TW575964B - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

575964 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圓式簡單說明） t發明戶斤屬之技術領域1 發明領域 本發明係有關一種液晶顯示裝置及其製法，特別係有 關一種液晶顯示裝置其中已經内建帶有CMOS場效電晶體 之周邊電路或信號處理電路及其製法。 C iltr 發明背景 於主動矩陣式液晶顯示裝置其中内建周邊電路或信號 1〇處理電路中，薄膜電晶體（TFT)不僅用於顯示區，同時也 用於周邊電路或信號處理電路，作為類比開關及反相器之 CMOS電晶體。 低溫複晶矽技術採用於周邊電路或信號處理電路、以 及顯示區之薄膜電晶體。 低/皿、、Ό日日技術為南效能/低成本驅動器電路製造上 所不可或缺。 目前付諸實際制之典型結晶技術為使科分子雷射 之低溫結晶法。品質良好之⑪晶薄膜可使料分子雷射形 成於低溶點玻璃上。 20 例如使用準分子雷射之基本結晶方法將說明如後。 首先非晶石夕（a-Si)起始薄膜藉薄膜成形丨法如pEcvD( 電焚增強CVD)等形成於玻璃基板上。然後為了改良起始 薄膜之雷射抗性，a_Si起始薄膜之氫經由於彻至彳贼之 退火處理去除。然後經由照射準分子雷射光束於a-Si起始

6 575964 玖、發明說明 薄膜因而結晶，形成複晶矽薄膜。接著經由於氫、水蒸氣 等之氣氛下處理複晶石夕薄膜而改良結晶性。 經由使用此種複晶矽薄膜，切換TFT陣列形成於像素 顯示部分，半導體積體電路也形成於同一片基板之周邊電 5路部分。通常其令内建周邊電路之液晶顯示裝置係由像素 顯示部分TFT陣列閘驅動器電路及資料驅動器電路組成。 通常具有操作頻率於數百冑赫、兹_2)至數十百萬赫兹， 場效移動性50至300平方厘米/伏特秒（cm2/Vs)以及適當臨 限值電壓V t h之高效能τ F τ用於資料驅動器電路。 1〇 相反地，於閘驅動器電路及像素顯示部分，對TFT的 移動性要求不像如此苛刻。例如可採用大於20 cm2/Vs之移 動性。 同時液晶顯示裝置技術新趨勢係趨向於達成超高解像 度顯示面板及高效能内建式大尺寸半導體電路。 首先’超高解像度顯示面板將說明如後。 p边著夕媒體技術及行動技術的進展以及網際網路的普 及不斷要求讀取/處理大量資訊。因此理由故，對於超 门解像度顯示功能用於液晶顯示裝置作為人機介面的規格 要求不斷升高。例如具有大於200 dpi之大尺寸高解像度顯 20 示梦晉式 鉴 、 、$ 1 丁動裝置用之小尺寸超高解像度液晶顯示裝置為 網際網路首頁 — ^ K <·夕重螢幕顯不、多功處理' CAD設計等應 用領域所需。 乂人心辦說鬲效能液晶面板円建型大尺寸半導體電路 如後。 7 575964 玖、發明說明 於低溫複晶石夕整合式面板，技術趨勢傾向於經由提供 向效能大尺寸半導體積體電路於周邊電路部分，而達成智 慧型面板或平板電腦。例如可内建數位驅動器資料處理電 路記憶體陣列、介面電路及cpu於液晶顯示面板之資料端。 通节薄膜電晶體用作為此種周邊電路部分之主動元件 士曰本專利申叫公開案2〇〇〇_36599，於周邊電路部分及 像素4为之薄膜電晶體各自藉相同步驟形成，形成於此等 薄膜電晶體上之佈線也係藉相同步驟製成。 例如如第1圖所示，顯示部分A之薄膜電晶體1〇1及周 W邊電路部分B之薄膜電晶n1〇2係同時形成於一片基板1〇3 上，然後薄膜電晶體1 〇 1、102以第一層間絕緣膜丨〇4覆蓋 。此處組成薄膜電晶體101、1〇2之複晶矽膜1〇〇係經由圖 案化刖述低溫複晶矽膜製成。閘絕緣膜丨1〇形成於複晶矽 膜100與閘極lOig、I02g間。此種情況下，閘極1〇lg、 15 1 係與第一層佈線（圖中未顯示）同時形成。 此外，第二層佈線105、第二層間絕緣膜1〇6、第三層 佈線107、及第三層間絕緣膜1〇8循序形成於第一層間絕緣 膜104上。第二層佈線1〇5係透過形成於第一層間絕緣膜 1〇4之孔洞而分別連結至顯示部分a以及周邊電路部分b之 20溥膜電晶體101、102。第三層佈線107係透過成形於第二 層間絕緣膜106之孔洞連結至周邊電路部分b之薄膜電晶體 102。組成第二層佈線105之金屬用於顯示部分a作為黑矩 陣BM。此外，像素電極109係形成於顯示部分a之第三層 間絕緣膜108上，像素電極1〇9係透過第二層佈線1〇5而連 8 575964 玖、發明說明 、结至薄膜電晶體1 0 1之源區。 附帶一提地，隨著高解像度顯示器的進展，於液晶顯 示面板’像素間距縮小，周邊電路密度大增。因此必須製 造其中内建數位驅動器其具有200 dpi或以上之超高解像度 5 顯示面板。 例如以8.4型UXGA面板為例，像素數目為1600(水平 方向）X 3 X 1200(垂直方向），顯示器解像度為238 dpi，以 及子像素間距為35.5微米。至於另一例，15型UXGA面板 為例，像素數目為2048(水平方向）χ 3 X 1536(垂直方向）， 10顯示器解像度為171 dPi，以及子像素間距為49.5微米。 為了驅動此種垂直一線之像素行，由數百至數萬個 TFTs組成的周邊電路必須安裝於如此狹窄的像素間距區。 此外’為了製造高效能低溫複晶矽智慧型面板、平板電腦 等，如數位驅動器、資料處理電路、記憶體陣列、介面電 15路、CPU等大型電路必須内建於周邊電路區。 但第1圖顯示的多層佈線結構，即使可達成周邊電路 之較高積體以及較狹窄佈線間距，但因垂直方向之佈線間 距設定為比橫向之佈線間距窄，故垂直佈線間之寄生電容 干擾周邊電路區之高速操作。 20 【發明内容】 發明概要 本發明之一目的係提供一種可降低佈線間電容之液晶 顯示裝置、及其製法。 根據本發明之液晶顯示裝置，組成形成於顯示部分之 9 玖、發明說明 遽色器之彩色樹脂膜也留在周邊電路部分。 藉周邊電路部分之彩色樹脂，可降低上導電圖案 與下導電圖案間之寄生電容。 /、 此外，因彩色樹脂膜不僅留在顯示部分，同時也留在 周邊電路部分，因而可妒，人 了鈿小介於周邊電路部分之第一基板 之差異。 與第二基板間隙與顯示部分之第一基板與第二基板間隙間 若彩色樹脂膜由周邊電路部分移開，則周邊電路部分 間隙變成大於顯示部分間隙’如此於周邊 10光而被浪費之液晶量增加。但本發明，由於可讓介_邊 電路部分之間隙與顯示部分之間隙間之差異變小，故峻由 減少液晶供應周邊電路部分數量，而可減低液晶的浪費。 卜周邊電路。p分之衫色樹脂膜可經由將該膜就此 留下作為採用作為遽色器之彩色樹脂膜形成。因此無需額 15外新步驟，而可避免產出量的降低。

圖式簡單說明 第1圖為剖面圖顯示先前技藝之液晶顯示裝置之TFT基板； 第2A至2W圖為剖面圖顯示根據本發明之第一具體實 施例，液晶顯示裝置之TFT基板之製造步驟； 第3 A至3E圖為剖面圖顯示根據本發明之第二具體實 施例，液晶顯示裝置之TFT基板之製造步驟； 第4圖為剖面圖顯示根據本發明之第三具體實施例， 液晶顯示裝置之TFT基板； 第5A及5B圖為製程圖顯示採用於本發明之第四具體 10 575964 玖、發明說明 貫施例之第一光罩選擇性濺鍍方法； 第6A及6B圖為製程圖顯示採用於本發明之第四具體 實施例之第二光罩選擇性濺鍍方法； 第7A至7H圖為剖面圖暴員示根據本發明之第四具體實 5施例，液晶顯示裝置之TFT基板之製造步驟； 第8圖為平面圖顯示本發明之第四具體實施例採用之 第三層金屬層形成區； 第9圖為平面圖顯示根據本發明之第五具體實施例， 顯示裝置之高頻信號傳輸電路； ίο 帛1G圖為剖面圖顯示根據本發明之第五具體實施例， 顯示裝置之高頻信號傳輸電路； 第11A圖為平面圖顯不根據本發明之第五具體實施例 二顯：裝置之高頻信號傳輸電路，以及第11B圖為顯示該 高頻信號傳輸電路之剖面圖； 15 f 12圖為平面圖顯示根據本發明之第六具體實施例， -種液晶顯示裝置之TFT基板與相對基板之連結結構； 第13圖為部分剖面圖顯示根據本發明之第六具體實施 例之液晶顯示裝置； 第14圖為平面圖顯示根據本發明之第六具體實施例， 20於該液晶顯示裝置之兩相對電極以及啊端傳輸襯塾之形 狀範例； 第15圖為電路方塊圖顯示根據本發明之第七具體實施 例，-種液晶顯示裝置之顯示部分及周邊電路部分；以及 第16圖為部分剖面圖顯示根據本發明之第七具體實施 11 575964 玖、發明說明 例之液晶顯示裝置。 L實施方式3 較佳實施例之詳細說明 將參照附圖解說本發明之具體實施例如後。 5 (第一具體實施例） 第2 A至2 W圖為剖面圖顯示根據本發明之第一具體實 施例，一種液晶顯示裝置之薄膜電晶體(TFT)之形成步驟。 首先如第2A圖所示，氧化矽（Si〇2)膜形成於玻璃、石 英、樹脂膜等製成的絕緣基板1上，至厚150至300奈米且 10較佳200奈米而成形為底絕緣膜2。底絕緣膜2可成形為雙 層結構’其中循序成形厚50奈米之氮化石夕膜及厚2〇〇奈米 之氧化矽膜。此種情況下例如採用康寧公司製造的#丨737 玻璃基板作為絕緣基板1。 然後非晶矽膜3形成於底絕緣膜2上至20至1〇〇奈米且 15 較佳40至50奈米厚度。此種膜例如係藉PECVD(電漿增強 CVD)方法而由底絕緣膜2連續成形。此外，絕緣基板1置 於氮氣氣氛下，然後非晶矽膜3於450°C溫度退火1小時， 因而由非晶矽膜3去除氫。 然後如第2B圖所示，藉照射準分子雷射至非晶矽膜3 20 全部表面上而轉成複晶矽膜3a，該準分子雷射具有波長 308奈米及能量密度300至400毫焦耳/平方厘米且較佳為 320至350毫焦耳/平方厘米。 此種情況下，若非晶矽膜3並非氫化非晶矽（a_Si:H)， 反應為低氫密度非晶矽（a-Si)，則不需要由矽膜去除氫之退 12 575964 玖、發明說明 火步驟。例如低氫密度非晶矽為氫含量低於1%之非晶矽。 然後如第2C圖所示，經由使用光阻（圖中未顯示）及反 應性離子蝕刻，圖案化複晶矽膜3a，而於像素部分八、周 邊電路邛刀B及其它電路部分（圖中未顯示）之複數個電晶 5體形成區分別成形島狀複晶矽圖案3b、3c、3d。 然後如第2D圖所示，藉PECVD方法，厚4〇至15〇奈米 之氧化矽膜形成於底絕緣膜2及島狀複晶矽圖案儿、3c、 3d上作為閘絕緣膜4。至於生長氧化矽膜之材料氣體，採 用8出4及ΚΟ。此種情況下，氧化矽膜厚度於供應液晶顯 示裝置之電源供應電壓為16至18伏特時設定為1〇〇至！5〇奈 米 ^供應液晶顯示裝置之電源供應電壓為8至1 〇伏特時 口又疋為40至80奈米，以及當供應液晶顯示裝置之電源供應 電壓為3.3至5伏特時設定為20至60奈米。 此例中，雙層結構可用作為閘絕緣膜4，該雙層結構 15中例如採用藉PECVD方法連續成形之厚100至15〇奈米且較 佳120奈米之氧化矽（Si〇2)膜、以及厚3〇至1〇〇奈米且較佳 40至50奈米之氮化矽（SiNx)膜。 然後如第2E圖所示，鋁合金（金屬）wAKNd4Ai_Sc藉 濺鍍法形成於閘絕緣膜4上至300至500奈米且較佳35〇奈米 20厚度。此種鋁合金為第一層金屬層（第一金屬層）5。然後具 有閘極形狀之光阻圖案？]形成於第一金屬層5上。光阻圖 案p 1閘部寬度設定為L。 然後藉微影術方法同時使用光阻圖案作為光罩，將 第一層金屬層5圖案化。如此如第2F圖所示，通過島狀複 13 575964 玖、發明說明 曰曰矽圖案3b、3c、3d及其它第一層佈線圖案而形成閘極％ 、5c、5d 〇 然後為了獲得後述低雜質濃度區（LDD區），藉對閘極 5b 5c、5d施用濕餘刻（等向性敍刻）讓閘極5b、5c、5d變 5成比光阻圖案Pl更窄。如此閘極5b、5c、5d寬度設定為 MLfL) 〇 如此可於閘極5b、5c、5d兩端獲得具有寬度△ jl之 LDD區。通常為了確保TFT的可靠度，LDD區寬度係控制 於0.5至1.5微米之範圍。如第2F圖所示，本具體實施例中 10 ’ LDD區寬度△ L藉由調整側部蝕刻時間而控制為小於〇 8 微米。當然若調整側部蝕刻時間，可將寬度於〇5至15 微米範圍任意調整。 此種情況下，於第一金屬層5藉異向性蝕刻如Rm方法 專而餘刻後’ LDD區可藉濕餘刻製成。 15 然後如第2G圖所示，閘絕緣膜4係藉RIE方法且使用 光阻圖案為光罩而餘刻。此種情況下，為了設定組成 閘絕緣膜4之氧化矽對複晶矽圖案扑、3c、％之選擇性蝕 刻比為si〇2/si=io/i比值，採用CHF3等含碳氣體作為蝕刻 氣體。如此，因閘絕緣膜4於垂直方向蝕刻為幾乎與光阻 2〇圖案Pi之相同形狀’故閘極5b、5c、5d兩端之寬度之 步進區以自我對準方式出現於閘絕緣膜4圖案。步進部分 兩度係與組成閘絕緣膜4之氧化石夕膜厚度相等。 然後如第2H圖所示，留在閘極5b、5c、5d之光阻圖案 P 1被剝離。 14 玖、發明說明 然後磷離子攙雜入閘極5b 圖案 3b、3c、3d。 、5c、5d兩端之島狀複晶矽 雜吳之攙雜係經由使用具有離子來源之電浆援雜設備 於射頻放電系統或直流放電系統而於絕緣基板〗之全部表 面範圍内執行。此種攙雜為藉二步驟式方法執行鱗離子 (p+)進行離子植人於複晶残案m至於供應碟 之氣體係採用稀釋為1至5%之膦（PH3)。 10

η型低雜質濃度區（LDD區或n-區）係於第一步驟藉高離 子加速電壓形力’而η型高雜質濃度區⑽D區或n+區)係於 第二步驟藉低離子加速電壓形成。此種情況下，藉高離子 加速電壓植入之雜質，通過閘絕緣膜4且形成低雜質濃度 LDD區於下方複晶⑦圖㈣、3e、3d。此外，藉低離子加 速電壓植入之雜質罕見通過閘絕緣膜4，且於由閘絕緣膜4 該端暴露區，形成高雜質濃度HDD區。 15 典型第一步驟攙雜條件下，離子加速電壓設定為70

keV，磷劑量設定為5 X 1〇】2至5 χ 1〇H離子/平方厘米。第 二攙雜步驟之典型條件下，離子加速電壓設定為1〇 keV， 磷劑$设定為5 X 1〇14至1 X 1〇i5離子/平方厘米。此種情 況下，LDD區之加速電壓須根據閘絕緣膜4厚度做調整。 20例如若閘絕緣膜4為40至60奈米，則LDD區之攙雜加速電 壓調整為30至40 keV。二步驟式攙雜法之最大優點為^[]〇〇 區及LDD區可以自我對準方式藉單一攙雜步驟製成而無需 解除真空。 現在逆轉LDD區及HDD區之形成順序。 15 575964 玖、發明說明 前述攙雜應用於島狀複晶矽圖案3b、3c(其組成周邊 電路部分B之p型TFT 6形成區以及_TFT7形成區），以及 島狀複晶石夕圖案3d(其組成像素部分a之n3mT 8形成區） 。因此反相攙雜也應用於將p3^TFT 6之源/沒區心、Μ之 型反相成P型，前述攙雜後也將n•型反相成〆型。 10 15 20 心:後如第21圖所示，於11型邝丁 7、8以光阻h覆蓋之 條件下’經由使用具有射頻或直流放電系統離子源之電榮 攙雜设備，應用二步驟式硼攙雜於p型TF丁 6。 雜之第-步驟及第二步驟之ΒΊ|雜傾向於分別於源區心及 汲區6d形成低電阻HDD區（#),以及於接近問㈣之源」 汲區6s、6d部分形成相對高電阻之㈣區（p.區）。於反相 攙雜而形成HDD區之第-步驟攙雜之典型條件下，離子加 速電壓設定為10 keV，硼劑量設定為5 χ 1〇14至5 χ ι〇15離 子/平方厘米。於形成LDD區之反相攙雜之第二步驟攙雜 之典型條件下，離子加速電壓設定為6G W，㈣量設定 為5 X 1012至1 X 10h離子/平方厘米。 現在可逆轉LDD區及HDD區之形成順序。 然後剝離反相攙雜使用之光阻&。 、然後如第2J圖所示，攙雜劑之激活係藉準分子雷射方 法（具有波長308奈米1能量密度25〇至3〇〇毫焦耳/平方厘米 燈加熱法（❹齒素燈等）進行，故源區6s、7s、&及汲 品 7d、8d之片電阻設定為低於5千歐姆（kQ)且較佳低 ^千酝姆，以&LDD區之片電阻設定為1 至5 X ^姆/平方⑴/口）且較佳5 χ 1〇4至1 χ□。此時為了

16 575964 玖、發明說明 改良激活效率，可於雷射激活步驟前或後增加於3〇〇至6〇〇 °c執行的熱激活步驟。 藉由前述完成p型TFT及n型TFT之製造。此處於本具 體實施例中，η型TFT 8係形成於顯示區A，11型丁？丁 6及1)型 5 TFT7係形成於周邊電路區B。但其形成方式非僅隱於此。 然後至形成第2K圖所示結構需要的步驟解說如後。 首先，使用PECVD方法於閘絕緣膜4及閘極5b、5c、 5d上形成厚60奈米之氧化矽（Si〇2)膜。然後氮化矽（siNx) 膜形成於此氧化矽膜上至300至6〇〇奈米且較佳4〇〇奈米厚 10度。氧化矽膜及氮化矽膜組成之雙層絕緣膜用作為第一層 間絕緣膜9。如此TFT 6、7、8成為被第一層間絕緣膜9覆 蓋狀態。此種情況下，氮化矽膜與氧化矽膜之一可成形為 第一層間絕緣膜9。 然後氧化矽（Si〇2)膜藉RIE方法及微影術法使用光阻圖 15案而圖案化。如此，接觸孔9a-9f分別形成於成形於周邊電 路區B之n型TFT 7以及卩型邝丁 6之源區6s、7s、汲區6d、 7d、以及閘極5b、5c上；同時，接觸孔9g、9h分別形成於 顯不區A之n型TFT 8之源區8s及汲區8d上。此時，顯示區A 之閘極5d連結至閘匯流排線作為第一層佈線（圖中未顯示）。 20 本圖案化步驟中，CF4、SF6、02等混合氣體用作為組 成第一層間絕緣膜9之氮化矽膜之蝕刻氣體，而CHF3用作 為氧化矽膜之蝕刻氣體。 光阻圖案（圖中未顯示）被去除，然後接觸孔9a-9h之天 然氧化物膜藉1%稀氫氟酸去除。 17 玖、發明說明 然後如第2L圖所示，多層金屬膜藉濺鑛法形成於全部 觸孔9a至9h内、且形成於第一層間絕緣膜9上。至於多 層金屬膜，循序連續形成三層結構而無需解除真空，該三 層結構包含例如厚50奈米之鈦膜、厚200奈米之铭膜及厚 5⑽奈米之鈦膜。此種多層金屬膜為第二層金屬層（第二金 屬層）。 然後，透過接觸孔9a至9h，由源區6s、7s、8s、汲區 6d 7d、8(1及Μ極51)、5c延伸之佈線圖案心至1〇h係經由 藉微影術法圖案化多層金屬膜製成。Rm方法用於微影術 1〇法蝕刻，氣蝕刻氣體用作為鈦/鋁/鈦多層金屬膜（第二層金 屬層）之蝕刻氣體。佈線圖案1〇g電連結至TFT 8之汲區 及匯流排線（圖中未顯示）、以及佈線圖案1〇h其連結至向上 延伸的TFT 8之源區8s，佈線圖案i〇g及1〇h形成於顯示部 分A之第一層間絕緣膜9上。 15 形成於第一層間絕緣膜9上之佈線圖案i〇a至i〇h為第 二層佈線圖案。 其次說明直至形成第2M圖所示結構需要的步驟如後。 首先，供覆蓋第二層佈線圖案l〇a至l〇h用之氮化矽 (SiNx)膜藉PECVD方法成形於第一層間絕緣膜9上至50至 20 200奈米且較佳100奈米厚度。氮化矽膜η為無機絕緣膜， 且為第二層間絕緣膜範例。此種情況下，若TFT 6、7、8 之長期可靠度無虞，則可刪除氮化矽膜11的製造。 然後，感光彩色（著色）樹脂膜12塗覆於氮化矽膜11上 ，然後濾色器12f藉此種樹脂膜之曝光/顯影製成。 18 575964 玖、發明說明 濾色器12f有紅著色區、綠著色區及藍著色區。換言 之濾色器12f係經由循序塗覆/曝光/顯影複數含紅（R)、綠 (G)或藍（B)顏料之感光彩色樹脂膜而成形於顯示部分a之 像素部分。此種情況下，於顯示部分A之各色濾色器12f係 5由苐一層彩色樹脂膜12組成。此外，第一層彩色樹脂膜12 留在周邊電路部分B。著色為紅之濾色器12r、著色為綠之 濾色器12g及著色為藍之濾色器i2b彼此毗鄰排列、或於一 方向循序排列。 此例中，因接觸部分存在於顯示部分A及周邊電路部 1〇分B之預定第二層佈線圖案10a、10f、1〇11上，經由從接觸 部分去除彩色樹脂膜12及其周邊區，事先於彩色樹脂膜12 形成腔穴接觸區12a。 彩色树脂膜12厚度可回應於顏料密度而調整於〇5至4 微米之範圍。較佳隨著密度的變高’須形成較薄厚度。本 15具體實施例中’彩色樹賴12厚度設定紅3微米。 此外，因對TFT元件有害的金屬雜質含量隨彩色樹脂 膜12之顏料類別而異，故較佳含較小量金屬雜f之彩㈣ 脂膜須留在周邊電路部分B。例如，紅顏料、綠顏料及藍 顏料中，以紅顏料含金屬雜質量最小，而藍顏料含金屬雜 2〇 質量最大。 此外’紅、綠及藍色樹脂膜中，紅色樹脂膜對氮化石夕 膜11及無機絕緣膜有良好黏著性。如此紅色樹脂膜較佳係 作為留在周邊電路部分B之彩色樹脂膜12。 然後如第2N圖所示，感光聚醯亞胺、丙烯酸系等製成 19 575964 玖、發明說明 之感光平面化樹脂膜13形成於彩色樹脂膜12、濾色器Uf 及氮化矽膜11上。此種平面化樹脂膜13為透射樹脂膜，且 較佳成形為3至4微米厚度。本具體實施例中，厚3. 〇微米 之正型感光丙烯酸系樹脂膜形成作為平面化樹脂膜13。 5 然後如第20圖所示，經由感光平面化樹脂膜13之曝光 /顯影而形成孔13a、13b、13c於平面化樹脂膜π。例如孔 13c係形成於第二層佈線圖案1〇h之電連結顯示部分a之 TFT 8源區8s之接觸部分上；而孔i3a、13b係形成於第二 層佈線圖案1 〇a、1 〇f之接觸部分上，該接觸部分係電連結 10周邊電路部分B之TFT 6、7之源區7s、汲區6〇1等。此等孔 13a、13b、13c形成為貫穿成形於彩色樹脂膜12之孔12a。 然後’下方氮化矽膜11透過平面化樹脂膜13之孔蝕刻 。本例中，用作為氮化矽膜11蝕刻氣體之CF4、SF6與〇2之 比例經控制，俾調整氮化矽膜U對平面化樹脂膜13之蝕刻 15 速率。 此處，當氮化矽膜11係經由使用平面化樹脂膜13作為 光罩而蝕刻時，因顯示部分A及周邊電路部分B之彩色樹 脂膜已經由欲形成孔13a、13b之該區去除，故無需蝕刻彩 色樹脂膜來形成孔13a、13b於氮化矽膜11。 20 然後如第2P圖所示，厚70奈米之ITO膜（透明導電膜 )14、厚50奈米之鈦膜、及厚2〇〇奈米之鋁膜藉濺鍍法連續 形成於平面化樹脂膜13上及孔13a至13c内。鈦膜及鋁膜組 成三層金屬膜15。鈦膜形成為中間金屬封阻膜，俾防止因 ITO膜14與鋁膜的直接接觸造成的電解腐蝕。此種情況下 20 575964 玖、發明說明 ，可形成鉬膜作為中間金屬封阻膜。 然後厚3奈米之正型光阻16塗覆於第三層金屬膜15上 。接著如第2Q圖所示，光阻16藉正常曝光量曝光於含顯示 部分A及周邊電路部分b之區域。具有佈線形狀之光屏蔽 5圖案17a以及像素形狀之光屏蔽圖案17b之第一標線片（曝 光罩）17用於初次曝光。 根據此種初次曝光，光照射區l6a係藉透射通過第一 標線片17之光而形成於光阻16。此種初次曝光為全曝光。 然後未經顯影光阻16，處理前進至光阻16之第二次曝 10 光步驟。 如第2R圖所示，第二標線片（曝光罩）18用於第二次曝 光’該第二標線片18具有透射部分其透射曝光至少至顯示 部分A之像素區；以及具有光屏蔽部分其屏蔽周邊電路部 分B之全部表面不曝光。此外，第二次曝光之曝光量設定 15為初次曝光之曝光量之1 /3至2/3。如此光阻16之像素區接 文半曝光，該光阻16像素區於初次曝光時未照光。期望施 用半曝光，讓初厚度設定為3.0微米，使用光阻16接受第 二次曝光之顯示部分A之光阻16剩餘厚度變成ι·5微米。 光阻16之多重曝光例如係使用步進器曝光機器進行。 結果’像素區之光阻16變成半曝光部分，未照光於其 它佈線圖案部分。此外，曝光已經藉正常量照射於光阻16 上之未留下第三層金屬膜15及ΙΤΟ膜14之該部分。 然後將光阻16顯影。如此如第2S圖所示，留在周邊電 路部分Β之光阻16具有與施加初次曝光所得厚度之相等厚 21 575964 玖、發明說明 度，而留在顯示部分A像素區之光阻16因半曝光而其厚度 減至厚度I；2 ’厚度k比初期狀態之厚度更薄，例如為周邊 電路部分B之光阻16厚度之約1/3至2/3。 然後’使用氣氣、同時使用光阻16之步進圖案作為光 5罩，藉RIE方法蝕刻第三層金屬膜15 ;然後藉草酸濕蝕刻 透明導電膜14。結果如第2T圖所示，金屬膜15及1丁〇膜14 製成之第三層佈線圖案19a、19b成形於周邊電路部分B， 而ITO膜14製成之像素電極19c成形於顯示部分a。 然後如第2U圖所示，應用氧灰化至光阻16。此種氧灰 10化條件係設定為，像素電極19c上之光阻16被去除，而光 阻16仍然留在周邊電路部分b。 至於調整此種光阻16之厚度之方法，藉由偵測灰化期 間產生之電漿之碳（C)，然後監視信號強度而事先決定蝕 刻終點。此處須小心勿造成過度灰化。此種情況下，假設 15第三層金屬膜15經蝕刻後，留下像素電極19c之光阻16厚 度設定為t，則周邊電路部分3之光阻16厚度減少約。 此處，α為因過度灰化而減少的厚度。 此種狀怨下，周邊電路部分3之第三層佈線圖案19a、 19b被光阻16覆蓋，而留在顯示部分A之第三層金屬膜城 20 露出。 然後如第2V圖所示，像素電極19c上未被光阻16覆蓋 之第三層金屬膜15藉姓刻去除。此時，為了留下組成像素 電極19c之ITO膜14 ’、經由使用對IT〇具有高選擇性姓刻比 的蝕刻劑，進行乾蝕刻或濕蝕刻。於周邊電路部分Β,組 22 575964 玖、發明說明 成第三層佈線圖案19a、19b之金屬膜15被光阻16覆蓋，因 此此種金屬膜15未被蝕刻。 然後如第2W圖所示，光阻16被去除。此種情況下， 平面化樹脂膜13可能減薄。因此當光阻16被灰化時為了留 5下平面化樹脂膜13，或為了勿損傷濾色器12f，須調整平 面化樹脂膜13厚度。但氮化矽、氧化矽等製成之無機薄膜 可形成於平面化樹脂膜13與ITO膜14間。此處，平面化樹 脂膜13不會因灰化而減薄。 然後清潔絕緣基板1上方像素電極19c、第三層佈線圖 10案19a、19b等。接著如第2W圖所示，像素製成之對準膜2〇 印刷於顯示部分A及周邊電路部分3上。特別對準膜2〇成形 於佈線圖案19a、19b、像素電極19c及平面化樹脂膜13上。 如此結束製造組成液晶顯示裝置之TFT基板之步驟。 如前述’根據本具體實施例中，因濾色器12f係形成 15於形成有TFTs 6、7、8之絕緣基板丨上，故可防止像素電 極19c與濾色器12f間之異位。結果讓叮丁端之絕緣基板丨與 相對基板（圖中未顯示）之積層變容易。 此外，於周邊電路部分B ,藉由低介電常數之彩色樹 脂膜12之介入其間，可降低第二層佈線圖案1〇a至i〇e與第 20三層佈線圖案19a、19b間之寄生電容。 此外，因成形於顯示部分A之組成濾色器12f之彩色樹 脂膜12係留在周邊電路部分β，故平面化樹脂膜13被剝離 。因此可減少或可吸收周邊電路部分8與顯示部分A間之 高度差異。當採用-種結構，其中無機絕緣膜（圖中未顯 23 575964 玖、發明說明 不）係成形於平面化樹脂膜13與濾色器12f間時，此種效果 特別顯著。 本例中，滤色器12f可形成於像素電極19〇上。 (第二具體實施例）

5 第一具體貫施例中，第三層佈線圖案19a、19b與TFT 6、7間之連結插塞係由TFT基板周邊電路部分b之1丁〇膜製 成。但此種連結插塞也可由金屬膜製成。 此外，第一具體實施例中，用作為濾色器12f基底之 彩色樹脂膜12留在周邊電路部分b。但除非彩色樹脂膜12 10留在周邊電路部分B，才能於基板全部表面上，達成平面 化樹脂膜13上表面的平面化，否則彩色樹脂膜丨2可由周邊 電路部分B去除。 其次將參照第3 A至3E圖解說採用此種結構形成tft基 板之步驟。 15 然後直至形成第l〇A圖所示結構需要的步驟解說如後。 首先於第一具體實施例於第2L圖所示情況下，感光彩 色樹脂膜12形成於氛化石夕膜11上。然後感光彩色樹脂膜12 經曝光/顯影，故濾色器12f形成於顯示部分A，且彩色樹 脂膜12由周邊電路部分B去除。濾色器12f各別形成為紅、 20 綠及藍。形成方法類似第一具體實施例濾色器12f之形成 方法。 然後如第3B圖所示，平面化樹脂膜13形成於濾色器 12f及氮化矽膜11上。然後如第3C圖所示，孔13a至13c成 形於平面化樹脂膜13及氮化矽膜11。此種情況下，採用第 24 575964 玖、發明說明 一具體實施例之相同方法來形成平面化樹脂膜13及孔13a 至 13c。 然後例如厚100至300奈米之鈦膜藉濺鍍法形成於孔 13a至13c内以及平面化樹脂膜13上而成形作為第三層金屬 5 層（苐二金屬層）。此處可採用紹膜、紹合金膜或其它金屬 材料膜作為第三層金屬層。 然後如第3D圖所示，利用使用光阻圖案（圖中未顯示） 之微影術方法以及RIE方法，經由圖案化第三層金屬膜而 形成第三層佈線圖案15a至15c。 10 如此於周邊電路部分B，複數個TFT 6、7藉第二層佈 線圖案10a至1 Oh以及第三層佈線圖案15a、15b電連結。此 外，於顯示部分A，TFT 8之源區8s透過第二層佈線圖案 1 Oh及第三層佈線圖案i5c而延伸至平面化樹脂膜η上。 然後厚50至1〇〇奈米且較佳70奈米之氧化銦材料、IT〇 15專I成之透明導電膜’藉濺鑛法形成於平面化樹脂膜13及 第三層佈線圖案15a、15b、15c上。然後如第3Ε圖所示， 像素電極21係連結至第三層佈線圖案15c(該圖案係由顯示 部分A之TFT 8之源區8s延伸出），像素電極21係藉普通微 影術方法、採用濕姓刻，經由圖案化透明導電膜製成。 20 此外，絕緣基板1之薄膜於200至3001溫度，於氫氣 混合氣體氣氣或氮氣氣氛下退火。此種退火處理可有效用 於改良TFT 6、7、8特性、以及穩定平面化樹脂膜13特性。 然後類似第一具體實施例，覆蓋像素電極2丨及第三層 佈線圖案15a、I 5b之對準膜20形成於平面化樹脂膜13上。 25 575964 玖、發明說明 此種情況下，於周邊電路部分B(第三層佈線圖案15a 、15b由鋁或鋁合金製成之情況除外），透明導電膜留下而 具有順著第三層佈線圖案15a、15b之形狀，藉此覆蓋第三 層佈線圖案15a、15b上表面及側表面。 5 如前述，根據本具體實施例，因濾色器12f係形成於 TFT基板侧，故可防止像素電極19c與濾色器12f間之異位 。因此有助於於TFT側之絕緣基板1以及相對基板（圖中未 顯示）的積層。此外於周邊電路部分B，形成於第二層佈線 · 圖案l〇a至10f與第三層佈線圖案15a、15b間之平面化樹脂 10 膜13之厚度可降低寄生電容。因此周邊電路的高速操作幾 乎不會下降。 (第三具體實施例） 第一具體貫施例中’紅、綠及藍色樹月旨膜中之任一層 且較佳為紅色樹脂膜12r留在周邊電路部分b。但可留下兩 15層或三層彩色樹脂膜。但若三層彩色樹脂膜留在周邊電路 部分B時，鑑於平面化樹脂膜13厚度造成彩色樹脂膜厚度 · 變過厚，則最大極限係留下兩層彩色樹脂膜於周邊電路部 分B 〇 藉此方式，若彩色樹脂膜留在周邊電路部分B作為多 2〇層結構，例如相對於絕緣基板1作為下紅色樹脂膜12r與上 綠色樹脂膜12g組成之雙層結構，如第4圖所示，則具有多 層結構之彩色樹脂膜可作為黑色遮光膜。 如此於具有下述結構之液晶顯示裝置，其中光係由絕 . 緣基板1上端照射，則照射於TFT 6、7之光被彩色樹脂膜 26 575964 玖、發明說明 12r、12g所遮蔽。因此可克服因照光造成的缺點，例如 TFT 6、7之光電效應造成的漏電流。此外於具有下述結構 之液晶顯示裝置，其中光係由絕緣基板1底側照射，則可 藉彩色樹脂膜12r、12g阻斷光的透射。 5 (第四具體實施例） 本具體實施例中，第三層佈線圖案可藉比前述具體實 施例更少步驟製成，只要第三層金屬層係藉光罩選擇性濺 鍍法製成，該情況解說如後。根據透明導電膜及第三層金 屬層之形成順序，有多種光罩選擇性濺鍍方法。 1〇 第5A&5B圖顯示透明導電膜形成後形成第三層金屬 層之第一光罩選擇性濺鍍法。 首先如第5A圖所示，裝置結構部分32形成於絕緣基板 31上，該裝置結構部分32含有TFT、第一層及第二層金屬 層、層間絕緣膜、平面化樹脂膜等。裝置結構部分32之最

15上層係由平面化樹脂膜形成。然後作為透明導電膜之ITO 膜33係藉普通濺鍍法形成於裝置結構部分32上。 然後如第5B圖所示，當裝置結構部分32之顯示部分a 藉濺鍍金屬罩35而屏蔽不接觸濺鍍來源時，厚5〇奈米鈦膜 及厚200奈米鋁膜藉濺鍍法形成於IT〇膜33上作為第三層金 屬層34。如此有IT〇/Ti/Ai多層結構之薄膜33、“形成於裝 置〜構部分32之周邊電路部分B，而只有單層ITO膜33係 形成於顯示部分A。 第6A及6B圖顯示於形成第三層金屬層後，形成透明 導電膜之第二光罩選擇性濺鑛法。 27 575964 玖、發明說明 首先如第6A圖所示，裝置結構部分32形成於絕緣基板 31上。然後於使用濺鍍金屬光罩35遮蔽裝置結構部分32之 顯不部分A不接觸濺鍍源之情況下，透過濺鍍金屬光罩35 、藉濺鍍法，於裝置結構部分32之平面化樹脂膜上循序成 5形厚50奈米鈦膜及厚2〇〇奈米鋁膜作為第三層金屬層34。

然後如第6B圖所示，濺鍍金屬光罩35由絕緣基板31上 方位置去除，接著藉尋常濺鍍方法，形成IT〇膜於裝置結 構部分32及第三層金屬層34上作為透明導電膜％。如此具 有Ti/Al/ITO多層結構之薄膜33、34係成形於周邊電路部分 10 B，而只有單層透明導電膜33係成形於顯示部分A。 其次使用第5A及5B圖所示第一光罩選擇性濺鍍方法 ，製成像素電極與第三層佈線圖案之步驟解說如後。

首先根據第2A圖至第2K圖所示之相同步驟，tft ό、 7、8、第-層間、絕緣膜、第二層佈線圖案1Qa至隱形成於 15絕緣基板1上。因其細節係類似第一具體實施例，故於此 處刪除其細節說明。但作為第二層佈線圖案心至議用之 薄膜，循序形成雙層結構，其中循序形成厚Μ奈米鈦膜及 厚200奈米銘膜，或形成由翻、產太、銘合金等製成之單層 結構或多層結構。 20 然後如第7A圖所示 供覆蓋第二層佈線圖案10a至1 Oh

用之氮化梦膜⑽藉PECVD方法形成於第―層間絕緣膜9 t至5〇至扇奈米且較佳丨⑽奈米厚度。然後感光紅、綠及 藍=樹脂膜12循序塗覆於氮切膜11±，接著曝光與顯影 ，藉此形成三色it色器12f於顯示部分A 28 575964 玫、發明說明 形色樹脂膜12留在周邊電路部分B。彩色樹脂膜12及遽色 器12f係藉前述具體實施例之相同方法製成。此時彩色樹 月曰膜12係由孔洞形成區及其周邊去除。 然後聚醯亞胺、聚丙稀酸系等製成之感光平面化樹月旨 5膜13形成於彩色樹月旨膜12及氣化石夕膜1](上。較佳此種平面 化樹脂膜13厚度超過3至4微米俾達成表面之平面化。此時 ’厚度超過1微米之氧切、氮切等製成之無機薄膜可 形成而替代平面化樹脂膜13。 後如第7B圖所不，經由曝光/顯影平面化樹脂膜13 1〇 ，形成孔13a至13c於第二層佈線圖案1〇a至1〇h上。於像素 形成區，孔13c係形成於連結至TFT 8之源區8s的第二層佈 線上此外，氮化矽膜π透過平面化樹脂膜13之孔13a至 姓刻此種情況下，為了調整氮化石夕膜！ ^對平面化樹 脂膜13之餘刻速率，控制採用作為㈣氣體CF4、％及〇2 15 之比例。 然後如第7C圖所示，厚7〇奈米之IT〇薄膜藉濺鍵法成 形於平面化樹脂膜13及孔13a至13e上作為透明導電膜％。 然後如第7D圖所示，於藉濺鍵金屬光罩35遮蔽顯示部 分A之透明導電膜36，藉濺鑛法連續形成厚50奈米之飲膜 2〇及厚2GG奈米之銘膜於周邊電路部㈣之透明導電膜％上。 鈦膜及銘膜係用作為第三層金屬層37。類似第四具體實施 J、太膜係作為中間金屬封阻膜。本例中鉬可成形作為中 間金屬封阻膜。 ’員不分A其中只有透明導電膜36形成於絕緣基板1上 29 575964 玖、發明說明 周邊電路部分B其中形成第三層金屬層37及透明導電膜 36，顯示部分A與周邊電路部分B之配置顯示於第8圖之平 面圖。此處顯示部分A以外的各區皆可採用作為第三層金 屬層37之形成區。 5 然後濺鍍金屬光罩35由絕緣基板1上方位置移開，接 著正型光阻38塗覆於第三層金屬層37及透明導電膜％上至 5祕米厚度。然後如第7E圖所示，光阻38經曝光/顯影而 形成像素光阻圖案38a於顯示部分A、及佈線光阻圖案3扑 之周邊電路部分B。 10 然後使用像素光阻圖案38a及佈線光阻圖案38b作為光 罩’透明導電膜36於顯示部分a被蝕刻，且循序蝕刻第三 層金屬層37及ITO膜36。如此如第7F圖所示，像素電極39a 形成於顯示部分A，第三層佈線圖案39b形成於周邊電路部 分B。像素電極39a透過孔13c連結至兩層佈線圖案丨⑴，如 15此而電連結TFT 8源區8s。此外，周邊電路部分B之第三層 佈線圖案39b透過填補於孔13a、13b之透明導電膜％，而 連結至二層佈線圖案1 〇a、1 〇f。 然後如第7G圖所示，像素光阻圖案38a及佈線光阻圖 案38b藉氧灰化去除。接著如第7H圖所示，供覆蓋像素電 2〇極3如及第二層佈線圖案39b之對準膜20係成形於平面化樹 脂膜13上。 如刖述，根據本具體實施例，第三層金屬層3 7藉光罩 選擇性濺鍍法只形成於周邊電路部分3 ;透明導電膜36係 形成於顯示部分A及周邊電路部。因此像素電極39&及 30 575964 坎、發明說明 第三層佈線圖案39b可利用單一微影術步驟，經由圖案化 透明導電膜36及第三層金屬層37製成。結果，可簡化製造 步驟，且可降低生產成本。 此處於第7 A圖至第8圖，與先前具體實施例相同之符 就表不相同元件。 (第五具體實施例） 本具體實施例中’具有尚頻信號傳輸電路之周邊信號 部分其係由前述具體實施例所示之第一至第三層金屬層組 成，將解說如後；一種結構其中採用第三層金屬層供遮蔽 10 高頻電路不接觸電磁波，該結構也將說明如後。 第9圖為平面圖，顯示高頻信號傳輸電路，其係經由 圖案化前述具體實施例所述第一至第三層金屬層組成；第 10圖為剖面圖顯示電磁波遮蔽結構。 TFT基板中，紅（R)、綠（G)及藍（Bg色數位顯示信號 15 (8位元X 3)分別輸入高頻信號傳輸電路40之高頻輸入端子 RD0-RD7、GD0-GD7、及BD0-BD7，該三色數位顯示信號 係透過高頻信號傳輸電路40之佈線而輸入周邊電路。又於 TFT基板，高頻控制信號係輸入高頻信號傳輸電路4〇之控 制信號端子SA、SB、SC、SD，高頻控制信號係透過高頻 20 信號傳輸電路40之佈線而輸入周邊電路。 雖然依據顯示格式各異，於XGA(水平1024 X垂直768) 之例，主機時脈頻率於單埠約為65 MHz以及雙埠約為33 MHz。因此種高頻信號傳輸期間出現的電磁波輻射對周圍環 境及人體造成不良影響，故需採行防止電磁波輻射措施。 31 575964 玖、發明說明 由外側輸入至TFT基板之高頻信號，透過高頻信號傳 輸電路40，傳輸至高頻電路部分50等，顯示於第9圖之平 面圖。第10圖為沿第9圖線II-II所取之剖面圖。此處第9圖 顯示佈線排列等。 5 於周邊電路部分B，高頻信號傳輸電路40具有第一層 佈線5 1形成於絕緣基板41上之絕緣膜4 2上方，第二層佈線 52形成於第一層間絕緣膜43上且覆蓋第一層佈線51及絕緣 膜42，以及固定電位金屬圖案53形成於平面化樹脂膜化之 第二層佈線52及第一層間絕緣膜43上方。作為第二層間絕緣 10膜44之氮化矽膜係形成於平面化樹脂膜45與第二層佈線52間 。此外，於顯不部分A經圖案化而作為濾色器之彩色樹脂膜 12，係成形於第二層間絕緣膜44與平面化樹脂膜“間。 第一層佈線51例如係經由將組成第一具體實施例閘極

至15c之第三層金屬層圖案化製成。

孔43a而連結至一 :方向（X方向）-定間隔形成為複數佈線。 卜層佈線51係透過形成於第-層間絕緣膜 而連結至一個第二層佈線52。

32 575964 玖、發明說明 GD0-GD7、及BD0-BD7及控制信號端子 SA、SB、sc、SD 。第一層佈線51係連結至成形於絕緣基板4丨上的高頻電路 部分50。高頻電路部分50於第一具體實施例所示之周邊電 路部分B，係由TFT、第一層佈線圖案、第二層佈線圖案 5 等組成。 平面化樹脂膜45上之固定電位金屬圖案53係於周邊電 路部分B經圖案化，而其尺寸可覆蓋第一層佈線51、第二 層佈線52及高頻電路部分50。此外，固定電位金屬圖案53 係電連結至固定電位（如地電位GND等），藉此防止因高頻 10 信號傳輸產生的電磁波。 此外’因彩色樹脂膜12係成形於固定電位金屬圖案53 與第一層佈線5 2間，故其間之寄生電容極小。 第11A圖為平面圖顯示本具體實施例之變化例，第 11B圖為顯示該變化例之剖面圖。 15 第11A及圖中，設置於形成於TFT基板上之周邊電 路的二個高頻電路部分50a、50b分別係連結至形成於第一 層間絕緣膜43之第一端子54及第二端子55。第一端子54及 第二端子55係經由圖案化第二層金屬層製成，由該端子分 別形成第二層佈線52。 20 此外，彩色樹脂膜12係成形於第二層間絕緣膜44與平 面化樹脂膜45間。然後經由圖案化組成固定電位金屬圖案 53之第三層金屬膜，而於平面化樹脂膜45上形成複數個橋 佈線53a。橋佈線53a之一端係透過成形於平面化樹脂膜c 及第二層間絕緣膜44之孔44a而連結至第一端子54，橋佈 33 玖、發明說明 線53a之另一端係透過成形於第二層間絕緣膜料之另一孔 44b而連結至第二端子55。如此，二高頻電路部分、 5〇b透過第一端子54、第二端子”及橋佈線53&而電連結。 此外固定電位金屬圖案53經圖案化，其尺寸可覆蓋周 5邊電路部分B之第一層佈線51、第二層佈線52及高頻電路 部分50a、50b，該固定電位金屬圖案53係電連結至固定電 位，如地電位GND等。 本例中’第三層金屬層53係由包圍橋佈線53a的相同 第三層金屬層製成。如此，第三層金屬層53與橋佈線53a 10交互隔開間隙S=3至50微米。 此種情況下採用之結構為，於相同高頻電路之各個元 件係藉圖案化第三層金屬層製成之佈線圖案而連結。 為了獲得較低電阻值，希望前述第三層金屬層係由含 鋁金屬層製成，以及希望片電阻設計為低於1〇Ω /□。本 15具體實施例中，具有厚50奈米之鈦膜及厚200奈米之鋁膜 組成之雙層結構之金屬層，被用作為第三層金屬層，具雙 層結構之金屬層片電阻係低於0.2 Q/口。 如前述，因經由將平面化樹脂膜45上之第三層金屬層 圖案化製成的固定電位金屬圖案53係連結至地電位GND， 20故可遏阻因高頻信號傳輸佈線造成的電磁波輻射。結果， 高頻電路部分50a、50b可以高s/Ν(信號/雜訊）比傳輸高頻 k號不會故障。此外，因來自TFT基板之電磁波輻射可藉 固定電位金屬圖案53減低，故可減少整體資訊系統之電磁 波輻射’如此由前述結構之高頻傳輸電路可促成環境友善 34 575964 玖、發明說明 之資訊系統。進-步，因具有前述結構之高頻傳輸電路可 防止咼頻電路的電振盪，故可改良面板操作穩定性。 此外因具有低介電常數之平面化樹脂膜45及彩色樹脂 膜12插置於高頻電路部分5〇a、5〇b與上方橋佈線間， 5故可減低其間之寄生電容而加速高速操作。此外，因平面 化樹脂膜45係藉顯示部分A之濾色器12f剝離，組成濾色器 12f之彩色樹脂膜12仍然留在周邊電路部分B，故由於彩色 樹脂膜12之形成，介於顯示部分八與周邊電路部分b間幾 乎不會出現高度差異。 10 (第六具體實施例） 本具體實施例中’有個共通電極於TFT基板上之液晶 顯不裝置將解說如後，該共通基板係由第三層金屬膜製成 而具有低電阻。 第12圖為平面圖顯示具有第四具體實施例所示結構之 15液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置之共通電極結構。第13圖 為沿第12圖線III-III所取之剖面圖。第12圖及第13圖中， 於第四具體實施例相同符號表示相同元件。 於液晶顯示裝置之TFT基板60上，像素晶胞各自帶有 像素電極39a及TFT 8，像素晶胞以矩陣方式形成於顯示部 °刀A之中區；閘側周邊電路61形成於周邊電路部分B，位 於顯示部分A之右側及左侧，資料側周邊電路62係形成於 顯示部分A之一端側。此外，另一周邊電路63係形成於顯 示部分A之另一端側。 此外，於TFT基板60上，面板端子64及共通電極端子 35 575964 玖、發明說明 65係形成於閘側周邊電路61之另一端側。面板端子以及共 通電極端子65係電連結至閘側周邊電路61、資料侧周邊電 路62等。 然後於TFT基板60之周邊電路部分B，TFT側傳輸襯墊 5 66也用作為遮光膜，該TFT側傳輸襯墊66係經由圖案化第 三層金屬膜製成。此種TFT侧傳輸襯墊66可由第五具體實 施例之固定電位金屬圖案製成，或由金屬膜與透明導電膜 組成之雙層結構製成。此處如第四具體實施例說明，TF丁 側傳輸襯墊66可由第三層金屬膜及IT0膜組成。此外，如第 10 12圖所示，部分資料側周邊電路62、閘側周邊電路61、及另 一周邊電路63可經由圖案化部分TF7^_】傳輸襯墊66製成。 此處，顯示部分A之一端、另一端以及右側及左側分 別係回應於觀視者觀看液晶顯示裝置時的相關部分，一端 為顯示裝置之上側，顯示裝置之另一端則為底側。 15 此外類似先前具體實施例，於TFT基板上，彩色樹脂 膜12係形成於周邊電路部分b之平面化樹脂膜13與氮化石夕 膜（第二層間絕緣膜）11間，濾色器12f係形成於顯示部分A。 如第13圖所示，液晶顯示裝置之相對基板7〇具有透射 絕緣基板71、ITO製成之相對電極72以及連結至相對電極 20之對侧襯墊電極73。對側襯墊電極73可由ITO製成，該ιΤ0 係與相對電極72相同。 相對基板70及TFT基板60係透過封67積層，讓相對電 極72與TFT侧傳輸襯墊66相對。封67類似TF丁侧傳輸襯塾 66外側之焰而形成於TFT基板60上。封67有個液晶注入埠 36 575964 玖、發明說明 口 66h於TFT基板60之另一端側上。然後液晶74透過液晶注 入埠口 66h，被導入已經積層的相對基板70與TFT基板60間 之空間。 此時若彩色樹脂膜12係形成於TFT侧傳輸襯墊66下方 5 ，則較佳彩色樹脂膜12係由封67之底區去除。原因在於彩 色樹脂膜12造成底氮化矽膜11與上方平面化樹脂膜間之 黏著性低劣。 於相對基板70側之電侧襯墊電極73、與於TFT基板60 之TFT側傳輸襯墊66係透過傳輸導體連結。至於傳輸導體 10 ，有角傳輸68形成於周邊電路部分B之角隅，以及直線傳 輸69成形順著TFT侧傳輸襯塾66之外緣部。傳輸導體68、 69係由導電纖維、球形導電關卡、導電管柱等構成。 根據順著周邊電路部分B形成的線性傳輸69，對側襯 墊電極73與TFT側傳輸襯墊66間之接觸區變寬，因此接觸 15電阻及佈線電阻顯著下降。此種情況下，線性傳輸69之形 成位置可於周邊電路部分B任意選定。 此外，於TFT基板60側，TFT侧傳輸襯墊66以及共通 電極端子65係透過形成於平面化樹脂膜丨3及第二層間絕緣 膜11之孔11a而電連結。因此於相對基板7〇之相對電極72 20可透過傳輸導體68、69而導電至共通電極端子65。 相對基板70上的相對電極72及對侧襯墊電極73例如分 別具有第14圖所示平面形狀。 第14圖中，形成於相對基板7〇上之相對電極72係由複 數個條狀相對電極構成，該複數個條狀相對電極排列成與 37 575964 玖、發明說明 TFT基板60成形之複數個像素晶胞相對。一個像素晶胞係 由一個TFT 8與一個像素電極39a組成。

排列於水平方向之多行像素晶胞中，與奇數編號行相 對之奇數編號行相對電極72a、以及與偶數編號行相對之 5 偶數編號行相對電極72b係以一定間隔交替成形，作為條 狀相對電極。此外，奇數行相對電極72a係連結至形成於 顯示部分A左側的第一對側襯墊電極73a，而偶數行相對電極 72b係連結至形成於顯示部分A右側之第二對侧襯墊電極73b。 第一對側襯墊電極73a係透過線性傳輸導體69a而連結 10 至第一TFT側傳輸襯墊66a，襯墊66a係形成於TFT基板60 侧之顯示部分A—側上。此外，第二對側襯墊電極73b係透 過線性傳輸導體69b連結至第二TFT側傳輸襯墊66b，襯墊 66b係形成於TFT基板60側上顯示部分A之另一側上。 第一TFT側傳輸襯墊66a係電連結至第一共通電極端子 15 65a，第二TFT側傳輸襯墊66b係電連結至第二共通電極端

子 65b。 根據第14圖所示結構，TFT側傳輸襯墊66a、66b與對 側襯墊電極73a、73b分別透過線性傳輸導體69a、69b間之 接觸區比先前技藝於顯示部分A兩側上的接觸區更寬。結 20 果可顯著降低TFT側傳輸襯墊66a、66b與對側襯墊電極73a 、73b間之接觸電阻及佈線電阻。 此種情況下，可形成與第14圖不同的相對電極。例如 雖然圖中未顯示，條狀相對電極可形成於奇數行及偶數行 ，各行係對應於垂直方向排列之複數像素行；然後奇數行 38 575964 玖、發明說明 的條狀相對電極可連結至顯示部分A之上對側襯墊電極， 偶數行的條狀相對電極可連結至顯示部分A之下對側襯墊 電極。 本具體實施例中，進一步設置電連結至相對基板7〇之 5相對電極72的傳輸導體68、69、成形於相對基板70之周邊 電路部分B之平面化樹脂膜13下方之第一層金屬層5b、5e 、第一層金屬層l〇a至10h、以及成形於平面化樹脂膜13上 且連結至傳輸導體68、69之具有該形狀之第三層金屬層％。 (第七具體實施例） 10 第15圖為電路圖顯示根據第七具體實施例，一種液晶 顯不裝置中，顯示部分、資料驅動器與閘驅動器間之連結 。此種顯不裝置具有第五具體實施例說明《高頻信號傳輸 電路以及電磁波遮蔽結構、以及具有第六具體實施例所述 之低電阻傳輸結構。第16圖為部分剖面圖，顯示根據第七 15具體實施例之液晶顯示裝置。第15圖至第16圖中，與前述 具體實施例符號相同之符號表示相同組成元件。 第15圖及第16圖中，類似第一具體實施例，顯示部分 A及周邊電路部分B具有TFT其分別係於低溫成形。 液晶顯示裝置包含像素矩陣組成之顯示部分A，設置 20壤繞顯不部分A作為資料端周邊電路62之資料驅動器心， 以及環繞顯示部分A設置作為閘端周邊電路61之問驅動器 61a。顯示部分A之像素矩陣之構造為R、G、B之子像素部 分例如分別設定為水平48〇〇 X垂直12〇〇。

於絕緣基板1上，顯示部分A具有連結至閘驅動器6U 39 575964 玖、發明說明 之掃描線（閘線）81、連結至資料驅動器62a之信號線（資料 線）82以及TFT及像素組成之像素晶胞（子像素）8〇。複數個 80係於絕緣基板1±垂直以及橫向排列因而組成像素矩陣 。信號線82之另-端（其—端係連結至區塊選擇開關6獅連 5結至另-周邊電路63，例如面板測試/修復/初步充電電路。 於絕緣基板1側之像素晶胞8〇有兩個TFT 8。採用雙閘 結構，其中一個TFT 8之源區8a係連結至另一TFT 8之沒區 8d’而TFT之閘極8g係連結至同一條掃描㈣。像素電極 3%及輔助電容器Cs係連結至另一 τρτ 8之源區8s，其未直 10 接連結至信號線82。 於縱向延伸之條狀相對電極72係形成於相對基板7〇側 後個相對電極72、一個像素電極39&及液晶被密 子；八間而組成一個液晶晶胞74a。於奇數行及偶數行之 H日日胞74a分別係電連結至第―共通電極端子心及第二 15共通電極端子65b，如第14圖所示。 第15圖顯示之閘驅動器6U係由閘端輸入端子61b、位 位子器61C 4立準位矛多器61d及輸出緩衝器61e組成。因 暫存器61e之操作電壓為5伏特，且與外部驅動器電路 ί〇 J八未^不）之化说位準相等，故閘驅動器61a係作為易連 至丨面位移暫存器61c之輸出信號藉位準位移器61d升高 至8^特’然後透過輸出緩衝Ii61e輸出至掃描線81。 Μ。貝,驅動窃62a有資料端輸入端子㈣、信號輸入部分 、一/儿处理邛刀62d、視訊信號線62e、位移暫存器62f 糸統暫存器⑺鎖）62g、D_A轉換器62h、類比輸出缓 40 575964 玖、發明說明 衝器62ι及區塊選擇開關62j。資料端輸入端子62b有資料輸 入端子、以及供控制信號、電源供應等用之輸入端子。被 輸入資料輸入端子之資料係透過信號輸入部分6 2 c傳輸至 視訊信號線62e，且透過位移暫存器62f及區塊選擇開關62j 5循序饋至顯示部分A之信號線82。此外，輸入資料端輸入 端子62b之控制信號，透過信號輸入部分62c被饋至信號處 理部分62d，俾控制位移暫存器62f、二系統暫存器62g、 D-A轉換器62h、類比輸出緩衝器62i及區塊選擇開關以』。 本具體實施例中，採用UXGA顯示格式，資料時脈頻 10率設定為162 MHz。個人電腦供給之顯示信號（資料）及控 制信號透過TMDS串列埠（圖中未顯示）而輸入面板控制板 (PT板），然後藉TMDS接收器（圖中未顯示）而轉成8位元數 位信號。面板之時脈頻率基於資料輸入信號數目亦即視訊 信號線而有不同。若一個像素（一個RGB像素）之8位元資料 15欲藉一個時脈輸入，則需8 X 3=24之視訊信號線，以及時 脈頻率為80 MHz。如此若輸入四個像素資料，則視訊信號 線數目為96及時脈頻率為4〇 MHz。 本具體實施例中，因採用96視訊信號線，故時脈頻率 。又疋為40 MHz。又資料輸入信號振幅設定為5伏特。因採 20用共通反相，故當採用5伏特液晶時，資料信號位準可降 至約5伏特。如此可顯著減低面板功率消耗。 由第五具體實施例所示三層結構之金屬佈線組成之高 頻#说傳輪電路4〇，採用作為資料驅動器62a之視訊信號 線固疋電位金屬圖案53形成於信號輸入部分62C、位移 41 575964 玖、發明說明 暫存器62f等上方，作為由第三層金屬膜製成之電磁輻射 防止結構。因其細節已經說明於第五具體實施例，故此處 刪除其進一步解說。 第16圖顯示本發明之顯示裝置之面板剖面。於周邊電 5路部分B，採用第五具體實施例說明之傳輸結構。換言之 TFT側傳輸襯墊66用作為遮光膜且由第三層金屬膜製成， 然後TFT側傳輸襯墊66透過傳輸導體68、69連結至相對基 板70上之對側襯墊電極73，因此TFT側傳輸襯墊66及相對 基板70側上之相對電極72電連結至共通電極端子65。此種 10 情況下TFT側傳輸襯墊66可由透明導電膜製成。 此外，紅、綠、藍濾色器12r、12g、12b係形成於顯 示部分A之平面化樹脂膜13與丁1；丁 6至8間，組成濾色器 、12g、12b之紅色樹脂膜12例如紅色樹脂膜12，係留在周 邊電路部分B之平面化樹脂膜π與TFT 6至8間。此處為了 15防止封67與第二層間絕緣膜11間之黏著性劣化，封67下方 未留下彩色樹脂膜12。 供覆蓋像素電極39a用之對準膜83係形成於TFT基板60 上之顯示部分A，而覆蓋相對電極72之對準膜84係形成於 相對基板70上。對準膜83、84可延伸入周邊電路部 20 —部分。 此處，第一光學膜85(例如偏光板等）係形成於相對基 板70之透明絕緣基板71表面上’該表面係與相對電極a相 對。此外，第二光學膜86(例如偏光板等）係形成於TFT基 板60絕緣基板1表面上，該表面係與TFT 6至8相對。 42 575964 玖、發明說明 根據本具體實施例，可達成整合一體形成周邊電路部 分B(可以高頻穩定操作）以及顯示部分A之面板。此外，高 效能/低耗電液晶顯示面板，.其中共通電極被反相驅動， 可經由減低共通電極端子65及傳輸結構66、68、69、73之 5 電阻而達成。 此外，因彩色樹脂膜12仍然留在周邊電路部分b，故 於周邊電路部分B，介於第二層佈線圖案1〇&至1 〇f與第三 層金屬膜66間之寄生電容可降低。 本具體實施例之液晶顯示裝置中，可設置第一層金屬 10層5b、5c&第二層金屬層l〇a至10f形成於絕緣基板1之周 邊電路部分B之平面化樹脂膜π下方；形成於周邊電路部 为B之平面化樹脂膜13上的第三層金屬層66係連結周邊電 路部分B之結構。 此外於本發明之顯示裝置，提供形成於絕緣基板1之 15周邊電路部分B之平面化樹脂膜13下方之第一層金屬層5b 、5c及第二層金屬層1〇a至1〇f，以及形成於平面化樹脂膜 13上的第三層金屬層66具有可讓周邊電路部分B遮光的形狀。 此外本具體實施例之顯示裝置中，提供形成於絕緣基 板1之周邊電路部分B之平面化樹脂膜13下方之第一層金屬 20層5b、兄及第二層金屬層10&至1〇卜以及形成於平面化樹 月曰膜13上的第二層金屬層66具有可讓周邊電路部分B遮蔽 不接觸電磁波的形狀。 前述具體實施例中，即使未特別顯示，第三層金屬層 係由單層金屬膜、多層金屬膜、含透明導電膜之多層金屬 43 575964 玖、發明說明 膜中之任一者形成。 如前述，根據本發明之液晶顯示裝置，組成形成於顯 示部分之渡色器之彩色樹脂膜也形成於周邊電路部分。因 此可藉周邊電路部分之彩色樹脂降低上與下導電圖案間之 5 寄生電容。 又因彩色樹脂臈不僅留在顯示部分同時也留在周邊電 路部分，故可減少周邊電路部分之第一基板與第二基板間 之間隙與顯示部分之第一基板與第二基板間之間隙間之差 異。因此藉由減少供給周邊電路部分之液晶供應量，而可 10 減少液晶的浪費。 此外，周邊電路部分之彩色樹腊膜可經由留下其作為 濾色器之彩色樹脂膜而形成。因此無需增加額外步驟，可 避免產出量的減低。 【囷式簡單說明】 15 第1圖為剖面圖顯示先前技藝之液晶顯示裝置2TFT基 板， 第2 A至2 W圖為剖面圖顯示根據本發明之第一具體實 施例，液晶顯示裝置之TFT基板之製造步驟； 第3A至3E圖為剖面圖顯示根據本發明之第二具體實 20施例，〉夜晶顯示裝置之TFT基板之製造步驟’· 第4圖為剖面圖顯示根據本發明之第三具體實施例， 液晶顯示裝置之TFT基板； A及5B圖為製程圖顯示採用於本發明之第四具體 實施例之第一光罩選擇性濺鍍方法； 44 575964 玖、發明說明 第从及沾圖為製程圖顯示採用於本發 實施例之第二光罩選擇性雜方法； u ♦第7A17H圖為剖面圖顯示根據本發明之第四具體 施例’液晶顯示裝置之TFT基板之製造步驟，· 一第8圖為平面圖顯示本發明之第四具體實施例採用之 第二層金屬層形成區； 一第9圖為平面圖顯示根據本發明之第五具體實施例， 顯示裝置之高頻信號傳輸電路； 10

第10圖為剖面圖顯示根據本發明之第五具體實施例， 顯示裝置之高頻信號傳輸電路； 第11A圖為平面圖顯示根據本發明之第五具體實施例 ’顯不裝置之面頻信號傳輸電路，以及第11B圖為顯示該 高頻信號傳輸電路之剖面圖； 第12圖為平面圖顯示根據本發明之第六具體實施例， 15 一種液晶顯示裝置之TFT基板與相對基板之連結結構；

第13圖為部分剖面圖顯示根據本發明之第六具體實施 例之液晶顯示裝置； 第14圖為平面圖顯示根據本發明之第六具體實施例， 於該液晶顯示裝置之兩相對電極以及TFT端傳輸襯墊之形 20狀範例； 第15圖為電路方塊圖顯示根據本發明之第七具體實施 例，一種/夜晶顯示裝置之顯示部分及周邊電路部分；以及 第16圖為部分剖面圖顯示根據本發明之第七具體實施 例之液晶顯示襄置。 45 575964 玖、發明說明 【圖式之主要元件代表符號表】 1.. .絕緣基板 2.. .下絕緣膜 3.. .非晶矽膜 3a...複晶矽膜 3b-d...島狀複晶矽圖案 4.. .閘絕緣膜 5.. .第一金屬層 5b-d...閘極 6.7.8.. .TFT 6d，7d，8d···沒極 68.75.85.. .源極 9.. .層間絕緣膜 9 a - h...接觸孔 10a-h···佈線圖案 11.. .氮化矽膜 12…感光彩色樹脂膜 12a...腔穴接觸區 12b...藍色樹脂膜 12g...綠色樹脂膜 12r...紅色樹脂膜 12f...光阻 1213，12匕12§，12^.濾色器

13.. .平面化樹脂膜 13a-c...孑L 14.. .1.O 薄膜 15.. .第三層金屬膜 15a-c…第三層佈線圖案 16…光阻 16a...照光區 17，18...標線片 17a-b...遮光圖案 19a，19b...第三層佈線圖案 19c...像素電極 20.. .對準膜 21.. .像素電極 31.. .絕緣基板 32.. .裝置結構部分 33.. .1.O 薄膜 34.. .第三層金屬層 35.. .濺鍍金屬光罩 36.. .透明導電膜 37···第三層金屬層 38.. .正型光阻 38a...像素光阻圖案 38b...佈線光阻圖案 39a...像素電極 39b...第三層佈線圖案 40…高頻信號傳輸電路 41.. .絕緣基板 42.. .絕緣膜 43,44…層間絕緣膜 43a，43b，44a，44b...孔 45.. .平面化樹脂膜 50,5〇3<-1)...南頻電路部分

575964 玖、發明說明 51.. .第一層佈線 52.. .第二層佈線 53.. .固定電位金屬圖案 54,55…端子 60.. .TFT 基板 61.. .閘端周邊電路 61a...閘驅動器 61 b...閘側輸入端子 61c...位移暫存器 61d...位準位移器 61e...輸出緩衝器 62.. .資料端周邊電路 6 2 a…資料驅動為 62b...資料側輸入端子 62c...信號輸入部分 62d...信號處理部分 62e...視訊信號線 62f...位移暫存器 62g...閃鎖 62h...D-A轉換器 621.. .類比輸出緩衝器 62j...區塊選擇開關 63.. .周邊電路 64.. .面板端子 65,65a-b...通用電極端子 66a-b...TFT側傳輸襯墊 6 6 h…液晶注入璋口 67···封 68,69…傳輸導體 69a-b…線性傳輸導體 70.. .相對基板 71.. .傳輸絕緣基板 72.. .相對電極 73,73a-b...對側襯墊電極 7 4…液晶 7 4 a...液晶晶胞 80.. .子像素 81…掃描線 82.. .信號線 83,84·..對準膜 85.86.. .光學薄膜 100.. .複晶矽膜 101，102…薄膜電晶體 101g，102g...閘極 103.. .基板 105.. .第二層佈線 104，106，108…層間絕緣膜 107…第三層佈線 109.. .像素電極 A. ..顯示部分 B. ..周邊電路部分 BM…黑矩陣 P1...光阻圖案

47

Claims (1)

1. 拾、申請專利範圍 1 · 一種液晶顯示裝置，包含： 一第一基板，其具有一顯示部分其帶有電晶體、 像素電極、掃描線及信I線，以及具有一周邊電路部 分其係連結至該掃描線及信號線； 一第二基板，其有一共通電極係與像素電極相對； 一液晶，置於第一基板與第二基板間； 一濾色器，形成於第一基板上之顯示部分；以及 一彩色樹脂膜，該彩色樹脂膜係供濾色器用，留 在第一基板上之周邊電路部分上。 2.如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中一平面 化樹脂膜係形成於顯示部分之濾色器，以及像素電極 係形成於該平面化樹脂膜上。 3·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中一平面 化樹脂膜係形成於周邊電路部分之彩色樹脂膜。 4·如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置，其中金屬圖 案係形成於周邊電路部分之平面化樹脂膜上。 •如申凊專利範圍第1至4項中任一項之液晶顯示裝置， 其中於该周邊電路部分之彩色樹脂膜含有紅色顏料。 如申印專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中於周邊 電路部分之彩色樹脂膜具有由二層或二層以上組成之 結構。 7.如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，進一步包含： 一封’其係供積層第一基板及第二基板環繞周邊 電路部分。 拾、申請專利範圍 8·如申請專利範圍第！項之液晶顯示裝置，1中一第一 導電襯墊係以固定電位服務，成形於第_基板上之彩 色樹脂膜上方。 5 9·如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，進一步包含·· 一第二導電襯塾，其係形成於環繞第—區之第二 區’該第-區内形成共通電極且係連結至共通電極， 該第一區係形成於第二基板上；以及 、一傳輸導體，其係形成於第二導墊與第 電襯塾間，二襯墊彼此相對。 1 〇 1 〇 .如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中該傳輸 導體係形成於周邊電路部分角隅。 U.如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中該傳輸 導體係於周邊電路部分線性形成。 15 A =種液晶顯示裝置製造方法，包含下列步驟··形成第 曰金屬圖案於-種第-基板之顯示部分及周邊電路 部分； 形成一第一絕緣膜於第一層金屬圖案上； 形成第二層金屬圖案於第一絕緣膜上； 2〇 形成一彩色樹脂膜於第二層金屬圖案上； 圖案化該彩色樹脂膜，俾形成彩色樹脂膜製成之 虞色裔於顯示部分之像素區，且留下彩色樹脂膜於周 邊電路部分；以及 形成一第三層金屬圖案於周邊電路部分之彩色樹 脂祺上。 〆5 49 /乃64 拾、申請專利範圍 13 •如申請專利範圍第12項之液晶顯示裝置製造方法，其 中該留在周邊電路部分之彩色樹脂膜至少為紅色著色 14·如申請專利範圍第12項之液晶顯示裝置製造方法，進 —步包含下列步驟： 形成一第二絕緣膜介於該第二層金屬圖案與該彩 色樹脂膜間。 15 •如申請專利範圍第12項之液晶顯示裝置製造方法，進 —步包含下列步驟： 形成一平®化樹脂膜介於該彩色樹脂膜與濾色器 間，以及形成第三層金屬圖案。 16·如申請專利範圍第12項之液晶顯示裝置製造方法，其 中該第三層金屬圖案為於周邊電路部分之固定電位金 屬圖案。 17.如申請專利範圍第12項之液晶顯示裝置製造方法，進 一步包含下列步驟： 製備一第一基板其係與該第一基板相對，然後透 過環繞周邊電路部分且位於彩色樹脂膜外側之封而積 層第二基板與第一基板。 50