TWI344065B - Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing - Google Patents
Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing Download PDFInfo
- Publication number
- TWI344065B TWI344065B TW095129490A TW95129490A TWI344065B TW I344065 B TWI344065 B TW I344065B TW 095129490 A TW095129490 A TW 095129490A TW 95129490 A TW95129490 A TW 95129490A TW I344065 B TWI344065 B TW I344065B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- acid
- photoresist
- composition
- group
- ammonium
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
1344065 秦 φ 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種半導體裝置之製程中用於除去光 阻之光阻剝除劑組成物。更詳而言之,本發明係有關光阻 刻除劑組成物’其可在該方法中於低溫下在光微影技術 (Photh 1 i th0graphy )之後容易且很快地除去藉由乾式蝕 刻、灰化或離子植入熱固化之光阻膜和聚合物,來自底金 屬膜的蝕刻之金屬副產物,和將在光阻除去方法中之底金 籲屬佈線的腐钮減到最少。 "" 【先前技術】 ' 通常,半導體裝置之製程包含下列之步驟:丨)在半導 :體基材上形成之導電層上形成圖案之光阻,和ϋ)使用該 •圖㈣為光罩㈣成導㈣之圖案1作該光罩的光阻= 圖案必須在形成方法之後的清洗方法中藉由在導電層上之 光阻剝除劑除去。然而,在接著之清潔方法中難以除去光 φ阻’因為最近在半導體裝置之製程中使用乾式餘刻作為形 成導電層之圖案的導電層之微影技術。 乾式蝕刻方法替代使用酸性液體化學品之濕式蝕刻 方法且藉由使用於電漿氣體和材料層像導電層之間的氣相 固相之反應進行蝕刻方法。最近乾式蝕刻方法由於容易控 制和形成清晰圖案而為蝕刻方法之主流。有許多類型之乾 式钱刻’但難以除去《阻,目為電聚氣中之離子和自由基 在導電層的#刻方法中於光阻膜表面上與該光阻膜複雜地 反應,其使光阻膜快速地熱固化。如果使用反應性離子蝕 刻(RIE)作為乾式蝕刻之例子,難以藉由使 除劑除去光阻並具再現性。 行的光阻剝 該難以除去光阻的方法之另一例子為 導體裝置之製程中,其為原子例如p、h、子植入。在半 圓之某些區域上產生傳導性的擴散方法。在、等等在矽晶 中,該離子被植入在沒有被光阻圖案覆蓋離子植入方法 上’但同時’在方法期間用作光罩的光阻2晶圓的區域 用加速離子束的表面化學反應變性。因此,,、之表面經由 之後在清洗方法中藉由使用任何溶劑難以除去方法 阻膜在該乾式㈣或離子植人方法之後藉由使用現行的$ 阻剝除劑不能被完全地除去。雖然被除去,其難以穩A 實施清洗方法,因為其需要嚴苛條件例如大ς 1〇〇。^=言 溫和長浸潰間。所以’其增加半導體裝置之不良率。553 另-方面’由於弱氣味、低毒性和對大部分光阻膜的 有效移除能力’-般己使用現行提議之由烧醇胺和二乙二 醇單烷基醚所組成的光阻剝除劑組成物。然而,已知該剝 除劑組成物不能夠充份地除去乾式蝕刻之方法或離子=二 方法期間曝露於電衆氣或離子束之光阻膜。因此,強,列地 需要發展除去經由乾式蝕刻和離子植入方法變性之光‘阻骐 的新光阻剝除劑組成物。 ' 如上所述,難以在離子植入之後使用光阻剝除劑除去 先阻膜。特別地,在超大型積體電路(VLSI)之製造中更難 以除去用高劑量之離子植入處理以形成源極/汲極區域的 光阻膜。在離子植入方法期間’光阻膜之表面被源自高劑 13440^5 里之離子的反應熱和具有高能量的離子束熱固化。半導體 晶圓通常在灰化方法期間於20(rc以上之高溫下加熱。同 時光阻内之殘餘溶劑應以蒸汽形式除去,但由於在高劑 量之離子植入後於光阻之表面上所形成熱固層 而不可能。 此外,在灰化方法中光阻膜内之壓力成長,光阻膜之 表,被殘餘溶劑破裂,其稱為‘爆裂(popping),。由爆裂 所政射之表面熱固層形成難以除去之粉塵。因為該層光阻 廳表面之熱固層係由熱形成,所以雜質離子(摻雜物)取代進 入光阻之分子結構而產生交聨,其被&電漿氧化。在超大 型積體電路(VLSI)之製造中氧化之光阻膜形成污染來源之 . 粉塵和粒子且發生產率之減少。 : 作為使用於現行的濕式清潔方法中之光阻剝除劑組 成物,提4藉由混合有機胺化合物和許多類型之有機溶劑 製備之光阻剝除劑組成物。特別地,通常使用包含單乙醇 胺(MEA)作為有機胺化合物之中的必需成份之光阻剝除劑 鲁Λ成物。然而’包含小量絲子水之光阻剝除劑由於在沖 洗方法中胺和去離子水之間的反應而具有在底金屬佈線上 形成深坑之問題。 ^最近在半導體裝置之製程中,方法之條件如此之嚴 可’例如’每個裝置像⑪晶圓係於U(M4(r(:之高溫下處 理,該光阻時常於高溫下烤乾。但,該光阻剝除劑不能充 ^地除去於高溫下烤乾之光阻。包含水及/或㈣化合物之 〃阻剝除劑組成物係、揭示為用於除去該於高溫下烤乾之光 阻的組成物(日本公開專利公開號4—2隱66;日本公開專 134400 利公開號6-觸ι9;日本公開專利公開號 公開專利公開號8—262746 ;日本公 9_152721 ;曰本公開專利公開號9一細)崎專利公開號 然而’在該方法中該光阻剝除劑組成 植人熱固化μ二和:來 目底金屬_刻之金屬副產物變性的綠 ==:不能有效除去在圖案之匈
料作為層之_絕緣=使用新金屬臈’或使賴絕緣材 #丨之=卜:到現在為止已使用一種使用有機溶劑作為主溶 劑之先阻剝除劑組成物。但,有機溶劑是斟環产的且 需要高製備成本。 尤口 另—方面,揭示一種包含聯胺水合物作為抗氧化劑和 水作為主溶劑或共溶劑之光阻剝除劑組成物(韓國公開專 利公開號2003-0025521 ;日本公開專利公開號 2002-196509)。而由於比較於現行的光阻剝除劑之高含量 的水’該組成物之環保(environment-friendly)觀點被改 良。如果水之含量大於40%,光阻之溶解度減少。因為低 光阻之除去能力,該組成物之應用有限。 本發明人發現如果包含大於40重量%之水和聯胺水 合物或胺化合物及極性溶劑之光阻剝除劑組成物包含選自 由咪嗤衍生物、硫化物衍生物、亞ί風衍生物、芳香族化合 物或具有經基之芳香族化合物和C2〜CI 0之單醇化合物所組 成之群組的腐蝕抑制劑時,則在熱固化或變性光阻之除去 方法中顯著減少反應相和底膜之腐餘。 【發明内容】 因此’本發明之一目的為提供能夠在半導體之製程中 有效除去熱ϋ化或㈣之光阻和將光阻底層上的金屬佈線 之腐飯減到最少的光阻剝除劑組成物。 入本發明之另外目的為提供由於大於40%之去離子水 3量而為祕的且具有低製備成本之光聞除劑組成物。 發明之詳細說明 本發明提供在半導體裝置像積體電4、大型積體電 路、超大型積體f路等等之製程巾用於除去光阻之光阻剝 =劑組成物。更料言之,本發明之絲剝_組成物包 s 3 20重篁%之聯胺水合物或胺化合物;2〇 4〇重量%之 極生冷劑,0. 0卜3重量%之腐财卩制劑,其係選自由味嗤 何生物、硫化物衍生物、亞颯衍生物、芳香族化合物或具 有羥基之芳香族化合物所組成之群組;〇 〇15重量%之 C2~Cl°的單醇化合物;和40~70重量%之去離子水。 此外’本發明之光阻剝除劑組成物包含一種更包含整 個組成物的〇· 01〜3重量%之銨鹽化合物的組成物。 本發明之光阻剝除劑組成物具有下列之特性:i)有效 且很快地除去熱固化或變性之光阻膜,ii)沒有造成對底金 屬膜的傷害,iii)沒有產生底金屬佈線之腐姓,因為由於 大於40%之去離子水的含量,在清洗方法中容易除去,iv) 具有低製備成本’ v)減少處理廢水之成本,由於低含量之 有機/谷劑’和vi)為環保的(environmenifriendiy)。 1344065 基之芳香族化合物所組成之群組。該化合物之例子為1 -乙 私基_ 2 h八基σ米嗤、二-第二-丁基硫謎、二苯基亞礙、本 甲酸、m-甲基笨甲酸、ρ-曱基苯曱酸、苯乙酸、2-乙基苯 曱酸、3-乙基苯甲酸、2, 3, 5-三曱基苯甲酸、桂皮酸、氫 桂皮酸、4-甲基桂皮酸、水揚酸、2_異丙基苯甲酸、3-異 丙基苯曱酸、4-異丙基苯曱酸、苯丁酸、2, 4-二曱基笨基 乙酸、2-(4-甲基苯基)丙酸、4-丙基苯甲酸、4-乙基笨基 乙酸、3-苯基丁酸、3-(2-曱基苯基)丙酸、3-(3-曱基苯基) _ 丙酸、P-甲基氫桂皮酸、3-丙基苯甲酸、甲酚、五倍子酸、 五倍子酸甲酯、五倍子酚、羥對笨二酚、phl〇r〇glacin〇1、 resorcinaol、氫輥等等。腐姓抑制劑之含量為〇. ου重 : 量% ,較佳地〇. 1〜3重量%。如果腐餘抑制劑之含量少於 〇· 〇1重量%,底金屬膜之腐蝕增加。如果腐蝕抑制劑之含 量大於3重量% ’有-些低光阻之除去能力和組成物之高 價格的問題。 包含在本組成物中之單醇為具有一個羥基的烷基 (G〜C1D)或芳絲之化合物,且在光賴除去方法中改良均 勻性和該聯胺水合物或胺化合物和極性溶劑之反應性。該 單醇為-或多種選自由丁醇、乙醇、異丙醇、丙醇、庚醇、 13 1344065 為不經濟的。 去離子水(本發明組成物的主成份)之含量為整個組 成物的40〜70重量%,較佳地45〜65重量%。如果去離子 水之含量少於40重量%,考慮製造成本和處理時間,其不 月匕將將生產力最大化。如果去離子水之含量大於7〇重量 %,光阻膜之除去能力被顯著降低。 本發明之組成物另外包含銨鹽化合物以防止底金屬 • 膜之損害。銨鹽化合物之含量為整個組成物的0. 01〜3重量 % ’較佳地0. 1〜3重量%。如果敍鹽化合物之含量少於〇 〇1 重量%,誘發底金屬膜之腐蝕。如果銨鹽化合物之含量大 ‘ 於3重量% ’光阻之除去能力被降低。該銨鹽化合物為一 或多種選自由笨甲酸銨(C6H5C〇2NH4)、碳酸銨((NH4)2C〇3)、 氫氧化銨(NH4〇H)、乙酸銨(CH3C(MH4)、碘化銨(nh4[)、氣 化銨、磷酸氫二銨、磷酸二氫銨、磷酸三銨、過硫酸銨、 硫酸銨或硝酸銨組成之群組的混合物。 Φ 發明之效果 本發明之光阻剝除劑組成物具有一些優點:i)很快地 除去在半導體製程中熱固化或變性之光阻,ii)在光阻除去 方法+防止底金屬膜之損害,iii)防止底金屬佈線之腐 蝕,因為由於大於40%之去離子水的含量,在清洗方法中 容易除去,iv)具有低製備成本和v)由於廢水之減少和處 理時間之減少而將生產力最大化。 【實施方式】 進行本發明的最佳模態 Ι3440Θ5 根據下列實例更詳細地解釋本發明,但是該等實例不 應解釋為限制本發明之範圍。 (實例1)光阻剝除劑之製備 光阻剝除劑係根據製備例卜6和比較例卜2製備。 (表1)光阻剝除劑 (單位:重量%)
成份 聯胺水 胺4匕 合物 極性溶剤 單 腐蝕抑制劑 銨化合 去離 合物 酵 物 子水 乙 二乙 丙 NMP* 乙基赛 乙 倍子酚 五倍子 硝酸銨 胺 胺 胺 路蘇 酵 酸甲酯 製備例 11.7 - - - 31.8 - 1.1 2.0 - 2.0 51.4 1 製備例 - - - 14.3 - 31.8 1.1 2.0 - 2.0 48.8 2 製備例 11.7 - - - 31.8 - 1.1 2.5 - - 52.9 3 製備例 - 4.3 - - 31.8 - 1. 1 - 0.8 - 62 4 15 1344065 製備例 5 - - 8.3 - 31.8 - 1.1 - 0.8 - 58 製備例 6 — - 14.3 31.8 - 1.1 — 0.8 祕 52 單乙酵胺 DMA, 兒茶 酚 N-甲基嗎福啉氡 化物 羥胺 硫酸二(羥胺) 去離 子水 比較例 1 7 34 8 - 14 37 比較例 2 49.5 — 5 — 28.9 16.6
*NMP ·· N-曱基吡咯啶酮 **DMAc : N,N-二曱基乙醯胺 (實例2)金屬佈線樣品之製備 在8”矽晶圓上形成氧化矽層和用Ti/TiN 150 A/A1 8000 A/TiN 100 A沈積金屬佈線之後藉由一般光微影技 術方法形成一些圖案。在製備具有該光阻(shifri UV-6) 圖案的樣品之後進行乾式蝕刻方法。 藉由使用CF4/〇2氣體混合物成作為乾式蝕刻機 (Applied Material Co.,型號:P/5000)中的餘刻氣體I虫 刻未用光阻圖案覆蓋的底金屬佈線膜來形成金屬佈線之圖 案。藉由使用O2/N2氣體混合物成作為灰化裝置(Dongkyung Eunghwa Industries Co.,型號:TCA-2400)中之反應氣體 的灰化方法製備圖1〜3樣品 16 體混合物 氣體流: 壓力:2C R F 力:4 磁場:14 蝕刻時間 之條件 ~~—-. 灰化之 :CF4/〇2 氣 使用之 現合物 200/10 seem 氣體 m T 〇 r r sccm )0 W 壓力: 〇 Gauss 微波力 :300 sec 晶圓之 夜化時 晶圓 〇2/N2氣體 :950/50
m T 〇 r r 1 kW 將實例2之樣品浸潰在用於 法的製備和比較例卜 :線和通路㈣成方 在各例子中使用不 斤製備之光阻剝除劑中, ,^ 同條件(製備例卜6:於55X經8分鐘, 比較例1 :於65°C姆in八拉 姓、^ 10刀在里’比較例2 :於70T經20分 鐘)以試驗PR之除參^ ^ 示古和底金屬膜之腐蝕。結果概述於表2 中。 光阻之 PR灰化 (金屬{ 法) 和底g膜之腐蝕的比較試驗 〜去 -後 PR灰化之後 線形成方 (通路孔形成 ------ 方法) 朵.阳 > 17
部份
△… 後用本發明之光阻:^^^全1路除=:方=t ΐ化Ξ 3〜14所呈現的。圖3和圖4顯示實例2中所製備之樣品用 製備例1甲所製得之組成物處理後的電子顯微相片。圖5 和6為樣品用製備例2中所製得之組成物處理後的結果。 13— 圖7和8為樣品用製備例3中所製得之組成物處理後的結 果。圖9和10為樣品用製備例4中所製得之組成物處理& 的結果。圖11和12為樣品用製備例5中所製得之組成物 處理後的結果。® 13和14為樣品用製備例6中所製得之 組成物處理後的結果。 然而,藉由使用比較例1和2之現行光阻剝除劑不完 全除去光阻。如圖15〜18中所示,光阻留在金屬佈線圖案 上圖15和16為樣品用比較例1中製得之組成物處理後 #的結果。圖17和18為樣品用比較例2中製得之组成物處 理後的結果。因此,現行光阻剝除劑之除去能力低於本發 明絲剝除劑之除去能力。此外’用數種類型之金屬佈線 圖案試驗光阻之除去,其証明不論圖案類型藉由使用本發 ' 明之光阻剝除劑完全除去光阻。 也應注意本發明之光阻剝除剤組成物顯示在金屬佈 線形成方法和通路孔形成方法中於灰化之後沒有底金屬膜 之腐蝕(相對於比較例之腐蝕),如表2中所示。比較例1 籲和2之組成物引起部分之腐敗,且顯示低於本發明之除去 能力。 μ 本發明之光阻剝除劑組成物於55。〇之低處理溫度經§ 分鐘進行光阻之有效除去而沒有金屬佈線之腐蝕。因此, 本發明之光阻剝除劑有效減少處理時間,由於高水含量所 以是環保的(enviromnent-friencny),和由於低製備成本 所以是經濟的。 19 1344065 工業的適用性 本發明提供光阻剝除劑組成物,其可很快地除去在半 導體製程中熱固化或變性之光阻而沒有損害底金屬膜。 此外,本發明之組成物可防止底金屬佈線之腐蝕,因 為其由於大於40%之去離子水的含量可藉由之後的沖洗 方法容易地除去。其也能藉由減少製備成本、廢水之量和 處理時間而將生產力最大化。
【圖式簡單說明】 圖1和2顯示在金屬圖案在用剝除劑組成物處理之前 的電子顯微相片。® 1為金屬佈線和11 2為通路孔。 圖3顯示用製備例丨中所製得之組成物處理的金屬佈 線之相片和圖4顯示用製備例1中所製得之組成物處理的 通路孔之相片。 ,5顯示用製備例2中所製得之組成物處理的金屬佈 ' ‘ 和圖6顯示用製備例2中所製得之組成物處理 通路孔之相片。 綠夕;I:顯示用製備例3中所製得之組成物處理的金屬佈 祕^和圖8顯示用製備例3中所製得之組成物處理的 通路孔之相片。 繞之相Η 4 製備例4中所製得之組成物處理的金屬佈 通路孔之2 1G顯示用製備例钟所製得之組成物處理的 圖 11 as _ 佈線之相^不用製備例5中所製得之組成物處理的金屬 和圖12顯示用製備例5中所製得之組成物處理 20 1344065 的通路孔之相片。 圖13顯示用製備例6中所製得之組成物處理的金屬 佈線之相片和圖14顯示用製備例6中所製得之組成物處理 的通路孔之相片。 圖15顯示用比較例1中所製得之組成物處理的金屬 佈線之相片和圖16顯示用比較例1中所製得之組成物處理 的通路孔之相片。 圖17顯示用比較例2中所製得之組成物處理的金屬 • 佈線之相片和圖18顯示用比較例2中所製得之組成物處理 的通路孔之相片。 【主要元件符號說明】
Claims (1)
1.344065 年y月//日修正本 第〇9512949〇號糞剎申綺率 中文申請專利範圍替換本(100年2月} 十、申請專利範圍: 1. 一種用於製造半導體之光阻剝除劑組成物,其包含3〜20重量。/〇之聯胺 水合物或選自由烷基(CH:5)-取代之一級胺、二級胺或三級胺所組成之 群組的烷基胺化合物;2〇〜40重量%之極性溶劑;〇〇1〜3重量%之腐蝕 抑制劑,其係選自由咪唑衍生物、硫化物衍生物'亞颯衍生物'芳香 族化合物或具有羥基之芳香族化合物所組成之群組;〇〇1〜5重量%之 選自由丁醇、乙醇、異丙醇、丙醇、庚醇、辛醇、癸醇、苯甲醇異 ^ 己醇或異辛醇所組成之群組的單醇化合物;和40〜70重量%之去離子 水。 2.如申凊專利範圍第1項之光阻剝除劑組成物,其中該極性溶劑為一或 - 多種選自由Ν·曱基吡咯啶酮(NMP)、二甲亞颯(DMSO)、N,N-二甲基乙 醯胺(DMAc)、單甲基甲醯胺、2_甲氡基乙醇、2_乙氧基乙醇、乙二醇 單正丙醚、2-丁氧基乙醇或曱氧基丙基乙酸酯(pGMEA)所組成之群組 的化合物。 φ 3·如申請專利範圍第1項之光阻剝除劑組成物,其中該腐蝕抑制劑為一 或多種選自由1-乙胺基-2-十八基咪唾、二-第二-丁基硫域、二笨基亞 礙、苯甲酸、m-甲基苯甲酸、p-甲基苯甲酸、笨乙酸、2_乙基笨甲酸、 3-乙基苯甲酸、2,3,5-三甲基苯甲酸、桂皮酸、氫桂皮酸、4_甲基桂皮 酸、水楊酸、2-異丙基苯甲酸、3-異丙基苯甲酸、4-異丙基苯甲酸、苯 丁酸、2,4-二曱基苯基乙酸、2-(4-甲基苯基)丙酸、4-丙基苯甲酸、4-乙基苯基乙酸、3-苯基丁酸、3-(2-曱基苯基)丙酸、3·(3·甲基苯基)丙酸、 P-曱基氫桂皮酸、3-丙基苯曱酸、曱酚、五倍子酸、五倍子酸甲酯、五 22 1344065 倍子紛、&基對笨二紛、ph丨or〇glacind、res〇rcina〇i或氫蛾所組成之群 組的化合物。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之光阻剝除劑組成物,其中該組 成物更包含整個組成物之〇.〇1~3重量%的銨鹽化合物。 5.如申凊專利範圍苐4項之光阻剝除劑組成物,其中該録鹽化合物為一 或多種選自由苯甲酸銨(C6H5C02NH4 )、碳酸敍((NH4)2C03)、氫氧化銨
(NH4OH)、乙酸銨(O^CC^NKO、碘化銨(NH4)、氣化銨、磷酸氫二銨、 填酸二氫敍、碟酸三敍、過硫酸錢、硫酸敍或硝酸敍所組成之群組的 混合物。
23
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050074550A KR100718532B1 (ko) | 2005-08-13 | 2005-08-13 | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |
KR1020060073209A KR100893280B1 (ko) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |
KR1020060073202A KR100893279B1 (ko) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200719099A TW200719099A (en) | 2007-05-16 |
TWI344065B true TWI344065B (en) | 2011-06-21 |
Family
ID=37757723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095129490A TWI344065B (en) | 2005-08-13 | 2006-08-11 | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7951765B2 (zh) |
EP (1) | EP1913448B1 (zh) |
JP (1) | JP4782200B2 (zh) |
AT (1) | ATE484774T1 (zh) |
DE (1) | DE602006017559D1 (zh) |
TW (1) | TWI344065B (zh) |
WO (1) | WO2007021085A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI466093B (zh) | 2007-06-26 | 2014-12-21 | Apple Inc | 用於視訊播放的管理技術 |
TWI479891B (zh) | 2007-06-26 | 2015-04-01 | Apple Inc | 動態背光調適 |
US8766902B2 (en) | 2007-12-21 | 2014-07-01 | Apple Inc. | Management techniques for video playback |
CN101787335A (zh) * | 2009-01-22 | 2010-07-28 | 巴斯夫公司 | 用于化学机械抛光后清洗的组合物 |
KR20110106880A (ko) * | 2009-01-22 | 2011-09-29 | 바스프 에스이 | 화학적 기계적 연마 후 세정을 위한 조성물 |
KR101829399B1 (ko) | 2010-03-04 | 2018-03-30 | 삼성전자주식회사 | 감광성 수지 제거제 조성물 및 이를 이용하는 반도체 제조 공정 |
US10332740B2 (en) | 2016-12-14 | 2019-06-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device and a cleaning composition for an adhesive layer |
KR20210093496A (ko) * | 2020-01-20 | 2021-07-28 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법 |
CN113394081A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-14 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 光阻去除方法 |
CN117659421A (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-08 | 清华大学 | 一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5279771A (en) | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
JP3048207B2 (ja) | 1992-07-09 | 2000-06-05 | イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレイテッド | 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法 |
US6326130B1 (en) * | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
JPH085664B2 (ja) | 1994-02-07 | 1996-01-24 | 住友特殊金属株式会社 | 希土類・鉄・ボロン系正方晶化合物 |
JP3406055B2 (ja) * | 1994-03-31 | 2003-05-12 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト用剥離液 |
US5472830A (en) | 1994-04-18 | 1995-12-05 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Non-corrosion photoresist stripping composition |
JPH08262746A (ja) | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
JP3929518B2 (ja) | 1995-11-30 | 2007-06-13 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
US6268323B1 (en) * | 1997-05-05 | 2001-07-31 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
US5798323A (en) * | 1997-05-05 | 1998-08-25 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
JP4224651B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
KR100360985B1 (ko) * | 2000-04-26 | 2002-11-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 스트리퍼 조성물 |
JP2001350276A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
JP2002196509A (ja) | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
JP4810764B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2011-11-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤組成物 |
KR100546169B1 (ko) | 2001-09-21 | 2006-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 제거용 용액 조성물 |
KR100569533B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2006-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정용 조성물 |
JP3738992B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液 |
KR100862988B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2008-10-13 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 리무버 조성물 |
JP4289866B2 (ja) | 2002-10-29 | 2009-07-01 | コクヨ株式会社 | 卓上整理棚 |
US6951710B2 (en) * | 2003-05-23 | 2005-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof |
KR100964801B1 (ko) * | 2003-06-26 | 2010-06-22 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트박리방법 |
JP4202859B2 (ja) * | 2003-08-05 | 2008-12-24 | 花王株式会社 | レジスト用剥離剤組成物 |
-
2006
- 2006-08-05 DE DE602006017559T patent/DE602006017559D1/de active Active
- 2006-08-05 WO PCT/KR2006/003085 patent/WO2007021085A1/en active Application Filing
- 2006-08-05 EP EP06783522A patent/EP1913448B1/en active Active
- 2006-08-05 AT AT06783522T patent/ATE484774T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-08-05 JP JP2008525930A patent/JP4782200B2/ja active Active
- 2006-08-05 US US12/063,745 patent/US7951765B2/en active Active
- 2006-08-11 TW TW095129490A patent/TWI344065B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7951765B2 (en) | 2011-05-31 |
DE602006017559D1 (de) | 2010-11-25 |
US20090312216A1 (en) | 2009-12-17 |
TW200719099A (en) | 2007-05-16 |
EP1913448A1 (en) | 2008-04-23 |
WO2007021085A1 (en) | 2007-02-22 |
JP4782200B2 (ja) | 2011-09-28 |
JP2009505132A (ja) | 2009-02-05 |
EP1913448A4 (en) | 2008-11-05 |
EP1913448B1 (en) | 2010-10-13 |
ATE484774T1 (de) | 2010-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI344065B (en) | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing | |
KR100718532B1 (ko) | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 | |
JP3940634B2 (ja) | レジスト除去用組成物及びこれを利用したレジスト除去方法 | |
EP1860508B1 (en) | Composition and method for photoresist removal | |
JP4073596B2 (ja) | レジスト除去用組成物及びこれを用いたレジスト除去方法 | |
US20090111726A1 (en) | Compounds for Photoresist Stripping | |
KR20060115896A (ko) | 레지스트, barc 및 갭 필 재료 스트리핑 케미칼 및방법 | |
WO2011012559A2 (en) | Post ion implant stripper for advanced semiconductor application | |
EP2437284B1 (en) | Cleaning agent for semiconductor substrate, and method for producing semiconductor element | |
TW201523170A (zh) | 改質抗蝕劑的剝離液、使用其的改質抗蝕劑的剝離方法及半導體基板製品的製造方法 | |
JP2002505765A (ja) | ヒドロキシルアンモニウムカルボキシレートを使用したレジストおよびエッチング残査を除去するための組成物および除去方法 | |
WO1998040453A1 (en) | Alkanolamine semiconductor process residue removal composition and process | |
JP2015529014A (ja) | 純還元性プラズマ中で高アスペクト比のフォトレジストを除去する方法 | |
JP2007003617A (ja) | 剥離液組成物 | |
JP3833176B2 (ja) | フォトレジスト除去剤組成物 | |
JP4698123B2 (ja) | レジスト除去剤組成物 | |
US8853081B2 (en) | High dose ion-implanted photoresist removal using organic solvent and transition metal mixtures | |
TW556056B (en) | Method of removing photo-resist and polymer residue | |
JP3891735B2 (ja) | アルコキシn−ヒドロキシアルキルアルカンアミドからなるレジスト除去剤、レジスト除去用組成物、これらの製造方法及びこれらを用いたレジスト除去方法 | |
JP5574795B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
KR20080012424A (ko) | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 | |
JP6144468B2 (ja) | レジスト剥離方法および半導体基板製品の製造方法 | |
JP5498843B2 (ja) | 2剤型半導体基板用洗浄剤 | |
JP4610469B2 (ja) | 洗浄除去剤 | |
KR100893279B1 (ko) | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |