CN117659421A - 一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用 - Google Patents
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- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 52
- GPSDUZXPYCFOSQ-UHFFFAOYSA-N m-toluic acid Chemical compound CC1=CC=CC(C(O)=O)=C1 GPSDUZXPYCFOSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims abstract description 18
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims abstract description 16
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical group CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 3
- GPSDUZXPYCFOSQ-UHFFFAOYSA-M m-toluate Chemical group CC1=CC=CC(C([O-])=O)=C1 GPSDUZXPYCFOSQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical group C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical group CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 5
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 claims description 5
- QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 1-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1 QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 4
- PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N indane Chemical compound C1=CC=C2CCCC2=C1 PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KTWCUGUUDHJVIH-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(N(O)C2=O)=O)=C3C2=CC=CC3=C1 KTWCUGUUDHJVIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KZCSUEYBKAPKNH-UHFFFAOYSA-N 6-aminonaphthalene-1,3-disulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC(S(O)(=O)=O)=CC2=CC(N)=CC=C21 KZCSUEYBKAPKNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 claims description 2
- -1 m-methylbenzyl Chemical group 0.000 claims description 2
- NRZRRZAVMCAKEP-UHFFFAOYSA-N naphthionic acid Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=C(S(O)(=O)=O)C2=C1 NRZRRZAVMCAKEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 claims description 2
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N perfluorobutanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JLUOZBQVJZLHPN-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(phenyl)iodanium Chemical class CC(C)(C)[I+]C1=CC=CC=C1 JLUOZBQVJZLHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 8
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 238000000276 deep-ultraviolet lithography Methods 0.000 description 5
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 5
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N zafuleptine Chemical compound OC(=O)CCCCCC(C(C)C)NCC1=CC=C(F)C=C1 YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical group CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 3
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N Nicotinamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CN=C1 DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid group Chemical group C(C1=CC=CC=C1)(=O)O WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 2
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 2
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011686 zinc sulphate Substances 0.000 description 2
- 235000009529 zinc sulphate Nutrition 0.000 description 2
- OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpyrrole Chemical compound CN1C=CC=C1 OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEWNYOKWUAYXPI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpiperidine Chemical compound C=CN1CCCCC1 LEWNYOKWUAYXPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZNSQRLUUXWLSB-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1h-pyrrole Chemical compound C=CC1=CC=CN1 MZNSQRLUUXWLSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEOWGNIFSGBHIY-UHFFFAOYSA-N 3,4-bis(ethenyl)pyridazine Chemical compound C=CC1=CC=NN=C1C=C UEOWGNIFSGBHIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTYXUWCJYMNDQD-UHFFFAOYSA-N 3-ethenylpyridazine Chemical compound C=CC1=CC=CN=N1 DTYXUWCJYMNDQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEGMWWXJUXDNJN-UHFFFAOYSA-N 3-methylpiperidine Chemical compound CC1CCCNC1 JEGMWWXJUXDNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- YIKSCQDJHCMVMK-UHFFFAOYSA-N Oxamide Chemical compound NC(=O)C(N)=O YIKSCQDJHCMVMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- SNCZNSNPXMPCGN-UHFFFAOYSA-N butanediamide Chemical compound NC(=O)CCC(N)=O SNCZNSNPXMPCGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 229960003966 nicotinamide Drugs 0.000 description 1
- 235000005152 nicotinamide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011570 nicotinamide Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229940037312 stearamide Drugs 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000003554 tetrahydropyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N triisopropylamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(C)C RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用。采用醋酸锌、间甲基苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到化学通式为[ZnmXn(CH3COO)tYpHq]r的Zn基有机配位纳米颗粒,其中,X为间甲基苯甲酸根,CH3COO表示乙酸根,Y为含氮有机配体,r为聚合度,m、n、p、q、n、r各自独立的选自1~20的任意整数,t选自0~20的任意整数。本发明将Zn基有机配位纳米颗粒作为光刻胶成膜剂,相比于现有光刻胶,制成的光刻胶具有高分辨、高灵敏度、低线条粗糙度的光刻性能。
Description
技术领域
本发明涉及光刻胶技术领域,特别是涉及一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用。
背景技术
光刻胶(Photoresists)是指受紫外光、电子束、粒子束、极紫外(Extreme Ultra-violet,EUV)或者软x射线等照射,照射区与非照射区的溶解度产生差异从而将掩膜版上的图案光刻到晶圆以便制备集成电路的材料。光刻胶光刻线条尺寸越小,在单位面积上便能制备更多的晶体管以此可制备出性能更为优异的芯片。降低光刻波长是降低光刻极限分辨率最为有效的手段,近40年来,光刻机光源经历了436(G线)、365nm(I线)、248nm(KrF)到193nm(ArF)的演变,单独193nm单次曝光技术节点为65nm,当采用浸没式镜头以提升数值孔径后,单次曝光技术节点提升33nm。目前绝大部分5nm、7nm制程的芯片便是采用浸没式193nm技术加上多次曝光多重套刻技术制备的,然而此项工艺套刻精度难以控制、良品率低、成本高昂。就此经过近10余年研发,在2014年全球研发出第一台波长为13.5nm极紫外光刻机,13.5nm光刻单次曝光理论技术节点为8nm,理论上可制备制程为1nm的芯片。
芯片的制备离不开光刻胶。传统光刻胶组分复杂,包含光刻胶树脂本体、感光剂、流平剂、稳定剂、分散剂、增稠剂和溶剂等,生产制造流程繁琐,对配比和纯度的控制工艺要求极高。由于传统光刻胶多为大分子聚合物和含有众多功能化的添加剂,其成分复杂导致光刻胶尺寸分布较宽,存在各种尺寸的成分,某些尺寸构象可以达到10nm~20nm,使得光刻胶图形的尺寸难以控制,同时可能产生众多缺陷。另外,对于传统光刻胶而言,其使用范围受光源的波长影响很大,对于不同的光源需要有不同的光刻胶进行匹配。
极紫外(extreme ultraviolet;EUV)光刻作为用于制造下一代半导体装置的一种基本技术而受到关注。EUV光刻是使用具有约13.5纳米的波长的EUV射线作为曝光光源的图案形成技术。根据EUV光刻,已知可在半导体装置的制造期间在曝光工艺中形成极精细图案(例如,小于或等于约20纳米)。但是在现有技术中通过光刻获得的图形边缘粗糙度大并且图形分辨率较低,不利于光刻技术的应用,有必要对此加以改进。
发明内容
基于此,有必要针对传统光刻胶光刻得到的图形边缘粗糙度大并且图形分辨率较低的问题,提出一种新的Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、包含其的光刻胶组合物及其应用。
本发明一方面,提供一种Zn基有机配位纳米颗粒,其由如下方法制备得到:锌盐、间甲基苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到,其中锌盐:间甲基苯甲酸以及含氮有机配体的摩尔比为(2-10):(4-10):(2-10)。
锌盐可以选自醋酸锌、二水合醋酸锌、氯化锌、硫酸锌,优选醋酸锌或二水合醋酸锌。
进一步地,所述锌盐为醋酸锌。
进一步的,其中含氮有机配体选自有机脂肪胺类及其衍生物、吡啶及其衍生物、吡咯及其衍生物、嘧啶及其衍生物、哒嗪及其衍生物、哌啶及其衍生物、酰胺及其衍生物中的任意一种或多种。
进一步的,含氮有机配体选自选自二乙胺、哌啶、二异丙基乙胺、四氢吡咯。
进一步的,后处理包括:在45℃-80℃下搅拌5-24h,然后用旋蒸仪40℃-60℃旋蒸20min-80min,再在真空烘箱中45℃-75℃真空抽5h。
进一步的,所述有机溶剂为乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇单***醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、1-乙氧基-2丙醇、甲醇、乙醇、丙醇中的任意一种或多种。
上述光刻胶用Zn基有机配位纳米颗粒的制备方法如下:
锌盐、间甲基苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到,其中锌盐:间甲基苯甲酸以及含氮有机配体的摩尔比为(2-10):(4-10):(2-10),其中含氮有机配体选自有机脂肪胺类及其衍生物、吡啶及其衍生物、吡咯及其衍生物、嘧啶及其衍生物、哒嗪及其衍生物、哌啶及其衍生物、酰胺及其衍生物中的任意一种或多种。
锌盐可以选自醋酸锌、二水合醋酸锌、氯化锌、硫酸锌,优选醋酸锌或二水合醋酸锌。
进一步的,所述锌盐为醋酸锌。
本发明第二方面还提供了Zn基有机配位纳米颗粒,其化学通式[ZnmXn(CH3COO)tYpHq]r,其中,X为间甲基苯甲酸,CH3COO表示乙酸根,Y为含氮有机配体,r为聚合度,m、n、p、q、n、r各自独立的选自1~20的任意整数,t选自0~20的任意整数。
Y进一步为选自有机脂肪胺类及其衍生物、吡啶及其衍生物、吡咯及其衍生物、嘧啶及其衍生物、哒嗪及其衍生物、哌啶及其衍生物、酰胺及其衍生物中的等任意一种或多种。
所述有机脂肪胺类选自三异丙基胺、三乙醇胺、二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺、二异丙基胺、二异丙基乙胺中的任意一种或多种;吡啶及其衍生物选自甲基吡啶、乙烯基吡啶、甲基吡啶烷、全氢吡啶、α-吡啶等的任意一种或多种;吡咯及其衍生物选自四氢吡咯、甲基吡咯、乙烯基吡咯中的任意一种或多种;哒嗪及其衍生物选自乙烯基哒嗪、二乙烯基哒嗪中的任意一种或多种;哌啶及其衍生物选自哌啶、乙烯基哌啶、3-甲基哌啶的任意一种或多种;酰胺及其衍生物选自甲酰胺、硬脂酰胺、琥珀酰胺、草酰胺、丙烯酰胺、烟酰胺的任意一种或多种。
本发明发现在Zn基有机配位纳米颗粒中,引入间甲基苯甲酸配体可以有效的降低配合物的结晶性,提高材料在有机试剂中的溶解度,便于储存和应用。
进一步的,Y选自二乙胺、哌啶、二异丙基乙胺、四氢吡咯。
进一步的,m、n、p、q、n、r各自独立的为1-10之间的整数,如1、2、3、4、5、6、7、8、9或10,t为0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
进一步的,所述Zn基有机配位纳米颗粒晶体的尺寸为1nm-4nm。
进一步的,Zn基有机配位纳米颗粒可以是如下结构:
Zn2(CH3C6H4COO)5(C4H11N)H,其中C4H11N为二乙胺,CH3C6H4COO为间甲基苯甲酸根;
Zn4(CH3C6H4COO)6(CH3COO)6(C4H9N)4H4,其中C4H9N为四氢吡咯;
Zn3(CH3C6H4COO)7(CH3COO)(C5H11N)2H2其中C5H11N为哌啶;
Zn2(CH3C6H4COO)5(C8H19N)H,其中C8H19N为二异丙基乙胺。
本发明还提供了Zn基有机配位纳米颗粒的制备方法,包括以下步骤:醋酸锌、间甲基苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到,其中醋酸锌:间甲基苯甲酸以及含氮有机配体的摩尔比为(2-10):(4-10):(2-10)。
本发明还提供了一种光刻胶组合物,包括上述纳米颗粒。
进一步的,上述光刻胶组合物,还包括光酸剂和有机分散溶剂,光酸剂优选为占据组合物的5wt%-10wt%,纳米颗粒优选为占据组合物的3wt%-20wt%。
进一步的,光酸剂选自N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸、1,4-氨基萘磺酸、2-氨基-5,7-萘二磺酸、叔丁基苯基碘鎓盐全氟辛烷磺酸、三苯基锍全氟丁烷磺酸、三苯基锍全氟丁基和三苯基锍三氟磺酸中的任意一种或多种。
进一步的,有机分散溶剂选自乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇单***醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、1-乙氧基-2丙醇、甲醇、乙醇、丙醇中的任意一种或多种。溶剂优选为乙酸乙酯。
本发明还提供一种光刻方法,其特征在于采用上述光刻胶组合物,将光刻胶组合物滴加到基底,旋转,加热,再用电子束、中紫外、深紫外或极紫外曝光,采用显影剂显影。
曝光条件选自中紫外、深紫外、电子束、极紫外中的任意一种。本发明的光刻胶组合物能够用于任意一种曝光条件。
所述基底选自硅板。还可根据实际需求选择其他不溶于显影剂的基底。
关于掩膜,深紫外及更长波长光源为透射掩膜,极紫外为反射掩膜,电子束根据软件所设图形曝光。
进一步的,中紫外、深紫外或极紫外曝光剂量为50mJ/cm2~500mJ/cm2,电子束曝光剂量为50μC/cm2~500μC/cm2。曝光剂量应控制在合适的范围内,曝光剂量过小则能量过低不利于曝光区域光刻胶颗粒的聚合,不利于形成曝光区域和非曝光区域溶解度的差异,显影效果差。相对于裸露的金属纳米粒子,含有有机物配体的纳米粒子的聚合更容易进行,曝光剂量过大则可能会造成有机物配体直接从金属氧化物上脱落形成碎片,光刻胶颗粒不再能够发生有机配体的交换反应,降低曝光区域的聚合度。
进一步的,显影剂选自十氢化萘、四氢化萘、茚、茚满、喹啉、1-甲基萘、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、正己烷及环己烷中的任意一种或多种的混合物,显影温度为室温或者20℃~50℃。
除有机分散溶剂后的预成膜层的厚度可以为10nm~100nm。具体的,预成膜层的厚度可以为10nm~20nm、20nm~30nm、30nm~40nm、40nm~50nm、50nm~60nm、60nm~70nm、70nm~80nm、80nm~90nm、90nm~100nm。
进一步的,上述纳米颗粒的用途,用于光刻胶领域,包括电子束、中紫外、深紫外或极紫外光刻胶。
本发明得到的Zn基有机配位纳米颗粒,具有特殊结构,在光照条件下,可以和光致产酸剂(光酸剂)发生相互作用,材料极性变化,发生团聚,导致Zn基有机配位纳米颗粒在光照前后的溶解度发生变化。由于这些特性,将该Zn基有机配位纳米颗粒作为光刻胶成分,可以使光刻胶感光部分和遮光部分在显影剂中的溶解度产生差异,感光部分团聚在显影液中溶解度降低,而遮光部分不团聚在显影液中溶解,从而显影后能够将非曝光区域去除,而获得期望形状的图案。特别的是,由于该Zn基有机配位纳米颗粒的特殊结构,相比于传统的聚合物型光刻胶和分子玻璃光刻胶,本发明合成纳米粒子尺寸仅2nm左右,将本发明Zn基有机配位纳米颗粒作为光刻胶成分,可以实现高分辨、高灵敏度、低线条粗糙度等更优异的光刻性能。并且由于间甲基苯甲酸的存在,可以有效的降低配合物的结晶性,提高材料在有机试剂中的溶解度,便于储存和应用。
附图说明
图1为本发明实施例1的Zn基有机配位纳米颗粒的动态光散射图;
图2A为本发明实施例1的Zn基有机配位纳米颗粒和原料的核磁氢谱;
图2B为本发明实施例1的Zn基有机配位纳米颗粒的红外光谱;
图3为本发明实施例2的Zn基有机配位纳米颗粒的动态光散射图;
图4A为本发明实施例2的Zn基有机配位纳米颗粒和原料的核磁氢谱;
图4B为本发明实施例2的Zn基有机配位纳米颗粒的红外光谱;
图5为本发明实施例3的Zn基有机配位纳米颗粒的动态光散射图;
图6A为本发明实施例3的Zn基有机配位纳米颗粒和原料的核磁氢谱;
图6B为本发明实施例3的Zn基有机配位纳米颗粒的红外光谱;
图7为本发明实施例4的Zn基有机配位纳米颗粒的动态光散射图;
图8A为本发明实施例4的Zn基有机配位纳米颗粒和原料的核磁氢谱;
图8B为本发明实施例4的Zn基有机配位纳米颗粒的红外光谱;
图9A和图9B为本发明实施例1的Zn基有机配位纳米颗粒的在254nm的深紫外光刻以及电子束光刻下曝光样图;
图10A和图10B为本发明实施例2的Zn基有机配位纳米颗粒的在254nm的深紫外光刻以及电子束光刻下曝光样图;
图11A和图11B为本发明实施例3的Zn基有机配位纳米颗粒的在254nm的深紫外光刻以及电子束光刻下曝光样图;
图12A和图12B为本发明实施例4的Zn基有机配位纳米颗粒的在254nm的深紫外光刻以及电子束光刻下曝光样图;
图13本发明实施例1刚合成时以及放置两个月后的极紫外曝光性能差异;
图14本发明对比例1刚合成时以及放置两个月后的极紫外曝光性能差异;
图15本发明对比例2刚合成时以及放置两个月后的曝光性能差异。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。
实施例1
取0.02mol醋酸锌、0.04mol间甲基苯甲酸、0.03mol有机胺二异丙基乙胺和45mL乙酸乙酯溶剂混合,搅拌均匀。在65摄氏度下搅拌8h。然后用旋蒸仪50℃旋蒸30min,再在真空烘箱中65℃真空抽5h,得到实施例1的合成产物。经分析,实施例1获得纳米颗粒中包括Zn2(CH3C6H4COO)5(C8H19N)H,该纳米颗粒的1H NMR(600MHz,DMSO-d6)δ7.77–7.75(m),7.75–7.70(m),7.31–7.26(m),3.29–3.21(m),2.73(q),2.34(s),1.87(s),1.08(d)。针对其采用的原料以及获得纳米颗粒的粒径和核磁氢谱、红外光谱都做了表征,具体如图1、图2A和图2B所示。根据核磁检测结果:在合成实施例1的光刻胶纳米颗粒后,各单体分别进行配位,发生峰位移。二异丙基乙胺结构中的峰分别从0.94、2.42、2.96分别移到了1.08、2.73、3.24的位置;醋酸锌中甲基的峰从1.82移到了1.87的位置;间甲基苯甲酸中甲基峰从2.37移到了2.34,苯环的峰也从7.39、7.44、7.76移到了7.29、7.73、7.76。由图2B可知,1630cm-1、1558cm-1和1370cm-1处的峰对应于羧基的COO对称和不对称拉伸。在820cm-1-650cm-1是间甲基苯甲酸的芳环的C-H弯曲振动峰。在1600cm-1和1500cm-1-1450cm-1观察到苯环骨架振动信号。621cm-1处的峰归属于Zn-O键的伸缩振动。
实施例2
将实施例1中的有机胺选择为二乙胺,其他与实施例1相同,得到实施例2的合成产物。经分析,获得的纳米颗粒中包括Zn2(CH3C6H4COO)5(C4H11N)H,针对其采用的原料以及获得纳米颗粒的粒径和核磁氢谱都做了表征,具体如图3、图4A和图4B所示。根据核磁检测结果:1HNMR(400MHz,DMSO-d6)δ7.74(d),7.71(dt),7.30–7.22(m),2.86(q),2.33(s,),1.83(s),1.14(t),在合成实施例2的光刻胶纳米颗粒后,各单体分别进行配位,发生峰位移。二乙胺结构中的峰分别从0.98、2.50分别移到了1.14、2.86的位置;醋酸锌中甲基的峰从1.82移到了1.83的位置;间甲基苯甲酸中甲基峰从2.37移到了2.33,苯环的峰也从7.39、7.44、7.76移到了7.25、7.71、7.74。由图4B可知,1630cm-1、1558cm-1和1370cm-1处的峰对应于羧基的COO对称和不对称拉伸。在820cm-1-650cm-1是间甲基苯甲酸的芳环的C-H弯曲振动峰。在1600cm-1和1500cm-1-1450cm-1观察到苯环骨架振动信号。621cm-1处的峰归属于Zn-O键的伸缩振动。
实施例3
将实施例1中的有机胺选择为哌啶,其他与实施例1相同,得到实施例3的合成产物。经分析,获得的纳米颗粒中包括Zn3(CH3C6H4COO)7(CH3COO)(C5H11N)2H2,针对其采用的原料以及获得纳米颗粒的粒径和核磁氢谱都做了表征,具体如图5、图6A和图6B所示。根据核磁检测结果:1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ7.77–7.74(m),7.75–7.70(m),7.29–7.23(m),2.96(t,J=5.5Hz),2.33(s),1.85(s),1.63–1.54(m),1.53(s),在合成实施例3的光刻胶纳米颗粒后,各单体分别进行配位,发生峰位移。哌啶结构中的峰分别从1.35、1.43、2.58分别移到了1.53、1.59、2.96的位置;醋酸锌中甲基的峰从1.82移到了1.85的位置;间甲基苯甲酸中甲基峰从2.37移到了2.33,苯环的峰也从7.39、7.44、7.76移到了7.26、7.73、7.75。由图6B可知,1630cm-1、1558cm-1和1370cm-1处的峰对应于羧基的COO对称和不对称拉伸。在820cm-1-650cm-1是间甲基苯甲酸的芳环的C-H弯曲振动峰。在1600cm-1和1500cm-1-1450cm-1观察到苯环骨架振动信号。621cm-1处的峰归属于Zn-O键的伸缩振动。
实施例4
将实施例1中的有机胺选择为四氢吡咯,其他与实施例1相同,得到实施例4的合成产物。经分析,获得的纳米颗粒中包括Zn4(CH3C6H4COO)6(CH3COO)6(C4H9N)4H。针对其采用的原料以及获得纳米颗粒的粒径和核磁氢谱都做了表征,具体如图7、图8A和图8B所示。根据核磁检测结果:1H NMR(600MHz,DMSO-d6)δ7.75(dd),7.72(ddd),7.32–7.24(m),3.03(d),2.34(s),1.85(s),1.75(q).各单体分别进行配位,发生峰位移。四氢吡咯结构中的峰分别从1.54、2.66分别移到了1.75、3.03的位置;醋酸锌中甲基的峰从1.82移到了1.85的位置;间甲基苯甲酸中甲基峰从2.37移到了2.34,苯环的峰也从7.39、7.44、7.76移到了7.27、7.72、7.75。由图8B可知,1630cm-1、1558cm-1和1370cm-1处的峰对应于羧基的COO对称和不对称拉伸。在820cm-1-650cm-1是间甲基苯甲酸的芳环的C-H弯曲振动峰。在1600cm-1和1500cm-1-1450cm-1观察到苯环骨架振动信号。621cm-1处的峰归属于Zn-O键的伸缩振动。
实施例5
采用丙二醇甲醚醋酸酯溶解实施例1中的纳米颗粒,控制纳米颗粒占组合物的质量比为5%,再加入光酸剂N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸,光酸剂质量占组合物的10%,搅拌5min,直至全部溶解,得到光刻胶混合溶液。
用滤头将光刻胶混合液过滤两次,然后把硅片放在匀胶机上,将光刻胶滴加到硅片,设置转速为2000r/min,旋转1min。然后在热板上80℃加热1min。就可以进行电子束或中紫外、深紫外、极紫外曝光。曝光后的硅片,用十氢萘显影10s-40s。用氮气吹干即可。
测试得到的图样如图9A和图9B所示。图9A显示实施例1的合成产物在中紫外(150mJ/cm2)条件下以及电子束(150μC/cm2)(图9B)条件下,获得了清晰的曝光图样。
实施例6-9
分别对实施例2-4所获得纳米颗粒进行光刻测试,获得的图样如图10A-12B所示。图10A和图10B分别为在中紫外(150mJ/cm2)条件下以及电子束(150μC/cm2,50nm)条件下实施例2合成的纳米颗粒光刻胶的曝光图样。图11A和图11B分别为在中紫外(150mJ/cm2)条件下以及电子束(270μC/cm2,50nm)条件下实施例3合成的纳米颗粒光刻胶的曝光图样。图12A和图12B分别为在中紫外(150mJ/cm2)条件下以及电子束(120μC/cm2,50nm)条件下实施例4合成的纳米颗粒光刻胶的曝光图样。
对比例1
对于实施例1中制备方法,将间甲基苯甲酸替换为苯甲酸,获得纳米颗粒。其他与实施例1相同。
对比例2
对于实施例1中制备方法中的有机胺替换为三乙胺,获得纳米颗粒,其他与实施例1相同。
实施例10
对于实施例1以及对比例1、对比例2在EUV下进行曝光(曝光条件200mJ/cm2),并在2个月之后进行获得如图13-15的曝光图样。从图样中可以得到实施例1的纳米颗粒在刚合成时:线条无桥连,对比度好,两个月后线条基本无桥连,对比度好。
对比例1的纳米颗粒在刚合成时:线条基本无桥连,对比度好,两个月后线条有桥连,对比度略差,对比例2的纳米颗粒在刚合成时:线条有桥连,对比度略差,两个月后线条粘连严重,断裂较多,对比度更差。由此可见,本申请中的纳米颗粒在稳定性上比对比例1-2都要更好。
综上,本发明获得了四种有效的纳米颗粒,验证了其粒径分布和254nm波长的深紫外光刻下以及电子束光刻条件下具备良好的光刻性能,其可以实现高分辨、高灵敏度、低线条粗糙度等更优异的光刻性能,并证明了间甲基苯甲酸作为配体可以提高纳米颗粒的在光刻方面的稳定性。
Claims (15)
1.一种Zn基有机配位纳米颗粒,其特征在于,其化学通式为[ZnmXn(CH3COO)tYpHq]r,其中,X为间甲基苯甲酸根,CH3COO表示乙酸根,Y为含氮有机配体,r为聚合度,m、n、p、q、n、r各自独立的选自1~20的任意整数,t选自0~20的任意整数。
2.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其特征在于,Y选自有机脂肪胺类及其衍生物、吡啶及其衍生物、吡咯及其衍生物、嘧啶及其衍生物、哒嗪及其衍生物、哌啶及其衍生物、酰胺及其衍生物中的任意一种或多种。
3.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其特征在于,Y选自二乙胺、哌啶、二异丙基乙胺、四氢吡咯。
4.根据权利要求1-3任一项所述的纳米颗粒,其特征在于,m、n、p、q、n、r各自独立的为1-10之间的整数,如1、2、3、4、5、6、7、8、9或10,t为0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
5.根据权利要求1-3任一项所述的纳米颗粒,其特征在于,所述Zn基有机配位纳米颗粒晶体的尺寸为1nm-4nm。
6.根据权利要求1-3任一项所述的纳米颗粒,其特征在于,所述Zn基有机配位纳米颗粒结构式为Zn2(CH3C6H4COO)5(C4H11N)H,其中C4H11N为二乙胺,CH3C6H4COO为间甲基苯甲根;或者Zn4(CH3C6H4COO))6(CH3COO)6(C4H9N)4H4,其中C4H9N为四氢吡咯;或者Zn3(CH3C6H4COO)7(CH3COO)(C5H11N)2H2,其中C5H11N为哌啶;或者Zn2(CH3C6H4COO)5(C8H19N)H,其中C8H19N为二异丙基乙胺。
7.根据权利要求1-6任一项所述的纳米颗粒的制备方法,其特征在于,
醋酸锌、间甲基苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到,其中醋酸锌:间甲基苯甲酸以及含氮有机配体的摩尔比为(2-10):(4-10):(2-10)。
8.一种光刻胶组合物,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的纳米颗粒。
9.根据权利要求8所述的光刻胶组合物,其特征在于,还包括光酸剂和有机分散溶剂,所述光酸剂占据组合物的5wt%-10wt%,纳米颗粒占据组合物的3wt%-20wt%。
10.根据权利要求9所述的光刻胶组合物,其特征在于,所述光酸剂选自N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸、1,4-氨基萘磺酸、2-氨基-5,7-萘二磺酸、叔丁基苯基碘鎓盐全氟辛烷磺酸、三苯基锍全氟丁烷磺酸、三苯基锍全氟丁基和三苯基锍三氟磺酸中的任意一种或多种。
11.根据权利要求9所述的光刻胶组合物,其特征在于,所述有机分散溶剂选自乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇单***醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、1-乙氧基-2丙醇、甲醇、乙醇、丙醇中的任意一种或多种。
12.一种光刻方法,其特征在于,采用权利要求9-11任一项所述的光刻胶组合物,将光刻胶组合物滴加到基底,旋转,加热,再用电子束、中紫外、深紫外或极紫外曝光,采用显影剂显影。
13.根据权利要求12所述的光刻方法,其特征在于,中紫外、深紫外或极紫外曝光剂量为50mJ/cm2~500mJ/cm2,电子束曝光剂量为50μC/cm2~500μC/cm2。
14.根据权利要求12所述的光刻方法,其特征在于,所述显影剂选自十氢化萘、四氢化萘、茚、茚满、喹啉、1-甲基萘、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、正己烷及环己烷中的任意一种或多种的混合物,显影温度为室温或者20℃~50℃。
15.根据权利要求1-6任一项所述的纳米颗粒的用途,其特征在于,用于光刻胶领域,包括电子束、中紫外、深紫外或极紫外光刻胶。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211050843.3A CN117659421A (zh) | 2022-08-29 | 2022-08-29 | 一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用 |
PCT/CN2023/092497 WO2024045679A1 (zh) | 2022-08-29 | 2023-05-06 | 一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211050843.3A CN117659421A (zh) | 2022-08-29 | 2022-08-29 | 一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117659421A true CN117659421A (zh) | 2024-03-08 |
Family
ID=90077566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211050843.3A Pending CN117659421A (zh) | 2022-08-29 | 2022-08-29 | 一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117659421A (zh) |
WO (1) | WO2024045679A1 (zh) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE602006017559D1 (de) * | 2005-08-13 | 2010-11-25 | Techno Semichem Co Ltd | Fotoresist-entfernungszusammensetzung für die halbleiterherstellung |
WO2012075686A1 (zh) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种厚膜光刻胶清洗液 |
KR20130019193A (ko) * | 2011-08-16 | 2013-02-26 | 연세대학교 산학협력단 | 광촉매 활성을 갖는 금 클러스터-산화아연 나노 복합체 및 그 제조방법 |
CN104341460B (zh) * | 2014-10-08 | 2017-06-16 | 天津师范大学 | Dy(III)‑Mn(II)混金属磁性配合物及其制备方法与应用 |
CN105037796B (zh) * | 2015-08-12 | 2018-01-16 | 清华大学深圳研究生院 | 具有抗菌性能的长效锌基热稳定剂、合成方法及复合物 |
CN107383386B (zh) * | 2017-08-04 | 2020-07-21 | 南京工业大学 | 一种制备二维金属有机骨架材料的方法及其应用 |
CN108727903B (zh) * | 2018-04-27 | 2021-10-19 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 氧化锌基纳米颗粒墨水及量子点发光二极管 |
JP7475839B2 (ja) * | 2019-11-13 | 2024-04-30 | スタンレー電気株式会社 | 亜鉛含有ナノ粒子の合成方法 |
CN114230803A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所慈溪生物医学工程研究所 | 一种金属有机框架复合纳米材料及其制备方法与应用 |
CN114675488A (zh) * | 2020-12-24 | 2022-06-28 | 清华大学 | 锌基金属有机纳米颗粒及其制备方法以及光刻胶 |
CN112979983B (zh) * | 2021-03-03 | 2022-08-05 | 太原理工大学 | 一种表面掺杂多孔ZIF-8的柔性MOFs材料、制备方法及应用 |
CN114044913B (zh) * | 2021-10-25 | 2023-05-30 | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 | 一种金属-有机骨架材料及其制备方法 |
-
2022
- 2022-08-29 CN CN202211050843.3A patent/CN117659421A/zh active Pending
-
2023
- 2023-05-06 WO PCT/CN2023/092497 patent/WO2024045679A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024045679A1 (zh) | 2024-03-07 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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