JPH10104300A - Lcd基板検査装置及び方法 - Google Patents

Lcd基板検査装置及び方法

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JPH10104300A
JPH10104300A JP9136248A JP13624897A JPH10104300A JP H10104300 A JPH10104300 A JP H10104300A JP 9136248 A JP9136248 A JP 9136248A JP 13624897 A JP13624897 A JP 13624897A JP H10104300 A JPH10104300 A JP H10104300A
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voltage
terminal
video
lcd substrate
pixel
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JP9136248A
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Masaki Hayashi
林  正樹
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Advantest Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 LCD基板の各画素のオープン欠陥とショー
ト欠陥の検査におけるS/N比を従来に比し10倍以上
に向上させた検査装置及び方法を提供する。 【解決手段】 LCD基板10の補助コンデンサ15ij
の共通接地端子22は接地し、ビデオ端子23にドライ
バ40からのH電圧を印加してTFTijのゲートを開き
補助コンデンサ15ijを最大限に充電する。次にゲート
を閉じビデオ端子に接地電位のL電圧を印加してデータ
線とビデオラインの浮遊容量の電荷を充分に放電させ、
続いて各画素を画像表示モードで順次選択的に駆動し各
画素の情報を読み出し、IV変換回路43で電流電圧変
換し、サンプルホールド回路34でサンプリングし、増
幅し、A/D変換器36でA/D変換し、画像処理部3
7で振幅値を比較して良否判定を行う構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、プロジェクタや
リア透過型TV等に用いられる多結晶型TFT(Thin F
ilm Transistor:薄膜トランジスタ)のLCD( Liquid
Crystal Display)基板、つまり液晶表示器における各
画素の画素欠陥を検出するLCD基板検査装置及び方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】初めに被測定DUTであるLCD基板に
ついて説明する。図3に多結晶型TFTのLCD基板1
0の構成図の例を示す。石英基板上に互いに平行した多
数のゲート線19j (191 〜19m )が設けられ、こ
れらのゲート線19と直交して多数のデータ線20i
(201 〜20n )が平行に設けられている。これらの
ゲート線19j とデータ線20i との各交差点にTFT
14ij(1411〜14nm)がそれぞれ設けられ、それぞ
れのTFT14ijは、すぐ近くのゲート線19j にゲー
トが、データ線20i にソースが接続され、ドレインは
補助コンデンサ15ij(1511〜15nm)に接続されて
いる。補助コンデンサ15ijの他端はそれぞれ共通に接
続されて、共通接地端子22に接続されている。つま
り、TFT14ijと補助コンデンサ15ijから成る多数
の画素がマトリックス状に配置されている。この画素数
はVGA規格では 640×480=307,200.ポイント、SV
GA規格で800×600=480,000.ポイント、XGA規格で
1,024×768=786,432. ポイントであり、EWS仕様で
は更に、1,280×1,024=1,310,720.ポイントと非常に多
くの画素が配列されている。
【0003】ゲート線191 〜19m は行選択シフトレ
ジスタ11の各シフト段に順次接続され、データ線20
1 〜20n は列選択スイッチ13i (131 〜13n
を通じてビデオライン21に順次接続されている。薄膜
トランジスタの構成から成る列選択スイッチ131 〜1
n のゲートは、それぞれ列選択シフトレジスタ12の
n個のシフト段の対応するものに順次接続されている。
画素数が非常に多いときは、高速性を保つためにビデオ
ライン21及び列選択シフトレジスタ12が複数列を有
しているものもある。例えば、ビデオライン21は2〜
6列、多いものでは24列もあり、列選択シフトレジス
タ12は2〜4列を有し交互に動作するようにしている
ものもある。
【0004】行選択シフトレジスタ11は、垂直起動信
号がDY端子に与えられ、CLY端子に垂直動作クロッ
クが与えられると水平周期毎に行選択シフトレジスタ1
1はそのシフト段に順次高レベルを出力する。つまり、
ゲート線191 〜19m に対して順次高レベルを出力す
る。同様にして列選択シフトレジスタ12には、水平起
動信号がDY端子に与えられ、水平動作クロックがCL
X端子に与えられると画素周期毎に列選択シフトレジス
タ12のシフト段が順次高レベルとなって列選択スイッ
チ131 〜13n のゲートに順次高レベルが与えられ
る。
【0005】従って、例えばゲート線191 が高レベル
の間において列選択スイッチ131のゲートが高レベル
になるとTFT1411がオンになり、ビデオライン21
の映像信号が列選択スイッチ131 を通じ、更にTFT
1411を通じて補助コンデンサ1511にその映像入力の
レベルに応じた電荷が充電される。このゲート線19 1
が高レベルの間に列選択スイッチ131 〜13n が順次
オンとなるため、TFT1411〜141nが順次オンとな
ってそれぞれビデオライン21よりのその時の映像信号
レベルに応じて対応する補助コンデンサ1511〜151n
に対する電荷の充電がなされる。その後ゲート線192
が高レベルになり、そのゲート線の画素に対する走査が
行われる。以下、同様にした全体のTFTのマトリック
ス、つまり各画素電極に対する走査が行われることにな
る。
【0006】これらのLCD基板10の不良には線欠陥
と画素欠陥とがある。線欠陥とは断線の有無であるか
ら、その検査は導通、非導通の検査であり容易である。
画素欠陥にはオープン不良とショート不良とがある。こ
の画素欠陥の検査について、従来からいくつかの提案が
なされている。例えば、本出願人が先に出願した特開平
5−158056によると、各画素の補助コンデンサ1
5ijが共通に接続されている共通接地端子22に矩形波
信号を印加し、LCD基板10のビデオライン21に出
力される信号の各画素に対応した振幅値を検出し、その
振幅値によって各画素の欠陥を検出し、良否判定を行う
ものである。
【0007】図5に従来の検査装置の例を示す。LCD
基板10は図3のLCD基板10であり、これの画素欠
陥を検査する装置である。走査タイミング発生部30か
らの垂直起動信号をDY端子に、垂直動作クロックをC
LY端子に、水平起動信号をDX端子に、水平動作クロ
ックをCLX端子に与えて、いわゆる画像表示モードで
各画素を順次選択する。検査信号発生部31からは各画
素の選択周期の中間部分において矩形波の検査信号をL
CD基板10の補助コンデンサ15ijの共通接地端子2
2に与える。
【0008】選択された画素が正常であればこれと対応
した出力波形がビデオライン21に現れるが、例えばそ
の選択された画素の補助コンデンサ15ijがショートさ
れていると著しく高いレベルがビデオ端子23に現れ、
逆にその画素のTFT14ijがオープンであるとビデオ
端子23のレベルが低いものとなる。ビデオ端子23と
共通電位点との間に高速スイッチ32が接続され、各画
素選択期間の初めと終わりとに高速スイッチ32がオン
とされてビデオ端子23に接続する部分の浮遊容量に蓄
積された電荷を放電させる。
【0009】ビデオ端子23の出力波形はインピーダン
ス変換器33により高インピーダンス入力から低インピ
ーダンス出力に変換されてサンプルホールド回路34に
供給され、各検査信号の終わり近くでサンプル保持され
る。その出力は増幅器35で増幅された後、A/D変換
器36でデジタル信号に変換されて画像処理部37に供
給される。画像処理部37では隣接画素間におけるその
入力レベル、つまりビデオ端子23から出力された信号
のレベルを相対的に比較してこれらレベルから画像欠陥
の有無を調べる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】これら従来の検査手段
は、ショート不良については出力する信号が異常に大き
くなるので容易に判別できていたが、オープン不良の判
定についてはS/N比(信号対雑音比)が悪くて、判定
精度がよくなかった。その理由は、各画素の補助コンデ
ンサ15ijの容量に比してデータ線20i 及びビデオラ
イン21での浮遊容量が大きく、浮遊容量の電荷による
影響が大きいことによる。
【0011】図3において1画素がオン状態時の等価回
路を図4に示す。図3と対応する部分には同一符号を付
す。R8は列選択スイッチ13i のオン抵抗でその値は
10KΩ程度であり、R9はTFT14ijのオン抵抗で
1MΩ程度である。そして補助コンデンサ15の容量値
は0.1pF程度であるのに対して、浮遊容量はLCD
基板の大きさにもよるが一般的にデータ線の浮遊容量1
6は5pF程度で、ビデオラインの浮遊容量17は10
pF程度もある。つまり補助コンデンサ15ijと浮遊容
量との容量比は、1/100以下と補助コンデンサ15
ijの容量は非常に小さい。従って、共通接地端子22か
ら矩形波信号を印加して補助コンデンサ15ijのオープ
ン不良を検出しようとしても、浮遊容量の影響でその正
常時と異常時の出力信号の振幅値の間は微少な差しか生
ぜず、良否判定を的確に行うことが困難であった。
【0012】この発明はLCD基板10の検査におい
て、それぞれの補助コンデンサ15ijに最大規定値近く
の電圧を与えて最大電荷を充電させ、データ線の浮遊容
量16およびビデオラインの浮遊容量17の電荷を零近
くまで放電させ、S/N比を従来の装置より10倍以上
に向上させて各画素のオープン、ショートの検査を行わ
せるものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、液晶を封入する前の状態に於いて、L
CD基板10の補助コンデンサ15ijの共通接地端子2
2は接地し、初めにビデオ端子23に規定値上限に近い
H電圧を与えてTFTijのゲートを開き補助コンデンサ
15ijを最大限に充電する。いわゆる書き込みを行う。
続いてTFTijのゲートをオフにした状態で共通接地電
位のL電圧をビデオ端子23に与え、列選択スイッチを
オンにしてデータ線20i をオンにし、データ線20i
の浮遊容量16とビデオライン21の浮遊容量17の電
荷を充分に放電させる。その後に再度ゲートをオンさ
せ、各画素を順次選択的に駆動させ、補助コンデンサ1
5ijの電荷情報を読み出し、従来のようにサンプルホー
ルド回路34等を経て画像処理装置で画像欠陥有無を調
べるものである。
【0014】これを実現するために、走査タイミング発
生部39からの信号で基準電圧であるH電圧もしくはL
電圧を出力するドライバと、このH電圧及びL電圧をリ
アルタイムにLCD基板10のビデオ端子23に供給し
た後、ビデオ端子23からの出力信号を読みとりサンプ
ルホールド回路34に出力するIV変換回路とを設け
る。
【0015】ドライバは入力信号を受けてリアルタイム
に設定したH電圧もしくは共通接地電位のL電圧を出力
できる物であればよい。つまり、H電圧とL電圧を高速
に切り換えるものでよい。
【0016】IV変換回路の初段はオペアンプの差動増
幅器の特性を用いると実現できる。入力インピーダンス
は無限大であり、2つの入力端子間がイマジナルショー
ト(仮想短絡)だからである。従って、1の入力端子に
基準のH電圧またはL電圧を与えると他の端子電圧はリ
アルタイムにその電圧に追従する。その追従した電圧を
ビデオ端子に供給する。また、ビデオ端子からの出力信
号はその差動増幅器と次段の差動増幅器とでもって電流
電圧変換させるとよい。
【0017】
【発明の実施の形態】第1の発明は基本発明の構成であ
る。従来の検査装置に加えて、走査タイミング発生器か
らの信号でH電圧とL電圧とをリアルタイムに出力する
ドライバと、LCD基板のビデオ端子にドライバからの
上記H電圧やL電圧をリアルタイムに供給し、またビデ
オ端子からの映像信号を電流電圧変換してサンプルホー
ルド回路に出力するIV変換回路とを設けた構成であ
る。ここで、走査タイミング発生器は、CPUを備えた
制御部も兼ねて、全ての測定タイミングを発生させるも
のとする。この制御部は別途設けてもよい。
【0018】第2の発明は、第1の発明に用いるドライ
バの最も適切な構成である。ドライバはトランジスタス
イッチ回路や双安定回路などで構成することもできる
が、最も高速にリアルタイムに切り換えるには演算増幅
器を用いるものが最も適切である。
【0019】第3の発明は、第1の発明に用いるIV変
換回路の最も適切な構成である。少なくとも2つの差動
増幅器を用いてその特性を活用する。それぞれの差動増
幅器の正相入力端子にはドライバからの基準電圧が入力
される。初段の差動増幅器の逆相入力端子はLCD基板
のビデオ端子に接続され、基準電圧であるH電圧及びL
電圧を供給して補助コンデンサに電荷を充電した後に浮
遊容量の電荷を放電させる。その後にビデオ端子からの
出力信号を取り出して増幅し電流電圧変換してサンプル
ホールド回路に出力する。
【0020】第4の発明は、LCD基板がEWS規格の
ように画素数が非常に多いLCD基板でビデオ端子が複
数個ある場合の構成である。つまり、各ビデオ端子に対
応してそれぞれIV変換回路を設け、各IV変換回路は
ドライバから基準電圧を受けて、それぞれの出力信号を
アナログマルチプレクサを介してサンプルホールド回路
に出力する構成である。以下実施例について説明する。
【0021】
【実施例】図1に本発明の一実施例の構成図を、図2に
そのタイミングチャートの実施例を示す。図1は、ビデ
オ端子23が1つの場合と複数の場合とを兼ね示してい
る。つまり、1つの場合にはIV変換回路43が1つで
よく、アナログマルチプレクサ47が不要であるが、複
数の場合にはそれぞれのビデオ端子23i(i=1〜
p)に対応してIV変換回路43が設けられ、アナログ
マルチプレクサ47を介してサンプルホールド回路34
に出力している。
【0022】LCD基板10の共通接地端子22は接地
されている。ドライバ40は走査タイミング発生部39
からの信号で、基準電圧であるH電圧とL電圧とを切り
換えている。H電圧は例えば12Vとし、L電圧は共通
接地電位とする。リアルタイムで切り換えるために演算
増幅器41を用いる。この出力電圧をそれぞれのIV変
換回路43に供給している。
【0023】IV変換回路43は2つの差動増幅器44
及び45で構成され、それぞれの正相入力端子には抵抗
R1もしくはR5を介してH電圧あるいはL電圧が供給
されている。初段の差動増幅器の逆相入力端子aはビデ
オ端子23と、並びに抵抗R2を介してその出力端子b
に接続されている。図1に示しているように、a点とb
点間の帰還抵抗はR3に平行してR2をスイッチSWを
介して並列接続している。これは必要に応じて帰還抵抗
値を変え、差動増幅器44系統の安定化の高速性と高増
幅度とに切り換えるためである。つまり、帰還抵抗値が
小さいほど安定化は速やかになり、帰還抵抗値が大きい
ほど増幅度は高くなる。
【0024】そこで抵抗R2を1KΩ程度に、R3を4
0KΩ程度にし、H電圧及びL電圧をLCD基板10に
供給するときにはスイッチSWをオンにして帰還抵抗を
1KΩと小さくし書き込みクロック速度を早くする。信
号を読み出すときはスイッチSWをオフにして40KΩ
と大きくし、読み込みクロック速度を遅くし、高増幅度
を得ると共に後段の信号処理系のスピード、特にA/D
変換速度とマッチングをとる。2段目の差動増幅器45
は初段からの信号を差動増幅するものであり、その出力
信号をサンプルホールド回路34に供給する。
【0025】この実施例では最適の構成例として差動増
幅器の入力特性を利用して実現したが、これ以外にも切
り換えスイッチを用いた構成法もある。つまり、H電圧
あるいはL電圧をLCD基板10のビデオ端子23に供
給するときにはドライバ40に直接接続し、ビデオ端子
23からの電荷情報を読み出しときにはスイッチで切り
換えてIV変換回路に出力する構成である。
【0026】図2は図1の実施例の動作のタイミングチ
ャートの実施例である。(A)は1行選択している期間
の列選択の期間を示す。つまり、書き込み期間とビデオ
ライン21及びデータ線20i の浮遊容量の電荷消却期
間と読み出し期間とである。(B)はビデオ端子23に
印加するH電圧及びL電圧であり、書き込み期間に例え
ば12Vを、他の期間には共通接地電位の0Vを与えて
いる。(C)はゲート線19j をオフにするゲート制御
であり、電荷消却期間、いわゆるクリア期間のみオフに
する。図3の回路図ではゲート制御端子からゲート18
j を閉じる信号を与えるとよい。ゲート18j が無い場
合には全てのゲート線19j をオフにするとよい。
【0027】(D)は列選択シフトレジスタ12へのシ
フト開始信号DXであり、各期間の当初にDX端子に与
える。(E)は列選択シフトレジスタ12へのシフトク
ロック信号CLXである。書き込み期間やクリア期間は
信号処理でのA/D変換は行わないので規定動作周波数
で駆動する。読み出し期間ではA/D変換を行い信号処
理速度が遅くなるのでクロック信号は規定動作周波数の
1/Nに遅くする。つまり周期をN倍にする。(F)は
初段差動増幅器44の帰還抵抗のスイッチSWの切り換
え信号である。書き込み期間と電荷消却期間はオンにし
て帰還抵抗を1KΩとし、系の安定化時間を速くする。
読み出し期間はオフにして40KΩとし、高増幅度を得
る。読み出し期間を1/N程度にする理由は画素の放電
を充分セットリングさせるためである。
【0028】このタイミングチャート例では、1行選択
期間に3回列選択動作をさせるようにしたが、これに限
るものではない。数行単位で電荷の書き込み、浮遊容量
のクリア、電荷情報の読み出しを行ってもよい。
【0029】図6は本発明によるLCD基板検査方法を
示すフローチャートである。先ず、LCD基板の補助コ
ンデンサ15ijの共通接地端子を接地する(ステップ1
00)。次に、ビデオ端子23にドライバからH電圧を
印加する(ステップ110)。次に、TFTijのゲート
を開き補助コンデンサ15ijを充電する(ステップ12
0)。次に、TFTijのゲートを閉じる(ステップ13
0)。次に、ビデオ端子23に接地電位のL電圧を印加
してデータ線とビデオラインの浮遊容量の電荷を充分に
放電させる(ステップ140)。次に、各画素を画像表
示モードで順次選択的に駆動し各画素に対応した補助コ
ンデンサ15ijの情報を読み出し、IV変換回路で電流
電圧変換して読み出す(ステップ150)。次に、この
IV変換回路の出力電圧をサンプリングホールド回路で
サンプリングする(ステップ160)。次に、このサン
プリングホールド回路した電圧をA/D変換器でA/D
変換する(ステップ170)。次に、画像処理部で振幅
値を比較して良否判定を行う(ステップ180)。この
ようにLCD基板検査方法を構成する。
【0030】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明
は、LCD基板10の各画素の補助コンデンサ15ijに
充分な電荷を充電し、データ線20i の浮遊容量16及
びビデオライン21の浮遊容量17をほぼ完全に放電し
た後に各画素の電荷情報を順次読み出し画像処理ができ
るようになった。従って、各画素のショート欠陥はも
とより、オープン欠陥も正確に判定することができるよ
うになった。つまり、S/N比が従来より15倍も良く
なり誤判定が無くなった。
【0031】タイミングの取り方が容易になった。従
来の共通接地端子22から矩形波信号を与えてビデオ端
子23からその信号を取り出す装置では、ビデオライン
21の浮遊容量の電荷を放出させるのに微妙なタイミン
グ調整が必要であったが、この発明では各期間の時間を
決めるだけでよい。操作が容易になった。LCD基板
10の通常の使用方法で各画素に充分の電荷を充電させ
る検査方式であるので理解も容易である。
【0032】以上のように、LCD基板10の検査が容
易に、正確に、高速に行えるようになったので、実用に
対してその技術的効果は大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成図である。
【図2】図1の実施例のタイミングチャートである。
【図3】LCD基板の構成図である。
【図4】LCD基板での1画素がオン状態時の等価回路
図である。
【図5】従来の検査装置の構成例図である。
【図6】本発明によるLCD基板検査方法を示すフロー
チャートである。
【符号の説明】
10 LCD基板 11 行選択シフトレジスタ 12 列選択シフトレジスタ 13、13i 列選択スイッチ 14、14ij TFT 15、15ij 補助コンデンサ 16 データ線の浮遊容量 17 ビデオラインの浮遊容量 18j ゲート 19、19j ゲート線 20、20i データ線 21 ビデオライン 22 共通接地端子 23 ビデオ端子 30 走査タイミング発生部 31 検査信号発生部 32 高速スイッチ 33 インピーダンス変換器 34 サンプルホールド回路 35 増幅器 36 A/D変換器 37 画像処理部 39 走査タイミング発生部 40 ドライバ 41 演算増幅器 42 H電圧入力端子 43 IV変換回路 44、45 差動増幅器

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定LCD基板(10)の各画素のT
    FT(14ij)を走査タイミング発生部(39)からの
    画像表示モードで選択的に駆動させ、上記LCD基板
    (10)のビデオ端子(23)からの出力信号をサンプ
    ルホールド回路(34)でサンプリングし、上記サンプ
    ルホールド回路(34)の出力信号を増幅器(35)で
    増幅し、A/D変換器(36)でA/D変換し、画像処
    理部(37)で画素欠陥を検出する検査装置において、 上記走査タイミング発生器(39)からの信号でH電圧
    もしくはL電圧をIV変換回路(43)に出力するドラ
    イバ(40)と、 上記ドライバ(40)からのH電圧もしくはL電圧をL
    CD基板(10)のビデオ端子(23)に供給し、ビデ
    オ端子(23)からの映像信号を電流電圧変換してその
    出力信号をサンプルホールド回路(34)に出力するI
    V変換回路(43)と、 を具備することを特徴とするLCD基板検査装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のドライバ(40)はH電
    圧もしくはL電圧を切り換えて出力する演算増幅器(4
    1)で構成されていることを特徴とするLCD基板検査
    装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載のIV変換回路(4
    3)は少なくとも2つの差動増幅器が用いられ、共にド
    ライバ(40)からのH電圧もしくはL電圧を基準電圧
    として抵抗を介して正相入力端子に入力され、初段の作
    動増幅器(44)の逆相入力端子はLCD基板(10)
    のビデオ端子(23)と並びに抵抗を介して出力端子と
    に接続された逆相増幅器であり、第2段の作動増幅器
    (45)の逆相入力端子は初段の作動増幅器(44)の
    出力端子と自己の出力端子とにそれぞれ抵抗を介して接
    続された差動増幅器で構成されたことを特徴とするLC
    D基板検査装置。
  4. 【請求項4】 LCD基板(10)のビデオ端子(2
    3)が複数のときは、それぞれのビデオ端子(23)に
    個々のIV変換回路(43)が設けられ、個々のIV変
    換回路(43)の出力信号をアナログマルチプレクサ
    (47)で選択してサンプルホールド回路(34)に出
    力する構成であることを特徴とする請求項1、2又は3
    記載のLCD基板検査装置。
  5. 【請求項5】 被測定LCD基板(10)の各画素のT
    FT(14ij)を走査タイミング発生部からの画像表示
    モードで選択的に駆動させ、上記LCD基板(10)の
    ビデオ端子(23)からの出力信号で画素欠陥を検出す
    る検査方法において、 上記LCD基板の補助コンデンサ(15ij)の共通接地
    端子を接地し(ステップ100)、上記ビデオ端子(2
    3)にドライバから高電圧のH電圧を印加し(ステップ
    110)、TFT(14ij)のゲートを開き上記補助コ
    ンデンサ(15ij)を充電し(ステップ120)、上記
    TFT(14ij)のゲートを閉じ(ステップ130)、
    上記ビデオ端子(23)に接地電位のL電圧を印加して
    浮遊容量の電荷を放電させ(ステップ140)、画像表
    示モードにして上記補助コンデンサ(15ij)の情報を
    IV変換回路で電流電圧変換して読み出し(ステップ1
    50)、上記IV変換回路の出力電圧をサンプリングホ
    ールド回路でサンプリングし(ステップ160)、上記
    サンプリングホールドした電圧をA/D変換器でA/D
    変換し(ステップ170)、画像処理部で振幅値を比較
    して良否判定を行う(ステップ180) 上記を特徴とするLCD基板検査方法。
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