TWI502678B - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents
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Description
本發明係關於在模組間搬運基板並進行處理的基板處理裝置、基板處理方法及記憶有用來執行該基板處理方法之程式的記憶媒體。
例如,在半導體設備的製造程序中,例如於塗佈、顯影裝置等基板處理裝置內設有多數個對於半導體晶圓(以下僅稱晶圓)進行處理的處理模組,在此等處理模組間藉由稱為搬運臂的基板搬運機構來依序逐次搬運晶圓,進而進行既定之處理。晶圓係固持至設於該搬運臂的固持部來搬運。
但是,有些情況下,既定模組產生故障或搬運臂本身產生故障,晶圓固持在相對於該固持部預先設定的基準位置呈偏移的狀態下。若此等故障緩緩變大,基準位置與實際固持的晶圓位置之偏移量增加,而於搬運中產生異常時,塗佈、顯影裝置對於用戶顯示警告,並停止該裝置內的搬運。但是,因為如上所述,晶圓固持為相對於基準位置呈偏移,變成晶圓無法傳遞至模組的恰當位置,所以晶圓有可能繼續未在模組受到正常處理的狀態直到裝置停止為止,使晶圓繼續受到不良處理。
又,塗佈、顯影裝置停止進行搬運時,連可正常運作的模組之處理都停止,變成在藉由輕微修正即可使搬運臂正常運作時也停止該搬運臂的動
作。因此將有可能降低塗佈、顯影裝置的稼動率,使得處理量降低。
例如專利文獻1中記載有,依據如其方式偵測的晶圓之周緣部位置來修正模組相互之間的晶圓搬運量,消除該模組中的晶圓之位置偏移。又,專利文獻2中記載有,從偵測的周緣部之位置來求取晶圓的中心位置,並依據該中心位置與預先決定的基準位置之偏移量來控制成搬運臂部可將晶圓移載至搬運目標位置。但是,專利文獻1、2的各裝置中並未考慮上述問題,而不能解決該問題。
【專利文獻】
專利文獻1:日本特開平8-31905號公報
專利文獻2:日本特開2006-351884號公報
本發明有鑒於上述點,其目的在於提供一種技術,在模組或在各模組進行基板搬運之搬運機構的其中任一者產生故障時,防止繼續對於基板進行不良的處理。
本發明之基板處理裝置,係於模組間傳遞基板並進行處理,其特徵在於包含:基板搬運機構,具有可橫向自由移動的基板固持部,以固持並傳遞基板;多數之接受模組,由該基板固持部接受該基板;感測器部,用來偵測下列位置間的偏移量,即固持於該基板固持部的基板之固持位置,與預先設定於該基板固持部的基板之基準位置;記憶部,對於每個該接受模組,以時間序列方式記憶接受來自各接受
模組之基板時偵測的該偏移量;以及推定部,依據記憶於該記憶部的各接受模組之該偏移量的時間序列資料來推定各接受模組的其中任一者或該基板搬運機構有故障。
又,本發明之其他基板處理裝置,係於模組間傳遞基板並進行處理,其特徵在於,包含:基板搬運機構,具有可橫向自由移動的基板固持部,以固持並傳遞基板;多數之接受模組,由該基板固持部接受該基板;感測器部,用來偵測下述之偏移量,即固持於該基板固持部的基板之固持位置,與預先設定於該基板固持部中的基板之基準位置間的偏移量;記憶部,使各接受模組與在接受來自各接受模組之基板時偵測的該偏移量相對應,並記憶該偏移量;以及顯示部,對於每個接受模組,顯示記憶於該記憶部的偏移量。
本發明之具體態様例如為下述。
(a)設有控制機構,其輸出控制信號,以依據該推定部之推定結果來控制該基板搬運機構之動作。
(b)於該推定部推定為基板搬運機構有故障時,該控制機構依照記憶於該記憶部的偏移量,將該基板固持部從各接受模組接受該基板時的該基板固持部之位置,從預先設定的第1位置變更為第2位置。
(c)於該推定部推定為基板搬運機構有故障時,該控制機構,輸出控制信號以使該基板搬運機構於將基板傳遞至構成接受模組之一的調整用模組之後再接受該基板,並依據將基板傳遞至該調整用模組前偵測的偏移量、與從調整用模組接受基板之後偵測的偏移量之差值,將該基板固持部從各接受模組接受該基板時的該基板固持部之位置,從預先設定的第1位置變更為第2位置。
於該推定部推定為接受模組有故障時,該控制機構輸出控制信號以使基板搬運機構停止將該基板搬運往該接受模組。
(d)設有警報輸出機構,其於該推定部推定為各模組的其中任一者或基
板搬運機構有故障時,輸出警報。
依據本發明,其中設有:記憶部,將基板傳遞往基板搬運機構之固持部時,記憶固持位置相對於基準位置的偏移量;及推定部,依據該記憶部以時間序列方式對於每個模組記憶的偏移量,來推定各模組的其中任一者或該基板搬運機構具有故障;或者,包含顯示部,顯示每個模組記憶於記憶部的模組之偏移量。藉此,能早期發現此等基板搬運機構及模組之故障,而能防止對於基板繼續進行不良的處理。
1‧‧‧塗佈、顯影裝置
10‧‧‧介面臂
11‧‧‧載置台
12‧‧‧傳遞臂
13‧‧‧昇降臂
14‧‧‧搬運道
15‧‧‧框體
16‧‧‧搬運梭
17‧‧‧區塊
18‧‧‧搬入口
19‧‧‧搬出口
30‧‧‧搬運臂
3、3A、3B‧‧‧搬運叉
31‧‧‧基台
32‧‧‧旋轉機構
33‧‧‧支持部
34‧‧‧昇降台
35‧‧‧框架
37‧‧‧固持爪
38‧‧‧真空吸附口
39‧‧‧配管
40‧‧‧基板周緣位置偵測機構
4、4A~4D‧‧‧偵測部
41、41A~41D‧‧‧光源部
42、42A~42D‧‧‧受光部
43‧‧‧支持構件
50‧‧‧計數器
51、52、55‧‧‧滑車
53A、53B、56‧‧‧皮帶
54A、54B、57‧‧‧導引件
58‧‧‧框體
59‧‧‧編碼器
6‧‧‧控制部
60‧‧‧匯流排
61‧‧‧CPU
62‧‧‧程市容納部
63‧‧‧顯示部
64‧‧‧警報產生部
65‧‧‧記憶部
66‧‧‧程式
67‧‧‧第1記憶區域
68‧‧‧第2記憶區域
71‧‧‧水平板
72‧‧‧支柱
73‧‧‧支持部
74‧‧‧導引件部
75‧‧‧導引面
a、b、c、d、a'
、b'
、c'
、d'
‧‧‧位置
A1~A6‧‧‧搬運臂
B1‧‧‧第1區塊(DEV層)
B2‧‧‧第2區塊(DEV層)
B3‧‧‧第3區塊(BCT層)
B4‧‧‧第4區塊(BCT層)
B5‧‧‧第5區塊(COT層)
B6‧‧‧第6區塊(COT層)
C‧‧‧載體
COT1~COT3‧‧‧光阻塗佈模組
DEV‧‧‧顯影模組
HP1~HP8‧‧‧加熱模組
M1~M5‧‧‧電動機
N‧‧‧平緣
O‧‧‧基準位置
o'‧‧‧中心位置
p‧‧‧恰當位置
R、R'‧‧‧半徑
S1‧‧‧載體區塊
S2‧‧‧處理區塊
S3‧‧‧介面區塊
S4‧‧‧曝光裝置
TRS、TRS1、TRS2、BF、BF1、BF2、CPL、CPL1、CPL2、CPL3‧‧‧傳遞模組
TTS‧‧‧位置調整模組
U1、U2‧‧‧棚架單元
W‧‧‧晶圓
Δa、Δb、Δc、Δd‧‧‧距離
ΔX‧‧‧X方向偏移量
ΔY‧‧‧Y方向偏移量
θ1、θ2、θ3、θ4‧‧‧角度
圖1係本發明的基板處理裝置之實施形態即塗佈、顯影裝置之俯視圖。
圖2係該塗佈、顯影裝置之立體圖。
圖3係該塗佈、顯影裝置之側視圖。
圖4係設於該塗佈、顯影裝置的搬運臂與模組之立體圖。
圖5係設於該搬運臂的基台及搬運叉之立體圖。
圖6係該基台及搬運叉之俯視圖。
圖7係該基台及搬運叉之側視圖。
圖8係該搬運臂之橫截俯視圖。
圖9係顯示該搬運臂的偵測部之偵測結果的一例之示意圖。
圖10係設於塗佈、顯影裝置的控制部之方塊圖。
圖11係說明固持於搬運叉之晶圓的各位置之俯視圖。
圖12係設於該控制部之記憶部的記憶區域之概念圖。
圖13係設於該控制部之記憶部的記憶區域之概念圖。
圖14係該搬運臂所致的搬運之示意圖。
圖15係該搬運臂所致的搬運之示意圖。
圖16係塗佈、顯影裝置的動作之流程圖。
圖17係顯示設於該控制部的顯示畫面之說明圖。
圖18係顯示設於該控制部的顯示畫面之說明圖。
圖19係顯示設於該控制部的顯示畫面之說明圖。
圖20係顯示設於該控制部的顯示畫面之說明圖。
圖21係設於該控制部之記憶部的記憶區域之概念圖。
圖22係顯示變更晶圓的傳遞位置之資料的模樣之說明圖。
圖23係顯示變更晶圓之接受位置的模樣之說明圖。
圖24係顯示變更晶圓之接受位置的模樣之說明圖。
圖25係設於該塗佈、顯影裝置的位置調整模組之立體圖。
圖26係顯示晶圓於該位置調整模組傳遞之前視圖。
圖27係顯示晶圓於該位置調整模組傳遞之前視圖。
圖28係顯示晶圓於該位置調整模組傳遞之前視圖。
圖29係顯示晶圓於該位置調整模組傳遞之前視圖。
圖1、圖2、圖3分別係本發明的基板處理裝置之實施形態即塗佈、顯影裝置1之俯視圖、概略立體圖、及側視圖。塗佈、顯影裝置1如此等各圖所示,係藉由載體區塊S1,處理區塊S2及介面區塊S3所構成。又,介面區塊S3連接有曝光裝置S4,並藉由塗佈、顯影裝置1與此曝光裝置S4來構成光阻圖案形成裝置。
載體區塊S1係用來進行容納有多數片晶圓W即基板的載體C之搬入及搬出的區塊,具有載置台11及傳遞臂12即基板搬運機構。該載體C載置於載置台11上。傳遞臂12從載體C取出晶圓W,傳遞至處理區塊S2,並且接受在處理區塊S2處理的已處理晶圓W,回歸於載體C。
處理區塊S2如圖1及圖2所示,具有棚架單元U1、棚架單元U2、第1區塊(DEV層)B1、第2區塊(DEV層)B2、第3區塊(BCT層)B3、第4區塊(BCT層)B4、第5區塊(COT層)B5、及第6區塊(COT層)B6。第1及第2區塊(DEV層)B1、B2係用來進行顯影處理的區塊,構成為彼此相同。第
3及第4區塊(BCT層)B3、B4係用來於光阻膜的下層進行抗反射膜形成處理的區塊,構成為彼此相同。第5及第6區塊(COT層)B5、B6用來進行光阻液的塗佈處理而形成光阻膜的區塊。
接連從載體C取出的晶圓W,通常時交互分配搬運給單位區塊B3、B4。並且,搬運至單位區塊B3的晶圓W,例如以B5→B1之順序在單位區塊間搬運並接受處理,而搬運至單位區塊B4的晶圓W,例如以B6→B2之順在單位區塊間搬運並接受處理。
棚架單元U1係由各種模組所疊層構成。棚架單元U1如圖3所示,例如係具有從下依序疊層的,傳遞模組TRS1、TRS1、CPL1、BF1、CPL1、BF1、CPL2、BF2、CPL2、BF2。並分別在對應於單位區塊B1、B2的高度之位置設有傳遞模組TRS,在對應於單位區塊B3~B6的高度之位置設有傳遞模組CPL、BF。又,在各單位區塊B2、B3、B5、B6的高度之位置設有後述位置調整模組TTS。如圖1所示,在棚架單元U1的附近設有昇降臂13,即自由昇降的基板搬運機構。棚架單元U1的各處理模組彼此之間藉由昇降臂13來搬運晶圓W。
棚架單元U2係由各種處理模組所疊層構成。棚架單元U2如圖3所示,在對應於單位區塊B1、B2的高度之位置分別具有傳遞模組TRS2、CPL3。另,圖3中,附加有CPL的傳遞模組兼作為調溫用的冷卻模組,附加有BF的傳遞模組兼作為可載置多數片晶圓W的緩衝區模組。又,棚架單元U2在後述介面臂可進行存取的高度之位置設有該位置調整模組TTS。
圖4係第5單位區塊(COT層)B5的立體圖。單位區塊B5包含從載體區塊S1側延伸至介面區塊S3側的晶圓W之搬運道14。在搬運道14朝介面區塊S3觀察時的左側,沿著搬運道14設有2層重疊的加熱模組HP1~HP8。並且,在搬運道14朝介面區塊S3觀察的右側設有框體15,其內部包含3具光阻塗佈模組COT(COT1~COT3)。光阻塗佈模組COT將該光阻液塗佈於晶圓W而形成光阻膜。搬運道14設有搬運臂A5,即後述的基板
搬運機構,搬運臂A5在單位區塊B5的各模組間搬運晶圓W。
第3及第4單位區塊(BCT層)B3、B4具有抗反射膜形成模組BCT來代替光阻塗佈模組COT,除此之外係與單位區塊B5、B6相同構成。抗反射膜形成模組BCT將抗反射膜用的化學液塗佈於晶圓W而形成抗反射膜。第1及第2單位區塊B1、B2具有將顯影液供給至晶圓W而進行顯影處理的顯影模組DEV來代替光阻塗佈模組COT,除此之外係與單位區塊B5、B6相同的構成。又,單位區塊B1~B4,B6設有與搬運臂A5相同的搬運臂A1~A4、A6。
單位區塊B2與B3之間設有區塊17,其形成搬運梭16之移動道,搬運梭16將晶圓W從設於該棚架單元U1的晶圓W之搬入口18直達搬運至設於該棚架單元U2的晶圓W之搬出口19。介面區塊S3如圖1所示,棚架單元U2的附近具有介面臂10,即基板搬運機構。介面臂10在棚架單元U2的各模組及曝光裝置S4之間搬運晶圓W。
以下說明晶圓W在通常時的搬運,載體C的晶圓W藉由傳遞臂12依序逐次搬運至棚架單元U1的一個傳遞模組,例如對應於第3區塊(BCT層)B3的傳遞模組CPL1。將該晶圓W傳遞至第3區塊(BCT層)B3的搬運臂A3,藉由該搬運臂A3依序搬運至抗反射膜形成模組、加熱模組。藉此將抗反射膜形成於晶圓W。
形成有抗反射膜的晶圓W依照下列順序經由搬運臂A3、棚架單元U1之傳遞模組BF1、昇降臂13、棚架單元U1之傳遞模組CPL2而傳遞至第5區塊(COT層)B5之搬運臂A5。並且,晶圓W經由搬運臂A5而依光阻塗佈模組COT、加熱模組HP的順序搬運,並藉此將光阻膜形成於晶圓W。
形成有光阻膜的晶圓W,經由搬運臂A5而傳遞至棚架單元U1之傳遞模組BF2,並依昇降臂13、搬運梭16、介面臂10的順序傳遞。該晶圓W藉由介面臂10而搬運至曝光裝置S4,進行既定的曝光處理。其後晶圓W
經由介面臂10而載置於棚架單元U2的傳遞模組TRS2,在第1區塊(DEV層)B1藉由搬運臂A1依加熱模組HP、傳遞模組CPL3、顯影模組DEV、加熱模組HP、傳遞模組TRS1之順序傳遞,並經由傳遞臂12回歸於載體C。
現已說明在單位區塊B1、B3、B5受到處理的晶圓W的搬運途徑,而在單位區塊B2、B4、B6受到處理的晶圓W亦大致同樣地進行搬運。就差異點而言,係藉由設於各單位區塊的搬運臂A2、A4、A6來進行搬運,並係在棚架單元U1、U2中將晶圓W搬運至位於各單位區塊B2、B4、B6的傳遞模組。
其次參照該圖4說明搬運臂A5來代表上述塗佈、顯影裝置1的基板搬運機構。搬運臂A5具有:形成晶圓W之固持部的搬運叉3(3A、3B)、基台31、旋轉機構32、昇降台34、及基板周緣位置偵測機構40。搬運叉3A、3B以彼此上下重疊的方式設於基台31上。搬運臂A5以其中一搬運叉從模組接受晶圓W,並以另一搬運叉將晶圓W傳遞給模組。亦即搬運臂30進行動作而與模組之間交換固持的晶圓W。基台31藉由旋轉機構32而設成在該昇降台34上繞垂直軸自由旋轉。
昇降台34設為受到往上下方向延伸的框架35所圍繞,於上下方向(圖1中Z方向)昇降。框架35的內部設有用來使昇降台34昇降的昇降機構。框架35構成為沿著往橫向(圖1中Y方向)直線狀伸的Y軸導軌(不圖示)滑動移動。
以下參照圖5、圖6、圖7,即立體圖、俯視圖、側視圖來說明搬運臂A5的搬運叉3A、3B及基台31。搬運叉3A、3B構成為彼此相同,所以說明搬運叉3A來代表。搬運叉3A形成為平板的圓弧狀,如圖6所示,構成為圍繞於搬運的晶圓W之周圍。此搬運叉3的內周形成為若干大於晶圓W之外周,在搬運時即使晶圓W之位置有若干偏移也能進行搬運。又,搬運叉3A、3B的內周下側以朝向搬運叉3A、3B的內側伸出的方式形成有彼此取出間隔來載置晶圓W之背面周緣部的4個固持爪37。圖中33係在基台
31支持搬運叉3A、3B的支持部。
固持爪37均設有真空吸附口38。真空吸附口38當晶圓W之背面周緣部載置於固持爪37時,真空吸附該周緣部而將晶圓W固持於該固持爪37。圖6中39係連接於真空吸附口38的配管,分別設於搬運叉3A、3B。如此進行真空吸附,藉而得以將晶圓W之周緣部的水平位置予以定位。
圖8係搬運臂A5的橫截俯視圖。圖中M1、M2係電動機,51、52係分別與各電動機M1、M2成組的滑車。圖中53A、53B係皮帶,套掛於電動機及滑車,搬運叉3A、3B的各支持部33分別卡止於皮帶53A、53B。圖中54A、54B係導引件,連接於搬運叉3之支持部33。藉由從後述的控制部6傳送的控制信號來控制電動機M1、M2的旋轉。藉此來驅動各皮帶53A、53B,使各支持部33在導引件54A、54B上滑動、搬運叉3A、3B彼此獨立在基台31上進退。
又,圖中M3係電動機,55係與電動機M3成對的滑車。圖中56係皮帶,套掛於電動機及滑車,該框架35卡止於該皮帶56。圖中57係導引件,連接於框架35。電動機M3的旋轉,與搬運叉3同樣受到控制部6所控制,框架35隨著基台31在導引件57上滑動而在Y軸方向上移動。電動機M3、滑車55、皮帶56及導引件57容納於加熱模組HP下方的框體58。
雖省略圖示,但昇降台34所致的基台31之昇降亦與搬運叉3之移動同樣利用由電動機M4、皮帶及導引件所構成的動作機構來進行。又,基台31之旋轉亦利用由未圖示的電動機M5及皮帶所構成的動作機構來進行。此等搬運臂A5之各電動機M1~M5連接有:編碼器59,因應於各電動機的旋轉來輸出脈衝;以及計數器50,對於該脈衝數進行計數,並將對應於計數值的信號輸出至控制部6。構成控制部6可藉由各計數器之輸出來偵測搬運臂A5的各部分之位置。
回到圖5~圖7來說明基板周緣位置偵測機構40。構成感測器部的基
板周緣位置偵測機構40由4個偵測部4(4A~4D)所構成,並設來用於在各搬運叉3A、3B在固持晶圓W的狀態下已後退時,分別在不同位置偵測搬運叉3A或3B所固持的晶圓W之周緣部位置。偵測部4A~4D設為在搬運叉3A、3B位於已後退的後退位置時與固持於搬運叉3A、3B的晶圓W之周緣部在俯視中重疊,並從該晶圓W的外側朝向內側延伸。圖6、圖7中分別顯示搬運叉3A移動至該後退位置、搬運叉3B移動至用來將晶圓W傳遞給模組的傳遞位置之狀態。又,偵測部4A~4D以彼此取出間隔的方式沿著該晶圓W的周緣部設成可偵測晶圓W之彼此不同的周緣位置。
偵測部4A~4D藉由4個光源部41(41A~41D)、以及與各光源部41成對的4個受光部42(42A~42D)所構成。該光源部41(41A~41D)例如具有LED(Light Emitting Diode,發光二極體),設於該基台31上,並配置於例如該後退位置的搬運叉3A、3B下方側。又,光源部41具有未圖示的透鏡,該LED的光線經由該透鏡而以圖7中箭頭所示方式垂直往上方照射。又,光源部41的光線照射區域形成為在俯視中從後退位置的搬運叉3之晶圓W外側朝向中心部側呈直線狀。
受光部42係由多數之受光元件排列成直線狀所構成的線性影像感測器(LIS)。該受光元件例如藉由CCD(Charge Coupled Device,荷電耦合元件)所構成。並且,受光部42經由支持構件43而設於基台31上,配置於該搬運叉3A、3B的上方側。亦即,彼此成對的光源部41與受光部42設成從上下夾住該後退位置之搬運叉3A、3B所固持的晶圓W。並且,受光部42的各受光元件從該晶圓W的外側朝向中心部側排列而能接受光源部41的光線。
使搬運叉3固持晶圓W並停止於該後退位置或比後退位置前進若干的位置時,藉由該各光源部41從下方朝向上方發出光線。並藉由設於搬運叉3上方的受光部42來接受此發出的光線。此時,後述的控制部6可依據受光部42的各CCD即各像素之偵測值來決定已受光的像素與未受光的像素之邊界位置。並且可利用以XY平面之既定位置為原點的座標來表示決定
的邊界位置,並如後述方式進行用來計算晶圓W之中心位置或半徑的演算。該XY平面的Y方向係基台31之移動方向,X方向正交於該Y方向,係搬運叉3所移動的方向。
使用圖9說明來具體顯示利用受光部42來辨識該邊界位置,即晶圓W之周緣部位置的模樣。圖9係示意性顯示晶圓W及搬運叉3的位置與該受光部(線性影像感測器)42中對應於各受光元件的像素之受光量的關係,將未接受光源部41所發出光線的像素之偵測值(以下稱「受光量」。)定為第1值n1,將有接受光源部41所發出光線的像素之受光量定為第2值n2。此時能將晶圓W之周緣部位置,定為各像素的受光量在第1值n1與第2值n2之間變化的位置E,並進行偵測。
將受光量作為8位元資料來處理時,可將第1值n1定為例如0,將第2值n2定為例如255以下的既定值。在圖9中顯示從晶圓W的內側起將像素予以編號,在基台31上後退的搬運叉3位於基準位置(後退位置)時,將光源部41所發出的光線受到搬運叉3所遮擋的受光元件之像素編號定為900。如此將受光部42構成為沿著該受光部42之伸長方向的偵測晶圓W之周緣部位置的CCD線性感測器。
其次參照圖10說明形成推定部的控制部6。控制部6包含:CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)61、程式容納部62、顯示部63、警報產生部64、及記憶部65。圖中60係匯流排。CPU61讀取存放於程式容納部62的程式66,依據程式66所含的指令(command)將控制信號傳送至各部分。藉此來控制搬運臂A等基板搬運機構及各模組之動作,並控制上述及後述的晶圓W之搬運。程式容納部62係電腦可讀取的記憶媒體,例如藉由軟碟、光碟、硬碟、磁光(Magnet Optical;MO)碟等所構成。記憶部65設有第1記憶區域67及第2記憶區域68。
各搬運臂A的搬運叉3在基台31移動至前進位置而從模組接受晶圓W,並在基台31上往後退位置移動。移動至後退位置時,藉由該偵測部4
將光線照射至晶圓W的周緣部。接收到來自光源部41之輸出光線的受光部42,依據來自未圖示的CCD線性感測器控制部的控制信號之時序,在受光部42內使電荷移動,藉以輸出對應於各像素之受光量的信號。將此信號(偵測值)輸入至控制部6,藉由後述運算式運算XY平面中的晶圓W之中心位置(中心座標)o'(X',Y')。
圖11顯示有從模組接受晶圓W並移動至後退位置的搬運叉3,此圖中顯示所偵測的中心位置o'的一例。圖11中o(X,Y)係設定於搬運叉3之圓弧內側的基準位置,搬運臂A正常動作時,該中心位置o'越靠近此基準位置o,越能將晶圓W恰當地搬運至模組。圖中鏈線的圓顯示,固持成中心位置o'重疊於該基準位置o的晶圓W之外形。
控制部6每次從模組接受晶圓W時,如後述方式計算晶圓W之中心位置o'相對於該基準位置o的X方向及Y方向偏移量ΔX及ΔY,並將該偏移量記憶於第1記憶區域67。圖12係示意性顯示記憶於第1記憶區域67的資料。圖中各數值的單位係mm。如此圖12所示,對於每個模組,即晶圓W的接受者(接受處),將該偏移量ΔX、ΔY與從該模組接受晶圓W的次數相對應而記憶於第1記憶區域67。亦即,對於每個模組,以時間序列方式來記憶偏移量ΔX、ΔY。
此第1記憶區域67在如後述地推定出模組及搬運臂等晶圓W之搬運裝置有異常時,記憶有表示已如該方法推定出異常的資料。又,控制部6每次取得ΔX、ΔY時,對於取得該ΔX、ΔY之模組的例如最近10次ΔX、ΔY分別計算移動平均值,將此移動平均值與晶圓W之接受次數相對應並記憶於第1記憶區域67。
記憶部65的第2記憶區域68記憶有關於各模組位置之資料,例如定為從連接於各電動機M的編碼器59輸出的脈衝值之資料。圖13顯示單位區塊B5之各模組的該脈衝值(脈衝數)之資料作為代表。單位區塊B5的搬運臂A5從模組接受晶圓W時,控制成從控制搬運叉3之X方向動作的各
電動機M1或M2所連接的編碼器59輸出X方向位置量的脈衝,並從控制Y方向動作的電動機M3所連接的編碼器輸出圖示的Y方向位置量的脈衝,且從控制Z方向動作的電動機M所連接的編碼器59輸出Z方向位置量的脈衝。亦即,搬運臂A5的昇降台34、基台31、搬運叉3遵循記憶於此第2記憶區域68的位置資料,移動至模組並從該模組接受晶圓W。
以下使用圖14、圖15,以單位區塊B5之光阻塗佈模組COT1舉例說明在模組與搬運臂A5之間的晶圓W傳遞動作之概略。在各圖中,為了說明而簡化顯示搬運叉3及基台31。如圖14所示,從搬運臂A5接受晶圓W時,搬運臂A5的基台31、搬運叉3以輸出圖12中說明的第2記憶區域67所記憶的X方向位置、Y方向位置之各脈衝值的方式來移動。此時,只要搬運臂A5及光阻塗佈模組COT沒有異常,搬運叉3的基準位置o移動至光阻塗佈模組COT的恰當位置p並進行晶圓W接受。
並且,搬運叉3將晶圓W搬運至COT1時,以ΔX、ΔY來修正已設定為傳遞位置的(A1、B1)而進行搬運。在圖15之例中,因為將晶圓W固持成其中心位置o'於X方向、Y方向離開COT1分別為ΔX、ΔY,所以移動基台31及搬運叉3,使得從各編碼器輸出的脈衝值分別偏移相當於ΔX之脈衝量、相當於ΔY之脈衝量。亦即,依照ΔX、ΔY的量,使搬運叉移動偏移預先設定的傳遞位置,以搬運晶圓W,使得固持於搬運叉3的晶圓W之中心位置o'重疊至模組之恰當位置p。對於其他模組亦與將晶圓W傳遞至COT1時同樣地,依據第2記憶區域68所記憶的資料來接受晶圓W,並依據該資料及偏移量ΔX、ΔY來修正傳遞時的搬運叉3之基準位置o而搬運晶圓W。
顯示部63係由電腦的顯示器畫面所構成,例如係藉由觸控面板構成。此顯示部63的畫面之顯示例如後所述。警報產生部64在推定模組或基板搬運機構有異常時輸出警報音,將推定有異常之資訊報知用戶。
雖以搬運臂A5為中心來進行說明,但其他基板搬運機構亦與搬運臂
A5同樣包含基台及搬運叉。並且,每次各基板搬運機構進行搬運時,記憶部65與搬運臂A5進行搬運時同樣地記憶有偏移量ΔX、ΔY等各資料,又,記憶有各臂所存取的模組的位置資料。
控制部6依據記憶於第1記憶區域67的偏移量ΔX、ΔY來進行模組或搬運臂A5等基板搬運機構是否有異常之判斷。以下舉例說明關於模組異常之要因。例如,光阻塗佈模組COT或加熱模組HP等模組,其包含:3根昇降銷,用於從搬運叉3頂起晶圓W的背面,而從搬運叉3接受該晶圓W;以及昇降機構,用於使該昇降銷昇降。該昇降機構包含導引件、汽缸、及驅動部,藉由汽缸的動作使驅動部在該導引件上滑動,藉由該驅動部使昇降銷昇降。有些情況下,用來將該昇降銷固定於昇降機構的螺絲鬆脫,各昇降銷前端的高度位置不一致,支持於昇降銷上的晶圓W傾斜而在昇降銷上滑移,晶圓W之位置相對於昇降銷而偏移。
又,有些情況下,在偵測該汽缸位置的感測器中未偵測出異常,但因為該導引件與驅動部之間的摩擦增加,或導引件產生凹痕等損傷,使得驅動部卡在導引件。有些情況下因為該衝撃使得晶圓W從昇降銷彈起,晶圓W之位置而偏離昇降銷。
又,對於光阻塗佈模組COT等晶圓W供給處理液的模組包含:旋轉吸爪,抽吸晶圓W的背面來固持晶圓W並且旋轉晶圓W,使供給至晶圓W上的液體受到離心力而在晶圓W上擴散。旋轉吸爪固持晶圓W時,以既定壓力來抽吸晶圓W。因為此時偵測該壓力的感測器顯示正常值所以未偵測出異常。但是,有些情況下在如此固持之後,該壓力瞬間性降低,晶圓W受到旋轉時的該離心力而偏離旋轉吸爪。
又,以下說明基板搬運機構異常之例。以搬運臂A5為例說明,基板搬運機構藉由皮帶及滑車將電動機的動力傳達至所驅動之處,但皮帶的張力降低,使得皮帶的位置偏離電動機而發生所謂的跳齒。有些情況下將會因此使基板搬運機構對於各模組傳遞晶圓W的位置一齊偏移。亦即,此狀態
係控制部6從編碼器59之脈衝偵測的搬運機構之各部分位置,與該各部分實際位置不一致的狀態。
又,設於各基板搬運機構的導引件57、54A、54B等各種導引件與受到該導引件限制動作的搬運叉3、框架35等各種驅動部之間的摩擦增加,或該導引件產生凹痕等損傷,在驅動該驅動部時會卡阻於導引件。有些情況下基板搬運機構因此產生瞬間性振動,此時晶圓W彈跳,搬運叉3的晶圓W之位置偏移。
又,基板搬運機構的動作中,有時設於各搬運道的結構體干渉基板搬運機構,使得搬運叉3損壞,或者使得支持受光部42的支持構件43之位置偏離正常位置。因此,由於搬運叉與受光部42之位置相對偏移,所以偵測出的晶圓W之位置未受到正常地偵測,或者晶圓W之位置偏離正常位置。
若將此種模組或基板搬運機構的異常置之不理,有可能逐漸使得晶圓W對於搬運叉3的傳遞位置之偏移變大,產生許多不良的晶圓W,所以在此塗佈、顯影裝置1中,推定此種模組及基板搬運機構之異常,並於推定出有異常時進行後述的應對動作。
以下參照上述圖11說明從晶圓W的周緣部之位置(周緣位置)計算中心位置o'及偏移量ΔX、ΔY之方法。晶圓W之中心位置o'位於重疊至搬運叉3之基準位置o時,將受光部(LIS)42上晶圓W的周緣部之位置分別顯示為a點、b點、c點、d點。又,將4個受光部42A~42D的延伸方向與Y軸所成角度定為θ1、θ2、θ3、θ4。
並且,將對此基準位置進行固持的晶圓W有所偏移時的該晶圓W之位置定為偏移位置,並將位於偏移位置的受光部42上之晶圓W的周緣部之位置分別定為a'
點,b'
點,c'
點,d'
點。
將各受光部42中,a點、b點、c點、d點與a'
點、b'
點、c'
點、d'
點之距離定為Δa、Δb、Δc、Δd。此時,Δa、Δb、Δc、Δd係:
Δa[mm]={(a'點的像素數)-(a點的像素數)}×像素點距[mm]...(1)
Δb[mm]={(b'點的像素數)-(b點的像素數)}×像素點距[mm]...(2)
Δc[mm]={(c'點的像素數)-(c點的像素數)}×像素點距[mm]...(3)
Δd[mm]={(d'點的像素數)-(d點的像素數)}×像素點距[mm]...(4)
另,a點的像素數係指從受光部42的晶圓W中心側之起點起至a點為止的像素數量。
如此,a點~d點,a'
點~d'
點之座標表示如下。算式中R係晶圓W的半徑。又,如上所述,X、Y係搬運叉3以傳遞位置從各模組接受晶圓W並移動至後退位置時,晶圓W恰當地固持於搬運叉3時的上述中心位置o之X座標,Y座標。此等R之值及o之座標係預先設定的已知值。
a點(X1、Y1)=(X-Rsinθ1、Y-Rcosθ1)...(5)
a'點(X1'、Y1')=(X1-Δasinθ1、Y1-Δacosθ1)=(X-(R+Δa)sinθ1、Y-(R+Δa)cosθ1)...(6)
b點(X2、Y2)=(X-Rsinθ2、Y+Rcosθ2)...(7)
b'點(X2'、Y2')=(X2-Δbsinθ2、Y2+Δbcosθ2)=(X-(R+Δb)sinθ2、Y+(R+Δb)cosθ2)...(8)
c點(X3、Y3)=(X+Rsinθ3、Y+Rcosθ3)...(9)
c'點(X3'、Y3')=(X3+Δcsinθ3、Y3+Δccosθ3)=(X+(R+Δc)sinθ3、Y+(R+Δc)cosθ3)...(10)
d點(X4、Y4)=(X+Rsinθ4、Y-Rcosθ4)...(11)
d'點(X4'、Y4')=(X4+Δdsinθ4、Y4-Δdcosθ4)=(X+(R+Δd)sinθ4、Y-(R+Δd)cosθ4)...(12)
所以,可藉由算式(6)、算式(8)、算式(10)、算式(12)來求出a'
點(X1'
、Y1'
)、b'
點(X2'
、Y2'
)、c'
點(X3'
、Y3'
)、d'
點(X4'
、Y4'
)的座標。
並且,可從如此計算的a'
點、b'
點、c'
點、d'
點之中的任3點來計算偏移位置的晶圓W中心位置o'
之座標(X'
,Y'
)。例如從a'
點(X1'
、Y1'
)、b'
點(X2'
、Y2'
)、c'
點(X3'
、Y3'
)的3點計算偏移位置的中心位置o'
之座標(X'
,Y'
)的算式,以下述算式(13)及(14)來表示。
此外,進行後述形成於晶圓W的平緣(notch)N與偵測部4的偵測範圍之重疊判斷中,使用如此從3個周緣位置運算的中心位置、及從該3個周緣位置之一運算的晶圓W之半徑R'。例如從a'
點、b'
點、c'
點計算中心座標時,半徑R'係以下述算式(15)來運算。
藉由a'
點、b'
點、c'
點、d'
點之中的其他3點的組合,同樣地運算3套中心位置o'及半徑R'。亦即,總計運算4套中心位置o'及半徑R'。例如在圖11所示的晶圓W之固持例中,偵測部4A~4D的任一偵測範圍均未重疊至晶圓W周緣上形成的平緣N,即缺口。此時,因為如上述方式,使用a'
~d'點之中3點進行4套運算的半徑R'收斂於正常範圍內,所以其最大值-最小值在預先設定的閾值以下。所以,控制部6於如此在閾值以下時,當成各偵測部4並未重疊於平緣N,並對於4組求出的中心位置o'1~o'4之X分量、Y分量分別計算平均,將該運算值決定為中心位置o'(X'、Y')。其後,計算與搬運叉3的基準位置o(X、Y)之偏移量ΔX、ΔY。
ΔX(mm)=X'-X...(16)
ΔY(mm)=Y'-Y...(17)
偵測部4的其中任一者之偵測範圍與平緣N重疊時,因為4套計算的半徑R'中有的比正常範圍更短,所以運算半徑R'的最大值-最小值時,比該閾值更大。如此比閾值更大時,控制部6例如使搬運叉3若干前進,使該偵測範圍離開平緣N之後,再度依據上述各式計算ΔX、ΔY。在此再計算
中,o(X,Y)之中的X座標係使用偏移有該搬運叉3之前進量的資料。
以下對於基板搬運機構傳遞晶圓W時的動作,以基板搬運機構為代表統整說明上述搬運臂A5的動作。搬運臂A5移動使得搬運叉3從基台31前進而搬運叉3之基準位置o重疊於模組的恰當位置p來接受晶圓W,搬運叉3移動至後退位置。並且,在後退位置從光源部41將光線照射至該晶圓W的周緣部,控制部6依據受光部42的受光量來計算上述晶圓W之中心位置o'與自搬運叉3之基準位置o的偏移量ΔX、ΔY,記憶於記憶部65。並且對於晶圓W的接受模組計算包含該ΔX、ΔY的最近10次搬運取得的ΔX、ΔY之移動平均值,記憶於記憶部65。
又,從此ΔX、ΔY與已記憶的模組之位置資料運算傳遞時的搬運叉3之位置,並依據該結果使基台31在搬運道14上往所運算的Y方向之位置移動,接著使該搬運叉3往所運算的X方向位置移動,使得晶圓W的中心位置o'位於重疊至下個模組的恰當位置p。並且,將晶圓W傳遞至該模組。搬運叉3移動之後的模組與該搬運叉3之間的晶圓W之傳遞,係藉由搬運叉3的昇降動作來進行,或者藉由設於模組側的昇降銷頂起晶圓W來進行。
其次參照圖16的流程圖來說明塗佈、顯影裝置1中的模組及搬運機構異常的推定方法與如此推定時的應對方法,並以單位區塊B5的各模組及搬運臂A5之該推定方法及應對方法為代表。控制部6在任意時序對於單位區塊B5的各模組,從記憶部65的資料中偵測是否有最近一次的接受時及最近一次之前一次接受時取得的偏移量(ΔX、ΔY)未收斂於預先設定的容許範圍之模組(步驟S1)。
對於步驟S1中偵測的模組,判斷最近一次接受時取得的偏移量之移動平均值是否大於最近一次之前一次接受時取得的移動平均值(步驟S2)。在步驟S1判斷為偏移量係容許範圍內時,繼續通常的搬運。又,在步驟S2判斷為最近一次的接受時之移動平均值係在之前一次接受時的ΔX及ΔY之移動平均值以下時亦繼續通常的搬運(步驟S3)。
在步驟S2判斷為最近一次的移動平均值大於之前一次的移動平均值時,判斷移動平均值如此較大的模組係1個或多數個(步驟S4)。判斷為模組係1個時,推定該模組有異常,將顯示如此推定的資料記憶於記憶部65,並利用警報產生部64來輸出警報聲音。
並且,在單位區塊B5中包含有可與推定有異常之模組進行相同處理的模組(稱為替代模組)時,不將後續的晶圓W搬運至推定有異常之該模組,而搬運至替代模組,繼續在單位區塊B5中的搬運。沒有替代模組時,不將後續的晶圓W搬運至單位區塊B5,而搬運至單位區塊B6(步驟S5)。
以下說明如上所述地進行流程時,顯示部63之畫面變化的一例。圖17顯示在步驟S1~S4中未推定出模組或搬運臂有異常時的畫面,例如以黑色或白色等來顯示各模組的ID與設定於各模組的處理配方(處理條件)等數值。圖18顯示在步驟S5中推定為模組有異常時的畫面。畫面中顯示出顯示推定為模組有異常的警告,該處理配方等各數值變成紅色並且閃爍來顯示。
在如此有顯示警告的狀態下,用戶觸碰該畫面時,如圖19所示,畫面的顯示改變,以時間序列方式依序顯示出該模組的ID與最近一次~之前數次偵測的偏移量ΔX、ΔY之資料。又,所顯示的偏移量之中,以既定顏色來顯示超過該步驟S1的容許範圍之數值,例如紅色。並且,例如以其他顏色來顯示未超過容許範圍的數值,例如黑色,藉此,用戶可判別接受時偏移量是否超越容許範圍,而能檢討產生此種異常的原因。此種顯示部63的顯示係依據記憶於記憶部65的資料來進行。
以下具體說明如上述圖12的方式記憶有ΔX、ΔY時的上述步驟S1、S2、S4、S5之流程。ΔX、ΔY的容許範圍,分別設定於例如+0.300mm~-0.300mm。將各模組中的最近一次及之前一次接受時的ΔX、ΔY,與容許範圍進行比較時,加熱模組HP1的ΔX、ΔY均未收斂於容許範圍(上述步驟
S1)。並且,分別對於ΔX、ΔY比較最近一次的接受時之移動平均值與前一次接受時的ΔX、ΔY之移動平均值時,最近一次的接受時之移動平均值較大(上述步驟S2)。
在步驟S1、S2的判斷中,因為該模組只有加熱模組HP1,所以推定加熱模組HP1有異常。並且,在此例中因為具有加熱模組HP2~HP8,亦即能進行與加熱模組HP1相同之處理的該替代模組,所以後續的晶圓W不搬入至加熱模組HP1,而搬入至此等加熱模組HP2~HP8來接受處理(步驟S4、S5)。假如加熱模組HP2~HP8為無法使用的狀態,無法繼續進行在單位區塊B5的搬運時,將設定為在單位區塊B5進行處理的後續之晶圓W搬運往單位區塊B6接受處理。在此例中,係顯示ΔX及ΔY兩者為容許範圍外且移動平均值上昇之例,但即使ΔX、ΔY的其中任一方如此成為容許範圍外且移動平均值上昇,亦推定有異常。
以下說明圖16之流程的其他步驟。在步驟S4判斷為具有多數個符合模組時,推定為搬運臂A5有異常,並將顯示推定有異常的資料記憶於記憶部65。並且,利用警報產生部64輸出警報聲音(步驟S6)。
如此推定為搬運臂A5有異常時,與推定為模組有異常之情況同樣地改變顯示部63的畫面。亦即,從上述圖17的畫面變成如圖18的畫面。其中,顯示的警告係以顯示搬運臂A5有異常之情形來代替顯示推定模組有異常之情形的警告。如此畫面改變的狀態下,用戶觸碰畫面時,如圖20所示的一例,顯示推定有異常的搬運臂A5之ID與此搬運臂A5所存取的各模組之ID。上述圖12係如上所述概念性顯示記憶部65的資料,與該圖12同樣,在各模組以時間序列,將每個該模組的晶圓W之各次接受中的偏移量ΔX、ΔY顯示於該畫面。此種畫面顯示亦依據記憶部65的資料來進行。
就如此顯示的偏移量ΔX、ΔY而言,在步驟S1判斷為超過容許範圍者係以紅色來顯示,此外係例如以黑色或白色等色來顯示。藉此,用戶可識別偏移量係在哪個模組的哪次接受超過容許範圍,而能檢討異常的原因。
回到圖16的流程來說明步驟S7以後的步驟。在步驟S6中推定搬運臂有異常時,在步驟S7中,判斷可否藉由使各模組中的傳遞位置於X方向及/或Y方向一齊偏移來抑制晶圓W的接受時的偏移。具體而言,在步驟S1對於其偏移量判斷為容許範圍外的各模組(為方便說明而稱為容許範圍外模組)的最近一次及之前一次接受時取得的偏移量,判斷偏移的方向是否相同。並且,判斷為正負相同時,判斷該各容許範圍外模組最近一次接受時的偏移量之中,最大值-最小值是否在預先設定的基準值以下。
亦即,ΔX或ΔY成為容許範圍外時,判斷該成為容許範圍外的ΔX、ΔY之正負是否相同,並判斷ΔX、ΔY之中成為容許範圍外者的最大值-最小值是否在該基準值以下。ΔX及ΔY均成為容許範圍外時,判斷該成為容許範圍外的ΔX之正負是否同且ΔY之正負是否相同,再判斷是否該ΔX之最大值-最小值在基準值以下且ΔY之最大值-最小值在基準值以下。
如上述方式,判斷為容許範圍外的偏移量正負一致、最近一次的偏移量之最大值-最小值在基準值以下時,對於容許範圍外模組之最近一次的偏移量運算平均值。亦即,ΔX或ΔY成為容許範圍外時,運算ΔX之平均值,ΔX及ΔY均成為容許範圍外時,運算ΔX、ΔY分別的平均值。並且,將對應於該平均值的編碼器之脈衝值,作為各模組的傳遞位置資料來加在記憶於第2記憶區域68的脈衝值,修正該資料(步驟S8)。如上述方式,依照搬運臂A5的各電動機M之旋轉量,從編碼器輸出脈衝,此步驟S8的步驟相當於將在各模組偏移大致相同脈衝量的基台31及/或搬運叉3之位置,修正了此脈衝的平均值量。
在步驟S7判斷為容許範圍外模組之偏移量正負不一致,或容許範圍外模組的最近一次偏移量之最大值-最小值未收斂於容許範圍時,停止搬運臂A5的動作。並且,使設定為在單位區塊B5進行處理的後續之晶圓W,與設定為在單位區塊B6進行處理的晶圓W均係搬入至單位區塊B6繼續塗佈、顯影裝置1之處理(步驟S9)。
圖21與圖12同樣係顯示記憶部65所記憶的第1記憶區域67之偏移量資料的一例。以下更具體說明如此記憶有偏移量時的上述步驟S1、S2、S4、S6~S8之流程。將各模組中的最近一次及之前一次接受時的ΔX、ΔY與容許範圍-0.300mm~+0.300mm進行比較時,光阻塗佈模組COT1~COT3、加熱模組HP1的ΔX、ΔY均未收斂於此容許範圍,成為容許範圍外模組(上述步驟S1)。在此,就圖21未顯示的其他模組而言,因為臂產生異常而並未進行接受,所以定為ΔX、ΔY未超過容許範圍者。
並且,對於此等光阻塗佈模組COT1~COT3、HP1的ΔX、ΔY,比較最近一次接受時的移動平均值與之前一次接受時的ΔX、ΔY之移動平均值,而最近一次接受時之移動平均值較大(上述步驟S2)。在步驟S1、S2的判斷中,因為符合模組為如此多個,所以推定為搬運臂A5有異常(步驟S4、S5)。並且對於COT1、COT2、COT3、HP1運算最近一次的ΔX之最大值-最小值,最近一次的ΔY之最大值-最小值。依據圖21,該ΔX之最大值-最小值=1.635-1.522=0.113,該ΔY之最大值-最小值=1.090-1.010=0.080。在此定為這些最大值-最小值係在既定基準值以下。並且運算最近一次接受時的ΔX、ΔY之平均值。在此例中,ΔX之平均值=(1.522+1.525+1.555+1.635)/4≒1.559,ΔY之平均值=(1.031+1.035+1.010+1.090)/4≒1.041。
並且,將此等ΔX之平均值、ΔY之平均值換算成編碼器59之脈衝值,於圖13所示的記憶部65之第2記憶區域68中以編碼器之脈衝值方式記憶的X方向位置、Y方向位置加上該值,如圖22所示修正各位置。另,依據ΔX、ΔY的偏移方向,此修正有時係對於預先記憶的各方向位置進行減除。因此,目前為止如圖23所示,相對於模組而言,晶圓W接受時模組之恰當位置p與搬運叉3之基準位置o偏移,但因為如圖24方式使此等恰當位置p與基準位置o大致一致,所以抑制搬運叉3接受晶圓W時,晶圓W的中心位置o'與基準位置o之間的偏移量ΔX、ΔY。
另外,上述的搬運臂A5之異常有各種要因。例如發生上述的皮帶跳齒
時,藉由進行此種修正,使得控制部6所致的基台31及搬運叉3之偵測位置,與實際的基台31及搬運叉3之偵測位置一致,來防止偏移量擴大,但該偏移量有時依據異常的種類而未被消除。所以,在如此進行傳遞位置變更之後,於既定時序再度執行上述流程,再度推定搬運臂A5有異常時,亦可在顯示部63進行顯示,意指無法藉由此種修正來解除,並執行上述步驟S9,停止搬運臂A5的動作並且將後續的晶圓W搬運至單位區塊B6。又,已利用基板搬運機構為代表來說明搬運臂A5,其他基板搬運機構亦依據記憶部65所記憶的偏移量ΔX、ΔY來進行模組及基板搬運機構之異常推定,或晶圓W之接受位置調整。
依據此塗佈、顯影裝置1,係依據記憶部65所記憶的ΔX、ΔY之資料來推定模組或基板搬運機構之異常。並且,控制搬運以避開推定為異常的模組,並對於推定為異常的基板搬運機構停止其動作,或變更對於模組的晶圓W之接受位置。所以,因為能早期發現模組或搬運機構之異常,而能防止持續將晶圓W在異常狀態下傳遞至模組而防止繼續對於該晶圓W進行不良的處理。又,藉由如此避開推定為異常的模組或基板搬運機構來進行搬運,或修正晶圓W之接受位置而繼續搬運,因為能防止塗佈、顯影裝置1的晶圓W之處理停止,所以能防止處理量降低。
就執行上述步驟S1~S9流程的時序而言,可係於進行將晶圓W搬運至模組達預先設定在各基板搬運機構的次數之後,亦可係於基板搬運機構搬運一個晶圓W批量(lot)結束之後到進行搬運下一批量之前進行。又,亦可每次經過既定時間即進行。
另外,在上述流程的步驟S6中推定為基板搬運機構有異常之後,亦可使用位置調整模組TTS在確認此基板搬運機構之異常後進行晶圓W的接受位置修正。圖25係顯示位置調整模組TTS的構成之立體圖。模組TTS包含水平板71以及從水平板71往垂直方向延伸的4根支柱72。各支柱72如後述方式配置成當位於支柱72上的搬運叉3下降時不干涉其固持爪37。
各支柱72的上部,設有扁平圓形的支持部73。支持部73上設有俯視圓形的導引件部74,導引件部74隨著往下方而擴大其直徑。導引件部74的底部位於比支持部73之緣部更內側,可將晶圓W的周緣部支持於支持部73上。又,導引件部74的側面構成為使晶圓W的周緣部從支持部73上滑落的導引面75。
以下參照顯示位置調整模組TTS及搬運叉3正面的圖26~圖29來說明推定為有異常之後的搬運臂A5之動作。搬運臂A5在固持晶圓W的狀態下依據記憶於記憶部65的第2記憶區域67之資料移動至TTS模組。此時,如上述方式藉由固持的晶圓W之偏移量ΔX、ΔY來修正傳遞位置。在固持著晶圓W的狀態下移動至模組TTS上方的搬運叉3,下降成圍繞模組TTS的各支持部73(圖26)。此時,若搬運臂A5有異常、晶圓W之中心位置o'偏離模組之恰當位置p,搬運叉3在如此偏移位置的狀態下直接下降。因此,晶圓W的周緣部抵接於導引件部74的導引面75,將晶圓W從搬運叉3傳遞至模組TTS(圖27)。晶圓W的周緣部在導引面75滑落而受到支持部73所支持。藉此使得晶圓W之中心位置o'一致於模組之基準位置p(圖28)。
並且,搬運叉3上昇接受晶圓W(圖29),搬運叉3後退並偵測偏移量ΔX、ΔY。因為晶圓W在導引面75滑落時,X方向、Y方向的位置偏移,所以給予模組TTS的傳遞前之偏移量ΔX、ΔY與傳遞後之偏移量ΔX、ΔY不同。控制部6運算此等傳遞前之偏移量與傳遞後之偏移量的差值。若差值大於容許範圍,將確認搬運臂A5有異常的資訊顯示於顯示部63。
並且,以對應於ΔX之差值的量來修正如圖13及圖22所示之第2記憶區域68所記憶的各模組之X方向位置,又以對應於ΔY之差值的量來修正Y方向位置。藉此,上述流程的步驟S8同樣一齊改變晶圓W對於各模組傳遞位置。假設搬運臂A5沒有異常時,因為將晶圓W傳遞至模組TTS之前,搬運叉3使晶圓W之中心位置o'位於一致於模組TTS之恰當位置p,而不會發生受到導引面75導引所致的晶圓W的X方向、Y方向之偏移,所以傳遞前之偏移量與傳遞後之偏移量的差值收斂在容許範圍內。此時顯
示未確認搬運臂A5有異常之資訊,並繼續單位區塊B5中的搬運。
藉由如此使用模組TTS,可更加確實地偵測搬運臂A5之異常。又,上述對晶圓W對於TTS模組的傳遞作業,即係確認搬運叉3相對於TTS模組的恰當位置p之偏移量的作業,藉由確認此種偏移量,而能以更高精度進行各模組之位置資料修正。但是,不將晶圓W搬運至上述模組TTS的修正方法,可將處理量提高為不進行此種搬運的量。用戶可從控制部6之未圖示的設定部任意選擇不使用模組TTS來變更晶圓W之接受位置,或者使用模組TTS來變更晶圓W之接受位置。
使用模組TTS來調整XY方向之接受位置時,可調整Z方向(上下方向)的搬運臂之位置。以搬運臂A5來代表說明時,在連接於搬運臂A5之真空吸附口38的配管39插設有壓力感測器,晶圓W固持在搬運叉3而封堵真空吸附口38時,該壓力感測器之偵測值變化。如上所述,搬運叉3一接受傳遞至模組TTS的晶圓W時,控制部6比較該偵測值變化的位置與記憶在第2記憶區域68的位置,在此等位置彼此偏移時,依照該偏移來修正記憶區域之各模組的Z方向之傳遞位置。
因為如上述方式於各基板搬運機構可存取的位置設有多數模組TTS,所以搬運臂A5以外的其他基板搬運機構亦進行同樣的動作,進行異常之確認或傳遞位置之修正。又,上述的Z方向之傳遞位置的調整,可進行將晶圓W傳遞至例如光阻塗佈模組COT1~COT3等其他模組,以代替將晶圓W傳遞至模組TTS。所以,在不使用模組TTS來調整基板搬運機構之XY方向傳遞位置的上述方法中,亦可在如此進行傳遞位置之調整時使用模組TTS以外的模組來進行Z方向位置調整。又,亦可在進行基板搬運機構的保養作業時調整基板搬運機構的各皮帶張力之後,使用此TTS模組來進行各方向的傳遞位置之調整。藉此,因為能快速地進行晶圓W的傳遞位置之調整,所以能達到將保養所須時間縮短化。
使用模組TTS的基板搬運機構之位置調整,亦於推定基板搬運機構有
異常之外時進行。例如,控制部6監控塗佈、顯影裝置1的動作時間,在動作時間達到預先設定的時進行上述調整。又,控制部6監控塗佈、顯影裝置1的晶圓W之處理批量數,在處理完預先設定數的批量時,進行上述調整。如此,可快速地解除長期變化而產生的前述跳齒等基板搬運機構之故障。
在上述塗佈、顯影裝置中,控制部6亦可不進行異常推定及警報輸出。此時於顯示部63顯示記憶於記憶部65的偏移量,用戶依據該顯示來進行模組異常或基板搬運機構異常之推定。進行推定後,用戶自行經由控制部6進行停止往推定為異常的模組之搬運或停止基板搬運機構之動作等應對。又,如此用戶進行該推定時,就顯示於顯示部63的ΔX、ΔY而言,可顯示對於每個模組取得的全部資料,也可僅顯示成為容許範圍外的ΔX、ΔY。又,例如亦可於晶圓W搬運中以任意時序對於各模組取得1次ΔX、ΔY,並將該資料顯示於顯示部,使用戶進行該推定。又,晶圓W的偏移量不限於如上方式進行。亦可於基台31設置拍攝晶圓W之接受位置的相機,藉由比較預先準備的基準影像與該相機拍攝的影像,來偵測晶圓W之偏移量ΔX、ΔY。基板亦不限於晶圓W,在搬運LCD等其他基板時亦能應用本發明。又,偵測部4不限設於基台31,亦可配置於基板的搬運道。
又,在上述之例中,係在各模組一齊修正晶圓W之傳遞位置,但因為對於各模組取得偏移量,所以亦可使用如此對於每個模組取得的偏移量,依照其位置資料來修正每個模組。又,為了進行模組位置修正而判斷偏移量是否往相同方向偏移的步驟,並不限於判斷ΔX、ΔY之正負是否相同。例如,亦可從各模組取得的偏移量求取搬運叉3之基準位置o與晶圓W之中心位置o'的向量,於此向量的方向收斂於既定範圍內時判斷為往相同方向偏移。又,在上述之例中係毎次將基板搬運機構接受晶圓W偵測的ΔX、ΔY記憶記憶部,但不限於如此毎次進行記憶,例如各模組每進行2次接受而記憶1次。
3A、3B‧‧‧搬運叉
31‧‧‧基台
33‧‧‧支持部
37‧‧‧故持爪
38‧‧‧真空吸附口
4A~4D‧‧‧偵測部
41A~41D‧‧‧光源部
42A~42D‧‧‧受光部
43‧‧‧支持構件
Claims (5)
- 一種基板處理裝置,係於模組間傳遞基板並進行處理,其特徵在於包含:基板搬運機構,具有可橫向自由移動的基板固持部,以固持並傳遞基板;多數之接受模組,由該基板固持部接受該基板;感測器部,用來偵測下述偏移量,即固持於該基板固持部的基板之固持位置,與預先設定於該基板固持部的基板之基準位置間的偏移量;記憶部,對於每個該接受模組,依時間序列方式記憶接受來自各接受模組之基板時偵測的該偏移量;推定部,依據記憶於該記憶部的各接受模組之該偏移量的時間序列資料,來推定各接受模組的其中任一者或該基板搬運機構有故障;以及控制機構,輸出控制信號,以依據該推定部之推定結果來控制該基板搬運機構之動作;其中,於該推定部推定為基板搬運機構有故障時,該控制機構輸出控制信號,以使該基板搬運機構於將基板傳遞至構成接受模組之一的調整用模組之後再接受該基板,並依據將基板傳遞至該調整用模組前偵測的偏移量、與從調整用模組接受基板之後偵測的偏移量之差值,將該基板固持部從各接受模組接受該基板時的該基板固持部之位置,從預先設定的第1位置變更為第2位置。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其設有:警報輸出機構,於該推定部推定為各模組的其中任一者或基板搬運機構有故障時,輸出警報。
- 一種基板處理方法,採用在模組間傳遞基板並進行處理的基板處理裝置,其特徵在於包含以下步驟:移動步驟,藉由設於基板搬運機構的基板固持部來固持該基板,並使該基板固持部往橫向移動以進行基板傳遞;接受步驟,該基板固持部從多數之接受模組接受該基板;偵測步驟,用於藉由感測器部來偵測下述之偏移量,即固持於該基板固持部的基板之固持位置,與預先設定於該基板固持部的基板之基準位置間的偏移量;記憶步驟,對於每個該接受模組,以時間序列方式將接受來自各接受 模組之基板時偵測的該偏移量記憶於記憶部;推定步驟,由推定部依據記憶於該記憶部的各接受模組之該偏移量的時間序列資料來推定各接受模組的其中任一者或該基板搬運機構有故障;以及控制步驟,依據該推定部之推定結果來控制基板搬運機構之動作;且控制基板搬運機構之動作的該控制步驟,更含有以下步驟:傳遞步驟,於藉由該推定部推定為基板搬運機構有故障時,使基板搬運機構將基板傳遞給構成接受模組之一的調整用模組;第2接受步驟,基板搬運機構於該傳遞步驟之後再從調整用模組接受基板;運算步驟,運算下列偏移量之差值,即於將基板傳遞至該調整用模組前偵測的偏移量,與從調整用模組接受基板後偵測的偏移量二者之差值;以及變更步驟,依據該差值,將該基板固持部從各接受模組接受基板時的該基板固持部之位置,從預先設定的第1位置變更為第2位置。
- 如申請專利範圍第3項之基板處理方法,更包含以下步驟:輸出步驟,於藉由該推定部推定為各接受模組的其中任一者或基板搬運機構有故障時,輸出警報。
- 一種記憶媒體,記憶有電腦程式,該電腦程式用於包含多數之模組並於此等模組間傳遞基板並進行處理的基板處理裝置,其特徵在於,該電腦程式係用於實施如申請專利範圍第3項或第4項之基板處理方法。
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