TW515734B - Method and device for cutting a multiplicity of disks off a hard brittle workpiece - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title abstract description 25
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23D57/00—Sawing machines or sawing devices not covered by one of the preceding groups B23D45/00 - B23D55/00
- B23D57/003—Sawing machines or sawing devices working with saw wires, characterised only by constructional features of particular parts
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
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- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
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- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
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Description
515734 五、發明說明(1) 本發明與 之方法有關。 關。本發明可 導體材料及陶 目前,製 鋸。在該等鋸 環繞在鋼絲導 磨介質係載體 硬物質係在切 至切割縫隙内 定,歷時數小 個切割程序中 盪鋼絲運動); 退運動長。結 既有技術 割法且工件中 運動方向恆常 終端之鋸鋼絲 中,鋸鋼絲係 上。 一種藉助於鋼絲鋸自硬脆工件切割眾多碟片 3明亦與—種適於#施該方*之鋼絲錯有 、斤有待錯割成晶圓之硬脆材料,尤立半 2石。本發明特別適於自單晶體切割石夕晶;。 ^石夕晶圓大多使用連同切割漿液操作=鋼絲 2, ψ ^根長50公里至500公里之鋼絲螺旋 淡=f上形成一鋼絲網。通常,所用切割研 操# i種堅硬物質,例如:碳化矽。該堅 /、功間進給並藉鋼絲之移動自 時;:::中,視切割長度及進給路徑: ,該鋼絲係個晶圓。在整 實施方向六杜门方向運動或在復運動(振 果未經使用\2動時’前進運動通常較後 亦句人加用錄鋼絲亦持續投入。 亦 鋸鋼絲覆以黏結研磨粒之罝4 ^ 僅形成一個切 W磨粒之早-鋼絲切 不變)之方法1口/使用鋼絲環路(無終端、 之方法可能右、4用具有振盪鋼絲運動且有 自一線輛解下g、ft 在後者方法之案例 通過工件再纏回一接收線軸 本發明與一種以特 絲網而自硬脆工件切割 網係由往復運動之鋸輞 絲網下方備有冷卻液, 定進給速率 眾多碟片之 絲形成並覆 於切割磲片 移動工件通 方法有關。 以黏結之研 時,鋼絲網 過鋼絲錯鋼 其中該鋼絲 磨粒,且鋼 之錯鋼絲係 515734
五、發明說明(2) 浸入該液體内。 本發明可使^圓之切割省 设昂貴操作、相關之高價位裝 及處置切割漿液之 生態環保問題。該方法係充分利用=及必須納入考量之 粒,所以其切割效果遠較切割漿:有研磨作用之黏結 物質更佳。尤其本發明可使切割‘旦J f研磨作用之堅硬 及切割品質改善。再者’若干習知=w尚、加工時間縮短 在建議之方法中全不存在,前者較早''鋼絲切割法之缺點 可製造一個晶圓,且與可競爭之二不,濟,蓋因其每次僅 甚長,例如:環錯割。 一刀°丨去相較’切割時間 茲參考兩彳固附圖 所示係-適於實施本發明方法:鋼::刀口說明如下。圖1 該鋼絲鋸合意特徵之正視圖及側視圖.固圖2a、b所示係 2a、b之另-種形4,無對應之特徵圖2C、d所示係圖 圖!所示鋼絲鑛有一鋼絲㈣,藉助於該鋼絲網,工件 2可以特定之進給速率運動。鋼絲網係由鋸鋼絲3形成,後 者覆有黏結研磨粒且係纏繞在鋼絲-導%滾筒4上。該鋼絲 鋸更包括一儲槽5,槽中裝有冷卻液6。儲槽係以適當方式 置於鋼絲網1之下方’俾切割碟片時切入工件2之鋼絲網鋸 鋼絲係浸入冷卻液6内。冷卻液(尤以水為佳)最好加以循 環流動及必要時予以過濾。附圖僅顯示冷卻管路之進給口 7及排放口 8 ° 所用有終端鋸鋼絲係塗被以研磨劑(以金剛石為佳)並 於導引滾筒上實施往復運動。鋸鋼絲之長度必須加以適當
^/J4 五、發明說明(3) — 一~^~- - 餘〃’俾所提供之鋸鋼絲達到預期之長度且足夠之鋸鋼絲 、、/刀割運動。典型的例子是:所需錯鋼絲之長度約對應 :化成鋼絲網所需長度另加至少5 0公尺。其他合意之參數 疋·麵絲所覆研磨粒之厚度為180至23 0微米,鋼絲應力為 10至40牛頓,鋼絲速率為8至20公尺/秒,鋼絲加速度為 〇、· 5至5公尺/秒2,鋼絲振盪大於丨〇 〇公尺,及線軸與鋼絲— 導引滾筒直徑大於1 〇 〇公厘。
儲槽6以設計為一溢流盆為佳,尤以一塑膠盤更佳。 在此情況下,鋸鋼絲可切入該溢流盆上緣。該鋸鋼絲亦可 加以適當設計,俾支撐鋼絲—導引滾筒之鋸頭分件可形成 溢流盤之側界。 菖工件沿進給方向運動時,將錄鋼絲壓至鋼絲網區内 冷卻液表面之下。結果,晶圓之切割工作係完全在冷卻液 内實施,所以可確保切割縫隙可獲致最佳冷卻效果。將鋸 鋼絲浸入冷卻液内不僅有利於達到冷卻目的,而且有助潤 滑作用及鋸屑之清除。 再者,另建議使用一裝置9以清洗鑛鋼絲3,俾保留研 磨粒間之鋸屑空間。清洗鋼絲亦可避免磨掉之矽等淤渣陷 入纏繞區,因此導引滾筒及線軸之磨損程度可降至甚低。 裝置9係用以將清洗介質(例如:高壓空氣或水)進給至鋸 鋼絲。尤其該裝置9最好包括至少一個百萬超音波喷嘴以 便在所用清洗介質中激發高頻振動。 為確保在切割碟片期間具有最佳研磨粒負荷,最好將 沿進給方向之切割力加以調節及監控。該切割力係取決於
第7頁 五、發明說明(4) 所選鋼絲之應力、鋼絲網之進级/ :彈能隨進給力之大小而使鑛以:動彈能。該鋼絲網 出。所測得之彎曲度最好用以=言曲,彎曲度可以測 則進給速率減低,纟m ^制進給速率,彎曲度增加 裝置1 〇,俾碟片切下時以 二’該鋼絲鋸最好亦裝— 離量=控制進給速率。 ^鋼、絲之偏離量並隨所測偏 藉助於一置換器單元以 導引滾筒槽排列成直線,雜鋼: = : =叉且與每個 動鋼絲應自一遞送線轴上打開,i因頻,往i運 顯示該置換哭單元"之雨個二鋼絲位置斷裂。圖2a、b …口早兀11之兩個不同之視圖(圖2a、正# m 圖2b、侧視圖)。其中包括兩個導引滾筒13及14,=莫
2滾同沿軸向移置接收線軸上之㈣絲或自_遞送線V 付鋸鋼絲。該雙箭頭係用以表示此軸向運動。該ς ,之特徵是:可圍繞軸丨5及16傾斜。視該移置之位置而κ 定,該傾斜機構使該等導引滾筒之軸作適當之低彎,俾鋸 鋼絲沿垂直於導引滾筒轉動軸之方向移動。 、 為作比較計,圖2c、d之上部所示係一無此特徵之對 應置換器單元,結果視移置位置而定,該鋸鋼絲成"某種角 度離開或移至該等導引滚筒。若將導引滾筒與線轴成9〇。 排列,亦可使用如此設計之置換器單元,在此案例中,運 動方向(如雙箭頭所示)則與轉動轴成9 〇 °角。 依照本發明製得之矽晶圓亦可藉研磨(單面、雙面或 同時雙面)、圓邊、蝕刻及雙面拋光(依序或同時)g施進
第8頁 515734 五、發明說明(5) 一步加工。使用覆以細粒(2 0微米或更小)金剛石之鋸鋼絲 時,可製得幾無瑕疵之特別平滑表面,因此可省去上述程 序中之研磨及/或蝕刻操作。 圖式簡單說明: 圖1 :適於實施本發明方法之鋼絲錯 圖2 a、b :適於實施本發明方法之鋼絲鋸合意特徵之正視 圖及側視圖 圖2 c、d :無圖2 a、b鋼絲鋸對應特徵之鋼絲鋸 分件編號說明: 1 鋼絲網 2 工件 3 鋸鋼絲 4 鋼絲導引滾筒 5 儲槽 6 冷卻液 7 進給口 8 排放口 9 鋸鋼絲清洗裝置 10 鋸鋼絲偏離量量測器 11 置換器單元 13 導引滾筒 14 導引滾筒
第9頁 515734
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Claims (1)
- 515734 丨六、申請專利範圍 |片係依照下列順序實施進一步加工:圓邊、蝕刻及雙面拋 I光。 I 7. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其中經切割後之碟 !片係依照下列順序實施進一步加工:圓邊及雙面拋光。 丨8. —種自硬脆工件切割眾多碟片之鋼絲鑛,包括一覆以 |黏結研磨粒往復運動之鋸鋼絲,該鋸鋼絲形成一鋼絲網, 工件以進給速率通過鋼絲網·, 鋸鋼絲圍繞鋼絲導引滾筒;鋼絲網下方置一充滿冷卻液之儲槽,該儲槽係經適當配置 ,在該等碟片切下時,鋼絲網之鋸鋼絲係浸入冷卻液内。 9. 如申請專利範圍第8項之鋼絲鋸,其中該鋼絲鋸具有 一裝置用以量測碟片切下時鋸鋼絲之偏離量並隨所量偏離 量之變化以控制進給速率。 I 10. 如申請專利範圍第8或9項之鋼絲鋸,其中該鋼絲鋸之 置換器單元可將鋸鋼絲纏繞在一線軸上,其所附一導引滾 筒可沿軸向移置線軸上之鋸鋼絲,其另一導引滾筒可遞送 鋸鋼絲給該導引滾筒,該兩個導引滾筒係經適當設計,俾 二者可圍繞一個垂直於該等導引滚筒轉動軸之轴傾斜。 | 1 1 如申請專利範圍第8或9項之鋼絲鋸,其中該鋼絲鋸之|置換器單元可將鋸鋼絲自一線軸上解開,其所附一導引滾 筒可自該線軸上解開,其所附一導引滾筒可自該線軸上取 得鋸鋼絲,其另一導引滾筒可自該導引滾筒接收鋸鋼絲, !導引滾筒轉動軸之軸傾斜。第12頁 !該兩個滾筒係經適當設計,俾二者可圍繞一個垂直於該等 515734第13頁
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19841492A DE19841492A1 (de) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem sprödharten Werkstück |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW515734B true TW515734B (en) | 2003-01-01 |
Family
ID=7880561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088115431A TW515734B (en) | 1998-09-10 | 1999-09-07 | Method and device for cutting a multiplicity of disks off a hard brittle workpiece |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6390896B1 (zh) |
EP (1) | EP0990498B1 (zh) |
JP (1) | JP3497784B2 (zh) |
KR (1) | KR100350657B1 (zh) |
DE (2) | DE19841492A1 (zh) |
TW (1) | TW515734B (zh) |
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EP0990498A1 (de) | 2000-04-05 |
JP3497784B2 (ja) | 2004-02-16 |
KR20000023015A (ko) | 2000-04-25 |
DE19841492A1 (de) | 2000-03-23 |
EP0990498B1 (de) | 2001-11-14 |
KR100350657B1 (ko) | 2002-08-30 |
DE59900422D1 (de) | 2001-12-20 |
US6390896B1 (en) | 2002-05-21 |
JP2000117613A (ja) | 2000-04-25 |
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