TWI400753B - A substrate processing apparatus and a substrate processing system - Google Patents

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TWI400753B
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Description

基板處理裝置及基板處理系統
本發明是關於例如在液晶顯示裝置(LCD)基板所代表的FPD用基板等基板施以所定處理的基板處理裝置及基板處理系統。
往常，例如在LCD基板的製程中，使用者具備在減壓氣氛下在LCD基板上施以蝕刻、去灰、成膜等的所定處理的複數基板處理裝置的所謂複室式真空處理系統。
此種真空處理系統是具有：設置具有搬運基板的搬運臂的基板搬運機構的搬運室，及設於其周圍的複數基板處理裝置：藉由搬運室內的搬運臂，使得被處理基板被搬入至各基板處理裝置的處理室內，而且使得經處理的基板從各基板處理裝置的處理室被搬出。
然而，在該種基板處理裝置中，以容易地進行處理室內的維修或蓋體內的重量物的安裝及拆除的目的，提案者藉由作成具有將蓋體進行滑動的滑動機構，及將蓋體以水平軸作為中心進行旋轉的旋轉機構的構成，將蓋體朝水平方向滑動而從室本體拆下，之後作成旋轉蓋體者(例如專利文獻1)。
專利文獻1：日本特開2001－185534(第6圖等)
在上述專利文獻1的蓋體開閉裝置中，在處理室(處理模組)的蓋體的開閉使用一對導軌。然而，在將複數處理室配備於搬運室(搬運模組)的周圍的多室式基板處理系統中，必須在搬運室與處理室之間經由閘開口進行搬運基板之故，因而在接近於搬運室的一側無法配備導軌。所以在專利文獻1中，不會妨礙基板搬運的方式，在處理室的兩側部中配備導軌成為與基板的搬運方向平行的狀態。
因此，在開放蓋體之際，成為從以搬運室為中心所配備的各處理室，再朝外側滑動蓋體，而成為增大裝置足跡(foot print)的主要原因。
又，在上述專利文獻1的蓋體開閉裝置中，打開蓋體之際的動作，是一旦上昇蓋體之後，才朝水平方向滑動，而在該位置以旋轉180度的順序所進行。然而，在該蓋體開閉裝置中，因蓋體的旋轉中心為上昇蓋體而朝水平方向滑動的高度位置，因此若考慮蓋體的旋轉半徑則以設置場所(潔淨室內)的頂部為止的高度或與超重機揚程尺寸之關係而有受到限制的情形。尤其是，近幾年來隨著被處理基板的大型化，例如為了將長邊長度超過2m的基板作為處理對象，而基板處理裝置也成為大型化，而為了確保開閉蓋體所需的頂部高度等的設備空間逐漸變困難。
又，在專利文獻1所述的蓋體開閉裝置中，開放時的蓋體的高度位置與室本體的位置成為段差。所以進行內部的維修作業之際須準備高度不相同的作業台。又，由確保維修時的作業人員的安全的觀點，也希望沒有蓋體與室本體之段差。
如此地，被要求提供可減小蓋體的開閉動作上所需要的面積，又可抑制裝置足跡的基板處理裝置。又，被要求提供可抑制蓋體的開閉動作所必需的高度，不容受到依設置場所的頂部高度等所致的限制，而維修作業也容易的基板處理裝置。
本發明是鑑於此些事項而創作者，提供一種可抑制蓋體的開閉動作所必須的裝置空間的基板處理裝置作為課題者。
為了解決上述課題，本發明的第1觀點，提供一種基板處理裝置，屬於在處理室內進行處理基板的基板處理裝置，其特徵為：上述處理室是具備：室本體，及裝卸自如地設於上述室本體上的蓋體，及裝卸上述蓋體的開閉裝置；上述開閉裝置是將上述蓋體朝與基板對於上述處理室的搬運方向正交的方向滑動進行開閉。
在上述第1觀點中，上述開閉裝置是具有：將上述蓋體朝水平方向進行滑動的滑動機構，及將上述蓋體朝垂直方向進行昇降的昇降機構，及將上述蓋體以水平軸作為中心進行旋轉的旋轉機構較理想。
本發明的第2觀點，提供一種基板處理裝置，屬於在處理室內進行處理基板的基板處理裝置，其特徵為：上述處理室是具備：室本體，及裝卸自如地設於上述室本體上的蓋體，及裝卸上述蓋體的開閉裝置；上述開閉裝置是具有：將上述蓋體朝水平方向進行滑動的滑動機構，及將上述蓋體朝垂直方向進行昇降的昇降機構，及將上述蓋體以水平軸作為中心進行旋轉的旋轉機構較。
在上述第1觀點或第2觀點中，上述滑動機構是將上述蓋體滑動至不會重疊於上述室本體的位置為止；上述昇降機構是將滑動至不會重疊於上述室本體的位置為止的上述蓋體進行下降；上述旋轉機構是藉由旋轉所下降的上述蓋體，使開狀態的上述蓋體上端開放成為與上述室本體上端相同高度的位置較理想。上述昇降機構是藉由上述滑動機構滑動上述蓋體之前，上昇上述蓋體較理想。
又，上述滑動機構是具有：設於上述蓋體的面對面的側壁而滑動移動的一對滑動移動部，及驅動上述滑動移動部而進行滑動蓋體的驅動部，及分別引導上述一對滑動移動部的一對引導構件較理想。
該情形，上述引導構件是在上述處理室的兩側部，配備成互相地平行且具有高低差較理想。
又，上述引導構件中配備於高位置的引導構件，是配設在將基板搬運至上述處理室的搬運室側的側部較理想。
又，上述引導構件中配備於高位置的引導構件，是設成比配備於低位置的另一方的引導構件還薄長方形，而且在該薄長方形的引導構件前端，配備有與上述滑動移動部卡合而將此予以支撐並與滑動移動部一起移動的換乘軌構件較理想。
又，上述昇降機構是具備被連結於上述蓋體的一對可動體，連動於此些可動體而進行昇降上述蓋體較理想。該情形，上述可動體的一方是在下降上述蓋體之際，下降於上述換乘軌構件與上述薄長方形的引導構件的端部之間較理想。
又，具有可旋轉地支撐上述蓋體的面對面的一對側壁的旋轉支撐部，上述旋轉機構是將該旋轉支撐部作為旋轉軸較理想。
又，具備：檢測上述蓋體被裝設於上述室本體的閉狀態的偏位，及上述蓋體從上述室本體拆下的開狀態的偏位的感測器較理想。
又，基板處理裝置是又具備：在上述處理室內載置基板的載置台，及將處理氣體供給於基板的氣體供給部；對於基板進行氣體處理較理想，該情形，上述氣體供給部是具形成有多數氣體吐出孔的蓮蓬頭，該蓮蓬頭被安裝於上述蓋體內較理想。
又，基板處理裝置是在減壓上述處理室內的狀態下處理基板的真空處理裝置較理想。
本發明的第3觀點是提供一種基板處理系統，其特徵為：將上述第1觀點及第2觀點的基板處理裝置，鄰接配置於搬運基板的搬運室。
依照本發明的基板處理裝置可抑制蓋體的開閉動作所必需的裝置空間。
亦即，藉由使用朝與將基板搬運至處理室的搬運方向正交的方向滑動蓋體來進行開閉的開閉裝置，可提供可減小蓋體的開閉動作所必需的面積，而可抑制裝置足跡的基板處理裝置。
又，藉由使用具有朝水平方向滑動的滑動機構，及朝垂直方向昇降蓋體的昇降機構，及以水平軸作為中心旋轉蓋體的旋轉機構的開閉裝置，可提供可抑制蓋體的開閉動作必需的高度，而不會受到設置場所的限制，維修作業也容易的基板處理裝置。
以下，一面參照圖式，一面針對於本發明較佳形態加以說明。
在此，針對於將本發明的基板處理裝置10於對於玻璃製LCD基板(以下，僅稱為「基板」)S來進行蝕刻處理所用的多室型真空處理系統的情形加以說明。
第1圖是表示該真空處理系統1的概觀的立體圖；第2圖是表示其內部的水平斷面圖。該真空處理系統1是於其中央部連設有傳送模組的搬運室20，及真空隔絕室30。在搬運室20之周圍，作為處理模組配設有3個蝕刻處理裝置10。又，在搬運室20與真空隔絕室30之間，在搬運室20與各蝕刻處理裝置10之間，及在連通真空隔絕30與外側的大氣環境的開口部，分別插有氣密地封閉此些之間，且可開閉地所構成的閘閥22。
又，在各蝕刻處理裝置10的側部，具高低差朝水平方向設有互相平行的一對導軌201，202。此些導軌201，202是朝展開處理室60的蓋體62的方向被延設。在本實施形態中，蓋體62的展開方向，是對於搬運室20與各蝕刻處理裝置10之間的基板的搬出入方向成為正交方向。
又，如下所述地，導軌202是設在比導軌201還高位置，且比導軌201還薄長方形。又，在導軌202的端部配備有延設軌部206。
再者，在各蝕刻處理裝置10，配備有進行蓋體62的開閉的開閉裝置63，64。
在真空隔絕室30的外側，設有兩件晶盒指標器41，在其上面載置有分別收容基板S的晶盒40。在此些晶盒40的一方收容有未處理的基板S，而在另一方收容有經處理的基板S。此些晶盒40是藉由昇降機構42成為可昇降之狀態。
在此些兩件晶盒40之間，於支撐台44上設有基板搬運手段43，該搬運手段43是具備設於上下兩段的臂45，46，及一體地進出退避此些及可旋轉地支撐的底座47。
在臂45，46上形成支撐基板S的4個突起48。突起48是由高摩擦係數的合成橡膠製的彈性所構成，作用成可防止在基板S偏位，或掉落的情形。又，晶盒40是也可僅設置一個。在該情形，成為將經處理的基板S放回到同一晶盒內的空的空間。
如下所述地，各蝕刻處理裝置10是具有處理室，其內部空間可被保持在所定的減壓環境，而在處理室內進行蝕刻處理。針對於蝕刻處理裝置10的詳細是如下述。
搬運室20是與蝕刻處理裝置10同樣地，可被保持在所定減壓環境，如第2圖所示地，在其中配設有搬運機構50。又，藉由該搬運機構50，基板S被搬運在真空隔絕室30及3件蝕刻處理裝置10之間。
搬運機構50是具有：設於底座51的一端，及可轉動地設於底座51的第一臂52，及可轉動地設於第一臂52的前端部的第二臂53，及可轉動地設於第二臂53，而支撐著基板S的叉形基板支撐板54；藉由被內設於底座51的驅動機構來驅動第一臂52，第二臂53及基板支撐板54，藉此成為可搬運基板S。又，底座51是可上下移動而且成為可旋轉。
真空隔絕室30也與各蝕刻處理裝置10及搬運室20同樣，可被保持在所定減壓環境，在其中配設有具備用以定位基板S的一對***32的緩衝架31。
以下，參照第3圖至第7圖，針對於蝕刻處理裝置10詳細地說明。第3圖是表示蝕刻處理裝置10的斷面圖；第4圖及第5圖是表示其主要部分立體圖；第6圖及第7圖是表示側視圖。
蝕刻處理裝置10是在其中具備對於基板S施以蝕刻處理所用的處理室60。處理室60是具有：室本體61，及裝卸自如地設於該室本體61上的蓋體62，及將蓋體62對於室本體61能裝卸的開閉裝置63，64，在處理室60內進行處理之際，為了將其中作成氣密空間而可作為真空抽引在室本體61與蓋體62之間設有封閉構件95。
開閉裝置63，64是具備利用被設於處理室60的兩側部的一對導軌201，202而進行蓋體62的開閉的滑動機構。如第4圖及第5圖所示地，導軌201與202是在處理室60的兩側部，平行且具有所定的高低差配設成段差在對於基板S的搬出入方向大約正交方向。
被配設在處理室20側的高度較高者的導軌202，是被架設成橫跨進行對於各蝕刻處理裝置10的基板S的搬出入的閘閥22上。如此地，在導軌201與202設置高低差，藉由將導軌202配備在比導軌201相對地還高的位置，不會妨礙到經由閘開口22a的基板S的搬出入，而藉由導軌201，202可引導蓋體62。因此，對於基板S的搬出入方向大約正交的方向成為可滑動蓋體62，成為可縮小蓋體62的開閉動作所必需的空間。該省空間的效果是例如以搬運室20作為中心而配設複數蝕刻處理裝置10的真空處理系統1，在將複數處理裝置具備於搬運機構周圍的多室型的基板處理系統中成為特別大者。
又，如第4圖及第5圖所示地，導軌202是比導軌201形成薄長方形，在其端部連設有延設軌部206，具備可移動該延設軌部206上的換乘軌構件203。針對於利用該換乘軌構件203的換乘機構是如下述。
利用與搬運室20相反側的導軌201的開閉裝置63，作為主要構成，是具備：與導軌201卡合且朝水平方向可滑動地設置的滑件101，及移動滑件101的驅動源的滑動馬達102，及與滑件101相連結的昇降扛重器105，及旋轉蓋體62的旋轉馬達106。
昇降扛重器105是具備：刻設有螺紋牙的兩支昇降軸103a，103b，及卡合於該昇降軸103a，103b而昇降自如地被支撐的可動體104，及作為驅動源的昇降馬達107。兩支昇降軸103a，103b是藉由聯結器108被連結，令昇降馬達107的旋轉分配並被傳送到兩支昇降軸103a，103b，構成能同步地旋轉各昇降軸103a，103b。
可動體104是經由蓋體62與旋轉支撐部111，被連結，藉由昇降軸103a，103b的旋轉，當可動體104上下地昇降移動時，則連動於可動體104，蓋體62也成為可上下地昇降。
在滑動馬達102的轉動軸前端，設有小齒輪109，又，在導軌201，平行地安裝有直線狀的齒條110(參照第6圖)，藉由齒條齒輪傳動機構，成為可將滑件101沿著導軌201而能滑動移動。滑件101是經由昇降扛重器105，旋轉支撐部111而與蓋體62被連結之故，因而連動於滑件101而可朝水平方向驅動蓋體62。
另一方面，利用搬運室20側的導軌202的開閉裝置64，作為主要構成，是具備：與導軌202卡合且朝水平方向可滑動地設置的滑件121a，121b，及移動滑件121a，121b的驅動源的滑動馬達122，及與滑件121a，121b相連結的昇降扛重器125。又，在開閉裝置64未具備滑動馬達，而將開閉裝置63的旋轉馬達106作為驅動源來旋轉蓋體62。
昇降扛重器125是具備：刻設有螺紋牙的兩支昇降軸123a，123b，及昇降自如地被支持在該昇降軸123a，123b的可動體124，及作為驅動源的昇降馬達127；兩支昇降軸123a，123b是藉由被配置於此些之上方位置的聯結器128被連結，令昇降馬達127的旋轉分配並被傳送到兩支昇降軸123a，123b，構成能同步地旋轉各昇降軸123a，123b。
可動體124是前視呈大約T型的外形，在其下部經由蓋體62與旋轉支撐部131被連結，藉由昇降軸123a，123b的旋轉，當可動體124上下地昇降移動時，則連動於可動體124，蓋體62也成為可上下地昇降。如此地，可動體124是下方呈凸形狀，而在其下部經由旋轉支撐部131與蓋體62連結之故，因而利用下述的換乘軌機構而藉由將可動體124以長衝程進行下降，可將蓋體62的下降衝程採取較大。
在滑動馬達122的轉動軸前端，設有小齒輪129，又，在導軌202，平行地安裝有直線狀的齒條130(參照第7圖)，藉由齒條齒輪傳動機構，成為可將滑件121a，121b沿著導軌202而能滑動移動。滑件121a，121b是經由昇降扛重器125，旋轉支撐部131而與蓋體62被連結之故，因而連動於滑件121a，121b的滑動移動而朝水平方向移動蓋體62。
設於開閉裝置63的旋轉馬達106是被固定在可動體104以旋轉支撐部111與旋轉支撐部131作為旋轉軸而旋轉蓋體62。亦即，旋轉支撐部111與旋轉支撐部131是分別可旋轉地支撐著蓋體62的相對向側壁的中央部，而且位於水平方向的同一線上，而藉由旋轉馬達106，以此些旋轉支撐部111，131作為旋轉軸來旋轉蓋體62。
如第8圖概略所示地，開閉裝置63的滑動馬達102與開閉裝置64的滑動馬達122，是成為藉由控制部150分別經由不同反流器151，152而被控制的構成。藉由此種構成，在滑動移動中藉由負荷變動等的影響，即使在滑件101或滑件121a，121b發生延遲等時，成為也可分別地反流器控制滑動馬達102與滑動馬達122，可提昇滑動停止位置。
又，實際上，在開閉裝置63及開閉裝置64的外側設有蓋部，各驅動系是成為不能看到，惟省略蓋部。又，在第4圖及第5圖省略了齒條110，130。
參照第3圖，在處理室60的內部空間下方，經由絕緣構件71配置有承受器72，在承受器72上成為載置有LCD基板S。
在室本體61的側壁下部連接有排氣管81，而在排氣管81連接有排氣裝置82。排氣裝置82是具備輪機分子泵等的真空泵，藉此可將處理室60的內部空間作成真空吸引而形成所定減壓環境所構成。
在上述承受器72上方，與該承受器72平行地相對，設有作為上部電極功能的蓮蓬頭74。該蓮蓬頭74是被螺固(未圖示)在被配置於其周圍的絕緣構件75，絕緣構件75是藉由突出於蓋體62內部的支撐部62a被支撐，並被螺固著(未圖示)。
。在蓮蓬頭74經由配管76連接於將用以蝕刻處理的處理氣體供給於蓮蓬頭74的處理氣體系77，成為由設於蓮蓬頭74下面的多數氣體吐出孔74a朝基板S吐出處理氣體。
另一方面，在蓮蓬頭74的上面中央連接有饋電棒78，在饋電棒78的上端連接有匹配器79，又在匹配器79連接有高頻電源80。因此，藉由排氣裝置82真空抽引處理室60的內部空間一直到所定減壓狀態之後，從蓮蓬頭74導入處理氣體，經調壓成所定壓力之後，從高頻電源80經由匹配器79及饋電棒78而將高頻電力施加於蓮蓬頭74，藉此，在基板S的上方空間形成有處理氣體的電漿，而進行對於基板S的蝕刻處理。
以下，針對於如上所構成的真空處理系統的處理動作加以說明。首先，進退驅動搬運手段43的兩枚臂45，46，從收容未處理基板的一方的晶盒40(第1圖左邊的晶盒)，將兩枚基板S一次地搬進真空隔絕室30。
在真空隔絕室30內，藉由緩衝齒條31來保持基板S，疏散臂45，46之後，關閉真空隔絕室30的大氣側閘閥22之後，排氣真空隔絕室30內，俾將內部減壓至所定真空度為止。完成真空抽引之後，一面將***32朝第2圖中以符號A所示的方向移動，一面抵接於基板S，藉此進行基板S的對位。
施以基板S的對位之後，打開搬運室20及真空隔絕室30間的閘閥22，利用搬運機構50將基板S搬進搬運室20內。之後，將被搬進搬運室20內的基板S，接受在搬運機構50的基板支撐板54上，搬進所定的蝕刻處理裝置10。然後，基板支撐板54是從蝕刻處理裝置10疏散，關閉閘閥22。這時候，蝕刻處理裝置10的處理室60內，是室本體61與蓋體62藉由封閉構件95被封閉，藉由成為可真空抽引。
如第3圖所示地，在蝕刻處理裝置10中，基板S被載置於承受器72上的狀態下，將處理室60的內部空間減壓到所定壓力之後，將從處理氣體供給系77所供給的蝕刻處理用的處理氣體，經由蓮蓬頭74朝基板S吐出，而且從高頻電源80經由匹配器79及饋電棒78，將高頻電力供給於蓮蓬頭74，而在基板S上的空間形成電漿，進行對於基板S的蝕刻處理。
完成該蝕刻處理之後，打開閘22藉由搬運機構50的基板支撐板54接受經處理的基板S，搬運至真空隔絕室30。被搬運真空隔絕室30的基板S，是藉由搬運手段43的臂45，46，放進經處理的基板用晶盒40(第1圖的右邊晶盒)。藉此，完成一枚基板的一連串的處理動作，惟僅搭載於未處理基板用的晶盒40的基板數重複該處理動作。
在重複此種處理例如所定次數之際，必須進行蝕刻處理裝置10的維修。這時候，藉由上述的開閉裝置63，64拆下處理室60的蓋體62，移動到從室本體61上拆下的位置。
以下，一面參照第9圖至第18圖一面針對於蓋體62的開閉裝置63，64及其開閉動作更詳細地說明。又，開閉裝置63與開閉裝置64是協動而進行蓋體62的開閉動作者，惟在以下的說明中，為了方便上，一面參照第9圖至第13圖及第14圖至第18圖，一面分別地說明開閉裝置63與開閉裝置64的動作。
如上所述地，在處理室60的兩側部，具高低差平行地配備有一對導軌201，202。第9圖至第13圖是表示從與搬運室20相反側觀看處理室60的側視圖，依次地表示將蓋體62作成開放狀態的一連串動作。又，為了說明方便上，在第9圖至第13圖中，僅圖示正前方的導軌201。又，符號204是支撐導軌201的架台。
首先，第9圖是表示蓋體62氣密地抵接於室本體61的處理中的狀態。
在導軌201的開始滑動位置，配置有檢測止動件210及處理室60的蓋體62是否在關閉狀態被裝設在正確位置的光電感測器211。又，在導軌201的滑動完成位置，亦即在有滑件101抵接而停止的停止位置，也配設有光電感測器212及光電感測器213。又，止動件210與光電感測器211，止動件212與光感感測器213，是分別一體地圖示。
如第10圖所示地，由表示於第9圖的狀態，驅動昇降馬達107，藉由稍上昇昇降扛重器105的可動體104，稍上昇蓋體62。在該狀態下藉由驅動滑動馬達102，並藉由小齒輪109與齒條110的卡合。令滑件101沿著導軌201滑動，如在第10圖以假想線所示地，蓋體62與開閉裝置63一起朝水平方向移動。
如第11圖所示地，蓋體62從室本體61上方拆下，將滑件101滑動到抵接於止動件212之位置之後，停止滑動馬達102的驅動。該滑件101的停止位置是藉由光電感測器213被監視，可檢測蓋體62的滑動位置的偏位。
之後，驅動昇降馬達107，下降昇降扛重器105的可動體104，俾下降蓋體62。
又，在蓋體62下降之位置，藉由驅動旋轉馬達106，如第12圖所示地，以旋轉支撐部111，131作為旋轉中心來旋轉蓋體62。該蓋體62的旋轉，是在下降蓋體62之後才進行之故，因而成為可將旋轉所需的高度H抑制較低，可作成不會受到設置場所的頂部高度等所致的限制。構成如此，當旋轉180。蓋體62，則如第13圖所示地，成為蓋體62完全地敞開的狀態。在該開放狀態下，藉由旋轉前就下降蓋體62，例如可將室本體61的上端，及蓋體62的上端作成大約相同高度。
第14圖及第16圖至第18圖是表示從搬運室20側觀看處理室60的側視圖，由與第9圖至第13圖相反側，依次地表示將蓋體62作成開放狀態的一連串的動作。為了說明方便上，有第14圖，第16圖至第18圖中，僅圖示正前方的導軌202，而且閘閥22及閘開口22a是省略圖示。又，符號205是支撐導軌202的架台。
如上所述，導軌202是比導軌201設在相對性較高位置，而且比導軌201形成較短，在前端側設有延設軌部206，而在該處配備有換乘軌構件203。換乘軌構件203是被形成比導軌202還低的延設軌部206所引導，而經由如未圖示的滑件等水平方向地移動延設軌部206上的移動體，而在其上面配設有與滑件121a，121b可卡合的軌。
在導軌202的開始滑動位置，配設有檢測止動件214及處理室60的蓋體62是否在關閉狀態被裝設在正確位置的光電感測器215。又，在延設軌部206的滑動完成位置，亦即在有換乘軌構件203抵接而停止的停止位置，也配設有止動件216與光電感測器217。又，止動件214與光電感測器215，止動件216與光電感測器217，是分別一體地圖示。
首先，由蓋體62氣密地抵接於室本體61的處理中的狀態，驅動昇降馬達127，藉由昇降扛重器125稍上昇可動體124，如第14圖所示地，從室本體61稍上昇蓋體62。在該狀態下藉由驅動滑動馬達122，並藉由小齒輪129與齒條130的卡合，令滑件121a，121b沿著導軌202滑動，隨著此滑動，如第14圖中以假想線所示地，蓋體62朝水平方向移動。
又，如第14圖所示地，作成將換乘軌構件203與導軌202接觸之狀態(連結狀態，俾將滑件121a進行在換乘軌構件203上。這時候，如第15圖所示地，換乘軌構件203不會移動方式使用鎖緊缸207而將換乘軌構件203固定在導軌202的端部。僅滑件121a載放在換乘軌構件203上的位置，停止滑動馬達122，而一旦停止滑件121a，121b的移動。
在該位置，使用任意的卡合手段，例如固定銷208連結換乘軌構件203與滑件121a。又，連結後，解除鎖緊缸207。如此地，在藉由換乘軌構件203僅支撐滑件121a的狀態下，連結換乘軌構件203與滑件121a之後，如第16圖所示地，再驅動滑動馬達122，俾將滑件121a，121b與換乘軌構件203一起朝延設軌部206的前端方向。又，令蓋體62移動到與室本體61不會重疊的位置為止。
一直到換乘軌構件203抵接於止動件216的位置為止滑動滑件121a，12lb之後，停止滑動馬達122。滑件121a，121b的停止位置是藉由光電感測器217被監視，藉此可檢測蓋體62的滑動位置的偏位。然後，如第17圖所示地，驅動昇降馬達127，藉由昇降扛重器125來下降可動體124，並下降蓋體62。這時候，呈Y型的可動體124是其下部下降兩件滑件121a，121b之間，而被***在換乘軌構件203與導軌202之間。藉此，第17圖中，將以符號B所示的蓋體62的旋轉中心可作成比導軌202的高度還低者。亦即，藉由使用換乘軌構件203，可將可動體124以長衝程下降的情形，因應於此，也可將蓋體62的下降衝程作成較大。
又，在蓋體62下降的位置，藉由驅動旋轉馬達106，來旋轉蓋體62。該蓋體62之旋轉是下降蓋體62之後才進行之故，因而如第18圖所示地藉由低位置的旋轉中心B，成為可將旋轉所需要的高度H抑制較低，可作成很難接受設置場所的頂部高度等所致的限制。
如以上地，同時地作動處理室60兩側部的開閉裝置63，64，朝水平方向地滑動蓋體62之後，使之下降，再旋轉180°，藉此蓋體62成為完全地展開的狀態。在該開放狀態下，藉由在旋轉前下降蓋體62，成為可將室本體61上端，及蓋體62上端作成大約相同高度。
根據以上，將處理室60的蓋體62的一連串開閉動作模式地表示於第19圖。首先，第19(a)圖是表示蓋體62氣密地抵接於室本體61的狀態。如第19(b)圖所示地，由該狀態，作動開閉裝置63，64的昇降馬達107，127，而藉由昇降扛重器105，125稍上昇可動體104，124，藉此稍上昇蓋體62。
之後，驅動開閉裝置63，64的滑動馬達102，122。又，滑件101，121a，121b是沿著段差地配設於處理室60的兩側部的導軌201，202來進行滑動。又，藉由換乘軌構件203(第19圖中省略圖示)移動延設軌部206上，如第19(c)圖所示地，朝水平方向移動蓋體62。在該狀態下，容易地可實行室本體61的維修。
如第19(d)圖所示地，蓋體62滑動到從室本體61拆下的位置之後，驅動昇降馬達107，127，而藉由昇降扛重台105，125，來下降可動體104，124，而以長衝程下降蓋體62。又，在蓋體62下降位置，藉由作動旋轉馬達106，如第19(e)圖所示地，例如旋轉90°蓋體62。在該位置藉由鎖緊，就可進行蓋體62內部簡單地維修。
又驅動旋轉馬達106，將蓋體62從原來位置旋轉180°時，則如第19(f)圖所示地，則成為可將蓋體62上端(開放面)，開放成與室本體61上端大約相同高度。藉由此，以起重機等容易地且安全地可實施蓋體62內的維修作業，或是存在於蓋體62內的重量物，例如蓮蓬頭74的裝卸等。又，蓋體62的裝設動作是成為此種順序相反順序。
如此地，裝卸蓋體62的開閉裝置63，64是由：滑動蓋體62的滑動機構，及昇降蓋體62的昇降機構，及旋轉蓋體62的旋轉機構所構成之故，因而滑動蓋體62而從室本體61拆下，然後以水平軸作為中心而可自由地旋轉蓋體62。
這時候，從朝水平方向滑動蓋體62的位置，再下降之後施以旋轉，則可將蓋體62的旋轉所必需的高度與習知構造相比較抑制成較低，而可緩和處理室60的設置空間，尤其是可緩和高度的限制。又，在旋轉蓋體62 180°之狀態下，成為可將室本體61的上端與蓋體62的上端(開放端)作成大約相同高度之故，因而與室本體61之間不會發生段差，而可容易且安全地進行蓋體62內的重量物的安裝或拆下等的維修作業。
又，藉由將使用於滑動機構的導軌202，比導軌201配設在高處，不會妨礙到基板S搬出入到經由閘閥22的處理室60內，而朝與基板S的搬運方向正交的方向可散開蓋體62之故，因而成為可縮小真空處理系統全體的足跡。
又，如上述地，在導軌201，202及延設軌部206，配設有光電感測器211，213，215，217之故，因而成為可分別檢測蓋體62的關閉狀態及開放狀態的偏位，而成為可提高裝置的可靠性。
又，本發明是並不被限定於上述實施形態而可做各種變形。例如，在上述實施形態中，在一對導軌201，202設置高低差而朝與基板S的搬運方向正交的方向延設，而蓋體62的開閉方向(滑動方向)也作成與基板S的搬運方向正交的方向，惟在設置空間(足跡)沒有限制的場所，也可將導軌配設成與基板S的搬運方向。
又，朝水平方向滑動蓋體62的滑動機構，或昇降蓋體62的昇降機構，也不被限定於上述實施形態，而可採用各種機構。
又，在上述實施形態中表示針對於將本發明使用於電漿蝕刻裝置的情形，惟在去夾或CVD等其他真空處理也可以。又，真空處理是並不一定被限定在電漿處理者而是其他的氣體處理也可以，又，氣體處理以外的真空處理也可以。
還有，作為基板例舉用以處理LCD基板的真空處理系統，惟並不被限定於此，處理其他的FPD基板或半導體晶圓的基板處理裝置也可以。又，作為FPD，除了液晶顯示器(LCD)之外，還例示發光二極體(LED)顯示器，電發光(Electro Luminescence：EL)顯示器，螢光顯示器(Vacuum Fluorescent Display：VFD)，電漿顯示板(PDP)等。
產業上的利用可能性
本發明是針對於對各種FED用基板等的基板進行所定處理的基板處理裝置被適當地利用。
1．．．真空處理系統
10．．．蝕刻處理裝置
60．．．處理室
61．．．室本體
62．．．蓋體
63，64．．．開閉裝置
72．．．承受器
74．．．蓮蓬頭
77．．．處理氣體供給系
80．．．高頻電源
101，121．．．滑件
102，122．．．滑動馬達
103a，103b，123a，123b．．．昇降軸
104，124．．．可動體
105，125．．．昇降扛重器
106．．．旋轉馬達
107，127．．．昇降馬達
108，128．．．聯結器
109，129．．．小齒輪
110，130．．．齒條
S．．．LCD基板
第1圖是表示真空處理系統的概觀的立體圖。
第2圖是表示第1圖的真空處理系統的水平斷面圖。
第3圖是表示本發明的一實施形態的蝕刻處理裝置的斷面圖。
第4圖是表示本發明的一實施形態的蝕刻處理裝置的主要部分立體圖。
第5圖是表示由其他角度觀看本發明的一實施形態的蝕刻處理的主要部分立體圖。
第6圖是表示蝕刻處理裝置的側視圖。
第7圖是表示蝕刻處理裝置的另一側視圖。
第8圖是表示用以說明控制滑動馬達的概略說明圖。
第9圖是表示用以說明蓋體的開閉動作的側面圖，表示關閉蓋體的狀態的圖式。
第10圖是表示用以說明蓋體的開閉動作的側面圖；表示稍上昇蓋體的狀態的圖式。
第11圖是表示用以說明蓋體的開閉動作的側面圖；表示滑動蓋體的狀態的圖式。
第12圖是表示用以說明蓋體的開閉動作的側面圖；表示下降蓋體的狀態的圖式。
第13圖是表示用以說明蓋體的開閉動作的側面圖；表示旋轉蓋體180°的狀態的圖式。
第14圖是表示用以說明蓋體的來自相反側的側面圖；表示稍上昇蓋體的狀態的圖式。
第15圖是表示滑件與換乘軌構件的連結部的主要部分擴大圖。
第16圖是表示用以說明蓋體的開閉動作的側面圖；表示與換乘構件一起滑動蓋體的狀態的圖式。
第17圖是表示用以說明蓋體的開閉動作的側面圖；表示下降蓋體的狀態的圖式。
第18圖是表示用以說明蓋體的開閉動作的側面圖；表示旋轉蓋體180°的狀態的圖式。
第19(a)圖至第19(f)圖是表示蓋體的開閉動作的圖式。
60．．．處理室
61．．．室本體
62．．．蓋體
63，64．．．開閉裝置
201，202．．．導軌
206．．．軌部

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，屬於在處理室內進行處理基板的基板處理裝置，其特徵為：上述處理室是具備：室本體，及裝卸自如地設於上述室本體上的蓋體，及裝卸上述蓋體的開閉裝置；上述開閉裝置是具有將上述蓋體朝水平方向滑動的滑動機構，該滑動機構是將上述蓋體在水平面內朝與基板對於上述處理室的搬運方向正交的方向滑動進行開閉。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中，上述開閉裝置是具有：將上述蓋體進行昇降的昇降機構，及將上述蓋體以與蓋體的滑動方向正交的水平軸作為中心進行旋轉的旋轉機構。
  3. 一種基板處理裝置，屬於在處理室內進行處理基板的基板處理裝置，其特徵為：上述處理室是具備：室本體，及裝卸自如地設於上述室本體上的蓋體，及裝卸上述蓋體的開閉裝置；上述開閉裝置是具有：將上述蓋體朝與基板對於上述處理室內的搬運方向正 交或並行的水平方向進行滑動的滑動機構，及將上述蓋體進行昇降的昇降機構，及將上述蓋體以與蓋體的滑動方向正交的水平軸作為中心進行旋轉的旋轉機構，及上述昇降機構是將滑動至不會重疊於上述室本體的位置為止的上述蓋體進行下降。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理裝置，其中，上述旋轉機構是藉由旋轉所下降的上述蓋體，使開狀態的上述蓋體上端開放成為與上述室本體上端相同高度的位置。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理裝置，其中，上述昇降機構是藉由上述滑動機構滑動上述蓋體之前，上昇上述蓋體。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板處理裝置，其中上述滑動機構是具有：設於上述蓋體的面對面的側壁而滑動移動的一對滑動移動部，及驅動上述滑動移動部而進行滑動蓋體的驅動部，及分別引導上述一對滑動移動部的一對引導構件。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的基板處理裝置，其中，上述引導構件是在上述處理室的兩側部，配備成互相地平行且具有高低差。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的基板處理裝置，其中 ，上述引導構件中配備於高位置的引導構件，是配設在將基板搬運至上述處理室的搬運室側的側部。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的基板處理裝置，其中，上述引導構件中配備於高位置的引導構件，是設成比配備於低位置的另一方的引導構件還薄長方形，而且在該薄長方形的引導構件前端，配備有與上述滑動移動部卡合而將此予以支撐並與滑動移動部一起移動的換乘軌構件。
  10. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板處理裝置，其中，上述昇降機構是具備被連結於上述蓋體的一對可動體，連動於此些可動體而進行昇降上述蓋體。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的基板處理裝置，其中，上述昇降機構是具備被連結於上述蓋體的一對可動體，連動於此些可動體而進行昇降上述蓋體；而且上述可動體的一方是在下降上述蓋體之際，下降於上述換乘軌構件與上述薄長方形的引導構件的端部之間。
  12. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板處理裝置，其中，具有可旋轉地支撐上述蓋體的面對面的一對側壁的旋轉支撐部，上述旋轉機構是將該旋轉支撐部作為旋轉軸。
  13. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板處理裝置，其中，具備：檢測上述蓋體被裝設於上述室本體的閉狀態的偏位，及上述蓋體從上述室本體拆下的 開狀態的偏位的感測器。
  14. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板處理裝置，其中，又具備：在上述處理室內載置基板的載置台，及將處理氣體供給於基板的氣體供給部；對於基板進行氣體處理。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的基板處理裝置，其中，上述氣體供給部是具形成有多數氣體吐出孔的蓮蓬頭，該蓮蓬頭被安裝於上述蓋體內。
  16. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板處理裝置，其中，在減壓上述處理室內的狀態下處理基板的真空處理裝置。
  17. 一種基板處理系統，其特徵為：將申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板處理裝置，鄰接配置於搬運基板的搬運室。
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