TW531764B - EL display device and electronic device - Google Patents

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531764 A7 _B7 五、發明説明（’） 發明背景 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明領域 本發明係相關於建構在基底上之半導體元件（使用半 導體薄膜之元件，一般爲薄膜電晶體）所形成之顯示裝置 ，以及相關於具有E L顯示裝置作爲顯示部份之電子裝置 相關技藝之描述 形成薄膜電晶體（此後稱爲T F T )於基底上之技術 ，近年來已經大爲增進，而對於主動式矩陣顯示裝置之應 用的開發正在進行。特別是，使用多晶矽膜之T F T具有 較使用習知非晶矽膜之T F T具有較高之電場有效移動率 ，因而可高速操作。因此，而可藉由與圖素設置於相同基 底之驅動電路而執行圖素之控制，而習知係由設置於基底 之外之驅動電路所執行。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 此類之主動式矩陣顯示裝置，可藉由設置各種電路以 及元件於相同基底上，而得到像是較低之製造成本、較小 之顯示裝置、產量增加之許多優點。 此外，有許多對於具有E L元件作爲自身發冷光（ luminescing )元件之主動式矩陣E L顯示裝置之硏究。該 EL顯示裝置亦稱爲有機EL顯示器（OELD)或有機 發光二極體（OLED)。 該E L顯示裝置係爲自身發冷光類型，其不同於液晶 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐） 531764 A7 ___B7 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯示裝置。該E L元件具有將E L層交疊設置於一對電極 之間，且該E L層係爲一般疊片式（1 a m i n a t i ο η )之結構。 電洞傳送層、發光層以及電子傳送層之疊片結構（係由 Eastman柯達公司之Tang等人所提出），可視爲一種一般 的結構。此結構具有極高之發光效能，而幾乎所有正在進 行之硏究以及開發之E L顯示裝置皆採此結構。 進一步，依序在圖素電極上形成像是電洞射出層、電 洞傳送層、光射出層、電子傳送層以及電子射出層之額外 結構；或是依序將電洞射出層、電洞傳送層、光射出層、 電子傳送層、以及電子射出層形成於單一圖素電極上，亦 可使用。像是營光色素（fluorescing pigment)之元素，亦 可滲入至E L層。 之後預設之電壓藉由一對電極而施加至具有上述結構 之E L層，而載子（carrier )重新組合於光射出層，而射出 光線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該E L顯示裝置具有大約四種彩色化顯示系統，即， 結合濾色器以及白色冷光之E L元件之系統，形成對應於 R (紅）、G (綠）以及B (藍）之三E L元件之系統、 結合藍色或藍綠冷光以及螢光材質（螢光彩色轉換層： C C Μ )之系統，以及使用透明電極而作爲陰極（計數器 電極）以及將對應於R G Β之E L元件予以重疊之系統。 該濾色器係作爲將藍色、濾色或藍色予以分離之濾色 器。該濾色器係形成於對應於圖素之位置處，而在每個圖 素之經分離光線之顏色可藉此而改變。此主要係與使用濾 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 531764 A7 B7 五、發明説明（3) 色器之液晶顯示裝置之彩色化系統相同。注意，對應於該 圖素之位置係表示所發生圖素電極之位置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，濾色器係作爲將特定波長之光線予以分離，以 改進所傳送光線之純度。因此，當被分離之光線之波長很 小時，會有極低波長之光線亮度或色純度很差之缺點。 在已知之有機E L材質中，尙無法實施具有高冷光亮 度之紅色，如圖1 0所示之例子，相較於藍色或綠色之冷 光亮度，紅色之冷光亮度係很低。當具有此冷光特性之有 機E L材質被使用作爲E L顯示裝置時，被顯示影像之紅 色之冷光亮度變差。 進一步，使用具有稍微較低於紅色光線波長之橙色光 之方法，已經被實施，因爲相較於藍色以及綠色光線，該 紅色光線之亮度係較低。然而，當由E L顯示裝置所顯示 之紅色影像之亮度爲低，且當試圖顯示紅色影像時，將顯 示出橙色。 發明之簡要敘述 經濟部智慧財產局P'工消費合作社印製 據此，本發明之目的在提供一種E L顯示裝置以藉由 對於紅色、藍色以及綠色施以不同亮度而在紅色、藍色以 及綠色之E L元件之間具有良好平衡之影像。 根據本發明，一種電子裝置包括具有T F T、電連接 至該T F T之圖素電極、具有作爲陰極或陽極之E L元件 、以及作爲密合該E L元件之絕緣層之E L顯示裝置；作 爲將類比影像送至E L元件之機構；以及作爲珈瑪（gamma 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 531764 A7 _ B7 五、發明説明（4 ) )(T )校正該類比影像信號之機構。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述結構可進一步包括作爲儲存珈瑪校正（7. 一校正 )之記憶體。 根據本發明之另一觀點，E L顯示裝置於相同基底上 包括一 TFT、電連接至該TFT之圖素電極、具有作爲 陰極或陽極之圖素電極之E L元件、作爲將類比影像信號 送至E L元件之機構、以及作爲珈瑪校正（7 一校正）該 類比影像信號之機構。 上述結構可進一步包括作爲儲存於相同基底上珈瑪校 正（r 一校正）之記憶體。 此外’在該E L顯示裝置中，濾色器係形成於對應於 彩色化之圖素電極之位置。 此外，使用另一方法而彩色化，該E L元件可由包括 藍色冷光層之第一圖素、包括綠色冷光層之第二圖素、以 及包括紅色冷光層之第三圖素。此時，該濾色器可被使用 或不被使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，在上述該E L顯示裝置中，該珈瑪校正（r -校正）可放大紅色信號，或將藍色或綠色之信號予以衰減 。此外，該珈瑪校正（r -校正）可對於每個藍色、綠色 以及紅色之信號予以獨立做出。 藉由採用上述結構，甚至當使用由濾色器所分離出之 波長之紅光部份係很小之E L材質時，可藉由對於例如視 頻信號予以珈瑪校正（r -校正）而顯示想要之R G B ( 紅色、藍色、綠色）平衡（balance )之E L顯示裝置，以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 531764 A7 B7 五、發明説明（c) 5 調整該R G B (紅色、藍色、綠色）之冷光亮度。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖形之簡要敘述 圖1係本發明之E L顯示裝置之電路方塊圖。 圖2係當製備本發明之E L顯示裝置之珈瑪校正（r -校正）表格時之結構圖。 圖3 A至3 E係展不貫施例1之主動式矩陣£ l顯示 裝置之製程圖。 圖4 A至4 D係實施例1之主動式矩陣e L顯示裝置 之製程圖。 圖5 A至5 C係實施例1之主動式矩陣E L顯示裝置 之製程圖。 圖6係實施例1之E L顯示裝置之分解圖。 圖7係實施例1之E L顯示裝置之頂視圖。 圖8 A至8 F係實施例5之電子裝備例等之圖。 圖9 A至9 B係實施例5之電子裝備之例子之圖。 經濟部智慧財產局B(工消費合作社印製 圖1 0係展示介於EL元件（R，G，B)之冷光亮 度以及電流密度之間的特性圖。 主要元件對照表 10 0 110*120 13 0 15 0 主動式矩陣基底 源極驅動電路 閘極驅動電路 圖素部份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -8- 531764 A7 _ B7 五、發明説明（c) 6 1 TFT 2 E L元件 0 影像信號處理電路 3 A / D轉換電路 4 D / A轉換電路 0 控制電路 1 校正電路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 較佳實施例之詳細描述 〔實施例模式〕 首先’參考圖1以及2而描述本發明所實施之實施例 模式。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1係展示本發明E L顯示裝置之方塊圖。在圖1中 ，標號1 0 0係表示主動式矩陣基底，其包括源極驅動電 路1 0 0以及1 2 0、閘極驅動電路1 3 0、以及圖素部 份1 5 0 ·該圖素部份1 5 0包括以矩陣形式建構之圖素 ，而每個圖素包括TFT1 5 1、EL元件1 52等。雖 然爲了簡化而未顯示，在此實施例中，彩色化係藉由使用 對應於R (紅色）、G (綠色）以及B (藍色）之濾色器 而實施。 參考號1 6 0係表示影像信號處理電路，其包括A / D轉換電路作爲將自外部輸入之類比信號轉換爲數位信號 ，一校正電路1 6 1作爲校正該數位信號，以及D / A轉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 531764 Α7 ____ Β7 五、發明説明（7) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 換電路1 6 4作爲將經校正之數位信號轉換爲類比信號。 該校正電路1 6 1包括一校正記憶體1 6 2。在本發明之 該顯示裝置中，視頻信號2 0 0被珈瑪校正（r -校正） 。例如，該視頻信號2 0 0係根據儲存在校正記憶體中之 珈瑪校正（r -校正）表格而校正。 控制電路1 7 0控制送至主動式矩陣基底1 〇 〇以及 影像信號處理電路1 6 0中之各種信號。同步化信號 2 1 0被輸入至控制電路1 7 0。 控制電路1 7 0係爲作爲形成以及提供根據同步信號 2 1 0而控制源極驅動電路1 1 〇以及1 2 0、閘極驅動 電路1 3 0以及影像信號處理電路1 6 0等所必須之脈衝 (開始脈衝、時脈脈衝、同步信號等）之電路。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意，該控制電路1 7 0重複計數時脈的先前設定之 計數數目（除頻率）之操作（除頻），而所輸入之同步信 號2 1 0係作爲參考，而自相位同步振盪器所輸出之振盪 時脈fg 5虎（〇S C )係爲原始振邊。該時脈之計數係與分 割形成送至螢幕之水平方向上之源極驅動電路之開始脈衝 (S—SP)以及時脈脈衝（S_CK)、送至螢幕之垂 直方向上之閘極驅動電路之開始脈衝（G _ S P )以及時 脈脈衝（G _ C K )以及時脈脈衝（D _ C K )等之頻率 的相同時間而被計數。進一步，亦有形成水平同步信號（ H S Y )以及垂直信號（V S Y )之情形。 影像信號處理器1 6 0、控制電路1 7 0等係接合於 不同於該主動矩陣基底1 0 0之基底（例如係另一印刷基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -10- 531764 A7 _ B7_ 五、發明説明（。） 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 底）上，而在該基底上之電路等以及主動式矩陣基底 1 0 0係經由纜線（c a b 1 e )、撓性接線板等而連接 。注意，當然，最好自實現整合以及最小化係使像是影像 信號處理電路1 6 0、控制電路1 7 0等之所有電路之部 分，設置於與主動式矩陣基底相同之基底上。 該自外側而輸入至影像信號處理電路1 6 0之視頻信 號2 0 0，係爲類比信號。該視頻信號2 0 0可以像是電 視信號或視頻信號之類比信號，或可以是由來自於電腦等 之資料信號之D / A轉換而形成之類比信號。 經濟部智慧財產局肖工消費合作社印製 在影像信號處理電路1 6 0中，該視頻信號2 0 0藉 由A / D轉換電路1 6 3而被轉換至數位視頻信號，而被 輸出至校正電路1 6 1。該校正電路1 6 1觀察每個EL 元件之冷光亮度，而根據儲存於校正記憶體之珈瑪校正（ r -校正）表格，而位於輸入之數位視頻信號而予以珈瑪 校正（r -校正）。在該珈瑪校正（r -校正）中，所傳 送之影像信號經校正，而得到優異之階層（gradation)顯示 。該珈瑪校正（r -校正）數位視頻信號係藉由D / A校 正電路1 6 4而被轉換爲類比式視頻信號，而被送至源極 驅動電路1 1 0以及 12 0° 藉由此校正電路1 6 1，送至每個E L元件之視頻信 號被珈瑪校正（r -校正），而每個藍色冷光、綠色冷光 以及紅色冷光之冷光亮度，可根據經校正之類比式頻頻信 號之電壓以及電流而適當控制。例如，當使用具有三種濾 本紙張尺度適用中_國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 531764 A7 ___B7 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 色器（R，G，B )之E L元件時，該視頻信號（·對應於 R )只需要被珈瑪校正（r〜校正）而增加該r之冷光亮 度，使得每個顏色之冷光亮度變爲相同。或者，送至E L 元件（對應於B或G )之視頻信號只有經由珈瑪校正（r -校正）以減少B或G之冷光亮度，使得每個顏色之冷光 亮度變爲相等。此外，送至個別E L元件之視頻信號係經 由珈瑪校正（r -校正）而增加R之冷光亮度並減少B或 G之冷光亮度，使得每個顏色之冷光亮度變爲相同。 此處，描述本發明之影像信號處理電路1 6 0之校正 電路中之校正記憶體之珈瑪校正（r -校正）表格之製備 方法例。 參考圖2，圖2係爲製備本發明之影像信號處理電路 1 6 0之校正電路中校正記憶體之珈瑪校正（r -校正） 表格。參考號2 0 1係指轉換由E L冷光所顯示影像爲電 信號之影像拾取裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對於影像拾取裝置，可使用像是C C D照相機或數位 視頻照相機之另一影像拾取裝置。或者，可使用只作爲量 測所顯示影像之亮度或照度之冷光器或照度器。當使用冷 光器或照度器時，使用作爲轉換來自於此些裝置之信號爲 數位信號之A / D轉換電路係適當的。 參考號2 0 2係指數位信號處理器（D S P )； 2 0 3係指信號供應源；而2 0 4係指信號產生器（S G )° 影像信號處理電路1 6 0之校正電路1 6 1 ，係珈瑪 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -12- 531764 A7 ________ B7 五、發明説明（） v 10y 校正（r -校正）來自於信號產生器2 ο 4之數位信號， 而在校正之後輸出一數位視頻信號，而藉由該D / Α轉換 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電路而發送爲類比式頻信號，而發送至個別之E L元件。 該個別E L元件，係根據由影像信號處理電路1 6 〇所提 供之類比視頻信號而發射光線，並顯示該影像。 該所顯示之影像係使用影像拾取裝置2 Ο 1而變爲數 位信號。該自影像拾取裝置2 0 0所發送之數位信號被傳 送至數位信號處理器（D S P ) 2 0 2。該數位信號處理 器2 0 2比較該來自影像拾取裝置2 Ο 1之數位信號，而 與來自於資料供應來源2 0 3之數位信號相比較，並將該 資料之差別回送至該校正電路1 6 1。注意，該參考資料 可以係直接至信號產生器2 0 4所傳送之資料。 根據由數位信號處理器2 0 2所傳送來之信號，該校 正電路1 6 1進一步校正來自於信號產生器2 0 4之信號 ，轉換其爲類比視頻信號，而再次將其送至E L元件。該 個別E L元件根據來自於影像信號處理電路1 6 〇所傳遊 來之類比視頻信號而發射光線並顯示影像° 經濟部智慈財產局貨工消費合作社印製 該所顯示之影像再次藉由使用影像拾取裝置2 〇 1 變爲數位信號。該來自於影像拾取2 〇 1之是爲信號被培 至數位信號處理器2 0 2。該數位信號處理器2 〇 2蜂 h來 自於影像拾取裝置2 0 1之數位信號’與來自於參考> 供應來源2 0 3之數位信號相比較，並將該差別闽竣令 正電路1 6 1。 當依此而得倒是當之珈瑪校正（T 一校正）之資如 _ 、料時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210>< 297公釐） -13- 531764 A7 B7 五、發明説明（n) ，該資料被儲存在校正記憶體1 6 2中之所指到之位址。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後，爲了對於下一視頻信號開始予以校正，該信號 產生器2 0 4發送一不同於校正電路1 6 1之前之數位信 號。當得到將數位信號珈瑪校正（r -校正）之適當資料 時，該資料被儲存於校正記憶體1 6 2之所指到之位址。 當所有校正資料被儲存於校正記憶體1 6 2中時，該 信號產生器2 0 4以及數位信號處理器2 0 2係與主動式 矩陣基底1 0 0分離。此處，而完成珈瑪校正（r -校正 )表格之製備。注意，此處所展示之珈瑪校正（r -校正 )表格之方法僅爲一例子，當然，本發明並非限制於此。 此外，圖1之方塊圖亦爲一例子，而可藉由使用像是校正 電路而不用校正記憶體而實施珈瑪校正（r -校正）。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 之後，數位視頻信號被送至校正電路1 6 0，而根據 儲存於校正記1 6 1上之珈瑪校正（r -校正）表格之資 料，而將數位視頻信號予以校正’而之後’該信號被進一 步轉換成類比視頻信號，而被送至E L元件。因爲係藉由 校正電路1 6 0而對送至E L元件之類比視頻信號予以適 當校正，而得到經平衡之冷光性（紅色冷光、綠色冷光以 及藍色冷光）以及顯示優異之影像。 具有上述結構之本發明將參考以下之實施例而更加詳 細的描述。 〔實施例〕 在此實施例中，將參考圖1而解釋具有校正電路之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -14- 531764 A7 B7 12 五、發明説明（ E L顯示裝置。 圖1係爲展示本實施例之E L顯示裝置之方塊圖。在 圖1中，參考號1 〇 〇係標示一主動式矩陣基底，其包括 源極驅動電路i 〇 〇以及i 2 〇、聞極驅動電路丨3 〇、 以及圖素部份1 5 Q ·該圖素部份i 5 Q包括以矩陣形式 而建構之圖素，而每個圖素包括TFT1 6 1 、EL元件 1 5 2等。雖然爲簡化而未予以展示，在本實施例中，係 藉由使用對應於R (紅）、G (綠）以及B (藍）之濾色 器而實施該彩色化。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 參考號1 6 0表示一影像信號處理電路，其 / D轉換電路1 6 3作爲將外側輸入之類比信 位信號，一校正電路1 6 1作爲將數位信號予以 (r一校正）’以及一D/A轉換電路164作

包括一 A 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 瑪校正（r -校正）之數位信號轉換爲類比信號 電路1 6 1包括一校正記憶體1 6 2。 參考號1 7 0表示一控制電路，其控制送至 陣基底1 0 0以及影像信號處理電路1 6 0中之 。一同步信號2 1 0係輸入至控制電路1 7 0。 號轉換爲數 珈瑪校正 爲將經珈 。該校正 主動式矩 各種信號 訂 -Φ·. 該影像信號處理電路1 6 0、控制電路1 7 接合在與主動式矩陣基底1 〇 〇之基底上，例如 0等，係 ’係爲另 印刷基底，而位於該基底上之電路以及主動式矩陣基底 1 0 0係經由纜線、撓式接線板等而連接。 自外側而輸入至影像信號處理電路1 6 0上之視頻信 號2 0 〇，係爲像是電視信號或視頻信號之類比信號。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -15- 531764 A7 B7 五、發明説明（） 13; (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在影像信號處理電路1 6 0中，該視頻信號2 0 0， 藉由A / D轉換電路而被轉換爲數位視頻信號，而被輸出 至校正電路1 6 1。該校正電路1 6 1觀察每個EL元件 之冷光亮度’而根據儲存在校正記憶體中之珈瑪校正（T -校正）表格而予以珈瑪校正（r 一校正）爲輸入數位視 頻信號。該珈瑪校正（τ ~校正）數位視頻信號，藉由D / Α轉換電路1 6 4而轉換爲類比視頻信號，並被送至源 極驅動電路1 1 〇以及1 2 0。 該數位視頻信號被送至該校正電路1 6 0，而根據儲 存在校正電路1 6 1中之珈瑪校正（r -校正）表格之資 料，該數位視頻信號被珈瑪校正（r -校正），而在該信 號被進一步轉換爲類比視頻信號之後，而被送至E L元件 。因爲係位於送至E L元件之類比視頻信號而予以適當的 珈瑪校正（T -校正），可得經平衡之亮度（紅色冷光、 綠色冷光以及藍色冷光）而顯示一優異的影像。 在本發明之此實施例之E L顯示裝置之建構方法中， 係使用圖3 A至5 A而解釋。注意，爲了簡化該解釋， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 CMO S電路係爲驅動電路之基本電路。 首先，如圖3 A所示，基膜3 0 1係在玻璃基底 3 0 〇上而形成3 0 0 nm之厚度。氮化矽氧化膜，在本 實施例中係經疊層而爲基膜3 0 2。最好設定氮氣濃度於 接觸玻璃基底3 0 0之膜中爲在1 0以及2 5w t %。 接著，非晶矽膜（未顯示在圖中）係藉由已知之沈積 方法，而在基膜3 0 1上形成5 0 nm之厚度。注意，不 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 531764 A7 B7 五、發明説明（14) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 必限制於非晶矽膜，而另一膜可被形成，假設其係爲包含 非結晶結構之半導體膜（包括微型結晶半導體膜）。此外 ’可使用包含非結晶結構之化合物半導體膜，像是非晶砂 鍺。進一步該膜厚度可係自20至1〇〇nm之厚度。 該非晶矽膜之後藉由已知之技術而結晶，形成一晶矽 膜（亦稱爲多結晶矽膜或多晶矽膜）3 0 2 .使用電熱爐 之熱結晶，使用雷射之雷射退火結晶、以及使用紅外光之 燈泡退火結晶，係爲已知之結晶方法。在實施例1所執行 之結晶，係使用來自於X e C 1氣體之激光雷射之光線。 注意，實施例1係使用脈衝射出類型激光雷射光線而 形成一線性形狀，但是亦可使用長方形，而亦可使用連續 射出之氬雷射光以及連續射出激光雷射光。 經濟部智慧財產局W工消費合作社印製 在此實施例中，雖然結晶矽膜可使用作爲T F T之作 用層，其亦可使用一非晶矽膜。注意，可能形成該開關 丁 F T之作用層，其中必須藉由非晶矽膜而減少該截止電 流，並藉由結晶矽膜而形成電流控制T F T之作用層。因 爲載子移動率低，所以在非晶矽膜中之該電流流動困難， 而該截止電流不容易流動。換句話說，藉由非晶矽膜而使 電流不易流動，而藉由結晶矽膜，而使電流容易流動。 接著，如圖3 B所示，保護膜3 0 3係以具有1 3 0 n m厚度之矽氧化膜而形成在結晶矽膜3 0 2上。此後度 係選定在1 0 0至2 0 0 nm之範圍中（最好是介於 1 3 0至1 7 0 n m )。進一步，假設其爲包含係之絕緣 膜，則亦可使用其他膜。該保護膜3 0 3經提供’而使得 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -17- 531764 A7 _______ B7 五、發明説明（） 15’ S亥結晶矽膜在加入雜質時而不直接處於電漿中，而使得可 精密控制雜質濃度。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電阻遮罩3 0 4 a以及3 0 4 b之後係形成於該保護 膜3 0 3 ，而加入施加η形導電性（此後稱爲n形雜質元 素）之雜質元素。注意，在週期表族群1 5之元素一般係 使用作爲η形雜質元素，而可使用磷或砷。注意可使用電 漿滲入方法，其中磷酸（Ρ Η 3 )係爲電漿作動，而不會大 量分離，而在此實施例中，磷被加入在1 X 1 〇 1 8 a t 〇 m s / c m 3。當然，執行大量分離之離子植入方法 亦可使用。 該施加量經調制，使得該η形雜質元素包含在n形雜 質區3 0 5以及3 0 6中（藉由此程序而形成），在2χ 1 016至5 X 1 0ί9原子/ cm3 (—般係介於5χ 1017 至 5χ1018 原子/ cm3) 〇 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 接著’在圖3 C所示，將保護膜3 0 3移除，而執行 所加入週期表族群1 5元素之作動。可使用已知之作動技 術而作爲作動機構，該作動在此實施例中係藉由激光雷射 光之照射而執行。可使用脈衝射出類型激光雷射以及連續 射出類型激光雷射，而不需限制於激光雷射光之使用。該 目的係爲加入雜質兀素之作動，而最好該照射係在使結晶 矽膜不熔化之能量位準下而執行。注意，該雷射照射亦可 以保護膜3 0 3取代下而執行。 該處理之作動亦可藉由雷射光之使雜質元素作動而執 f了。虽藉由熱處理而作動時，考慮基底之熱電阻時’最好 i紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐)~ -18- 531764 Α7 Β7 五、發明説明（16) 係以4 5 0至5 5 0 °C之熱處理下而執行。 具有沿著η形雜質區3 0 5、3 0 6之端緣之邊界部 份（連接部份），即，沿著存在於η形雜質區3 0 5、 3 0 6之η形雜質元件不加入其中之周邊之區域，藉由此 程序而被製出。即，當T F Τ在之後被完成時，可在 L D D區以及通道形成區之間形成極良好之連接。 之後移除結晶矽膜之不必要部份，如圖3 D所示，而 形成島狀半導體膜（此後稱爲作用層）3 0 7至3 1 0。 之後，如圖3 Ε所示，形成閘極絕緣膜3 1 1 ，覆蓋 在該作用層3 0 7至3 1 0。包含矽之絕緣膜以及具有 1 0至2 0〇nm厚度（最好係介於5 ◦至1 5 0 nm) 之絕緣膜可使用作爲閘極絕緣膜3 1 1。可使用單一層結 構或疊層結構。在實施例1中係使用1 1 〇 n m厚度之氮 化矽氧化物膜。 接著’形成具有2 0 0至4 0 0 n m厚度之導電膜， 而經執行圖樣化而形成閘極3 1 2至3 1 6該閘極3 1 2 至3 1 6之端部部份可作成傾斜形狀。注意，在此實施例 中，該閘極以及經延伸之接線（此’後稱爲閘極接線）經電 連接至閘極而以不同之材質所製。特別是，具有較閘極之 電阻爲小之材質，係使用作爲，聞極接線。此係因爲可精細 製作之材質，係使用作爲閘極.，而經由精細製作而具有低 接線電阻之材質係不作爲閘極接線。當然，閘極以及閘極 接線可以相同之材質所製。 此外，雖然閘極可藉由單一層之導電膜而形成，最好 本ί氏張尺度適用中國國家標準(ϋ) Α4規格（210X297公釐) '~— -19- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

♦I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 531764 A7 B7 五、發明説明（17) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 係以二層或三層之疊層膜所製。置於閘極之材質，可使用 任何已知之導電膜。然而，如上述，最好使用可精細製作 之材質，特別是可經圖樣至具有2微米或更小之線寬。 一般而言，可使用選擇自钽（T a )、鈦（T i )、 鉬（m 〇 )、鎢（W )、鉻（C r )以及矽（S i )，上 述元素之氮化物膜（一般爲氮化鉅膜、氮化鎢膜、氮化鈦 膜）、上述元素之結合之合金膜（一般爲Mo - W合金、 Mo - T a合金）、或上述元素之砂化物膜（一般爲砂化 鎢膜、矽化鈦膜）之元素所製。當然’可使用該膜而作爲 單一層或疊層。 在此實施例中，可使用具有5 0 n m厚度之氮化鎢（ WN)以及具有3 5 0 nm厚度之鎢（W)之疊層膜。此 可藉由濺射方法而形成。當像是X e ，N e等之惰性氣體 被加入而作爲濺射氣體，可避免由於壓力所造成之膜脫落 〇 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 在閘極3 1 3以及3 1 6在此時被形成，使得個別η 形雜質區3 0 5、3 0 6之個別重疊區域，將該閘極絕緣 膜3 1 1夾置。此重疊部份之後形成重疊該閘極之L D D 區域。 接著，η形雜質元素（在實施例1中係使用磷）以自 我對準之方式而與閘極312至316而被加入而作爲遮 罩，如圖4 Α所示。此加入經調整使得磷被加入至雜質區 域3 1 7至3 2 3中，如此而成爲雜質區3 0 5至306 之1/2至1/1 0之濃度（一般係介於1/3至1/4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 531764 A7 B7____ 五、發明説明（18) )。特別是，最好爲lx 1016至5x10"原子/ c· m 3 (特別是 3 X 1 0 1 7 至 3 X 1 〇 1 8 原子 / c m 3 )。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電阻遮罩3 2 4 a至3 2 4 c接著以覆蓋該閘極等之 形狀而形成，如圖4 B所示，而加入η形雜質元素（在實 施例1中係使用磷），形成包含高磷濃度之雜質區3 2 5 至3 3 1。此處最好係爲使用磷酸（Ρ Η 3 )之離子植入’ 而經控制使得此些區域之磷濃度在1 X 1 〇 2 Q至1 χ 1 021原子/cm3 (—般介於2x 1 〇2〇至5x 1 0 2 1 原子 / c m 3 )。 η通道T F T之汲極區或源極區藉由此程序而形成， 而在該開關T F Τ中，藉由圖4 Α所示之此程序而形成之 η形雜質區3 2 0至3 2 2之部分，仍存在。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 接著，如圖4C所示，電阻遮罩324a至324c 被移除，而形成新的電阻遮罩。P形雜質元素（在實施例 1中係使用硼）於之後被加入，而形成包含高濃度硼之雜 質區3 3 3以及3 3 4 .此處之硼係藉由使用B2H6之離 子植入，而以3/102°至3成1021原子/(：1113之濃 度而加入（一般係介於5x 1 02。至lx 1 021原子/ cm3) ° 注意，該磷係已經以1 χ 1 0 2 Q至1 χ 1 〇 2 1原子/ c m 3之濃度而被加入至雜質區3 3 3以及3 3 4，但是硼 係以三倍於磷之濃度而被加入。因此，η形雜質區已經完 成轉爲Ρ形，而作爲Ρ形雜質區。 接著，在移除電阻遮罩3 3 2之後，以每個濃度加入 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格（210 X 297公釐) -21 - 531764 A7 B7 五、發明説明（19) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之$形或P形雜質元素被作動。關於作動之機構，可使用 熱爐退火方法、雷射退火方法或燈泡退火方法。在此實施 例中’係在5 5 〇 °C之氮氣環境下執行4小時之熱處理。 此時’重要的是’而在此環境下而移除氧氣至極端。 此因爲如果甚至只存在少量之氧氣，閘極之暴露表面被氧 化’而使得電阻增加，而亦使稍後之歐姆接觸困難。因此 ’最好是在作動步驟中之處理環境下之氧氣濃度係爲1 p p m或更少’最好是〇 . 1 p p 1T1或更少。 接著’在作動步驟結束之後，而形成具有3 〇 〇 n m 厚度之閘極接線3 3 5。關於閘極接線3 3 5之材質，可 使用包含銘（A 1 )或銅（C u)之金屬膜而作爲其主要 成分（構成其中之5〇至1〇〇%)。藉由此建構，可經 形成而將開關T F T之閘極3 1 4以及3 1 5予以電連接 (圖 4 D )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由採用此結構，可使閘極接線之接線電阻變得很低 ，而形成具有大區域之影像顯示區欲（圖素部份）。即， 此實施例之圖素結構，對於具有小於1 0英尺對角線大小 之螢幕（進一步，3 0 cm或更大）之EL顯示裝置之實 施上，係非常有效能。 接著，如圖5 A所示，形成第一交互層絕緣膜3 3 6 。關於該第一交互層絕緣膜3 3 6，可使用包含矽之絕緣 膜之單一層，或此些膜之結合的疊層膜。此外，可將膜厚 度作爲4 0 0 n m至1 · 5微米。在此實施例中，係在具 有2 0 0 nm之氮化矽氧化膜上疊層具有8 0 0 nm厚度 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 531764 Α7 Β7 五、發明説明（20) 之氧化矽膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，熱處理係在包含介於3至1 0 0%之氫氣中， 而在3 0 0至4 5 0 °C下執行1至1 2小時，而執行氫化 作用。此係藉由熱作動氫氣而將半導體膜之懸蕩（dangle ) _結予以氫氣終結之處理。 注意，可在形成第一交互層絕緣膜3 3 6時，而*** 產生氫氣之步驟。即，可在形成2 0 0 n m厚度之氮化矽 氧化膜之後，而實行上述之氫氣處理，之後可形成剩下之 8 0 〇 n m厚度之氧化矽膜。 接著，接觸孔係形成在第一交互層絕緣膜3 3 6，而 形成源極接線3 3 7至3 4 0以及汲極接線3 4 0至 3 4 3。在此實施例中，此電極係以三層結構之疊層膜而 製作，其中係以濺射方法而連續形成具有3 0 0 n m厚度 之包含鈦之鋁膜、以及具有1 5 0 n m厚度之鈦膜。當然 ，可使用其他之導電膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後係形成具有5 0 0至5 0 0 n m厚度之第一鈍化 (passivation)膜 3 4 4 ( —般係介於 2 0 0 至 3 〇 0 nm )。在實施例1中係使用3 0 0 n m厚度之氮化矽氧化膜 而作爲第一鈍化膜3 4 4。此可藉由氮化矽膜而替代。 注意，可在形成氮化矽氧化膜之前而使用包含像是Η 2 或ΝΗ3等之氫之氣體而執行電漿處理。這由此預先處理而 作動之氫，被送至第一交互層絕緣膜3 3 6 ，而第一鈍化 膜3 4 4之膜品質可藉由熱處理而改進。此時，被加入至 交互絕緣膜3 3 6之氫，被擴散至較低側，而該作用層可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2!0>< 297公釐） -23- 531764 A7 B7 五、發明説明（21) 被有效的被氫化。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，如圖5 B所示，可形成以有機樹脂所製之第二 交互層絕緣膜3 4 5。關於此有機樹脂，可使用聚醯亞胺 (.polyimide)，聚醯胺（polyimade)，丙燔醯（acryly) B C B (苯並環丁燦（benzocyclobutene ))等。特別是， 因爲第二交互層絕緣膜3 4 5主要係使用作爲平坦化，平 坦特性優異之acryl係較佳的。在此實施例中，任何acrylic 膜可經形成足夠之厚度以將由T F T所形成之經平坦化步 階部份。最好該厚度係在1至5微米（更好係2至4微米 )° 接著，到達汲極接線3 4 3之接觸孔，係在第二交互 層絕緣膜3 4 5以及第一鈍化膜3 4 4中形成，而形成圖 素電極3 4 6。在此實施例中，關於圖素電極3 4 6，而 形成具有3 0 0 nm之鋁合金膜（含鈦在1 w t %之鋁膜 )。注意，參考號3 4 7係指相鄰圖素電極之部分。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 注意，如圖5 C所示，形成鹼性化合物3 4 8。在此 實施例中，氯化鋰膜係藉由蒸氣方法，而形成5 n m之厚 度。之後具有1 〇〇nm厚度之EL層349係藉由旋轉 覆蓋法而形成於其上。 關於製程E L層3 4 9之E L材質，可引用像是聚對 苯乙烯（P P V )或聚氟化烯以及低分子有機材質。特別 是，關於顯示白色冷光之polymei·有機材質，其變成冷光層 ，可使用如日本專利申請公開號第平一 8 — 9 6 9 5 9號 或第平一 9 — 6 3770。例如，可藉由溶解PVK (聚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0χ297公釐） -24- 531764 Μ ___Β7_ 五、發明説明（22) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 乙烯基咔唑），Bu — PBD(2 -（4> 一第三丁基苯 基）一 5 — ( 4 / —聯苯基）一 1 ，3 ，4 一噁二唑）， 香豆素6 ，DCM1 (4 —二氰基伸甲基—2 —甲基—6 一p—二甲基胺基苯乙烯基4H—吡喃），TPB(四苯 基丁二烯），或Nile紅在1，2 —二氯甲烷）。此時，將 膜厚度製在3 0至1 5 0 nm係足夠的（最好係4 0至 10Onm)。上述例子只是使用作爲本發明EL層之有 機材質之例子，而非限制本發明）。 此外，如上述，一般粗分爲四種彩色化系統，而在此 實施例中，使用對應於R G B彩色化之濾色器形成系統。 關於E L層3 4 9，可使用已知之材質以及結構。然而， 在本發明中，可使用可發出白色光線之低分子有機材質。 注意，對應於R G B之濾色器可設置於位於主動式矩陣基 底之圖素電極之上。此外，可該此結構應用於將另一基底 鍵結於主動式矩陣基底之上而密合該E L元素，而將濾色 器設置於該基底上。注意，爲了簡化而不顯示該濾色器。 經濟部智慧財產局"貝工消費合作社印製 此外，可採用一種顯示系統，其中係結合藍色或藍色 -綠色冷光以及螢光材質（螢光彩色轉換層：C CM)之 E L層，或是藉由將對應於RGB之E L層堆疊而製成之 彩色顯示系統。 注意，在此實施例中，雖然E L層3 4 9係以唯一之 上述冷光層之單一層結構所製，是需要，而提供電子射出 層、電子轉換層、電洞轉換層、電洞射出層、電子區塊層 或電洞區塊層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -25- 531764 A7 B7 五、發明説明（％) ~ dL0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著’具有2 0 0 nm並以透明導電膜之陽極3 5 〇 係形成而覆蓋於蓋E L層3 4 9上。在此實施例中，以氧 化銦以及氧化銦之化合物所製之膜，係藉由蒸氣方法而形 成，而執行圖樣化以製成該陽極。 最後，藉由電漿C V D方法，以氮·化矽膜所製之第二 鈍化膜3 5 1被形成爲1 〇 〇 n m之厚度。該第二鈍化膜 3 5 1保護該E L層3 4 9使免於水分蒸氣。此外，亦將 釋放E L層3 4 9所產生之熱氣。爲了進一步加強熱散溢 效果，可將氮化矽膜以及碳膜（最好係爲鑽石狀之碳膜） 予以疊層而製成第二鈍化膜。 依此，完成具有如圖5 C所示結構之主動式矩陣e L 顯示裝置。在本實施例之該主動式矩陣E L顯示裝置，具 有最佳結構之丁 F T不僅設置於圖素部份，且設置於該驅 動電路部份，所以得到非常高之可靠度，而可增進操作特 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，具有減少熱載子射出以儘可能不降低操作速度 之結構的T F T，係使用作爲形成驅動電路之C Μ〇S電 路之η通道T F Τ。注意，此處之驅動電路包括移位暫存 器、緩衝器、位準移位器、取樣電路（取樣以及保持電路 )等。當製成數位驅動時，可包括像是D / Α轉換器之單 一轉換電路。 在此實施例中，如圖5 C所示’ η通道T F T 2 0 5 之作用層包括來源區355、汲極區356、LDD區 357以及通道形成區358 ’以及LDD區357藉由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -26- 531764 A7 B7 五、發明説明（24) 將閘極絕緣膜3 1 1設置其間而覆蓋於該閘極3 1 3上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將L D D區只形成在汲極區側之理由係考慮降低操作 速度。在此η通道T F T中，不需要注意截止電流値，相 對的該操作速度係重要的。 因此，最好該L D D區3 5 7係完全覆蓋閘極以減少 電阻因素至最小。即，最好係移除所謂的偏移（offset)。 此外，因爲由於熱載子射出很難在C Μ〇S電路之p 通道T F Τ中顯著而造成之損害，L D D區不需要特別提 供。當然，可提供類似於η通道T F Τ之L D D區，以解 決該熱載子。 注意，在該驅動電路中，取樣電路與其他取樣電路是 有些不同，在於具有大電流在通道形成區之兩個方向上流 動。即，將源極區以及汲極區之角色對調。此外，必須控 制將截止電流之値控制爲越小越好，最好是使用具有介於 開關丁 F Τ以及電流控制T F Τ之中間位準之T F Τ功能 於取樣電路中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述功能可根據圖3 Α至5 C之製造步驟而被輕易的 製造T F T。在此實施例中，雖然只展示圖素部份以及驅 動電路之結構，假如使用本實施例之製造步驟，可形成一 像是信號除法電路、D / A轉換電路、操作放大電路或其 他不同於驅動電路之邏輯電路於相同基底，而進一步，可 形成記憶體部份、微處理器等。 當完成圖5 C之處理時，密合材質（此後稱爲掩蓋（ housing )材質）此時被形成’以至少環繞該圖素部份，而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X 297公釐） '27- 531764 A7 B7 五、發明説明（％) Δ0 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 最好係該驅動電路以及圖素部份（圖6 )。注意，平板（ plate )形狀材質處理凹洞部份，使環繞該元件部份，而使 用作爲密合材質1 8，而亦可使用紫外線硬化樹脂。該 E L元件係完全密合於密閉空間，而與外在環境隔絕。 進一步，最好係在密合材質1 8以及基底1 0之間之 間隙2 0中塡入惰性氣體（氬氣、氦氣、氖氣等）。藉此 ，而壓制E L元件受到濕氣。 此外，在完成E L層之密合處理之後，作爲將形成於 基底之電路或元件延伸之端子予以與外部信號端子相連接 之連接器（撓性印刷電路：F P C 1 7 )被接合，而完成 成品。注意，如圖6所示，接線2 6經由介於密合材質 1 8以及基底3 0 0之間隙（其以黏膠1 9塡入）而電連 接至F P C 1 7。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 此處，本實施例之主動式矩陣E L顯示裝置之結構將 參考圖7之上視圖而描述。在圖7中，參考號3 0 0表示 基底；1 1表示圖素部份；1 2表示來源側驅動電路；而 1 3表示閘極側驅動電路。該個別驅動電路經由接線1 4 至1 6，到達F P C 1 7，而連接至外部裝備。 圖7所述，影像可藉由將F P C 1 7連接至外部裝備 之端子而顯示在圖素部份。在本說明書中，藉由連接 F P C之影像顯示器之產品係定義爲E L顯示裝置。 注意在此實施例中，雖然係以例子而展示將E L元件 之輸出光線輸出在主動式矩陣基底之上表面側，亦可採用 將EL元件藉由自下方依次將I ΤΟ/EL層/ MgAg 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -28- 531764 A7 B7 五、發明説明（^) 26 電極（陰極）所製之圖素電極（陽極）而形成。此時， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) E L元素之輸出光線被輸出至基底側（主動式矩陣基底之 低表面），而在該處形成TFT。 〔實施例2〕 在實施例1中，係描述將發射白色冷光之低分子有機 材質作爲構成E L層之E L材質。在此實施例中，係描述 將對應於.R (紅色）、G (綠色）以及B (藍色）之三種 聚合物有機材質予以堆疊之例子。注意，因爲此實施例與 實施例1係僅不同於該E L材質，因此只描述該部份。 除了實施例1之低分子有機材質之外，可使用聚合物 有機材質（聚對苯乙烯（P P V )，聚氟化烯等）。例如 ，可將氰基聚伸苯基乙烯作爲紅色冷光材質，聚伸苯基乙 烯使用作爲綠色冷光材質，而聚伸苯基乙烯以及聚烷苯基 使用作爲藍色冷光材質。 藉由採用此結構，可得到具有高冷光亮度之冷光（紅 色冷光、綠色冷光以及藍色冷光）。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 〔實施例3〕 在實施例1中係使用雷射結晶而作爲形成結晶矽膜 3 0 2之機構，而在實施例1中係使用不同結晶之機構。 實施例中在形成非晶矽膜之後，使用如日本專利案公 開號第平一 7 - 1 3 0 6 5 2所記錄之技術而執行結晶。 上述專利案所述之技術係藉由使用像是鎮之兀素而作爲催 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS) A4規格（210X297公ϋ ' _ " -- -29- 531764 A7 B7 五、發明説明（27) 化結晶之催化劑而得到具有良好結晶性之結晶矽膜之一。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 進一步，在完成該結晶處理之後，可執行移除結晶中 之催化劑之程序。此時’該催化劑可藉由使用如日本專利 公開號第平一 1 〇 - 2 7 0 3 6 3或日本專利案公開號第 平一 8 - 3 3 0 6 0 2號所記錄之技術。 此外，可藉由使用本案申請人之如日本專利號第平 一 1 1 — 0 7 6 9 6 7號所記錄之技術而形成T F T。 實施例1之製造程序係爲本發明之一實施例，而實施 實施例1之圖5 C之結構，之後其他製造程序亦可如上述 在無問題下而使用。注意，可自由結合實施例1以及實施 例2之組構。 〔實施例4〕 實施例1已解釋使用上閘極式T F T，但是本發明並 非限制於T F T結構，而可使用下閘極式T F T而實施（ 一般爲反向交錯（stagger )式TFT)。進一步，該反向 交錯式T F T可以任何形式而形成。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 〔實施例5〕 根據本發明所製造之E L顯示裝置，係爲自發射式， 而與液晶顯示裝置相較，係具有在光線上更優異的顯示影 像的辨識度。進一步，該E L顯示裝置具有較寬的可視角 度。於是，該E L顯示裝置可應用於各種電子裝置之顯示 部份。例如，爲了在較大螢幕上觀看T V節目等，根據本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -30- 531764 A7 B7 五、發明説明（w)

Zo (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明之E L顯示裝置可被使用作爲具有3 0英尺或更大（ 一般爲4 0英尺或更大）之E L顯示器（即，將E L顯示 裝置設置於框中之顯示器）。 該E L顯示器包括各種使用作爲顯示資訊之顯示器（ 像是個人電腦之顯示器、接收T V廣播節目之顯示器，作 爲廣告顯示之顯示器）。且，根據本發明之E L顯示裝置 可被使用作爲各種電裝置之顯示部份。 此電子裝置包括視頻照相機、數位照相機、護眼罩式 顯示器（頭套式顯示器），汽車導航系統、車輛視頻設備 、筆記本大小個人電腦、遊戲機、可攜式資訊終端機（行 動式電腦、可攜式電話、可攜式遊戲機、電子書等）、包 括記錄媒體之影像再生設備（特別是，可再生像是光碟片 (CD)、雷射碟片（LD)、數位視頻碟片（DVD) 之設備、以及包括作爲顯示再生影項之顯示器）等。特別 是，使用E L顯示裝置之可攜式資訊終端機，因爲像是由 傾斜方向而觀察之可攜式資訊終端機通常需要具有較大之 視角。圖8 A至8 F個別展示此電子裝置之各種例子。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 圖8A展示包括框200 1、支撐桌200 2、顯示 部份2 0 0 3等之E L顯示器。本發明可應用於顯示器部 份2 0 0 3。該E L顯示器係爲自發射式而因此不需要背 光。因此，其具有較液晶顯示裝置較薄之厚度。 圖8B展示包括主體2101、顯示部份2 102、 音頻輸入部份2 1 0 3、操作開關2 1 0 4、電池 2 1 0 5、影像接收部份2 1 0 6等之視頻照相機。根據 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -31 - 531764 A7 ______ B7 五、發明説明（29) 本發經之E L顯示裝置可使用作爲顯示部份2 1 〇 2。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖8 C展示頭套式EL顯示器之部分（右半部），其 包括主體220 1 、單一纜線2202 、頭套帶22〇3 、顯示部份2 2 0 4、光學系統2 2 0 5、E L顯示裝置 2 206等。本發明可應用於EL顯示裝置2206。 圖8 D係展示包括記錄媒體（特別是d V D再生設備 )之再生設備，其包括主體2301、記錄媒體（CD， L· C，D V D等）2 3 0 2，操作開關2 3 0 3、顯示部 份（a ) 2 3 0 4，另一顯示部份（b ) 2 3 0 5等。該 顯示部份（a )可使用作爲顯示影像資訊，而顯示部份（ b )主要係使用作爲顯示字元資訊。本發明之；£ L顯示裝 置可使用作爲顯示部份（a )以及（b )。包括記錄媒體 之影像再生設備，進一步包括C D再生設備、遊戲機等。 圖8 E展示包括主體2 4 0 1、照相機部份2 4 0 2 、影像接收部份2 4 0 3，操作開關2 4 0 4、顯示部份 2 4 0 5等之電腦。本發明之E L顯示裝置可使用作爲顯 不部份2 4 0 5。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 圖8F展示包括主體2501、框2502、顯示部 份2 5 0 3、鍵盤2 5 0 4等之個人電腦。本發明之該 E L顯示裝置可使用作爲顯示部份2 5 0 3。 當發射自E L材質之較亮冷光在未來出現時，本發明 之E L顯示裝置將可應用至前式或後式投影機，其中包括 輸出影像資訊之光線可藉由被投射之透鏡等之機構而放大 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 531764 A7 B7 五、發明説明（30) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於發射L顯示裝置將可應用至前式或後式投影機， 其中包括輸出影像資訊之光線可藉由被投射之透鏡等之機 構而放大。 由於發射光線之E L顯示裝置之部分係耗電所以最好 係顯示資訊使得發射部份之光線變得愈小愈好。於是，當 E L顯示裝置被應用於主要顯示字元資訊之顯示部份（例 如，可攜式資訊終端機、而個別是可攜式電話或車輛音頻 裝備），最好係驅動該顯示裝置使得藉由光射出埠份而形 成字元資訊，而非射出部份對應於背景。 現在參考圖9A，展示包括主體2601、音頻輸出 部份2 6 0 2、音頻輸入部份2 6 0 3，顯示部份 2 6 0 4、操作開關2 6〇5、天線2 6 0 6之可攜式電 話。本發明之E L顯示裝置可使用作爲顯示部份2 6 0 4 。該顯示部份2 6 0 4可藉由顯示白色字元於黑色背景而 減少可攜式電話之功率消耗。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖9B係展示包括主體2701、顯示部份2702 、以及操作開關2 7 0 3以及2 7 0 4之汽車音頻裝備。 本發明之E L顯示裝置可使用作爲顯示部份2 7 0 2。雖 然本發明係展示套式之汽車音頻裝備，本發明可應用於設 定式之汽車音頻中。該顯示部份2 7 0 2可藉由顯示白色 字元於黑色背景而減少功率消耗，其特別係設定式汽車音 頻之優點。 上述本發明係應用於各種電子之領域。本發明之電子 裝置可藉由使用具有自由組合實施例1至實施例4之結構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -33- 531764 A7 B7 3r 五、發明説明（ 之組態之E L顯示裝置而得。 在本發明中’因爲係提供應用於E L顯示裝置之圖^ 之珈瑪校正（r -校正）信號之機構，而製造出具有適带 控制冷光亮度之E L元件射出光線之E L顯示裝置。 $ 此外，藉由使用本發明之E L顯示裝製作爲顯示部份 ’可得到具有高可視性之廉價電子裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、玎------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -34-

Claims (1)

1. 531764 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 構0 包括 1 · 一種電子裝置，包含·· 一 E L顯示裝置，包括： 薄膜電晶體； 圖素電極，被電連接至薄膜電晶體； 具有·圖素電極之E L顯示元件作爲陰極或陽極；以及 絕緣層作爲密合該E L元件； 作爲傳送類比影像信號至E L元件之傳送機構；以及 作爲U卩瑪校正（r 一校正）該類比影像信號之校正機 2 ·如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包含： 作爲儲存經珈瑪校正（τ 一校正）之資料之記憶體。’ 3 ·如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包含： 一濾色器’被形成在對應於圖素電極之位置。 4 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該E l元件 弟一圖素’包括藍色冷光層， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第二圖素，包括綠色冷光層，以及 第三圖素，包括紅色冷光層。 5 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中該珈瑪校正 (r -校正）係放大紅色信號。 6 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該珈瑪校正 (r -校正）係衰減藍色或綠色信號。 7 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該珈瑪校正 (r -校正）係無關於所傳送之藍色、綠色以及紅色之每 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- 531764 ABCD 々、申請專利範圍 2 個信號。 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本貢) 8 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該£ l元件 包括包含聚合物有機材質之冷光層。 9 · 一種E L顯示裝置，包含： 薄膜電晶體； 圖素電極，被電連接至薄膜電晶體； 具有圖素電極之E L元件，作爲陰極或陽極； 一絕緣層作爲密合該E L元件； 一傳送機構作爲將類比影像信號傳送至E L元件以 及 一校正機構作爲珈瑪校正（r -校正）該類比影像信 號， 其中該薄膜電晶體、圖素電極、E L元件、絕緣層、 傳送機構以及校正機構，係形成於相同基底之上。 1 0 .如申請專利範圍第9項之裝置，進一步包含： 作爲儲存經伽瑪校正（T -校正）之資料之記憶體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 1 ·如申請專利範圍第9項之E L顯示裝置，其中 該E L顯示裝置係使用在電子裝置中。 1 2 ·如申請專利範圍第9項之裝置，其中該珈環瑪 (r )校正係放大紅色信號。 1 3 .如申請專利範圍第9項之裝置，其中該珈瑪校 正（r -校正）校正係衰減紅色或綠色信號。 1 4 ·如申請專利範圍第9項之裝置，其中該珈瑪校 正（r -校正）校正係獨立作用於每個藍色、綠色以及紅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） -36- 531764 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 3 色信號。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中該E L顯 示裝置可使用在可以是E L顯示器、視頻照相機、頭戴式 E L顯示器、包括記錄媒體之影像再生裝置、可攜式電腦 、個人電腦、可攜式電話、以及汽車音響設備之電子裝置 中 〇 1 6 ·如申請專利範圍第1 1項之裝置，其中該裝置 可以是E L顯示器、視頻照相機、頭戴式E L顯示器、包 括記錄媒體之影像再生裝置、可攜式電腦、個人電腦、·可 攜式電話、以及汽車音響設備。 1 7 ·如申請專利範圍第9項之裝置，進一步包含： 一濾色器，被形成在對應於圖素電極之位置。 1 8 ·如申請專利範圍第9項之裝置，其中該E L元 件包括， 第一圖素，包括藍色冷光層， 第二圖素，包括綠色冷光層，以及 第三圖素，包括紅色冷光層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 9 ·如申請專利範圍第9項之裝置，其中該E L元 件包括包含聚合物有機材質之冷光層。 20·—種電子裝置，包含： 一 E L顯示裝置，包括： 薄膜電晶體； 圖素電極，被電連接至薄膜電晶體； 具有圖素電極之E L顯示元件作爲陰極或陽極； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 531764 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 4 絕緣層作爲密合該E L元件； 源極驅動電路，作爲將類比影像信號施加至該E L元件；以及 校正機構，作爲珈瑪校正（r〜校正）該類比影 像信號 2 如申請專利範圍第2 0項之裝置，進一步包含 作爲儲存經珈瑪校正（r -校正）之資料 2 2 _如申請專利範圍第2 0項之E L顯 中該E L顯示裝置係使用在選擇自以e L顯示 相機、頭戴式顯示器、包含記錄媒體之影像再 攜式電腦、個人電腦、可攜式電話以及車上音 之記憶體。 示裝置…其 器、視頻照 生裝置、可 頻設備所構 成之群組之電子裝置。 …如申請專利範圍第2 0項之裝置，進一步包含·· 置。 該E L元件

   包括 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 濾色器，被形成在對應於圖素電極之位 如申請專利範圍第2 〇項之裝置，其中 第一圖素，包括藍色冷光層， 第二圖素，包括綠色冷光層，以及 第三圖素，包括紅色冷光層。 2 5 ·如申請專利範圍第2 0項之裝置，其中該珈瑪 校正（r 一校正）係放大紅色信號。 2 6 .如申請專利範圍第2 0項之裝置，其中該珈瑪 校正（r -校正）係衰減藍色或綠色信號。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38- 531764 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 5 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 7 ·如申請專利範圍第2 0項之裝置，其中該珈瑪 校正（r -校正）係無關於所傳送之藍色、綠色以及紅色 之每個信號。 2 8 ·如申請專利範圍第2 0項之裝置，其中該E L 元件包括包含聚合物有機材質之冷光層。 2 9 · —種E L顯示裝置，包括： 薄膜電晶體； 圖素電極，被電連接至薄膜電晶體； 具有圖素電極之E L顯示元件作爲陰極或陽極； 絕緣層作爲密合該E L元件； 源極驅動電路，作爲將一類比影像信號施加至該E L 元件；以及 校正電路，作爲校正珈瑪（T -校正）該類比影像信 號， 其中該薄膜電晶體、圖素電極、E L元件、絕緣層、 源極驅動電路以及校正電路係形成該一相同基底之上。 3 0 ·如申請專利範圍第2 9項之裝置，進一步包含 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作爲儲存經珈瑪校正之資料之記憶體。 3 1 ·如申請專利範圍第2 9項之E L顯示裝置，其 中該E L顯示裝置係使用在選擇自以E L顯示器、視頻照 相機、頭戴式顯示器、包含記錄媒體之影像再生裝置、可 攜式電腦、個人電腦、可攜式電話以及車上音頻設備所構 成之群組之電子裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 531764 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 6 進一步包含 3 2 ·如申請專利範圍第2 9項之裝置 一濾色器，被形成在對應於圖素電極之位置。 3 3 ·如申請專利範圍第2 9項之裝置，其中該E L 元件包括’ 第一圖素，包括藍色冷光層， 第二圖素，包括綠色冷光層，以及 第三圖素，包括紅色冷光層。 3 4 ·如申請專利範圍第2 9項之裝置，其中該珈瑪 校正（r -校正）係放大紅色信號。 其中該珈瑪 3 5 ·如申請專利範圍第2 9項之裝置 校正（r -校正）係衰減藍色或綠色信號。 其中該珈瑪

   3 6 ·如申請專利範圍第2 9項之裝置 校正（r -校正）係無關於所傳送之藍色、綠色以及紅色 之每個信號。 3 7 .如申請專利範圍第2 9項之裝置，其中該E L 元件包括包含聚合物有機材質之冷光層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210X297公釐） -40