JP2008040202A - 電気光学装置、駆動回路および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑える。
【解決手段】画素１１０は、画素容量と、一端が画素電極に接続され他端が容量線１３２に接続された蓄積容量とを含む。容量線１３２は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられ、容量線駆動回路１５０は、１〜３２０行のそれぞれにおいて、ＴＦＴ１５５、１５７の組を有する。ここで、あるｉ行について着目したとき、当該着目の走査線が選択されたとき、ＴＦＴ１５５がオンし、当該着目行より１行下の走査線が選択されたとき、ＴＦＴ１５７がオンする。ＴＦＴ１５５、１５７のソース電極は、走査線１１２が選択される毎に電圧Ｖsl、Ｖshで切り替わる給電線１６６に接続されている。このため、当該着目行の走査線が選択された後に、当該着目行の容量線１３２を電圧ΔＶだけ変化させることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶などの電気光学装置において、データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑える技術に関する。

液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容量）が設けられるが、この画素容量を交流駆動する必要がある場合、データ信号の電圧振幅が正負の両極性となるので、データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路においては、構成素子に電圧振幅に対応した耐圧が要求される。このため、画素容量に並列して蓄積容量を設けるとともに、各行において蓄積容量を共通接続した容量線を、走査線の選択に同期させて２値で駆動することにより、データ信号の電圧振幅を抑える技術が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００１−８３９４３号公報

ところで、この技術では、容量線を駆動する回路が、走査線を駆動する走査線駆動回路（実質的にはシフトレジスタ）と同等であるので、容量線を駆動するための回路構成が複雑化してしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑えることが可能な電気光学装置、その駆動回路および電子機器を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数行の走査線と、複数列のデータ線と、前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続される画素容量と、前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、走査線が選択される毎に、低位側電圧と高位側電圧とが交互に切り替えられて給電される給電線と、一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに給電線を選択し、当該一の走査線に対して所定奇数行だけ離間した走査線が選択されたときにも前記給電線を選択して、前記給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、一の容量線は、自身に対応する走査線が選択されたときから、所定奇数行だけ離間した走査線が選択されるときにかけて、低位側電圧から高位側電圧に、または、その逆に電圧変化する。このときに、蓄積容量に蓄積された電荷が再配分されるので、画素容量の保持電圧が、データ信号電圧以上となる。このため、容量線駆動回路の構成の複雑化を抑えつつ、データ線の電圧振幅を抑えることが可能となる。

本発明において、前記容量線駆動回路は、当該一の容量線を、当該一の走査線に対し下または上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線の選択が終了してから、当該一の走査線が再び選択されるまで、ハイ・インピーダンス状態とする構成としても良い。また、前
記容量線駆動回路は、前記容量線の各々に対応して、第１および第２トランジスタを有し、一の容量線に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して下または上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、前記第１および第２トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に共通接続された構成としても良い。
また、本発明において、前記容量線駆動回路は、前記走査線の選択方向を下または上方向に切り替え可能であり、前記容量線駆動回路は、当該一の容量線を、前記走査線の選択方向が下方向であれば、当該一の走査線に対し下方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線の選択が終了してから、当該一の走査線に対し上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線が再び選択されるまで、ハイ・インピーダンス状態とし、前記走査線の選択方向が上方向であれば、当該一の走査線に対し上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線の選択が終了してから、当該一の走査線に対し下方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線が再び選択されるまで、ハイ・インピーダンス状態とする構成としても良い。また、前記容量線駆動回路は、前記容量線の各々に対応して、第１、第２および第３トランジスタを有し、一の容量線に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、前記第３トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して下方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、前記第１、第２および第３トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に共通接続された構成としても良い。
なお、本発明において、下および上とは走査線の行に対して直交する方向を示す便宜的なものに過ぎない。
また、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００を有し、この表示領域１００の周辺に制御回路２０、走査線駆動回路１４０、容量線駆動回路１５０、データ線駆動回路１９０が配置した構成となっている。このうち、表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、１行目から３２１行目までの計３２１行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在する一方、２４０列のデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように、それぞれ設けられている。
そして、図１において最も下の３２１行目を除いた１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
ここで、３２１行目の走査線１１２は、画素１１０に対応していないので、ダミー走査線として機能することなる。すなわち、３２１行目の走査線１１２は、表示領域１００の垂直走査（走査線を順番に選択する動作）において、選択されても画素１１０に対する電圧書込にはなんら寄与しない。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれ容量線１３２がＸ方向に延在して設けられている。このため、本実施形態において、容量線１３２については、ダミ
ーとなる３２１行目の走査線１１２を除いた１〜３２０行目の走査線１１２に対応して設けられることになる。

ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。ここで、ｉ、（ｉ＋１）については、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合には、１以上３２０以下の整数であるが、走査線１１２の行を説明する場合には、ダミーである３２１行目を含める必要があるので１以上３２１以下の整数となる。

図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画素容量１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。
また、画素容量１２０の他端はコモン電極１０８である。このコモン電極１０８は、図１に示されるように全ての画素１１０にわたって共通であり、コモン信号Ｖcomが供給さ
れる。なお、本実施形態においてコモン信号Ｖcomは、後述するように時間的に電圧ＬＣcomで一定である。
なお、図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の容量線１３２の電圧を示している。

表示領域１００は、画素電極１１８が形成された素子基板とコモン電極１０８が形成された対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶１０５を封止した構成となっている。このため、画素容量１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とで誘電体の一種である液晶１０５を挟持したものとなり、画素電極１１８とコモン電極１０８との差電圧を保持する構成となる。この構成において、画素容量１２０では、その透過光量が当該保持電圧の実効値に応じて変化する。なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードであるとする。

また、ｉ行ｊ列の画素１１０における蓄積容量１３０は、一端が画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン電極）に接続されるとともに、他端がｉ行目の容量線１３２に接続されている。ここで、画素容量１２０および蓄積容量１３０における容量値を、それぞれＣpixおよびＣsとする。

説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種の制御信号を出力して電気光学装置１０における各部の制御等をするとともに、容量信号Ｖcを給電線１６６に供給し、また、
コモン信号Ｖcomをコモン電極１０８に供給する。
表示領域１００の周辺には、上述したように、走査線駆動回路１４０や、容量線駆動回路１５０、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。

このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間にわたって走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を、それぞれ１、２、３、…、３２０、３２１行目の走査線１１２に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１４０は、走査線１１２を図１において上から数えて１、２、３、…、３２０、３２１行目という順番で選択して、選択した走査線への走査信号を選択電圧Ｖddに相当するＨレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧（接地電位Ｇnd）に相当するＬレベルとする。
なお、走査線駆動回路１４０は、図４に示されるように、制御回路２０から供給されるスタートパルスＤyを、クロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等によって、
走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を、この順番で出力する また、本実施形態において１フレームの期間には、図４に示されるように、走査信号Ｙ１がＨレベルになってから走査信号Ｙ３２０がＬレベルになるまでの有効走査期間Ｆaのほか
、それ以外の帰線期間が含まれる。また、１行の走査線１１２が選択される期間が水平走査期間（Ｈ）である。

容量線駆動回路１５０は、本実施形態では、１〜３２０行目の容量線１３２に対応して設けられたｎチャネル型のＴＦＴ１５５、１５７の組から構成される。ここで、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５５、１５７について説明すると、当該ＴＦＴ１５５（第１トランジスタ）のゲート電極は、ｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極は、給電線１６６に接続される一方、ＴＦＴ１５７（第２トランジスタ）のゲート電極は、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極は、給電線１６６に接続されている。そして、ＴＦＴ１５５、１５７のドレイン電極同士がｉ行目の容量線１３２に共通接続されている。

データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０により選択される走査線１１２に位置する画素１１０の階調に応じた電圧であって、極性指示信号Ｐolで指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換して、データ線１１４に供給する動作を、選択される走査線１１２に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行するものである。
ここで、データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調値（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示デー
タＤaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路２０によってアドレスとともに変更
後の表示データＤaが供給されて書き換えられる。
データ線駆動回路１９０は、選択される走査線１１２に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から読み出すとともに、当該読み出した表示データで指定された階調に
応じた電圧であって指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給することとなる。

ここで、極性指示信号Ｐolは、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであれば負極性書込を指定する信号であり、図４に示されるように、水平走査期間（Ｈ）毎に反転される。このため、本実施形態では、画素への書き込み極性が、走査線毎に反転させた走査線（ライン）反転方式となる。また、極性指示信号Ｐolは、隣接するフレーム同士において、同一の走査信号がＨレベルとなる（同一の走査線が選択される）期間でみたときにも反転した関係となる。このように極性反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
また、容量信号Ｖcは、極性指示信号ＰolがＬレベルであるときに電圧Ｖshとなり、極
性指示信号ＰolがＨレベルであるときに電圧Ｖslとなる。
なお、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して階調に応じた電圧を保持させる際に、コモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも画素電極１１８の電位を
高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。一方、電圧につい
ては、特に説明のない限り、電源の接地電位Ｇndを電圧ゼロの基準としている。

なお、制御回路２０は、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミングにおいてラッチパルスＬpをデータ線駆動回路１９０に供給する。上述したように、走査線駆動回
路１４０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等
によって、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を、この順番で出力するので、走査線が選択される期間の開始タイミングは、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミングである。したがって、データ線駆動回路１９０は、例えばラッチパルスＬpを１フレームの期間にわたってカウントし続けることによって、何行目の走査
線が選択されるのか、および、ラッチパルスＬpの供給タイミングによって、各行の選択
の開始タイミングを知ることができる。

なお、本実施形態において、素子基板には、表示領域１００における走査線１１２や、データ線１１４、ＴＦＴ１１６、画素電極１１８、蓄積容量１３０に加えて、容量線駆動回路１５０におけるＴＦＴ１５５、１５７、給電線１６６なども形成される。

図３は、このような素子基板のうち、容量線駆動回路１５０と表示領域１００との境界付近の構成を示す平面図である。
この図に示されるように、本実施形態では、ＴＦＴ１５５、１５７は、アモルファスシリコン型であって、そのゲート電極が半導体層よりも下側に位置するボトムゲート型である。詳細には、第１導電層となるゲート電極層のパターニングにより走査線１１２および容量線１３２が形成され、その上にゲート絶縁膜（図示省略）が形成され、さらにＴＦＴ１１６、１５５、１５７の半導体層が島状に形成されている。この半導体層の上には、保護層を介して第２導電層となるＩＴＯ（indium tin oxide）層のパターニングにより、矩形形状であって透明性を有する画素電極１１８が形成され、さらに、第３導電層となるアルミニウムなどの金属層のパターニングによって、ＴＦＴ１１６、１５５、１５７のソース・ドレイン電極や、データ線１１４、給電線１６６等が形成されている。

ここで、容量線駆動回路１５０において、ｉ行目に対応するＴＦＴ１５５のゲート電極は、ｉ行目の走査線１１２からＹ（下）方向にＴ字状に分岐した部分であり、同じくｉ行目に対応するＴＦＴ１５７のゲート電極は、（ｉ＋１）行目の走査線１１２からＹ（上）方向にＴ字状に分岐した部分である。また、ｉ行目に対応するＴＦＴ１５５、１５７のドレイン電極は、上記第３導電層をパターニングしたものであり、上記ゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホール（図において×印）を介してｉ行目の容量線１３２に電気的に接続されている。
一方、表示領域１００において、蓄積容量１３０は、画素電極１１８の下層において幅広となるように形成された容量線１３２の部分と当該画素電極１１８とにより上記ゲート絶縁膜を誘電体として挟持した構成である。このため、蓄積容量１３０の他端は、容量線１３２そのものとなる。
なお、画素電極１１８と対向するコモン電極１０８は、対向基板に形成されるので、素子基板の平面図を示す図３には現れない。

図３に示す構成は、あくまでも一例であり、ＴＦＴの型については他の構造、例えばゲート電極の配置でいえばトップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコン型としても良い。また、容量線駆動回路１５０の素子を表示領域１００に造り込むのではなく、ＩＣチップを素子基板側に実装する構成としても良い。
ＩＣチップを素子基板側に実装する場合、走査線駆動回路１４０、容量線駆動回路１５０を、データ線駆動回路１９０とともに半導体チップとしてまとめても良いし、それぞれ別々のチップとしても良い。また、制御回路２０については、ＦＰＣ（flexible printed
circuit）基板等を介して接続しても良いし、半導体チップとして素子基板に実装する構
成としても良い。
また、本実施形態を透過型ではなく反射型とする場合には、画素電極１１８について反射性の導電層をパターニングしたものとしても良いし、別途の反射性金属層を持たせても良い。さらに、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。

次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
上述したように本実施形態では、画素の書込極性についてライン反転方式としている。このため、制御回路２０は、極性指示信号Ｐolについて、図４に示されるように、あるフレーム（「ｎフレーム」と表記している）の期間において、走査信号Ｙ１がＨレベルとなる水平走査期間でＨレベルとし、以下、走査信号Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１がＨレベルとなる水平走査期間で、Ｌ、Ｈ、…、Ｌ、Ｈレベルとして、水平走査期間毎に極性を反転させ、さらに、次の（ｎ＋１）フレームの期間において走査信号Ｙ１がＨレベルとなる水平走査期間でＬレベルとし、以下、走査信号Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１がＨレベルとなる水平走査期間で、Ｈ、Ｌ、…、Ｈ、Ｌレベルとして、交流駆動をする。
また、制御回路２０は、極性指示信号Ｐolの論理レベルに合わせて、容量信号Ｖcを規
定する。すなわち、極性指示信号ＰolがＨレベルとする水平走査期間では低位側電圧Ｖslとし、極性指示信号ＰolがＬレベルとする水平走査期間では高位側電圧Ｖshとする。ここで、低位側電圧Ｖslと高位側電圧Ｖshとは、コモン電極１０８に印加される電圧ＬＣcom
を中心に互いに対称であり、その電圧差はΔＶである。
このため、容量信号Ｖcは、極性指示信号ＰolがＨレベルとなって正極性書込が指定さ
れる水平走査期間から、次の水平走査期間にかけて電圧ΔＶだけ上昇する一方、極性指示信号ＰolがＬレベルとなって負性書込が指定される水平走査期間から、次の水平走査期間にかけて電圧ΔＶだけ低下する。

さて、ｎフレームにおいては、走査線駆動回路１４０によって最初に走査信号Ｙ１がＨレベルになり、極性指示信号ＰolがＨレベルとなって正極性書込が指定される。ここで、走査信号Ｙ１がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、デ
ータ線駆動回路１９０は、１行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、読み出した表示データＤaに対応し、かつ、正極性に対応した電圧（この意味については後述する）のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０に変換し、それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。
これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、１行ｊ列の画素１１０の表示データＤaに対応する電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。
さて、走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０が印加される。このため、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０では、一端である画素電極１１８にそれぞれ階調に応じた電圧が書き込まれるので、当該電圧と電圧ＬＣcomとの差電圧が保持されることになる。

一方、走査信号Ｙ１がＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０では、１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５５がオンする。（ＴＦＴ１５７はオフである）。このため、当該１行目の容量線１３２は、給電線１６６に接続された状態となるので、容量信号Ｖc
の電圧Ｖslとなる。このため、１行１列〜１行２４０列の蓄積容量１３０では、一端にそれぞれ階調に応じた電圧が書き込まれるので、当該正極性電圧と電圧Ｖslとの差電圧が保持されることになる。

次に、走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになり、極性指示信号ＰolがＬレベルに反転して負極性書込が指定される。
走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。また、走査信号Ｙ２がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、２行目であって１、２、３、…、２４０
列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、読み出した表示データＤaに対応し、かつ、負極性に対応した電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０に変換し、それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。
これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、２行ｊ列の画素１１０の表示データＤaに対応する電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。走査信号Ｙ２がＨレベルになる
と、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素容量１２０では、それぞれ階調に応じた電圧と電圧ＬＣcomとの差電圧が保持されること
になる。

一方、走査信号Ｙ１がＬレベルになり、走査信号Ｙ２がＨレベルになると、容量線駆動回路１５０では、１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５５がオフし、ＴＦＴ１５７がオンになる。このため、当該２行目の容量線１３２は、容量信号Ｖcの電圧Ｖshとなり
、電圧ΔＶだけ上昇するので、後述するように電荷の再配分がなされる結果、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０は、走査信号Ｙ１がＨレベルであったときの保持電圧から変動する。
また、２行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５５がオン（ＴＦＴ１５７はオフ）するので、当該２行目の容量線１３２は、電圧Ｖshとなる。このため、２行１列〜２行２４０列の蓄積容量１３０では、一端にそれぞれ階調に応じた電圧が書き込まれるので、当該電圧と電圧Ｖshとの差電圧が保持されることになる。

続いて、走査信号Ｙ２がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ３がＨレベルになり、極性指示信号ＰolがＨレベルに反転して正極性書込が指定される。このため、走査信号Ｙ１がＨレベルとなる水平走査期間と同様に、３行１列〜３行２４０列の画素容量１２０では、一端である画素電極１１８にそれぞれ階調に応じ、かつ、正極性に対応した電圧が書き込まれるので、当該電圧と電圧ＬＣcomとの差電圧が保持されることになる。
一方、走査信号Ｙ２がＬレベルになると、容量線駆動回路１５０では、１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５７もオフするので、当該１行目の容量線１３２は、電気的にどの部分とも接続されないハイ・インピーダンス状態となる。ここで、容量線１３２には、容量が寄生する。このため、１行目の容量線１３２は、１行目のＴＦＴ１５７がオフする直前の状態である電圧Ｖshに保持されるので、電荷の再配分によって変動した電圧が維持されることになる。
また、２行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５５がオフし、ＴＦＴ１５７がオンになるので、当該２行目の容量線１３２は、電圧Ｖslとなり、電圧ΔＶだけ低下するので、後述するように電荷の再配分がなされる結果、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０が変動する。
なお、３行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５５がオン（ＴＦＴ１５７はオフ）するので、当該３行目の容量線１３２は、電圧Ｖslとなる。このため、３行１列〜３行２４０列の蓄積容量１３０では、一端にそれぞれ階調に応じた電圧が書き込まれるので、当該電圧と電圧Ｖslとの差電圧が保持されることになる。

以下、ｎフレームの期間では、以下同様な動作が、走査信号Ｙ３２１がＨレベルとなるまで繰り返される。
すなわち、奇数（１、３、５、…、３１９）行目では、画素容量１２０が、データ信号により書き込まれた電圧から、容量線１３２の電圧ΔＶの上昇により変動する一方、偶数（２、４、６、…、３２０）行目では、画素容量１２０が、データ信号により書き込まれた電圧よりも、容量線１３２の電圧ΔＶの低下により変動する。
そこで次に、容量線１３２の電圧ΔＶの上昇（低下）による画素容量の電圧変動につい
て説明する。

図５は、ｉ行目の容量線１３２が電圧ΔＶだけ上昇したときの、ｉ行ｊ列の画素容量１２０の電圧変動を説明するための図である。また、図６は、走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）と、ｉ行ｊ列の画素電極１１８の電圧Ｐix（ｉ，ｊ）との関係を示す図である。
まず、極性指示信号ＰolがＨレベルであって正極性書込が指定される場合に、走査信号ＹｉがＨレベルになると、図５（ａ）に示されるように、ｉ行ｊ列のＴＦＴ１１６がオンするので、データ信号Ｘｊの電圧が画素容量１２０の一端（画素電極１１８）と蓄積容量１３０の一端とにそれぞれ印加される。一方、極性指示信号ＰolがＨレベルであれば、容量信号Ｖcは電圧Ｖslである。走査信号ＹｉがＨレベルになる期間では、ｉ行目のＴＦＴ
１５５がオンするので、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、電圧Ｖslとなる。なお、コモン電極１０８は電圧ＬＣcomで一定である。
したがって、このときのデータ信号Ｘｊの電圧をＶｊとすれば、ｉ行ｊ列における画素容量１２０には電圧（Ｖｊ−ＬＣcom）が充電され、蓄積容量１３０には電圧（Ｖｊ−Ｖsl）が充電される。

次に、走査信号ＹｉがＬレベルになり、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると（図５（ｂ）においては（ｉ＋１）行を図示省略している）、ｉ行ｊ列のＴＦＴ１１６がオフするとともに、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、電圧Ｖslから電圧Ｖshに電圧ΔＶだけ上昇する。
このため、画素容量１２０と蓄積容量１３０との直列接続において、画素容量１２０の他端（コモン電極１０８）が電圧ＬＣcomで一定に保たれたまま、蓄積容量１３０の他端
が電圧ΔＶだけ上昇するので、画素電極１１８の電圧も上昇する。
ここで、当該直列接続点である画素電極１１８の電圧は、
Ｖｊ＋｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ
となり、走査信号ＹｉがＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖｊよりも、ｉ行目の容量線１３２の電圧変化分ΔＶに、画素容量１２０および蓄積容量１３０の容量比｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝を乗じた値だけ上昇することになる。すなわち、ｉ行目の容量線１
３２の電圧ＣｉがΔＶだけ上昇すると、画素電極１１８の電圧は、走査信号ＹｉがＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖｊよりも、｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ（＝Δ
Ｖpixとする）だけ上昇することになる。なお、各部の寄生容量は無視している。

極性指示信号ＰolがＨレベルであって正極性書込が指定される場合に、データ信号Ｘｊの電圧Ｖｊは、その電圧を画素電極１１８に印加した後に、当該画素電極が電圧ΔＶpix
だけ上昇したときの電圧がコモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも高位であって、両者の
差電圧がｉ行ｊ列の階調に応じた電圧値Ｖ(+)となるように設定される（図６参照）。
詳細には、本実施形態では、ノーマリーホワイトモードとしているので、図７（ａ）に示されるように、ｉ行ｊ列の画素を白色ｗから黒色ｂまでのいずれかの階調とすべき場合、正極性書込においては電圧ΔＶpixだけ上昇したときの画素電極１１８の電圧が、白色
ｗに相当する電圧Ｖw(+)から黒色ｂに相当する電圧Ｖb(+)までの範囲Ａであって、階調が低く（暗く）なるにつれて電圧ＬＣcomよりも高位側の電圧とすれば良いので、この階調
に応じた電圧Ｖ(+)よりもΔＶpixだけ低位の電圧となるように、データ信号Ｘｊの電圧Ｖｊが設定される。

ここでは、正極性書込が指定された場合のｉ行目の容量線１３２における電圧ΔＶの上昇について説明したが、（ｉ＋１）行目では、負極性書込が指定されて、当該（ｉ＋１）行目の容量線１３２が電圧Ｖshから電圧Ｖslに電圧ΔＶだけ低下する。このときの動作は、電圧変化方向が逆向きとなるだけであり、他については電圧ΔＶだけ上昇したときと同様である。
したがって、負極性書込が指定される（ｉ＋１）行目では、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨ
レベルのときのデータ信号Ｖｊを、次のように設定すれば良い。すなわち、図７（ｂ）に示されるように、電圧ΔＶpixだけ低下したときの画素電極１１８の電圧が、白色ｗに相
当する電圧Ｖw(-)から黒色ｂに相当する電圧Ｖb(-)までの範囲Ｃであって、階調が低く（暗く）なるにつれて電圧ＬＣcomよりも低位側の電圧Ｖ(-)となれば良いので（図６も参照）、この階調に応じた電圧Ｖ(-)よりもΔＶpixだけ高位の電圧となるように、データ信号Ｘｊの電圧Ｖｊが設定される。

このとき、正極性書込と負極性書込とにおいて電圧範囲が一致するように設定すれば、データ信号の振幅範囲を最も狭く抑えることができる。
すなわち、図６（ａ）において正極性書込に対応するデータ信号の振幅Ｂの中心と、図６（ｂ）において負極性書込に対応するデータ信号の振幅Ｄの中心とが互いに電圧ＬＣcomに一致するように設定するとともに、電圧ΔＶpixだけ上昇したときに、電圧Ｖw(+)から電圧Ｖb(+)までの範囲Ａにシフトし、電圧ΔＶpixだけ下降したときに、電圧Ｖw(-)から
電圧Ｖb(-)までの範囲Ｃにシフトするように電圧ΔＶ（＝Ｖsh−ＬＣcom＝ＬＣcom−Ｖsl）を設定すれば良い。
ただし、図６（ａ）において正極性書込に対応するデータ信号の振幅Ｂでは、白色ｗ側が低位となり黒色ｂ側が高位となるが、図６（ｂ）において負極性書込に対応するデータ信号の振幅Ｄでは白色ｗ側が高位となり黒色ｂ側が低位となり、階調の関係が逆転する。

本実施形態では、正極性書込が指定される場合のデータ信号の電圧範囲Ｂは、負極性書込が指定される場合のデータ信号の電圧範囲Ｄと一致する。このため、本実施形態によれば、階調に応じた電圧を直接印加する場合の電圧範囲Ｊと比較して、半分程度になるので、データ線駆動回路１９０を構成する素子の耐圧が狭くて済むだけでなく、容量が寄生するデータ線１１４における電圧振幅も狭くなるので、その寄生容量により無駄に電力が消費されることもなくなる。
すなわち、コモン電極１０８が電圧ＬＣcomに保たれるとともに、容量線１３２の電圧
を一定とした構成を想定した場合に、画素容量１２０を交流駆動するとき、正極性書込が指定されていれば、画素電極１１８に、階調に応じて正極性の電圧Ｖw(+)から電圧Ｖb(+)までの範囲Ａの電圧で書き込み、負極性書込が指定されていれば、画素電極１１８に、階調に応じて正極性の電圧Ｖw(-)から電圧Ｖb(-)までの範囲Ｃの電圧で書き込まなければならない。このため、コモン電極１０８の電圧が一定であって、容量線１３２を電圧一定としたとき、データ信号の電圧が図において範囲Ｊにわたるので、データ線駆動回路１９０を構成する素子の耐圧も範囲Ｊに対応させる必要があるだけでなく、容量が寄生するデータ線１１４において範囲Ｊで電圧が変化すると、その寄生容量により無駄に電力が消費されることにもなるが、本実施形態では、このような不都合が解消されるのである。
なお、正極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲と、負極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲とを一致させなくても、容量線１３２の電圧変化によりデータ信号の電圧振幅を抑えることはできる。

また、本実施形態では、画素の書込極性がライン反転方式であるので、面反転方式と比較して、高コントラスト比の表示が可能となる。このとき、容量線１３２の電圧を規定する給電線１６６は、容量線１３２の電圧として電圧Ｖsl、Ｖshの２値が必要であるにもかかわらず、水平走査期間毎に極性指示信号Ｐolに応じて切り替える構成としているので、１本で済んでいる。したがって、本実施形態では、その分、配線が少なくて済むので、構成の簡略化を図ることができる。

＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態では、走査線１１２が、図１において、上から数えて１、２、３、４、…、３２０、３２１行目という順番で選択される、すなわち垂直走査方向が下方向である場合のみを想定し、これに合わせて、１〜３２０行目の各容量線１３２の電圧を切
り替える構成とした。
ところで近年では、例えばビデオカメラやデジタルスチルカメラなどのビューファインダなどのように、表示パネルを１８０度回転可能とするタイプが登場しつつある。ここで、表示パネルの回転角度が０度である場合と、１８０度である場合とでは、パネルの固定点からみたときに垂直走査方向が逆転する関係となるので、このままでは、容量線１３２の電圧を正しく切り替えることができない。
そこで、垂直走査方向が正逆切り替わっても、容量線１３２の電圧を正しく切り替えること可能な第２実施形態について説明することにする。

図８は、第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
この図に示す第２実施形態が、図１に示した第１実施形態と相違する部分は、主に、第１に、１行目の走査線の上に、０行目の走査線１１２が設けられている点と、第２に、容量線駆動回路１５０において、１〜３２０行目に対応してＴＦＴ１５９が設けられている点と、第３に、走査線駆動回路１４０が垂直走査方向を下方向とする場合と上方向とする場合とのいずれに対応している点とである。

まず、第１の点について説明すると、この０行目の走査線１１２には、画素１１０が対応して設けられていないので、３２１行目の走査線１１２と同様に、ダミー走査線として機能することになる。
次に、第２の点について、ｉ行目のＴＦＴ１５９（第３トランジスタ）を例にとって説明すると、当該ＴＦＴ１５９のゲート電極は、ｉ行目に対し１つ上の行である（ｉ−１）行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極は、給電線１６６に接続され、そのドレイン電極は、ＴＦＴ１５５、１５７のドレイン電極とともに、ｉ行目の容量線１３２に共通接続されている。
続いて、第３の点について説明すると、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による転送方向指示信号（図示省略）によって垂直走査方向が下方向であると指定された場合、走査線１１２を、上から数えて０、１、２、３、４、…、３２０、３２１行目で選択する一方、直走査方向が上方向であると指定された場合、走査線１１２を、上から数えて３２１、３２０、…、４、３、２、１行目で選択する。
なお、走査線１１２を特定する行については、混乱を避けるために垂直走査方向にかかわらず、上から数えることにする。
ここで、走査信号については、垂直走査方向が下方向であれば、図９に示されるように、Ｙ０、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１の順番でＨレベルとなり、垂直走査方向が上方向であれば、同図括弧書きで示されるように、Ｙ３２１、Ｙ３２０、…、Ｙ４、Ｙ３、Ｙ２、Ｙ１、Ｙ０の順番でＨレベルとなる。

なお、０行目の走査線１１２はダミーであるので、垂直走査方向にかかわらず、走査信号Ｙ０がＨレベルとなる期間は、水平帰線期間に含まれる。
また、極性指示信号Ｐolは、水平走査期間（Ｈ）毎に極性反転する点において第１実施形態と同様である。なお、極性指示信号Ｐolは、垂直走査方向が下方向であれば、ｎフレームにおいて走査信号Ｙ１がＨレベルとなる期間でＨレベルとなり、（ｎ＋１）フレームにおいて走査信号Ｙ１がＨレベルとなる期間でＬレベルとなる一方、垂直走査方向が上方向であれば、ｎフレームにおいて走査信号Ｙ３２０がＨレベルとなる期間でＨレベルとなり、（ｎ＋１）フレームにおいて走査信号Ｙ３２０がＨレベルとなる期間でＬレベルとなる。

この第２実施形態において、垂直走査方向が下方向である場合に、ｉ行目について正極性書込が指定されるとき、走査信号Ｙ（ｉ−１）、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）が順番にＨレベルとなる期間において、極性指示信号Ｐolは、Ｌ、Ｈ、Ｌレベルとなる。
走査信号Ｙ（ｉ−１）がＨレベルになると、ｉ行目に対応するＴＦＴ１５９がオンする
ので、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、図１０に示されるように、電圧Ｖshとなる。次に、走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｉ行目に対応するＴＦＴ１５９がオフし、ＴＦＴ１５５がオンするので、電圧Ｃｉは、電圧Ｖslとなる。そして、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、ｉ行目に対応するＴＦＴ１５５がオフし、ＴＦＴ１５７がオンするので、電圧Ｃｉは、電圧Ｖshとなる。なお、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルになると、次のフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ−１）が再びＨレベルとなるまで、ｉ行目の容量線１３２はハイ・インピーダンス状態となるが、図において破線で示されるように、寄生容量により電圧Ｖs hに維持される。
垂直走査方向が下方向である場合にｉ行目について正極性書込が指定されるとき、第１実施形態と同様に、ｉ行目の容量線１３２は、次の（ｉ＋１）行目の走査線１１２が選択されるときに、電圧ΔＶだけ上昇する。
一方、垂直走査方向が下方向である場合にｉ行目について負極性書込が指定されるとき、走査信号Ｙ（ｉ−１）、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）が順番にＨレベルとなる期間において、極性指示信号Ｐolは、Ｈ、Ｌ、Ｈレベルとなるので、ｉ行目の容量線１３２は、次の（ｉ＋１）行目の走査線１１２が選択されるときに、電圧ΔＶだけ低下する。

また、垂直走査方向が上方向である場合に、ｉ行目について正極性書込が指定されるとき、走査信号Ｙ（ｉ＋１）、Ｙｉ、Ｙ（ｉ−１）が順番にＨレベルとなる期間において、極性指示信号Ｐolは、Ｌ、Ｈ、Ｌレベルとなる。
走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、ｉ行目に対応するＴＦＴ１５７がオンするので、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、図１１に示されるように、電圧Ｖshとなる。次に、走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｉ行目に対応するＴＦＴ１５７がオフし、ＴＦＴ１５５がオンするので、電圧Ｃｉは、電圧Ｖslとなる。そして、走査信号Ｙ（ｉ−１）がＨレベルになると、ｉ行目に対応するＴＦＴ１５５がオフし、ＴＦＴ１５９がオンするので、電圧Ｃｉは、電圧Ｖshとなる。
このため、垂直走査方向が上方向である場合にｉ行目について正極性書込が指定されるときに、ｉ行目の容量線１３２は、次の（ｉ−１）行目の走査線１１２が選択されるときに、電圧ΔＶだけ上昇する。一方、垂直走査方向が上方向である場合に、ｉ行目について負極性書込が指定されるとき、走査信号Ｙ（ｉ＋１）、Ｙｉ、Ｙ（ｉ−１）が順番にＨレベルとなる期間において、極性指示信号Ｐolは、Ｈ、Ｌ、Ｈレベルとなるので、ｉ行目の容量線１３２は、次の（ｉ−１）行目の走査線１１２が選択されるときに、電圧ΔＶだけ低下する。
したがって、第２実施形態では、第１実施形態と同様に容量線１３２の電圧変化によって、データ信号の電圧振幅を抑えることができる。

なお、第２実施形態において、ｉ行目の容量線１３２は、垂直走査方向が下方向であれば走査信号Ｙ（ｉ−１）がＨレベルとなったときに、垂直走査方向が上方向であれば走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなったときに、それぞれハイ・インピーダンス状態における電圧ＶslまたはＶshから、電圧ＶslまたはＶshまで、いずれも電圧ΔＶだけ変化する。この電圧ΔＶの変化により、ｉ行目の画素容量１２０は階調に応じた電圧からシフトする。
ただし、この電圧シフトは、１フレームの期間毎に打ち消し合うので、画素容量１２０に直流成分が印加されることはない。また、階調に応じた電圧からシフトすることになるが、このシフト期間は、水平走査期間（Ｈ）に過ぎない。この期間（Ｈ）は、電圧実効値の単位期間である１フレームの期間の１／３２１以下（走査線全数の逆数以下）であるので、画素容量１２０の電圧実効値に与える影響はほとんど無視できるほど小さい、といって良い。

このように、第２実施形態によれば、容量線駆動回路１５０において、各行に対応してＴＦＴ１５９を設けるのみの構成によって、走査線駆動回路１４０が垂直走査方向を下方
向としても上方向としても、第１実施形態と同様な効果を得ることが可能となる。
なお、図１０および図１１において、ｉ行目の容量線１３２がハイ・インピーダンス状態となる場合の電圧状態については破線で示される。

なお、上述した容量線駆動回路１５０において、第１実施形態（図１）においては、ｉ行目に対応するＴＦＴ１５７のゲート電極を、ｉ行目に対して１行だけ下方向に離間した（ｉ＋１）行目の走査線１１２に接続し、第２実施形態（図８）においては、ｉ行目に対応するＴＦＴ１５９のゲート電極を上方向に１行だけ離間した（ｉ−１）行目の走査線１１２に接続した。すなわち、ｉ行目に対して、１行上の（ｉ−１）行目および１行下の（ｉ＋１）行目の走査線が選択されたときに、ｉ行目の容量線１３２を給電線１６６に接続する構成とした。
ただし、第１および第２実施形態において、容量信号Ｖcは、水平走査期間（Ｈ）毎に
、電圧Ｖsl、Ｖshに切り替わるので、ｉ行目のＴＦＴ１５７のゲート電極については、下方向に奇数行、例えば３行離間した（ｉ＋３）行目の走査線１１２に接続する構成とし、また、ｉ行目のＴＦＴ１５９のゲート電極については、上方向に奇数行、例えば３行離間した（ｉ−３）行目の走査線１１２に接続する構成とすることによって、ｉ行目の容量線１３２を、自身のｉ行目におけるデータ信号の書き込み後に、書込極性に合わせて電圧ΔＶだけ上昇または低下させることができる。
ただし、離間行数が多くなると、ゲート電極の配線が複雑化するだけでなく、例えば離間行数が「３」であれば、垂直走査方向が下方向である場合に３１８〜３２０行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５７を駆動するために、３２１〜３２３行目のダミー走査線が、また、垂直走査方向が上方向である場合に１、２、３行目に容量線１３２に対応するＴＦＴ１５９を駆動するために、「−２」、「−１」、「０」行目のダミーの走査線１１２が、それぞれ必要となる。
一方、第１および第２実施形態のように離間行数が「１」であれば、帰線期間をなくして、第１実施形態でいえば、３２０行目に対応するＴＦＴ１５７のゲート電極を１行目の走査線１１２に接続し、さらに第２実施形態でいえば、１行目に対応するＴＦＴ１５９のゲート電極を、３２０行目の走査線１１２に接続して循環させる構成とすれば、ダミーの走査線を設ける必要がなくなる。
さらに、コモン電極１０８の電圧Ｖcomを、正極性書込が指定されたときに低位とし、
負極性書込が指定されたときに高位として切り替える構成でも良い。

また、実施形態では、画素容量１２０として画素電極１１８とコモン電極１０８とで液晶１０５を挟持して、液晶にかかる電界方向を基板面垂直方向とした構成としたが、画素電極、絶縁層およびコモン電極とを積層して、液晶にかかる電界方向を基板面水平方向とした構成としても良い。
また、実施形態では、画素容量１２０をノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別の１色（例えばシアン（Ｃ））を追加し、これらの４色の画素で１ドットを構成して、色再現性を向上させる構成としても良い。

上述した説明では、書込極性の基準をコモン電極１０８に印加される電圧ＬＣcomとし
ているが、これは、画素１１０におけるＴＦＴ１１６が理想的なスイッチとして機能する場合であり、実際には、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶の劣化を防止するため、画素容量１２０については交流駆動としなければならないが、コモン電極１０８への印加電圧ＬＣcomを書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウン
のために、負極性書込による画素容量１２０の電圧実効値が、正極性書込による実効値よ
りも若干大きくなってしまう（ＴＦＴ１１６がｎチャネルの場合）。このため、実際には、書込極性の基準電圧とコモン電極１０８の電圧ＬＣcomとを別々とし、詳細には、書込
極性の基準電圧を、プッシュダウンの影響が相殺されるように、電圧ＬＣcomよりも高位
側にオフセットして設定するようにしても良い。
さらに、蓄積容量１３０は、直流的には絶縁されているので、給電線１６６に給電されている容量信号Ｖcが上述の関係となっていればよく、例えば電圧ＬＣcomとの電位差は何ボルトであっても構わない。
また、図４において、走査信号Ｙ３２１がＨレベルになった（３２１行目の走査線が選択された）後から走査信号Ｙ１がＨレベルとなる（１行目の走査線が選択される）前までの期間でも容量線の電圧を変化させているが、これは必ずしも必要ではなく一定の電圧としても良い。

＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器の２例について説明する。
図１２は、第１実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである。

図１３は、特に第２実施形態に係る電気光学装置１０を、ビューファインダに適用したビデオカメラの構成を示す斜視図である。
この図に示されるように、ビデオカメラ２２００の本体２２１０には、ビューファインダとして用いられる電気光学装置１０のほか、光学系２２１２、ハンドグリップ２２１４などが設けられる。ここで、電気光学装置１０の表示領域１００は、軸２２２４を中心に回動自在となるように、ヒンジ２２１６に取り付けられ、さらに、ヒンジ２２１６は、軸２２２２を中心にして、本体２２１０に対し開閉する構造となっている。

このため、電気光学装置１０は、図に示される態様と、撮影者が図の奥側に位置してファインダとして用いる態様とでは、表示画像の上下左右が反転した関係にさせる必要がある。ここで、本実施形態では、上述したように走査線駆動回路１４０による垂直走査方向を逆向きとし、さらに、データ線駆動回路１９０による水平走査方向を逆向きとすれば、表示画像の上下左右を反転させることができる。

なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１２に示した携帯電話や、図１３に示されるビデオカメラの他にも、デジタルスチルカメラ、ノートパソコン、液晶テレビ、ビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等などの機器が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。 同電気光学装置の表示領域と容量線駆動回路との構成を示す平面図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の正極性書込を示す図である。 同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。 同電気光学装置のデータ信号と保持電圧との関係を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。 同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。 第１実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。 第２実施形態に係る電気光学装置を用いたビデオカメラを示す図である。

符号の説明

１０…電気光学装置、２０…制御回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１３２…容量線、１４０…走査線駆動回路、１５０…容量線駆動回路、１５５、１５７、１５９…ＴＦＴ、１６６…給電線、１２００…携帯電話、２２００…ビデオカメラ

Claims (7)

1. 複数行の走査線と、
   複数列のデータ線と、
   前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
   前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
   各々は、
   一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
   一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続される画素容量と、
   前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、
   を含む画素と、
   を有する電気光学装置の駆動回路であって、
   前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
   走査線が選択される毎に、低位側電圧と高位側電圧とが交互に切り替えられて給電される給電線と、
   一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに給電線を選択し、当該一の走査線に対して所定奇数行だけ離間した走査線が選択されたときにも前記給電線を選択して、前記給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、
   選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
2. 前記容量線駆動回路は、
   当該一の容量線を、
   当該一の走査線に対し下または上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線の選択が終了してから、当該一の走査線が再び選択されるまで、
   ハイ・インピーダンス状態とする
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
3. 前記容量線駆動回路は、
   前記容量線の各々に対応して、第１および第２トランジスタを有し、
   一の容量線に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、
   前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して下または上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、
   前記第１および第２トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に共通接続された
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
4. 前記走査線駆動回路は、前記走査線の選択方向を下または上方向に切り替え可能であり、
   前記容量線駆動回路は、当該一の容量線を、
   前記走査線の選択方向が下方向であれば、当該一の走査線に対し下方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線の選択が終了してから、当該一の走査線に対し上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線が再び選択されるまで、ハイ・インピーダンス状態とし、
   前記走査線の選択方向が上方向であれば、当該一の走査線に対し上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線の選択が終了してから、当該一の走査線に対し下方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線が再び選択されるまで、ハイ・インピーダンス状態とする
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
5. 前記容量線駆動回路は、
   前記容量線の各々に対応して、第１、第２および第３トランジスタを有し、
   一の容量線に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、
   前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、
   前記第３トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して下方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、
   前記第１、第２および第３トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に共通接続された
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
6. 複数行の走査線と、
   複数列のデータ線と、
   前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
   前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素であって、各々は、
   一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
   一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続される画素容量と、
   前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量とを含む画素と、
   前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
   走査線が選択される毎に、低位側電圧と高位側電圧とが交互に切り替えられて給電される給電線と、
   一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに給電線を選択し、当該一の走査線に対して所定奇数行だけ離間した走査線が選択されたときにも前記給電線を選択して、前記給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、
   選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置を有する
   ことを特徴とする電子機器。

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