TW520530B - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW520530B
TW520530B TW090122017A TW90122017A TW520530B TW 520530 B TW520530 B TW 520530B TW 090122017 A TW090122017 A TW 090122017A TW 90122017 A TW90122017 A TW 90122017A TW 520530 B TW520530 B TW 520530B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
wafer boat
boat
processing
substrate
Prior art date
Application number
TW090122017A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuhisa Matsunaga
Kouichi Noto
Original Assignee
Hitachi Int Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Int Electric Inc filed Critical Hitachi Int Electric Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW520530B publication Critical patent/TW520530B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本發明係有關於一種基板處理裝置，尤其是可在處理 基板時防止氧化及污染的一基板處理裝置。 景— 在一半導體裝置製造工廠中已廣泛地在熱處理如退 火，氧化薄膜成形，在半導體晶圓上擴散或薄膜成形等熱 處理中採用批次垂直熱壁爐（以下稱為爐）。 美國專利第4,770,590號案揭露此種爐之一。在此爐 中 I父換器架設在一晶圓運送單元及一處理管下的空 間之間，且有一對晶舟架設在晶舟交換器的一轉動桌上， 其中一已處理晶舟藉由相對於一晶舟升降機作18〇。的轉動 在轉動桌上的該對晶舟而以未處理晶舟取代。亦即，在此 爐中，容納一組晶圓的一晶舟（第一晶舟）在處理管中處 理，而新的晶圓（未處理晶圓）架設在另一晶舟上（第二晶 舟），然後藉由一晶圓運送單元運送，以增加產能。 然而，在此習知爐中，雜質，譬如，污染物可能會在 晶舟的交換過程中形成。此外，由於晶舟為牢固地架設在 轉動桌上，晶舟可能會在交換操作中因外力，如地震，而 掉落。 此外，曰本早期公開號第9_289173號案揭露一垂直熱 壁爐，其包括用以架設及運送其上架設晶圓的第一晶舟於 一晶圓運送區以及一處理管之間的一第一晶舟升降機，以 及用以架設及運送其上架設晶圓的第二晶舟於晶圓運送區 及處理官之間的一第二晶舟升降機，其中一晶舟交換操作 ^20530 A7 i---—— 非相對於如上述美國專利第4,77g，別號案中所揭露的一 晶舟升降機執行，以增加其產量。 J ㈤時’在日本早期公開號第9·289173號案中揭露的一 L $直熱壁爐中，由於晶舟交換操作非相對於晶舟升降機而 執仃’不會產生位置偏差的問題，因而可避免傾倒的問題。 - 然:而，由於-熱處理室係定位在通過第一晶舟升降機及第 • =日日日舟升降機的位置之—直線，第-及第二日日日舟升降機之 Ρ3的距離會成為晶舟升降機之各臂（轉動單元）的兩倍。 由於上述垂直熱壁爐之水平寬度（開口）須要增加， 目而增加了其尺寸。此外，由於藉由第一及第二晶舟升降 機自處理管運送至與其分開的預設位置之晶圓第一及第二 晶舟係以一晶圓運送單元所容納，晶圓運送單元的容納區 會變得較大，因而使得其佔據區也變得很大。
發明之指j I 因此，本發明的一個目的是備置一半導體裝置，其可 ^ 阻止或減少雜質的形成，以避免晶舟的傾倒或掉落。 本發明的另一目的是備置一半導體製造裝置，其可阻 止未處理之晶舟被處理過的晶舟產生的熱所影響。 依據本發明的第一較佳實施例，一基板處理裝置包 括·用以處理數個基板的一方法；兩個用以容納基板的晶 舟；兩個各在其上架設一晶舟的晶舟升降機，該晶舟升降 機容納晶舟於處理管之下的第一位置以及兩個對應第二位 置之間，並在第一位置上自處理管裝卸晶舟；以及當晶舟 在第一位置時用以自晶舟上裝卸基板的一基板運送單元， 本紙張尺度適用中國國家標準（(^S；) A4規格（210X297公釐）
裝…· (請先閲讀背面之注意事嚷再填寫本頁) 、可| :線- 520530 A7 —____B7 五、發明説明3() 其中處理管的一中間位置配置在藉由連接基板運送單元及 兩個晶舟升降機而形成的一三角形内。 依據第一實施例，由於處理管的中間位置配置在以連 接基板運送單元及兩個晶舟升降機而形成的一三角形内， 兩個晶舟升降機之間的空間可節省，以減少基板處理裝置 的水平寬度。此外’由於基板運送單元可運送容納在第一 位置下兩隻晶舟中任一晶舟中的晶圓，晶圓可在一熱處理 階段以兩隻晶舟中任一晶舟運送。如此可節省基板運送單 元的移動區，以減少所占空間。 依據本發明的第二較佳實施例，一基底處理裝置包 括·用以處理數個基板的一處理管，兩個用以容納基板的 晶舟；兩個用以容納晶舟於在處理管之下以及兩個對應第 一位置之間，並在第一位置自處理管中裝卸晶舟；以及用 以自晶舟中裝卸基板的一基板運送單元，其中晶舟升降機 定位在通過處理管之一中心及基板運送單元的一線的兩 側，且晶舟之一藉由其對應晶舟升降機自第一位置朝向基 板運送單元移動，而另一個晶舟藉由其對應晶舟升降機自 第一位置朝向基底運送單元的相對侧移動。 在第二實施例中，晶舟升降機定位在通過處理管之一 中心及基板運送單元的一線的兩側，且晶舟之一藉由其對 應晶舟升降機自第一位置朝基板運送單元移動。結果，可 節省基板處理裝置的水平寬度及其所占的空間。 依據第一及第二實施例，由於晶舟升降機可運送晶舟 於在處理管下的第一位置以及兩個對應第二位置之間，牢 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） (請先閲讀背®-之注意事項再填寫本頁) •、可| 6 520530 A7 _ B7_ 五、發明説明4 ) 固地架設在晶舟升降機上的晶舟可自處理管中裝卸。因 此’在已處理晶舟及未處理晶舟交換時可避免雜質的產 生。此外，可交換操作或地震發生時不會發生傾倒的問題。 依據本發明的第三較佳實施例，一基板處理裝置包 括：兩個用以處理數個基板的處理管；四個用以容納基板 的晶舟；四個晶舟升降機，各晶舟升降機用以裝卸晶舟之 一於一處理管中，並運送該晶舟之一於在處理管之下的第 一位置以及三個對應第二位置之一之間；以及用以自晶舟 中裝卸基板的一基板運送單元。 凰式之簡要說明 本發明的上述及其他目的將在下文中藉由較佳實施例 的說明而更為明顯，其中： 第1圖為依據本發明之第一較佳實施例的一化學蒸氣 沉積（CVD)裝置的一概略平面圖； 第2圖為沿著第1圖之線π_π所取的CVD裝置之一垂 直橫截面圖； 第3圖為依據第一較佳實施例的CVD裝置在其中處理 晶圓時的一垂直橫截面圖； 第4A，4B圖分別為一晶圓運送單元在一縮短及延長 狀況下的側視圖； 第5圖為依據本發明之第一較佳實施例的cvd裝置在 處理第二晶舟時的概略圖，其用來說明第一個CVD裝置 管理方法； 第6圖為在第二晶舟卸貨後CVD裝置的概略圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） -----------------------裝------------------訂------------------線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 520530 A7 _____ B7_ 五、發明説明< ) 第7圖為在第二晶舟撤出後CVD裝置的概略圖； 第8圖為採用依據第一 CVD裝置管理方法的第一晶舟 之CVD裝置在晶圓運送過程中的概略圖； 第9圖為在撤退第二晶舟至一晶圓裝卸位置上的一預 疋位置時CVD裝置的概略圖，其用來說明第二個cvd裝 置管理方法； 第10圖為在第一晶舟卸貨後CVD裝置的概略圖； 第11圖為當第一晶舟撤退至在一晶圓裝卸位置上的一 預定位置時CVD裝置的概略圖； 第12圖為依據第二CVD裝置管理方法的CVD裝置在 第二晶舟卸貨後的概略圖； 第13圖為依據本發明的第二較佳實施例之一 cvd裝 置的概略平面圖； 第14圖為依據本發明的第三較佳實施例之一 cvd裝 置的概略平面圖；而 第15圖為依據本發明的第三較佳實施例之一 cvd裝 置的概略截面側視圖。 較佳實施例的詳細說明 本發明的較佳實施例將配合第圖說明如下。依據 本發明的一較佳實施例之一半導體製造裝置為一批次式垂 直熱壁爐（以下稱為爐），譬如一化學蒸氣沉積（CVD)裝置， 其用以沉積一 CVD薄膜於一晶圓上作為基板。在以下較 佳實施例之說明中，前及後，左及右側係依據第〗圖而界 定。亦即，一貨台8定位的下方稱為前側，而相對側稱為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚）
發明説明（( 後側。一清潔單元3定位的左手邊稱為左側，其相對邊稱 為右側。 如第1圖所示，一CVD裝置1包括大體上為具有_矩 形橫載面之六邊形盒子形狀的一殼體2。兩個等高的清潔 單元3水平地架設在殼體2的左側壁上。清潔單元3分別朝 向其對應撤出台提供清潔空氣。 一熱處理台4繞著殼體2内的一中心部份設定。一第一 撤出台5以及一第二撤出台5A分別設定在熱處理台4的左 前側及左後側。 一晶圓裝載台7設定在殼體2的右前角。一載貨台8設 定在晶圓裝載台7的前方。一用以配置一晶圓的一凹槽（未 顯不）的凹槽組合單元9定位在殼體2的左前角。上述台子 均會在下文中詳細說明。 如第2及3圖所示，一處理管η為以譬如石英製成的單 體’其垂直地架設在熱處理台4的一上方，該處理管u 為圓筒形，而其下方為開放的。處理管^的中空部份形成 一處理室12，數個共中心地配置於晶舟上的晶圓裝載於其 中。處理管11的底開口作為裝卸晶圓的一喉部13。 該處理管11之下方經由一封環15連接一岐管14的一上 部。岐管14以殼體2支持。結果，處理管丨丨垂直地被支持。 如第2圖所示’通過岐管14之側壁而架設的是用以在一所 欲真空程度下淨空處理室12的一排氣管16，以及用以供應 一源頭氣體或氮氣至處理室12中的一進氣管線17。在處理 管11外，一用以加熱處理室12的加熱單元18共中心地繞著 本紙張尺度適用中國國家標準（CM) A4規格（210χ297公爱）
9 520530 A7 B7 五、發明説明X ) 處理管11而架設。加熱單元18被殼體2垂直地支持。 運送第一晶舟30於熱處理台4及第一撤出台5之間的一 第一晶舟升降機20架設在熱處理台4及第一撤出台5之間的 一後方位置。一第二晶舟升降機20A鄰接熱處理台4及第 二撤出台5A而架設，以輸送第二晶舟30A於熱處理台4及 第二撤出台5A之間。 詳言之，第一及第二晶舟升降機20及20A定位在通過 熱處理台4(處理管11之中心）以及晶圓裝載台7(以下將細 述的一晶圓運送單元40)的一線的兩側上。第一及第二晶 舟升降機20及20A分別朝向晶圓裝載台7及晶圓裝載台7的 相對側輸送對應晶舟。 此外，處理管11的一中心位置配置在以連接晶圓裝載 台7，晶舟升降機20以及晶舟升降機20A而形成的一三角 形内。第一晶舟30及第二晶舟30A的中心位置定位在通過 晶圓裝載台7及處理管11的中心位置的一直線的一側（在此 實施例中為左側）。 由於第一及第二晶舟升降機20, 20A以及第一及第二 晶舟30，30A之構造相同且功能類似，以下將僅配合第2， 3圖說明第一晶舟升降機20及第一晶舟30。 如第2，3圖所示，第一晶舟升降機20架設在殼體2内 的一預定位置。第一晶舟升降機20具有可轉動地支持之運 送螺釘軸21，它可以一電動馬達22作順時鐘及反時鐘的轉 動。一升降機支持部23以螺釘連接運送螺釘轴21，以使升 降機支持部23藉由運送螺釘軸21之轉動而上下移動。一轉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 面- 之 注 意 事· 項 再 填 寫 本 頁
訂 10 520530 A7 B7 參 五、發明説明< 動起動器24水平地架設在升降機支持部23上。一蓋26牢固 地以水平方向架設在臂25上，以支持垂直架設的第一晶舟 30。一固定部27配置在蓋26上，以固定第一晶舟30，固定 部27可固定第一晶舟30，但界定成可鬆開第一晶舟，以作 維護，譬如第一晶舟30的清潔。 如第2，3圖所示，第一晶舟30具有一上端板31，一下 端板32以及數個，譬如，三個支持端板31及下端板32。各 支持元件33備置數個，譬如，100至200個垂直間距的晶圓 支持孔34，以容納及支持晶圓W。三個支持元件的一組在 同一高度上的孔可用來支持一晶圓。 晶圓W的週邊部份架設在對應支持孔中，以使晶圓水 平地配置，而其中心線維持在同一垂直線上。一具有圓筒 形之隔熱蓋35架設在第一晶舟30的下端板32之下，其中一 圓盤形底36在隔熱蓋35之底下擠壓。該底36面對第一晶舟 升降機20之蓋26的頂表面，並以固定部27固定。 回到第1圖，有一晶圓運送單元40架設在晶圓架設台7 上。晶圓運送單元40支持晶圓W於密閉莢式容器台8，凹 槽組合單元9及熱處理台4之中。換言之，晶圓運送單元40 運送晶圓W於一密閉莢式容器50，凹槽組合單元9以及晶 舟30及30A之間。 如第4A及4B圖所示，晶圓運送單元40包括一底41， 一水平地架設在底41上的轉動起動器42,架設在轉動起動 器42上的一第一線形起動器43。一第二線形起動器44以水 平地架設在第一線形起動器43上，而一架設單元45架設在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂| :線_ 11 A7 〜'〜----- - B7 五、發明説明9( P --- 第二線形起動器44上。 轉動起動器42轉動在-水平平面上的第一線性起動器 们。第-線性起動器43可線性地與第二線性起動器44互 動。第二線性起動器44可線性地與架設單元45互動。數個 其間備置一固定垂直間隙的水平上為長形的挾子46(譬如 在第4A及4B圖中的五個挾子），架設在架設單元^的一侧 2上明圓運送單藉由具有—運送螺釘機構的一升降 機47上下移動。 “架設在各密閉莢式容器台8上的是一前開口一致的密 閉笑式谷器（FOUP)50，其作為裝載晶圓w的一搭載機單 元（谷、，内單元）。即使為〉青楚起見僅一密閉笑式容器台8顯 示於第1及5圖中，熟習此技藝人士可清楚地知道可在 裝置1上備置超過一個欲閉笑式容器台。密閉笑式容器 具有六邊形似盒狀的形狀，而其一面上備置一開口。一門 51可拆卸地架設在密閉莢式容器的開口上。 藉由以岔閉莢式容器做為晶圓的搭載機，晶圓可在運 送時不觉污染，因為裝載晶圓的密閉莢式容器可氣密地關 上。結果，對於容納一 CVD裝置的清潔室之清潔要求程 度可下降，以減少清潔室的維修費用。 因此’在依據本發明之較佳實施例的Cvd裝置1中， 岔閉莢式容器50用來做為晶圓的搭載機。在密閉莢式容器 台8上架设一岔閉莢式容器開啟器（未顯示），以藉自密閉 莢式容器50上分開門51即可打開密閉莢式容器5〇。 依據本發明的一較佳實施例之CVD裝置的操作將依 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） (請先閲讀背面之注意-r項再填窝本頁) •訂· 12 520530 A7 B7 五、發明説明l(〇 ) 據第5至8圖加以說明。 如第5圖所示，被第一晶舟升降機20支持的第一晶舟30 在第一撤出台5上撤回，而被第二晶舟升降機20A運送的 第二晶舟30A裝載於處理管11之處理室12中處理。 在所欲處理完成後，如第6圖所示，支持第二晶舟30A 的一蓋26A被第二晶舟升降機20A降下，以自處理管11之 處理室12中卸下第二晶舟30A。在第二晶舟30A卸下後， 喉部13以擋門（未顯示）關上，以阻止破壞處理室12内高溫 狀況自處理室12中卸下之第二晶舟30A(以下亦稱為處理 晶舟30A)以及其内的晶圓在高溫狀況。 如第7圖中所示，自處理室12中卸下的高溫已處理晶 舟30A藉由第二晶舟升降機20A之一轉動起動器24A自定 位在處理管11的軸線上的熱處理台4上移開至第二撤出台 5A。由於第二撤出台5A繞著流出清潔空氣的清潔單元3之 一出口定位，在第二撤出台5A上的高溫已處理之晶舟30A 可有效地藉由清潔單元3中流出的清潔空氣冷卻。 當已處理之晶舟30A藉由第二晶舟升降機20A運送至 第二撤出台5A時，其中無任何晶圓的空的第一晶舟30自 第一撤出台5藉由第一晶舟升降機20之轉動起動器24運送 至熱處理台。在空的第一晶舟30運送至熱處理台4後，在 密閉莢式容器50中的晶圓藉由晶圓運送單元40運送至第一 晶舟30。由於置於第二撤出台5A上的已處理晶舟30A可在 晶圓運送開始之前以清潔單元3足夠地冷卻，運送之晶圓 不會為定位在熱處理台4上的已處理晶舟30A之熱影響。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------裝------------------訂------------------線. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 520530 A7 B7 五、發明説明4 ) 請 先 閲 讀 背 意 事· 項 再 Φτ 窝 本 頁 如第8圖所示，當晶圓W藉由晶圓運送單元40運送至 晶舟上時，備置在密閉莢式容器台8上的密閉莢式容器以 經由一密閉莢式容器開起器（未顯示）之鬆開操作而打開。 在密閉莢式容器50打開後，晶圓運送單元40自密閉莢式容 器50經由凹槽組合單元9運送晶圓W至第一晶舟30。 如第4A及4B圖所示，第二線性起動器44及架設單元45 朝向密閉莢式容器50移動。然後，挾子46***密閉莢式容 器50中，以拾取與其相連的密閉莢式容器50中之晶圓W。 其後，第二線性起動器44以及架設單元45撤出至如第4A 圖中所示的位置。其後，轉動起動器42轉動大約90°，而 第二線性起動器44及架設單元45朝向凹槽組合單元9移 動。然後，在挾子46上的晶圓W藉由升降機47之操作裝載 在凹槽組合單元9中。 在晶圓W之凹槽組合在凹槽組合單元9上完成後，晶 圓運送單元40藉由挾子46之使用自凹槽組合單元9拾取晶 圓W，然後撤出挾子46至第4A圖中所示的位置。 其後，轉動起動器42轉動約90°，而第二線性起動器44 及架設單元45朝向熱處理台4延伸。然後，在挾子46上的 晶圓運送至晶舟30的晶圓支持孔34中。其後，晶圓運送單 元40撤出第二線性起動器44以及架設單元45並轉動轉動起 動器42大約180°。然後，挾子46配置成面向密閉莢式容器 50，如第4A圖所示。 由於晶圓運送單元40有五個挾子46，晶圓運送單元40 可同時自密閉莢式容器50的五個孔運送五個晶圓W至晶舟 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 14 520530 A7 B7 五、發明説明瑋 30的五個晶圓支持孔3 4。在此實施例中’由於批次在晶舟 30上處理的晶圓之數量（譬如100至200)大於容納在一密閉 莢式容器50中的數量（譬如25個），晶圓運送單元40藉由 升降機47之操作，架設一預定數量的晶圓W。於擬送至一 晶舟的數個密閉莢式容器50中。若在密閉莢式容器50中的 晶圓為凹槽配置的，晶圓運送單元40自密閉·英式容器50運 送晶圓W至晶舟30，而不通過凹槽組合單元9。 在預定數量之晶圓W架設在第一晶舟30上後，第一晶 舟30被如第3圖中所示的升降機20舉起並裝載至處理管11 的處理室12中。當第一晶舟30向上移動至一上限時，岐管 14之底表面以及蓋26之上表面的週邊部緊密地與密封環15 連接並***其間，以氣密地密封處理室12。 當處理室12以蓋26作氣密式關閉時，處理室12被淨 空，以獲得一預定的真空程度。然後，處理室12加熱至預 定處理溫度（譬如800°C至1000°C)而在預設流動率下的一 處理氣體通過入氣管線17進入處理室12中。結果，一 CVD 薄膜藉由CVD反應形成在各晶圓W上。 定位在第二撤出台5A上的已處理晶舟30A藉由第二晶 舟升降機20A的轉動起動器24A運送至熱處理台4，而第一 晶舟30在處理管11的處理室12中處理。此時，已處理晶舟 30A完全冷卻使得它維持在低於譬如大約150°C的溫度。 在熱處理台4上運送之已處理晶舟30A之三個支持元件33 朝向晶圓運送單元40而維持打開狀況，如第1圖所示。 在已處理晶舟30A藉由第二晶舟升降機20A運送至熱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------裝------------------#----------------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 五、發明説明治 ) 處理台4之後，晶圓運送單元4〇自在熱處理台4上的已處理 晶舟30A中拾取晶圓W，並運送其至密閉莢式容器台8的 二在、閉莢式容器50中。在此實施例中，由於在已處理晶舟 30A中批次處理之晶圓w的數量大於可容納在一密閉莢式 容器50中的晶圓數量，晶圓運送單元4〇自已處理晶舟3〇a 運送晶圓W至在密閉莢式容器台8上的數個密閉莢式容 器。當一預定數量之晶圓冒被運送至一空的密閉莢式容器 5〇時，支持裝載晶圓的密閉莢式容器自密閉莢式容器台8 上鬆開，然後運送至另一地方。 、在所有已處理晶圓W自已處理晶舟30A運送至密閉莢 式容器50之後’空的第二晶舟3〇八藉由帛二晶舟料機2〇a 運送至第二撤出台5A，並維持撤出狀態直到下一操作開 為止。 此時，當第一晶舟30的預定時間結束時，支持第一晶 舟30的蓋26藉由第-晶舟升降機2〇降下。結果，第一晶舟 3〇自處理管η之處理室12中卸Τβ其後，其喉部被擔門M(未 顯不）關閉，以維持處理室12中的高溫狀態。自處理室 中卸下的第-晶舟30以及第一晶舟3〇所容納的晶圓W在高 溫狀態。 如有關於第二晶舟30A之上述說明，在高溫下並自處 理室中卸下的已處理第一晶舟30藉由第一晶舟升降機2〇 的轉動起^24自熱處理台4朝第—撤出台5運送。由於第 撤出台Λ著流出清潔空氣的清潔單元3之出口而定位 運送至第-撤出台5的已處理第—晶舟3〇可有效地二青 五、發明説明岭 ) 潔單元3流出之清潔空氣冷卻。 晶圓W藉由CVD裝置重覆上述方法而批次處理。 在如上述之本發明的較佳實施例中，擬處理之晶圓在運送 已處理晶舟至撤出台之後裝載於空晶舟中。然而，若擬沉 積之薄膜非為感熱性的，擬處理的晶圓可在其他晶圓正在 處理管中處理時，運送至一晶舟。 依據本發明之上述較佳實施例的優點如下： (1) 由於採用兩個晶舟，晶圓的薄膜生長可在一晶 舟中進行，同時另一晶舟可進行晶圓運送，可使CVD裝 置的產量增加。 (2) 藉由在熱處理台及撤出台之間移動，兩個晶舟 升降機可自處理官中裝卸一晶舟而交替地使用兩個晶舟處 理在處理管中的晶圓，一晶舟不須自一對應晶舟升降機上 分開，因此可固定地架設於其上。結果，兩晶舟可連續地 父替地操作，而不會由於晶舟靠著晶舟升降機之移動而產 生晶圓未對齊的問題。 (3) 由於兩個晶舟均構形成可藉由運用架設在對應 晶舟升降機之一升降機支持單元上的一轉動起動器而移動 於熱處理台及撤出台之間，兩個晶舟可僅使用晶舟升降機 而獨立地移動，以減少CVD裝置的造價。 (4) 由於晶舟牢固地架設在以一對應晶舟升降機之 一臂支持的蓋上，晶舟可在譬如地震時受保護不傾倒或掉 落’因此可防止晶圓或晶舟的受損。 (5) 晶圓運送單元40以及晶舟升降機2〇，20A以繞 520530 A7 、發明説明1$ ) 著第1圖之熱處理台4的方式構形成靠近熱處理台4，而處 理B曰舟與空晶舟之交換在第一及第二撤出台以及熱處理台 之間執行。結果，第一及第二晶舟升降機之各臂的一轉動 半徑可減少，以藉由減少CVD裝置之殼體的尺寸（左/右以 及前/後）尺寸而減少CVD裝置所占空間。 (6) 藉由減少殼體之體積，可減少由清潔單元供應 的清潔空氣量；而造成初步投資以及維護費用（直接及間 接操作費用）之下降，此點加上產量之增加造成（丨）擁有費 用（COO)下降。在此狀況下，C〇〇之估算如下：c〇〇=(最 初投資費用+維護費）/(直到折舊到底時晶圓的數量）。 (7) 由於自處理管之處理室中卸下之高溫已處理晶 舟立即以晶舟升降機運送至定位在遠離配置在處理管之中 心軸線上的熱處理台上，裝載於熱處理台上的一空的晶舟 上的新晶圓不被已處理晶舟的熱所影響，以阻止新的晶圓 處理的精確性不會被已處理晶舟之熱所影響而損壞。 (8) 由於已處理晶舟對於新晶圓之熱的影響可避 免’在自晶舟處理室中裝卸晶圓的時期，處理室的溫度不 須下降，如此可阻止產量的下降。 (9) 由於避免晶圓的熱影響，可增加CVD裝置之熱 處理的精確度。此外，藉由運用此晶圓生產的半導體裝置 之品質及可靠性可增加。 (10) 由於用以容納在高溫下的已處理晶舟之第一及 第二撤出台在清潔單元之清潔空氣出口的前面，在高溫下 的已處理晶舟可有效地冷卻，而縮短了冷卻時間。 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 請 先 閱 讀 背 面- 之 注 意 事· 項 再 填 寫 本 頁
訂 18 五、發明説明冷 ) (11) 晶圓運送單元可運送容納於熱處理台上的任何 晶舟中的晶圓，而該台為在處理管下的一晶舟裝卸位置， 晶圓可連同在-熱處理台上的任何第一及第二晶舟運送。 結果可節省基板運送單元的一移動區，以減少其所占空 間。 (12) 由於第一升降機及第二晶舟升降機定位在通過 處理官及晶圓運送單元的一中心的一線之兩側，第一晶舟 升降機可移動第一晶舟朝向晶圓運送單元，而第二晶舟升 降機可移動第二晶舟朝向晶圓運送單元的相對側。如此另 可減少其所占空間。 (13) 由於處理管的中心位置配置在藉由連接晶圓運 送單元及第一和第二晶舟升降機而形成的一三角形内，可 節省第一及第二晶舟升降機之間的空間，以減少裝 置的水平寬度。 (14) 由於晶圓運送單元可運送容納在處理管下晶舟 裝卸位置的任何第一及第二晶舟中，晶圓可連同在一熱處 理台上的任何第一及第二晶舟運送。如此可節省晶圓運送 單元裝置的移動區，以減少其所占空間。 (15) 由於第一晶舟及第二晶舟的中心位置定位在通 過晶圓運送單元及處理管之中心位置的一直線的一側（譬 如左側），可節省第一及第二晶舟升降機之間的空間，因 而減少CVD裝置的水平寬度。 第9至12圖為說明依據本發明之第二較佳實施例的一 CVD裝置管理方法的概略圖。 五、發明説明冷 ) 该第二CVD裝置管理方法與第一 CVD裝置管理方法 的不同在於當一晶舟正在處理時，未處理之晶圓裝栽於另 曰曰舟上，然後該另一晶舟運送至撤出台上的一位置，以 另減上已處理晶舟之熱影響未處理晶圓。 亦即，如第9圖所示，以第一晶舟升降機2〇支持的第 一晶舟在處理管11的處理室12中處理，擬處理的新晶圓裝 載於運送至熱處理台4且以第二晶舟升降機2〇A運送的第 二晶舟30A上。容納新晶圓的第二晶舟3〇A自熱處理台々藉 由轉動起動器24A運送至第二撤出台5A，然後以第二晶^ 升降機20A上升至第二撤出台5A的上方位置。 其後，如第10圖所示，已處理第一晶舟3〇以第一晶舟 升降機20降下。在此實施例中，由於容納在第二撤出台5A 之上方位置的新晶圓之第二晶舟3〇八係遠離熱處理台4， 容納於第二晶舟30A之新晶圓W可不受已處理第一晶舟3〇 之熱的影響。 其後，已處理第一晶舟30移動至第一撤出台5的一上 方位置，而容納新晶圓的第二晶舟3〇A裝載至處理管u 中。然後，當以第二晶舟升降機2〇A運送的第二晶舟3〇A 在處理管11之處理室12中處理時，已處理第一晶舟3〇回到 熱處理台4,而已處理晶圓自第一晶舟3〇中卸下；而新的 擬處理晶圓架設在以第一晶舟升降機2〇支持的第一晶舟3〇 上。其後，谷納新的晶圓之第一晶舟自熱處理台4以轉動 起動機24運送至第一撤出台5 ,然後藉由如第丨丨圖中所示 的第一晶舟升降機20移動至第一撤出台5。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 20 520530 A7 ------------ ----- 五、發明説明1(8 ) 接下來，如第12圖所示，已處理第二晶舟3〇A被第二 晶舟升降機20A降下。在此實施例中，由於容納新的晶圓 W之第一晶舟30移動至遠離熱處理台4的第一撤出台5的上 方位置，容納於第一晶舟30中的新的晶圓可不受高溫之已 處理第二晶舟3〇A熱的影響。 如上述’依據第二CVD裝置管理方法，避免已處理 晶舟對於新的晶圓之熱影響與第一 Cvd裝置管理方法比 較更有過之。 第13圖為依據本發明之第二較佳實施例的一 cvd裝 置1A的概略頂視圖。該依據第二實施例的cvd裝置ία與 第一較佳實施例之CVD裝置1不同之處在於依據第二較佳 實施例的CVD裝置1A具有兩個處理管（包括加熱單元），四 個晶舟，四個晶舟升降機以及三個撤出台。參看第3圖， 以下將詳細說明依據第二較佳實施例的Cvd裝置ία。在 以下說明中，密閉莢式容器台8側稱為前側，而其相對側 稱為後側。 第一熱處理台4及第二熱處理台4A在殼體2的後側對 稱地設置，如第13圖所示，其中第一處理管U及第二處理 官11分別架設在第一熱處理台4及第二熱處理台4A上。 運送第一晶舟30的第一晶舟升降機20以及運送第二晶 舟30A的第二晶舟升降機2〇A相對於第一熱處理台4以對角 線配置。運送第三晶舟30B的第三晶舟升降機20B以及運 送第四晶舟.的第四晶舟升降機2〇C相對於第二熱處理台4A 以對角線配置。 本紙張尺度適用中國國家標準（哪）从規格（21〇><297公楚） ------------------------裝------------------、可......................線. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 21 520530 A7 B7 五、發明説明泠 ) 第一晶舟30撤出的第一撤出台5定位在第一熱處理台4 的前側；第二晶舟30A的第二撤出台5A在第一熱處理台4 的右手側。第三晶舟30B之第三撤出台5B定位在第二熱處 理台4A的前側；第四晶舟30C的第四撤出台5C配置在第二 熱處理台4A的左手側。 如第13圖所示，第二撤出台5A以及第四撤出台5C共 有第一熱處理台4及第二熱處理台4A之間的空間。CVD裝 置1A備置在殼體2之一前中心區的一晶圓裝載台7。架設 在晶圓裝載台7上的晶圓運送單元40運送晶圓W於第一及 第二熱處理台4，4A及密閉莢式容器台之間。 如圖所示，晶舟升降機20，20A位於連接處理管11以 及晶圓運送單元40的線的兩相對側；而晶舟升降機20B， 20C定位在連接處理管11A與晶圓運送單元40之線的相對 側。 如第13圖所示，第一熱處理台4被第一及第二晶舟升 降機20，20A所共用，而第二熱處理台4A被第三及第四晶 舟升降機20B，20C所共用。此外，第二及第四晶舟升降 機20A，20C共用在第一及第二處理台4, 4A之間定位的 一撤出台。 因此，當晶舟30在第一處理管11中處理時，第二晶舟 30A必須在其撤出台5A上；第四晶舟30C在第二處理管11 中；而第三晶舟30B必須在其撤出台5B上。相似地，當地 三晶舟30B在第二處理管11A中處理時，第四晶舟30C必須 在其撤出台5C上；第二晶舟30A必須在第一處理管11中； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 面· 之 注 意 事· 項 再 填 寫 本 頁
訂 麟 22 520530 A7 I—_ Β7 __ 五、發明説明4)) 而第一晶舟必須在其撤出台5上。 依據第二較佳實施例的CVD裝置1Α之一 CVD裝置管 - 理方法與依據第一實施例的CVD裝置1之管理方法相同。 • 依據第二較佳實施例的C V D裝置1Α除備置除依據第一較 佳實施例的CVD裝置1所可獲得的優點，其另有以下優 . 點： φ (1)由於依據第二較佳實施例之CVD裝置ία使用兩 個處理管，四個晶舟升降機以及四個晶舟，其產量可增加。 (2) 由於第二撤出台5A及第四撤出台5C佔有第一熱 處理台4及第二熱處理台4A之間的同一區域，僅須要三個 撤出台，以另減少殼體2之内部體積。 (3) 僅一晶圓裝載台7置於殼體2之一中心前方位 置’而架设在裝載台7上的一晶圓運送單元4〇用來用運送 晶圓W於第一及第二熱處理台4，4A以及密閉莢式容器台 8之間。因此，可減少殼體2之内部體積以及底部區，亦可 • ;咸少所須晶圓運送單元。 (4) 依據以上（2)及（3)項所述的效果，可減少用以 管理CVD裝置的初步及維持費用，因而減少其c〇〇。 第14圖為依據本發明的第三較佳實施例之一 cvd裝 置1B的概略平面圖。第15圖為依據本發明的第三較佳實 | 施例之一 CVD裝置1B的概略截面侧視圖。 依據第三較佳實施例之CVD裝置1B與依據第一及二 較佳實施例的C VD裝置1，1A之不同在於在c VD裝置1B 中，處理管11之下的殼體2的空間中備置容納熱處理台4， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）
------------裝：： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂· :線- -23 - ί>20530 Α7
第一及第二撤出台5,5Α以及第-及第二晶舟升降機20， 2〇Α佔據之空間的一裝載-鎖室構造體60。以下依據第三 實施例的CVD裝置1 β將針對裝載-鎖室構造體6〇說明如 下。在下文中，第14圖之一密閉莢式容器台8的一側界定 成前側；其相對側為後側；一凹槽組合單元9之側為左 側；其相對側為右側。 如第14及15圖中所示，構成一密封室62的一裝載-鎖 室61(以下稱為室61)備置在處理管u下的殼體2之後側。 熱處理台4定位在密閉室62的一前中心區上。第一撤出台5 定位在熱處理台4的左後側。第二撤出台5A定位在熱處理 台4的右後側。如第14圖中所示，熱處理台4靠近晶圓運送 單元40而定位，但撤出台5 , 5A遠離晶圓運送單元4〇而定 位。 一處理管11架設在室61中的熱處理台4上之室61的天 才匕壁之一位置上，其中處理管11連接密封室12用以運送第 一晶舟30的第一晶舟升降機2〇架設在熱處理台4的左側以 及第一撤出台5的前側。運送至第二晶舟3〇a之第二晶舟 升降機20A架設在熱處理台4的右側，以及第二撤出台5a 的前側。 如第15圖所示，供應惰性氣體63，如氮氣至密封室62 的惰性氣體供應管線64連接於室61之頂部。排出密封室62 之氣體的一排氣管線65架設在室61的底壁上。室61的密封 室62被惰性氣體63所渡濺。一晶圓裝卸開口 66架設在室61 的一上方的前壁上，以連接密封室62至殼體2的一前側室。 請 先 閲 讀 背 意 事· 項 再 本 頁
訂 -24 - 520530 、發明説明《2 一門閥67架設在晶圓裝卸開口 66上，必要時可打開及關上 晶圓裝卸開口 66。 ^門閥67打開晶圓裝卸開口 66時，架設在定位於殼體 2之前側室上的裝載台7上之晶圓運送單元4〇通過晶圓裝卸 開口 66運送第一晶舟3〇或運送至熱處理台4的第二晶舟。 依據第三較佳實施例之CVD裝置1B之CVD裝置管理 方法與第一或第二CVD管理方法相同，除室61以惰性氣 體渡濺。當然，晶圓裝卸開口 66以閘門闊67關閉，且室61 之达封至62以通過惰性氣體供應管線64而注入的惰性氣體 63渡濺，並通過排氣管線65而撤空。當晶圓w被晶圓運送 單元40自被運送至熱處理台4的第一晶舟3〇或第二晶舟 3〇A來回運送時，晶圓裝卸開口 66被閘門闊67所打開。 依據第三較佳實施例的CVD裝置1B以及依據第一及 第一較佳實施例的CVD裝置所獲的的效果及其他優點如 下： (1) 由於熱處理台，第一撤出台以及第二撤出台構 成被惰性氣體渡濺的一裝載·鎖室，在熱處理之前及之後 晶圓W被阻止與空氣中所含的氧氣及溼氣接觸。因此，可 有效地避免因大氣中的氧氣或渔氣而形成在晶圓上的不必 要氧化薄膜（天然氧化薄膜）。 (2) 由於項目（1)内所述的效果，CVD裝置之熱處理 的精確性可顯著地增強，以增加藉由使用依據本發明之晶 圓而生產的半導體裝置之品質及可靠性。 (3) 由於晶圓可在另一晶舟在處理管中處理時自一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs) A4規格（21〇><297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂， :線丨 25 520530 A7
曰曰舟來回地運送，以惰性氣體渡濺室所須的時間可減少。 、、、口果整個熱處理時間可減少，以強化CVD裝置之功能 並減少其維修費用。 4如’即使本發明已依據批次式垂直熱壁CVD裝置 說月如上本發明不限於該揭露，其亦可應用於批次式垂 直擴散裝置或其他種類半導體製造裝置。 本發明亦可運用於處理其他形式的基板，包括光罩， 印刷電路板，液晶面板，光碟片，磁碟等。 本發明已依據某些實施例揭露如上，但在不脫離本發 明的申請專利範圍之精神及範圍下可作其他改良及改變。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背如之注意*事項再填寫本頁) 26 520530 A7 B7 五、發明説明泠 ) 1 CVD裝置 20B 第三晶舟升降機 1A CVD裝置 20C 第四晶舟升降機 1B CVD裝置 21 螺釘軸 2 殼體 22 電動馬達 3 清潔單元 23 支持部 4 熱處理台 24 起動器 5 第一撤出台 24A 起動器 5A 第二撤出台 25 臂 5B 第三撤出台 26 蓋 5C 第四撤出台 26A 蓋 7 裝載台 27 固定告P 8 密閉莢式容器台 30 第一晶舟 9 凹槽組合單元 30A 第二晶舟 11 處理管 30B 第二晶舟 12 處理室 30C 第四晶舟 13 喉部 31 上端板 14 岐管 32 下端板 15 封環 33 支持元件 16 排氣管 34 支持孔 17 進氣管線 35 隔熱蓋 18 加熱單元 36 底 20 第一晶舟升降機 40 晶圓運送單元 20A 第二晶舟升降機 41 底 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 27 520530 A7 B7 五、發明説明耸 ) 42 起動器 61 裝載-鎖室 43 第一線形起動器 62 密封室 44 第二線形起動器 63 惰性氣體 45 架設單元 64 供應管線 46 挾子 65 排氣管線 47 升降機 66 裝卸開口 50 密閉莢式容器 67 門閥 51 門 W 晶圓 60 裝載-鎖室構造體 (請先閲讀背¾.之注意•事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 28

Claims (1)

  1. 520530 91. 9. 1 9
    六、申請專利範圍 第90122017號專利申請案申請專利範圍修正本 91年〇9月 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1·一種基板處理裝置，其包含： 用以處理數個基板的一處理管； 用以容納該等基板的兩個晶舟； 兩個晶舟升降機，其上各自架設一晶舟，該等晶舟 升降機運送該等晶舟於位在該處理管下方的第一位置以 及兩個對應的第二位置之間，並自在該第一位置的處理 管中裝卸該等晶舟；以及 一基板運送單元，用於當該等晶舟位在該第一位置 時，自該等晶舟中裝卸該等基板， 訂- 其中該處理管之一中心位置配置在由連接該基板 運送單元及該兩個晶舟升降機而形成的三角形内部。 嘩 2·如申請專利範圍第1項的裝置，其中位在該等第二位置上 的晶舟之中心位置，位在通過該基板運送單元及該處理 管之中心位置的直線的一側。 3·如申請專利範圍第1項的裝置，更包含位在各第二位置之 前方的一清潔單元，用以供應清潔空氣至運送至該處的 晶舟。 4.一種基板處理裝置，其包含： 用以處理數個基板的一處理管； 用以容納該等基板的兩個晶舟； •兩個晶舟升降機，用於運送該等晶舟於在該處理管 下方的第一位置以及兩個對應的第二位置之間，並自在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 30 520530 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 該第一位置的處理管中裝卸該等晶舟；以及 一基板運送單7C，用於自該等晶舟中裝卸該等基 板； 其中該等晶舟升降機位在通過該處理管之中心及該 基板運送單元之線的兩側，以及該等晶舟之一者係藉由 其對應的晶舟升降機而自該第一位置朝向該基板運送單 7L移動，而另一晶舟係藉由其對應的晶舟升降機而自該 第一位置朝向該基板運送單元的相對侧移動。 5.如申請專利範圍第4項的裝置，其中料基板在當該等晶 舟位在該第一位置時被裝卸於該等晶舟中。 6·如申請專利範圍第4項的裝覃，其中位在該等第二位置的 晶舟之中心位置位在通過該基板運送單元及該處理管的 中心位置之直線的一側。 入如申請專利範圍第4項的裝置，更包含位在各第二位置之 前方的-清潔.單元’用以供應清潔空氣至運送至該處的 晶舟。 8· 一種基板處理裝置，其包含： 兩個用於處理數個基板的處理管； 四個用於容納該等基板的晶舟； 四個晶舟升降機，其各自該等處理管之一者中裝卸 該等晶舟，並運送該等晶舟之一者於在該等處理管下方 的兩個第一位置之一者以及三個對應第二位置之一者之 間；以及 一基板運送單元，用於自該等晶舟中裝卸該等基板。 本紙張尺度適财國家標準（⑽）A4規格（2獻297公愛) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·.裝丨 ..線· 31 520530 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 9· 一種使用一基板處理裝置製造半導體元件的方法，該裝 置包括用以處理數個基板的一處理管，用以容納該等基 板的第一及第二晶舟；用以運送該等晶舟於位在該處理 管下方的第一位置以及兩個對應第二位置之間，並自在 第一位置的處理管中裝卸該等晶舟的兩個晶舟升降機， 以及用以自該等晶舟中裝卸該等基板的一基板運送單 元，該等晶舟升降機位在通過該處理管之中心及該基板 運送單元之線的兩側，且該等晶舟之一者係藉由其對應 的晶舟升降機而自該第一位置朝向該基板運送單元移 動，而另一晶舟係藉由其對應的晶舟升降機而自該第一 位置朝向該基板運送單元的相對側移動，該方法包括以 下步驟： 處理谷納在該處理管中的第一晶舟中之基板； 自該處理管中裝卸該第一晶舟；以及 處理容納在該處理管中的第二晶舟中之基板，並在 谷納於該第二晶舟中的基板被處理時，自該第一晶舟中 卸下已經處理的基板。 10·如申請專利範圍第9項的方法，其中在容納於該第一晶舟 中的基板於該處理管中被處理完成之後，自該處理管中 將該第一晶舟卸下，並運送至該等第二位置之一者，然 後將擬處理的基板裝載於該第二晶舟中。 11·如申請專利範圍第9項的方法，其中當裝載在該第一晶舟 中的基板在該處理管中處理時，擬處理的基板被裝載至 該第二晶舟中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、一 32 520530 A8 B8 C8 D8
    、申請專利範圍 _ 如申請專利範圍第_的方法，其中在該擬處理的基板 被裝載至該第二晶舟中之後，該第二晶舟被_對應晶舟 升降機運送至該等第二位置之—者的上方之第三位置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂· .•線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） 33
TW090122017A 2000-09-05 2001-09-05 Substrate processing apparatus TW520530B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000268036 2000-09-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW520530B true TW520530B (en) 2003-02-11

Family

ID=18754861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090122017A TW520530B (en) 2000-09-05 2001-09-05 Substrate processing apparatus

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6540469B2 (zh)
KR (1) KR20020019414A (zh)
TW (1) TW520530B (zh)

Families Citing this family (306)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1008143C2 (nl) * 1998-01-27 1999-07-28 Asm Int Stelsel voor het behandelen van wafers.
JP2003124284A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20070243317A1 (en) * 2002-07-15 2007-10-18 Du Bois Dale R Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber
US7204669B2 (en) * 2002-07-17 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate damage protection system
JP2004103990A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP4266197B2 (ja) * 2004-10-19 2009-05-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
WO2007040062A1 (ja) 2005-10-04 2007-04-12 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR20140091768A (ko) * 2005-11-07 2014-07-22 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 반도체 작업대상물 공정처리 시스템
US8267634B2 (en) 2005-11-07 2012-09-18 Brooks Automation, Inc. Reduced capacity carrier, transport, load port, buffer system
US20080107507A1 (en) * 2005-11-07 2008-05-08 Bufano Michael L Reduced capacity carrier, transport, load port, buffer system
US7553516B2 (en) * 2005-12-16 2009-06-30 Asm International N.V. System and method of reducing particle contamination of semiconductor substrates
KR101841753B1 (ko) 2006-08-18 2018-03-23 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 용량이 축소된 캐리어, 이송, 로드 포트, 버퍼 시스템
JP4842227B2 (ja) * 2006-09-13 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置における地震被害拡散低減システム
US8747052B2 (en) * 2006-11-22 2014-06-10 Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. Automation for high throughput semiconductor batch-wafer processing equipment
US7922485B2 (en) * 2007-02-14 2011-04-12 Tokyo Electron Limited Vertical type heat processing apparatus and vertical type heat processing method
JP4365430B2 (ja) * 2007-02-14 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法
US8190277B2 (en) * 2007-11-30 2012-05-29 Tokyo Electron Limited Method for limiting expansion of earthquake damage and system for limiting expansion of earthquake damage for use in semiconductor manufacturing apparatus
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20100279021A1 (en) 2009-05-04 2010-11-04 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Apparatus for depositing organic material and depositing method thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP2012004536A (ja) * 2010-05-20 2012-01-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR101930456B1 (ko) * 2018-05-03 2018-12-18 주식회사 유진테크 기판 처리 시스템
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4770590A (en) * 1986-05-16 1988-09-13 Silicon Valley Group, Inc. Method and apparatus for transferring wafers between cassettes and a boat
JP2719718B2 (ja) * 1989-03-20 1998-02-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JPH0385723A (ja) * 1989-08-30 1991-04-10 Kokusai Electric Co Ltd 縦型ｃｖｄ装置
JPH03125453A (ja) * 1989-10-09 1991-05-28 Toshiba Corp 半導体ウエハ移送装置
US5221201A (en) * 1990-07-27 1993-06-22 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus
KR0147387B1 (ko) * 1990-09-25 1998-11-02 이노우에 다케시 종형 열처리 장치
JPH06127621A (ja) * 1992-03-29 1994-05-10 Tokyo Electron Tohoku Ltd 基板移載装置
JP3120395B2 (ja) * 1993-03-10 2000-12-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR100221983B1 (ko) * 1993-04-13 1999-09-15 히가시 데쓰로 처리장치
JP3115164B2 (ja) * 1993-07-29 2000-12-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
KR0150052B1 (ko) * 1994-08-02 1998-12-01 김주용 웨이퍼 이송장치 및 방법
TW295677B (zh) * 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
JPH09289173A (ja) * 1996-04-19 1997-11-04 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
US5829969A (en) * 1996-04-19 1998-11-03 Tokyo Electron Ltd. Vertical heat treating apparatus
NL1005102C2 (nl) * 1997-01-27 1998-07-29 Advanced Semiconductor Mat Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven.
NL1005410C2 (nl) * 1997-02-28 1998-08-31 Advanced Semiconductor Mat Stelsel voor het laden, behandelen en ontladen van op een drager aangebrachte substraten.
JPH11329989A (ja) * 1998-05-21 1999-11-30 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
JP3664897B2 (ja) * 1998-11-18 2005-06-29 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6540469B2 (en) 2003-04-01
KR20020019414A (ko) 2002-03-12
US20020037210A1 (en) 2002-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW520530B (en) Substrate processing apparatus
US6108937A (en) Method of cooling wafers
JP2004103990A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP4763841B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003077974A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003007800A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5614352B2 (ja) ローディングユニット及び処理システム
JP2009266962A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US6957690B1 (en) Apparatus for thermal treatment of substrates
JP2002173775A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2003100736A (ja) 基板処理装置
JP2003092329A (ja) 基板処理装置
JP2921945B2 (ja) 縦型熱処理装置
KR20200108467A (ko) 처리 장치, 배기 시스템, 반도체 장치의 제조 방법
JP2004119627A (ja) 半導体製造装置
JP4224192B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3076996B2 (ja) 被処理体の移載方法
JPH1050802A (ja) 基板処理装置
JP2001338890A (ja) 基板処理装置
JP2002009000A (ja) 半導体製造装置
JP2001267247A (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
WO2004057656A1 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2001284277A (ja) 基板処理装置
JP2005093928A (ja) 基板処理装置
JP2003007794A (ja) 基板搬送機構および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees