TWI445065B

TWI445065B - Substrate processing device

Info

Publication number: TWI445065B
Application number: TW099142748A
Authority: TW
Inventors: Mitimasa Funabashi; Kenji Otokuni; Hiroki Edo; Hideaki Suzuki
Original assignee: J E T Co Ltd
Priority date: 2009-12-18
Filing date: 2010-12-08
Publication date: 2014-07-11
Also published as: CN102934201A; EP2515324A1; JP5079145B2; KR101253008B1; US20180254201A1; WO2011074521A1; JPWO2011074521A1; US20120257181A1; EP2515324B1; TW201133593A; EP2515324A4; MY160848A; CN102934201B; SG181724A1; KR20120091384A; JP2012209559A; JP5165131B2

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種將半導體用等的基板表面所形成的薄膜等附著物除去處理之基板處理裝置。

半導體的製造步驟中，為了於基板上形成電子電路而設置各式各樣的薄膜，但例如在薄膜的光阻等不需要的時間點，必須將其去除。

去除此種薄膜的裝置，習知有填充對薄膜形成物質作用的處理液之槽內浸複數片基板處理之批次式裝置，以及對每片基板表面供給處理液而處理之片葉式裝置等。

上述批次式裝置中，係如上述般一邊於填充處理液的槽內浸泡基板，一邊去除光阻等異物，故從基板被去除的異物會殘留於處理液內。因此，從上述槽的上部使處理液溢出，使溢出的處理液循環，同時其循環過程中即使進行過濾亦無法完全去除處理液中的異物，而有處理液內的上述光阻及異物殘留的情況。

又，從基板去除的異物較處理液比重大時，處理液即使循環，亦有異物仍舊滯留在槽內的情況。

因此，即使如上述般進行過濾，批次式的處理中還是存在所謂槽內的異物再度附著之問題。

且批次處理的情形時，具備複數槽的同時，於該等槽分別填充不同處理液，將基板依序浸泡於各槽。如此必須具備複數槽，同時各槽間也需要輸送基板的輸送裝置，故有所謂設備大型化之缺點。

為解決上述的批次式裝置的缺點，近年注目於片葉式的處理裝置。此片葉式處理裝置中，槽中不浸泡基板，對一片一片的基板供給處理液，同時每次將使用後的處理液排出。因此，片葉式處理裝置處理後沒有異物再附著。又，不用輸送基板，僅以更換供給的處理液即可去除種類各異的薄膜。

作為此種裝置，係習知有例如專利文獻1所示者。

此裝置係一邊使處理面朝上而水平支撐的基板旋轉，一邊從其表面的中央上方供給處理液。基板中央所供給的處理液係在朝外周流動的過程中剝離薄膜，同時該剝離的薄膜與處理液一起被排出。

上述習知片葉式處理裝置由於基板的處理面朝上而從上方供給處理液，所以其供給一側必須具備供給裝置。因此，處理液的供給裝置變成妨礙而難以覆蓋基板的上方，故在上述專利文獻所記載的裝置係如原樣開放基板的上方的狀態。如此若固定如原樣開放基板的上方，供給的處理液及蒸氣會飛散至該容室之外。

然而，處理液係對應應去除的薄膜種類而為各式各樣，但強酸性及鹼性者佔大部分。因此，若處理液飛散至容室外，則具有附著在容室外的各種機器及配線而會對該等給予損害之問題。

於是，為使處理液不飛散至容室外，習知亦發明有將朝上方的基板的處理面一側，包含基板上的供給裝置一併以容室覆蓋之技術。

然而，此情況下，基板的處理面和容室的頂面相對，故處理面所被供給的處理液在處理面上飛濺，此飛濺的處理液會附著於容室的頂面。

又，上述處理液會蒸發，此時的蒸氣附著於容室的頂面。

如此，上述附著於頂面的處理液及蒸氣若維持原樣，其會落下而污染處理完畢的基板及新就位的基板，故必須完全排除此等附著的處理液。然而，為了將該等從頂面排除，必須依據例如以純水洗淨後使該等完全乾燥之步驟。由於必須依據所謂如此般洗淨、乾燥之步驟，故該部分具有洗淨乾燥的時間耗費之問題。

【專利文獻1】　日本專利特開2005-051101號

本發明之目的係提供一種片葉式基板處理裝置，於基板表面直接供給處理液處理基板時，處理液及其蒸氣不飛散至外部，而於容室的頂面等不附著處理液及蒸氣等。

本發明之第1發明之特徵係具備：容室；固定裝置，固定在該容室內將處理面的附著物去除處理的基板，使其處理面朝容室的底部；供給裝置，對以固定裝置所固定的基板的處理面供給處理液；用以將氣體進入該容室內的進入口；排出口，用以將容室內的處理液的蒸氣，與從該進入口進入的氣體同時從容室排出。

再者，所謂基板的處理面朝底部，係上述處理面若朝容室的底部方向即可，或者上述處理面並非水平亦可。

本發明之第2發明之特徵係於該容室設置將容室內的處理液的蒸氣引導至排出口之導引元件。

本發明之第3發明之特徵係該導引元件之構成為使其一部份相對於上述固定元件所固定的基板的周圍，而該等相對部之間維持間隙。

本發明之第4發明之特徵係設置用以使該固定元件固定的基板出入之出入口，構成此出入口的構造體的一部份相對於上述固定元件所固定的基板的周圍，而該等相對部之間維持間隙，同時將此間隙作為該進入口。

本發明之第5發明之特徵係構成為挾持該基板，於該供給裝置的相反側設置加熱裝置，加熱與該處理面為相反側的基板的反面。

本發明之第6發明係於第5發明之基板處理裝置中，該加熱裝置是利用紅外線，同時於利用紅外線的該加熱裝置、該基板所相對之間的容室一面上，設置紅外線導入口。

再者，上述紅外線導入口可如原樣開放，或以透過紅外線的元件堵住亦可。

本發明之第7發明之特徵係構成為固定裝置具備旋轉功能，使得以固定裝置所固定的基板旋轉。

本發明之第8發明之特徵係具備對該處理面供給處理液之供給裝置，以及從與此供給裝置相同方向供給洗淨用的洗淨液之洗淨液供給裝置。

根據第1～第8發明，對處理面朝容室的底部而固定的基板的處理面供給處理液，故基板的上方不會有處理液飛散的情況。

此外，處理面朝底部而固定的基板係對供給的處理液發揮遮蔽功能，故不會有處理液往基板的上方直接飛散的情況。

另，使處理液的蒸氣與從進入口進入的氣體同時往排出口排出，故不使蒸氣往容室的上方上升、處理液飛散，縱使將容室的頂面開口，亦不會使處理液及蒸氣洩漏至容室之外。

又，上述基板對處理液發揮遮蔽功能而處理液的蒸氣確實從排出口被排出，故縱使基板的上方被上述頂面封閉，該等頂面亦不會附著處理液及蒸氣。

如此於容室的頂面不會附著處理液及蒸氣，故不需要洗淨頂面，該部分可提高處理效率。

第2發明中，藉導引元件可將容室內的處理液的蒸氣順暢地往排出口引導。藉此，可更佳地防止處理液的蒸氣往基板的上方上升。

根據第3發明，於基板的周圍相對的導引元件和基板之間，進入氣體

而根據其流動可將處理面附近產生的處理液的蒸氣更確實地往排出口引導。

根據第4發明，構成氣體的進入口之開口係用以取出進入基板的出入口，故基板的作業容易。而將此基板取出進入的出入口幾乎被基板封閉，與基板的間隙成為氣體的進入口，故進入口即使具有僅能將基板取出進入的大小，從此開口也不會有處理液飛散。

如上述基板亦發揮作為堵住出入口的開口之蓋子功能，故不需要特別具備蓋子。因此，相較於需要蓋子的情形，零件數亦變少，可容易完成容室的構造。又，具備蓋子時，雖需要洗淨及乾燥，但此發明中亦不用洗淨及乾燥。

根據第5發明，挾持基板而於處理液的供給裝置的相反側設置加熱裝置，加熱基板的底面，故加熱裝置並不因處理液而被污染，其加熱能力亦不會降低。

如此加熱裝置的加熱能力不會降低，故可有效率地加熱基板。基板若被有效率地加熱，可促進處理面所供給處理液的化學反應，有效率地去除基板的處理面的附著物。

又，如上述可將基板有效加熱，故不消耗多餘的能源而可實現節約能源。

在第6發明則於加熱裝置利用紅外線，故可一邊支撐加熱裝置與基板非接觸，一邊有效率地加熱。作為非接觸的加熱裝置，其他亦有考慮微波照射，但微波照射的情況下設備成本會便高，故以利用紅外線的加熱裝置方面在成本上為有利。

特別是若開放紅外線導入口，加熱裝置與基板的內面之間沒有障礙物，故可更有效率地加熱基板。

根據第7發明，可使基板旋轉，故向處理面供給處理液時，可全面性平均引導其處理液。如此可平均引導處理液至處理面全體，故可進行平均的去除處理。

另，根據基板的旋轉，可全面平均引導處理液，故亦可使供給裝置擁有對處理面的散佈功能，而可將供給裝置的構成單純化。

又，去除處理附著物後，若直接維持基板而提高固定裝置的旋轉數，亦可使處理面的處理液向外周方向飛濺，簡單地使基板乾燥。

此外，以加熱裝置加熱基板的情況亦同，若使基板旋轉，可容易將基板全面平均加熱。

根據第8發明，將以處理液處理的基板，直接根據固定裝置固定而可用洗淨液洗淨。特別是從與處理液的供給相同方向供給洗淨液而洗淨基板，故此洗淨液係往與處理液相同方向飛散。如此，洗淨液係往與處理液相同方向飛散，故亦可同時將處理液附著的容室的內壁與基板同時洗淨。

圖1係本發明第1實施型態的基板處理裝置之構成之示意圖。

此基板處理裝置係用以從半導體基板去除薄膜的光阻之片葉式處理裝置。

而第1實施型態中，用以去除光阻處理液雖假設為利用SPM(硫酸：過氧化氫的混合液)，但SPM是指硫酸與過氧化氫水的混合液，此等硫酸與過氧化氫水反應而生成溶解光阻的卡羅酸(Caro’s acid)，根據加熱此SPM，係進一步促進卡羅酸的生成。

此處理裝置的容室1，係上方面具備圓形的開口1a。此開口1a係具有為了此處理裝置所處理的基板3進出於容室1所需要的最小限度的尺寸。換言之，將開口1a的直徑設定為比基板3的直徑稍微大。

又，於該容室1內具備旋轉台2，但此旋轉台2係具備於一方的面固定基板3之複數個挾持元件4。此複數個挾持元件4係沿著旋轉台2上的圓固定間隔所設置，將圓形的基板3從其外周挾持，對旋轉台2固定固定距離而維持大略平行。

而使基板3挾持於該挾持元件4時，使形成光阻的處理面3a相對於旋轉台2。

也就是根據該複數個挾持元件4與該旋轉台2構成此發明之固定裝置，但如上述般此固定裝置係將基板3的處理面3a朝向容室的底部之底面1b，同時將基板3固定於該開口1a的附近。藉此，開口1a的周圍與基板3的外周之對向部之間可成為小的間隙。

又，於與該挾持元件4成相反側的旋轉台2的圖式下側的面，設置作為旋轉台2的旋轉軸之筒元件5，但此筒元件5係由於容室1的底面1b所設的

而以自由旋轉方式被支撐。如此形成之筒元件5係與滑輪6經由帶7***動馬達M。因此，根據驅動電動馬達M，與筒元件5同時可使該旋轉台2旋轉。但是，此發明中若旋轉台2旋轉，使其旋轉的機構並沒有限制。

於如上述作為旋轉軸的筒元件5內，穿過用以供給光阻剝離用的處理液的SPM之處理液管8，以及用以供給作為洗淨液的純水之進水管9。該等的處理液管8及進水管9的前端開口，係構成通過該旋轉台2的中央部形成的貫通孔2a，並相對於被該挾持元件4挾持的基板3的處理面3a。

再者，該處理液管8及進水管9係分別被圖中未示的支撐裝置所獨自支撐，以便即使筒元件5及旋轉台2旋轉，該等處理液管8及進水管9亦分別不會旋轉。

又，如上述被支撐的處理液管8及進水管9的前端開口，係形成相對於以挾持元件4所挾持的基板3的處理面中心部分。因此，從處理液管8及進水管9的前端開口所放出的液體，係對處理面3a的中心部分供給。

此外，此第1實施型態中，處理液管8、進水管9的前端不設噴頭而將液體從管子直接放出，但該處理液管8及進水管9的前端也可安裝各種噴頭。如此，安裝噴頭後，從其所放出的液體也可成為霧狀、成為線狀，成為各種水形狀而進行供給。

另，於該處理液管8連接輸液裝置10，其係將供給處理液的SPM之幫浦等作為構成要素，而根據此輸液裝置10與處理液管8構成本發明之處理液的供給裝置。再者，於用以供給SPM的該輸液裝置10，在幫浦的下層一側具備混合硫酸與過氧化氫水之混合裝置。

此外，於進水管9連接進水裝置11，其係將供給純水之幫浦等作為構成要素，而根據此進水管9與該進水裝置11構成本發明之洗淨液供給裝置，從與處理液的供給裝置相同方向供給洗淨液。

另一方面，於該容室1的底面1b形成排出口1c，此排出口1c係連接吸引裝置12。根據此吸引裝置12吸引容室1內，藉此從該開口1a與基板3的外周之間的間隙吸入空氣形成氣流，根據此氣流將容室1內的處理液及蒸氣，從排出口1c向容室1外排出。

亦即，此第1實施型態中，該開口1a為用以基板3出入的出入口，同時構成本發明之氣體的進入口。而此第1實施型態中，該開口1a的周圍之容室1的內周緣，係構成本發明的出入口之構造體的一部份，且相對於該基板3的周圍。

再者，此第1實施型態中，從該開口1a，飛散於容室1內的SPM也與蒸氣同時排出。

此外，於該開口1a的上方設置本發明之加熱裝置之紅外線燈13，用此紅外線燈13加熱基板3的反面。亦即，此第1實施型態中，該開口1a也兼任本發明之紅外線導入口。如此，紅外線導入口為開放，因此紅外線燈13與基板3的反面之間沒有障礙物，故可更有效率地加熱。

再者，此紅外線燈13根據支撐機構15，以可從對應開口1a的範圍內退開的方式被支撐。因此，從該開口1a出入基板3時可使紅外線燈13不會形成妨礙。但是，若將紅外線燈13設置離該開口1a夠遠，在基板3的出入時亦可不用使紅外線燈13從對應開口1a的範圍退開的方式。

又，圖中符號14係紅外線燈13的側面所設置的遮蔽板，用以使從紅外線燈13放射的紅外線不從側面漏出。如此，藉由設置遮蔽板14，可防止加熱到在基板3以外不需要加熱的元件。

進一步地，於該開口1a的上方設置供給純水的進水管16，根據從此進水管16所供給的純水，洗淨基板3的反面。再者，此進水管16係形成可從對應開口1a的範圍內退開，對於基板3的就位不形成妨礙。

以下，說明使用SPM作為處理液而去除處理面3a的光阻之步驟。

首先，將紅外線燈13及進水管16從容室1的開口1a上退開，使處理面3a相對於旋轉台2的狀態下，從該開口1a將基板3就位於旋轉台2上。若將基板3就位，驅動馬達M使旋轉台2慢慢旋轉。又，使該吸引裝置12作動而吸引容室1內，從該開口1a吸入空氣形成向排出口1c的氣流。

另外在此，雖使旋轉台2旋轉後作動吸引裝置，但其順序係哪一者在先都無所謂。

若如上述使旋轉台2慢慢旋轉，控制輸液裝置10而從處理液管8供給SPM。

又，使處理液管8的前端，相對於以挾持元件4所挾持的基板3的中心部分，故從處理液管8所放出的SPM，係對處理面3a的中心部分供給。如此供給於處理面3a的中心部分之SPM，係根據基板3的旋轉一邊向圓周方向擴散一邊往外周流動。

其次，使該紅外線燈13移動至開口1a上，切入電源將基板3加熱至約130℃～300℃。

再者，此第1實施型態中，將加熱裝置之該紅外線燈13配置於基板3的反面側，故可將紅外線燈13接近基板3而無關處理面3a一側所配置的處理液的供給裝置，同時不受所供給的SPM的影響而可進行基板3的有效率加熱。

若如上述將基板3以紅外線燈13加熱至約130℃～300℃，接觸處理面3a的SPM係因基板3的熱而被加熱，促進在處理面3a的化學反應，可迅速去除處理光阻。

又，此裝置中，如上述只將容室1的開口1a稍微比基板3的直徑大，故開口1a的附近所就位的基板3，係僅以其外周與開口1a的相對部分之間形成非常小的環狀間隙，發揮作為幾乎堵住開口1a的蓋子的功能。

如此，基板3發揮作為堵住開口1a的蓋子的功能之狀態下，對朝容室的底部處理面3a供給處理液的SPM，因此朝處理面3a所供給的SPM不會從開口1a往容室1外飛散。

又，從加熱成高溫的基板3的處理面接觸的SPM，雖然產生蒸氣，但此蒸氣係根據從該開口1a進入的空氣的流動而引導往排出口1c，然後被排出，故蒸氣也不會洩漏。

如此SPM及其蒸氣不會洩漏至容室外，故不會有對容室1之外所具有的配線及其他機器造成損壞的情形。

基板3係發揮作為防止從容室1向外部漏出SPM及蒸氣的蓋子的功能，故不需要將基板3以容室的頂面覆蓋，或者另外設置蓋子。

如此，不需要將基板3以容室的頂面覆蓋，或者另外設置蓋子，故洗淨、乾燥變得簡單。例如，若將基板3以容室的頂面覆蓋或者以蓋子覆蓋，必須要洗淨、乾燥該等頂面或蓋子，但此實施型態下不需要該等的洗淨及乾燥。

又，在此第1實施型態的處理裝置，蒸氣不從開口1a漏出，故紅外線燈13不會因蒸氣等而弄髒。因此，可將紅外線的能量不浪費地利用在基板3的加熱。

此外，在此第1實施型態的處理裝置，係將基板3以紅外線燈13加熱，故可進行有效率的光阻去除處理。例如，為了提高在基板上的SPM與光阻之間的反應性，將SPM預先成高溫後供給係習知以來所進行的方式，但在此情況時，SPM接觸溫度低的基板而溫度會下降，也會有SPM與光阻的反應沒有充分進行的情形。如果SPM的熱被基板吸收，為了使其溫度不會降低，必須大量供給高溫的SPM。然而，若如此第1實施型態加熱基板3，可SPM的溫度降低，故不需要大量供給SPM，其狀態可節省SPM。

又，在上述第1實施型態的處理裝置，具備使旋轉台2旋轉而使基板3旋轉的功能，因此若使基板3旋轉而供給SPM於處理面3a的中心部份，可將所供給的SPM在處理面3a上朝外周平均引導。特別是在此第1實施型態，朝容室1的底部固定基板3的處理面3a，故供給於處理面3a的SPM雖然容易滴下，但如上述使基板3被旋轉，故可用其離心力防止SPM的滴下並且朝基板3的外周平均引導。

另，根據基板3的旋轉，可將SPM朝外周平均引導，故亦可令供給裝置沒有散佈功能，可使供給裝置的構成單純化。

換言之，供給裝置對處理面全體，若具備可平均供給處理液的機構，處理步驟中使基板3旋轉則非必需。又，儘管具備處理液的散佈功能，亦可使基板3旋轉。

此外，根據使基板3與旋轉台2同時旋轉也具有以下優點，即該紅外線燈13所形成的紅外線的照射範圍即使不是基板3的全面，也可將基板3平均加熱。例如，因為上述紅外線的照射範圍形成即使是沿著基板3的直徑或半徑的線狀，藉由基板3旋轉亦可對基板3的底面全體照射紅外線之緣故。

又，在此第1實施型態的處理裝置，係設置純水的供給裝置，故藉由SPM進行光阻的去除處理後，也可水洗處理面3a。那麼，以下說明水洗步驟。

在此水洗步驟，係切掉紅外線燈13的電源，使紅外線燈13從開口1a對應的範圍退開，並停止SPM的供給。

其次，使進水管16的放水口位於容室1的開口1a上，使旋轉台2旋轉的狀態下，根據圖中未示之進水裝置從進水管16供給純水於基板3上，洗淨基板3的反面。

另，處理面3a一側亦根據進水裝置11供給來自進水管9的純水，也水洗基板3的處理面3a。

此時使旋轉台2旋轉，故供給基板3的兩面的純水可一面朝外周擴散，一面流動清洗基板3的兩面。

在容室1內，沿著旋轉的基板3而被引導往外周方向的純水，係衝擊容室1的內壁而將其內壁洗淨。

特別是在此第1實施型態，從與處理液的供給相同方向供給洗淨液而洗淨基板，故洗淨液的擴散及飛散形成與處理液相同，亦可將附著處理液的容室1內壁與基板同時洗淨。

以純水洗淨基板3的兩面後，停止進水，提高馬達M的旋轉數。而使旋轉台2以1000(rpm)～3000(rpm)程度旋轉，藉離心力將水分完全飛濺而使基板3的兩面乾燥。如此，可利用離心力飛濺水分，故水洗後的基板3上不帶有水漬並可在短時間內乾燥。8P

再者，將旋轉台2與基板3的處理面3a之相對間隔設為狹窄之狀態下，若提高旋轉台2的旋轉數，該相對間隔內有成為負壓的傾向。成為負壓時若不理會，容室1內的異物會被吸入該相對間隔內，而有附著於處理面3a之虞。

為了防止此情形，在此實施型態提高旋轉數時，對該相對間隔內供給氮氣使其不產生負壓。

又，在上述第1實施型態，雖然使將基板3***容室之開口1a兼任本發明之氣體進入口及紅外線導入口，但該等的開口亦可分別個別設置。但是，若為兼任上述3個開口之構成，具有可將容室1的構造單純化的優點。

在上述第1實施型態，雖形成可將紅外線燈13及進水管16從該開口1a退開，但若不妨礙基板3出入容室內時等的步驟，亦可在開口1a附近將紅外線燈13及進水管16設為固定式。

圖2係本發明第2實施型態的基板處理裝置之構成之示意圖。

此基板處理裝置亦為用以從半導體基板去除光阻之片葉式處理裝置。再者，與上述第1實施型態相同的構成要素，使用與圖1相同的符號進行說明，而與第1實施型態相同的構成如下。

此第2實施型態中，也於容室17內設置旋轉台2，於此旋轉台2設置挾持元件4。而於此挾持元件4，係使基板3的處理面3a朝容室17的底面17d而固定。

又，處理液的供給裝置係由處理液管8與輸液裝置10所形成，洗淨液供給裝置係由進水管9及進水裝置11所形成。

而該等的構成係與上述第1實施型態相同。

如上述擁有與第1實施型態相同構成之第2實施型態中，容室17的構成係與第1實施型態有很大不同。亦即，容室17係於本體17a設置可開、閉的蓋部17b，形成打開此蓋部17b使基板3出入之構成。

而該旋轉台2上將基板3就位並關閉該蓋部17b時，容室17的頂面的蓋部17b的內側，係與基板3的反面相對。

因此，對基板3的處理面3a供給處理液時，基板3係對於處理液發揮遮蔽功能，故處理液不附著於頂面。

另，於該蓋部17b的中央形成用以進入空氣之進入口17c，同時於本體17a的底面17d形成用以排出空氣之排出口17e，此排出口17e係連接吸引裝置12。

因此，若根據該吸引裝置12吸引容室17內，會形成從該進入口17c朝排出口17e的氣流。

再者，在此第2實施型態，於容室17的上方並未設置如第1實施型態作為加熱裝置之紅外線燈13。因此，在SPM的供給過程中，另外具備預先將其加熱的圖中未示之加熱裝置。

此外，於該蓋部17b固定對基板3供給純水之進水管6，於此進水管6連接圖中未示之進水裝置。因此，關閉蓋部17b狀態下，若從此進水管6供給純水，可洗淨旋轉台2上固定的基板3的反面。

接著，說明根據此第2實施型態的裝置，從基板3的處理面3a去除光阻之步驟。

首先，打開容室17的蓋部17b，使處理面3a相對於旋轉台2的狀態下，將基板3就位於旋轉台2上。

若將基板3就位，關閉蓋部17b，驅動馬達M使旋轉台2慢慢旋轉。又，此時驅動該吸引裝置12而吸引容室17內，形成從該開口17c朝該排出口17e的氣流。

若如上述使旋轉台2慢慢旋轉，控制輸液裝置10而從處理液管8供給預先加熱的SPM。

又，與上述第1實施型態相同，處理液管8的前端相對於以挾持元件4所挾持的基板3的中心部分。因此，從處理液管8所放出的SPM，係對處理面3a的中心部分供給。如此供給於處理面3a的中心部分之SPM，係根據基板3的旋轉一邊向圓周方向擴散一邊往外周流動，以其過程去除光阻。

以上述步驟結束SPM形成的處理，停止輸液裝置10，控制進水裝置11及圖中未示之進水裝置，從進水管9及16供給純水，同時水洗基板3的兩面。

此時，使旋轉台2旋轉，故供給基板3的兩面的純水可一面朝外周擴散，一面流動清洗基板3的兩面。

又，在容室17內，從進水管9所供給的純水係根據基板3的旋轉被引導往外周方向，此純水係衝擊容室17的內壁，故於基板3的洗淨的同時，也可洗淨容室17的內壁。

之後停止進水，若與上述第1實施型態相同而提高馬達M的旋轉數，藉離心力將水分完全飛濺，則可於基板3上不帶有水漬並可在短時間內乾燥。

再者，將旋轉台2與基板3的處理面3a之相對間隔設為狹窄之狀態下，若提高旋轉台2的旋轉數，該相對間隔內有成為負壓的傾向。成為負壓時若不理會，容室內的異物會被吸入該相對間隔內，而有附著於處理面3a之虞。

此第2實施型態亦是基板3的反面相對於容室17的頂面，而將處理面3a朝底面17d，故對處理面3a所供給的SPM沒有直接附著於容室17的頂面。

又，根據從蓋部17b上所形成的進入口17c所進入之空氣的流動，SPM的蒸氣被引導往容室17的底面17d所形成的排出口17e，故容室17內的頂面亦沒有蒸氣附著。

因此，不需要打開容室17的蓋部17b並洗掉附著於頂面的SPM之步驟，可有效率地進行基板3的處理。

又，水洗基板3時，也可同時洗淨附著於容室17內的SPM。

再者，在此第2實施型態，雖未設置用以加熱基板3的加熱裝置，但亦可在容室17的上方設置紅外線燈等作為加熱裝置。該情況時，為蓋部17且對應基板3的區域需要形成用以透過紅外線的紅外線導入口。紅外線導入口可開放，或者以透過紅外線的玻璃覆蓋亦可。

總之，從該處理液管8對處理面3a所供給的SPM係以基板3遮蔽，同時蒸氣係從底面的排出口17e排出，故不會有從於蓋部17b形成的紅外線導入口散出SPM或蒸氣，或者蒸氣瀰漫之情形。也就是說，經由紅外線導入口，可確實加熱基板3的反面。

此外，在第2實施型態係形成開、閉蓋部17b而出入基板3之構成，但也可將容室17的頂面完全堵住，使基板3從容室17的側面出入。在此情形下，也是氣體的進入口與排出口之間的關係與第2實施型態相同。亦即，形成從較基板3的處理面3a上方所設置的氣體的進入口17c，往處理面3a下方所設置的排出口17e製造氣流排出蒸氣。

即使如上述將容室的頂面完全堵住，於其頂面不附著處理液及蒸氣，故不需要洗淨其頂面。因此，即使將頂面完全堵住也沒有任何問題。

再者，在該上述第1、第2實施型態，將本發明之空氣的進入口1a、17c形成於容室1、17的頂面，將排出口1c、17e形成於容室1、17的底面1b、17d，但該等的位置係不限於上述實施型態的位置。

若維持將該進入口1a、17c設置於與基板3的處理面3a相同水平或者比其上方、將排出口1c、17e設置於比該進入口1a、17c下方之位置關係，如上述實施型態，可將欲從該處理面3a的外周上升之蒸氣，根據來自上方的氣流確實壓入下方，可使蒸氣不洩漏至容室1、17之外。

又，上述的進入口與該處理面相同水平，係指該進入口1a、17c的開口的範圍內包含處理面的水平。

但是若可在容室內形成空氣的流動，進入口與排出口之位置係並非僅不限於上述第1、第2實施型態，進入口與排出口之間的上下關係也沒有限定。

圖3中係顯示空氣的進入口17f設置於比排出口17g下方之第3實施型態之基板處理裝置的構成。

此第3實施型態之基板處理裝置亦是用以從半導體基板去除光阻之片葉式處理裝置，氣體的進入口及排出口的位置雖與上述第2實施型態不同，但其他構成係與第2實施型態相同。因此，與上述第2實施型態相同的構成要素係使用與圖2相同的符號，並省略各要素的詳細說明。

此第3實施型態之基板處理裝置係與第2實施型態相同，形成具備本體17a與可開、閉的蓋部17b所形成之容室17，然後打開蓋部17b出入基板3之構成。

但是在此第3實施型態，於蓋部17b不形成開口，於本體17a的側面設置氣體的進入口17f及排出口17g。而將該進入口17f基板的處理面3設置於比基板3下方，同時將排出口設置於比此進入口17f更上方。又，將此排出口17g連接吸引裝置12，根據此如上述的吸引裝置吸引容室17內而於容室17內形成朝排出口17g之氣流。

如此形成之第3實施型態之基板處理裝置，亦形成與上述第2實施型態相同而可從基板3的處理面3a去除光阻。

亦即，在容室17內以使處理面3a相對於旋轉台2之狀態，將基板3就位於旋轉台2上，從底面17d一側對處理面3a供給處理液而去除光阻。

如上述去除光阻時，驅動該吸引裝置12而吸引容室17內。

因此，此第3實施型態中也是處理液之SPM的蒸氣從排出口17g排出，不會從容室17往外部漏出。

再者，在此第3實施型態，空氣的進入口17f係比基板3的處理面3a下方，還設置於比排出口17g下方。因此，用從進入口17f進入的空氣形成直接朝排出口17g的氣流，難以將蒸氣有效率地排出。然而，實際上吸引裝置12不是從進入口17f直接吸引空氣，而是吸引容室1內全體的氣體。特別是根據該旋轉台2旋轉或供給處理液，容室17內的氣流紊亂，因此僅形成從進入口17f朝排出口17g之氣流係幾乎不可能。因此，此第3實施型態之基板處理裝置亦可將容室17內的處理液的蒸氣從排出口17g排出。

但是若將進入口設置於處理面的附近，而排出口設置於比其下方，可更容易形成將處理液的蒸氣強制往排出口引導之氣流。

又，於該旋轉台上將基板3就位而關閉該蓋部17b時，容室17的頂面之蓋部17b的內側，係與基板3的反面相對。

因此，對基板3的處理面3a供給處理液時，基板3對處理液發揮遮蔽功能，故處理液不附著於頂面。因此，處理液不會從容室17的上方濺出是無庸置疑地，且亦不需要打開容室17的蓋部17b而洗掉附著於頂面的SPM之步驟，可有效率地進行基板3的處理。

圖4所示之第4實施型態係設置3個排出口1d、1e、1f，用以於容室1內將氣體與處理液的蒸氣同時排出，且具備引導往該等各排出口1d、1e、1f之導引元件18a、18b、18c。

又，在此第4實施型態，設定可變更固定基板3之旋轉台2的上下位置。具體而言，根據圖中未示之驅動裝置，使固定於旋轉台2的筒元件5、處理液管8及進水管9，直接維持與其附隨的元件的連結而上下移動。

其他的構成係與圖1所示之第1實施型態相同，與第1實施型態相同的構成要素係使用與圖1相同的符號，並省略各要素的詳細說明。

該導引元件18a、18b、18c係中央開口之圓錐狀元件，於筒元件5的軸方向分別固定固定間隔而設置於容室1的內壁。

而為該等各導引元件18a、18b、18c的基端一側，上段的導引元件18a與中段的導引元件18b之間設置排出口1d、該中段的導引元件18b與下段的導引元件18c之間設置排出口1e、下段的導引元件18c的下方設置排出口1f。

又，於各排出口連接吸引裝置12a、12b、12c，可排出容室1內的包含處理液的蒸氣之氣體。

亦即，該導引元件18a及18b係將處理液的蒸氣往排出口1d引導之導引元件，導引元件18b及18c係將蒸氣往排出口1e引導之導引元件，導引元件18c係將蒸氣往排出口1f引導之導引元件。

例如，調整使基板3的周圍相對於上段的導引元件18a的一部份之頂端，若使吸引裝置12a作動後開始處理，供給於處理面3a之處理液的蒸氣係根據該導引元件18a及18b而被引導往排出口1d。

又，使基板3的周圍相對於中段的導引元件18b，若使吸引裝置12b作動，處理液的蒸氣被引導至排出口1e，使基板3的周圍相對於下段的導引元件18c的頂端而若使吸引裝置12c作動，處理液的蒸氣被引導往排出口1f。

如此，根據基板3的位置可改變引導蒸氣之排出口。因此，若根據處理液的種類變更基板3的位置而分開使用排出口，在吸引裝置12a、12b、12c一側，可將處理液依種類別分離回收，也具有所謂可順利進行廢棄處理及再利用之優點。

再者，使該基板3的周圍相對於導引元件的頂端，是指調整基板3的高度而將基板3的周圍接近導引元件的頂端，藉此基板3高度位置與導引元件的頂端位置不需要嚴格地一致，基板3與導引元件的任一者稍微上下亦無所謂。但是基板3的處理面3a位於比引導氣體之導引元件的頂端下方者，可確實排出處理液的蒸氣等。此外，若使基板3的反面位於與導引元件的頂端同高之位置，或者是比導引元件的頂端更下方，從反面側供給洗淨液等的情形時，亦可從排氣口排出其洗淨液等。

此第4實施型態之基板處理裝置，亦形成與上述第1實施型態相同而可從基板3的處理面3a去除光阻。

亦即，在容室1內以使處理面3a相對於旋轉台2之狀態，將基板3就位於旋轉台2上，從底面1b一側對處理面3a供給處理液而去除光阻。

但是，在此第4實施型態，係使基板3的周圍相對於任一導引元件的頂端後開始處理。又，使導引元件對應的吸引裝置作動。

例如，如圖4所示，於上段的導引元件18a的頂端位置使基板3的周圍相對時，僅使吸引裝置12a作動。而若開始基板3的處理，從容室1的頂面形成的開口1a所吸進的空氣係根據導引元件18a被引導往排出口1d，形成用以排出處理液的氣流。

因此，此第4實施型態中，處理液之SPM的蒸氣係從排出口1d排出，不會從容室1往外部漏出。

又，使用SPM以外的處理液之情形時，可使基板3的周圍相對於例如導引元件18b的頂端後，使吸引裝置12b作動。若如此進行，處理液的蒸氣係與從該開口1a所進入的空氣，同時藉由導引元件18b被引導至排出口1e。此情形亦處理液的蒸氣從派出口1e排出，不會從容室1往外部漏出。

再者，在此第4實施型態，雖設置3個導引元件18a、18b、18c與排出口1d、1e、1f，但導引元件及排出口的數量係多少皆可。希望將處理液依每種分離排出之情形時，需要對應處理液的種類之排出口，以及引導往各排出口之導引元件。

又，即使是不需要將處理液的種類分離之情形，若設置導引元件將從進入口進入的空氣引導往排出口，可形成有效率地排出處理液的蒸氣之氣流。

再者，在上述第4實施型態，各導引元件18a、18b、18c的頂端雖是本發明之「於該固定元件所固定的基板的周圍所相對之導引元件的一部份」，但該一部份係基板的周圍所相對的部份，根據導引元件的形狀而不一定為頂端。

在上述第1～第4實施型態，雖形成從進入口進入空氣，但進入容室內的氣體若不影響處理液及基板者，其種類並無限定。

又，從進入口往容室內進入氣體之進入裝置，亦除了排氣口連接的吸引裝置之外，形成從進入口施加壓力將氣體往容室內壓入亦可。

此外，即使不是如上述第4實施型態設置複數個排出口之情形，為了使從該進入口進入的氣體有效率地與容室內的處理液的蒸氣同時排出，亦可於容室內形成導引元件。

另，上述第1～第4實施型態，雖形成在容室1、17內水平固定基板3，但若處理面3a朝容室的低部一側，基板3並非水平亦可。

再者，在上述中雖舉例說明將處理面3a所形成的光阻去除處理之裝置，但本發明之基板處理裝置，作為去除處理光阻以外的薄膜或其他附著物之裝置亦為有用。但是需要選擇對應去除處理的物質之處理液。例如，為了氮化膜的去除處理而使用磷酸，使用HPM(鹽酸：過氧化氫水的混合液)或APM(氨水：過氧化氫水的混合液)，而可與上述光阻的去除處理相同，處理處理面3a上的各種薄膜或粒子等附著物。

而為了供給複數種處理液，若將每種處理液的處理液管設置於該筒元件5內，可將複數種處理用同一裝置進行。

總之，可不需要再洗淨附著處理液的蒸氣之容室的頂面或者蓋子元件之洗淨步驟。

此外，在上述實施型態，雖使用紅外線燈作為加熱基板的裝置，但若是可非接觸加熱基板以使處理液沒有附著，加熱裝置則不限於紅外線燈。例如，亦可考慮微波照射作為加熱裝置。但是微波照射則設備成本會變高，故以利用紅外線的加熱裝置成本上較有利。又，即使是利用紅外線的情形，不限於燈類，亦可使用紅外線加熱器。

本發明除了半導體基板外，可利用於液晶玻璃基板、電漿顯示器基板等之薄膜的去除處理。

1．．．容室

1a．．．開口

1b．．．底面

1c．．．排出口

1d．．．排出口

1e．．．排出口

1f．．．排出口

2．．．旋轉台

3．．．基板

3a．．．處理面

4．．．挾持元件

5．．．筒元件

6．．．滑輪

7．．．帶

8．．．處理液管

9．．．進水管

10．．．輸液裝置

11．．．進水裝置

12．．．吸引裝置

12a．．．吸引裝置

12b．．．吸引裝置

12c．．．吸引裝置

13．．．紅外線燈

14．．．遮蔽板

15‧‧‧支撐機構

16‧‧‧進水管

17‧‧‧容室

17c‧‧‧進入口

17d‧‧‧底面

17e‧‧‧排出口

18a‧‧‧導引元件

18b‧‧‧導引元件

18c‧‧‧導引元件

圖1為表示本發明之第1實施型態之概略構成圖。

圖2為表示本發明之第2實施型態之概略構成圖。

圖3為表示本發明之第3實施型態之概略構成圖。

圖4為表示本發明之第4實施型態之概略構成圖。