KR20090128408A - 적색 방출 발광 재료 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 식 M1-yA1+xSi4-xN7-x-2yOx+2y:RE를 가지며, M은 Ba, Sr, Ca, Mg 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택되고, A는 Al, Ga, B 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택되고, RE는 희토류 금속들 Y, La, Sc 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택되고, x는 ≥0 및 ≤1이고, y는 ≥0 및 ≤0.2인 향상된 적색 발광 재료에 관한 것이다. 이 재료는 희토류 금속 포함을 위한 2개의 개별 격자 사이트를 포함하는 새로운 구조 타입으로 결정화되는 것으로 생각된다.
발광 장치, LED, 발광 재료, 인광체, 희토류 금속, 적색 발광
Description
본 발명은 발광 장치용의 새로운 발광 재료에 관한 것으로서, 특히 LED용의 새로운 발광 재료 및 이들의 발광 장치 내의 사용에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 그러한 재료를 포함하는 발광 장치 및 발광 장치들을 포함하는 시스템에 관한 것이다.
규산염, 인산염(예를 들어, 인회석) 및 알루민산염을 호스트 재료로 포함하고, 전이 금속들 또는 희토류 금속들이 호스트 재료에 활성화 재료로서 추가된 인광체(phosphor)들이 널리 알려져 있다. 청색 LED들이 특히 최근에 실용화됨에 따라, 그러한 청색 LED들을 그러한 인광체 재료들과 함께 이용하는 백색 광원들의 개발이 강력히 추진되고 있다.
특히, 적색 방출 발광 재료들에 관심이 집중되어 왔으며, 예를 들어 "Red Deficiency Compensating Phosphor for a Light Emitting Device"라는 제목의 미국 특허 제6,680,569(B2)호 또는 WO 특허 출원 2005/052087 A1으로부터 여러 재료가 제안되었다.
그러나, 넓은 범위의 응용들에서 사용 가능하고, 특히 최적화된 발광 효율 및 칼라 렌더링을 갖는 인광체 변환(pc) 온백색(warm white) pcLED들의 제조를 허 가하는 적색 방출 발광 재료들에 대한 계속적인 필요가 여전히 존재한다.
<발명의 요약>
본 발명의 목적은 넓은 범위의 응용들에서 사용 가능하고, 특히 최적화된 발광 효율 및 칼라 렌더링을 갖는 인광체 온백색 pcLED들의 제조를 허가하는 재료를 제공하는 데 있다.
이러한 목적은 본 발명의 청구항 1에 따른 재료에 의해 해결된다. 따라서, 재료 M1 - yA1 + xSi4 - xN7 -x-2 yOx +2y:RE가 제공되며, 여기서
M은 Ba, Sr, Ca, Mg 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택되고,
A는 Al, Ga, B 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택되고,
RE는 희토류 금속들 Y, La, Sc 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택되고,
x는 ≥0 및 ≤1이고, y는 ≥0 및 ≤0.2이다.
특히 및/또는 추가로, 용어 "M1 - yA1 + xSi4 - xN7 -x-2 yOx +2y:RE"에 의해, 이러한 조성을 필수적으로 갖는 임의 재료가 의도되거나 포함된다는 점에 유의해야 한다.
용어 "필수적으로"는 특히 ≥95%, 바람직하게는 ≥97%, 가장 바람직하게는 ≥99% wt-%를 의미한다. 그러나, 일부 응용들에서는, 벌크 조성들 내에 미량의 첨가제들이 존재할 수도 있다. 이러한 첨가제들은 특히 이 분야에 플럭스로서 알려진 종들을 포함한다. 적절한 플럭스들은 알칼리 토금속 또는 알칼리 금속 산화물 들, 붕산염, 인산염 및 플루오르화물, 암모늄 염화물과 같은 할로겐 화합물, SiO2 등 및 이들의 혼합물들을 포함한다.
그러한 재료는 본 발명 내의 넓은 범위의 응용들에 대해 다음과 같은 이익들 중 적어도 하나를 갖는 것으로 나타났다.
- 본 재료를 발광 재료로 사용하는 경우, 향상된 조명 특징들, 특히 열적 안정성을 나타내는 LED들이 제조될 수 있다.
- 본 재료는 호스트 격자의 매우 압축된 특성으로 인해 넓은 범위의 응용들에 대해 뛰어난 높은 화학적 안정성을 나타낸다.
- 본 재료는 넓은 범위 응용들에 대해 독이 없고 널리 이용 가능한 성분들만을 포함한다.
임의의 이론에 얽매이지 않고, 본 발명자들은 본 발명의 재료의 향상된 특성들이 재료의 구조로부터 적어도 부분적으로 발생하는 것으로 생각한다.
본 발명의 재료는 특히, 코너 및 에지 공유를 통해 링크되는 3차원 연결된 SiN4 및 AlN4 사면체들을 포함하는 사방정계 구조를 필수적으로 갖는 것으로 생각된다. AlN4는 코너-연결 SiN4 사면체들을 통해 크로스-링크되는 결정학적 c 방향을 따라 이어지는 트랜스-에지-연결된 사면체 체인들을 구축하였다. 이것은 M 양이온들이 넣어지는 c 방향을 따르는 채널들이 된다.
본 발명의 재료 내의 넓은 범위의 구조들에 대해, 배위 N 리간드들의 크기 및 수가 상당히 다른 2개의 결정학적으로 다른 "M" 사이트들(이들은 본 명세서에서 M(1) 및 M(2)라고 한다)이 존재하는 것으로 보인다. 적색 방출은 특히 보다 작은 M(1) 사이트 상에 포함된 RE의 여기 후에 발생하는 것으로 생각된다. M(2) 사이트 상의 RE로부터 발생하는 보다 짧은 파장의 RE 방출은 M(1) 사이트 상의 RE에 의해 재흡수될 수 있으며, 이어서 M(1) 사이트 상의 RE는 Eu(II)를 포함하는 경우에 예를 들어 많은 구조에 대해 적색 스펙트럼 영역의 방출을 향상시킨다.
Ce(III)를 포함하는 RE에 대해, 많은 구조에서 방출은 황색-녹색 스펙트럼 영역이지만, 하나의 호스트 구조에서 다른 호스트 구조로의 방출 변화들은 일반적으로 RE가 Eu(II)를 포함하는 경우의 변화와 유사한 것으로 밝혀졌다. RE가 Pr(III)을 포함하는 경우, 녹색 및 적색 방출들이 자주 발견되고, RE가 Tb(III)를 포함하는 경우, 방출들은 일반적으로 녹색이며, RE가 Sm(III)을 포함하는 경우에는 적색 방출이 발생한다. 2개의 후자 요소에 대해, 공지된 종래 기술에 따르면, 방출 라인들은 대다수의 구조들에 대해 호스트 구조와 무관한데, 이는 이러한 2개의 후자 요소들이 라인 방출기들이기 때문이다.
또한, 보다 작은 M(1) 사이트 상에 포함된 RE에 의해 흡수된 여기 에너지는 에너지 전달 프로세스를 통해 M(1) 사이트 상의 RE로 전달될 수 있다.
M(2) 사이트가 크고(더 크고), 높은 배위수를 나타내므로, 존재할 경우, 보다 큰 M 원자들(Ba 등)이 우선적으로 M(2) 사이트 상에 넣어진다. Ba와 같은 M 원자들의 포함은 본 발명의 재료 내의 다양한 예들에 대해 보다 짧은 파장으로의 방출 변화 및 방출 대역의 축소로 이어지는 것으로 나타났다.
M(1) 사이트는 M(2) 사이트보다 작고, 낮은 배위수를 나타내므로, 보다 작은 M 원자들(Ca 등)이 우선적으로 M(1) 사이트 상에 넣어진다. Ca와 같은 M 원자들의 포함은 본 발명의 재료 내의 다양한 예에 대해 보다 긴 파장으로의 방출 변화 및 방출 대역의 확대로 이어지는 것으로 나타났다.
그 결과, 놀랍게도, 스펙트럼은 격자 내의 Ba/Sr/Ca 비율을 조정함으로써 튜닝될 수 있다.
또한, 본 발명의 재료 내의 다양한 예들에 대해, 트랜스-에지-연결된 사면체 체인들에 위치하는 Al 원자들의 Ga 원자들에 의한 부분적 또는 완전한 대체는 격자의 확장, 격자 포논 주파수의 감소, 및 따라서 보다 작은 방출 대역으로 이어지는 것으로 밝혀졌다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, RE는 Ce, Eu 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택된다. 이와 관련하여, (존재할 경우) Eu는 2가이고, 그리고/또는 (존재할 경우) Ce는 3가인 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 유로퓸과 세륨의 (몰:몰의) 비율은 ≥1:0.5 및 ≤1:10이고, 바람직하게는 ≥1:1 및 ≤1:3이고, 더 바람직하게는 ≥1:1.5 및 ≤1:3이다. 이것은 본 발명 내의 넓은 범위의 응용들에 대해 이로운 것으로 나타났다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, RE 도핑 레벨은 ≥0.05% 및 ≤10%이다.
이것은 본 발명 내의 광범위한 응용에 대해 더욱 향상된 조명 특징들을 갖는 재료로 이어지는 것으로 나타났다. 바람직하게는, 도핑 레벨은 ≥0.2% 및 ≤3%이 고, 더 바람직하게는 ≥0.75% 및 ≤2%이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, x는 ≥0.01 및 ≤0.2이고, 바람직하게는 ≥0.05 및 ≤0.1이다. 이것은 본 발명 내의 광범위한 응용에 대해 이로운 것으로 나타났다.
임의의 이론에 얽매이지 않고, 본 발명자들은 x의 증가에 따라 소위 "플럭스 효과"도 증가하며, 이는 본 발명의 재료를 제조하는 데 필요한 반응 온도를 낮추는 것으로 생각한다.
그러나, x의 증가는 방출 대역의 반치폭을 넓히는 것으로도 생각된다. 이것은 본 발명 내의 소정의 응용에 대해, 특히 재료가 Ce(III)로 도핑되는 경우에 이로울 수 있는데, 이는 녹색에서 황갈색(amber) 스펙트럼 영역까지의 넓은 방출 대역이 백색 인광체 변환 LED들에서 칼라 변환기로서 사용되는 발광 재료에 특히 유용하기 때문이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 재료의 광 안정성은 ≥80%, 바람직하게는 ≥90%이다.
"X%의 광 안정성"이라는 용어는, 재료가 12W/cm2의 플럭스 밀도 및 260℃의 인광체 온도에서 청색 광으로 조사되는 경우에 1 시간 후에 발광의 강도가 초기 강도의 X%가 된다는 것을 의미하고 그리고/또는 포함한다.
본 발명은 본 발명의 재료의 발광 재료로서의 사용과 더 관련된다.
본 발명은 전술한 바와 같은 적어도 하나의 재료를 포함하는 발광 재료, 특 히 LED와 더 관련된다.
바람직하게는, 적어도 하나의 재료는 파우더로서 그리고/또는 세라믹 재료로서 제공된다.
적어도 하나의 재료가 적어도 부분적으로 파우더로서 제공되는 경우, 파우더는 ≥5 ㎛ 및 ≤15 ㎛의 d50을 갖는 것이 특히 바람직하다. 여기서, d50은 입자 크기를 나타내는데, 입자들 중 50%는 d50 값보다 작은(또는 큰) 크기를 갖는다. 이것은 본 발명 내의 광범위한 응용에 대해 이로운 것으로 나타났다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 재료는 적어도 하나의 세라믹 재료로서 적어도 부분적으로 제공된다.
본 발명의 관점에서 "세라믹 재료"라는 용어는 특히, 제어되는 양의 기공들을 갖거나 기공이 없는 결정 또는 다결정 컴팩트 재료 또는 복합 재료를 의미하고 그리고/또는 포함한다.
본 발명의 관점에서 "다결정 재료"라는 용어는 특히, 80% 이상의 단결정 도메인들로 구성되는 주성분의 90% 이상의 부피 밀도를 갖는 재료를 의미하고 그리고/또는 포함하는데, 각각의 도메인은 직경이 0.5 ㎛ 이상이고, 상이한 결정학적 배향을 갖는다. 단결정 도메인들은 비결정 또는 유리 재료에 의해 또는 추가 결정 성분들에 의해 연결될 수 있다.
바람직한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 세라믹 재료는 이론 밀도의 ≥90% 및 ≤100%의 밀도를 갖는다. 이것은 본 발명 내의 광범위한 응용에 대해 이로운 것으로 나타났는데, 이는 적어도 하나의 세라믹 재료의 발광 및 광학 특성들이 향상될 수 있기 때문이다.
보다 바람직하게는, 적어도 하나의 세라믹 재료는 이론 밀도의 ≥97% 및 ≤100%, 더 바람직하게는, ≥98% 및 ≤100%, 더 바람직하게는 ≥98.5% 및 ≤100%, 가장 바람직하게는 ≥99.0% 및 ≤100%의 밀도를 갖는다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 세라믹 재료의 표면(들)의 표면 거칠기(RMS)(최고 및 최저 표면 피처(feature)들 사이의 차이의 기하 평균으로서 측정된 표면의 평탄도의 변동)는 ≥0.001 ㎛ 및 ≤5 ㎛이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 세라믹 재료의 표면(들)의 표면 거칠기는 ≥0.005 ㎛ 및 ≤0.8 ㎛이고, 본 발명의 일 실시예에 따르면 ≥0.01 ㎛ 및 ≤0.5 ㎛이고, 본 발명의 일 실시예에 따르면 ≥0.02 ㎛ 및 ≤0.2 ㎛이고, 본 발명의 일 실시예에 따르면 ≥0.03 ㎛ 및 ≤0.15 ㎛이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 세라믹 재료의 특정 표면적은 ≥10-7 m2/g 및 ≤0.1 m2/g이다.
본 발명에 따른 재료 및/또는 발광 장치는 다음 중 하나 이상을 포함하는 다양한 시스템들 및/또는 응용들에서 사용될 수 있다.
- 사무실 조명 시스템들,
- 가정 응용 시스템들,
- 상점 조명 시스템들,
- 가정 조명 시스템들,
- 액센트 조명 시스템들,
- 스폿 조명 시스템들,
- 극장 조명 시스템들,
- 광섬유 응용 시스템들,
- 프로젝션 시스템들,
- 자기 조명 디스플레이 시스템들,
- 픽셀화된 디스플레이 시스템들,
- 세그먼트화된 디스플레이 시스템들,
- 경고 표시 시스템들,
- 의료 조명 응용 시스템들,
- 지시자 표시 시스템들,
- 장식 조명 시스템들,
- 휴대용 시스템들,
- 자동차 응용들,
- 그린 하우스 조명 시스템들.
전술한 성분들은 물론, 청구되는 성분들 및 설명되는 실시예들에서 본 발명에 따라 사용될 성분들은 그 크기, 형상, 재료 선택 및 기술적 개념에 관하여 어떠한 특별 예외도 적용되지 않으며, 따라서 관련 분야에 공지된 선택 기준들이 제한 없이 적용될 수 있다.
본 발명의 목적의 추가 상세, 특징, 특성 및 이익은 종속 청구항들, 도면들, 및 각각의 도면들 및 예들에 대한 아래의 설명에 개시되는데, 이들은 본 발명에 따른 발광 장치에서 사용하기 위한 적어도 하나의 세라믹 재료의 여러 실시예들 및 예들은 물론, 본 발명에 따른 발광 장치의 여러 실시예들 및 예들을 예시적인 방식으로 보여준다.
도 1은 본 발명의 제1 예에 따른 호스트 재료의 구조의 개략적인 부분 사시도.
도 2는 도 1의 구조의 추가 사시도.
도 3은 본 발명의 제1 예에 따른 호스트 재료의 구조 내의 M(1) 사이트의 개략도.
도 4는 본 발명의 제1 예에 따른 호스트 재료의 구조 내의 M(2) 사이트의 개략도.
도 5는 본 발명의 제2 예에 따른 재료의 측정(위) 및 계산된(아래) XRD 패턴의 다이어그램.
도 6은 본 발명의 제2 예에 따른 재료의 방출 스펙트럼(450 nm 여기)을 나타내는 도면.
본 발명은 본 발명의 여러 재료를 단지 예시적인 방식으로 보여주는 아래의 예 I 및 II에 의해 더 이해될 것이다.
예 I
도 1 내지 4는 다음에 따라 제조된 SrAlSi4N7:Eu(2%)를 참조한다.
SrAlSi4N7:Eu(2%)는 Sr 금속 파우더(0.49 몰, 42.9 g), Eu 금속 파우더(0.01 몰, 1.52 g), Si3N4(입자 크기 <500 nm, 0.67 몰, 93.5 g) 및 AlN(1.0 몰, 41.0 g)을 혼합하여 준비되었다. 결과물은 아래의 가열 프로파일에 따라 텅스텐 도가니 안에서 드라이 N2 분위기에서 가열된다.
실온 -> 3 시간 -> 1630℃ -> 5 시간 -> 1630℃ -> 10 시간 -> 900℃ -> 45분 -> 실온
구워낸 후, 인광체 파우더가 볼 밀링에 의해 밀링되고 물로 세척된다.
예 II
도 5 및 6은 SrAlSi4N7:Eu(2%)(예 I 참조)와 유사하게 제조된 SrAlSi4N7:Eu(3%)를 참조한다.
도 1은 예 I의 구조의 호스트 재료, 즉 SrAlSi4N7의 개략적인 부분 사시도를 나타내고, 도 2는 동일 구조의 다른 사시도를 나타낸다. SiN4 및 AlN4 사면체들이 어떻게 격자들을 형성하는지를 명확히 알 수 있다.
테이블 I에서 정확한 결정 데이터를 알 수 있다.
테이블 I: SrAlSi4N7의 결정 데이터
| 화학식 | SrAlSi4N7 |
| 몰 질량/g·mol-1 | 325.03 |
| 결정계 | 사방정계 |
| 공간 그룹 | Pna21(No. 33) |
| 격자 파라미터들/pm | a=1174.2(2), b=2139.1(4), c=496.6(1) |
| 셀 부피/106 pm3 | 1247.2(4) |
| 단위 셀 내의 식 단위 | 4 |
도 3 및 4는 예 I의 재료, 즉 SrAlSi4N7:Eu(2%) 내의 M(1) 및 M(2) 사이트들을 나타낸다. 전술한 바와 같이 생각되는 효과들을 갖는 2개의 사이트는 상이하다는 것을 명확히 알 수 있다.
호스트 재료(즉, 도핑되지 않은 SrAlSi4N7)에 대한 정확한 데이터가 테이블 II에 주어진다.
테이블 II: SrAlSi4N7에 대한 M 원자와 N 리간드 사이의 원자 거리(pm)
| Sr1-N1 | 250.3(5) | Sr1-N13 | 257.1(8) | Sr1-N10 | 263.4(6) |
| Sr1-N13 | 270.1(8) | Sr1-N3 | 272.3(5) | Sr1-N12 | 314.2(5) |
| Sr2-N12 | 265.3(7) | Sr2-N8 | 270.9(5) | Sr2-N7 | 271.6(6) |
| Sr2-N11 | 282.1(6) | Sr2-N14 | 297.9(6) | Sr2-N12 | 301.1(7) |
| Sr2-N5 | 302.4(6) | Sr2-N6 | 305.7(6) |
도 5는 근사 상 순수 재료(nearly phase pure material)가 준비되었음을 지시하는 SrAlSi4N7:Eu(3%)의 측정 및 계산된 XRD 패턴들(Cu-kα 방사)을 나타낸다.
도 6은 450 nm에서의 여기 후의 SrAlSi4N7:Eu(3%)의 방출 스펙트럼을 나타낸다. 전형적인 Eu2 + 5d -> 4f 방출 대역이 적색 스펙트럼 영역에서 관측된다.
비교로서, 테이블 III에서 본 발명의 재료의 분광 특성이 종래 기술의 적색 인광체들과 비교된다.
테이블 III: 본 발명 및 종래 기술의 재료들의 분광 데이터
| 인광체 | 열 1 | 열 2 | LE(lm/W) | 상대적 QE450(%) | λmax(nm) | FWHM(nm) |
| SrAlSi4N7:Eu (본 발명) | 0.636 | 0.362 | 177 | 100% | 634 | 100 |
| (Ba,Sr)2Si5N8:Eu(비교) | 0.613 | 0.386 | 242 | 93% | 620 | 95 |
| CaSiAlN3:Eu (비교) | 0.668 | 0.332. | 118 | 97% | 649 | 98 |
본 발명의 재료는 비교 재료들에 비해 그에 필적하는, 때때로 훨씬 더 향상된 조명 특성들을 나타낸다는 것을 알 수 있다. 테이블 III의 열 1 및 2 아래에 주어진 값은 각각 CIE 다이어그램에서의 x 및 y 칼라 좌표들에 대한 값들을 나타낸다.
온백색 방출 pcLED 광원은 본 발명의 재료와 예를 들어 황색 방출 Y3 -xAl5O12:Cex 칼라 변환 재료 및 청색 방출 AlInGaN 펌프 LED를 결합함으로써 제조될 수 있다.
단지 예시적인 추가 예로서, 10-20 wt%의 SrAlSi4N7:Eu가 80-90 wt%의 Y3Al5O12:Ce와 혼합되고, 실리콘 수지 내에 부유되고, 440-460 nm에서 방출하는 AlInGaN LED 다이의 상부에 침적되었다. 3200K의 상관된 칼라 온도를 갖는 백색 pcLED 램프를 구현하기 위해 인광체 층의 조성 및 두께가 조정되었다.
테이블 IV는 그러한 램프의 효율 및 칼라 렌더링 특성들과 종래 기술의 적색 인광체들로 제조된 비교 예들을 비교한다. 청구되는 인광체 시스템은 높은 발광 효율 및 조명 등급 칼라 렌더링의 양자를 결합한 백색 LED 램프들의 제조를 가능하게 하는 것으로 밝혀졌다. Ra는 평균 칼라 렌더링 인덱스이고, R9는 "적색"의 칼라 렌더링 인덱스이다.
테이블 IV: 효율 및 칼라 렌더링 특성
| 적색 인광체 성분 | 상대적 발광 효율 | Ra | R9 |
| SrAlSi4N7:Eu (본 발명) | 89% | 79 | 15 |
| (Ba,Sr)2Si5N8:Eu (비교) | 100% | 70 | - |
| CaSiAlN3:Eu (비교) | 77% | 90 | 70 |
위의 상세한 실시예들 내의 요소들 및 특징들의 특정 조합들은 단지 예시적이며, 이러한 가르침들과 본 발명 및 참고로 포함된 특허들/출원들에서의 다른 가르침들의 교환 및 대체도 명확히 고려된다. 이 분야의 기술자들이 인식하듯이, 이 분야의 통상의 기술자들에게는 청구되는 바와 같은 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고 여기에 설명되는 것들에 대한 변형, 변경 및 다른 구현들이 떠오를 수 있다. 따라서, 위의 설명은 단지 예시적이며, 제한적인 것을 의도하지 않는다. 본 발명의 범위는 아래의 청구항들 및 그의 균등물들에서 정의된다. 더욱이, 설명 및 청구항들에서 사용되는 참조 부호들은 청구되는 발명의 범위를 한정하지 않는다.
Claims (10)
- 식 M1 - yA1 + xSi4 - xN7 -x-2 yOx +2y:RE를 가지며,M은 Ba, Sr, Ca, Mg 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택되고,A는 Al, Ga, B 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택되고,RE는 희토류 금속들 Y, La, Sc 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택되고,x는 ≥0 및 ≤1이고, y는 ≥0 및 ≤0.2인 재료.
- 제1항에 있어서, RE는 Eu, Ce 또는 이들의 혼합물들을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 재료.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, RE 도핑 레벨은 ≥0.05% 및 ≤10%인 재료.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 재료의 광 안정성은 ≥80%, 바람직하게는 ≥90%인 재료.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 재료의 발광 재료로서의 사용.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 재료를 포함하는 특히 LED인 발광 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 재료는 파우더 및/또는 세라믹 재료로서 제공되는 발광 장치.
- 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파우더는 ≥5 ㎛ 및 ≤15 ㎛의 d50을 갖는 발광 장치.
- 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세라믹은 이론 밀도의 ≥90%를 갖는 발광 장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 재료 및/또는 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 발광 장치 및/또는 제5항에 따른 사용을 포함하는 시스템으로서,다음 응용들, 즉- 사무실 조명 시스템들,- 가정 응용 시스템들,- 상점 조명 시스템들,- 가정 조명 시스템들,- 액센트 조명 시스템들,- 스폿 조명 시스템들,- 극장 조명 시스템들,- 광섬유 응용 시스템들,- 프로젝션 시스템들,- 자기 조명 디스플레이 시스템들,- 픽셀화된 디스플레이 시스템들,- 세그먼트화된 디스플레이 시스템들,- 경고 표시 시스템들,- 의료 조명 응용 시스템들,- 지시자 표시 시스템들,- 장식 조명 시스템들,- 휴대용 시스템들,- 자동차 응용들,- 그린 하우스 조명 시스템들중 하나 이상에 사용되는 시스템.
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