TWI284986B - Thin film transistor array panel including storage electrode - Google Patents

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TWI284986B
TWI284986B TW092119020A TW92119020A TWI284986B TW I284986 B TWI284986 B TW I284986B TW 092119020 A TW092119020 A TW 092119020A TW 92119020 A TW92119020 A TW 92119020A TW I284986 B TWI284986 B TW I284986B
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Yu-Ri Song
Woon-Yong Park
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Samsung Electronics Co Ltd
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Description

1284986 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本务明係關於一種包含一儲存電極之薄膜電晶體陣列面 板0 【先前技術】 專膜電晶體（TFT)被用作開關元件，以用於選擇性傳送待 她加於顯示裝置（例如液晶顯示器（LCD)及場致發光（EL)顯 示器）上之像素的電壓。 LCD為最為廣泛使用的平板顯示器之一。LCD包含配備 多個場產生電極的兩個面板及一***該等面板之間的液晶 (LC)層。忒LCD藉由對該等場產生電極施加電壓以在lc層 中產生一電場來顯示影像，其中該電場確定LC層中的lc分 子方向以調節入射光之偏光。 在個別面板上包含場產生電極之LCD中 :面板上提供以矩陣方式排列的複數個像素電極以及一覆 蓋另-面板整個表面的共同電極。藉由訝個別像素電極分 別施加個別電壓，實現該LCD之旦 <心像顯7F。就施加個別電壓 而言，將複數個三端子（TFT)i查拉$々/ 、 1丨）連接至各個像素電極，益在該 面板上配備複數個閘極線（用於值 、、傳运用於控制該TFT之訊號） 及複數個資料線（用於傳送待施 土该像素電極之電壓）。 一像素电極及一共同電極形成— 、 风 /夜日曰電容器，其用於在 該TFT被切斷後儲存所施加之 + 电壓。提供—並聯連接至該液 晶電容器之儲存電容器，用於祕τ „ 、，』 用於增強電壓儲存容量。通常藉 由重®在遠面板上配備的像素兩 ’、见fe及餘存電極來實施該儲 86750 1284986 存電容。 違儲存電極具有一組態， 步驟被稱作電荷收集。該電 或水平線，從而降低影像品 點’且該等水平線沿儲存電 收集降低了儲存電容器之電 電。 【發明内容】 本發明提供一種薄膜電晶 基板；一形成於該基板上的 數個儲存導體，每一儲存導 於該閘極線及該儲存導體上 極絕緣層上的半導體層；一 體，一形成於該資料導體上 層上的像素電極，其中每_ 分支具有一隔離端。 該等儲存導體中兩個相鄰 連接。 该薄膜電晶體陣列可進一 係用於跨越孩閘極線而得以 之儲存導體。 每一儲存電極較佳都包括 支，並且該等分支形成至少 閉迴路足數量為：兩個斜向 其將電荷聚集於某些位置，此 荷收集導致LCD螢幕上的黑點 質。當顯示中間灰度時產生黑 極延伸之方向延伸，因為電荷 容量且由此阻礙了電容器之充 體陣列面板，其包含：一絕緣 閘極線；形成於該基板上的複 體都包含複數個分支；一形成 的閘極絕緣層；一形成於該閘 形成於該半導體層上的資料導 的鈍化層；及一形成於該鈍化 儲存導體之該等分支中至多一 之儲存導體較佳具有至少兩處 步包含一橋接器，該等橋接器 連接該等儲存㈣中兩個相鄰 兩個 '‘向分支及複數個斜向分 :個封閉超路。斜向分支及封 分支及—個封閉迴$;三個斜 86750 1284986 向分支及兩個封閉迴路;或四個斜向分支及三個封 :象素。電極較佳具有複數個斷流器，且該等斷流器中至 一斷流器重疊於該儲存導體。 土 乂 、料寸的平面形狀可大體相同於半導體層的平面 足，不同之處為半導體層具有—通道部分。 / 【實施方式】 下文將參照附圖對本發明進行更為詳細之描述，附圖中 展不了本發明之較佳實施例。然⑥，可以諸多不同形歡， 施本發明，且本發明，样 ’、 "j炙構以不應侷限於此處提出之青施例。 ^青晰目的，在附圖中，將層面、膜層、面板、區域等 之厚度巧纟。全又中’相似之元件數字表示相似之元件。 應瞭解’當稱―元件（例如—層面、膜層、區域或基板）"位 於另4件之上"時’其可直接位於該另4件之上或亦可 存在人7L件。相反，當稱—元件”直接位於另—元件上" 時，則不存在介入元件。 現將參照附圖，描述根據本發明實施例之包括儲存電極 (TFT陣列面板及其製造方法。 將參照圖1及圖21述根據本發明-實施例之用於LCD 之TFT陣列面板。 圖1為根據本發明一實施例之用於lcd之示範丁降列面 板〈佈局目’圖2及圖3為圖！所示之TFT陣列面板沿線㈣ 及ΙΙΗΙΓ截取之剖面圖。 在、纟巴缘基板110上形成複數個閘極線丨2 1、複數個儲存電 極線131及複數個儲存電極133a_13；^。 86750 1284986 閘極線121大體上橫向延伸並傳送問極訊號。每一閉極線 121都包含稷數個向上延伸以形成複數個閘電極⑶。 儲存包杠、'泉U及儲存電極133心133〇與問極線⑵分離 ’並被施加一預定雷聚也丨j , 土（例如一共同電壓），將該預定電壓施 加於一位於LCD另一而扣η 一 板（未圖不）上的共同電極（未圖示） 儲存见^、、泉1 J1大體上橫向延伸。每一儲存電極 133心133。都包含兩個縱向部分133a及133d、兩個斜向部分 1 3 3 b及1 j 3 c及 '—連接却八1。。 口P刀I33e。將縱向部分133a連接至儲 存電極線1 3 1，且葵忐处&、、 猎由斜向邵分133b及133〇將縱向部分133a 與133d連接。詳言之，斜向部分133b將縱向部分133a之位 於其中心稍向上之處的點與縱向部分13獅—較上端連接 ’而斜向部分133c將縱向部分133a之位於其中心稍向下之 處的點與縱向部分133(1的„較下端連接。藉由連接部分 1336將相鄰儲存電極之縱向部分13M133d連接。 問極線121、儲存電極線131及儲存電極133a-133e包含- 低電阻率導電層，該導電層較佳由含銀（Ag)金屬（例如銀或 銀合金）或含铭（A1)金屬（例如銘或銘合金）製成。閘極線121 佾存電極線131及儲存電極133a-133e可具有一包含一低 弘阻牛導電層及另一層面的多層結構，該另一層面較佳由 ()鈦（丁〇、姮（Ta)、鉬彳1^0)或其合金（例如，具有良好 物里化予及興其他材料（例如銦錫氧化物（叮〇）及銦鋅氧化 物（IZ〇))間電接觸特性之鈿鎢（MoW)合金）所製成。該等層 之良好不範性組合為鉻（Cr)或鋁鈥（Al-Nd)合金。 閘紅、、泉121、儲存電極線131及儲存電極133a-13 3e之側面 86750 1284986 為錐形，
面之傾角的範圍為30-80
a-133e上形 部分154。 L化非晶碎（縮寫為 每一半導體條紋1 5 1 3分支之複數個延伸 在半導f豆條紋1 5 1上形成較佳由矽化物或重摻雜^型雜質 之n+氫化a-Sl製成的複數個歐姆接觸條紋或島161及165。每 一歐姆接觸條紋161都具有複數個延伸丨63，且延伸丨63及歐 姆接觸島1 65以成對方式位於半導體條紋丨5丨之延伸丨54之 半導體條紋151及歐姆接觸161及165之侧面為錐形，且其 傾角之範圍較佳為約30-80度。 在歐姆接觸1 61、165及閘極絕緣層140上形成複數個資料 線171及複數個汲極175。 用於傳送資料電壓之資料線1 7 1大體上縱向延伸且與閘 極線121相交。向没極17 5延伸的每一資料線1 7 1之複數個分 支形成複數個源極1 7 3。每對源極17 3及沒極17 5相互分離且 以相對於一閘極123方式而相互對立。一閘極123、一源極 173、及一汲極175連同半導體條紋151之延伸154形成一具 有一通道之TFT，該通道形成於源極173與汲極175之間的延 伸154中。 86750 -10- 1284986 貝料、、泉1 7 1及汲極1 75包括一較佳由相似於閘極線的含 金屬或含A1金屬所製成的低電阻率導電層，且可具有一包 含-低電阻率導電層及另—層面的多層結構n層= 車乂佳由Ci Ti、Ta、Mo或其合金（例如具有良好物理、化學 及與其他材料間電接觸特性的M〇w合金）所製成。 資料線17〗及汲極175之侧面為錐形，且其傾角之範圍為 約30-80度。 僅.歐姆接斶1 6 1及1 65***在底層的半導體條紋丨5 1與 其上覆盖的貧料線1 7 1及其上覆蓋的汲極丨75之間，且降低 其間 < 接觸電阻。半導體條紋丨5〗包含未被資料線丨7 1及汲 極Π5覆蓋之複數個曝露部分，例如位於源極173及汲極us 之間的部分。 在貝料線1 7 1、汲極1 7 5及半導體條紋〗5丨之曝露部分上形 成一鈍化層1 80。鈍化層1 80較佳由具有優良平坦性特性之 光敏有機材料、藉由電漿增強化學氣體沈積（pECVD)形成 的低介電絕緣材料（例如a__Sl:c:〇& a_Si:〇:F)或無機材料 (例如氮化矽）製成。 鈍化層1 80具有複數個接觸孔丨8丨及丨83，其分別曝露汲極 1 75及貧料線171之末端179。鈍化層180及閘極絕緣層1 4〇具 有複數個接觸孔1 82、1 84及1 85，其分別曝露閘極線1 2丨之 末端1 2 5、儲存電極線1 3 1及儲存電極之縱向部分丨3 3 a。接 觸孔1 8 1 -1 85可具有各種形狀，例如多邊形或圓形。每一接 觸孔181或182之面積較佳等於或大於0.5 μιη X 1 5 μπι而不大 % 於 2 μπι X 6 0 μπι 〇 86750 -11 - 1284986 在鈍化層180上形成複數個像素電極⑽、複數個接觸助 件95及97、及複數個橋接器91。像素電極19〇、接觸助件％ 及97、及橋接器91較佳由透明導電材料（例如Iz◦及ιτ〇)或 反射材料（例如Α1)製成。 $藉由接觸孔1 8 1將像素電極丨9〇與汲極1 75在物理上及電 卞上連接，且像素電極19〇接收來自汲極175的資料電壓。 具有資料電壓之像素電極190協同另一面板上的共同；極 產生電場’該電場重新定向佈置於其間的液晶分子。 、=二素電極職一共同電極形成一稱為"液晶電容器" &電客器’其在TFT切斷後儲存所施加之電壓。提供與該液 晶電容器並聯連接之稱為"儲存電容器,,的額外電容器，而 得以增強電壓儲存容量。藉由將像素電極19〇與儲存電極線 131及儲存電極133a_133e重疊，建構儲存電容器。 每—像素電極19〇都具有用於產生用以控制液晶分子傾 斜方向之彌散場的複數個斷流器191_193。該等複數個斷流 器包含將像素電極19〇對截為上下兩等份之橫向斷 流器192以及分別位於像素電極19〇上下兩等份上的兩個傾 斜斷流器191及193。傾斜斷流器191及193形成一約9〇度之 角度’使得分子傾斜方向在四個方向上均勾地分配。相鄰 像素電極19〇之斷流器191_193可相對於位於其間之資料線 ⑺而反向對稱。儲存電極133a_133e之斜向部分仏外及⑴c 沿傾斜斷流器191及193延伸，從而防止在斷流器丨9]及|93 附近漏光。 每-橋接器91都橫跨-閘極線121並藉由各自接觸孔丨^ 86750 -12- 1284986 及185與儲存電極131及跨越間極線i2i之儲存電極 133a-133d切向部分咖接觸，以便將其連接。橋接㈣ 電連接所有儲存電極線⑶及儲存電_3a_i33e。 可使用儲存電極線131及儲存電極⑶以仏來修復問極 線121及資料線171之缺，陷。 一 藉由接觸孔1 82及1 83將接觸助件95及97分別連接至閘極 線121 恭露末端部分125及資料線171之曝露末端部分】79 接觸助件95及97並非必要元件但其較佳用於保護曝露部分 125及179並補充曝露部分125及179與外部裝置之黏著度。 洋。之，§將用於提供閘極訊號至閘極線丨2 ]之閘極驅動電 路併入TFT陣列面板時，可省略接觸孔182及接觸助件％。 上述TFT陣列面板為LCD兩個面板之一，且在該兩個面板 間的間隙内插人一包含可垂直校直的複數個液晶分子之液
H 曰曰廣。 將詳細描述該LCD之另一面板。 在一絕緣基板（未圖示）上形成一具有面向像素電極19〇之 開口之複數個黑矩陣（未圖示）、複數個紅、綠、藍濾光器 (未圖示）及一具有複數個斷流器之共同電極（未圖示）。該累 矩陣可覆蓋共同電極之斷流器以防止斷流器附近之漏光。 像素電極190之斷流器191-：1 93及共同電極之斷流器將每 一像素區分割為複數個區域，該像素區係由***在一像素 電極與一面向像素電極19〇之黑矩陣之開口之間的液晶層 之一部分所界定。基於其中所包含的液晶分子平均長轴之 方向’將該等區域分為四個類型。 L3 ^6750 I284986 現將詳細描述儲存電極線及儲存電極之組態。 圖4為展不圖丨所不之儲存電極線】3 1及儲存電極 U3a-133e之佈局圖。 及t圖4所示，除縱向部分133a之下端之外，儲存電極線⑶ ，二存電極〈複數個部分133a_133e相互末端連接。換言之 以餐考符號C表示的縱向部分133a之下端之外，不存在 考^口端'’或"隔離端"，其被界定為不具有連接之末端。如參 号付就A及B所轰子 _ a二 ψ 、、攸向部矢133d與斜向部分133b及133c 形成一封閉迴路，使並办 向 侍，、不具有大起。實際上，由於將縱 向口P分1 3 3 a之下妙兩诘衫z , 存在…隹 連接至一鄰近儲存電極線121，所以不 杜兒何Ifc集I區域。 二:二24根據本發明多項實施例之TFT陣列面板之儲存 吃私線及儲存電極之佈局圖。 ,# 、、且怨，其中圖4所示之儲存電極】33^1 33e> f 向邵分133d延伸以血一* IBe〜縱 電極線131及儲存電^近儲存電極線13】.連接，使得儲存 圖 ％ — l133d形成兩個封閉迴路。 圖6展不一組態，農中 且儲存電極線⑶與儲二 所示之連接部分 儘管移除用於=予^133a_133d形成—封閉迴路。 ^ L要郇近儲存電極133a-133e的連接 減少了用於電荷的路徑數……/連接#刀 路徑 陷 路徑。因此，丨& 里，里丨***面形狀幾乎相同於 貝料、、泉1 7 1、汲極1 7 5、橋下金屬件1 7 6以及底層歐姆接觸1 6 ! 、165及166的平面形狀，除了 TF丁具有延伸154。詳言之， 半導體島156、歐姆接觸島166及橋下金屬件176都具有大體 上相同的平面形狀。半導體條紋151包含若干未被資料線 Π1、汲極175及橋下金屬件176覆蓋之曝露部分，例如位於 源極]7 3與汲極1 7 5之間的部分。 現參照圖23-29B及圖21-22B，將詳細描述根據本發明一 實施例之用於製造圖21_22B所示之TFT陣列面板之方法。 86750 -18 - 1284986 圖23、26及28為根據本發明一實施例之圖2i_22B所示之 TFT陣列面板在其製造方法之中間步驟的佈局圖，其順序地 展示了該製造方法。圖24A及24B、圖27A及27B、圖29A及 29B分別為圖23，26及28所示之TFT陣列面板沿線 XXIVA-XXIVA，及 XXIVB-XXIVB，、線 χχνΐΙΑ-ΧχνιΙΑ，及 XXVIIB-XXVIIB^i^XXIXA-XXIXAlXXlXB-xxjxBj 取之剖面圖。 參看圖23-24B，藉由光蝕刻在一絕緣基板11〇(例如一透 月玻璃）上形成包含複數個閘電極1 2 3之複數個閘極線1 2 1 、被數個儲存電極線1 3 1及複數個儲存電極丨3 3 a_丨3 3 e。 如圖25A及25B所示，藉由CVD相繼沈積一閘極絕緣層 140固有a-义層面150及非固有a-Si層面160，使得層面140 150、〗6〇<厚度分別為約15Q0OQQ人、約⑻〇 a 及約j〇〇-6〇o A。藉由濺鍍沈積一導電層17〇，且在導電層 1 7 0上望覆厚度約1 _2微米之光阻薄膜。 藉由一曝光遮罩（未圖示）將光阻薄膜曝露於光線下並顯 w使得所_衫之光阻4〇具有一依位置而定之厚度。圖a = 25B所示之光阻4〇包含厚度遞減之複數個第一至第三部 刀第斗分42及第二邵分44分別由參考數字42及44表示 由万；第二邰分具有幾乎為〇的厚度以曝露導電層1 之底 層邛刀，因此未標示第三部分的參考數字。依據其後之製 紅/ *中的製程條件調整第二部分44與第一部分Μ之厚度 比^第二部分44之厚度較佳等於或小於第一部分42厚度的 一刀之，祥言之，等於或小於4,000 Α。 86750 -19 - 1284986 、藉由技#，例如藉由在曝光遮罩上提供半透明區域以及 地明區域及阻光不透明區域，可獲得厚度依位置而定之光 阻°半透明區域可具有—狹缝圖案、-晶格型圖案、 -c或多層)具有中間透射率或中間厚度之薄膜。當使用狹缝 圖業時，狹缝之寬度或狹缝間之距離較佳小於用於微影姓 J〜恭光奋心％析度。另一實例為使用可軟熔光阻。即， -旦藉由使用僅具有透明區域及不透明區域之常規曝光遮 罩而得以形成由可軟炫材料所製成的光阻圖案，則採用軟 熔製程以使其流至無光阻之區域，藉此形成較薄部分。 、/使用適宜之製程條件時’不同厚度之光阻薄膜40允許 ㈣性蝕刻底部層面。因此’藉由-系列蝕刻步驟，可獲 仔具有複數個源極173之複數個資料線17卜複數個汲極丨π 、複數個橋下金屬件176以及包含複數個延伸163之複數個 歐姆接觸條紋⑹、複數個歐姆接觸島165及166、包各複數 個延伸154之複數料導體條紋151及複數個半㈣島156。 為便於描述’將位於光阻4Q之第—部分42下方的導電層 ]70部分、非固有a_Sl層面16〇及固有a-Sl層面15〇稱為第一 邵分，將位於光阻40之第二部分44下方的導電層】7〇部分、 非固有a-Sl層面160及固有a_Si層面】5〇稱為第二部分，將剩 餘區域上的導電層1 7 〇、非古。.p • 非固有tSi層面160及固有a_Sl層面 】5 0之部分稱為弟二邵分。 一種形成该結構之示範程序如下： (1 )移除位於導線區域Α μ ,α # τ ^ 上的導電層170、非固有a-Sr層面 160及固有a-Si層面15〇之第三部分· 86750 -20- 1284986 (2)移除光阻之第二部分； (r)私fe位於通道區域c上的導電層17〇、非固有心义層面 160之第二部分；及 (4)和除光阻之第一部分4 2。 另一示範程序如下： (1) 移除導電層1 7 0之第三部分； (2) 心除光阻之第二部分44 ; 私丨于'非固有a-Sl層面16〇及固有a-Si層面150之第三部 分； (4) 移除導電層17〇之第二部分； (5) 移除光阻之第一部分42 ;及 (6) 移除非固有a_Si層面16〇之第二部分。 仏官移除光阻40之第二部分44會導致減小光阻40之第一 邛：42的厚度’但由於第二部分44之厚度小於第一部分42 ^ Ώ此不會移除第一部分42，而得以保護底層不被 移除或餘刻。 藉由選擇適宜之蝕刻條件，同時移除光阻4〇之第二部 S 4 4與位於光丨证士常一二 、、 、、 (弟二部分下方之摻雜a-Si層面160及 3· - S 1 層面 1 5 Q 士 _ 心’刀。同樣地，同時移除光阻40之第一部分 4一及私除位於光阻40之第二部分44下方的摻雜a-Si層面1 60 〜口刀。列如，當使用SF6與HC1之氣體混合物或3匕與〇2 之氣把奶合物時，光阻4〇與a-Si層面15〇(或摻雜a-Si層面） 1 60之蝕刻厚度幾乎相等。 右存在’則藉由灰化將導電層1 7〇上留下的光阻殘餘物移 86750 -21 - 1284986 除。 在第一實例之步騾（3)及第二實例之步驟（4)中，用於蝕刻 摻雜a-Si層面160之蝕刻氣體的實例為CF4與hci之氣體混 口物與CF4與〇2之氣體混合物。運用〇]^與〇2之氣體混合物 可使半導體層1 50蝕刻部分厚度一致。 +看圖28-29B，將鈍化層180連同閘極絕緣層14〇一起沈 和亚光蝕刻，用以形成複數個接觸孔1 8 Μ 85，而得以曝露 汲虹175、閘極線12ι之末端部分125、資料線179之末端部 刀〗79、儲存電極線ι31及儲存電極〇 取終，如圖21-22B所示，藉由濺鍍及光蝕刻一 IZ〇層面或 一 IT〇層面，在鈍化層180上形成複數個像素電極19〇、複數 個接觸助件95及97以及複數個橋接器91。 3貝她例藉由使用一單一微影蝕刻步驟形成資料線丨7 1 、'及極175、橋下金屬件176及歐姆接觸161、165及160，及 半寸to彳丨巾紋及半導體島1 5 1及丨5 6，簡化了製程步驟。 儘管參照該等較佳實施例對本發明進行詳細描述，但熟 悉此項技術者將理解，可對其進行各種修改及替代，而不 同/冰附加申凊專利範圍中提出的本發明之精神及範圍。 【圖式簡單說明】 藉由參照附圖對本發明較佳實施例之詳細描述，本發明 t上逑及其他優勢將變得更為清晰，其中： 圖1為根據本發明一實施例之用於LCD之示範TFT陣列面 板之佈局圖； 圖2及圖3為圖！所示之TFT陣列面板沿線Π_ΙΓ及UI^[，戴 86750 -22 - 1284986 取之剖面圖； 圖4為圖1所示之儲存電極線13 1及儲存電極133a-l 33e之 佈局圖； 圖5-1 2為根據本發明多項實施例之TFT陣列面板之儲存 電極線及儲存電極之佈局圖； 圖13、15、17及19為根據本發明一實施例之圖1-3所示之 TFT陣列面板在其製造方法之中間步驟的佈局圖，其順序地 展示了該製造方法； 圖 14A及 14B、圖 16A及 16B、圖 18A及 18B、圖 20A及 20B 分別為圖13、15、17及19所示之TFT陣列面板沿線 XIVA-XIVA，及XIVB-XIVB，、線XVIA_XVIA，及XVIB-XVIB， 、線 XVIIIA-XVIIIA，及 XVIIIB-XVIIIB1、線 XXA-XXA1 及 XXB-XXB’截取之剖面圖； 圖21為根據本發明另一實施例之用於LCD之示範TFT陣 列面板之佈局圖； 圖22A及22B為圖21所示之TFT陣列面板沿線 乂乂11八_乂乂11八’及乂乂118-父乂11丑'截取之剖面圖； 圖23、26及28為根據本發明一實施例之圖2卜22B所示之 TFT陣列面板在其製造方法之中間步驟的佈局圖，其順序地 展示了該製造方法；及 圖24A及24B、圖27A及27B、圖29A及29B分別為圖23、 26及28所示之TFT陣列面板沿線XX1VA-XXIVA，及 XXIVB-XXIVB’、線 XXVIIA-XXVIIA1 及 ΧΧνίΙΒ-ΧΧνίΙΒ， 及線ΧΧΙΧΑ-ΧΧΙΧΑ’及ΧΧΙΧΒ-ΧΧΙΧΒ’截取之剖面圖。 86750 -23 - 1284986 【圖式代表符號說明】 91 :橋接器 95, 97 :接觸助件 1 1 0 :基板 1 2 1 :閘極線 123 :閘極 1 2 5 :閘極線末端部分 1 3 1 :儲存電極線 1 3 3 a-1 3 3 e :儲存電極 1 4 0 :閘極絕緣層 151，1 54, 1 56 :半導體 161，1 63, 165, 166 :歐姆接觸 171 :資料線 1 7 3 :源極 1 7 6 :橋下金屬件 1 7 9 :資料線末端部分 1 80 ·•純化層 181-185 :接觸孔 190 :像素電極 191-193 :斷流器 -24 - 86750

Claims (1)

1284986 拾、申請專利範圍： 1. 一種薄膜電晶體陣列面板，其包含： 一絕緣基板； 一形成於該基板之上的閘極線； 形成於該基板之上的複數個儲存導體，每一儲存導體 都包含複數個分支； 一形成於該閘極線及該儲存導體之上的閘極絕緣層； 一形成於該閘極絕緣層之上的半導體層； 一形成於該半導體層之上的資料導體； 一形成於該資料導體之上的鈍化層；及 一形成於該純化層之上的像素電極， 其中，每一儲存導體之該等分支中至多一分支具有一 隔離端。 2. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 等儲存導體中兩個相鄰之儲存導體具有芏少兩處連接。 3 .如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，還包括 一橋接器，該等橋接器係用於跨越該閘極線而得以連接 該等儲存導體中兩個相鄰之儲存導體。 4. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中每 一儲存導體都包含兩個縱向分支及兩個斜向分支，且每 一儲存導體之該等分支形成一封閉迴路。 5. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中每 一儲存導體都包含兩個縱向分支及三個斜向分支，且每 一儲存導體之該等分支形成兩個封閉迴路。 1284986 6. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中每 一儲存導體都包含兩個縱向分支及四個斜向分支，且每 一儲存導體之該等分支形成三個封閉迴路。 7. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 像素電極具有複數個斷流器，且該等斷流器中至少一斷 流器重疊於該等儲存導體。 8. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中除 該半導體層之一通道部分之外，該資料導體與該半導體 層具有大體相同之平面形狀。 86750
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