TWI446568B - 半導體發光裝置 - Google Patents

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Description

半導體發光裝置
本發明申請人及所有相關聯之申請案主張2007年5月29日在日本專利局申請之日本專利申請案第JP 2007-141420號之技術內容，在此併入其內容供參考。因此，本申請案享有2007年5月29日之優先權日。
本發明係關於一種半導體發光裝置，其可應用至液晶顯示元件的背光、可攜式相機之閃光光源等。
已發展出使用發光二極體元件之半導體發光裝置，其可應用至可攜式裝置之液晶顯示元件的背光、可攜式裝置之相機之閃光光源等。相對於本發明之例示，傳統之半導體發光裝置之範例將分別參照第1與2圖說明。
傳統半導體發光裝置之一個範例係以第1圖來顯示並由下述構成。傳統發光二極體元件(此後，稱為LED元件)5係設置於印刷配線板4上，其中一期望的配線圖案3係形成於一絕緣基板2上。殼體6係經由黏接層7於該配線圖案3上一體成形形成。在此，該殼體6作為反射器。再者，該殼體6係以透明樹脂8填充並覆蓋該LED元件5。該配線圖案3係形成為使得其延伸至該絕緣基板2之背側，並由二個配線部3a與3b組成。該LED元件5係設置在一配線部3a上，以使LED元件5之背面電極(沒有顯示)與該配線部3a之間連接。此外，該LED元件5使LED元件5之前面電極(沒有顯示)與另一個配線部3h之間經由細金屬線 9連接。在此半導體發光裝置1中，在從該LED元件5所發射的光線中，除了那些直接向上輸出以外的光線(亦即，側向方向輸出之光線)係在該殼體6之反射表面6A上反射，並且被導引向上。整體看來，光是從該LED元件5向上發射。
另一個傳統半導體發光裝置11係顯示於第2圖中並由下述構成。具有反射表面之殼體14係藉由射出成型(injection-molding)樹脂而形成於基板13上，同時導線架(lead frame)12係設置其中。LED元件15係設置於殼體14內之導線架12上並接著覆蓋一層期望的螢光層16，同時該殼體14以透明樹脂17填充。在此範例中，所使用的LED元件15為藍色LED元件且所使用的螢光層16包含紅色與黃色螢光物質。在此，來自該LED元件15的藍光激發從該螢光層16中之紅色螢光物質層和黃色螢光物質層的發光，而獲得白光。在此半導體發光裝置11，發射的光線中，除了那些直接向上輸出以外，於側向輸出的光線係於該殼體14之內表面的反射表面14A上反射。整體看來，該白光是向上發射。
傳統裝置之另一個範例，日本未審查專利申請公開第2002-280616號揭露另一個半導體發光裝置。此發光裝置係由下述構成。封模(package-molded)產品係備有下凹部(depressed portion)，且發光元件接著設置在該下凹部中，使得發光元件可接近正導線電極與負導線電極。接著，該下凹部以透明樹脂填充。日本未審查專利申請案公開號第 2005-294736號提出另一種半導體發光裝置。此發光裝置係由下述構成。LED晶片係設置在導線架上。藉由具有高反射率之不透光的樹脂所製模的燈殼係接著於該導線架上形成，接著填充該燈殼之下凹部，其中該LED燈係配置有可透光樹脂。
依照習知技術之半導體發光裝置，此種半導體發光裝置具有依發射光之輸出而設計終端部之特定結構。因此，至少有二種類型的發光裝置：俯視型與側視型。例如，該俯視型裝置係建構於閃爍單元(flash unit)中，使得光可從設置基板的表面垂直輸出。該側視型裝置係建構於液晶顯示裝置之背光中，使得光可以平行於設置基板的表面而輸出，用以將該光輸入至導光板之側面。
目前可攜式裝置已被更進一步地發展為將安裝於其中之半導體發光裝置之結構最小化尺寸。上述習知結構及方法可能在設置降壓尺寸之LED元件方面發生困難。此外，此類傳統結構之光輸出效率也被限制。在此，光輸出效率係由下列公式(1)之表示來界定：光輸出效率=[從LED輸出的光量/由LED之發光面積決定之光量][(由LED之發光面積決定之光量×有效的反射率×光吸收度)/由LED之發光面積決定之光量]。
因此，在LED裝置之領域中存有克服傳統裝置及其製法缺點之需求，其中一經改良之LED可提供最佳光輸出效率以及對於製作較佳可攜式裝置上具有最小尺寸。將可看到的，本發明提供此一裝置，系統及方法，其可用一最佳 方式來克服這些缺點。
本發明提供一種結合俯視型與側視型結構之功效於一單一結構中之系統、裝置及方法。因此可得出一個新穎且有用的半導體發光裝置，其為側視型與俯視型之組合，同時相較於傳統裝置來說，具有一經改良之光輸出效率，即使在小晶片尺寸以及較縮減之結構上亦同。
在本發明之實施例中，提供一種半導體發光裝置，包含：配置於導線架上之發光半導體元件；透明樹脂成型，除了該導線架之端部以外，覆蓋該發光半導體元件與導線架；及形成於該導線架之部分的彎曲部上之反射表面。該導線架之終端部具有終端結構，其可作為俯視型與側視型之組合。
在依照本發明所架構之半導體發光裝置之一個範例中，該發光半導體元件被設置於該導線架上。部分導線架係接著被彎曲以提供反射表面，接著覆以透光樹脂成型體。因此，半導體發光裝置之結構可因減少零件數目與生產步驟數目而被簡化與最小化。來自發光半導體元件的光係藉由該導線架之彎曲部的反射而輸出，因此光輸出效率(亦即，輸出光的亮度)可被改善。此外，該半導體發光裝置可符合俯視型與側視型之任一種類型的結構。
因此，如上所述，依照本發明可架構之新穎及改良的半導體發光裝置可作為側視型與俯視型LED的組合。依照本發明，即使發光半導體元件具有小晶片尺寸，其光輸出 效率亦可被改善，同時也可減少零件數目並可作成更微小化的結構。
此後，將詳細說明具體實施本發明之裝置的範例，以說明在此所述之本發明不同實施例以及包含此等實施例並可提供新穎及有用的發明概念及發現的裝置、系統及方法的特定範例。在下述說明中，若干實施例係以不同範例之架構、替代構件或操作區塊及相關操作來說明。透過各種不同範例來說明替代性範例，其中不同構件或操作區塊均為自由選項。本發明下述說明係以廣泛概念來說明且不侷限於任何特定實施例或架構，但範圍延伸至隨附申請專利範圍及所有均等物所界定之範圍。
第3圖顯示依照本發明之實施例所架構之半導體發光裝置。實施例之半導體發光裝置21係如下述構成。發光半導體元件23可被設置在導線架22上。在此，導線架22之部分可作為反射器。此外，除了導線架22之終端部22A以外，透光樹脂成型體25可覆蓋整個發光半導體元件23與導線架22。該發光半導體元件23例如可為LED元件。
在完成的半導體發光裝置21的結構中，該導線架22係形成作為拉長的薄構件，導線架22的相對端於縱向方向中(長軸方向)係以預定角度彎曲。例如，其分別以向內傾斜的角度彎曲。因此，依照本發明，其它架構均包含於本發明之範圍內，其中針對不同應用或裝置規格為有助益 的。該彎曲部可分別作為集光反射器24。該集光反射器24於縱向方向的相對端上具有供作反射表面26之內表面。
此外，寬度方向(短軸方向)中導線架22的相對端係分別以預定度予以彎曲，例如，向內傾斜之角度。該彎曲部可分別作為集光反射器24。該集光反射器24於寬度方向的相對端上具有供作反射表面27之內表面。
導線架22被電性劃分二個部分，用以與發光半導體元件23之相對電極電性分離與連接。此外，如稍後說明之第12A圖中所示，凹口28係於導線架22中形成，從平坦終端部22A以寬度方向劃分導線架之二個端部，作為集光反射器24。因此，有助於寬度方向中相對端的彎曲。換言之，該等凹口28使該彎曲正確地被執行且有助於沿著第12A圖中所示之虛線。
該導線架22之終端部(或外端部)22A從該透光樹脂成型體25向外延伸。該終端部22A具有作為俯視型與側視型之端結構。換言之，終端部22A之每一者於平面視圖係以L形形成。具體而言，該終端部22A係以L形形成，使得其可對應從發光半導體元件23發出的光的任何輸出方向。例如，該半導體發光裝置21可放置在導光板30之側表面上(參照第4圖)，以允許從發光半導體元件23射出的光35被入射至導光板30之側表面上。在此情況下，如第4圖中所示，該L形終端部22A可被彎曲，例如，彎成直角。基底端部(或平行發光方向的部分)29A之表面定義為於其上設置印刷配線板31之表面。因此，從發光半導體元件23 射出的光35可以平行於印刷電路板31用的設置表面的方向輸出，並接著入射至該導光板30之側表面上。在此情況下，構成側視型之半導體發光裝置21。
此外，如第5圖中所示，例如，當從該發光半導體元件23射出的光35於垂直用以設置印刷配線板31之設置表面的方向輸出時，該L形終端部22A之端部29A可被切除。在此情況下，或者，該L形終端部22A之端部29A可維持為L形未彎曲，同時其中前面或背面界定作為用以設置印刷配線板31之表面。相對地，如第4圖中所示之終端部22A之部分可被彎曲，使得其中具有垂直於發光方向的表面之端部29B可被界定為用以設置印刷配線板31之表面。當該端部29B以此方式固定時，從該發光半導體元件23發射的光35可在垂直用以設置印刷配線板31之表面的方向輸出。在此情況下，構成俯視型之半導體發光裝置21。
該半導體發光裝置21電性連接該導線架22之終端部22A至印刷配線板31，例如，可撓性印刷板。
該導線架22係以具有反射與傳導二個特性之材料製成，例如那些於半導體技術之領域中被採用之任何材料，如Cu、42-合金(Fe系)、及Cu-合金(黃銅)。該導線架22作用為反射器，使得導線架22可較佳地由具有儘可能高的反射比的材料製成。在此實施例中，具有高反射率之金屬層42可於該導線架22之諸如Cu、42-合金(Fe系)及Cu-合金(黃銅)之基材上，藉由鍍覆或沉積(參照第6B圖)形成。該金屬可為諸如Ag、Al、或Ni之白金屬(white metal)。
依照實施例，該發光半導體元件23包含三個不同的發光半導體元件：藍色發光半導體元件23B、紅色發光半導體元件23R及綠色發光半導體元件23G。這些元件係縱向配置於該導線架22上。如第6A與6B圖中所示，該藍色發光半導體元件23B係設置於該配置的中間。該綠色發光半導體元件23G係設置於一個分隔的導線架部分22B上。該藍色發光半導體元件23B與紅色發光半導體元件23R二者均設置在另一個分隔的導線架部分22C上。這三個發光半導體元件23B、23R及23G係透過一條如細Au線之細金屬線32，藉由打線(wire-bonding)而串聯連接，同時電氣連接至該導線架22。使用這三個發光半導體元件23R、23G及23B而可獲得白光。
該發光半導體元件23可以如第7圖(沿著第8圖中線A-A之剖面圖)中所示之方式構成。具體而言，n型GaN層45、主動層46、及p型GaN層47及覆蓋層48係以此順序堆疊於藍寶石基板44上。p側電極49係於該覆蓋層48上形成。另一方面，該合成的堆疊體係選擇蝕刻以曝露部分n型GaN層45且n側電極50係接著於其上形成。該堆疊體的整個表面，除了p側電極49與n側電極50之連接面以外，均覆蓋一層絕緣薄膜以形成鈍化(passivation)薄膜51。
當用在如行動電話單元之可攜式裝置上時，該半導體發光裝置21之尺寸可特定地，例如為2.8mm(L；長 度)×0.8mm(W；寬度)×1.2mm(H；高度)。這些數值可基於包含機械強度之情況來界定。在近幾年中，有傾向於降低導光板之厚度的趨勢。例如，當導光板之寬度(W)為0.3mm時，半導體發光裝置21之寬度(W)也可同時被降低。
依照本發明之實施例，當以平面圖觀看(從頂部表面觀看)以獲得亮光時，該發光半導體元件23較佳地構成為矩形形狀之晶片(或細長的晶片)。如第8圖中所示，該發光半導體元件23可以矩形形狀形成，其中其縱向方向係相當於配置該發光半導體元件23於該導線架上的方向。此外，p側電極49與n側電極50係分別在該發光半導體元件(或LED元件)23之相對端上形成。如第8圖中所示，從p側電極49延伸至晶片的中央的細長電極53係用於供應均勻電流流動或均勻電流密度。此矩形發光半導體元件23最好具有1.0：1.2或更大之水平-垂直比例。
當以平面圖觀看時，典型的發光半導體元件(LED元件)係以正方形形狀形成。當半導體發光裝置已比以前還要小尺寸化時，發光半導體元件23之面積的減少導致發光量的減少，並也導致小尺寸化的導線架。因此，例如發光半導體元件23之配置發生改變，由於有效反射率降低與光吸收率的增加導致光輸出效率的減少。
如上所述，該發光半導體元件23係以矩形形狀形成與配置，使得其縱向方向將與該導線架22之縱向方向相當。因此，相較於正方形發光半導體元件，可改善光輸出效率(或輸出光的亮度)。在此，發光半導體元件23之結構可如 下述設計。該發光半導體元件23係配置於導線架上且反射表面接著藉由彎曲該導線架而形成，以形成與該發光半導體元件之側面相鄰與面對之反射表面。若平面圖中該矩形發光半導體元件具有相同於正方形發光半導體元件之面積，則面對該反射表面之矩形發光半導體元件之長度係比正方形發光半導體元件之長度還長。因此，從矩形元件之反射表面反射之輸出光量係大於該正方形元件之光量。因此，光輸出效率可被增加且明亮的光可被輸出而不需增加晶片之尺寸。
另一方面，於典型正方形發光半導體元件之中心上形成電極。該電極可作用為光吸收器。為了確保用於打線之區域，該電極所佔用之區域之百分比隨著晶片尺寸的減少而增加。因此，發生光輸出效率的降低。相對地，如第8圖中所示，在該矩形發光半導體元件23的情況中，p側電極49與n側電極50係在該矩形的相對端形成。因此，由該電極造成的光吸收減少，同時改善光輸出效率到某程度。
相對於相同的LED晶片面積來說，藉由比較該矩形與該正方形，該矩形的光輸出效率比該正方形的光輸出效率增加30%到50%。本發明者已首先研究與發現當該發光半導體元件23的尺寸減少時，該矩形發光半導體元件顯示光輸出效率增加。
依照上述實施例之半導體發光裝置21，該導線架22之終端部22A係在平面圖以L形形成。依俯視型或側視型，該導線架22的終端部22A係彎曲的或保持其原來形狀。因 此，在單一半導體發光裝置21中，側視與俯視二者均可共同使用。亦即，一個封裝(package)可作為側視型與俯視型二種。
此外，寬度方向中該導線架之相對端係部分彎曲以分別產生集光反射器24。接著，來自LED元件23的光入射至該集光反射器24之反射表面27。因此，輸出光的亮度可被改善而不用增加發光半導體元件23之尺寸或者晶片之尺寸。將該導線架22之二個端部予以彎曲以備有集光反射器24，且其內表面也可作為反射表面26。因此，反射的光也可向前輸出並有助於光輸出效率的改善。此外，不像典型的結構，其不需要任何各自的發光反射器。因此，可減少元件數目。此外，也可減少生產步驟數目。
此外，光輸出效率可藉由將發光半導體23作成矩形形狀而被改善。
在第9A、9B與10圖中，顯示作為本發明之另一個實施例之半導體發光裝置。在使用LED元件的半導體發光裝置中，內建如齊納(Zener)二極體之保護二極體，以作為LED元件之靜電保護。在本實施例中，一個單色的LED元件同時覆蓋螢光層以輸出白光。本實施例係適用於具有內建保護二極體之半導體發光裝置。
如第9B圖中所示，依照本發明之實施例之半導體發光裝置61，配置單色發光半導體元件(在此實施例中為藍色發光半導體元件23B)於該導線架22上。接著，形成具有紅、綠、及藍色螢光物質之螢光層67，以便覆蓋該藍色發光半 導體元件23B，接著放置該保護二極體63。
在本實施例中，特別地，下凹部62係於該導線架22之區域上形成，於該下凹部62上應配置該保護二極體63。將保護二極體63於其前面與背面上形成電極64A與64B以便隱藏於該下凹部62中。如第10圖中所示，定義該下凹部62之深度(Z)使得保護二極體63之上表面上的電極64A之表面，係與於其上設置發光半導體元件23之該導線架22的表面22d在相同水平面。或者，其可定義使得保護二極體63之上表面上之電極64A的表面係比與該導線架之表面22d相同水平面還低。其它結構組件係相同於那些第3圖與第6A到6C圖中所示之實施例中所採用者，使得對應的元件備有相同的符號，故省略重覆的解釋。
依照上述之本實施例之半導體發光裝置61，來自該藍色發光半導體元件23B的光激發從紅、綠及藍色螢光物質之光的發射，以輸出白光。在本實施例中，該保護二極體63係設置在該導線架22之下凹部62中，以隱藏於其中。因此，該保護二極體63可能不會阻擋來自發光半導體元件23之橫向方向的光。因此，來自發光半導體元件23的光不會被該保護二極體63吸收，使得光輸出效率的增加可達到該程度。此外，本實施例具有相同於那些依照前述實施例之半導體發光裝置21之功效。
保護二極體63之晶片典型地係由矽(Si)製成，且該矽本身被染為黑色。因此，當該保護二極體63設置在發光半導體元件23之相同平面時，保護二極體63之晶片吸收從 發光半導體元件23在橫向方向發出的光。因此，可能發生光輸出效率的減少。然而，如本實施例中所述，藉由於導線架22中形成下凹部62並接著於該下凹部62中設置保護二極體63可防止光吸收。因此，橫向方向中的光係於導線架22之端部之反射表面26上反射。因此，可得到更進一步改善的光輸出效率。
此外，如第11圖中所示，例如，該保護二極體63可較佳地以大表面積的電極64A與64B(例如，Al電極)形成於前表面與背表面上，特別地是將用於電性連接之大表面積電極64A連接於該前表面上。換言之，因Si的表面被染為黑色且吸收光，致使可能發生光輸出效率減少。然而，可藉由形成由Al製成的大電極64A並提供該電極64作為反射器來更進一步地增加光輸出效率。在此情況下，電極64A係以剩下的邊緣區域65形成，其中該邊緣區域65可確保如齊納二極體之保護二極體63之8kV耐壓。具體而言，電極端與晶片端或不包含任何電極之邊緣區域65之間的距離具有10μm到50μm的寬度(X)，較佳為10μm到25μm。若該距離短於10μm，則可能無法獲得8kV耐壓(亦即，p-n接面上的耐壓)。若該距離超過50μm，則因為光吸收的機率隨著該保護二極體63上矽的曝露面積的增加而增加，故不佳。該保護二極體63之晶片典型為正方形的形式。
如第9A與9B圖中所示之包含形成於導線架22中之下凹部62與設置於該下凹部62中之保護二極體63的半導體 發光裝置之結構，其可應用於第3圖、第6A與6B圖中所示之實施例。
將說明依照本發明之實施例製造半導體發光裝置之方法。該實施例係應用於第9A與9B圖中所示之半導體發光裝置的製造。
首先，如第12A圖中所示，形成導線架22。該導線架22於設置保護二極體之部位上具有下凹部62。形成該導線架22以便透過從二縱向端上之終端部22A延伸之連接部68，與周圍部69連接。
接下來，如第12B圖中所示，該導線架22之周圍部係沿著虛線彎曲以形成具有反射表面之彎曲部。在此狀態下，配置藍色發光半導體元件23B於其中一個導線部上，並且設置該保護二極體63於該下凹部62中。
接下來，如第12C圖中所示，例如，該保護二極體63、該藍色發光半導體元件23B、及該導線架22透過細金屬線32藉由打線而互相電性連接。
接下來，如第13A圖中所示，該藍色發光半導體元件23B以包含紅色、綠色、及藍色螢光物質之螢光層67覆蓋。
接下來，如第13B圖中所示，除了終端部22A以外，採用轉移成型(transfer molding)法以對該導線架22、該具有螢光層67之藍色發光半導體元件23B、及該保護二極體63成型。換言之，這些組件係以透光樹脂成型體25覆蓋。
接下來，沿著如第12A圖中所示之虛線69切除該導線 架22之連接部68。面向外部之該導線架22之終端部22A係依側視型或俯視型而彎曲。因此，可得到如第13C圖中所示之半導體發光裝置61。換言之，第13C圖係說明對應於側視型之半導體發光裝置。
如上所述，依照本實施例之具體實施可簡化製造半導體發光裝置的方法。此外，如第3圖與第6A到6C圖中所示之製造半導體發光裝置21之方法也可基於第12A到12C與第13A到13C圖中所示之步驟來實行。
已參照隨附圖式說明本發明之較佳實施例，可被了解的是，本發明並不侷限於上述那些明確範例與實施例以及圖式之說明，所屬技術領域中具有通常知識者於其中所做的各種改變與修改仍是有效力的，且均不脫離本發明如下隨附之申請專利範圍與所有均等物所界定之精神或範圍。
1、11、21、61‧‧‧半導體發光裝置
2‧‧‧絕緣基板
3‧‧‧期望的配線圖案
3a、3b‧‧‧配線部
4、31、38‧‧‧印刷配線板
5‧‧‧發光二極體元件
6、14‧‧‧殼體
6A、14A、26、27‧‧‧反射表面
7‧‧‧黏接層
8、17‧‧‧透明樹脂
9、32‧‧‧細金屬線
12、22‧‧‧導線架
13‧‧‧基板
15‧‧‧LED元件
16、67‧‧‧螢光層
22A‧‧‧終端部
22B、22C‧‧‧分隔的導線架部分
22d‧‧‧導線架之表面
23‧‧‧發光半導體元件
23R‧‧‧紅色發光半導體元件
23G‧‧‧綠色發光半導體元件
23B‧‧‧藍色發光半導體元件
24‧‧‧集光反射器
25‧‧‧透光樹脂成型體
28‧‧‧凹口
29A、29B‧‧‧端部
30‧‧‧導光板
35‧‧‧光
42‧‧‧金屬層
44‧‧‧藍寶石基板
45‧‧‧n型GaN層
46‧‧‧主動層
47‧‧‧P型GaN層
48‧‧‧覆蓋層
49‧‧‧p側電極
50‧‧‧n側電極
51‧‧‧鈍化薄膜
53‧‧‧細長電極
62‧‧‧下凹部
63‧‧‧保護二極體
64A、64B‧‧‧電極
65‧‧‧邊緣區域
68‧‧‧連接部
69‧‧‧周圍部
第1圖為依照習知技術之半導體發光裝置之範例的示意剖面圖。
第2圖為依照習知技術之半導體發光裝置之另一個範例的示意剖面圖。
第3圖為依照本發明實施例之半導體發光裝置之示意透視圖。
第4圖為說明當將半導體發光裝置構成為側視型時，依照本發明實施例將半導體發光裝置設置於基板上的狀態之解釋圖。
第5圖為說明當將半導體發光裝置構成為俯視型時， 將依照本發明實施例將半導體發光裝置設置於基板上的狀態之解釋圖。
第6A到6C圖係說明依照本發明實施例之半導體發光裝置，其中第6A圖為裝置之俯視圖，第6B圖為沿著第6A圖中的線B-B切下之剖面圖，及第6C圖為沿著第6A圖中的線C-C切下的剖面圖。
第7圖為說明依照本發明實施例，將發光半導體元件應用至半導體發光裝置之範例之剖面圖。
第8圖為顯示依照本發明實施例，將矩形發光半導體元件應用至半導體發光裝置之範例之平面圖。
第9A與9B圖為說明依照本發明另一實施例之半導體發光裝置，其中第9A圖為平面圖且第9B圖為剖面圖。
第10圖為顯示依照本發明另一實施例之半導體發光裝置之基本部分的放大剖面圖。
第11圖為顯示應用至本發明之實施例之保護二極體之範例的平面圖。
第12A到12C圖說明依照本發明實施例(1/2部分)製造半導體發光裝置之方法，其中第12A圖為裝置之平面圖，且第12B與12C圖為說明製程之各個步驟之裝置的剖面圖。
第13A到13C圖為說明依照本發明實施例(2/2部分)製造半導體發光裝置之方法，其中第13A、13B與13C圖為用以說明製程之各個步驟之裝置的剖面圖。
21‧‧‧半導體發光裝置
22‧‧‧導線架
22A‧‧‧終端部
23‧‧‧發光半導體元件
24‧‧‧集光反射器
25‧‧‧透光樹脂成型體
26、27‧‧‧反射表面
29A、29B‧‧‧端部

Claims (4)

  1. 一種半導體發光裝置，包含：發光半導體元件，其以平面圖中呈矩形形狀的發光半導體元件之縱向方向是沿著導線架之縱向方向延伸的方式配置；反射表面，其與該發光半導體元件之縱向方向的兩面相鄰且面對地形成於該導線架之彎曲部上，透明樹脂成型體(transparent resin mold)，其係不包含該導線架之終端部在內地覆蓋該發光半導體元件及該導線架；該導線架係將一板穿孔並折曲所形成，該導線架內的一部份形成有凹部；及該導線架之該終端部具有兼備俯視型與側視型之終端結構；保護二極體，配置於該導線架之下凹部中，該保護二極體之上表面是位在該導線架之配置有該發光半導體元件的配置平面之下。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中該保護二極體之上表面上的電極係形成於除了用以確保該保護二極體之抗壓(voltage resistance)之邊緣區以外的整個表面上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體發光裝置，其中於該導線架上配置用於發射紅光、發射綠光、及發射藍光之三個發光半導體元件。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之半導體發光裝置，其中 發射單色光之發光半導體元件係設置在該導線架上，且發射單色光之該發光半導體元件係以螢光層覆蓋。
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