CN101970193A - 用于将锭线锯切片成晶片中的碳纳米管加强线锯梁 - Google Patents
用于将锭线锯切片成晶片中的碳纳米管加强线锯梁 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101970193A CN101970193A CN2009801083920A CN200980108392A CN101970193A CN 101970193 A CN101970193 A CN 101970193A CN 2009801083920 A CN2009801083920 A CN 2009801083920A CN 200980108392 A CN200980108392 A CN 200980108392A CN 101970193 A CN101970193 A CN 101970193A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- scroll saw
- cnt
- saw beam
- ingot
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title abstract description 38
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title abstract 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 28
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 12
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims description 11
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUCHXOAWJMEFLF-UHFFFAOYSA-N bisphenol F diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COC(C=C1)=CC=C1CC(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 XUCHXOAWJMEFLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 4
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 4
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- LRWZZZWJMFNZIK-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-3-methyloxirane Chemical compound CC1OC1Cl LRWZZZWJMFNZIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
一种用于从锭切晶片——例如从单晶锭或多晶硅锭切半导体晶片——的设备中的线锯梁。该线锯梁可由包括热固性聚合物树脂和碳纳米管的聚合物复合材料制成。
Description
技术领域
本发明的领域涉及提高线锯梁的热性能和结构性能，该线锯梁是单晶或多晶锭与锭保持架之间的中间胶结材料，该锭保持架用于锭或可切成晶片的其它材料的线锯切割中。
背景技术
半导体级晶片一般由单晶锭——例如单晶硅锭——制备而成。将锭切成单独的晶片，然后对该晶片进行大量的加工操作(例如研磨、蚀刻和抛光)，从而去除由切片操作引起的损坏，并产生相对光滑的具有均匀厚度和成品前表面的成品晶片。
可使用内圆(“ID”)锯或线型锯(“线锯”)从锭切硅晶片。与一次只能产生单个晶片的ID锯相比，线锯一般效率更高，因为线锯可一次将整个锭切片。
图1示出了用于将单晶硅锭切成单独的晶片的示例性的线锯切片设备，该设备整体上由参考标号21指示。在美国公开NO.2003/0170948中示出和描述了另一示例性的线锯切片设备，该公开的内容结合在本文中作为参考。市场上可获得的线锯切片设备包括例如瑞士HCT ShapingSystems of Cheseaux制造的Model 300E12-H。在不脱离本发明的范围的情况下，可以利用其它型号和类型的线锯切片设备。
该设备总体上包括一框架23，该框架安装有四个用于支承线网(wireweb)27的线引导件25(部分示出了2个)。该框架还安装有活动的滑动件或头部29，该滑动件或头部安装有锭30，该滑动件或头部相对于框架移动，从而将锭30推入网中。
线引导件25总体上是圆柱形的并具有多个外周槽(未示出)，所述外周槽用于接纳形成线网27的相应线部段，并以精确的间隔间隔开。槽之间的间隔决定了线部段之间的间隔，并从而决定了切成的晶片的厚度。线引导件25在支承件上转动，以沿纵向或轴向移动线部段。切割浆通过导管32导入到线网27上。
在用于生产硅晶片的晶片切片操作中，单晶硅锭安装在锭保持架53上，该保持架通过工作台51保持在线锯设备上。锭30粘附在线锯梁上。锭保持架53和锭30的表面通过合适的粘合剂粘附在线锯梁上。
在将锭和锭保持架保持在线锯梁上的粘合剂固化后，将组件倒置并安装在线锯上。锭逐渐下落到快速移动的超薄的线“网”中。切割动作通过将研磨浆注入到线网上产生，该线网实际上是从一个线轴绕到另一线轴的单线。在切片后立即在一系列化学浴中对切割的晶片进行清洗，以去除残留的浆液。然后，对晶片进行抛光和清洗。
线锯切片在代表切割位置的向前移动的前部产生摩擦热。虽然热量部分通过浆液对流，但是剩余的热量通过锭、线锯梁和锭保持架组件传导。在这三个中，传统上用于制造线锯梁的环氧树脂具有这样的材料性能：效率较低的减振性能、大的热膨胀系数(CTE)和最低的热导率。尤其在切片操作结束、当锭的刚度因为切片的原因显著降低时，线锯梁的环氧树脂的这些特征被认为对于影响切成的晶片的表面质量起到重要作用。
发明内容
因此，简要地说，本发明涉及一种用于线锯切片中的线锯梁，尤其是涉及一种由包括聚合物树脂和碳纳米管的聚合物复合材料构成的线锯梁。
本发明的一个方面涉及一种用于从单晶锭或多晶锭切半导体晶片的设备。该设备包含用于将锭切成晶片的线网。该设备还包含框架。该框架包含用于在切片过程中支承锭的头部。该头部包含锭保持架和线锯梁。该线锯梁由包括热固性聚合物树脂和碳纳米管的聚合物复合材料构成。
本发明的另一方面涉及一种用于从单晶锭或多晶锭切半导体晶片的设备中的组件。该组件包含锭保持架和线锯梁。该线锯梁由包括热固性聚合物树脂和碳纳米管的聚合物复合材料构成。
本发明的又一方面涉及一种与用于从单晶锭或多晶锭切半导体晶片的线锯一起使用的线锯梁。该线锯梁由包括热固性聚合物树脂和碳纳米管的聚合物复合材料构成。
存在对本发明的上述方面中提到的特征的各种改进。其它特征也可结合在本发明的上述方面中。这些改进和附加特征可单独存在或以任何组合存在。例如，下列结合本发明的任何一个示出的实施例所讨论的各种特征可单独或以任何组合结合在本发明的上述方面中的任何一个中。
附图说明
图1示出了线锯切片设备；和
图2示出了通过线锯梁固定在锭保持架上的锭。
相应的参考标号在全部附图中表示相应的部件。
具体实施方式
本发明涉及用于线锯梁构成中的聚合物复合材料。该线锯梁与锭保持架共同用于单晶硅锭和由其它材料制备的锭的线锯切割中。现参考图2，线锯梁101用作锭保持架53和单晶锭30之间的中间连接件(interface)。该线锯梁101使用合适的粘合剂在锭保持架53和锭30之间保持就位。图2示出了在线锯切片操作发生后的锭30。
晶锭典型地是一单晶硅锭或一多晶硅锭，更典型地是一单晶硅锭。虽然单晶硅是用于半导体级晶片的优选材料，但是其它半导体材料也可使用。
图2中示出的锭保持架可由钢或其它材料——例如殷钢(INVAR)(由铁(64％)和镍(36％)以及一些碳和铬制成的合金)——构成。
根据一个实施例，用于构成线锯梁101的聚合物复合材料的特征是，与传统的线锯梁材料相比，其具有提高的减振(能量耗散)性能、提高的刚度、提高的热导率和降低的热膨胀系数。该聚合物复合材料可通过在线锯梁的制造过程中加入碳纳米管(CNTs)制备而成。在一个实施例中，包括碳纳米管的聚合物复合材料用作在锭保持架和硅锭之间的中间连接材料，其中，锭保持架用于硅锭的线锯切割中。具有在本文中描述的优良的物理性能的聚合物复合材料使得切成的晶片具有较好的表面质量。
根据一个实施例，线锯梁101由包括聚合物树脂和碳纳米管的聚合物复合材料构成。用于构成聚合物复合材料的合适的聚合物树脂包含热固性聚合物树脂。尤其合适的热固性聚合物树脂是环氧树脂。在一个实施例中，环氧树脂选自由双酚A二缩水甘油醚、双酚F二缩水甘油醚、三苯酚甲烷三缩水甘油醚(triglycidyl ether of triphenomethane)、线性酚醛清漆多缩水甘油醚(polyglycidyl ether of novolac)、甲酚线性酚醛清漆多缩水甘油醚(polyglycidyl ether cresol novolac)、萘酚苯酚多缩水甘油醚(polyglycidylether of napthalenic phenol)及其甲基、乙基、丙基、丁基替代物和其混合物组成的群组。示例性的环氧树脂包含从液态环氧树脂得到的双官能双酚A/环氧氯丙烷(例如从Hexion Specialty Chemicals，Houston，TX获得的EPON Resin 828)、从环氧氯丙烷和双酚F得到的低粘度液态双酚F二缩水甘油醚环氧树脂(例如从Resolution Performance Products，Houston，TX获得的EPON Resin 862)和System 2000Epoxy LaminatingSystem(从Fibre Glast Development Corporation，Brookville，OH获得的)。
典型地，锭保持架和晶锭在刚度和强度方面是相当的。用于线锯梁的传统的环氧树脂典型的特征是，与锭保持架和晶锭相比，其刚度和强度较小。下表1示出了硅锭、钢制的锭保持架和传统的环氧树脂梁的一些性能。
| 在300K时的性能 | 硅锭 | 钢制的锭保持架 | 环氧树脂梁 |
| 密度(kg/mm3) | 2.30E-06 | 7.900E-06 | 1.587E-06 |
| 比热(J/kg-K) | 7.30E+02 | 5.000E+02 | 1.010E+03 |
| 热导率(W/mm·K) | 1.439E-01 | 1.500E-02 | 6.200E-04 |
| CTE(/K) | 2.568E-06 | 1.750E-05 | 6.600E-05 |
| 杨氏模量(kg/m·s2) | 1.300E+08 | 2.000E+08 | 7.068E+06 |
| 泊松比 | 2.785E-01 | 3.000E-01 | 3.243E-01 |
表1：硅锭、锭保持架和环氧树脂梁的材料性能
从表1可以明显地看出，传统的环氧树脂具有最低的热导率、最大的热膨胀系数和最小的杨氏模量(刚度指标)。尤其在切片操作结束、当锭的刚度因为切片的原因显著降低时，传统的环氧树脂梁的这些特征对切成的晶片的表面质量产生负面影响。
提高线锯梁的这些和其它物理性能可通过使用碳纳米管(CNTs)加强传统的环氧树脂来实现。所添加的碳纳米管可以是包含单壁纳米管(SWNTs)、双壁纳米管(DWNTs)或多壁纳米管(MWNTs)的几种CNTs中的任何一种。上述类型的碳纳米管可在市场上从多种渠道获得。一个这种经销商是Helix Material Solutions(Richardson，TX)。
碳纳米管的类型可根据它们的直径和比表面积而不同。例如，SWNTs可具有在约1nm至约2nm之间的直径，典型地是在约1.2nm和约1.4nm之间，例如约1.3nm。DWNTs典型地具有约4nm的数量级的直径。MWNTs的直径可小于约10nm，在约10nm和约20nm之间，在约10nm和约30nm之间，在约20nm和约40nm之间，在约40nm和约60nm之间，以及在约60nm和约100nm之间。关于比表面积，SWNTs和DWNTs典型地具有在300m2/g和约600m2/g之间的表面积。MWNTs典型地具有在40m2/g和约300m2/g之间的表面积。所有类型的碳纳米管都可具有典型地在约0.5μm和约40μm之间的长度。纳米管可制备成具有更短长度，例如在约0.5μm和约3μm之间，或在约1μm和约2μm之间。
由于它们的刚度、抗拉强度和低密度，碳纳米管尤其适用于添加到用作线锯梁的聚合物复合材料中。例如，碳纳米管具有约1TPa(SWNTs)或甚至约1.25TPa(MWNTs)的理论杨氏模量。这比传统的环氧树脂材料的杨氏模量大约高2个数量级。而且，已生产出具有约60GPa的最大抗拉强度的碳纳米管。碳纳米管的密度典型地在约1.3x 10-6kg/mm3至约1.4x10-6kg/mm3之间，该密度小于环氧树脂材料的密度。因此，碳纳米管不会明显地增加线锯梁的重量。
为了获得提高的刚度、强度和减振这些有益的性能，可以向聚合物复合材料中添加按重量计约50％的量的碳纳米管。由于考虑到成本以及随着碳纳米管浓度的升高而减小的收益，碳纳米管的量优选较低。因此，向聚合物复合材料中添加的碳纳米管的量按重量计可以小于约20％，典型地按重量计小于约10％，更典型地按重量计小于约5％，例如按重量计小于约3％。所添加的碳纳米管的量按重量计至少约0.01％，以获得所希望的效果：提高的减振性能、提高的综合刚度、增大的综合热导率以及降低的热膨胀系数。因此，碳纳米管的浓度按重量计优选在约0.01％到约3％之间，例如按重量计在约1％和约2％之间。
在一个实施例中，线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.01％到约50％。在其它实施例中，线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.01％到约25％，按重量计从约0.01％到约10％，按重量计从约0.01％到约5％，按重量计从约0.01％到约3％，按重量计从约0.01％到约1％，或甚至按重量计从约0.01％到约0.1％。在另外的实施例中，线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.1％到约50％，按重量计从约1％到约50％，按重量计从约3％到约50％，按重量计从约5％到约50％，按重量计从约10％到约50％，或甚至按重量计从约25％到约50％。
因为CNTs的特征是尺寸极其小，所以必须特别小心，以确保它们在环氧树脂中均匀分布。在一个实施例中，在聚合反应前和/或在聚合反应过程中使用高剪切混合机将CNTs分散在环氧树脂基质中。除了添加碳纳米管外，环氧树脂基本上可根据制造者提供的说明书制备。可使用声处理(sonication)帮助CNTs在树脂中扩散。更进一步地，可以添加与树脂兼容的有机溶剂，例如丙酮，以提高在树脂基质中的均匀扩散。而且，也可在聚合反应过程中添加分散剂，例如表面活性剂。溶剂和分散剂可通过本领域已知的方法去除。
在聚合后，将包括碳纳米管和可选择的溶剂的软的液态环氧树脂材料注入到模型中。通过在设定到由环氧树脂制造商的说明书建议的温度的炉中烘烤使环氧树脂在模型中固化。固化后，从模型中取出包括固化的环氧树脂的线锯梁，并使用合适的粘合剂沿梁的主纵表面将线锯梁粘附在锭保持架上。
CNT加强基质的性能特征可通过使用标准的测试方法例如ASTM测试获得。
在具体描述了本发明后，显然可以在不脱离由所附的权利要求限定的本发明的范围的情况下进行修改和变型。
当介绍本发明的要素或其优选实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”意指存在一个或多个这样的要素。术语“包括”、“包含”和“具有”是指包括在内的，并且可存在除了所列举的要素以外的另外的要素。
鉴于以上内容，可以看出，已实现了本发明的几个目的，并且获得了其它有利的结果。
由于可以在不脱离本发明的范围的情况下对上述产品和方法进行各种修改，因此在上述说明中包含的和在附图中示出的所有内容都旨在被解释为示例性的而不是限制性的。
Claims (21)
1.一种用于从单晶锭或多晶锭切半导体晶片的设备，该设备包括：
用于将所述锭切成晶片的线网；和
框架，该框架包含用于在切片过程中支承所述锭的头部，该头部包括锭保持架和线锯梁，该线锯梁由包括热固性聚合物树脂和碳纳米管的聚合物复合材料构成。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述热固性聚合物树脂是环氧树脂。
3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述环氧树脂选自由双酚A二缩水甘油醚、双酚F二缩水甘油醚、三苯酚甲烷三缩水甘油醚、线性酚醛清漆多缩水甘油醚、甲酚线性酚醛清漆多缩水甘油醚、萘酚苯酚多缩水甘油醚及其甲基、乙基、丙基、丁基替代物和其混合物组成的群组。
4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.01％到约50％。
5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.01％到约3％。
6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.1％到约50％。
7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约1％到约50％。
8.一种用于从单晶锭或多晶锭切半导体晶片的设备中的组件，该组件包括：
锭保持架，和
由包括热固性聚合物树脂和碳纳米管的聚合物复合材料构成的线锯梁。
9.根据权利要求8所述的组件，其特征在于，所述热固性聚合物树脂是环氧树脂。
10.根据权利要求9所述的组件，其特征在于，所述环氧树脂选自由双酚A二缩水甘油醚、双酚F二缩水甘油醚、三苯酚甲烷三缩水甘油醚、线性酚醛清漆多缩水甘油醚、甲酚线性酚醛清漆多缩水甘油醚、萘酚苯酚多缩水甘油醚及其甲基、乙基、丙基、丁基替代物和其混合物组成的群组。
11.根据权利要求8所述的组件，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.01％到约50％。
12.根据权利要求8所述的组件，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.01％到约3％。
13.根据权利要求8所述的组件，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.1％到约50％。
14.根据权利要求8所述的组件，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约1％到约50％。
15.一种与用于从单晶锭或多晶锭切半导体晶片的线锯一起使用的线锯梁，其中，所述线锯梁由包括热固性聚合物树脂和碳纳米管的聚合物复合材料构成。
16.根据权利要求15所述的线锯梁，其特征在于，所述热固性聚合物树脂是环氧树脂。
17.根据权利要求16所述的线锯梁，其特征在于，所述环氧树脂选自由双酚A二缩水甘油醚、双酚F二缩水甘油醚、三苯酚甲烷三缩水甘油醚、线性酚醛清漆多缩水甘油醚、甲酚线性酚醛清漆多缩水甘油醚、萘酚苯酚多缩水甘油醚及其甲基、乙基、丙基、丁基替代物和其混合物组成的群组。
18.根据权利要求15所述的线锯梁，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.01％到约50％。
19.根据权利要求15所述的线锯梁，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.01％到约3％。
20.根据权利要求15所述的线锯梁，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约0.1％到约50％。
21.根据权利要求15所述的线锯梁，其特征在于，所述线锯梁中的碳纳米管的量按重量计从约1％到约50％。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US2751208P | 2008-02-11 | 2008-02-11 | |
| US61/027,512 | 2008-02-11 | ||
| PCT/US2009/033363 WO2009102630A1 (en) | 2008-02-11 | 2009-02-06 | Carbon nanotube reinforced wiresaw beam used in wiresaw slicing of ingots into wafers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101970193A true CN101970193A (zh) | 2011-02-09 |
Family
ID=40548819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009801083920A Pending CN101970193A (zh) | 2008-02-11 | 2009-02-06 | 用于将锭线锯切片成晶片中的碳纳米管加强线锯梁 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090199836A1 (zh) |
| EP (1) | EP2242629A1 (zh) |
| JP (1) | JP2011512036A (zh) |
| KR (1) | KR20100120685A (zh) |
| CN (1) | CN101970193A (zh) |
| WO (1) | WO2009102630A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI510682B (zh) * | 2011-01-28 | 2015-12-01 | Sino American Silicon Prod Inc | 晶棒表面奈米化製程、晶圓製造方法及其晶圓 |
| EP2572850A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-27 | Meyer Burger AG | Sacrificial substrate for use in wafer cutting |
| KR101841551B1 (ko) * | 2016-11-23 | 2018-03-23 | 에스케이실트론 주식회사 | 잉곳 가압 장치 및 이를 포함하는 잉곳 절단 장치 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010051683A1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-12-13 | Ask Corporation | Ingot support device for slicing silicon |
| US20030096104A1 (en) * | 2001-03-15 | 2003-05-22 | Polymatech Co., Ltd. | Carbon nanotube complex molded body and the method of making the same |
| CN1699452A (zh) * | 2004-05-19 | 2005-11-23 | 中国航空工业第一集团公司北京航空材料研究院 | 高体积分数碳纳米管阵列－树脂基复合材料及制备方法 |
| EP1749853A2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-02-07 | Nissin Kogyo Co., Ltd | Composite material |
| EP1792935A1 (en) * | 2005-11-11 | 2007-06-06 | Nissin Kogyo Co., Ltd | Thermosetting resin composition and method of producing the same |
| CN101081923A (zh) * | 2007-06-01 | 2007-12-05 | 苏州大学 | 一种高性能复合树脂及其制备方法 |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897141A (en) * | 1984-12-06 | 1990-01-30 | Valtech Corporation | Method for preparing semiconductor wafers |
| US4667650A (en) * | 1985-11-21 | 1987-05-26 | Pq Corporation | Mounting beam for preparing wafers |
| JPH0353546A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| JP2516717B2 (ja) * | 1991-11-29 | 1996-07-24 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソ―及びその切断方法 |
| CH687301A5 (fr) * | 1992-01-22 | 1996-11-15 | W S Technologies Ltd | Dispositif de sciage par fil. |
| JP2755907B2 (ja) * | 1994-06-28 | 1998-05-25 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソー用溝ローラ |
| JPH08298251A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-11-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄板の製造方法 |
| DE19510625A1 (de) * | 1995-03-23 | 1996-09-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Drahtsäge und Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück |
| US5896851A (en) * | 1995-04-21 | 1999-04-27 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wire saw |
| DE19519460A1 (de) * | 1995-05-26 | 1996-11-28 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Drahtsäge und Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück |
| JP2885270B2 (ja) * | 1995-06-01 | 1999-04-19 | 信越半導体株式会社 | ワイヤーソー装置及びワークの切断方法 |
| JPH0985737A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-03-31 | Toray Eng Co Ltd | ワイヤ式切断装置 |
| JPH0985736A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-03-31 | Toray Eng Co Ltd | ワイヤ式切断装置 |
| US5799643A (en) * | 1995-10-04 | 1998-09-01 | Nippei Toyama Corp | Slurry managing system and slurry managing method for wire saws |
| US6024814A (en) * | 1995-11-30 | 2000-02-15 | Nippei Toyama Corporation | Method for processing ingots |
| JPH1044143A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-17 | Mimasu Handotai Kogyo Kk | ワーク取付け治具及び装置及び方法 |
| JPH1052816A (ja) * | 1996-08-13 | 1998-02-24 | M Ii M C Kk | ワイヤ式切断方法 |
| DE19717379A1 (de) * | 1997-04-24 | 1998-10-29 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Drahtsäge und Montagestation für eine Drahtführungsrolle einer Drahtsäge sowie Verfahren zum Auswechseln einer Drahtführungsrolle |
| DE19739965A1 (de) * | 1997-09-11 | 1999-03-18 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Sägeleiste zum Fixieren eines Kristalls und Verfahren zum Abtrennen von Scheiben |
| JP3593451B2 (ja) * | 1998-04-01 | 2004-11-24 | 株式会社日平トヤマ | インゴットのスライス方法 |
| DE19841492A1 (de) * | 1998-09-10 | 2000-03-23 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem sprödharten Werkstück |
| US6106365A (en) * | 1998-11-06 | 2000-08-22 | Seh America, Inc. | Method and apparatus to control mounting pressure of semiconductor crystals |
| DE60031823T2 (de) * | 1999-01-20 | 2007-09-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Drahtsäge und schneidverfahren |
| US7037865B1 (en) * | 2000-08-08 | 2006-05-02 | Moldite, Inc. | Composite materials |
| CH694182A5 (fr) * | 2000-11-20 | 2004-08-31 | Hct Shaping Systems Sa | Dispositif de sciage par fil. |
| DE10122628B4 (de) * | 2001-05-10 | 2007-10-11 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück |
| US20030170948A1 (en) * | 2002-03-07 | 2003-09-11 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for slicing semiconductor wafers |
| US6889684B2 (en) * | 2002-11-06 | 2005-05-10 | Seh America, Inc. | Apparatus, system and method for cutting a crystal ingot |
| JP2004323738A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Nissan Motor Co Ltd | 樹脂組成物中間体、樹脂組成物、カーボンナノチューブ充填材、樹脂組成物中間体の製造方法、樹脂組成物の製造方法、及びカーボンナノチューブ充填材の製造方法 |
| JP2004339407A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Nissan Motor Co Ltd | 樹脂組成物中間体、樹脂組成物、樹脂組成物中間体の製造方法、及び樹脂組成物の製造方法 |
| WO2005028740A2 (en) * | 2003-06-16 | 2005-03-31 | William Marsh Rice University | Sidewall functionalization of carbon nanotubes with hydroxyl-terminated moieties |
| US8187703B2 (en) * | 2003-06-16 | 2012-05-29 | William Marsh Rice University | Fiber-reinforced polymer composites containing functionalized carbon nanotubes |
| KR20070004073A (ko) * | 2004-03-30 | 2007-01-05 | 솔라익스 인코퍼레이티드 | 초박형 실리콘 웨이퍼 절단방법 및 장치 |
| DE102004058194A1 (de) * | 2004-12-02 | 2005-08-11 | Siltronic Ag | Sägeleiste und Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben von einem Kristallstück |
| KR100938523B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2010-01-25 | 아사히 가세이 케미칼즈 가부시키가이샤 | 에폭시 수지용 잠재성 경화제 및 에폭시 수지 조성물 |
| CA2625794A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | High-stability microencapsulated hardener for epoxy resin and epoxy resin composition |
| JP2007160431A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Takatori Corp | ワイヤソーによる切断方法とワイヤソーの切断ワーク受け部材 |
| JP5148292B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2013-02-20 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | マイクロカプセル型エポキシ樹脂用硬化剤、マスタ−バッチ型エポキシ樹脂用硬化剤組成物、一液性エポキシ樹脂組成物、および加工品 |
| US7863381B2 (en) * | 2006-03-08 | 2011-01-04 | 3M Innovative Properties Company | Polymer composites |
| US20080318026A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | University Of Dayton | Method of modifying carbon nanomaterials, composites incorporating modified carbon nanomaterials and method of producing the composites |
-
2009
- 2009-02-06 CN CN2009801083920A patent/CN101970193A/zh active Pending
- 2009-02-06 JP JP2010546040A patent/JP2011512036A/ja active Pending
- 2009-02-06 US US12/367,058 patent/US20090199836A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-06 KR KR1020107020281A patent/KR20100120685A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-02-06 WO PCT/US2009/033363 patent/WO2009102630A1/en active Application Filing
- 2009-02-06 EP EP09710179A patent/EP2242629A1/en not_active Ceased
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010051683A1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-12-13 | Ask Corporation | Ingot support device for slicing silicon |
| US20030096104A1 (en) * | 2001-03-15 | 2003-05-22 | Polymatech Co., Ltd. | Carbon nanotube complex molded body and the method of making the same |
| CN1699452A (zh) * | 2004-05-19 | 2005-11-23 | 中国航空工业第一集团公司北京航空材料研究院 | 高体积分数碳纳米管阵列－树脂基复合材料及制备方法 |
| EP1749853A2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-02-07 | Nissin Kogyo Co., Ltd | Composite material |
| EP1792935A1 (en) * | 2005-11-11 | 2007-06-06 | Nissin Kogyo Co., Ltd | Thermosetting resin composition and method of producing the same |
| CN101081923A (zh) * | 2007-06-01 | 2007-12-05 | 苏州大学 | 一种高性能复合树脂及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100120685A (ko) | 2010-11-16 |
| US20090199836A1 (en) | 2009-08-13 |
| JP2011512036A (ja) | 2011-04-14 |
| WO2009102630A1 (en) | 2009-08-20 |
| EP2242629A1 (en) | 2010-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bradford et al. | A novel approach to fabricate high volume fraction nanocomposites with long aligned carbon nanotubes | |
| JP5078053B2 (ja) | 炭素材料を含む熱伝導性複合材料用組成物及びその用途 | |
| CN105793360B (zh) | 热固化性树脂组合物、预浸料及使用它们的纤维强化复合材料的制造方法 | |
| JP5571176B2 (ja) | 粒子強化重合体組成物 | |
| EP3170857A1 (en) | Prepreg and method for manufacturing same | |
| EP3072917B1 (en) | Prepreg, fibre-reinforced composite material, and particle-containing resin composition | |
| EP3428221B1 (en) | Method for producing thermally-conductive sheet | |
| US10577470B2 (en) | Prepreg, fiber-reinforced composite material, and resin composition containing particles | |
| CN101970193A (zh) | 用于将锭线锯切片成晶片中的碳纳米管加强线锯梁 | |
| EP3719079A1 (en) | Composite material and production method therefor | |
| US20160289404A1 (en) | Prepreg, fibre-reinforced composite material, and particle-containing resin composition | |
| CN107118490A (zh) | 一种聚丙烯注塑化学微发泡复合材料及其制备方法 | |
| EP3632952A1 (en) | Epoxy resin composition for fiber-reinforced composite materials, and fiber-reinforced composite material | |
| CN112795143A (zh) | 一种风电用高性能拉挤成型环氧树脂复合材料及其制备方法 | |
| KR101756346B1 (ko) | 탄소나노구조체-고분자 복합체 및 그 제조방법 | |
| JP5573650B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物、プリプレグおよび繊維強化複合材料 | |
| Zhang et al. | Mechanical behavior and fracture toughness of epoxy composites reinforced with combination of fibrous and spherical nanofillers | |
| JP6088206B2 (ja) | 多孔質構造体 | |
| CN112538177B (zh) | 一种碳材料取向型导热界面材料的急速冷冻制备方法 | |
| US20210214511A1 (en) | Molding Material, Fiber-Reinforced Composite Article and Method for Producing Fiber-Reinforced Composite Article | |
| JP5996373B2 (ja) | 多孔質構造体の製造方法 | |
| Rana et al. | Mechanical properties of epoxy reinforced with homogeneously dispersed carbon nanofibre | |
| EP3072920A1 (en) | Prepreg, fibre-reinforced composite material, and particle-containing resin composition | |
| EP2980137A1 (en) | Prepreg, fiber-reinforced composite material, and resin composition containing particles | |
| EP3904590A1 (en) | Sizing agent, sizing agent-adhered carbon fibers and method for producing same, aqueous dispersion of sizing agent, prepreg and method for producing same, and method for producing carbon fiber-reinforced composite material |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110209 |