TWI554175B - 銅箔基板的製作方法 - Google Patents

Description

銅箔基板的製作方法

本案是有關於一種銅箔基板的製作方法。

HDI(High Density Interconnect)為高密度互連技術，這是印刷電路板(Printed circuit board)所使用的技術之一。HDI電路板主要是以盲孔與埋孔的技術製作。HDI電路板的特性是可具有高密度的線路分佈，但由於線路密度的增加，也讓HDI電路板無法使用傳統的鑽孔方式形成孔洞，而必須採用非機械的鑽孔製程。HDI電路板可應用於智慧型手機、筆記型電腦、平板電腦、數位相機、車用電子、數位攝影機等電子產品。

HDI電路板的發展趨勢是往越來越薄的方向發展。當薄基板使用越來越頻繁時，若仍按照現有的單張基板去製作HDI電路板，則人員搬運的過程中將容易導致電路板折傷。此外，當自動化設備在傳輸或製作電路板時，也容易因電路板過薄而產生卡板或損壞的情形，進而降低產品良率。此外，當對電路板施以電鍍製程時，受限於製程能力，電路板的相對兩面都會形成銅層，無法只針對有孔的那面形成銅層填 孔，增加了材料的成本。

本發明之一技術態樣為一種銅箔基板的製作方法。

根據本發明一實施方式，一種銅箔基板的製作方法包含下列步驟。(a)壓合依序排列的第一銅箔、第一支撐層、第二銅箔、第三銅箔、第二支撐層與第四銅箔。(b)分別形成複數個第一盲孔與複數個第二盲孔於第一支撐層與第二支撐層中，使部分的第二銅箔與部分的第三銅箔裸露。(c)對第一銅箔、裸露的第二銅箔、第四銅箔與裸露的第三銅箔施以電鍍處理，使得第一銅箔與裸露的第二銅箔由第一鍍層覆蓋而形成第一導電層，第四銅箔與裸露的第三銅箔由第二鍍層覆蓋而形成第二導電層。(d)切除在第二銅箔與第三銅箔外側的第一導電層、第一支撐層、第二支撐層與第二導電層。(e)分開第二銅箔與第三銅箔，以形成兩銅箔基板。

在本發明一實施方式中，上述銅箔基板的製作方法更包含將第二銅箔的邊緣貼合於第三銅箔的邊緣，使第二銅箔的第一對位孔與第三銅箔的第二對位孔對齊。

在本發明一實施方式中，上述銅箔基板的製作方法更包含形成穿孔貫穿第一銅箔、第一支撐層、第二銅箔、第三銅箔、第二支撐層與第四銅箔，其中穿孔的軸線與第一對位孔、第二對位孔的軸線重疊。

在本發明一實施方式中，上述第一銅箔的面積大 於第一支撐層的面積，第四銅箔的面積大於第二支撐層的面積，在步驟(a)後，製作方法更包含切除在第一支撐層外側的第一銅箔與在第二支撐層外側的第四銅箔。

在本發明一實施方式中，上述第一盲孔與第二盲孔係以雷射形成。

在本發明一實施方式中，上述銅箔基板的製作方法更包含切除在第二銅箔與第三銅箔外側的第一銅箔、第一支撐層、第二支撐層與第四銅箔的邊緣。

在本發明一實施方式中，上述步驟(c)包含分別形成第一鍍層與第二鍍層於第一盲孔中與第二盲孔中。

在本發明一實施方式中，上述步驟(e)後，銅箔基板的製作方法更包含圖案化銅箔基板其中一者的第一導電層與第二銅箔，並圖案化銅箔基板另一者的第三銅箔與第二導電層。

在本發明一實施方式中，上述第一鍍層的材質與第一銅箔的材質相同，第二鍍層的材質與第四銅箔的材質相同。

在本發明一實施方式中，上述第一支撐層與第二支撐層的材質為玻璃纖維。

在本發明上述實施方式中，可同步對第一銅箔、裸露的第二銅箔、第四銅箔與裸露的第三銅箔施以電鍍處理。如此一來，第一銅箔與裸露的第二銅箔可由第一鍍層覆蓋而共同形成第一導電層，第四銅箔與裸露的第三銅箔可由第二鍍層覆蓋而共同形成第二導電層。在分開第二銅箔與第三銅箔後， 便能形成兩個銅箔基板。其中之一的銅箔基板具有第一導電層、第一支撐層與第二銅箔，另一銅箔基板則具有第三銅箔、第二支撐層與第二導電層。因此，本案之銅箔基板的製作方法可提升產能，並降低電鍍的材料成本。此外，第二銅箔與第三銅箔未經電鍍，為基材銅，在後續製程中具有優良的蝕刻均勻性。再者，壓合的第一銅箔、第一支撐層、第二銅箔、第三銅箔、第二支撐層與第四銅箔的整體厚度厚，除了可避免搬運過程中因外力而損壞，且在製作過程中，也較不易報廢，進而提升產品良率。

100a、100b‧‧‧銅箔基板

110‧‧‧第一銅箔

112‧‧‧第一鍍層

114‧‧‧第一導電層

120‧‧‧第一支撐層

122‧‧‧第一盲孔

130‧‧‧第二銅箔

132‧‧‧第一對位孔

140‧‧‧第三銅箔

142‧‧‧第二對位孔

150‧‧‧第二支撐層

152‧‧‧第二盲孔

160‧‧‧第四銅箔

162‧‧‧第二鍍層

164‧‧‧第二導電層

170‧‧‧黏膠

180‧‧‧穿孔

L1-L1‧‧‧線段

L2-L2‧‧‧線段

S1~S5‧‧‧步驟

W‧‧‧寬度

第1圖繪示根據本發明一實施方式之銅箔基板的製作方法的流程圖。

第2圖繪示根據本發明一實施方式之第一銅箔、第一支撐層、第二銅箔、第三銅箔、第二支撐層與第四銅箔壓合時的示意圖。

第3圖繪示第2圖之第二銅箔與第三銅箔預先貼合後的立體圖。

第4圖繪示第2圖之第一銅箔、第一支撐層、第二銅箔、第三銅箔、第二支撐層與第四銅箔壓合後的示意圖。

第5圖繪示第4圖之在第二銅箔與第三銅箔外側的第一銅箔、第一支撐層、第二支撐層與第四銅箔的邊緣切除後的示意圖。

第6圖繪示第5圖之第一支撐層與第二支撐層分別形成複數個第一盲孔與複數個第二盲孔後，且第一銅箔、第一支撐層、第二銅箔、第三銅箔、第二支撐層與第四銅箔形成穿孔後的示意圖。

第7圖繪示第6圖之第一銅箔、裸露的第二銅箔、第四銅箔與裸露的第三銅箔施以電鍍處理後的示意圖。

第8圖繪示第7圖之在第二銅箔與第三銅箔外側的第一導電層、第一支撐層、第二支撐層與第二導電層切除後的示意圖。

第9圖繪示第8圖之第二銅箔與第三銅箔分開後的示意圖。

第10圖繪示第9圖之第一導電層、第二銅箔、第三銅箔與第二導電層圖案化的示意圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第1圖繪示根據本發明一實施方式之銅箔基板的製作方法的流程圖。銅箔基板的製作方法包含下列步驟。首先在步驟S1中，壓合依序排列的第一銅箔、第一支撐層、第二銅箔、第三銅箔、第二支撐層與第四銅箔。接著在步驟S2中，分別形成複數個第一盲孔與複數個第二盲孔於第一支撐層與第 二支撐層中，使部分的第二銅箔與部分的第三銅箔裸露。之後在步驟S3中，對第一銅箔、裸露的第二銅箔、第四銅箔與裸露的第三銅箔施以電鍍處理，使得第一銅箔與裸露的第二銅箔由第一鍍層覆蓋而形成第一導電層，第四銅箔與裸露的第三銅箔由第二鍍層覆蓋而形成第二導電層。接著在步驟S4中，切除在第二銅箔與第三銅箔外側的第一導電層、第一支撐層、第二支撐層與第二導電層。最後在步驟S5中，分開第二銅箔與第三銅箔，以形成兩銅箔基板。

在以下敘述中，將詳細說明上述各步驟。

第2圖繪示根據本發明一實施方式之第一銅箔110、第一支撐層120、第二銅箔130、第三銅箔140、第二支撐層150與第四銅箔160壓合時的示意圖。第3圖繪示第2圖之第二銅箔130與第三銅箔140預先貼合後的立體圖。同時參閱第2圖與第3圖，可將第一銅箔110、第一支撐層120、第二銅箔130、第三銅箔140、第二支撐層150與第四銅箔160依序排列後，施以壓合製程，使第一銅箔110、第一支撐層120、第二銅箔130、第三銅箔140、第二支撐層150與第四銅箔160堆疊成厚度大的母板結構。

在本實施方式中，第一支撐層120與第二支撐層150的材質可以為玻璃纖維，例如玻纖布，但並不用以限制本發明。此外，第二銅箔130與第三銅箔140的尺寸大致相同，例如均為23.5”x20.5”(長x寬)。第一支撐層120與第二支撐層150的尺寸大致相同，例如均為24”x21”(長x寬)。

此外，第二銅箔130具有第一對位孔132，第三銅 箔140具有第二對位孔142。在進行壓合製程前，可先將第二銅箔130的邊緣以黏膠170貼合於第三銅箔140的邊緣，使第二銅箔130的第一對位孔132與第三銅箔140的第二對位孔142對齊。此外，第一銅箔110的面積大於第一支撐層120的面積，第四銅箔160的面積大於第二支撐層150的面積。因此，在第2圖之第一銅箔110、第一支撐層120、第二銅箔130、第三銅箔140、第二支撐層150與第四銅箔160壓合後，第一銅箔110的邊緣會凸出第一支撐層120的邊緣，且第四銅箔160的邊緣也會凸出第二支撐層150的邊緣。在本實施方式中，可切除在第一支撐層120外側的第一銅箔110與在第二支撐層150外側的第四銅箔160，而得到第4圖的結構。

第4圖繪示第2圖之第一銅箔110、第一支撐層120、第二銅箔130、第三銅箔140、第二支撐層150與第四銅箔160壓合後的示意圖。待第一銅箔110、第一支撐層120、第二銅箔130、第三銅箔140、第二支撐層150與第四銅箔160壓合後，可沿線段L1-L1切除在第二銅箔130與第三銅箔140外側的第一銅箔110、第一支撐層120、第二支撐層150與第四銅箔160的邊緣，而得到第5圖的結構。其中，線段L1-L1外側的結構寬度W約為0.1”，但並不用以限制本發明。

第5圖繪示第4圖之在第二銅箔130與第三銅箔140外側的第一銅箔110、第一支撐層120、第二支撐層150與第四銅箔160的邊緣切除後的示意圖。第6圖繪示第5圖之第一支撐層120與第二支撐層150分別形成複數個第一盲孔122與複數個第二盲孔152後，且第一銅箔110、第一支撐層120、第 二銅箔130、第三銅箔140、第二支撐層150與第四銅箔160形成穿孔180後的示意圖。同時參閱第5圖與第6圖，待第5圖的結構形成後，可於第一支撐層120中形成第一盲孔122，並於第二支撐層150中形成第二盲孔152。如此一來，部分的第二銅箔130便可從第一盲孔122裸露，且部分的第三銅箔140可從第二盲孔152裸露。其中，第一盲孔122與第二盲孔152可採用雷射形成，但並不以此為限。

此外，在本實施方式中，還可形成貫穿第一銅箔110、第一支撐層120、第二銅箔130、第三銅箔140、第二支撐層150與第四銅箔160的穿孔180。穿孔180的軸線與第二銅箔130之第一對位孔132的軸線重疊，並與第三銅箔140之第二對位孔142的軸線重疊。也就是說，穿孔180的中央處是位於第一對位孔132與第二對位孔142中。

第7圖繪示第6圖之第一銅箔110、裸露的第二銅箔130、第四銅箔160與裸露的第三銅箔140施以電鍍處理後的示意圖。同時參閱第6圖與第7圖，待第一盲孔122與第二盲孔152形成後，可對第一銅箔110、從第一盲孔122裸露的第二銅箔130、第四銅箔160與從第二盲孔152裸露的第三銅箔140施以電鍍處理，使得第一銅箔110與裸露的第二銅箔130可由第一鍍層112覆蓋，且第四銅箔160與裸露的第三銅箔140可由第二鍍層162覆蓋。此外，第一鍍層112與第二鍍層162可分別形成於第一盲孔122中與第二盲孔152中，使第一盲孔122與第二盲孔152均被填滿。

在本實施方式中，第一鍍層112的材質與第一銅 箔110的材質相同，第二鍍層162的材質與第四銅箔160的材質相同，例如第一鍍層112與第二鍍層162的材質均為銅。如此一來，第一銅箔110與第一鍍層112可共同形成第一導電層114，而第四銅箔160與第二鍍層162可共同形成第二導電層164。在以下敘述中，將以第一導電層114表示第一鍍層112附著在第一銅箔110後的金屬層，並以第二導電層164表示第二鍍層162附著在第四銅箔160後的金屬層。

第8圖繪示第7圖之在第二銅箔130與第三銅箔140外側的第一導電層114、第一支撐層120、第二支撐層150與第二導電層164切除後的示意圖。同時參閱第7圖與第8圖，待第一導電層114與第二導電層164形成後，可沿線段L2-L2切除在第二銅箔130與第三銅箔140外側的第一導電層114、第一支撐層120、第二支撐層150與第二導電層164。如此一來，第二銅箔130與第三銅箔140的側面便可由切口處裸露，如第8圖所示。

第9圖繪示第8圖之第二銅箔130與第三銅箔140分開後的示意圖。同時參閱第8圖與第9圖，待在第二銅箔130與第三銅箔140外側的第一導電層114、第一支撐層120、第二支撐層150與第二導電層164切除後，可將第二銅箔130與第三銅箔140分開，以形成兩銅箔基板100a、100b。其中，銅箔基板100a包含第一導電層114、第一支撐層120與第二銅箔130，而銅箔基板100b包含第二導電層164、第二支撐層150與第三銅箔140。

第10圖繪示第9圖之第一導電層114、第二銅箔 130、第三銅箔140與第二導電層164圖案化的示意圖。同時參閱第9圖與第10圖，待銅箔基板100a、100b形成後，可圖案化銅箔基板100a上下兩側的第一導電層114與第二銅箔130，及銅箔基板100b上下兩側的第三銅箔140與第二導電層164。「圖案化」可意指包含曝光(exposure)、顯影(development)與蝕刻(etching)製程的光微影技術(photolithography)，但並不用以限制本發明。

如此一來，圖案化的第一導電層114與第二銅箔130便可成為銅箔基板100a的外層線路，圖案化的第二導電層164與第三銅箔140便可成為銅箔基板100b的外層線路。

同時參閱第7圖與第9圖，本案之銅箔基板的製作方法可同步對第一銅箔110、裸露的第二銅箔130、第四銅箔160與裸露的第三銅箔140施以電鍍處理。如此一來，第一銅箔110與裸露的第二銅箔130可由第一鍍層112覆蓋而共同形成第一導電層114，第四銅箔160與裸露的第三銅箔140可由第二鍍層162覆蓋而共同形成第二導電層164。在分開第二銅箔130與第三銅箔140後，便能形成兩個銅箔基板100a、100b。也就是說，在單一電鍍製程中，是同時對兩銅箔基板100a、100b電鍍，且銅箔基板100a一側的第二銅箔130與銅箔基板100b一側的第三銅箔140不參與電鍍。因此，本案之銅箔基板的製作方法可提升產能，並降低電鍍的材料成本。此外，第二銅箔130與第三銅箔140未經電鍍，為基材銅，在後續製程中(例如第10圖的圖案化製程)具有優良的蝕刻均勻性。再者，壓合後的第一銅箔110、第一支撐層120、第二銅箔130、第三銅 箔140、第二支撐層150與第四銅箔160的整體厚度厚，除了可避免搬運過程中因外力而損壞，且在製作過程中，也較不易報廢，進而提升產品良率。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

S1~S5‧‧‧步驟

Claims (10)

1. 一種銅箔基板的製作方法，包含下列步驟：(a)壓合依序排列的一第一銅箔、一第一支撐層、一第二銅箔、一第三銅箔、一第二支撐層與一第四銅箔；(b)分別形成複數個第一盲孔與複數個第二盲孔於該第一支撐層與該第二支撐層中，使部分的該第二銅箔與部分的該第三銅箔裸露；(c)對該第一銅箔、裸露的該第二銅箔、該第四銅箔與裸露的該第三銅箔施以一電鍍處理，使得該第一銅箔與裸露的該第二銅箔由一第一鍍層覆蓋而形成一第一導電層，該第四銅箔與裸露的該第三銅箔由一第二鍍層覆蓋而形成一第二導電層；(d)從該第二銅箔與該第三銅箔外側的該第一導電層縱向切割至該第二導電層，以去除在該第二銅箔與該第三銅箔外側之該第一導電層、該第一支撐層、該第二支撐層與該第二導電層，使得該第二銅箔的側面與該第三銅箔的側面裸露；以及(e)分開該第二銅箔與該第三銅箔，以形成兩銅箔基板，其中該兩銅箔基板其中一者具有該第一導電層、該第一支撐層與該第二銅箔，另一者具有該第二導電層、該第二支撐層與該第三銅箔。
2. 如請求項1所述的銅箔基板的製作方法，更包含： 將該第二銅箔的邊緣貼合於該第三銅箔的邊緣，使該第二銅箔的一第一對位孔與該第三銅箔的一第二對位孔對齊。
3. 如請求項2所述的銅箔基板的製作方法，更包含：形成一穿孔貫穿該第一銅箔、該第一支撐層、該第二銅箔、該第三銅箔、該第二支撐層與該第四銅箔，其中該穿孔的軸線與該第一對位孔、該第二對位孔的軸線重疊。
4. 如請求項1所述的銅箔基板的製作方法，其中該些第一盲孔與該些第二盲孔係以雷射形成。
5. 如請求項1所述的銅箔基板的製作方法，其中該第一銅箔的面積大於該第一支撐層的面積，該第四銅箔的面積大於該第二支撐層的面積，在該步驟(a)後，該製作方法更包含：切除在該第一支撐層外側的該第一銅箔與在該第二支撐層外側的該第四銅箔。
6. 如請求項5所述的銅箔基板的製作方法，更包含：切除在該第二銅箔與該第三銅箔外側的該第一銅箔、該第一支撐層、該第二支撐層與該第四銅箔的邊緣。
7. 如請求項1所述的銅箔基板的製作方法，其 中該步驟(c)包含：分別形成該第一鍍層與該第二鍍層於該些第一盲孔中與該些第二盲孔中。
8. 如請求項1所述的銅箔基板的製作方法，其中在該步驟(e)後，該製作方法更包含：圖案化該些銅箔基板其中一者的該第一導電層與該第二銅箔，並圖案化該些銅箔基板另一者的該第三銅箔與該第二導電層。
9. 如請求項1所述的銅箔基板的製作方法，其中該第一鍍層的材質與該第一銅箔的材質相同，該第二鍍層的材質與該第四銅箔的材質相同。
10. 如請求項1所述的銅箔基板的製作方法，其中該第一支撐層與該第二支撐層的材質為玻璃纖維。