TWI373507B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TWI373507B
TWI373507B TW094132786A TW94132786A TWI373507B TW I373507 B TWI373507 B TW I373507B TW 094132786 A TW094132786 A TW 094132786A TW 94132786 A TW94132786 A TW 94132786A TW I373507 B TWI373507 B TW I373507B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
phosphor
light
wavelength
illuminating
powder
Prior art date
Application number
TW094132786A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200619359A (en
Inventor
Hirosaki Naoto
Original Assignee
Nat Inst For Materials Science
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nat Inst For Materials Science filed Critical Nat Inst For Materials Science
Publication of TW200619359A publication Critical patent/TW200619359A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI373507B publication Critical patent/TWI373507B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/597Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/6261Milling
    • C04B35/6262Milling of calcined, sintered clinker or ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/55Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing beryllium, magnesium, alkali metals or alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18Luminescent screens
    • H01J29/20Luminescent screens characterised by the luminescent material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3865Aluminium nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3873Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
    • C04B2235/3878Alpha silicon nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3895Non-oxides with a defined oxygen content, e.g. SiOC, TiON
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5409Particle size related information expressed by specific surface values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/761Unit-cell parameters, e.g. lattice constants
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/766Trigonal symmetry, e.g. alpha-Si3N4 or alpha-Sialon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/767Hexagonal symmetry, e.g. beta-Si3N4, beta-Sialon, alpha-SiC or hexa-ferrites
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 盆=發明係關於一種以無機化合物作為主體之螢光體和 ς二诞方法及用途。更加詳細地說,該用途係關於—種該 光體所具有之性質,也就是利用發出570nm以上之長波 螢光之特性的照明器具、影像顯示裝置之發光器具。 【先前技術】 螢光體係使用在螢光顯示管(VFD)、場發射顯示器 (FED)、電漿顯示面板(pDf))、陰極射線管(⑶τ)和白色發 光二極體(LED)等》 即使在該等任一用途上,為使螢光體發光,而必須將用 以激發螢光體之能量供應至螢光體,螢光體係藉由具有真 二i外線、紫外線、電子束、藍色光等之高能量之激發源 而進行激啦,發出可見光線。但是,螢光體係曝露於前述 之激發源,結果,有所謂降低螢光體之亮度之問題發生, 而要求並無亮度降低之螢光體。 因此,為了取代習知之矽酸鹽螢光體、磷酸鹽螢光體、 鋁酸鹽螢光體、硫化物螢光體等螢光體,所以,提議賽龍 (Sialon)螢光體,來作為並無亮度降低之螢光體。 该赛旎螢光體係概略藉由下述製程而進行製造。首先, 以既定之莫耳比,來混合氮化矽(siA4)、氮化鋁(A1N)、 碳酸鈣(CaC〇3)和氧化銪(EU2〇3),在i氣壓(〇· 1Mpa)之氮 中、17〇〇°C之溫度,保持1小時,藉由熱壓法而進行燒成 及製造(例如’參考專利文獻丨)。 312XP/發明說明書(補件 V95-01/94132786 1373507 報告:活化由該製程所得到之Eu離子之α賽龍係藉由 450至500rm之藍色光而進行激發來發出550至6〇〇nm之 育色光之營光體。但是,在以紫外線LED作為激發源之白 色LED或電漿顯示器等之用途,不僅是黃色,也要求發光 於橙色或紅色之螢光體。此外,在以藍色LED作為激發源 之白色LED,為了提高現色性,而要求發光於橙色或紅色 之螢光體。
在该案申請前之學術文獻(參考非專利文獻丨),報告: 作為發光於紅色之螢光體係在Ba2SisN8結晶來活化Eu之 無機物質(Ba2-xEuxSi5N8 : χ = 〇, 14〜1. 16)。此外,在發行 物「On new rare-earth doped Si-Α1-0—Ν materials」(參考非專利文獻2)之第2章,報告:以各 種組成之鹼金屬和矽之3元氮化物、MxSiyNz(M=Ca、訏、 Ba、Zn ; X、y、z係各種值)作為母體之螢光體。 一同樣在美國專利第6682663.號(專利文獻2)’提議及揭 示 MxSiyNz ·· Eu(M=Ca、Sr、Ba、Zn ’· z=2/3x+4/3y)。 在曰本專利特開2〇〇3_2〇6481號(專利文獻、美國 專利第6670748號(專利文獻4) ’記载:作為與此相異之 其他氮化物或氧氮化物螢光體,係以MShN5、M2ShN7、 M4Si6Nh、M9SiHN23、M16Sil5(M32、M13Si18Al12〇I8N36、 MSi5AhON9、M3Si5A10N,。(其中,M 係 Ba、Ca、Sr 或稀土類 兀素)作為母體結晶而於此活化Eu或Ce之螢光體,在該 田_,5己載·發光於紅色之營光體和使用該螢光體之遍 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 6 其中’作為包含Sr之化合物係記載SrSiAh〇3N2 : Eu” 和Sr2SuA10N7: Eu2+。此外,在日本專利特開2002- 322474 號(專利文獻5),提議:在SnShN8或SrShNu結晶來活 化Ce之螢光體。 在日本專利特開2003 — 321675號(專利文獻6),記載: 關於 LxMjrN(2/3x+4/3y) : Z(L 係 Ca、Sr、Ba 等 2 價元素,Μ 係Si、Ge等4價元素,Ζ係Eu等活化劑)螢光體,記載: 在添加微量A1時’具有抑制殘光之效果。 又’知道:藉由組合該螢光體和藍色Led而稍微帶有紅 色之暖色系之白色發光裝置。此外,在日本專利特開2〇〇3
一 277746 號(專利文獻 7),揭示:作為 LxMyN(2/3x+4/3y) : Z 螢光體係藉由各種L元素、Μ元素、Z元素所構成之螢光 體。在曰本專利特開2004— 10786號(專利文獻8),記載 關於L — Μ — N : Eu、Ζ系之範圍廣泛之組合,但是,並無 顯示在以特定之組成物或結晶相作為母體之狀態下之發 光特性提升之效果。 報告··以上敘述之專利文獻2及5至8所代表之螢光體 係以2價元素和4價元素之氮化物來作為母體結晶,以各 種不同之結晶相作為母體之螢光體;也知道發光於紅色, 但是’在藉由藍色之可見光之激發方面,紅色之發光亮度 係不充分。此外,由於組成而在化學上變得不穩定,在耐 久性上,有問題發生。 此外,專利文獻3、4所示之SrSiAhO— : Eu2+和 SnShAlON7 = Eu2+之發光亮度係不充分。 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 7 1373507 «t
又:作為照明裝置之先前技術係習知藉由藍色發光二極 =件和^吸收黃色發光螢光體之組合所造成之白色 毛光二極體,實用化於各種照明用途。 雕作為/代表例係例舉日本專利第2900928號「發光二極 獻9)、日本專利第2927279號(專利文獻⑻ —極體」、日本專利第3364229號(專利文獻⑴「波 長轉換注入型材料及其製造方法和發光元件」等。 在廷些發光二極體,特別經常使用之營光體係藉由通式
Gd)3(Al Ga)5〇12.Ce所示之藉由錦所活化之纪•鋁 •石榴石系螢光體。 但是’由藍色發光二極體元件和&· |g •石權石系榮光 體所構成之白色發光二極體係具有由於紅色成分之不足 ,成為藍白色發光之特徵’有所謂在現色性看到偏差之問 題發生。 由於此種背景’因此,檢討:由於混合·分散2種螢光 .而在紀鋁•石榴石系螢光體藉由其他紅色螢光體來 補償呈不足之紅色成分之白色發光二極體。 作為此種發光二極體係可以例舉曰本專利特開平ι〇 — 163535號(專利文獻12)「白色發光元件」、曰本專利特開 2003 — 321 675號(專利文獻6)「氮化物營光體及其製造方 法」等。 但疋’即使在這些發明,關於現色性方面還殘留應該改 善之問題點,而要求解決該課題之發光二極體。日本專利 特開平10-163535號(專利文獻12)所記载之紅色螢光體 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 8 1373507 係包含鎘,有環境污染之問題。 • 日本專利特開2003 — 321 675號(專利文獻6)所記載之 ♦ 以Cai. 97S i 5N8 : Elio. 03作為代表例之紅色發光螢光體係不包 含鎘,但螢光體之亮度偏低,而就該發光強度方面,要求 更進一步之改善。 . 參考文獻: , 非專利文獻 1 : H. A. Hoppe 共 5 名、Journal of Physics and Chemistry of Solids 、 2000 年、61 卷、第 2001〜 籲2006頁 非專利文獻 2 :「On new rare — earth doped M — Si — A1 — 0—N materials」J. W. H. van Krevel 著 TU Eindhoven 2000、ISBN 90 - 386 - 271 1 —4 專利文獻1 :日本專利特開2002 — 363554號公報 專利文獻2 :美國專利第6682663號公報 專利文獻3 :日本專利特開2003 — 206481號公報 $ 專利文獻4 :美國專利第6670748號說明書 專利文獻5 :日本專利特開2002 — 322474號公報 專利文獻6 :日本專利特開2003 — 321675號公報 專利文獻7 :日本專利特開2003 — 277746號公報 專利文獻8:日本專利特開2004— 1 0786號公報 專利文獻9 :日本專利第2900928號公報 * 專利文獻10 :日本專利第2927279號公報 • 專利文獻11 :曰本專利第3364229號公報 專利文獻12 :日本專利特開平1 0 — 163535號公報 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 9 1373507 發光效率之紅色成分之現色性良好之白色發光二極體或 者是發出鮮明紅色之影像顯示裝置。 發現.本發明之螢光體之母體結晶係完全不同於向來報 告之LxMyN(2/3x+4/3y〉所代表之2價和4價元素之三元氮化 物,藉由加入至2價和4價元素來使得A1成為主要之構 成=屬元素之氧氮化物,而達成向來所沒有之亮度之紅色 &光又本發明係以具有組成及結晶構造完全不同於專 利文獻3等之向來報告之^心18^12〇18〜6、脱5八1现、 ㈣NlQ(M係Ca、Ba、Sr等)或非專利文獻2之第“ 早所把載之CaKnEuo.uShALe等之赛龍之結晶來作為母 體的新穎螢光體。此外,不同於專利文獻6所記载之包含 數百ppm程度之A1之結晶,以M成為母體結晶之主要之 構成元素之結晶來作為母體之螢光體。 版向s ,以Μη或稀 一…I「,奴7Q Τ心疋常Μ而 活化於無機母體結晶之螢光體係藉由Μ元素周圍之電 狀態而改變發光色和亮度。例如,在以2價^也作為發 光_心之螢光體,藉由改變母體結晶而報告有藍色 色、:色、,發光。也就是說,即使一眼 近似 之組成,也在將母體之結晶構造或放入Μ之結晶構造^ 原子位置予以改變時,發光色或亮度係完 同之勞光體。在本發明令,以不同於習知之2價和4 = 素之3元氮化物m3價—4價之多元 作為母體結晶,亚且,以完全不同於向來報告之赛龍电成 之結晶,來作為母體,而向來並無報告以此種結晶作為2 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 1373507 體之螢光體。此外,以本發明之組成作為母體之螢光體係 在比起以向來之結晶作為母體,更呈現高亮度之紅色發光 方面’為良好之螢光體。 本發明人專係有鑑於前述實情而全心重複地進行研 究,結果成功地提供一種藉由採取以下(1)〜(丨4)所記載 之構造而在特定波長區域來顯示高亮度之發光現象之螢 光體。又,成功地使用(15)〜(24)之方法而製造具有良好 發光特性之螢光體。此外,也成功地提供一種藉由使用該 螢光體來採取(25)〜(34)所記載之構造而具有良好特性 之照明器具、影像顯示裝置。也就是說,該構造係正如以 下(1)〜(34)所記載的。 (1)種螢光體’其特徵為:以在藉由A2Si5-xAlx〇xN8-x(其 中’ A係由Mg、Ca、Sr或Ba所選出之1種或2種以上元 素之混合,X係0.05以上、〇.8以下之值)所示之結晶上 固溶金屬元素M(其中,Μ係由Mn、Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、
Dy、Ho、Er、Tm和Yb所選出之!種或2種以上元素)所 構成之無機化合物為主成分。 (2)如前述(1)項之螢光體,其中,X係0.05以上、0.5 以下之值。 (3)如前述(1)項或(2)項所記載之螢光體,其中,無機 化σ物係由以AhSis-xAlxOxNs-x : My所示之固溶體結晶而構 *成’ y係〇.0〇l$yS0.5範圍之值。 • (4)如則述(1)項至(3)項中任一項所記載之螢光體,其 中’金屬元素Μ至少含有Eu。 '、 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 12 ,,金屬^⑷項"壬—項所記载之螢光體,其 金屬兀素Μ係EU,金屬元素A係扑。 :八如前,項至⑷項中任一項所記载之螢光體,其 。广屬兀素财係⑸,金屬元素A係Ca。 (7)如前述(1)項至(4)項中任一 尹,無機化合物係由以SraCab 、。己之螢光體,其 溶體έ士曰而I & b 5'Χ Χ〇χΙ*·· Euy所示之固 (8)如前述(1)項至(7) t,無機化合物係平均壬rw項所記載之勞光體,其 粉體。 7位仏〇.bm以上、20"以下之 項所5己载之無機化合物 士 ^項〒任 合物而構成,前述⑴❹7_相或非晶質相之混 合物之含有量係10質量%以上。壬項所記載之無機化 ⑴)如前述⑻項或(;。)項之 具Γ電‘二其 之無機物質係包含由心心二先^二具有導電性 :上-素之氧化物、氧氮化物或氮化夕或 ⑽如前述⑴項至⑽射任-項所記载之螢光體, 發明說明書(補件)/95._4丨32786 13 1373507 其中,藉由將具有l〇〇nm以上、55〇nm以下之波長之紫外 線或可見光、或者是電子束之激發源予以照射,而發出 • 570nm以上、7〇〇nm以下之波長之橙色或紅色光。 (14)如前述(13)項所記載之螢光體,其中,在照射激發 源%,發光之顏色係CIE色度座標上之(X,y)值滿足〇. 4 SxS 0. 7之條件。 U5)前述(1)項至(14)項中任一項所記載之螢光體之製 造方法,其特徵為:藉由成為金屬化合物之混合物,進行 燒成’而將可以構成由M、A、Si、A1、〇、N所構成之組 成物(其中 ’ Μ 係由 Μη、Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、 Er、Tm和Yb所選出之!種或2種以上元素’ a係由Mg、 Ca、Sr和Ba所選出之1種或2種以上元素)之原料混合 物,在0. IMPa以上、100MPa以下之壓力之氮氣環境中, 於12001以上、2200。(:以下之溫度範圍,進行燒成。 (16) 如刖述(15)項所記載之螢光體之製造方法,其中, φ金屬化合物之混合物係由Μ之金屬、氧化物、碳酸鹽、氮 化物、氟化物、氣化物或氧氮化物和Α之金屬、氧化物、 碳酸鹽、氮化物、氟化物、氣化物或氧氮化物及氮化矽以 及氮化鋁所選出之混合物。 (17) 如則述(15)項或(丨6)項所記載之螢光體之製造方 法,其中,在保持於相對堆積密度4〇%以下之填充率之 .狀態來將粉體或凝集體形狀之金屬化合物填充至容器 . 後,進行燒成。 °° (18) 如前述(17)項所記載之螢光體之製造方法,其中, 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-01/94 〖32786 1373507 容器係氮化硼製。 ^ (19)如前述(15)項至(18)項中任一項所記載之螢光體 之衣w方法,其中,該燒結手段係並非藉由熱壓而是專門 藉由常壓燒結法或氣壓燒結法而成之手段。 (20) 如前述(15)項至(丨9)項中任一項所記載之 體 之製造方法’其中’藉著由粉碎、分級和氧處理所選出之 1種或複數種方法而對⑥合成之榮光體粉末之平均粒徑, 鲁調整粒度成為以上、以下。 (21) 如刖述(15)項至(20)項中任一項所記載之螢光體 之製造方法,其中,在1G()(rc以上、燒成溫度以下之溫 度,對於燒成後之螢光體粉末或粉碎處理 -或者是粒度調整後之榮光體粉末,來進行熱處f&末 (22) 如前述(15.)項至(21)項中任一項所記載之螢光體 之製造方法,其中,藉著在燒成後,以由水或酸之水溶液 所構成之/合劑,來洗淨生成物,而減低包含於生成物之玻 φ 璃相、第二相或雜質相之含有量。 (23) 如前述(22)項所記載之螢光體之製造方法,苴中, 酸係由硫酸、鹽酸、石肖酸、氟化氫酸、有機酸之單體或混 合物所構成。 (24 ^述(22)項或(23)項所記載之螢光體之製造方 法,其中,酸係氟化氫酸和硫酸之混合物。 (25)-種照明器具’係由發光光源和螢光體所構成者, .其特徵為:至少使用前述⑴項至(14)項中任-項所記載 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-〇ι/94132786 15 1373507 (26)如前述(25)項所記載之照明器具,其中,該發光光 源係發出波長330〜500ηπι之光之LED。 • (27)如前述(25)項或(26)項所記載之照明器具,其中, 該發光光源係發出波長330〜420nm之光之LED ,藉由使 用前述(1)項至(14)項中任一項所記載之螢光體、利用33〇 〜420nm之激發光而在42〇nm以上、500nm以下之波長具 有發光波峰之藍色螢光體以及利用33〇〜42〇nm之激發光 而在500ηπι以上、57〇nm以下之波長具有發光波峰之綠色 螢光體,來混合紅、綠和藍色光,以發出白色光。 (28) 如前述(25)項或(26)項所記載之照明器具,其中, 該發光光源係發出波長420〜50Onm之光之LED,藉由使 -用刖述(1)項至(14)中任一項所記載之螢光體以及利用 420〜500nm之激發光而在5〇〇nm以上、57〇nm以下之波長 具有發光波峰之綠色螢光體,來發出白色光。 (29) 如則述(25)項或(26)項所記載之照明器具,其中, _該發光光源係發出波長420〜500mn之光之LED,藉由使 用别述(1)項至(14)項中任一項所記載之螢光體以及利用 420〜500nm之激發光而在550nm以上、600nm以下之波長 具有發光波峰之黃色螢光體,來發出白色光。 (30) 如前述(29)項所記載之照明器具,其中,該黃色螢 光體係固溶Ειι之Ca — α賽龍。 (31) 如如述(27)項或(28)項所記载之照明器具,其中, . 該綠色螢光體係固溶Eu之/5 —赛龍。 (32) —種影像顯示裝置,係由激發源和螢光體所構成 312χρ/發明說明書(補件)/95.〇 1/94132786 16 1373507 A2Si5-xAlx〇xN8-x(其中’ χ係〇. 〇5以上、〇. 8以下之值)所示 之由Α1來取代si之一部分且由〇來取代Ν之一部分之取 代型固溶體’具有類似於A2Si5N8結晶之結晶構造。向來 亚無報告在LSihAhOxNh固溶A1和〇,為本案發明人之 新發現知識,為在本發明中首次合成之結晶。 精由在AdihAlUx#體結晶,固溶金屬元素Μ(其 中,Μ 係由 Mn、Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm
和Yb所選出之!種或2種以上元素),而發光於橙色或紅 色之營光體。藉由固溶A1和氧而增加A2Si5N8結晶之化學 知定性,提高螢光體之耐久性。在取代量X小於0. 05時, 化學穩定性提升之效果偏少,而大於〇 8時,結晶構造係 變知不穩定,因此,降低螢光體之亮度。所以,X之範圍 係以0.05以上' 〇.8以下之值為佳。此外,在〇 2以上、 〇·5以下之值,因可得到兼具良好之化學穩定性和高亮度 之螢光體,因此,最好是具有該範圍值之組成。 為螢光體之母體之A2Si5_xAlx〇xN8_x係具有相同於 A2Si5N8(其中,A係Mg、Ca、Sr或Ba)之結晶構造,在固 溶量小之組成,僅改變格子常數。因此,本發明之無機化 &物係可以精由X射線繞射而進行鑑定。 Μ之固溶係替換至a元素之位置,因而理想之組成係 A2-ySi5-xAlx〇xN8-x : My。在來自該組成之偏差變大時,因增 加以AaSihAlxOxNs-x作為母體之無機化合物以外之第一相 之比例,而降低亮度。作為無機化合物整體所佔有之 有量之y值係0.001以上、0.5以下範圍之值,則得到= 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 18 1373507 亮度之螢光體。在小於〇. 0001原子%時,關係到發光之 原子的量變少,因此,降低亮度,在大於5原子%時,因 濃度请光’而降低亮度。 在A元素中,亮度特別高之元素係Ca及Sr。因為使用 該等螢光體之發光色不同,故可以配合用途而進行選擇。 在使用Eu來作為金屬元素μ時’得到在570〜65Onm之 範圍具有波峰之發光特性,因此,適合作為照明用途之紅 色螢光體。 在本發明,亮度特別高之A和Μ之組合係A為Ca及Μ 為 Eu 之 CaaSisNs : Eu 以及 Α 為 Sr 及 Μ 為 Eu 之 SnSisNs : Eu ° 特別是在需要中間色調之螢光體之狀態下,可以混合
Ca和Sr。其中’在以SraCabSi5_xAlx〇xN8 χ : Euy所示之固溶 體結晶組成(其中,a+b=2_y)中,在a//(a+b)值成為〇 2 以上、1.8以下之組成,亮度變高,色調之變化大,因此 較理想。 在使用本發明之螢光體來作為粉體之狀態下,由對於樹 脂之分散性或粉體之流動性等方面來看的話,則平均粒徑 係最好是〇. 1"以上、20“以下。此外,藉由使得粉 體成為該範圍之單結晶粒子而更加提高發光亮度。 為了得到高發光亮度之螢光體,無機化合物所包含之雜 質係以極少為佳。特別是在包含許多Fe、Co、Ni之雜質 兀素時,妨礙發s ’因此,可以進行原料粉末之選定及合 成步驟之控制岐料元素合計成㈣以下。 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 1373507 碏所構成者。該形態係可以根據用途而設定成為必要之 譜。 其中,在AzSis-xAhOxNs-x :My中,μ元素為Eu且A元素 為或兩者之混合組成之組成物係在藉由波長一 2〇〇mn至60〇nm範圍之光而進行激發時,在波長⑽化瓜以 上、70〇nm之範圍内,顯示具有波峰之發光,顯示作為紅 色螢光之良好發光特性。 ’ 如上所得到之本發明之螢光體之特徵為:比起通常之氧 化物營光體或既有之賽龍勞光體,自電子束或χ射線及紫 外線具有可見光之範圍廣泛之激發範圍;進行57〇咖以上 之橙色或紅色之發光;以及特別是以蚊組成,呈現由 600mn至70〇nm之紅色;藉由CIE色度座標上之(x y)之 值而顯示0.45S xg〇.7之範圍之紅色發光。藉由以上發 光特性而適合於照明器具、影像顯示裝置。 除此之外,即使曝露於高溫,也不惡化,因此,具有良 好之耐熱性,關於在氧化環境及水分環境下之長期間之穩 定性’亦良好。 “ 、本發明之螢光體並無規定製造方法,可以藉由下列之方 法而製造高亮度之螢光體。 、:由利用成為金屬化合物之混合物,進行燒成’而將可 二:成由Μ、A、Si、A卜〇、n所示組成物之原料混合物, 之純環射,於腫U上、酬。⑶下之 咖又乾’進行燒成,可得到高亮度之營光體。 在將3有Eu、Ca、Si、A1、N Q之螢光體予以合成之 312XW發明晒書(補件)/95彻4i32786 21 1373507 狀態下,月』以鼠化销或氧化销、m氮_、氮化 紹之粉末m物,來料起㈣料。 料,通常包含雜質之氧,而成為氧源。—亂化物原 又在將3有在。之組成予以合成之狀態下,除了前面敛 述以外,在添加氮化銷時,得到藉由銷來取代斤 子之—部分之無機化合物,得到高亮度之螢光體。 前述金屬化合物之混合粉末係可以在保持於堆積密度 末之體積填充率,為:填充===積密度係粉 疋谷态時之質量和體積比 除以金屬化合物之理論密度之值。容器係因和金 間之反應性偏低’因此,適合於氮化雜結體。 在堆積密度保持於40%以下之狀態來進行燒成者係由 $在原料粉末之周圍具有自由”之狀態,來進行燒成, 糟由反應生成物結晶/成長於自由空間,而使得結晶間之 接觸=少,因此,可以合成表面缺陷少之結晶。 接著,藉由在含有氮之惰性環境中,於1 2〇〇它以上、 2m°c以下之溫度範圍,對於得到之金屬化合物之混合物 =燒成’而合成螢光體。使用於燒成之爐係燒成溫度為 向溫’燒成環境為含有氮之惰性環境,因此,為金屬電阻 加熱電阻加熱方式或石墨電阻加熱方式’係以爐高溫部之 材料,用碳之電氣爐為佳。燒成方法係因並無由常愿燒結 法或氣壓燒結法等之由外部來施加機械加壓之燒結方 夬仍將堆積讼度保持在高之狀態下,並進行燒成,故為 3 i2XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 22 在牢ϋ地m定進行燒成所得到之粉體凝集體之狀態 :’例如藉由球磨機、噴射磨機等工薇通常使用之粉碎機 =進行粉碎。施行粉碎至平均粒徑成為20㈣以下為止。 二別以平均粒徑〇. i " m以上、5 " m以下為佳。在平均粒 從超過2G“時,粉體之流動性和對於樹脂之分散性變 差在與發光元件組合而形成發光裝置時,因部位不同而 發光強度變得不均勻。在成為0. U m以下時,螢光體粉 體表面之缺陷量變多,因此,由螢光體之組成而降低發光 強度。 在1000 C以上、燒成溫度以下之溫度,對於燒成後之 螢光體粉末或粉碎處理後之螢光體粉末或者是粒度調整 後之螢光體粉末,來進行熱處理時,在粉碎等之時,減少 導入至表面之缺陷而提高亮度。 可以藉著在燒成後,以由水或酸之水溶液所構成之溶 劑,來洗淨生成物,而減低包含於生成物之玻璃相、第二 相或雜質相之含有量,來提高亮度。在該狀態下,酸係可 以由硫酸、鹽酸、硝酸、氟化氫酸、有機酸之單體或混合 物來選擇,其中,以使用氟化氫酸和硫酸之混合物時,雜 質之除去效果較大。 正如以上所說明的,本發明之螢光體係比起習知之赛龍 螢光體’顯示出更局之党度’在曝露於激發源之狀態下之 螢光體亮度之降低少,因此,成為適合於VFj)、FED、pDp、 CRT、白色LED等之螢光體。 本發明之照明器具係至少使用發光光源和本發明之螢 312XP/發明說明書(補件y95-〇丨/94132786 23 1373507 作為照明器㈣有LED照明器具、營光燈 :直在LED照明器具’可以使用本發明之營光體藉由曰 152609號、特開平7-99345號、曰本 •第927279號等所記载之習知方法而進行f造。在該 ^態下,發光光源係最好是發出波長33()〜咖nm之光/ 二t ’最好是330〜㈣⑽之紫外線(或紫色)⑽發光元 件或420〜500nm之藍色LED發光元件。 作為該等發光元件係由㈣或InGaN等氮化物半導體所 構成,可以藉由調整組成而成為發出既定波長之光之發光 光源。 關於照明器具,除了單獨地使用本發明之螢光體之方法 ‘以外,可以藉由併用具有其他發光特性之螢光體而構成發 出要求之顏色之照明器具。作為該一例係有33〇〜 之紫外線LED發光元件和藉由該波長所激發而在42〇nm以 上、480nm以下之波長具有發光波峰之藍色螢光體以及在 • 50〇nm以上、550mn以下之波長具有發光波峰之綠色螢光 體和本發明之螢光體之組合。作為此種藍色螢光體係可以 列舉:BaMgAUOn : Eu,作為綠色螢光體係可以列舉: BaMgAlioOn : Eu、Μη或在0 -赛龍固溶Eu之/3 -赛龍:
Eu。在該構造方面,於LED所發出之紫外線照射於螢光體 ^ 發出紅、綠、藍之3色光’藉由其混合而成為白色之 •,照明器具。 作為其他方法係有420〜500nm之藍色LED發光元件和 藉由該波長所激發而在550nm以上、600nm以下之波長具 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 1373507 有發光波峰之黃色Μ體以及本發明之$光體之組合。作 為此種黃色螢光體係可以列舉:日本專利第撕㈣號所 ^載之(Υ、Gd)2(Al、Ga)5Gi2 : Ce或日本專利特開2〇〇2_ 363554號所記載之α—賽龍:Eue其中,因固溶有肋之
Ca-a -賽龍侍、發光亮度高而良好。在該構造方面,於 LED所發出之藍色光照射於螢光體時,發出紅、黃之2'色 光’混合這些和LED本身之藍色光而成為帶有白色或紅色 之燈泡色之照明器具。 •—作為其他方法係有420〜5mLED發光元件和 藉由該波長所激發而在5〇〇nm以上、57〇nm以下之波長具 有發光波峰之綠色螢光體以及本發明之螢光體之組合。作 '為此種綠色螢光體係可以列舉:YzAhO,2: Ce或在;9—赛 龍固溶Eu之泠一赛龍:Eu。在該構造方面,於led所發 出之藍色光照射於螢光體時,發出紅、綠之2色光,混^ 這些和LED本身之藍色光而成為白色之照明器具。 • 本發明之影像顯示裝置係至少藉由激發源和本發明之 螢光體而構成,有螢光顯示管(VFD)、場發射顯示器 (FED)、電漿顯示面板(pDp)和陰極射線管(〔π)等。確認 到本發明之螢光體係藉由1〇〇〜19〇nm之真空 ^ 〜犯Ornn之紫外線、電子束等之激發而進行發光,可以藉 由這些激發源和本發明之螢光體之組合而構成前述之影 ‘ 像顯示裝置。 ~ (實施例) 接著藉由以下所示實施例而更加詳細說明本發明,但 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 25 本發明係 是,此係揭示用以容易理解本發明之一 並非限定於該等實施例。 皿 實施例1 : :料粉::使用:平均粒徑0.5um、氧含有量"3重 丨…有量92%之氮化矽粉末、比表面積3 ==量/79心氮彳_末、wa% 2料末、氮㈣粉末、在氨中對於金制進行氮化 而&成之氮化銪粉末。 為了:藉由組成式:£一魏 - ΓΓ (在表1,顯示設計組成之參數,在表2,顯 :原料粉末之混合組成。),因此,分別秤量氮切粉末、 末、氧化㈣末、氮化㈣末和氮化銪粉末為 里=、1.592重量%、3.96重量%、44 84重量%和 .5=量% ’藉由瑪竭研样和研蛛而進行3〇分鐘之混合。 將得到之混合物,通過5〇〇"m之筛,自然地落下至口氣 化硼衣之坩堝’在坩堝填充粉末。粉體之堆積密度係大約 24/此夕卜’叙末之秤量、混合和成形之各個步驟係全部 在可以保持於7jC分1卿以下、氧i卿以下之氮氣環境之 手套工作箱中,進行操作。 將該混合粉末放入至氮化删製之掛禍而安裝於石墨電 阻加熱方式之電氣爐。燒成之操作係首先藉由擴散幫浦而 使付燒成環境成為真空,以每小時5〇〇β(:之速度,由室溫 開始,熱至80(rc.為止,在8〇(rc,導入純度99 99g體積 %之氮,使得壓力成為〇 5MPa,以每小時5〇〇。〇而升溫至 312XP/發明說明書(補件)/95_〇1/94132786 26 1373507 17〇(Γ(:為止,在170『C保持2小時而進行。 在: 堯成後,在對於該得到之燒成體來進行 用氮化錢結體製之_和科,藉由手㈣ = 過·量減分料,平均㈣
接著’使用瑪蹈研绰而粉碎合成之化合物,進行 Cu之Κα射線之粉末X射線繞射測量。結果,將得到之圖 表顯示在圖1,將比較用之Sr2ShN8(合成於比較例2)之圖 表顯示在圖2。由X射線繞射而確認:合成之無機化合物 係相同於SnSLN8之同樣結晶構造,僅改變格子常數,為 Sr2Si5N8之固溶體。此外,並無檢測到&2仏儿结 晶以外之相。 確認:在該粉末,藉由發出波長36511111之光之燈而進行 照射,結果,發光於紅色。使用螢光分光光度計而測量該 粉末之發光光譜及激發光譜(圖3),結果,得知:激發及 _發光光譜之波峰波長係在418nm具有激發光譜之波峰,在 藉由418nm之.激發所造成之發光光譜,成為在617nm之紅 色光具有波峰之螢光體。波峰之發光強度係〇· 9475次 (count)。此外’計次值係由於測量裝置或條件而發生變 化,因此,單位係任意單位。 在本發明,顯示:進行規格化而使得市面販賣之YAG : • Ce 螢光體(Kasei Optonix 公司製、P46Y3)之 450nm 之 .568nm之發光強度成為1。 此外’由藉著418nm之激發所造成之發光光譜來求出之 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 27 1373507 CIE 色度係 χ=〇.5776、y=0.3616 之紅色。 在濕度80%、溫度8(TC之條件而曝露該螢光體1〇〇小 ' 時之際,幾乎看不到亮度之降低。 比較例2 : 使用相同於實施例1之起始原料粉末,為了得到藉由組 成式.Ell。·。。丨Sr〇.1 323Si 0.3333^0.5333所示之並無包含A!及氧 化合物(SnShN8 : Eu)(在表1,顯示設計組成之參數,在 _表2,顯示原料粉末之混合組成。),因此,分別秤量氮 化矽粉末、氮化勰粉末和氮化銪粉末為54. 5重量%、 44.89重量%和〇·58重量%,藉由瑪瑙研杵和研缽而進 行30分鐘之混合。以後,藉由相同於實施例丨之步驟而 合成螢光體。 接著,使用瑪瑙研缽而粉碎合成之化合物,進行使用 Cu之Κ α射線之粉末X射線繞射測量,結果係如圖2所 示’檢測到Sr2Si5N8之單相。 • 確認:在該粉末,藉由發出波長365nm之光之燈而進行 照射,結果’發光於紅色。使用螢光分光光度計而測量該 f末之發光光譜及激發光譜,結果’得知:激發及發光光 譜之波峰波長係在427nm具有激發光譜之波峰,在藉由 427nm之激發所造成之發光光譜,為在612nm之紅色a光具 有波峰之螢光體。波峰之發光強度係1〇932次。此外, 由藉著427nm之激發所造成之發光光譜來求出之CIE色度 •係 x=〇.5413、y= 0.3275 之紅色。 又 在濕度80%、溫度8(TC之條件而曝露該螢光體1〇〇小 312Xp/發明說明書(補件)/95-01/94132786 28 1373507 ^之際’亮度係降低至7〇%。 但化學之穩定性不 該螢光體係發光強度高於實施 佳。 比較例3 : 使用相同於實施例丨之起始原 成式·Ρ" c Λ , 寸货禾為了件到藉由組 广'.Ε一Sr〇,Ah.1 333S_ ,顯示設計組成之參數,在表 表 έ ώ顯不原枓粉末之混合
^成。),因此’分別祥量氮化石夕粉末、氮化銘粉末、氧 匕叙粉末、氮⑽粉末和氮化銪粉末為3U重量%、 :如重量%、15.79重量%,7重量%和〇 f ’精由瑪硝研杵和研绰而進行30分鐘之混合。以後, 藉由相同於實施例1之步驟而合成螢光體。 接著,使用瑪蹈研蛛而粉碎合成之化合物,進行使用 CU之Κα射線之粉末X射線繞射測量,結果,除了 AAihAIxOxU#晶以外,檢測到其他未知相。 確認:在該粉末,藉由發出波長365nm之光之燈而進行 照射,結果’發光於紅色。使用發光分光光度計而測量該 粉末之發光光譜及激發光譜,結果,彳寻知:激發及發光光 譜之波峰波長係在412mn具有激發光譜之波峰,在藉由 412nm之激發所造成之發光光譜,為在624⑽之紅色光具 有波峰之螢光體。波峰之發光強度係〇 6635次。此外, 由藉著412nm之激發所造成之發光光譜來求出之cie 係 x= 0.5969、y= 0.3967 之紅色。 又 在濕度80%、溫度80°C之條件而曝露該螢光體1〇〇 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 29 1373507 纣之際,並無看到亮度之降低。 但發光強度之降低 該螢光體係具有良好之化學穩定性, 明顯》 實施例4〜1 〇 : 旦二料粉末係使用··平均粒徑0.5㈣、氧含有量〇 93重 里“型含有量92%之氮化石夕粉末、比表面積⑽ 二乳S有量0.79%之氮化紹粉末、比表面積i36m2々 乳化㈣末、氮域粉末、氮化料末、氮㈣粉末、 =鋇粉末、錢中料金制進行氮⑸合成之氮化鋪 為了得到由表1所示設計組成之參數所構成之組成,因 此’按照表2所示之混合組成而秤量粉末,藉由相同於實 施例1之步驟而合成無機化合物。 、 接著,使用瑪瑙研缽而粉碎合成之化合物。使用螢光分 光光度計而測量該粉末之發光光譜及激發光譜,結果為二 3所示之激發發光特性。 & 其中’實施例5所示之無機化合物 (CaSrSi^Al^OuN7·5 : Eu)係除了發光強度高且化學穩定 陡良好以外,發光波長為637nm且適合作為照明或影像顯 示褒置用之螢光體之理想值,在實m良好之組成’、。 在藉由X射線繞射而測量該無機化合物時,確認:成為具 有相同於Srd i 5Ns之結晶構造之固溶體。 ‘ 在以下,將實施例及比較例之結果,整理於表i〜表3。 表1係顯示各個例子1〜1 〇之設計組成之參數。 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 30 1373507 表2係顯示各個例子1〜10之原料粉末之混合組成。 表3係顯示各個例子1〜10之激發及發光光譜之波峰波 長和波峰強度。
31 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 1373507 (表1) 參數 組成式 X y Eu Mg Ca Sr Ba Si A1 0 N 實施例1 0.5 0.001 0.001 0 0 0.1323 0 0.3 0. 0333 0. 0333 0.5 比較例2 0 0.001 0.001 0 0 0.1323 0 0.3333 0 0 0.5333 比較例3 2 0.001 0.001 0 0 0.1323 0 0.2 0.1333 0.1333 0.4 實施例4 0.5 0.001 0.001 0 0.1323 0 0 0.3 0. 0333 0. 0333 0.5 實施例5 0.5 0.001 0.001 0 0. 0662 0.0662 0 0.3 0. 0333 0. 0333 0.5 實施例6 0.5 0.001 0.001 0 0 0 0.1331 0. 2994 0. 0333 0. 0333 0.5 實施例7 0.1 0.001 0.001 0 0 0.1331 0 0.326 0.0067 0.0067 0.5266 實施例8 0.2 0.001 0.001 0 0 0.1331 0 0.3194 0.0133 0.0133 0. 52 實施例9 0.3 0.001 0.001 0 0 0.1331 0 0.3127 0. 02 0. 02 0.5133 實施例10 0.7 0.001 0.001 0 0 0.1331 0 0. 2861 0. 0466 0.0466 0.4867 【表2】 混合組成(質量%) Si3N4 A1N Al2〇3 Mg3N2 &3N2 Sr3N2 B』2 EuN 實施例1 49 1.592 3.96 0 0 44.84 0 0.58 比較例2 54.5 0 0 0 0 44.89 0 0.58 比較例3 32.6 6.347 15. 79 0 0 44.7 0 0.58 實施例4 62.8 2,04 5.08 0 29.3 0 0 0.75 實施例5 55.1 1.788 4.45 0 12.84 25.19 0 0.65 實施例6 39.7 1.289 3.21 0 0 0 55.34 0.47 實施例7 53.2 0.318 0. 79 0 0 45.07 0 0. 58 實施例8 52.1 0.635 1.58 0 0 45.06 0 0.58 實施例9 51.1 0.952 2.37 0 0 45. 05 0 0.58 實施例10 46.67 2.22 5.52 0 0 45.01 0 0.58 32 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 1373507 (表Φ
激發光譜 發光光譜 最大激發波長 強度 最大發光波長 強度 (nm) (任意強度) (nm) (任意強度) 實施例1 418 0.9205 617 0. 9475 比較例2 427 1.1237 612 1.0932 比較例3 412 0. 6794 624 0. 6635 實施例4 373 0.7179 597 0.7013 實施例5 419 0. 9853 637 0.9596 實施例6 290 0. 9046 585 0. 905 實施例7 263 1.4604 618 1.5071 實施例8 248 1.1777 620 1.1117 實施例9 248 1.0108 618 0.991 實施例10 248 1.0255 624 1.0128 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-01/94132786 33 1373507 •接者’就使用由本發明之氮化物所構成之螢光體之昭明 器具而進行說明。 、月 實施例11: 作為使用於照明器具之綠色螢光體係藉由以下順序而 合成具有以下組成之螢光體(方赛龍:Eu)。 百先,為了得到藉由組成式:Eu。mn Si。4丨395 AluuwOu。444^·56528所示之化合物,因此,分別混合氮化 _矽粉末和氮化鋁粉末及氧化銪粉末94 77重量%、"2 Μ 重量%和2.556重量%,放入至氮化硼製坩堝,在iMpa 之氮氣中,在1 900°C,進行8小時之燒成。 得到之粉末係在卜赛龍來固溶Eu之無機化合物,如 圖4之激發發光光譜所示,為綠色螢光體。 製作圖5所示之所謂砲彈型白色發光二極體燈(1)。具 有2條導線(2、3),其中,在Hi^(2)具有凹部,載置^ 色發光二極體元件(4)。藍色發光二極體元件(4)之下部電 ⑩極和凹部之底面係藉由導電性糊膏而呈電性連接,上部電 極和另外1條導線(3)係藉由金細線(5)而呈電性連接。 螢光體係混合第1螢光體和第2螢光體。第1螢光體係 在本實施例所合成之沒-赛龍:Eu。第2螢光體係在實施 例1所合成之螢光體。混合第1螢光體和第2螢光體者 係分散於樹脂,安裝於發光二極體元件(4)附近。分散該 -螢光體之第1樹脂(6)係為透明而被覆藍色發光二極體元 •件(4)之整體。包含凹部之導線前端部、藍色發光二極體 元件、以及分散螢光體之第1樹脂係藉由透.明之第2樹脂 312XP/發明說明書(補件)/95-01/94132786 34 1373507 •裝置,使用38〇ηίη之紫外線]led來作為發光元件,將本發 .明之實施例1之螢光體和藍色螢光體(BaMgAIi()〇i7 : Eu)及 綠色螢光體(BaMgAlwOn : Eu、Μη)分散於樹脂層而成為覆 蓋於紫外線LED上之構造。 在導電性端子上流動電流時,該LED係發出380nm之 光,藉由該光而激發紅色螢光體及綠色螢光體和藍色螢光 體,發出紅色及綠色和藍色光。確認:發揮作為混合這些 鲁光而發出白色光之照明裝置之功能。 接著,就使用本發明之螢光體之影像顯示裝置之設計例 而進行說明。 實施例15 : 圖8係作為影像顯示裝置之電漿顯示面板之原理之概 略圖。本發明之實施例1之紅色螢光體及綠色螢光體 (ZmSiO4 : Μη)和藍色螢光體(BaMgAlHOw : Eu)係塗佈於各 個電池3 4、3 5、3 6之内面。明顯地顯示:在通電於電極 _ 37、38、39、40時’在電池中,藉由xe放電而產生真空 紫外線’藉此而激發螢光體,發出紅、綠、藍之可見光, 該光係透過保護層43、介電質層42和玻璃基板45而可 由外側觀察,發揮作為影像顯示之功能。 (產業上之可利用性) • 本發明之氮化物螢光體係比起習知之賽龍或氧氮化物 榮光體’顯示更高波長之發光,作為紅色之螢光體優異, 且在曝露於激發源之狀態下之螢光體之亮度降低偏少,因 此’成為適當地使用於VFD、FED、PDP、CRT、白色LED 312XP/發明說明書(補件)/95-0〗/94132786 38 1373507 等之氮化物螢光體。今後,可以期待在各種顯示裝置之材 料设計方面,可大大活用而有助於產業之發展。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示螢光體(實施例1)之X射線繞射圖表之圖。 圖2係顯示螢光體(比較例2)之X射線繞射圖表之圖。 圖3係顯示螢光體(實施例1;)之發光及激發光譜之圖。 圖4係顯示β _赛龍:eu綠色螢光體之發光及激發光譜 之圖。 圖5係本發明之照明器具(LED照明器具)之概略圖。 圖6係顯示照明器具之發光光譜之圖。 圖7係本發明之照明器具(LED照明器具)之概略圖。 圖8係本發明之影像顯示裝置(電漿顯示面板)之概略 圖。 【主要元件符號說明】 1 砲彈型發光二極體燈 2 ' 3 導線 4 發光二極體元件 5 結合線 6 ' 8 樹脂 7 螢光體 11 基板安裝用晶片型白色發光二極體燈 12、13 導線 14 發光二極體元件 15 結合線 312XP/發明說明書(補件)/95·01/94132786 39 1373507 16、 18 樹脂 17 螢光體 19 氧化鋁陶瓷基板 20 側面構件 31 紅色螢光體 32 綠色螢光體 33 藍色螢光體 34、 35、 36 紫外線發光單元 37、 38、 39、40 電極 41、 42 介電質層 43 保護層 44、 45 玻璃基板 312XP/發明說明書(補件)/95-01 /94132786

Claims (1)

1· 一種螢光體,其特徵為:以在藉& A2Si5-xAlx〇xix(其 中,A係由Mg、Ca、Sr或Ba所選出之1種或2種以上元 索之混合’ X係〇. 〇5以上、〇. 8以下之值)所示之纟士曰 、σ Θ 曰 _ I 固溶金屬兀素Μ(其中,Μ係Eu)所構成之無機化合物作為 炙成分。 2·如申請專利範圍第丨項之螢光體,其中,又係〇〇5 以上、0. 5以下之值。 3·如申請專利範圍第1項之螢光體,其中,上述無機化 合物係由以AhSis—xAlUx : My所示之固溶體結晶而構 成’ y係0.00lSyS0.5範圍之值。 4. 如申请專利範圍第1項之螢光體,其中,上述金屬元 素Μ係Eu ’上述金屬元素a係Sr或Ca。 5. 如申請專利範圍第1項之螢光體,其中,上述無機化 合物係由以SraCabSi5-xAlx〇xN8-x : Euy所示之固溶體結晶而 構成,〇· 001 SyS 〇. 5, a、b 值係 a+b = 2-y、〇· 2$ a/(a+b) S1. 8範圍之值。 6. 如申請專利範圍第丨項之螢光體,其中,上述無機化 合物係平均粒徑0. 1 " m以上、20 " m以下之粉體。 7·如申請專利範圍第1項之螢光體,其中’除了上述無 機化合物之外,進一步包含其他結晶相或祚晶質相,上述 無機化合物之含有量係1〇質量%以上。 8·如申請專利範圍第7項之螢光體,其中,上述無機化 合物之含有量係50質量%以上。 94132786 41 曰:目tt請專利範圍第7項之榮光體,其中,上述其他结 曰“或非晶質相係具有導電性之無機物質。 物1範圍第9項之螢光體’其中,上述無機 元^^ Zn、Ga、Ιη、如所選出之1種或2種以上 ”之氧化物、氧氮化物或氮化物、或該等之混合物。 u.如申請專利範圍第1項之螢光體,其中,/由將且 ^…鳥以下之波長之紫外線或可:; 疋:子束之激發源予以照射,而發出57011]11以 以下之波長m或紅色光。 …12.如申請專利範圍第11項之螢光體,其中,在照射上 述激發源時發光之顏色係CIE色度座標上之(x,y)值滿足 〇·4$χ$0.7 之條件。 ^種照明器具’係由發光光源和螢光體所構成者, 其特徵為·上述螢光體係包含申請專利範圍第1項之螢光 體0 14. 如申請專利範圍第13項之照明器具,其中,該發光 光源係發出波長330〜50〇nm之光之LED。 15. 如申請專利範圍第13項之照明器具,其中,該發光 光源係發出波長330〜420nra之光之LED ;上述螢光體係 進乂包含利用上述光而在420nm以上且500nm以下之波 長具有發光波峰之藍色螢光體以及利用上述光而在500nm 以上且570nm以下之波長具有發光波峰之綠色螢光體。 16. 如申請專利範圍第13項之照明器具,其中,該發光 光源係發出波長420〜5OOnm之光之LED ;上述螢光體係 94132786 42 1373507 進一步包含利用上述光而在500nm以上且570nm以下之波 長具有發光波峰之綠色螢光體。 17.如申請專利範圍第i 3項之照明器具,其中,該發光 光源係發出波長420〜500nm之光之LED ;上述螢光體係 進一步包含利用上述光而在55〇nm以上且6〇〇nmw下之波 長具有發光波峰之黃色螢光體。 1«. 94132786 43
TW094132786A 2004-09-22 2005-09-22 Phosphor, method for producing the same, and illumination device TW200619359A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004274782A JP4674348B2 (ja) 2004-09-22 2004-09-22 蛍光体とその製造方法および発光器具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200619359A TW200619359A (en) 2006-06-16
TWI373507B true TWI373507B (zh) 2012-10-01

Family

ID=36090171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094132786A TW200619359A (en) 2004-09-22 2005-09-22 Phosphor, method for producing the same, and illumination device

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20080001126A1 (zh)
EP (1) EP1806390B1 (zh)
JP (1) JP4674348B2 (zh)
KR (1) KR101168178B1 (zh)
CN (1) CN101044223A (zh)
DE (1) DE602005026684D1 (zh)
TW (1) TW200619359A (zh)
WO (1) WO2006033417A1 (zh)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5105347B2 (ja) * 2004-09-22 2012-12-26 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP2006137902A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Shoei Chem Ind Co 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法及び白色発光素子
JP2006213910A (ja) * 2005-01-06 2006-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸窒化物蛍光体及び発光装置
JP4104013B2 (ja) * 2005-03-18 2008-06-18 株式会社フジクラ 発光デバイス及び照明装置
JP4975269B2 (ja) * 2005-04-28 2012-07-11 Dowaホールディングス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
EP2308946B1 (en) 2006-03-10 2013-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Luminescent material and light-emitting device
JP4805019B2 (ja) * 2006-05-23 2011-11-02 株式会社フジクラ 発光ダイオードの製造方法
JP4911578B2 (ja) 2006-06-06 2012-04-04 シャープ株式会社 酸窒化物蛍光体および発光装置
JP5100059B2 (ja) * 2006-08-24 2012-12-19 スタンレー電気株式会社 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光装置
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
KR20090128408A (ko) 2007-02-06 2009-12-15 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 적색 방출 발광 재료
JP2008208238A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Showa Denko Kk 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを備えた照明器具と画像表示装置
JP5463495B2 (ja) 2007-05-18 2014-04-09 三星電子株式会社 蛍光体の製造方法及び発光装置
JP2008297505A (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 電子線励起用白色蛍光体および白色発光素子乃至装置
JP2009019163A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sharp Corp 発光装置用蛍光体粒子集合体、発光装置、および液晶表示用バックライト装置
WO2009031089A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-12 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Light emitting device comprising a composite sialon-based ceramic material
JP5539211B2 (ja) * 2007-10-15 2014-07-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 多相SiAlONに基づくセラミック材料を有する発光装置
JP2010177620A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Showa Denko Kk 発光装置の製造方法
WO2010098141A1 (ja) 2009-02-26 2010-09-02 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置
CN101717641B (zh) * 2009-12-01 2012-09-26 上海科炎光电技术有限公司 一种高灵敏变色上转换发光材料制备
JP2011225696A (ja) 2010-04-19 2011-11-10 Sharp Corp 赤色系発光蛍光体、その製造方法および赤色系発光蛍光体を用いた発光装置
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
US9023241B2 (en) 2010-08-19 2015-05-05 Ube Industries, Ltd Silicon nitride powder for siliconnitride phosphor, Sr3Al3Si13O2N21 phosphor and β-sialon phosphor both obtained using same, and processes for producing these
KR101215342B1 (ko) * 2010-09-20 2012-12-26 삼성전자주식회사 사이알론 형광체, 그 제조방법 및 이를 이용한 발광소자 패키지
KR101214236B1 (ko) 2010-09-20 2012-12-20 삼성전자주식회사 형광체 및 이의 제조방법
WO2012043475A1 (ja) 2010-09-27 2012-04-05 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 光陰極高周波電子銃空洞装置
KR101810234B1 (ko) 2010-12-01 2017-12-18 코닌클리케 필립스 엔.브이. 적색 방출 발광 물질
KR101214234B1 (ko) * 2011-02-14 2012-12-20 삼성전자주식회사 형광체 및 이의 제조방법
CN103443243B (zh) * 2011-03-17 2015-09-09 株式会社东芝 荧光体和发光装置
JP5866870B2 (ja) * 2011-08-26 2016-02-24 三菱化学株式会社 発光装置
KR101331410B1 (ko) * 2011-10-31 2013-11-21 한국기계연구원 산화물 조제 첨가 베타 사이알론 형광체 및 그 제조 방법
CN102399552B (zh) * 2011-11-08 2014-07-30 杭州广陵科技开发有限公司 一种用于白光led的氮化物红色荧光粉及其制备方法
JP6061332B2 (ja) * 2011-11-15 2017-01-18 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
EP2797838A4 (en) 2011-12-30 2015-07-01 Intematix Corp LUMINESCENT NITRIDE COMPOUNDS COMPRISING INTERSTITIAL CATIONS FOR ION BALANCE SHEET
US8663502B2 (en) 2011-12-30 2014-03-04 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based phosphors
JP2015083618A (ja) * 2012-02-09 2015-04-30 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
JP2015083617A (ja) * 2012-02-09 2015-04-30 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
CN102732250B (zh) * 2012-06-27 2014-02-26 华南理工大学 一种红色荧光粉及其制备方法
JP6169829B2 (ja) * 2012-07-09 2017-07-26 交和電気産業株式会社 照明装置
US8597545B1 (en) 2012-07-18 2013-12-03 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors
TW201404867A (zh) * 2012-07-20 2014-02-01 Formosa Epitaxy Inc 一種氮氧化物螢光粉之組成物及其製造方法
KR101704942B1 (ko) * 2012-07-25 2017-02-08 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 형광체, 그 제조 방법, 발광 장치 및 화상 표시 장치
TWI516572B (zh) 2012-12-13 2016-01-11 財團法人工業技術研究院 螢光材料、及包含其之發光裝置
CN103998571B (zh) * 2012-12-14 2016-03-23 电化株式会社 荧光体、其制备方法及发光装置
WO2014094974A1 (de) * 2012-12-21 2014-06-26 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffe
WO2014094975A1 (de) * 2012-12-21 2014-06-26 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffe
JP2014216445A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 株式会社小糸製作所 発光装置
WO2014185415A1 (ja) * 2013-05-14 2014-11-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
DE102013105307A1 (de) * 2013-05-23 2014-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials, pulverförmiges Precursormaterial und seine Verwendung
KR101496559B1 (ko) 2013-07-31 2015-02-27 주식회사 효성 향상된 결정 구조의 나이트라이드 형광체, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 백색 발광 소자
JP6240962B2 (ja) * 2013-09-25 2017-12-06 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置
KR102219263B1 (ko) * 2014-02-28 2021-02-24 대주전자재료 주식회사 산질화물계 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
KR102544954B1 (ko) * 2014-12-24 2023-06-20 루미리즈 홀딩 비.브이. 인광체 변환 led
JP6008017B2 (ja) * 2015-06-12 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
CN105778914B (zh) * 2016-04-13 2017-10-03 福建江夏学院 一种Eu3+/Mg2+:CeAlON荧光材料及其制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8400660A (nl) * 1984-03-01 1985-10-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
JP3668770B2 (ja) * 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
US7671529B2 (en) * 2004-12-10 2010-03-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor converted light emitting device
JP2006213910A (ja) * 2005-01-06 2006-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸窒化物蛍光体及び発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101044223A (zh) 2007-09-26
US20080001126A1 (en) 2008-01-03
WO2006033417A1 (ja) 2006-03-30
KR101168178B1 (ko) 2012-07-24
EP1806390A1 (en) 2007-07-11
JP4674348B2 (ja) 2011-04-20
KR20070053323A (ko) 2007-05-23
TW200619359A (en) 2006-06-16
EP1806390B1 (en) 2011-03-02
JP2006089547A (ja) 2006-04-06
EP1806390A4 (en) 2010-04-21
DE602005026684D1 (de) 2011-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI373507B (zh)
TWI555825B (zh) 螢光體及其用途
US9711686B2 (en) Lighting device with plural fluorescent materials
TWI375710B (zh)
JP4565141B2 (ja) 蛍光体と発光器具
TWI399422B (zh) 螢光體、其製造方法及照明器具
TWI351426B (en) Phosphor, method for production thereof, and light
TWI357927B (en) Fluorescent substance and manufacturing method the
TWI384053B (zh) 螢光體、其製造方法及照明器具
TWI391472B (zh) 螢光體及其製法與使用它之發光裝置
JP5586499B2 (ja) 蛍光体の製造方法
TWI304438B (en) Nitrogen oxide based fluorescent body and process for preparing the same
JP2010043242A (ja) β−サイアロン蛍光体の製造方法。
WO2006101096A1 (ja) 蛍光体とその製造方法および発光器具
EP2541630B1 (en) Light-emitting device
TW200804567A (en) White color fluorescent substance and white color light emitting element, and device
TWI458806B (zh) β型矽鋁氮氧化物之製造方法、β型矽鋁氮氧化物及發光裝置
JP2013142134A (ja) 蛍光体及び発光装置
JP2012057071A (ja) β型サイアロンの製造方法
JP2016060891A (ja) 蛍光体、蛍光体の製造方法、およびそれを用いた発光装置
JP2008266385A (ja) 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置