TWI286238B

TWI286238B - Driving method for liquid crystal display, liquid crystal display, and portable electronic machine

Info

Publication number: TWI286238B
Application number: TW093125560A
Authority: TW
Inventors: Yutaka Kobashi
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-08-26
Filing date: 2004-08-26
Publication date: 2007-09-01
Also published as: CN1591103B; CN1591103A; KR100634068B1; US7414602B2; JP2005070539A; US8248338B2; US20090027321A1; TW200517716A; US20050052393A1; KR20050022376A; JP4154598B2

Description

1286238 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明關於液晶顯示裝置之驅動方法、液晶顯示裝置及攜帶型電子機器，特別關於使用主動矩陣基板的液晶顯示裝置之共通反轉驅動。【先前技術】近年來以筆記本型個人電腦或監控器爲始而使用薄膜電晶體等主動元件之液晶顯示裝置快速普及。使用一般向列型液晶材料之液晶顯示裝置中，爲確保信賴性施加於液晶之電壓需要以一定時間進行極性反轉之交流驅動。一般之黑/白顯示時施加於液晶之電壓差爲3〜5 v。因此，交流驅動而以挾持液晶之主動矩陣基板與對向基板之電極（共通電極）設爲固定電位時，主動矩陣基板之畫素電極需輸入6〜10V之電壓振幅信號。但是，一般1C欲輸出具有 5V以上電壓振幅信號時需要以極佳高耐壓特性之特殊製程製造，成本變高。爲迴避此點可以考慮共通反轉驅動法，亦即以交流驅動共通電極之電位而降低輸入信號（參照專利文獻1 )。以下，以圖1 2針對依據每一掃描線選擇週期（1 Η週期）進行共通反轉驅動以及液晶施加電壓極性反轉之1 Η 共通反轉驅動，說明常白模態、畫素開關元件爲Ν通道型薄膜電晶體之液晶顯示裝置之例。

Vc〇m ( 1 )爲上述共通電極電位，形成補助電容（Cs -4- (2) 1286238 )時補助電容共通電極之電位亦相同。Ve()m ( 1 )於共通反轉驅動時係以一定週期於〃。。心與ve()mL間進行反轉驅動。v g 1〜Π ( 2 - 1〜2 — η)爲由掃描線驅動電路供給至n號掃描線之電位，在Ve()m ( 1 )反轉之每一次依序對1條掃描線施加選擇電位（VG0N )而將畫素開關元件設爲on狀態 (導通狀態），在以外之時間則依據Ve()m ( 1 )之電位選擇VG0FFH或VG0FFL之其中一個作爲非選擇電位施加而使連接之畫素開關元件設爲OFF狀態（非導通狀態）。此處之所以依據ve()m ( 1 )電位將非選擇電位設爲Vgoffh與 VG0FFL之二値，係爲確保畫素開關元件之信賴性，其揭示於例如專利文獻2。V s ! (3 - 1)〜V s n ( 3 - m )爲由資料線驅動電路供給至資料線之影像信號電位，具有VVIDE0H與 VviDEOL間之振幅。選擇液晶材料或間隙俾使用之液晶分子以具電位差之電極挾持時設爲白（透過）顯市，而以具有±乂81^(：1<：電位差之電極挾持時設爲黑（非透過）顯示時，設定爲VC 〇MH= VvidE0H> VviDEOL= Vc〇ML j Vc〇MH— VviDEOH = VviDEOL— Vc〇ML = VwHITE， V C Ο Μ H — V V I D E 0 L = V V I D E Ο H — V C Ο M L 二 V b L A C K 0 VS1(3 — 1)〜Vsn ( 3 — m)之電位係經由選擇電位（VG0N )之掃描線所連接畫素開關元件被施加於畫素電極，假設 Vmd.m〜乂^^^爲m號資料線與n號掃描線連接之畫素電極之電位，則Vpixm Vpm + 2爲當掃描線1成爲選擇電位（VG0N )時被充電至資料線1、2之電位（Vsl、 VS2) ’分別成爲VviDEOH、VviDEOL之電位。此時，共通 -5- (3) 1286238 電位爲VC0MH，對應之畫素電極上之液晶被施加 VviDEOH — VCOMH 二—VWHITE 之電位，VpiX4 -卜2 對應之畫素電極上之液晶被施加VviDEOL — Vc〇MH = — VblaCK之電位。亦即，Vpm-w對應之畫素成爲透過（白）顯示，對應之畫素成爲非透過（黑）顯示。之後，當掃描線2被選擇時，共通電位反轉爲VC0ML ，ViMxm Vpm-u對應之畫素電極因所連接開關畫素爲高電阻而成爲浮動狀態，假設共通電極與電容線之電容量以外之電容量小至可以忽視，則藉由電容耦合可使 Vmxhu、Vmx^-2之反轉同時降低共通電極電位之變動部分（VCOML — VCOMH ) ，VHX4-M對應之畫素乃保持透過 (白）顯示，對應之畫素保持非透過（黑）顯示。如上述說明，即使共通電位重複反轉情況下，非選擇電位之掃描線所連接畫素電極間之電位差乃未改變，在次一掃描線成爲選擇電位之間乃能維持相同灰階顯示。另外，貝fj Vpmn、VPIX4.2_2爲當掃描線2成爲選擇電位（VG0N )時被充電至資料線1、2之電位（Vsl、Vs2 )，分別成爲 VviDEOL、VVIDE0H 之電位。此時，VpiX4-2-l 對應之畫素電極上之液晶被施加 V VIDEOL — Vc〇M L 二 VWHITE之電位，VPIX4-2-2對應之畫素電極上之液晶被施加 VviDEOH — Vc〇M L^VbLACK之電位，分別成爲透過（白）顯示、非透過（黑）顯示。但是，施加於液晶之電壓極性和VtMxm Vhxu-2對應之畫素反轉。和先前說明同樣地，掃描線2成爲非選擇電位之後即使共通電位反轉情況 -6 - (4) (4)1286238 下，共通電位與畫素電位之電位差未改變，顯示乃能被保持。在和更新速率對應之更新寫入時間之後，於次一幀掃描線再度成爲選擇電位時，當掃描線1成爲選擇電位（ V〇〇N)時共通電位爲VC0ML，掃描線2成爲選擇電位（ V〇〇N)時共通電位爲VC〇MH，液晶分子施加之電位之極性和前一幀反轉，因此可以實現交流驅動。以上爲習知之 1 Η共通反轉驅動法。依該方法，來自外部1C之輸入影像信號振幅爲3〜 5V，可以使用一般CMOS製程製造之便宜1C，成本可以降低。此乃因不論主動矩陣基板之驅動電路全爲外加之情況，或者驅動電路內藏於主動矩陣基板之驅動電路內藏型 L C D時，於輸入影像類比信號之類比驅動時需要輸出影像信號之1C，於DAC或解碼器內藏之數位驅動時需要電源 1C用於對DAC或解碼器供給DC電源，另外，電源產生電路內藏於主動矩陣基板之電源/驅動電路內藏型LCD 時，隨產生之電源電壓範圍變爲越大，電路面積、消費電流亦增大，而且對薄膜電晶體信賴性帶來不良影響，因此共通反轉驅動爲有效之方法。專利文獻1 :特開昭62 - 49399號公報專利文獻2 :特開200 1 - 30604 1號公報【發明內容】 (發明所欲解決之課題）但是，共通反轉驅動存在無法適用較大尺寸或高精細 (5) 1286238 度面板之問題。亦即，隨大型化、高精細度之發展，共通電極之電容（C)變大，共通電極之電阻（R)亦變大，欲反轉共通電位時，電容延遲（RC延遲）之變大將導致共通電位之反轉需要較多時間，另外，共通反轉時流入之電流變大，消費電流亦變大。 (用以解決課題的手段）本發明係爲解決上述問題，於反轉共通電位時（共通反轉時序），將掃描線之至少一部分藉由高電阻而由各電位電源予以電氣切離，亦即設爲所謂浮動狀態而降低共通電容者。依據發明者之計算，於共通反轉時序，資料線被設爲浮動狀態時，習知共通反轉驅動法之中共通電極之電容量之中80%以上爲掃描線間之電容。因此較好是儘可能將較多掃描線設爲浮動狀態，最好將全部掃描線設爲浮動狀態，此情況下，和習知例比較，共通電位之反轉時間可降至20%。但是，如後述說明，爲配合驅動上需要即使僅特定之1條掃描線未設爲浮動狀態時，例如總掃描線數爲 4 80時，只要其餘479條掃描線成爲浮動狀態，則和全部掃描線爲浮動狀態時之電容量差異僅爲1 %以下而不致於有問題。如上述說明，藉由掃描線設爲浮動狀態，則即使隨大型化發展、掃描線數增加時亦可實施1 Η共通反轉驅動法或其他共通反轉，具有可以減少消費電力之優點。又，本發明爭掃描線設爲浮動狀態之時序，當畫素電晶體爲Ν通道型時係選擇共通電位高之時機。依此則不必 -8- (6) (6)1286238 如習知例藉由共通電位切換掃描線之非選擇電位’另外，於信賴性無問題情況下可以降低非選擇電位’選擇期間中以外之掃描線電位不致於超過源極之影像信號之最低電位，可以確實將畫素T F T設爲OFF狀態，而且供給至掃描線驅動電路之電位種類可以減少，在不降低面板顯示品質情況下可以降低成本，可以提升信賴性。畫素電晶體爲 P通道型時，選擇共通電位低、亦即次一共通電位反轉後電位變高之時序將掃描線設爲浮動狀態則可獲得相同效果，畫素開關元件使用互補型傳送閘極時，傳送閘極之N通道型電晶體所連接掃描線在共通電位高時設爲浮動狀態， P通道型電晶體所連接掃描線在共通電位低時設爲浮動狀態，則可獲得相同效果。又，本發明係於畫素寫入結束後，自對掃描線開始施加非選擇電位至掃描線設爲浮動狀態爲止之時間長度並非一定，而是設爲多數個之驅動方法。依此則，在掃描線選擇期間固定下，藉由共通電位之高低可以選擇掃描線設爲浮動狀態之時序，因此顯示品質不會降低。又，本發明之驅動方法，係對掃描線施加選擇電位結束連接畫素之寫入之後，對掃描線施加非選擇電位將畫素開關元件設爲OFF狀態之後，於適當時序自掃描線設爲浮動狀態至次一掃描線被施加選擇電位爲止之間，施加1次或以上之非選擇電位。依此則可以防止畫素保持期間之漏電流引起掃描線電位上升而導致連接之畫素開關元件於預期外之時序成爲ON狀態。另外，本發明亦提案關於，第 -9 - (7) 1286238 2次以後之非選擇電位施加期間，在畫素開關元件爲N通道型電晶體時係限制於共通電位高之期間內，而畫素開關元件爲P通道型電晶體時係限制於共通電位低之期間內。依此則，不必依非選擇期間變化施加電位，掃描線驅動電路連接之電源電位數可以降低，信賴性可以提升，成本可以降低。又，本發明之驅動方法中，共通反轉時係將共通電位高之期間與共通電位低之期間設爲不同，在畫素開關元件爲N通道型薄膜電晶體時共通電位高之期間較共通電位低之期間設爲較長，畫素開關元件爲P通道型薄膜電晶體時共通電位低之期間較共通電位高之期間設爲較長。依此則，掃描線選擇/非選擇期間固定或差異不大範圍內之變動下，可以藉由共通電位之高低選擇掃描線設爲浮動狀態之時序，在不降低顯示品質情況下可以簡單構成實現驅動電路。又，本發明之驅動方法中，掃描線之非選擇電位不受共通電fl/·影響’經常爲一'定値（V g 〇 f f )。依此則’可以減少掃描線驅動電路連接之電源數，驅動電路之構成可以簡單化’同時藉由掃描線設爲浮動狀態之時序之選擇，掃描線電位可以確實將畫素開關驅動爲OFF狀態。又，畫素開關元件爲N通道型場效電晶體時，資料線驅動電路施加之影像信號電位之最低電位設爲VVIDE0L，畫素開關元件之臨限値設爲Vth，共通電極之電位高時之電位設爲VC0MH，共通電極之電位低時之電位設爲Vcoml -10- (8) 1286238 ，貝[J VGOFF 設定爲滿足 VviDEOL+Vth〉VGOFF〉VviDEOL — (VcOMH — Vc〇ML) 。VviDEOL+Vth>VGOFF 時’即使影像信號取最低電位時畫素開關元件亦可繼續保持off狀態。又，藉由 Vg〇FF〉VvIDEOL— (VcOMH — Vc〇ML)之設定，可以降低施加於畫素開關元件之逆偏壓，有助於信賴性或漏電流之降低，藉由掃描線設爲浮動狀態之時序之選擇，共通反轉驅動時掃描線電位不會大於VVIDE0L，顯示品質不會降低。又，更好是考慮畫素開關元件之臨限値電壓誤差、次臨限區域或逆偏壓之漏電流而設爲 Vvideol2Vgoff>

Vvideoh — 6 伏特。同樣地，畫素開關元件爲P通道型場效電晶體時，較好是滿足 VviDEOH + Vth< Vg〇FF< VyiDEOL— ( VcOMH — Vc〇ML)，更好是滿足 VvIDEOhSVg〇FfSVvIDEOL+6 伏特 ο 又，本發明之驅動方法中，掃描線被供給非選擇電位期間之長度經常保持一定，非選擇電位爲上述共通高狀態之値（= Vgoffh)與上述共通低狀態之値（=Vg〇FFL)之相互不同値，而且Vg〇FFH>Vg〇FFL。和非選擇電位經常保持一定之上述驅動方法比較，雖存在電源電位數變多之缺點，但供給非選擇電位之期間長度可以保持一定，具有驅動電路可以簡單化之優點。又，本發明之驅動方法中，共通電位反轉時，資料線之一部分、更好是全部同時和掃描線設爲浮動狀態。依此則，共通電極之電容更能降低，本發明之效果更顯著。 -11 - (9) 1286238 本發明之液晶顯示裝置，係使用上述驅動方法。藉由上述驅動方法之使用，即使大型、高精細度面板亦可使用低耐壓IC，可以提供便宜之裝置。又，和習知驅動方式比較可以降低消費電流。又，本發明之驅動電路內藏型液晶顯示裝置中，掃描線驅動電路之至少一部分，係由上述主動矩陣基板上形成之薄膜電晶體所構成。依此則，可以變更驅動方法，自畫素部至掃描線驅動電路爲止之掃描線迁迴配線部變短，該部分電容之電容分割引起之共通電位變動而導致之掃描線電位變動變少之現象可以抑制於最小限之同時，不需變更外部1C。彼等發明如上述說明，隨掃描線數變多、面板之大型化而更爲有效。具體言之爲，本發明適用滿足上述掃描線數目（=V)之平方乘上影像顯示區域對角方向之尺寸（ =s ( m ))所得係數（=VxVxS)大於或等於30000之條件的面板。又，本發明之攜帶型電子機器，係搭載使用上述驅動方法之液晶顯示裝置、且以電池驅動者。藉由搭載使用上述驅動方法之液晶顯示裝置，可以便宜成本提供具備較習知更大型化、高精細度之顯示裝置，和習知驅動方法比較亦可以降低消費電流，電池之驅動時間變長。此處之攜帶型電子機器可爲筆記本型個人電腦、PDA、數位相機、攝錄影機、攜帶型電視、行動電話、攜帶型光電顯示器、攜帶型視訊播放機、攜帶型DVD播放機、攜帶型音響播放 (10) 1286238 機等液晶顯示裝置與搭載電池之電子機器。【實施方式】以下依圖面說明本發明之實施形態。 (實施例1 ) 圖1爲實現本發明申請專利範圍第1、2、5、6、7、9 、1 0、1 3及1 6項之驅動方法的第一實施例之掃描線驅動電路內藏型主動矩陣基板之構成。於主動矩陣基板（1 0 1 )上，正交形成48 0條掃描線（201 — 1〜480 )與1 920條資料線（2 0 2 — 1〜1 9 2 0 )，4 8 0條電容線（2 0 3 — 1〜4 8 0 ) 係和掃描線（201 — 1〜480 )並行、且交互配置。資料線 (2 02 — 1〜1 92 0 )連接於資料線輸入端子（3 02 — 1〜1920 )。電容線（203 - 1〜480 )相互短路連接於共通電位輸入端子（303 )。對向導通部（304 )亦連接於共通電位輸入端子（3 03 )。於掃描線（201 — η )與資料線（202 — m )之各交叉點形成由N通道型場效薄膜電晶體構成之畫素開關元件（ 4 0 1 — η — m )，其閘極連接於掃描線（2 0 1 - η )，源極/ 汲極分別連接於資料線（202 — m )與畫素電極（402 — η — m)。畫素電極（402— n— m)形成電容線（203— η)與補助電容，又，作爲液晶顯示裝置被組裝時挾持液晶元件，和對向基板電極（COM )間乃然形成電容。掃描線（201 - 1〜480 )，係連接於主動矩陣基板上 -13- (11) 1286238 集積多晶矽薄膜電晶體而形成之掃描線驅動電路（3 Ο 1 ) 而被供給驅動信號。於掃描線驅動電路（3 01 )連接CLK 信號端子（601 )、CLKX信號端子（602 )、XST信號端子（603 ) 、HENB 端子（604 ) 、LENB 端子（605 )、 LCHG端子（606 )。又，多數個電源電位連接於掃描線驅動電路。圖2爲掃描線驅動電路（3 0 1 )之詳細電路構成，於掃描線驅動電路（3 0 1 )內藏移位暫存器電路（3 5 0 )，被連接CLK信號端子（601 )、CLKX信號端子（602 )、 XST信號端子（603 )。移位暫存器係以第1時脈反相器 (351— η)、第2時脈反相器（352— η)、第1反相器（ 3 5 3 - η )形成一段，全部由480段構成，包含出端/終端核計有481條輸出端子（504 — 1〜481 )。移位暫存器電路（350)之第η( =1〜480)號輸出端子（ 504— η)及第η+1號輸出端子（ 504— η+1)分別連接於第IN AND電路（ 505— η)之輸入端子，第IN AND電路（ 505— η)之輸出端子連接於第2反相器（ 506 — η)之輸入端子與第 4Ν AND電路（ 509— η)之輸入端子之一端，第2反相器（ 506 - η)之輸出端子連接於第2Ν AND電路（ 507 — η)之輸入端子之一端與第3N AND電路（5 08 — η)之輸入端子之一端。另外，第2NAND電路（5 07 — η ) 之輸入端子之另一端連接HENB端子（604 )，第3NAND 電路（5 0 8 — η )之輸入端子之另一端連接LENB端子（ 6〇5)，第4NAND電路（509— η)之輸入端子之另一端連 -14- (12) 1286238 接LCHG端子（606)。第3N AND電路（ 508— η)之輸出端子與第4NAND電路（509 — η )之輸出端子分別連接於第5Ν AND電路（510— η)之輸入端子。第2Ν AND電路（ 5 07 - η)之輸出端子連接於P通道型薄膜電晶體之第2電晶體（512 — η )之閘極端子，第5ΝAND電路（510 — η ) 之輸出端子連接於Ν通道型薄膜電晶體之第1電晶體（ 511- η)之閘極端子。第1電晶體（51 1 — η )之源極端子連接於具有VG0FF 電位之電源，第2電晶體（5 1 2 - η )之源極端子連接於具有VG0N電位之電源。第1電晶體（5 1 1 - η )之汲極端子與第2電晶體（5 1 2 — η )之汲極端子連接於掃描線（20 1 —η )。第1時脈反相器（3 5 1 - η )、第2時脈反相器（ 3 52 - η )、第 1 反相器（353— η)、第 1NAND 電路（50 5 —η)、第 2 反相器（506 - η)、第 2Ν AND 電路（507 — η )、第 3NAND 電路（508— η)、第 4NAND 電路（509— η )及第5ΝAND電路（510 — η )係作爲電源而連接於VH 電位端子與V L電位端子。以下依據圖3、4、5說明實施例1之具體驅動方法。圖3、4、5爲奇數幀之圖，偶數幀時幀係由共通低狀態開始’同樣於共通低狀態結束，因此各掃描線被供給選擇電位時之共通電極之電位成爲逆轉。圖3爲實施例1之奇數幀之外部信號系所供給各信號之時序圖。VeQm ( 1 )爲供給至共通電位輸入端子（3 03 ) 之電位’系於一定週期內反轉驅動於乂⑶㈣與VC0ML間。 (13) 1286238

Vc〇MH之保持期間TCOMH (該期間中稱爲共通局狀_ )與 VCOML之保持期間TC0ML (該期間中稱爲共通低狀態）相等，Tcomh之481倍週期成爲1幀期間Tframe。Vclk ( 4) 爲供給至CLK信號端子（60 1 )之移位暫存器驅動用正相時脈信號電位’爲以和Ve〇m( 1)之反轉週期问一'之週期僅移位TSH i F T之相位、被輸入於VH與VL間反轉驅動之信號，VCLKX ( 5 )爲供給至CLKX信號端子（602 )之移位暫存器驅動用逆相時脈信號電位，被輸入和VCLK逆極性之信號。Vxst ( 6 )爲輸入XST信號端子（603 )之移位暫存器初段位兀之輸入電位’爲脈衝長度Tc〇MH、週期 Tframe之脈衝波。 VHENB ( 7 )爲對輸入於HENB端子（604 )之移位暫存器所選擇掃描線供給選擇電位之時序之表示用電位，當 Vclk(4)被反轉時问時成爲 VH’ 一^疋期間（Thenb<

Tcomh)後成爲VL。 VLENB ( 8 )爲對輸入於LENB端子（605 )之移位暫存器所選擇掃描線供給非選擇電位之時序之表示用電位，當VHENB ( 7 )變化爲VL時幾乎同時成爲VH，於共通高狀態期間當Vc^m ( 1 )反轉前回復爲VL，但於共通低狀態中Vcom ( 1 )反轉後，係與VCLK之反轉幾乎同時回復至 V L之信號。 VLchg(9)爲對輸入於CHG端子（ 605)之移位暫存器所選擇掃描線以外供給非選擇電位之時序、亦即對掃描線之VG0FF再充電時序之表示用電位，於共通高狀態中成 -16- (14) 1286238 爲一定期間（TLCHGC TC0MH )，其他期間成爲VL之脈衝波。圖4爲實施例1之奇數幀之外部驅動電路所供給影像信號之時序圖，實線表示電位由外部電源供給之狀態，虛線表示各外部電源間以高電阻切斷之浮動狀態。以下以常白模態爲前提說明。 1〜1 920 )爲輸入資料線輸入端子（302 一 1〜1 920 )之影像信號電位，爲在最高電位VviDE〇H〜最低電位V v ϊ D E 〇 L之範圍內，其詳細波形依顯示之影像而互異。本實施例中vsl、vs2及Vsl92〇之波形分別設爲，連接於資料線1 ( 202 — 1 )之畫素爲白（透過）顯示，連接於資料線2 ( 202 — 2 )之畫素爲黑（非透過）顯示，連接於資料線1920(2 02 — 2)之畫素爲灰（半透過）顯示，而且 ’對畫素電極充電結束/畫素開關元件設爲OFF狀態後，輸入白位準信號作爲預充電信號，之後，於共通反轉時序設爲浮動狀態。Vsl〜192() ( 3 - 1〜1 920 )之影像信號之輸出開始/停止時序或預充電時序係依據點順序、線順序、區塊順序、等之驅動方式分別互異，但任一情況下，於共通反轉時序均應將資料線設爲浮動狀態。本發明例之中以線順序驅動爲前提說明。圖5爲實施例1之於奇數幀由掃描線驅動電路（3 〇 j )對掃描線（201 — 1〜480 )供給之輸出信號之時序圖，實線表示電位由外部電源供給之狀態，虛線表示各外部電源間以高電阻切斷之浮動狀態。移位暫存器電路（3 5 〇 ) -17- (15) 1286238 依序僅對特定輸出端子（5 04 - η)及其鄰接之輸出端子（ 5 04 - η + 1 )輸出 VH，於 CLK 信號：VCLK(4)與 CLKX 信號：VCLKX ( 5 )反轉時，輸出VH增端子被移位1個。依此則，最終於掃描線被施加乂〇1〜„(2—1〜2 - 480)之電位。亦即，如奇數幀之掃描線1、3、5 · · · ( 2 - 1、2—3 、2— 5、 · . ·）般於共通局狀態中被供給選擇電位 V (3 ο N之掃描線，於共通局狀態內將成爲浮動狀態’如奇數幀之掃描線 2、4、6· ·· (2— 2、2— 4、2— 6、 · · ·)般於共通低狀態中被供給選擇電位VG0N之掃描線，於V e。m ( 1 )反轉經過T S η I F τ後至V c L K ( 4 )反轉之則不會成爲浮動狀態。亦即，藉由非選擇電位之寫入時間之可變化，來切換成爲浮動狀態之時序。又，選擇以外之掃描線於共通電位高之期間被進行TLCHG期間之非選擇電位寫入，但於共通低狀態以及共通高狀態與共通低狀態之反轉時序前後設爲浮動狀態。又，於偶數幀係和奇數幀同樣當同一掃描線被供給選擇電位VG0N時之共通電位之極性被反轉，液晶之交流驅動被進行，而可以確保液晶之信賴性。本實施例中各電源電位較好是設爲 VH 2 VG0N > V VIDEOH > V VIDEOL > Vg〇ff 2 VL，而且 V c Ο Μ Η $ V v I D Ε Ο Η〉

VviDEOL — Vc〇ML。又’依據 Vc〇MH — VviDEOH^VwHITE 被使用之液晶元件、格間隙使常白模態顯示時之白（透過）顯不電壓、VVideoh — VC0ML = Vblack相同而設爲常白模態顯示時之黑（非透過）顯示電壓。 -18- (16) 1286238 如本實施例’畫素開關元件爲多晶矽薄膜電晶體時之臨限値電壓誤差變大，次臨限區域或逆偏壓漏電流無法忽視。當畫面再生速率爲60Hz以下時，若漏電流大於lpA 則需要較大之保持電容，開口率降低導致顯示品質劣化。圖1 3爲發明人測試之使用多晶矽薄膜電晶體的畫素開關兀件之漏電流曲線圖。橫軸爲閘極/源極間電位（V )，縱軸爲源極/汲極間漏電流（A )，測試多點記錄其中漏電流最大之資料。曲線1 ( 9 5 )爲N通道型電晶體之資料，曲線2 ( 96 )爲P通道型電晶體之資料。如本實施例使用N通道型電晶體時，由曲線1 ( 9 5 )可知，畫素開關元件之漏電流最大値小於1 P A時閘極/源極間電位落在〇--6(V)之範圍內。本發明之驅動中，當閘極電位爲 V〇OFF時，閘極/源極間電位成爲Vg〇FF — VViDE〇L〜Vg〇FF —VviDEOH 之間，因此，藉由 VvIDEOL^VgOFF^VvideOH — 6 ( V )之設定使閘極/源極間電位成爲0〜1 5 ( V )則更好。又，畫素開關元件使用P通道型電晶體時，由曲線2 (9 6 )可知，漏電流小於1 P A時之閫極/源極間電位落在 0〜+ 6(V)之範圍內因此，Vvideoh$VgoffSVvideoh + 6 ( V )之範圍更好。又，一般就對液晶元件之影響而言，施加於1個電路或元件之電位中心値（亦即高電位與低電位之平均値）等於共通電極電位時較好。考慮以上條件下之本實施例中各電位設定値。例如假設選擇土Vwhite=〇*5 ( V) ，Vblack — 4.0 ( V)之液日日材 -19- (17) 1286238 料以及貼合間隙，則只要設爲VH= 8.5 ( V )、VG0N= 7.5 (V ) 、 V c 〇 μ η — 6.5 ( V ) Vvideoh — 6 ( V )

Vvideol2.5 ( V)、Vcoml2 ( V)、Vgoff = 1 ( V)、VL = 〇 ( V )即可。依據上述驅動方法，於共通低狀態轉換爲共通低狀態之反轉時序時全掃描線（480條），而於共通高狀態轉換爲共通高狀態之反轉時序時除選擇掃描線以外之掃描線（ 4 7 9條）成爲浮動狀態，和全掃描線連續寫入非選擇電位之習知驅動方法比較，共通反轉驅動時流入共通電位輸入端子（3 03 )之電流變爲極少，共通電位之變化亦極快。亦即，可以在大型、高精細度、且不會降低顯示品質情況下使用反轉驅動，輸出影像信號之1C可以使用便宜、低耐壓1C，消費電力亦變少。而且，掃描線設爲浮動狀態之時序係於共通高狀態與共通低狀態間變化，因此即使對掃描線之非選擇電位爲1 個，但是如圖5之VG1〜48G(2- 1〜4 8 0)所示，於非選擇狀態之掃描線電位會與共通電位耦合而變動，但電位不會上升至大於VG0FF。另外，於每一 TC0MH+TC0ML期間進行非選擇電位之再寫入’因此即使圖2之第1電晶體（511 — η )或第2電晶體（5 1 2 — η )之漏電流變大時，掃描線於保持期間中不會偏離非選擇電位。又，不論共通低狀態或共通高狀態，VG0FF只要保持一定電位即可，不必反轉電源電位或由2個電位選擇其中 1個，電路構成簡單，可以有效降低成本，提升良品率。 -20- (18) 1286238 又，Vgoff設爲適當値，因此，共通反轉驅動時不會發生因源極電位而使畫素開關兀件（401 - n - m)於非選擇期間中设爲〇 N狀之情況’且施加於畫素開關元件（4 〇 1 一 η - m )之逆偏壓可抑制於最小，不必擔心信賴性降低、畫素開關元件漏電流增大之問題。圖6爲實現申請專利範圍1 7〜1 9之液晶顯示裝置之實施例1之透過型液晶顯示裝置之斜視構成圖（一部分斷面圖）。係將主動矩陣基板（1 0 1 )與，在彩色濾光片基板上形成ITO膜而構成共通電極的對向基板（901 )藉由封裝構件（920 )貼合，於其中封入向列型液晶材料（9 i 〇 )。雖未圖示，於主動矩陣基板（1 01 )與對向基板（9 〇 i )’在和液晶材料（9 1 0 )接觸之面同時塗敷由聚醯亞胺構成之配向材料，於正交方向施予摩擦處理。又，於主動矩陣基板（1 0 1 )之對向導通部（3 04 )配置導通構件，被短路於對向基板（901 )之共通電極。資料線輸入端子（ 302 — 1〜1920)、共通電位輸入端子（303 )、CLK信號端子（601 )、CLKX信號端子（ 602 ) 、XST 信號端子（603 ) 、HENB 端子（604 )、 LENB端子（605 )、LCHG端子（606 )或各種電源端子上介由主動矩陣基板（101)上安裝之FPC(930)連接於電路基板（9 3 5 )上之1〜多數個外部1C ( 940 )，被供給必要之電氣信號、電位。於對向基板外側配置上偏光板（95 1 )，於主動矩陣 ®板外側配置下偏光板（952 )，使偏光方向互呈正交地 (19) 1286238 予以配置。又，於下偏光板（952 )下側安裝背照光源（ 960 )而完成。背照光源（960 )可爲在冷陰極管安裝導光板或散射板者，亦可爲EL元件之發光單元。雖未圖示’ 必要時周圍可藉由外殼覆蓋或者於下偏光板之更上側安裝保護用玻璃或丙稀基板，爲改善視角亦可以黏貼光學補償薄膜。於此種液晶顯示裝置進行共通反轉驅動時之共通電位延遲時間常數（=r COM )，槪略和共通電極之平均電阻 (二Rcom )與固定電位有關之相對於其他導體之總電容量 (=Cc〇M)之積呈比例（l comxRcomxCcom)。一般而言，Rcom係依據對向電極之薄層電阻値或對向導通部/安裝端子部之電阻値等製程上之限制而決定，不受面板尺寸或精細度影響而有大變動。另外，於習知共通反轉驅動方法如上述說明，掃描線間電容量爲CC0M之80%以上，医[ 此CC0M和總掃描線數（=V (條））呈槪略比例增加。又，掃描線長度越長時相當於1條掃描線之電容量亦增大，因此，CCOM亦隨影像顯示區域對角方向尺寸（=S ( m ) )而呈槪略比例增加。另外，假設再生速率一定，則丨條掃描線之寫入時間（=T 1 η )係和總掃描線數（二V (條） )呈反比例減少。亦即，於習知共通反轉驅動方法中，# 通反轉時間對1掃描線之寫入時間之佔有比例（r + TiH)大略爲Γ cOM + TihxVxVxS ’該係數太大時無法獲得足夠之畫素寫入時間，可能導致顯示品質或信賴性降低。圖14爲使用一般玻璃基板之主動矩陣製程時之 -22- (20) 1286238 掃描線數（=v)之平方乘上影像顯示區域對角方向尺寸 (=S(m))之係數（=VxVxS )與a時間之中共通反轉時間佔有之比例（；com + T 1 η )之計算結果曲線圖。又，再生速率設爲60Hz，曲線1 ( 91 )爲表示（r C0M + T1H )之圖，大略和VxVxS呈比例。限界線i ( 92 )爲確保縱之畫素寫入時間所必要之最低時間所分割出之限界線，由此可知大槪VxVxSg30000以上之習知驅動方法中進行1H 共通反轉驅動乃困難之事。於此，藉由本實施例之適用於滿足V X V X S 2 3 0 0 0 0之面板，則即使習知方法之共通反轉驅動爲不可能之大型、高精細度面板亦可使用便宜、低耐壓1C，因此可以便宜製造模組價格，消費電力亦變少。本實施例中，畫素數爲1920x480之所謂 VGA、對角爲 152.4mm ( 6型）時可以獲得VxVxS=35113，可以滿足上述條件。又，本實施例中若是第2電晶體（512—1〜489)之漏電流較少時，VLCHG信號（9)成爲VH之週期可以更長，另外，省略LCHG端子（606 )和與其連接支配線、以及圖2之第4N AND電路（509— η)，將第5N AND電路（ 5 1 0 - 1 )置換爲反相器電路亦可。依此則，輸入信號或電路構成可以簡化，可以製造更便宜之液晶顯示裝置。又，共通電極電位係以二値（VC0MH、VC0ML )爲例說明’但是依據驅動方法附加更細振幅而設爲三値以上亦可。此情況下，將共通高狀態之共通電極之平均電位、最大電位、最小電位之其中任一替換爲V C Ο Μ Η，將共通低狀態 (21) 1286238 之共通電極之平均電位、最大電位、最小電位之其中任一替換爲VC0M L即可。又，閘極之選擇電位或非選擇電位設爲更多値之驅動方法亦可。又，取代圖2之3 5 0所示時脈反相器之移位暫存器構成，改爲正反器電路或傳送閘極之移位暫存器構成亦可。或者不使用移位暫存器，改用各種依序選擇電路，配合變更圖2之邏輯電路部亦可。又，本實施例中掃描線驅動電路（301)係以VH( 2 Vgon)與VL ( SVgoff)之電位驅動’但是其中一^部分以更低電位差驅動之構成亦可。例如，移位暫存器電路（ 350)之電源使用VH M ( <Vgon) 與 VL Μ ( > Vgoff ) ，VCLK ( 4 )、VCLKX ( 5 )、VXST ( 6 )之各信號振幅設爲相同。由輸出端子（504 — η )其至第1電晶體（511 —η ) •第2電晶體（5 1 2 — η )間之任一位置設置移位暫存器電路，升壓至VH〜VL位準即可·或者，由移位暫存器電路（3 50 )或第1NAND電路至第5 3弓電路本身止附加位準移位功能之電路構成亦可。藉由此種構成可以降低消費電流。 (實施例2 ) 圖7、8、9爲實現本發明申請專利範圍第1、2、6、7 、9、1 0、1 2、1 3及1 6項之驅動方法的實施例2之中奇數幀之信號時序圖。圖中，實線表示電位由外部電源供給之狀態，虛線表示各外部電源間以高電阻切斷之浮動狀態。 -24- (22) 1286238 圖7爲實施例2之奇數幀由外部信號系所供給各fe號時序圖，VCQm(l)之VC0MH之保持期間tcomh與VC0ML 之保持期間 Tc〇ML 爲 TC〇MH>Tc〇ML’ （Tc〇MH+Tc〇ML) X 240.5成爲幀期間Tframe。亦即，偶數幀係由共通電位高之中途狀知開始。

Vclk ( 4)、Vclkx ( 5 )、Vxst ( 6 )、Vhenb ( 7 )、 VLchg ( 9 )係和實施例1相同波形，但是VLENB ( 8 )於共通電位高之期間與共通電位低之期間中成爲VH之長度係相同，VHENB ( 7 )與VLENB ( 8 )成爲逆極性波形。圖8爲實施例1之奇數幀之外部驅動電路所供給影像信號之時序圖，除在共通反轉時序爲將源極線設爲浮動狀態，而縮短對影像信號之畫素電極之施加時間以外均和實施例1之圖4相同。圖9爲實施例2之於奇數幀由掃描線驅動電路（3 0 1 )對掃描線（201 — 1〜480 )供給之輸出信號之時序圖。 VG1 ( 2 — 1 )、VG3 ( 2 - 3 )、 _ · •係於共通反轉時序成爲共通高狀態經過TSH ! F τ後被施加選擇電位（VG0N ) ，於共通電位高之期間內成爲浮動狀態，VG2 ( 2 - 2 )、 VG4 (2 - 4)、 · · ·係於共通反轉時序之前、於共通高狀態被施加選擇電位（VG0N )之後成爲共通反轉時序，於非選擇電位輸出中再度成爲共通反轉時序·本實施例中，於共通高狀態變爲共通低狀態之反轉時序中供給選擇電位之掃描線以外（47 9條）之掃描線成爲浮動狀態，而於共通低狀態變爲共通高狀態之反轉時序中供給非選擇電位之 -25- (23) 1286238 掃描線以外（4 7 9條）之掃描線成爲浮動狀態，和實施例 1同樣，於大型、高精細度情況下亦不會降低顯示品質，可以使用共通反轉驅動，輸出影像信號之1C可以使用便宜、低耐壓1C，可以減少消費電力。另外，本實施例之情況下，Vhenb(7)信號與VLENB (8 )信號互爲極性反轉之信號，其中僅任一信號由外部 1C供給，另一信號由主動矩陣基板上之反相器電路產生，則具有可以簡單減少輸入信號數、配線之優點。又，主動矩陣基板之構成圖、掃描線驅動電路、液晶顯示裝置之模組構成圖係和實施例1相同，分別參照圖1 、2及6。又，各種電源電位之設定亦和實施例1相同。 (實施例3 ) 圖1 〇、1 1爲實現本發明申請專利範圍第1、2、1 5、及1 6項之驅動方法的實施例3之奇數幀之信號時序圖。實線表示電位由外部電源供給之狀態，虛線表示各外部電源間以高電阻切斷之浮動狀態。圖1 〇爲實施例2之奇數幀由外部信號系所供給各信號時序圖。此實施例中，VC0MH之保持期間Tc〇mh (此期間中亦稱爲共通高狀態）與VC0ML之保持期間TC0ML (此期間中亦稱爲共通低狀態）爲相等，TC0MH之481倍週期成爲1幀期間Tframe。又，Vhenb ( 7)信號與Vlenb ( 8) 信號於共通高狀態期間與共通低狀態期間無變化，成爲 TCOMH週期之重複信號。所供給影像信號之時序圖和實施 -26- (24) 1286238 例1相同，可以參照圖4。圖1 1爲實施例3之於奇數幀由掃描線驅動電路（3 0 1 )對掃描線（201 — 1〜480 )供給之輸出信號之時序圖。非選擇電位並非一定値，於共通高狀態期間爲VG0FFH，於共通低狀態期間則爲VG0FFl分別被施加於掃描線。又，本貫施例中，槪略一*致設爲 Vgoffh — Vgoffl=Vcomh — V COML ° 依本實施例之驅動方法，於共通高狀態變爲共通低狀態、或者共通低狀態變爲共通高狀態之共通電位反轉時序中全掃描線（480條）成爲浮動狀態，共通反轉時之電容量係和實施例1或實施例2同樣或者較之更少，即使大型、高精細度液晶顯示裝置亦可以使用共通反轉驅動，而不會降低顯示品質，輸出影像信號之IC可以使用便宜、低耐壓1C ’可以減少消費電力。另外，和實施例1或實施例 2比較，因爲反轉V G 〇 F F之同時進行交流驅動，雖導致驅動電路數增大、或消費電流增大，電源電位數增大，但是驅動信號之波形單純，外部信號電路之構成簡單爲其優點〇又，畫素開關兀件之逆偏壓時之漏電流或丨言賴性可以確保之情況下’本實施例3可以將V G 0 F F經常（包含共通電位局狀態）固定於V G Ο F F L。此情況下，裝窿內之電路構成變爲極單純。又，主動矩陣基板之構成圖、掃描線驅動電路、、液晶顯不裝置之模組構成圖係和實施例1、實施例2相同，分 -27- (25) 1286238 別可以參照圖1、2及6。 (產業上可利用性）本發明不限於上述實施例，使用內藏資料線驅動電路之全驅動內藏式主動矩陣基板的液晶顯示裝置亦可適用，另外，使用由外部IC電路供給掃描線驅動信號之驅動電路非內藏式主動矩陣基板的液晶顯示裝置亦可適用。另外，驅動電路之構成不限於互補型（CMOS )電路，僅由N 通道型或P通道型構成之單通道型驅動電路亦可實現。畫素開關元件亦可使用P型電晶體或互補型傳送閘極，非多晶矽亦可，可以使用非晶質矽薄膜電晶體。又，不於絕緣基板上形成薄膜電晶體，而於結晶矽晶圓上製作畫素開關元件或驅動電路構成之主動矩陣基板亦可。又，液晶顯示裝置並不限於實施例之透過型’亦可爲反射型或半透過型，不限於直視型，亦可爲投射用之光閥。另外，不限於實施例之常白模態、亦可使用常黑模態。此情況下，液晶之配向模態可設爲垂直配向模態。【圖式簡單說明】圖1 :本發明實施例說明用之主動矩陣基板構成圖。圖2 :本發明實施例說明用之掃描線驅動電路圖。圖3 :實施例1之奇數幀之由外部信號系供給之各種驅動信號之時序圖。圖4 :實施例1、實施例3之奇數幀之由外部信號系 -28- (26) 1286238 供給之影像信號之時序圖。圖5 :實施例1之奇數幀之掃描線信號輸出時序圖。圖6 :本發明實施例之液晶顯示裝置之斜視圖（一部分斷面圖）° 圖7 :實施例2之奇數幀之由外部信號系供給之各種驅動信號之時序圖。圖8 :實施例2之奇數幀之由外部信號系供給之影像信號之時序圖。圖9 :實施例2之奇數幀之掃描線信號輸出時序圖。圖1 〇 :實施例3之奇數幀之由外部信號系供給之各種驅動信號之時序圖。圖圖圖 3 例施實共道知通習 Ν 。之一最一。體序圖晶時序電出時膜輸號薄號信型信之道線用通描明 P 掃說之法幀動數驅奇轉之反通及晶 Ϊ ίρτ 膜薄型流 8 ιρτ 漏之件元4: 關 1 開圖素之法方知習之板面晶液之訪 ππιτν 驅轉反。通寻共結用試使測可圖明說限界之度細精寸尺【主要元件之符號說明】 1 0 1 :主動矩陣基板 2 0 1 — 1〜4 8 0 :掃描線1〜4 8 0 202 — 1〜1920:資料線1〜1920 3 0 1 :掃描線驅動電路 3 03 :共通電位輸入端子 -29- (27)1286238 3 04 :對向導通部 3 5 0 :移位暫存器 3 5 1 - 1〜4 8 0 :第1時脈反相器 352 — 1〜480:第2時脈反相器 353— 1〜480:第1反相器 402 — 1〜480 — 1〜1920:畫素電極（1〜480，1〜 1 920 )

505 - 1-480 ：第 1NAND 電路 5 06 — 1〜480 :第2反相器 507 — 1 〜480 :第 2NAND 電路 508 — 1 〜480:第 3NAND 電路 509 — 1 〜480:第 4NAND 電路 510 — 1 〜480:第 5NAND 電路 5 1 1 - 1 - 480： Μ 1 電晶體 512 — 1〜480:第2電晶體

601 : CLK信號端子 602 : CLKX信號端子 6 0 3 : X S T信號端子 604 : HENB 端子 605 : LENB 端子 606 ： LCHG 端子 9 0 1 :對向基板 -30-

Claims

(1) 1286238 十、申請專利範圍 1 · 一種液晶顯不裝置之驅動方法，該液晶顯示裝置爲：在一對基板間封入有液晶層，上述一對基板之其中一片基板爲’在基板上包含有多數個畫素開關元件、及連接於上述多數個畫素開關元件之多數條掃描線、及連接於上述多數個畫素開關元件之畫素電極而構成的主動矩陣型基板’上述一對基板之其中另一片基板爲，在與上述液晶層接合之面之至少一部分形成共通電極而構成之對向基板，掃描線驅動電路被連接於上述多數條掃描線，該掃描線驅動電路可以針對每一掃描線一依據不同時序依序輸出1個或多數個選擇電位用於將上述多數條掃描線所連接上述畫素開關元件設爲低阻抗狀態，及輸出1個或多數個非選擇電位用於將該掃描線所連接上述畫素開關元件設爲高阻抗狀態’上述掃描線驅動電路係連接於具有不同電位之多數條電源配線，所構成之液晶顯示裝置·，其特徵爲：上述共通電極設爲相對高電位狀態時之共通高狀態、與上述共通電極之電位設爲相對低電位狀態時之共通低狀態之間被交互反轉驅動、亦即共通反轉驅動，而且上述共通電極之電位由上述共通高狀態變爲上述共通低狀態時、以及由上述共通低狀態切換爲上述共通高狀態動作時之共通反轉動作爲，上述多數條掃描線之至少一部分、更好是全部掃描線或者除1條掃描線以外之全部掃描線被由上述多數條電源配線之全部藉由設爲相對高電阻而施予電氣分離狀態之浮動狀態。 -31 - (2) 1286238 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述畫素開關元件爲N通道型場效電晶體’在上述掃描線成爲上述浮動狀態之時序下該掃描線電位大略相等於上述非選擇電位，而且上述共通電極爲上述共通高狀態。 3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述畫素開關元件爲P通道型場效電晶體’在上述掃描線成爲上述浮動狀態之時序下該掃描線電位大略相等於上述非選擇電位，而且上述共通電極爲上述共通低狀態。 4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述畫素開關元件係由：N通道型場效電晶體形成之第1開關電晶體，及P通道型場效電晶體形成之第2開關電晶體所構成之互補型傳送閘極；上述掃描線係由：連接於上述第1開關電晶體之第1掃描線，及連接於上述第2 開關電晶體之第2掃描線構成；在上述第1掃描線成爲上述浮動狀態之時序下該第1掃描線電位大略相等於上述非選擇電位，而且上述共通電極爲上述共通高狀態，另外，在上述第2掃描線成爲上述浮動狀態之時序下該第2掃描線電位大略相等於上述非選擇電位，而且上述共通電極爲上述共通低狀態。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中 -32- (3) 1286238 上述多數條掃描線分別具有：和上述選擇電位之電源以較低電阻連接之狀態之選擇狀態之期間，及和上述非選擇電位之電源以較低電阻連接之狀態之非選擇狀態之期間，及上述浮動狀態之期間；另外，上述非選擇狀態期間之長度並非一定 ° 6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述多數條掃描線，係在由上述選擇狀態變爲次一上述選擇狀態之間具有多數個上述非選擇狀態，另外，在上述多數個非選擇狀態之間具有上述浮動狀態。 7. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述畫素開關元件爲N通道型場效電晶體，存在於上述選擇狀態之間的多數個非選擇狀態之中除接續上述選擇狀態者以外之第2個以後之非選擇狀態，係於上述共通電極爲上述共通高狀態時經常被實施，而且在上述第2個以後之非選擇狀態中不產生上述共通反轉動作。 8. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述畫素開關元件爲p通道型場效電晶體，存在於上述選擇狀態之間的多數個非選擇狀態之中除接續上述選擇狀態者以外之第2個以後之非選擇狀態，係於上述共通電極爲上述共通低狀態時經常被實施，而且在上述第2個以後之非選擇狀態中不產生上述共通反轉動作。 (4) 1286238 9 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述共通電極爲共通高狀態之期間長度 (—Tc〇MH ) 不相等於共通低狀態之期間長度（=TC0ML )、亦即 TcOMH^ TcOML 0 i 〇·如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述畫素開關元件爲N通道型場效電晶體，上述 Tc〇MH 大於上述 Tc〇ML’ 亦即 Tc〇MH〉Tc〇ML。 1 1 ·如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述畫素開關元件爲P通道型場效電晶體，上述 Tc〇MH 小於上述 Tc〇ML’ 亦即 Tc〇MH<Tc〇ML。 1 2 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述非選擇電位不偏離上述共通電極之電位而爲大略 —疋之値（= Vgoff)。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述畫素開關元件爲N通道型場效電晶體，上述非選擇電位之値（=Vg〇ff )，係較上述資料線上所施加影像 {曰號電位之最低値（=\/\1£)]£01^)加上上述畫素開關元件之臨限値（=Vth )之値爲低，而且較上述影像信號電位之最低値減去（由上述共通高狀態之上述共通電極之電位 -34- (5) 1286238 (= vC0MH)減去上述共通低狀態之上述共通電極之電位 (^VcOML)所得之値（= Vc〇MH_VCOML))之値爲高，亦即’滿足 VviDEOL + Vth> Vg〇FF> VviDEOL— ( Vc〇MH — Vc〇ML)之値’更好是滿足 VvIDEOl2V〇〇fF>VvIDEOH — 6 伏特之値。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述畫素開關元件爲P通道型場效電晶體，上述非選擇電位之値（二VG0FF )爲，較上述資料線上所施加影像 {目號電位之最局値（=VviDEOH)加上上述畫素開關兀件之臨限値（=vth )之値爲高，而且較上述影像信號電位之最高値加上（上述共通高狀態之上述共通電極之施加電位（=VC0MH )減去上述共通低狀態之上述共通電極之施加電位（==Vc〇ML)所得之値（= Vc〇MH— Vc〇ML))之値爲低’亦即爲滿足 VviDEOH+Vth<VGOFF<VviDEOH+ ( Vc〇MH — Vc〇ML)之値，更好是滿足 VvIDEOhSVgOFfS Vvideol+6伏特之値。 1 5 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中上述非選擇電位爲上述共通高狀態之値（=VG0FFH ) 與上述共通低狀態之値（=VG0FFL )之相互不同値，而且 Vg〇FFH> VgofFL 0 1 6.如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶顯示裝置之驅動方法，其中 -35- (6) 1286238 於上述共通反轉動作中，至少上述多數條資料線之〜部分、更好是上述多數條資料線之全部成爲浮動狀態。 1 7_ —種液晶顯示裝置，係使用申請專利範圍第1至 1 6項中任一項之驅動方法顯示影像者。 18·如申請專利範圍第丨7項之液晶顯示裝置，其中上述掃描線數目（：=V)之平方乘上上述畫素電極被以矩陣狀配置之影像顯示部之對角方向之長度（=s (瓜） )所得係數（=VxVxS )爲大於或等於3 0000。 0 1 9 ·如申請專利範圍第1 7或1 8項之液晶顯示裝置，其中上述掃描線驅動電路之至少一部分爲由上述主動矩陣基板上形成之薄膜電晶體所構成的驅動電路內藏型液晶顯示裝置。 2 0 · —種攜帶型電子機器，係具備使用申請專利範圍第1 7至1 9項中任一項之液晶顯示裝置以顯示影像之功能，且以電池驅動者。 _ -36 - 1286238 七、指定代表圖： (一）、本案指定代表圖為：第（5)圖 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明： Vc〇m ( 1)、Vc〇MH:共通筒狀態之電位 VC0MIj :共通低狀態之電位 VG1〜 n(2_l 〜2-480):電位

八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：