JP2002232015A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 上面発光及び側面発光の両方に兼用できると
ともに発光輝度も向上し得る表面実装型の半導体発光装
置を提供すること。 【解決手段】 四隅に１／４円弧状のｎ電極１ａ及びｐ
電極１ｂを形成した実装基板１と、ｎ電極１ａ及びｐ電
極１ｂにそれぞれ導通させて実装基板１の上に搭載した
ＬＥＤ５と、ＬＥＤ５を包囲して実装基板１に接合され
た光反射性のケース２とを備える。
ともに発光輝度も向上し得る表面実装型の半導体発光装
置を提供すること。 【解決手段】 四隅に１／４円弧状のｎ電極１ａ及びｐ
電極１ｂを形成した実装基板１と、ｎ電極１ａ及びｐ電
極１ｂにそれぞれ導通させて実装基板１の上に搭載した
ＬＥＤ５と、ＬＥＤ５を包囲して実装基板１に接合され
た光反射性のケース２とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型の発光
ダイオード（ＬＥＤ）を備え上面発光及び側面発光の両
方に利用できるようにした半導体発光装置に関する。
ダイオード（ＬＥＤ）を備え上面発光及び側面発光の両
方に利用できるようにした半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から知られている表面実装型の半導
体発光装置は、小型薄型化の必要性から電極を形成した
基板の上にＬＥＤのチップを導通搭載し、このチップを
エポキシ樹脂で封止したものが一般的な構造である。こ
のような表面実装型の半導体発光装置では、実装面から
上に発光させる上面発光が主である。また、携帯電話等
の表示に利用される液晶表示パネルのバックライト光源
として配置される半導体発光装置も、発光方向を側方に
向けたものでほぼ同様の構成を持つ。これらの半導体発
光装置は、単体で使用される場合ではＬＥＤチップを光
源として発光するのみであり、たとえば砲弾型のＬＥＤ
ランプのようにリードフレームのマウント部を利用して
反射させるようにすれば輝度を高くできる。
体発光装置は、小型薄型化の必要性から電極を形成した
基板の上にＬＥＤのチップを導通搭載し、このチップを
エポキシ樹脂で封止したものが一般的な構造である。こ
のような表面実装型の半導体発光装置では、実装面から
上に発光させる上面発光が主である。また、携帯電話等
の表示に利用される液晶表示パネルのバックライト光源
として配置される半導体発光装置も、発光方向を側方に
向けたものでほぼ同様の構成を持つ。これらの半導体発
光装置は、単体で使用される場合ではＬＥＤチップを光
源として発光するのみであり、たとえば砲弾型のＬＥＤ
ランプのようにリードフレームのマウント部を利用して
反射させるようにすれば輝度を高くできる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の表面
実装型の半導体発光装置では、実装表面に対して上向き
にしか発光方向をとることができない。このため、側面
発光用の専用の半導体装置を必要とすることになり、上
面発光と側面発光の半導体装置の両方を品揃えする必要
がある。このため、半導体装置の製造用の金型も上面発
光用と側面発光用の２種類を準備する必要があり、製造
設備も複雑になる。
実装型の半導体発光装置では、実装表面に対して上向き
にしか発光方向をとることができない。このため、側面
発光用の専用の半導体装置を必要とすることになり、上
面発光と側面発光の半導体装置の両方を品揃えする必要
がある。このため、半導体装置の製造用の金型も上面発
光用と側面発光用の２種類を準備する必要があり、製造
設備も複雑になる。
【０００４】また、表面実装型の半導体発光装置では、
先に述べたように単体で使用する場合にはＬＥＤチップ
を光源として発光するのみであり、反射機能は付加され
ていない。このため、発光輝度の向上にも限界がある。
先に述べたように単体で使用する場合にはＬＥＤチップ
を光源として発光するのみであり、反射機能は付加され
ていない。このため、発光輝度の向上にも限界がある。
【０００５】このように従来の表面実装型の半導体発光
装置では、上面及び側面発光用のものをそれぞれ専用部
品として製作する必要があり、発光輝度にも改善すべき
問題が残っている。
装置では、上面及び側面発光用のものをそれぞれ専用部
品として製作する必要があり、発光輝度にも改善すべき
問題が残っている。
【０００６】そこで、本発明は、上面発光及び側面発光
の両方に兼用できるとともに発光輝度も向上し得る表面
実装型の半導体発光装置を提供することを目的とする。
の両方に兼用できるとともに発光輝度も向上し得る表面
実装型の半導体発光装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、四隅に１／４
円弧状のｎ電極及びｐ電極を形成した実装基板と、前記
ｎ電極及びｐ電極にそれぞれ導通させて前記実装基板の
上に搭載したＬＥＤと、前記ＬＥＤを包囲して前記実装
基板に接合された光反射性のケースとからなることを特
徴とする。
円弧状のｎ電極及びｐ電極を形成した実装基板と、前記
ｎ電極及びｐ電極にそれぞれ導通させて前記実装基板の
上に搭載したＬＥＤと、前記ＬＥＤを包囲して前記実装
基板に接合された光反射性のケースとからなることを特
徴とする。
【０００８】本発明によれば、上面発光及び側面発光の
両方に兼用できるとともに発光輝度も向上し得る表面実
装型の半導体発光装置が得られる。
両方に兼用できるとともに発光輝度も向上し得る表面実
装型の半導体発光装置が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、四隅に
１／４円弧状のｎ電極及びｐ電極を形成した実装基板
と、前記ｎ電極及びｐ電極にそれぞれ導通させて前記実
装基板の上に搭載したＬＥＤと、前記ＬＥＤを包囲して
前記実装基板に接合された光反射性のケースとからなる
ことを特徴とする半導体発光装置であり、上面発光及び
側面発光の両方に兼用できるとともに発光輝度も向上し
得るという作用を有する。
１／４円弧状のｎ電極及びｐ電極を形成した実装基板
と、前記ｎ電極及びｐ電極にそれぞれ導通させて前記実
装基板の上に搭載したＬＥＤと、前記ＬＥＤを包囲して
前記実装基板に接合された光反射性のケースとからなる
ことを特徴とする半導体発光装置であり、上面発光及び
側面発光の両方に兼用できるとともに発光輝度も向上し
得るという作用を有する。
【００１０】以下、本発明の実施の形態について図面に
基づき説明する。
基づき説明する。
【００１１】図１は本実施の形態における半導体発光装
置の概略斜視図、図２は側面図、図３は半導体発光装置
を側面発光用として配線基板上に搭載したときの正面図
である。
置の概略斜視図、図２は側面図、図３は半導体発光装置
を側面発光用として配線基板上に搭載したときの正面図
である。
【００１２】図において、四隅を１／４円弧状に切欠し
た絶縁性の実装基板１の上に、この実装基板１の外郭形
状と同じとした枠状のケース２が接着剤３によって一体
に接合されている。
た絶縁性の実装基板１の上に、この実装基板１の外郭形
状と同じとした枠状のケース２が接着剤３によって一体
に接合されている。
【００１３】実装基板１はほぼ長方形状の平面形状であ
って四隅を１／４円弧状に切欠し、この切欠した部分に
ｎ電極１ａとｐ電極１ｂをそれぞれ一対ずつ備えてい
る。これらのｎ電極１ａ及びｐ電極１ｂは実装基板１に
スルーホールを形成して金属メッキすることによって形
成されたものである。また、実装基板１の上面には、ｎ
電極１ａ及びｐ電極１ｂにそれぞれ導通するｎ電極パタ
ーン４ａとｐ電極パターン４ｂが形成されている。
って四隅を１／４円弧状に切欠し、この切欠した部分に
ｎ電極１ａとｐ電極１ｂをそれぞれ一対ずつ備えてい
る。これらのｎ電極１ａ及びｐ電極１ｂは実装基板１に
スルーホールを形成して金属メッキすることによって形
成されたものである。また、実装基板１の上面には、ｎ
電極１ａ及びｐ電極１ｂにそれぞれ導通するｎ電極パタ
ーン４ａとｐ電極パターン４ｂが形成されている。
【００１４】ｐ電極パターン４ｂの上には青色発光のＬ
ＥＤ５が配置され、このＬＥＤ５は底面電極によってｐ
電極パターン４ｂに導通するとともにワイヤ６によって
ｎ電極パターン４ａにボンディングされている。なお、
ＬＥＤ５の上面の主光取出し面には青色発光を波長変換
して白色光とするための蛍光物質（たとえば、（Ｙ，Ｇ
ｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ）を含む波長変換層７
が形成されている。
ＥＤ５が配置され、このＬＥＤ５は底面電極によってｐ
電極パターン４ｂに導通するとともにワイヤ６によって
ｎ電極パターン４ａにボンディングされている。なお、
ＬＥＤ５の上面の主光取出し面には青色発光を波長変換
して白色光とするための蛍光物質（たとえば、（Ｙ，Ｇ
ｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ）を含む波長変換層７
が形成されている。
【００１５】ケース２はたとえばＮｉやＰｄなどを内側
にメッキすることにより、光反射率を高くしてＬＥＤ５
からの発光を反射することによって発光輝度を高くす
る。
にメッキすることにより、光反射率を高くしてＬＥＤ５
からの発光を反射することによって発光輝度を高くす
る。
【００１６】以上の構成において、図２に示すように、
実装基板１を下向きとして回路基板８の上に搭載し、１
／４円弧状のｎ電極１ａ及びｐ電極１ｂの表面をランド
として半田付けによってこれらのｎ電極１ａ及びｐ電極
１ｂを回路基板８の配線パターンに導通させて固定する
ことができる。そして、電源側からの通電によってＬＥ
Ｄ５が発光して波長変換層７により波長変換されて白色
光が上面発光として得られる。この発光のとき、ＬＥＤ
５及び波長変換層７は枠状のケース２に囲まれているの
で、このケース２の内面による反射を利用して発光輝度
を上げることができる。
実装基板１を下向きとして回路基板８の上に搭載し、１
／４円弧状のｎ電極１ａ及びｐ電極１ｂの表面をランド
として半田付けによってこれらのｎ電極１ａ及びｐ電極
１ｂを回路基板８の配線パターンに導通させて固定する
ことができる。そして、電源側からの通電によってＬＥ
Ｄ５が発光して波長変換層７により波長変換されて白色
光が上面発光として得られる。この発光のとき、ＬＥＤ
５及び波長変換層７は枠状のケース２に囲まれているの
で、このケース２の内面による反射を利用して発光輝度
を上げることができる。
【００１７】このような上面発光に対して、図３に示す
ように実装基板１及びケース２の側面を回路基板８の上
に搭載し、ｎ電極１ａ及びｐ電極１ｂをランドとして半
田９付けすれば側面発光とすることができる。この側面
発光においてもＬＥＤ５及び波長変換層７からの発光は
ケース２の内面により反射され、発光輝度を高くするこ
とができる。
ように実装基板１及びケース２の側面を回路基板８の上
に搭載し、ｎ電極１ａ及びｐ電極１ｂをランドとして半
田９付けすれば側面発光とすることができる。この側面
発光においてもＬＥＤ５及び波長変換層７からの発光は
ケース２の内面により反射され、発光輝度を高くするこ
とができる。
【００１８】また回路基板８の配線パターンが図３とは
逆極性になる場合でも四隅にｎ電極１ａ及びｐ電極１ｂ
を形成しているので半導体発光装置を上下逆にすること
で対応可能となる。
逆極性になる場合でも四隅にｎ電極１ａ及びｐ電極１ｂ
を形成しているので半導体発光装置を上下逆にすること
で対応可能となる。
【００１９】以上のように、実装基板１の四隅に１／４
円弧状のｎ電極１ａ及びｐ電極１ｂを形成したことによ
り、回路基板８に対する実装基板１の姿勢を上向きまた
は横向きに変えるだけで、上面発光及び側面発光に利用
できる。したがって、従来のように上面発光用及び側面
発光用の金型や製造設備を別々に備えることが不要とな
り、製造コストを低減することができる。また、光反射
性のケース２を備えることにより、従来構造に比べると
発光輝度を向上させることができ、高輝度照明用として
利用できる。
円弧状のｎ電極１ａ及びｐ電極１ｂを形成したことによ
り、回路基板８に対する実装基板１の姿勢を上向きまた
は横向きに変えるだけで、上面発光及び側面発光に利用
できる。したがって、従来のように上面発光用及び側面
発光用の金型や製造設備を別々に備えることが不要とな
り、製造コストを低減することができる。また、光反射
性のケース２を備えることにより、従来構造に比べると
発光輝度を向上させることができ、高輝度照明用として
利用できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明では、上面発光と側面発光の両方
に兼用できるので、半導体発光装置の用途の拡大を図る
ことができ、ＬＥＤからの光だけでなくケースによる反
射を利用して高輝度の発光を得ることができる。
に兼用できるので、半導体発光装置の用途の拡大を図る
ことができ、ＬＥＤからの光だけでなくケースによる反
射を利用して高輝度の発光を得ることができる。
【図１】本発明の半導体発光装置の概略斜視図
【図２】半導体発光装置を回路基板に搭載したときの概
略側面図
略側面図
【図３】半導体発光装置を側面発光用として回路基板に
搭載したときの正面図
搭載したときの正面図
１ 実装基板 １ａ ｎ電極 １ｂ ｐ電極 ２ ケース ３ 接着剤 ４ａ ｎ電極パターン ４ｂ ｐ電極パターン ５ ＬＥＤ ６ ワイヤ ７ 波長変換層 ８ 回路基板 ９ 半田
Claims (1)
- 【請求項１】 四隅に１／４円弧状のｎ電極及びｐ電極
を形成した実装基板と、前記ｎ電極及びｐ電極にそれぞ
れ導通させて前記実装基板の上に搭載したＬＥＤと、前
記ＬＥＤを包囲して前記実装基板に接合された光反射性
のケースとからなることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001030581A JP2002232015A (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001030581A JP2002232015A (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002232015A true JP2002232015A (ja) | 2002-08-16 |
Family
ID=18894781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001030581A Pending JP2002232015A (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002232015A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006156462A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
| JP2006227054A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Nikon Corp | 光照射装置およびプロジェクタ装置 |
| JP2007134602A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型半導体発光装置 |
| JP2008235826A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
| JP2008300386A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Iwatani Internatl Corp | 半導体発光装置 |
| US8061850B2 (en) | 2004-09-06 | 2011-11-22 | Nikon Corporation | Illuminating device and projector device to be mounted into electronic apparatus |
| JP2012253064A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| WO2013027568A1 (ja) * | 2011-08-23 | 2013-02-28 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
-
2001
- 2001-02-07 JP JP2001030581A patent/JP2002232015A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4673610B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2011-04-20 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型発光ダイオード |
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| JP2008235826A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
| JP4689637B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2008300386A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Iwatani Internatl Corp | 半導体発光装置 |
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| WO2013027568A1 (ja) * | 2011-08-23 | 2013-02-28 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| JP2013045842A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Sharp Corp | 発光装置 |
| CN103748701A (zh) * | 2011-08-23 | 2014-04-23 | 夏普株式会社 | 发光装置 |
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