TWI289818B - Optoelectronic device and electronic machine providing the device - Google Patents

Description

1289818 (1) 玖、發明說明 _ 【發明所屬之技術領域】 * 本發明係屬於例如於元件基板上，裝置周邊驅動電路 而加以構成之驅動電路內建型液晶裝置等之光電裝置，及 具備該光電裝置之電子機器之技術領域。 【先前技術】 於此種液晶裝置等之光電裝置之上，於其畫像顯示領 Φ 域’矩陣狀配置於畫像顯示用所驅動之複數畫素部。於各 畫素部中，例如配置畫素電極，和控制開關各畫素電極之 薄膜電晶體（Thin Film Transistor以下稱爲「TFT」。） ’且沿著縱橫相連接之畫素電極之間隙，設置掃瞄線、資 料線及電容線等之配線。特別係於驅動電路內建型之情況 下，用來驅動掃瞄線或資料線之掃瞄線驅動電路或資料線 驅動電路，係組入於相同元件基板上之周邊領域。因此， 通常，從沿著元件基板之其中一邊而加以配列之複數外部 · 電路連接端子，乃至於周邊驅動電路之電源信號線、時脈 信號線、畫像信號線及控制信號線等之各種配線，係於周 邊領域平面佈線。 於此，爲了按照光電裝置或元件基板之小型化之請求 ，而於所限定之周邊領域內，收納從外部電路連接端子乃 至於周邊驅動電路之多條各種配線，或於所限定之周邊領 域內，爲了降低接近配置之各種配線間之相互雜訊，故亦 揭示著加強該各種平面佈線之技術。 -4- 1289818 (2) 於此種光電裝置之上，於藉由達到小型化裝置或元件 · 基板之同時，亦改善驅動頻率或精密度所形成之畫像高品 - 質化之要求，於實踐上相當有利。 但是，若藉由於上述傳統之周邊領域上，設置各種配 線之技術，則於所限定之周邊領域內’係存在有將其中一 端分別連接於複數外部電路連接端子之複數配線（於本案 說明書中適當稱爲「主配線」）。而且，主配線之條數或 外部電路連接端子之個數具有伴隨驅動方式之複雜高度化 · 而增大之傾向。因此，至少數條之主配線，當其另一端連 至周邊驅動電路或上下導通端子之際，無可避免的會與其 他主配線交叉。於此交叉處，於元件基板上所製作之層積 構造之中，亦無可避免的必須經由於相較於構成該至少一 條之主配線之導電膜之下側或上側所層積之其他導電膜所 形成之中繼配線部分。並且，若鑑於通常於例如鋁等之元 件基板上所建構之層積構造中，由低電阻之導電膜形成主 配線，則如此一來，從其他導電膜，亦即從非最低電阻之 鲁 導電膜形成中繼配線部分一事，將具有明顯導致增大主配 線之配線電阻之技術性問題點。且，相關主配線之配線電 阻的增大，因應於其主配線之用途，亦可能導致各種畫質 降低。 藉由如此縮小周邊領域而形成之裝置小型化，與藉由 畫素間距或配線間距之細微化所形成提高畫質之兩者的並 存，實際上係相當困難。加上，若如上述製作中繼配線部 分，將有導致接觸電阻或接觸孔電阻所引起之電阻增加、 -5- 1289818 (3) 甚至使元件基板上之層積構造及製程複雜化，且最終亦可 ~ 能導致裝置良率降低或信賴性降低等之技術性問題點。 - 【發明內容】 本發明係鑑於例如上述問題點而加以構成，且其課題 係提供能有效低電阻化主配線之同時，亦能控制主配線間 之信號相互干擾，並藉由此等而能顯示高品質畫像之光電 裝置，及具備此種光電裝置之電子機器。 φ 本發明之光電裝置，爲了解決上述課題，而具備：於 元件基板上之畫像顯示領域所具備之複數畫素部，和在位 於前述元件基板上之前述畫像顯示領域之周邊之周邊領域 上，所具備之複數之外部電路連接端子，和其中一端被分 別連接於該複數外部電路連接端子之複數主配線，和連接 於該主配線之另一端，並從前述外部電路連接端子，基於 經由前述主配線所供給之電氣信號，驅動前述畫素部之周 邊驅動電路；前述複數主配線，係再由相同導電膜所形成 馨 之同時，以不相互交叉的方式，而於前述周邊領域內，平 面佈線。 若藉由本發明之光電裝置，於其動作時，經由外部電 路連接端子及其中一端被連接於此之主配線，供給例如畫 像信號、時脈信號、其反轉信號、電源信號及控制信號等 之各種電氣信號，於連接於主配線其他端之周邊驅動電路 。或者，經由外部電路端子及其中一端被連接於此之主配 線’例如供給對向電極電位於周邊領域所設之上下導通端 -6 - 1289818 (4) 子’且更經由該上下導通材而供給於對向基板側所設之對 向電極。此種主配線係藉由例如掃瞄線驅動電路、資料線 驅動電路等之周邊驅動電路，而基於如上述所供給之各種 電氣信號，驅動掃描線及資料線，故進行以特定方式所形 成之畫像顯示。例如主動矩陣驅動複數之畫素部。 於此’於本發明之光電裝置之中，特別係複數主配線 ，係在由相同導電膜所形成之同時，以不相互交叉的方式 而於周邊領域平面佈線。因此，若事先將導電性較優之導 電膜，包含於於元件基板上所建構之層積構造中，且作爲 上述相同導電膜而採用之，或者，若於元件基板上所建構 之層積構造中，採用導電性最優之導電膜，作爲上述相同 導電膜，則將能建構複數主配線作爲導電性較優之配線。 再者，主配線之條數或外部電路連接端子之個數，即使伴 隨驅動方式之高度複雜化而增大，複數主配線亦不相互交 叉而平面佈線，故於交叉處不必經由中繼配線部分。且， 通常於例如鋁等之元件基板上所建構之層積構造中，若由 最低電阻之導電膜形成主配線，相較於採用由較此高電阻 之層積構造中其他導電膜所形成之中繼配線部分之情況， 將能明顯降低主配線之配線電阻。因此，能有效防止起因 於主配線之配線電阻之增加之各種畫質劣化。換言之’將 能兼顧縮小周邊領域而形成之裝置小型化，與藉由畫素間 距或配線間距之細微化所形成提高畫質兩者。 另外，如上述般於主配線中不設置中繼配線部分亦可 ，故能避免主配線之接觸電阻或接觸孔電阻所引起之電阻 1289818 (5) 增加，更能簡單化元件基板上之層積構造及製造過程。因 _ 此，最終將可能降低裝置良率且提高信賴性。而且，從例 - 如兩條配線經由較薄間層絕緣膜而交叉之情況可看出之該 兩條主配線間之兩種電氣信號相互干擾的情形，亦將能藉 由使複數主配線不相互交叉而平面佈線，而明顯地降低。 以上之結果，若藉由本發明之光電裝置，在能有效低 電阻化主配線之同時，亦能抑制主配線間之信號相互干擾 ，並藉由此等而將能實現高品質畫像顯示。 φ 於本發明之光電裝置之其中一型態之中，由包含前述 周邊驅動電路之內部配線、從前述周邊驅動電路往前述畫 素部所取出之引繞線、及從前述主配線所分歧之分歧配線 中之至少一個而成之副配線，係以於第1部分之中，從與 前述相同導電膜相異之其他導電膜所形成，並經由層間絕 緣膜而與前述主配線交叉，且於第2部分之中，從前述相 同導電膜所形成，而不與前述主配線交叉的方式，於前述 周邊領域內，平面佈線。 φ 若藉由此型態，則於周邊領域中係設有內部配線、引 繞線、分岐配線等之副配線。此等之中，周邊驅動電路之 內部配線，係連接周邊驅動電路內之例如構成移位暫存器 之複數配列之電路間之配線。 引繞線係用來將掃瞄線、資料線及電容線等，從畫像 顯示領域引繞於周邊領域之配線。分岐配線則係用來供給 例如電源信號或時脈信號等，周邊驅動電路之複數處所共 通使用之各種電氣信號之配線。 -8 - 1289818 (6) 此種副配線，於其第1部之中，係於相對於例如導電 - 性最優之導電膜，經由層間絕緣膜而層積之導電性第二、 _ 第三優良之金屬膜或導電性聚矽膜等所形成，且與主配線 相交而平面佈線。再者，此種副配線，於其第2部之中， 係由例如與主配線相同之導電性最優之導電膜所形成，且 不與主配線相交而平面佈線。因此，只要副配線不與主配 線抵觸，將可能提高其導電性。 於此型態中，前述第1部分及前述第2部分之間，亦 Φ 可經由開孔於前述間層絕緣膜之接觸孔，而電氣性連接。 若如此構成，副配線將能作爲包含爲了避開主配線而 經由接觸孔交叉延伸之第1部分及第2部分之一條配線而 起功能。又，亦可以接觸孔以外之方式，連接此等第1部 分及第2部分之間。 於本發明之光電裝置之其他型態中，於對向配置於對 向基板之前述周邊領域，更具備對向電極；於前述元件基 板上之前述周邊領域，係更具備有：用以對在身爲前述複 φ 數主配線中之至少一個的用以對前述對向電極供給對向電 極電位之對向電極電位線，與前述對向電極之間，取得上 下導通之上下導通端子；前述電向電極電位線，係於前述 周邊領域之中，於前述複數主配線中，位於前述元件基板 之靠邊緣處；前述周邊驅動電路，於前述周邊領域之中， 相較於前述上下導通端子及前述對向電極電位線，係位於 前述元件基板之靠中央處。 若藉由此型態，於其動作時，經由外部電路連接端子 -9- 1289818 (7) 及其中一端被連接於此之主配線，例如，供給對向電極電 · 位於設置在周邊領域之上下導通端子，且更經由該上下導 · 通材而供給於設置在對向基板側之對向電極。藉此，對向 電極與例如於畫素部所設之畫素電極之間，產生縱電界， 故能驅動例如挾持於兩基板間之液晶等之光電物質。於此 ，特別係於周邊領域之中，對向電極電位線係於複數主配 線中，位於元件基板之靠邊緣處。例如，對向電極電位線 係從外部連接端子，沿著元件基板之邊緣而延伸。對此， φ 周邊驅動電路由於相較於前述上下導通端子及前述對向電 極電位線，係位於元件基板之靠中央處，故較易取得除了 對向電極電位線以外之主配線與對向電極電位線不會相互 交叉之平面佈線。 又，對向電極電位線，於周邊領域中，在複數主配線 中，最好位於元件基板之最爲靠邊緣處。藉此，較易取得 除了對向電極電位線之外之所有主配線與對向電極電位線 不會相互交叉之平面佈線。 φ 於此型態中，前述複數外部電路連接端子係沿著前述 元件基板之其中一邊而配列；而前述複數外部電路連接端 子之中，被連接有前述對向電極電位線之其中一端之外部 電路連接端子，於前述複數外部電路連接端子之配列中， 亦可位於靠端部處而加以構成。 若如此構成，於周邊領域之中，對向電極電位線係從 靠邊緣之外部電路連接端子加以延伸，且位於元件基板之 靠邊緣處。因此，相當容易取得除了對向電極電位線之外 -10- 1289818 (8) 之主配線與對向電極電位線不會相互交叉之平面佈線。 | 又，連接前述對向電極電位線之其中一端之外部電路 - 連接端子，於周邊領域中，於複數外部電路連接端子之配 列中，以位於最爲端部爲理想。例如，從配列複數外部電 路連接端子側視之，於右側之外部電路連接端子，連接沿 著元件基板之右邊而加以延伸之對向電極電位線之頭端； 例如於左側之外部電路連接端子，連接沿著元件基板之左 邊而加以延伸之對向電極電位線之頭端。藉此，於外部電 # 路連接端子附近之周邊領域之中，亦能較易取得除了對向 電極電位線之外之所有主配線與對向電極電位線不交叉之 平面佈線。 於本發明光電裝置之其他型態中，於前述元件基板所 對向配置之對向基板上之前述周邊領域中，係更具備有： 用以對在身爲前述複數主配線中之至少一個的用以對前述 對向電極供給對向電極電位之對向電極電位線，與前述對 向電極之間，取得上下導通之上下導通端子；且，前述對 · 向電極電位線，係於前述周邊領域之中，相較於除了前述 對向電極電位線之外的一個或複數之主配線，位於更靠前 述元件基板之邊緣部，並相較於除了前述對向電極電位線 之另一個或複數之主配線，位於前述元件基板之更靠中央 處；前述周邊驅動電路之其中一部份，於前述周邊領域之 中，相較於前述上下導通端子及前述對向電極電位線，部 分性位於前述元件基板之靠中央處；前述周邊驅動電路之 其他部分，於前述周邊領域之中，相較於前述上下導通端 -11 - 1289818 (9) 子及前述對向電極電位線，部分性位於前述元件基板之靠 邊緣部。 若藉由此型態，於其動作時，經由外部電路連接端子 及其中一端被連接於此之主配線，例如供給對向電極電位 於周邊領域所設之上下導通端子，且更經由該上下導通材 而供給於對向基板側所設之對向電極。於此，特別係於周 邊領域之中，對向電極電位線，係於前述周邊領域之中， 相較於除了前述對向電極電位線之一個或複數之主配線， 位於靠前述元件基板之邊緣部。另一方面，於周邊領域之 中，對向電極電位線，相較於除了前述對向電極電位線之 另一個或複數之主配線，位於前述元件基板之靠中央處， 因此，能易於取得對向電極電位線以外之主配線，與對向 電極電位線不交叉之平面佈線。 於此型態中，前述複數外部電路連接端子，係沿著前 述元件基板之其中一邊而加以配列；且於前述複數外部電 路連接端子之中，連接於除了對向電極電位線外之其他一 條或複數主配線之其中一端之外部電路連接端子，於前述 複數之外部電路連接端子之配列中，亦可位於靠端部而加 以構成。 若如此構成，於周邊領域中，除了對向電極電位線外 的其他一條或複數條主配線，係從靠邊緣之外部電路連接 端子延伸，且位於元件基板之靠邊緣部。另一方面，除了 對向電極電位線以外其他一條或複數條主配線係從靠中央 之外部電路連接端子延伸，且位於元件基板之靠中央部。 -12- 1289818 (10) 因此，能易於取得除了對向電極電位線之外的主配線與對 ” 向電極電位線不交叉之平面佈線。 . 於具備上述對向電極之各種型態中，前述複數主配線 ，亦可包含有：在作爲前述電氣信號而分別供給時脈信號 及其反轉信號之同時，不與前述對向電極電位線交叉之一 對時脈信號線，而加以構成。 若如此構成，由於若交叉則相互干擾會變爲明顯之時 脈信號線與對向電極電位線，係並不相互交叉，故將能有 φ 效避免時脈信號之電位因應於對向電極電位之變動而更動 ，或對向電極電位因應於時脈信號之電位之變動而更動。 藉由此等，將可能爲高品質之畫像顯示。 本發明之光電裝置之其他型態中，前述複數之主配線 ，係包含有：做爲前述電氣信號而分別供給時脈信號及其 反轉信號之一對時脈信號線，和做爲前述電氣信號，而供 給電源信號之電源配線；前述一對信號線與前述電源配線 爲不交叉。 _ 若藉由此型態，由於若交叉則將明顯相互干擾之時脈 信號線與對向電極電位線，係並不相互交叉’故將能有效 避免時脈信號之電位因應於對向電極電位之變動而更動’ 或對向電極電位因應於時脈信號之電位之變動而更動。藉 由此等，將可能爲高品質之畫像顯示。 本發明之光電裝置之其他型態之中’前述複數主配線 爲了避免相互交叉而蛇行’平面佈線。 若藉由此型態，主配線蛇行配置’其配線長度雖變長 -13- 1289818 (11) ，但可避免主配線交叉之情況。於此，藉由降低構成主配 線之相同導電膜之電阻，因應於配線長度之配線電阻將可 壓低；另一方面，亦能得到不需利用在交叉之際所必須之 中繼配線所帶來之利益。 又，於此型態中，最好數學性或幾何學性極力減少交 叉處而平面佈線。另一方面，針對上述之負配線，由於係 設爲亦可爲交叉，因此能夠一面提昇配線節距並迴避與主 配線之交叉，一面將主配線以及副配線作平面配線。 本發明之光電裝置之其他型態之中，前述複數主配線 ，於至少一部分包含由與前述相同導電膜爲不同層所形成 之其他導電膜所成之冗長配線。 若藉由此型態，主配線藉由採用包含由相同導電膜所 形成之配線部之外，亦包含由形成於與此層相異之其他導 電膜所構成之冗長配線之冗長構造’而將可能更降低主配 線之配線電阻。另外，構成冗長構造之兩條配線部分之其 中一者即使斷線，亦仍殘留有可作爲配線而起作用之可能 性，故亦能提高該光電裝置之信賴性。 又，本發明之光電裝置，乃具備：於元件基板上之畫 像顯示領域所具備之複數畫素部，和位於前述元件基板上 之前述畫像顯示領域週邊之週邊領域上的複數之外部電路 連接端子，和掃描線驅動電路’和資料線驅動電路’和其 中一端被連接於前述外部電路連接端子’且另一端被連接 於前述掃描線驅動電路之掃描線驅動電路用配線’和一端 被連接於前述外部電路連接端子，且另一端被連接於前述 -14- 1289818 (12) 資料線驅動電路之資料線驅動電路用配線，和一端被連接 ~ 於前述外部電路連接端子，並供給前述複數之畫素部的畫 ， 素信號之畫像信號配線。且，前述掃描線驅動電路用配線 ’和前述資料線驅動電路用配線，和前述畫像信號配線， 係以不相互交叉的方式，平面布線於前述週邊領域內。 又，於本發明之光電裝置之其中一型態中，前述晝像 信號配線亦可配置於前述掃描線驅動電路用配線，與前述 資料線驅動電路用配線之間。 φ 又，本發明之光電裝置之其他型態之中，於對向配置 於前述元件基板之對向基板上之前述週邊領域，更具備對 向電極，和其中一端被連接於前述外部電路連接端子，另 一端用以供給對向電位於前述對向電極之對向電位線；前 述對向電極電位線，係以包圍前述掃描線驅動·電路用配線 的方式而配置。 本發明之電子機器係爲了解決上述課題，而具備上述 本發明之光電裝置（但包含其各種型態）加以構成。 肇 本發明之電子機器，由於具備上述本發明之光電裝置 ，故藉由主配線而適當提供各種電氣信號，能實現高品質 之畫像顯示之電視、攜帶電話、電子簿、處理器、觀景型 或監視型之影像錄放影機、工作站、電視電話、P〇S端末 機與接觸面板等之各種電子機器。又，本發明之電子裝置 亦可能實現例如電子紙等之電泳裝置。 【實施方式】 -15- 1289818 (13) 本發明之此作用及其他利益，將於其次說明之實施型 、 態清楚呈現。 以下，基於圖面說明本發明之實施型態。以下之實施 型態’係將本發明之光電運用於TFT主動矩陣驅動方式 之液晶裝置。 (光電裝置之整體構造） 首先，關於與本實施型態相關之光電裝置整體構造， φ 將參照圖1及圖2加以說明。於此，圖1爲表示與本實施 型態相關之光電裝置整體構造之平面圖；圖2爲圖1之 Η-H’剖面圖。於此，係以爲光電裝置其中一例之驅動電路 內建型之TFT主動矩陣驅動方式之液晶裝置爲例。 於圖1及圖2之上，於與本實施型態相關之光電裝置 中，對向配置TFT陣列基板10和對向基板20。TFT陣列 基板1 〇與對向基板2 0之間，密封液晶層5 0 ; TFT陣列 基板1 〇與對向基板20，係藉由設置於位於畫像顯示領域 φ l〇a周圍之密封領域52a之密封材52，而相互連接。 密封材52係由用來貼合兩基板之例如光硬化性樹脂 、熱硬化樹脂等所形成，且於製程中，塗佈於TFT陣列 基板1 〇後，藉由紫外線照射、加熱等而硬化。又，於密 封材52中，散佈著用來將TFT陣列基板10與對向基板 20之間隔（基板間間隙）設爲特定値之玻璃光纖或玻璃 光束等之間隙材。但是，取代於如此散佈於密封材5 2中 ，或另外若爲特大型之光電裝置，亦可將間接隙材散佈於 -16- 1289818 (14) 液晶層5 0中。 於配置密封材52之密封領域52a之內側並行，且規 定畫像顯示領域l〇a之邊緣領域之遮光性邊緣遮光膜53 ，係於對向基板20側加以設置。但是，邊緣遮光膜53之 其中一部分或全部亦可於TFT陣列基板1 〇側，設置作爲 內建遮光膜。 於本實施型態中，於畫像顯示領域10a之周邊，規定 周邊領域。亦即，從TFT陣列基板1 〇之中央視之，將相 較於邊緣遮光膜53略爲邊緣規定爲周邊領域。 於周邊領域之中，位於配置密封材料5 2之密封領域 之外側之領域中，資料線驅動電路1 〇 1及外部電路連接端 子102，係沿著TFT陣列基板10之其中一邊（亦即圖1 中下邊）而加以設計。又，掃描線驅動電路1 04係爲了沿 著與此其中一邊相連接之兩邊，且，覆蓋於前述邊緣遮光 膜5 3而加以設置。又’由於如此聯繫於畫像顯示領域 l〇a之兩側所設之兩條資料線驅動電路104之間，故將複 數配線1 05設置沿著TFT陣列基板1 〇剩餘之一邊，且由 邊緣遮光膜5 3所覆蓋。本實施型態中，特別係於周邊領 域之中，配線其中一端各自連接於外部電路連接端子102 之複數主配線1〇8。主配線108其另一端係連接於資料線 驅動電路101、掃瞄線驅動電路104等。又，關於此等之 TFT陣列基板1〇上之電路構成及其動作、和主配線108 之平面佈線將於後述。 於圖2中，於TFT陣列基板1 〇之上，於形成畫素開 1289818 (15) 關用之TFT或掃描線、資料線等之配線後之畫素電極9a 上，形成配向膜。另一方面，於對向基板20上，對向電 極2 1之外、亦形成格子狀或條紋狀之遮光膜23，更於最 上層部分形成配向膜。又，液晶層5 0係由例如混合一種 或數種向列性液晶之液晶所形成，且於此等一對之配向膜 間，取得特定之配向狀態。 於圖1中，於TFT陣列基板1 0之四個角落部附近， 設置連接於TFT陣列基板1 〇之上所平面佈線之主配線 108中之其中一條對向電極電位線之上下導通端子i〇6t。 於此等上下導通端子106t上各自配置上下導通材106。上 下導通材106係面接觸於對向電極21之四角，且係爲了 將來自外部電路連接端子1 02之對向電極電位，經由主配 線1 08供給於對向電極2 1而加以構成。 〔畫素部之構造〕 其次，針對本實施型態中之光電裝置之畫素部構造， 參照圖3加以說明。於此，圖3係構成光電裝置之畫像顯 示領域之形成矩形狀之複數畫素中各種元件、配線等之等 效電路。 於圖3之中，於第1實施型態之光電裝置之畫像顯示 領域1 0a (參照圖1 )內形成矩形狀之複數畫素中，各自 形成畫素電極9a和用來控制該畫素電極9a開關之TFT30 ;且供給於後詳述之畫像信號SI、S2、…、Sn之資料線 6a，係電氣性連接於TFT30之源極。 1289818 (16) 又，於TFT30之閘極，電氣性連接掃描線3a，且以 · 特定時序，於掃描線3a將掃描信號Gl、G2、…、Gm依 ， 序以線順次脈衝性施加而加以構成。畫素電極9a係藉由 電氣性連接於TFT30之汲極，且將開關元件之TFT30僅 於一定時間關閉其該開闢，而以特定時序寫入從資料線 6a所供給之畫像信號SI、S2、…、Sn。 於經由畫素9a作爲光電物質其中一例之液晶中，所 寫入之特定準位之畫像信號SI、S2、…、Sn，係於與形 ^ 成於對向基板之對向電極2 1之間，以一定期間保持。液 晶係藉由所施加之電壓準位變化分子集合之配向或秩序， 而調變光且將能顯示灰階。若於正常白模式中，因應於於 各畫素之單位所施加之電壓，將減少對於入射光之透過率 ;而若於正常黑模式中，因應於於各畫素之單位所施加之 電壓，將增加對於入射光之透過率，從整體光電裝置視之 ，將從光電裝置射出具有因應於畫像信號之對比之光。 爲了防止於此所保持之畫像信號漏電，而和於畫素電 鲁 極9a與對相電極2 1之間所形成之液晶電容並列，添加積 蓄電容70。此積蓄電容70係與掃瞄線3 a並列而加以設 置，且包含固定電位側電容電極之同時，亦包含設爲特定 電位之電容線3 00。藉由此積蓄電70，而提高各畫素電極 之電荷保持特性。又，電容線300之電位亦可正常固定於 一個電壓値，亦可以特定周期固定於複數電壓値。 接著，針對與本實施型態相關光電裝置之TFT陣列 基板上之電路構造及主配線之平面陣列，將參照圖4及圖 -19- 1289818 (17) 5加以說明。於此，圖4爲表示形成於TFT陣列基板上之 各種驅動電路及各種信號配線構造之等效電路圖。圖5爲 更清楚表示圖4之各種驅動電路、及各種信號配線構造之 等效電路圖。又，於以下之說明中，經由外部電路連接端 子1〇2而輸入於TFT陣列基板10內之信號名稱，與其信 號配線係於信號及其配線L之後，賦予相同之字母記號而 加以稱呼。亦即，相對於例如信號名稱爲“時脈信號CLX” ，其信號配線稱爲“時脈信號LCLX”。 如圖4及圖5所示，TFT陣列基板上1 〇上，係形成 構成供給畫像信號於資料線6a手段之其中一例之資料線 驅動電路1 0 1及取樣電路3 0 1，和構成供給掃瞄信號於掃 瞄線3 a手段之其中一例之掃瞄線驅動電路1 04，作爲光 電裝置之驅動電路。又，包含用來將供給於此等各驅動電 路之各種信號，從外部控制電路輸入之複數端子之外部電 路連接端子102，係沿著TFT陣列基板10之其中一邊而 加以形成（參照圖1 )。從外部電路連接端子1 02，係配 置主配線1 0 8。 資料線驅動電路1 0 1係作爲主要構成要素，而具備移 位暫存器電路101a、波形選擇電路101b及緩衝電路101c 〇 移位暫存器電路1 0 1 a，和外部電路連接端子1 02，係 從外部控制電路，採用經由主配線108中配線LVSSX及 配線LVDDX所提供之負電源VSSX及正電源VDDX，作 爲電源，且同樣因應於從外部控制電路所提供之起始信號 -20· 1289818 (18) ，而開始傳送動作。接著，和外部電路連接端子1 〇2，基 於經由主配線1 08中時脈信號線LCLX及反相位時脈信號 線LCLXINV所供給之移位暫存器電路101a用之時脈信號 CLX及反相位時脈信號LCLXm，而將傳送信號以特定時 序依序輸出於波形選擇電路101b。 波形選擇電路1 0 1 b亦稱爲“致能電路”，將從移位暫 存器電路1 0 1 a依序輸出之傳送信號之脈衝寬度，限制於 從外部控制電路，經由外部電路連接端子1 02所輸入之致 能信號ENB1〜ENB4之脈衝寬度，藉此規定後述之取樣電 路3 0 1之各取樣期間。更具體而言，波形選擇電路1 0 1 b 係藉由對應於上述移位暫存器電路1 0 1 a之各段而加以設 置之例如NAND電路及轉換器等，而加以構成，並將從移 位暫存器電路101a依序輸出之傳送信號設爲高準位，且 僅於致能信號ENB1〜ENB4之任一者設爲高準位之際，爲 了驅動資料線丨1 4，而進行選擇控制時間軸上之波形。 緩衝電路1 0 1 c將如此進行選擇波形之傳送信號緩衝 之後，作爲取樣電路驅動信號，而經由取樣電路驅動信號 線1 1 4，供給於取樣電路3 0 1。緩衝電路1 01 c亦可進行準 位位移處理、倒向（inverting )處理等之信號處理。 取樣電路3 0 1係具備複數用來取樣畫像信號之開關電 路元件其中一例之TFT2〇2，而加以構成。但是，作爲此 開關用電路元件，係如圖所示爲第1導電通道型之TFT， 且亦可爲η通道型之TFT，亦可爲p通道型之TFT。再者 ，亦可能藉由相輔型等之TFT等加以構造。於TFT2 02之 1289818 (19) 汲極，連接上述資料線6a之圖3中下端；於該TFT202 之源極，經由引繞配線1 1 6連接畫像信號線1 1 5之同時， 於該TFT202之閘極，亦連接接續於資料線驅動電路ι〇1 之取樣電路驅動信號線1 1 4。且，畫像信號線丨丨5上之畫 像信號VID1〜VID6，係爲了因應於從資料線驅動電路.1〇1 ’透過取樣電路驅動信號線1 1 4並供給取樣電路驅動信號 ，而藉由取樣電路301取樣且供給於各資料線6a而加以 構成。 從外部電路連接端子1 02經由主配線1 〇8而供給，且 如上述藉由取樣電路3 0 1寫入資料線6a之畫像信號s 1、 S 2、…、S η，雖亦可依序線順序供給，但於本實施型態中 ，畫像信號S1、S2、…、Sn係對應於6相所串列一並列 展開之各畫像信號VID1〜VID6，且相對6條之資料線6a 之群組，形成供給於各群組。又，畫像信號之相展開數不 限於6相，例如亦可將被展開爲9相、12相、24相等複 數相之畫像信號，對於將對應於其展開數之數目設爲一組 之資料線6a的組而加以供給。 掃描線驅動電路1 04係具備移位暫存器電路及緩衝電 路來作爲構成要素。且，將從外部控制電路，經由外部電 路連接端子102以及主配線108中之配線LVSSY及配線 LVDDY所供給之負電極VSSY及正電極VDDY，作爲電 源並使用；因應於同樣從外部控制電路所供給之起始信號 SPY，開始其內建電路之傳送動作。接著，根據經由外部 電路連接端子102以及主配線108中時脈信號線LCLY及 1289818 (20) 反相位時脈信號線LCLYuv^f供給之內建移位暫存器用之 時脈信號CLU及反相位時脈信號LCLYINV，而以特定時序 ，以線順序脈衝性施加掃瞄信號於上述掃瞄線3 a。 又，於TFT陣列基板10上，爲了連接於上下導通端 子106t，且通過TFT陣列基板10上之4個角落部，而配 線主配線1 08中其中一條對向電極電位線LLC COM。且， 經由上下導通材106、上下導通端子106t及對向電極電位 線LLC COM，對於對向電極21供給特定電位。藉由供給 此等電位，將可能驅動如上述挾持於畫素電極9a及對向 電極2 1之兩電極間之液晶。 於本實施型態中，掃瞄線驅動電路1 04係配置於相較 於圖1所示之密封領域52a之內側。亦即，配置於圖4及 圖5之中，爲了通過4個上下導通端子106t，且包圍畫像 顯示領域或各種驅動電路，而相較於沿著TFT陣列基板 10邊緣加以配線之對向電極電位線 LLCCOM，配置於 TFT陣列基板1 0之靠中央。藉由如此配置，相較於掃瞄 線驅動電路1 〇4配置於較密封領域52a外側之情況，將削 減TFT陣列基板1 〇之周邊領域空間，且達到裝置整體之 小型化；然而，包含有對向電極電位線LLC COM乃至於 掃瞄線驅動電路1 〇4之各種信號配線之複數主配線1 0 8a 之群組，及包含有乃至於資料線驅動電路1 〇 1之各種信號 配線之複數主配線1 〇8b之群組，係成爲可不相互交叉而 平面佈線。又，於乃至於掃瞄線驅動電路1 〇 4之主配線 1 0 8 a之群組間，亦將可非相互交叉而平面佈線。又，於 -23- 1289818 (21) 乃至於資料線驅動電路ιοί之主配線l〇8b之群組間’除 ， 了爲了連接於波形整形電路1 〇 1 b、緩衝電路1 〇 1 c而必須 - 之交叉部之外，亦可不相互交叉而平面佈線。又’乃至於 取樣電路3 0 1之主配線1 0 8 C、亦即畫像信號線1 1 5，除了 爲了連接於取樣電路3 0 1而必須之交叉部之外’將可不相 互交叉而平面佈線。 (外部電路連接端子及信號配線之配置構造） φ 其次，持續參照圖4及圖5之同時，針對外部電路連 接端子1 02及連接於外部電路連接端子之各種信號線之詳 細構造，加以說明。又，於以下說明中，經由外部電路連 接端子102而輸入於TFT陣列基板10信號名稱，與其輸 入端子，係各自於信號及端子T之後，標記相同字母符號 而加以稱呼。亦即例如相對於信號名稱爲時脈信號CLX， 稱其輸入端子爲“端子TCLX”。 如上述沿著TFT陣列基板1 0之其中一邊而加以設置 φ 之外部電路連接端子102,係具備分類成對向電極電位線 用、掃瞄線驅動電路用、畫像信號用及資料線驅動電路用 之4種用途之複數端子群組而加以構成。更具體而言，外 部電路連接端子102係具備端子TLCCOM作爲對向電極 電位線LLCCLM用，具備端子TSPY、端子TVSSY、端子 TVDDY、端子TCLX及端子TCLXINV而作爲掃瞄線驅動電 路104加以使用，具備端子TVID1〜TVID6而作爲畫像信 號VID1〜VID6用，和具備端子TVSSX、端子TSpx、端 -24- 1289818 (22) 子 TVDDX、端子 TCLX、端子 TCLX1Nv、端子 TTNB1 〜 · TENB4及端子TVSSX作爲資料線驅動電路101用而加以 一 構成。 於此，本實施型態中特別如圖4及圖5所示，外部電 路連接端子102之中，用來供給對向電極電位LCCOM之 2個端子TLC COM，係配置於右端及左端兩端。且，於此 2個端子TLCCOM連接兩端之對向電極電位線LLCCOM， 係爲了如上述連接於4個上下導通端子106t，並包圍密封 領域52a之外圍而加以配線。又，上下導通端子106t亦 可爲1個。 其次，連接於兩端所配置之端子TLCCOM，從右側起 ，用來驅動掃瞄線驅動電路104之端子 TCLY、端子 TCLY!nv、端子TVDDY及端子TSPY，係依此順序加以排 列。另一方面，從左側起，用來驅動掃瞄線驅動電路104 之端子TSPY及端子TVSSY係同樣依此順序加以排列。 藉由以此種位置配置構成對向電極電位線用之端子 φ TLCCOM，與掃瞄線驅動電路104用之端子群，連接於掃 瞄線驅動電路104用之端子群之複數主配線108a，亦即 用來驅動掃瞄線驅動電路1 04之複數之信號配線，將可能 全部配線於相較於於端子TLCCOM所連接之對向電極電 位線LLCCOM內側（亦即TFT陣列基板10之靠中央）。 且，如圖5所示，時脈信號線LCLY、反相位時脈信號線 LCLY1NY及定電位線之配線LVDDY，於圖上從右側，係爲 了電氣性連接於左右掃瞄線驅動電路1 04，而於右側之掃 -25- 1289818 (23) 瞄線驅動電路1 04及左側之掃瞄線驅動電路1 04之外側， 且沿著對向電極電位線LLC COM之內側，加以配置。亦 即，如本實施型態，於相較於密封領域52a內側配置掃瞄 線驅動電路104之際，對向電極電位線LLCCOM和用來 驅動上述掃瞄線驅動電路1 〇4之信號配線群將不於基板上 交叉。因此，對向電極電位線LLC COM和用來驅動掃瞄 線驅動電路104之信號配線群l〇8a，於此等製造工程階 段之中，將可能構成作爲同時形成之相同配線層。 若採用藉由於挾持層間絕緣膜等而於各別配線層形成 對向電極電位線LLC COM，和用來驅動掃瞄線驅動電路 1 04之信號配線群，而平面視之爲構成交叉之方法之際， 一般認爲，可能藉由特別於其交叉部分之各信號所產生之 信號雜訊而發生相互干擾等之瑕疵。對此，如上述於本實 施型態之中，對向電極電位線LLC COM和用來驅動掃瞄 線驅動電路1 04之信號配線群，由於以平面視之將不交叉 ，且形成於相同配線層，故將能事先防止此種瑕疵。 另外，供給對向電極電位LCOM之外部電路連接端子 102之TLCCOM，和用來驅動掃瞄線驅動電路104之端子 群若配置於與圖4或圖5所示之相反位置，亦即端子 TLCCOM若靠中央，連接於各端子之配線間將必須於基板 上相互交叉，且有必要採取將任一主配線1 08，中途連接 於別層等之手段、此際，由於藉由例如穿透於層間絕緣膜 之接觸孔等，而相互連接各配線層，故導致製造工程之複 雜化，甚至於此種連接處，產生配線電阻增加等之瑕疵之 -26- 1289818 (24) 可能性大大提高。對此，採用如本實施型態圖4或圖5所 示之外部電路連接端子1 02之配置構造，亦即藉由將端子 配置於靠端部，對向電極電位線LLC COM及用來驅動掃 瞄線驅動電路104之信號配線群108a，於此等製造工程 階段之中，將可較容易形成，且將能適當防止起因於配線 電阻之信號延遲等之瑕疵。 又，掃瞄線驅動電路104相較於密封領域52a，形成 於外側領域之際，將供給對向電極電位之端子TLC COM， 與掃瞄線驅動電路1 〇4用之端子群，相對於上述例子相反 配置，且於基板平面上，亦可構成兩者不相互交叉。藉由 如此構成，與上述情況相同，於基板平面上主配線1 不 相互交叉，亦可能防止增加交替銜接所引起之配線電阻。 於此，本實施型態之上，對向電極電位LLCCOM及 掃瞄線驅動電路104之驅動用之各主配線108,最好係由 含有鋁等低電阻金屬膜所加以構成。藉由如此構成，將能 降低此等信號配線之時定數，且可能防止配線引繞所引起 之信號延遲。另外，若由低電阻金屬膜或合金膜形成各主 配線108a，將成爲易於採用爲了不相互交叉包含對向電 極電位LLCCOM之複數或多數主配線108，而蛇行之構造 。亦即，藉由蛇行，雖然會增加配線長度，且增加伴隨於 此之配線電阻，但由於由低電阻金屬膜或合金膜所加以形 成，故蛇行所引起之不利可幾乎或是完全不顯現。相反地 ，藉由蛇行將可能避免主配線108交叉，故更多數之各配 線1 08將可能於有限之周邊領域內平面佈線。 -27- 1289818 (25) 再者，於外部電路連接端子1 02之中，連接於驅動掃 瞄線驅動電路104用之端子TSPY及端子TVSSY，從左側 起，係依序配置畫像信號用之端子TVID1〜TVID6、資料 線驅動電路101用之端子 TVSSX、端子 TSPX、端子 TVDDX、端子 TCLX、端子 TCLXinv、端子 TENB1 〜 TENB4 及端子 TVSSX。 於此，連接於端子TVID1〜TVID6之主配線108之6 條畫像信號線 Π 5，各自於基板平面上不相互交叉，且， 亦不與連接於外部電路連接端子1 02之其他任一信號配線 於基板平面上相互交叉，而配線至取樣電路3 0 1與資料線 驅動電路1 〇 1間之領域。具體而言，畫像信號線1 1 5係配 置於掃瞄線驅動電路104之驅動用主配線108a之配線 LVSSY，與資料線驅動電路101之驅動用主配線l〇8b之 配線LVSSX之間。而且，各畫像信號線1 15爲了電氣性 連接於取樣電路3 0 1，而經由未圖示之接觸孔連接。且， 引繞配線1 1 6係與其他畫像信號線1 1 5相互交叉而加以配 置。 又，連接於資料線驅動電路用各端子之複數主配線 108b，亦即定電位線之配線LVSSX及定電位線之配線 LVDDX、起始信號線LSPX、時脈信號線LCLX及反相位 時脈信號線LCLXmv、和致會g信號線LENB1〜LENB4，於 基板平面上各自將不相互交叉，且亦不與連接於外部電路 連接端子1 02之其他任一信號配線於基板平面上相互交叉 ，而配線至資料線驅動電路1 〇 1。更具體而言，配線 -28- 1289818 (26) LVSSX係於主配線108a及主配線108c之內側，以包圍 資料線驅動電路1 0 1的方式而加以配置。且，其他主配線 108b之起始信號線LSPX、時脈信號線LCLX及反相位時 脈信號線LCLX1NV、和致能信號線LENB1〜LENB4，係配 置於配線LVSSX之內側。且，爲了電氣性連接於資料線 驅動電路101之移位暫存器電路l〇la、波形整形電路 1 〇 1 b及緩衝電路1 0 1 c，而經由接觸孔被連接引繞配線。 且引繞配線係與其他配線相互交叉而加以配置。 由於如以上般配置外部電路連接端子102，故若藉由 本實施型態，連接於各端子之複數主配線1〇8於基板平面 上不交叉配線，連接於外部電路連接端子1〇2之所有主配 線1 08將可能於此等製造工程階段中，作爲同時形成之相 同配線層而加以構成。因此，將可能達到簡化製造工程。 並且，如所述般，亦可能事先防止交叉之主配線1 〇 8間之 干擾等瑕疵，亦可能事先防止起因於配線途中於接觸孔等 所產生之接觸電阻或配線電阻信號延遲等之瑕疵。 於本實施型態中，畫像信號端子TVID1〜TVID6其兩 側最好以被挾持於定電位用或屬於低頻率控制信號之信號 配線之端子間的方式，而加以配置’且儘可能配置於遠離 屬於低頻率控制信號之信號配線之端子之位置。更具體而 言，如圖 4或圖5所示，畫像信號用之端子TVID1〜 TVID6，係配置成被挾持於電位線用之端子TVSSY及端 子TVSSX之間，且配置於遠離用來驅動資料線驅動電路 101之屬於高頻率控制信號之配線用之端子tclxinv、端 -29- 1289818 (27) 子TCLX及端子TENB1〜TENB4之位置。一般而言，電磁 波係因應於距離及障礙物之介於存在而減少，故藉由如本 實施型態般配置，將可能降低對於畫像信號線1 1 5之高頻 率之時脈雜訊等侵入。亦即，畫像信號線1 1 5係藉由配置 於遠離高頻率控制信號用之配線群，而降低雜訊之影響， 且藉由定電位線之介於存在，而成爲從高頻控制信號用配 線而被電氣性遮蔽之型態。因此，將可不因雜訊之影響而 畫質劣化，且維持高品質畫像顯示。 (畫素部之詳細構造） 以下，針對資料線6a、掃描線3a及TFT30等所致之 實線上述電路動作之光電裝置之畫素部實際構造，參照圖 6及圖7加以說明於此，圖6爲表示形成本實施型態之光 電裝置之資料線、掃描線、畫素電極等之TFT陣列基板 之相鄰接之複數畫素群之平面圖。圖7爲表示其A-A’剖 面圖。 於圖6中，畫素電極9a係於TFT陣列基板1〇上， 矩陣狀複數設置（以點線部9a，表示輪廓）；各自沿著畫 素電極9a縱橫向邊界，配置資料線6a及掃描線3a。資 料線6a係由例如鋁膜等金屬膜或合金膜所形成；而掃描 線3 a係由例如聚矽膜等所形成。又，掃描線3 a係爲了於 半導體層1 a中’對向於圖中又上斜線領域所示之通道領 域1 a’而加以配置，且該掃描線3 a係功能化作爲閘極電極 。亦即，於資料線6 a與掃描線3 a交叉處，各自設有於通 -30- 1289818 (28) 道領域la’對向配置掃描線3a之本線部作爲閘極電極之畫 素開關用之TFT30。 如圖7所示，光電裝置係具備透明TFT陣列基板1 0 ，和於此對向配置之透明對向基板20。TFT陣列基板10 ，係由例如石英基板、玻璃基板及矽基板所形成，而對向 基板20係由玻璃基板或石英基板所形成。於TFT陣列基 板10上，設有畫素電極9a，且於其上側，設有實施硏磨 處理等特定配向處理之配向膜16。其中，畫素電極9a係 由例如ITO( Indium Tin Oxide)膜等透明導電性膜所形 成。另一方面，於對向基板20上，橫跨其全面而設置對 向電極21，且於下側，設有實施硏磨處理等特定配向處 •理之配向膜22。其中對向電極21，與上述畫素電極9a同 樣由例如ITO ( Indium Tin Oxide )膜等透明導電性膜所 形成；而配向膜1 6及22係例如由聚矽亞胺膜等之透明有 機膜所形成。液晶層50係以未被施加來自畫素電極9a之 電場之狀態，藉由配向膜1 6及22取得特定配向狀態。 TFT30 係如圖 7 所示，具有 LDD ( Lightly Doped Drain )構造，且其構造要素係具備功能化作爲上述閘極 電極之掃描線3a，和例如由聚矽膜所形成，且藉由來自 掃描線3a電場而形成通道之半導體層la之通道領域la’ ，和包含絕緣掃描線3 a與半導體層1 a之閘極電極之絕緣 膜2，和半導體層1 a之低濃度源極領域1 b及低濃度汲極 領域1 c，和高濃度源極領域1 d及高濃度汲極1 e。 又，TFT30最好如圖7所示般，具有LDD構造，但 1289818 (29) 亦可具有不導入不純物於低濃度源極領域1 b及低濃度汲 極領域1 c之偏移構造；且亦可爲將由掃瞄線3 a其中一部 分所形成之閘極電極做爲光罩而以高濃度導入不純物，且 自我整合地形成高濃度源極領域及高濃度汲極領域之自我 配列型之TFT。又，於本實施型態中，雖將畫素開關用 TFT30之閘極電極，作爲於高濃度源極領域Id及高濃度 汲極1 e僅配置一個之單閘極構造，但亦可於此等間配置 兩個以上之閘極電極。若以雙閘極、或三閘極以上構成 TFT，將能防止通道與源極及汲極領域之連接部分之漏電 電流，且能降低關閉時之電流。再者，構成TFT30之半 導體層1 a爲非單結晶層或單結晶層皆可。於形成單結晶 層之中，能採用貼合法等眾所皆知之方法。由於將半導體 層1 a作爲單結晶層，故特別能達到周邊電路之高性能化 〇 另一方面，於圖7中，積蓄電容70係藉由將作爲連 接於TFT3 0之高濃度汲極領域le及畫素電極9a之畫素電 位側電容電極的中繼層7 1，和作爲固定電位側電容電極 之電容線3 00之其中一部份，隔著介電質膜75來對向配 置，而加以形成。 電容線300係由包括例如Ti (鈦）、Cr (鉻）、W ( 鎢）、Ta (鉅）、Mo (錳）等之高熔點金屬之中至少一 種之金屬單體、合金、金屬矽化合物、聚金屬矽化合物及 層積此等之物等所形成。或可能由A1 (鋁）膜所構成。 中繼層71係由例如導電性之聚矽膜所形成，且功能 -32- 1289818 (30) 化作爲畫素電位側電容電極。但，中繼層71與後述電容 線3 00同樣，亦可由金屬或含有合金之單一層膜或多層膜 而加以構成。中繼層71除了具有作爲畫素電位側電容電 極之功能以外，亦具有經由接觸孔83及85，中繼連接畫 素電極9a與TFT30之高濃度汲極領域le之功能。 電容線3 00係功能化作爲與中繼層7 1對向配置之固 定電位側電容電極。此電容電極3 00以平面視之，如圖6 所示，重疊於掃瞄線3 a之形成領域而加以形成。更具體 而言，電容線3 00係具備沿著掃瞄線3a而延伸之本線部 ，和從圖中與資料線6a交叉之各處，沿著資料線6a於上 方各自突出之突出部，和僅些許涵蓋對應於接觸孔85之 處之少許總括部。其中，突出部係利用掃瞄線3a上之領 域及資料線6a下之領域，而有助於增大積蓄電容70之形 成領域。又，電容線3 00最好從配置畫素電極9a之畫像 顯示領域1 〇a，延伸設置於其周圍，且與定電位源電氣性 連接，並設爲固定電位。作爲此種定電位源，亦可爲例如 上述供給於資料線驅動電路1〇1之正電源VDDX，或負電 源VSSX等之定電位源，且亦可爲供給於對向基板20之 對向電極21之對向電極電位LCCOM。 介電質膜75係如圖7所示，由例如膜厚5〜200nm左 右之較薄 HTO ( High Temperature Oxide )膜、LTO ( Low Temperature Oxide)膜等之氧化矽膜，或氮化矽膜等而加 以構成。從增大積蓄電容7〇之觀點視之’只要能充分取 得膜之信賴性，介電質膜7 5愈薄愈好。 -33- 1289818 (31) 圖6及圖7中，上述以外，於TFT30之下側設置下 側遮光膜1 1 a。下側遮光膜1 1 a係圖案化成格子狀，且藉 此規定各畫素之開口領域。下側遮光膜1 1 a與前述電容線 3 00相同，由金屬或含有合金之單一層膜或多層膜而加以 構成。又，開口領域之規定亦藉由圖6中之資料線6a， 和以與此交叉之方式而被形成電容線3 00而進行。又，下 側遮光膜1 1 a亦與前述電容線3 00之情況相同，爲了避免 其電位變動帶給TFT30負面影響，故亦可從畫像顯示領 域延伸設置於其周圍，且連接於定電位源。 又，於TFT30下，設置基底絕緣膜12。基底絕緣膜 12具有從下側遮光膜1 la層間絕緣TFT30之功能之外， 亦具有藉由於TFT陣列基板10整體形成，而以TFT陣列 基板1 〇之表面硏磨時之粗糙或洗淨後殘留之污垢等，防 止畫素開關用之TFT30之特性變化之功能。 另外，於掃描線3a上，形成各自開孔通往高濃度源 極領域1 d之接觸孔8 1及通往高濃度汲極領域1 e之接觸 孔83之第1間層絕緣膜41。 於第1層間絕緣膜41之上，形成中繼層71及電容線 3 00，且於此等上，形成各自開孔通往高濃度源極領域1 d 之接觸孔8 1及通往中繼層71之接觸孔8 5之第2間層絕 緣膜42。 另外，更於第2層間絕緣膜42之上，形成資料線6a ，且於此等之上，形成構成通往中繼層71之接觸孔8 5之 第3間層絕緣膜43。 -34- 1289818 (32) (信號配線之剖面構造） 其次’對應於參照圖7而加以說明之畫素部之剖面構 造，以下’將特別針對與本實施型態相關且連接於外部電 路連接端子之各種信號配線之剖面構造，加以說明。於此 ，圖8爲圖4或圖5之B-B，剖面圖，圖9爲圖4或圖5 之C-C’剖面圖。 如圖8所示，外部電路連接端子丨〇2之複數端子中， 於相當於如圖4或圖5所示之右側半數分之端子TCLV!nv 〜端子TLCCOM所連接之主配線1〇8，完全於圖7所示之 第2層間絕緣膜42之上，作爲各自相互於製造工程階段 中同時形成之相同配線層，而加以構成。另一方面，於圖 9所示，於外部電路連接端子1 02之複數端子中，於相當 於如圖4或圖5所示之另外左側半數分之端子TVDDX〜端 子TLCCOM所連接之主配線108，亦於圖7所示之第2層 間絕緣膜42之上，作爲各自相互於製造工程階段中同時 形成之相同配線層，而加以構成。亦即，所有連接於外部 電路連接端子102之主配線108，係作爲形成於已參照圖 7所述之第2層間絕緣膜上之資料線6a之配線層，和同 時形成之相同配線層，而加以構成。此係藉由以圖4或圖 5所示之順序配列外部電路連接端子1 〇2之各端子’且連 接於此等端子之主配線1 〇8於基板平面上細相互不交叉地 配線而加以實現。 如以上所云，連接於外部電路連接端子1 之各種主 -35- 1289818 (33) 配線1 08，藉由能相互作爲相同配線層而加以形成，故於 此等製造工程中，將可能較易形成；再者，藉由能與資料 線6a作爲相同配線層而加以構成，故將可能更簡略化製 造工程。另外，資料線6a由於由上述般例如鋁膜等之低 電阻之金屬膜或合金膜所形成，故於與此同時形成之外部 電路連接端子102所連接之各種主配線108，亦能作爲低 電阻之信號配線而加以構成，且將可能防止信號延遲等之 瑕疵。 (變形型態） 其次參照圖1 〇及圖1 1，將針對上述實施型態之變形 型態加以說明。於此，圖1 〇及圖1 1各自爲與變形型態相 關之主配線及冗長配線之剖面圖，圖1 〇爲垂直此等延伸 方向之剖面，亦即與圖9同樣，於爲對應於圖4及圖5之 C-C’剖面之處橫切之剖面圖，圖1 1爲於沿著此等延伸方 向之剖面橫切之剖面圖。 如圖1 〇及圖1 1所示，於變形型態中，與圖9同樣各 自由鋁膜等所形成之複數主配線108之配線LVDDX、 LSPX及LVSSX等，各自具備冗長配線600。冗長配線 6 00與主配線108爲不同層，且由與例如高融點金屬膜等 之電容線3 00相同導電膜而加以形成。又，各冗長配線 600以平面視之，與對應於主配線108重疊並延伸；於形 成冗長構造之領域中，爲了具有與主配線1 08略爲同樣之 平面佈線而加以構成。再者，冗長配線600係各自經由複 -36- 1289818 (34) 數接觸孔60 1，與相對應之主配線1 08電氣性連接，且功 能化作爲該已連接之主配線1 08之冗長配線。關於其他構 造，與已參照圖1至圖9加以說明之上述實施型態相同。 因此，若藉由本變形型態，將可藉由採用冗長構造， 而更降低主配線1 〇 8之配線電阻。加上，構成冗長構造之 主配線1 08與冗長配線中其中一方假使斷線，由於具有能 達到配線功能之可能性，故將降低裝置缺陷品化，且亦可 提高製造良率。 (電子機器） 其次，採用以上詳述之光電裝置作爲光閥之電子機器 其中一例之投射型彩色顯示裝置之實施型態，將針對其整 體構造特別係光學性構造而加以說明。於此，圖1 2爲投 射型彩色顯示裝置之圖式性剖面圖。 於圖1 2中，本實施型態之投射型彩色顯示裝置其中 一例之液晶投影機1 1 〇〇，係具備3個包含搭載驅動電路 於TFT陣列基板上之液晶裝置之液晶模組，且各自做爲 採用RGB用之光閥100R、100G及100B之投影機而加以 構成。於液晶投影機1 1 〇〇中，若從金屬鹵元素等之白色 光源之燈管單位Π02發出投射光，藉由3枚鏡片1106及 2枚分色鏡片1 108，分成對應於RGB之三原色之光成份 R、G及B，且各自導入對應於各色之光閥100R、100G 及100B。此時，B光爲了防止長光路所引起之光損耗， 而經由入射透鏡1122、中繼透鏡1123及射出透鏡1124 -37- 1289818 (35) 所形成之中繼透鏡系1 1 2 1加以引導。又，對應於藉由光 閥10 0R、100G及100B而各自調變之三原色之光成份， 藉由分色稜鏡1 1 1 2再度合成後，經由投射透鏡1 1 1 4於螢 幕投射爲彩色畫像。 本發明並非局限於上述實施型態，以不違反從申請專 利範圍及說明書整體所述之發明主旨或理念之範圔內，亦 可做適當變更，且伴隨此種變更之光電裝置及電子機器亦 包含於本發明之技術範圍內。 【圖式簡單說明】 圖1爲表示本實施型態之光電裝置整體構造之平面圖 〇 圖2爲表不圖1之H-H’剖面圖。 圖3爲表示構成光電裝置之畫像顯示領域之形成矩陣 狀之複數畫素之各種元件、配線等之等效電路圖。 圖4爲表示形成於TFT陣列基板上之各種驅動電路 及各種信號配線構造之等效電路圖。 圖5爲表示形成於TFT陣列基板上之各種驅動電路 及各種信號配線構造之等效電路圖。 圖6爲表示形成本發明之實施型態之光電裝置之資料 線、掃描線' 畫素電極等之TFT陣列基板之相鄰接之複 數畫素群之平面圖。 圖7爲表示圖6之Α·Α’剖面圖。 圖8爲表示圖4、圖5之Β-Β’剖面圖。 -38- 1289818 (36) 圖9爲表示圖4、圖5之C_C’剖面圖。 圖1 〇爲表示與變形型態相關之主配線及冗長配線之 一剖面圖。 圖1 1爲表示與變形型態相關之主配線及冗長配線之 其他剖面圖。 圖12爲表示本發明電子機器實施型態之投射型彩色 顯色裝置之其中一例之彩色液晶投影機之圖式性剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 : TFT陣列基板 l〇a :畫像顯示領域 2〇 :對向基板 2 1 :對向電極 5 〇 :液晶層 5 2 :密封材 5 2 a :密封領域 70 :積蓄容量 1 0 1 :資料線驅動電路 102:外部電路連接端子 104 :掃描線驅動電路 106 :上下導通材 l〇6t :上下導通端子 108 :主配線 3 0 0 :電容線

Claims (1)

1289818 (1) 拾、申請專利範圍 1. 一種光電裝置，其特徵係具備： 於元件基板上之畫像顯示領域所具備之複數畫素部， 和 在位於前述元件基板上之前述畫像顯示領域之周邊之 周邊領域上，所具備之複數之外部電路連接端子、和其中 一端被分別連接於該複數外部電路連接端子之複數主配線 、和連接於該主配線之另一端，並從前述外部電路連接端 子，基於經由前述主配線所供給之電氣信號，驅動前述畫 素部之周邊驅動電路； 前述複數主配線，係在由相同導電膜所形成之同時， 以不相互交叉的方式，而於前述周邊領域內，平面佈線。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中， 由包含前述周邊驅動電路之內部配線、從前述周邊驅動電 路往前述畫素部所取出之引繞線、及從前述主配線所分歧 之分歧配線中之至少一個而成之副配線，係以於第1部分 之中’從與前述相同導電膜不同之其他導電膜所形成，並 經由層間絕緣膜而與前述主配線交叉，且於第2部分之中 ’從前述相同導電膜所形成，而不與前述主配線交叉的方 式’於前述周邊領域內，平面佈線。 3 .如申請專利範圍第2項所記載之光電裝置，其中， 前述第1部分及前述第2部分之間，係經由鑿開於前述間 層絕緣膜之接觸孔而電氣性連接。 4 ·如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中， -40- 1289818 (2) 於對向配置於前述元件基板之對向基板之前述周邊領域， 更具備對向電極； 於前述元件基板上之前述周邊領域，係更具備有：用 以對在身爲前述複數主配線之中之至少一個的用以對前述 對向電極供給對向電極電位之對向電極電位線，與前述對 向電極之間，取得上下導通之上下導通端子； 前述對向電極電位線，係於前述周邊領域之中，於前 述複數之主配線中，位於前述元件基板之靠邊緣處； 前述周邊驅動電路，於前述周邊領域之中，相較於前 述上下導通端子及前述對向電極電位線，係位於前述元件 基板之靠中央處。 5 ·如申請專利範圍第4項所記載之光電裝置，其中， 前述複數之外部電路連接端子係沿著前述元件基板之其中 一邊所配列； 於前述複數之外部電路連接端子之中，被連接於前述 對向電極電位線之其中一端的外部電路連接端子，於前述 複數之外部電路連接端子之配列中，係位於靠端部處。 6·如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中， 於對向配置於前述元件基板之對向基板之前述周邊領域， 更具備對向電極； 於前述元件基板上之前述周邊領域，係更具備有：用 以對在身爲前述複數主配線之中之至少一個的用以對前述 對向電極供給對向電極電位之對向電極電位線，與前述對 向電極之間，取得上下導通之上下導通端子； -41 - 1289818 (3) 前述對向電極電位線，係於前述周邊領域之中，相較 於除了前述對向電極電位線之外的一個或複數之主配線， 位於更靠前述元件基板之邊緣部，並相較於除了前述對向 電極電位線之另一個或複數之主配線，位於前述元件基板 之更靠中央處； 前述周邊驅動電路之其中一部份，於前述周邊領域之 中，相較於前述上下導通端子及前述對向電極電位線，部 分性位於前述元件基板之靠中央處；前述周邊驅動電路之 其他部分，於前述周邊領域之中，相較於前述上下導通端 子及前述對向電極電位線，部分性位於前述元件基板之靠 邊緣部。 7 ·如申請專利範圍第6項所記載之光電裝置，其中， 前述複數之外部電路連接端子，係沿著前述元件基板之其 中一邊所配列； 於前述複數之外部電路連接端子之中，被連接於前述 另一個或複數之主配線之其中一端之外部電路連接端子， 於前述複數之外部電路連接端子之配列中，係位於靠端部 〇 8 ·如申請專利範圍第4項所記載之光電裝置，其中， 前述複數之主配線，係包含有：在做爲前述電氣信號而分 別供給時脈信號及其反轉信號之同時，不與前述對向電極 電位線交叉之一對的時脈信號線。 9 ·如申請專利範圍第6項所記載之光電裝置，其中， 前述複數之主配線，係包含有：在做爲前述電氣信號而分 -42- 1289818 (4) 別供給時脈信號及其反轉信號之同時，不與前述對向電極 < 電位線交叉之一對的時脈信號線。 ， 1 〇 ·如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中 ’前述複數之主配線，係包含有：用以做爲前述電氣信號 而供給時脈信號及其反轉信號之一對的時脈信號線，和用 以做爲前述電性信號而供給電源信號之電源配線；前述一 對之信號線與前述電源配線爲不交叉。 1 1 ·如申請專利範圍第6項所記載之光電裝置，其中 | ，前述複數之主配線，爲了避免相互交叉而以蛇行的方式 平面佈線。 12.如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中 ，前述複數之主配線，於至少一部分，包含有由與前述相 同導電膜爲不同層所形成之其他導電膜所成的冗長配線。 13·—種光電裝置，乃具備： 於元件基板上之畫像顯示領域所具備之複數畫素部’ 和 _ 在位於前述元件基板上之前述畫像顯示領域周邊之周 邊領域上的複數之外部電路連接端子，和掃描線驅動電路 ，和資料線驅動電路，和其中一端被連接於於前述外部電 路連接端子，且另一端被連接於前述掃描線驅動電路之掃 描線驅動電路用配線，和其中一端被連接於前述外部電路 連接端子，且另一端被連接於前述資料線驅動電路之資料 線驅動電路用配線，和一端被連接於前述外部電路連接端 子，並供給前述複數之畫素部的畫素信號之畫像信號配線 -43- 1289818

前述掃描線驅動電路用配線，和前述資料線驅動電路 用配線，和前述畫像信號配線，係以不相互交叉的方式， 平面布線於前述周邊領域內。 14.如申請專利範圍第13項所記載之光電裝置，其中 ，前述畫像信號配線，係配置於前述掃描線驅動電路用配 線，和前述資料線驅動電路用配線之間。 Φ 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項所記載之光電裝置，其中 ，於對向配置於前述元件基板之對向基板上之前述周邊領 域，更具備對向電極，和其中一端被連接於前述外部電路 連接端子另一端用以供給對向電位於前述對向電極之對向 電位線； 前述對向電極電位線，係以包圍前述掃描線驅動電路 用配線的方式而配置。

16·—種電子機器，其特徵係具備如申請專利範圍第1 項至第1 5項之任一者所記載之光電裝置。 -44- 1289818 柒、（一）、本案指定代表圖為：第」_圖 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 106t :上下導通材 l〇8b :資料線驅動電路101之主配線 104 :掃描線驅動電路 202 ： TFT 115 ·畫像fg號線 l〇a :畫像顯示領域 114 :取樣電路驅動信號線 101a :移位暫存器電路 l〇lc :緩衝電路 Sn :畫像信號 Sn-2 :畫像信號 Sn-4 :畫像信號 S1〜S12 :畫像信號 SPY :開始信號 VID1〜VID6 ··畫像信號 VDDX :正電極 ENB1〜ENB4 :致能信號 108a :掃瞄線驅動電路104之主配線 l〇8c :主配線 3a :電氣性連接掃描線 301 :取樣電路 101 :資料線驅動電路 6a ： mm 116:引繞配線 l〇lb :波形選擇電路 102 ··外部電路連接端子 Sn-Ι :畫像信號 Sn-3 :畫像信號 Sn-5 ··畫像信號 LCCOM :對向電極電位線 VSSY :負電極 VSSX :負電極 CLX、CLX’、CLY、CLY’ ：時脈信號 VDDY :正電極

捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無

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