JP5103717B2 - 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 - Google Patents
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Description
本発明の電気光学装置の一態様では、前記画像信号線から分岐する分岐配線と、前記分岐配線と前記データ線との間に接続されたサンプリングスイッチと、データ線駆動回路からサンプリング回路駆動信号を前記サンプリングスイッチのゲートに供給するサンプリング回路駆動信号線と、をさらに備え、前記分岐配線は、前記第1部分配線及び前記第2部分配線の下層側に位置する導電膜で形成される。
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記一方の電極は、前記データ線が設けられた層の下層側に位置する導電膜で形成され、前記分岐配線は、前記一方の電極と同一膜で形成される。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図11を参照して説明する。
先ず、第1層には、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線11aが設けられている。この走査線11aは、平面的にみて、図4のX方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。
次に、第2層として、ゲート電極3aを含むTFT30が設けられている。TFT30は、図6に示すように、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極3a、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a´、ゲート電極3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜2、半導体層1aにおける低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c並びに高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eを備えている。
以上説明した走査線11aの上、かつ、TFT30の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜12が設けられている。下地絶縁膜12は、走査線11aからTFT30を層間絶縁する機能等を有する。
前述の第2層に続けて第3層には、蓄積容量70が設けられている。蓄積容量70は、TFT30の高濃度ドレイン領域1e及び画素電極9aに接続された画素電位側容量電極としての下部電極71と、固定電位側容量電極としての容量電極300とが、誘電体膜75を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量70によれば、画素電極9aにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
以上説明したTFT30ないしゲート電極3a及び中継電極719の上、かつ、蓄積容量70の下には、例えば、NSG(ノンシリケートガラス)、PSG(リンシリケートガラス)、BSG(ボロンシリケートガラス)、BPSG(ボロンリンシリケートガラス)等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、或いは好ましくはNSGからなる第1層間絶縁膜41が形成されている。
前述の第3層に続けて第4層には、データ線6aが設けられている。データ線6aは、図6に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層(図6における符号41A参照)、窒化チタンからなる層(図6における符号41TN参照)、窒化シリコン膜からなる層(図6における符号401参照)の三層構造を有する膜として形成されている。
以上説明した蓄積容量70の上、かつ、データ線6aの下には、例えばNSG、PSG,BSG、BPSG等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、或いは好ましくはTEOSガスを用いたプラズマCVD法によって形成された第2層間絶縁膜42が形成されている。第2層間絶縁膜42には、TFT30の高濃度ソース領域1dとデータ線6aとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール81が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層6a1と蓄積容量70の上部電極たる容量電極300とを電気的に接続するコンタクトホール801が開孔されている。更に、第2層間絶縁膜42には、第2中継電極6a2と中継電極719とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール882が形成されている。
前述の第4層に続けて第5層には、容量配線400が形成されている。容量配線400は、平面的にみると、図5に示すように、図中X方向及びY方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該容量配線400のうち図中Y方向に延在する部分については特に、データ線6aを覆うように、且つ、該データ線6aよりも幅広に形成されている。また、図中X方向に延在する部分については、後述の第3中継電極402を形成する領域を確保するために、各画素電極9aの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
以上説明した前述のデータ線6aの上、かつ、容量配線400の下には、NSG、PSG、BSG、BPSG等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはTEOSガスを用いたプラズマCVD法によって形成された第3層間絶縁膜43が形成されている。この第3層間絶縁膜43には、前記の容量配線400と容量配線用中継層6a1とを電気的に接続するためのコンタクトホール803、及び、第3中継電極402と第2中継電極6a2とを電気的に接続するためのコンタクトホール804がそれぞれ開孔されている。
最後に、第6層には、上述したように画素電極9aがマトリクス状に形成され、該画素電極9a上に配向膜16が形成されている。画素電極9a下には、NSG、PSG、BSG、BPSG等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、或いは好ましくはNSGからなる第4層間絶縁膜44が形成されている。第4層間絶縁膜44には、画素電極9a及び前記の第3中継電極402間を電気的に接続するためのコンタクトホール89が開孔されている。画素電極9aとTFT30との間は、コンタクトホール89及び第3中継層402並びに前述したコンタクトホール804、第2中継層6a2、コンタクトホール882、中継電極719、コンタクトホール881、下部電極71及びコンタクトホール83を介して、電気的に接続されることとなる。
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
Claims (7)
- データ線と、前記データ線に電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられた画素電極と、一方の電極が容量線に電気的に接続されるとともに他方の電極が画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、前記データ線に画像信号を供給するための画像信号線と、前記画像信号線に電気的に接続された外部回路接続端子と、を備え、
前記容量線は、前記データ線が設けられた層と、前記画素電極が設けられた層の間に設けられており、
前記画像信号線は、前記データ線を構成する導電膜と同一膜から形成される第1部分配線と、前記容量線を構成する導電膜と同一膜から形成される第2部分配線を有するとともに、前記第1部分配線と前記第2部分配線との間の絶縁膜に設けられた第1コンタクトホールを介して接続されており、
前記第2部分配線は、前記外部回路接続端子から延設される、ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記画像信号線から分岐する分岐配線と、前記分岐配線と前記データ線との間に接続されたサンプリングスイッチと、データ線駆動回路からサンプリング回路駆動信号を前記サンプリングスイッチのゲートに供給するサンプリング回路駆動信号線と、をさらに備え、
前記分岐配線は、前記第1部分配線及び前記第2部分配線の下層側に位置する導電膜で形成される、ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記一方の電極は、前記データ線が設けられた層の下層側に位置する導電膜で形成され、
前記分岐配線は、前記一方の電極と同一膜で形成される、ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 - 前記第1部分配線は、前記基板上で平面的に見て、前記外部回路接続端子の位置する領域において開孔されたコンタクトホールを介して前記外部回路接続端子と夫々電気的に接続されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第1部分配線と前記第2部分配線は、基板上で平面的に見て少なくとも部分的に互いに重なる部分を含み、前記互いに重なる部分において少なくとも一つのコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第1部分配線と前記第2部分配線は、基板上で平面的に見て、各々の配線幅が互いに揃うように、且つ、互いに重なるように形成されることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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