JP5704129B2 - 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 - Google Patents
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Description
気流のベクトルのデータを取得するための第1のセンサと、第2のセンサとからなる複数のセンサ対が、その表面の中央部から見て互いに異なる距離に設けられるセンサ用基板を、前記基板の表面の第1の測定領域における前記風向のデータを取得するために前記載置部に第1の向きで載置する工程と、
前記第1の測定領域とは前記基板の中心部周りにその位置がずれた第2の測定領域の風向のデータを取得するために、当該載置部におけるセンサ用基板の向きを第2の向きに変更する工程と、
前記第1の向き及び第2の向きで載置されたセンサ用基板の各第1のセンサから、当該第1のセンサについて各々センサ用基板の表面に沿って設定された第1の直線方向における気流のベクトルのデータを取得する工程と、
前記第1の向き及び第2の向きで載置されたセンサ用基板の各第2のセンサから、当該第2のセンサについて各々センサ用基板の表面に沿い、且つ対となる第1のセンサに設定された前記第1の直線方向とは傾いて設定された第2の直線方向における気流のベクトルのデータを取得する工程と、
同じセンサ対をなす第1のセンサ及び第2のセンサにより取得された気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、前記第1の測定領域及び第2の測定領域における各基点からの風向を演算する工程と、
を含むことを特徴とする。
(a)前記センサ用基板の表面には、前記各センサ対が設けられるセンサ対配置領域と、当該センサ用基板の周方向にずれた位置に設けられる部品配置領域と、が形成され、
前記部品配置領域は、前記第1のセンサ及び第2のセンサにより取得された気流のベクトルのデータをセンサ用基板の外部に無線送信するための送信部及び前記データを保存するメモリのうち少なくとも一方を備える。
(b)前記センサ対配置領域と、部品配置領域とは、センサ用基板の左右に各々形成される。
(c)前記基板処理装置には、前記載置部を挟んで気体の供給口と、気体の排気口とが設けられ、
前記第1の向き及び第2の向きでセンサ用基板を載置する工程は、
前記供給口から前記排気口に向かって見て、前記センサ対配置領域及び前記部品配置領域が各々左右に配置されるようにセンサ用基板を載置する工程を含む。
(d)前記気流のベクトルのデータは気流の風速についてのデータであり、
前記気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、各基点からの風速を演算する工程を含む。
(e)前記第1の直線方向と、第2の直線方向との傾きのなす角は90°である。
前記センサ用基板の表面に沿って設定された第1の直線方向における気流のベクトルのデータを取得するための複数の第1のセンサと、
前記第1のセンサと共に各々、その表面の中央部から見て互いに異なる距離に設けられるセンサ対を構成し、且つ前記センサ用基板の表面に沿い、前記第1の直線方向とは傾いて設定された第2の直線方向における気流ベクトルのデータを取得するための複数の第2のセンサと、
同じセンサ対をなす第1のセンサ及び第2のセンサにより各々取得された気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成して各基点からの風向を演算するために、前記第1及び第2のセンサで取得されたデータをセンサ用基板の外部に無線送信する送信部及び前記データを保存するメモリのうち少なくとも一方と、
を備えたことを特徴とする。
本発明の第1の実施形態に係るセンサ用ウエハ1について説明する。このセンサ用ウエハ1は、半導体製造用のウエハWの面内の複数の各部の風向及び風速を推定するために用いる冶具である。更に説明すると、このセンサ用ウエハ1は、基板処理装置である塗布、現像装置4内を前記ウエハWと同様に搬送されて、その面内の複数箇所で風速について検出したデータを前記塗布、現像装置4の制御部5に無線送信する。そして、制御部5により前記データに基づいて前記風速及び風向の分布が演算される。
従って、風向及び風速の測定精度を高くすることができる。また、このようなレイアウトとすることで、例えば各部品を基板本体11に埋め込むことで、センサ対配置領域12における気流の影響を抑える必要も無くなるので、部品の形状及び大きさの自由度が高くなり、センサ用ウエハ1の製造コストを抑えることができる。また、前記埋め込みを行うためにセンサ用ウエハ1の厚さがウエハWの厚さよりも大きくなる、つまりセンサ用ウエハ1の形状がウエハWの形状から乖離していくことによる測定精度の低下を防ぐことができる。ただし、センサ用ウエハ1において、そのような各部品の基板本体11への埋め込みが禁止されるものではない。
図25には第2の実施形態のセンサ用ウエハ9の概略構成を示している。第1の実施形態との差異点を説明すると、このセンサ用ウエハ9には無線送信部38が設けられておらず、ADC37から出力されるデータが例えば部品配置領域13に着脱自在に設けられるメモリ91に記憶される。また、電源部39にはスイッチ92が設けられている。このスイッチ92により、電源部39から部品配置領域13の各部及びセンサ対14への電力供給のオンオフの切り替えが手動で行われる。
部品配置領域13がセンサ対配置領域12の気流に与える影響を調べる実験を行った。この実験では、加熱モジュール71と同様に、載置部41に載置されたウエハWの一端側から他端側へ向かう気流を形成する評価装置を用意した。加熱モジュール71の測定時と同様に、装置の排気口からエア供給口に向かって見て、センサ対配置領域12及び部品配置領域13が左右に配列されるようにセンサ用ウエハ1を配置し、部品配置領域13に沿って配置されたCh1〜Ch3、Ch5、Ch7〜Ch9の各風速センサ2A、2Bにより検出される風速値を調べた。測定を行う度に基板本体11における部品配置領域13の位置をずらし、図1に示すセンサ対14からの離間距離L1を変更した。また、参照冶具として、部品配置領域13の各部品をケーブルにより基板本体11から引き出して離れた位置に形成した他は、センサ用ウエハ1と同様に構成されたウエハを用意し、同様に測定を行った。
前記評価装置を用いる代わりに実施形態で示した加熱モジュール81を用い、離間距離L1を80mmに設定したセンサ用ウエハ1と、前記参照冶具とを用いて評価試験1と同様に実験を行った。加熱モジュール81の気体供給量は4.0L/分に設定した。その結果、センサ用ウエハ1の上記の全てのチャンネルの風速値が前記許容範囲に収まった。つまり、これらの実験から基板本体11上に部品配置領域13を設けても、センサ対配置領域12との距離を調整することで、前記領域13の部品がセンサ対14周囲の気流に与える影響を防ぐことができることが示された。
12 センサ対配置領域
13 部品配置領域
14 センサ対
2A、2B 風速センサ
22 ヒータ
22B ボンディングワイヤー
23、24 サーモパイル
25 温度センサ
38 無線送信部
39 電源部
4 塗布、現像装置
5 制御部
61 レジスト塗布モジュール
65 周縁露光モジュール
71 加熱モジュール
91 メモリ
Claims (10)
- 基板処理装置の基板の載置部に載置された前記基板の表面における複数の測定領域の気流の風向についてのデータを取得するデータ取得方法において、
気流のベクトルのデータを取得するための第1のセンサと、第2のセンサとからなる複数のセンサ対が、その表面の中央部から見て互いに異なる距離に設けられるセンサ用基板を、前記基板の表面の第1の測定領域における前記風向のデータを取得するために前記載置部に第1の向きで載置する工程と、
前記第1の測定領域とは前記基板の中心部周りにその位置がずれた第2の測定領域の風向のデータを取得するために、当該載置部におけるセンサ用基板の向きを第2の向きに変更する工程と、
前記第1の向き及び第2の向きで載置されたセンサ用基板の各第1のセンサから、当該第1のセンサについて各々センサ用基板の表面に沿って設定された第1の直線方向における気流のベクトルのデータを取得する工程と、
前記第1の向き及び第2の向きで載置されたセンサ用基板の各第2のセンサから、当該第2のセンサについて各々センサ用基板の表面に沿い、且つ対となる第1のセンサに設定された前記第1の直線方向とは傾いて設定された第2の直線方向における気流のベクトルのデータを取得する工程と、
同じセンサ対をなす第1のセンサ及び第2のセンサにより取得された気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、前記第1の測定領域及び第2の測定領域における各基点からの風向を演算する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理装置のデータ取得方法。 - 前記センサ用基板の表面には、前記各センサ対が設けられるセンサ対配置領域と、当該センサ用基板の周方向にずれた位置に設けられる部品配置領域と、が形成され、
前記部品配置領域は、前記第1のセンサ及び第2のセンサにより取得された気流のベクトルのデータをセンサ用基板の外部に無線送信するための送信部及び前記データを保存するメモリのうち少なくとも一方を備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置のデータ取得方法。 - 前記センサ対配置領域と、部品配置領域とは、センサ用基板の左右に各々形成されることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置のデータ取得方法。
- 前記基板処理装置には、前記載置部を挟んで気体の供給口と、気体の排気口とが設けられ、
前記第1の向き及び第2の向きでセンサ用基板を載置する工程は、
前記供給口から前記排気口に向かって見て、前記センサ対配置領域及び前記部品配置領域が各々左右に配置されるようにセンサ用基板を載置する工程を含むことを特徴とする請求項3記載の基板処理装置のデータ取得方法。 - 前記気流のベクトルのデータは気流の風速についてのデータであり、
前記気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、各基点からの風速を演算する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。 - 前記第1の直線方向と、第2の直線方向との傾きのなす角は90°であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。
- 前記基板処理装置には、基板の裏面を吸着して保持すると共に鉛直軸回りに回転自在な保持部が設けられ、
前記センサ用基板の向きを第2の向きに変更する工程は、
前記保持部に保持された当該センサ用基板を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。 - 基板処理装置の基板の載置部に載置された前記基板の表面における複数の測定領域の気流の風向について、請求項1ないし7のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法を行うためのセンサ用基板であって、
前記センサ用基板の表面に沿って設定された第1の直線方向における気流のベクトルのデータを取得するための複数の第1のセンサと、
前記第1のセンサと共に各々、その表面の中央部から見て互いに異なる距離に設けられるセンサ対を構成し、且つ前記センサ用基板の表面に沿い、前記第1の直線方向とは傾いて設定された第2の直線方向における気流ベクトルのデータを取得するための複数の第2のセンサと、
同じセンサ対をなす第1のセンサ及び第2のセンサにより各々取得された気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成して各基点からの風向を演算するために、前記第1及び第2のセンサで取得されたデータをセンサ用基板の外部に無線送信する送信部及び前記データを保存するメモリのうち少なくとも一方と、
を備えたことを特徴とするセンサ用基板。 - 前記各センサ対が設けられるセンサ対配置領域と、前記送信部またはメモリが設けられる部品配置領域とは、センサ用基板の表面において周方向にずれた位置に互いに設けられることを特徴とする請求項8記載のセンサ用基板。
- 前記センサ対配置領域と、部品配置領域とは、センサ用基板の左右に各々形成されることを特徴とする請求項9記載のセンサ用基板。
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11139149B2 (en) * | 2017-11-29 | 2021-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas injector |
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Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH06265564A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 気体の流速検出装置 |
US6502459B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-01-07 | Honeywell International Inc. | Microsensor for measuring velocity and angular direction of an incoming air stream |
JP2003106883A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Yamatake Corp | 気流センサ |
WO2006010108A2 (en) * | 2004-07-10 | 2006-01-26 | Onwafer Technologies, Inc. | Methods and apparatus for low distortion parameter measurements |
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