JP2002173775A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パーティクルの発生やボートの倒れ事故を防
止する。 【解決手段】 筐体２内の中央部に設定された熱処理ス
テージ４の左前脇には第一退避ステージ５が、後脇には
第二退避ステージ５Ａが設定されている。熱処理ステー
ジ４と第一退避ステージ５間には第一ボート３０を両ス
テージ４、５間でロータリーアクチュエータ２４により
移動させる第一ボートエレベータ２０が、熱処理ステー
ジ４と第二退避ステージ５Ａ間には第二ボート３０Ａを
両ステージ４、５Ａ間でロータリーアクチュエータ２４
Ａにより移動させる第二ボートエレベータ２０Ａが設置
されている。第一ボート３０の処理中、第二ボート３０
Ａは第二ボートエレベータ２０Ａで第二退避ステージ５
Ａに移動されて退避する。 【効果】 処理済ボートの熱影響から退避時に他方のボ
ートをボートエレベータから外さずに済むため、パーテ
ィクルやボートの倒れの発生を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置お
よびそれを使用した半導体装置の製造方法に関し、特
に、処理が施される基板の酸化や汚染防止技術に係り、
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の
製造方法において被処理基板である半導体ウエハにアニ
ール処理や酸化膜形成処理、拡散および成膜処理等の熱
処理を施すのに利用して有効なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣの製造方法において半導体
素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以
下、ウエハという。）にアニール処理や酸化膜形成処
理、拡散および成膜処理等の熱処理を施すのにバッチ式
縦形ホットウオール形熱処理装置（furnace 。以下、熱
処理装置という。）が、広く使用されている。

【０００３】従来のこの種の熱処理装置として、特許第
２６８１０５５号公報に記載されているものがある。こ
の熱処理装置においては、ウエハ移載装置とプロセスチ
ューブの真下空間との間にボート交換装置が配置されて
おり、ボート交換装置の回転テーブルの上に一対（二
台）のボートが載置され、回転テーブルを中心として一
対のボートが１８０度ずつ回転することにより、ボート
エレベータに対して未処理のボートと処理済みボートと
が交換されるようになっている。すなわち、この熱処理
装置においては、ウエハ群を保持した一方のボート（第
一ボート）がプロセスチューブの処理室で処理されてい
る間に、他方のボート（第二ボート）に新規のウエハを
ウエハ移載装置によって移載することにより、スループ
ットを向上させている。

【０００４】また、特開平９−２８９１７３号公報に
は、ウエハ群を保持した第一ボートを載せてウエハ移載
領域とプロセスチューブとの間を移動させる第一ボート
エレベータと、ウエハ群を保持した第二ボートを載せて
ウエハ移載領域とプロセスチューブとの間を移動させる
第二ボートエレベータとを備えており、特許第２６８１
０５５号公報に記載されているようなボートエレベータ
に対するボートの交換を実施せずにスループットを向上
させる縦型熱処理装置が、記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特許第
２６８１０５５号公報に記載された熱処理装置において
は、ボートの交換に際してパーティクルが発生するとい
う問題点があるばかりでなく、ボートの交換時や地震発
生時にボートが倒れる危険性がある。

【０００６】本発明の第一の目的は、パーティクルの発
生や倒れ事故を防止することができる半導体製造装置を
提供することにある。

【０００７】他方、特開平９−２８９１７３号公報に記
載された縦型熱処理装置においては、ボートエレベータ
に対するボートの交換を行わないことによりボートの位
置ずれの問題がなくなるため、ボートの転倒を防止する
ことができるが、第一ボートエレベータの位置と第二ボ
ートエレベータの位置とを結んだ直線上に熱処理炉の中
心があるため、第一ボートエレベータと第二ボートエレ
ベータとの間の距離が各ボートエレベータのアーム（回
転基台）の２倍程度と大きくなり、縦型熱処理装置の横
幅（間口）の寸法が増大するという問題点があり、さら
に、第一ボートエレベータおよび第二ボートエレベータ
によってプロセスチューブからそれぞれ離間した位置に
移動された第一ボートおよび第二ボートへウエハ群はウ
エハ移載装置によって移載されるため、ウエハ移載装置
の移動エリアが大きくなり、フットプリント（占有床面
積）が大きくなるという問題点がある。

【０００８】本発明の第二の目的は、フットプリントを
抑制することができる半導体製造装置を提供することに
ある。

【０００９】本発明の他の目的は、未処理ボートの処理
済みボートからの熱影響を防止することができる半導体
製造装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ための第一の手段は、基板を処理するプロセスチューブ
と、複数枚の前記基板を保持する一対のボートと、これ
らのボートを前記プロセスチューブにそれぞれ搬入搬出
するとともに、前記プロセスチューブに搬入搬出する位
置とそれ以外の位置との間で移動させる一対のボートエ
レベータと、前記基板を前記ボートに対して移載する基
板移載装置とを備えており、前記基板移載装置および前
記一対のボートエレベータは前記基板移載装置の位置と
前記一対のボートエレベータのそれぞれの位置とを結ん
で形成される三角形の内部に前記プロセスチューブの中
心が位置するように配置されているとともに、前記プロ
セスチューブの下方のボート搬入搬出位置において前記
各ボートに対して前記基板を移載するように構成されて
いることを特徴とする。

【００１１】前記した課題を解決するための第二の手段
は、基板を処理するプロセスチューブと、複数枚の前記
基板を保持する一対のボートと、これらのボートを前記
プロセスチューブにそれぞれ搬入搬出するとともに、前
記プロセスチューブに搬入搬出する位置とそれ以外の位
置との間で移動させる一対のボートエレベータと、前記
基板を前記ボートに対して移載する基板移載装置とを備
えており、前記一対のボートエレベータが前記基板移載
装置の位置と前記プロセスチューブの中心とを通る直線
の両側に配置されているとともに、一方のボートエレベ
ータは前記ボートを前記基板移載装置側に移動させ、他
方のボートエレベータは前記ボートを前記基板移載装置
と反対側に移動させるようにそれぞれ構成されているこ
とを特徴とする。

【００１２】前記した第一および第二の手段によれば、
ボートエレベータがボートをプロセスチューブの搬入搬
出位置と別の位置との間で移動させることができるよう
に構成されていることにより、ボートをボートエレベー
タに固定してもボートをプロセスチューブに搬入搬出す
ることができるため、処理済みボートと未処理ボートと
の交換時のパーティクルの発生を防止することができ、
また、ボート交換時や地震発生時等のボートの倒れ事故
の発生を回避することができる。

【００１３】しかも、第一の手段においては、一対のボ
ートエレベータのそれぞれの位置を結ぶ直線上にプロセ
スチューブの中心を位置させずに、基板移載装置の位置
と一対のボートエレベータのそれぞれの位置とを結んで
形成される三角形の内部にプロセスチューブの中心が位
置するように基板移載装置および一対のボートエレベー
タを配置したので、一対のボートエレベータ間の間隔を
狭く抑制することができ、ひいては半導体製造装置の横
幅の寸法を減少することができる。さらに、基板移載装
置がプロセスチューブの下方のボート搬入搬出位置にお
いて一対のボートのいずれに対してもウエハを移載する
ように構成されていることにより、熱処理ステージの一
箇所においてウエハを一対のボートのいずれにも移載す
ればよいため、基板移載装置の移動エリアを小さくする
ことができ、フットプリントを小さく抑制することがで
きる。

【００１４】また、第二の手段においては、一対のボー
トエレベータが基板移載装置とプロセスチューブとを通
る直線の両側に配置されているとともに、一方のボート
エレベータはボートを基板移載装置側に移動させ、他方
のボートエレベータはボートを基板移載装置と反対側に
移動させるようにそれぞれ構成されていることにより、
全てが略一直線状に並ぶため、半導体製造装置の横幅の
寸法およびフットプリントをより一層小さく抑制するこ
とができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。

【００１６】本実施の形態において、本発明に係る半導
体製造装置は、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装
置（furnace ）の一例であるバッチ式縦形ホットウオー
ル形ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）として構
成されている。また、本発明に係る半導体装置の製造方
法は、ＣＶＤ装置が使用されてウエハにＣＶＤ膜が被着
される工程を有するＩＣの製造方法として構成されてい
る。なお、以下の説明において、前後左右は図１を基準
とする。すなわち、ポッドステージ８側を前側、その反
対側を後側、クリーンユニット３側を左側、その反対側
を右側とする。

【００１７】図１に示されているように、本実施の形態
に係るＣＶＤ装置１は平面視が長方形の略直方体の箱形
状に形成された筐体２を備えている。筐体２の左側側壁
にはクリーンエアを吹き出すクリーンユニット３が二
台、前後に並べられて設置されており、前後のクリーン
ユニット３、３はクリーンエアを退避ステージのそれぞ
れに供給するようになっている。筐体２の内部における
略中央部には熱処理ステージ４が設定されており、熱処
理ステージ４の左前脇には第一退避ステージ５が、熱処
理ステージ４の後脇には第二退避ステージ５Ａがそれぞ
れ設定されている。筐体２の内部における前側右隅部に
はウエハローディングステージ７が設定されており、そ
の手前にはポッドステージ８が設定されている。また、
ウエハローディングステージ７の左脇にはウエハのノッ
チ（図示せず）を整列させるノッチ合わせ装置９が設置
されている。以下、各ステージの構成を順に説明する。

【００１８】図２および図３に示されているように、熱
処理ステージ４の上部には石英ガラスが使用されて下端
が開口した円筒形状に一体成形されたプロセスチューブ
１１が、中心線が垂直になるように縦に設置されてい
る。プロセスチューブ１１の筒中空部はボートによって
同心的に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬
入される処理室１２を形成しており、プロセスチューブ
１１の下端開口は被処理基板としてのウエハを搬入搬出
するための炉口１３を構成している。プロセスチューブ
１１の下端面はマニホールド１４の上端面にシールリン
グ１５を挟んで当接されており、マニホールド１４が筐
体２に支持されることにより、プロセスチューブ１１は
垂直に支持された状態になっている。マニホールド１４
の側壁には処理室１２を所定の真空度に真空排気するた
めの排気管１６と、処理室１２へ原料ガスや窒素ガス等
のガスを導入するためのガス導入管１７とが処理室１２
に連通するようにそれぞれ接続されている。プロセスチ
ューブ１１の外部には処理室１２を加熱するためのヒー
タユニット１８がプロセスチューブ１１を包囲するよう
に同心円に設備されており、ヒータユニット１８は筐体
２に支持されることによって垂直に据え付けられた状態
になっている。

【００１９】熱処理ステージ４と第一退避ステージ５と
の間の後側には、第一ボート３０を熱処理ステージ４と
それ以外の位置である第一退避ステージ５との間で移動
させるための第一ボートエレベータ２０が設置されてお
り、熱処理ステージ４と第二退避ステージ５Ａとの間の
後側には、第二ボート３０Ａを熱処理ステージ４とそれ
以外の位置である第二退避ステージ５Ａとの間で移動さ
せるための第二ボートエレベータ２０Ａが設置されてい
る。すなわち、一対のボートエレベータである第一ボー
トエレベータ２０と第二ボートエレベータ２０Ａとは、
ウエハローディングステージ７の中心と熱処理ステージ
４（プロセスチューブ１１の中心）とを通る直線の両側
に配置されており、第一ボートエレベータ２０は第一ボ
ート３０をウエハローディングステージ７側に移動さ
せ、第二ボートエレベータ２０Ａは第二ボート３０Ａを
ローディングステージ７と反対側に移動させるようにそ
れぞれ構成されている。また、ウエハローディングステ
ージ７と第一ボートエレベータ２０と第二ボートエレベ
ータ２０Ａとは、ウエハローディングステージ７の中心
と第一ボートエレベータ２０と第二ボートエレベータ２
０Ａとを結んで形成される三角形の内部にプロセスチュ
ーブ１１の中心が位置するように配置されている。ま
た、第一ボート３０の中心と第二ボート３０Ａの中心と
はいずれも、ウエハローディングステージ７の中心とプ
ロセスチューブ１１の中心とを通る直線の片側（本実施
の形態では左側）に位置している。

【００２０】ここで、第一ボートエレベータ２０および
第二ボートエレベータ２０Ａ並びに第一ボート３０およ
び第二ボート３０Ａの構成を説明するが、第一ボートエ
レベータ２０と第二ボートエレベータ２０Ａとは原則的
に同一に構成され、ウエハローディングステージ７と熱
処理ステージ４とを通る直線の両側に略左右対称形に配
置されており、第一ボート３０と第二ボート３０Ａとは
原則的に同一に構成されているので、図２および図３に
示されている第一ボートエレベータ２０および第一ボー
ト３０を代表にして説明する。

【００２１】図２および図３に示されているように、第
一ボートエレベータ２０は筐体２の内部の所定の位置に
垂直に立脚されて回転自在に支承された送りねじ軸２１
を備えており、送りねじ軸２１は電動モータ２２によっ
て正逆回転されるようになっている。送りねじ軸２１に
は昇降台２３が送りねじ軸２１の回転に従って昇降する
ように螺合されており、昇降台２３にはアーム２５を水
平面内で往復回動させるロータリーアクチュエータ２４
が水平に据え付けられている。アーム２５には第一ボー
ト３０を垂直に立脚させた状態で支持するキャップ２６
が水平に固定されており、キャップ２６には第一ボート
３０を固定するための固定部２７が設けられている。固
定部２７は第一ボート３０を固定することができ、第一
ボート３０の洗浄等のメンテナンスに際しては第一ボー
ト３０の固定を解除し得るように構成されている。

【００２２】図２および図３に示されているように、第
一ボート３０は上側端板３１および下側端板３２と、両
端板３１と３２との間に架設されて垂直に配設された複
数本（本実施の形態では三本）の保持部材３３とを備え
ており、各保持部材３３には保持溝３４が複数条（通
例、百条〜二百条）、長手方向に等間隔に配されて互い
に同一平面内において開口するようにそれぞれ刻設され
ている。そして、ウエハＷは外周辺部が各保持溝３４間
に挿入されて水平かつ互いに中心が揃った状態で整列さ
れて保持される。第一ボート３０の下側端板３２の下に
は外形が円柱形状の断熱キャップ部３５が形成されてお
り、断熱キャップ部３５の下面には円板形状のベース３
６が固定されている。ベース３６は第一ボートエレベー
タ２０のキャップ２６の上面に当接された状態で、固定
部２７によって固定されるようになっている。

【００２３】図１に示されているように、ウエハローデ
ィングステージ７にはウエハ移載装置４０が設置されて
おり、ウエハ移載装置４０はウエハＷをポッドステージ
８とノッチ合わせ装置９と熱処理ステージ４との間で搬
送して、ポッド５０とノッチ合わせ装置９とボート３
０、３０Ａとの間で移載するように構成されている。

【００２４】すなわち、図４に示されているように、ウ
エハ移載装置４０はベース４１を備えており、ベース４
１の上にはロータリーアクチュエータ４２が水平に設置
されている。ロータリーアクチュエータ４２の上には第
一リニアアクチュエータ４３が水平に設置されており、
ロータリーアクチュエータ４２は第一リニアアクチュエ
ータ４３を水平面内で旋回させるように構成されてい
る。第一リニアアクチュエータ４３の上には第二リニア
アクチュエータ４４が水平に設置されており、第一リニ
アアクチュエータ４３は第二リニアアクチュエータ４４
を往復移動させるように構成されている。第二リニアア
クチュエータ４４の上には取付台４５が水平に設置され
ており、第二リニアアクチュエータ４４は取付台４５を
往復移動させるように構成されている。取付台４５の一
側面にはウエハＷを下から支持するツィーザ４６が複数
枚（本実施の形態においては五枚）、上下方向に等間隔
に配置されて水平に取り付けられている。ウエハ移載装
置４０は送りねじ機構によって構成されたエレベータ４
７によって昇降されるようになっている。

【００２５】ポッドステージ８にはウエハＷを搬送する
ためのキャリア（収納容器）としてのＦＯＵＰ（front
opening unified pod 。以下、ポッドという。）５０が
一台ずつ載置されるようになっている。ポッド５０は一
つの面が開口した略立方体の箱形状に形成されており、
開口部にはドア５１が着脱自在に装着されている。ウエ
ハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエ
ハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲
の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエ
ハの清浄度は維持することができる。したがって、ＣＶ
Ｄ装置が設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり
高く設定する必要がなくなるため、クリーンルームに要
するコストを低減することができる。そのため、本実施
の形態に係るＣＶＤ装置１においては、ウエハのキャリ
アとしてポッド５０が使用されている。なお、ポッドス
テージ８にはポッド５０のドア５１を着脱することによ
ってポッド５０を開閉するポッドオープナ（図示せず）
が設置されている。

【００２６】次に、本発明の一実施の形態であるＩＣの
製造方法におけるウエハにＣＶＤ膜が被着される成膜工
程を、前記構成に係るＣＶＤ装置が使用される場合につ
いて図５〜図８に沿って説明する。

【００２７】図５に示されているように、第二ボートエ
レベータ２０Ａに支持された第二ボート３０Ａがプロセ
スチューブ１１の処理室１２に搬入されて処理が実施さ
れている状態において、第一ボートエレベータ２０に支
持された第一ボート３０は第一退避ステージ５に退避さ
れている。

【００２８】所定の処理が終了すると、図６に示されて
いるように、第二ボート３０Ａを支持したキャップ２６
Ａが第二ボートエレベータ２０Ａによって下降されるこ
とにより、第二ボート３０Ａがプロセスチューブ１１の
処理室１２から搬出（ボートアンローディング）され
る。第二ボート３０Ａが搬出されたプロセスチューブ１
１の処理室１２の炉口１３はシャッタ（図示せず）によ
って閉鎖され、処理室１２の高温の雰囲気が逃げるのを
防止される。処理室１２から搬出された第二ボート３０
Ａおよびこれに保持されたウエハＷ群（以下、処理済み
ボート３０Ａという。）は高温の状態になっている。

【００２９】図７に示されているように、処理室１２か
ら搬出された高温状態の処理済みボート３０Ａはプロセ
スチューブ１１の軸線上の熱処理ステージ４から第二退
避ステージ５Ａへそのままの状態で、第二ボートエレベ
ータ２０Ａのロータリーアクチュエータ２４Ａによって
退避される。第二退避ステージ５Ａはクリーンユニット
３のクリーンエアの吹出口の近傍に設定されているた
め、第二退避ステージ５Ａに退避された高温状態の処理
済みボート３０Ａはクリーンユニット３から吹き出され
るクリーンエアによってきわめて効果的に冷却される。

【００３０】処理済みボート３０Ａが第二退避ステージ
５Ａに第二ボートエレベータ２０Ａによって退避される
と、図８に示されているように、第一退避ステージ５の
第一ボート３０が熱処理ステージ４へ空の状態で、第一
ボートエレベータ２０のロータリーアクチュエータ２４
によって移動される。空の第一ボート３０が熱処理ステ
ージ４に移動されると、ポッド５０のウエハＷが空の第
一ボート３０にウエハ移載装置４０によって移載されて
行く。この際、処理済みボート３０Ａは第二退避ステー
ジ５Ａに退避され、かつ、クリーンユニット３によって
充分に冷却されているため、熱処理ステージ４にて空の
第一ボート３０に移載中のウエハＷが処理済みボート３
０Ａの熱影響を受けることはない。

【００３１】図８に示されているように、ウエハ移載装
置４０によってウエハＷがボート移載される際には、ポ
ッドステージ８に供給されたポッド５０はドア５１をポ
ッドオープナ（図示せず）によって脱装されて開放され
る。ポッド５０が開放されると、ウエハ移載装置４０は
ポッド５０のウエハＷを熱処理ステージ４の空の第一ボ
ート３０へノッチ合わせ装置９を経由して移載する。

【００３２】すなわち、図４において、（ａ）に示され
た状態から（ｂ）に示されているように、第二リニアア
クチュエータ４４および取付台４５がポッド５０の方向
に移動されてツィーザ４６がポッド５０に挿入され、ツ
ィーザ４６によってポッド５０内のウエハＷを受け取っ
た後に、（ａ）に示された位置に後退される。この状態
で、ロータリーアクチュエータ４２が約９０度回転作動
し、続いて、第二リニアアクチュエータ４４および取付
台４５がノッチ合わせ装置９の方向に移動されて、ツィ
ーザ４６のウエハＷをノッチ合わせ装置９にエレベータ
４７の作動によって受け渡す。ウエハＷのノッチ合わせ
が終了すると、ウエハ移載装置４０はツィーザ４６によ
ってノッチ合わせ装置９からウエハＷを受け取った後
に、ツィーザ４６を（ａ）に示された位置に後退させ
る。この状態で、ロータリーアクチュエータ４２が約９
０度回転作動し、続いて、第二リニアアクチュエータ４
４および取付台４５が熱処理ステージ４の方向に移動さ
れてツィーザ４６の上のウエハＷをボート３０の保持溝
３４に移載する。ウエハＷをボート３０に移載したウエ
ハ移載装置４０は第二リニアアクチュエータ４４および
取付台４５を一度後退させた後に、ロータリーアクチュ
エータ４２を約１８０度回転作動させて、ツィーザ４６
をポッド５０側に向けた図４（ａ）の状態になる。

【００３３】この際、ウエハ移載装置４０は五枚のツィ
ーザ４６を備えているため、一回の移載作動によって五
枚のウエハＷをポッド５０の五段の保持溝からボート３
０の五段の保持溝３４に移載することができる。ここ
で、ボート３０がバッチ処理するウエハＷの枚数（例え
ば、百枚〜二百枚）は一台のポッド５０に収納されたウ
エハＷの枚数（例えば、二十五枚）よりも多いため、ウ
エハ移載装置４０は複数台のポッド５０から所定枚数の
ウエハＷをボート３０にエレベータ４７によって昇降さ
れて移載することになる。なお、ウエハＷのノッチ合わ
せが予め確保されている場合には、ウエハ移載装置４０
はウエハＷをノッチ合わせ装置９を経由せずにポッド５
０からボート３０へ直接移載することになる。

【００３４】予め指定された枚数のウエハＷが第一ボー
ト３０に移載されると、図３に示されているように、第
一ボート３０は第一ボートエレベータ２０によって上昇
されてプロセスチューブ１１の処理室１２に搬入（ボー
トローディング）される。第一ボート３０が上限に達す
ると、キャップ２６の上面における外周辺部がマニホー
ルド１４の下面にシールリング１５を挟んで着座した状
態になってマニホールド１４の下端開口をシール状態に
閉塞するため、処理室１２は気密に閉じられた状態にな
る。

【００３５】処理室１２がキャップ２６によって気密に
閉じられた状態で、処理室１２が所定の真空度に排気管
１６によって真空排気され、ヒータユニット１８によっ
て所定の処理温度（例えば、８００〜１０００℃）に加
熱され、所定の流量の処理ガスが処理室１２にガス導入
管１７によって供給される。これにより、ウエハＷには
ＣＶＤ反応によってＣＶＤ膜が形成される。

【００３６】プロセスチューブ１１の処理室１２におい
て第一ボート３０に対する処理が実施されている間に、
第二退避ステージ５Ａに退避されている処理済みボート
３０Ａが熱処理ステージ４へそのままの状態で、第二ボ
ートエレベータ２０Ａのロータリーアクチュエータ２４
Ａによって移動される。この際、処理済みボート３０Ａ
は充分に冷却されて、例えば、１５０℃以下になってい
る。また、熱処理ステージ４に移動された処理済みボー
ト３０Ａの三本の保持部材２４はウエハ移載装置４０側
が開放した状態になっている。

【００３７】処理済みボート３０Ａが熱処理ステージ４
に第二ボートエレベータ２０Ａによって移動されると、
ウエハ移載装置４０は図４について前述した作動に準じ
て、熱処理ステージ４の処理済みボート３０Ａからウエ
ハＷを受け取ってポッドステージ８の空のポッド５０へ
移載して行く。この際、処理済みボート３０Ａがバッチ
処理したウエハＷの枚数は一台のポッド５０に収納され
るウエハＷの枚数よりも多いため、ウエハ移載装置４０
はエレベータ４７によって昇降されながらポッドステー
ジ８に入れ換えられ、複数台のポッド５０にウエハＷを
所定枚数ずつ収納して行く。なお、所定枚数のウエハＷ
を収納されたポッド５０はポッドステージ８から搬出さ
れて、別の場所に搬送されて行く。

【００３８】処理済みウエハＷのポッド５０への移載が
完了して空になった第二ボート３０Ａは、第二ボートエ
レベータ２０Ａによって第二退避ステージ５Ａに移動さ
れて、次の作動に待機する。

【００３９】翻って、第一ボート３０について予め設定
された処理時間が経過すると、第一ボート３０を支持し
たキャップ２６が第一ボートエレベータ２０によって下
降されることによって、第一ボート３０がプロセスチュ
ーブ１１の処理室１２から搬出される。第一ボート３０
が搬出されたプロセスチューブ１１の処理室１２の炉口
１３はシャッタ（図示せず）によって閉鎖され、処理室
１２の高温雰囲気が逃げるのを防止される。処理室１２
から搬出された第一ボート３０およびこれに保持された
ウエハＷ群は高温の状態になっている。

【００４０】前述した第二ボート３０Ａと同様に、処理
室１２から搬出された高温状態の処理済み第一ボート３
０はプロセスチューブ１１の軸線上の熱処理ステージ４
から第一退避ステージ５へそのままの状態で、第一ボー
トエレベータ２０のロータリーアクチュエータ２４によ
って退避される。第一退避ステージ５もクリーンユニッ
ト３のクリーンエアの吹出口の近傍に設定されているた
め、第一退避ステージ５に退避された高温状態の処理済
み第一ボート３０はクリーンユニット３から吹き出され
るクリーンエアによってきわめて効果的に冷却される。

【００４１】以降、前述した運用が繰り返されてウエハ
ＷがＣＶＤ装置１によってバッチ処理されて行く。

【００４２】なお、前記実施の形態においては、一方の
ボートを処理し、そのボートを処理室から搬出して退避
ステージに退避した後に、他方のボートに次に処理する
ウエハを移載するようにしている。しかし、例えば、熱
影響がそれほど問題とならない膜種を扱う場合には、一
方のボートでの処理中に他方のボートに次回で処理する
ウエハを移載するようにしてもよい。

【００４３】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。

【００４４】（１）二台のボートを使用することによ
り、一方のボートでの処理中に他方のボートに対するウ
エハの移載作業を同時進行させることができるため、Ｃ
ＶＤ装置のスループットを高めることができる。

【００４５】（２）二台のボートをプロセスチューブに
それぞれ搬入搬出する二台のボートエレベータはボート
を熱処理ステージと退避ステージとの間を移動させるよ
うにそれぞれ構成することにより、プロセスチューブに
よって二台のボートを交互に使用して処理するに際し
て、ボートをボートエレベータから着脱しないで済むた
め、二台のボート相互の交換作業が連続して迅速に実行
することができるばかりでなく、ウエハの位置ずれを防
止することができるとともに、パーティクルの発生を防
止することができる。

【００４６】（３）ボートエレベータの昇降台に搭載し
たロータリーアクチュエータのアームによってボートを
熱処理ステージと退避ステージとの間を移動させるよう
にそれぞれ構成することにより、簡単な構造をもって二
台のボートを二台のボートエレベータによって独立して
移動させることができるため、ＣＶＤ装置の製造コスト
の増加を抑制することができる。

【００４７】（４）ボートをボートエレベータのアーム
に支持されたキャップに固定することにより、地震等に
よるボートの倒れ事故を未然に防止することができるた
め、倒れ事故によるボートおよびウエハの損傷の発生を
防止することができる。

【００４８】（５）第一退避ステージおよび第二退避ス
テージと熱処理ステージとの間で処理済みボートおよび
空のボートの入替え移送を実行することにより、第一ボ
ートエレベータのアームおよび第二ボートエレベータの
アームの回転半径を小さく設定することができるため、
ＣＶＤ装置の筐体の左右（間口）および前後（奥行）の
寸法を小さく設定することができる。

【００４９】（６）筐体２の容積を小さく抑制すること
により、クリーンユニットのクリーンエアの供給量等を
小さく設定することができるため、ＣＶＤ装置のイニシ
ャルコスト（初期投資額）およびランニングコスト（運
用の直材費用）を抑制することができ、前記（１）とあ
いまってコスト・オブ・オーナシップ（Cost of owners
ip。ＣＯＯ。）を低減することができる。ちなみに、Ｃ
ＯＯ〔円／枚〕＝（初期投資額＋直材費用）／原価償却
迄のウエハ処理枚数である。

【００５０】（７）プロセスチューブの処理室から搬出
されて高温状態になった処理済みボートをプロセスチュ
ーブの軸線上のステージである熱処理ステージから離れ
た退避ステージにボートエレベータによって直ちに移送
して退避させることにより、高温状態の処理済みボート
の熱影響が熱処理ステージにおいて空のボートに移載
（ローディング）される新規のウエハに及ぶのを防止す
ることができるため、これから処理される新規のウエハ
における処理済みボートの熱影響による処理精度の低下
を未然に防止することができる。

【００５１】（８）これから処理される新規のウエハに
おける処理済みボートの熱影響を回避することにより、
待機中の処理室の温度を低下させなくて済むため、待機
中の処理室の温度を低下させることによってスループッ
トが低下されてしまうのを未然に回避することができ
る。

【００５２】（９）ウエハに熱影響が及ぶのを回避する
ことにより、ＣＶＤ装置の熱処理の精度を高めることが
できるとともに、ウエハによって製造される半導体装置
の品質および信頼性を高めることができる。

【００５３】（10）高温状態の処理済みボートを待機さ
せる第一退避ステージおよび第二退避ステージをクリー
ンユニットのクリーンエア吹出口に臨ませることによ
り、高温状態の処理済みボートをきわめて効果的に冷却
させることができるため、冷却時間を短縮することがで
きる。

【００５４】（11）ウエハ移載装置はプロセスチューブ
の下方のボート搬入搬出位置である熱処理ステージにお
いて第一ボートおよび第二ボートのいずれに対してもウ
エハを移載するように構成されていることにより、熱処
理ステージの一箇所においてウエハを第一ボートおよび
第二ボートのいずれにも移載すればよいため、ウエハ移
載装置の移動エリアを小さく抑制することができ、フッ
トプリントを小さく抑制することができる。

【００５５】（12）第一ボートエレベータおよび第二ボ
ートエレベータをウエハ移載装置とプロセスチューブと
を通る直線の両側に配置されているとともに、第一ボー
トエレベータは第一ボートをウエハ移載装置側に移動さ
せ、第二ボートエレベータは第二ボートをウエハ移載装
置と反対側に移動させるようにそれぞれ構成することに
より、全てを略一直線状に並ばせることができるため、
フットプリントをより一層小さく抑制することができ
る。

【００５６】（13）ウエハ移載装置の位置と第一ボート
エレベータと第二ボートエレベータとの位置とを結んで
形成される三角形の内部にプロセスチューブの中心が来
るように、ウエハ移載装置と第一ボートエレベータと第
二ボートエレベータとを配置することにより、第一ボー
トエレベータと第二ボートエレベータとの間の間隔を狭
く抑制することができるため、ＣＶＤ装置の横幅の寸法
を小さく抑制することができる。

【００５７】（14）プロセスチューブの下方のボート搬
入搬出位置において第一ボートおよび第二ボートのいず
れに対してもウエハを移載し得るようにウエハ移載装置
を構成することにより、熱処理ステージの一箇所におい
てウエハを第一ボートおよび第二ボートのいずれにも移
載することができるため、ウエハ移載装置の移動エリア
を小さくすることができ、フットプリントを小さく抑制
することができる。

【００５８】（15）ウエハ移載装置とプロセスチューブ
とを結んだ直線の片側（左側）に第一ボートの中心およ
び第二ボートの中心を位置させることにより、第一ボー
トエレベータと第二ボートエレベータとの間隔を狭く設
定することができるため、ＣＶＤ装置の横幅の寸法を小
さく抑制することができる。

【００５９】図９〜図１２は本発明の他の実施の形態に
係るＩＣの製造方法の成膜工程におけるＣＶＤ装置の運
用方法を示す各一部省略斜視図である。

【００６０】本実施の形態に係るＣＶＤ装置の運用方法
が前記実施の形態に係るＣＶＤ装置の運用方法と異なる
点は、一方のボートの処理中に他方のボートへウエハを
移載し、その後に、この移載済みのボートを退避ステー
ジの上部に退避させておくことにより、新規のウエハに
対する処理済みボートの熱影響をより一層確実に防止す
るように工夫した点である。

【００６１】すなわち、図９に示されているように、第
一ボートエレベータ２０に支持された第一ボート３０が
プロセスチューブ１１の処理室１２において処理されて
いる間に、第二ボートエレベータ２０Ａに支持された第
二ボート３０Ａには次に処理する新規のウエハＷが熱処
理ステージ４において移載され、この新規のウエハＷを
保持した第二ボート３０Ａはロータリーアクチュエータ
２４Ａによって熱処理ステージ４から第二退避ステージ
５Ａに移動され、かつ、第二ボートエレベータ２０Ａに
よって第二退避ステージ５Ａの上部へ移動されて退避さ
れる。

【００６２】その後、図１０に示されているように、処
理済みの第一ボート３０は第一ボートエレベータ２０に
よって下降される。この際、新規のウエハＷを保持した
第二ボート３０Ａは第二退避ステージ５Ａの上部に退避
されることによって熱処理ステージ４から充分に離間さ
れているため、新規のウエハＷは処理済みボート３０の
熱影響を確実に回避することができる。

【００６３】同様に、図１１に示されているように、第
二ボートエレベータ２０Ａに支持された第二ボート３０
Ａがプロセスチューブ１１の処理室１２において処理さ
れている間に、第一ボートエレベータ２０に支持された
第一ボート３０には次に処理する新規のウエハＷが熱処
理ステージ４において移載され、この新規のウエハＷを
保持した第一ボート３０はロータリーアクチュエータ２
４によって熱処理ステージ４から第一退避ステージ５に
移動され、かつ、第一ボートエレベータ２０によって第
一退避ステージ５の上部へ移動されて退避される。

【００６４】その後、図１２に示されているように、処
理済みの第二ボート３０Ａは第二ボートエレベータ２０
Ａによって下降される。この際、新規のウエハＷを保持
した第一ボート３０は第一退避ステージ５の上部に退避
されることによって熱処理ステージ４から充分に離間さ
れているため、新規のウエハＷは処理済みボート３０Ａ
の熱影響を確実に回避することができる。

【００６５】本実施の形態に係るＣＶＤ装置の運用方法
によれば、前記実施の形態に係るＣＶＤ装置の運用方法
の効果に加えて、新規のウエハに対する処理済みボート
の熱影響をより一層確実に防止することができるという
効果を得ることができる。

【００６６】図１３は本発明の第二の実施の形態に係る
ＣＶＤ装置を示す一部省略平面断面図である。

【００６７】本実施の形態に係るＣＶＤ装置が前記実施
の形態に係るＣＶＤ装置と異なる点は、プロセスチュー
ブ（ヒータユニット等を含む。）が二基、ボートエレベ
ータおよびボートが四台ずつ、退避ステージが三箇所に
それぞれ設けられている点である。以下、本実施の形態
に係るＣＶＤ装置を図１３について説明する。なお、以
下の説明において、図１３のポッドステージ８側を前
側、その反対側を後側とする。

【００６８】筐体２の後側領域には第一の熱処理ステー
ジ４と第二の熱処理ステージ４Ａとが左右対称形に設定
されており、左側の第一の熱処理ステージ４には第一の
プロセスチューブ１１が設置され、右側の第二の熱処理
ステージ４Ａには第二のプロセスチューブ１１Ａが設置
されている。左側の第一のプロセスチューブ１１に対し
ては第一ボート３０を移動させる第一ボートエレベータ
２０と、第二ボート３０Ａを移動させる第二ボートエレ
ベータ２０Ａとが対角線の位置にそれぞれ設置されてお
り、右側の第二のプロセスチューブ１１Ａに対しては第
三ボート３０Ｂを移動させる第三ボートエレベータ２０
Ｂと、第四ボート３０Ｃを移動させる第四ボートエレベ
ータ２０Ｃとが対角線の位置にそれぞれ設置されてい
る。第一ボート３０が退避する第一退避ステージ５は第
一の熱処理ステージ４の前脇に設定されており、第二ボ
ート３０Ａが退避する第二退避ステージ５Ａは第一の熱
処理ステージ４の右脇に設定されている。第三ボート３
０Ｂが退避する第三退避ステージ５Ｂは第二の熱処理ス
テージ４Ａの前脇に設定されており、第四ボート３０Ｃ
が退避する第四退避ステージ５Ｃは第二の熱処理ステー
ジ４Ａの左脇に設定されている。

【００６９】図１３に示されているように、第二退避ス
テージ５Ａと第四退避ステージ５Ｃとは第一の熱処理ス
テージ４と第二の熱処理ステージ４Ａとの間において共
用されるようになっている。また、ウエハローディング
ステージ７は筐体２の前側中央部の一箇所に設定されて
おり、このウエハローディングステージ７に設置された
ウエハ移載装置４０は第一の熱処理ステージ４および第
二の熱処理ステージ４Ａとポッドステージ８との間でウ
エハＷを移載するように構成されている。

【００７０】本実施の形態に係るＣＶＤ装置の運用方法
は前記実施の形態に係るＣＶＤ装置の運用方法に準ず
る。

【００７１】本実施の形態によれば、前記実施の形態に
係るＣＶＤ装置の効果に加えて、次の効果が得られる。

【００７２】（１）プロセスチューブを二基、ボートエ
レベータおよびボートを四台ずつ設けることにより、Ｃ
ＶＤ装置のスループットをより一層高めることができ
る。

【００７３】（２）第二退避ステージ５Ａと第四退避ス
テージ５Ｃとを第一の熱処理ステージ４と第二の熱処理
ステージ４Ａとの間において共用するように構成するこ
とにより、退避ステージを三箇所に減少させることがで
きるため、筐体２の内部空間を縮小させることができ
る。

【００７４】（３）ウエハローディングステージ７を筐
体２の前側中央部の一箇所に設定し、このウエハローデ
ィングステージ７に設置したウエハ移載装置４０を第一
の熱処理ステージ４および第二の熱処理ステージ４Ａと
ポッドステージ８との間でウエハＷを移載するように構
成することにより、第一の熱処理ステージ４と第二の熱
処理ステージ４Ａとの間でウエハ移載装置４０を共用す
ることができるため、筐体２の内部空間を縮小させるこ
とができるとともに、ウエハ移載装置４０の設置台数を
減少させることができる。

【００７５】（４）前記（２）および（３）により、Ｃ
ＶＤ装置のイニシャルコストおよびランニングコストを
大幅に低減することができるため、ＣＯＯを低減するこ
とができる。

【００７６】図１４は本発明の第三の実施の形態である
ＣＶＤ装置を示す一部省略平面断面図である。図１５は
その側面断面図である。

【００７７】本実施の形態に係るＣＶＤ装置が前記実施
の形態に係るＣＶＤ装置と異なる点は、筐体２内におけ
る熱処理ステージ４の下部空間、第一退避ステージ５お
よび第二退避ステージ５Ａの空間がロードロックチャン
バ構造６０に構成されている点である。以下、ロードロ
ックチャンバ構造６０を主体にして、本実施の形態に係
るＣＶＤ装置を説明する。以下の説明において、ポッド
ステージ８側を前側、その反対側を後側、ノッチ合わせ
装置９側を左側、その反対側を右側とする。

【００７８】図１４および図１５に示されているよう
に、筐体２の室内の後側の下部空間には気密室６２を構
成したロードロックチャンバ（以下、チャンバとい
う。）６１が設置されており、気密室６２の前側中央部
には熱処理ステージ４が、気密室６２の熱処理ステージ
４の左後方には第一退避ステージ５が、同じく熱処理ス
テージ４の右後方には第二退避ステージ５Ａがそれぞれ
設定されている。チャンバ６１の天井壁における熱処理
ステージ４に対向する位置にはプロセスチューブ１１が
気密室６２に連通するように設置されている。熱処理ス
テージ４の左脇で、かつ、第一退避ステージ５の前脇に
は第一ボート３０を移動させるための第一ボートエレベ
ータ２０が設置されており、熱処理ステージ４の右脇
で、かつ、第二退避ステージ５Ａの前脇には第二ボート
３０Ａを移動させるための第二ボートエレベータ２０Ａ
が設置されている。

【００７９】図１５に示されているように、チャンバ６
１の天井壁には窒素ガス等の不活性ガス６３を供給する
ための不活性ガス供給管６４が不活性ガス６３を気密室
６２に供給するように接続されており、チャンバ６１の
底壁には気密室６２を排気するための排気管６５が接続
されている。つまり、チャンバ６１の気密室６２は不活
性ガス６３によってパージされるようになっている。チ
ャンバ６１の正面壁の上部にはウエハ搬入搬出口６６が
気密室６２と筐体２の前側室とを連通させるように開設
されており、ウエハ搬入搬出口６６にはウエハ搬入搬出
口６６を適時に開閉するゲートバルブ６７が設置されて
いる。つまり、ゲートバルブ６７がウエハ搬入搬出口６
６を開放させた状態において、筐体２の前側室のウエハ
ローディングステージ７に設置されたウエハ移載装置４
０はウエハ搬入搬出口６６を通してウエハＷを、熱処理
ステージ４に移送された第一ボート３０または第二ボー
ト３０Ａに対して移載（チャージングまたはディスチャ
ージング）するようになっている。

【００８０】本実施の形態に係るＣＶＤ装置の運用方法
はチャンバが不活性ガスによってパージされる点を除い
て、前記実施の形態に係るＣＶＤ装置の運用方法と同様
である。すなわち、通常時には、ウエハ搬入搬出口６６
がゲートバルブ６７によって閉鎖された状態で、チャン
バ６１の気密室６２は不活性ガス供給管６４から供給さ
れて排気管６５から排気される不活性ガス６３によって
パージされている。そして、ウエハＷが熱処理ステージ
４に移送された第一ボート３０または第二ボート３０Ａ
に対してウエハ移載装置４０によって移載される際に
は、ウエハ搬入搬出口６６がゲートバルブ６７によって
開放される。

【００８１】本実施の形態によれば、前記実施の形態に
係るＣＶＤ装置の効果に加えて、次の効果が得られる。

【００８２】（１）熱処理ステージ、第一退避ステージ
および第二退避ステージの空間をロードロックチャンバ
構造に構成して不活性ガスによってパージすることによ
り、熱処理後や熱処理前のウエハが大気に接触するのを
防止することができるため、大気に含まれる酸素および
水分によってウエハが自然酸化されて不必要な酸化膜
（以下、自然酸化膜という。）が形成されるのを確実に
防止することができる。

【００８３】（２）前記（１）により、ＣＶＤ装置の熱
処理の精度をより一層高めることができるため、ウエハ
によって製造される半導体装置の品質および信頼性をよ
り一層高めることができる。

【００８４】（３）一方のボートに対する熱処理中に他
方のボートに対するウエハの移載を同時進行させること
により、不活性ガスのパージの置換に必要な時間を短縮
することができるため、全体としての熱処理時間を短縮
することができ、その結果、ＣＶＤ装置の性能を高める
ことができるとともに、ランニングコストを低減するこ
とができる。

【００８５】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。

【００８６】例えば、本実施の形態ではバッチ式縦形ホ
ットウオール形ＣＶＤ装置の場合について説明したが、
本発明はこれに限らず、バッチ式縦形ホットウオール形
拡散装置等の熱処理装置やその他の半導体製造装置全般
に適用することができる。

【００８７】前記実施の形態ではウエハに熱処理が施さ
れる場合について説明したが、被処理基板はホトマスク
やプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスク
および磁気ディスク等であってもよい。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スループットを高めることができるとともに、パーティ
クルの発生や倒れ事故を防止することができ、さらに、
フットプリントを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置を示す
一部省略平面断面図である。

【図２】図１のII−II線に沿う縦断面図である。

【図３】その処理中を示す縦断面図である。

【図４】ウエハ移載装置を示す各側面図であり、（ａ）
は短縮時を示し、（ｂ）は伸長時を示している。

【図５】本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法の
成膜工程におけるＣＶＤ装置の運用方法を示しており、
第二ボートの処理中を示す斜視図である。

【図６】そのボートの搬出後を示す斜視図である。

【図７】そのボートの退避後を示す斜視図である。

【図８】第一ボートへのウエハ移載作業を示す斜視図で
ある。

【図９】本発明の他の実施の形態であるＩＣの製造方法
の成膜工程におけるＣＶＤ装置の運用方法を示してお
り、第二ボートの上部退避中を示す斜視図である。

【図１０】第一ボートの搬出後を示す斜視図である。

【図１１】第一ボートの上部退避中を示す斜視図であ
る。

【図１２】第二ボートの搬出後を示す斜視図である。

【図１３】本発明の第二の実施の形態であるＣＶＤ装置
を示す一部省略平面断面図である。

【図１４】本発明の第三の実施の形態であるＣＶＤ装置
を示す一部省略平面断面図である。

【図１５】その側面断面図である。

【符号の説明】

Ｗ…ウエハ（基板）、１…ＣＶＤ装置（半導体製造装
置）、２…筐体、３…クリーンユニット、４、４Ａ…熱
処理ステージ、５…第一退避ステージ、５Ａ…第二退避
ステージ、５Ｂ…第三退避ステージ、５Ｃ…第四退避ス
テージ、７…ウエハローディングステージ、８…ポッド
ステージ、９…ノッチ合わせ装置、１１…プロセスチュ
ーブ、１１Ａ…第二のプロセスチューブ、１２…処理
室、１３…炉口、１４…マニホールド、１５…シールリ
ング、１６…排気管、１７…ガス導入管、１８…ヒータ
ユニット、２０…第一ボートエレベータ、２０Ａ…第二
ボートエレベータ、２０Ｂ…第三ボートエレベータ、２
０Ｃ…第四ボートエレベータ、２１…送りねじ軸、２２
…電動モータ、２３、２３Ａ…昇降台、２４、２４Ａ…
ロータリーアクチュエータ、２５、２５Ａ…アーム、２
６、２６Ａ…キャップ、２７…固定部、３０…第一ボー
ト、３０Ａ…第二ボート、３０Ｂ…第三ボート、３０Ｃ
…第四ボート、３１…上側端板、３２…下側端板、３３
…保持部材、３４…保持溝、３５…断熱キャップ部、３
６…ベース、４０…ウエハ移載装置、４１…ベース、４
２…ロータリーアクチュエータ、４３…第一リニアアク
チュエータ、４４…第二リニアアクチュエータ、４５…
取付台、４６…ツィーザ、４７…エレベータ、５０…ポ
ッド（キャリア）、５１…ドア、６０…ロードロックチ
ャンバ構造、６１…チャンバ（ロードロックチャン
バ）、６２…気密室、６３…不活性ガス（窒素ガス）、
６４…不活性ガス供給管、６５…排気管、６６…ウエハ
搬入搬出口、６７…ゲートバルブ。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 FA10 GA13 5F031 CA02 FA01 FA07 FA09 FA12 GA04 GA45 HA67 MA03 MA06 MA09 MA13 MA28 MA29 MA30 NA02 NA05 NA09 PA02 PA11 PA23 5F045 AA03 BB15 BB20 DP19 DQ05 EN04 EN05 EN06

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を処理するプロセスチューブと、複
   数枚の前記基板を保持する一対のボートと、これらのボ
   ートを前記プロセスチューブにそれぞれ搬入搬出すると
   ともに、前記プロセスチューブに搬入搬出する位置とそ
   れ以外の位置との間で移動させる一対のボートエレベー
   タと、前記基板を前記ボートに対して移載する基板移載
   装置とを備えており、前記基板移載装置および前記一対
   のボートエレベータは前記基板移載装置の位置と前記一
   対のボートエレベータのそれぞれの位置とを結んで形成
   される三角形の内部に前記プロセスチューブの中心が位
   置するように配置されているとともに、前記プロセスチ
   ューブの下方のボート搬入搬出位置において前記各ボー
   トに対して前記基板を移載するように構成されているこ
   とを特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】 基板を処理するプロセスチューブと、複
   数枚の前記基板を保持する一対のボートと、これらのボ
   ートを前記プロセスチューブにそれぞれ搬入搬出すると
   ともに、前記プロセスチューブに搬入搬出する位置とそ
   れ以外の位置との間で移動させる一対のボートエレベー
   タと、前記基板を前記ボートに対して移載する基板移載
   装置とを備えており、前記一対のボートエレベータが前
   記基板移載装置の位置と前記プロセスチューブの中心と
   を通る直線の両側に配置されているとともに、一方のボ
   ートエレベータは前記ボートを前記基板移載装置側に移
   動させ、他方のボートエレベータは前記ボートを前記基
   板移載装置と反対側に移動させるようにそれぞれ構成さ
   れていることを特徴とする半導体製造装置。
3. 【請求項３】 前記基板移載装置は前記プロセスチュー
   ブの下方の搬入搬出位置において前記各ボートに対して
   前記基板を移載するように構成されていることを特徴と
   する請求項２に記載の半導体製造装置。
4. 【請求項４】 前記一対のボートの中心はいずれも、基
   板移載装置とプロセスチューブとを通る直線の片側に位
   置することを特徴とする請求項１、２または３に記載の
   半導体製造装置。
5. 【請求項５】 前記ボートを前記プロセスチューブに搬
   入搬出する位置以外の位置は、前記ボートを退避させて
   おく退避ステージであり、この退避ステージにはこの退
   避ステージに退避された前記ボートにクリーンエアを吹
   き出すクリーンユニットが設置されていることを特徴と
   する請求項１、２、３または４に記載の半導体製造装
   置。
6. 【請求項６】 基板を処理する二基のプロセスチューブ
   と、複数枚の前記基板を保持する四台のボートと、これ
   らのボートを前記両プロセスチューブにそれぞれ搬入搬
   出するとともに、前記両プロセスチューブに搬入搬出す
   る位置とそれ以外の位置との間で移動させる四台のボー
   トエレベータと、前記基板を前記ボートに対して移載す
   る基板移載装置とを備えており、前記ボートを前記プロ
   セスチューブに搬入搬出する位置以外の位置が三箇所設
   定されていることを特徴とする半導体製造装置。
7. 【請求項７】 基板を処理するプロセスチューブと、複
   数枚の前記基板を保持する一対のボートと、これらのボ
   ートを前記プロセスチューブにそれぞれ搬入搬出すると
   ともに、前記プロセスチューブに搬入搬出する位置とそ
   れ以外の位置との間で移動させる一対のボートエレベー
   タと、前記基板を前記ボートに対して移載する基板移載
   装置とを備えており、前記一対のボートエレベータが前
   記基板移載装置の位置と前記プロセスチューブの中心と
   を通る直線の両側に配置されているとともに、一方のボ
   ートエレベータは前記ボートを前記基板移載装置側に移
   動させ、他方のボートエレベータは前記ボートを前記基
   板移載装置と反対側に移動させるようにそれぞれ構成さ
   れている半導体製造装置を使用して前記基板を処理する
   工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記一対のボートのうちの一台に保持さ
   れた前記基板を前記プロセスチューブによって処理した
   後に、このボートを前記プロセスチューブから搬出して
   前記搬入搬出位置以外の位置に移動させ、その後に、前
   記ボートのうちの他のものに次回に処理する前記基板を
   移載することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置
   の製造方法。
9. 【請求項９】 前記一対のボートのうちの一台に保持さ
   れた前記基板を前記プロセスチューブによって処理して
   いる間に、前記ボートのうちの他のものに次回に処理す
   る前記基板を移載することを特徴とする請求項７に記載
   の半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記一対のボートのうちの他のものに
    次回に処理する前記基板を移載した後に、このボートを
    前記ボートエレベータによって前記プロセスチューブの
    搬入搬出位置以外の位置の上方へ移動させることを特徴
    とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。