TWI461869B - 基板處理裝置暨其控制方法、狀態遷移方法與保養方法,半導體元件之製造方法,狀態遷移程式之儲存記錄媒體與執行之電腦,及控制器 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置、基板處理裝置之控制方法、半導體元件之製造方法及裝置狀態遷移方法。
習知,作為動態隨機存取記憶體(DRAM,Dynamic Random Access Memory)或積體電路(IC,Integrated Circuit)等元件之製造步驟之一步驟,根據已定義處理條件及處理順序所定義之配方,而對基板進行處理之基板處理步驟。實施上述步驟之基板處理裝置各部之動作係藉由控制部來控制。
上述基板處理裝置之維護(保養作業)係由保養人員進入基板處理裝置之內部,以進行零件更換或修理,或者,各部之動作確認或各部之再調整。此時,為縮短維護作業所花費之時間等,存在基板處理裝置維持電源接通之狀態而進行維護作業之情形。
但是,由於係基板處理裝置維持電源接通之狀態而進行維護作業,故存在如下疑慮,即,於維護過程中,在保養人員無意時,使狀態轉移條件得以滿足,自動遷移至可執行狀態,而執行既定配方。
本發明之目的在於提供一種即便基板處理裝置維持電源接通之狀態而進行維護,保養人員亦可安全地進行維護作業之基板處理裝置、基板處理裝置之控制方法、半導體元件之製造方法及裝置狀態遷移方法。
根據本發明之一型態,可提供一種基板處理裝置,其包括控制部,該控制部具備:遷移指示部,其使裝置狀態自可進入基板處理裝置內之裝置狀態而為可接收配方之執行指示的待機狀態,遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態而為可執行配方之可執行狀態;以及事件檢測部,其檢測出禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件之發生,並對上述遷移指示部發出通知;且若檢測出上述既定事件之發生,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態。
根據本發明之另一型態,可提供一種基板處理裝置之控制方法,其係包括如下步驟:使裝置狀態自基板處理裝置剛接通電源後之初始狀態,遷移至可進入上述基板處理裝置內之裝置狀態而為可接收既定配方之執行指示的待機狀態之步驟;使裝置狀態自上述待機狀態,遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態而為可執行上述既定配方的可執行狀態之步驟;以及使裝置狀態自上述可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態之步驟;且若於上述待機狀態,發生禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,且不執行上述既定配方。
根據本發明之又一型態,可提供一種半導體元件之製造方法,其係包括如下步驟:使裝置狀態自基板處理裝置剛接通電源後之初始狀態,遷移至可進入上述基板處理裝置內之裝置狀態而為可接收既定配方之執行指示的待機狀態之步驟;使裝置狀態自上述待機狀態,遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態而為可執行上述既定配方的可執行狀態之步驟;以及使裝置狀態自上述可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序,而執行既定處理的執行中狀態之步驟;且於上述執行中狀態下,執行上述既定配方,而對基板執行既定之處理;若於上述待機狀態,發生禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,且不執行上述既定配方。
根據本發明之又一型態,可提供一種裝置狀態遷移方法,其係使裝置狀態自裝置剛接通電源後之初始狀態,遷移至可進入上述裝置內之裝置狀態而為可接收既定配方之執行指示的待機狀態;使裝置狀態自上述待機狀態,遷移至無法進入上述裝置內之裝置狀態而為可執行上述既定配方的可執行狀態;使裝置狀態自上述可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序,而執行既定處理的執行中狀態;若上述既定配方結束,則使裝置狀態自上述執行中狀態遷移至上述待機狀態;且若發生禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態。
根據本發明之基板處理裝置,即便基板處理裝置維持接通電源之狀態而進行維護作業,亦不會自動執行既定配方,藉此維護作業時之安全性得以提高。
以下,對本發明一實施形態進行說明。
首先,使用圖1,對本發明一實施形態之基板處理系統的構成進行說明。圖1係本發明一實施形態之基板處理系統的概要構成圖。
如圖1所示,本實施形態之基板處理系統包括:至少一台之基板處理裝置100;以及以可與該基板處理裝置100進行資料交換之方式而連接之主電腦600或群管理裝置500。基板處理裝置100構成為基於已定義處理順序及處理條件之配方,來執行處理製程。基板處理裝置100與群管理裝置500及/或主電腦600之間,係藉由例如區域網路(LAN,Local Area Network)或廣域網路(WAN,Wide Area Network)等網路400而加以連接。
繼而,一面參照圖2、圖3,一面對本實施形態之基板處理裝置100之構成進行說明。圖2係本發明一實施形態之基板處理裝置的立體透視圖。圖3係本發明一實施形態之基板處理裝置的側視透視圖。再者,本實施形態之基板處理裝置100係構成為按照既定配方,對例如晶圓等基板進行氧化、擴散處理、化學氣相沈積(CVD,chemical vapor deposition)處理等縱型的裝置。
如圖2、圖3所示,本實施形態之基板處理裝置100具備構成為耐壓容器之框體111。於框體111之正面壁111a之正面前方部,開設有作為以可進行維護之方式而設置之開口部之正面維護口103。於正面維護口103,設置有一對正面維護門104作為使正面維護口103開閉之進入機構。收納有矽等晶圓(基板)200之收納盒(基板收容器)110,係作為朝框體111內外搬送晶圓200的載體而使用。
於框體111之正面壁111a,以連通框體111內外之方式開設有收納盒搬入搬出口(基板收容器搬入搬出口)112。收納盒搬入搬出口112係藉由前擋板(基板收容器搬入搬出口開閉機構)113而開閉。於收納盒搬入搬出口112之正面前方側,設置有承載台(基板收容器交接台)114作為載置部。以於承載台114上載置收納盒110並使其位置對準之方式構成。收納盒110係以藉由懸掛式搬運系統(OHT,Overhead Hoist Transport)等製程內搬送裝置(未圖示)而被搬送至承載台114上之方式構成。
於框體111內之前後方向大致中央部的上部,設置有旋轉式收納盒架(基板收容器載置架)105。以於旋轉式收納盒架105上保管複數個收納盒110之方式構成。旋轉式收納盒架105包括:垂直地立設且於水平面內間歇性地旋轉之支柱116;以及於支柱116成輻射狀地支撐於上中下段之各位置的複數片隔板(基板收容器載置台)117。複數片隔板117係構成為以分別載置複數個之狀態下保持該等收納盒110。
於框體111內承載台114與旋轉式收納盒架105之間,設置有收納盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118。收納盒搬送裝置118係由可維持保持收納盒110之狀態而升降之收納盒升降機(基板收容器升降機構)118a、以及作為搬送機構之收納盒搬送機構(基板收容器搬送機構)118b構成。收納盒搬送裝置118係構成為:藉由收納盒升降機118a與收納盒搬送機構118b之連續動作,而與承載台114、旋轉式收納盒架105、收納盒開啟機構(基板收容器蓋體開閉機構)121之間相互地搬送收納盒110。
於框體111內之下部,自框體111內之前後方向之大致中央部起橫跨至後端而設置有輔助框體119。於輔助框體119之正面壁119a,在垂直方向排列成上下二段地設置有將晶圓200搬送至輔助框體119內外之一對晶圓搬入搬出口(基板搬入搬出口)120。於上下段之晶圓搬入搬出口120分別設置有收納盒開啟機構121。
各收納盒開啟機構121包括:載置收納盒110之一對載置台122;以及裝卸收納盒110之蓋子(蓋體)之蓋子裝卸機構(蓋體裝卸機構)123。收納盒開啟機構121係構成為:利用蓋子裝卸機構123裝卸載置台122上所載置之收納盒110之蓋子,藉此使收納盒110之晶圓出入口開閉。
於輔助框體119內,構成有自設置有收納盒搬送裝置118或旋轉式收納盒架105等空間以流體隔絕之移載室124。於移載室124之前側區域,設置有晶圓移載機構(基板移載機構)125。晶圓移載機構125係由可使晶圓200於水平方向旋轉或線性運動之晶圓移載裝置(基板移載裝置)125a、以及使晶圓移載裝置125a升降之晶圓移載裝置升降機(基板移載裝置升降機構)125b構成。如圖2所示,晶圓移載裝置升降機125b係設置於輔助框體119之移載室124之前方區域右端部與框體111右側之端部之間。晶圓移載裝置125a具備作為晶圓200之載置部之鑷子(基板保持體)125c。構成為藉由該等晶圓移載裝置升降機125b及晶圓移載裝置125a之連續動作,可將晶圓200相對於晶舟(基板保持器)217而進行裝填(填充)及卸下(卸除)。
於移載室124之後側區域,構成有收容晶舟217並使其待機之待機部126。於待機部126之上方設置有處理爐202。處理爐202之下端部係以藉由爐口擋板(爐口開閉機構)147而開閉之方式構成。
如圖2所示,於輔助框體119之待機部126右端部與框體111右側端部之間,設置有使晶舟217升降之晶舟升降機(基板保持器升降機構)115。晶舟升降機115之升降台連結有作為連結器之支臂128。於支臂128水平地安裝有作為蓋體之密封蓋219。密封蓋219係以垂直地支撐晶舟217,並可堵塞處理爐202之下端部之方式構成。
本實施形態之基板搬送系統主要係由旋轉式收納盒架105、晶舟升降機115、收納盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217及下述之旋轉機構254構成。該等旋轉式收納盒架105、晶舟升降機115、收納盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217及旋轉機構254,係電性連接於下述作為子控制器之搬送控制器11。
晶舟217具備複數根保持構件。晶舟217係構成為:於使複數片(例如,50片~125片左右)晶圓200之中心一致並使該等晶圓200在垂直方向整齊排列之狀態下,水平地保持各個晶圓200。
如圖2所示,於移載室124中與晶圓移載裝置升降機125b側及晶舟升降機115側呈相反側之左側端部,設置有清潔單元134。清潔單元134係由送風機及防塵過濾器構成,以供給經淨化之空氣或作為惰性氣體之清潔空氣133。於晶圓移載裝置125a與清潔單元134之間,設置有作為校準晶圓圓周方向之位置的基板校準裝置之凹口對準裝置(未圖示)。
自清潔單元134所吹出之清潔空氣133係構成為:於未圖示之凹口對準裝置、晶圓移載裝置125a、位於待機部126之晶舟217周圍流通後,由未圖示之導管吸入而被排出至框體111外部,或者,循環至清潔單元134吸入側即一次側(供給側),由清潔單元134再次吹出至移載室124內。
再者,於框體111、輔助框體119之外周,安裝有未圖示之複數個裝置外罩作為進入基板處理裝置100內之進入機構。該等裝置外罩係於維護作業時卸除,而使保養人員可進入基板處理裝置100內。在與該等裝置外罩相對之框體111、輔助框體119之端部,設置有作為進入感測器之門開關130。另外,在與正面維護門104相對之框體111之端部,亦設置有作為進入感測器之門開關130。另外,於承載台114上,設置有用以檢測收納盒110之載置之基板檢測感測器140。該等門開關130及基板檢測感測器140等開關、感測器類,係經由下述之輸入輸出控制器15而電性連接於下述之基板處理裝置用控制器240。
其次,參照圖2、圖3對本實施形態之基板處理裝置100之動作進行說明。
如圖2、圖3所示,若利用製程內搬送裝置(未圖示)將收納盒110供給至承載台114,則藉由基板檢測感測器140檢測收納盒110,且收納盒搬入搬出口112藉由前擋板113而開放。然後,利用收納盒搬送裝置118,將承載台114上之收納盒110自收納盒搬入搬出口112搬入至框體111內部。
被搬入至框體111內部之收納盒110,係藉由收納盒搬送裝置118而自動地搬送至旋轉式收納盒架105之隔板117上並暫時得到保管。其後,將收納盒110自隔板117上移載至一方之收納盒開啟機構121之載置台122上。再者,被搬入至框體111內部之收納盒110,亦可藉由收納盒搬送裝置118而被直接移載至收納盒開啟機構121之載置台122上。此時,收納盒開啟機構121之晶圓搬入搬出口120係藉由蓋子裝卸機構123而關閉,且移載室124內流通並充滿清潔空氣133。例如,藉由使移載室124內充滿作為清潔空氣133之氮氣,而將移載室124內之氧濃度設定為例如20 ppm以下,遠低於作為大氣環境之框體111內之氧濃度。
將載置台122上所載置之收納盒110,其開口側端面按壓於輔助框體119之正面壁119a中晶圓搬入搬出口120之開口邊緣部,並且利用蓋子裝卸機構123卸除收納盒110之蓋子,而使其晶圓出入口開放。其後,藉由晶圓移載裝置125a之鑷子125c,使晶圓200通過晶圓出入口並自收納盒110內將其拾取,利用凹口對準裝置校準晶圓200之方位後,將其搬入位於移載室124後方之待機部126內,然後將其裝填(安裝)於晶舟217內。已將晶圓200裝填於晶舟217內之晶圓移載裝置125a,返回至收納盒110,並將下一個晶圓200裝填於晶舟217內。
於上述一方(上段或下段)之收納盒開啟機構121中利用晶圓移載機構125進行晶圓200的裝填至晶舟217之裝填作業中,藉由收納盒搬送裝置118將其他收納盒110自旋轉式收納盒架105上搬送並移載至另一方(下段或上段)之收納盒開啟機構121之載置台122上,同時利用收納盒開啟機構121進行收納盒110之開放作業。
若將預先指定片數之晶圓200裝填於晶舟217內,則藉由爐口擋板147而關閉之處理爐202之下端部,藉由爐口擋板147而開放。繼而,利用晶舟升降機115使密封蓋219上升,藉此將保持有晶圓200群之晶舟217搬入(載入)處理爐202內。
載入後,於處理爐202內對晶圓200實施任意之處理。處理後,除利用凹口對準裝置135所進行之晶圓校準步驟以外,以與上述順序幾乎相反之順序,將儲存有處理後之晶圓200之晶舟217自處理室201內搬出,並將儲存有處理後之晶圓200之收納盒110搬出框體111外。
繼而,使用圖4對本實施形態之處理爐202之構成進行說明。圖4係本發明一實施形態之基板處理裝置100之處理爐202的縱剖面圖。
如圖4所示,處理爐202具備作為反應管之加工處理管203。加工處理管203包括作為內部反應管之內管204、以及作為設置於內管外側之外部反應管之外管205。內管204係由例如石英(SiO2
)或碳化矽(SiC)等耐熱性材料構成。內管204係形成為上端及下端呈開口之圓筒形狀。於內管204內之筒中空部,形成有處理作為基板之晶圓200之處理室201。處理室201內係以可收容下述之晶舟217之方式構成。外管205係設置為與內管204成同心圓狀。外管205係形成為內徑大於內管204之外徑,上端堵塞且下端開口之圓筒形狀。外管205係由例如石英或碳化矽等耐熱性材料構成。
於加工處理管203之外側,以包圍加工處理管203側壁面之方式設置有作為加熱機構之加熱器206。加熱器206係構成為圓筒形狀。加熱器206係藉由支撐於作為保持板之加熱器底座251而垂直地安裝。
於外管205下方,以與外管205成同心圓狀之方式配設有歧管209。歧管209係由例如不鏽鋼等構成。歧管209係形成為上端及下端呈開口之圓筒形狀。歧管209係分別卡合於內管204下端部與外管205下端部。歧管209係以支撐內管204下端部與外管205下端部的方式設置。再者,於歧管209與外管205之間,設置有作為密封構件之O形環220a。藉由將歧管209支撐於加熱器底座251,加工處理管203成為垂直地安裝之狀態。藉由加工處理管203與歧管209形成反應容器。
於下述之密封蓋219,連接有作為氣體導入部之處理氣體噴嘴230a及沖洗氣體噴嘴230b,以連通於處理室201。處理氣體噴嘴230a連接有處理氣體供給管232a。於處理氣體供給管232a上游側(與處理氣體噴嘴230a之連接側呈相反側),經由作為氣體流量控制器之質量流量控制器(MFC,mass flow controller)241a,而連接有未圖示之處理氣體供給源等。另外,沖洗氣體噴嘴230b連接有沖洗氣體供給管232b。於沖洗氣體供給管232b上游側(與沖洗氣體噴嘴230b之連接側呈相反側),經由作為氣體流量控制器之MFC(質量流量控制器)241b而連接有未圖示之沖洗氣體供給源等。
本實施形態之處理氣體供給系統主要由處理氣體供給源(未圖示)、MFC241a、處理氣體供給管232a及處理氣體噴嘴230a構成。本實施形態之沖洗氣體供給系統主要由沖洗氣體供給源(未圖示)、MFC241b、沖洗氣體供給管232b及沖洗氣體噴嘴230b構成。本實施形態之氣體供給系統主要由處理氣體供給系統及沖洗氣體供給系統構成。MFC241a、
241b電性連接有下述作為子控制器之氣體供給控制器14。
於歧管209設置有用以排放處理室201內之空氣之排氣管231。排氣管231係配置於由內管204與外管205之間隙所形成之筒狀空間250下端部。排氣管231與筒狀空間250連通。於排氣管231下游側(與連接歧管209之側相反側),自上游側起依序連接有作為壓力檢測器之壓力感測器245、構成為例如自動壓力控制器(APC,Auto Pressure Controller)之壓力調整裝置242、真空泵等真空排氣裝置246。本實施形態之氣體排放機構主要由排氣管231、壓力感測器245、壓力調整裝置242及真空排氣裝置246構成。壓力調整裝置242及壓力感測器245電性連接有下述作為子控制器之壓力控制器13。
於歧管209下方,設置有作為可氣密性地堵塞歧管209下端開口之爐口蓋體的密封蓋219。密封蓋219係自垂直方向下側抵接於歧管209下端。密封蓋219係由例如不鏽鋼等金屬構成。密封蓋219係形成為圓盤狀。於密封蓋219上面,設置有作為與歧管209下端抵接之密封構件之O形環220b。
於密封蓋219之中心部附近、且與處理室201相反側,設置有使晶舟旋轉之旋轉機構254。旋轉機構254之旋轉軸255貫穿密封蓋219而自下方支撐晶舟217。旋轉機構254係構成為藉由使晶舟217旋轉而可使晶圓200旋轉。
密封蓋219係構成為:藉由垂直地設置於加工處理管203
外部作為基板保持器升降機構的晶舟升降機115,而於垂直方向升降。構成為藉由使密封蓋219升降,而可將晶舟217朝處理室201內外搬送。旋轉機構254及晶舟升降機115電性連接有下述作為子控制器之搬送控制器11。
如上所述,作為基板保持器之晶舟217係以如下方式構成,即,於水平姿勢、且使彼此中心一致之狀態下,將複數片晶圓200整齊排列並保持為多段。晶舟217係由例如石英或碳化矽等耐熱性材料構成。於晶舟217下部,將複數片作為隔熱構件之隔熱板216以水平姿勢配置成多段。隔熱板216係形成為圓板形狀。隔熱板216係由例如石英或碳化矽等耐熱性材料構成。隔熱板216係以使來自加熱器206之熱不易傳遞至歧管209側之方式構成。
於加工處理管203內,設置有作為溫度檢測器之溫度感測器263。本實施形態之加熱機構主要由加熱器206及溫度感測器263構成。該等加熱器206與溫度感測器263電性連接有下述作為子控制器之溫度控制器12。
本實施形態之基板處理系統主要由處理爐202、加熱機構、氣體供給系統、氣體排放機構、密封蓋219、旋轉機構254、晶舟升降機115、晶舟217、各種子控制器及感測器構成。
繼而,一面參照圖4,一面說明作為半導體元件之製造步
驟之一步驟,係使用上述構成之處理爐202,並藉由CVD法於晶圓200上形成薄膜之方法。再者,於以下說明中,構成基板處理裝置100之各部分動作係由基板處理裝置用控制器240控制。於此情況下,基板處理裝置用控制器240選擇最佳之基板處理配方(製程配方)作為用以於晶圓200上形成薄膜之配方並加以執行。
若將複數片晶圓200裝填(晶圓填充)至晶舟217內,則如圖4所示,藉由晶舟升降機115提昇保持有複數片晶圓200之晶舟217,並將其搬入(晶舟裝載)處理室201內。於該狀態下,密封蓋219成為經由O形環220b密封歧管209下端之狀態。
以使處理室201內成為所需壓力(真空度)之方式,藉由真空排氣裝置246進行真空排氣。此時,根據壓力感測器245所測定之壓力值,對壓力調整裝置242之閥之開度進行反饋控制。另外,以使處理室201內成為所需溫度之方式,藉由加熱器206進行加熱。此時,根據溫度感測器263所檢測之溫度值,對朝加熱器206之通電量進行反饋控制。繼而,藉由旋轉機構254,使晶舟217及晶圓200旋轉。
繼而,自處理氣體供給源供給、且藉由MFC241a控制成所需流量之處理氣體,係於氣體供給管232a內流通,並自噴嘴230a導入處理室201內。所導入之處理氣體於處理室201內上升,自內管204上端開口流出至筒狀空間250內再
自排氣管231排出。氣體於通過處理室201內時與晶圓200之表面接觸,此時,藉由熱CVD反應而使薄膜堆積(沈積)於晶圓200表面上。
若經過預先設定之處理時間,則將自沖洗氣體供給源供給、且藉由MFC241b控制成所需流量之沖洗氣體,供給至處理室201內,將處理室201內置換成惰性氣體,並且使處理室201內之壓力恢復至常壓。
其後,藉由晶舟升降機115使密封蓋219下降而使歧管209下端呈開口,並且將保持已完成處理之晶圓200之晶舟217,自歧管209下端搬出(晶舟卸載)至加工處理管203外部。其後,將已完成處理之晶圓200自晶舟217中取出,並儲存(晶圓卸除)於收納盒110內。
如此,對晶圓200等基板進行處理之基板處理配方(製程配方)係以如下方式定義,即,至少執行搬入(晶舟裝載)步驟、按照處理條件及處理順序對基板實施處理之步驟、以及搬出(晶舟卸載)步驟。進而,如本實施形態,存在以執行晶圓填充或晶圓卸除之方式定義之情形。
繼而,一面參照圖5~圖8,一面說明對構成處理爐202各部分之動作進行控制的基板處理裝置用控制器240及其周邊之區塊構成。
圖5係本發明一實施形態之基板處理裝置所具備的基板
處理用控制器及其周邊之區塊構成之圖。圖6係例示本發明一實施形態之基板處理裝置與群管理裝置之通信狀態、基板處理裝置之狀態、基板處理用控制器與基板搬送系統之通信狀態之定義圖。圖7係說明本發明一實施形態中基板處理裝置100之狀態遷移的圖。圖8係例示本發明一實施形態之基板處理及沖洗清潔處理的流程圖。
基板處理裝置用控制器240係構成為具備作為主控制部之中央處理裝置(CPU,central processing unit)1a、作為臨時儲存部之記憶體(隨機存取記憶體(RAM,Random Access Memory))1b、作為固定儲存裝置(儲存部)之硬碟(硬磁碟驅動機(HDD,Hard Disk Drive))1c、作為通信控制部之收發模組1d、以及鐘錶功能(未圖示)之電腦。於硬碟1c中,除儲存遷移指示程式檔案、事件檢測程式檔案、作為製程配方之基板處理配方或作為保養配方之沖洗清潔處理配方等配方檔案以外,亦儲存有各種畫面檔案、各種圖符檔案等(均未圖示)。又,遷移指示部2、事件檢測部3若分別執行遷移指示程式檔案、事件檢測程式,則於記憶體1b上實現。
基板處理配方係定義有用以處理晶圓200之處理條件或處理順序等之配方。如上所述,基板處理配方(製程配方)係以至少執行搬入(晶舟裝載)步驟、按照處理條件及處理順序對基板實施處理之步驟、以及搬出(晶舟卸載)步驟的方式定義,且存在以進一步執行晶圓填充或晶圓卸除之方式定義之情形。另外,沖洗清潔處理配方係定義有將沖洗氣體供給至處理室201內,來對處理室201內進行沖洗清潔之處理條件或處理順序等之配方。再者,沖洗清潔處理配方與製程配方同樣地,存在以進一步執行晶舟217之搬入步驟或搬出步驟、晶圓填充或晶圓卸除之方式定義的情形。配方檔案中,發送至外燃控制器10、搬送控制器11、溫度控制器12、壓力控制器13、氣體供給控制器14等子控制器之設定值(控制值)或發送時序等,係於基板處理及沖洗清潔處理之每個步驟設定。
基板處理裝置用控制器240連接有作為操作部之觸控面板7。觸控面板7係構成為:顯示接收輸入至上述基板搬送系統、基板處理系統之操作指令之操作畫面,並且當有操作指令之輸入時,將其要旨通知給下述之事件檢測部3。上述操作畫面具備用於確認基板搬送系統或基板處理系統之狀態,或者,輸入基板搬送系統或基板處理系統之動作指示的各種顯示欄及操作按鈕。再者,操作部並不限定於構成為觸控面板7之情形,亦可如個人電腦,由監視器與鍵盤構成。
基板處理裝置用控制器240之收發模組1d,係經由網路400而與主電腦600或監視伺服器等群管理裝置500可通信地連接。
再者,如圖6之上段所示,基板處理裝置100(基板處理裝置用控制器240之收發模組1d)、與群管理裝置500之通信狀態包括例如離線(OFF LINE)及上線(ON LINE)兩種狀態。又,雖未圖示,但基板處理裝置100與主電腦600之通信狀態亦與群管理裝置500同樣地包括上線與離線兩種狀態。
離線包括以下兩種狀態。第1種狀態係如下之狀態,即,基板處理裝置100與群管理裝置500之連接處於切斷中,利用來自群管理裝置500之指令輸入所進行之基板處理裝置100的操作無效,下述利用來自觸控面板7之指令輸入所進行之基板處理裝置100的操作有效。第2種狀態係如下之狀態,即,基板處理裝置100與群管理裝置500處於連接中,但利用來自群管理裝置500之指令輸入所進行之基板處理裝置100的操作為無效,利用來自觸控面板7之指令輸入所進行之基板處理裝置100的操作為有效之狀態。
另外,所謂上線,係指基板處理裝置100與群管理裝置500處於連接中,且利用來自群管理裝置500之指令輸入所進行之基板處理裝置100的操作為有效之狀態。
收發模組1d係構成為:控制與群管理裝置500之通信,並且當與群管理裝置500之通信狀態變成離線時,將其要旨通知給下述之事件檢測部3。
基板處理裝置用控制器240之收發模組1d分別連接有作為子控制器之外燃控制器10、搬送控制器11、溫度控制器12、壓力控制器13、氣體供給控制器14、及輸入輸出控制器15。
外燃控制器10係構成為由處理爐202所具備之外燃裝置(未圖示)控制所進行之燃燒動作。外燃控制器10係構成為:當內置於外燃裝置(未圖示)中之感測器分別顯示既定值或異常值等時,將其要旨通知給下述之事件檢測部3。
搬送控制器11係以分別控制構成基板搬送系統之旋轉式收納盒架105、晶舟升降機115、收納盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217及旋轉機構254之搬送動作之方式構成。另外,雖未圖示,但於構成基板搬送系統之旋轉式收納盒架105、晶舟升降機115、收納盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217及旋轉機構254,分別內置有感測器。搬送控制器11係構成為:當該等感測器分別顯示既定值或異常值等時,將其要旨通知給下述之事件檢測部3。
再者,如圖6之下段所示,基板處理用控制器240(基板處理裝置用控制器240之收發模組1d)、與搬送控制器11之通信狀態,包括例如區域(LOCAL)及遠程(REMOTE)兩種狀態。所謂區域(LOCAL),係指如下之狀態,即,基板處理用控制器240與基板搬送系統之連接處於切斷中,利用來自基板處理用控制器240之指令輸入所進行之基板搬送系統的操作無效,且利用來自觸控面板7之指令輸入所進行之基板搬送系統的操作無效。所謂遠程(REMOTE),係指如下之狀態,即,基板處理用控制器240與基板搬送系統處於連接中,且利用來自基板處理用控制器240之指令輸入所進行之基板搬送系統的操作有效。
溫度控制器12係構成為:藉由控制處理爐202之加熱器206之溫度來調節處理爐202內的溫度,並且當溫度感測器263顯示既定值或異常值等時,將其要旨通知給下述之事件檢測部3。
壓力控制器13係構成為:根據由壓力感測器245所檢測之壓力值,以使處理室201內之壓力於所需時間點成為所需壓力的方式,控制壓力調整裝置242,並且當壓力感測器245顯示既定值或異常值等時,將其要旨通知給下述之事件檢測部3。
氣體供給控制器14係構成為:藉由使氣閥(未圖示)開閉而控制來自處理氣體供給管232a、沖洗氣體供給管232b之氣體之供給或停止。另外,氣體供給控制器14係構成為:控制MFC241a、241b,以使供給至處理室201內之氣體流量於所需時間點成為所需流量。氣體供給控制器14係構成為:當氣閥(未圖示)或MFC241a、241b所具備之感測器(未圖示)顯示既定值或異常值等時,將其要旨通知給下述之事件檢測部3。
輸入輸出控制器15係構成為:使門開關130及基板檢測感測器140等開關、感測器類呈ON/OFF,而檢測出框體111、輔助框體119、正面維護門104等開閉,或者於承載台114上之收納盒110之載置。輸入輸出控制器15係構成為:根據開關或感測器類之檢測結果,檢測出既定事件或檢測異常之發生,並將其要旨通知給下述之事件檢測部3。
事件檢測程式檔案係構成為:自硬碟1c被讀出至記憶體1b並由CPU1a執行,藉此於基板處理裝置用控制器240實現下述之事件檢測部3。
事件檢測部3係構成為:檢測各種事件之發生,並對下述之遷移指示部2發出通知。具體而言,事件檢測部3係構成為:若自外燃控制器10、搬送控制器11、溫度控制器12、壓力控制器13、氣體供給控制器14、及輸入輸出控制器15、觸控面板7、由收發模組1d收到檢測出既定事件之要旨的通知,則將其要旨通知給遷移指示部2。
例如,事件檢測部3係構成為:若自外燃控制器10接收到內置於外燃裝置(未圖示)之感測器、且分別顯示既定值或異常值等的要旨之通知,則將其要旨通知給遷移指示部2。
另外,例如,事件檢測部3係構成為:若自搬送控制器
11接收到用以構成基板搬送系統之旋轉式收納盒架105、晶舟升降機115、收納盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217及旋轉機構254中所內置之感測器、且分別顯示既定值或異常值等的要旨之通知,則將其要旨通知給遷移指示部2。
另外,例如,事件檢測部3係構成為:若自溫度控制器12或壓力控制器13,接收到溫度感測器263或壓力感測器245顯示既定值或異常值等的要旨之通知,則將其要旨通知給遷移指示部2。
另外,例如,事件檢測部3係構成為:若自氣體供給控制器14,接收到氣閥(未圖示)或MFC241a、241b所具備之感測器(未圖示)顯示既定值或異常值等的要旨之通知,則將其要旨通知給遷移指示部2。
另外,例如,事件檢測部3係構成為:若自輸入輸出控制器15接收到已使框體111、輔助框體119、正面維護門104等開閉之要旨之通知,或者,已將收納盒110載置於承載台114上之要旨之通知,即,來自門開關130及基板檢測感測器140等開關、感測器類之檢測結果,則將其要旨通知給遷移指示部2。
另外,例如,事件檢測部3係構成為:若自收發模組1d接收到與子控制器(外燃控制器10、搬送控制器11、溫度控制器12、壓力控制器13、氣體供給控制器14)或輸入輸出控制器15之通信狀態變成離線之要旨的通知,則將其要旨通知給遷移指示部2。
另外,例如,事件檢測部3係構成為:若自收發模組1d接收到與群管理裝置500之通信狀態變成離線之要旨的通知,則將其要旨通知給遷移指示部2。
再者,遷移指示部2與事件檢測部3之間之通信係構成為:當遷移指示程式及事件檢測程式啟動時,利用於記憶體1b內動態地確保之共有記憶體區域等來進行。例如,以如下之方式構成,即,若遷移指示部2或事件檢測部3中之任一者,將訊息寫入至共有記憶體區域等中,則另一者於既定時間點讀出已寫入至共有記憶體區域等中之訊息。
遷移指示程式檔案係構成為:自硬碟1c被讀出至記憶體1b並於CPU1a中執行,藉此於基板處理裝置用控制器240實現遷移指示部2。
遷移指示部2係構成為:使基板處理裝置100之裝置狀態(裝置模式)如圖7所示,於初始狀態(RESET模式)、待機狀態(IDLE模式)、可執行狀態(STANDBY模式)、執行中狀態(RUN模式)及結束狀態(END模式)之五種狀態之間遷移。將該等五種狀態示於圖6之中段。
如圖7所示,遷移指示部2係構成為:若使基板處理裝置100之電源接通(POWER On),則使基板處理裝置100各部之狀態設定成初始狀態(RESET模式)。
所謂初始狀態(RESET模式),係指基板處理裝置100之電源剛接通後之初始狀態(POWER On),或者,基板處理裝置100產生故障而將基板處理裝置100剛重置後之初始狀態。具體而言,用以構成基板搬送系統例如旋轉式收納盒架105、晶舟升降機115、收納盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217及旋轉機構254,係分別移動至原點位置而成為停止狀態。另外,基板處理系統,例如氣體排放機構、加熱機構、氣體供給系統分別成為停止狀態。另外,於觸控面板7顯示初始畫面,收發模組1d成為可與群管理裝置500或主電腦600進行通信之狀態。
遷移指示部2係構成為:若基板處理裝置100各部之狀態成為初始狀態(RESET模式),則使基板處理裝置100之裝置狀態遷移至可進入基板處理裝置100內之狀態,即,可接收基板處理配方或沖洗清潔處理配方之執行指示而遷移至待機狀態(IDLE模式)。
所謂待機狀態(IDLE模式),係指可進入基板處理裝置100內之裝置狀態,即,可接收配方之執行指示之狀態。待機狀態(IDLE模式)係指打開正面維護門104、或者卸下裝置外罩(未圖示),保養人員可進入基板處理裝置100內進行維護作業之狀態等。具體而言,係指保養人員可於基板處理裝置100內安全地進行作業之狀態,其包括:停止對於基板處理系統,例如加熱機構之加熱器206之電力供給(或者,以使加熱器206變成常溫(預設值)之方式供給電力)之狀態、或者構成基板搬送系統例如晶圓移載機構(基板移載機構)125,於原點位置驅動停止(固定)且不自動進行動作(或者藉由保養人員之手直接使晶圓移載機構(基板移載機構)125安全地移動)之狀態。
若基板處理裝置100之裝置狀態成為待機狀態(IDLE模式),則遷移指示部2成為等待既定事件發生的「等待狀態」,並且利用基板處理裝置用控制器240之鐘錶功能,開始測定完成向待機狀態(IDLE模式)之遷移後之經過時間。
而且,遷移指示部2係構成為:若於成為上述「等待狀態」之期間,自事件檢測部3收到檢測出既定事件發生之要旨的通知,則禁止自待機狀態(IDLE模式)遷移至可執行狀態(STANDBY模式),而將基板處理裝置100之裝置狀態仍然保持為待機狀態(IDLE模式)。
此處,所謂既定事件,相當於例如(a)框體111、輔助框體119、正面維護門104等已呈開啟(例如,自門開關130收到上述要旨之通知);(b)成為如下之狀態,即,基板處理裝置100與群管理裝置500之連接變成切斷中,利用來自群管理裝置500之指令輸入所進行之基板處理裝置100的操作變成無效,利用來自觸控面板7之指令輸入所進行之基板處理裝
置100的操作有效;(c)成為如下之狀態,即,基板處理用控制器240與基板搬送系統之連接變成切斷中,利用來自基板處理用控制器240之指令輸入所進行之基板搬送系統的操作變成無效,利用來自觸控面板7之指令輸入所進行之基板搬送系統的操作無效(成為上述區域(LOCAL)狀態)等。以下,亦將此種事件稱為遷移禁止事件。
另外,若於遷移指示部2成為上述「等待狀態」之期間,將收納有晶圓200之收納盒110載置於承載台114上,則基板處理裝置100自待機狀態(IDLE模式)遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。所謂可執行狀態(STANDBY模式),係指無法進入基板處理裝置100內之裝置狀態,且為可執行配方之狀態。遷移指示部2係構成為:若於可執行狀態(STANDBY模式)自群管理裝置500或觸控面板7輸入基板處理配方之執行指示(開始指示),則使基板處理裝置100之裝置狀態,自可執行狀態(STANDBY模式)遷移至基板處理配方之執行中狀態(RUN模式)。具體而言,構成為:若藉由製程內搬送裝置(未圖示)將收納盒110載置於承載台114上,則基板檢測感測器140檢測收納盒110,並透過事件檢測部3,使承載台114上載置有收納盒110之要旨通知給遷移指示部2。進而,構成為:若自群管理裝置500或觸控面板7輸入基板處理配方之執行指示(開始指示),則使上述執行指示通知給遷移指示部2。然後,遷移指示部2以使基板處理裝置100之裝置狀態自可執行狀態(STANDBY模式)遷移至基板處理配方之執行中狀態(RUN模式)的方式構成。
另外,遷移指示部2係構成為:若於遷移指示部2成為上述「等待狀態」之期間,不將收納有晶圓200之收納盒110載置於承載台114上,或者,不自群管理裝置500或觸控面板7輸入基板處理配方之執行指示,或者,不接收自事件檢測部3檢測出既定事件(遷移禁止事件)發生之要旨的通知,而經過既定時間,使基板處理裝置100之裝置狀態自待機狀態(IDLE模式)自動地遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。其後,遷移指示部2構成為:使基板處理裝置100之裝置狀態自可執行狀態(STANDBY模式)自動地遷移至執行作為保養配方之沖洗清潔處理配方的執行中狀態(RUN模式)。
所謂執行中狀態(RUN模式),係指正執行配方檔案中所定義之各種配方之狀態。於執行中狀態(RUN模式)下,基板處理用控制器240係構成為:根據配方檔案之記載,以既定時序對外燃控制器10、搬送控制器11、溫度控制器12、壓力控制器13、及氣體供給控制器14等子控制器,發送既定設定值(控制值)。
再者,遷移指示部2係構成為:即便於執行中狀態(RUN模式)時,接收來自群管理裝置500或觸控面板7之基板處理配方之執行指示,亦不中斷沖洗清潔配方之進行而使基板處理配方之開始待機,於沖洗清潔處理步驟結束後,開始基板處理步驟。
若基板處理配方或者沖洗清潔處理配方之執行完成,則遷移指示部2係使基板處理裝置100之狀態自執行中狀態(RUN模式)遷移至結束狀態(END模式)。所謂結束狀態(END模式),係指已結束配方之執行之狀態。再者,結束狀態(END模式)包括兩種狀態,即,配方正常地結束之正常結束狀態、以及因某種故障而導致配方異常地結束之異常結束狀態。
再者,於可執行狀態(STANDBY模式),按下操作例如觸控面板7所顯示之操作畫面上之IDLE按鈕,藉此可使基板處理裝置100之裝置狀態自可執行狀態(STANDBY模式)強制性地遷移至待機狀態(IDLE模式)。該情形例如於生產線因某種原因而暫時停止並等待收納盒110(晶圓200)時有效。另外,於待機狀態(IDLE模式)、可執行狀態(STANDBY模式)、執行中狀態(RUN模式)及結束狀態(END模式)中之任一種狀態,按下操作例如操作畫面上之RESET按鈕,藉此可使基板處理裝置100之裝置狀態強制性地遷移至初始狀態(RESET模式)。該情形例如於產生某種裝置故障等,而使基板處理裝置100返回至初始狀態(RESET模式)時有效。
繼而,一面參照圖7、圖8,一面對基板處理裝置100之狀態遷移動作進行說明。
如圖7所示,若將基板處理裝置100之電源接通(POWER On),則遷移指示部2將基板處理裝置100各部之狀態設定成初始狀態(RESET模式)。
若基板處理裝置100各部之狀態變成初始狀態(RESET模式),則遷移指示部2使基板處理裝置100之狀態遷移至可進入基板處理裝置100內之狀態,即,可接收基板處理配方或沖洗清潔處理配方之執行指示之待機狀態(IDLE模式)。
若基板處理裝置100之裝置狀態變成待機狀態(IDLE模式),則遷移指示部2成為等待既定事件發生的「等待狀態」,並且利用基板處理裝置用控制器240之鐘錶功能開始測定經過時間。
然後,若於成為上述「等待狀態」之期間,收到自事件檢測部3檢測出既定事件(遷移禁止事件)發生之要旨的通知,則遷移指示部2禁止自待機狀態(IDLE模式)遷移至可執行狀態(STANDBY模式),而使基板處理裝置100之裝置狀態仍然保持為待機狀態(IDLE模式)。
另外,若於成為上述「等待狀態」之期間,將收納盒110載置於承載台114上,並自群管理裝置500或觸控面板7輸入基板處理配方之執行指示,則遷移指示部2係使基板處理裝置100之裝置狀態自待機狀態(IDLE模式)遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。其後,若基板處理用控制器240選擇(準備)既定基板處理配方,則遷移指示部2係使基板處理裝置100之裝置狀態自可執行狀態(STANDBY模式)遷移至執行中狀態(RUN模式)。
另外,若於成為上述「等待狀態」之期間,不將收納盒110載置於承載台114上,或者,不自群管理裝置500或觸控面板7輸入基板處理配方之執行指示,或者,不接收自事件檢測部3檢測出既定事件(遷移禁止事件)發生之要旨的通知,而經過既定時間,則遷移指示部2係使基板處理裝置100之裝置狀態自待機狀態(IDLE模式)自動地遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。其後,若基板處理用控制器240選擇(準備)既定清潔配方,則遷移指示部2使基板處理裝置100之裝置狀態自可執行狀態(STANDBY模式)遷移至執行中狀態(RUN模式)。
若於執行中狀態(RUN模式),將收納盒110載置於承載台114上(將晶圓200投入至基板處理裝置100內),則基板處理用控制器240執行基板處理配方,並根據配方檔案之記載,以既定時序對外燃控制器10、搬送控制器11、溫度控制器12、壓力控制器13、及氣體供給控制器14等子控制器發送既定設定值(控制值)。如此,若自群管理裝置500或觸控面板7輸入基板處理配方之執行指示,則於執行中狀態(RUN模式),基板處理用控制器240執行基板處理配方。另外,若不將晶圓200投入至基板處理裝置100內而遷移至執行中狀態(RUN模式),則於執行中狀態(RUN模式),基板處理用控制器240執行作為保養配方之沖洗清潔處理配方。
若基板處理配方或者沖洗清潔處理配方之執行完成,則遷移指示部2係使基板處理裝置100之裝置狀態自執行中狀態(RUN模式)遷移至結束狀態(END模式)。
然後,若基板處理裝置100之裝置狀態成為結束狀態(END模式),則遷移指示部2係使基板處理裝置100之裝置狀態自結束狀態(END模式)遷移至待機狀態(IDLE模式),並如以下圖8所例示重複上述動作。
根據本實施形態,產生以下所示之一種或複數種效果。
(a)根據本實施形態,構成為:若於待機狀態(IDLE模式),收到檢測出既定事件(遷移禁止事件)發生之要旨的通知,則將基板處理裝置100之裝置狀態禁止自可進入基板處理裝置100內之裝置狀態而為可接收配方之執行指示之待機狀態(IDLE模式),遷移至無法進入基板處理裝置100內之裝置狀態而為可執行配方之可執行狀態(STANDBY模式)。藉此,即便保養人員於待機狀態(IDLE模式)直接進行基板處理裝置100之維護,亦可抑制基板處理裝置100自待機狀態(IDLE模式)自動地遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。
(b)根據本實施形態,構成為:若於待機狀態(IDLE模式),不將收納盒110載置於承載台114上,或者,不自群管理裝置500或觸控面板7輸入基板處理配方之執行指示,或者,不接收自事件檢測部3檢測出既定事件(遷移禁止事件)發生之要旨的通知,而經過既定時間,則為執行沖洗清潔處理配方,而使基板處理裝置100之裝置狀態遷移至執行中狀態(RUN模式)。藉此,可於基板處理步驟之空閒時間自動地進行沖洗清潔處理步驟,因此可使處理室201內一直保持為清潔之狀態,並且可提昇生產性。
(c)根據本實施形態,構成為:若於待機狀態(IDLE模式)下,框體111、輔助框體119、正面維護門104等開啟,則將基板處理裝置100之裝置狀態禁止自待機狀態(IDLE模式)遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。藉此,當保養人員於待機狀態(IDLE模式)直接進行基板處理裝置100之維護時,即便開啟框體111、輔助框體119、正面維護門104等,亦可於無保養人員之指示之情況下,抑制基板處理裝置100自待機狀態(IDLE模式)遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。
(d)根據本實施形態,構成為:若於待機狀態(IDLE模式),基板處理用控制器240與基板搬送系統之連接變成區域(LOCAL)連接,則將基板處理裝置100之裝置狀態禁止自待機狀態(IDLE模式)遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。藉此,當保養人員於待機狀態(IDLE模式)直接進行基板處理裝置100之維護時,即便於以區域(LOCAL)之狀態操作基板搬送系統之過程中,經過既定時間,亦可抑制基板處理裝置100自待機狀態(IDLE模式)遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。
(e)根據本實施形態,構成為:若於待機狀態(IDLE模式),基板處理裝置100與群管理裝置500之連接變成離線(OFF LINE),則將基板處理裝置100之裝置狀態禁止自待機狀態(IDLE模式)遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。藉此,當保養人員於待機狀態(IDLE模式)直接進行基板處理裝置100之維護時,即便使基板處理裝置100與群管理裝置500之連接變成離線(OFF LINE),亦可抑制基板處理裝置100自待機狀態(IDLE模式)自動地遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。
(f)根據本實施形態,構成為:於執行中狀態(RUN模式),即便接收來自群管理裝置500或觸控面板7之基板處理配方之執行指示,亦不中斷沖洗清潔處理配方之進行而使基板處理配方呈開始待機,於沖洗清潔處理步驟結束後,開始基板處理步驟。藉此,可使沖洗清潔處理配方不於中途結束而確實地執行至最後為止,因此可使處理室201內一直保持為清潔狀態。
再者,於本實施形態中,構成為若於成為「等待狀態」之期間,經過既定時間,則自動地執行保養配方(沖洗清潔處理配方),但並不限定於本實施形態,亦可構成為即便「等待時間」持續既定時間,亦遷移至可執行狀態(STANDBY模式),並等待保養配方之執行指示。另外,亦可構成為:為執行保養配方,必須藉由手動(例如,保養人員操作觸控面板7)遷移至可執行狀態(STANDBY模式)。另外,作為基板處理裝置之一例,揭示有半導體製造裝置,但並不限定於半導體製造裝置,亦可為用以處理如液晶顯示器(LCD,Liquid Crystal Display)裝置之玻璃基板之裝置。另外,基板處理之具體內容並無限制,不僅可為成膜處理,亦可為退火處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理等處理。另外,成膜處理亦可為例如CVD,物理氣相沈積(PVD,Physical Vapor Deposition)、形成氧化膜、氮化膜之處理,形成包含金屬之膜處理。
以上,對本發明之實施形態進行具體說明,但本發明並不限定於上述實施形態,可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。
以下,附註本發明之較佳型態。
根據本發明之一型態,可提供一種基板處理裝置,其係執行定義有處理條件及處理順序之配方而實施既定處理者,該基板處理裝置包括:控制部,其控制上述基板處理裝置各部之動作;上述控制部具備:遷移指示部,其使上述基板處理裝置之裝置狀態,自可進入上述基板處理裝置內之裝置狀態而為可接收配方之執行指示的待機狀態,遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態而為可執行配方之可執行狀態);及事件檢測部,其檢測出禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件發生,並對上述遷移指示部發出通知;且上述遷移指示部若收到檢測出上述事件之發生之要旨的通知,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態。
較佳為上述配方係處理上述基板之基板處理配方。
又,較佳為上述基板處理裝置具備用以收容上述基板之處理室,且上述配方係將沖洗氣體供給至上述處理室內,來對上述處理室內進行沖洗清潔處理之沖洗清潔處理配方。
又,較佳為上述基板處理裝置包括:進入上述基板處理裝置內之進入機構;以及將上述進入機呈開啟狀態之要旨,通知給上述事件檢測部之進入感測器;且上述事件檢測部若於上述待機狀態,收到來自上述進入感測器之上述開啟狀態之要旨的通知,則檢測上述既定事件發生,並對上述遷移指示部發出通知。
又,較佳為上述基板處理裝置包括:基板搬送系統,其將上述基板朝上述處理室內外搬送;以及操作部,其接收對上述基板搬送系統輸入之操作指令,並且將具有上述操作指令輸入之要旨通知給事件檢測部;且上述事件檢測部若於上述待機狀態,收到具有來自上述操作部對上述基板搬送系統輸入之上述操作指令的要旨通知,則檢測出上述既定事件發生,並對上述遷移指示部發出通知。
又,較佳為上述基板處理裝置包括:基板處理系統,其處理上述基板;以及操作部,其接收對上述基板搬送系統輸入之操作指令,並且將具有上述操作指令輸入之要旨通知給事件檢測部;且上述事件檢測部若於上述待機狀態,收到具有來自上述操作部對上述基板搬送系統輸入之上述操作指令的要旨之通知,則檢測出上述既定事件發生,並對上述遷移指示部發出通知。
又,較佳為上述基板處理裝置包括通信控制部,其連接於群管理裝置並控制與該群管理裝置之通信,同時將與上述群管理裝置之通信狀態變成離線之要旨通知給事件檢測部;且上述事件檢測部若於上述待機狀態,收到與上述群管理裝置之通信變成離線之要旨的通知,則檢測出上述既定事件發生,並對上述遷移指示部發出通知。
又,較佳為上述基板處理裝置包括:載置部,其載置有收容上述基板之基板收容器;以及基板檢測感測器,其將上述載置部載置有上述基板收容器之要旨通知給上述事件檢測部;且上述遷移指示部若於使上述基板處理裝置之裝置狀態遷移至上述待機狀態後,在既定時間內收到來自上述事件檢測部檢測出上述既定事件發生的要旨之通知,則將上述基板處理裝置之裝置狀態禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,若於上述既定時間內未收到來自上述事件檢測部檢測出上述既定事件發生的要旨之通知,而收到來自上述基板檢測感測器載置有上述基板收容器之要旨的通知,則使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,並等待上述基板處理配方之執行指示,若於上述既定時間內未收到來自上述事件檢測部檢測出上述既定事件發生的要旨之通知,則使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,並執行上述沖洗清潔處理配方。
又,較佳為上述基板處理裝置包括:加熱機構,其對上述基板進行加熱;以及溫度控制部,其控制上述加熱機構溫度而將上述基板調節成既定溫度,並且將上述加熱機構變得異常之要旨通知給上述事件檢測部;且上述事件檢測部若於上述待機狀態,收到來自上述溫度控制部之上述加熱機構變得異常之要旨的通知,則檢測出上述既定事件發生並對上述遷移指示部發出通知。
又,較佳為上述基板處理裝置包括:氣體排放機構,其排放上述處理室內之空氣;以及壓力控制部,其控制上述氣體排放機構來調節上述處理室內之壓力,同時將上述氣體排放機構變得異常之要旨通知給上述事件檢測部;且上述事件檢測部若於上述待機狀態下,收到來自上述壓力控制部之上述氣體排放機構變得異常之要旨的通知,則檢測出上述既定事件發生並對上述遷移指示部發出通知。
又,較佳為上述基板處理裝置包括:載置部,其載置有收容上述基板之基板收容器;基板收容器搬送裝置,其將上述載置部所載置之上述基板收容器,搬送至上述基板處理裝置之既定位置;以及搬送控制部,其控制上述基板收容器搬送裝置,同時於該基板收容器搬送裝置變得異常時,對上述事件檢測部發出通知;且上述事件檢測部若於上述待機狀態,收到來自上述搬送控制部之上述基板收容器搬送裝置變得異常之要旨的通知,則檢測出上述既定事件發生,並對上述遷移指示部發出通知。
又,較佳為上述基板處理裝置包括:基板搬送裝置,其自上述基板收容器搬送裝置內外搬送上述基板;以及搬送控制部,其控制上述基板搬送裝置,同時於該基板搬送裝置變得異常時,對上述事件檢測部發出通知;且上述事件檢測部若於上述待機狀態,收到來自上述搬送控制部之上述基板搬送裝置變得異常之要旨的通知,則檢測上述既定事件發生,並對上述遷移指示部發出通知。
又,較佳為上述基板處理裝置包括:基板保持器,其於上述處理室內保持上述基板;基板保持器升降機構,其使上述基板保持器於上述處理室內升降;以及搬送控制部,其控制上述基板保持器升降機構,同時於該基板保持器升降機構變得異常時,對上述事件檢測部發出通知;且上述事件檢測部若於上述待機狀態,收到來自上述搬送控制部之上述基板保持器升降機構變得異常之要旨的通知,則檢測出上述既定事件發生,並對上述遷移指示部發出通知。
又,較佳為上述基板處理裝置包括:旋轉機構,其於上述處理室內使上述基板保持器旋轉;以及旋轉機構控制部,其控制上述旋轉機構,並且於該旋轉機構變得異常時,對上述事件檢測部發出通知;且上述事件檢測部若於上述待機狀態,收到來自上述旋轉機構控制部之上述旋轉機構變得異常之要旨的通知,則檢測出上述既定事件發生,並對上述遷移指示部發出通知。
較佳為上述控制部係構成為具有中央處理裝置、記憶體、儲存部、顯示部、輸入部及通信部之電腦,於上述儲存部中儲存遷移指示程式、事件檢測程式,上述遷移指示程式係自上述儲存部讀出至上述記憶體,並於上述中央處理裝置中執行,藉此於上述控制部實現上述遷移指示部,且上述事件檢測程式係自上述儲存部讀出至上述記憶體,並於上述中央處理裝置執行,藉此於上述控制部實現上述事件檢測部。
較佳為上述遷移指示部即便於執行上述沖洗清潔處理配方之過程中,接收上述基板處理配方之執行指示,亦不中斷上述沖洗清潔處理配方之進行,而使上述基板處理配方之開始呈待機,於上述沖洗清潔處理配方之結束後開始上述基板處理配方。
1a...CPU(中央處理裝置)
1b...記憶體(RAM)
1c...硬碟(HDD)
1d...收發模組
2...遷移指示部
3...事件檢測部
7...觸控面板
10...外燃控制器
11...搬送控制器
12...溫度控制器
13...壓力控制器
14...氣體供給控制器
15...輸入輸出控制器
100...基板處理裝置
103...正面維護口
104...正面維護門
105...旋轉式收納盒架(基板收容器載置架)
110...收納盒
111...框體
111a、119a...正面壁
112...收納盒搬入搬出口(基板收容器搬入搬出口)
113...前擋板(基板收容器搬入搬出口開閉機構)
114...承載台(基板收容器交接台)
115...晶舟升降機(基板保持器升降機構)
116...支柱
117...隔板(基板收容器載置台)
118...收納盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)
118a...收納盒升降機(基板收容器升降機構)
118b...收納盒搬送機構(基板收容器搬送機構)
119...輔助框體
120...晶圓搬入搬出口(基板搬入搬出口)
121...收納盒開啟機構(基板收容器蓋體開閉機構)
122...載置台
123...蓋子裝卸機構(蓋體裝卸機構)
124...移載室
125...晶圓移載機構(基板移載機構)
125a...晶圓移載裝置(基板移載裝置)
125b...晶圓移載裝置升降機(基板移載裝置升降機構)
125c...鑷子(基板保持體)
126...待機部
128...支臂
130...門開關
133...清潔空氣
134...清潔單元
140...基板檢測感測器
147...爐口擋板(爐口開閉機構)
200...晶圓(基板)
201...處理室
202...處理爐
203...加工處理管
204...內管
205...外管
206...加熱器
209...歧管
216...隔熱板
217...晶舟(基板保持器)
219...密封蓋
220a、220b...O形環
230a...處理氣體噴嘴
230b...沖洗氣體噴嘴
231...排氣管
232a...處理氣體供給管
232b...沖洗氣體供給管
240...基板處理裝置用控制器(控制部)
241a、241b...MFC(質量流量控制器)
242...壓力調整裝置
245...壓力感測器
246...真空排氣裝置
250...筒狀空間
251...加熱器底座
254...旋轉機構
255...旋轉軸
263...溫度感測器
400‧‧‧網路
500‧‧‧群管理裝置
600‧‧‧主電腦
圖1係本發明一實施形態之基板處理系統之概要構成圖。
圖2係本發明一實施形態之基板處理裝置之立體透視圖。
圖3係本發明一實施形態之基板處理裝置之側視透視圖。
圖4係本發明一實施形態之基板處理裝置之處理爐之縱剖面圖。
圖5係本發明一實施形態之基板處理裝置所具備之基板處理用控制器及其周邊的區塊構成圖。
圖6係例示本發明一實施形態之基板處理裝置與群管理裝置之通信狀態、基板處理裝置之狀態、基板處理用控制器與基板搬送系統之通信狀態定義的圖。
圖7係說明本發明一實施形態之基板處理裝置之狀態遷移的圖。
圖8係例示本發明一實施形態之基板處理及沖洗清潔處理的流程圖。
1a‧‧‧CPU(中央處理裝置)
1b‧‧‧記憶體(RAM)
1c‧‧‧硬碟(HDD)
1d‧‧‧收發模組
2‧‧‧遷移指示部
3‧‧‧事件檢測部
7‧‧‧觸控面板
10‧‧‧外燃控制器
11‧‧‧搬送控制器
12‧‧‧溫度控制器
13‧‧‧壓力控制器
14‧‧‧氣體供給控制器
15‧‧‧輸入輸出控制器
240‧‧‧基板處理裝置用控制器(控制部)
500‧‧‧群管理裝置
600‧‧‧主電腦
Claims (18)
- 一種基板處理裝置,其包括有控制部,該控制部具備:遷移指示部,其使裝置狀態當可進入基板處理裝置內之裝置狀態即為可接收既定配方之執行指示的待機狀態被設定之後經過既定時間時,自上述待機狀態遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可執行上述既定配方之可執行狀態;以及事件檢測部,其檢測出禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件之發生,並對上述遷移指示部發出通知;且於上述待機狀態中,若於上述既定時間內檢測出上述既定事件之發生,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,上述控制部,於上述既定時間內未檢測出有上述既定事件之發生之情形,若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,使上述裝置狀態自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,選擇既定沖洗清潔處理配方作為上述既定配方,使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述 執行中狀態。
- 一種基板處理裝置之控制方法,其係包括有如下之步驟:使裝置狀態自基板處理裝置剛接通電源後之初始狀態,遷移至可進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可接收既定配方之執行指示的待機狀態之步驟;若使上述裝置狀態遷移至上述待機狀態之後而經過既定時間時,使裝置狀態自上述待機狀態,遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可執行上述既定配方的可執行狀態之步驟;以及使裝置狀態自上述可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態之步驟;且於上述待機狀態中,若於上述既定時間內發生禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件時,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,且不讓上述既定配方進行執行,於上述既定時間內未發生有上述既定事件之情形,若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定沖洗清潔處理配方,使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內 投入有上述基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態而執行上述既定基板處理配方。
- 一種半導體元件之製造方法,其係包括有如下之步驟:使裝置狀態自基板處理裝置剛接通電源之後之初始狀態,遷移至可進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可接收既定配方之執行指示的待機狀態之步驟;若使上述裝置狀態遷移至上述待機狀態之後而經過既定時間時,使裝置狀態自上述待機狀態,遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可執行上述既定配方的可執行狀態之步驟;以及使裝置狀態自上述可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態之步驟;且於上述待機狀態,若於上述既定時間內發生禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件時,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,且不讓上述既定配方進行執行,於上述既定時間內未發生有上述既定事件之情形,若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定 沖洗清潔處理配方,使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態而執行上述既定基板處理配方。
- 一種基板處理裝置之狀態遷移方法,其係使裝置狀態自基板處理裝置剛接通電源後之初始狀態,遷移至可進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可接收既定配方之執行指示的待機狀態;若使上述裝置狀態遷移至上述待機狀態之後而經過既定時間時,使裝置狀態自上述待機狀態,遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可執行上述既定配方的可執行狀態;使裝置狀態自上述可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態;若上述既定配方結束時,則使裝置狀態自結束狀態遷移至上述待機狀態;且於上述待機狀態中,若於上述既定時間內發生禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件,則禁止自上述 待機狀態遷移至上述可執行狀態,於上述既定時間內未發生有上述既定事件之情形,若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定沖洗清潔處理配方,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,使上述裝置狀態自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態。
- 一種基板處理裝置之保養方法,其係包括有如下之步驟:使裝置狀態自基板處理裝置剛接通電源後之初始狀態,遷移至可進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可接收既定配方之執行指示的待機狀態之步驟;若使上述裝置狀態遷移至上述待機狀態之後而經過既定時間時,使裝置狀態遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可執行上述既定配方的可執行狀態之步驟;以及使裝置狀態自上述可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態之步驟;且 於上述待機狀態中,於上述既定時間內發生禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件之情形,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,且不讓上述既定配方進行執行,於上述既定時間內未發生有上述既定事件之情形,若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定沖洗清潔處理配方,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態而執行上述既定基板處理配方。
- 一種儲存有狀態遷移程式之記錄媒體,其係使如下之順序於基板處理裝置所具備之控制部進行執行:使裝置狀態自基板處理裝置剛接通電源後之初始狀態,遷移至可進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可接收既定配方之執行指示的待機狀態之順序;若使上述裝置狀態遷移至上述待機狀態之後而經過既定時間時,使裝置狀態自上述待機狀遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可執行上述既定配方的可執行狀態之順序;以及 使裝置狀態自上述可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態之步驟;且於上述待機狀態中,於上述既定時間內發生禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件之情形,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,且不讓上述既定配方進行執行,於上述既定時間內未發生有上述既定事件之情形,若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定沖洗清潔處理配方,使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態而使上述既定基板處理配方進行執行。
- 一種執行狀態遷移程式之電腦,其為於基板處理裝置所具備之電腦,該狀態遷移程式係使裝置狀態自基板處理裝置剛接通電源後之初始狀態,遷移至可進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可接收配方之執行指示的待機狀態;若使上述裝置 狀態遷移至上述待機狀態之後而經過既定時間時,使裝置狀態自上述待機狀遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可執行既定配方的可執行狀態;且該狀態遷移程式係於上述待機狀態中,於上述既定時間內發生禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件之情形,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,且不讓上述既定配方進行執行,於上述既定時間內未發生有上述既定事件之情形,若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定沖洗清潔處理配方,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態而使上述既定基板處理配方進行執行。
- 一種控制器,其具備有:遷移指示部,其使裝置狀態當可進入基板處理裝置內之裝置狀態即為可接收既定配方之執行指示的待機狀態被設定之後經過既定時間時,自上述待機狀態遷移至無法進入上述基板處理裝置內之裝置狀態即為可執行上述既定配方之可執行狀態;以及 事件檢測部,其檢測出禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之既定事件之發生,並對上述遷移指示部發出通知;且在上述待機狀態中,若於上述既定時間內檢測出上述既定事件之發生,則禁止自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態,而上述控制器,於上述既定時間內未檢測出有上述既定事件之發生之情形,若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,選擇既定沖洗清潔處理配方作為上述既定配方,使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態。
- 一種基板處理裝置,其具備有控制部,而該控制部係使裝置狀態自可執行既定配方的可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態,並執行上述既定配方,且上述控制部,係以下述之方式進行控制:若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,使上述裝置狀態自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,選擇既定沖洗清潔處理配方作 為上述既定配方,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,將上述裝置狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態。
- 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置,其中,更具有自操作畫面接受執行上述既定配方之指示之操作部,且既使自上述操作畫面上接受到執行上述既定配方之指示,也不使現在執行中之配方產生中斷,而使根據上述指示之上述既定配方之開始呈待命。
- 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置,其中,更具有自操作畫面接受使裝置狀態遷移之指示之操作部,且於執行上述配方之執行中狀態,若自上述操作畫面上接受到遷移至上述基板處理裝置剛接通電源後之初始狀態之指示時,則根據上述指示使上述裝置狀態遷移至上述初始狀態。
- 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置,其中,更具有自操作畫面接受使裝置狀態遷移之指示之操作部,且若自上述操作畫面上接受到使裝置狀態遷移至可接收上述既定配方之執行指示的上述待機狀態之指示時,則根據 上述指示使上述裝置狀態自可執行上述既定配方之上述可執行狀態遷移至上述待機狀態。
- 一種基板處理裝置之控制方法,其具備有使裝置狀態自可執行既定配方的可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態之步驟,且若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定沖洗清潔處理配方,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,使上述裝置狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態而執行上述既定基板處理配方。
- 一種半導體元件之製造方法,其具備有使基板處理裝置之裝置狀態自可執行既定配方的可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態之步驟,且若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,使上述裝置狀態遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定沖洗清潔處理配方,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投 入有上述基板時,使上述裝置狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態而執行上述既定基板處理配方。
- 一種基板處理裝置之狀態遷移方法,其係使基板處理裝置之裝置狀態自可執行既定配方的可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態,且若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,使上述裝置狀態遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定沖洗清潔處理配方,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,使上述裝置狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態。
- 一種基板處理裝置之保養方法,其具備有使裝置狀態自可執行既定配方的可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態之步驟,且若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,使上述裝置狀態遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定 沖洗清潔處理配方,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態而執行上述既定基板處理配方。
- 一種執行狀態遷移程式之電腦,而該狀態遷移程式係使基板處理裝置之裝置狀態自可執行既定配方的可執行狀態,遷移至按照上述既定配方中所定義之處理條件及處理順序而執行既定處理的執行中狀態,並且該狀態遷移程式,係若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,使上述裝置狀態遷移至上述可執行狀態,為執行作為上述既定配方之既定沖洗清潔處理配方,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態而執行上述既定基板處理配方。
- 一種控制器,其具備有遷移指示部,而該遷移指示部係若待機狀態被設定之後經過既定時間時,則使基板處理裝置之裝置狀態自上述待機狀態遷移至可執行既定配方之可執行狀態,且 若於上述基板處理裝置內未投入有基板時,使上述裝置狀態自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,選擇既定沖洗清潔處理配方作為上述既定配方,使上述基板處理裝置之裝置狀態自上述可執行狀態遷移至執行中狀態,另一方面,若於上述基板處理裝置內投入有上述基板時,使上述裝置狀態自上述待機狀態遷移至上述可執行狀態之後,當作為上述既定配方之既定基板處理配方的執行指示被輸入時,使上述裝置狀態自上述可執行狀態遷移至上述執行中狀態。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009231320 | 2009-10-05 | ||
JP2010161560A JP4917660B2 (ja) | 2009-10-05 | 2010-07-16 | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、半導体デバイスの製造方法、装置状態遷移方法、基板処理装置の保守方法及び状態遷移プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201129886A TW201129886A (en) | 2011-09-01 |
TWI461869B true TWI461869B (zh) | 2014-11-21 |
Family
ID=43823823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099128207A TWI461869B (zh) | 2009-10-05 | 2010-08-24 | 基板處理裝置暨其控制方法、狀態遷移方法與保養方法,半導體元件之製造方法,狀態遷移程式之儲存記錄媒體與執行之電腦,及控制器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8457774B2 (zh) |
JP (1) | JP4917660B2 (zh) |
KR (1) | KR101214933B1 (zh) |
TW (1) | TWI461869B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI783318B (zh) * | 2019-12-09 | 2022-11-11 | 日商國際電氣股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式 |
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JP6199199B2 (ja) * | 2014-02-20 | 2017-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、位置ずれ補正方法及び記憶媒体 |
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JP7382769B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2023-11-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP7498217B2 (ja) | 2022-04-07 | 2024-06-11 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、装置起動方法、半導体装置の製造方法およびプログラム |
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US6732006B2 (en) * | 2002-02-06 | 2004-05-04 | Asm International Nv | Method and system to process semiconductor wafers |
-
2010
- 2010-07-16 JP JP2010161560A patent/JP4917660B2/ja active Active
- 2010-08-24 TW TW099128207A patent/TWI461869B/zh active
- 2010-08-30 KR KR1020100083923A patent/KR101214933B1/ko active IP Right Grant
- 2010-10-04 US US12/897,111 patent/US8457774B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
US8457774B2 (en) | 2013-06-04 |
JP2011100968A (ja) | 2011-05-19 |
TW201129886A (en) | 2011-09-01 |
KR20110037836A (ko) | 2011-04-13 |
JP4917660B2 (ja) | 2012-04-18 |
KR101214933B1 (ko) | 2012-12-24 |
US20110082581A1 (en) | 2011-04-07 |
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