TWI402536B - 具有與機械及電氣功能分離的光學功能之微機電裝置 - Google Patents

具有與機械及電氣功能分離的光學功能之微機電裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI402536B
TWI402536B TW097124776A TW97124776A TWI402536B TW I402536 B TWI402536 B TW I402536B TW 097124776 A TW097124776 A TW 097124776A TW 97124776 A TW97124776 A TW 97124776A TW I402536 B TWI402536 B TW I402536B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
reflective
deformable layer
electromechanical device
layer
movable
Prior art date
Application number
TW097124776A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200909853A (en
Inventor
Denis Endisch
Marc Mignard
Original Assignee
Qualcomm Mems Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Mems Technologies Inc filed Critical Qualcomm Mems Technologies Inc
Publication of TW200909853A publication Critical patent/TW200909853A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI402536B publication Critical patent/TWI402536B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0083—Optical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/04—Optical MEMS
    • B81B2201/047—Optical MEMS not provided for in B81B2201/042 - B81B2201/045
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S359/00—Optical: systems and elements
    • Y10S359/904—Micromirror

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

具有與機械及電氣功能分離的光學功能之微機電裝置
微機電系統(MEMS)包括微機械元件、致動器及電子器件。微機械元件的產生可使用沈積、蝕刻，及/或蝕刻掉基板及/或沈積材料層之部分或者添加層以形成電氣及機電裝置的其他微機械加工製程。一種類型之MEMS裝置被稱為干涉調變器。如在本文中所使用，術語干涉調變器或干涉光調變器指使用光干涉之原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉調變器可包含一對導電板，該對導電板中之一者或兩者可為整體或部分透明及/或反射性的，且能夠在施加適當電信號時相對運動。在一特定實施例中，一板可包含一沈積於基板上之固定層，且另一板可包含一與該固定層分離一空氣間隙之金屬膜。如本文中較詳細地描述，一板相對於另一板之位置可改變入射於干涉調變器上的光之光干涉。此等裝置具有廣泛之應用，且利用及/或修改此等類型之裝置的特性以使得其特徵可用在改良現有產品及創造尚未開發之新產品過程中，將對此項技術大有裨益。
在某些實施例中，一種微機電(MEMS)裝置包含一具有一頂表面之基板、一在該基板上之可移動元件及一橫向於反射表面安置之致動電極。該可移動元件包含一可變形層及一機械耦接至該可變形層之反射元件。該反射元件包括一反射表面。該可移動元件係回應於一施加於該致動電極 與該可移動元件之間的電壓差而在一大體垂直於該基板之該頂表面的方向上移動。
在某些實施例中，一種微機電(MEMS)裝置包含用於移動該裝置之一部分之構件、用於支撐該移動構件之構件及用於致動該移動構件之構件。該移動構件包含用於變形之構件及用於反射之構件。該致動構件經橫向於該反射構件予以安置。
在某些實施例中，一種製造一微機電(MEMS)裝置之方法包含：在一基板上形成一致動電極、在該致動電極上形成一犧牲層、在該犧牲層上形成一可變形層、在該犧牲層上形成一反射元件(其機械耦接至該可變形層)，及移除該犧牲層。該反射元件包括一橫向於該致動電極安置之反射表面。
在某些實施例中，一種調變光之方法包含提供一包含一基板、一在該基板上之可移動元件及一致動電極之顯示元件。該可移動元件包含一可變形層及一反射元件。該反射元件機械耦接至該可變形層且包括一反射表面。該致動電極經橫向於該反射表面予以安置。該方法進一步包含將一電壓施加至該致動電極。該電壓在該可移動元件上產生一吸引力，藉此使該可移動元件朝向該基板移動。
以下實施方式係針對本發明之某些具體實施例。然而，可以大量不同方式來實施本發明。在此描述中參看了圖式，其中通篇以同樣的數字表示同樣的部分。如將自以下 描述顯而易見，可在經組態以顯示影像(無論是運動影像(例如視訊)還是固定影像(例如靜態影像)，且無論是文字影像還是圖片影像)之任何裝置中實施該等實施例。更特定言之，預料到，該等實施例可實施於各種各樣的電子裝置中或與其相關聯而實施，該等電子裝置諸如(但不限於)：行動電話、無線裝置、個人數位助理(PDA)、手持式或攜帶型電腦、GPS接收器/導航器、相機、MP3播放器、攜帶型攝像機、進戲控制台、手錶、鐘錶、計算器、電視監視器、平板顯示器、電腦監視器、自動顯示器(例如里程計顯示器等)、駕駛艙控制器及/或顯示器、相機視野之顯示器(例如車輛中的後視相機之顯示器)、電子照片、電子廣告牌或標記、投影儀、建築結構、封裝及美學結構(例如，一件珠寶上的影像顯示器)。與本文中所描述之MEMS裝置結構類似的MEMS裝置亦可用於非顯示器應用中，諸如電子開關裝置。此外，本文中之所有圖已經繪製來描繪某些元件之間的關係，且因此為高度圖解性的且不應被考慮為按比例的。
在某些實施例中，提供橫向於反射元件之反射表面安置之一致動電極。該致動電極不處於光徑中，此允許其包含一非透明導體且較厚，藉此改良電力消耗。在一些實施例中，致動電極作用於一機械耦接至反射元件之可變形層上，使得在致動後，該可變形層而非反射表面接觸MEMS裝置之固定部分，其又減小了靜摩擦、彈簧常數、靜電力及電容器面積，因此致能快速且低電力操作。在一些實施 例中，表面粗糙化及其他抗靜摩擦特徵可形成於致動電極與可變形層之間，而並不影響光學效能，因為其不處於光徑中。在一些實施例中，在致動後，反射表面並不接觸任何事物，此允許其大體上平滑且平坦，而無靜摩擦危險。在一些實施例中，將一第二致動電極提供於可變形層及/或反射表面上或下，使得反射表面在至少三個狀態下穩定。
包含一干涉MEMS顯示元件之一干涉調變器顯示器實施例說明於圖1中。在此等裝置中，該等像素處於亮或暗狀態。在亮("接通"或"打開")狀態下，顯示元件將大部分入射之可見光反射給使用者。當在暗("斷開"或"關閉")狀態下，顯示元件將極少的入射之可見光反射給使用者。視實施例而定，可顛倒"接通"與"斷開"狀態之光反射性質。MEMS像素可經組態以主要在選定色彩下反射，除了黑及白之外，其還允許彩色顯示。
圖1為描繪一視覺顯示器之一系列像素中之兩個鄰近像素的等角視圖，其中每一像素包含一MEMS干涉調變器。在一些實施例中，一干涉調變器顯示器包含此等干涉調變器之一列/行陣列。每一干涉調變器包括一對反射層，其經按一彼此間之可變且可控制距離定位，以形成一具有至少一可變尺寸之共振光學間隙。在一實施例中，可將該等反射層中之一者在兩個位置之間移動。在第一位置(本文中稱作鬆弛位置)中，可移動反射層經定位於距一固定之部分反射層相對較遠距離處。在第二位置(本文中稱作致 動位置)中，可移動反射層經較緊緊鄰近該部分反射層定位。視可移動反射層之位置而定，自兩個層反射之入射光相長或相消地干涉，其對於每一像素產生一全反射或非反射狀態。
圖1中之像素陣列之所描繪部分包括兩個鄰近干涉調變器12a及12b。在左邊之干涉調變器12a中，可移動反射層14a經說明為處於距光學堆疊16a一預定距離之鬆弛位置處，該光學堆疊16a包括一部分反射層。在右邊之干涉調變器12b中，可移動反射層14b經說明為處於鄰近光學堆疊16b之致動位置處。
如本文中所提及之光學堆疊16a及16b(總稱為光學堆疊16)通常包含若干熔合層，該等熔合層可包括一諸如氧化銦錫(ITO)之電極層、一諸如鉻之部分反射層及一透明介電質。光學堆疊16因此為導電、部分透明且部分反射性的，且可(例如)藉由在透明基板20上沈積以上層中之一或多者來加以製造。部分反射層可形成自部分反射性的各種各樣的材料，諸如，各種金屬、半導體及介電質。部分反射層可由一或多個材料層形成，且該等層中之每一者可由單一材料或材料組合形成。
在一些實施例中，光學堆疊16之諸層經圖案化為平行條帶，並可形成顯示裝置中之列電極(如下進一步描述)。可移動反射層14a、14b可形成為沈積於柱18及沈積於柱18之間的介入犧牲材料之頂部上的一或多個經沈積之金屬層之一系列平行條帶(與16a、16b之列電極正交)。當該犧牲材 料經蝕刻掉時，將可移動反射層14a、14b與光學堆疊16a、16b分離一界定之間隙19。諸如鋁之高導電性且反射性材料可用於反射層14，且此等條帶可形成顯示裝置中之行電極。
如在圖1中藉由像素12a說明，在無施加之電壓之情況下，間隙19保持處於可移動反射層14a與光學堆疊16a之間，其中可移動反射層14a處於機械鬆弛狀態下。然而，當將一電位差施加至選擇之列及行時，在對應的像素處的列電極與行電極之相交處形成之電容器變得帶電，且靜電力將電極拉動在一起。若電壓足夠高，則可移動反射層14變形且經受力而與光學堆疊16相抵。光學堆疊16內之一介電層(此圖中未說明)可防止短路且控制層14與16之間的分離距離，如由在圖1中右邊之像素12b說明。與施加的電位差之極性無關，性能為相同的。以此方式，可控制反射對非反射像素狀態之列/行致動在許多方面相似於在習知LCD及其他顯示器技術中使用之致動。
圖2至圖5B說明用於在顯示器應用中使用一干涉調變器陣列之一例示性過程及系統。
圖2為說明可併有本發明之態樣的一電子裝置之一實施例的系統方塊圖。在該例示性實施例中，該電子裝置包括一處理器21，其可為任何通用單晶片或多晶片微處理器，諸如ARM、Pentium、Pentium II、Pentium III、Pentium IV、PentiumPro、8051、MIPS、Power PC、ALPHA；或任何特殊用途微處理器，諸如數位信號處理 器、微控器或可程式化閘陣列。如本項技術所習知，處理器21可經組態以執行一或多個軟體模組。除執行作業系統外，處理器可經組態以執行一或多個軟體應用程式，包括網頁瀏覽器、電話應用程式、電子郵件程式或任何其他軟體應用程式。
在一實施例中，處理器21亦經組態以與一陣列驅動器22通信。在一實施例中，陣列驅動器22包括將信號提供至一顯示陣列或面板30之一列驅動器電路24及一行驅動器電路26。圖1中說明的陣列之橫截面由圖2中之線1－1展示。對於MEMS干涉調變器，列/行致動協定可利用圖3中說明的此等裝置之滯後性質。舉例而言，可能需要10伏特電位差來使可移動層自鬆弛狀態變形至致動狀態。然而，當電壓自彼值減小時，隨著電壓跌回10伏特以下，該可移動層維持其狀態。在圖3之例示性實施例中，可移動層直到電壓降至2伏特以下時才會完全鬆弛。因此，存在一施加電壓窗(在圖3中所說明之實例中，施加電壓約為3 V至7 V)，在該窗內，裝置穩定地處於鬆弛或致動狀態下。本文將其稱為"滯後窗"或"穩定窗"。對於一具有圖3之滯後特性的顯示陣列而言，可對列/行致動協定設計以使得在列選通期間，所選通之列中之待致動之像素被曝露至約10伏特之電壓差，且待鬆弛之像素被曝露至接近零伏特之電壓差。在選通後，使像素曝露至約5伏特之穩定狀態電壓差，使得其處於列選通使其所處於之任何狀態下。在此實例中，在被寫入後，每一像素處於在3 V至7 V之"穩定窗"內之電位 差下。此特徵使圖1中所說明之像素設計在相同施加電壓條件下於致動的或鬆弛的預先存在之狀態下皆穩定。由於干涉調變器之每一像素無論處於致動狀態或鬆弛狀態基本上都為一由固定及移動反射層形成之電容器，所以可在滯後窗內之一電壓下保持此穩定狀態，其中幾乎無電力耗散。若施加之電位固定，則基本上無電流流進該像素。
在典型應用中，可藉由根據第一列中之所需致動像素集合斷定行電極集合來產生一顯示圖框。接著將列脈衝施加至列1電極，其致動對應於所斷定之行線之像素。接著所斷定之行電極集合經改變以對應於第二列中之所需致動像素集合。接著將脈衝施加至列2電極，其根據所斷定之行電極致動列2中之適當像素。列1像素不受列2脈衝之影響，且保持於其在列1脈衝期間被設定之狀態中。對於整個列系列，可以順序方式將此過程重複以產生圖框。通常，藉由在一些所要的每秒圖框數下不斷重複此過程，用新的顯示資料刷新及/或更新圖框。用於驅動像素陣列之列及行電極以產生顯示圖框之廣泛的各種各樣之協定亦係熟知的，且可結合本發明而加以使用
圖4、圖5A及圖5B說明用於在圖2之3×3陣列上產生一顯示訊框之一可能的致動協定。圖4說明展示出圖3之滯後曲線的可用於像素之一組可能的行及列電壓位準。在圖4實施例中，致動一像素包含將適當的行設定為－Vbias 及將適當的列設定為＋△V，其可分別對應於－5伏特及＋5伏特。藉由將適當的行設定為＋Vbias 及將適當的列設定為相同的 ＋△V(在像素上產生零伏特電位差)，實現鬆弛像素。在將列電壓保持於零伏特之彼等列中，像素穩定地處於其原始處於之無論何狀態中，其與行處於＋Vbias 還是－Vbias 無關。亦如圖4中所說明，應瞭解，可使用與上述電壓之極性相反之電壓，例如致動一像素可涉及將適當行設定至＋Vbias 及將適當列設定至－△V。在此實施例中，藉由將適當行設定為－Vbias 且將適當列設定為相同的－△V(此在像素上產生零伏特電位差)，實現釋放像素。
圖5B為展示一系列施加至圖2之3×3陣列之列及行信號的時序圖，其將導致圖5A中所說明之顯示配置(其中致動像素為非反射性的)。在寫入圖5A所說明之圖框之前，該等像素可處於任一狀態，且在此實例中，所有列處於0伏特且所有行處於＋5伏特。在此等施加之電壓的情況下，所有像素均穩定地處在其現有的致動或鬆弛狀態中。
在圖5A圖框中，像素(1,1)、(1,2)、(2,2)、(3,2)及(3,3)被致動。為實現此目的，在列1之"線時間"期間，將行1及2設定為－5伏特，且將行3設定為＋5伏特。此並不改變任何像素之狀態，因為所有像素都保持在3－7伏特穩定窗內。接著，藉由一自0伏特升至5伏特再返回零之脈衝對列1選通。此致動(1,1)及(1,2)像素並鬆弛(1,3)像素。陣列中之其他像素不受影響。為了按需要設定列2，將行2設定為－5伏特且將行1及行3設定為＋5伏特。接著，施加至列2之相同選通將致動像素(2,2)且鬆弛像素(2,1)及(2,3)。又，陣列之其他像素不受影響。藉由將行2及行3設定為－5伏特且將行 1設定為＋5伏特而類似地設定列3。列3選通對列3之設定如圖5A所示。在寫入該圖框之後，列電位為零，且行電位可保持於＋5或－5伏特，且接著顯示器穩定於圖5A之配置下。應瞭解，相同程序可用於幾十或幾百列及行之陣列。亦應瞭解，在上文概述之一般性原理內，可廣泛地變化用以執行列及行致動之時序、順序及電壓位準，且以上實例僅為例示性的，且任何致動電壓方法皆可適用於本文中所描述之系統及方法。
圖6A及圖6B為說明一顯示裝置40之一實施例的系統方塊圖。舉例而言，顯示裝置40可為蜂巢式或行動電話。然而，顯示裝置40之相同組件或其輕微變化亦說明各種類型之顯示裝置，諸如電視及攜帶型媒體播放器。
顯示裝置40包括一外殼41、一顯示器30、一天線43、一揚聲器45、一輸入裝置48及一麥克風46。通常自如熟習此項技術者所熟知之各種各樣的製造過程中之任一者形成外殼41，包括射出成形及真空成形。此外，外殼41可由各種各樣的材料中之任一者製成，包括(但不限於)塑膠、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。在一實施例中，外殼41包括可與不同色彩或含有不同標識、圖片或符號之其它可移除部分互換的可移除部分(未圖示)。
例示性顯示裝置40之顯示器30可為各種各樣的顯示器中之任一者，包括如本文中所描述之雙穩態顯示器。在其他實施例中，如熟習此項技術者所熟知，顯示器30包括：如上所述之平板顯示器，諸如，電漿、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD；或者非平板顯示器，諸如，CRT或其他管裝置。然而，為了描述本實施例，顯示器30包括一如本文中所描述之干涉調變器顯示器。
例示性顯示裝置40之一實施例的組件示意性地說明於圖6B中。所說明之例示性顯示裝置40包括一外殼41，且可包括至少部分包圍於其中之額外組件。舉例而言，在一實施例中，例示性顯示裝置40包括一網路介面27，該網路介面27包括一耦接至一收發器47之天線43。收發器47連接至一處理器21，處理器21連接至調節硬體52。調節硬體52可經組態以調節信號(例如，對信號濾波)。調節硬體52連接至揚聲器45及麥克風46。處理器21亦連接至輸入裝置48及驅動器控制器29。驅動器控制器29耦接至圖框緩衝器28及陣列驅動器22，陣列驅動器22又耦接至顯示陣列30。電源50按特定例示性顯示裝置40設計之需要將電力提供至所有組件。
網路介面27包括天線43及收發器47使得例示性顯示裝置40可在一網路上與一或多個裝置通信。在一實施例中，網路介面27亦可具有減少處理器21之需求的一些處理能力。天線43為熟習此項技術者已知用於傳輸及接收信號之任一天線。在一實施例中，該天線根據IEEE 802.11標準(包括IEEE 802.11(a)、(b)或(g))來傳輸及接收RF信號。在另一實施例中，該天線根據BLUETOOTH標準傳輸及接收RF信號。在蜂巢式電話之情況下，天線經設計以接收CDMA、GSM、AMPS或用以在無線手機網路內通信的其它已知信 號。收發器47預處理自天線43接收之信號，使得其可由處理器21接收且由處理器21進一步地操縱。收發器47亦處理自處理器21接收之信號，使得可經由天線43將其自例示性顯示裝置40傳輸。
在一替代實施例中，收發器47可由一接收器替換。在又一替代實施例中，網路介面27可由一影像源替換，該影像源可儲存或產生待發送至處理器21之影像資料。舉例而言，影像源可為數位視訊碟(DVD)或含有影像資料之硬碟機或者產生影像資料之軟體模組。
處理器21通常控制例示性顯示裝置40之總體操作。處理器21接收資料(諸如，來自網路介面27或影像源之壓縮影像資料)，且將該資料處理為原始影像資料或易於處理為原始影像資料之格式。處理器21接著將經處理之資料發送至驅動器控制器29或至圖框緩衝器28以供儲存。原始資料通常指識別一影像內每一位置處之影像特性的資訊。舉例而言，此等影像特性可包括色彩、飽和度及灰度階。
在一實施例中，處理器21包括一微控制器、CPU或邏輯單元來控制例示性顯示裝置40之操作。調節硬體52通常包括用於將信號傳輸至揚聲器45及用於自麥克風46接收信號之放大器及濾波器。調節硬體52可為例示性顯示裝置40內之離散組件，或者可被併入於處理器21或其他組件中。
驅動器控制器29直接自處理器21或自圖框緩衝器28取得由處理器21產生之原始影像資料，且適當地重新格式化該原始影像資料用於高速傳輸至陣列驅動器22。具體言之， 驅動器控制器29將原始影像資料重新格式化為具有光柵狀格式之資料流，使得其具有適合於在顯示陣列30上掃描之時間次序。接著，驅動器控制器29將經格式化之資訊發送至陣列驅動器22。雖然諸如LCD控制器之驅動器控制器29常作為單獨積體電路(IC)與系統處理器21相關聯，但可以許多方式實施此等控制器。其可作為硬體嵌入處理器21中、作為軟體嵌入處理器21中，或以硬體形式與陣列驅動器22完全整合。
通常，陣列驅動器22自驅動器控制器29接收經格式化之資訊，並將視訊資料重新格式化為一組平行之波形，該組波形每秒許多次地被施加至來自顯示器之x－y像素矩陣之數百且有時甚至數千個引線。
在一實施例中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示陣列30適合於本文中所描述之任何類型顯示器。舉例而言，在一實施例中，驅動器控制器29為習知顯示控制器或雙穩態顯示控制器(例如，干涉調變器控制器)。在另一實施例中，陣列驅動器22為習知驅動器或雙穩態顯示驅動器(例如，干涉調變器顯示器)。在一實施例中，驅動器控制器29經與陣列驅動器22整合。此實施例在諸如蜂巢式電話、手錶及其他小面積顯示器之高度整合系統中係常見的。在又一實施例中，顯示陣列30為一典型顯示陣列或一雙穩態顯示陣列(例如，一包括一干涉調變器陣列之顯示器)。
輸入裝置48允許使用者控制例示性顯示裝置40之操作。 在一實施例中，輸入裝置48包括一小鍵盤(諸如，QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、一按鈕、一開關、一觸敏螢幕或者一壓敏或熱敏膜。在一實施例中，麥克風46為例示性顯示裝置40之輸入裝置。當麥克風46用以將資料輸入至裝置時，可由使用者提供語音命令以用於控制例示性顯示裝置40之操作。
電源50可包括如此項技術中所熟知之各種各樣的能量儲存裝置。舉例而言，在一實施例中，電源50為可再充電電池，諸如，鎳鎘電池或鋰離子電池。在另一實施例中，電源50為可再生能源、電容器或太陽能電池(包括塑膠太陽能電池及太陽能電池漆)。在另一實施例中，電源50經組態以自壁式插座接收電力。
如上所述，在一些實施例中，控制可程式化性駐留於可位於電子顯示系統中之若干處的驅動器控制器中。在一些實施例中，控制可程式化性駐留於陣列驅動器22中。熟習此項技術者將認識到，上述最佳化可實施於任何數目的硬體及/或軟體組件中及各種組態中。
根據以上闡明的原理操作之干涉調變器之結構細節可廣泛地變化。舉例而言，圖7A至圖7E說明可移動反射層14及其支撐結構之五項不同的實施例。圖7A為圖1之實施例之橫截面，其中金屬材料條帶14沈積於正交延伸的支撐件18上。在圖7B中，可移動反射層14僅附著至繫栓32上之轉角處之支撐件。在圖7C中，可移動反射層14懸掛於可變形層34上，可變形層34可包含可撓性金屬。可變形層34在可 變形層34之周邊周圍直接或間接連接至基板20。此等連接在本文中被稱作支撐柱。圖7D中所說明之實施例具有支撐柱插塞42，可變形層34擱置於該等支撐柱插塞42上。可移動反射層14保持懸掛於間隙上(如圖7A至圖7C中)，但可變形層34並不藉由填充在可變形層34與光學堆疊16之間的孔洞而形成支撐柱。相反，支撐柱係由平坦化材料形成，該平坦化材料用以形成支撐柱插塞42。圖7E中所說明之實施例係基於圖7D中所展示之實施例，但亦可經調適成與圖7A至圖7C中所說明之實施例中之任何者以及未展示之額外實施例一起起作用。在圖7E中所展示之實施例中，已使用金屬或其他導電材料之一附加層形成匯流排結構44。此允許沿著干涉調變器之背部導引信號，其消除了可能否則必須形成於基板20上之眾多電極。
在諸如圖7中所示之實施例的實施例中，干涉調變器充當直觀裝置，其中自透明基板20之前側觀看影像，該側與其上配置有調變器之側相對。在此等實施例中，反射層14光學屏蔽反射層之與基板20相對的側上之干涉調變器之部分(包括可變形層34)。此允許在不消極地影響影像品質之情況下組態及操作屏蔽區。此屏蔽允許圖7E中之匯流排結構44，該結構可提供將調變器之光學性質與調變器之機電性質(諸如，定址及由該定址所導致的移動)分離的能力。此可分離之調變器架構允許用於調變器之機電態樣及光學態樣之結構設計及材料彼此獨立地選擇及起作用。此外，圖7C至圖7E中所示之實施例具有來源於反射層14之光學性 質與其機械性質解耦的額外益處，該機械性質由可變形層34實現。此允許用於反射層14之結構設計及材料關於光學性質而最佳化，及用於可變形層34之結構設計及材料關於所要的機械性質而最佳化。
在某些實施例中，藉由橫向於反射元件之反射表面安置致動電極，使可移動元件之光學性質與可移動元件之電及機械性質兩者分離。在此等實施例中，該可移動元件係回應於一施加於該致動電極與該可移動元件之間的電壓差而在一大體垂直於該基板之該頂表面的方向上移動。詳言之，可變形層34(而非反射元件14)由靜電力吸引向致動電極。反射元件14機械耦接至可變形層34，使得當可變形層34被吸引向致動電極時，反射元件14亦在一大體垂直於該基板之該頂表面的方向上移動。在某些實施例中，致動電極與可移動元件之間的電壓差之施加引起可變形層34之位移及與可變形層34之位移平行的反射元件14之反射表面之位移。
圖8A說明一MEMS裝置800(例如，一干涉調變器)之實例實施例之俯視圖，其中可移動元件810之光學性質與可移動元件810之電及機械性質分遠離。圖9A至圖9H描繪圖8A之MEMS裝置800的實例實施例之橫截面。當MEMS裝置800處於未致動(或"鬆弛")狀態下時，圖9A為沿著線A－A截取的橫截面，及圖9C為沿著線C－C截取的橫截面。圖9B及圖9D分別描繪當MEMS裝置800處於致動狀態下時沿著線A－A及C－C之橫截面。當MEMS裝置800處於未致動狀態下 時，圖9E為沿著線E－E截取的橫截面，及圖9G為沿著線G－G截取的橫截面。圖9F及圖9H分別描繪當MEMS裝置800處於致動狀態下時沿著線E－E及G－G之橫截面。
MEMS裝置800包含一具有一頂表面88之基板20及一在基板20上之可移動元件810。可移動元件810包含一可變形層34及一機械耦接至該可變形層34且包括一反射表面92之反射元件814。MEMS裝置800進一步包含一橫向於反射表面92安置之致動電極82。可移動元件810係回應於一施加於致動電極82與可移動元件810之間的電壓差而在一大體垂直於基板20之頂表面88的方向上移動。
在某些實施例中，MEMS裝置800可用以藉由將一電壓施加至致動電極82來調變光(例如，用以干涉調變光)。電壓在可移動元件810上產生吸引力，其使可移動元件810朝向致動電極82移動。
基板20可包含至少部分透明或半透明且至少部分反射之材料，其實例包括(但不限於)玻璃或塑膠。基板20亦可經製造成各種各樣的形式，包括(但不限於)均質物質或非均質物質，或具有均勻厚度或非均勻厚度。基板20亦可具有若干子層、一較短擴張區或區域或多個擴張區或區域。在某些實施例中，基板20包括如上所述之一光學堆疊16。舉例而言，基板20可經與第一反射層94、黑光罩(未圖示)或其他層或結構整合。
如本文中所使用，短語"基板之頂表面"為廣泛性短語，其包括(但不限於)在反射元件814之反射表面92下的結構之 最上部表面。舉例而言且不受限制，基板20之頂表面88可為：基板20之頂表面自身、絕緣層86之頂表面、絕緣層87之頂表面(例如，如圖10C、圖10D、圖11C及圖11D中所說明)、第一反射層94之頂表面(例如，如圖9C、圖9D、圖9G及圖9H中所說明)或黑光罩之頂表面。在某些實施例中，基板20之頂表面88為一或多個絕緣結構(例如，安置於致動電極82及/或第一反射層94上之絕緣或導電凸塊)之頂表面。
可變形層34較佳地包含一導電且可撓性材料(例如，鎳)。在一些實施例中，可變形層34在成列的MEMS裝置800上延伸(例如，如圖8B中所描繪)，且一列MEMS裝置800之可變形層34與其他列MEMS裝置800之可變形層34電隔離，使得實現上述致動協定。在一些實施例中，可變形層34在成行的MEMS裝置800上延伸，且一行MEMS裝置800之可變形層34與其他行MEMS裝置800之可變形層34電隔離，使得實現上述致動協定。反射元件814之反射表面92較佳地包含一諸如鋁之反射材料，但反射元件814不必須具有任何特定電性質。如本文中所使用，術語"反射表面"為一廣泛性術語，其包括(但不限於)反射元件814之經組態以反射光之部分。在圖9A至圖9H中所說明之實施例中，可移動元件810包含一反射元件814，其機械耦接至可變形層34之頂表面。其他組態亦係可能的(例如，圖10A至圖11D中所說明之實施例)。
在某些實施例中，可移動元件810包含一或多個連接元 件84，且反射元件814藉由一或多個連接元件84機械耦接至可變形層34。在一些實施例中，連接元件84包含至少一突起，其自反射元件814延伸且機械耦接至可變形層34(例如，如圖8A中所描繪)。連接元件84較佳地包含一具有合適機械性質之材料，但連接元件84不必須具有任何特定光學及/或電性質。舉例而言，某些實施例之連接元件84包含一具有類似於反射元件814之主體的內應力及/或熱膨脹係數之內應力及/或熱膨脹係數之材料。在某些實施例中，連接元件84包含一可熔合至反射元件814及可變形層34之材料的材料。在某些實施例中，一鋁層包含連接元件84及反射元件814之反射表面92。
在一些實施例中，可變形層34由柱18支撐。柱18較佳地包含氧化物(例如，SiO2 )，但可包含任一合適的剛性材料。雖然圖9A至圖9H中所說明之可變形層34由柱18按如在圖7A及圖7D之可變形層34中之類似方式支撐，但應瞭解，可變形層34之組態可對應圖7B、圖7C及圖7E中所說明之實施例或其他組態。
致動電極82由圖8A及圖8B中之虛線說明，以指示在一些實施例中致動電極82之至少一部分處於可變形層34之至少一部分下(例如，如圖9A至圖9H之橫截面中所說明)。在某些實施例中，MEMS裝置800包含複數個致動電極82(例如，致動電極82中之每一者之至少一部分在可變形層34之至少一部分下)。致動電極82較佳地由絕緣層86、87(例如，包含SiO2 )覆蓋(例如，密封於其中)，使得致動電極82 與可移動元件810及第一反射層94絕緣。絕緣層86、87可包含相同材料(例如，SiO2 )或不同材料(例如，SiO2 及Al2 O3 )。致動電極82可連接於MEMS裝置800之行間(例如，如圖8B中所描繪)或MEMS裝置800之列間，使得實現上述致動協定。
致動電極82經橫向於反射元件814之反射表面92予以安置，因此致動電極82可有利地包含一不透明導體而非諸如上述ITO之透明導體。此外，使用不透明致動電極82允許使用具有比透明導體低的電阻之材料形成致動電極82，藉此減少電力消耗及回應時間τ。舉例而言，致動電極82可包含鎳、鋁、銅、銀、金及其合金。此外，藉由橫向於反射表面92安置致動電極82，在某些實施例中，與將透明導體安置於光徑中之實施例相比，可有利地提供更好的對比率。
諸如ITO之某些透明導體對高溫製程敏感，使得在形成致動電極902後，MEMS裝置之最大處理溫度受到限制。舉例而言，在大約350℃及更高之溫度下，ITO降級，此增加了包含ITO的致動電極之電阻率。因此，通常不對包含ITO之結構執行某些製程(例如，大於350℃之化學氣相沈積(CVD))。然而，包含橫向於反射表面92安置之致動電極82的MEMS裝置可具有一包含各種各樣的可承受高溫處理之導體之致動電極82，其增加了MEMS裝置800之組件的處理靈活性。舉例而言，可在高溫下執行某些沈積(例如，支撐結構18之沈積)。對於另一實例，某些沈積製程 可為CVD而非物理氣相沈積(PVD)(例如，濺鍍)，此可增強沈積保形性及均勻性。
在光徑中的致動電極之厚度受到限制，以便避免不利地影響MEMS裝置之光學性質，但橫向於反射表面92安置之致動電極82可具有各種各樣的厚度，因為其不處於光徑中。舉例而言，增加致動電極之厚度可有利地增加導電率，藉此減少回應時間及/或MEMS裝置之電力消耗。此外，厚致動電極82致能替代沈積方法(例如，塗佈、噴墨印刷、可列印導體)之使用，其可降低製造成本。
再次參看圖8A，反射元件814之反射表面92經橫向於致動電極82予以安置。與以上關於圖7A至圖7E描述之MEMS裝置相對比，可移動元件810之經歷歸因於靜電力的電吸引之部分不調變光。在一些實施例中，在MEMS裝置800之可移動元件810經歷電吸引之部分中，將一黑光罩(未圖示)安置於基板20上(例如，基板20與致動電極82之間)，以防止不良的光調變。在一些實施例中，在不由反射元件814覆蓋之區中(例如，在支撐結構18下，在致動電極82與反射表面92之間)，將一黑光罩(未圖示)安置於基板20上，例如，以使不調變光的區之反射比最小化，藉此改良對比率。
如上所述，可變形層34包含一可撓性材料，其可由靜電力吸引向致動電極82。因此，當將一電壓施加至致動電極82時，靜電力將可變形層34吸引向致動電極82，在該說明之實施例中，其亦朝向基板20。回應於吸引力，可變形層 34之不由柱18支撐的部分在箭頭96(例如，如在圖9B、圖9D、圖9F及圖9G中所描繪)之方向上偏轉。反射元件814機械耦接至可變形層34，因此其回應於施加至致動電極82之電壓亦在箭頭96之方向上移動。因此，可移動元件810在大體垂直於基板20之頂表面88的方向上移動。
圖8B說明圖8A之MEMS裝置800之3×3陣列。可變形層34自左至右連接成列且致動電極82自頂部至底部連接成行，使得實現上述致動協定。在某些實施例中，致動電極82自左至右連接成列且可變形層34自頂部至底部連接成行。在一些實施例中，支撐結構18支撐複數個MEMS裝置800之可變形層34(例如，如在頂部列與中間列之間所說明)。在一些實施例中，支撐結構18支撐一MEMS裝置800之可變形層34(例如，如在中間列與底部列之間所說明)。在一些實施例中，在MEMS裝置800之列之間延伸的致動電極82之一部分大體上僅處於可變形層34下(例如，如在頂部列與中間列之間所說明)。在一些實施例中，在MEMS裝置800之列之間延伸的致動電極82之一部分大體上處於可變形層34及可變形層34之間的區下(例如，如在中間列與底部列之間所說明)。
在圖9A至圖9H中說明之實施例中，反射元件814機械耦接至可變形層34之頂表面。然而，其他耦接方法亦係可能的。
當MEMS裝置800處於未致動狀態下時，圖10A為MEMS裝置800之另一實例實施例之橫截面，諸如，沿著圖8A之 線A－A截取，及圖10C為諸如沿著圖8A之線C－C截取之橫截面。圖10B及圖10D分別描繪當MEMS裝置800處於致動狀態下時沿著線A－A及C－C之橫截面。在圖8A中所說明之平面圖中，連接元件84重疊可變形層34。然而，在圖10A至圖10D中所說明之實施例中，反射元件814之一邊緣或側經由鄰接但不重疊可變形層34之一連接元件84機械耦接至可變形層34之一邊緣或側。圖10B中之虛線說明可變形層34與可變形層34後之連接元件84之間的接觸區。其他實施例亦係可能的。舉例而言，連接元件84之複數個側可鄰接可變形層34之複數個側。可移動元件810經組態使得當MEMS裝置800處於致動狀態下時，反射元件814之反射表面92不接觸基板20之頂表面88(例如，如在圖10D中所描繪)。舉例而言，反射元件814可比可變形層34薄，使得可變形層34接觸基板20之頂表面88，而反射表面92卻不接觸(例如，如在圖10C及圖10D中所描繪)，或者可變形層34可經特殊成形(例如，具有垂直升高部分)以避免反射表面92與基板20之頂表面88之間的接觸。基於圖10A至圖10D及圖9A至圖9H之橫截面，對於熟習此項技術者而言，諸如沿著圖8A之線E－E及G－G截取之橫截面將顯而易見。
當MEMS裝置800處於未致動狀態下時，圖11A為沿著MEMS裝置800之另一實例實施例之圖8A之線A－A截取的橫截面，及圖11C為沿著線C－C截取之橫截面。圖11B及圖11D分別描繪當MEMS裝置800處於致動狀態下時沿著線A－A及C－C之橫截面。基於圖9E至圖9H之橫截面，對於熟習 此項技術者而言，沿著線E－E及G－G之橫截面將顯而易見。反射元件814機械耦接至可變形層34之底表面。然而，可移動元件810經組態使得當MEMS裝置800處於致動狀態下時反射元件814之反射表面92不接觸基板20之頂表面88。舉例而言，可變形層34可包括耦接至反射元件814的垂直升高部分1102(如在圖11A及圖11B中所說明)。其他組態亦係可能的。
圖9A至圖9H之MEMS裝置800之可變形層34經組態使得當MEMS裝置800處於致動狀態下時其接觸MEMS裝置800之固定部分(例如，基板20之頂表面88、絕緣層87之頂表面)。然而，如在圖9C、圖9D、圖9G及圖9H中所說明，反射元件814之反射表面92分別地在鬆弛或致動狀態下不接觸基板20之頂表面88。反射元件814之反射表面92與基板20之頂表面88之間的距離比可變形層34與基板20之頂表面88之間的距離大。可移動元件810之反射表面92不接觸基板20之頂表面88的實施例有利地提供減小的歸因於可變形層34與基板20之頂表面88之間的較小機械接觸區之靜摩擦之危險。減小之靜摩擦危險允許將較低彈簧常數用於可變形層34，因為機械力僅克服在致動狀態下之可變形層34與固定部分之間的小接觸區之黏著力(例如，以鬆弛MEMS裝置800)。用於可變形層34之較低彈簧常數之使用允許在鬆弛狀態下將較少量的靜電力用以克服機械力(例如，以致動MEMS裝置800)。用於MEMS裝置800之致動的較少量靜電力允許使用較小電容器。因此，某些此等實施例致能 MEMS裝置800之快速且低電力操作，即使對於大反射元件814，因為歸因於致動電極82與可變形層34之重疊區的MEMS裝置800之電容比可移動元件810之較大部分與致動電極82相互作用以產生靜電吸引力之實施例小。此外，反射元件814之尺寸有利地與機械及電氣元件(例如，可變形層34及致動電極82)之尺寸無關，因為反射元件814不接觸基板20之頂表面88，且反射元件814並不在致動後由靜電力操作性地吸引。此外，反射元件814之反射表面92可為平滑且平坦的，因為當反射表面92在MEMS裝置800之致動或未致動狀態下不接觸基板20之頂表面88時，大大地減小了靜摩擦危險。較平滑且較平坦之反射表面92可有利地改良色域。
在反射表面92及頂表面88平坦(例如，以增強色域)之實施例中，表面之間的靜摩擦可不利地影響其接觸的MEMS裝置之操作。諸如表面粗糙化及抗靜摩擦層之某些特徵可用以減小此靜摩擦，但彼等特徵可不利地影響MEMS裝置之光學效能。然而，在可變形層34接觸固定部分(例如，如在圖9B及圖9D中所描繪)之實施例中，橫向於反射表面92安置之致動電極82允許不在光徑中的可變形層34之下表面及/或固定部分之上表面經調適以減小靜摩擦，而不影響光學效能。舉例而言，表面之表面構形可經粗糙化以減少接觸點之數目，或者一抗靜摩擦層可形成於其間。
反射元件814與第一反射層94較佳地處於相同電位下，以便減小可引起發弧之任何靜電力或電場。在某些實施例 中，反射元件814與第一反射層94經由可變形層34電通信，使得其處於相同電位下。在某些實施例中，反射元件814與可變形層34絕緣(例如，使用一介電連接元件84)，且第一反射層94亦絕緣，使得其處於相同電位下。
可變形層34與基板20之頂表面88之間的距離比反射元件814之反射表面92與基板20之頂表面88之間的距離大之實施例亦係可能的。圖12A至圖12C分別說明類似於圖9D、圖10D及圖11D之實施例，除了當MEMS裝置800處於致動狀態下時反射元件814之反射表面92接觸基板20之頂表面88之外。在某些實施例中，反射表面92與基板20之頂表面88之間的接觸允許將MEMS裝置800用於MEMS裝置800理想地產生低反射率(亦即，較暗)黑之應用中。若基板20之頂表面88包含一具有約90 nm與110 nm之間(例如，約100 nm)的厚度之絕緣層87，則當反射表面92正觸碰基板20之頂表面88時，MEMS裝置800可產生低反射率黑。在某些實施例中，反射表面92與基板20之頂表面88之間的接觸允許將MEMS裝置800用於MEMS裝置800理想地產生高反射率寬頻白之應用中。若基板20之頂表面88包含第一反射層94(例如，不具有絕緣層87或具有一具有小於約100之厚度的絕緣層87)，則當反射表面92正觸碰第一反射層94或距第一反射層94間隔小於約100(例如，藉由觸碰具有小於約100之厚度的絕緣層87)時，MEMS裝置800可產生高反射率寬頻白。在某些此等實施例中，反射元件814及第一反射層94處於相同電位下以便減小發弧之機會。在某些 實施例中，此接觸可簡化MEMS裝置800之製造。
在基板20之頂表面88包含第一反射層94且反射表面92距基板20之頂表面88間隔小於約100或處於約90 nm與110 nm之間(例如，約100 nm)之實施例中，亦可使用圖9D、圖10D及圖11D中所說明之MEMS裝置來產生低反射率黑及高反射率寬頻白。
在圖8A之實施例中，反射元件814具有複數個邊緣(例如，四個邊緣)且在反射元件814之邊緣中之每一者處藉由至少一連接元件84(例如，四個連接元件84，一個連接元件84用於四個邊緣中之每一者)機械耦接至可變形層34。圖13A、圖13B及圖13D說明MEMS裝置800之額外實例實施例，其中致動電極82經橫向於反射元件814之反射表面92予以安置。在圖13A中，MEMS裝置800在反射元件814之每一邊緣上包含複數個連接元件84(例如，兩個)，且該複數個連接元件84將反射元件814機械耦接至可變形層34。
在圖13B中，MEMS裝置800包含一對連接元件84，每一者將反射元件814之一側機械耦接至可變形層34。此外，在圖13B之實施例中，MEMS裝置800包含一致動電極82，其至少一部分處於可變形層34之至少一部分下。在此等實施例中，連接元件84經較佳地組態使得反射元件814大體上平行於基板20之頂表面88(例如，藉由將第一連接元件84機械耦接至反射元件814之第一邊緣且將第二連接元件84機械耦接至反射元件814之大體上與第一邊緣相對的第 二邊緣)。此等實施例亦可致能較大"填充因數"(亦即，反射表面92之有效面積對MEMS裝置800之總面積)，因為在MEMS裝置800陣列中的相鄰MEMS裝置800之反射元件814可經置放而在每一列上相互緊密接近。
圖13C說明圖13B之MEMS裝置800之3×3陣列。可變形層34自左至右連接成列且致動電極82自頂部至底部連接成行，使得實現上述致動協定。然而，每一MEMS裝置800之致動電極82僅在行方向上之一單一側上，使得一行致動電極82形成一E狀結構。當在反射元件814之一側上將致動電極82連接成列時，先前用以在反射元件814之另一側上連接致動電極82(例如，如在圖8B中所說明)之空間可用於鄰近MEMS裝置800之反射元件814。圖13C之陣列中的MEMS裝置800因此比圖13B之陣列及圖13C之陣列中的MEMS裝置800緊緊地在一起，藉此圖13C之陣列具有比圖8B之陣列高的填充因數。
在圖8A中所說明之MEMS裝置800中，反射表面92沿著大體平行於基板20之頂表面88的方向與可變形層34相間隔開。圖13D說明MEMS裝置800之另一實施例，其中反射表面92沿著大體平行於基板20之頂表面88的方向與可變形層34相間隔開，但反射元件814在可變形層34上延伸。複數個連接元件84包含將可變形層34與可反射元件814相間隔開之垂直元件(在反射元件814下之接觸點處說明為虛點線)。最接近柱的反射元件之部分(例如，在圖13D中說明的反射元件814之拐角)經成形，使得在MEMS裝置800之致 動後，反射元件814不接觸可變形層34。在某些實施例中，較之反射元件814之與可變形層34橫向相間隔開更遠的反射表面92(例如，如在圖8A、圖13A及圖13B中所展示)，藉由更靠近可變形層34或在可變形層34上更遠地橫向延伸反射元件814，圖13D之反射元件814之反射表面92具有更大的面積。其他組態亦係可能的。
圖14A至圖14H說明製造類似於在圖9A至圖9H中描繪之MEMS裝置800的MEMS裝置800之實例方法。然而，並非在一列MEMS裝置800上延伸(例如，如在圖8B中所說明)，第一反射層94僅大體上定位於反射元件814之反射表面92下。當第一反射層94不必須接地、可在每一MEMS裝置800內接地等等時，此等實施例可係有利的。另外，圖14A至圖14H中描繪之絕緣層86未自光徑移除，此可降低製造複雜性(例如，藉由移除圖案化步驟)。圖14A至圖14H之左側為沿著圖8A之線A－A的橫截面(例如，類似於圖9A)，及圖14A至圖14H之右側為沿著圖8A之線C－C的橫截面(例如，類似於圖9C)。
圖14A說明一包含一基板20之結構140，在該基板20上已形成一第一反射層94。如上所述，第一反射層94可經整合於基板20中之光學堆疊中。第一反射層94經安置於正由MEMS裝置800調變之光的光徑中，且不必須形成於不處於光徑中之區域中，例如，在柱18或致動電極82下(例如，如在圖14A至圖14H中所描繪)。在某些此等實施例中，第一反射層94可處於與致動電極82相同的平面中(例 如，如在圖14B中所描繪)。
圖14B說明在致動電極82已經形成於基板20上後之結構140。如在圖8B及圖13C上所說明，致動電極82可形成於反射元件814之反射表面92周圍的條帶中。在一些實施例中，第一反射層94形成於致動電極82後。第一反射層94與致動電極82可具有不同厚度。圖14C說明在第一反射層94及致動電極82由絕緣體86覆蓋(例如，密封)後的結構140。在某些實施例中，當MEMS裝置800處於致動狀態下時，絕緣體86提供可變形層34與致動電極82之間的電隔離。使可變形層34與致動電極82絕緣之其他實施例亦係可能的。在某些實施例中，絕緣體86包含形成於可變形層34與致動電極82之間的一或多個層，其可用以有利地使接觸點之形狀及表面能量最佳化及/或使可變形層34與可變形層34下之層之間的靜摩擦最小化。舉例而言，在某些實施例中，致動電極82與可變形層34之間的絕緣體86之上表面經粗糙化以減小在與可變形層34接觸後之靜摩擦。在某些實施例中，將絕緣體86之頂表面界定為基板20之頂表面88。
圖14D說明在已形成柱18後之結構140。如上所述，在某些實施例中，柱18將可變形層34機械耦接至基板20，且可具有各種各樣的組態(例如，如在圖7B、圖7C及圖7E中所描繪)。在某些實施例中，一黑光罩(未圖示)形成於柱18下且可經與基板整合在一起。
圖14E說明在一犧牲層142已形成於致動電極82及絕緣體86上後之結構140。舉例而言，犧牲層142可包含鉬、光阻 劑、多晶矽或其他合適材料。在某些實施例中，犧牲層142之厚度判定可變形層34與MEMS裝置800之固定部分之間的距離及/或反射元件814之反射表面92與基板20之頂表面88之間的距離。在一些實施例中，圖案化犧牲層142以為沈積形成可變形層34之材料作準備。
圖14F說明在可變形層34已形成於犧牲層142上後之結構140。類似於圖8A，圖14F中所說明之實施例的可變形層34包含在柱18間延伸的一或多個部分。圖14G說明在反射元件814已形成於犧牲層142上後之結構140。反射元件814由連接元件84機械耦接至可變形層34。在某些實施例中，連接元件84與反射表面92及反射元件814同時形成(例如，藉由沈積一單一鋁層)。在某些替代實施例中，連接元件84與反射表面92及/或反射元件814分開形成。反射元件814包括一反射表面92。反射表面92經橫向於致動電極82及可變形層34予以安置。在一些實施例中，犧牲層142經圖案化，使得反射元件814之反射表面92經相對於可變形層34定位以避免當MEMS裝置800處於致動狀態下時接觸基板20之頂表面88。在一些實施例中，藉由在平滑且平坦之犧牲層142上(例如，在光阻劑或經拋光之鉬上)形成反射元件814，使反射表面92平滑且平坦。圖14H說明在已移除犧牲層142(例如，在犧牲層142包含鉬之實施例中，用XeF2 蝕刻)後之結構140，其形成具有一可移動元件810之MEMS裝置800。
圖15A至圖15H說明製造類似於在圖9A至圖9H中描繪之 MEMS裝置800的MEMS裝置800之另一實例方法。如圖8B中所說明，第一反射層94在複數個MEMS裝置800上延伸。此等實施例可有利地在數個點處將複數個MEMS裝置800之第一反射層94接地。圖15A至圖15H每一者展示在製造過程中之相同時間點時的四個橫截面。自頂部至底部，第一橫截面("A")係沿著圖8A之線A－A(例如，類似於圖9A)，第二橫截面("C")係沿著線C－C(例如，類似於圖9C)，第三橫截面("E")係沿著線E－E(例如，類似於圖9E)，第四橫截面("G")係沿著線G－G(例如，類似於圖9G)。
圖15A說明一包含一基板20之結構150，在該基板20上已形成一第一反射層94及一第一絕緣層86。如上所述，第一反射層94可經整合於基板20中之光學堆疊中。第一反射層94經安置於正由MEMS裝置800調變之光的光徑中，且不必須形成於不處於光徑中之區域中，例如，在柱18或致動電極82下。然而，在某些實施例(例如，如在圖15A至圖15H中所描繪)中，第一反射層94沿著與可變形層34相同的方向形成於連續條帶中(例如，一列中)。在某些此等實施例中，第一反射層94與彼列之可變形層34電通信。在第一反射層94之形成後，絕緣層86(例如，包含SiO2 或Al2 O3 )可經沈積以將第一反射層94與致動電極82絕緣，舉例而言，該等致動電極82在行中電通信。如在C－C及G－G橫截面中可見，絕緣層86在光徑中之部分已經移除。在替代實施例中，絕緣層86在光徑中之部分可保留或可藉由稍後步驟加以移除。
圖15B說明在致動電極82已經形成於基板20上(例如，在絕緣層86上)後之結構150。如上在圖8B中所說明，致動電極82可形成於反射元件814之反射表面92周圍的條帶中。
在某些實施例中，MEMS裝置800之致動電極82與第一反射層94重疊的一部分可包含一黑光罩152。在某些此等實施例中，視絕緣體86之折射率而定，絕緣層96之厚度較佳地處於約90 nm與110 nm之間(例如，約100 nm)厚，使得進入黑光罩152之光由使用者看到為黑。若絕緣層86太薄，則可能存在寄生電容器之形成及/或電擊穿之危險。若絕緣層86太厚，則光罩152可能被看作為彩色而非黑色，從而降低了對比度。舉例而言，在絕緣體86包含SiO2 之一些實施例中，絕緣體86之厚度處於約280 nm與300 nm之間(例如，約290 nm)以產生二階藍。在空氣佔據第一反射層94與致動電極82之間的黑光罩152之一些實施例中，空氣之厚度處於約400 nm與500 nm之間(例如，約440 nm)以產生二階藍。在SiO2 佔據第一反射層94與致動電極82之間的黑光罩152之一些實施例中，SiO2 之厚度處於約250 nm與350 nm之間(例如，約280 nm與330 nm之間)以產生二階藍。
圖15C說明在致動電極82由絕緣體87覆蓋(例如，密封)後的結構150。在某些實施例中，當MEMS裝置800處於致動狀態下時，絕緣體87提供致動電極82與可變形層34之間的電隔離。使可變形層34與致動電極82絕緣之其他實施例亦係可能的。在某些實施例中，絕緣體87包含形成於可變 形層34與致動電極82之間的一或多個層，其可有利地用以使接觸點之形狀及表面能量最佳化及/或使可變形層34與可變形層34下之層之間的靜摩擦最小化。舉例而言，在某些實施例中，致動電極82與可變形層34之間的絕緣體87之上表面經粗糙化以減小在與可變形層34接觸後之靜摩擦。在圖15C中所說明之實施例中，在絕緣層87之圖案化期間，一至第一反射層94之開口形成於光徑中。在一些實施例中，例如，在絕緣層86、87包含相同材料之實施例中，在絕緣層87之圖案化期間形成絕緣層86中之開口。在某些實施例中，將第一反射層94之頂表面界定為基板20之頂表面88。在某些實施例中，將絕緣層87之頂表面界定為MEMS裝置800之固定部分。
在某些實施例中，絕緣層86、87經形成使得其不處於光徑中，此可減少反射表面之數目，且此可允許反射表面92與頂表面88之間的額外間隔。自光徑移除絕緣體86、87亦允許絕緣體86厚，而不會不利地影響光學效能，藉此改良電擊穿強度且減小第一反射層94與致動電極82之間的寄生電容。
圖15D說明在已形成柱18後之結構150。如上所述，在某些實施例中，柱18將可變形層34機械耦接至基板20，且可具有各種各樣的組態(例如，如在圖7B、圖7C及圖7E中所描繪)。在某些實施例中，一黑光罩形成於柱18下(例如，處於致動電極82與第一反射層94之間的黑光罩152)，且可經與基板20整合。
圖15E說明在一犧牲層142已形成於致動電極82、絕緣體87及第一反射層94上後之結構150。舉例而言，犧牲層142可包含鉬、光阻劑、多晶矽或其他合適材料。在某些實施例中，犧牲層142之厚度判定可變形層34與MEMS裝置800之固定部分之間的距離及/或反射元件814之反射表面92與基板20之頂表面88之間的距離。在一些實施例中，圖案化犧牲層142以為沈積形成可變形層34之材料作準備。
圖15F說明在可變形層34已形成於犧牲層142上後之結構150。類似於圖8A，圖15F中所說明之實施例的可變形層34包含在柱18間延伸的一或多個部分。圖15G說明在反射元件814已形成於犧牲層142上後之結構150。反射元件814由連接元件84機械耦接至可變形層34。在某些實施例中，連接元件84與反射表面92及反射元件814同時形成(例如，藉由沈積一單一鋁層)。在某些替代實施例中，連接元件84與反射表面92及/或反射元件814分開形成。反射元件814包括一反射表面92。反射表面92經橫向於致動電極82及可變形層34予以安置。在一些實施例中，犧牲層142經圖案化，使得反射元件814之反射表面92經相對於可變形層34定位以避免當MEMS裝置800處於致動狀態下時接觸基板20之頂表面88。在一些實施例中，藉由在平滑且平坦之犧牲層142上(例如，在光阻劑或經拋光之鉬上)形成反射元件814，使反射表面92平滑且平坦。圖15H說明在已移除犧牲層142(例如，在犧牲層142包含鉬之實施例中，用XeF2 蝕刻)後之結構140，其形成具有一可移動元件810之MEMS裝 置800。應瞭解，自頂部至底部，所描繪之MEMS裝置800分別對應圖9A、圖9C、圖9E及圖9G之橫截面。
在某些實施例中，可使用如上所述之步驟集合類似之步驟集合藉由適當修改(例如，不同沈積厚度、不同圖案化光罩等)以達成所欲之組態，來形成圖10A至圖13B及圖13C中所說明之MEMS裝置800以及致動電極82經橫向於反射元件814之反射表面92安置之其他MEMS裝置。
圖16A至圖16H2描繪圖8A之MEMS裝置800的另一實例實施例之橫截面，其包括第二致動電極164。當MEMS裝置800處於未致動(或"鬆弛")狀態下時，圖16A為沿著線A－A截取之橫截面，及圖16C為沿著線C－C截取之橫截面。圖16B1及圖16D1分別描繪當MEMS裝置800處於第一致動狀態下時沿著線A－A及C－C之橫截面。圖16B2及圖16D2分別描繪當MEMS裝置800處於第二致動狀態下時沿著線A－A及C－C之橫截面。當MEMS裝置800處於未致動狀態下時，圖16E為沿著線E－E截取的橫截面，及圖16G為沿著線G－G截取的橫截面。圖16F1及圖16H1分別描繪當MEMS裝置800處於第一致動狀態下時沿著線E－E及G－G之橫截面。圖16F2及圖16H2分別描繪當MEMS裝置800處於第二致動狀態下時沿著線E－E及G－G之橫截面。
如上所述(例如，如在圖16B1、圖16D1、圖16F1及圖16H1中所說明)，可移動元件810係回應於施加至可變形層34與反射元件82之間的致動電極82之電壓而大體在一第一方向上移動。可移動元件810係進一步回應於施加至第二 致動電極164之電壓而大體在一第二方向上移動。在某些實施例中，第二方向大體上與第一方向相反(例如，如在圖16B2、圖16D2、圖16F2及圖16H2中所說明)。MEMS裝置800因此能夠穩定地產生至少三個色彩：在鬆弛狀態下之第一色彩、在第一方向上的在致動狀態下之第二色彩及在第二方向上的在致動狀態下之第三色彩。
在圖16A、圖16C、圖16E及圖16H中所說明之實施例中，第二致動電極164處於可移動元件810上。MEMS裝置800進一步包含一支撐結構18a，其支撐第二致動電極164及一可選的絕緣層162。在某些實施例中，支撐結構18a形成於彼反射元件814之與支撐結構18相對的側上。
當將電壓施加至第二致動電極164時，靜電力作用於可移動元件810上。回應於吸引力，可變形層34在箭頭168(例如，如圖16B2、圖16D2、圖16F2及圖16G2中所描繪)之方向上朝向第二致動電極164彎曲。反射元件814機械耦接至可變形層34，因此其回應於施加至第二致動電極164之電壓亦在箭頭168之方向上移動。因此，可移動元件810在大體垂直於基板20之頂表面88的方向上移動。
MEMS裝置800之固定部分充當可移動元件810之移動的擋止件。在某些實施例中，絕緣層162包含固定部分(例如，如在圖16H2中所說明)。在某些實施例中，第二致動電極164包含固定部分。在某些此等實施例中，形成於反射元件814之上表面上的一絕緣層(未圖示)使可移動元件810與第二致動電極164絕緣。
第二致動電極164經定位於反射元件814之反射表面92上，使得第二致動電極164不處於MEMS裝置之光徑中。因此，第二致動電極164可包含一透明及/或不透明的導電材料。致動電極包含一不透明的導電材料之實施例(例如)對於上述電性質可為有利的。
圖15A至圖15G及圖17A至圖17F描繪製造圖16A至圖16H2之MEMS裝置800的一方法之一實例實施例。在於圖15G中反射元件814已形成於犧牲層142上後，支撐結構18a形成於可變形層34上(例如，如在圖17A中所說明)。
圖17B說明在第二犧牲層1702(例如，包含鉬)已形成於可變形層34上後的圖17A之MEMS結構1700。第二犧牲層1702將可變形層34與第二致動電極164相間隔開。第二犧牲層1702可包含與第一犧牲層142相同的材料或與第一犧牲層142不同的材料。在某些實施例中，第二犧牲層1702之厚度影響在致動狀態下的MEMS裝置800之色彩。
圖17C說明在一絕緣層162(例如，包含SiO2 )已形成於第二犧牲層1702上後的圖17B之MEMS結構1700。在某些實施例中，在第二犧牲層1702之形成前，使一絕緣層形成於反射元件814之上表面上。在所說明之實施例中，支撐結構18a形成於第二犧牲層1702前。在某些實施例中，在形成絕緣層162(例如，藉由沈積SiO2 且圖案化SiO2 )的同時形成支撐結構18a。
圖17D說明在第二致動電極164(例如，包含鎳、鋁、銅、銀、金、其合金)已形成於絕緣層162上後的圖17C之 MEMS結構1700。在某些實施例中，第二致動電極164及絕緣層162包含至少一孔隙以允許犧牲層142、1702之較容易的蝕刻。
圖17E說明在一可選絕緣層166(例如，包含SiO2 、聚醯亞胺)已形成於第二致動電極164上後的圖17D之MEMS結構1700。絕緣層166可用以使包含MEMS裝置800之顯示器中的組件與第二致動電極164絕緣。
圖17F說明在已移除第一及第二犧牲層142、1702後的圖17E之MEMS結構1700，其產生圖16A、圖16C、圖16E及圖16G之MEMS裝置800。在犧牲層142、1702每一者包含鉬之實施例中，可(例如)藉由用XeF2 蝕刻而將其移除。在一犧牲層包含光阻劑之實施例中，可(例如)藉由灰化(例如，藉由用O2 及/或H2 O蝕刻)來將其移除。反射元件814中之一或多個孔隙可用以幫助蝕刻劑移除在反射元件814下之第一犧牲層142。絕緣層162及第二致動電極164中之一或多個孔隙可用以幫助蝕刻劑移除在第二致動電極164下之第二犧牲層1702。在移除了犧牲層142、1702後，可移動元件810可回應於施加至致動電極82、164之電壓而移動。
在致動電極82經橫向於反射元件814之反射表面92安置的某些實施例中，反射表面92面向基板20且遠離基板20，且MEMS裝置800可由使用者自可移動元件810之與基板20相對的側觀看。在一些實施例中，第一反射層94形成於可移動元件810下。在某些此等實施例中，可移動元件810包 含一部分反射且部分透射材料，且第一反射層94包含一完全反射材料。在一些實施例中，第一反射層94形成於可移動元件810上。在某些此等實施例中，可移動元件810包含一完全反射材料，且第一反射層94包含一部分反射且部分透射材料。
在一些實施例中，致動電極82經橫向於反射元件814之反射表面92安置且經定位於可移動元件810上。可移動元件810朝向致動電極82且在遠離基板20之方向中被吸引。可移動元件810經在鬆弛狀態下最接近(例如，接觸)基板20之頂表面88定位，且在致動後在大體垂直於基板20之頂表面88的方向上移動。在致動電極82經定位於可移動元件810上之一些實施例中，第一反射層94形成於可移動元件810上。在致動電極82經定位於可移動元件810上之一些替代實施例中，可移動元件810包含一完全反射材料，且第一反射層94包含一部分反射且部分透射材料。
在MEMS裝置800之致動使反射元件814遠離基板20移動之某些實施例中，可變形層34可經組態使得可移動元件810在鬆弛狀態下負"發射"(例如，朝向基板20)。舉例而言，可變形層34與支撐結構18之間的殘餘應力可經設計使得在犧牲層之移除後可變形層34向下偏轉。
在致動電極82經定位於可移動元件810上之一些實施例中，MEMS裝置800可由使用者經由基板20觀看。在可移動元件810在鬆弛狀態下負發射之某些此等實施例中，鬆弛狀態可經組態以產生高反射率寬頻白(例如，藉由使可 移動元件810之反射表面92觸碰基板20之頂表面88或與第一反射層94之間隔小於約100)、低反射率黑(例如，藉由使可移動元件810之反射表面92與第一反射層94間隔約100 nm)、灰(例如，藉由使可移動元件810之反射表面92與第一反射層94間隔約100與100 nm之間)或彩色(例如，黃、紅、藍等)。在一些實施例中，可移動元件810包含一部分反射且部分透射材料，且第一反射層94包含一完全反射材料。
在致動電極82經定位於可移動元件810上之一些替代實施例中，MEMS裝置800可由使用者自可移動元件810之與基板20相對的側觀看。在可移動元件810在鬆弛狀態下負發射之某些此等實施例中，鬆弛狀態可經組態以產生高反射率寬頻白(例如，藉由使可移動元件810之反射表面92與第一反射層94間隔小於約100)、低反射率黑(例如，藉由使可移動元件810之反射表面92與第一反射層94間隔約100 nm)、灰(例如，藉由使可移動元件810之反射表面92與第一反射層94間隔約100與100 nm之間)或彩色(例如，黃、紅、藍等)。
在MEMS裝置800可由使用者自可移動元件810之與基板20相對的側觀看之實施例中，使用者不經由基板20觀看反射表面92。在某些此等實施例中，基板20包含一大體上對光不穿透(例如，不透明、高反射性、半透明)之材料。在某些此等實施例中，基板20可包含金屬(例如，不鏽鋼、鋁)、陽極化金屬、矽(例如，矽晶圓)、多晶矽、塑膠、陶 瓷、聚合物(例如，聚醯亞胺、MYLARTM )及碳(例如，石墨)以及此等材料之合金及複合物。大體上不透明之基板20可呈現眾多製造及操作優勢，包括(但不限於)：避免歸因於在光微影期間的光散射之處理問題、將下層電路對雜散光屏蔽、允許使用標準的半導體處理設備來製造MEMS裝置、允許MEMS裝置製造與下層控制電路製造之整合、增加控制電路之面積、減少與在MEMS裝置內整合控制電路相關聯的約束及有助於在MEMS裝置(例如，干涉調變器)之陣列中使用照明源。
在包含第二致動電極164之一些實施例中，第二致動電極164經定位於反射元件814之反射表面92與基板20之間使得第二致動電極164處於MEMS裝置之光徑中。因此，在可自可移動元件810之與基板20相對的側觀看MEMS裝置800之實施例中，第二致動電極164可包含一不透明導電材料，且在可經由基板20觀看MEMS裝置800之實施例中，第二致動電極164可包含一透明導電材料。致動電極包含一不透明導電材料之實施例(例如)對於上述電性質可為有利地。
以上已描述之各種具體實施例。雖然已參照此等具體實施例描述了本發明，但描述意欲說明本發明且並不意欲為限制性的。在不脫離如隨附申請專利範圍中界定的本發明之真實範疇之情況下，對於熟習此項技術者而言，可發生各種修改及應用。
12a‧‧‧干涉調變器/像素
12b‧‧‧干涉調變器/像素
14‧‧‧可移動反射層/金屬材料條帶
14a‧‧‧可移動反射層
14b‧‧‧可移動反射層
16‧‧‧光學堆疊
16a‧‧‧光學堆疊
16b‧‧‧光學堆疊
18‧‧‧柱/支撐件/支撐結構
18a‧‧‧支撐結構
19‧‧‧間隙
20‧‧‧基板
21‧‧‧處理器
22‧‧‧陣列驅動器
24‧‧‧列驅動器電路
26‧‧‧行驅動器電路
27‧‧‧網路介面
28‧‧‧圖框緩衝器
29‧‧‧驅動器控制器
30‧‧‧顯示陣列或面板/顯示器
32‧‧‧繫栓
34‧‧‧可變形層
40‧‧‧顯示裝置
41‧‧‧外殼
42‧‧‧支撐柱插塞
43‧‧‧天線
44‧‧‧匯流排結構
45‧‧‧揚聲器
46‧‧‧麥克風
47‧‧‧收發器
48‧‧‧輸入裝置
50‧‧‧電源
52‧‧‧調節硬體
82‧‧‧致動電極
84‧‧‧連接元件
86‧‧‧絕緣體/絕緣層
87‧‧‧絕緣體/絕緣層
88‧‧‧基板之頂表面
92‧‧‧反射表面
94‧‧‧第一反射層
96‧‧‧箭頭
140‧‧‧結構
142‧‧‧第一犧牲層
150‧‧‧結構
152‧‧‧黑光罩
162‧‧‧絕緣層
164‧‧‧第二致動電極
166‧‧‧絕緣層
168‧‧‧箭頭
800‧‧‧微機電(MEMS)裝置
810‧‧‧可移動元件
814‧‧‧反射元件
1102‧‧‧垂直升高部分
1700‧‧‧MEMS結構
1702‧‧‧第二犧牲層
圖1為描繪一干涉調變器顯示器之一實施例之一部分的等角視圖，其中第一干涉調變器之可移動反射層處於鬆弛位置，且第二干涉調變器之可移動反射層處於致動位置。
圖2為說明併有一3×3干涉調變器顯示器之電子裝置之一實施例的系統方塊圖。
圖3為對於圖1之干涉調變器之一例示性實施例的可移動鏡位置對施加之電壓的關係圖。
圖4為一組可用以驅動一干涉調變器顯示器之列電壓及行電壓的說明。
圖5A說明圖2之3×3干涉調變器顯示器中之顯示資料之一例示性圖框。
圖5B說明可用以寫入圖5A之圖框之列及行信號之一例示性時序圖。
圖6A及圖6B為說明一包含複數個干涉調變器之視覺顯示裝置之實施例的系統方塊圖。
圖7A為圖1之裝置之橫截面。
圖7B為一干涉調變器之一替代實施例之橫截面。
圖7C為一干涉調變器之另一替代實施例之橫截面。
圖7D為一干涉調變器之又一替代實施例之橫截面。
圖7E為一干涉調變器之一額外替代實施例之橫截面。
圖8A為一MEMS裝置之一實例實施例之俯視平面圖。
圖8B為圖8A之MEMS裝置的3×3陣列之俯視平面圖。
圖9A至圖9B為圖8A之MEMS裝置的一實例實施例之沿著線A－A截取的橫截面。
圖9C至圖9D為圖9A至圖9B之實施例之沿著圖8A之線C－C截取的橫截面。
圖9E至圖9F為圖9A至圖9D之實施例之沿著圖8A之線E－E截取的橫截面。
圖9G至圖9H為沿著圖8A之線G－G截取的圖9A至圖9F之實施例之橫截面。
圖10A至圖10B為圖8A之MEMS裝置的另一實例實施例之沿著線A－A截取的橫截面。
圖10C至圖10D為圖10A至圖10B之實施例之沿著圖8A之線C－C截取的橫截面。
圖11A至圖11B為圖8A之MEMS裝置的又一實例實施例之沿著線A－A截取的橫截面。
圖11C至圖11D為圖11A至圖11B之實施例之沿著圖8A之線C－C截取的橫截面。
圖12A至圖12C為MEMS裝置之另外的實例實施例之沿著圖8A之線C－C截取的橫截面。
圖13A至圖13B為MEMS裝置之另外的實例實施例之俯視平面圖。
圖13C為圖13A之MEMS裝置的3×3陣列之俯視平面圖。
圖13D為一MEMS裝置之再一實例實施例之俯視平面圖。
圖14A至圖14H為製造一MEMS裝置之方法之一實例實施例之橫截面。
圖15A至圖15H為製造圖9A至圖9H的MEMS裝置之方法 之一實例實施例之橫截面。
圖16A至圖16B2為圖8A之MEMS裝置的一實例實施例之沿著線A－A截取的橫截面，其包括一第二致動電極。
圖16C至圖16D2為圖16A至圖16B2之實施例之沿著圖8A之線C－C截取的橫截面。
圖16E至圖16F2為圖16A至圖16D2之實施例之沿著圖8A之線E－E截取的橫截面。
圖16G至圖16H2為圖16A至圖16F2之實施例之沿著圖8A之線G－G截取的橫截面。
圖17A至圖17F為製造圖16A至圖16H2的MEMS裝置之方法之一實例實施例之橫截面。
20‧‧‧基板
34‧‧‧可變形層
82‧‧‧致動電極
84‧‧‧連接元件
86‧‧‧絕緣體/絕緣層
87‧‧‧絕緣體/絕緣層
88‧‧‧基板之頂表面
92‧‧‧反射表面
94‧‧‧第一反射層
800‧‧‧微機電(MEMS)裝置
810‧‧‧可移動元件
814‧‧‧反射元件

Claims (45)

  1. 一種機電裝置，其包含：一基板；一可移動元件，其在該基板上，該可移動元件包含一導電可變形層及一機械耦接至該可變形層之反射元件，該反射元件包括一反射表面，該反射表面沿著一大致平行於該反射表面的方向與該可變形層相間隔開；及一致動電極，其在該可變形層之至少一部分下方且經橫向於該反射表面予以安置，該可移動元件係回應於一施加於該致動電極與該可變形層間的電壓差而在一朝向該基板的方向上移動，其中該裝置之一固定部分係經組態以充當該可移動元件之移動的一擋止件，該可移動元件回應於該施加於該致動電極與該可變形層間的電壓差而從一第一位置移動至一第二位置，該第一位置係在該可移動元件之一部分不與該固定部分接觸處，而該第二位置係在該部分與該固定部分接觸處。
  2. 如請求項1之機電裝置，其中該反射元件機械耦接至該可變形層之一頂表面。
  3. 如請求項1之機電裝置，其中該反射元件機械耦接至該可變形層之一底表面。
  4. 如請求項1之機電裝置，其中該可移動元件進一步包含至少一連接元件，該至少一連接元件將該反射元件機械耦接至該可變形層。
  5. 如請求項4之機電裝置，其中一第一連接元件機械耦接 至該反射元件之一第一邊緣，及一第二連接元件機械耦接至該反射元件之一第二邊緣，該第一邊緣實質上與該第二邊緣相對。
  6. 如請求項4之機電裝置，其中該反射元件具有複數個邊緣，且其中該至少一連接元件將該反射元件中之每一邊緣機械耦接至該可變形層。
  7. 如請求項4之機電裝置，其中該至少一連接元件包含自該反射元件延伸之至少一突起。
  8. 如請求項1之機電裝置，其中當一致動電壓差施加於該致動電極與該可變形層間，該反射表面係不與該基板之一頂表面接觸。
  9. 如請求項1之機電裝置，其中該反射表面與該基板之一頂表面之間的一距離大於該可變形層與該基板之該頂表面之間的一距離。
  10. 如請求項1之機電裝置，其中該可變形層與該基板之一頂表面之間的一距離大於該反射表面與該基板之該頂表面之間的一距離。
  11. 如請求項1之機電裝置，其中該裝置之該固定部分包含該基板之一頂表面。
  12. 如請求項1之機電裝置，其中該裝置之該固定部分包含該致動電極之一頂表面。
  13. 如請求項1之機電裝置，其中該裝置之該固定部分包含該致動電極與該可變形層之間的一絕緣層之一頂表面。
  14. 如請求項1之機電裝置，其中該致動電極與該可變形層 之間的一電壓差之施加引起該可變形層之位移及該反射表面之位移，該可變形層之該位移平行於該反射表面之該位移，該可變形層之該位移處於一與該反射表面之該位移不同的平面上。
  15. 如請求項1之機電裝置，其中該基板係至少部分透明。
  16. 如請求項1之機電裝置，其中該反射元件係經組態以在該第一位置處反射一第一色彩且在該第二位置處反射一第二色彩。
  17. 如請求項1之機電裝置，其中該反射元件係完全反射。
  18. 如請求項1之機電裝置，其進一步包含一在該可移動元件上之另一致動電極，該可移動元件係回應於一施加於該另一致動電極與該可移動元件之間的電壓差而遠離該基板移動。
  19. 如請求項18之機電裝置，其進一步包含一在該另一致動電極與該可移動元件之間的絕緣層。
  20. 如請求項19之機電裝置，其中該絕緣層形成於該可移動元件之一上表面上。
  21. 如請求項19之機電裝置，其中該絕緣層形成於該另一致動電極之一下表面上。
  22. 如請求項1之機電裝置，其進一步包含：一顯示器；一處理器，其經組態以與該顯示器通信，該處理器經組態以處理影像資料；及一記憶體裝置，其經組態以與該處理器通信。
  23. 如請求項22之機電裝置，其進一步包含一經組態以將至少一信號發送至該顯示器之驅動器電路。
  24. 如請求項23之機電裝置，其進一步包含一經組態以將該影像資料之至少一部分發送至該驅動器電路之控制器。
  25. 如請求項22之機電裝置，其進一步包含一經組態以將該影像資料發送至該處理器之影像源模組。
  26. 如請求項25之機電裝置，其中該影像源模組包含一接收器、收發器及發射器中之至少一者。
  27. 如請求項22之機電裝置，其進一步包含一經組態以接收輸入資料及將該輸入資料傳送至該處理器之輸入裝置。
  28. 一種機電裝置，其包含：一基板；一可移動元件，其在該基板上，該可移動元件包含一導電可變形層及一機械耦接至該可變形層之反射元件，該反射元件包括一反射表面，該反射表面沿著一大致平行於該反射表面的方向與該可變形層相間隔開；及一致動電極，其在該可變形層之至少一部分下方且經橫向於該反射表面予以安置，該可移動元件係回應於一施加於該致動電極與該可變形層間的電壓差而在一遠離該基板的方向上移動，其中該裝置之一固定部分係經組態以充當該可移動元件之移動的一擋止件，該可移動元件回應於該施加於該致動電極與該可變形層間的電壓差而從一第一位置移動至一第二位置，該第一位置係在該可移動元件之一部分不與該固定部分接觸處，而該第二 位置係在該部分與該固定部分接觸處。
  29. 如請求項28之機電裝置，其中該致動電極與該可變形層之間的一電壓差之施加引起該可變形層之位移及該反射表面之位移，該可變形層之該位移平行於該反射表面之該位移，該可變形層之該位移處於一與該反射表面之該位移不同的平面上。
  30. 如請求項28之機電裝置，其進一步包含一在該致動電極與該可移動元件之間的絕緣層。
  31. 如請求項30之機電裝置，其中該絕緣層形成於該可移動元件之一上表面上。
  32. 如請求項30之機電裝置，其中該絕緣層形成於該致動電極之一下表面上。
  33. 一種機電裝置，其包含：一可移動元件，其包含一導電可變形層及機械耦接至該可變形層之一反射元件，該反射元件包含一反射表面；一致動電極，其在該可變形層之至少一部分下方且經橫向於該反射表面予以安置，其中該可移動元件回應於一施加於該致動電極與該可變形層間的電壓差而從一第一位置移動至一第二位置；及一在該可移動元件上之第二致動電極，其中該可移動元件係進一步回應於一施加於該第二致動電極與該可移動元件之間的電壓差而從該第一位置移動至一第三位 置。
  34. 如請求項33之機電裝置，其進一步包含一在該可移動元件之一上表面上的絕緣層。
  35. 如請求項33之機電裝置，其進一步包含一在該第二致動電極之一下表面上的絕緣層。
  36. 如請求項33之機電裝置，其中該裝置經組態以當該反射元件在該第一位置時反射一第一色彩，當該反射元件在該第二位置時反射一第二色彩，及當該反射元件在該第三位置時反射一第三色彩。
  37. 如請求項33之機電裝置，其中該反射元件係機械耦接至該可變形層之一頂表面。
  38. 如請求項33之機電裝置，其中該反射元件係機械耦接至該可變形層之一底表面。
  39. 如請求項33之機電裝置，其中當一致動電壓差施加於該致動電極與該可變形層間時，該裝置經組態以使得該反射表面不與該裝置之一表面接觸。
  40. 如請求項33之機電裝置，其中該裝置經組態以使得該致動電極與該可變形層之間的一電壓差之施加引起該可變形層之移動及該反射表面之移動，該可變形層之該移動平行於該反射表面之該移動，該可變形層之該移動處於一與該反射表面之該移動不同的平面上。
  41. 一種機電裝置，其包含：一可移動元件，其包含一導電可變形層及機械耦接至 該可變形層之一反射元件，該反射元件包含一反射表面；一致動電極，其在該可變形層之至少一部分下方且經橫向於該反射表面予以安置，其中該可移動元件回應於一施加於該致動電極與該可變形層間的電壓差而從一第一位置移動至一第二位置，其中該反射元件經組態以在該第一位置反射一第一色彩，及在該第二位置反射一第二色彩。
  42. 如請求項41之機電裝置，其中該反射元件係機械耦接至該可變形層之一頂表面。
  43. 如請求項41之機電裝置，其中該反射元件係機械耦接至該可變形層之一底表面。
  44. 如請求項41之機電裝置，其中當一致動電壓差施加於該致動電極與該可變形層間時，該裝置經組態以使得該反射表面不與該裝置之一表面接觸。
  45. 如請求項41之機電裝置，其中該裝置經組態以使得該致動電極與該可變形層之間的一電壓差之施加引起該可變形層之移動及該反射表面之移動，該可變形層之該移動平行於該反射表面之該移動，該可變形層之該移動處於一與該反射表面之該移動不同的平面上。
TW097124776A 2007-07-02 2008-07-01 具有與機械及電氣功能分離的光學功能之微機電裝置 TWI402536B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/772,751 US7630121B2 (en) 2007-07-02 2007-07-02 Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
EP08153252A EP2012168A3 (en) 2007-07-02 2008-03-25 Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200909853A TW200909853A (en) 2009-03-01
TWI402536B true TWI402536B (zh) 2013-07-21

Family

ID=39800548

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100121914A TW201135281A (en) 2007-07-02 2008-07-01 Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
TW097124776A TWI402536B (zh) 2007-07-02 2008-07-01 具有與機械及電氣功能分離的光學功能之微機電裝置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100121914A TW201135281A (en) 2007-07-02 2008-07-01 Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function

Country Status (10)

Country Link
US (3) US7630121B2 (zh)
EP (3) EP2442169A3 (zh)
JP (3) JP5065487B2 (zh)
KR (1) KR20100038406A (zh)
CN (3) CN101688975B (zh)
BR (1) BRPI0813296A2 (zh)
CA (1) CA2691674A1 (zh)
RU (1) RU2475789C2 (zh)
TW (2) TW201135281A (zh)
WO (1) WO2009006118A2 (zh)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7612932B2 (en) * 2004-09-27 2009-11-03 Idc, Llc Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7742220B2 (en) 2007-03-28 2010-06-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops
US7630121B2 (en) * 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
EP2183623A1 (en) 2007-07-31 2010-05-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices for enhancing colour shift of interferometric modulators
US7773286B2 (en) * 2007-09-14 2010-08-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Periodic dimple array
US7847999B2 (en) * 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
CN101802678B (zh) * 2007-09-17 2014-03-12 高通Mems科技公司 半透明/透射反射型发光干涉式调制器装置
CN101828145B (zh) 2007-10-19 2012-03-21 高通Mems科技公司 具有集成光伏元件的显示器
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
WO2009055393A1 (en) * 2007-10-23 2009-04-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adjustably transmissive mems-based devices
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US7715079B2 (en) * 2007-12-07 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices requiring no mechanical support
US8164821B2 (en) * 2008-02-22 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer
US7944604B2 (en) * 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
US7898723B2 (en) * 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
US7969638B2 (en) * 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
US7768690B2 (en) 2008-06-25 2010-08-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US8023167B2 (en) * 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7746539B2 (en) * 2008-06-25 2010-06-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for packing a display device and the device obtained thereof
US7859740B2 (en) * 2008-07-11 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control
US7855826B2 (en) * 2008-08-12 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices
US8358266B2 (en) 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
US8270056B2 (en) * 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
WO2010138761A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
US9753597B2 (en) 2009-07-24 2017-09-05 Cypress Semiconductor Corporation Mutual capacitance sensing array
US8270062B2 (en) 2009-09-17 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with at least one movable stop element
US8488228B2 (en) 2009-09-28 2013-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric display with interferometric reflector
US20110169724A1 (en) * 2010-01-08 2011-07-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric pixel with patterned mechanical layer
CN102834761A (zh) 2010-04-09 2012-12-19 高通Mems科技公司 机电装置的机械层及其形成方法
JP6132762B2 (ja) 2010-04-16 2017-05-24 フレックス ライティング ２，エルエルシー フィルムベースのライトガイドを備える前面照射デバイス
CN103038567A (zh) 2010-04-16 2013-04-10 弗莱克斯照明第二有限责任公司 包括膜基光导的照明装置
WO2012024238A1 (en) 2010-08-17 2012-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Actuation and calibration of a charge neutral electrode in an interferometric display device
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
KR101941169B1 (ko) * 2011-09-16 2019-01-23 삼성전자주식회사 광 스위칭 소자, 이를 포함한 영상 표시 장치 및 그 제조 방법
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
CN103153011B (zh) * 2011-12-07 2017-02-15 富泰华工业（深圳）有限公司 滑动机构及带有该滑动机构的装置
KR101941165B1 (ko) * 2012-06-07 2019-04-12 삼성전자주식회사 광 스위칭 소자, 이를 포함한 영상 표시 장치 및 그 제조 방법
US20140009379A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Cavity liners for electromechanical systems devices
US8684500B2 (en) * 2012-08-06 2014-04-01 Xerox Corporation Diaphragm for an electrostatic actuator in an ink jet printer
JP5987573B2 (ja) * 2012-09-12 2016-09-07 セイコーエプソン株式会社 光学モジュール、電子機器、及び駆動方法
US10586965B2 (en) * 2014-11-05 2020-03-10 William Winchin Yen Microporous sheet product and methods for making and using the same
US10935420B2 (en) 2015-08-13 2021-03-02 Texas Instruments Incorporated Optical interface for data transmission
TWI581004B (zh) 2015-11-18 2017-05-01 財團法人工業技術研究院 可調式光學裝置
RU2670000C1 (ru) * 2018-05-16 2018-10-17 Владимир Олегович Ксендзов Способ обучения верхней передаче в волейболе
TWI822833B (zh) * 2019-08-15 2023-11-21 優顯科技股份有限公司 電子探測板、光電探測模組、與電子探測方法
CN114690398A (zh) * 2020-12-30 2022-07-01 无锡华润上华科技有限公司 一种静电驱动式mems显示屏及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
TW200512153A (en) * 2003-09-22 2005-04-01 Matsushita Electric Works Ltd Process for fabricating a micro-electro-mechanical system
TW200615601A (en) * 2004-09-21 2006-05-16 Reflectivity Inc Micromirror having offset addressing electrode
TW200628392A (en) * 2004-10-05 2006-08-16 Hewlett Packard Development Co Systems and methods for amorphous flexures in micro-electro mechanical systems

Family Cites Families (325)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2003A (en) * 1841-03-12 Improvement in horizontal windivhlls
US2004A (en) * 1841-03-12 Improvement in the manner of constructing and propelling steam-vessels
US2005A (en) * 1841-03-16 Improvement in the manner of constructing molds for casting butt-hinges
US2006A (en) * 1841-03-16 Clamp for crimping leather
US2011A (en) * 1841-03-18 Appabatxts for piling saws
US2010A (en) * 1841-03-18 Machine foe
US2009A (en) * 1841-03-18 Improvement in machines for boring war-rockets
US2008A (en) * 1841-03-18 Gas-lamp eok conducting gas pkom ah elevated buhner to one below it
US2007A (en) * 1841-03-16 Improvement in the mode of harvesting grain
US2002A (en) * 1841-03-12 Tor and planter for plowing
US2001A (en) * 1841-03-12 Sawmill
US2590906A (en) * 1946-11-22 1952-04-01 Farrand Optical Co Inc Reflection interference filter
US2677714A (en) 1951-09-21 1954-05-04 Alois Vogt Dr Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode
US3247392A (en) 1961-05-17 1966-04-19 Optical Coating Laboratory Inc Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared
US3728030A (en) 1970-06-22 1973-04-17 Cary Instruments Polarization interferometer
US3679313A (en) * 1970-10-23 1972-07-25 Bell Telephone Labor Inc Dispersive element for optical pulse compression
JPS4946974A (zh) 1972-09-11 1974-05-07
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US3886310A (en) 1973-08-22 1975-05-27 Westinghouse Electric Corp Electrostatically deflectable light valve with improved diffraction properties
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
DE3109653A1 (de) 1980-03-31 1982-01-28 Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena "resonanzabsorber"
US4421381A (en) 1980-04-04 1983-12-20 Yokogawa Hokushin Electric Corp. Mechanical vibrating element
US4441791A (en) * 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
US4497974A (en) 1982-11-22 1985-02-05 Exxon Research & Engineering Co. Realization of a thin film solar cell with a detached reflector
US4498953A (en) 1983-07-27 1985-02-12 At&T Bell Laboratories Etching techniques
US5096279A (en) * 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4560435A (en) 1984-10-01 1985-12-24 International Business Machines Corporation Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization
US4655554A (en) 1985-03-06 1987-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Spatial light modulator having a capacitively coupled photoconductor
GB2186708B (en) * 1985-11-26 1990-07-11 Sharp Kk A variable interferometric device and a process for the production of the same
US4705361A (en) 1985-11-27 1987-11-10 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
GB8621438D0 (en) 1986-09-05 1986-10-15 Secr Defence Electro-optic device
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
US4822993A (en) 1987-02-17 1989-04-18 Optron Systems, Inc. Low-cost, substantially cross-talk free high spatial resolution 2-D bistable light modulator
ATE71718T1 (de) 1987-06-04 1992-02-15 Walter Lukosz Optisches modulations- und mess-verfahren.
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5028939A (en) * 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
US4925259A (en) 1988-10-20 1990-05-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Multilayer optical dielectric coating
US4982184A (en) * 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US4973131A (en) 1989-02-03 1990-11-27 Mcdonnell Douglas Corporation Modulator mirror
US5022745A (en) * 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5062689A (en) 1990-08-21 1991-11-05 Koehler Dale R Electrostatically actuatable light modulating device
US5142414A (en) * 1991-04-22 1992-08-25 Koehler Dale R Electrically actuatable temporal tristimulus-color device
US5287215A (en) 1991-07-17 1994-02-15 Optron Systems, Inc. Membrane light modulation systems
US5170283A (en) 1991-07-24 1992-12-08 Northrop Corporation Silicon spatial light modulator
US5240818A (en) 1991-07-31 1993-08-31 Texas Instruments Incorporated Method for manufacturing a color filter for deformable mirror device
US5315370A (en) 1991-10-23 1994-05-24 Bulow Jeffrey A Interferometric modulator for optical signal processing
US6381022B1 (en) * 1992-01-22 2002-04-30 Northeastern University Light modulating device
TW245772B (zh) * 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
US5818095A (en) 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
FI96450C (fi) 1993-01-13 1996-06-25 Vaisala Oy Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto
US7830587B2 (en) 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US5559358A (en) 1993-05-25 1996-09-24 Honeywell Inc. Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom
US5526172A (en) * 1993-07-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same
FI94804C (fi) 1994-02-17 1995-10-25 Vaisala Oy Sähköisesti säädettävä pintamikromekaaninen Fabry-Perot-interferometri käytettäväksi optisessa materiaalianalyysissä
US5665997A (en) 1994-03-31 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices
US7808694B2 (en) 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US20010003487A1 (en) * 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7852545B2 (en) 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US8081369B2 (en) 1994-05-05 2011-12-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US7738157B2 (en) 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US5920418A (en) 1994-06-21 1999-07-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diffractive optical modulator and method for producing the same, infrared sensor including such a diffractive optical modulator and method for producing the same, and display device including such a diffractive optical modulator
US5485304A (en) * 1994-07-29 1996-01-16 Texas Instruments, Inc. Support posts for micro-mechanical devices
US5636052A (en) 1994-07-29 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. Direct view display based on a micromechanical modulation
FR2726960B1 (fr) 1994-11-10 1996-12-13 Thomson Csf Procede de realisation de transducteurs magnetoresistifs
JPH08153700A (ja) 1994-11-25 1996-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 導電性被膜の異方性エッチング方法
US5550373A (en) * 1994-12-30 1996-08-27 Honeywell Inc. Fabry-Perot micro filter-detector
US7898722B2 (en) * 1995-05-01 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with restoring electrode
US5661592A (en) 1995-06-07 1997-08-26 Silicon Light Machines Method of making and an apparatus for a flat diffraction grating light valve
US6849471B2 (en) 2003-03-28 2005-02-01 Reflectivity, Inc. Barrier layers for microelectromechanical systems
US6046840A (en) 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
US6124851A (en) 1995-07-20 2000-09-26 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
KR100213026B1 (ko) 1995-07-27 1999-08-02 윤종용 디엠디 및 그 제조공정
US6324192B1 (en) 1995-09-29 2001-11-27 Coretek, Inc. Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same
JPH09127551A (ja) 1995-10-31 1997-05-16 Sharp Corp 半導体装置およびアクティブマトリクス基板
US5999306A (en) 1995-12-01 1999-12-07 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing spatial light modulator and electronic device employing it
US5825528A (en) 1995-12-26 1998-10-20 Lucent Technologies Inc. Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator
US5751469A (en) 1996-02-01 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for an improved micromechanical modulator
US6114862A (en) 1996-02-14 2000-09-05 Stmicroelectronics, Inc. Capacitive distance sensor
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5838484A (en) 1996-08-19 1998-11-17 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator with linear operating characteristic
GB9619781D0 (en) 1996-09-23 1996-11-06 Secr Defence Multi layer interference coatings
US5771116A (en) * 1996-10-21 1998-06-23 Texas Instruments Incorporated Multiple bias level reset waveform for enhanced DMD control
US7471444B2 (en) 1996-12-19 2008-12-30 Idc, Llc Interferometric modulation of radiation
US7830588B2 (en) 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US6028689A (en) * 1997-01-24 2000-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multi-motion micromirror
US5786927A (en) * 1997-03-12 1998-07-28 Lucent Technologies Inc. Gas-damped micromechanical structure
US6384952B1 (en) 1997-03-27 2002-05-07 Mems Optical Inc. Vertical comb drive actuated deformable mirror device and method
EP0879991A3 (en) 1997-05-13 1999-04-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Illuminating system
US5870221A (en) 1997-07-25 1999-02-09 Lucent Technologies, Inc. Micromechanical modulator having enhanced performance
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
US6031653A (en) * 1997-08-28 2000-02-29 California Institute Of Technology Low-cost thin-metal-film interference filters
DE69830153T2 (de) 1998-01-20 2005-10-13 Seiko Epson Corp. Optische schaltvorrichtung und bildanzeigevorrichtung
US5914804A (en) 1998-01-28 1999-06-22 Lucent Technologies Inc Double-cavity micromechanical optical modulator with plural multilayer mirrors
US6100861A (en) 1998-02-17 2000-08-08 Rainbow Displays, Inc. Tiled flat panel display with improved color gamut
JPH11258558A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Fuji Photo Film Co Ltd 平面表示装置
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
US6262697B1 (en) 1998-03-20 2001-07-17 Eastman Kodak Company Display having viewable and conductive images
US8928967B2 (en) * 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
WO1999052006A2 (en) * 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US6097145A (en) * 1998-04-27 2000-08-01 Copytele, Inc. Aerogel-based phase transition flat panel display
US6046659A (en) 1998-05-15 2000-04-04 Hughes Electronics Corporation Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications
US6242989B1 (en) 1998-09-12 2001-06-05 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising a multi-port variable capacitor
US6323834B1 (en) 1998-10-08 2001-11-27 International Business Machines Corporation Micromechanical displays and fabrication method
JP3919954B2 (ja) 1998-10-16 2007-05-30 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
JP2000147262A (ja) 1998-11-11 2000-05-26 Nobuyuki Higuchi 集光装置及びこれを利用した太陽光発電システム
US6188519B1 (en) * 1999-01-05 2001-02-13 Kenneth Carlisle Johnson Bigrating light valve
US6242932B1 (en) 1999-02-19 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Interposer for semiconductor components having contact balls
US6323987B1 (en) 1999-05-14 2001-11-27 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Controlled multi-wavelength etalon
US6335235B1 (en) 1999-08-17 2002-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6960305B2 (en) 1999-10-26 2005-11-01 Reflectivity, Inc Methods for forming and releasing microelectromechanical structures
US6519073B1 (en) 2000-01-10 2003-02-11 Lucent Technologies Inc. Micromechanical modulator and methods for fabricating the same
AU2001211949B2 (en) * 2000-01-21 2005-08-18 Viavi Solutions Inc. Optically variable security devices
US6307663B1 (en) 2000-01-26 2001-10-23 Eastman Kodak Company Spatial light modulator with conformal grating device
JP2001221913A (ja) 2000-02-08 2001-08-17 Yokogawa Electric Corp ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計
GB2359636B (en) 2000-02-22 2002-05-01 Marconi Comm Ltd Wavelength selective optical filter
JP2003524215A (ja) 2000-02-24 2003-08-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光導波路を具える表示装置
US6836366B1 (en) 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
US6747775B2 (en) 2000-03-20 2004-06-08 Np Photonics, Inc. Detunable Fabry-Perot interferometer and an add/drop multiplexer using the same
US6698295B1 (en) 2000-03-31 2004-03-02 Shipley Company, L.L.C. Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer
US6744805B2 (en) * 2000-04-05 2004-06-01 Nortel Networks Limited Single mode operation of microelectromechanically tunable, half-symmetric, vertical cavity surface emitting lasers
US6400738B1 (en) * 2000-04-14 2002-06-04 Agilent Technologies, Inc. Tunable Fabry-Perot filters and lasers
US7008812B1 (en) * 2000-05-30 2006-03-07 Ic Mechanics, Inc. Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation
FR2811139B1 (fr) 2000-06-29 2003-10-17 Centre Nat Rech Scient Dispositif optoelectronique a filtrage de longueur d'onde integre
KR100840827B1 (ko) 2000-07-03 2008-06-23 소니 가부시끼 가이샤 광학 다층 구조체, 광학 절환 장치 및 화상 디스플레이
JP2002062490A (ja) 2000-08-14 2002-02-28 Canon Inc 干渉性変調素子
US6466354B1 (en) 2000-09-19 2002-10-15 Silicon Light Machines Method and apparatus for interferometric modulation of light
US6714565B1 (en) 2000-11-01 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Optically tunable Fabry Perot microelectromechanical resonator
US6556338B2 (en) 2000-11-03 2003-04-29 Intpax, Inc. MEMS based variable optical attenuator (MBVOA)
US6433917B1 (en) * 2000-11-22 2002-08-13 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
US6906847B2 (en) 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
US6614576B2 (en) * 2000-12-15 2003-09-02 Texas Instruments Incorporated Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices
US20020149834A1 (en) 2000-12-22 2002-10-17 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
DE10064616C2 (de) 2000-12-22 2003-02-06 Ovd Kinegram Ag Zug Dekorfolie und Verfahren zum Beschriften der Dekorfolie
US6947195B2 (en) * 2001-01-18 2005-09-20 Ricoh Company, Ltd. Optical modulator, optical modulator manufacturing method, light information processing apparatus including optical modulator, image formation apparatus including optical modulator, and image projection and display apparatus including optical modulator
WO2002058089A1 (en) * 2001-01-19 2002-07-25 Massachusetts Institute Of Technology Bistable actuation techniques, mechanisms, and applications
JP2002221678A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Seiko Epson Corp 光スイッチングデバイス、その製造方法および画像表示装置
US6912078B2 (en) 2001-03-16 2005-06-28 Corning Incorporated Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture
US6661561B2 (en) 2001-03-26 2003-12-09 Creo Inc. High frequency deformable mirror device
JP3557525B2 (ja) * 2001-03-29 2004-08-25 日本航空電子工業株式会社 微小可動デバイス
US6600587B2 (en) 2001-04-23 2003-07-29 Memx, Inc. Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure
US6657832B2 (en) 2001-04-26 2003-12-02 Texas Instruments Incorporated Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes
WO2002095800A2 (en) 2001-05-22 2002-11-28 Reflectivity, Inc. A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants
JP3740444B2 (ja) * 2001-07-11 2006-02-01 キヤノン株式会社 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
US6594059B2 (en) * 2001-07-16 2003-07-15 Axsun Technologies, Inc. Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof
US6632698B2 (en) 2001-08-07 2003-10-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS
US6661562B2 (en) * 2001-08-17 2003-12-09 Lucent Technologies Inc. Optical modulator and method of manufacture thereof
GB2389150B (en) * 2001-09-07 2004-08-25 Avon Polymer Prod Ltd Noise and vibration suppressors
US7015457B2 (en) * 2002-03-18 2006-03-21 Honeywell International Inc. Spectrally tunable detector
US20030053078A1 (en) * 2001-09-17 2003-03-20 Mark Missey Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators
WO2003028059A1 (en) * 2001-09-21 2003-04-03 Hrl Laboratories, Llc Mems switches and methods of making same
DE60232471D1 (de) 2001-11-09 2009-07-09 Wispry Inc Dreischichtige Strahl-MEMS-Einrichtung und diesbezügliche Verfahren
TWI234157B (en) 2001-12-07 2005-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Information recording medium and method for producing the same
JP2003177336A (ja) 2001-12-11 2003-06-27 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置
JP3893421B2 (ja) * 2001-12-27 2007-03-14 富士フイルム株式会社 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置
US6791735B2 (en) * 2002-01-09 2004-09-14 The Regents Of The University Of California Differentially-driven MEMS spatial light modulator
JP2003295074A (ja) * 2002-01-31 2003-10-15 Ricoh Co Ltd 光変調装置
US6608268B1 (en) * 2002-02-05 2003-08-19 Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. Proximity micro-electro-mechanical system
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6935759B1 (en) * 2002-02-19 2005-08-30 Glimmerglass Networks, Inc. Folded longitudinal torsional hinge for gimbaled MEMS mirror
US6574033B1 (en) * 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
EP1482770A4 (en) * 2002-03-01 2007-01-03 Sharp Kk LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY USING THE DEVICE AND READING DEVICE
US7145143B2 (en) 2002-03-18 2006-12-05 Honeywell International Inc. Tunable sensor
US6768555B2 (en) 2002-03-21 2004-07-27 Industrial Technology Research Institute Fabry-Perot filter apparatus with enhanced optical discrimination
US6965468B2 (en) * 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
US6972882B2 (en) 2002-04-30 2005-12-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with light angle amplification
US6954297B2 (en) 2002-04-30 2005-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
JP2003340795A (ja) 2002-05-20 2003-12-02 Sony Corp 静電駆動型ｍｅｍｓ素子とその製造方法、光学ｍｅｍｓ素子、光変調素子、ｇｌｖデバイス及びレーザディスプレイ
JP3801099B2 (ja) * 2002-06-04 2006-07-26 株式会社デンソー チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6738194B1 (en) * 2002-07-22 2004-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Resonance tunable optical filter
US6822798B2 (en) * 2002-08-09 2004-11-23 Optron Systems, Inc. Tunable optical filter
JP4057871B2 (ja) * 2002-09-19 2008-03-05 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
DE60335994D1 (de) 2002-09-19 2011-03-24 Koninkl Philips Electronics Nv Schaltbares optisches element
KR100512960B1 (ko) 2002-09-26 2005-09-07 삼성전자주식회사 플렉서블 ｍｅｍｓ 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 ｍｅｍｓ 무선 마이크로폰
US7085121B2 (en) 2002-10-21 2006-08-01 Hrl Laboratories, Llc Variable capacitance membrane actuator for wide band tuning of microstrip resonators and filters
FR2846318B1 (fr) * 2002-10-24 2005-01-07 Commissariat Energie Atomique Microstructure electromecanique integree comportant des moyens de reglage de la pression dans une cavite scellee et procede de reglage de la pression
US7370185B2 (en) 2003-04-30 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers
US6958846B2 (en) * 2002-11-26 2005-10-25 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
US6844959B2 (en) 2002-11-26 2005-01-18 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
TWI289708B (en) * 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
TW594155B (en) * 2002-12-27 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd Optical interference type color display and optical interference modulator
JP2004212638A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び平面表示素子
JP2004212680A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子アレイ及びその製造方法
JP2004212637A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び平面表示素子
JP2004219843A (ja) 2003-01-16 2004-08-05 Seiko Epson Corp 光変調器、表示装置及びその製造方法
TW557395B (en) * 2003-01-29 2003-10-11 Yen Sun Technology Corp Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof
TW200413810A (en) * 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
US7436573B2 (en) 2003-02-12 2008-10-14 Texas Instruments Incorporated Electrical connections in microelectromechanical devices
US7459402B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Texas Instruments Incorporated Protection layers in micromirror array devices
CN1217195C (zh) * 2003-02-28 2005-08-31 北京大学 Mems压阻式伺服加速度传感器及其制备方法
TW200417806A (en) 2003-03-05 2004-09-16 Prime View Int Corp Ltd A structure of a light-incidence electrode of an optical interference display plate
US6913942B2 (en) 2003-03-28 2005-07-05 Reflectvity, Inc Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices
TWI224235B (en) 2003-04-21 2004-11-21 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW567355B (en) * 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TWI226504B (en) * 2003-04-21 2005-01-11 Prime View Int Co Ltd A structure of an interference display cell
TW594360B (en) 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7447891B2 (en) 2003-04-30 2008-11-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator with concentric control-electrode structure
US7072093B2 (en) 2003-04-30 2006-07-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical interference pixel display with charge control
WO2004099629A2 (en) 2003-05-01 2004-11-18 University Of Florida Vertical displacement device
JP4075678B2 (ja) 2003-05-06 2008-04-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
TW591716B (en) * 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TWI223855B (en) * 2003-06-09 2004-11-11 Taiwan Semiconductor Mfg Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices
JP2007027150A (ja) 2003-06-23 2007-02-01 Hitachi Chem Co Ltd 集光型光発電システム
US7221495B2 (en) * 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
US6862127B1 (en) 2003-11-01 2005-03-01 Fusao Ishii High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same
JP3786106B2 (ja) 2003-08-11 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 波長可変光フィルタ及びその製造方法
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
JP3979982B2 (ja) 2003-08-29 2007-09-19 シャープ株式会社 干渉性変調器および表示装置
TWI230801B (en) 2003-08-29 2005-04-11 Prime View Int Co Ltd Reflective display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US7027204B2 (en) 2003-09-26 2006-04-11 Silicon Light Machines Corporation High-density spatial light modulator
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
TW593126B (en) * 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
JP2005121906A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 反射型光変調アレイ素子及び露光装置
US7782523B2 (en) 2003-11-01 2010-08-24 Fusao Ishii Analog micromirror devices with continuous intermediate states
US7198873B2 (en) * 2003-11-18 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations
TW200524236A (en) 2003-12-01 2005-07-16 Nl Nanosemiconductor Gmbh Optoelectronic device incorporating an interference filter
EP1544657B1 (en) * 2003-12-19 2012-04-04 Barco N.V. Broadband full white reflective display structure
US6980339B2 (en) * 2003-12-19 2005-12-27 Lucent Technologies Inc. Deformable MEMS mirror
WO2005089098A2 (en) 2004-01-14 2005-09-29 The Regents Of The University Of California Ultra broadband mirror using subwavelength grating
TWI235345B (en) 2004-01-20 2005-07-01 Prime View Int Co Ltd A structure of an optical interference display unit
JP2005235403A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 有機・ｅｌ表示装置
TWI256941B (en) * 2004-02-18 2006-06-21 Qualcomm Mems Technologies Inc A micro electro mechanical system display cell and method for fabricating thereof
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
TW200530669A (en) 2004-03-05 2005-09-16 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI261683B (en) 2004-03-10 2006-09-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference reflective element and repairing method thereof
JP4581453B2 (ja) 2004-03-29 2010-11-17 ソニー株式会社 Ｍｅｍｓ素子、光学ｍｅｍｓ素子、回折型光学ｍｅｍｓ素子、並びにレーザディスプレイ
JP2005308871A (ja) 2004-04-19 2005-11-04 Aterio Design Kk 干渉カラーフィルター
JP2005309099A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Seiko Epson Corp 波長可変フィルタ及びその製造方法
US7245285B2 (en) 2004-04-28 2007-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pixel device
US7476327B2 (en) 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7787170B2 (en) 2004-06-15 2010-08-31 Texas Instruments Incorporated Micromirror array assembly with in-array pillars
US7075700B2 (en) * 2004-06-25 2006-07-11 The Boeing Company Mirror actuator position sensor systems and methods
US7872790B2 (en) 2004-07-09 2011-01-18 University Of Cincinnati Display capable electrowetting light valve
TWI233916B (en) * 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
TWI270722B (en) * 2004-07-23 2007-01-11 Au Optronics Corp Dual-side display panel
CA2575314A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-09 Idc, Llc System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
US7126741B2 (en) 2004-08-12 2006-10-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator assembly
US7372348B2 (en) * 2004-08-20 2008-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing
US7130104B2 (en) 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7893919B2 (en) * 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7719500B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7936497B2 (en) * 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7184202B2 (en) * 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US7321456B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7612932B2 (en) 2004-09-27 2009-11-03 Idc, Llc Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7327510B2 (en) * 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US8008736B2 (en) * 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7554714B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7898521B2 (en) * 2004-09-27 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device and method for wavelength filtering
CN1755495A (zh) * 2004-09-27 2006-04-05 Idc公司 制造mems***的预结构的方法
US7527995B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7304784B2 (en) * 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US8102407B2 (en) 2004-09-27 2012-01-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7564612B2 (en) * 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7944599B2 (en) * 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
JP4384005B2 (ja) 2004-10-15 2009-12-16 株式会社東芝 表示装置
EP1807855B1 (en) 2004-10-27 2015-09-09 Epcos Ag Electronic device
US20080068697A1 (en) 2004-10-29 2008-03-20 Haluzak Charles C Micro-Displays and Their Manufacture
US7484857B2 (en) * 2004-11-30 2009-02-03 Massachusetts Institute Of Technology Light modulating mirror device and array
US20060132927A1 (en) 2004-11-30 2006-06-22 Yoon Frank C Electrowetting chromatophore
US7224033B2 (en) * 2005-02-15 2007-05-29 International Business Machines Corporation Structure and method for manufacturing strained FINFET
US7521666B2 (en) 2005-02-17 2009-04-21 Capella Microsystems Inc. Multi-cavity Fabry-Perot ambient light filter apparatus
US7675665B2 (en) 2005-02-23 2010-03-09 Pixtronix, Incorporated Methods and apparatus for actuating displays
US8310442B2 (en) 2005-02-23 2012-11-13 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US7405852B2 (en) 2005-02-23 2008-07-29 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US7884989B2 (en) * 2005-05-27 2011-02-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White interferometric modulators and methods for forming the same
US7460292B2 (en) 2005-06-03 2008-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator with internal polarization and drive method
US7184195B2 (en) * 2005-06-15 2007-02-27 Miradia Inc. Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator
US7435518B2 (en) * 2005-10-03 2008-10-14 Xerox Corporation Method of treating an electrophotographic-imaging member with a rare earth material
US8574823B2 (en) 2005-10-05 2013-11-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-level layer
US7513327B1 (en) 2005-10-13 2009-04-07 Kent Peterson System for converting a recreational vehicle
US7760197B2 (en) * 2005-10-31 2010-07-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fabry-perot interferometric MEMS electromagnetic wave modulator with zero-electric field
JP2007167998A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Toshiba Corp 梁構造を有する装置、および半導体装置
US7417746B2 (en) 2005-12-29 2008-08-26 Xerox Corporation Fabry-perot tunable filter systems and methods
US7652814B2 (en) 2006-01-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device with integrated optical element
US7550810B2 (en) 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
JP5051123B2 (ja) 2006-03-28 2012-10-17 富士通株式会社 可動素子
US7477440B1 (en) 2006-04-06 2009-01-13 Miradia Inc. Reflective spatial light modulator having dual layer electrodes and method of fabricating same
US7321457B2 (en) 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7385744B2 (en) 2006-06-28 2008-06-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7593189B2 (en) 2006-06-30 2009-09-22 Seagate Technology Llc Head gimbal assembly to reduce slider distortion due to thermal stress
US7566664B2 (en) 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
TWI331231B (en) 2006-08-04 2010-10-01 Au Optronics Corp Color filter and frbricating method thereof
DE102006039071B4 (de) 2006-08-09 2012-04-19 Universität Kassel Optisches Filter und Verfahren zu seiner Herstellung
US7629197B2 (en) 2006-10-18 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator
US20080121270A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 General Electric Company Photovoltaic roof tile system
US7535621B2 (en) 2006-12-27 2009-05-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications
US8115987B2 (en) 2007-02-01 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Modulating the intensity of light from an interferometric reflector
US7742220B2 (en) 2007-03-28 2010-06-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops
US7643202B2 (en) 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7715085B2 (en) 2007-05-09 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7643199B2 (en) 2007-06-19 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays
US7782517B2 (en) 2007-06-21 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Infrared and dual mode displays
US7569488B2 (en) 2007-06-22 2009-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter
US7630121B2 (en) * 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7773286B2 (en) 2007-09-14 2010-08-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Periodic dimple array
US7847999B2 (en) 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
US7898723B2 (en) 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
TW200512153A (en) * 2003-09-22 2005-04-01 Matsushita Electric Works Ltd Process for fabricating a micro-electro-mechanical system
TW200615601A (en) * 2004-09-21 2006-05-16 Reflectivity Inc Micromirror having offset addressing electrode
TW200628392A (en) * 2004-10-05 2006-08-16 Hewlett Packard Development Co Systems and methods for amorphous flexures in micro-electro mechanical systems

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009006118A3 (en) 2009-05-14
EP2012168A2 (en) 2009-01-07
US8368997B2 (en) 2013-02-05
RU2009145292A (ru) 2011-08-10
US20100085625A1 (en) 2010-04-08
TW201135281A (en) 2011-10-16
EP2442169A2 (en) 2012-04-18
JP2010532498A (ja) 2010-10-07
CN101688975A (zh) 2010-03-31
BRPI0813296A2 (pt) 2014-12-30
EP2442169A3 (en) 2012-08-29
EP2442168A3 (en) 2012-08-29
US20090009845A1 (en) 2009-01-08
JP2012212159A (ja) 2012-11-01
CN101688975B (zh) 2012-02-01
TW200909853A (en) 2009-03-01
CN102393563A (zh) 2012-03-28
US20110170168A1 (en) 2011-07-14
WO2009006118A2 (en) 2009-01-08
EP2442168A2 (en) 2012-04-18
US7920319B2 (en) 2011-04-05
US7630121B2 (en) 2009-12-08
EP2012168A3 (en) 2009-04-22
RU2475789C2 (ru) 2013-02-20
JP2012212158A (ja) 2012-11-01
KR20100038406A (ko) 2010-04-14
JP5065487B2 (ja) 2012-10-31
CA2691674A1 (en) 2009-01-08
CN102393562A (zh) 2012-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI402536B (zh) 具有與機械及電氣功能分離的光學功能之微機電裝置
JP5728608B2 (ja) 機械的及び電気的機能と分離された光学的機能を有する微小電気機械デバイス
US7612932B2 (en) Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7652814B2 (en) MEMS device with integrated optical element
TWI408411B (zh) 具有傳導性光吸收光罩之裝置及其製造方法
TWI391317B (zh) 機電系統及顯示器之方法及裝置
JP4399404B2 (ja) 透明コンポーネントが集積されたディスプレイのための方法および装置
KR20060092926A (ko) 미소 기전 시스템용의 예비 구조체를 제조하는 방법
TWI390643B (zh) 微機電系統裝置及其互連
KR20060092925A (ko) 용량 선택가능형 회로
KR20120120494A (ko) 패터닝된 기계 층을 갖는 간섭계 픽셀
TW201308290A (zh) 用於使用主動矩陣定址方式且使用被動矩陣定址方式以驅動顯示器之方法及器件
TW201333530A (zh) 機電系統可變電容裝置
CN101027592B (zh) 具有减小的电容的显示元件
TW201329602A (zh) 機電系統可變電容器件

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees