DE102015109876A1 - Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement - Google Patents

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Ion Stoll
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Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einer Oberseite, die einen Kontaktbereich und einen gegenüber dem Kontaktbereich erhabenen Chipaufnahmebereich aufweist, zum Anordnen eines elektrisch leitenden Elements auf dem Kontaktbereich, zum Einbetten des Leiterrahmens in einen Formkörper, wobei der Kontaktbereich durch den Formkörper bedeckt wird, wobei der Chipaufnahmebereich und das elektrisch leitende Element an einer Oberseite des Formkörpers zugänglich bleiben, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf dem Chipaufnahmebereich und zum Verbinden des optoelektronischen Halbleiterchips und des elektrisch leitenden Elements mittels eines Bonddrahts.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 1 sowie ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 8.
  • Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente bekannt, die ein Gehäuse mit einem in einen Gehäusekörper einbetteten Leiterrahmen aufweisen. Der Leiterrahmen kann eine metallische Beschichtung aufweisen, um eine optische Reflektivität und/oder eine Alterungsstabilität des Leiterrahmens zu erhöhen.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 8 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
  • Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritt zum Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einer Oberseite, die einen Kontaktbereich und einen gegenüber dem Kontaktbereich erhabenen Chipaufnahmebereich aufweist, zum Anordnen eines elektrisch leitenden Elements auf dem Kontaktbereich, zum Einbetten des Leiterrahmens in einen Formkörper, wobei der Kontaktbereich durch den Formkörper bedeckt wird, wobei der Chipaufnahmebereich und das elektrisch leitende Element an einer Oberseite des Formkörpers zugänglich bleiben, zum Anordnen eines elektronischen Halbleiterchips auf dem Chipaufnahmebereich, und zum Verbinden des optoelektronischen Halbleiterchips und des elektrisch leitenden Elements mittels eines Bonddrahts.
  • Vorteilhafterweise wird der Leiterrahmen bei diesem Verfahren im Kontaktbereich durch den Formkörper bedeckt und dadurch vor einer Alterung durch Umwelteinflüsse geschützt. Da der Leiterrahmen im Kontaktbereich durch das Material des Formkörpers geschützt wird, kann unter Umständen auf eine einem Korrosionsschutz dienende Beschichtung des Leiterrahmens verzichtet werden Hierdurch kann sich als zusätzlicher Vorteil eine verbesserte Anhaftung des Materials des Formkörpers an dem unbeschichteten Leiterrahmen ergeben.
  • Durch die Bedeckung des Kontaktbereichs des Leiterrahmens durch den Formkörper kann eine hohe optische Reflektivität erreicht werden, wodurch das durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement eine hohe Effizienz aufweisen kann. Die hohe optische Reflektivität kann dabei ohne eine teure und für eine Alterung anfällige Beschichtung des Leiterrahmens erreicht werden.
  • Durch die Bedeckung des Kontaktbereichs des Leiterrahmens durch den Formkörper bildet sich eine große Kontaktfläche zwischen dem Leiterrahmen und dem Formkörper. Diese kann vorteilhafterweise die mechanische Stabilität des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements erhöhen und insbesondere die Gefahr reduzieren, dass sich der Formkörper und der Leiterrahmen im Verlauf der Lebensdauer des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements voneinander ablösen.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das elektrisch leitende Element derart auf dem Kontaktbereich angeordnet, dass es den Chipaufnahmebereich überragt. Dabei wird das elektrisch leitende Element vor dem Einbetten des Leiterrahmens in den Formkörper derart flachgedrückt, dass das elektrisch leitende Element dieselbe Höhe aufweist, wie der Chipaufnahmebereich. Vorteilhafterweise kann dadurch auf einfache Weise erreicht werden, dass das elektrisch leitende Element und der Chipaufnahmebereich gegenüber dem Kontaktbereich dieselbe Höhe aufweisen. Eventuelle Toleranzen können dadurch durch das Verfahren auf einfache Weise ausgeglichen werden.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Flachdrücken des elektrisch leitenden Elements durch einen Schließdruck eines Formwerkzeugs. Vorteilhafterweise erfordert das Flachdrücken des elektrisch leitenden Elements dadurch keinen gesonderten Verfahrensschritt, was es ermöglicht, das Verfahren einfach und schnell durchzuführen.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das elektrisch leitende Element in einer in dem Kontaktbereich vorgesehenen Aussparung angeordnet. Vorteilhafterweise kann die laterale Position des elektrisch leitenden Elements dadurch auf einfache Weise zuverlässig festgelegt werden. Durch das Anordnen des elektrisch leitenden Elements in der in dem Kontaktbereich vorgesehen Aussparung kann bereits vor dem Einbetten des elektrisch leitenden Elements in den Formkörper eine Fixierung des elektrisch leitenden Elements erreicht werden, wodurch das Verfahren besonders einfach und zuverlässig durchführbar ist.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das elektrisch leitende Element mittels eines elektrisch leitenden Haftvermittlers an dem Kontaktbereich fixiert. Dadurch kann bereits vor dem Einbetten des elektrisch leitenden Elements in den Formkörper eine Fixierung des elektrisch leitenden Elements an dem Kontaktbereich des Leiterrahmens erreicht werden, wodurch das Verfahren vorteilhafterweise besonders einfach und zuverlässig durchführbar ist. Durch die Fixierung des elektrisch leitenden Elements an dem Kontaktbereich mittels eines elektrisch leitenden Haftvermittlers wird außerdem eine zuverlässige elektrisch leitende Verbindung zwischen dem elektrisch leitenden Element und dem Kontaktbereich des Leiterrahmens sichergestellt.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Leiterrahmen mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt und mit einem zweiten Leiterrahmenabschnitt bereitgestellt. Dabei wird je ein elektrisch leitendes Element auf der Oberseite des ersten Leiterrahmenabschnitts und auf der Oberseite des zweiten Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Beide elektrisch leitenden Elemente werden über Bonddrähte mit dem optoelektronischen Halbleiterchip verbunden. Vorteilhafterweise können die beiden Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement dann zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips dienen.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen eines Schutzchips auf der Oberseite des Leiterrahmens. Der Schutzchip wird dabei in den Formkörper eingebettet. Der Schutzchip kann bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips vor einer Beschädigung durch elektrostatische Entladungen dienen. Durch die Einbettung des Schutzchips in den Formkörper ist dieser vorteilhafterweise vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt und beansprucht keinen zusätzlichen Bauraum. Dies ermöglicht es, das durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement mit kompakten äußeren Abmessungen auszubilden. Das Einbetten des Schutzchips in den Formkörper bietet zudem den Vorteil, dass der eingebettete Schutzchip kein emittiertes Licht absorbieren kann, was in einer höheren Effizienz resultiert.
  • Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Träger und einen optoelektronischen Halbleiterchip. Dabei weist der Träger einen in einen Formkörper eingebetteten Leiterrahmen auf. Der Leiterrahmen weist eine Oberseite mit einem Kontaktbereich und einem gegenüber dem Kontaktbereich erhabenen Chipaufnahmebereich auf. Auf dem Kontaktbereich ist ein elektrisch leitendes Element angeordnet. Der Kontaktbereich ist durch den Formkörper bedeckt. Der Chipaufnahmebereich und das elektrisch leitende Element sind an einer Oberseite des Formkörpers zugänglich. Der optoelektronische Halbleiterchip ist auf dem Chipaufnahmebereich angeordnet und mittels eines Bonddrahts mit dem elektrisch leitenden Element verbunden.
  • Vorteilhafterweise ist der Leiterrahmen dieses optoelektronischen Bauelements durch die Bedeckung des Kontaktbereichs des Leiterrahmens vor einer Alterung, etwa durch Korrosion, geschützt.
  • Der Formkörper kann eine hohe optische Reflektivität aufweisen, wodurch eine hohe optische Reflektivität auch in dem dem optoelektronischen Halbleiterchip benachbarten Kontaktbereich des Leiterrahmens erreicht werden kann. Dadurch kann das optoelektronische Bauelement eine hohe Effizienz aufweisen.
  • Durch die Bedeckung des Kontaktbereichs des Leiterrahmens durch den Formkörper wird bei diesem optoelektronischen Bauelement eine große Berührungsfläche zwischen dem Leiterrahmen und dem Formkörper gebildet, wodurch das optoelektronische Bauelement eine hohe mechanische Stabilität aufweisen kann. Durch die große Berührungsfläche zwischen dem Leiterrahmen und dem Formkörper besteht vorteilhafterweise auch unter dem Einfluss thermischer Ausdehnungen nur eine geringe Gefahr einer Ablösung des Formkörpers und des Leiterrahmens voneinander.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließt der Chipaufnahmebereich bündig mit einem Abschnitt der Oberseite des Formkörpers ab. Vorteilhafterweise besteht dadurch im Randbereich des Chipaufnahmebereichs keine Stufe, an der es zu Abschattungen und Reflexionen kommen kann.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Chipaufnahmebereich an der Grenze zu dem Kontaktbereich eine Hinterschneidung auf. Vorteilhafterweise kann dadurch eine besonders zuverlässige mechanische Verankerung des Leiterrahmens in dem Formkörper des optoelektronischen Bauelements erreicht werden.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bildet der Formkörper an seiner Oberseite eine Kavität aus. Dabei ist der optoelektronische Halbleiterchip in der Kavität angeordnet. Vorteilhafterweise kann die durch den Formkörper gebildete Kavität dieses optoelektronischen Bauelements als optischer Reflektor wirken, um von dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung zu sammeln. Die Kavität kann zusätzlich auch mit einem Vergussmaterial gefüllt sein, in das der optoelektronische Halbleiterchip eingebettet ist. Dieses Vergussmaterial kann den optoelektronischen Halbleiterchip vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen schützen. Außerdem kann das Vergussmaterial eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen, um von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Leiterrahmen an einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite des Formkörpers zugänglich. Vorteilhafterweise kann der an der Unterseite des Formkörpers dieses optoelektronischen Bauelements zugängliche Teil des Leiterrahmens als elektrische Kontaktfläche zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements dienen. Das optoelektronische Bauelement kann sich beispielsweise als SMD-Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen, beispielsweise für eine Oberflächenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten).
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist dieses einen weiteren optoelektronischen Halbleiterchip auf. Dadurch kann das optoelektronische Bauelement beispielsweise zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung mit besonders hoher Leistung geeignet sein.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Leiterrahmen einen weiteren gegenüber dem Kontaktbereich erhabenen Chipaufnahmebereich auf. Dabei ist der weitere optoelektronische Halbleiterchip auf dem weiteren Chipaufnahmebereich angeordnet. Das optoelektronische Bauelement kann sich dadurch beispielsweise zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung mit hoher Leistung eignen. Dabei können vorteilhafterweise alle nicht durch die optoelektronischen Halbleiterchips bedeckten Teile der Oberseite des Leiterrahmens durch das Material des Formkörpers bedeckt sein, wodurch das optoelektronische Bauelement eine hohe optische Reflektivität und dadurch eine hohe Effizienz aufweisen kann.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
  • 1 eine geschnittene Seitenansicht zweier Leiterrahmenabschnitte eines Leiterrahmens;
  • 2 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte mit auf Kontaktbereichen angeordneten elektrisch leitenden Elementen;
  • 3 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitt nach ihrer Einbettung in einen Formkörper;
  • 4 eine geschnittene Seitenansicht eines aus den Leiterrahmenabschnitten und dem Formkörper gebildeten optoelektronischen Bauelements;
  • 5 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte gemäß einer zweiten Ausführungsform;
  • 6 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte nach der Einbettung in den Formkörper;
  • 7 eine geschnittene Seitenansicht des optoelektronischen Bauelements in der zweiten Ausführungsform;
  • 8 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte in einer dritten Ausführungsform;
  • 9 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte in einer vierten Ausführungsform; und
  • 10 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte in einer fünften Ausführungsform.
  • 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 eines Leiterrahmens 300.
  • Der Leiterrahmen 300 ist als im Wesentlichen flaches Blech mit einer Oberseite 301 und einer der Oberseite 301 gegenüberliegenden Unterseite 302 ausgebildet. Der Leiterrahmen 300 weist Durchbrüche auf, die sich zwischen seiner Oberseite 301 und seiner Unterseite 302 erstrecken und die einzelnen Leiterrahmenabschnitte 310, 320 voneinander trennen. Der Leiterrahmen 300 kann weitere Leiterrahmenabschnitte aufweisen, die in 1 nicht dargestellt sind.
  • Der Leiterrahmen 300 weist ein elektrisch leitendes Material auf, beispielsweise ein Metall. Der Leiterrahmen 300 kann beispielsweise Kupfer aufweisen. Der Leiterrahmen 300 kann an seiner Oberseite 301 und/oder an seiner Unterseite 302 und/oder in seinen Durchbrüchen eine Beschichtung aufweisen, beispielsweise eine Beschichtung mit Ag, NiPdAu, NiPdAg, NiAu, Ni oder einem anderen Metall oder einer anderen Legierung. Die Schichtdicke kann dabei beispielsweise im Bereich zwischen 10 nm und 10 µm liegen. Die Beschichtung kann beispielsweise durch Galvanik, durch Sputtern, durch CVD oder durch PVD aufgebracht werden. Die Beschichtung kann sich auch nur über Teile der Oberseite 301 oder der Unterseite 302 des Leiterrahmens 300 erstrecken.
  • Der erste Leiterrahmenabschnitt 310 weist eine Oberseite 311 und eine der Oberseite 311 gegenüberliegende Unterseite 312 auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 320 weist eine Oberseite 321 und eine der Oberseite 321 gegenüberliegende Unterseite 322 auf. Die Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und die Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 bilden einen Teil der Oberseite 301 des Leiterrahmens 300. Die Unterseite 312 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und die Unterseite 322 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 bilden einen Teil der Unterseite 302 des Leiterrahmens 300. Die Oberseiten 311, 321 und die Unterseiten 312, 322 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 des Leiterrahmens 300 können jeweils Erhebungen und Vertiefungen aufweisen. Die Erhebungen und Vertiefungen der Oberseite 301 und der Unterseite 302 des Leiterrahmens 300 wie auch die Durchbrüche in dem Leiterrahmen 300 können beispielsweise durch Prägen oder durch Ätzen angelegt werden.
  • Die Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 weist einen Kontaktbereich 330 und einen gegenüber dem Kontaktbereich 330 erhabenen Chipaufnahmebereich 340 auf. Im dargestellten Beispiel wird der Chipaufnahmebereich 340 durch den Kontaktbereich 330 umgrenzt. Die Unterteilung der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 in den Kontaktbereich 330 und den Chipaufnahmebereich 340 kann aber auch anders gestaltet sein.
  • Die Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 bildet ebenfalls einen Kontaktbereich 330, weist jedoch keinen Chipaufnahmebereich 340 auf. Der Kontaktbereich 330 der Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 ist in einer gemeinsamen Ebene mit dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 angeordnet.
  • 2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 in einem der Darstellung der 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
  • Auf den Kontaktbereichen 330 der Oberseiten 311, 321 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 ist jeweils ein elektrisch leitendes Element 400 angeordnet worden. Die elektrisch leitenden Elemente 400 weisen ein elektrisch leitendes Material auf, beispielsweise ein Metall oder eine Metalllegierung. Insbesondere können die elektrisch leitenden Elemente 400 beispielsweise Au, Ag oder eine Legierung mit Au und/oder Ag aufweisen. Die elektrisch leitenden Elemente 400 können aber beispielsweise auch einen elektrisch leitenden Kunststoff aufweisen. Die elektrisch leitenden Elemente 400 können auch ein Polymer mit einem elektrisch leitenden Füllstoff aufweisen, beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxid mit einem Füllstoff, der Graphit, Graphen oder einen metallischen Füllstoff aufweist.
  • Die elektrisch leitenden Elemente 400 können als Hügel (bumps) eines weichen Materials ausgebildet sein. In diesem Fall weist das Material der elektrisch leitenden Elemente 400 bevorzugt eine Mohshärte zwischen 1,5 und 5 auf. Die elektrisch leitenden Elemente 400 können in diesem Fall in Richtung senkrecht zu den Kontaktbereichen 330 der Oberseite 301 des Leiterrahmens 300 eine erste Höhe 410 aufweisen, die höher als die Höhe ist, um die der Chipaufnahmebereich 340 über die Kontaktbereiche 330 erhaben ist.
  • 3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 des Leiterrahmens 300 in einem der Darstellung der 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
  • In einem der Darstellung der 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt wurde der Leiterrahmen 300 in einem Formwerkzeug (Moldwerkzeug) angeordnet. Während des Schließens des Formwerkzeugs wurden die auf den Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 angeordneten elektrisch leitenden Elemente 400 durch einen Schließdruck des Formwerkzeugs flachgedrückt, sodass die elektrisch leitenden Elemente 400 nun eine zweite Höhe 420 aufweisen, die geringer als ihre ursprüngliche erste Höhe 410 ist. Die zweite Höhe 420 entspricht der Höhe, um die der Chipaufnahmebereich 340 über den Kontaktbereich 330 erhaben ist.
  • Anschließend wurden die Leiterrahmenabschnitte 310, 320 des Leiterrahmens 300 und die auf den Kontaktbereichen 330 der Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 angeordneten elektrisch leitenden Elemente 400 in einen in dem Formwerkzeug ausgebildeten Formkörper 200 eingebettet. Der Formkörper 200 kann auch als Moldkörper bezeichnet werden. Der Formkörper 200 wurde durch ein Formverfahren (Moldverfahren) ausgebildet, beispielsweise durch Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch Spritzgießen (Injection Molding). Dabei wurden die Leiterrahmenabschnitte 310, 320 und die elektrisch leitenden Elemente 400 zumindest teilweise durch das Material des Formkörpers 200 umformt.
  • Das Material des Formkörpers 200 kann beispielsweise ein Polymer aufweisen, insbesondere beispielsweise ein Polymer auf Basis eines Silikons oder eines Epoxids. Das Material des Formkörpers 200 kann einen oder mehrere eingebettete Füllstoffe aufweisen. Beispielsweise kann das Material des Formkörpers 200 einen eingebetteten Füllstoff aufweisen, der SiO2, TiO2, ZrO2, AlSO3, BaSO4, ein Alkali-Titanat, CaSO4, Y3Al5O12 aufweist. Das Material des Formkörpers 200 kann auch einen eingebetteten Füllstoff aufweisen, der eine andere als eine weiße Farbe des Formkörpers 200 bewirkt, beispielsweise Graphit oder Pigmente, beispielsweise anorganische Pigmente wie etwa Übergangsmetalle, Seltenerdeoxide, Sulfide, Zyanide oder Halogenide. Der Formkörper 200 kann auch einen eingebetteten organischen Farbstoff aufweisen.
  • Der Formkörper 200 bedeckt die Kontaktbereiche 330 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und der Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320. Der Formkörper 200 bedeckt aber den Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und die elektrisch leitenden Elemente 400 zumindest nicht vollständig, sodass die elektrisch leitenden Elemente 400 und der Chipaufnahmebereich 340 an einer Oberseite 201 des Formkörpers 200 zugänglich bleiben. Der Chipaufnahmebereich 340 schließt dabei bündig mit einem Abschnitt der Oberseite 201 des Formkörpers 200 ab.
  • Die Unterseite 312 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und die Unterseite 322 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 sind ebenfalls zumindest nicht vollständig durch den Formkörper 200 bedeckt. Dadurch sind die Unterseiten 312, 322 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 an einer der Oberseite 201 gegenüberliegenden Unterseite 202 des Formkörpers 200 zugänglich und schließen bündig mit der Unterseite 202 des Formkörpers 200 ab.
  • Es kann erforderlich sein, den Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und/oder die Unterseiten 312, 322 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 nach der Ausbildung des Formkörpers 200 in einem weiteren Bearbeitungsschritt von Rückständen des Materials des Formkörpers 200 zu befreien (deflashing). Es ist aber ebenfalls möglich, die Formkerne des Werkzeugs während des Formverfahrens mit einer weichen Schutzfolie zu bedecken (Film Assisted Transfer Molding). Dadurch lässt sich eine deutlich bessere Abdichtung erreichen und Flash vermeiden. Ein Deflashprozess kann dadurch vermieden werden.
  • Der Formkörper 200 bildet an seiner Oberseite 201 eine Kavität 210. Der Chipaufnahmebereich 340 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und die elektrisch leitenden Elemente 400 sind in einem Bodenbereich der Kavität 210 an der Oberseite 201 des Formkörpers 200 zugänglich.
  • Der Formkörper 200 und die in den Formkörper 200 eingebetteten Leiterrahmenabschnitte 310, 320 des Leiterrahmens 300 bilden gemeinsam einen Träger 100. Die Oberseite 201 des Formkörpers 200 und der an der Oberseite 201 des Formkörpers 200 freiliegende Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 bilden gemeinsam eine Oberseite 101 des Trägers 100. Die Unterseite 202 des Formkörpers 200 und die an der Unterseite 202 des Formkörpers 200 freiliegenden Unterseiten 312, 322 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 bilden gemeinsam eine Unterseite 102 des Trägers 100.
  • 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Formkörpers 200 mit den in den Formkörper 200 eingebetteten Leiterrahmenabschnitten 310, 320 in einem der Darstellung der 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Durch weitere Bearbeitungsschritte ist ein optoelektronisches Bauelement 10 gebildet worden.
  • In einem der Darstellung der 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt wurde ein optoelektronischer Halbleiterchip 500 auf dem Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 ist damit in der an der Oberseite 201 des Formkörpers 200 gebildeten Kavität 210 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein und ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 kann beispielsweise ein volumenemittierender oder ein oberflächenemittierender Halbleiterchip sein. Insbesondere kann der optoelektronische Halbleiterchip 500 als Saphir-Volumenemitterchip ausgebildet sein.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 500 weist eine Oberseite 501 und eine der Oberseite 501 gegenüberliegende Unterseite 502 auf. Falls der optoelektronische Halbleiterchip 500 als oberflächenemittierender Halbleiterchip ausgebildet ist, so bildet die Oberseite 501 eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 500. An seiner Oberseite 501 weist der optoelektronische Halbleiterchip 500 eine erste elektrische Kontaktfläche 510 und eine zweite elektrische Kontaktfläche 520 auf.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 500 ist derart auf dem Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 angeordnet, dass die Unterseite 502 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 dem Chipaufnahmebereich 340 zugewandt ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 kann beispielsweise mittels eines Klebers oder eines Lots oder durch Ag-Sintern auf dem Chipaufnahmebereich 340 befestigt sein.
  • Die erste elektrische Kontaktfläche 510 ist über einen Bonddraht 600 elektrisch leitend mit dem an der Oberseite 201 des Formkörpers 200 freiliegenden elektrisch leitenden Element 400 verbunden, das auf dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 angeordnet ist. Die zweite elektrische Kontaktfläche 520 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 ist über einen weiteren Bonddraht 600 elektrisch leitend mit dem an der Oberseite 201 des Formkörpers 200 freiliegenden elektrisch leitenden Element 400 verbunden, das auf dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 321 des Leiterrahmenabschnitts 320 angeordnet ist. Somit bestehen elektrisch leitende Verbindungen zwischen den an der Unterseite 202 des Formkörpers 200 freiliegenden Unterseiten 312, 322 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 und den elektrischen Kontaktflächen 510, 520 des optoelektronischen Halbleiterchips 500, was es ermöglicht, den optoelektronischen Halbleiterchip 500 über die an der Unterseite 202 des Formkörpers 200 des optoelektronischen Bauelements 10 freiliegenden Unterseiten 312, 322 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 elektrisch zu kontaktieren.
  • In einer alternativen Ausführungsform ist die erste elektrische Kontaktfläche 510 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 nicht an der Oberseite 501 des optoelektronischen Halbleiterchips 500, sondern an der Unterseite 502 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordnet. In dieser Ausführungsform wird eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten elektrischen Kontaktfläche 510 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 310 über das den optoelektronischen Halbleiterchip 500 an dem Chipaufnahmebereich 340 befestigende Verbindungsmaterial hergestellt. Das auf dem Kontaktbereich 330 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 angeordnete elektrisch leitende Element 400 kann in dieser Ausführungsform entfallen.
  • Der die Kontaktbereiche 330 der Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 bedeckende Teil des Formkörpers 200 kann eine hohe optische Reflektivität aufweisen. Dadurch kann von dem optoelektronischen Halbleiterchip 500 in Richtung des Bodenbereichs der Kavität 210 emittierte elektromagnetische Strahlung an den die Kontaktbereiche 330 bedeckenden Teilen des Formkörpers 200 reflektiert und von dem optoelektronischen Bauelement 10 abgestrahlt werden.
  • In der Kavität 210 kann ein Vergussmaterial angeordnet sein. In diesem Fall sind der optoelektronische Halbleiterchip 500 und die Bonddrähte 600 in das Vergussmaterial eingebettet und dadurch vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt. Das in der Kavität 210 angeordnete Vergussmaterial kann zusätzlich eingebettete Streupartikel und/oder eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen. In das Vergussmaterial eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel können dazu vorgesehen sein, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 500 emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen, typischerweise größeren, Wellenlänge zu konvertieren.
  • Anhand der 5 bis 7 wird nachfolgend eine Variante des anhand der 1 bis 4 beschriebenen Verfahrens erläutert. Das in 5 bis 7 dargestellte Verfahren weist große Übereinstimmungen mit dem in 1 bis 4 gezeigten Verfahren auf. Nachfolgend werden daher nur die Unterschiede zwischen dem Verfahren gemäß 5 bis 7 und dem Verfahren gemäß 1 bis 4 sowie die Unterschiede zwischen den durch die Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelemente beschrieben.
  • 5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 des Leiterrahmens 300. Im Unterschied zur Darstellung der 2 sind in dem in 5 gezeigten Bearbeitungsstand zwei elektrisch leitende Elemente 400 auf dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 angeordnet. Auf dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 ist ein elektrisch leitendes Element 400 angeordnet.
  • Zusätzlich ist auf dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 ein Schutzchip 700 angeordnet. Der Schutzchip 700 kann dazu vorgesehen sein, den optoelektronischen Halbleiterchip 500 des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements 10 vor einer Beschädigung durch elektrostatische Entladungen zu schützen. Der Schutzchip 700 kann hierzu beispielsweise als Schutzdiode ausgebildet sein. Der Schutzchip 700 weist eine Oberseite 701 und eine der Oberseite 701 gegenüberliegende Unterseite 702 auf. An der Oberseite 701 und der Unterseite 702 sind jeweils elektrische Kontaktflächen des Schutzchips 700 ausgebildet. Der Schutzchip 700 ist derart auf dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 angeordnet, dass die Unterseite 702 des Schutzchips 700 der Oberseite 321 des Leiterrahmenabschnitts 320 zugewandt ist und in elektrisch leitender Verbindung mit dieser steht. Der Schutzchip 700 kann beispielsweise mittels eines elektrisch leitenden Klebers oder eines Lots an der Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 befestigt sein.
  • An der Oberseite 701 des Schutzchips 700 ist ein weiteres elektrisch leitendes Element 400 angeordnet und steht in elektrisch leitender Verbindung mit der auf der Oberseite 701 des Schutzchips 700 ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche des Schutzchips 700. Das elektrisch leitende Element 400 auf der Oberseite 701 des Schutzchips 700 kann ausgebildet sein wie die übrigen elektrisch leitenden Elemente 400 auf den Kontaktbereichen 330 der Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320. Das auf der Oberseite 701 des Schutzchips 700 angeordnete elektrisch leitende Element 400 kann aber auch eine Höhe aufweisen, die gegenüber der Höhe der übrigen elektrisch leitenden Elemente 400 um die Höhe des Schutzchips 700 reduziert ist.
  • 6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des durch Einbetten der in 5 gezeigten Leiterrahmenabschnitte 310, 320 in den Formkörper gebildeten Trägers 100 in einem der Darstellung der 5 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
  • Vor dem Ausbilden des Formkörpers 200 sind die elektrisch leitenden Elemente 400 wiederum allesamt derart flachgedrückt worden, dass ihre Oberseite in einer gemeinsamen Ebene mit dem Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 liegt. Der Formkörper 200 ist so ausgebildet worden, dass die Kontaktbereiche 330 der Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 durch das Material des Formkörpers 200 bedeckt sind, der Chipaufnahmebereich 340 und die elektrisch leitenden Elemente 400 aber an der Oberseite 201 des Formkörpers 200 zugänglich sind und bündig mit der Oberseite 201 des Formkörpers 200 abschließen. Auch der Schutzchip 700 ist in den Formkörper 200 eingebettet worden.
  • 7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des aus dem Träger 100 gebildeten optoelektronischen Bauelements 10 in einem der Darstellung der 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
  • Wieder ist der optoelektronische Halbleiterchip 500 auf dem Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 angeordnet worden. Die erste elektrische Kontaktfläche 510 und die zweite elektrische Kontaktfläche 520 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 sind über Bonddrähte 600 mit den elektrisch leitenden Elementen 400 auf dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und auf dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 verbunden worden. Zusätzlich ist das auf der Oberseite 701 des Schutzchips 700 angeordnete elektrisch leitende Element 400 über einen weiteren Bonddraht 600 elektrisch leitend mit dem weiteren auf dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 angeordneten elektrisch leitenden Element 400 verbunden worden. Dadurch ist der Schutzchip 700 dem optoelektronischen Halbleiterchip 500 elektrisch parallelgeschaltet.
  • 8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 des Leiterrahmens 300 gemäß einer weiteren alternativen Ausführungsform.
  • Im Unterschied zu der in 2 dargestellten Ausführungsform weisen der Kontaktbereich 330 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und der Kontaktbereich 330 der Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 in der Darstellung der 8 jeweils Aussparungen 335 auf. Die Aussparungen 335 können beispielsweise gemeinsam mit den Durchbrüchen des Leiterrahmens 300 ausgebildet worden sein, etwa durch Prägen oder durch Ätzen.
  • Die elektrisch leitenden Elemente 400 sind in der in 8 gezeigten Ausführungsform in den Aussparungen 335 auf den Kontaktbereichen 330 der Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 angeordnet. Dadurch sind die lateralen Positionen der elektrisch leitenden Elemente 400 festgelegt und es besteht keine Gefahr, dass die elektrisch leitenden Elemente 400 während des nachfolgenden Ausbildens des Formkörpers 200 verschoben werden.
  • Die elektrisch leitenden Elemente 400 können in den Aussparungen 335 zusätzlich mittels eines elektrisch leitenden Haftvermittlers 336 befestigt sein. Der Haftvermittler 336 kann beispielsweise als Metall oder als elektrisch leitender Kleber ausgebildet sein. Der Haftvermittler 336 kann dazu dienen, eine besonders zuverlässige elektrisch leitende Verbindung zwischen den Leiterrahmenabschnitten 310, 320 und den elektrisch leitenden Elementen 400 herzustellen.
  • Ein zwischen den Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 und den elektrisch leitenden Elementen 400 angeordneter Haftvermittler 336 kann auch in dem Fall vorgesehen sein, dass die Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 keine Aussparungen 335 aufweisen.
  • Die elektrisch leitenden Elemente 400 können in der in 8 gezeigten Ausführungsform, wie in der in 2 gezeigten Ausführungsform, als Hügel (bumps) aus einem weichen Material ausgebildet sein und die erste Höhe 410 aufweisen, die größer als die Höhe ist, um die der Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 über den Kontaktbereich 330 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 erhaben ist. Die elektrisch leitenden Elemente 400 können alternativ aber auch als metallische Stifte ausgebildet sein. In diesem Fall weisen die elektrisch leitenden Elemente 400 bevorzugt eine Höhe auf, die so bemessen ist, dass die von den Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 abgewandten Längsenden der Stifte in einer gemeinsamen Ebene mit dem Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 liegt.
  • Die elektrisch leitenden Elemente 400 können auch in dem Fall als Stifte ausgebildet sein, in dem die Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 die Aussparungen 335 nicht aufweisen.
  • 9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 des Leiterrahmens 300 gemäß einer weiteren alternativen Ausführungsform.
  • Im Unterschied zu der in 1 gezeigten Ausführungsform weist der Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 in der in 9 gezeigten Ausführungsform an der Grenze zu dem Kontaktbereich 330 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 eine Hinterschneidung 345 auf. Dies bedeutet, dass der Chipaufnahmebereich 340 und den Chipaufnahmebereich 340 mit dem benachbarten Kontaktbereich 330 verbindende Seitenflanken des erhabenen Chipaufnahmebereichs 340 zumindest abschnittsweise einen spitzen Winkel einschließen. Durch die Hinterschneidung 345 kann erreicht werden, dass der erste Leiterrahmenabschnitt 310 des Leiterrahmens 300 nach dem Einbetten in den Formkörper 200 mechanisch noch robuster mit dem Formkörper 200 verbunden ist. Außerdem kann durch die Hinterschneidung 345 eine Gefahr reduziert werden, dass während des Einbettens des Leiterrahmens 300 in den Formkörper 200 ein Teil des Materials des Formkörpers 200 auf den Chipaufnahmebereich 340 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 gelangt.
  • Als weitere Maßnahme, um die Anhaftung des Materials des Formkörpers 200 an den Leiterrahmenabschnitten 310, 320 des Leiterrahmens 300 zu verbessern, können die Oberseiten 311, 321 und/oder die Unterseiten 312, 322 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 des Leiterrahmens 300 vor der Einbettung des Leiterrahmens 300 in den Formkörper 200 aufgeraut werden. Außerdem können die Oberseiten 311, 321 und/oder die Unterseiten 312, 322 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 vor der Einbettung des Leiterrahmens 300 in den Formkörper 200 gereinigt werden, beispielsweise durch ein nasschemisches Verfahren oder unter Verwendung eines Plasmas. Hierdurch kann auch die Anhaftung der elektrisch leitenden Elemente 400 an den Kontaktbereichen 330 der Oberseiten 311, 321 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320 verbessert werden.
  • 10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 des Leiterrahmens 300 gemäß einer weiteren alternativen Ausführungsform.
  • Im Unterschied zu der in 1 gezeigten Ausführungsform weist die Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 des Leiterrahmens 300 in der in 10 gezeigten Ausführungsform zusätzlich zu dem Chipaufnahmebereich 340 einen weiteren Chipaufnahmebereich 350 auf. Der weitere Chipaufnahmebereich 350 ist, wie der Chipaufnahmebereich 340, über den Kontaktbereich 330 der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 erhaben. Dabei liegen der Chipaufnahmebereich 340 und der weitere Chipaufnahmebereich 350 in einer gemeinsamen Ebene.
  • Der weitere Chipaufnahmebereich 350 kann nach dem Einbetten des Leiterrahmens 300 in den Formkörper 200 zur Aufnahme eines weiteren optoelektronischen Halbleiterchips 500 dienen. Dadurch kann das durch das Verfahren gemäß 10 erhältliche optoelektronische Bauelement 10 zwei optoelektronische Halbleiterchips 500 aufweisen. Selbstverständlich ist es möglich, die Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 mit noch weiteren Chipaufnahmebereichen auszubilden, die zur Aufnahme noch weiterer optoelektronischer Halbleiterchips vorgesehen sein können.
  • Ebenfalls möglich wäre, die Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 des Leiterrahmens 300 mit lediglich einem Chipaufnahmebereich 340 auszubilden, diesen jedoch mit einer ausreichend großen Fläche auszubilden, um auf dem Chipaufnahmebereich 340 zwei oder mehr optoelektronische Halbleiterchips 500 anzuordnen.
  • Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    optoelektronisches Bauelement
    100
    Träger
    101
    Oberseite
    102
    Unterseite
    200
    Formkörper
    201
    Oberseite
    202
    Unterseite
    210
    Kavität
    300
    Leiterrahmen
    301
    Oberseite
    302
    Unterseite
    310
    erster Leiterrahmenabschnitt
    311
    Oberseite
    312
    Unterseite
    320
    zweiter Leiterrahmenabschnitt
    321
    Oberseite
    322
    Unterseite
    330
    Kontaktbereich
    335
    Aussparung
    336
    Haftvermittler
    340
    Chipaufnahmebereich
    345
    Hinterschneidung
    350
    weiterer Chipaufnahmebereich
    400
    elektrisch leitendes Element
    410
    erste Höhe
    420
    zweite Höhe
    500
    optoelektronischer Halbleiterchip
    501
    Oberseite
    502
    Unterseite
    510
    erste elektrische Kontaktfläche
    520
    zweite elektrische Kontaktfläche
    600
    Bonddraht
    700
    Schutzchip
    701
    Oberseite
    702
    Unterseite

Claims (14)

  1. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Leiterrahmens (300) mit einer Oberseite (301), die einen Kontaktbereich (330) und einen gegenüber dem Kontaktbereich (330) erhabenen Chipaufnahmebereich (340) aufweist; – Anordnen eines elektrisch leitenden Elements (400) auf dem Kontaktbereich (330); – Einbetten des Leiterrahmens (300) in einen Formkörper (200), wobei der Kontaktbereich (330) durch den Formkörper (200) bedeckt wird, wobei der Chipaufnahmebereich (340) und das elektrisch leitende Element (400) an einer Oberseite (201) des Formkörpers (200) zugänglich bleiben; – Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (500) auf dem Chipaufnahmebereich (340); – Verbinden des optoelektronischen Halbleiterchips (500) und des elektrisch leitenden Elements (400) mittels eines Bonddrahts (600).
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das elektrisch leitende Element (400) derart auf dem Kontaktbereich (330) angeordnet wird, dass es den Chipaufnahmebereich (340) überragt, wobei das elektrisch leitende Element (400) vor dem Einbetten des Leiterrahmens (300) in den Formkörper (200) derart flachgedrückt wird, dass das elektrisch leitende Element (400) dieselbe Höhe (420) aufweist, wie der Chipaufnahmebereich (340).
  3. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei das Flachdrücken des elektrisch leitenden Elements (400) durch einen Schließdruck eines Formwerkzeugs erfolgt.
  4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das elektrisch leitende Element (400) in einer in dem Kontaktbereich (330) vorgesehenen Aussparung (335) angeordnet wird.
  5. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das elektrisch leitende Element (400) mittels eines elektrisch leitenden Haftvermittlers (336) an dem Kontaktbereich (330) fixiert wird.
  6. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Leiterrahmen (300) mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (310) und mit einem zweiten Leiterrahmenabschnitt (320) bereitgestellt wird, wobei je ein elektrisch leitendes Element (400) auf der Oberseite (311) des ersten Leiterrahmenabschnitts (310) und auf der Oberseite (321) des zweiten Leiterrahmenabschnitts (320) angeordnet wird, wobei beide elektrisch leitenden Elemente (400) über Bonddrähte (600) mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (500) verbunden werden.
  7. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Verfahren die folgenden weiteren Schritte aufweist: – Anordnen eines Schutzchips (700) auf der Oberseite (301) des Leiterrahmens, wobei der Schutzchip (700) in den Formkörper (200) eingebettet wird.
  8. Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem Träger (100) und einem optoelektronischen Halbleiterchip (500), wobei der Träger (100) einen in einen Formkörper (200) eingebetteten Leiterrahmen (300) aufweist, wobei der Leiterrahmen (300) eine Oberseite (301) mit einem Kontaktbereich (330) und einem gegenüber dem Kontakt bereich (330) erhabenen Chipaufnahmebereich (340) aufweist, wobei auf dem Kontaktbereich (330) ein elektrisch leitendes Element (400) angeordnet ist, wobei der Kontaktbereich (330) durch den Formkörper (200) bedeckt ist, wobei der Chipaufnahmebereich (340) und das elektrisch leitende Element (400) an einer Oberseite (201) des Formkörpers (200) zugänglich sind, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (500) auf dem Chipaufnahmebereich (340) angeordnet und mittels eines Bonddrahts (600) mit dem elektrisch leitenden Element (400) verbunden ist.
  9. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 8, wobei der Chipaufnahmebereich (340) bündig mit einem Abschnitt der Oberseite (201) des Formkörpers (200) abschließt.
  10. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 8 und 9, wobei der Chipaufnahmebereich (340) an der Grenze zu dem Kontaktbereich (330) eine Hinterschneidung (345) aufweist.
  11. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei der Formkörper (200) an seiner Oberseite (201) eine Kavität (210) ausbildet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (500) in der Kavität (210) angeordnet ist.
  12. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei der Leiterrahmen (300) an einer der Oberseite (201) gegenüberliegenden Unterseite (202) des Formkörpers (200) zugänglich ist.
  13. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei das optoelektronische Bauelement (10) einen weiteren optoelektronischen Halbleiterchip aufweist.
  14. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 13, wobei der Leiterrahmen (300) einen weiteren gegenüber dem Kontaktbereich (330) erhabenen Chipaufnahmebereich (350) aufweist, wobei der weitere optoelektronische Halbleiterchip auf dem weiteren Chipaufnahmebereich (350) angeordnet ist.
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