Light emitting device
JP4274843B2 (ja) Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
KR100645403B1 (ko) 백색 발광 장치
KR100849766B1 (ko) 발광 장치
JP3246386B2 (ja) 発光ダイオード及び発光ダイオード用の色変換モールド部材
JP2927279B2 (ja) 発光ダイオード
TWI492413B (zh) 發光裝置
JP4222017B2 (ja) 発光装置
US20070090381A1 (en) Semiconductor light emitting device
US20070012931A1 (en) White semiconductor light emitting device
JP5326182B2 (ja) 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP2002118293A (ja) 発光装置とその形成方法
JP2002261325A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2003179259A6 (ja) 発光装置と表示装置
JP2004179644A (ja) 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
JP2008227523A (ja) 窒化物蛍光体及びその製造方法並びに窒化物蛍光体を用いた発光装置
CN107408610B (zh) 发光器件
JP2004221163A (ja) 発光装置およびその形成方法、並びにその発光装置を用いた面状発光装置
US11450790B2 (en) Light emitting device
JP2008283221A (ja) Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
JP2003273408A (ja) 発光装置
US8299487B2 (en) White light emitting device and vehicle lamp using the same
JP4221950B2 (ja) 蛍光体
JP2002050800A (ja) 発光装置及びその形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050614

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3690968

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080624

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100624

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100624

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120624

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120624

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130624

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130624

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees