JPH03125453A - 半導体ウエハ移送装置 - Google Patents
半導体ウエハ移送装置Info
- Publication number
- JPH03125453A JPH03125453A JP1263444A JP26344489A JPH03125453A JP H03125453 A JPH03125453 A JP H03125453A JP 1263444 A JP1263444 A JP 1263444A JP 26344489 A JP26344489 A JP 26344489A JP H03125453 A JPH03125453 A JP H03125453A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vertical
- wafer boat
- boat
- semiconductor wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 268
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 27
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 17
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 17
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
- H01L21/67781—Batch transfer of wafers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
- Y10S414/138—Wafers positioned vertically within cassette
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/14—Wafer cassette transporting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体ウェハ移送装置に係り、特に複数の半導
体ウェハを縦型拡散炉の炉芯管に挿脱するウェハボート
挿脱装置に半導体ウェハを移送する半導体ウェハ移送装
置に関する。
体ウェハを縦型拡散炉の炉芯管に挿脱するウェハボート
挿脱装置に半導体ウェハを移送する半導体ウェハ移送装
置に関する。
[従来の技術]
半導体素子は極めて多数の処理工程を経て製造される。
これらの処理工程のうちの一処理工程に半導体ウェハの
拡散処理工程がある。第5図はこの拡散処理工程を行う
従来の縦型拡散炉を示したもので、縦型拡散炉1の上部
には炉芯管2が設けられ、この炉芯管2の下方にはウェ
ハボートステージ3が昇降自在に設置されている。この
ウェハボートステージ3にはウェハボート4が垂直に載
置され、このウェハボート4には多数の半導体ウェハ5
が多段に、即ち互いに平行に保持されており、半導体ウ
ェハ5は図示のようにウェハホード4が垂直に載置され
たとき水平状態に保持される。
拡散処理工程がある。第5図はこの拡散処理工程を行う
従来の縦型拡散炉を示したもので、縦型拡散炉1の上部
には炉芯管2が設けられ、この炉芯管2の下方にはウェ
ハボートステージ3が昇降自在に設置されている。この
ウェハボートステージ3にはウェハボート4が垂直に載
置され、このウェハボート4には多数の半導体ウェハ5
が多段に、即ち互いに平行に保持されており、半導体ウ
ェハ5は図示のようにウェハホード4が垂直に載置され
たとき水平状態に保持される。
半導体ウェハ5をピンセット等を用いてウェハボート4
に収納した後、このウェハボート4をウェハボートステ
ージ3上に載置し、このウェハホードステージ3を上昇
させてウェハポー1−4を炉芯管2内に挿入する。この
状態で半導体ウェハ5に拡散処理を施した後に、ウェハ
ボートステージ3を下降させてウェハボート4から拡散
処理済みの半導体ウェハ5をピンセット等を用いて取出
す。
に収納した後、このウェハボート4をウェハボートステ
ージ3上に載置し、このウェハホードステージ3を上昇
させてウェハポー1−4を炉芯管2内に挿入する。この
状態で半導体ウェハ5に拡散処理を施した後に、ウェハ
ボートステージ3を下降させてウェハボート4から拡散
処理済みの半導体ウェハ5をピンセット等を用いて取出
す。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、従来の縦型拡散炉ではウェハボート4への半
導体ウェハ5の出入れをピンセット等を用いて行うため
、半導体ウェハ5にピンセット等による傷が付いたり、
微細な塵が発生し半導体ウェハ5に付着してしまうとい
う問題があった。
導体ウェハ5の出入れをピンセット等を用いて行うため
、半導体ウェハ5にピンセット等による傷が付いたり、
微細な塵が発生し半導体ウェハ5に付着してしまうとい
う問題があった。
更に半導体ウェハ5のウェハボート4への出入れ及びこ
のウェハボート4のウェハボートステージ3への装脱は
いずれも手作業であるため、作業者は細心の注意を必要
とし作業能率が著しく低下するという問題も存在してい
た。特にこれは半導体ウェハ5の大径化に伴いより大き
な問題となる。
のウェハボート4のウェハボートステージ3への装脱は
いずれも手作業であるため、作業者は細心の注意を必要
とし作業能率が著しく低下するという問題も存在してい
た。特にこれは半導体ウェハ5の大径化に伴いより大き
な問題となる。
そこで、本発明の目的は半導体ウェハのウェハボートへ
の出入れ及びこのウェハボートの移送を自動化した半導
体ウェハ移送装置を提供することにある。
の出入れ及びこのウェハボートの移送を自動化した半導
体ウェハ移送装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
この目的を達成するために請求項1記載の発明は、複数
の半導体ウェハを縦型拡散炉の炉芯管に挿脱することが
可能なウェハボート挿脱装置に上記半導体ウェハを移送
する半導体ウェハ移送装置において、半導体ウェハを多
段に収容するウェハキャリアをその収容した半導体ウェ
ハが垂直になるように載置するウェハキャリア載置部と
、複数の半導体ウェハを多段に保持可能なウェハホード
を水平に支持すると共にこの水平状態のウェハボートを
垂直状態に変換する水平垂直変換手段と、複数の半導体
ウェハを上記ウェハキャリア載置部の上記ウェハキャリ
アから上記垂直変換手段によって水平支持された上記ウ
ェハポー1・へ垂直状態のまま移し替える移し替え手段
と、上記垂直変換手段によって垂直状態にされた上記ウ
ェハポー1・を垂直状態のまま上記ウェハボート挿脱装
置に移送するウェハボート移送手段とを具備することを
特徴とするものである。
の半導体ウェハを縦型拡散炉の炉芯管に挿脱することが
可能なウェハボート挿脱装置に上記半導体ウェハを移送
する半導体ウェハ移送装置において、半導体ウェハを多
段に収容するウェハキャリアをその収容した半導体ウェ
ハが垂直になるように載置するウェハキャリア載置部と
、複数の半導体ウェハを多段に保持可能なウェハホード
を水平に支持すると共にこの水平状態のウェハボートを
垂直状態に変換する水平垂直変換手段と、複数の半導体
ウェハを上記ウェハキャリア載置部の上記ウェハキャリ
アから上記垂直変換手段によって水平支持された上記ウ
ェハポー1・へ垂直状態のまま移し替える移し替え手段
と、上記垂直変換手段によって垂直状態にされた上記ウ
ェハポー1・を垂直状態のまま上記ウェハボート挿脱装
置に移送するウェハボート移送手段とを具備することを
特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、複数の半導体ウェハを縦型拡散
炉の炉芯管に挿脱することが可能なウェハボート挿脱装
置に上記半導体ウェハを移送しかつそこから取出す半導
体ウェハ移送装置において、複数のウェハを多段に収容
するウェハキャリアをその収容した半導体ウェハが垂直
になるように載置するウェハキャリア載置部と、複数の
半導体ウェハを多段に保持可能なウェハボートを水平に
支持しかつこの水平状態のウェハボートを垂直状態に変
換すると共に垂直状態のウェハボートを上記水平状態に
変換する水平垂直変換手段と、複数の半導体ウェハを上
記ウェハキャリア載置部の上記ウェハキャリアと上記垂
直変換手段によって水平支持された上記ウェハボートと
の間で垂直状態のまま移し替える移し替え手段と、上記
水平垂直変換手段によって垂直状態にされた上記ウェハ
ボートを上記ウェハボート挿脱装置に垂直状態のまま移
送すると共に上記ウェハボートを上記ウェハボート挿脱
装置から上記垂直水平変換手段に垂直状態のまま移送す
るウェハボート移送手段とを具備することを特徴とする
ものである。
炉の炉芯管に挿脱することが可能なウェハボート挿脱装
置に上記半導体ウェハを移送しかつそこから取出す半導
体ウェハ移送装置において、複数のウェハを多段に収容
するウェハキャリアをその収容した半導体ウェハが垂直
になるように載置するウェハキャリア載置部と、複数の
半導体ウェハを多段に保持可能なウェハボートを水平に
支持しかつこの水平状態のウェハボートを垂直状態に変
換すると共に垂直状態のウェハボートを上記水平状態に
変換する水平垂直変換手段と、複数の半導体ウェハを上
記ウェハキャリア載置部の上記ウェハキャリアと上記垂
直変換手段によって水平支持された上記ウェハボートと
の間で垂直状態のまま移し替える移し替え手段と、上記
水平垂直変換手段によって垂直状態にされた上記ウェハ
ボートを上記ウェハボート挿脱装置に垂直状態のまま移
送すると共に上記ウェハボートを上記ウェハボート挿脱
装置から上記垂直水平変換手段に垂直状態のまま移送す
るウェハボート移送手段とを具備することを特徴とする
ものである。
[作 用]
請求項1記載の発明の作用は以下の通りである。
即ち、半導体ウェハが多段に収容されたウェハキャリア
をその収容半導体ウェハが垂直になるようにウェハキャ
リア載置部に載置する。移し替え手段はウェハキャリア
載置部のウェハキャリアから半導体ウェハを垂直状態の
ままウェハボートに移し替える。この後に、垂直変換手
段がウェハボートを水平状態から垂直状態に変換すると
、移送手段かこの垂直状態のウェハボートを垂直状態の
ままウェハボート挿脱装置まで移送する。これによって
ウェハボート挿脱装置は垂直状態のウェハボートを炉芯
管に挿入して半導体ウェハを拡散処理することができる
。
をその収容半導体ウェハが垂直になるようにウェハキャ
リア載置部に載置する。移し替え手段はウェハキャリア
載置部のウェハキャリアから半導体ウェハを垂直状態の
ままウェハボートに移し替える。この後に、垂直変換手
段がウェハボートを水平状態から垂直状態に変換すると
、移送手段かこの垂直状態のウェハボートを垂直状態の
ままウェハボート挿脱装置まで移送する。これによって
ウェハボート挿脱装置は垂直状態のウェハボートを炉芯
管に挿入して半導体ウェハを拡散処理することができる
。
このようにウェハキャリア内の半導体ウェハは自動的に
ウェハボートに移されると共に、このウェハボートも自
動的にウェハボート挿脱装置に移送される。
ウェハボートに移されると共に、このウェハボートも自
動的にウェハボート挿脱装置に移送される。
請求項2記載の発明の作用は以下の通りである。
即ち、ウェハボートをウェハボート挿脱装置まで移送す
るまでの作用は請求項1記載の発明と実質的に同一であ
る。拡散処理されたウェハボートは移送手段によってウ
ェハボー1・挿脱装置から水平垂直変換手段に垂直状態
のまま移送される。水平垂直変換手段は移送されて来た
ウェハボートを水平状態に変換する。この後、移し替え
手段は水平状態のウェハボートからウェハキャリア載置
部のウェハキャリアへ半導体ウェハを垂直状態のまま移
し替える。
るまでの作用は請求項1記載の発明と実質的に同一であ
る。拡散処理されたウェハボートは移送手段によってウ
ェハボー1・挿脱装置から水平垂直変換手段に垂直状態
のまま移送される。水平垂直変換手段は移送されて来た
ウェハボートを水平状態に変換する。この後、移し替え
手段は水平状態のウェハボートからウェハキャリア載置
部のウェハキャリアへ半導体ウェハを垂直状態のまま移
し替える。
こうして、ウェハキャリア内の半導体ウェハは自動的に
ウェハボートに移されて自動的にウェハボート挿脱装置
に移送されると共に、拡散処理後に再び自動的にウェハ
キャリア内に移される。
ウェハボートに移されて自動的にウェハボート挿脱装置
に移送されると共に、拡散処理後に再び自動的にウェハ
キャリア内に移される。
[実施例コ
次に本発明によるウェハボー1・移送装置の一実施例を
第5図と同部分には同一符号を付して示した第1図乃至
第4図を参照して説明する。
第5図と同部分には同一符号を付して示した第1図乃至
第4図を参照して説明する。
第1図において、縦型拡散炉1が複数個、本実施例では
4個並置され、各縦型拡散炉1には上下方向に延在した
炉芯管2が内蔵されている。この炉芯管2の下方にはウ
ェハボートステージ3が昇降可能に設置されている。こ
れらの縦型拡散炉1の一端に並置された基部6にはウェ
ハキャリア載置部7と移し替えヘッド8と水平垂直変換
手段9とが設置されている。−ロット分の半導体ウェハ
5を多段に、即ち互いに平行に収容しているウェハキャ
リア10は、その収容した半導体ウェハ5が垂直になる
ように上記ウェハキャリア載置部7に載置されている。
4個並置され、各縦型拡散炉1には上下方向に延在した
炉芯管2が内蔵されている。この炉芯管2の下方にはウ
ェハボートステージ3が昇降可能に設置されている。こ
れらの縦型拡散炉1の一端に並置された基部6にはウェ
ハキャリア載置部7と移し替えヘッド8と水平垂直変換
手段9とが設置されている。−ロット分の半導体ウェハ
5を多段に、即ち互いに平行に収容しているウェハキャ
リア10は、その収容した半導体ウェハ5が垂直になる
ように上記ウェハキャリア載置部7に載置されている。
このウェハキャリア載置部7は本実施例では4個のウェ
ハキャリア]0を載置可能に構成されている。ウェハキ
ャリア載置部7に載置されたウェハキャリア10の下方
には第2図に示したように昇降可能な第1のウェハブツ
シャ1]か設けられており、このウェハブツシャ11は
上昇時にウェハキャリア10の開口10aを貫通してウ
ェハキャリア10内の一ロット分の半導体ウェハ5に当
接しそれらを上昇させてウェハキャリア10から移し替
えヘッド8内に移送する。
ハキャリア]0を載置可能に構成されている。ウェハキ
ャリア載置部7に載置されたウェハキャリア10の下方
には第2図に示したように昇降可能な第1のウェハブツ
シャ1]か設けられており、このウェハブツシャ11は
上昇時にウェハキャリア10の開口10aを貫通してウ
ェハキャリア10内の一ロット分の半導体ウェハ5に当
接しそれらを上昇させてウェハキャリア10から移し替
えヘッド8内に移送する。
移し替えヘッド8は下端が開口した枠状体であり、昇降
支柱8Aによって上下方向および前後方向Aに移動可能
であると共に、ウェハキャリア載置部7の上方位置と水
平垂直変換手段9の上方位置との間を昇降支柱8Aを中
心として回動可能に構成されている。この移し替えヘッ
ド8は第2図に示したように矢印B方向に進退可能な′
ウェハストッパー12を具備し、このウェハストッパー
12は第1ウエハブツシヤ1]によって移し替えヘッド
8内に移動された半導体ウェハ5を移し替えヘッド8内
に保持する。
支柱8Aによって上下方向および前後方向Aに移動可能
であると共に、ウェハキャリア載置部7の上方位置と水
平垂直変換手段9の上方位置との間を昇降支柱8Aを中
心として回動可能に構成されている。この移し替えヘッ
ド8は第2図に示したように矢印B方向に進退可能な′
ウェハストッパー12を具備し、このウェハストッパー
12は第1ウエハブツシヤ1]によって移し替えヘッド
8内に移動された半導体ウェハ5を移し替えヘッド8内
に保持する。
水平垂直変換手段9はウェハボート4を収納可能な枠体
形状を有し、第1図に示した水平位置ではウェハボート
4を水平状態に支持すると共に、第3図に示したように
上記水平位置9Aと垂直位置9Bとの間を回動可能に構
成されている。水平位置9Aの水平垂直変換手段9の下
方には、第2図に示したように第1ウエハブツシヤ11
と同一構成の第2のウェハブツシャ13が設けられてい
る。なお、ウェハボート4は第1図乃至第3図に示した
ように両端の円板4a、4aを複数の連結柱4bによっ
て連結した構成である。
形状を有し、第1図に示した水平位置ではウェハボート
4を水平状態に支持すると共に、第3図に示したように
上記水平位置9Aと垂直位置9Bとの間を回動可能に構
成されている。水平位置9Aの水平垂直変換手段9の下
方には、第2図に示したように第1ウエハブツシヤ11
と同一構成の第2のウェハブツシャ13が設けられてい
る。なお、ウェハボート4は第1図乃至第3図に示した
ように両端の円板4a、4aを複数の連結柱4bによっ
て連結した構成である。
複数の縦型拡散炉1と基部6との前部にはそれらに沿っ
てウェハボート移送部14が設置されている。このウェ
ハボート移送部14は僅かに窪んだ移送通路14aに沿
って移動されるウェハボート移送ステージ15を有する
。この移送ステージ15は、第3図に示したように矢印
C方向に昇降移動可能であり、第1図に示した位置にあ
る時に垂直位置の水平垂直変換手段9との間でウェハボ
ート4の受渡しを行う。
てウェハボート移送部14が設置されている。このウェ
ハボート移送部14は僅かに窪んだ移送通路14aに沿
って移動されるウェハボート移送ステージ15を有する
。この移送ステージ15は、第3図に示したように矢印
C方向に昇降移動可能であり、第1図に示した位置にあ
る時に垂直位置の水平垂直変換手段9との間でウェハボ
ート4の受渡しを行う。
各縦型拡散炉1にはウェハボートハンドラ16か設置さ
れ、このウェハボートハンドラー16は第4図の前後方
向りに移動可能に構成され、移送ステージ15とウェハ
ボートステージ3との間でウェハボート4を移送する。
れ、このウェハボートハンドラー16は第4図の前後方
向りに移動可能に構成され、移送ステージ15とウェハ
ボートステージ3との間でウェハボート4を移送する。
次にこの実施例の作用を説明する。
第1図において、−ロット分の半導体ウェハ5を夫々収
容した4個のウェハキャリア10は、収容半導体ウェハ
5が垂直(鉛直)になるようにウェハキャリア載置部7
に載置される。また空のウェハボート4が水平垂直変換
手段9に収容され水平に保持される。この状態で、移し
替えヘッド8が第2図に示したように一つのウェハキャ
リア10上に降下されると、第1ウエハブツシヤ11が
上昇し、ウェハキャリア10内の一ロツi・分の半導体
ウェハ5を上昇移動させ移し替えヘッド8内に挿入する
。この後に移し替えヘッド8のウェハストッパー12が
進入し半導体ウェハ5の下端に当接して半導体ウェハ5
を移し替えヘッド8内に保持する。この保持が行われる
と、第1ウエハブツシヤ11が下降しその後に移し替え
ヘッド8が上昇し回動して、水平垂直変換手段9に収容
さ1 2 れた空のウェハボート4の上方位置に至る。次いで、移
し替えヘッド8が空のウェハボート4上に下降すると、
第2図に示したように第2ウニハプツシヤ13が空のウ
ェハボート4の連結柱4bの間を通って上昇し移し替え
ヘッド8内の半導体ウェハ5を保持する。この後に、ウ
ェハストッパー12が退避され、第2ウエハブツシヤ]
3が下降されると、−ロット分の半導体ウェハ5がウェ
ハボート4に収容される。このような動作を残りの3個
のウェハキャリア10についても繰返すことによってす
べてのウェハキャリア10内の半導体ウェハ5が垂直状
態のまま水平垂直変換手段9内のウェハボート4に移し
替えられる。
容した4個のウェハキャリア10は、収容半導体ウェハ
5が垂直(鉛直)になるようにウェハキャリア載置部7
に載置される。また空のウェハボート4が水平垂直変換
手段9に収容され水平に保持される。この状態で、移し
替えヘッド8が第2図に示したように一つのウェハキャ
リア10上に降下されると、第1ウエハブツシヤ11が
上昇し、ウェハキャリア10内の一ロツi・分の半導体
ウェハ5を上昇移動させ移し替えヘッド8内に挿入する
。この後に移し替えヘッド8のウェハストッパー12が
進入し半導体ウェハ5の下端に当接して半導体ウェハ5
を移し替えヘッド8内に保持する。この保持が行われる
と、第1ウエハブツシヤ11が下降しその後に移し替え
ヘッド8が上昇し回動して、水平垂直変換手段9に収容
さ1 2 れた空のウェハボート4の上方位置に至る。次いで、移
し替えヘッド8が空のウェハボート4上に下降すると、
第2図に示したように第2ウニハプツシヤ13が空のウ
ェハボート4の連結柱4bの間を通って上昇し移し替え
ヘッド8内の半導体ウェハ5を保持する。この後に、ウ
ェハストッパー12が退避され、第2ウエハブツシヤ]
3が下降されると、−ロット分の半導体ウェハ5がウェ
ハボート4に収容される。このような動作を残りの3個
のウェハキャリア10についても繰返すことによってす
べてのウェハキャリア10内の半導体ウェハ5が垂直状
態のまま水平垂直変換手段9内のウェハボート4に移し
替えられる。
この後に、第3図に示したように水平垂直変換手段9を
水平位置9Aから垂直位置9Bに回動してウェハボート
4を垂直状態にすると共に移送ステージ15の上に位置
させる。次いで、この移送ステージ15が上昇して垂直
状態のウェハボート4を載置すると同時に水平垂直変換
手段9が水平位置9Aまで回動する。移送ステージ15
が移送通路14aに沿って所定の縦型拡散炉1の前まで
移動された後に、第4図に示したようにウェハボートハ
ンドラー16が前方に移動しウェハボート4の下に位置
すると、移送ステージ15が降下してウェハボート4を
ウェハボートハンドラー16に載置させる。ウェハボー
ト4を載置したハンドラー16は後退してウェハボート
4をウェハホトステージ3の上に位置させる。
水平位置9Aから垂直位置9Bに回動してウェハボート
4を垂直状態にすると共に移送ステージ15の上に位置
させる。次いで、この移送ステージ15が上昇して垂直
状態のウェハボート4を載置すると同時に水平垂直変換
手段9が水平位置9Aまで回動する。移送ステージ15
が移送通路14aに沿って所定の縦型拡散炉1の前まで
移動された後に、第4図に示したようにウェハボートハ
ンドラー16が前方に移動しウェハボート4の下に位置
すると、移送ステージ15が降下してウェハボート4を
ウェハボートハンドラー16に載置させる。ウェハボー
ト4を載置したハンドラー16は後退してウェハボート
4をウェハホトステージ3の上に位置させる。
ウェハボートステージ3は上昇してウェハホト4を載置
し、炉芯管2に挿入し拡散処理を施す。
し、炉芯管2に挿入し拡散処理を施す。
拡散処理終了後は、処理済みの半導体ウェハ5は上述の
動作と逆の動作によってウェハキャリア載置部7のウェ
ハキャリア10に戻される。
動作と逆の動作によってウェハキャリア載置部7のウェ
ハキャリア10に戻される。
なお、上記実施例ではウェハキャリア10内の未処理の
半導体ウェハ5は拡散処理後に再びウェハキャリア載置
部7のウェハキャリア10内に戻される例であった。し
かしながら、本発明はこれに限られるものではなく半導
体ウェハ5は拡散処理後に別の経路を経て別のウェハキ
ャリア載置部の別のウェハキャリア内に収納してもよい
。
半導体ウェハ5は拡散処理後に再びウェハキャリア載置
部7のウェハキャリア10内に戻される例であった。し
かしながら、本発明はこれに限られるものではなく半導
体ウェハ5は拡散処理後に別の経路を経て別のウェハキ
ャリア載置部の別のウェハキャリア内に収納してもよい
。
また、本明細書において「垂直状態のまま移送」もしく
は「垂直状態のまま移し替え」とは、半導体ウェハまた
はウェハボートをある地点から他の地点に移動する際に
その両地点で垂直状態を必ず保っていることを意味する
。従って、移動中にその両地点の間で垂直状態以外の状
態をとってもよい。
は「垂直状態のまま移し替え」とは、半導体ウェハまた
はウェハボートをある地点から他の地点に移動する際に
その両地点で垂直状態を必ず保っていることを意味する
。従って、移動中にその両地点の間で垂直状態以外の状
態をとってもよい。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように本発明によれば、半導体
ウェハはウェハキャリアからウェハボートへの出入れが
自動的に行われ、かつウェハボートテーブル、即ちウェ
ハボート挿脱装置への移送も自動的に行われるため、作
業能率が大幅に向上すると共に、手作業によるウェハボ
ートへの出入れに伴う半導体ウェハの損傷や塵の発生が
防止され半導体ウェハの歩走りも向上する。
ウェハはウェハキャリアからウェハボートへの出入れが
自動的に行われ、かつウェハボートテーブル、即ちウェ
ハボート挿脱装置への移送も自動的に行われるため、作
業能率が大幅に向上すると共に、手作業によるウェハボ
ートへの出入れに伴う半導体ウェハの損傷や塵の発生が
防止され半導体ウェハの歩走りも向上する。
移し替えヘッドがウェハキャリアの上方に位置している
状態とウェハボートの上方に位置している状態とを示し
た正面図、第3図は上記実施例の水平垂直変換手段の動
作を説明するための説明図、第4図は上記実施例のウェ
ハボートハンドラーの動作を説明するだめの説明図、第
5図は従来の縦型拡散炉を示した斜視図である。
状態とウェハボートの上方に位置している状態とを示し
た正面図、第3図は上記実施例の水平垂直変換手段の動
作を説明するための説明図、第4図は上記実施例のウェ
ハボートハンドラーの動作を説明するだめの説明図、第
5図は従来の縦型拡散炉を示した斜視図である。
]・・・縦型拡散炉、2・・・炉芯管、3・・・ウェハ
ホト挿脱装置(ウェハボートテーブル)、4・・・ウェ
ハボート、5・・・半導体ウェハ、7・・・ウェハキャ
リア載置部、8・・・移し替え手段(移し替えヘッド)
、9・・・水平垂直変換手段、10・・・ウェハキャリ
ア、14.15・・・ウェハボート移送手段
ホト挿脱装置(ウェハボートテーブル)、4・・・ウェ
ハボート、5・・・半導体ウェハ、7・・・ウェハキャ
リア載置部、8・・・移し替え手段(移し替えヘッド)
、9・・・水平垂直変換手段、10・・・ウェハキャリ
ア、14.15・・・ウェハボート移送手段
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数の半導体ウェハを縦型拡散炉の炉芯管に挿脱す
ることが可能なウェハボート挿脱装置に上記半導体ウェ
ハを移送する半導体ウェハ移送装置において、半導体ウ
ェハを多段に収容するウェハキャリアをその収容した半
導体ウェハが垂直になるように載置するウェハキャリア
載置部と、複数の半導体ウェハを多段に保持可能なウェ
ハボートを水平に支持すると共にこの水平状態のウェハ
ボートを垂直状態に変換する水平垂直変換手段と、複数
の半導体ウェハを上記ウェハキャリア載置部の上記ウェ
ハキャリアから上記垂直変換手段によって水平支持され
た上記ウェハボートへ垂直状態のまま移し替える移し替
え手段と、上記垂直変換手段によって垂直状態にされた
上記ウェハボートを垂直状態のまま上記ウェハボート挿
脱装置に移送するウェハボート移送手段とを具備するこ
とを特徴とする半導体ウェハ移送装置。 2、複数の半導体ウェハを縦型拡散炉の炉芯管に挿脱す
ることが可能なウェハボート挿脱装置に上記半導体ウェ
ハを移送しかつそこから取出す半導体ウェハ移送装置に
おいて、複数のウェハを多段に収容するウェハキャリア
をその収容した半導体ウェハが垂直になるように載置す
るウェハキャリア載置部と、複数の半導体ウェハを多段
に保持可能なウェハボートを水平に支持しかつこの水平
状態のウェハボートを垂直状態に変換すると共に垂直状
態のウェハボートを上記水平状態に変換する水平垂直変
換手段と、複数の半導体ウェハを上記ウェハキャリア載
置部の上記ウェハキャリアと上記垂直変換手段によって
水平支持された上記ウェハボートとの間で垂直状態のま
ま移し替える移し替え手段と、上記水平垂直変換手段に
よって垂直状態にされた上記ウェハボートを上記ウェハ
ボート挿脱装置に垂直状態のまま移送すると共に上記ウ
ェハボートを上記ウェハボート挿脱装置から上記垂直水
平変換手段に垂直状態のまま移送するウェハボート移送
手段とを具備することを特徴とする半導体ウェハ移送装
置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1263444A JPH03125453A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 半導体ウエハ移送装置 |
KR1019900015934A KR940001150B1 (ko) | 1989-10-09 | 1990-10-08 | 반도체웨이퍼 이송장치 |
US07/593,963 US5180273A (en) | 1989-10-09 | 1990-10-09 | Apparatus for transferring semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1263444A JPH03125453A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 半導体ウエハ移送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03125453A true JPH03125453A (ja) | 1991-05-28 |
Family
ID=17389595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1263444A Pending JPH03125453A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 半導体ウエハ移送装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5180273A (ja) |
JP (1) | JPH03125453A (ja) |
KR (1) | KR940001150B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017150078A (ja) * | 2017-03-07 | 2017-08-31 | ピコサン オーワイPicosun Oy | Ald反応炉における基板の装填 |
US10161038B2 (en) | 2012-11-23 | 2018-12-25 | Picosun Oy | Substrate loading in an ALD reactor |
CN112736002A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种晶圆清洗设备晶圆片高速装载方法 |
Families Citing this family (273)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2697364B2 (ja) * | 1991-04-30 | 1998-01-14 | 株式会社村田製作所 | 熱処理システム |
JP3322912B2 (ja) * | 1992-08-17 | 2002-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハボート回転装置及びこれを用いた熱処理装置 |
JP3258748B2 (ja) * | 1993-02-08 | 2002-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5527390A (en) * | 1993-03-19 | 1996-06-18 | Tokyo Electron Kabushiki | Treatment system including a plurality of treatment apparatus |
WO1995030240A2 (en) * | 1994-04-28 | 1995-11-09 | Semitool, Incorporated | Semiconductor processing systems |
US5664337A (en) * | 1996-03-26 | 1997-09-09 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing systems |
EP0757843A1 (en) * | 1994-04-28 | 1997-02-12 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing system with wafer container docking and loading station |
US6712577B2 (en) * | 1994-04-28 | 2004-03-30 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing system |
US6833035B1 (en) | 1994-04-28 | 2004-12-21 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing system with wafer container docking and loading station |
US5544421A (en) * | 1994-04-28 | 1996-08-13 | Semitool, Inc. | Semiconductor wafer processing system |
US5507614A (en) * | 1995-03-02 | 1996-04-16 | Cybeq Systems | Holder mechanism for simultaneously tilting and rotating a wafer cassette |
US5671530A (en) * | 1995-10-30 | 1997-09-30 | Delco Electronics Corporation | Flip-chip mounting assembly and method with vertical wafer feeder |
US6036426A (en) * | 1996-01-26 | 2000-03-14 | Creative Design Corporation | Wafer handling method and apparatus |
US6723174B2 (en) | 1996-03-26 | 2004-04-20 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing system |
US6942738B1 (en) | 1996-07-15 | 2005-09-13 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing system |
US5820366A (en) * | 1996-07-10 | 1998-10-13 | Eaton Corporation | Dual vertical thermal processing furnace |
US6645355B2 (en) | 1996-07-15 | 2003-11-11 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism |
US6091498A (en) * | 1996-07-15 | 2000-07-18 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism |
US6672820B1 (en) | 1996-07-15 | 2004-01-06 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing apparatus having linear conveyer system |
US5731678A (en) * | 1996-07-15 | 1998-03-24 | Semitool, Inc. | Processing head for semiconductor processing machines |
US6203582B1 (en) | 1996-07-15 | 2001-03-20 | Semitool, Inc. | Modular semiconductor workpiece processing tool |
US6491732B1 (en) * | 1996-11-15 | 2002-12-10 | Agere Systems Inc. | Wafer handling apparatus and method |
JPH10147432A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Tokyo Electron Ltd | カセットチャンバ |
NL1005102C2 (nl) * | 1997-01-27 | 1998-07-29 | Advanced Semiconductor Mat | Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven. |
JP3548373B2 (ja) * | 1997-03-24 | 2004-07-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7067018B2 (en) * | 1997-05-05 | 2006-06-27 | Semitool, Inc. | Automated system for handling and processing wafers within a carrier |
US6080050A (en) | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus |
US5993302A (en) * | 1997-12-31 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6565729B2 (en) * | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
TW593731B (en) * | 1998-03-20 | 2004-06-21 | Semitool Inc | Apparatus for applying a metal structure to a workpiece |
US6497801B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-12-24 | Semitool Inc | Electroplating apparatus with segmented anode array |
NL1011487C2 (nl) * | 1999-03-08 | 2000-09-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | Werkwijze en inrichting voor het roteren van een wafer. |
US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7189318B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-03-13 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7020537B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
JP4219562B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2009-02-04 | セミトゥール・インコーポレイテッド | ワークピースを電気化学的に処理するためのシステム |
US6368475B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-04-09 | Semitool, Inc. | Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7585398B2 (en) * | 1999-04-13 | 2009-09-08 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
US6916412B2 (en) * | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
US20030038035A1 (en) * | 2001-05-30 | 2003-02-27 | Wilson Gregory J. | Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US7438788B2 (en) * | 1999-04-13 | 2008-10-21 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US7264698B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
JP3884201B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2007-02-21 | 株式会社神戸製鋼所 | 高温高圧処理装置 |
NL1013984C2 (nl) | 1999-12-29 | 2001-07-02 | Asm Int | Werkwijze en inrichting voor het behandelen van substraten. |
US20050183959A1 (en) * | 2000-04-13 | 2005-08-25 | Wilson Gregory J. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece |
AU2001259504A1 (en) * | 2000-05-24 | 2001-12-03 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
EP1332349A4 (en) * | 2000-07-07 | 2008-12-17 | Semitool Inc | AUTOMATED PROCESSING SYSTEM |
KR20020019414A (ko) * | 2000-09-05 | 2002-03-12 | 엔도 마코토 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법 |
FR2823188B1 (fr) * | 2001-04-06 | 2003-09-05 | R2D Ingenierie | Methode et manipulateur pour le transfert de supports de composants electroniques et/ou informatiques conformes en disques |
US7114903B2 (en) * | 2002-07-16 | 2006-10-03 | Semitool, Inc. | Apparatuses and method for transferring and/or pre-processing microelectronic workpieces |
SG140470A1 (en) * | 2002-09-30 | 2008-03-28 | Lam Res Corp | System for substrate processing with meniscus, vacuum, ipa vapor, drying manifold |
US20040108212A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-10 | Lyndon Graham | Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces |
US7410355B2 (en) * | 2003-10-31 | 2008-08-12 | Asm International N.V. | Method for the heat treatment of substrates |
US7022627B2 (en) | 2003-10-31 | 2006-04-04 | Asm International N.V. | Method for the heat treatment of substrates |
US6883250B1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-04-26 | Asm America, Inc. | Non-contact cool-down station for wafers |
US6940047B2 (en) * | 2003-11-14 | 2005-09-06 | Asm International N.V. | Heat treatment apparatus with temperature control system |
US7217670B2 (en) * | 2004-11-22 | 2007-05-15 | Asm International N.V. | Dummy substrate for thermal reactor |
KR100826269B1 (ko) * | 2006-06-13 | 2008-04-29 | 삼성전기주식회사 | 복합 소성로 및 이에 채용되는 승하강 장치 |
US7740437B2 (en) * | 2006-09-22 | 2010-06-22 | Asm International N.V. | Processing system with increased cassette storage capacity |
US7585142B2 (en) | 2007-03-16 | 2009-09-08 | Asm America, Inc. | Substrate handling chamber with movable substrate carrier loading platform |
CN101414570B (zh) * | 2007-10-18 | 2011-11-23 | 联华电子股份有限公司 | 半导体工艺方法以及半导体装置*** |
JP2012004536A (ja) * | 2010-05-20 | 2012-01-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
US11508596B2 (en) * | 2020-05-28 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and methods for automatically handling die carriers |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62130534A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 縦型ウエ−ハ処理装置のためのウエ−ハ搬送装置 |
JPS6317521A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Kokusai Electric Co Ltd | ウエ−ハボ−トの搬送方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US33341A (en) * | 1861-09-24 | Improvement in loop-catches for sewing-machines | ||
US4603897A (en) * | 1983-05-20 | 1986-08-05 | Poconics International, Inc. | Vacuum pickup apparatus |
US4611966A (en) * | 1984-05-30 | 1986-09-16 | Johnson Lester R | Apparatus for transferring semiconductor wafers |
JPS60258459A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-20 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 縦型熱処理装置 |
JPS624142A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薄板材の移し替え装置 |
JPS62104049A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | ベ−キング炉装置 |
US4770590A (en) * | 1986-05-16 | 1988-09-13 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for transferring wafers between cassettes and a boat |
JPS63244856A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | ウエハボ−トの移送装置 |
KR970008320B1 (ko) * | 1987-11-17 | 1997-05-23 | 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 | 열처리 장치 |
US4955775A (en) * | 1987-12-12 | 1990-09-11 | Tel Sagami Limited | Semiconductor wafer treating apparatus |
US5054988A (en) * | 1988-07-13 | 1991-10-08 | Tel Sagami Limited | Apparatus for transferring semiconductor wafers |
US4981436A (en) * | 1988-08-08 | 1991-01-01 | Tel Sagami Limited | Vertical type heat-treatment apparatus |
JP2683675B2 (ja) * | 1989-01-26 | 1997-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送装置 |
JP2905857B2 (ja) * | 1989-08-11 | 1999-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型処理装置 |
-
1989
- 1989-10-09 JP JP1263444A patent/JPH03125453A/ja active Pending
-
1990
- 1990-10-08 KR KR1019900015934A patent/KR940001150B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-10-09 US US07/593,963 patent/US5180273A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62130534A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 縦型ウエ−ハ処理装置のためのウエ−ハ搬送装置 |
JPS6317521A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Kokusai Electric Co Ltd | ウエ−ハボ−トの搬送方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10161038B2 (en) | 2012-11-23 | 2018-12-25 | Picosun Oy | Substrate loading in an ALD reactor |
US11280001B2 (en) | 2012-11-23 | 2022-03-22 | Picosun Oy | Substrate loading in an ALD reactor |
JP2017150078A (ja) * | 2017-03-07 | 2017-08-31 | ピコサン オーワイPicosun Oy | Ald反応炉における基板の装填 |
CN112736002A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种晶圆清洗设备晶圆片高速装载方法 |
CN112736002B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-06-07 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种晶圆清洗设备晶圆片高速装载方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910007780A (ko) | 1991-05-30 |
KR940001150B1 (ko) | 1994-02-14 |
US5180273A (en) | 1993-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03125453A (ja) | 半導体ウエハ移送装置 | |
US4915565A (en) | Manipulation and handling of integrated circuit dice | |
US6341740B2 (en) | Cutting-and-transferring system and pellet transferring apparatus | |
US6612801B1 (en) | Method and device for arraying substrates and processing apparatus thereof | |
JPS636857A (ja) | ウエ−ハ移し替え装置 | |
JPH06271009A (ja) | 移載装置 | |
EP0302885A1 (en) | Automatic wafer loading method and apparatus | |
JP2007317835A (ja) | 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法 | |
JPH10284577A (ja) | 被処理基板の移載方法 | |
JP3745064B2 (ja) | 基板搬送装置およびそれを用いた基板搬送方法ならびに基板姿勢変換装置 | |
JP4137244B2 (ja) | 基板洗浄装置における搬送機構 | |
JPH09172052A (ja) | ウェーハ移載装置及びウェーハ移載方法 | |
JPH05338728A (ja) | ウエーハ搬送方法及び装置 | |
JPS63244856A (ja) | ウエハボ−トの移送装置 | |
JP3483842B2 (ja) | ウェーハ洗浄装置およびウェーハ洗浄方法 | |
JPS5870546A (ja) | 物品移換装置 | |
JP3205525B2 (ja) | 基板の取出装置,搬入装置及び取出搬入装置 | |
JP2004296646A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2550553Y2 (ja) | 表面処理装置のウエハ移替装置 | |
JP2506379B2 (ja) | 搬送方法及び搬送装置 | |
JP4254980B2 (ja) | ウエハ移載装置 | |
JPH0249718Y2 (ja) | ||
JPH06329209A (ja) | 半導体製造装置のウェーハカセット搬送装置 | |
JP3730803B2 (ja) | 基板姿勢変換装置および方法 | |
JP3336225B2 (ja) | 基板の処理システム及び処理方法 |