JP3833176B2 - フォトレジスト除去剤組成物 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大規模集積回路（ＬＳＩ）、超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）などの半導体装置の製造過程において、フォトレジストを除去するために用いるフォトレジスト除去剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の製造過程において半導体装置の導体層上にフォトレジストパターンが形成される。そして、導体層上のパターンによって覆われていない部分は、パターンをマスクとして用いて繰り返されるリソグラフィー工程によりエッチングされて、導体層パターンを形成する。マスクとして利用されたフォトレジストパターンは、導体層パターン形成後に行われる剥離工程でフォトレジスト除去剤を用いて導体層から除去する必要がある。しかし、最近の超大規模集積回路製造工程は、導体層パターンを形成するために乾式エッチング工程を採用しているため、続いて行われる剥離工程においてフォトレジストを除去するのが難しくなっている。
【０００３】
乾式エッチング工程は、酸性薬液を用いる湿式とは反対に、プラズマエッチングガスと導体層などの物質膜の間の気相−固相反応を利用して実行される。乾式エッチング処理は制御が容易でシャープなパターンを作るため、現在のエッチング処理の主流となっている。しかし、導体層の乾式エッチング過程では、プラズマエッチングガスのイオンとラジカルが、フォトレジスト表面でフォトレジスト層と化学反応を行って、これによりフォトレジストが急速に硬化する。したがって、フォトレジスト除去が困難となっている。特に、乾式エッチング過程において、アルミニウム、アルミニウム合金及び窒化チタンのような導体層から生成された、硬化した側壁部フォトレジストポリマーは、剥離工程において、各種除去剤を使用しても除去し難い。
【０００４】
従来、剥離工程の初期のフォトレジスト除去剤として、有機アミン化合物と有機溶剤を混合して得られるフォトレジスト除去剤組成物が提案されており、特に必須の有機アミン化合物としてモノエタノールアミン（ＭＥＡ）を含むフォトレジスト除去剤組成物は最も広く使用されてきた。
【０００５】
例えば、ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）や２−（２−アミノエトキシ）エタノール（ＡＥＥ）などの有機アミン化合物とｂ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、カルビトールアセテートやメトキシアセトキシプロパン（米国特許第４，６１７，２５１号明細書に開示）などの極性溶剤からなる２成分系フォトレジスト除去剤組成物（米国特許４，６１７，２５１号）；ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、モノプロパノールアミンやメチルアミルエタノールなどの有機アミン化合物とｂ）Ｎ−メチルアセトアミド（ＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド（ＤＥＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアセトアミド（ＤＰＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルブチルアミドやＮ−メチル−Ｎ−エチルプロピオンアミドなどのアミド溶剤からなる２成分系フォトレジスト除去剤組成物（米国特許第４，７７０，７１３号明細書）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）などの有機アミン化合物とｂ）１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、１，３−ジメチル−テトラヒドロピリミジノンなどの非プロトン性極性溶剤類からなる２成分系フォトレジスト除去剤組成物（独国特許出願公開第３，８２８，５１３号明細書）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）などのアルカノールアミンやエチレンジアミンのエチレンオキシドを導入したアルキレンポリアミン、ｂ）スルホラン又はスルホン化合物とｃ）ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのグリコールモノアルキルを所定混合比としたフォトレジスト除去剤組成物（特開昭６２−４９３５５号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）やジエタノールアミン（ＤＥＡ）などの水溶性アミンとｂ）１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンからなるフォトレジスト除去剤組成物（特開昭６３−２０８０４３号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、エチレンジアミンやベンジルアミンなどのアミン類、ｂ）ＤＭＡｃ、ＮＭＰ、ＤＭＳＯなどの極性溶剤とｃ）界面活性剤からなるポジ型レジスト除去剤組成物（特開昭６３−２３１３４３号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）などの含窒素有機ヒドロキシ化合物、ｂ）ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、γ−ブチルにラクトン及び１，３−ジメチル−２−イミダゾリノンから選択された一つ以上の溶剤とｃ）ＤＭＳＯを特定比率で混合したポジ型レジスト除去剤組成物（特開昭６４−４２６５３号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）などの有機アミン化合物、ｂ）ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ＤＭＡｃ、ＮＭＰ、ＤＭＳＯなどの非プロトン性極性溶剤類とｃ）リン酸エステル系界面活性剤からなるポジ型レジスト除去剤組成物（特開平４−１２４６６８号公報）; ａ）１，３−ジメチル−２−イミダゾリノン（ＤＭＩ）、ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、ｃ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）などの有機アミン化合物からなるフォトレジスト除去剤組成物（特開平４−３５０６６０号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ｂ）ＤＭＳＯとｃ）カテコールからなるフォトレジスト除去剤組成物（特開平５−２８１７５３号公報）などが提案されている。このようなフォトレジスト除去剤組成物は安全性、作業効率、フォトレジスト除去性能で比較的に優れた特性を示している。
【０００６】
しかし、最近の半導体素子の製造工程では、シリコンウエハーをはじめとした各種基板を高温で処理するハードベーク工程を行う傾向があり、処理条件が高温化している。前記例示のフォトレジスト除去剤では、高温でハードベークされたフォトレジストに対しては除去能力が十分ではない。そこで、高温でハードベークされた前記フォトレジストを除去するための組成物として、水を含有する水系フォトレジスト除去剤が提案された。例えば、ａ）ヒドロキシルアミン類、ｂ）アルカノールアミン類及びｃ）水からなるフォトレジスト除去剤組成物（特開平４−２８９８６６号公報）; ａ）ヒドロキシルアミン類、ｂ）アルカノールアミン類、ｃ）水及びｄ）防食剤からなるフォトレジスト除去剤組成物（特開平６−２６６１１９号公報）; ａ）ＧＢＬ、ＤＭＦ、ＤＭＡｃやＮＭＰなどの極性溶剤類、ｂ）２−メチルアミノエタノールなどのアミノアルコール類及びｃ）水を含有するフォトレジスト除去剤組成物（特開平７−６９６１８号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）などのアミノアルコール類、ｂ）水及びｃ）ブチルジグリコールを含有するフォトレジスト除去剤組成物（特開平８−１２３０４３号公報）; ａ）アルカノールアミン類やアルコキシアルキルアミン類、ｂ）グリコールモノアルキルエーテル、ｃ）糖アルコール類、ｄ）第４級アンモニウム水酸化物及びｅ）水を含有するフォトレジスト除去剤組成物（特開平８−２６２７４６号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）及びＡＥＥのうちの一つ以上のアルカノールアミン、ｂ）ヒドロキシルアミン、ｃ）ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ｄ）糖類（ソルビトール）及びｅ）水を含有するフォトレジスト除去剤組成物（特開平９−１５２７２１号公報）; ａ）ヒドロキシルアミン類、ｂ）水、ｃ）酸解離整数（ｐＫａ）が７．５乃至１３であるアミン類、ｄ）水溶性有機溶媒及びｅ）防食剤からなるフォトレジスト除去剤組成物（特開平９−９６９１１号公報）などが提案されている。しかし、前記フォトレジスト除去剤組成物も、超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）の製造に用いられる乾式エッチングまたは灰化工程において、プラズマガスに曝されて変質した側壁レジストポリマーを十分に除去できないということが分かった。そこで、ドライエッチング工程おいても使用することができるフォトレジスト除去剤の開発が要請されている。
【０００７】
上述のように、従来のフォトレジストでは、乾式エッチング工程を経たフォトレジストを除去するのが困難である。フォトレジスト層の表面硬化の原因は、イオンビームの高エネルギーと高照射量による反応熱である。同時に、加えて、フォトレジスト残渣が生じるのは、フォトレジストのポッピング現象のためである。通常、ウエハーは灰化処理で２００℃以上に加熱される。この時、フォトレジスト内部に残存する溶剤は排出されなければならないが、灰化工程後のフォトレジスト表面に存在する硬化層のため、これが不可能である。
【０００８】
このように、灰化処理の進行によって、フォトレジスト層の内部圧力が上昇し、フォトレジスト層表面が破裂するのは、内部にある溶剤にためである。これをポッピング現象という。フォトレジスト表面に形成された硬化層は散在しており、残留物を硬化層から除去することは困難である。更に、フォトレジストは残留物と粒状体に変化して汚染源となり、ＶＬＳＩチップ製造の歩留まりを低下させる。特に、フォトレジストを効果的に除去するために剥離工程前に灰化工程を行う場合には、フォトレジストの変質はさらに進むので、剥離工程中の半導体装置の不良率が増加する。
【０００９】
上述した硬化フォトレジスト層を効果的に除去するための各種のエッチング工程が提案されており、その中には、２段階で灰化工程を行う方法が記載されている日本応用物理協会（Japanese Applied Physics Association の予稿集、藤村ら、第１乃至１３頁，第５７４頁，１３８９）。この２段階灰化処理によると、灰化の第１段階は普通の方法で実行され、その後、第２段階の灰化処理が実行される。しかし、このような工程は複雑であり、大規模な装置をも要し、工程効率を低下させる。
【００１０】
結局、前記問題は水系フォトレジスト除去剤組成物を用いた剥離工程で解決できる。最近では、硬化フォトレジストに対して比較的良好な除去特性を有するため、ヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、防食剤及び水からなるフォトレジスト除去剤組成物が提案され、広く使われている。しかし、このフォトレジスト除去剤組成物は６４メガＤＲＡＭ級以上のＤＲＡＭ半導体生産ラインに採用された新金属層に対する腐蝕により、アンダーカット現象を生じる。このため、前記欠点を克服できる、新たなフォトレジスト除去剤の開発が求められている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、乾式エッチングや灰化工程によって変質した側壁フォトレジストポリマーを迅速かつ容易に除去できるフォトレジスト除去剤組成物を提供することを目的とする。特に、窒化チタン層からエッチされる金属性副産物から形成される側壁フォトレジストポリマーを除去できるフォトレジスト除去剤組成物である。本発明のフォトレジスト除去剤組成物は、更に、下地金属膜材料の腐食を最小限にできるものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記課題を達成するために、本発明では、（ａ）水溶性ヒドロキシルアミン２〜２０重量％、（ｂ）ブタノンオキシム、プロパノンオキシム及びそれらの混合物からなる群より選択されるオキシム化合物５〜１５重量％、（ｃ）水１０〜４５重量％、（ｄ）水酸基を２個または３個含有する有機フェノール系化合物４〜１５重量％及び（ｅ）アルキルアミド３０〜５５重量％を含有することを特徴とするフォトレジスト除去剤組成物、を提供する。
【００１３】
本発明のフォトレジスト除去剤組成物において、前記ヒドロキシルアミンの含有量は２〜２０重量％が好ましい（市販されているヒドロキシルアミンの含有量は、５０％水溶液の状態である）。つまり、水溶性ヒドロキシルアミンの含有量が２重量％未満の場合には、乾式エッチング又は灰化工程によって変質した側壁フォトレジストポリマーを全部除去するのは難しい。更に、２０重量％を超える場合にはアルミニウムやアルミニウム合金のような下地金属膜材料に対する腐食が大きくなる。
【００１４】
本発明のフォトレジスト除去剤組成物において、オキシム化合物はブタノンオキシム、プロパノンオキシムからなる群より選択される。オキシム化合物の含有量は５〜１５重量％が好ましい。オキシム化合物の含有量が５重量％未満の場合には、剥離した側壁フォトレジストポリマーに対する溶解度が低下する。オキシム化合物の含有量が１５重量％を超える場合には、オキシム化合物の高沸点特性により低温でのフォトレジスト溶解度が低下する。
【００１５】
本発明のフォトレジスト除去剤組成物において、水はイオン交換樹脂でろ過した純水が好ましい。比抵抗が１８ＭΩ以上の脱イオン水がさらに好ましい。
【００１６】
前記水の含有量は１０〜４５重量％が好ましい。本発明のフォトレジスト除去剤組成物において、水の含有量が１０重量％未満の場合には、水がヒドロキシルアミンを活性化することができないためフォトレジスト除去能力が低下する。水の含有量が４５重量％を超える婆には、相対的に他成分含有量が減ってフォトレジストを除去する能力が低下するだけでなく、下地金属膜材料に対する腐食性が高くなる。研究の結果、水の最適含有量は１０〜４５重量％であると確認された。
【００１７】
本発明のフォトレジスト除去剤組成物における、水酸基を２個または３個含有するフェノール系化合物は下記化学式１：
【化３】
（ここで、ｍは２乃至３の整数を示す。）で表される。
【００１８】
本発明のフォトレジスト除去剤組成物において、前記水酸基を２個または３個含有するフェノール系化合物は、ヒドロキシルアミンと水の水素イオンの反応で生成する水酸基イオンを導体層間の接触面に浸透させる機能を持つ。また、水酸基を２個または３個含有するフェノール系化合物は、フォトレジスト除去剤組成物から生成された水酸基による腐蝕から、下地金属膜材料を守る腐蝕防止機能を持つ。
【００１９】
水酸基を２個または３個含有するフェノール系化合物の含有量は４〜１５重量％であるのが好ましい。前記フェノール系化合物の含有量が４重量％未満の場合には、下地金属膜材料の腐蝕性が高くなる。前記フェノール系化合物の含有量が１５重量％を超える場合には、フォトレジスト除去剤組成物の粘度が上昇して使用時に不便である。
【００２０】
前記フォトレジスト除去剤組成物における、アルキルアミドは、下記化学式２：
【化４】
（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は、各々、水素であるか、または少なくとも一つ以上がアルキル基であり、前記アルキル基は炭素数が１乃至２である直鎖状アルキル基である。）で表わされる。
【００２１】
前記アルキルアミドの含有量は３０〜５５重量％が好ましい。前記アルキルアミドの含有量が３０重量％未満の場合には、フォトレジストの溶解度が低下する。アルキルアミドの含有量が５５重量％を超える場合には、他成分の含有量が減って窒化チタン層に起因するフォトレジストの除去が不完全になる。
【００２２】
研究の結果、オキシム化合物とアルキルアミドを水溶性ヒドロキシルアミンと所定比率で混合すれば側壁フォトレジストポリマーが除去できることを発見した。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に、詳細に説明するが、これらは本発明の好ましい実施例を示すものであり、下記の実施例に制限されるものではないのは当然のことである。
【００２４】
一方、下記の実施例において、別途、言及のない限り、％及び混合比は重量基準である。本発明の実施例及び比較例において、性能評価は次の方法によって実施した。
【００２５】
（１）フォトレジスト除去効率の試験
試片Ａの作製
アルミニウム合金及び窒化チタンの膜が底部から各々順次に８００Å及び１５０Åで蒸着されている８インチシリコンウエハーの表面に、ＴＥＯＳ、ＦＯX 及びＴＥＯＳをＣＶＤ装置を用いて順次蒸着した。汎用的に用いられるポジ型フォトレジスト組成物（東進セミケム社製，ＤＰＲ−ｉ９００）の膜厚はスピンコーティングで１．２μｍである。次いで、前記フォトレジスト膜をホットプレートで、１１０℃、９０秒間プリベークした。所定バイアホールパターンのマスクを前記フォトレジスト膜上に置いて、露光した。その後、バイアホールパターンのマスクを２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液により２１℃で６０秒間現像した後、前記バイアホールパターンが形成された試片を１２０℃で１００秒間ハードベークした。前記試片に形成されたフォトレジストパターンを乾式エッチング装置（日立社製，Ｍ３１８）でマスクとして用いた。
【００２６】
フォトレジストパターンによって覆われず露出していた窒化チタン層を、ＳＦ6 とＣｌ2 の混合ガスを乾式エッチングガスとして使用し、３５秒間エッチングした。次いで、大部分のフォトレジストをＯ2 プラズマを用いた灰化装置で除去して、試片を作製した。
【００２７】
フォトレジスト除去試験
前記試片Ａを、温度６５℃のフォトレジスト除去剤組成物に５分間、１０分間、２０分間、各々、浸漬した。続けて、前記試片Ａをフォトレジスト除去剤組成物から取り出した後、脱イオン水で水洗し、窒素ガスで乾燥した。フォトレジスト残留物が、バイアホールパターン周辺及び線パターン表面に付着しているか否かを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で検査し、フォトレジスト除去能率を評価した。結果を表２に示す。
【００２８】
○：バイアホールパターン周辺及び線パターン表面からレジスト残留物が完全に除去された場合
△：バイアホールパターン周辺及び線パターン表面からレジスト残留物が８０％以上除去されたが、微量残ってた場合
×：バイアホールパターン周辺及び線パターン表面にレジスト残留物の大部分が残っていた場合。
【００２９】
（２）金属パターンの腐食試験
試片Ｂの作製
試片Ｂは前記試片Ａと同様の方法に作製した。
【００３０】
金属パターンの腐食性試験
前記試片Ｂを温度６５℃のフォトレジスト除去剤組成物に５分間、１０分間、２０分間、各々、浸漬した。続けて、前記試片Ｂをフォトレジスト除去剤組成物から取り出した後、脱イオン水で水洗し、窒素ガスで乾燥した。下地金属膜材料において、アンダーカット現象が発生しているか否を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で検査し、また腐蝕性を評価した。結果を表３に示す。
【００３１】
○：下地金属パターンがアンダーカットされなかった場合
△：下地金属パターンが部分的にアンダーカットされた場合
×：下地金属パターンが大部分アンダーカットされた場合。
【００３２】
実施例１〜５及び比較例１〜３
各成分（ａ）〜（ｅ）を表１に示した比率で混合し、実施例１〜５及び各比較例のフォトレジスト除去剤組成物を調製した。その後、（１）フォトレジスト除去剤の試験、（２）金属層パターンの腐食試験を、これらフォトレジスト除去剤組成物に対して実施した。その試験結果をそれぞれ表２及び表３に示す。
【００３３】
【表１】
ＨＤＡ：ヒドロキシルアミン
Ｂ−Ｏｘｉｍｅ：ブタノンオキシム
Ｐ−Ｏｘｉｍｅ：プロパノンオキシム
ＰＧ：ピロガロール
ＰＣ：ピロカテコール
ＧＡ：没食子酸
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
Ｎ−ＭＡｃ：Ｎ−メチルアセトアミド
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＡＥＥ：２−（２−アミノエトキシ）エタノール
【００３４】
【表２】
【００３５】
図１〜図３は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ，日立社製，Ｎｏ．Ｓ−４１００）写真であり、実施例３と比較例１のフォトレジスト除去剤組成物に対するフォトレジスト除去能率を比較している。
【００３６】
図１〜図３は、フォトレジスト除去剤組成物を６５℃の条件下で行った、試片Ａに対する試験結果である。
【００３７】
図１は、アルミニウム合金層（１）、窒化チタン層（２）、テトラエチルオルト珪酸塩（ＴＥＯＳ）（３）、フォックス（ＦＯＸ：Ｆｌｏｗａｂｌｅ Ｏｘｉｄｅ）（４）、ＴＥＯＳ（５）が順次に積層され、さらに前記積層層にフォトレジスト（６）を塗布し後に、乾式エッチング工程及び灰化工程が行われた導体層パターンの断面写真である。側壁フォトレジストポリマーが、バイアホールの断面全体に存在することが、図1 で示されている。
【００３８】
図２は、比較例１のフォトレジスト除去組成物のフォトレジスト除去性能を６５℃で試験した結果を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００３９】
図３は、実施例３のフォトレジスト除去組成物のフォトレジスト除去性能を６５℃で試験した結果を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００４０】
【表３】
【００４１】
【発明の効果】
前記のように、本発明のフォトレジスト除去剤組成物は、乾式エッチング工程、アッシング工程及びイオン注入工程によって硬化したフォトレジスト層及び前記工程内で下地金属膜材料からエッチングされて出て来た金属性副産物によって変質したフォトレジスト層を短時間内に容易に除去することができる。また、フォトレジスト剥離工程においては、前記フォトレジスト除去剤組成物は下地金属配線、特に銅配線を最少化でき、後続するリンス工程においては、前記の層は、イソプロピルアルコールやジメチルスルホキシドのような有機溶剤を用いることなく、水だけでリンス可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 アルミニウム合金金属層（１）、窒化チタン層（２）、テトラエチルオルト珪酸塩（ＴＥＯＳ）（３）、フォックス（ＦＯＸ：Ｆｌｏｗａｂｌｅ Ｏｘｉｄｅ）（４）、ＴＥＯＳ（５）が順次に積層されている基板上に、フォトレジストを塗布してバイアホールパターンを形成した後、乾式エッチング工程及び灰化行った状態のパターン断面構造を撮影した走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図２】 図１のパターンに灰化工程を施した後、比較例１のフォトレジスト除去剤組成物を使用して６５℃でフォトレジスト除去性能試験を行い、フォトレジストの一部を除去した結果を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図３】 図１のパターンに灰化工程を施した後、実施例３のフォトレジスト除去剤組成物を使用して６５℃でフォトレジスト除去性能試験を行い、フォトレジストの一部を除去した結果を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、大規模集積回路（ＬＳＩ）、超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）などの半導体装置の製造過程において、フォトレジストを除去するために用いるフォトレジスト除去剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の製造過程において半導体装置の導体層上にフォトレジストパターンが形成される。そして、導体層上のパターンによって覆われていない部分は、パターンをマスクとして用いて繰り返されるリソグラフィー工程によりエッチングされて、導体層パターンを形成する。マスクとして利用されたフォトレジストパターンは、導体層パターン形成後に行われる剥離工程でフォトレジスト除去剤を用いて導体層から除去する必要がある。しかし、最近の超大規模集積回路製造工程は、導体層パターンを形成するために乾式エッチング工程を採用しているため、続いて行われる剥離工程においてフォトレジストを除去するのが難しくなっている。
【０００３】
乾式エッチング工程は、酸性薬液を用いる湿式とは反対に、プラズマエッチングガスと導体層などの物質膜の間の気相−固相反応を利用して実行される。乾式エッチング処理は制御が容易でシャープなパターンを作るため、現在のエッチング処理の主流となっている。しかし、導体層の乾式エッチング過程では、プラズマエッチングガスのイオンとラジカルが、フォトレジスト表面でフォトレジスト層と化学反応を行って、これによりフォトレジストが急速に硬化する。したがって、フォトレジスト除去が困難となっている。特に、乾式エッチング過程において、アルミニウム、アルミニウム合金及び窒化チタンのような導体層から生成された、硬化した側壁部フォトレジストポリマーは、剥離工程において、各種除去剤を使用しても除去し難い。
【０００４】
従来、剥離工程の初期のフォトレジスト除去剤として、有機アミン化合物と有機溶剤を混合して得られるフォトレジスト除去剤組成物が提案されており、特に必須の有機アミン化合物としてモノエタノールアミン（ＭＥＡ）を含むフォトレジスト除去剤組成物は最も広く使用されてきた。
【０００５】
例えば、ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）や２−（２−アミノエトキシ）エタノール（ＡＥＥ）などの有機アミン化合物とｂ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、カルビトールアセテートやメトキシアセトキシプロパン（米国特許第４，６１７，２５１号明細書に開示）などの極性溶剤からなる２成分系フォトレジスト除去剤組成物（米国特許４，６１７，２５１号）；ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、モノプロパノールアミンやメチルアミルエタノールなどの有機アミン化合物とｂ）Ｎ−メチルアセトアミド（ＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド（ＤＥＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアセトアミド（ＤＰＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルブチルアミドやＮ−メチル−Ｎ−エチルプロピオンアミドなどのアミド溶剤からなる２成分系フォトレジスト除去剤組成物（米国特許第４，７７０，７１３号明細書）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）などの有機アミン化合物とｂ）１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、１，３−ジメチル−テトラヒドロピリミジノンなどの非プロトン性極性溶剤類からなる２成分系フォトレジスト除去剤組成物（独国特許出願公開第３，８２８，５１３号明細書）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）などのアルカノールアミンやエチレンジアミンのエチレンオキシドを導入したアルキレンポリアミン、ｂ）スルホラン又はスルホン化合物とｃ）ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのグリコールモノアルキルを所定混合比としたフォトレジスト除去剤組成物（特開昭６２−４９３５５号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）やジエタノールアミン（ＤＥＡ）などの水溶性アミンとｂ）１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンからなるフォトレジスト除去剤組成物（特開昭６３−２０８０４３号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、エチレンジアミンやベンジルアミンなどのアミン類、ｂ）ＤＭＡｃ、ＮＭＰ、ＤＭＳＯなどの極性溶剤とｃ）界面活性剤からなるポジ型レジスト除去剤組成物（特開昭６３−２３１３４３号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）などの含窒素有機ヒドロキシ化合物、ｂ）ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、γ−ブチルにラクトン及び１，３−ジメチル−２−イミダゾリノンから選択された一つ以上の溶剤とｃ）ＤＭＳＯを特定比率で混合したポジ型レジスト除去剤組成物（特開昭６４−４２６５３号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）などの有機アミン化合物、ｂ）ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ＤＭＡｃ、ＮＭＰ、ＤＭＳＯなどの非プロトン性極性溶剤類とｃ）リン酸エステル系界面活性剤からなるポジ型レジスト除去剤組成物（特開平４−１２４６６８号公報）; ａ）１，３−ジメチル−２−イミダゾリノン（ＤＭＩ）、ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、ｃ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）などの有機アミン化合物からなるフォトレジスト除去剤組成物（特開平４−３５０６６０号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ｂ）ＤＭＳＯとｃ）カテコールからなるフォトレジスト除去剤組成物（特開平５−２８１７５３号公報）などが提案されている。このようなフォトレジスト除去剤組成物は安全性、作業効率、フォトレジスト除去性能で比較的に優れた特性を示している。
【０００６】
しかし、最近の半導体素子の製造工程では、シリコンウエハーをはじめとした各種基板を高温で処理するハードベーク工程を行う傾向があり、処理条件が高温化している。前記例示のフォトレジスト除去剤では、高温でハードベークされたフォトレジストに対しては除去能力が十分ではない。そこで、高温でハードベークされた前記フォトレジストを除去するための組成物として、水を含有する水系フォトレジスト除去剤が提案された。例えば、ａ）ヒドロキシルアミン類、ｂ）アルカノールアミン類及びｃ）水からなるフォトレジスト除去剤組成物（特開平４−２８９８６６号公報）; ａ）ヒドロキシルアミン類、ｂ）アルカノールアミン類、ｃ）水及びｄ）防食剤からなるフォトレジスト除去剤組成物（特開平６−２６６１１９号公報）; ａ）ＧＢＬ、ＤＭＦ、ＤＭＡｃやＮＭＰなどの極性溶剤類、ｂ）２−メチルアミノエタノールなどのアミノアルコール類及びｃ）水を含有するフォトレジスト除去剤組成物（特開平７−６９６１８号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）などのアミノアルコール類、ｂ）水及びｃ）ブチルジグリコールを含有するフォトレジスト除去剤組成物（特開平８−１２３０４３号公報）; ａ）アルカノールアミン類やアルコキシアルキルアミン類、ｂ）グリコールモノアルキルエーテル、ｃ）糖アルコール類、ｄ）第４級アンモニウム水酸化物及びｅ）水を含有するフォトレジスト除去剤組成物（特開平８−２６２７４６号公報）; ａ）モノエタノールアミン（ＭＥＡ）及びＡＥＥのうちの一つ以上のアルカノールアミン、ｂ）ヒドロキシルアミン、ｃ）ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ｄ）糖類（ソルビトール）及びｅ）水を含有するフォトレジスト除去剤組成物（特開平９−１５２７２１号公報）; ａ）ヒドロキシルアミン類、ｂ）水、ｃ）酸解離整数（ｐＫａ）が７．５乃至１３であるアミン類、ｄ）水溶性有機溶媒及びｅ）防食剤からなるフォトレジスト除去剤組成物（特開平９−９６９１１号公報）などが提案されている。しかし、前記フォトレジスト除去剤組成物も、超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）の製造に用いられる乾式エッチングまたは灰化工程において、プラズマガスに曝されて変質した側壁レジストポリマーを十分に除去できないということが分かった。そこで、ドライエッチング工程おいても使用することができるフォトレジスト除去剤の開発が要請されている。
【０００７】
上述のように、従来のフォトレジストでは、乾式エッチング工程を経たフォトレジストを除去するのが困難である。フォトレジスト層の表面硬化の原因は、イオンビームの高エネルギーと高照射量による反応熱である。同時に、加えて、フォトレジスト残渣が生じるのは、フォトレジストのポッピング現象のためである。通常、ウエハーは灰化処理で２００℃以上に加熱される。この時、フォトレジスト内部に残存する溶剤は排出されなければならないが、灰化工程後のフォトレジスト表面に存在する硬化層のため、これが不可能である。
【０００８】
このように、灰化処理の進行によって、フォトレジスト層の内部圧力が上昇し、フォトレジスト層表面が破裂するのは、内部にある溶剤にためである。これをポッピング現象という。フォトレジスト表面に形成された硬化層は散在しており、残留物を硬化層から除去することは困難である。更に、フォトレジストは残留物と粒状体に変化して汚染源となり、ＶＬＳＩチップ製造の歩留まりを低下させる。特に、フォトレジストを効果的に除去するために剥離工程前に灰化工程を行う場合には、フォトレジストの変質はさらに進むので、剥離工程中の半導体装置の不良率が増加する。
【０００９】
上述した硬化フォトレジスト層を効果的に除去するための各種のエッチング工程が提案されており、その中には、２段階で灰化工程を行う方法が記載されている日本応用物理協会（Japanese Applied Physics Association の予稿集、藤村ら、第１乃至１３頁，第５７４頁，１３８９）。この２段階灰化処理によると、灰化の第１段階は普通の方法で実行され、その後、第２段階の灰化処理が実行される。しかし、このような工程は複雑であり、大規模な装置をも要し、工程効率を低下させる。
【００１０】
結局、前記問題は水系フォトレジスト除去剤組成物を用いた剥離工程で解決できる。最近では、硬化フォトレジストに対して比較的良好な除去特性を有するため、ヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、防食剤及び水からなるフォトレジスト除去剤組成物が提案され、広く使われている。しかし、このフォトレジスト除去剤組成物は６４メガＤＲＡＭ級以上のＤＲＡＭ半導体生産ラインに採用された新金属層に対する腐蝕により、アンダーカット現象を生じる。このため、前記欠点を克服できる、新たなフォトレジスト除去剤の開発が求められている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、乾式エッチングや灰化工程によって変質した側壁フォトレジストポリマーを迅速かつ容易に除去できるフォトレジスト除去剤組成物を提供することを目的とする。特に、窒化チタン層からエッチされる金属性副産物から形成される側壁フォトレジストポリマーを除去できるフォトレジスト除去剤組成物である。本発明のフォトレジスト除去剤組成物は、更に、下地金属膜材料の腐食を最小限にできるものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記課題を達成するために、本発明では、（ａ）水溶性ヒドロキシルアミン２〜２０重量％、（ｂ）ブタノンオキシム、プロパノンオキシム及びそれらの混合物からなる群より選択されるオキシム化合物５〜１５重量％、（ｃ）水１０〜４５重量％、（ｄ）水酸基を２個または３個含有する有機フェノール系化合物４〜１５重量％及び（ｅ）アルキルアミド３０〜５５重量％を含有することを特徴とするフォトレジスト除去剤組成物、を提供する。
【００１３】
本発明のフォトレジスト除去剤組成物において、前記ヒドロキシルアミンの含有量は２〜２０重量％が好ましい（市販されているヒドロキシルアミンの含有量は、５０％水溶液の状態である）。つまり、水溶性ヒドロキシルアミンの含有量が２重量％未満の場合には、乾式エッチング又は灰化工程によって変質した側壁フォトレジストポリマーを全部除去するのは難しい。更に、２０重量％を超える場合にはアルミニウムやアルミニウム合金のような下地金属膜材料に対する腐食が大きくなる。
【００１４】
本発明のフォトレジスト除去剤組成物において、オキシム化合物はブタノンオキシム、プロパノンオキシムからなる群より選択される。オキシム化合物の含有量は５〜１５重量％が好ましい。オキシム化合物の含有量が５重量％未満の場合には、剥離した側壁フォトレジストポリマーに対する溶解度が低下する。オキシム化合物の含有量が１５重量％を超える場合には、オキシム化合物の高沸点特性により低温でのフォトレジスト溶解度が低下する。
【００１５】
本発明のフォトレジスト除去剤組成物において、水はイオン交換樹脂でろ過した純水が好ましい。比抵抗が１８ＭΩ以上の脱イオン水がさらに好ましい。
【００１６】
前記水の含有量は１０〜４５重量％が好ましい。本発明のフォトレジスト除去剤組成物において、水の含有量が１０重量％未満の場合には、水がヒドロキシルアミンを活性化することができないためフォトレジスト除去能力が低下する。水の含有量が４５重量％を超える婆には、相対的に他成分含有量が減ってフォトレジストを除去する能力が低下するだけでなく、下地金属膜材料に対する腐食性が高くなる。研究の結果、水の最適含有量は１０〜４５重量％であると確認された。
【００１７】
本発明のフォトレジスト除去剤組成物における、水酸基を２個または３個含有するフェノール系化合物は下記化学式１：
【化３】
（ここで、ｍは２乃至３の整数を示す。）で表される。
【００１８】
本発明のフォトレジスト除去剤組成物において、前記水酸基を２個または３個含有するフェノール系化合物は、ヒドロキシルアミンと水の水素イオンの反応で生成する水酸基イオンを導体層間の接触面に浸透させる機能を持つ。また、水酸基を２個または３個含有するフェノール系化合物は、フォトレジスト除去剤組成物から生成された水酸基による腐蝕から、下地金属膜材料を守る腐蝕防止機能を持つ。
【００１９】
水酸基を２個または３個含有するフェノール系化合物の含有量は４〜１５重量％であるのが好ましい。前記フェノール系化合物の含有量が４重量％未満の場合には、下地金属膜材料の腐蝕性が高くなる。前記フェノール系化合物の含有量が１５重量％を超える場合には、フォトレジスト除去剤組成物の粘度が上昇して使用時に不便である。
【００２０】
前記フォトレジスト除去剤組成物における、アルキルアミドは、下記化学式２：
【化４】
（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は、各々、水素であるか、または少なくとも一つ以上がアルキル基であり、前記アルキル基は炭素数が１乃至２である直鎖状アルキル基である。）で表わされる。
【００２１】
前記アルキルアミドの含有量は３０〜５５重量％が好ましい。前記アルキルアミドの含有量が３０重量％未満の場合には、フォトレジストの溶解度が低下する。アルキルアミドの含有量が５５重量％を超える場合には、他成分の含有量が減って窒化チタン層に起因するフォトレジストの除去が不完全になる。
【００２２】
研究の結果、オキシム化合物とアルキルアミドを水溶性ヒドロキシルアミンと所定比率で混合すれば側壁フォトレジストポリマーが除去できることを発見した。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に、詳細に説明するが、これらは本発明の好ましい実施例を示すものであり、下記の実施例に制限されるものではないのは当然のことである。
【００２４】
一方、下記の実施例において、別途、言及のない限り、％及び混合比は重量基準である。本発明の実施例及び比較例において、性能評価は次の方法によって実施した。
【００２５】
（１）フォトレジスト除去効率の試験
試片Ａの作製
アルミニウム合金及び窒化チタンの膜が底部から各々順次に８００Å及び１５０Åで蒸着されている８インチシリコンウエハーの表面に、ＴＥＯＳ、ＦＯX 及びＴＥＯＳをＣＶＤ装置を用いて順次蒸着した。汎用的に用いられるポジ型フォトレジスト組成物（東進セミケム社製，ＤＰＲ−ｉ９００）の膜厚はスピンコーティングで１．２μｍである。次いで、前記フォトレジスト膜をホットプレートで、１１０℃、９０秒間プリベークした。所定バイアホールパターンのマスクを前記フォトレジスト膜上に置いて、露光した。その後、バイアホールパターンのマスクを２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液により２１℃で６０秒間現像した後、前記バイアホールパターンが形成された試片を１２０℃で１００秒間ハードベークした。前記試片に形成されたフォトレジストパターンを乾式エッチング装置（日立社製，Ｍ３１８）でマスクとして用いた。
【００２６】
フォトレジストパターンによって覆われず露出していた窒化チタン層を、ＳＦ6 とＣｌ2 の混合ガスを乾式エッチングガスとして使用し、３５秒間エッチングした。次いで、大部分のフォトレジストをＯ2 プラズマを用いた灰化装置で除去して、試片を作製した。
【００２７】
フォトレジスト除去試験
前記試片Ａを、温度６５℃のフォトレジスト除去剤組成物に５分間、１０分間、２０分間、各々、浸漬した。続けて、前記試片Ａをフォトレジスト除去剤組成物から取り出した後、脱イオン水で水洗し、窒素ガスで乾燥した。フォトレジスト残留物が、バイアホールパターン周辺及び線パターン表面に付着しているか否かを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で検査し、フォトレジスト除去能率を評価した。結果を表２に示す。
【００２８】
○：バイアホールパターン周辺及び線パターン表面からレジスト残留物が完全に除去された場合
△：バイアホールパターン周辺及び線パターン表面からレジスト残留物が８０％以上除去されたが、微量残ってた場合
×：バイアホールパターン周辺及び線パターン表面にレジスト残留物の大部分が残っていた場合。
【００２９】
（２）金属パターンの腐食試験
試片Ｂの作製
試片Ｂは前記試片Ａと同様の方法に作製した。
【００３０】
金属パターンの腐食性試験
前記試片Ｂを温度６５℃のフォトレジスト除去剤組成物に５分間、１０分間、２０分間、各々、浸漬した。続けて、前記試片Ｂをフォトレジスト除去剤組成物から取り出した後、脱イオン水で水洗し、窒素ガスで乾燥した。下地金属膜材料において、アンダーカット現象が発生しているか否を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で検査し、また腐蝕性を評価した。結果を表３に示す。
【００３１】
○：下地金属パターンがアンダーカットされなかった場合
△：下地金属パターンが部分的にアンダーカットされた場合
×：下地金属パターンが大部分アンダーカットされた場合。
【００３２】
実施例１〜５及び比較例１〜３
各成分（ａ）〜（ｅ）を表１に示した比率で混合し、実施例１〜５及び各比較例のフォトレジスト除去剤組成物を調製した。その後、（１）フォトレジスト除去剤の試験、（２）金属層パターンの腐食試験を、これらフォトレジスト除去剤組成物に対して実施した。その試験結果をそれぞれ表２及び表３に示す。
【００３３】
【表１】
ＨＤＡ：ヒドロキシルアミン
Ｂ−Ｏｘｉｍｅ：ブタノンオキシム
Ｐ−Ｏｘｉｍｅ：プロパノンオキシム
ＰＧ：ピロガロール
ＰＣ：ピロカテコール
ＧＡ：没食子酸
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
Ｎ−ＭＡｃ：Ｎ−メチルアセトアミド
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＡＥＥ：２−（２−アミノエトキシ）エタノール
【００３４】
【表２】
【００３５】
図１〜図３は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ，日立社製，Ｎｏ．Ｓ−４１００）写真であり、実施例３と比較例１のフォトレジスト除去剤組成物に対するフォトレジスト除去能率を比較している。
【００３６】
図１〜図３は、フォトレジスト除去剤組成物を６５℃の条件下で行った、試片Ａに対する試験結果である。
【００３７】
図１は、アルミニウム合金層（１）、窒化チタン層（２）、テトラエチルオルト珪酸塩（ＴＥＯＳ）（３）、フォックス（ＦＯＸ：Ｆｌｏｗａｂｌｅ Ｏｘｉｄｅ）（４）、ＴＥＯＳ（５）が順次に積層され、さらに前記積層層にフォトレジスト（６）を塗布し後に、乾式エッチング工程及び灰化工程が行われた導体層パターンの断面写真である。側壁フォトレジストポリマーが、バイアホールの断面全体に存在することが、図1 で示されている。
【００３８】
図２は、比較例１のフォトレジスト除去組成物のフォトレジスト除去性能を６５℃で試験した結果を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００３９】
図３は、実施例３のフォトレジスト除去組成物のフォトレジスト除去性能を６５℃で試験した結果を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００４０】
【表３】
【００４１】
【発明の効果】
前記のように、本発明のフォトレジスト除去剤組成物は、乾式エッチング工程、アッシング工程及びイオン注入工程によって硬化したフォトレジスト層及び前記工程内で下地金属膜材料からエッチングされて出て来た金属性副産物によって変質したフォトレジスト層を短時間内に容易に除去することができる。また、フォトレジスト剥離工程においては、前記フォトレジスト除去剤組成物は下地金属配線、特に銅配線を最少化でき、後続するリンス工程においては、前記の層は、イソプロピルアルコールやジメチルスルホキシドのような有機溶剤を用いることなく、水だけでリンス可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 アルミニウム合金金属層（１）、窒化チタン層（２）、テトラエチルオルト珪酸塩（ＴＥＯＳ）（３）、フォックス（ＦＯＸ：Ｆｌｏｗａｂｌｅ Ｏｘｉｄｅ）（４）、ＴＥＯＳ（５）が順次に積層されている基板上に、フォトレジストを塗布してバイアホールパターンを形成した後、乾式エッチング工程及び灰化行った状態のパターン断面構造を撮影した走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図２】 図１のパターンに灰化工程を施した後、比較例１のフォトレジスト除去剤組成物を使用して６５℃でフォトレジスト除去性能試験を行い、フォトレジストの一部を除去した結果を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図３】 図１のパターンに灰化工程を施した後、実施例３のフォトレジスト除去剤組成物を使用して６５℃でフォトレジスト除去性能試験を行い、フォトレジストの一部を除去した結果を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
Claims (3)
- （ａ）水溶性ヒドロキシルアミン２〜２０重量％、（ｂ）ブタノンオキシム、プロパノンオキシム及びそれらの混合物からなる群より選択されるオキシム化合物５〜１５重量％、（ｃ）水１０〜４５重量％、（ｄ）水酸基を２個または３個含有する有機フェノール系化合物４〜１５重量％及び（ｅ）アルキルアミド３０〜５５重量％を含有することを特徴とするフォトレジスト除去剤組成物。
- 前記アルキルアミド（ｅ）が、下記化学式２：
- 前記有機フェノール系化合物（ｄ）が、下記化学式１：
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| US5753601A (en) * | 1991-01-25 | 1998-05-19 | Ashland Inc | Organic stripping composition |
| EP1721978B1 (fr) * | 1991-02-08 | 2011-04-06 | Aventis Pharma S.A. | Séquences nucléotidiques codant pour des régions variables de chaines alpha des récepteurs des lymphocytes humains ainsi que leurs applications |
| US5308745A (en) | 1992-11-06 | 1994-05-03 | J. T. Baker Inc. | Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins |
| US6326130B1 (en) | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
| WO1997005228A1 (fr) * | 1995-07-27 | 1997-02-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | Procede de traitement de la surface d'un substrat et composition de traitement de surface prevue a cet effet |
| JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
| JP3236220B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2001-12-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
| JP3929518B2 (ja) | 1995-11-30 | 2007-06-13 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
| US5798323A (en) * | 1997-05-05 | 1998-08-25 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| JPH1152590A (ja) * | 1997-08-06 | 1999-02-26 | Nagase Denshi Kagaku Kk | レジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
| JP3932150B2 (ja) * | 1997-10-03 | 2007-06-20 | ナガセケムテックス株式会社 | レジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
| JP2001520267A (ja) * | 1997-10-14 | 2001-10-30 | アドバンスド・ケミカル・システムズ・インターナショナル・インコーポレーテッド | 半導体基板からの残留物をストリッピングするためのホウ酸アンモニウム含有組成物 |
| US6432209B2 (en) * | 1998-03-03 | 2002-08-13 | Silicon Valley Chemlabs | Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylazmmonium carboxylates |
| DK1105778T3 (da) * | 1998-05-18 | 2009-10-19 | Mallinckrodt Baker Inc | Silikatholdige alkaliske sammensætninger til rensning af mikorelektroniske substrater |
| KR100288769B1 (ko) * | 1998-07-10 | 2001-09-17 | 윤종용 | 포토레지스트용스트리퍼조성물 |
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