JP4120502B2 - 集光光学系、光源ユニット、照明光学装置および露光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、集光光学系、照明光学装置および露光装置に関する。さらに詳細には、本発明は、5〜50nm程度の波長を有するEUV光(極端紫外線)を用いて半導体素子などのマイクロデバイスをフォトリソグラフィ工程で製造するのに使用される露光装置に好適な集光光学系に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造用の露光装置は、マスク上に形成された回路パターンを投影光学系を介してレジストが塗布されたウエハ等の感光性基板上に投影転写する。
【0003】
この種の露光装置では、転写すべき回路パターンの微細化に伴って解像力の一層の向上が要求されており、露光光としてより短波長の光を用いるようになっている。近年、次世代装置として、5〜50nm程度の波長を有するEUV(Extreme UltraViolet)光を用いる露光装置(以下、「EUVL(Extreme UltraViolet Lithography:極紫外リソグラフィ)露光装置」という)が提案されている。
【0004】
現在、EUV光を供給する光源として、以下に示す3つのタイプの光源が提案されている。
(1)SR(シンクロトロン放射光)を供給する光源
(2)レーザ光をターゲット上に集光し、ターゲットをプラズマ化してEUV光を得るLPP(Laser Produced Plasma)光源
(3)ターゲット物質からなる電極、あるいは電極間にターゲット物質が存在する状態で電極間に電圧を印加し、ターゲット材料をプラズマ化してEUV光を得るDPP(Discharge Produced Plasma)光源。
【0005】
以下、DPP光源およびLPP光源を「プラズマ光源」と総称する。
【0006】
EUV光はプラズマ光源から等方的に放出される。即ち、プラズマ光源は点光源と見なすことが出来る。プラズマ光源のサイズ(直径)は、50から500μmの程度である。
【0007】
図8に従来の集光光学系の一例を示す。集光ミラー2は、回転楕円面形状の反射面を有しており、その楕円面の第1の焦点(以下、第1の焦点という)にプラズマ光源1を配置すると、集光ミラー2で反射したEUV光は楕円面の第2の焦点(以下、第2の焦点という)に集光されて光源像3を形成する。集光ミラー2の第2の焦点を通り光軸に垂直な平面(以下、第2焦点面という)には、集光されずにEUV光源1から直接入射してくる光束を遮蔽するための絞り7が配置される。この絞り7の下流に照明光学系が配置される。
【0008】
上述の図8に示すような集光光学系では、プラズマ光源1から下流(図8では右側)へ進む光束の大半は集光ミラー2で集光することが出来ず無駄になってしまう。
このような下流へ進む光束も集光できるようにするためには、図9に示すような集光光学系が考えられる。
【0009】
プラズマ光源1から等方的に発散するEUV光の一部は、図8に示す従来の集光ミラーと同様に回転楕円面形状の反射面を有する集光ミラー2により集光されて第2焦点面に光源像3を形成する。一方EUV光の別の一部は、プラズマ光源1の位置を中心とする球面形状の反射面を有する補助集光ミラー4で反射されプラズマ光源1と同一の位置に一旦集光される。その後、集光ミラー2で反射されて光源像3と同一の位置に結像される。
【0010】
即ち、光源像3の位置には、プラズマ光源1の集光ミラー2による実像と、補助集光ミラー4と集光ミラー2を組み合わせた光学系による実像とが重畳されて形成される。
【0011】
この集光光学系では、プラズマ光源1から発散する光束を、より大きな立体角の範囲で光源像3へ導くことが出来るので、照明光学系へ導かれる光量が増加する。このような考え方にもとづく集光光学系は、プロジェクターの集光光学系などに既に実用化されている
(例えば、非特許文献1参照。)。
【0012】
【非特許文献1】
Panasonic DLP方式プロジェクター ライティアTH-D9610J商品情報
[平成15年5月26日検索]、
インターネット <http://panasonic.biz/projector/lightia/d9610/kido.html>
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
EUV光源として使用されるプラズマは、一般にEUV光を強く吸収する。プラズマ中から特定の波長のEUV光が発生するのは、原子に固有のエネルギー準位間を電子が遷移することによる。低いエネルギー準位へ遷移するときに光を発生し、逆に高いエネルギー準位へ遷移するするときに同じ波長の光を吸収する。従って、プラズマから発生した光は、本質的に、そのプラズマによる吸収が大きい。
【0014】
したがって、図9の集光光学系をそのままEUV露光装置へ適用することは出来ない。
【0015】
図9の集光光学系において、補助集光ミラー4で反射してEUV光源1位置へ戻ってきたEUV光は、プラズマにより吸収されてしまうので、実際には光源3位置まで到達することが出来ないからである。従って、集光されるEUV光の総量は増加しない。
【0016】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、補助集光ミラーで反射されたEUV光がプラズマにより吸収されないように集光光学系を構成して、集光されるEUV光の総和
を増加させ、この集光光学系をEUV露光装置に適用して、スループットの大幅な向上を図ることを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は以下の手段を用いる。
【0018】
請求項1記載の集光光学系は、EUV光の光源ユニットであって、
EUV光を放出するプラズマ光源と、
回転楕円面の反射面を有し、その第1の焦点(楕円の焦点)に該プラズマ光源が置かれた集光ミラーと、球面の反射面を有し、球心が該プラズマ光源の位置とずらされているように配置された補助集光ミラーとを備えることを特徴とする。
【0019】
請求項1記載の光源ユニットによれば、該補助集光ミラーの球心が該プラズマ光源の位置とずらされているので、該補助集光ミラーにより形成される該プラズマ光源の像は該プラズマ光源位置には形成されない。したがって、該補助集光ミラーで反射されたEUV光がプラズマにより吸収されるのを避けることができる。
【0020】
また、請求項2記載の集光光学系は、前記補助集光ミラーの球心位置が、該集光ミラーの第1の焦点を通り光軸(楕円の軸と一致する)に垂直な平面(楕円鏡の第1焦点面と記す)内にあって、光軸から該プラズマ光源の半径以上ずらされていることを特徴とする請求項1に記載の光源ユニット。
【0021】
請求項2記載の集光光学系によれば、該補助集光ミラーの球心が該プラズマ光源の半径以上ずらされているので、該補助集光ミラーにより形成される該プラズマ光源の像位置が半径以上ずれて該プラズマ光源位置には形成されない。したがって、該補助集光ミラーで反射されたEUV光がプラズマにより吸収されるのをより確実に避けることができる。
【0022】
また、請求項3記載の光源ユニットは、前記補助集光ミラーが、球心位置が異なる複数のミラーから構成されていることを特徴とする。
【0023】
請求項3記載の光源ユニットによれば、前記補助集光ミラーが、球心位置が異なる複数のミラーにより構成されていることにより後述のオプティカルインテグレータの入射面に形成される光源像の数が増加するので、照明光学系を通過した後のマスク面上での照度均一性が向上する。
【0024】
また、請求項5記載の集光光学系は、回転楕円面の反射面を有する集光ミラーと、該集光ミラーの第1の焦点に球心を有する球面からなる補助集光ミラーとを備える集光光学系において、該補助集光ミラーの半径をRとし、プラズマ光源のパルス光の持続時間をtとし、光速をcとするとき、R>(t×c)/2を満足することを特徴とする。
【0025】
請求項5記載の集光光学系によれば、前記第1の焦点の位置にプラズマ光源を置くと、該プラズマ光源から該補助集光ミラーまでの往復距離が、該プラズマ光源のパルス光の持続時間(t)と光速(c)の積からなる距離(t×c)よりも長くなるので該補助集光ミラー2で反射したEUV光が該プラズマ光源の位置へ戻ってきたときには、既にプラズマは消滅して、EUV光がプラズマによって吸収されることはない。
【0026】
また、請求項7記載の光源ユニットは、請求項5又は請求項6記載の集光光学系の前記第1の焦点に、EUV光を放出する前記プラズマ光源が置かれたことを特徴とする。
【0027】
請求項7記載の光源ユニットによれば、前記光源から該補助集光ミラーまでの往復距離が、該プラズマ光源のパルス光の持続時間(t)と光速(c)の積からなる距離(t×c)よりも長くなるので該補助集光ミラー2で反射したEUV光が該プラズマ光源の位置へ戻ってきたときには、既にプラズマは消滅して、EUV光がプラズマによって吸収されることはなく光量損失を良好に抑えてEUV光を集光させることができる。
【0028】
また、請求項8記載の光源ユニットは、前記集光ミラーが前記プラズマ光源に近い部分ミラーと遠い部分ミラーに分割されており、前記プラズマ光源に近い部分ミラーのみを取り外し交換できるように構成されていることを特徴とする。
【0029】
請求項8記載の光源ユニットによれば、反射面がプラズマ光源からの放射熱の影響およびEUV光の照射熱の影響を受けて、損傷の激しい部分ミラーだけを取り外して、容易に交換できる。
【0030】
また、請求項9記載の照明光学装置は、請求項1乃至4又は請求項7,8のいずれか1項に記載の光源ユニットと、該光源ユニットからのEUV光をマスクへ導くための照明光学系とを備えていることを特徴とする。
【0031】
請求項9記載の照明光学装置によれば、該光源ユニットからのEUV光を実質的に光量損失することなく供給でき、オプティカルインテグレータを用いて良好な照明条件のもとで所定のパターンが形成されたマスクを照明することができる。
【0032】
また、請求項10記載の露光装置は、所定のパターンが形成された反射型のマスクを照明するための照明光学装置と、前記照明光学装置によって照明されるべき被照射面に配置されたマスクを保持するマスクステージと、ウエハを保持するウエハステージと、前記マスクに形成された所定パターンを前記感光性基板に所定の縮小比でもって投影する投影光学系と、前記マスクに形成された所定パターンを前記ウエハに投影する際に、前記投影光学系に対して前記マスクステージと前記ウエハステージとを前記縮小比に応じた速度で同期して相対的に移動させる駆動装置とを備える露光装置において、前記照明光学装置として、請求項9に記載の照明光学装置を有することを特徴とする露光装置を提供する。
【0033】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。
【0034】
【実施例1】
図1に本発明の実施例である光源ユニットを示す。
【0035】
プラズマ光源1は回転楕円面形状の反射面を有する集光ミラー2の第1の焦点(楕円の
焦点)に配置される。補助集光ミラー4a,4bは、その球心Ca,Cbがプラズマ光源1の位置よりも光軸OAに対して垂直方向に±0.25mmだけ各々ずれるよう傾けて配置されている。プラズマ光源1から出射したEUV光の一部は、集光ミラー2で反射されて、楕円の第2焦点面上に光源像3を形成する。
【0036】
プラズマ光源1から出射したEUV光の他の一部は、補助集光ミラー4a,4bで反射されて、光軸OAに対して垂直方向に±0.50mmだけ各々プラズマ光源1からずれた位置に光源像5a, 5bを形成する。プラズマ光源1のサイズ(直径)は約500μmなので、光源像5a,5bはプラズマ位置と重なることは無く、プラズマによる吸収を避けることが出来る。
光源像5a,5bは、集光ミラー2により反射されて、楕円の第2焦点面上に光源像6a,6bを形成する。楕円の第2焦点面には迷光を除去するための絞り7が設けられており、光源像3, 6a, 6bはこの絞り7に設けられた開口上に並置して形成される。絞り7の下流には照明光学系(後述)が設けられており、光源像3,6a,6bから発散する光束がそこへ導入される。絞り7は、光源ユニットと照明光学系等の配置された部分との間で差動排気を行うための真空隔壁を兼ねることが出来る。
【0037】
一般に、露光装置の照明光学系においては、ケーラー照明を行うために、光源から発散する光束を分割して複数の光源像を形成するためのオプティカルインテグレータが使用される。オプティカルインテグレータを使用することによりマスク上に照射される照明光の強度分布を均一にすることができる。
【0038】
本発明による光源ユニットの集光光学系では、集光光学系によって複数の光源像3, 6a,6bが形成されるので、これをオプティカルインテグレータの機能の一部として使用することが出来る。
【0039】
図1では横から見た図を示したが、実際には図2(a)に示すように、補助集光ミラー4a〜4dは四分割されており、焦点面には図2(b)に示すように5つの光源像3, 6a〜6dが形成される。オプティカルインテグレータの入射面に形成される光源像の数が増加するので、オプティカルインテグレータ出射面での照度均一性が向上する。
【0040】
図3(a)に示すように、補助集光ミラー4a〜4hを八分割しても良い。この場合は、焦点面には図3(b)に示すように、9つの光源像3,6a〜6hが形成される。なお、補助集光ミラーの分割方法は、上記の実施例に限定されるものではない。
【0041】
集光ミラー2は、図4に示すよう、プラズマに近い位置の部分ミラー2aとプラズマから遠い位置の部分ミラー2bの二つに分割することもできる。特に、反射面がプラズマ光源1からの放射熱の影響およびEUV光の照射熱の影響を受けて、損傷の激しい部分ミラー2aだけを取り外して交換する必要が予想されるため、容易に交換可能な構成であることが望ましい。
【0042】
【実施例2】
図5に本発明の実施例である光源ユニットを示す。図5を参照すると、プラズマ光源1では、レーザ光源LSから発した光(非EUV光)がレンズ12および集光ミラー2の貫通孔を介して集光する。プラズマ光源1は回転楕円面形状の反射面を有する集光ミラー2の第1の焦点に配置される。この位置を中心とする球面形状の反射面を有する補助集光ミラー4が配置される。プラズマ光源1から出射したEUV光の一部は、集光ミラー2で反射されて、楕円の第2焦点面上に光源像3を形成する。プラズマ光源1から出射したEUV光の他の一部は、補助集光ミラー4で反射されて、プラズマ光源1と同一の位置に光源像3を形成する。プラズマ光源1から補助集光ミラー2までの距離は40cmとした。プラズマ光源にはレーザープラズマ光源(LPP)を使用し、プラズマ光源のパルス光の持続時間は2nsとした。プラズマ光源1から出射したEUV光は、補助集光ミラー2で反射してプラズマ光源1の位置に戻ってくるまでに80cmの距離を進行しなければならないので、そのためには2.7nsの時間を必要とする。プラズマ光源のパルス光の持続時間は2nsなので、パルスの最初に発生した光であっても、補助集光ミラー2で反射してプラズマ光源1の位置へ戻ってきたときには、既にプラズマは消滅している。従って、EUV光がプラズマによって吸収されることはない。この光源像から進行していく光束は、集光ミラー2で反射されて、楕円の第2焦点面上に光源像3を形成する。即ち、光源像3の位置には、プラズマ光源1の集光ミラー2による実像と、補助集光ミラー4と集光ミラー2を組み合わせた光学系による実像が、同一の位置に異なる時刻に形成される。楕円の焦点面には迷光を除去するための絞り7が設けられており、光源像3はこの絞り7に設けられた開口上形成される。絞りの下流には照明光学系(不図示)が設けられており、光源像3から発散する光束がそこへ導入される。絞り7は、光源部と照明光学系等の配置された部分との間で差動排気を行うための真空隔壁を兼ねることが出来る。
【0043】
【実施例3】
図6に、本発明の第1の実施例である光源ユニットと、本出願人らによるロッド型オプティカルインテグレータ(特願2000-068114号)を用いた照明光学系とを用いたEUV露光装置の実施例を示す。
【0044】
図6は、本実施形態にかかる第1の投影露光装置の概略構成を示す図であり、投影露光装置は、大きく分けて光源ユニットLU、照明光学系IU、および投影光学系PLから構成される。これらは、真空状態でチャンバ内に置かれるか、少なくとも使用波長に対して吸収が少ない気体(ヘリウム等)で満たされてチャンバ内に置かれる。
【0045】
図6を参照すると、プラズマ光源1では、レーザ光源LSから発した光(非EUV光)がレンズ12および集光ミラー2の貫通孔を介して気体ターゲット13上に集光する。
【0046】
なお、レーザ光源LSは、直接レーザ光(非EUV光)が集光ミラー2の第2の焦点CP下流の照明光学系IUへ入射しないように光軸OAに対して僅かに傾けて配置されるのが望ましい。ここで、例えばキセノン(Xe)からなる高圧ガスがガスノズル14より噴射されたガスが気体ターゲット13を形成する。気体ターゲット13は、集光されたレーザ光によりエネルギーを得てプラズマ化し、EUV光を発する。なお、気体ターゲット13は、集光ミラー2の第1の焦点に位置決めされている。したがって、プラズマ光源1から出射されたEUV光は、集光ミラー2の第2の焦点CPに集光される。一方、発光を終えたガスは回収手段11を介して吸引されて外部へ導かれる。また補助集光ミラー4は2つのミラーからなり、その球心がプラズマ光源1の位置よりも光軸OAに対して垂直方向に各々±0.25mmだけずれるよう傾けて配置されている。
【0047】
照明光学系IUは、オプティカルインテグレータ10と凹面鏡M2及び凸面鏡M3で構成される結像系とから構成される。オプティカルインテグレータ10は、その入射端面10Fが集光ミラー2の第2の焦点CPの近傍に位置するように配置されており、オプティカルインテグレータ10の内壁面で反射して通過した光は出射端面10Bから射出される。
【0048】
オプティカルインテグレータ10の出射端面10Bから射出された光は、凹面鏡M2で反射され、凸面鏡M3で反射され、さらに凹面鏡M2で反射されて、反射型のマスクRを照明する。マスクRのデバイスパターン面とオプティカルインテグレータ10の出射端面10Bとは共役の関係となるようにする。図2を使って説明したように出射端面10Bがその面内が均一性良く照明されているため、マスクR面上も均一に照明される。
【0049】
投影光学系PLは、マスクR側から順に、凹面鏡M4、凸面鏡M5、凹面鏡M6及び凹面鏡M7から構成される。凹面鏡M4、凹面鏡M6及び凹面鏡M7は非球面形状に形成されている。例えばこの構成は、特開平9-251097号に開示されている。
【0050】
反射型のマスクRを反射した光は、投影光学系PLを経由してレジストが塗布されたウエハWにデバイスパターンを形成する。マスクRの照明領域は、マスクのデバイスパターンの領域よりも狭いので、図6において矢印で示されるように、マスクRとウエハWとを同期スキャンして、デバイスパターン全体を露光する。デバイスパターン全体が露光した後、次の露光領域にウエハをステップさせる。この動作を繰り返し、つまりステップアンドスキャン方式により、ウエハ全体に複数のデバイスパターンを形成する。
【0051】
なお、本実施例ではロッド型のオプティカルインテグレータを用いた例を示したが、特開平11−312638号公報に記載されているように、反射型のオプティカルインテグレータを用いることもできる。図7を参照しながら反射型のオプティカルインテグレータを用いたEUV露光装置の一例を説明する。
【0052】
本実施形態にかかる光源ユニットは、実施例3の図6に示す光源ユニットと同一構成であるので、重複する部分の説明は省略する。集光ミラー2の第2の焦点CPに集光したEUV光は、コリメータミラー15を介して一対のフライアイミラー16aおよび16bからなるインテグレータ16に導かれる。一対のフライアイミラー16aおよび16bとして、たとえば特開平11−312638号公報において本出願人が開示したフライアイミラーを用いることができる。なお、フライアイミラーのさらに詳細な構成および作用については、たとえば特開平11−312638号公報における関連の記載を参照することができる。
【0053】
こうして、第2フライアイミラー16bの反射面の近傍、すなわちオプティカルインテグレータ16の射出面の近傍には、所定の形状を有する実質的な面光源が形成される。実質的な面光源からの光は、平面反射鏡17により偏向された後、視野絞り(不図示)を介して、マスクR上に細長い円弧状の照明領域を形成する。照明されたマスクRのパターンからの光は、投影光学系PLを介して、ウェハW上にマスクパターンの像を形成する。
【0054】
投影光学系PLは、マスクR側から順に、6枚のミラーで構成している。例えば、この構成は特開平11−312638号公報に開示されている。
【0055】
なお、上述の実施形態では、集光光学系としてプラズマ光源1は回転楕円面形状の反射面を有する集光ミラー2の第1の焦点(楕円の焦点)に配置され、補助集光ミラー4a,4bは、その球心がプラズマ光源1の位置よりも光軸OAに対して垂直方向に±0.25mmだけ各々ずれるよう傾けて配置されている。
【0056】
しかしながら、これに限定されることなく、集光光学系は、回転楕円面の反射面を有する集光ミラーと、該集光ミラーの第1の焦点に球心を有する球面からなる補助集光ミラーとを備える集光光学系において、該補助集光ミラーの半径をRとし、プラズマ光源のパルス光の持続時間をtとし、光速をcとするとき、R>(t×c)/2を満足するように配置することもできる。
【0057】
また、上述の実施形態では、プラズマ光源としてLPPタイプの光源を用いているが、これに限らず、DPPタイプの光源を用いることもできる。
【0058】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、補助集光ミラーの球心位置をプラズマ光源位置より僅かにずらすことにより、補助集光ミラーで反射されたEUV光がプラズマにより吸収されなくなる。これにより、従来よりずっと多くのEUV光を効率よく集光可能となる。また、このように集光効率が大幅に増加した光源ユニットを露光装置に適用することにより、スループットの大幅な向上を図ることが可能となる。
【0059】
また、本発明では、プラズマ光源から補助集光ミラーまでの往復距離を、プラズマ光源のパルス光の持続時間と光速の積からなる距離よりも長くすることにより、プラズマ光源から出たEUV光が補助集光ミラーで反射して戻ってくるまでに、プラズマを消滅させて、
補助集光ミラーで反射されたEUV光がプラズマにより吸収されなくなる。これにより、従来よりずっと多くのEUV光を効率よく集光可能となる。また、このように集光効率が大幅に増加した光源ユニットを露光装置に適用することにより、スループットの大幅な向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例である集光光学系を示す図である。
【図2】補助集光ミラーの一例を示す図である。
【図3】補助集光ミラーの一例を示す図である。
【図4】本発明による集光ミラーを示す図である。
【図5】本発明による補助集光ミラーを用いた集光光学系を示す図である。
【図6】本発明による集光光学系を用いたEUV露光装置の一例を示す図である。
【図7】本発明による集光光学系を用いたEUV露光装置の一例を示す図である。
【図8】従来の集光光学系を示す図である。
【図9】従来の補助集光ミラーを用いた集光光学系を示す図である。
【主要部分の符号の説明】
1 ……プラズマ光源
2 ……集光ミラー
3 ……光源像
4 ……補助集光ミラー
10……オプティカルインテグレータ
11……回収手段
12……レンズ
13……気体ターゲット
LS……レーザー光源
LU……光源ユニット
IU……照明光学系
PL……投影光学系
R ……マスク
W ……ウエハ
Claims (10)
- EUV光の光源ユニットであって、
EUV光を放出するプラズマ光源と、
回転楕円面の反射面を有し、その第1の焦点に該プラズマ光源が置かれた集光ミラーと、 球面の反射面を有し、球心が該プラズマ光源の位置とずらされているように配置された補助集光ミラーとを備えることを特徴とする光源ユニット。 - 前記補助集光ミラーの球心位置が、該集光ミラーの第1の焦点を通り光軸に垂直な平面内にあって、光軸から該プラズマ光源の半径以上ずらされていることを特徴とする請求項1に記載の光源ユニット。
- 前記補助集光ミラーは、球心位置が異なる複数のミラーから構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光源ユニット。
- 前記補助集光ミラーは、少なくとも4つのミラーから構成されていることを特徴とする請求項3に記載の光源ユニット。
- 回転楕円面の反射面を有する集光ミラーと、該集光ミラーの第1の焦点に球心を有する球面からなる補助集光ミラーとを備え、プラズマ光源から出るパルス光を集光する集光光学系において、
該補助集光ミラーの半径をRとし、該プラズマ光源のパルス光の持続時間をtとし、光速をcとするとき、R>(t×c)/2を満足することを特徴とする集光光学系。 - 前記補助集光ミラーの半径が30cm以上に設定されていることを特徴とする請求項5に記載の集光光学系。
- 請求項5又は請求項6記載の集光ミラーの前記第1の焦点に、EUV光を放出する前記プラズマ光源が置かれたことを特徴とする光源ユニット。
- 前記集光ミラーは前記プラズマ光源に近い部分ミラーと遠い部分ミラーに分割されており、前記プラズマ光源に近い部分ミラーのみを取り外し交換できるように構成されていることを特徴とする請求項1乃至4又は請求項7のいずれか1項に記載の光源ユニット。
- 請求項1乃至4又は請求項7,8のいずれか1項に記載の光源ユニットと、該光源ユニットからのEUV光をマスクへ導くための照明光学系とを備えていることを特徴とする照明光学装置。
- 所定のパターンが形成された反射型のマスクを照明するための照明光学装置と、
前記照明光学装置によって照明されるべき被照射面にマスクを保持するマスクステージと、
ウエハを保持するウエハステージと、前記マスクに形成された所定パターンを前記感光性基板に所定の縮小比でもって投影する投影光学系と、
前記マスクに形成された所定パターンを前記ウエハに投影する際に、前記投影光学系に対して前記マスクステージと前記ウエハステージとを前記縮小比に応じた速度で同期して相対的に移動させる駆動装置とを備える露光装置において、
前記照明光学装置として、請求項9に記載の照明光学装置を有することを特徴とする露光装置。
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