TW561523B - Exposure device, exposure method, and manufacturing method of devices - Google Patents

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TW561523B
TW561523B TW091122805A TW91122805A TW561523B TW 561523 B TW561523 B TW 561523B TW 091122805 A TW091122805 A TW 091122805A TW 91122805 A TW91122805 A TW 91122805A TW 561523 B TW561523 B TW 561523B
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TW091122805A
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Shirato Akinori
Masaki Kato
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Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

561523 五、發明說明(1) * 所屬技術領域 本發明為關於使罩幕與感光基板同步移動,並將罩幕 的圖案在感光基板曝光的掃描型曝光裝置及曝光方法,特 別是有關將感光基板上相鄰的圖案之一部份’重複曝光的 曝光裝置及曝光方法,以及元件的製造方法。 習知技術 液晶顯示元件或半導體元件,均用將罩幕上形成的圖 案在感光基板上轉寫的所謂微影#刻(P h 〇 t ο 1 i t h 〇 g r a p h y a n d e t c h )的方法製造。在該微影#刻工程使用的曝光裝 置,包括載置感光基板可二次元移動的基板台,以及載置 有圖案的罩幕可做二次元移動的罩幕台。一面逐次移動罩 幕台及基板台,一面將罩幕上形成的圖案經過投影光學系 統轉到感光基板。所謂的曝光裝置,己知主要有二種類 型,即將罩幕上的全部圖案同時轉寫到感光基板上的總括 型曝光裝置,以及一面同步掃描罩幕台及基板台且一面連 續的將罩幕的圖案轉寫到感光基板上的掃描型曝光裝置。 其中,製造液晶顥示元件之際,因要求顯示區域的大型 化,所以主要採用掃描型曝光裝置。 掃描型曝光裝置中,將複數的投影光學系統配置成, 在掃描方向依所定之量位移形成相鄰的投影區域,且相鄣 投影區域的鄰接端部,在與掃描方向直交之方向重疊,有 所謂多鏡方式的掃描型曝光裝置(mult-lens scan型曝光 裝置)。多鏡方式的掃描型曝光裝置,不僅可維持良好的 成像特性,並且不需大型化裝置就可得大的曝光區域。上
10170pif.ptd 第5頁 561523 五、發明說明(2) 述描型曝光裝置之各投影光學系統的視野光圈,譬如成梯 形形狀,在掃描方向的視野光圈的開口寬度的合計量被設 定成常相等,因為相鄰投影光學系統的接合部被重複曝 光,所以上述掃描型曝光裝置,有投影光學系統的光學像 差或曝光照度變化圓滑之優點。 掃描型曝光裝置,在罩幕與感光基板同步移動掃描曝 光後,將該些罩幕與感光基板向與掃描方向直交之方向進 ^ 步移動,進行複數次的掃描曝光,使圖案的一部份重複曝 光,將該些圖案接合合成,可製成有大顯示區域的液晶顯 ~ 示元件。 重複進行掃描曝光及進步移動在感光基板上合成圖案 | 的方法,有如先在罩幕形成複數的分割圖案,再將該些分 胃 割圖案在感光基板上接合的方法;或將罩幕的圖案像分割 為複數的投影區域,將該些分割的投影區域在感光基板上 接合之方法等。前面的方法如第2 5圖所示,先在罩幕Μ形 成三個分割圖案Pa、Pb、Pc,再將該些各分割圖案Pa、
Pb、Pc在感光基板P順次曝光,在感光基板P上接合之方 法。 另一方面,後面的方法為如第2 6圖所示每次掃描時變 更對罩幕Μ形成的圖案之曝光的照射區域,在該些照射區 域對應的投影區域,向感光基板Ρ上順次掃描曝光,再進 行圖案合成者。此處,設五個投影光學系統,如第2 6 ( a ) ^
圖所示,各別的投影區域1 0 0 a〜1 0 0 e設定成梯形,形成在 掃描方向(X方向)累計曝光量保持相同,且各個的端部在Y
1Q170P1f.ptd 第6頁 561523 五、發明說明(3) 方向重疊,在X方向的投影區域的寬度的總計相等之設 計。在感光基板曝光圖案之際,複數的投影區域 1 0 0 a〜1 0 0 e之中,將所定的投影區域對應的光路用快門遮 光,使成為只在罩幕Μ的所定區域曝光照射的情況,此 時,經複數次的掃描曝光,使投影區域的鄰接端部重複曝 光。具體的說,如第2 6 ( b)圖所示,第一次的掃描曝光在 投影區域1 0 0 d的-Y側端部a 1 ,與第二次的掃描曝光在投影 區域1 0 0 b的+ Y側端部a 2被重複曝光。同樣地,第二次的掃 描曝光在投影區1 0 0 c的-Y側端部a 3,與第三次掃描曝光在 投影區域1 0 0 b的+ Y側端部A a 4被重複曝光。此時,在第一 次的掃描曝光時投影區域1 0 0 e被遮光;在第二次的掃描曝 光時,投影區域1 0 0 a、1 0 0 d、1 0 0 e被遮光;在第三次的掃 描曝光時投影區域1 0 0 a被遮光。 此處,第一次的掃描曝光在感光基板P上形成之分割圖 案在Y方向的長度L 1 2 ,為投影區域1 0 0 a的短邊的+ Y方向端 點,到投影區域1 0 0 d的長邊之-Y方向端點之間的Y方向之 距離。第二次的掃描曝光在感光基板P上形成之分割圖案 在Y方向的長度L1 3,為投影區域1 00b的長邊之+ Y方向端 點,到投影區域1 0 0 c的長邊之-Y方向端點之間的Y方向之 距離。第三次的掃描曝光在感光基板P上形成之分割圖案 在Y方向的長度L1 4,為投影區域1 00b的長邊之+ Y方向端 點,到投影區域1 0 0 e的短邊之-Y方向端點之間的Y方向之 距離。如此,各個分割圖案的大小(Y方向的長度L 1 2、 L 1 3、L 1 4 ),為依據梯形投影區域的長邊及短邊來決定
10170pif.ptd 第7頁 561523 五、發明說明(4) 者。 欲解決的問題 上述的習用的掃描型曝光方法及掃描型曝光裝置有以 下之問題。 在第2 5圖所示之方法,為在罩幕Μ上形成複數個獨立的 分割圖案,在罩幕Μ上之圖案構成受限制。而且為在每一 分割圖案掃描曝光,掃描曝光次數增加,降低生產量。 又,在第2 6圖所示之方法,由複數次掃描曝光進行圖 案合成之際,如上所述各個分割圖案的大小(Υ方向之長度 L 1 2、L 1 3、L 1 4 )係依據梯形投影區域的長邊及短邊的長短 而定者。亦即,在第2 6圖所示之方法,於感光基板Ρ上形 成之圖案的大小,依投影區域的大小及視野光圈的大小 (形狀)之限定。而且,分割圖案的接合只在梯形投影區域 的端部形成,所以,圖案的分割位置亦受其限定。如上所 述,在習知的方法,圖案的分割位置或感光基板Ρ上形成 之圖案大小受到限制,要製作任意的元件有困難。 本發明即鑑於上述情況、目的在於提供一種曝光裝置 及曝光方法,以及元件製造方法,能在感光基板上將分割 圖案的一部份重複接合曝光之際,同時設定在感光基板形 成之圖案的大小,而且亦能任意設定在罩幕上的圖案之分 割位置,可效率良好的製造元件。 解決問題的手段 為解決上述之課題,本發明採用如在實施例之第1圖〜 第2 4圖所示,以下說明其構成。
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五、發明說明(5) 本發明的曝光裝置,(EJ〇具以下之特徵··有對罩幕(M)照 射光束(EL)的照明光學系統(IL),及載置罩幕的罩幕 台(MST),以及載置感光基板(ρ)供罩幕(Μ)的圖案(44、 4 5a、4 5b、46、47)曝光的基板台(PST)。此種 >可 (EL)同步移動罩幕(M)與感光基板(p)施 幕(M)之圖案影像(50a〜50g、62、认一二田曝九便車 分成複數次的掃描曝光在感光基板(p)繼;、份重t曝光用 光裝置,配設視野光圈(2 0 )以設定感、、、其、貝^光圖案1小 之圖案影像(5〇a〜5〇g)的掃描方向(χ'、 = 上被照, 、 ^ ^ ^ νΛ)的見度(Lx);及第一 遮光板(40)可設定圖案影像(5h〜5〇g)的與掃描方向直交 之方向(Y)的寬度(Ly) ’以及第二遮光板(3〇),可在與掃 4 9、6 4 ),同時對向照射區域的周邊,將在重複曝光區域 (48、49、66)的累積曝光量大略連續的衰減。 描方向直交之方向(Y)移動且設定圖案的重複區域(48、 依本發明,可用視野光圈及第〜遮光板,設定在感光 基板上的圖案像的掃描方向及與掃描方向直交之方向的見 度,該設定之圖案像在感光基板上接合之際,在光路上配 置第二遮光板,可在與掃描方向直交之方向移動,由第二 遮光板的移動’可任意設定光束在罩幕的照射區域(照明 光學系統的照射區域)。因此,圖案的接合部份,即罩幕/ 之圖案的分割位置可任意設定’故可任意"設定感光基板形 成的圖案之大小。又,第二遮板配置成可在與掃描方向直 交之方向移動,具有可沿對向照射區域的周邊,在圖案重 複區域將累積曝光量大約連續性衰減之減光特性,故 < 在
l〇170pir.pld 第9頁 561523 五、發明說明(6) 重複區域設定所望值的曝光量,可使重複區域與重複區域 以外的曝光量一致。因此,能進行精度良好的曝光處理。 又,對視野光圈移動第二遮光板,可任意設定光束對感光 基板的照明區域(配備投影光學系的曝光裝置之場合為投 影區域)之大小或形狀,故繼續曝光之際可提高接合精度 及曝光的均一度。 本發明的曝光方法,為在罩幕(Μ )照射光束(E L )之同 時,對光束(E L )同步移動罩幕(Μ )與或感光基板(Ρ )掃描曝 光,分成複數次的掃描曝光,使罩幕(Μ )的圖案像 (50a〜50g、62、63)之一部份重複曝光,在感光基板(Ρ)進 行圖案合成的連續曝光方法。其特徵為用視野光圈(2 0 )設 定在感光基板(P )上之被照明的圖案像(5 0 a〜5 0 g )的掃描方 向(X)之寬度(Lx);用與視野光圈相異的第一遮光板(40) 設定,圖案像(50a〜50g)的掃描方向之直交方向(Y)的寬度 (L y ),再配合繼續進行曝光之區域(4 8、4 9、6 4 )設定第二 遮光板(3 0 ),該第二遮光板(3 0 )可向照射區域的周邊連續 的衰減重複區域(4 8、4 9、6 4 )的照射光量,並能夠在圖案 像(50a〜50g、62、63)之(Y)方向移動。 依本發明,可用視野光圈及第一遮光板設定感光基板 上的圖案像之掃描方向的寬度及與掃描方向直交之方向的 寬度。然後,該圖案像在感光基板上接合之際,配合繼續 進行曝光之區域設定第二遮光板,就可任意設定光束對罩 幕的照射區域(照明光學系統的照射區域),故能夠任意設 定圖案的連接部份,亦即罩幕之圖案的分割部份。因此,
10170pi f.ptd 第10頁 561523 五、發明說明(7) 可任意設定在感光基板形成的圖案之大小,能夠形成大的 圖案。又,第二遮光板具有能夠連續的衰減圖案的重複區 域之照射光量的減光特性,故可設定重複區域的曝光量為 所期望之值。所以,能夠使重複區域與重複區域以外之各 別的曝光量一致,能進行精度良好的曝光處理。 本發明的元件製造方法之特徵為,使用以光束(E L )照 射罩幕(M),同時對光束(EL)同步移動罩幕(M)與玻璃基板 (P)的掃描曝光型曝光裝置(EX),將罩幕(M)的圖案之一部 份接合合成,以製造此罩幕(Μ )的連續之圖案區域(4 6、 4 7 )更大的液晶元件之製造方法。係將在玻璃基板(Ρ )進行 的罩幕(Μ )的圖案之配置及接合的圖案接合位置的情報做 為格式(recipe)在曝光裝置設定,再配合該格式設定欲曝 光的罩幕(Μ )之圖案供曝光(E L )照射的照射區域,同時對 設在位於射區域之一邊的接合位置的罩幕(Μ)之圖案 (48) ,疊合接合曝光的遮光板(30)之位置並曝光之。曝光 之後,使玻璃基板(Ρ )向與掃描方向之直交方向(Υ )移動, 在玻璃基板(Ρ)的被曝光區域及一部份要重複之位置,設 定欲與曝光之罩幕(Μ )的圖案合併照射曝光的照射區域, 同時對設於照射區域的一邊的接合位置的罩幕(Μ )的圖案 (49) ,疊合接合曝光的遮光板(30)之位置並曝光。 依本發明,在圖案間接合曝光之際,將罩幕的圖案的 接合位置(分割位置)之情報,做為格式預先在曝光裝置設 定,再配合格該格式,在接合曝光的第一次掃描曝光時, 在該接合位置對合遮光板位置再曝光。在第一次掃描曝光
10170pif.ptd 第11頁 561523 五、發明說明(8) 之後,將玻璃基板向與掃描方向直交之方向進步移動,在 第二次掃描曝光時,在接合位置疊合遮光板位置再曝光, 因此,只在第一次掃描曝光時及第二次掃描曝光時分別調 整遮光板之位置,就可將罩幕的圖案分割再於玻璃基板上 接合。如上述,只要調整遮光板的位置就可設定接合之位 置,故可提升接合精度,能製造具有所望性能的元件。 為讓本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂, 下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如 下: 圖式之標記說明· 2 0視野光圈 30遮蔽器(第二遮光板) 40遮光板(第一遮光板) 4 6 、4 7分割圖案 4 8、4 9重複區域 5 0 a〜5 0 g投影區域(照明區域) 5 2 a〜5 2 f重複區域(接續部) 6 0 A、6 0 B罩幕位置對合標記 6 2 、6 3分割圖案 6 4重複區域 7 2基板位置對合標記 C Ο N T控制裝置 EL曝光(光束) E X曝光裝置
10170pif.ptd 第12頁 561523 五、發明說明(9) I L照明光學系統 I M a〜I M g照明組件 Μ罩幕 MST罩幕台 L X圖案像的掃描方向之寬度 L y圖案像的與掃描方向直交之方向的寬度 P感光基板、玻璃基板 PL(Pla〜PLg)投影光學系統 PST基板台 X掃描方向 Y非掃描方向(與掃描方向直交之方向) 較佳實施例之詳細說明 以下參照圖面說明本發明的曝光裝置與曝光方法,以 及元件的製造方法。第1圖示本發明的曝光裝置之一個實 施例的概略斜視圖,第2圖為曝光裝置的概略構成圖。 第1圖及第2圖中,曝光裝置EX包括載置罩幕Μ的罩幕台 M S Τ ;及照明光學系統I L,可發出曝光(光束)E L照射罩幕 台MST上的罩幕Μ ;及基板台PST,載置感光基板Ρ以便在罩 幕Μ形成的圖案曝光;以及投影光學系統PL,將照明光學 系統I L曝光照射的罩幕Μ之圖案影像,在基板台P S Τ投影曝 光。該照明光學系統I L有複數的(本實施例為七個)的照明 組件IM( IMa〜IMg)。投影光學系統PL亦有與照明組件ΙΜ數 對應的複數個(本例為七個)投影光學系統PLa〜PLg。投影 光學系統PLa〜PLg個別對應照明組件IMa〜IMg配置。感光基
10170P1f.ptd 第13頁 561523 五、發明說明(ίο) 板P為在玻璃板(玻璃基板)塗布感光劑而成者。 該曝光裝置EX,為將罩幕Μ與感光基板P同步對曝光移 動掃描曝光的掃描型曝光裝置。在以下之說明中,設定投 影光學系統P L的光轴方向為Ζ方向’與Ζ方向垂直的罩幕Μ 與感光基板Ρ的同步移動方向(掃描方向)為X方向,與Ζ方 向及X方向直交之方向(非掃描方向)為Υ方向。 然後,如後面要詳述的,曝光裝置Ε X設有;視野光圈 2 0 ,設在投影光學系統P L,用以設定在感光基板上照明的 罩幕Μ之圖案像的掃描方向(X方向)的寬度;及第一遮光板 4 0 ,設於投影光學系統P L中,與視野光圈2 0大約相同的位 置,用以設定在感光基板照明的罩幕Μ之圖案像的非掃描 方向(Υ方向)之寬度,以及第二遮光板(b 1 i n d ) 3 0,設於照 明光學系統I L,可在非掃描方向(Y方向)移動。 如第2圖所示,照明光學系統I L包括:光源1由超高壓 水銀灯等組成;及橢圓鏡1 a用以聚集由光源1射出的光 束;及分色鏡(dichroic mirror)2,可將該橢圓鏡la收聚 的光束之中,必要波長的光束反射,其他波長的光束則直 接透過;及波長選擇濾光器3,在分色鏡2反射之光束 中,只讓曝光更必要的波長(通常為g、h、i線之中的至少 一個波段)通過;以及光導向設備4,將波長選擇濾光器3 通過的光束,分岐為複數支(本實施例為7支),經反射鏡5 射入各照明組件I M a〜I M g。 照明組件I Μ配置有複數個(本實施中有I M a〜I M g七 個)(但第2圖為方便計,只顯示照明組件I M g對應部份),
10170pif.ptd 第14頁 561523 五、發明說明(11) 照明光學系IMa〜I Mg各別在X方向與Y方向保持一定間隔之 佈置。該些複數的照明組件IMa〜I Mg個別射出的曝光EL, 個別照明罩幕Μ上不同的小區域(照明光學系統的照射區 域)。 照明組件I M a〜I M g各個備有,照明快門6,及中繼透鏡 (r e 1 a y 1 e n s ) 7,飛眼透鏡8當做光學積分器,以及聚光鏡 9。當照明快門6遮斷光路時,即遮斷該光路的光束;打開 光路時,即解除該光束的遮光。在照明快門6,連接快門 驅動部6 a驅動該照明快門6對光束的光路進退移動。快門 驅動部6 a由控制裝置C Ο N T控制。 又,各個照明組件I M a〜I M g各別設有光量調整機構1 0。 該光量調整機構1 0為設定每一光路的光束之照度而調整各 光路的曝光量之設備,配置有半透明鏡1 1、及檢波器1 2、 及濾光器1 3、以及滤光器驅動部1 4。半透明鏡1 1配置在濾、 光器1 3與中繼透鏡7之間的光路中,將透過濾光器1 3的光 束之一部份射入檢波器1 2。各個檢波器1 2經常獨立檢測入 射光束的照度,並將檢測的照度訊號輸出到控制裝置 CONT ° 如第3圖所示,濾光器13為在玻璃板13A上用鉻(Cr)等 塗成簾子狀圖形而成者,其透過率係沿Y方向在某範圍内 逐漸變化線形而形成。該濾光器1 3配置在各光路中的照明 快門6與半透明鏡1 1之間。 在複數的每一個光路,各配設有半透明鏡1 1 ,檢波器 1 2及濾光器1 3。濾光器驅動部1 4,依控制裝置C Ο N T的指示
10170pif.ptd 第15頁 561523 五、發明說明(12) 沿Y方向移動濾光器1 3。如此,用濾光器驅動部1 4移動濾 光器1 3,可調整每一光路個別的光量。 透過光路調整機構1 0的光束,再經過中繼透鏡7到達飛 眼透鏡8。飛眼透鏡8在射出面形成二次光源,經過聚光鏡 9就可以均一之照度照射罩幕Μ的照射區域。然後,通過聚 光鏡9的曝光EL,在通過照明組件中包括直角稜鏡1 6及透 鏡系統以及凹面透鏡的反射屈折型光學系統1 5後,照明罩 幕Μ的所定之照明區域。罩幕Μ即依照透過照明組件 I Ma〜I Mg的各曝光EL照明不同的各照射區域。此處,在聚 光鏡9與反射屈折型光學系統1 5之間,配置有第二遮光板 3 0 ( B 1 i n d遮蔽器),該第二遮光板3 0可由遮光板驅動部3 1 驅動在非掃描方向(Y方向)移動。關於遮蔽器B將在後面說 明。 支持罩幕Μ的罩幕台MST,有進行一次元之掃描曝光的X 方向的長行程,及與掃描方向直交的到Υ方向之所定距離 的行程。如第2圖所示,罩幕台MST具有可將該罩幕台MST 向ΧΥ方向移動的罩幕台驅動部MSTD。罩幕台驅動部MSTD由 控制裝置C Ο Ν Τ控制。 如第1圖所示,在罩幕台MST上的X方向及Υ方向各別的 邊端,各設置垂直方向的移動鏡32a、32b。在移動鏡3 2a 設有對向的雷射干涉計33a,移動鏡3 2b有雷射干涉計3 3b 對向配置。該些雷射干涉計3 3 a、3 3 b各對其對向之移動鏡 3 2 a、3 2 b射出雷射光測計其與移動鏡3 2 a、3 2 b間之距離, 依此可高精度檢測罩幕台MST的X向及Y方向的位置,亦即
ΙΟΠΟριί .ptd 第16頁 561523 五、發明說明(13) 罩幕的位置。雷射干涉計3 3 a、3 3 b的檢測結果,輸出至控 制裝置CONT。控制裝置CONT由雷射干涉計33a、33b的輸出 監控罩幕台MST的位置,控制罩幕台驅動部MSTD,移動罩幕 台MST至所望之位置。 透過罩幕Μ的曝光EL,各別射入投影光學系統 PL(PLa〜PLg)。該投影光學系統PLa〜PLg乃為將罩幕Μ的照 射範圍内存在之圖案在感光基板Ρ成像,在感光基板Ρ的特 定區域投影曝光圖案像之設備,與各照明組件I M a〜I M g對 應配置。 如第1圖所示,複數的投影光學系統PLa〜PLg之中,投 影光學系Pla、PLc、PLg與投影光學系PLb、PLd ;PLf成二 列多鳥狀排列。即成多鳥狀配置的各投影光學系統 PLa〜PLg的緊鄰投影光學系(例如PLa與PLb、PLb與PLc)在X 方向成定量變位之配置。該些各投影光學系PLa〜PLg,使 由照明組件I M a〜I M g射出透過罩幕Μ的複數之曝光通過,再 於基板台PST載置的感光基板Ρ投影罩幕Μ的圖案像。亦即 通過各投影光學系PLa〜PLg的曝光EL,在感光基板Ρ上的不 同投影區域(照明區域),將罩幕Μ的照射區域對應的圖案 像依所定的成像特性成像。 如第2圖所示,各個投影光學系統PLa〜PLg,各設有像移 動機構1 9,及兩組的反射屈折型光學系統2 1 、2 2,及視野 光圈2 0 ,以及倍率調整機構2 3。像移動機構1 9 ,為如用兩 片平行的平面玻璃板分別在γ軸或X軸周圍迴轉,將罩幕Μ 的圖案像往X方向或Υ方向移動。透過罩幕Μ的曝光EL通過
10170pi f.ptd 第17頁 561523 五、發明說明(14) 過像移動機構1 9之後,射入第一組的反射屈折型光學系統 21 ° 反射屈折型光學系統2 1乃為形成罩幕Μ之圖案的中間像 之設備,包括有直角稜鏡24、透鏡系統25及凹面透鏡26。 直角稜鏡24可在Ζ軸周圍自由迴轉,能夠旋轉罩幕Μ的圖案 像。 在該中間像之位置,設有視野光圈2 0。視野光圈2 0為 設定在感光基板Ρ上的投影區域的設備’特別是設定在感 光基板Ρ上的圖案像的掃描方向(X方向)的寬度。通過視野 光圈2 0的光束,射入第二組的反射屈折型光學系統2 2。反 射屈折型光學系統2 2與反射屈折型光學系統2 1同樣地,具 備直角稜鏡2 7、透鏡系統2 8及凹面透鏡2 9。直角稜鏡2 7 亦可自由繞Ζ軸迴轉,可以迴轉罩幕Μ的圖案像。 由反射凹折型光學系統2 2射出的曝光E L,通過倍率調整 機構23,在感光基板Ρ上結成罩幕Μ的圖案像的等倍正像。 倍率調整機構23為由平凸透鏡、雙凸透鏡及平凸透鏡之三 片透鏡構成。往Ζ方向移動位於兩片平凸透鏡之間的雙凸 透鏡,就可變化罩幕Μ之圖案像的倍率。
在支持感光基板Ρ的基板台PST有基板架ΡΗ,經該基板 架ΡΗ載置感光基板Ρ。基板台PST與罩幕台MST同樣地,有 進行一次元掃描曝元的X方向之長行程(stroke),及與掃 描方向直交之Y方向的逐步移動用的長行程,以及將該基 板台P S T向X Y方向移動的基板台驅動部P S T D。基板台驅動 部P S T D由控制裝置C 0 N T控制。尚有,基板台P S T亦能夠向Z
10170pif.ptd 第18頁 561523 五、發明說明(15) 方向移動。 又,基板台P S T設有檢測罩幕Μ的圖案面與感光基板的 曝光面之Ζ方向位置的檢測裝置(未圖示),可控制罩幕μ之 圖案面與感光基板Ρ之曝光面,常在所定之間隔之位置。 该檢測裝置由斜入射方式的焦點檢測系統之一種的多點焦 點位置檢出系統構成’該檢測值,即感光基板Ρ的Ζ方向之 位置情報,輸出至控制裝置CO NT。 如第1圖所示,在基板台PST上的X方向及γ方向各別的 邊端之直交方向各設有移動鏡34a、34b。在移動鏡34a有 雷射干涉計3 5 a對向配置。在移動鏡3 4 b有雷射干涉計3 5 b 對向配置。該些雷射干涉計35a、35b分別向其對向之移動 鏡3 4a、3 4b射出雷射光,測計其與移動鏡3 4a、3 4b射出雷 射光,測計其與移動鏡34a、34b之間的距離。如此,可高 解析度’向精度地檢測基板台P S T的X方向及γ方向的位 置’亦即感光基板P的位置。雷射干涉計的檢測結果,輸 出到控制裝置CONT。控制裝置CONT利用雷射干涉計35a、 3 5 b及前述檢測裝置(多點焦點位置檢測系統)的輸出,監 視基板台P S T之位置,控制基板台驅動部P s T D,使基板台 PST移動至所望之位置。 罩幕台驅動部MSTD及基板台驅動PSTD,由控制裝置 CONT分別獨立控制,罩幕台MST及基板台pSt本來就由罩幕 台驅動部MSTD與基板台驅動部PSTD各別驅動,可個別獨立 移動。所以,控制裝置C 0 N T可以一面監視罩幕台μ S T與基 板台0 S Τ的位置,一面控制兩個驅動部p s T D及M S T D,使罩
10170pii.ptd 第19頁 561523
五、發明說明(16) 幕"i ΐ 2 f r對投影光學系、机,以住意的掃描速度 (同步移動速度)向X方向同步移動。 I度 亦此Δ’Ρ在ΐ幕台MST支持的罩幕M,胃基板台PST支持的 感光基板4過投影光學系統PL配置成共耗的位置關 係0 其次,筝照第4圖及第5圖說明視野光圈2 〇 ,遮光板(第 一遮光板)、40及遮蔽器(第二遮光板)3〇。第4圖及第5圖為 表示視野光圈2 0,遮光板4 〇、遮蔽器3 〇的個別與投影光學 系統PL、罩幕Μ、感光基板p之位置關係的模型圖。 在第4圖中,以投影光學系統pLg代表顯示,視野光圈 2 0配置在投影光學系統P L ( P L g ),有縫隙將的開口。該視 野光圈2 0為設定感光基板P上的投影區域(照明區 域)5 0 ( 5 0 g )之形狀的設備,特別是設定圖案像的投影區域 5 0之掃描方向(X方向)的寬度Lx。視野光圈2 0配置於投影 光學系統PL之内,對罩幕Μ及感光基板P成大約共軏的位置 關係。 Α ^ 遮光板(第一遮光板)4 0亦為設定在感光基板Ρ上的投影 區域之形狀的設備,特別是為設定圖案像的投影區^或5 的 非掃描方向(Υ方向)的寬度Ly。遮光板40亦設於投影=, 系統PLg,配置成與視野光圈重疊,由視野光圈20與遮大 板4 0形成的開口 K,設定感光基板P上之投影區域& 〇 g / 小及形狀。在本實施例中,視野光圈2 0與遮光板4 〇死t &、 投影區域5 0 g為平面梯形形狀。此處’與視野光圈2 〇 疊配置的遮光板4 0 ,亦在在投影光學系統p L之内’梦
10170pi f.ptd 第20頁 561523 五、發明說明(17) Μ及感光基板P成大略共輛的位置關係。 又,對遮光板4 0相對的移動感光基板Ρ也可以,所以遮 光板4 0為固定的或可移動皆可以,為保持更大的自由度, 如第4圖、第5圖所示的移動也可以。 在遮光板4 0設有遮光板驅動機構(未圖示),遮光板4 0 在遮光板驅動機構的驅動下,可往非掃描方向(Υ方向)移 動。所以,把遮光板4 0往Υ方向移動,可任意設定投影區 域5 0 g的Υ方向之寬度L y,如此,可任意設定投影區域 5 0 a〜5 0 g合併後的大小。此處,在投影光學系統P L g設置的 遮光板40,可以獨立移動,各遮光板40的Y方向的位置可 個別設定,所以能夠設定投影區域5 0的大小與形狀。 又,對投影區域5 0 a〜5 0 g 設置大的遮光板兩張當做遮 光板4 0亦可,例如第2 0圖的標號3 0F所示的形狀也可以。 遮光板40的位置設在感光基板P或罩幕Μ或遮蔽器30的近傍 亦可。 遮蔽器(第二遮光板)3 0為如第2圖等所示,配置於照明 光學系統I L (照明組件I Μ ),由遮蔽器驅動部3 1驅動可在非 掃描方向(Υ方向)移動。遮蔽器驅動部3 1的驅動由控制裝 置C0NT控制,遮蔽器30依控制裝置C0NT的控制移動。在本 實施例,遮蔽器3 0如第1圖所示,包括:遮蔽器A,設在對 應照明組件I Ma及投影光學系統Ρ 1 a的光路近接之位置,以 及遮蔽器B,設在照明組件I M g與投影光學系統P L g對應的 光路之近接位置。所以,遮蔽器3 0如第5圖所示,往Y方向 移動可遮住視野光圈2 0與遮光板4 0所形成的開口 K的一部
l()170pif.ptd 第21頁 561523 五、發明說明(18) 份(第5圖中為方便認識只示開口 K,未圖示視野光圈2 0及 遮光板4 0 ),以任意設定投影區域5 0的大小及形狀。 遮蔽器3 0的前端部(相當開口 K的部份)的X方向之寬度 向Y方向逐漸縮小,形成斜向的斜形遮蔽器。用其斜形部 份遮蔽曝光EL,可設定投影區域5 0的形狀。本實施例中, 視野光圈2 0與遮光板4 0及遮蔽器3 0形成的投影區域(照明 區域)5 0,被設定成梯形形狀(平形四邊形形狀)。 遮蔽器3 0配置於照明光學系統I L之内,對罩幕Μ與感光 基板Ρ大略共軛的關係位置。即,本實施例中,視野光圈 20、遮光板40及遮蔽器30配置在對罩幕Μ與感光基板Ρ的大 略共軛之關係位置,而該罩幕Μ與感光基板Ρ又透過投影光 學系統PL成共軛之關係位置的配置。 此處,視野光圈2 0與遮光板4 0及遮蔽器3 0,只要配置 在對罩幕Μ與感光基板Ρ共輛之相關位置就可以。因此,例 如第6圖所示,將遮光板(第一遮光板)4 0接近遮蔽器Β設置 也可以。或將遮蔽器3 0配置在投影光學系統内視野光圈2 0 之近傍也可以。或將該些各組件2 0、3 0、4 0在罩幕Μ或2感 光基板Ρ的近接位置配置也可以。亦即,視野光圈2 0,遮 光板4 0、遮蔽器3 0各別,只要在對罩幕Μ與感光基板Ρ共軛 之位置(參考第2圖A、Β標號),配置於曝光EL的光路上的 任可位置都可以。又,遮光器3 0配置在對共軛面散焦的位 置,其光量和仍然為一定,所以配置在聚焦方向稍偏離之 位置也無妨。 又,遮光板4 0雖可利用Y方向的移動設定投影區域5 0的
10170pi t'.pld 第22頁 561523 五、發明說明(19) Y方向之寬度Ly,因設計成可繞z軸迴轉,將遮光板40繞Z 軸迴轉,就如第7圖所示,能夠變更投影區域5 0的形狀。同 樣地,沿Z軸迴轉遮蔽器3 0,亦可改樊投影區域5 0的形 狀。 第8圖為投影光學系統P la〜PLg在感光基板P上的投影區 域50a〜50g的平面圖。各投影區域50a〜50g依視野光圈20 及遮光板4 0設定成所定的形狀(本例為梯形)。投影區域 50a、5 0c、5 0e、50g與投影區域50b、50d、50f在X方向相 對向配置。而且,在投影區域50 a〜5 Og的鄰接的投影區域 的端部(邊界部)間(5 1 a與5 1 b、5 1 c與5 1 d、5 1 e與5 1 f、5 1 g 與51h、51 i與51 j 、51k與51 1 )用二點鎖線所示的,在Y方 向重疊並列配置,形成重複區域(接合部)5 2 a〜5 2 f。因投 影區域5 0 a〜5 0 g的邊界部間在Y方向重疊之並列配置,投影 區域的X方向之寬度總計被設定成大略相等,如此可使在X 方向掃描曝光時的曝光量相等。 如上所述,設置各投影光學系統P 1 a〜P L g之投影區域 5 0 a〜5 0 g的各別之重複區域(接合部)5 2 a〜5 2 f,能夠緩和在 接合部5 2 a〜5 2 f的光學像差之變化或照度變化。此處,接 合部52a〜52f的γ方向之位置或寬度,可移動遮光板40任意 設定。 又如第8圖的虛線所示,兩組遮蔽器3 0之中,一方的遮 蔽器3 0 A在土 Y方向移動設定對罩幕Μ的照射區域之方式, 設定+ Υ側的投影區域5 0 a的大小、形狀;另一方之遮蔽器 3 0 B,亦在士 γ方向移動設定對罩幕Μ的照射區域’以設定
10l70pif.ptd 第23頁 561523 五、發明說明(20) -Y側的投影區域5 0 g的大小、形狀。尚且,一方的遮蔽器 3 0 A尚能夠遮蔽對應投影區域5 0 a的光路,同時設定投影區 域5 0 c的大小及形狀;另一方的遮蔽器3 0 B,在遮蔽投影區 域5 0 g對應光路之同時,亦可設定投影區域5 0 e的大小及形 狀。如此,遮蔽器3 0 A、3 0 B的個別在Y方向移動可遮住複 數的投影區域之中,特定之投影區域對應的光路,能夠任 意設定所定投影區域的大小及形狀。 又,遮蔽器3 0之移動,可設定投影區域的邊界部5 1 a、 5 1 d、5 1 e、5 1 h、5 1 i 、5 1 1各別的大小。因此,遮蔽器3 0 利用在非掃描方向(Y方向)移動設定投影區域之邊界部的 大小與形狀,可設定投影區域(圖案像)的重複區域 5 2 a〜5 2 f 。另外,因遮蔽器3 0的前端部(相當開口 K之部份) 的X方向之寬度向Y方向逐漸縮小形成傾斜形,可遮斷投影 區域的邊界部各別對應之光路之一部份,可向投影區域的 周邊連續的減衰在重複區域的累計曝光量。 第8圖中,投影區域的邊界部5 1 a、5 1 e、5 1 i的平面的 傾斜角度,設定成與遮蔽器3 0 A的前端部之傾斜角度一致. 同樣地,投影區域的邊界部5 1 d、5 1 h、5 1 1之平面的傾斜 角度,設成與遮蔽器3 0 B的前端部之傾斜角度一致。遮蔽 器3 0 A,將其前端部配置在邊界部5 1 a或5 1 e對應之光路一 部份,設定重複區域5 2 a或5 2 c,使掃描曝光時,在重複區 域5 2 a ( 5 2 c )的累計曝光量向-Y側大略連續的衰減。遮蔽器 3 0 B,將其前端部置在邊界部5 1 1或5 1 h對應之光路一部 份,設定重複區域5 2 f或5 2 d,使掃描曝光時在重複區域
10170pif.ptd 第24頁 561523 五、發明說明(21) 5 2 f ( 5 2 d )的累計曝光量向+ Y側大略連續的衰減。 如上所述,由視野光圈2 0、遮光板4 0反遮蔽器3 0將投 影區域分割為複數個,其大小、形狀可任意設定。如此, 由設定遮廠器3 0的位置,在掃描曝光時,對向罩幕Μ的照 射區域的周邊大略連續的衰減累積曝光量,並連續的變化 重複區域52a〜52f之Υ方向累積曝光量。 回到第2圖,在基板台P S T上,設有光檢測器4 1 。光檢 測器4 1為檢測照射在感光基板P之該曝光的光量有關情報 的設備,該檢測之信號輸出至控制裝置CO NT。 又,該曝光的光量有關之情報,包括物體面上單位面 積所照射的曝光之量,或單位時間内放射之曝光之光量。 在本實施例中,該曝光的光量有關之情報,以照度表示說 明。 該光檢測器4 1為計測感光基板P上的各投影光學系統 P 1 a〜P L g之對應位置的曝光照射量的照度感應器,如第 2 4 ( a )圖所示,由C C D感應器構成。光檢測器4 1由配置基板 台PST上成Y方向的引導軸(未圖示)支持,設置成與感光基 板P同一平面之高度,由檢測器驅動部驅動,可在與掃描 方向(X方向)直交之方向(Y方向)移動。 該光檢測器4 1 ,在一次或複數次的曝光之前,由基板 台P S T的X方向之移動,及檢測器驅動部的Y方向之驅動, 在投影光學糸統P 1 a〜P L g對應的各投影區域的下方被掃 描。因此,感光基板P上的投影區域5 0 a〜5 0 g及該些各 50a〜50g 的各邊界部50a〜501的曝光之光量有關情報,可
10170pif.ptd 第25頁 561523 五、發明說明(22) 由光檢測器4 1二次元的檢測。光檢測器4 1檢測的曝光之光 量有關之情報輸出至控制裝置CONT。此時,控制裝置 C〇N T,依基板驅動部P S T D及檢測器驅動部的各驅動量,可 以檢測出光檢測器4 1的位置。 如第9圖所示,在罩幕Μ的圖案區域中形成畫素圖案44 及,位於該晝素圖案44的Υ方向兩端的周邊電路圖案45a、 4 5 b。在晝素圖案4 4中,對應複數的畫素之複數個電極, 形成整齊規則配列的圖案。在周邊電路圖案4 5 a、4 5 b中, 形成驅動素圖案4 4之電極的驅動電路。 各個投影區域5 0 a〜5 0 g 依所定的大小設定,此時,如 第8圖所示,設長邊的長度為L1 ,短邊的長度為L2,鄰接 投影區域之間隔(投影區域Y方向距離)為L 3。 又,第9圖所示罩幕Μ的周邊電路圖案45a、45b,為與 第10圖所示感光基板P的周邊電路圖案61a、61b同一尺 寸,同一形狀,配置在罩幕Μ上可受兩端外側的投影光學 系統5 0a、5 0g 曝光。罩幕Μ的晝素圖案44,與感光基板P 的晝素圖案60 ,X方向的長度相同,但Y方向長度不同。 其次,說明利用具有上述構成的曝光裝置E X,對曝光 EL同步移動罩幕Μ與感光基板P進行掃描曝光,並使罩幕Μ 之圖案像的一部份重複曝光,分成複數次的掃描曝光,在 感光基板Ρ連接曝光圖案的方法。 在以下的說明中,罩幕台M S Τ及基板台P S Τ的移動,全部 由控制裝置CONT控制,透過罩幕台驅動部MSTD及基板台驅 動部P S T D操作。
l()17()pif.ptd 第26頁 561523 五、發明說明(23) 又,在以下的說明中一 成的圖案,分割成兩個區°,二:,將在罩幕M上形 為la包含周邊電路圖宰/5’刀σ圖案46,υ方向長度 分割圖案47,γ方向之案 的-部份;以及 圖案44的-部份。將該些,广圖3案:邊1路圖案45b及畫素 曝光,分成兩次的掃描暖^ ^^ 7各個的一部重複 成。然後,感光基板Ρ上全體的 示,因兩次的掃描曝光,^ #的八宝丨固莱為如弟1 0圖所 γ方而总洚為丨Α ,勺人九形成的刀割圖案(曝光區域)62 , 又二匕έ周邊電路圖案6la與蚩辛圖宰6〇之部 份,以及分割圖案(曝光F⑴^ ,V古/、旦素圈莱b u之口丨 用、喜命,々闺安作丄九£域)63 γ方向長度為LB,包含 1 e, J 旦素圖案6 〇的部份。該全體的曝光圖 案即由該些一組为割圖案6 2、6 3合成。 此處,長度L A為投影區域5 〇 a的短邊之+ γ方向端點,與 才又衫£域5 0 e的短邊與在對應5 〇 e的光路配置之遮蔽器3 〇 β 的交點之間的Y方向之距離。長度LB為投影區域5〇c的短邊 與配置於對應投影區域5 0 c的光路之遮蔽器3 〇 A的交點,與 投影區域5 0 g的短邊之-Y方向端點間的Y方向之距離。 又,設分割圖案6 2與分割圖案6 3,在感光基板p上的重 複區域(接合部)64重疊;設重複區域64的γ方向的長度LK 與投影區域5 0 a〜5 0 g的重複區域5 2 a〜5 2 f同一距離。 則,重複區域6 4的Y方向之距離的長度L K ’如第9圖所 示,由遮蔽器3 0 B的Y方向之位置與投影區域5 〇 e來設定, 與在投影區域5 〇 e之内向+ Y側連續衰減累計曝光量的接續 部48之Y方向距離^一致。同樣地’長度LK由遮敵器30A的γ
H)17()pi f .ptd 第27頁 561523 五、發明說明(24) 方向之位置與投影區域5 0 c來設定’與在投影區域5 0 c内的 向-Y側連續衰減累計曝光量的接續部4 9的Y方向距離一 致。亦即,設定遮蔽器3 0 A、3 Ο B各別的前端部之形狀(傾 斜角度),使接續部4 8與4 9的Y方向之距離一致。 又,在檢測遮蔽器4 8、4 9各別的前端部位置時,可使 用如第2 4 ( b ) 、( c ) 圖所示的感應器,移動至感應器檢測 光量為一半(約5 0 % )時的位置,再對合此位置亦可。 在罩幕Μ上,依遮蔽器3 0形成接續部4 8、4 9的各位置, 即欲進行接續曝光的各區域已預先設定好,在相當該接續 部4 8、4 9之欲設定位置(接續曝光區域)之罩幕Μ的圖案近 傍,設置為對合遮蔽器3 0之位置的位置對合標記6 0 ( 6 0 A、 60B)° 以下,參照第1 1圖說明曝光順序。本實施例為,將罩 幕Μ的分割圖案4 6、4 7的接續部4 8、4 9,在感光基板(玻璃 基板)Ρ接續合成,以製造較罩幕Μ的連續圖案區域45a、 4 4、4 5 b更大的液晶元件。 首先,由控制裝置CO NT預先設定,對感光基板P的罩幕 Μ的圖案配置位置有關之情報,及在罩幕Μ的圖案接合位置 有關之情報。即在感光基板Ρ上之罩幕Μ的分割圖案4 6、4 7 各別需曝光之位置,預先設定,同時在罩莫Μ上的接續部 48、49的設置位置,亦先設定。 控制裝置CONT,驅動視野光圈20與遮光板40的同時也 驅動罩幕台MST,對合罩幕Μ的圖案,以設定曝光ΕΧ照射的 照射區域。又,控制裝置CONT使用投影光學系統Pla〜PLg
10170pif.ptd 第28頁 561523 五、發明說明(25) 各別設置的視野光圈2 0及遮光板4 〇,調整開口 κ的大小及 形狀,來設定在感光基板投影之投影區域5 0 a〜5 〇 g的掃描 方向(X方向)之兔度’及非知描方向(γ方向)的寬度。 然後,控制裝置C Ο N T,依據預先設定的格式化之曝光 處理有關情報,設定持續曝光進行之際的遮蔽器之位置。 此處,在,本。實施例,如第1 〇圖所示。在第一次的掃描 曝光時,遮蔽器3 Ο Β配置成遮住投影區域5 〇 e的一部份;遮 蔽器3 Ο A則設疋成避開光路。另一方面,在第二次的掃描' 曝光時,遮蔽器3 〇 A配置成遮住投影區域5 〇 c的一份 蔽器B別設定成避開光路。 ’ 控制裝置C〇 NT ’設定第一次掃描曝光進行時的遮蔽器 3 Ο B之位置(步驟s 2 )。 即,控制裝置CO NT,對在罩幕μ的曝光EL的照射區域 (即分割圖案4 6 )之一邊的接續部4 8内設置的罩幕Μ之圖 案,對合繼繽曝光用的蔽遮器3 〇 Β的位置。 具體地說,控制裝置C Ο Ν Τ,將設於罩幕Μ上與接續部(重 複區域)4 8對應的位置對合標記6 〇 β,與遮蔽器3 〇 Β之前端 部的位置對合。在^幕Μ的位置對合標記6〇β與遮蔽器3〇Β 合對位置之際’如第1 2圖的模式圖所示,由設在基板台 pST的校準用> 發光部7〇射出校準光線,通過投影光學系統 pL照射到罩幕>的位置對合標記60B。照射到罩幕μ的位置對 合標記6 Ο Β的权準透過罩幕後,通過遮蔽器3 〇 β的前端 部近傍,在校準^用文光部7 1受光。此時,一面將校準光照 射位置對合標5己’ 一面將遮蔽器3 〇 Β在γ方向移動,就可產
10 丨 7()P1 I’.ptd 第29頁 561523 五、發明說明(26) 生受光部7 1接受的校準光被遮蔽器3 Ο B遮光,受光量只有 例如5 0 %之狀態。此時,受光部7 1的檢出訊號輸出到控制 裝置CONT,控制裝置CONT,將受光部71從有接受校準光之 狀態到變為無受光狀態時的遮蔽器3 Ο B的位置,對照位置 對合標記6 Ο B,判斷遮蔽器3 Ο B己經對合位置。遮蔽器3 Ο B 與位置對合標記6 Ο B位置對準了 ,對接續部4 8也對位了。 、此處,位置對合標記6 0B,設在罩幕Μ的-X側端部及+ X 側端部二處。該二位置對合標記6 Ο Β各別與遮蔽器3 Ο Β的位 置對合,預先做好,就可依據該些預做的位置情報設定遮 蔽3 Ο Β的位置再行掃描曝光,可用遮蔽器3 Ο Β設定所望的接 續部4 8。 如以上所述,在遮蔽器3 Ο Β與罩幕位置對合標記6 Ο Β的 位置對合後,控制裝置CONT,將此時的遮蔽器30Β及罩幕 台MST (罩幕Μ )的位置有關情報,在記憶裝置(未圖示)記憶 (步驟S 3 )。 其次,控制裝置C0NT,設定第二次掃描曝光進行時,遮 蔽器30Α的位置(步驟S4)。 即,控制裝置CONT,對在罩幕Μ的曝光EL之照射區域 (分割圖案4 7 )的一邊之接續部4 9内的圖案,對合繼續曝光 用的遮蔽器3 0 Α的位置。 具體地說,控制裝置CONT,將設於罩幕Μ上與接續部 (重複區域)4 9對應的位置對合標記6 0 A,與遮蔽器3 0 Α的前 端部之位置對合。在罩幕Μ的位置對合標記6 0 A與遮蔽器 3 0 A的位置合對,可用第1 2圖說明的方法同樣的順序進
10170pif.ptd 第30頁 561523 五、發明說明(27) 行。由遮蔽器3 Ο A與位置對合標記6 Ο A位置對合,對接續部 4 9亦可對準位置。 此處,位置對合標記6 0 A,亦設在罩幕Μ的-X側端部及 + X側端部的二處。該二處位置對合標記6 Ο Α各別與遮蔽器 3 Ο A的位置對合,預先做好。就可依據該些位置情報邊設 定遮蔽器3 Ο A的位置邊做掃描曝光,可用遮蔽器3 Ο A設定所 望的接續部4 9。 如以上所述,遮蔽器3 Ο A與罩幕位置對合標記6 Ο A位置 對合後,控制裝置C Ο N T,將此時遮蔽器3 Ο A及罩幕台 MST(罩幕M)的位置有關情報在記憶裝置記存(步驟S5)。 其次,進行各投影區域5 0 a〜5 0 g 的照度校正及位置檢 測。 先在基板台PST未載置感光基板P之狀態,在對應感光 基板P上之分割圖案6 2 (長L A之部份)的區域,開始曝光動 作(步驟S 6 )。 具體的說法為,首先,控制裝置CONT驅動濾光器驅動 部1 4,移動濾光器1 3,使光源1來的光束以最大透過率透過 濾光器1 3。濾光器1 3移動時,光束由光源1透過橢圓鏡1 a 照射。照射的光束透過濾光器1 3,半透明鏡1 1 、罩幕Μ, 投影光學系統P la〜PLg等之後,到達基板台PST上。此時, 將罩幕Μ移動到一個,在曝光EL的照射區域不會形圖案等 的位置。 此時,各投影區域5 0 a〜5 0 g已由各視野光圈2 0及遮光板 4 0設定,遮蔽器3 Ο B已退離光路。
10170pif.ptd 第31頁 561523 五、發明說明(28) 與此同時’將光檢測器4 1在分吾彳圖案β 2對應的區域 内’往X方向及Υ方向移動,使在投影光學系統p L a〜p l g對 應的投影區域5 0 a〜5 0 g掃描。由知描的光檢 '測器4 1可順次 計測各投影區域5 0 a〜5 0 g的照度’及邊界部& 1 a〜5 1 1的照度 Wa〜W1 (步驟S7) ° 光檢測器4 1的檢測訊號輸出至控制裝置c〇NT。控制裝 置CONT依據光檢測器4 1的檢測訊號進行影像處理,檢出各 投影區域5 0 a〜5 〇 g及邊界部5 1 a〜5 1 1的形狀及照度。然後, 控制裝置(:0^將該些邊界部513〜511的照度^〜以記存於記 憶裝置。 其次’依據光檢测器4 1計測的邊界部5 1 a〜5 1 1的照度 Wa〜W1 ,為使該些照度Wa〜W1略成所定值且(|Wa —Wb| 、 |Wc-Wd| 、|We-Wfl 、|Wg-Wh| 、|Wi-Wj| 、|Wk一Wl|)成為最 小’一邊用光檢剌器4 1計測照度,一邊對每一照明組件 I M a〜I M g各別驅動濾光器1 3 (步驟S 8 )。 如此,可修正各光路的光束之光量。 此時,由光源1照射的光束,由半透明鏡丨丨將其一部份 射入光檢測器1 2 ,光檢測器丨2檢測入射光束的照度,檢出 的照度信,輸出到控制裝置C0NT。因此,控制裝置亦可依 據光檢測^§ 1 2檢出的光走之昭疮 ^ ΑΓ7 1 /1 戌#狀洛从 — 术之照度,控制濾光器驅動部1 4, 使4 Α?、度維持所疋之值,以烟敕 μ,丨姑:π J 以调整各光路的個別光量。 的朵旦據掃描之光檢測器41檢測的曝光光 s 9 )。里Ρ之情 隹求各個邊界部5 1 a〜5 1 1的位置(步驟
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第32頁 561523 五、發明說明(29) 亦即’依據掃描的光檢測器4 1的檢測訊號,控制裝置 C〇N T,推求對所定的座標系統的各邊界部5 1 a〜5 1 ^之形 狀,再依該推求的形狀,求得各邊界部5 1 a〜5 1 1在該所定 之座標系統的位置。具體地說,推求三角形狀的邊界部5 1 a〜5 1 1之中,如前端位置或圖心位置等代表性的指定位 置。 此時,光檢測器4 1的位置,可依據各驅動部對基準位 置的驅動量推求。即,設定光檢測器4 1的初期位置(待機 位置)等為基準位置,可推求掃描的光檢測器4 1對該基準 位置移動之位置。控制裝置C Ο N T,依據光檢測器4 1對基準 位置之移動位置,推求各邊界部5 1 a〜5 1 1對基準位置的位 置。 然後,控制裝置CONT,在記憶裝置記存各邊界部 5 1 a〜5 1 1在所定座標系統的位置。此時各投影區域5 0 a〜5 0 g 的相對位置也記憶了。 在遮蔽器3 Ο B退離光路之狀態,進行各投影區域 5 0a〜5 Og 光量調整及位置檢測後,控制裝置CO NT依據記憶 裝置的情報,將遮蔽器30B配置在步驟S2設定之位置,在此 狀態進行曝光動作。然後,控制裝置C0NT用光檢測器41檢 測相當於接續部48的投影區域5 0e的小區域KB的照度。 此處,小區域K B因遮蔽器3 0 B,向-Y方向連續的衰減在 感光基板P上的重複區域6 4的累積曝光量。 光檢測器4 1的檢測訊號輸出到控制裝置C0NT,控制裝 置C 0 N T依據光檢測器4 1的檢測訊號進行影像處理,檢出小
10i70pif.ptd 第33頁 561523 五、發明說明(30) 區域KB的形狀及照度。以後,控制裝置c〇NT,在記憶裝置 記憶該小區域KB的形狀及照度Wkb。控制裝置c〇NT再依據 光檢測器4 1檢測的曝光的光量有關之情報,推求該小區域 KB的位置及形狀。所謂小區域KB的位置,乃指三角形小區 域KB中的如前端位置或圖心位置等代表性指定位置。 小區域KB的照度’位置及形狀求得後,控制裝置 CONT ’將遮蔽器30B退離光路同時配置遮蔽器3〇a於步驟S4 設定之位置’在此狀態進行曝光動作。控制裝置用光檢測 器41檢測相當於接續部49的投影區域50c的小區域KA的照 度Wka(步驟SI 1 ) 〇 此處’小區域K A因遮蔽器3 〇 a,向+ Y方向連續的衰減在 感光基板P的重複區域64的累積曝光量。 光檢測器4 1的檢測訊號輸出到控制裝置c 〇 N τ,控制裝 置C Ο Ν Τ ’依據光檢測為4 1的檢測訊號進行影像處理,檢出 小區域ΚΑ的形狀及照度。然後,控制裝置c〇NT,在記憶裝 置A憶遠小區域KA的形狀及照度fkb。控制裝置⑶NT再依 據光檢測為4 1檢測的曝光的光量有關之情報,推求該小區 域KA的位置及形狀。所謂小區域kb的位置,乃指三角形的 小區域KA中的如前端位置或圖心位置,等代表性指定位 置。 控制裝置C Ο N T ’依據在步驟S 1 0求得的小區域κ b的照度 Wkb,及在步驟SI 1求得的小區域KA的照度Wka,利用光檢 測态4 1 一面計測照度’一面在照明組件I μ c與I M c驅動濾、光 器1 3,使照度W k a與W k b大略成所定之值,且使(| w a _ w b | 、
l〇170pif.ptd 第34頁 561523 五、發明說明(31) |Wc-Wd| 、|We-Wfl 、|Wg-Wh| 、|Wi-Wjl 、|Wk-Wl| 、 IWka-Wkbl)之值為最小(步驟S12)。 控制裝置CO NT,依據在步驟SI 0及SI 1檢測的小區域K A 及小區域KB的形狀,進行該些小區域KA與KB的形狀修正 (步驟S 1 3 )。 例如,對前面檢出的小區域KB的形狀,後面檢出的小 區域K A的形狀非如所望的形狀時,或如在掃描曝光時未均 一重複之場合,或小區域KA及KB形成的重複區64之寬度LK 與各投影區域5 2 a〜5 2 f的寬度,大幅差異之場合等時,需 要驅動投影區域5 0 e或投影區域5 0 c對應的投影光學系統 P L e或P L c的像移動機構1 9,倍率調整機構2 3、直角稜鏡 2 4、2 7以修正移位,變換比例,迴轉等之像特性(透鏡校 正)。 又,控制裝置C 0 N T,在投影區域5 0 a〜5 0 g的各別形狀不 是所定的形狀時,或鄰的投影區域5 0 a〜5 0 g間的重複區域 5 2 a〜5 2 f的寬度,因掃描曝光而變化之場合等,皆能夠驅 動各投影光學系統PLa〜PLg的像移動機構1 9,倍率調整機 構23、直角稜鏡24、27以修正特性。控制裝置CO NT,將該 些修正值記憶於記憶裝置。 如上所述,進行包含接續部的投影區域5 0 a〜5 0 g的校正 (照度校正、透鏡校正)後,進行實際曝光處理,控制裝置 C0NT將罩幕Μ配置於曝光的光路上,同時經未圖示的裝載 機在基板台PST和基板架ΡΗ裝載感光基板Ρ (步驟S14)。 進行弟一次的掃描曝光,控制裝置依據上述各項校正
10170pif.ptd 第35頁 561523 五、發明說明(32) 工程設定的設定值或修正值,依視野光圈2 0及遮光板4 0設 定在掃描方向及非掃描方向具有所定之寬度的投影區域; 同時驅動罩幕台MST,配合罩幕Μ的圖案設定曝光EL照射的 照射區域。然後,控制罩幕台MST的位置,使罩幕Μ的圖案 區域中至少第一次掃描曝光所用的分割圖案4 6 ,能受到曝 光EL的照射,同時,如第1 2圖說明的,使用在罩幕Μ形成 的位置對合標記6 Ο Β,調整遮蔽器3 Ο Β的位置,使遮蔽器 3 Ο Β遮住投影區域5 0 g對應的光路,以及遮蔽投影區域5 0 e 的一部份(步驟S 1 5 )。 再利用罩幕Μ的位置對合標記6 0B,將基板台PST上載置 的感光基板Ρ與罩幕Μ的位置對合(步驟S 1 6 )。 此處,在感光基板Ρ的繼續曝光區域,亦即相當於感光 基板Ρ的重複區域6 4的圖案區域近傍,預先設有基板位置 對合標記72。控制裝置CONT,對合罩幕台MST載置的罩幕Μ 的位置對合標記6 OB,與基板台PST上載置的感光基板Ρ的 位置對合標記72的位置,就可在感光基板P的曝光區域6 2 對合罩幕Μ的分割圖案46的位置曝光。 又,在罩幕Μ的位置對合標記6 0 Β與感光基板Ρ的位置對 合標記7 2位置對合之際,例如第1 3圖的模式圖所示,由設 在罩幕Μ上方的發光部7 5對罩幕位置對合標記6 0 Β照射校準 光。照射在位置對合標記6 0 Β的校準光穿過罩幕Μ,經投影 光學系統PL照射到感光基板Ρ的基板位置對合標記72。然 後,在基板位置對合標記7 2反射的反射光,再經過投影光 學系統PL及罩幕Μ的位置對合標記60Β,由設在罩幕Μ上方
l()17()pif .ptd 第36頁 561523 五、發明說明(33) 的受光部7 6檢出。依擔 及基板位置對合棹罩幕位置對合標記6〇B的反射光, 置’使罩幕位置對1 ^的反射产,調整基板台PST的位 一致就可以。 σ心§己6 0 B與基板位置對合標記7 2成為 另外,因感光基 置對合標記的反射来為玻璃基板,故可不需檢測基板位 通過罩幕位置對合々如在基板台設受光部76,,依據 記72之夹,斟八罢Γ 5己6 0B的光’與通過基板位置對合標 此處基板口位罩置幕董;=光7,板^位置也可以。 樣地,在感光美相P對β私記與罩幕位置對合標記同 成。該些剩二^側篡端位部側端部的兩個處所形 側及-X側的基板位置對合標記60B ’各別與+x 該些位置情報進行提””J保存。依據 ‘ μ %、+、 ^ π ^田喂尤 j知向曝光精度。 幕Μ盥、療齡^’ηβ進行罩幕Μ與感光基板P的位置對合,及罩 ρ進二^ : 的位置對合後,控制裝置CONT對感光基板 P進仃弟一次的掃描曝光處理(步驟si7)。 首先β,將分割圖案62(長度LA之部份)對應的部份曝 =。此%^ ’投影光學系統pLf對應的照明組件IMf的照明 一、門6 ’文快門驅動部β a的驅動***光路中,如第1 〇圖所 示’遮住了投影區域5 〇 f對應之照明光的光路。此時,照 明組件IMa〜lMe與iMg的照明快門β,開放著各光路。但, 遮蔽器3 Ο B遮住投影區域5 〇 e的一部分,及投影區域5 〇 g的 全部光路。由於遮光器3〇B,在投影區域50e形成有γ方向 減光特性的小區域KB,對感光基板p設定包含周邊電路6 1 a
10l7()Pif.ptd 第37頁 561523 五、發明說明(34) 與畫素圖案60之一部份的Y方向長度LA的曝光區域。 然後,向X方向同步移動罩幕Μ與感基板P,進行第一次 的掃描曝光。如此,如第1 0圖所示,在感光基板Ρ上曝光 由投影區域5 0 a、5 0 b、5 0 c、5 0 d及投影區域5 0 e的一部份 設定的分割圖案6 2。而且,由於遮蔽器3 0 B設定的小區域 K B,因掃描曝光在分割圖案(曝光區域)6 2的-Y側的一邊形 成的重複區域6 4,為向該分割圖案6 2的-Y側連續的衰減曝 光量。 其次,為進行第二次的掃描曝光,進行基板台P S T對準 所定位置的位置對合(步驟S 1 8 )。 具的方法為,將基板台P S T向+ Y方向的所定距離進步移 動同時進行微調調整。 為進行第二次掃描曝光的基板台PST之位置對合,將在 罩幕Μ的内接續部4 8對應形成的罩幕位置對合標記6 0 A,與 在感光基板P的内重複區域6 4對應形成的基板位置對合標 記7 2的位置對合。控制裝置C Ο N T,如第1 3圖所示順序說 明,由發光部7 5對罩幕位置對合標記6 0 A發射校正光,再 依據該校正光透過投影光學系統照射在感光基板P的位置 對合標記7 2之反射光,與罩幕位置對合標記6 0 A的反射 光,調整基板台PST的位置,使罩幕對合標記60A與基板位 置對合標記7 2成為一致。 如上述,使用在罩幕Μ形成的罩幕位置對合標記6 0,與 在感光基板Ρ形成的基板位置對合標記7 2,在繼續曝光之 際對合接續部的位置,可提高決定之接續部位置的精度。
10170pif.ptd 第38頁 561523 五、發明說明(35) 罩幕Μ與感光基板P的位置對合之後,控制裝置CO NT, 將遮蔽器3 Ο B退離曝光EL的光路,同時使遮蔽器3 Ο A在Y方 向移動,遮住投影區域5 0 c的一部份,及投影區域5 0 a的全 部光路(步驟S 1 9 )。 此時的遮蔽器3 Ο A之與罩幕Μ的位置對合,亦如第1 2圖 說明,可對罩幕位置對合標記6 Ο Α重合遮蔽器3 Ο Α的位置。 在所定位置對合的遮蔽器3 0 A,在投影區域5 0 c的一部份, 形成具有向Y方向減光特性的小區域K A。又,投影光學系 統PLb對應的照明組件IMb的照明快門6,受快門驅動部6a 的驅動***光路之中,如第1 0圖所示,將投影區域5 0 b對 應之光路的照明光遮斷。此時,照明組件I M a,I M c〜I M g的 照明快門6開放著各光路。此時,遮蔽器3 0 A遮住投影區域 5 0 c的一部份及投影區域5 0 a對應的光路,對感光基板P設 定包含周邊電路6 lb及晝素圖案60之一部份的Y方向長度LB 的曝光區域。 如此,控制裝置C Ο N T,依據第一次掃描曝光的小區域 KB形成的重複區域64(接續部48),向+ Y方向移動基板台 PST,使第二次掃描曝光所投影曝光的小區域KA之接續部 4 9與第一次掃描的接續部對合。 此處,在第二次掃描曝光之進步移動時,或在遮蔽器 3 Ο A的向光路上配置時,控制裝置CO N T,依據校正時在記 憶裝置記憶的各設定值,修正值,可對感光基板P修正影 像特性,或對遮蔽器3 Ο B的微調整。亦即可能調整影像特 性(移動、變換比率、迴轉)使基於小區域KA的重複區域64
10170pif.ptd 第39頁 561523 五、發明說明(36) 與基於小區域K B的重複區域6 4成一致。 又,可以調整基板台PST的位置,使圖案的重複區域6 4 與重複區域以外各別曝光的照射量略成一致。即,各小區 域KA及KB的各別之形狀或光量在步驟S1 0〜S1 3中預先檢 測,調整記存。控制裝置CO NT,依據記憶的各小區域κ A、 KB之形狀或光量,進行微調整基板台PST的位置,使圖案 的重複區域6 4與重複區域以外(即區域6 2、6 3 )的照度略成 一致。具體的說,第一次的掃描曝光之小區域KB,與第二 次掃描曝光的小區域K A,各別的在重複區域6 4的曝光照射 量為如第1 4圖所示的照度分布。如為第1 4 ( a )圖所示之第 一次掃描曝光的小區域KB與第二次掃描曝光的小區域KA, 在重複區域6 4的曝光的合計照射量,較重複區域6 4以外的 曝光照射量低之場合,調整基板台P S T的位置,使加大重 疊之重圍,如第1 4 ( b )圖所示,可使全部位置的曝光之照 射量略成一致(步驟S 2 0 )。 或者,驅動遮蔽器3 0,調整在重複區域6 4的曝光照射 量,使重複區域6 4的曝光照射量與重複區域6 4以外的曝光 照射量大略一致,也可以。如上述方法,可修正各光路光 束之光量。 又,第二次掃描曝光時,遮蔽器3 Ο A在光路上的配置, 因在校正時己預先設定好其所望之位置對基準位置之關 係,故依據該設定值,移動遮蔽器3 0也可。 在第二次掃描曝光時,基板台PST的上步移動,不用基 板位置對合標記72與罩幕位置對合標記60A也可以。此場
10170pif.ptd 第40頁 561523 五、發明說明(37) 合,基板台PST的上步移動,可依據校正時預先求得的情 報上步移動。另外,亦可依據校正時求得之各小區域KA、 KB的位置,移動基板台pst,亦即,在第一次掃描曝光投 影曝光的重複區域6 4 (接續部4 8 )對應基準位置的位置關係 己求出,第二次掃描曝光時,即設定基板PST的位置,使 投影曝光的接續部4 9與該重複區域6 4成所定的位置關係。 然後,罩幕Μ與感光基板P向X方向同步移動,進行第二 次掃描曝光(步驟S 2 1 )。 如第10圖所示,在感光基板Ρ上,有由投影區域50c的 一部份、50d、50e、50f、50g設定的分割圖案63曝光。因 遮蔽器3 0 A設定的小區域K A,掃描曝光時在分割圖案6 3 (曝 光區域)的+ Y側之邊形成的重複區域6 4,有由該分割圖案6 3 邊向+ Y方向連續的衰減的光量分佈,與第一次掃描曝光時 形成的重複區域6 4重複,可獲得所定的合成曝光量。 如上所述,完成用一片罩幕Μ,對比該罩幕大的感光基 板Ρ繼續曝光(步驟S 2 2 )。 如以上說明,對由視野光圈2 0及遮光板4 0設定的圖案 影像(投影區域),配置可在Υ方向移動的遮蔽器3 0,就能 夠任意設定在罩幕Μ的圖案的接續部(分割位置)4 8、4 9。 因此,能夠任意設定在感光基板Ρ形成的圖案之大小,能 夠高率製造任意的元件。 又,遮蔽器3 0被設成在非掃描方向移動,具有向照明 光學系統I L的照射區域的周邊,連續地衰減在圖案接續部 (重複區域)的累計曝光量之減光特性,故能設定接續部的
10170pif.ptd 第41頁 561523 五、發明說明(38) 曝光量為所望之值,可使重複區域6 4及重複區域6 4以外的 曝光量一致。因此能進行精度良好的曝光處理。 又,遮光板4 0及遮蔽器3 0可分別對視野光圈2 0移動, 因此能任意設定對感光基板P之曝光E L的投影區域5 0 a〜5 0 g 的大小或形狀,故繼續曝光之際,可提升接合精度或曝光 量的均一化。 利用視野光圈2 0、遮光板4 0及遮蔽器3 0,將投影區域 分割成複數的5 0 a〜5 0 g,將該些投影區域接合曝光,形成 所謂的多鏡掃描型曝光裝置,不僅保持良好的成像特 性,且不需裝置大型化就可形成大的圖案。投影光學系統 P L,由在掃描方向之直交方向並列的複數個投影光學系統 P L a〜P L g形成,複數的光學系統P L a〜P L g之中,遮住所定的 光學系統的光路,就能夠容易地調整每次掃描曝光的投影 區域。另外,在接合分割圖案6 2、6 3之際,不需使用大型 的罩幕Μ,能夠在大型的感光基板P形成均一的圖案。因 此,能夠防止裝置的大型化及成本增大。 分割成複數的投影區域5 0 a〜5 0 g的形狀為梯形,故在繼 續曝光進行之際,接續部與接續部以外的曝光量,容易達 成/致。 在罩幕Μ上,相當於繼續曝光區域的接續部4 8、4 9,設 有為與遮蔽器3 0位置對合的位置對合標記6 0 A、6 Ο Β,利用 該些位置對合標記,能夠精確對合遮蔽器3 0的位置。因 此,能在重複區域6 0曝光所望的曝光量。 在感光基板P上’相當於繼纟買曝之區域6 4,亦設有與罩
10170pif.ptd 第42頁 561523 五、發明說明(39) 幕位置對合標記6 0 A、6 Ο B位置對合的基板位置對合標記 7 2,故罩幕Μ與感光基板的位置對合精良,可提高曝光精 度’而且’為進行複數次的掃描曝光’在上步移動基板台 P S Τ時,亦使用位置對合標記6 0 A、6 Ο Β、7 2就可以,所 以,可提升位置對合精度。 本實施例中,對投影辱域5 0 a〜5 0 g重複的邊界部 5 1 a〜5 1 1的照度,進行計測、修正使略成一致,使接續部 5 2 a〜5 2 f的照度均一。再變更遮蔽器3 0或遮光板4 0的γ方向 之位置,在分割圖案6 2、6 3的重複區域6 4的照度,與其他 區域照度相同,使圖案全體用均一的曝光量曝光,可使圖 案的線條寬度在圖案全面均一。因此,能提升曝光後的液 晶元件的品質。 / 在第9圖、第1〇圖中,重複區域64的Y方向長度lk ,設 定成與投影區域50a〜50g的重複區域52a〜52f同一長度。 但,可變更遮蔽器3 0 A ( 3 0 B )的前端部的傾斜角,使$割 案62及63間的重複區域64的Y方向長度,與上述之重複1區' 域52a〜52f的Y方向長度不同,也可以。 °° 又,在本實施例中,在分割圖案6 2與分割圖案6 3接人 之際,在第一次掃描曝光時,用遮蔽器3 〇 B遮住投影區& 5 0 e的一部份,形成小區域κ B ;在第二次掃描曝光日^,用 遮I器3 0 A遮住投影區域5 0 c的一部份,形成小區域& a。使 該些小區域KA、KB重疊,但形成小區域KA、KB的投影區 域,在投影區域5 0 a〜5 0 g中之任一個皆可以。即,複數次 的掃描曝光在任意的投影區域,形成具有γ方向減光特性
l〇170pi f.ptd 第43頁 561523 五、發明說明(40) 的小區域,可重疊該些小區域。尚且,照明快門6的可對 任何光路遮光。 本實施例,第一次掃描曝光使用遮蔽器3 0 B,第二次掃 描曝光使用遮蔽器3 0 A。但,如第1 5圖所示,第一次掃描 曝光使用遮蔽器3 0 B,第二次掃描曝光則不用遮蔽器,改 用照明快門6遮住所定投影區域的光路也可以。又,第1 5 圖中,第一次掃描曝光時,用照明快門6遮住投影區域5 0 f 對應的光路;第二次掃描曝光時,用照明快門6擋住投影 區域5 0 a、5 0 b對應的光路。 上述實施例,為並列的複數之光路有七個,與之對應 設置照明組件I M a〜I M g,及投影光學系統P L a〜P L g之構成。 但,設置光路一個,照明組件及投影光學系統各一個的構 成亦可。即,可適用於分成複數之的掃描曝光,使罩幕的 圖案影像的一部份重複曝光的曝光方法及曝光裝置。 再者,並列的複數個光路並不限於七個,例如六個以 下或八個以上的構成也可以。 上述的實施例’檢測投影區域的曝光之光量有關情報 的光檢測器4 1只設一個,但亦可設置複數個與基準位置之 位置關係已知道的光檢測器。可利用該些複數個光檢測器 同時檢測各邊界部5 1 a〜5 1 1的照度Wa〜W 1。此場合。能夠高 速檢測各投影區域5 0 a〜5 0 g及邊界部5 1 a〜5 1 1的照度,或邊 界部5 1 a〜5 1 1的位置,可提高作業性能。 上述實施例為,在進行校正之際,用光檢測器4 1檢出 照度,再依據該檢出結果進行校正的構成。但在校正時,
10170pif.ptd 第44頁 561523 五、發明說明(41) 對實際之試驗用感光基板進行曝光處理,計測形成之圖案 的形狀,依據此計測結果進行校正亦可。 又,上述實施例,第一次掃描曝光完了後,為進行第 二次掃描曝光的上步移動後的感光基板P的位置對合,使 用在罩幕Μ形成的罩幕位置對合標記6 0,與在感光基板P形 成的基板位置對合標記7 2。但在校正時,頂先設定上步移 動的距離,再依據該設距離上步移動亦可。 又,液晶元件(半導體元件)為由複數的材料層堆積形 成,例如在進行第二層以下之曝光處理時,因顯像處理或 各種熱處理,感光基板Ρ有變形之場合。此場合,只要在 校正時推求感光基板Ρ的比例等影像特性的變化量,算出 修正值(偏移量),再依據該修正值上步移動即可。再者, 此場合亦如前述之情況,可依迴轉、移位等各影像特性的 變化量,驅動遮蔽器3 0或遮光板4 0的位置設定投影區域, 以進行繼續曝光的控制。 又,上述實施例中,光源1只有一個,但光源1可不只 一個每一光路各設一個,共設複數的光源,用光導引 (1 i g h t g u i d e )設備等將複數的光源合成一個光束,再把 光分配到各光路的構成也可以。此場合,不僅可排除光源 光量的差異產生的不良影響,而且光源的一個消失亦僅降 低全體的光量,可防止被曝光的元件成為不能使用。又, 設置複數的光源1 ,在光束的合成、分配之際,照射之曝光 的照射量,可用N D濾光器等可改變透過光量的濾光器,插 入光路中,以調整成所望的照射量,控制各投影區域
10170pif.ptd 第45頁 561523 五、發明說明(42) 5 0 a〜5 0 g的曝光之照射量亦可。 又,上述實施例中,投影區域5 0 a〜5 0 g的形狀為梯形, 但,六角形、菱形或平行四邊形也可用。只是,因使用梯 形形狀可使繼續曝光容易安定地進行。 上述實施例為,用兩次掃描曝光在感光基板P上將晝面 合成之構成,但並不以此為限,例如用三次以上的掃描曝 光在感光基板P上合成晝面的構成亦可。 又,上述實施例中,對投影光學系統PL用分成複數個 (PLa〜PLg)的設備說明,但,由第6圖可容易瞭解,由視野r 光圈2 0與遮光板4 0形成矩形縫隙(s 1 i t)的單透鏡之投影光 學系,或者非矩形,有圓弧縫隙的曝光區域的曝光裝置 也可適用。而且,利用第二遮光板30對曝光區域移動,可 在位意的位置接合。 第1 6圖示進行二次掃描曝光,將圖案分割為三個分割 圖案P a、P b、P c後合成之例。第1 6圖所示之複數的投影區 域不是多鳥狀,而是一列的配置形態。在曝光圖案P a時, 用遮蔽器30B形成接續部80a ;圖案Pb曝光時,用遮蔽器 30A及30B形成接續部80b及80c ;圖案Pc曝光時,用遮蔽器 3 0 A形成接續部8 0 d。此處,在罩幕Μ的圖案之周邊,形成 有特定之形狀週期當做電路圖案的週期圖案8 1 。罩幕Μ與 遮蔽器3 0 A、3 0 Β的位置對合標記6 0 A、6 0 Β,在週期圖案8 1 的各邊界部之相當的位置形成。如此之週期圖案8 1要繼 續曝光之場合,從前,因配合各投影區域設定的接續部, 接續部的位置不能任意設定,週期圖案8 1繼續曝光有因
10170pif.ptd 第46頁 561523 五、發明說明(43) 難;在本發明,利用可在Y方向移動的遮蔽器3 0 ’能夠任 意設定接續部的位置’所以能夠使在感光基板p形成的複 i的週期圖案8 1 a〜8 1 h,與對其配設的配線的線數(間距) 一致,能夠高精度進行繼續曝光。 上述實施例中的遮蔽器3 0 ’在其前端部的X方向寬度向 Y方向逐漸縮小,形成斜面的遮蔽體’但’只要在掃描時 能將重複區域的Y方向之累積曝光量連續地衣減之形狀皆 可用,例如第1 7圖所示’ X方向的寬度為向γ方向逐漸縮小 形成複數的鋸齒狀也可以。此場合’据齒部份的γ方向之 形成範圍,即為重複區域的υ方向長度lk °又’第17圖示 照明快門6遮住投影區域5 f對應之光路的狀態。 上述實施例說明的’設於投影區域5 0 a近傍的遮蔽器 30A,與設於投影區域近傍的遮蔽器’為在Y方向互 相對向配置。但如第1 8圖所示’兩個能在Y方向移動的遮 蔽器3 0 C及3 0 D,在X方向並列配置之構成也可以。此場 合,在成二列配列的投影區域5 0 a〜5 0 g中,遮蔽器3 0 C對應 -X側配例的投影區域5 〇 a、5 0 c、5 0 e、5 0 g設置;遮蔽器 3 0 D則對應+ X側配列的投影區域5 0 b、5 0 d、5 0 f設置。由遮 蔽器3 0 C及3 0 D各別在Y方向移動,遮住複數之投影區域之 中的特定投影區域之光路’並且設定所定投影區域的大小 與形狀。此處,遮蔽器與30D的Y方向之移動,為同步 移動構成亦可,獨立移動之構成亦可。又,此場合亦可如 第1 8圖的虛線所示,在遮蔽器3 0 C及3 0 D各別的Y方向的對 向位置,配置可在Y方向移動的遮蔽器30C’及30D’ 。
l〇170pif.ptd 第47頁 561523
五、發明說明(44) 在上述之實施例說明中,例如遮蔽器3 Ο A遮蔽投影區知、 3 0 a對應的光路,而且設定投影區域3 0 C的大小與形^二域 即一個遮蔽器3 0可跨越複數個投影區域的配置。^如三亦 圖所示,對複數的投影區域5 0 a〜5 0 g各別對應的光路,9 別配置可在Y方向移動的小型遮蔽器3 0之構成亦可(第’丨 僅顯示投影區域5 〇e對應的遮蔽器30 E)。要遮住特定^旦圖 區的光路時,例如要遮住投影區域5 0 f及5 0 g的光路時Ί 用該些投影區域50 f及5 0g對應的光路的照明快門6遮^光’可
又,如第2 0圖所示,把投影區域5 0 a〜5 0 g各別對應配 的可在Y方向移動的小型斜面遮蔽器3 〇 E,與可同時遮蔽& f 數個投影區域的大型平面矩形狀的遮蔽器3 〇 F組合也可I 以。此處,遮蔽器3 0配置在感光基板P的表面近傍,對感 光基板P及罩幕Μ大略共軛的位置,可依如γ方向的移動配 置或退出投影光學系統PL與感光基板ρ之間。
第2 1圖為當做第二遮光板的遮蔽器的其他實施例之圖 γ第2 1圖所示的遮蔽器3 〇,為在玻璃基板設鉻c r的點圖 1(dGt pattern)之遮光部份與透過部份之間,可連續的 _化透過率的組件。遮蔽器3 0 G為可Y方向移動的構造,設 有遮住光線的遮光部77及依所定方透過率透光的透光部 7 8 °遮光部7 7,為在玻璃基板設不透光材料的鉻膜,為透 &率幾乎為〇 %的區域。透光部7 8,為用不透光材料的鉻的 f L變化其密度在玻璃板蒸鍍,從與遮光部7 7的交界部向 則端部,連續地變化透過率為0〜1 0 0 %的區域。此處,透光 部7 8的略點的大小,設定在曝光裝置Εχ的解像限界以下。
561523 五、發明說明(45) 如此,在遮蔽器3 0 G設光量分饰調整用濾光器的透光部 7 8,亦可圖案像的重複區域,連續地衰減累積曝光量。因 透光部7 8,為在玻璃基板蒸鍍鉻點的圖形形成,光量分佈 之調整可在分子水準之優良精度進行,故在進行繼續曝光 之際,能夠精確地調整重複區域的曝光量。 在上述各實施例中,為調整重複區域的光量分佈,使 用斜面遮蔽器或据齒狀遮蔽器,或具有所透過率分佈的透 光部7 8的遮蔽器,但亦可利用調整遮蔽器的光路方向之位 置,調整重複區域的曝光量分佈。即如第2 2 ( a)圖所示, 把遮蔽器3 0由對罩幕共輊的位置移到離若干的位置(使散 焦),使通過遮蔽器3 0端部的曝光擴散,以所定的光量分 佈照射罩幕。此時的擴散光在罩幕上的寬度(即形成重複 區域的寬度)L K,設照明光學系統I L的開口數為N A,在罩 幕Μ上α的位置配置遮蔽器30的場合,為LK二2χαχΝΑ。如 第22(b)圖所示,在寬度LK的光量分佈為向Υ方向連續地衰 減狀態。如此地,調整遮蔽器3 0在光路方向(Ζ方向)的位 置,亦可形成有所望之寬度LK的重複區域。 本實施例的曝光裝置Ε X,如不使用投影光學系統,改 用與罩幕Μ及感光基板Ρ密接,曝光罩幕Μ的圖案之近接式 曝光(proximity exposure)裝置也可以〇 曝光裝置EX的用途,並不限用於在角型玻璃板曝光液 晶顯示圖案的液晶用曝光裝置。例如,在半導體晶圓曝光 電路圖案的半導體製造用之曝光裝置,或製造薄膜磁氣讀 取頭的曝光裝置皆可適用。
10170pif.ptd 第49頁 561523 五、發明說明(46) 本實施例的曝光裝置之光源,g線(4 3 6 n m )、h線 ( 4 0 5 nm)、i 線( 3 6 5 nm)之外,KrF 準分子雷射( 2 4 8 nm)、 ArF準分子雷射(193nm) 、F2雷射(157nm)等皆可使用。 投影光學系統PL的倍率,不只等倍系統,縮小系統及 放大系統之任一項皆可用。 投影光學系統PL,在使用準分子雷射等的遠紫外線的 場合,玻璃材料使用石英或螢石等透過遠紫外線的材料; 使用F 2雷射或X光線之場合,要用反射屈折系統或屈折系 統的光學糸統。 在基板台PST或罩幕台MST使用線性馬達的場合,使用 氣暫承轴的空氣浮上型或用洛倫兹力(L 〇 r e n t z )或電抗力 的磁氣浮上型的任一項皆可以。又基板台或罩幕台,用沿 引導部移動之型式或不設引導部之型式皆可以。 基板台或罩幕台的驅動裝置使用平面馬達之場合,使 磁鐵組及電樞組任一項的一方連接載台,磁鐵組與電樞組 的另一方設在載台的移動面側就可以。 由基板台P S T移動產生的反力,如日本專利特開平 8 - 1 6 6 4 7 5號公報所載的,利用框架組件機械的傳至地板也 可以。本發明的曝光裝置也適用這樣的構造。 罩幕台M S T移動產生的反力,如日本專利特開平 8 - 3 3 0 2 2 4號公報所載的,利用框架組件機械的傳至地板也 可以。本發明也適用有這構造的曝光裝置。 如上所述,本案實施例的曝光裝置,能將本案申請專 利範圍所舉的包含各構成要素的各種副系統,保持所定的
10170pif.ptd 第50頁 561523 五、發明說明(47) 機械性精度,電氣性精度與光學性精度,組合製造。為確 保該些各種精度,在該組合的前後,需進行對各種光學系 統達成光學精度的調整;對各種機械系統達成機械精度的 調整,對各種電氣系統達成電氣精度的調整。由各副系統 組合成曝光裝置的工程,包含各種副系統互相間的機械的 連接、電氣電路配線連接及氣壓管路的配管連接等。在該 些各種副系統組合成曝光裝置的工程之前,當然需先完成 各個副系統的組合工程。各種副系統組成曝光裝置的工程 完成之後,再進行綜合調整,以確保曝光裝置整體的各種 精度。又,曝光裝置最好在有溫度與清潔度等管理的清淨 室内製造。 半導體元件的製造,如第2 3圖所示,經進行元件的機 能、性能設計的步驟2 0 1 ,依該設計步驟製造罩幕的步驟 2 0 2,元件基材的基板製造步驟2 0 3,依前述實施例的曝光 裝置,將罩幕的圖案在基板曝光之基板處理步驟2 0 4,元 件組合步驟(句合切塊工程、接合工程、包裝工程)2 0 5, 及檢查步驟2 0 6等。 發明效果 本發明,在視野光圈及第一遮光板設定的圖案像,設置 可在掃描方向之直交方向移動的第二遮光板,可任意在罩 幕設定圖案的接續部。因此’可任意設定在感光基板形成 的圖案之大小,能夠以良好效率製造任意的元件。又第一 及第二遮光板,可個別對視野光圈移動,可任意設定對感 光基板的曝光之照明區域的大小或形狀,故在繼續曝光之
10170pif.ptd 第51頁 561523 五、發明說明(48) 際,能提升接合精度及曝光量的均一度。又,第二遮光板 設成可在掃描方向的直交方向移動,有由向照明光學系統 的照射區域之周邊,連續地衰減在圖案的重複區域之累積 曝光量的減光特性,故能夠設定接續部的曝光量成所望之 值,使重複區域與重複區域以外的曝光量一致。因此,可 進行精度良好的曝光處理,製造高品質的元件。
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Claims (1)

  1. 561523 六、申請專利範圍 1. 一種曝光裝置,具有照明光學系統可用光束照射罩 幕,及罩幕台載置罩幕,以及基板台載置曝光該罩幕之圖 案的感光基板;該曝光裝置可對前述光束同步移動罩幕及 感光基板進行掃描曝光,並分成數次的掃描曝光,使該罩 幕的圖案像之一部分重複曝光地在該感光基板繼續曝光該 圖案;其特徵為具備: 視野光圈,用以設定該感光基板上被照明之圖案像的 掃描方向之寬度; 第一遮光板,可設定該圖案像之與掃描方向直交之方 向的寬度;以及 第二遮光板,可在與掃描方向直交之方向移動,設定 該圖案像的重複區域,同對向照射區域的周邊,連續衰減 重複區域的累積曝光量。 2 .如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置,其特徵為, 上述視野光圈與第一遮光板及第二遮光板,形成的照明區 域被分割成複數個。 3. 如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置,其特徵 為,該些分割成複數個的照明區域之形狀為梯形的開口。 4. 如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置,其特徵 為,該第二遮光板為,在玻璃基板設遮光的圖形,利用遮 光部份與透光部份之間,連續的變化透過率的組件構成。 5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的曝光 裝置,其特徵為,配設投影光學系統,可將前述罩幕的圖 案像投影到感光基板,該罩幕與感光基板經該投影光學系
    10170pif.ptd 第55頁 561523 六、申請專利範圍 統配置在共軛的關係位置,同時,上述之視野光圈與第一 遮光板及第二遮光板,亦配置在對上述罩幕與感光基板共 幸厄之位置。 6 . —種曝光方法,係在光束照射罩幕的同時,對該光 束同步移動上述罩幕與或感光基板掃描曝光,並分成複數 次掃描曝光使該罩幕的圖案像之一部份重複曝光,在感光 基板合成該圖案的繼續曝光方法,其特徵為包括: 用視野光圈設定在感光基板上照明的該圖案像的掃描 方向之寬度; 用第一遮光板設定該圖案像的與掃描方向直交之方向 的寬度;以及 將可在該圖案像的掃描方向之直交方向移動,且能將 上述重複區域的照射光量向照射區域的周邊連續的衰減的 第二遮光板,與前述繼續曝光之區域對合設定第二遮光板 位置。 7. 如申請專利範圍第6項所述的曝光方法,其特徵 為,在該罩幕的圖案區域之相當於上述繼續曝光區域的近 傍,設有對合上述第二遮光板之位置的位置對合標記,利 用該位置對合標記與第二遮光板的位置對合,以調整該第 二遮光板的位置。 8. 如申請專利範圍第7項所述的曝光方法,其特徵 為,在該感光基板的圖案區域之相當於上述繼續曝區域的 近傍,設有基板位置對合標記,在進行曝光時,使該基板 對合標記與上述罩幕的位置對合標記對合。
    10170pif.ptd 第56頁 561523 六、申請專利範圍 9 . 一種元件製造方法,其特徵為,使用如申請專利範 圍第1項至第4項中的任一項所述的曝光裝置,來製造一液 晶元件。 I 0 . —種元件製造方法,其特徵為,使用如申請專利範 圍第5項所述的曝光裝置,來製造一液晶元件。 II . 一種元件製造方法,係用光束照射罩幕並對該光束 同步移動該罩幕與玻璃基板進行掃描曝光的曝光裝置,將 該罩幕的圖案之一部份接合合成,製造較該罩幕的連續圖 案區域更大的液晶元件的製造方法,其特徵為: 將在玻璃基板的罩幕之圖案的配置及進行接合的該圖 案之接續位置的情報,做為格式設定於該曝光裝置; 對應該格式,疊合上述要曝光之罩幕的圖案,設定曝 光照射的照射區域,同時對在該照射區域的一邊之上述接 續位置設置的罩幕圖案,對好接合曝光用的遮光板的位置 並曝光之; 該曝光之後’將該玻璃基板向與掃描曝光方向直交之 方向移動; 在該玻璃基板的曝光區域與一部份重複之位置,設定 欲與曝光之罩幕圖案合併照射曝光的照射區域,同時,對 設於照射區域之一邊的接合位置的罩幕之圖案,對好接合 曝光的遮光板的位並·進行曝光。
    10170pif.ptd 第57頁
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