KR100350657B1 - 경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 절삭하는 방법 및 그 장치 - Google Patents

경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 절삭하는 방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100350657B1
KR100350657B1 KR1019990038317A KR19990038317A KR100350657B1 KR 100350657 B1 KR100350657 B1 KR 100350657B1 KR 1019990038317 A KR1019990038317 A KR 1019990038317A KR 19990038317 A KR19990038317 A KR 19990038317A KR 100350657 B1 KR100350657 B1 KR 100350657B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wire
guide roller
saw
cutting
web
Prior art date
Application number
KR1019990038317A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000023015A (ko
Inventor
후버안톤
융게이오아킴
모세예르그
Original Assignee
와커 실트로닉 게젤샤프트 퓌르 할브라이테르마테리아리엔 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 와커 실트로닉 게젤샤프트 퓌르 할브라이테르마테리아리엔 아게 filed Critical 와커 실트로닉 게젤샤프트 퓌르 할브라이테르마테리아리엔 아게
Publication of KR20000023015A publication Critical patent/KR20000023015A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100350657B1 publication Critical patent/KR100350657B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D—PLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D57/00—Sawing machines or sawing devices not covered by one of the preceding groups B23D45/00 - B23D55/00
    • B23D57/003—Sawing machines or sawing devices working with saw wires, characterised only by constructional features of particular parts
    • B23D57/0053—Sawing machines or sawing devices working with saw wires, characterised only by constructional features of particular parts of drives for saw wires; of wheel mountings; of wheels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 경질의 취성가공물(hard brittle workpiece)을 와이어톱(wire saw)의 와이어웨브(wire web)를 통하여 소정의 공급속도로 이동시켜 경질의 취정가공품에서 다수의 디스크(disk)를 절삭(cutting)하는 방법에 관한 것이다.
이 방법에서, 와이어웨브는 톱와이어(saw wire)에 의해 형성되어 있으며, 톱와이어는 왕복운동을 하고 접합연마입자(bonded abrasive grain)로 피복되어 있으며, 와이어웨브의 바로 아래에는 냉각액이 제공되어 디스크를 절삭할때 냉각액중에 와이어웨브의 톱와이어를 침지(immersion)시킨다.
본 발명은 또 위 방법을 실시하는 데 적합한 와이어톱에 관한 것이다.

Description

경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 절삭하는 방법 및 그 장치{Method and device for cutting a multiplicity of disks off a hard brittle workpiece}
본 발명은 와이어톱(wire saw)에 의해 경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 절삭하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 또 그 방법의 실시에 적합한 와이어톱에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼로 되게 톱질할 수 있도록 하는 일체의 경질의 취성재(hard brittle materials), 특히 반도체재료 및 세라믹스에 사용할 수 있다.
본 발명은 특히 단결정에서 실리콘웨이퍼로 절삭하는데 적합하다.
현재, 절삭슬러리(cutting slurry)로 조작하는 와이어톱(wire saws)은 실리콘웨이퍼를 제조하는데 주로 사용되었다.
이들의 와이어톱에서는 길이 50km내지 500km의 강선(steel wire)이 와이어안내롤러상에서 나선형상으로 이동하여 와이어웨브(wire web)를 형성하였다.
일반적으로 캐리어액(carrier liquid)중에서 예로서 SiC등 경질재가 절삭래핑매체(cutting lapping medium)로 사용되었다.경질재는 절삭조작을 할때 공급하여 와이어톱의 이동에 의해 절삭갭(cutting gap)내로 자유롭게 이동되었다.
이 프로세스에서, 절삭길이와 공급로(feed path)에 따라 수백개의 웨이퍼가 수시간동안 계속되는 프로세스중에 동시에 제조되었다.
톱와이어는 전절삭순서를 통하여 동일방향으로 이동하거나 또는 전후로 이동하였다(와이어의 진동운동).방향을 변환시켜 이동할 경우, 전방향운동은 후방향운동보다 항상 더 길다.
따라서, 아직까지 사용되지 않은 톱와이어에 대해서는 또 일정하게 배치하였다.
또, 종래의 방법에는 단선절삭방법(single-wire cutting method)이 있는 바, 이 방법에서는 톱와이어가 접합마모입자로 피복되어있어 가공품에서 1회의 절개(single incision)만을 실시하였다.
그리고, 와이어루프(wire loop)(무단이며, 운동방향이 일정함)을 사용하는 방법과 와이어의 진동운동을 하는 무단톱와이어(endless saw wire)가 사용되는 방법으로 구분할 수 있다.
후자방법의 경우(와이어진동운동을 하는 무단톱외이어를 사용하는 방법), 톱와이어가 스풀(spool)에서 풀려 가공물로 이동되고 다시 수취스풀(receiving spool)에서 권취하도록 하였다.
본 발명은 슬러리(slurry)의 공급과 처리에서 고가의 조작비용과 그 장치에관련된 고가의 비용을 제거시켜 효과적으로 웨이퍼를 절삭할 수 있도록 하며, 래핑작용을 가진 슬러리중에서 경질재 이상으로 유효하게 절삭할 수 있으며, 절삭능을 향상시키고 처리시간을 단축하고 절삭정도를 향상시킬 수 있도록 하는 경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 작삭하는 방법과 그 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명에 의한 방법을 실시하는 데 적합한 와이어톱의 개략도를 나타낸다.
도 2a 및 도 2b는 각각 와이어톱의 특징을 나타낸 정면도 및 측면도를 나타낸다.
도 2c 및 2d는 각각 도 2a 및 도 2b의 변형예시도(종래기술)를 나타낸다.(도면에 나타낸 주요부분의 부호설명)1: 와이어웨브(wire web)2: 가공물(workpiece)3: 톱와이어(saw wire)4: 와이어안내롤러(wire-guidance rollers)5: 탱크(reservoir)6: 냉각액(cooling liquid)7: 공급포오트(feed port)8: 방출포오트(discharge port)9: 톱와이어클리닝장치(unit for cleaning saw wire)10: 톱와이어휨 측정장치(device for measuring defection of saw wire)11: 디스플레이서유닛(displacer unit)13,14: 안내롤러(guide roller)15,16: 축(axes)
본 발명은 와이어톱의 와이어웨브를 통하여 소정의 공급속도로 경질의 취성가공물을 이동시켜 경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 절삭하는 방법에 있어서 와이어웨브는 왕복운동을 하며 접합마모입자로 피복시킨 톱와이어에 의해 형성되고, 냉각액이 와이어웨브의 바로 아래에 제공되어 디스크를 절삭할때 그 냉각액중에서 와이어웨브의 톱와이어를 침지(immersion)시킴을 특징으로 하는 절삭방법에 관한 것이다.본 발명에 의해, 깊이 고려할 필요가 있는 생태학적인 환경문제와 함께 슬러리(slurry)의 공급 및 처리에 대한 고가의 조작비용과 장치에 관련된 고가의 비용없이 웨이퍼를 절삭할 수 있다.접합입자(bonded grains)는 마모작용이 있어 래핑작용(lapping action)을 가진 슬러리중의 경질재보다 더 효과적으로 절삭할 수 있다.본 발명에 의해 특히 절삭능(cutting capacities)을 더 높이며 처리시간을 더 단축하고, 절삭정도(cutting qualities)를 향상시킬 수 있다.또, 본 발명의 방법은 종래의 공지된 단일 와이어절삭방법에 대한 결점을 극복하여 이들의 결점을 나타내지 않는다.종래의 공지된 단일와이어 절삭방법은 비경제적이다.그 이유는 시간마다 하나의 디스크만을 제조할 수 있고, 환상톱질(annular sawing)등 단일 절삭을 하는 방법과 비교하여 접삭시간이 너무 길기 때문에 비경제적이다.본 발명을 첨부도면에 따라 아래에 더 구체적으로 설명한다.도 1은 본 발명에 의한 방법의 실시에 적합한 와이어톱을 개략적으로 나타낸것이다.또, 도 2a 및 도 2b는 각각 와이어톱의 정면도 및 측면도를 나타낸 것이며, 도 2c 및 도 2d는 각각 도 2a 및 도 2b에 의한 변형예(종래기술)를 나타낸것이다.
도 1에 나타낸 와이어톱은 와이어웨브(1)를 가지며, 와이어웨브에 의해 가공물(2)이 소정의 공급속도로 이동한다.
와이어웨브(1)은 톱와이어(3)에 의해 형성되며, 톱와이어는 접합연마입자로 피복시켜 와이어안내롤러(4)에 권취(winding)한다.
또, 와이어톱은 탱크(reservoir)(5)를 구비하여, 탱크에는 냉각액(6)이 들어있다.
탱크는 와이어웨브(1)의 바로 아래에서 가공물(2)을 절삭하는 와이어웨브의 톱와이어가 디스크를 절삭할때 냉각액(6)중에 침지되도록 배치되어있다.
냉각액, 바람직하게는 물은 순환시키는 것이 효과적이며, 필요할 경우 여과한다.
도면에서는 냉각액유로로서 공급포오트(feed port)(7)와 방출포오트(discharge port)(8)를 개략적으로만 나타내었다.
마모제, 바람직하게는 다이어몬드로 코팅시켜 안내롤러상에서 왕복운동을 실시하는 무단톱와이어(endless saw wire)를 사용한다.소정길이의 톱와이어에서는 소정길이의 톱웨브(saw web)를 형성할 수 있도록 구성할 필요가 있으며, 구성조건을 충족한 톱와이어는 절삭운동에 사용할 수 있다.
필요로 하는 톱와이어의 길이는 주로 와이어웨브의 형성에 필요한 길이와 최소 50m의 길이를 가한 길이에 거의 대응된다.
또, 바람직한 파라미터에는 마모입자로 피복시킨 톱와이어의 두께 180-230㎛, 와이어응력(wire stress) 10-40N, 와이어속도 8-20m/s, 와이어가속도 0.5-5m/s2, 와이어진폭(wire oscillation) 100m이상 및 스풀(spool) 및 와이어안내롤러의 직경 100mm이상등이 있다.
탱크(reservoir)(6)는 오버플로베이슨(overflow basin), 특히 바람직하게는 플라스틱제 트레이(plastic tray)로 구성하는 것이 바람직하다.이 경우, 톱와이어는 오버플로베이슨의 상부에지(top edge)내에서 절삭 시킬수 있다.
와이어톱은 또 와이어안내롤러를 지지하는 톱헤드부분이 오버플로베이슨의 측방향경계면을 형성하도록 구성할 수도 있다.
가공물이 공급방향으로 이동할때 와이어웨브의 영역에 있는 냉각액 표면 바로아래에서 톱와이어를 가압한다.
그 결과, 냉각액중에서 웨이퍼를 전부 절삭시켜 절삭갭(cutting gap)의 냉각을 최적상태로 확보한다.
냉각액중에서 톱와이어의 침지(immersing)는 냉각목적에 효과적일뿐만 아니라 칩(chips)의 윤활(lubrication)과 제거에 협조한다.
또, 마모입자사이의 칩스페이서(chip spacers)를 유지하기 위하여 톱와이어(3) 세정장치(9)를 사용한다.
톱와이어세정은 또 마모실리콘(abraded silicon)등 슬러지(sludge)가 권취영역(winding area)으로 혼입(entrapment)되는 것을 방지하는데 조력하여 가이드롤러 및 스플은 마모가 감소된 레벨에서 유지할 수 있다.
톱와이어세정장치(9)는 세정매질(cleaning medium), 예로서 가압공기 또는 물을 톱와이어에 공급하여 처리하는데 사용한다.
톱와이어세정장치(9)는 사용한 세정매질중에 고주파진동(high-frequency vibrations)을 여기(excite)시키는 최소한 1개의 메가사운드노즐(megasound nozzle)로 이루어지는 것이 특히 바람직하다.
최적상태의 마모입자를 로딩(loading)하도록 하면서 디스크를 절삭하기 위하여, 공급방향의 절삭력(cutting force)을 조정하고 감시하는 것이 특히 효과적이다.
그 결과, 절삭력은 선택한 와이어응력, 공급속도 및 와이어웨브의 동적 탄성에너지(dynamic resilience)에서 얻어진다.
와이어웨브의 동적탄성에너지는 공급속도에 비례하여, 측정할 수 있는 톱와이어의 휨(bending)에서 얻어진다.
측정한 휨(bending)은 공급속도의 조정에 사용하는 것이 바람직하며, 공급속도는 휨이 증가함에 따라 감소한다.
따라서, 또 와이어톱에서는 디스크를 절삭할때 톱와이어의 휨을 측정하여 측정한 휨에 따라 공급속도를 조정하는 톱와이어휨 측정장치(10)를 장착하는 것이 바람직하다.
경사지게 안내되는 톱와이어는 빈번한 역전상태의 운동(frequent reversal of movement)에 의해 동일한 와이어위치에서도 파괴되므로 톱와이어가 교차(cross)되지않게하여 각각의 안내롤러요홈과 일직선 정렬(alignment)이 되도록 하는 디스플레이서유닛(displacer unit)에 의해, 톱와이어를 수취스풀(receiving spool)상에 권취(winding)하거나 또는 톱와이어를 송달스풀(delivery spool)에서 풀어지게 하는 것이 바람직하다.
도 2a는 본 발명에 의한 디스플레이어유닛(11)의 정면도를 나타내며, 도 2b는 디스플레이어유닛(11)의 측면도를 나타낸다.디스플레이어유닛(11)은 2개의 안내롤러(13,14)로 이루어지며, 하측안내롤러(lower guide roller)는 수취스풀상에서 톱와이어를 축방향으로 변위(이동)시키거나 또는 송달스풀에서 톱와이어를 취한다.
축(15,16)의 쌍화살표는 축방향운동을 나타낸다.안내롤러의 특징은 안내롤러가 축(15,16)을 중심으로 하여 경사지도록 구성하는데 있다.
경사메카니즘(tilting mechanism)에서는 이동위치에 따라 톱와이어가 안내롤러의 회전축에 수직방향으로 이동하도록 안내롤러외측을 경사지게한다.
대비하기위하여, 도 2d의 상부분은 도 2b의 특징이 없는 그 대응되는 종래기술의 디스플레이어 유닛을 나타낸다.따라서, 톱와이어는 이동위치에 따라 안내롤러에서 또는 안내롤러상에서의 각도로 이동한다.
안내롤러와 스풀의 축이 90°의 각으로 배치될때, 이와같이하여 구성된 디스플레이어유닛을 사용할 수 있으며, 이 경우 이동방향(축주위에서의 쌍화살표)은 회전축에 90°이다.
본 발명에 의해 제조한 실리콘웨이퍼는 연마(한쪽면, 양쪽면 또는 동시 양쪽면상에서의 연마), 에지라운딩(edge rounding), 에칭(etching) 및 양쪽면 연마(연속 또는 동시)에 의해 더 처리할 수 있다.
비교적 미세한 입자크기(20㎛ 또는 그이하)을 가진 다이어몬드를 피복시킨 톱와이어를 사용할 경우, 특히 결함이 거의 없는 민활한 표면을 제조할 수 있으므로, 위에서 설명한 순서의 연마 및/ 또는 에칭조작을 생략할 수 있다.
본 발명에 의해 경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 효과적으로 적살할수있어 종래의 기술에 비하여 경제적인 효과가 크다.본 발명에 의해 얻어진 웨이퍼는 연마, 에지라운딩, 에칭 및 양쪽면 연마처리를 할 수 있다.

Claims (12)

  1. 와이어톱(wire saw)의 와이어웨브(wire web)를 통하여 소정의 공급속도로 경질의 취성가공물을 이동시켜 경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 절삭하는 방법에 있어서, 와이어웨브는 왕복운동을 하며 접합마모입자로 피복시킨 톱와이어(saw wire)에 의해 형성되며, 냉각액(cooling liquid)은 와이어웨브의 바로 아래에 공급시켜 디스크를 절삭할때 냉각액중에 와이어웨브의 톱와이어를 침치시킴을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    디스크를 절삭할때 가공물을 정지위치에서 톱와이어를 휘어지게 하며(deffect), 공급속도를 톱와이어의 측정한 휨(measured deflection)에 따라 조정함을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    톱와이어는 수취스풀(receiving spool)상에서 톱와이어를 축방향으로 이동시키는 제1의 안내롤러(13)와 톱와이어를 제1의 안내롤러(13)로 이송하는 제2의 안내롤러(14)를 가진 수취스풀상에 권취하며, 제1 및 제2의 안내롤러(13,14)는 회전축을 구비하여 안내롤러의 회전축에 수직인 축을 중심으로 하여 경사시킬 수 있도록 구성함을 특징으로 하는 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    톱와이어는 송달스풀(delivering spool)에서 톱와이어를 취하는 제1의 안내롤러(13)와 제1의 안내롤러(13)에서 톱와이어를 받아들이는 제2의 안내롤러(14)를 구비한 송달스풀에서 풀어지도록 하며, 제1 및 제2의 안내롤러(13,14)는 회전축을 구비하여 안내롤러의 회전축에 수직인 축을 중심으로 하여 경사시킬 수 있도록 구성함을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    톱와이어는 메가사운드(megasound)를 처리한 세정매질에 의해 세정함을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    디스크를 절삭시킨 다음 디스크를 에지라운딩(edge rounding), 에칭(etching) 및 양쪽면연마의 순서로 더 처리함을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    디스크를 절삭시킨 다음 디스크를 에지라운드와 양쪽면 연마의 순서로 더 처리함을 특징으로 하는 방법.
  8. 다수의 디스크를 경질의 취성가공물에서 절삭시키며, 와이어웨브(wire web)를 구비하여 와이어웨브에 의해 경질의 취성가공물을 소정의 공급속도로 이동시키는 와이어톱에 있어서,
    접합마모입자로 피복시키고 와이어안내롤러 주위에 원취하는 왕복운동을 하는 톱와이어(reciprocating saw wire)를 구비하여 톱와이어가 와이어웨브를 형성하고, 냉각액으로 채워지며 와이어웨브 아래에서 와이어웨브의 톱와이어가 디스크를 절삭시킬때 냉각액중에 침지되도록 배치시킨 탱크(reservoir)를 구비함을 특징으로 하는 와이어톱.
  9. 제8항에 있어서,
    디스크를 절삭할때 톱와이어의 휨(defection)을 측정하여 측정한 휨에 따라 공급속도를 조절하는 장치를 구비함을 특징으로 하는 와이어톱.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    톱와이어를 수취스풀(receiving spool)상에서 축방향으로 이동시키는 제1의 안내롤러(13)와 톱와이어를 제1의 안내롤러(13)로 이송시키는 제2의 안내롤러(14)를 가진 수취스풀상에 톱와이어를 권취하는 디스플레이서 유닛(displacer unit)을 구비하며, 제1 및 제2의 안내롤러(13,14)는 회전축을 구비하여 안내롤러의 회전축에 수직인 축을 중심으로 하여 경사시킬 수 있도록 구성함을 특징으로 하는 와이어홈.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    톱와이어를 송달스풀에서 취하는 제1의 안내롤러(13)와 톱와이어를 제1의 안내롤러(13)에서 수취하는 제2의 안내롤러(14)를 가진 송달스풀에서 톱와이어를 풀어지도록 하는 디스플레이서 유닛을 구비하며, 제1 및 제 2의 안내롤러(13,14)는 회전축을 구비하여 안내롤러의 회전축에 수직인 축을 중심으로 하여 경사질 수 있도록 구성함을 특징으로 하는 와이어톱.
  12. 제8항에 있어서,
    최소한 하나의 메가사운드노즐(megasound nozzle)로 이루어진 톱와이어 클리닝장치을 구비함을 특징으로 하는 와이어톱.
KR1019990038317A 1998-09-10 1999-09-09 경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 절삭하는 방법 및 그 장치 KR100350657B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19841492.7 1998-09-10
DE19841492A DE19841492A1 (de) 1998-09-10 1998-09-10 Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem sprödharten Werkstück

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000023015A KR20000023015A (ko) 2000-04-25
KR100350657B1 true KR100350657B1 (ko) 2002-08-30

Family

ID=7880561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990038317A KR100350657B1 (ko) 1998-09-10 1999-09-09 경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 절삭하는 방법 및 그 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6390896B1 (ko)
EP (1) EP0990498B1 (ko)
JP (1) JP3497784B2 (ko)
KR (1) KR100350657B1 (ko)
DE (2) DE19841492A1 (ko)
TW (1) TW515734B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101379801B1 (ko) * 2013-01-29 2014-04-01 주식회사 엘지실트론 와이어 세척 장치와 이를 이용한 와이어 소잉 장치 및 방법

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19959414A1 (de) 1999-12-09 2001-06-21 Wacker Chemie Gmbh Vorrichtung zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
DE10157433B4 (de) 2000-11-24 2019-05-29 Hitachi Metals, Ltd. Verfahren zum Schneiden einer Seltenerdmetall-Legierung, Verfahren zur Herstellung eines Seltenerdmetall-Magneten und Drahtsäge-Vorrichtung
DE10122628B4 (de) 2001-05-10 2007-10-11 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück
JP4961647B2 (ja) * 2001-09-06 2012-06-27 日立金属株式会社 希土類合金の切断方法および希土類磁石の製造方法
WO2003033207A1 (fr) * 2001-10-17 2003-04-24 Neomax Co., Ltd. Procede de decoupe au moyen d'un fil helicoidal, dispositif de decoupe a fil helicoidal, et procede de fabrication d'un aimant permanent a base de terres rares
US6832606B2 (en) * 2001-11-30 2004-12-21 Dowa Mining Co., Ltd. Wire saw and cutting method thereof
US20030170948A1 (en) * 2002-03-07 2003-09-11 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for slicing semiconductor wafers
DE10237247B4 (de) * 2002-08-14 2004-09-09 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silicium
US20050087181A1 (en) * 2003-09-29 2005-04-28 Wille Steven L. Method and apparatus of cutting crystalline material
EP2343155B1 (en) * 2003-10-27 2014-08-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Multi-wire saw
DE102004018672A1 (de) * 2004-04-17 2005-11-03 Soussanna Krouglova Drahtsäge für Osteothomie
US7089925B1 (en) * 2004-08-18 2006-08-15 Kinik Company Reciprocating wire saw for cutting hard materials
US20070251516A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Nieber Albert R Precision slicing of large work pieces
JP2007301687A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Naoetsu Electronics Co Ltd ワーク切断装置
DE102006060358A1 (de) 2006-12-20 2008-06-26 Siltronic Ag Vorrichtung und Verfahren zum Zersägen eines Werkstücks
US8056551B2 (en) 2007-10-30 2011-11-15 Pall Corporation Method and system for manufacturing wafer-like slices from a substrate material
US20090199836A1 (en) * 2008-02-11 2009-08-13 Memc Electronic Materials, Inc. Carbon nanotube reinforced wiresaw beam used in wiresaw slicing of ingots into wafers
JP5022967B2 (ja) * 2008-03-28 2012-09-12 株式会社日本スライスセンター ワイヤソーマシンの切断部機構
EP2313233A2 (en) * 2008-07-11 2011-04-27 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Wire slicing system
JP5151851B2 (ja) * 2008-09-19 2013-02-27 信越半導体株式会社 バンドソー切断装置及びインゴットの切断方法
JP5217918B2 (ja) * 2008-11-07 2013-06-19 信越半導体株式会社 インゴット切断装置及び切断方法
US8833219B2 (en) * 2009-01-26 2014-09-16 Illinois Tool Works Inc. Wire saw
US8490658B2 (en) * 2009-02-26 2013-07-23 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Automatic winding of wire field in wire slicing machine
US8851059B2 (en) * 2009-04-01 2014-10-07 Cabot Microelectronics Corporation Self-cleaning wiresaw apparatus and method
DE102009057592B3 (de) * 2009-12-09 2011-05-05 Siltronic Ag Drahtführungsrolle für Drahtsäge
GB2476658A (en) * 2009-12-30 2011-07-06 Rec Wafer Norway As Process for cutting a block using a planar array of wires
CN101973082B (zh) * 2010-08-20 2015-01-28 上海汉虹精密机械有限公司 一种定位精确的单晶切方机
KR101279681B1 (ko) * 2010-09-29 2013-06-27 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳 절단장치
KR20120037576A (ko) * 2010-10-12 2012-04-20 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법
TW201226087A (en) * 2010-12-31 2012-07-01 Micron Diamond Wire & Equipment Co Ltd Cutting and cooling device of diamond wire
DE102011008400B4 (de) * 2011-01-12 2014-07-10 Siltronic Ag Verfahren zur Kühlung eines Werkstückes aus Halbleitermaterial beim Drahtsägen
DE102011005949B4 (de) * 2011-03-23 2012-10-31 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück
JP5427822B2 (ja) * 2011-04-05 2014-02-26 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト ワイヤーソーによるワークの切断方法
JP2013038116A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶基板の製造方法
CN102922610B (zh) * 2011-08-10 2016-01-27 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种金刚线多线切割方法、设备和***
DE102011110360B4 (de) * 2011-08-17 2014-07-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Drahtsägeanordnung und Verfahren hierzu
DE102011082366B3 (de) * 2011-09-08 2013-02-28 Siltronic Ag Einlagiges Wickeln von Sägedraht mit fest gebundenem Schneidkorn für Drahtsägen zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück
US20130174828A1 (en) * 2011-12-09 2013-07-11 Memc Electronic Materials, Spa Systems and Methods For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw
FR2988023A1 (fr) * 2012-03-16 2013-09-20 Sodetal Sas Fil a scier, methode de fabrication d'un tel fil et utilisation
CN104411434B (zh) * 2012-12-04 2016-11-16 梅耶博格公司 线材管理***
EP2759386A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-30 Applied Materials Switzerland Sàrl Device and method for cleaning the wire of a wire saw
JP5958430B2 (ja) * 2013-07-18 2016-08-02 信越半導体株式会社 ワークの切断方法及びワイヤソー
DE102013219900B3 (de) * 2013-10-01 2015-02-26 Siltronic Ag Verfahren zum Rillieren der Drahtführungsrollen für Drahtsägen zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück
DE102013225104B4 (de) 2013-12-06 2019-11-28 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück mittels einer Drahtsäge
DE102015200198B4 (de) 2014-04-04 2020-01-16 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben von einem Werkstück mit einem Sägedraht
DE102014224759B3 (de) * 2014-12-03 2016-01-21 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
JP6017096B1 (ja) * 2015-10-30 2016-10-26 三菱電機株式会社 ワイヤ放電加工機、ワイヤ放電加工機の制御装置の制御方法及び位置決め方法
TWI722172B (zh) * 2017-04-20 2021-03-21 矽品精密工業股份有限公司 切割方法
CN109421185B (zh) * 2017-09-05 2021-05-28 上海新昇半导体科技有限公司 一种晶棒的切割方法及切割装置
KR20190067449A (ko) 2017-12-07 2019-06-17 이화다이아몬드공업 주식회사 지석을 이용한 와이어 절삭 장치
BE1030326B1 (nl) 2022-03-10 2023-10-09 Smo Bvba Systeem voor het koelen en sturen van een snijdraad
CN114589601B (zh) * 2022-03-18 2023-09-05 浙江晶盛机电股份有限公司 磨粒赋能线切割装置及方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4052584A (en) 1976-04-29 1977-10-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method and apparatus for cutting insulating material
JP2673544B2 (ja) * 1988-06-14 1997-11-05 株式会社日平トヤマ 脆性材料の切断方法
JP2516717B2 (ja) * 1991-11-29 1996-07-24 信越半導体株式会社 ワイヤソ―及びその切断方法
JPH0985737A (ja) 1995-09-22 1997-03-31 Toray Eng Co Ltd ワイヤ式切断装置
CH691292A5 (fr) * 1995-10-03 2001-06-29 Hct Shaping Systems Sa Dispositif de sciage par fil équipé d'un système de gestion de fil permettant l'utilisation de bobines de fil de très grande longueur.
JP3620554B2 (ja) * 1996-03-25 2005-02-16 信越半導体株式会社 半導体ウェーハ製造方法
JPH1052816A (ja) * 1996-08-13 1998-02-24 M Ii M C Kk ワイヤ式切断方法
DE19636055A1 (de) * 1996-09-05 1998-03-12 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur materialabtragenden Bearbeitung der Kante einer Halbleiterscheibe
JPH10138114A (ja) * 1996-11-08 1998-05-26 Hitachi Cable Ltd ワイヤソー用ワイヤ
JPH10217036A (ja) * 1997-01-29 1998-08-18 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体結晶棒の切断装置及び切断方法
EP0916449B1 (en) * 1997-02-14 2003-03-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wire-saw and its manufacturing method
JPH10249700A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Super Silicon Kenkyusho:Kk ワイヤソーによるインゴットの切断方法及び装置
JPH11198020A (ja) * 1997-11-04 1999-07-27 Tokyo Seimitsu Co Ltd 固定砥粒ワイヤソー

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101379801B1 (ko) * 2013-01-29 2014-04-01 주식회사 엘지실트론 와이어 세척 장치와 이를 이용한 와이어 소잉 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0990498A1 (de) 2000-04-05
KR20000023015A (ko) 2000-04-25
US6390896B1 (en) 2002-05-21
DE59900422D1 (de) 2001-12-20
TW515734B (en) 2003-01-01
JP3497784B2 (ja) 2004-02-16
DE19841492A1 (de) 2000-03-23
JP2000117613A (ja) 2000-04-25
EP0990498B1 (de) 2001-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100350657B1 (ko) 경질의 취성가공물에서 다수의 디스크를 절삭하는 방법 및 그 장치
JP2673544B2 (ja) 脆性材料の切断方法
JP6366783B2 (ja) ワークピースから特に均一な厚さの多数のスライスを同時に切り出すための方法
US3831576A (en) Machine and method for cutting brittle materials using a reciprocating cutting wire
US5937844A (en) Method for slicing cylindrical workpieces by varying slurry conditions and wire feed rate during slicing
JP5045378B2 (ja) ワイヤソー装置
TW201228791A (en) Method for cooling a workpiece made of semiconductor material during wire sawing
WO2010052827A1 (ja) インゴット切断装置及び切断方法
JP2011031386A (ja) 電着式固定砥粒ワイヤーおよびこれを用いた結晶スライス方法
JP2007301687A (ja) ワーク切断装置
JP5430294B2 (ja) 基板の製造方法
US6418921B1 (en) Method and apparatus for cutting workpieces
JP2000218504A (ja) 固定砥粒付ワイヤ及び固定砥粒ワイヤソーの切断方法
JP2000288902A (ja) 固定砥粒付ワイヤ及び固定砥粒ワイヤソー
CN113977783A (zh) 晶碇切割装置及晶碇切割方法
CN113226640B (zh) 工件的切断方法及线锯
KR20100098519A (ko) 물품의 세정 장치 및 방법
JP4349369B2 (ja) ワイヤソー加工方法
JP2013094872A (ja) 被加工物の切断方法
JP2000153517A (ja) ワイヤソー
EP1287958A1 (en) Wire saw and method of slicing a cylindrical workpiece
KR20160128115A (ko) 와이어 쏘 장치
JP2016101611A (ja) 基板の製造方法
KR102160169B1 (ko) 잉곳 클램프 및 그를 구비한 와이어 쏘잉 장치
JP2012045682A (ja) 固定砥粒ワイヤーソー装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110809

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120806

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee