TWI400580B - 微影裝置之光學元件、包含此光學元件之微影裝置及製造此光學元件之方法 - Google Patents

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Description

微影裝置之光學元件、包含此光學元件之微影裝置及製造此光學元件之方法
本發明係關於一種用於微影裝置之光學元件，且係關於一種包含此光學元件之微影裝置。本發明亦係關於一種用於生產光學元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在微影裝置中，可成像至基板上之特徵的尺寸受投影輻射之波長限制。為了生產具有更高密度之器件且因此具有更高操作速度的積體電路，需要能夠成像更小特徵。儘管大多數當前微影投影裝置使用由汞燈或準分子雷射所產生之紫外光，但已提議使用為(例如)約13奈米之更短波長輻射。此輻射被稱作極紫外線(EUV)或軟X射線，且可能源包括(例如)雷射產生之電漿源、放電電漿源，或來自電子儲存環之同步加速器輻射。
EUV輻射源通常為電漿源，例如，雷射產生之電漿源或放電源。任何電漿源之共同特徵為產生在所有方向上自電漿所逐出之快速離子及原子。此等粒子可損害通常為具有易碎表面之多層鏡面或掠入射鏡面之集光器及聚光器鏡面。此表面係歸因於自電漿所逐出之粒子之衝擊或濺鍍而逐漸地降級，且鏡面之使用壽命因此減少。濺鍍效應對於輻射集光器或集光器鏡面特別地成問題。此鏡面之目的係收集由電漿源在所有方向上所發射之輻射且將其引導朝向照明系統中之其他鏡面。輻射集光器經定位成極接近於電漿源且與電漿源成一視線，且因此自電漿接收大通量之快速粒子。因為系統中之其他鏡面可能在某種程度上被遮蔽，所以其通常在較小程度上受到自電漿所逐出之粒子之濺鍍損害。
在不久的將來，極紫外線(EUV)源將很可能使用錫(Sn)或另一金屬蒸汽來產生EUV輻射。此錫可洩漏至微影裝置中，且將沈積於微影裝置中之鏡面(例如，輻射集光器之鏡面)上。此輻射集光器之鏡面可具有為(例如)釕(Ru)之EUV反射頂層。在反射Ru層上多於大約10奈米錫(Sn)之沈積物將以與本體Sn相同之方式來反射EUV輻射。集光器之總透射率將顯著地減少，因為錫之反射係數顯著地低於釕之反射係數。為了防止來自源之碎片或由此碎片所產生之二次粒子沈積於輻射集光器上，可使用污染物障壁。儘管此等污染物障壁或捕捉器可移除碎片之一部分，但某些碎片仍將沈積於輻射集光器或其他光學元件上。
為了移除不需要的沈積物，已論述清潔方法，包括(例如)諸如WO2008002134中所描述之氫自由基清潔。
EUV輻射源通常為電漿源，例如，雷射產生之電漿源或放電源。在某些情況下，EUV源可發射若干不同波長之光，其中之某些光可為不當輻射，諸如深紫外線輻射(DUV)及/或IR。在某些情況下，此非EUV輻射可有害於EUV微影系統，因為其可導致對比度損失。因此，可能需要藉由光譜純度濾光器(SPF)來移除此不良輻射。舉例而言，歐洲專利申請公開案第1197803號描述一種微影投影裝置，其中使用光柵光譜濾光器以濾光EUV投影光束。光柵光譜濾光器較佳地為炫耀掠入射反射光柵。冷卻通道可提供於光柵光譜濾光器之後部中或該後部上。光柵光譜濾光器可由對於所要輻射為有效地不可見之材料形成。
本發明之一態樣係提供一種微影裝置，微影裝置包括替代光學元件，在一實施例中，替代光學元件可經設計以減少來自微影裝置源之碎片。在一實施例中，光學元件可經設計以減少諸如DUV輻射及/或IR輻射之不當輻射。
據此，在本發明之一實施例中，提供一種包括光學元件之微影裝置。光學元件包括經定向碳奈米管薄片。光學元件具有在約20奈米至500奈米之範圍內的元件厚度，且對於具有在約1奈米至20奈米之範圍內之波長的EUV輻射，在以EUV輻射之垂直照射下具有至少約20%之透射率。在一實施例中，EUV輻射具有在約13奈米至14奈米(特別地為約13.3奈米至13.7奈米)之範圍內(諸如約13.5奈米)的波長，或在約6奈米至7奈米之範圍內的波長。在一實施例中，至少約20%之透射率適用於在以上所界定之波長區域(諸如約13.3奈米至13.7奈米或約6奈米至7奈米)中之一或多者中的所有波長。短語「對於具有在x奈米至y奈米之範圍內之波長的EUV輻射為至少約20%之透射率」可指示：對於選自指示範圍之預定波長，透射率為至少約20%。此不排除：在同一範圍內之其他波長下，透射率可更小。在完整指示範圍內之透射率為至少約10%，更特別地為至少約20%。舉例而言，K.R.Atkinson等人在Physica B 394(2007)339-343中揭示用以生產經定向碳奈米管薄片之方法。
經定向碳奈米管薄片本身可用作(例如)經設計以減少碎片及/或改良EUV/非所要輻射之比率的光學元件。此薄片歸因於其強度而未必需要支撐件。因此，可能不支撐本發明之光學元件。在一實施例中，光學元件係自支撐的。
在一實施例中，光學元件可進一步包含EUV透明材料層，其中EUV透明材料層與奈米管薄片形成層壓物。此EUV透明材料層可經配置以進一步增加EUV/非所要輻射之比率，及/或減少或甚至消除碎片之傳播，同時允許透射EUV輻射。
光學元件之EUV透明材料層特別地包含選自由以下各項組成之群組的一或多個元素：Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U，甚至更特別地為B、C、Si、Sr、Sc、Ru、Mo、Y及Zr，且又甚至更特別地為Zr。透明材料層可為金屬層(對於可在室溫下為金屬的彼等元素)。
然而，包含此等元素中之一或多者的化合物亦可應用為透明材料層。在一實施例中，光學元件之EUV透明材料層包含選自由一或多個元素之在室溫下為固體的氧化物、硼化物及氮化物組成之群組的一或多種材料，該一或多個元素係選自由Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U組成之群組。
該層可為單一層或可包含複數個層。
此等元素之組合可應用為單獨層(亦即，「層壓物」或「層壓物堆疊」)，或應用為化合物或合金。在一實施例中，光學元件之EUV透明材料層包含選自由SiC、B4 C及Si3 N4 組成之群組的一或多種材料。
光學元件之EUV透明材料層可具有在高達約200奈米(諸如約5奈米至200奈米，如約5奈米至100奈米)之範圍內的層厚度。
在一實施例中，光學元件進一步包含EUV透明材料粒子，其中EUV透明材料粒子分散於奈米管薄片內。此實施例可與以上所描述之實施例組合，亦即，光學元件包含透明材料層及分散於奈米管薄片內之透明材料粒子。
光學元件之EUV透明材料粒子特別地包含選自由以下各項組成之群組的一或多個元素：Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U，特別地為B、C、Si、Sr、Sc、Ru、Mo、Y及Zr，甚至更特別地為Zr。透明材料粒子可為金屬粒子(對於可在室溫下為金屬的彼等元素)。
包含此等元素中之一或多者的化合物可應用為透明材料層。在一實施例中，光學元件之EUV透明材料粒子包含選自由一或多個元素之在室溫下為固體的氧化物、硼化物及氮化物組成之群組的一或多種材料，該一或多個元素係選自由Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U組成之群組。
此等元素之組合可應用為不同類型之粒子，或應用為包含化合物或合金之粒子。在一實施例中，光學元件之EUV透明材料粒子包含選自由以下各項組成之群組的一或多種材料：SiC、B4 C及Si3 N4 ，特別地為B4 C。在一實施例中，EUV透明材料粒子包含Si粒子及/或Zr粒子。
光學元件之EUV透明材料粒子可具有在高達約50奈米(諸如約5奈米至50奈米)之範圍內的平均粒子尺寸。
光學元件之經定向碳奈米管薄片可包含經定向單壁碳奈米管薄片。在一實施例中，光學元件之經定向碳奈米管薄片可包含經定向多壁碳奈米管薄片。
光學元件之經定向碳奈米管薄片可具有在約10奈米至500奈米之範圍內的薄片厚度。如以上所提及，選用之EUV透明材料層之層厚度可在高達約200奈米(諸如約5奈米至200奈米)之範圍內。總體上，光學元件之元件厚度可在約20奈米至500奈米之範圍內。此處，元件厚度僅係關於用作光學元件(亦即，特別地係用於透射EUV光)之彼部分。選用之固持器或選用之支撐結構未包括於以上所描述之厚度中。
光學元件對於具有在約1奈米至20奈米之範圍內之波長的EUV輻射，在以EUV輻射之垂直照射下可具有在約30%至95%之範圍內的透射率。透射率可取決於碳奈米管薄片之薄片厚度、光學透射材料層之層厚度，及選用之EUV透射粒子之密度及粒子尺寸。熟習此項技術者可以使得獲得所要透射率之方式來選擇彼等參數。
本發明之實施例係針對包含光學元件之微影裝置以及光學元件本身。本發明之實施例亦提供一種包含經定向碳奈米管薄片之光學元件，光學元件具有在約20奈米至500奈米之範圍內的元件厚度，且對於具有在約1奈米至20奈米之範圍內之波長的EUV輻射，在以EUV輻射之垂直照射下具有至少約20%之透射率。本文所描述之關於微影裝置中之光學元件的所有實施例亦均適用於光學元件本身。
在微影裝置內，在一實施例中，光學元件可經配置為透射光譜純度濾光器。因此，本發明之實施例亦係針對一種包含根據本發明之實施例之光學濾光器的光譜純度濾光器。
在一實施例中，光學元件經配置為氣鎖(gas-lock)。根據本發明之實施例的氣鎖可具有高於約50奈米(諸如在約50奈米至500奈米之範圍內，特別地在300奈米至500奈米之範圍內)之元件厚度(亦即，光學元件之厚度)。此氣鎖可耐受相當大的壓力差。因此，本發明之實施例亦係針對一種包含根據本發明之光學元件的氣鎖。
在一實施例中，光學元件經配置為微影裝置內之窗。此窗可為氣鎖，但亦可為具有大體上相同壓力之隔室之間的窗。因此，本發明之實施例亦係針對一種包含根據本發明之光學元件的窗。
根據本發明之一實施例的微影裝置具有EUV輻射源及諸如鏡面等等之另外光學元件。光學元件可經配置為配置於該EUV輻射源之下游及該等另外光學元件之上游的碎片捕捉系統。以下將此碎片捕捉系統描述為「污染物捕捉器」。根據本發明之一實施例的碎片捕捉系統可取代比污染物捕捉器，或可除了應用此等污染物捕捉器以外還應用該碎片捕捉系統(在此等污染物捕捉器之上游或下游)。因此，本發明之一實施例亦係針對一種特別地可配置於該EUV輻射源之下游及微影裝置之該等另外光學元件之上游的碎片捕捉系統。
光學元件可經配置為微影裝置內(例如，在光罩之前的最後光學元件與光罩自身之間(因此在光罩之前的最後光學元件之下游及光罩自身之上游))之光罩護膜(mask pellicle)。此光罩護膜可進一步減少碎片到達目標，及/或減少諸如IR及/或DUV輻射之不當輻射，及/或可減少不當分量流入微影裝置之光罩上游部分。因此，本發明之一實施例係針對一種可配置於在光罩之前的最後光學元件之下游及微影裝置之光罩之上游的光罩護膜。
熟習此項技術者應清楚，根據本發明之一實施例的微影裝置可包含選自由透射光譜純度濾光器、氣鎖、窗、碎片捕捉系統及光罩護膜組成之群組的一或多個器件。
本發明之一實施例亦係針對一種包含具有在約10奈米至500奈米之範圍內之薄片厚度之經定向碳奈米管薄片以作為頂層的多層鏡面。此等多層鏡面可包含選自由Mo、Si、SiC、C、B、B4 C及Si3 N4 組成之群組的交替層。在此鏡面之頂部上，可施加奈米管薄片，此允許進一步減少不當輻射及/或保護多層鏡面。
如以上所提及，在此項技術中已知奈米管薄片自身之生產。包含透明材料層或透明材料粒子(或兩者)之光學元件之特定實施例的生產亦為本發明之一部分。
在本發明之實施例的一態樣中，提供一種用於生產包含經定向多壁碳奈米管薄片及EUV透明材料之光學元件的方法。方法包括提供經定向碳奈米管薄片，及向經定向多壁碳奈米管薄片提供(藉由(例如)濺鍍)EUV透明材料或其前驅體。濺鍍可包含磁控濺鍍，然而，亦可應用其他方法，諸如電子束濺鍍、雷射濺鍍、電漿輔助膜生長、CVD(化學氣相沈積)或此等技術中之兩者或兩者以上之組合。在濺鍍期間，可特別地在(例如)約100℃至1000℃(諸如約500℃至1000℃)之範圍內的溫度下加熱奈米管薄片，以進一步改良層形成及/或粒子分散。在濺鍍之後，可退火所獲得之產物(亦即，具有奈米粒子之光學元件或包含透明材料層之光學元件)，以(例如)進一步改良層形成及/或粒子分散。
視情況，在濺鍍之後，使經濺鍍EUV透明材料與流體反應，流體包含選自由B、C、N及O組成之群組的一或多個元素，特別地為選自由氮及氧組成之群組(諸如N2 、O2 、NO、NO2 ，等等)的一或多個元素。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置1。裝置1包括：源SO，其係用於產生輻射；照明系統(照明器)IL，其經組態以調節來自接收自源SO之輻射之輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)。源SO可作為單獨單元被提供。支撐件(例如，光罩台)MT經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數而精確地定位圖案化器件MA之第一***件PM。基板台(例如，晶圓台)WT經組態以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而精確地定位基板W之第二***件PW。投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用以引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐件支撐(例如，承載)圖案化器件。支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於(例如)投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射。舉例而言，當輻射源為準分子電射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射係藉助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器件。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器及聚光器。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐件(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由圖案化器件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束投影至基板W之目標部分C上。藉助於第二***件PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一***件PM及另一位置感測器IF1(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而精確地定位光罩MA。一般而言，可藉助於形成第一***件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二***件PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
a.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
b.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
c.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長λ)及極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在為約5奈米至20奈米之範圍內的波長，例如，約13.5奈米)；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。通常，認為具有在約780奈米至3000奈米(或更大)之間的波長之輻射係IR輻射。UV指代具有大約100奈米至400奈米之波長的輻射。在微影術內，其通常亦應用於可由汞放電燈所產生之波長：G線436奈米；H線405奈米；及/或I線365奈米。VUV為真空UV(亦即，由空氣所吸收之UV)且指代大約100奈米至200奈米之波長。DUV為深UV，且通常在微影術中用於由準分子雷射所產生之波長，如126奈米至248奈米。熟習此項技術者應理解，具有在(例如)約5奈米至20奈米之範圍內之波長的輻射係關於具有至少一部分在約5奈米至20奈米之範圍內之某一波長帶的輻射。
圖2更詳細地展示投影裝置1，其包括輻射系統42、照明光學器件單元44，及投影系統PS。輻射系統42包括可由放電電漿形成之輻射源SO。EUV輻射可由氣體或蒸汽產生，例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽，其中形成極熱電漿以發射在電磁光譜之EUV範圍內的輻射。藉由(例如)放電而導致至少部分地離子化之電漿來形成極熱電漿。為了輻射之有效產生，可能需要為(例如)約10 Pa之分壓的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽。在一實施例中，應用作為EUV源之Sn源。由輻射源SO所發射之輻射係經由定位於源腔室47中之開口中或後方之選用之氣體障壁或污染物捕捉器49(亦指示為污染物障壁或箔捕捉器)而自源腔室47傳遞至集光器腔室48中。污染物捕捉器49可包含通道結構。污染物捕捉器49亦可包含氣體障壁或氣體障壁與通道結構之組合。如此項技術中已知，本文中進一步所指示之污染物捕捉器或污染物障壁49至少包含通道結構。
集光器腔室48包括可由掠入射集光器形成之輻射集光器50(本文中亦指示為集光器鏡面)。輻射集光器50具有上游輻射集光器側50a及下游輻射集光器側50b。由集光器50所傳遞之輻射可被反射離開光柵光譜濾光器51以在集光器腔室48中之孔徑處聚焦於虛擬源點52中。自集光器腔室48，輻射光束56係在照明光學器件單元44中經由法線入射反射器53、54而反射至定位於主光罩台或光罩台MT上之主光罩或光罩上。形成經圖案化光束57，其係在投影系統PS中經由反射元件58、59而成像至晶圓平台或基板台WT上。比所示元件多之元件通常可存在於照明光學器件單元44及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器51。另外，可存在比圖所示之鏡面多的鏡面，例如，可存在比反射元件58、59多1至4個的反射元件。自先前技術已知輻射集光器50。
代替作為集光器鏡面50之掠入射鏡面，亦可應用法線入射集光器。如本文在一實施例中更詳細地描述為具有反射器142、143及146之巢套式集光器且如尤其在圖2中示意性地所描繪之集光器鏡面50在本文中係進一步用作集光器(或集光器鏡面)之實例。因此，在適用時，作為掠入射集光器之集光器鏡面50一般而言亦可被解釋為集光器且在一特定實施例中亦被解釋為法線入射集光器。因此，代替(塗覆Ru之)掠入射集光器或除了(塗覆Ru之)掠入射集光器以外，可應用多層法線入射集光器。為了反射，可能更需要多層集光器上之Sn沈積物。在此鏡面上(在源中或在照明器中)(例如)僅約1奈米之Sn的沈積物可導致至少約10%之反射損失。然而，多層鏡面與反射EUV一樣好或甚至比反射EUV更好地反射帶外輻射。此可能導致晶圓處之比由電漿所發射之輻射含量甚至更高的帶外輻射含量。另外，用於形成電漿源(作為源SO之實施例)之電漿(例如，CO2 雷射係在10.6微米(亦被認為係IR)下發射)之雷射輻射的一部分亦可能穿透至微影裝置l中。
另外，代替光柵51，如圖2示意性地所描繪，亦可應用透射光學濾光器，或在一實施例中，可根本不使用濾光器51。在此項技術中已知對於EUV為透射且對於UV輻射而言為較不透射或甚至大體上吸收UV輻射之光學濾光器。因此，「光柵光譜純度濾光器」在本文中進一步指示為「光譜純度濾光器」，其包括光柵或透射濾光器。圖2中未描繪但亦經包括以作為選用之光學元件的可為EUV透射光學濾光器(例如，配置於集光器鏡面50之上游)，或照明單元44及/或投影系統PS中之光學EUV透射濾光器。
在一實施例(亦見上文)中，輻射集光器50可為掠入射集光器。集光器50係沿著光軸O而對準。源SO或其影像位於光軸O上。輻射集光器50可包括反射器142、143、146(亦被稱作Wolter型反射器，其包含若干Wolter型反射器)。有時，其亦被稱作殼層(shell)。此等反射器(或殼層)142、143、146可為巢套式且圍繞光軸O而旋轉地對稱。在圖2中(以及在其他圖中)，內部反射器係由參考數字142指示，中間反射器係由參考數字143指示，且外部反射器係由參考數字146指示。輻射集光器50包圍某一容積，亦即，外部反射器146內之容積。通常，外部反射器146內之此容積係圓周封閉的，但可存在小開口。所有反射器142、143及146均包括至少一部分包括一反射層或許多反射層之表面。因此，反射器142、143及146(可存在更多反射器，且本文中包含具有三個以上反射器或殼層之輻射集光器(亦被稱作集光器鏡面)50的實施例)至少部分地經設計以用於反射及收集來自源SO之EUV輻射，且反射器之至少一部分可能未經設計成反射及收集EUV輻射。舉例而言，反射器之背側之至少一部分可能未經設計成反射及收集EUV輻射。後者部分亦可被稱作背側。在此等反射層之表面上，可此外存在用於保護之頂蓋層或作為提供於反射層之表面之至少一部分上的光學濾光器。
輻射集光器50通常置放於源SO或源SO之影像附近。每一反射器142、143、146可包含至少兩個鄰近反射表面，較遠離於源SO之反射表面與較接近於源SO之反射表面相比經置放成與光軸O成小角度。以此方式，掠入射集光器50經組態以產生沿著光軸O而傳播之(E)UV輻射光束。至少兩個反射器可經大體上同軸地置放且圍繞光軸O而大體上旋轉對稱地延伸。應瞭解，輻射集光器50可具有在外部反射器146之外部表面上的另外特徵或圍繞外部反射器146的另外特徵，例如，保護固持器、加熱器，等等。參考數字180指示兩個反射器之間(例如，反射器142與143之間)的空間。
參看圖1及圖2，根據本發明之光學元件可配置於微影裝置1內之不同位置處，且可(因此)具有不同功能。現特定地參看圖3a至圖3d來進一步描述用於微影裝置1中之光學元件，圖3a至圖3d示意性地描繪根據本發明之光學元件的許多實施例。以參考數字100來指示光學元件。
參看圖3a至圖3c，光學元件100包含經定向碳奈米管薄片110(本文中亦指示為「薄片」或「奈米管薄片」)。術語「經定向」指代奈米管之軸線。奈米管可為未經定向或經定向的。在本發明中，奈米管為經定向的，其中定向較佳地大體上平行於薄片之表面，且因此較佳地大體上垂直於光束之傳播或平行於光軸。
在圖3a中，描繪此經定向奈米管薄片，其中薄片具有參考數字110且經定向奈米管具有參考數字120。薄片110具有分別以參考數字111及112所指示之上部面及下部面。對於熟習此項技術者，應清楚，術語「上部」與「下部」係相對的，且不限制如圖3a至圖3c示意性地所描繪之在水平組態中之光學元件100的應用。
藉由實例，奈米管薄片110係由固持器190包圍，但比固持器190係選用的且不以任何方式而成為限制性的。
光學元件100具有在約20奈米至500奈米之範圍內的元件厚度d1。奈米管薄片110具有薄片厚度d2，在此示意性地所描繪之實施例中，其等於光學元件100之元件厚度。一般而言，薄片110將大體上係平坦的，分別具有大體上平行面111及112。
藉由實例，碰撞光學元件100之輻射光束201經吸入，且經透射輻射光束202係藉由光學元件100而透射。前者光束為上游光束；後者光束為下游光束。相對於上游光束，經透射輻射在EUV輻射中相對較富集，或更精確地，EUV輻射與不當輻射(諸如IR及/或DUV輻射)之比率增加。光學元件100對於具有在約1奈米至20奈米之範圍內之波長的EUV輻射，在以EUV輻射之垂直照射下具有至少約20%之透射率，更特別地，光學元件100對於具有在約1奈米至20奈米之範圍內之波長的EUV輻射，在以EUV輻射之垂直照射下具有在約30%至95%之範圍內的透射率。透射率特別地取決於碳奈米管薄片110之薄片厚度、選用之透射材料層(見下文)之層厚度，及選用之EUV透射粒子(見下文)之密度及粒子尺寸。熟習此項技術者可以使得獲得所要透射率之方式來選擇彼等參數。
經定向碳奈米管薄片110本身可用作(例如)經設計以減少碎片及/或改良EUV/非所要輻射之比率的光學元件100。
此薄片110歸因於其強度而未必需要支撐件。因此，可能不支撐本發明之光學元件100。因此，在一實施例中，光學元件100係自支撐的。不存在支撐件可允許更好透射及/或可允許比在具有支撐件的情況下(諸如美國專利第7,250,620號中所描述)更均勻之透射。奈米管薄片110之拉伸強度可(例如)在約100 MPa至1500 MPa之範圍內或甚至高於此範圍，諸如約200 MPa至1000 MPa。奈米管薄片110之另一優點為相對較低密度。密度可在約100 kg/m3 至1000 kg/m3 之範圍內，諸如約500 kg/m3 。
在一實施例中，光學元件100可進一步包含EUV透明材料層150，見圖3b。EUV透明材料層150與奈米管薄片110形成層壓物。在圖3a中，奈米管薄片110之頂面111係與EUV透明材料層150之底面152接觸。EUV透明材料層150(在本文中亦指示為「材料層」)進一步具有頂面151。此EUV透明材料層150可經配置以進一步增加EUV/非所要輻射之比率，及/或減少或甚至消除碎片之傳播，同時允許透射EUV輻射。舉例而言，由奈米管薄片110對不當輻射之吸收可能在光譜區域之某些部分中係不足夠的；材料層150可補充此不足，藉此提供相對於EUV輻射甚至更好地減少不當輻射之光學元件100的實施例。舉例而言，碳可相對較強地吸收在約45奈米與105奈米之間的輻射，而Zr可相對較強地吸收在約25奈米與45奈米之間的範圍內及在約85奈米至150奈米之範圍內的輻射。
光學元件100之EUV透明材料層150可包含選自由以下各項組成之群組一或多個元素：Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U，甚至更特別地為B、C、Si、Sr、Sc、Ru、Mo、Y及Zr，且又甚至更特別地為Zr。透明材料層150可為金屬層(對於可在室溫下為金屬的彼等元素)。舉例而言，透明材料層150可包含金屬矽層或金屬鋯層。可特別地使用Zr，因為其減少不需要的輻射且作為金屬係相對穩定的。又，可應用彼等元素中之兩者或兩者以上之合金。以此方式，可調諧所要輻射及不當輻射之透射率。
包含此等元素中之一或多者的化合物可應用為透明材料層150。在一特定實施例中，光學元件100之EUV透明材料層150包含選自由一或多個元素之在室溫下為固體的氧化物、硼化物及氮化物組成之群組的一或多種材料，該一或多個元素係選自由Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U組成之群組。此等系統之實例為(例如)氧化矽、氧化鋯，等等。因此，可應用氧化物及/或硼化物及/或氮化物。特別地，應用在高於約200℃(特別地為高於約400℃，諸如在約400℃至800℃之範圍內)之溫度下為固體的彼等氧化物、硼化物及氮化物。結合碳奈米管薄片110來使用材料層150(特別地為金屬材料層150，諸如Si、Zr、Ru、Th、Mo等等之金屬材料層)之另一潛在優點在於：材料層150中所產生之熱可由於碳奈米管薄片110之相對較高熱發射率(諸如較佳地，熱發射率σ>約0.9，諸如在約0.9至1之範圍內)而相對容易地由奈米薄片110耗散。
材料層150可為單一層或可包含複數個層。在圖3a之示意性地所描繪之實施例中，描繪單一層。然而，此層可由複數個層(其中兩者或兩者以上可由在相互比較時為不同之材料組成)組成。
又，此等元素之組合可應用為單獨層(亦即，「層壓物」或「層壓物堆疊」)，或應用為化合物或合金。因此，在一實施例中，光學元件100之EUV透明材料層150包含選自由SiC、B4 C及Si3 N4 組成之群組的一或多種材料。在另一實施例中，EUV透明材料層150包含Si層及Zr層，或更精確地，光學元件100包含前述經定向碳奈米管薄片110與Si層及Zr層之層壓物，其中一層附著至奈米管薄片且另一層附著至前者層。在另一實施例中，透明材料層150包含附著至奈米管薄片110之Si金屬層或Zr金屬層，及包含在此Si層或Zr層之頂部上之Si3 N4 (例如，亦係用於保護)的另一透明材料層150，藉此形成奈米管薄片110、Si金屬層或Zr金屬層與Si3 N4 層之層壓物。以參考數字155來指示透明材料層之材料，例如，金屬、合金、氧化物、碳化物，等等。
光學元件100之EUV透明材料層150可特別地具有在約5奈米至200奈米之範圍內的層厚度d3。光學元件100之經定向碳奈米管薄片110可特別地具有在約10奈米至500奈米之範圍內的薄片厚度d2。總體上，光學元件100之元件厚度d1特別地係在約20奈米至500奈米之範圍內。此處，元件厚度dl僅係關於用作光學元件100(亦即，特別地係用於透射EUV光)之彼部分。不包括選用之固持器或選用之支撐結構。
在圖3c示意性地所描繪之一實施例中，光學元件100進一步包含EUV透明材料粒子160，其中EUV透明材料粒子160分散於奈米管薄片110內。此實施例可與以上所描述之實施例組合，亦即，光學元件100包含透明材料層150及分散於奈米管薄片內之透明材料粒子160。此實施例未被示意性地描繪，但可被視為圖3b及圖3c示意性地所描繪之實施例之組合。
光學元件100之EUV透明材料粒子160可包含選自由以下各項組成之群組的一或多個元素：Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U，特別地為B、C、Si、Sr、Sc、Ru、Mo、Y及Zr，甚至更特別地為Zr。透明材料粒子160可為金屬粒子160(對於可在室溫下為金屬的彼等元素)。舉例而言，透明材料粒子160可包含金屬矽層粒子160或金屬鋯粒子160。
包含此等元素中之一或多者的化合物可應用為透明材料層150。在一實施例中，光學元件100之EUV透明材料粒子160可包含選自由一或多個元素之在室溫下為固體的氧化物、硼化物及氮化物組成之群組的一或多種材料，該一或多個元素係選自由Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U組成之群組。此等系統之實例為(例如)氧化矽、氧化鋯，等等。因此，此處亦可應用氧化物及/或硼化物及/或氮化物。特別地，應用在高於約200℃(特別地為高於約400℃，諸如在約400℃至800℃之範圍內)之溫度下為固體的彼等氧化物、硼化物及氮化物。
結合碳奈米管薄片110來使用材料層150(特別地為金屬材料粒子160，諸如Si、Zr、Ru、Th、Mo等等之金屬材料粒子)之潛在優點在於：材料粒子160中所產生之熱可由於碳奈米管薄片110之相對較高熱發射率而相對容易地由奈米薄片110耗散。
此等元素之組合可應用為不同類型之粒子160，或應用為包含化合物或合金之粒子160。因此，在一實施例中，光學元件100之EUV透明材料粒子160可包含選自由以下各項組成之群組的一或多種材料155：SiC、B4 C及Si3 N4 ，特別地為B4 C。在另一實施例中，EUV透明材料粒子160可包含Si粒子160及Zr粒子160。在一實施例中，EUV透明材料粒子160可包含B4 C粒子160。
光學元件100之EUV透明材料粒子160可特別地具有在高達約50奈米之範圍內的平均粒子尺寸。粒子尺寸(範圍)可藉由(例如)SEM而判定。平均粒子尺寸特別地指代數目平均之粒子尺寸。
在一實施例中，光學元件100之經定向碳奈米管薄片110包含經定向單壁碳奈米管薄片110。然而，在另一實施例中，光學元件100之經定向碳奈米管薄片110包含經定向多壁碳奈米管薄片110。
本發明之一實施例係針對一種多層鏡面300，其包含具有在約10奈米至500奈米之範圍內之薄片厚度d2的經定向碳奈米管薄片110以作為此多層鏡面300上之頂層。圖3d中示意性地描繪此實施例。在此項技術中(例如)自美國專利第6,449,086號已知多層鏡面300s。此多層鏡面300s可包含選自由Mo、Si、SiC、C、B、B4 C及Si3 N4 組成之群組的交替層，諸如熟知的Si-Mo多層鏡面300s。圖3d示意性地描繪具有多層鏡面堆疊頂面301之交替層321/322(例如，Si/Mo)的多層鏡面堆疊310，光學元件100配置於多層鏡面堆疊頂面301之頂部上。此處，光學元件100理想地僅包含碳奈米管薄片110。因此，在此多層鏡面堆疊310之頂部(亦即，面301)上，可施加奈米管薄片110，此允許進一步減少不當輻射及/或保護多層鏡面300。可將此多層鏡面用作微影裝置1中之任何法線入射鏡面。參看圖2及圖4b，鏡面51、53、54等等可包含根據本發明之此多層鏡面300。
本發明之一實施例係針對包含光學元件100之微影裝置1以及光學元件100本身。一般而言，圖1及圖2中描繪微影裝置1之實施例；圖4a及圖4b中示意性地描繪具有光學元件100之微影裝置1的非限制性實施例。
根據本發明之微影裝置1具有EUV輻射源SO及另外光學元件，如鏡面51、53、54、58、59，等等。光學元件100可經配置為配置於該EUV輻射源之下游及該等另外光學元件之上游的碎片捕捉系統100a。以參考數字49來指示以上描述為「污染物捕捉器」(亦被稱作「箔捕捉器」)之已知碎片捕捉系統。在此項技術中已知此等污染物捕捉器(如靜止箔及/或旋轉箔)，諸如由Shmaenok等人在1998年Proceedings of the SPIE(The International Society for Optical Engineering)第3331卷第90至94頁(Conference Information：Emerging Lithographic Technologies II,Santa Clara,CA,USA,23-25(1998年2月))中所描述。根據本發明之一實施例的碎片捕捉系統100a可取代此污染物捕捉器49，或可除了應用此等污染物捕捉器49以外還應用碎片捕捉系統100a(在此等污染物捕捉器49之上游或下游)。在圖4a及圖4b中，碎片捕捉系統100a配置於該EUV輻射源SO之下游及微影裝置1之該等另外光學元件之上游。在圖4a及圖4b中，未描繪已知污染物捕捉器49，但在一實施例中仍然可存在此污染物捕捉器49。
在微影裝置1內，在一實施例中，光學元件100可經配置為透射光譜純度濾光器100b。
另外，光學元件100可經配置為微影裝置1內(亦即，在光罩MA之前的最後光學元件100與光罩MA自身之間(因此在光罩MA之前的最後光學元件100之下游及光罩MA自身之上游))之光罩護膜100c。此光罩護膜100c可進一步減少碎片到達目標(晶圓)，及/或減少諸如IR及/或DUV輻射之不當輻射，及/或可減少不當分量流入微影裝置1之光罩上游部分。舉例而言，可藉由此護膜100c來防止來自抗蝕劑之化合物或在微影處理期間所產生之化合物進入微影裝置1之光罩上游部分。在此項技術中(例如)自美國專利第7,379,154號已知護膜。
在一實施例中，光學元件100可經配置為氣鎖100d。氣鎖可用作具有(暫時)不同壓力之兩個隔室之間的中間器件。在此項技術中已知氣鎖且(例如)Shmaenok等人(亦見上文)中描述氣鎖。通常，氣鎖為窄開口，氣體被快速地抽汲通過該開口以使得抑制相抵於流動之分子擴散。根據本發明之一實施例的氣鎖100d可特別地具有高於50奈米(特別地在300奈米至500奈米之範圍內)之元件厚度d1(亦即，光學元件100之厚度d1)。此氣鎖100d可耐受相當大的壓力差。本發明之氣鎖100d可因此針對氣體而封閉，但透射EUV輻射。
在一實施例中，光學元件100可經配置為微影裝置1內之窗100e。舉例而言，此窗100e可為氣鎖100d，但亦可為具有大體上相同壓力之隔室之間的窗100e。因此，本發明之一實施例亦係針對一種包含根據本發明之實施例之光學元件100的窗100e。
熟習此項技術者應清楚，根據本發明之微影裝置1可包含選自由透射光譜純度濾光器100b、氣鎖100d、窗100e、碎片捕捉系統100a及光罩護膜100c組成之群組的一或多個器件。
如以上所提及，在此項技術中已知奈米管薄片自身之生產(見上文)。包含透明材料層150或透明材料粒子160(或兩者)之光學元件100之特定實施例的生產亦為本發明之一部分。
在一實施例中，本發明提供一種用於生產包含經定向多壁碳奈米管薄片110及EUV透明材料之光學元件100的方法，方法包含提供經定向碳奈米管薄片110，及將EUV透明材料或其前驅體濺鍍至經定向多壁碳奈米管薄片110。特別地，濺鍍包含磁控濺鍍，但亦可使用其他技術。適當技術可包含磁控濺鍍、電子束濺鍍、雷射濺鍍、電漿輔助膜生長、CVD(化學氣相沈積)或此等技術中之兩者或兩者以上之組合(諸如結合電漿之雷射濺鍍)。在濺鍍期間，可在(例如)約100℃至500℃之範圍內的溫度下加熱奈米管薄片，以進一步改良層形成及/或粒子160分散。在濺鍍之後，可退火所獲得之產物(亦即，具有奈米粒子160(其可包括原子)之光學元件100或包含透明材料層150之光學元件100)，以用於(例如)進一步改良層形成及/或粒子160分散。
視情況，在濺鍍之後，可使經濺鍍EUV透明材料與流體反應，流體包含選自由B、C、N及O組成之群組的一或多個元素，特別地為選自由氮及氧組成之群組(諸如N2 、O2 、NO、NO2 ，等等)的一或多個元素。舉例而言，吾人可以金屬(諸如Zr或Si)進行濺鍍，且接著在包含氮或氧(諸如N2 或O2 )之氛圍中退火具有經濺鍍金屬之光學元件100，藉以可分別發生氮化鋯或氮化矽以及氧化鋯及二氧化矽之形成。
在一實施例中，術語「大體上」在本文中指代「完全地」。在另一實施例中，特別地當係關於值時，其可(例如)指代約95%至100%。熟習此項技術者理解術語「大體上」。同樣地，在一實施例中，術語「至少部分地」在本文中指代「完全地」。在另一實施例中，其可(例如)指代約95%至100%。術語「包含」亦包括術語「包含」意謂「由...組成」之實施例。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置1在IC製造中之使用，但應瞭解，本文所描述之微影裝置1可具有其他應用，諸如製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、包括液晶顯示器(LCD)之平板顯示器、薄膜磁頭，等等。應瞭解，在此等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。可使用此電腦程式來控制沈積物之移除、控制壓力，等等。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。動詞「包含」及其變形之使用不排除不同於申請專利範圍中所敍述之元件或步驟之元件或步驟的存在。在一元件前之量詞「一」不排除複數個此等元件的存在。
本發明不限於如實施例中所描述之微影裝置1之應用或在微影裝置1中之使用。另外，圖式通常僅包括為理解本發明所需要之元件及特徵。除此之外，微影裝置1之圖式係示意性的且未按比例的。本發明不限於示意性圖式中所示之彼等元件。另外，本發明不限於關於圖1或圖2所描述之微影裝置1。應瞭解，可組合以上所描述之實施例。
1．．．微影裝置
42．．．輻射系統
44．．．照明光學器件單元/照明單元
47．．．源腔室
48．．．集光器腔室
49．．．污染物捕捉器/污染物障壁
50．．．輻射集光器/集光器鏡面/掠入射集光器
50a．．．上游輻射集光器側
50b．．．下游輻射集光器側
51．．．光柵光譜濾光器/光柵/鏡面
52．．．虛擬源點
53．．．法線入射反射器/鏡面
54．．．法線入射反射器/鏡面
56．．．輻射光束
57．．．經圖案化光束
58．．．反射元件/鏡面
59．．．反射元件/鏡面
100．．．光學元件
100a．．．碎片捕捉系統
100b．．．透射光譜純度濾光器
100c．．．光罩護膜
100d．．．氣鎖
100e．．．窗
110．．．經定向碳奈米管薄片
111．．．上部面/頂面
112．．．下部面
120．．．經定向奈米管
142．．．反射器/內部反射器
143．．．反射器/中間反射器
146．．．反射器/外部反射器
150．．．EUV透明材料層/金屬材料層
151．．．頂面
152．．．底面
155．．．透明材料層之材料
160．．．EUV透明材料粒子/金屬材料粒子
180．．．兩個反射器之間(例如，反射器142與143之間)的空間
190．．．固持器
201．．．輻射光束
202．．．經透射輻射光束
300．．．多層鏡面
301．．．多層鏡面堆疊頂面
310．．．多層鏡面堆疊
321．．．交替層
322．．．交替層
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐件/光罩台
O．．．光軸
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一***件
PS．．．投影系統
PW．．．第二***件
SO．．．輻射源
WT．．．基板台
W．．．基板
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2示意性地描繪根據圖1之一實施例之微影投影裝置之EUV照明系統及投影光學器件的側視圖；圖3a至圖3d示意性地描繪圖1之微影裝置之光學元件以及具有碳奈米管薄片以作為頂層之多層鏡面的實施例；且圖4a及圖4b示意性地描繪在微影裝置內圖3a至圖3d之光學元件的不同配置。
100．．．光學元件
110．．．經定向碳奈米管薄片
111．．．上部面/頂面
112．．．下部面
120．．．經定向奈米管
190．．．固持器
201．．．輻射光束
202．．．經透射輻射光束

Claims (9)

  1. 一種包含一經定向(oriented)碳奈米管(nanotube)薄片之光學元件，該光學元件(100)具有在約20奈米至500奈米之範圍內的一元件厚度，且對於具有在約1奈米至20奈米之範圍內之一波長的EUV輻射，在以該EUV輻射之垂直照射下具有至少約20%之一透射率，其中該光學元件(100)進一步包含EUV透明材料粒子(160)，其中該等EUV透明材料粒子(160)分散於該奈米管薄片(110)內。
  2. 如請求項1之光學元件，其中該光學元件(100)之該等EUV透明材料粒子(160)包含選自由Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U組成之群組的一或多個元素。
  3. 如請求項1之光學元件，其中該光學元件(100)之該等EUV透明材料粒子(160)包含選自由該一或多個元素之在室溫下為固體的氧化物、硼化物及氮化物組成之群組的一或多種材料，該一或多個元素係選自由Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U組成之群組。
  4. 如請求項1之光學元件，其中該光學元件(100)之該等EUV透明材料粒子(160)包含選自由SiC、B4 C及Si3 N4 (特別是B4 C)組成之群組的一或多種材料。
  5. 如請求項1之光學元件，其中該光學元件(100)進一步包 含一EUV透明材料層(150)，其中該EUV透明材料層(150)與該奈米管薄片(110)形成一層壓物。
  6. 如請求項5之光學元件，其中該光學元件(100)之該EUV透明材料層(150)包含選自由Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U組成之群組的一或多個元素。
  7. 如請求項5之光學元件，其中該光學元件(100)之該EUV透明材料層(150)包含選自由該一或多個元素之在室溫下為固體的氧化物、硼化物及氮化物組成之群組的一或多種材料，該一或多個元素係選自由Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Sr、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Ba、La、Ce、Pr、Ir、Au、Pa及U組成之群組。
  8. 如請求項5之光學元件，其中該光學元件(100)之該EUV透明材料層(150)包含選自由SiC、B4 C及Si3 N4 組成之群組的一或多種材料。
  9. 一種包含如前述請求項中任一項之光學元件之微影裝置。
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