TWI310840B - Ic tester - Google Patents

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TWI310840B
TWI310840B TW095144129A TW95144129A TWI310840B TW I310840 B TWI310840 B TW I310840B TW 095144129 A TW095144129 A TW 095144129A TW 95144129 A TW95144129 A TW 95144129A TW I310840 B TWI310840 B TW I310840B
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Hideki Naganuma
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Yokogawa Electric Corp
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/3181—Functional testing
    • G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31917—Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
    • G01R31/31924—Voltage or current aspects, e.g. driver, receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

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Description

!310840 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 減算器，即可以電路=器;並且關於不須採用偏移 解析度、尚精度之測定的積體電路測試器。 【先前技術】 動液多階段(多階層)電壓，以驅 於例如曰本公開二置的積體電路測試器 加以說明之。 ㈣2GG2·98738 m，町參照圖i 於圖1中，受測試對象(以 ===峨接鳴 偏電移偏移 之多階段電壓與賴產生部2 ^ 的輸出’並將DUT1 後，再輸出之。開關4盘偏移者間的電壓差加以放大 將偏移減算器3 ^開關4之輸^^列而裝置。A/D轉換器5 器5 DUT1之輸出在A/D轉換 之信號產生部崎人的輪人模式、卜依未圖示 4，輸入到A/D轉換器5。趟;再經由開關 :資料，未㈣幽鴨數 圖示之信餘生，*誦依未 5。辦換w的電 5 1310840 种數位㈣與偏移電壓值，以判斷DUT1是否良好。 使用Ϊ移減有以下的問題點。前述之裝置中， 入範圍之力i使⑽11的輸出電壓納入㈣轉換器5的私 哭3㈣壯#而貫現高解析度、高精度的設定。為此，偏移減^ G ί ΐί ί於A/D轉換器5之輸人段的前段，並且 咸异益3之精度或漸趨穩定期間的影響。 偏移 【發明内容】 於 【實施方式】 例圖°圖2顯示本發明之第1實施 說明。 /、圖1相同部份則標上同一符號，並省略其 將t i ί置多數個A/D轉換器6以取代A/D轉換器5， 電壓供庠到輸出加以輸入。D/A轉換器7將下限基準 的二2=個=^+器6。驗轉換器w轉換器t 供應到多數個A/D轉加上賴’㈣上限基準電壓 生部。在此，上限=二此外，DA轉換器7、8成為電壓產 之輸入範圍的t壓：亦即1下限J準電壓係規定A/D轉換器6 電麼與下限基準電壓』：於一般的趟轉換器中，依上限基準 進行比較而形成㈣成比較電壓，並制内部之比較器 出加以輸人，^行言H。計算部9將多數個A/D轉換器6的輸 部的控制(數位置^^ D/Af奐器7、8依未圖示之控制 、丁十）以分別將下限基準電壓VL、上限基準電壓 6 1310840
VH供應到A/D轉換哭6如，A . ^>ν^νί nT VL=VS-VH/2(VS ： DUTl 輪入的輸入模辅出1侑、，JT1依未圖示之信號產生部所 換器並輸入到A/D轉 等輪出疋否在敎之_值細⑽躺或接_之^的判斷 換器靖形時德轉 慶；再供應到趟ίί^，更下限基準電壓、上限基準電 如則述，由於D/A轉換器7、8將 Α 7 屋可變動地供應到A/D轉換$ 6，基丰賴、上限基準電 仍可進行高解析度、高精b T不姻偏移減算器’ 广上裝置偏移減算器，因此能夠氏=二每 輪入範圍可容易地進行變換。 綠自)从構成。此外， 其次’本發明並不限定於此；關於DUT1 j 行電壓輸出之液晶驅練置，㈣f ’雖提示進 有姐=電流輪出之 轉換器設置於DUT1的輸出段，以脾私^圖3所不，將I/V 出到A/D轉換器6。 ；輸出電&轉換成電壓，再輪 又’所提示的構成雖於DUT1的每去接聯卜壯罢A & 6 ;但亦可裝置多工器等之選擇部二她轉，器 支接腳裝置一個A/D轉換器6。 、 的接腳，而每數 至於計算部9 ’可裝置位準移位電路於 換器6間取得位準之整合；或裝置位準移位/電二1和A/D轉 後段之數位電路(未圖示）間取得位準之整合。”、内和以和 又，可將範圍電路裝置於A/D轉換器6。 限基準電換器7、8將下限基準電壓、上 平㈣、應到職1的母支接腳之⑽轉換器6 ;但亦可每 1310840 多數個A/D轉換器6裝置D/A轉換器7、8。 此外，可藉由電壓測定部(未圖示），以測定DUT1之輸出電壓 的概略值，而設定D/A轉換器7、8的電塵值。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示習用之積體電路測試器的構成圖。 圖2係顯示本發明之實施例的構成圖。 圖3係顯示本發明之其他實施例的構成圖。 【主要元件符號說明】 1〜受測試對象 2〜電壓產生部 3〜偏移減算器 4〜開關 5,6〜A/D轉換器 VH〜上限基準電壓 VL〜下限基準電壓 7,8〜D/A轉換器 9〜計算部 10〜I/V轉換器

Claims (1)

1310840 十、申請專利範圍： 1. 一種積體電路測試器，係將受測試對象之輸出以A/D轉換 器進行測定；其特徵為具備： 電壓產生部，用以根據該受測試對象之輸出，將上限基準電 壓、下限基準電壓可變動地供應至該A/D轉換器。 2. 如申請專利範圍第1項之積體電路測試器，其中，該電壓產 生部設有： 第1個D/A轉換器，將該下限基準電壓供應至該A/D轉換器； 第2個D/A轉換器，將該上限基準電壓供應至該A/D轉換器。 3. 如申請專利範圍第1或2項之積體電路測試器，其中，該受 測試對象係液晶驅動裝置。 4. 如申請專利範圍第1或2項之積體電路測試器，其中，於該 受測試對象的輸出路線上裝設有I/V轉換器，用以將電流轉換成電 壓。 十一、圖式Z
9
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