JP4810764B2 - レジスト剥離剤組成物 - Google Patents
レジスト剥離剤組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4810764B2 JP4810764B2 JP2001197935A JP2001197935A JP4810764B2 JP 4810764 B2 JP4810764 B2 JP 4810764B2 JP 2001197935 A JP2001197935 A JP 2001197935A JP 2001197935 A JP2001197935 A JP 2001197935A JP 4810764 B2 JP4810764 B2 JP 4810764B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- group
- alkanolamide
- compound
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路や液晶表示装置の半導体素子の配線工程または電極形成工程におけるレジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路は、無機質基体上にフォトレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、非マスク領域の無機質基体をエッチングを行い、微細回路を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質基体から剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成した後、アッシングを行い、残存するレジスト残渣を無機質基体から剥離する方法によって製造される。
従来、上記レジスト膜、レジスト残渣を除去するレジスト剥離剤として、特開昭62−49355号公報、特開昭62ー95531号公報、特開平5−2737768号公報には水を含有しない有機アミン系剥離剤が開示されているが、これらの有機アミン系剥離剤では上記のエッチング後のレジスト膜、エッチング、アッシング後のレジスト残渣の剥離力がきわめて低い。
更に近年、配線工程における超微細化に伴い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用したフォトレジストが変質する傾向にあり、さらにエッチング、プラズマアッシングによるレジスト残渣もその組成が複雑化しており、先に述べたアミン系剥離剤ではレジスト膜、レジスト残渣の除去には効果がない。
また、エッチングにドライエッチングを使用する際には、ドライエッチングに使用するガス、レジスト及び各種無機質材料との相互作用によりレジスト残渣の一種である側壁ポリマー(サイドウオールポリマーとも呼ばれる)が発生する。これに対しても、上記従来の有機アミン系剥離剤では効果がない。
一方、特開昭64-81949号、特開昭64-81950号、特開平6-266119号には水を含有するアルカノールアミン系剥離剤が開示されている。しかしながら、これらの水を含有するアルカノールアミン系剥離剤でも、上記レジスト膜、レジスト残渣の除去には満足すべき効果が得られていない。
また、近年半導体集積回路や液晶表示装置の半導体素子の材料として種々の材料が使用されており、種々の無機質基体を腐食しないフォトレジスト剥離剤が要求されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来技術における上記の如き、剥離剤の問題点を解決し、無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはフォトレジスト層をエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣等を低温でかつ短時間で容易に剥離でき、且つ、種々の材料の無機質基体を全く腐食せずに微細加工が可能であり、高精度の回路配線を製造できるフォトレジスト剥離剤組成物を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者等らは、前記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存するマスク形成されたフォトレジストおよびレジスト残渣、あるいはエッチング後にアッシングを行い残存するレジスト残渣を容易に短時間で剥離でき、その際配線材料や絶縁膜等を全く腐食せずに微細加工が可能であり、高精度の配線回路を可能にするフォトレジスト剥離剤組成物を見い出した。
本発明はかかる見知に基いて完成したものである。
すなわち、本発明はアミン化合物と、アルカノールアミド化合物、さらには防食剤とからなることを特徴とする剥離剤組成物に関するものである。
【0005】
【発明の実施の形態】
本発明に使用するアルカノールアミドは、下記[I]式または[II]式で示される様なCONのアミド構造と-CRH-OHのアルカノール構造を有する化合物である。
【0006】
【化3】
【0007】
【化4】
(R1=H、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アリール基またはアミノ基、R2= H, アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アリール基またはアリル基、R3= H, アルキル基またはヒドロキシアルキル基)
アルカノールアミド構造は分子内に1つ以上有していればよく、多くのアルカノールアミド構造を有していても何ら差し支えない。
特に本発明のアルカノールアミド化合物は上記の一般式 [I]または[II]に示されるR3基がHとメチル基の物が、多数製造されており容易に入手でき好ましい。本発明に使用されるアルカノールアミドの具体的な例はN-メチロールアセトアミド、N-メチロールホルムアミド、N-(1-ヒドロキシエチル)アセトアミド、N-(1-ヒドロキシエチル)ホルムアミド、N-メチロール尿素、N,N'-ジメチロール尿素、N-メチロールアクリルアミド、N-メチロールメタクリルアミド、N-メチル-N-ヒドロキシメチルアセトアミド、N-エチル-N-ヒドロキシメチルアセトアミド、N-メチル-N-ヒドロキシメチルホルムアミド、N-エチル-N-ヒドロキシメチルホルムアミド、N, N-ジヒドロキシメチルホルムアミド、N, N-ジヒドロキシメチルアセトアミド、メチロールステアリルアミド、メチロールチオ尿素、メチロールヒダントイン、メチロールピロリドン、N-メチロールラクトアミド、N-メチロール2-ヒドロキシ-2-メチルプロピルアミド、N-(1-ヒドロキシエチル)アクリルアミド、N-(1-ヒドロキシエチル)メタクリルアミド、N-メチロールコハク酸イミド、N-メチロールプロピオンアミド、ポリアクリルアミドメチロール、ポリメタクリルアミドメチロール等があげられる。
本発明においてアルカノールアミド化合物は上記の化合物に限定されず、アルカノールアミド構造を少なくとも分子内に1つ以上有していればよい。
【0008】
アミン化合物として具体的には下記のものがあげられる。アルキルアミンとしてはメチルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、イソブチルアミン、 t−ブチルアミン、ペンチルアミン、2−アミノペンタン、3−アミノペンタン、1−アミノ−2−メチルブタン、2−アミノ−2−メチルブタン、3−アミノ−2−メチルブタン、4−アミノ−2−メチルブタン、ヘキシルアミン、5−アミノ−2−メチルペンタン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン等の第一アルキルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−sec−ブチルアミン、ジ−t−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、メチルエチルアミン、メチルプロピルアミン、メチルイソプロピルアミン、メチルブチルアミン、メチルイソブチルアミン、 メチル−sec−ブチルアミン、メチル−t−ブチルアミン、メチルアミルアミン、メチルイソアミルアミン、エチルプロピルアミン、エチルイソプロピルアミン、エチルブチルアミン、エチルイソブチルアミン、エチル−sec−ブチルアミン、エチルアミン、エチルイソアミルアミン、プロピルブチルアミン、プロピルイソブチルアミン等の第二アルキルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチルアミン、メチルジプロピルアミン等の第三アルキルアミン等があげられる。
【0009】
アルカノールアミンとしては、エタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N−プロピルエタノールアミン、N−ブチエタノールアミン、ジエタノールアミン、イソプロノールアミン、N−メチルイソプロパノールアミン、N−エチルイソプロパノールアミン、N−プロピルイソプロパノールアミン、2−アミノプロパン−1−オール、N−メチル−2−アミノ−プロパン−1−オール、N−エチル−2−アミノ−プロパン−1−オール、1−アミノプロパン−3−オール、N−メチル−1−アミノプロパン−3−オール、N−エチル−1−アミノプロパン−3−オール、1−アミノブタン−2−オール、N−メチル−1−アミノブタン−2−オール、N−エチル−1−アミノブタン−2オール、2−アミノブタン−1−オール、N−メチル−2−アミノブタン−1−オール、N−エチル−2−アミノブタン−1−オール、
3−アミノブタン−1−オール、N−メチル−3−アミノブタン−1−オール、N−エチル−3−アミノブタン−1−オール、1−アミノブタン−4−オール、N−メチル1−アミノブタン−4−オール、N−エチル−1−アミノブタン−4−オール、1−アミノ−2−メチルプロパン−2−オール、2−アミノ−2−メチルプロパン−1−オール、1−アミノペンタン−4−オール、2−アミノ−4−メチルペンタン−1−オール、2−アミノヘキサン−1−オール、3−アミノヘプタン−4−オール、1−アミノオクタン−2−オール、5−アミノオクタン−4−オール、1−アミノプパン−2,3−ジオール、2−アミノプロパン−1,3−ジオール、トリス(オキシメチル)アミノメタン、1,2−ジアミノプロパン−3−オール、1,3−ジアミノプロパン−2−オール、2−(2−アミノエトキシ)エタノール等があげられる。
【0010】
ポリアミンとしては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、1,3−ジアミノブタン、2,3−ジアミノブタン、ペンタメチレンジアミン、2,4−ジアミノペンタン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、N−メチルエチレンジアミン、N,N−ジメチルエチレンジアミン、トリメチルエチレンジアミン、N−エチルエチレンジアミン、N,N−ジエチルエチレンジアミン、トリエチルエチレンジアミン、 1,2,3−トリアミノプロパン、ヒドラジン、トリス(2−アミノエチル)アミン、テトラ(アミノメチル)メタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチルペンタミン、ヘプタエチレンオクタミン、ノナエチレンデカミン、等があげられる。
【0011】
ヒドロキシルアミンとしては、ヒドロキシルアミン、N-メチルヒドロキシルアミン、N-エチルヒドロキシルアミン、N, N-ジエチルヒドロキシルアミンがあげられる。
【0012】
環式アミンとしては、具体的にはピロール、2−メチルピロール、3−メチルピロール、2−エチルピロール、3−エチルピロール、2,3−ジメチルピロール、2,4ジメチルピロール、3,4−ジメチルピロール、2,3,4−トリメチルピロール、2,3,5−トリメチルピロール、2−ピロリン、3−ピロリン、ピロリジン、2−メチルピロリジン、3−メチルピロリジン、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,3,4−テトラゾール、ピペリジン、2−ピペコリン、3−ピペコリン、4−ピペコリン、 2−4ルペチジン、2,6−ルペチジン、3,5−ルペチジン、ピペラジン、2−メチルピペラジン、2,5−ジメチルピペラジン、2,6−メチルピペラジン、モルホリン等があげられる。
本発明に使用されるアミンは上記のアミンに限定されなく、アミン化合物であれば何ら制約されない。
上記アルキルアミン、アルカノールアミン、ポリアミン、ヒドロキシルアミン、環式アミンの中で好ましくは、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、エタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、2-(2-アミノエトキシ)エタノール、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ブチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ピペラジン、モルホリンがあげられる。
これらのアミンは単独、もしくは複数組み合わして使用される。
【0013】
本発明に使用される有機溶剤は上記のアルカノールアミドとアミンの混合物と混和可能であればよく、特に制限がない。好ましくは水溶性有機溶剤である。例としてはエチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレンゴリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン等のアミド系溶剤、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス(2−ヒドロキシスルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン系溶剤、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶剤、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤等があげられる。
これらの中でこのましくは、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアルド、 N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルである。
【0014】
本発明において防食剤が使用できる。防食剤の種類としては燐酸系、カルボン酸系、オキシム系、糖アルコール、芳香族ヒドロキシ化合物があげられる。
1、2ープロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ヒドロキシエタンホスホン酸等の燐酸系、エチレンジアミンテトラアセティックアシッド、ジヒドロキシエチルグリシン、ニトリロトリアセティックアシッド、シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸等のカルボン酸系、ビビリジン、テトラフェニルポルフィリン、フェナントロリン、2,3-ピリジンジオール等のアミン系、ジメチルグリオキシム、ジフェニルグリオキシム等のオキシム系防食剤、ソルビトール、キシリトール等の糖アルコール等が例としてあげられる。。
【0015】
芳香族ヒドロキシ化合物としては、具体的にフェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、 1,2,4−ベンゼントリオール、サリチルアルコール、p−ヒドロキシベンジルアルコール、o−ヒドロキシベンジルアルコール、p−ヒドロキシフェネチルアルコール、 p−アミノフェノール、m−アミノフェノール、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、p−ヒドロキシ安息香酸、o−ヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキ安息香酸、2,5−ジヒドロキシ安息香酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、3,5−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸等があげられる。本発明の防食剤として特に芳香族ヒドロキシ化合物が好適である。これらの化合物の単独、又は2種以上を組み合わせて配合できる。
上記芳香族ヒドロキシ化合物の中でカテコールが安価であり好ましい。
【0016】
本発明においてアルカノールアミド化合物の濃度はアミン化合物に対し、アミン化合物/アルカノールアミド化合物(重量比)=0.0001〜10000、好ましくは0.005〜200の範囲で使用される。アミン化合物は2〜99.99重量%の濃度、好ましくは5から95重量%の範囲で使用できる。
【0017】
本発明において有機溶剤の使用には制限がないが、組成物の粘度、比重もしくはエッチング、アッシング条件等を勘案して濃度を決定すればよい。使用する場合には0〜90重量%の濃度で使用することができる。
本発明の組成物において防食剤の添加量に規定はないが0〜30重量%、好ましくは15重量%以下である。
本発明における水の使用は限定がないがエッチング、アッシング条件等を勘案して濃度を決定すればよい。好ましくは0〜50重量%の範囲で使用される。
【0018】
本発明のレジスト剥離剤を使用して、レジストを剥離して半導体素子を製造する際の温度は通常は常温〜150℃の範囲であるが、特に70℃以下の低い温度で剥離することができ、材料へのアタックを考慮するとできるだけ低い温度で実施するのが好ましい。
【0019】
本発明に使用される無機質基体としては、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、銅及び銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タングステン、窒化チタン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、クロム、クロム酸化物、クロム合金、ITO(インジュウムースズ酸化物)等の半導体配線材料あるいはガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リン等の化合物半導体、さらにLCDのガラス基板等が使用される。
【0020】
本発明の半導体素子の製造方法は、所定のパターンをレジストで形成された上記導電薄膜の不要部分をエッチング除去し、その際に生じるレジスト残渣を上述した剥離液で除去するものであるが、エッチング後、所望により灰化処理を行い、しかる後にエッチングにより生じた残査を、上述した剥離液で除去することもできる。 ここで言う灰化処理(アッシング)とは、例えば有機高分子よりなるレジストをプラズマ中で発生する酸素プラズマにより、燃焼反応でCO,CO2 として除去するものである。
本発明は、フォトレジスト剥離剤を使用した後のリンス法としては、アルコールのような有機溶剤を使用しても良く、あるいは、水でリンスを行っても良く、特に制限はない。
【0021】
【実施例】
次に実施例により本発明を具体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。図1に、フォトレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行い、Al合金(Al−Cu)配線体5を形成し、さらに酸素プラズマにより灰化処理を行った後の半導体装置の一部分の断面図を示した。半導体装置はシリコン基板1の上に酸化膜2が形成され、酸化膜2上に、配線体であるAl合金5が形成され、側壁にレジスト残渣7が残存している。なお、バリアメタルとして、チタン3、窒化チタン(4、6)が存在している。
【0022】
実施例1〜12、比較例1〜3
図1の半導体装置を表1、表2,表3に示す組成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリンスして乾燥し、電子顕微鏡(SEM)で観察を行った。フォトレジスト膜およびレジスト残渣の剥離状態と、アルミニウム(Cl)配線体の腐食状態についての評価を行った結果を表1、表2、表3に示す。なお、SEM観察による評価基準は次の通りである。以下に記載の実施例および比較例においてもこの評価基準を用いた。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】
【表3】
【0026】
【発明の効果】
本発明のレジスト剥離剤組成物を使用することにより、反応性ガスを用いたドライエッチング、アッシング後に残存するレジスト残渣を配線材料等を腐食することなく、極めて容易に剥離することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行い、Al合金配線体を形成し、さらに酸素プラズマにより灰化処理を行った後の半導体装置の一部分の断面図である。
【符号の説明】
1シリコン基板、2酸化膜、3チタン、4窒化チタン、5Al合金、6窒化チタン、7レジスト残渣
Claims (4)
- アミン化合物と、下記[I]式または[II]式で表される構造を有するアルカノールアミド化合物を含有することを特徴とするレジスト剥離剤組成物。
- [I]式および[II]式のR3がHまたはメチル基であるアルカノールアミド化合物であることを特徴とする請求項1記載のレジスト剥離剤組成物。
- アルカノールアミド化合物がN‐メチロールアセトアミド、N−メチロールホルムアミド、N−(1−ヒドロキシエチル)アセトアミド、N−(1−ヒドロキシエチル)ホルムアミド、N−メチロール尿素、N,N‘−ジメチロール尿素、N−メチロールアクリルアミドまたは、N−メチロールメタクリルアミドであることを特徴とする請求項1または2のレジスト剥離剤組成物。
- アミン化合物がアルキルアミン、アルカノールアミン、ポリアミン、ヒドロキシルアミンまたは環式アミンであることを特徴とする請求項1〜3何れか1項記載のレジスト剥離剤組成物。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001197935A JP4810764B2 (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | レジスト剥離剤組成物 |
EP02743687A EP1400858B1 (en) | 2001-06-29 | 2002-06-21 | Photoresist stripper composition |
KR1020037002922A KR100907142B1 (ko) | 2001-06-29 | 2002-06-21 | 포토레지스트 박리제 조성물 |
PCT/JP2002/006216 WO2003003124A1 (fr) | 2001-06-29 | 2002-06-21 | Composition de decapage de photoresine |
US10/363,064 US20040081922A1 (en) | 2001-06-29 | 2002-06-21 | Photoresist stripper composition |
DE60233406T DE60233406D1 (de) | 2001-06-29 | 2002-06-21 | Fotoresist-entfernungszusammensetzung |
TW091114143A TWI317354B (en) | 2001-06-29 | 2002-06-27 | Photo-resist releasing agent composition and method of producing semi-conductive elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001197935A JP4810764B2 (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | レジスト剥離剤組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003015320A JP2003015320A (ja) | 2003-01-17 |
JP4810764B2 true JP4810764B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=19035458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001197935A Expired - Lifetime JP4810764B2 (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | レジスト剥離剤組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040081922A1 (ja) |
EP (1) | EP1400858B1 (ja) |
JP (1) | JP4810764B2 (ja) |
KR (1) | KR100907142B1 (ja) |
DE (1) | DE60233406D1 (ja) |
TW (1) | TWI317354B (ja) |
WO (1) | WO2003003124A1 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050049162A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-03 | Schlosser Ted M. | Petroleum-free, ammonia-free cleaner for firearms and ordnance |
US20070272282A1 (en) * | 2003-10-29 | 2007-11-29 | Nagase Chemtex Corporation | Composition for Removing Photoresist and Method for Removing Photoresist |
KR100663624B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2007-01-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
US8178482B2 (en) * | 2004-08-03 | 2012-05-15 | Avantor Performance Materials, Inc. | Cleaning compositions for microelectronic substrates |
JP4846301B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2011-12-28 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ基板の製造方法及びストリッピング組成物 |
KR100594940B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-06-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 포토레지스트 세정용 수용액 조성물, 및 이를 이용한 패턴형성 방법 |
US20070251551A1 (en) * | 2005-04-15 | 2007-11-01 | Korzenski Michael B | Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems |
KR101088568B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2011-12-05 | 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. | 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼 |
KR100705416B1 (ko) * | 2005-06-15 | 2007-04-10 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 제거용 조성물, 이의 제조방법, 이를 이용한포토레지스트의 제거 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
DE602006017559D1 (de) * | 2005-08-13 | 2010-11-25 | Techno Semichem Co Ltd | Fotoresist-entfernungszusammensetzung für die halbleiterherstellung |
KR100718532B1 (ko) * | 2005-08-13 | 2007-05-16 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |
US8263539B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-09-11 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use |
US7632796B2 (en) * | 2005-10-28 | 2009-12-15 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
US9329486B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-05-03 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
US20070243773A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-10-18 | Phenis Michael T | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
US7998914B2 (en) | 2005-12-01 | 2011-08-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning solution for semiconductor device or display device, and cleaning method |
US20070179072A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Rao Madhukar B | Cleaning formulations |
US7655608B2 (en) * | 2007-08-03 | 2010-02-02 | Dynaloy, Llc | Reduced metal etch rates using stripper solutions containing a copper salt |
US8551682B2 (en) * | 2007-08-15 | 2013-10-08 | Dynaloy, Llc | Metal conservation with stripper solutions containing resorcinol |
TWI450052B (zh) * | 2008-06-24 | 2014-08-21 | Dynaloy Llc | 用於後段製程操作有效之剝離溶液 |
CN102301282B (zh) * | 2008-11-28 | 2014-03-05 | 出光兴产株式会社 | 防腐蚀性光致抗蚀剂剥离剂组合物 |
EP2386538B1 (en) * | 2009-01-06 | 2015-07-29 | Showa Denko K.K. | N-(1-hydroxyethyl)carboxamide compound and process for producing same |
US8309502B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
US8614053B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-12-24 | Eastman Chemical Company | Processess and compositions for removing substances from substrates |
US8444768B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
KR101829399B1 (ko) * | 2010-03-04 | 2018-03-30 | 삼성전자주식회사 | 감광성 수지 제거제 조성물 및 이를 이용하는 반도체 제조 공정 |
TWI539493B (zh) | 2010-03-08 | 2016-06-21 | 黛納羅伊有限責任公司 | 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物 |
KR101721262B1 (ko) * | 2010-09-01 | 2017-03-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 그를 이용한 박리방법 |
US20120073607A1 (en) * | 2010-09-27 | 2012-03-29 | Eastman Chemical Company | Polymeric or monomeric compositions comprising at least one mono-amide and/or at least one diamide for removing substances from substrates and methods for using the same |
US8987181B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-03-24 | Dynaloy, Llc | Photoresist and post etch residue cleaning solution |
US9158202B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-10-13 | Dynaloy, Llc | Process and composition for removing substances from substrates |
US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
CN103336412B (zh) * | 2013-07-03 | 2017-02-08 | 北京科华微电子材料有限公司 | 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺 |
US9957469B2 (en) | 2014-07-14 | 2018-05-01 | Versum Materials Us, Llc | Copper corrosion inhibition system |
EP3220409B1 (en) | 2014-11-13 | 2020-08-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Semiconductor element cleaning solution that suppresses damage to cobalt, and method for cleaning semiconductor element using same |
WO2017208767A1 (ja) * | 2016-06-03 | 2017-12-07 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板洗浄方法およびレジストの除去方法 |
CN107995960B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-03-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 抗蚀剂剥离液 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ZA87922B (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-30 | Macdermid Inc | Photoresist stripper composition |
JPH0769618B2 (ja) * | 1987-09-25 | 1995-07-31 | 旭化成工業株式会社 | フオトレジスト用剥離剤 |
US5102777A (en) * | 1990-02-01 | 1992-04-07 | Ardrox Inc. | Resist stripping |
JP2911792B2 (ja) * | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
JP3373105B2 (ja) * | 1996-03-11 | 2003-02-04 | 富士フイルムアーチ株式会社 | フォトレジスト剥離液 |
JP3682339B2 (ja) * | 1996-05-21 | 2005-08-10 | 日東電工株式会社 | レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法 |
KR100335484B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2002-05-04 | 윤종용 | 알콕시 n-하이드록시알킬 알칸아미드로 된 레지스트 제거제, 레지스트 제거용 조성물, 이들의 제조 방법 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법 |
JP3891735B2 (ja) * | 1998-08-05 | 2007-03-14 | 三星電子株式会社 | アルコキシn−ヒドロキシアルキルアルカンアミドからなるレジスト除去剤、レジスト除去用組成物、これらの製造方法及びこれらを用いたレジスト除去方法 |
JP4224651B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP2001022095A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-26 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト用剥離液 |
JP2001055095A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-27 | Takashimaya Nippatsu Kogyo Co Ltd | 車輛用ドアトリム |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001197935A patent/JP4810764B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-21 WO PCT/JP2002/006216 patent/WO2003003124A1/ja active Application Filing
- 2002-06-21 EP EP02743687A patent/EP1400858B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-21 DE DE60233406T patent/DE60233406D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-21 KR KR1020037002922A patent/KR100907142B1/ko active IP Right Grant
- 2002-06-21 US US10/363,064 patent/US20040081922A1/en not_active Abandoned
- 2002-06-27 TW TW091114143A patent/TWI317354B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040014975A (ko) | 2004-02-18 |
EP1400858B1 (en) | 2009-08-19 |
TWI317354B (en) | 2009-11-21 |
WO2003003124A1 (fr) | 2003-01-09 |
EP1400858A4 (en) | 2006-06-28 |
KR100907142B1 (ko) | 2009-07-09 |
US20040081922A1 (en) | 2004-04-29 |
EP1400858A1 (en) | 2004-03-24 |
JP2003015320A (ja) | 2003-01-17 |
DE60233406D1 (de) | 2009-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4810764B2 (ja) | レジスト剥離剤組成物 | |
JP4224651B2 (ja) | レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
US7078371B2 (en) | Cleaning composition | |
US7049275B2 (en) | Photoresist stripping composition and cleaning composition | |
JP4085262B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
JP4359754B2 (ja) | 基板の洗浄剤 | |
JP2003140364A (ja) | 銅配線基板向けレジスト剥離液 | |
JP4035701B2 (ja) | レジスト剥離剤及びその使用方法 | |
JP4867092B2 (ja) | レジスト剥離剤組成物 | |
JP4320865B2 (ja) | レジスト剥離剤組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法。 | |
JP4639567B2 (ja) | フォトレジスト剥離液組成物 | |
JP2001242642A (ja) | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 | |
JP2003156859A (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 | |
JP4577474B2 (ja) | レジスト剥離剤組成物 | |
JPH11251214A (ja) | タンタル薄膜回路素子の製造方法 | |
JP2004252369A (ja) | 水あめを含有する表面処理剤 | |
JP2003140365A (ja) | レジスト剥離液の使用方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110808 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4810764 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |