TWI386140B - Flexible multilayer circuit board - Google Patents

Description

可撓性多層電路基板

本發明有關於多層電路基板及其製造方法，特別有關於利用充填在通孔之導電性糊用來獲得層間導通之多層電路基板及其製造方法。

為著因應電子機器之輕薄短小化，半導體晶片或零件之小型化和端子之窄間距化，在印刷電路基板或封裝基板亦朝向組裝面積之縮小或佈線之精細化進步，同時在資訊相關機器為著因應信號頻率之寬頻帶化，要求連續零件間之佈線之短距離化，成為達成高密度，高性能用之印刷基板之多層化所必要之不可欠缺之技術。

在多層電路基板中，先前技術之平面電路所沒有之使層間電導通之電路形成成為關鍵技術。多層電路基板之第1步驟之兩面佈線基板之形成是在絕緣材料設置穿通孔，沿著穿通孔之壁面對導體進行電鍍，用來使表面和背面之佈線導通和連接(例如，參照高木清著「建立多層印刷基板佈線板技術」，日刊工業新聞社出版,2001年6月15日,初版2刷,53頁~76頁)。另外，在以IBM公司之SLC(Surface Laminar Circuit)為代表之建立多層電路基板，使用以雷射等除去電路層間之絕緣層之一部份，以電鍍進行導通連接之方法。

但是，使用電鍍之佈線之導通連接具有可以以低電阻導通連接微細之電路之優點，但是因為步驟複雜，工時亦多，所以成本變高，成為使多層電路基板之用途受到限制之原因。

因此，代替電鍍者，使用導電性糊(導電性樹脂)進行層間導通之多層電路基板被實用化，用來擴大多層電路基板之用途(例如，參照日本專利特開平7－147464號公報)。

下面參照圖7A~圖7H用來簡單地說明利用導電糊使層間導通之多層電路基板之製造方法。首先，以絕緣樹脂板或絕緣膜71作為出發材料(圖7A)，其次使用雷射進行通孔72之開口(圖7B)，然後利用印刷法對通孔72充填導電性糊73，利用該導電性糊73之充填，在所希望之位置製作具有表面/背面導通連接部之絕緣層74(圖7C)。其次將銅箔75熱壓著在絕緣層74之表面/背面(圖7D)，然後，對銅箔75進行蝕刻用來形成佈線圖案76(圖7E)，重複進行以上之步驟，貼合多片(圖7F~圖7H)，用來獲得多層電路基板77。

另外，除了上述方法外，亦可以如SLC之方式，使用作為絕緣層之感光性樹脂進行曝光、顯像，用來形成通孔，利用化學蝕刻或乾式蝕刻除去樹脂。

但是，近年來在組裝多晶片模組之對偶晶片之基板中，隨著佈線之高密度化，構成多層電路基板之多層電路基板用基材之單層之厚度，具有從大約0.1mm減小為0.025mm程度之傾向。由於該疊層板之層厚之減小，在絕緣膜單體變成容易發生基板之彎曲或皺紋，難以確保尺寸之穩定性。

因此提案有可以因應此種問題而且層間連接使用導電性糊之多層電路基板(例如，參照日本專利特開2004－221426號公報)。下面參照圖8A~圖8D用來說明該多層電路基板之製造方法。首先，在成為絕緣樹脂層之聚醯胺膜81之一方之面設置銅箔，在另外一方之面貼合由熱可塑性聚醯亞胺構成之接著層83，以該疊層膜作為出發材料。其次，在銅箔之表面熱壓著抗蝕劑膜，對圖案進行曝光．顯像，在形成抗蝕劑遮罩後，進行化學蝕刻，用來形成包含有陸塊部84之電路圖案和微細孔85。其次，在接著層83黏貼PET膜，利用YAG雷射照射形成通孔86。然後，從PET膜之表面側利用壓擠將導電性糊82充填到通孔86，在使導電性糊82暫時乾燥之後，將PET膜剝離。利用此種方式，形成圖8A所示之疊層前之多層佈線基板用基材90。

同樣地，如圖8B所示，形成具有包含陸塊部84之電路圖案和微細孔群87之第2多層佈線基板用基材91，和在新準備之銅箔88之通孔之對應位置，利用蝕刻形成微細孔87。

其次，如圖8C所示，使多層佈線基板用基材90之通孔86和第2多層佈線基板用基材91之陸塊部84和銅箔88之微細孔群87以正確一致之方式成為重疊狀態。

其次，如圖8D所示，進行熱壓製使多層佈線基板用基材90與第2多層佈線基板用基材91和銅箔88成為一體化。然後，對銅箔88進行蝕刻用來形成陸塊部89，藉以完成3層板。

依照此種製造方法時，以樹脂膜作為絕緣層，在其一面利用銅箔形成導電層，以該佈線板用基材作為出發材料，藉以可以使用薄的膜，同時可以確保剛性。

但是，在圖8A~圖8D所示之上述先前技術之方法中，所使用之方法是使多層佈線基板用基材90之通孔86與第2多層佈線基板用基材91之陸塊部84和銅箔88之微細孔群87以正確一致之方式重疊，進行加熱壓製藉以一體化，所以必需不會互補偏移地正確位置對準。特別是高密度佈線之陸塊部之直徑很小，所以會有通孔和陸塊部之位置對準變為困難之問題。

另外，在先前技術之佈線之位置對準精確度之實例中，在陸塊直徑為0.3mm，通孔直徑為0.15mm之情況時，通孔從陸塊部突出之容許值為±0.53mm，但是在高密度佈線之位置對準精確度之實例中，陸塊直徑為0.1mm，通孔直徑為0.05mm，在該種情況通孔從陸塊突出之容許值成為±0.018mm。會造成通孔從陸塊部突出，使電連接電阻值變高，產生連接電阻值參差不齊等之問題。

另外，高密度佈線之佈線尺度是線幅度為0.025mm，空間幅度為0.025mm以下，但是當在銅箔之表面熱壓著抗蝕劑膜，進行圖案之曝光．顯像，在形式抗蝕劑遮罩後進行化學蝕刻，藉以形成包含陸塊部84之電路圖案和微細孔85之情況時，即使線底幅度可以確保為0.025mm因為線頂受到側蝕刻之影響產生變細，所以一般是成為大約0.015mm程度。當在產生有此種變細之佈線圖案上，使用例如接線法配置金線，組裝半導體晶片之情況時，因為接點會偏離圖案，所以會有組裝變為困難等之問題。

另外一方面，使用導電性糊之多層電路基板具有導電性糊部份之電阻變高，與銅箔電路之接觸電阻不穩定等之缺點，但是該等之課題正在被改善。例如，在芳族聚醯胺不織布含浸環氧樹脂，在使用B級狀態之預浸酯單層之厚度0.1mm之多層佈線用基材之導電性糊連接之情況時，當利用一體化之步驟以銅箔包夾預浸酯進行加熱加壓時，利用壓縮力縮小預浸酯之厚度，可以獲得導電性糊中之導電填充物間和導電填充物與陸塊銅箔間之強力接觸之電連接。與此相對地，當高密度佈線電路基板之構造使用在聚醯亞胺等之絕緣膜設有接著材料層之絕緣性基材單體之厚度為0.025mm程度之薄多層佈線用基材之情況時，因為利用壓縮不能期待獲得絕緣性基材在厚度方向之縮小，所以將包含陸塊部之佈線圖案埋入到接著劑層，可以提高導電性糊之壓縮率，可以使導電填充物間和導電填充物與陸塊銅箔間強力接觸，可以獲得電連接。因此，在電路基板表面之陸塊部比絕緣層突出之上述先前技術之構造中，因為導電性糊之壓縮成為不可測，所以使電連接電阻值降低之效果很小為其問題。

因此本發明針對上述先前技術之問題，其目的是提供可靠度優良之多層電路基板及其製造方法，使陸塊部和通孔之位置對準變為容易，和可以改善由於微細佈線圖案之蝕刻變細所造成之半導體組裝時之問題，可以減小電連接電阻值。

用來達成上述目的之本發明之多層電路基板具有第1佈線用電路基板，在絕緣性基材之兩面設置成為佈線圖案之導電層，係在上述絕緣性基材和上述導電層上連通形成之通孔內，充填獲得層間導通用之導電性糊，且在上述導電層形成與通孔同軸之孔。

依照此種構造時，設在導電層(陸塊部)之孔和連通形成之通孔之位置成為一致，可以減小電連接電阻值，可以獲得可靠度優良之多層電路基板。

另外，最好是使多層電路基板成為在上述第1佈線用電路基板、和於絕緣性基材之一面設有成為佈線圖案之導電層，在上述絕緣性基材和於上述導電層上連通形成之通孔內，充填獲得層間導通之導電性糊，且與在上述導電層上形成與通孔同軸之孔的第2佈線用電路基板形成一體化。

另外，使形成在上述導電層之上述孔係至少形成在一側之導電層上。另外，最好使形成在上述導電層之上述孔係與上述通孔相同直徑，和最好在形成於上述導電層之上述孔充填導電性糊。

另外，當將上述導電層之佈線圖案埋入到上述絕緣性基材時，可以使導電性糊中之導電填充物間和導電填充物與陸塊銅箔間強力接觸，可以獲得低電阻位之連接。

另外，本發明之多層電路基板之製造方法所具有之步驟包含有：佈線圖案形成步驟，係在離型載體之一面形成用來構成導電層之佈線圖案；疊層步驟，係在絕緣性基材之雙面，疊層地貼合上述導電層；通孔形成步驟，係形成層間導通用之通孔；導電性糊充填步驟，係對上述通孔充填導電性糊；剝離步驟，係從上述導電層剝離上述離型載體；和熱壓製步驟，係對上述導電層和上述絕緣性基材進行加熱加壓，進行一體化。

另外，最好是具有：製作芯子基材之步驟，係包含：佈線圖案形成步驟，在離型載體之一面形成用來構成導電層之佈線圖案；疊層步驟，在絕緣性基材之雙面疊層地貼合上述導電層；通孔形成步驟，形成層間導通用之通孔；導電性糊充填步驟，對上述通孔充填導電性糊；和剝離步驟，從上述導電層剝離上述離型載體；製作疊層基材之步驟，其包含有：佈線圖案形成步驟，在離型載體之一面形成用來構成導電層之佈線圖案；疊層步驟，在絕緣性基材之一面疊層地貼合上述導電層；通孔形成步驟，形成層間導通用之通孔；導電性糊充填步驟，對上述通孔充填導電性糊；和剝離步驟，從上述導電層剝離上述離型載體；疊層步驟，係使上述芯子基材和上述疊層基材位置對準和重疊；和熱壓製步驟，係對上述芯子基材和上述疊層基材進行加熱加壓，進行一體化。

另外，最好使上述佈線圖案形成步驟利用蝕刻形成佈線圖案。依照此種方式利用蝕刻在離型載體形成佈線圖案，將其轉印到絕緣基材，用來使佈線圖案之線底成為表面側，可以消除由於蝕刻使線變細造成之半導體晶片組裝時之問題。

另外，最好是以與上述佈線圖案形成步驟相同之步驟，在指定位置預先在佈線圖案上形成與通孔直徑相當之孔，上述通孔形成步驟從離型載體側照射雷射，形成通孔。當從離型載體側照射雷射光用來形成通孔時，與通孔直徑相當之孔成為雷射遮罩，絕緣性基材之通孔和導電層(陸塊部)之孔在同軸上沒有位置偏移，可以成為一致。

另外，在上述疊層步驟，重疊最好使上述芯子基材之佈線圖案和與上述疊層基材之佈線圖案相反側之通孔。

本發明之上述和其以外之目的和特色經由參照以下之詳細說明和圖式可以更進一層地明白。

下面參照圖1~圖6用來說明本發明之多層電路基板及其製造方法的各實施形態。另外，以下之說明是本發明之具體例，而不是用來限定申請專利範圍之記載。

(第1實施形態)

首先參照圖1至圖3C用來說明本發明之第1實施形態。在圖1中，符號10是具有2層之導電層之多層電路基板之芯子基板，由在絕緣膜12之兩面設有接著劑層13之絕緣性基材11構成，和利用銅箔等將導電層(陸塊部和佈線圖案部)14a、14b埋設在接著劑層13。在另外一方之導電層14a，設有與通孔15連通之孔16，該通孔15用來進行導電層14a、14b間之層間導通。在通孔15和孔16充填有導電性糊17。

絕緣性基材11使用成為絕緣膜12之厚度0.0125mm之聚醯亞胺膜，以0.01mm之厚度將作為接著劑層13之聚醯亞胺系接著劑，塗布在絕緣膜12之兩面，成為3層構造。

當在芯子基板10形成通孔15時，從導電層14a側，瞄準設在導電層14a之孔16，以雷射光照射時，因為孔16成為雷射光照射之遮罩，所以設在導電層14a之孔16和通孔15成為同軸而且同直徑，不會互相偏移地成為一致。

導電性糊17以金、銀、銅等之粉末作為導電性填充物，最好使用在其混練有熱硬化性樹脂者。特別是銅其導電性良好和遷移少，所以成為有效。另外，熱硬化性樹脂可以使用液狀之環氧樹脂在耐熱性方面具有穩定之性質。

導電性糊17從導電層14a側被壓榨地充填到通孔15和孔16，當在熱壓製步驟將導電層14a、14b埋入到接著劑層13時，經由壓縮導電性糊17可以獲得良好之電連接電阻值。

導電層14a、14b由利用蝕刻形成之直徑0.3mm之陸塊部和線幅0.025mm、空間0.025mm之佈線圖案部構成，陸塊部和佈線圖案部之底部側，形成為由芯子基材10和後面所述之多層電路基板之表層。利用此種方式，在半導體組裝時不會發生由於圖案之變細而引起之組裝不良。

依照以上之芯子基板10之構造時，導電層14a、14b之陸塊部和所形成之通孔15之位置不會偏移，可以使電連接電阻變低，和可以提高在多層電路基板之表面進行高密度組裝時之半導體晶片之組裝效率，可以獲品質優良之多層電路基板。

下面參照圖2A至圖2C、圖3A至圖3C用來說明上述芯子基板10之製造步驟。首先，如圖2A所示，在由厚度0.075mm之PET所構成之離型載體20之上，形成由厚度0.009mm之銅箔形成佈線圖案部和陸塊部所構成之導電層14a。離型載體20在轉印導電層14a後進行離型，可以使用聚乙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯等之有機膜。導電層14a利用矽接著劑使銅箔等之金屬箔接著在離型載體20，或可以更利用電解電鍍法等形成在金屬箔上。形成此種膜狀之金屬箔利用化學蝕刻法等之現有之加工技術，形成導電層14a。另外，在導電層14a之指定位置，以與佈線圖案形成步驟相同之步驟，預先設置與通孔直徑相當之孔16。另外，同樣地製作和形成未設有孔16之由佈線圖案和陸塊部所構成之導電層14b(圖中未顯示)。

其次，如圖2B所示，在絕緣膜12之兩面設置接著劑層13，在設有接著劑層13之上述絕緣性基材11之兩面進行疊層和黏貼導電層14a、14b之疊層步驟。疊層步驟之進行是利用真空疊層裝置(例如，名機製作所製，MVLP－500)貼合，在其間包夾絕緣性基材11，成為形成在以上述佈線圖案形成步驟所製作之離型載體20之各個之導電層14a、14b成為面對。在疊層前需要預先進行導電層14a、14b之位置對準，但是在本實施形態中，在將基準梢(圖中未顯示)***到基準孔21之狀態，以熱壓著工具(圖中未顯示)暫時固定基準孔21之近旁，成為在其間包夾有絕緣性基材11。被熱壓著工具加熱加壓之部份之接著劑層13熔融硬化，用來使絕緣性基材11和被配置在兩面之離型載體20部份地接著固定。這時，在絕緣性基材11設置直徑比基準孔21大之避開孔22。

另外，使形成有絕緣性基材11和導電層14a、14b之離型載體20以滾筒(長條)處理時可以提高生產效率。另外，導電層14a、14b之位置對準除了使用基準梢之方法外，亦可以使用具備有攝影機辨識功能之調整裝置等。另外，利用聚醯亞胺系接著劑之接著劑層13之形成亦可以利用熱可塑性聚醯亞胺(TPI)，或在熱可塑性聚醯亞胺具有熱硬化功能之膜之黏貼等。

其次，如圖2C所示，進行形成層間接著用之通孔之通孔形成步驟。圖2C表示使被聚光透鏡23聚光之碳酸氣雷射光24，瞄準地照射在被設於導電層14a之孔16之狀態。調整碳酸氣雷射光24之射束直徑成為比在導電層14a之上位位置之孔16之孔徑大0.12mm程度。首先，在PET之離型載體20加工孔25，當碳酸氣雷射光24到達導電層14a時，因為被設在銅之導電層14a之孔16具有作為雷射遮罩之作用，所以可以在絕緣性基材11形成與孔16相通之與孔16相同直徑而且在同軸上之通孔15。另外，到達導電層14b之碳酸氣雷射光24被導電層14b之表面反射。

利用碳酸氣雷射加工成之通孔15之剖面形狀成為圓錐台形狀，隨著從導電層14a側朝向導電層14b側逐漸變細。在本實施形態中，導電層14a側為0.05mm，導電層14b側為0.045mm。另外，在離型載體20形成有直徑大約0.13mm之孔25。

另外，在本實施形態中是使用碳酸氣雷射，但是亦可以使用紫外線雷射等之其他之雷射。另外，假如使f θ透鏡和電流錶組合時，可以高速加工，可以提高生產效率。

其次，如圖3A所示，進行在通孔充填導電性糊之導電糊充填步驟。使滑動台26依箭頭之方向移動，使導電性糊17充填在通孔15,被設在導電層13a之孔16，和利用雷射加工形成之離型載體20之孔25。

在本實施形態中，混練平均粒徑2 μ m之球形狀之銅粒子85質量%，作為樹脂成分之雙酚A型環氧樹脂3質量%，縮水甘油酯(glycidyl ester)系環氧樹脂9質量%，和作為硬化劑之胺加成物(amine adduct)硬化劑3質量%，使用調整成為黏度50~150Pa．s者。此處之離型載體20因為在導電性糊之充填時具有作為印刷遮罩之功能，所以不需要特別準備遮罩為其優點。

其次，如圖3B所示，進行從導電層14a、14b將離型載體20剝離之剝離步驟。圖3B表示從導電層14a、14b分別將離型載體20剝離後之狀態。離型載體20因為經由矽接著劑(圖中未顯示)以適當之強度分別接著在導電層14a、14b，所以可以在與導電層14a、14b之界面進行剝離。另外，在剝離後，利用雷射加工形成在離型載體20之孔25成為埋入有導電性糊17之狀態。此處之孔25之孔徑為0.13mm，因為大於被設在導電層14a之孔16之孔徑之0.05mm，所以在將離型載體20剝離時，在應力較弱之頸部部份被分斷。

其次如圖3C所示，進行熱壓製步驟，對導電層14a、14b和絕緣性基材11進行加熱加壓用來形成一體化。圖3C表示將壓製壓板27配置在絕緣性基板11之兩面，以加熱溫度200℃，加壓力5MPa之條件熱壓製之狀態。由於在加熱加壓條件下，係顯示接著劑層13在一旦軟化後硬化的狀況，所以導電層14a、14b在接著劑層13軟化之狀態埋入，利用其後之硬化成為一體化。

依照上述之方式，圖1所示之導電層14a、14b之陸塊部和絕緣性基材11之通孔15之位置對準變為容易，可以改善由於微細佈線圖案之蝕刻變細造成之半導體組裝時之問題，和可以減小電連接之電阻值，可以製作可靠度優良之導電層由2層之芯子基板10構成之多層電路基板。另外，在對離型載體20形成佈線圖案之後，假如利用印刷法等製入電阻或電容器等之被動零件時，可以成為內藏有被動元件之多層電路基板。

(第2實施形態)

下面參照圖4及圖5A至圖5C用來說明本發明之第2實施形態。本實施形態之多層電路基板是在第1實施形態之兩面，設置新的導電層，成為4層構造之多層電路基板者，對於與第1實施形態相同之構成元件附加相同之元件符號，而其說明則加以省略。

在圖4中，符號10是與第1實施形態同樣之芯子基板。符號30是準備2組之疊層基板，在絕緣膜12之兩面由設有接著劑層13之絕緣性基材11構成，另外在一方之接著劑層13埋設有由銅箔等構成之導電層(陸塊部和佈線圖案部)14c，在導電層14c上形成有與層間接著用之通孔15相連通的孔16，在通孔15和孔16充填有導電性糊17。將該疊層基板30配置成分別與芯子基板10之導電層14a、14b面對，形成導電層14c為表層側之方式，使其一體化用來構成4層之多層電路基板。

芯子基板10之導電層14a、14b因為被內藏在多層電路基板內，所以最好使用兩面粗化銅箔，和使銅箔厚度成為表層用之導電層14a、14b之成倍程度，利用疊層基板30之導電性糊17之壓縮，用來獲得電連接之低電阻化。

另外，在此處所說明者是導電層14a、14b、14c、14c之4層之構造，但是並不只限於此種方式，亦可以成為更多層化之構造。

下面參照圖5A至圖5C用來說明本實施形態之4層之多層電路基板之製造步驟。首先，準備圖5A所示之芯子基板10。亦即，將圖3B所示之離型載體20從導電層14a、14b剝離之狀態。另外，準備圖5B所示之疊層基板30。亦即，將保持導電層14c之離型載體20剝離後之狀態。導電層14c使用一面粗化銅箔之銅箔厚度為0.009mm者。至圖5A、圖5B之狀態為止之製造步驟，除了圖5B之導電層14c為一面外，因為與第1實施形態相同，所以其說明加以省略。

其次，進行圖5C所示之熱壓製步驟。圖5C所示之狀態是以使準備2組疊層基板30之導電層14c成為表層側之方式，分別被配置成與芯子基板10之導電層14a、14b面對，利用基準孔21和基準梢(圖中未顯示)進行位置對準，然後經由壓製壓板27進行加壓加熱。在加熱加壓之條件下，因為接著劑層13呈現暫時軟化然後硬化之動作，所以導電層14a、14b、14c在接著劑層13軟化之狀態被埋入，然後硬化用來成為一體化。

依照上述之方式，圖4所示之導電層14a、14b、14c之陸塊部和芯子基板10及疊層基板30之通孔15之位置對準變為容易，可以改善由於微細佈線圖案之蝕刻變細造成之半導體組裝時之問題，和可以減小電連接電阻值，可以製作可靠度優良之導電層為4層之多層電路基板。

(第3實施形態)

下面參照圖6用來說明本發明之第3實施形態。本實施形態之多層電路基板是在第1實施形態之兩面設置新的導電層成為4層構造之多層電路基板，其與第2實施形態之不同部份是疊層基板使用只在絕緣膜12之一面設有接著劑層13之形態之疊層基板31。對於其他之部份，因為與第2實施形態相同，所以其詳細之說明加以省略。另外，對於本實施形態之製造方法，作為芯子基板10之導電層14a、14b者使用厚度0.009mm之銅箔，除此之外，因為與第2實施形態相同，所以其詳細之說明加以省略。

依照上述之方式，圖5A至圖5C所示之導電層14a、14b、14c之陸塊部與芯子基板10和疊層基板31之通孔15之位置對準變為容易，可以改善由於微細佈線圖案之蝕刻變細造成之半導體組裝時之問題，和可以減小電連接電阻值，可以製作可靠度優良之導電層為4層之多層電路基板。另外，依照本實施形態時，因為接著劑層13只在一面，所以可以使多層電路基板薄型化。

如以上之說明，依照本發明之多層電路基板及其製造方法時，在導電層(陸塊部)開孔之孔，和形成相通之通孔之位置成為一致，可以減小電連接電阻值，可以獲得可靠度優良之多層電路基板，因為以薄型具有高密度佈線功能，所以作為半導體模組基板等成為有用。

以上所說明之本發明之具體之實施形態用來明白本發明之技術內容，而不是用來限定技術範圍，在以下之申請專利範圍所述之範圍內可以變更成為多種多樣地實施。

10．．．芯子基板

11．．．絕緣性基材

12．．．絕緣膜

13．．．接著劑層

14a、14b、14c．．．導電層

15．．．通孔

16．．．孔

17．．．導電性糊

20．．．離型載體

21．．．基準孔

22．．．避開孔

23．．．聚光透鏡

24．．．碳酸氣雷射光

25．．．孔

26．．．滑動台

27．．．壓製壓板

30．．．疊層基板

31．．．疊層基板

72．．．通孔

73．．．導電性糊

74．．．絕緣層

75．．．銅箔

76．．．佈線圖案

77．．．多層電路基板

81．．．聚醯亞胺模

82．．．導電性糊

83．．．接著層

84．．．陸塊部

85．．．微細孔

86．．．通孔

87．．．微細孔

88．．．銅箔

89．．．陸塊部

90．．．多層佈線基板用基材

91．．．第2多層佈線基板用基材

圖1是本發明之第1實施形態之多層電路基板之剖面圖。

圖2A至圖2C是剖面圖，用來順序地表示該實施形態之多層電路基板之製造步驟之前半。

圖3A至圖3C是剖面圖，用來順序地表示該實施形態之多層電路基板之製造步驟之後半。

圖4是本發明之第2實施形態之多層電路基板之剖面圖。

圖5A至圖5C是剖面圖，用來順序地表示該實施形態之多層電路基板之製造步驟。

圖6是本發明之第3實施形態之多層電路基板之剖面圖。

圖7A至圖7H是剖面圖，用來順序地表示先前技術例之多層電路基板之製造步驟。

圖8A至圖8D是剖面圖，用來順序地表示其他之先前技術例之多層電路基板之製造步驟。

10．．．芯子基板

11．．．絕緣性基材

12．．．絕緣膜

13．．．接著劑層

14a、14b．．．導電層

15．．．通孔

17．．．導電性糊

Claims (9)

1. 一種可撓性多層電路基板，其包含：絕緣膜；設置於上述絕緣膜之兩面的接著劑層；分別從兩面埋設於上述兩面接著劑層之各者的導電層；為了使上述兩面導電層進行層間導通而與上述絕緣膜及接著劑層連通形成之通孔；及為了使上述兩面導電層進行層間導通而充填至上述通孔中且隨著上述導電層之埋設而被壓縮的導電性糊；上述導電層係為了使導電性糊充填至通孔中並且為了形成通孔，而形成有與上述通孔同軸之孔。
2. 如申請專利範圍第1項之可撓性多層電路基板，其中，上述孔僅在上述兩面導電層之一方形成。
3. 一種可撓性多層電路基板，其包含：絕緣膜；設置於上述絕緣膜之單面的接著劑層；從其單面埋設於上述接著劑層的導電層；為了使上述導電層進行層間導通而與上述絕緣膜及接著劑層連通形成之通孔；及為了使上述導電層進行層間導通而充填至上述通孔中且隨著上述導電層之埋設而被壓縮的導電性糊；上述導電層係為了使導電性糊充填至通孔中並且為了形成通孔，而形成有與上述通孔同軸之孔。
4. 如申請專利範圍第1項之可撓性多層電路基板，其 中，上述絕緣膜係由聚醯亞胺所構成；上述接著劑係由聚醯亞胺所構成。
5. 如申請專利範圍第2項之可撓性多層電路基板，其中，上述絕緣膜係由聚醯亞胺所構成；上述接著劑係由聚醯亞胺所構成。
6. 如申請專利範圍第3項之可撓性多層電路基板，其中，上述絕緣膜係由聚醯亞胺所構成；上述接著劑係由聚醯亞胺所構成。
7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之可撓性多層電路基板，其中，形成在上述導電層之上述孔係與上述通孔相同直徑。
8. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之可撓性多層電路基板，其中，在形成於上述導電層之上述孔中係充填有導電性糊。
9. 如申請專利範圍第7項之可撓性多層電路基板，其中，在形成於上述導電層之上述孔中係充填有導電性糊。