JPH10249700A - ワイヤソーによるインゴットの切断方法及び装置 - Google Patents

ワイヤソーによるインゴットの切断方法及び装置

Info

Publication number
JPH10249700A
JPH10249700A JP9063051A JP6305197A JPH10249700A JP H10249700 A JPH10249700 A JP H10249700A JP 9063051 A JP9063051 A JP 9063051A JP 6305197 A JP6305197 A JP 6305197A JP H10249700 A JPH10249700 A JP H10249700A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ingot
holder
wire
displacement
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9063051A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiichiro Asakawa
慶一郎 浅川
Hiroshi Oishi
弘 大石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Original Assignee
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Super Silicon Crystal Research Institute Corp filed Critical Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority to JP9063051A priority Critical patent/JPH10249700A/ja
Priority to KR1019980007867A priority patent/KR19980080074A/ko
Priority to US09/039,958 priority patent/US6065461A/en
Priority to DE19811579A priority patent/DE19811579A1/de
Publication of JPH10249700A publication Critical patent/JPH10249700A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/007Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 所定の反りを付けたウェーハを、簡単な設備
構成の装置でインゴットから切り出す。 【解決手段】 複数本のグルーブローラ1,2にわたっ
て所定のピッチ幅で周回されたワイヤ5にスラリーを供
給しながら、ワイヤ5にインゴット9を押し当ててウェ
ーハ状に切断する際、インゴット断面の半分が切断され
るまで、インゴット9を把持するホルダー10をグルー
ブローラ1,2の軸方向と平行な一方向に移動させ、残
りの半分が切断される過程でホルダー10を逆方向に移
動させる。 【効果】 ホルダー10の移動軌跡に一致した反りがウ
ェーハに付けられるため、ホルダー10の移動制御で反
り量が自由に調整される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、反り量を自在に調節で
きるワイヤソーでインゴットを切断する方法及び装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】引上げ法等で製造したインゴットは、ト
ップ及びテールを切断分離した後、外径研削,オリエン
テーションフラット加工等の工程を経て所定厚みのウェ
ーハにスライスされる。スライシングには、内周刃を備
えたスライサーが知られているが、最近ではウェーハの
大径化に伴ってピアノ線等のワイヤソーによる切断が採
用されるようになってきた。ワイヤソー切断装置は、一
般的には図1に示すように3本のグルーブローラ1〜3
を備えており、そのうちの1本が駆動モータ4に連結さ
れている。グルーブローラ1〜3を周回するワイヤ5
は、一方のワイヤリール6から巻き出され、他方のワイ
ヤリール7に巻き取られる。ワイヤ5には、引っ張られ
た状態でローラ1〜3を周回するようにテンショナー8
で張力が付与される。
【0003】スライスされるインゴット9は、ホルダー
10に把持されてグルーブローラ1と2の間に配置さ
れ、ワイヤ5による複数のウェーハにスライスされる。
このとき、スライシング作業を円滑に行わせるため、ワ
イヤ5にスラリー11が供給される。スラリー11は、
スラリータンク12から供給管13を経てノズル14か
らワイヤ5に供給された後、パン15で回収され、スラ
リータンク12に返送される。また、スラリー11を冷
却するため、熱交換器16とスラリータンク12との間
でスラリー11を循環させる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ウェーハは、半導体製
造工程でCVD,エピタキシ等を施すと反りが発生する
ため、インゴットをスライスしてウェーハが得られる段
階で予め所定の反りを与えておくと、最終的な反りが軽
減される。この場合、CVD膜等を凹面に析出させる。
ウェーハに付ける反りの大きさを制御する方法として
は、グルーブローラが回転する際の摩擦熱を利用して軸
受け部を熱膨張させ、或いは軸受け部を温度調節して熱
膨張させ、グルーブローラを軸方向に変位させることが
特開平8−323741号公報で紹介されている。
【0005】しかし、この方法では、グルーブローラの
軸方向変位量を軸受け部の熱膨張に依存しているため、
高精度の温度管理が必要となる。また、一対のグルーブ
ローラを同じ変位量で軸方向に移動させることから、ロ
ーラも高精度にセッティングしなければならず、位置合
わせに長時間を要している。その結果、操作性が悪く、
また必要な反り量を付けたウェーハの歩留りも低下す
る。本発明は、このような問題を解消すべく案出された
ものであり、インゴットを軸方向に往復移動させながら
スライスすることにより、面倒な温度管理や位置調整を
必要とすることなく、所定の反り量を付けたウェーハを
高歩留りで製造することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のインゴット切断
方法は、その目的を達成するため、複数本のグルーブロ
ーラにわたって所定のピッチ幅で周回されたワイヤにス
ラリーを供給しながら、ワイヤにインゴットを押し当て
てウェーハ状に切断する際、インゴット断面の半分が切
断されるまで、インゴットを把持するホルダーをグルー
ブローラの軸方向と平行な一方向に移動させ、残りの半
分が切断される過程でホルダーを逆方向に移動させるこ
とを特徴とする。ホルダーの移動距離は、ウェーハに付
けようとする反り量に一致させる。また、熱膨張に起因
したグルーブローラの軸方向変位量を検出し、該軸方向
変位量を取り込んでホルダーの移動距離を修正すると、
反り量の制御が一層正確になる。
【0007】この方法に使用されるワイヤソー切断装置
は、インゴットの両側に平行配置され、周回されるワイ
ヤが嵌り込む溝が刻設されたグルーブローラと、インゴ
ットが固着されたホルダーと、ホルダー及びインゴット
を垂直方向に移動させる昇降機構と、ホルダーに嵌め合
わされた送りネジと、送りネジに回転力を伝える駆動モ
ータと、送りネジの回転でピッチ送りされるホルダーを
案内するガイドと、インゴットのスライシングに応じて
ホルダーの移動距離を演算し、制御信号を駆動モータに
出力する制御機構とを備え、インゴットのスライシング
に応じて送りネジの回転速度を調整し回転方向を切り替
えることを特徴とする。グルーブローラの熱膨張による
変位の影響を打ち消すためには、熱膨張によるグルーブ
ローラの変位を検出する変位センサを備え、変位センサ
で検出された変位量を制御機構に入力し、グルーブロー
ラの変位を相殺するようにホルダーの移動軌跡を演算す
る。
【0008】
【実施の形態】本発明に従ったワイヤソー切断装置は、
インゴットをグルーブローラの軸方向に往復移動させる
以外は、図1の設備構成と基本的に同じであるため、以
下の説明においては図1を適宜参照しながら説明する。
スライスされるインゴット9は、図2に示すように接着
用のグラファイト板17を介してホルダー10に固着さ
れている。ホルダー10は、矢印で示すX方向に沿って
往復動可能であり、また昇降機構18により垂直なZ方
向に移動する。また、グルーブローラ1,2の側面に対
向して変位センサ19が設けられている。ホルダー10
のX方向往復動には、たとえば図3に示す機構が採用さ
れる。この機構では、ホルダー10に送りネジ20を嵌
め合わせ、ボールネジ20の端部を従動ギア21に固着
する。そして、駆動モータ22からの動力で駆動ギア2
3を介して従動ギア21を回転させると、ホルダー10
は、送りネジ20によってガイド24に沿ってピッチ送
りされる。
【0009】たとえば、駆動モータ22にサーボモータ
を使用するとき、変位センサ19で検出したグルーブロ
ーラ1,2の位置信号s1 及び変位センサ25で検出し
たインゴット9の位置信号s2 を制御機構26に入力
し、グルーブローラ1,2の熱による変位を相殺してホ
ルダー10の移動量を演算する。そして、クローズドル
ープ制御による出力信号s3 をドライバ27に出力し、
ドライバ27から制御信号s4 をサーボモータ(駆動モ
ータ22)に出力する。その結果、プログラムに従った
所定量だけホルダー10を移動させる。或いは、ステッ
ピングモータを用いたオープンリール方式でホルダー1
0を移動制御することもできる。このようにして、スラ
イシングの進行状況に応じて駆動モータ22の回転速度
及び回転方向を制御するとき、所定の反りが付けられた
ウェーハがインゴット9から切り出される。この機構に
より、ワイヤ5でインゴット9のほぼ半分が切断される
までホルダー10を一方向に移動させ、残りの半分が切
断されるときにホルダー10を逆方向に移動させる。そ
の結果、ホルダー10は、図4(a)に示す移動軌跡を
取る。したがって、インゴット9から切り出されたウェ
ーハは、図4(b)に示すようにホルダー10の移動軌
跡に対応した反りが付けられた形状になる。このように
ホルダー10を介してインゴット9を往復移動させてい
るので、装置の複雑化を招くことなく、反りを付けたウ
ェーハが得られる。また、ウェーハの反り量は、ホルダ
ー10の移動軌跡によって容易に調整することができ
る。
【0010】インゴット9の切断中、ワイヤ5との摩擦
によりグルーブローラ1,2が加熱し、熱膨張により軸
方向に変位することがある。熱膨張に起因したグルーブ
ローラ1,2の変位は、ウェーハの形状に悪影響を及ぼ
す。この影響は、グルーブローラ1,2の変位量を変位
センサ19で検出し、その変位量を取り込んでホルダー
10の移動軌跡を修正することにより抑制される。具体
的には、変位センサ19で検出された現在の変位量を設
定変位量と比較し、変位量差に相当する制御信号を駆動
モータ22に出力し、熱膨張に起因したグルーブローラ
1,2の変位が打ち消されるようにホルダー10を移動
させる。このようにしてウェーハに付けた所定の反り量
は、CVD,エピタキシ等による最終的な反りを緩和
し、フォトリソグラフィーにおける転写精度の悪化や真
空チャックによる把持状態の不安定化等が防止され、高
品質のデバイスが高い歩留りで製造される。
【0011】
【実施例】1.100mmのピッチaで溝を付けたグル
ーブローラ1,2を周回するように、直径0.18mm
のピアノ線をワイヤ5として往復走行方式により平均線
速度500m/分,新線供給速度100m/分で送り、
GC#600の砥粒をラッピングオイルに混合したのス
ラリー11を流量70リットル/分でワイヤ5に供給し
ながら、直径200mmのインゴット9をワイヤソー切
断した。切断開始からインゴット9が直径の半分に当る
100mmの深さまで切断されるまでは、所要時間が2
00分であった。この段階では、ホルダー10を図2中
左方向に0.25μm/分の平均速度で移動させた。残
りの半分が切断されるまでは、更に200分かかった。
この段階では、過程ではホルダー10を図2中右方向に
0.25μm/分の平均速度で移動させた。得られたウ
ェーハの形状を測定したところ、図4(b)に示すよう
に反り量d=50μmの反りが付けられていた。この反
り量dは、ホルダー10の移動軌跡に正確に対応してい
た。また、ホルダー10の移動軌跡を変えてインゴット
を切断したところ、移動軌跡に対応して反り量dを10
〜100μmの範囲で調整することができた。
【0012】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、ワイヤソー切断中にインゴットを往復動させること
により、簡単な設備構成でインゴットから切り出される
ウェーハに必要とする反り量を付けている。このように
して反りが付けられたウェーハを使用してCVD,エピ
タキシ等を施すと、最終的な反りが緩和され、高品質の
デバイスが作製される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明が適用されるワイヤソー切断装置
【図2】 ホルダーを往復動可能にしたワイヤソー切断
装置の要部
【図3】 ホルダーの往復動機構
【図4】 ホルダーの移動軌跡(a)とウェーハに付け
た反り(b)
【符号の説明】
1〜3:グルーブローラ 4:駆動モータ 5:ワ
イヤ 6,7:ワイヤリール 8:テンショナー
9:インゴット 10:ホルダ 11:スラリー
12:スラリータンク 13:供給管 14:
ノズル 15:パン 16:熱交換器 17:グ
ラファイト板 18:昇降機構 19:変位センサ 20:送りネジ 21:従動ギ
ア 22:駆動モータ 23:駆動ギア 24,25:ガイド 26:制御
装置 27:ドライバ s1 :変位センサで検出したグルーブローラの位置信号 s2 :変位センサで検出したインゴットの位置信号 s3 :オープンループ制御による出力信号 s4 :プログラムに従った所定量だけホルダーを移動さ
せる制御信号

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数本のグルーブローラにわたって所定
    のピッチ幅で周回されたワイヤにスラリーを供給しなが
    ら、ワイヤにインゴットを押し当ててウェーハ状に切断
    する際、インゴット断面の半分が切断されるまで、イン
    ゴットを把持するホルダーをグルーブローラの軸方向と
    平行な一方向に移動させ、残りの半分が切断される過程
    でホルダーを逆方向に移動させることを特徴とするワイ
    ヤソーによるインゴットの切断方法。
  2. 【請求項2】 ウェーハに付けようとする反り量にホル
    ダーの移動距離を一致させる請求項1記載のワイヤソー
    によるインゴットの切断方法。
  3. 【請求項3】 グルーブローラの熱膨張に起因した軸方
    向変位量を検出し、該軸方向変位量を取り込んでホルダ
    ーの移動距離を修正する請求項1記載のワイヤソーによ
    るインゴットの切断方法。
  4. 【請求項4】 インゴットの両側に平行配置され、周回
    されるワイヤが嵌り込む溝が刻設されたグルーブローラ
    と、インゴットが固着されたホルダーと、ホルダー及び
    インゴットを垂直方向に移動させる昇降機構と、ホルダ
    ーに嵌め合わされた送りネジと、送りネジに回転力を伝
    える駆動モータと、送りネジの回転でピッチ送りされる
    ホルダーを案内するガイドと、インゴットのスライシン
    グに応じてホルダーの移動距離を演算し、制御信号を駆
    動モータに出力する制御機構とを備え、インゴットのス
    ライシングに応じて送りネジの回転速度を調整し回転方
    向を切り替えるインゴットの切断装置。
  5. 【請求項5】 熱膨張によるグルーブローラの変位を検
    出する変位センサを備え、変位センサで検出された変位
    量を制御機構に入力し、グルーブローラの変位を相殺す
    るようにホルダーの移動軌跡を演算する請求項4記載の
    インゴットの切断装置。
JP9063051A 1997-03-17 1997-03-17 ワイヤソーによるインゴットの切断方法及び装置 Pending JPH10249700A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9063051A JPH10249700A (ja) 1997-03-17 1997-03-17 ワイヤソーによるインゴットの切断方法及び装置
KR1019980007867A KR19980080074A (ko) 1997-03-17 1998-03-10 잉곳 절단방법 및 그것을 위한 장치
US09/039,958 US6065461A (en) 1997-03-17 1998-03-16 Ingot slicing method and apparatus therefor
DE19811579A DE19811579A1 (de) 1997-03-17 1998-03-17 Verfahren zum Schneiden eines Kristallrohlings und Vorrichtung hierfür

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9063051A JPH10249700A (ja) 1997-03-17 1997-03-17 ワイヤソーによるインゴットの切断方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10249700A true JPH10249700A (ja) 1998-09-22

Family

ID=13218157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9063051A Pending JPH10249700A (ja) 1997-03-17 1997-03-17 ワイヤソーによるインゴットの切断方法及び装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6065461A (ja)
JP (1) JPH10249700A (ja)
KR (1) KR19980080074A (ja)
DE (1) DE19811579A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103240805A (zh) * 2012-02-09 2013-08-14 硅电子股份公司 从工件同时切割多个切片的设备和方法
JP2015047673A (ja) * 2013-09-03 2015-03-16 新日鐵住金株式会社 反りの低減が可能なマルチワイヤー加工方法及びマルチワイヤー加工装置
CN110076669A (zh) * 2019-05-14 2019-08-02 玉田县昌通电子有限公司 一种多线切割机的切割方法及其多线切割机
CN114932636A (zh) * 2022-04-28 2022-08-23 广东先导微电子科技有限公司 一种自动取片机
CN115041995A (zh) * 2022-06-27 2022-09-13 青岛高测科技股份有限公司 进给装置及切割设备

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383249B (en) 1998-09-01 2000-03-01 Sumitomo Spec Metals Cutting method for rare earth alloy by annular saw and manufacturing for rare earth alloy board
DE19841492A1 (de) * 1998-09-10 2000-03-23 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem sprödharten Werkstück
US6333377B1 (en) * 1999-03-08 2001-12-25 A&A Material Corporation Ingot support device for slicing silicon
MY126994A (en) 1999-12-14 2006-11-30 Hitachi Metals Ltd Method and apparatus for cutting a rare earth alloy
KR100445192B1 (ko) * 2002-10-30 2004-08-18 주식회사 실트론 실리콘 잉곳의 절단 장치
US6889684B2 (en) * 2002-11-06 2005-05-10 Seh America, Inc. Apparatus, system and method for cutting a crystal ingot
JP5072204B2 (ja) * 2005-08-31 2012-11-14 信越半導体株式会社 ウエーハの表面のナノトポグラフィを改善する方法及びワイヤソー装置
DE102006032432B3 (de) * 2006-07-13 2007-09-27 Siltronic Ag Sägeleiste sowie Verfahren zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem zylindrischen Werkstück unter Verwendung der Sägeleiste
DE102008030826A1 (de) * 2008-06-30 2009-12-31 Wacker Schott Solar Gmbh Drahtsägevorrichtung
EP2313233A2 (en) * 2008-07-11 2011-04-27 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Wire slicing system
KR100892108B1 (ko) * 2008-11-22 2009-04-08 박인순 곡선형상의 태양전지용 실리콘웨이퍼 및 그 제조방법
EP2415070A4 (en) * 2009-04-01 2012-09-26 Cabot Microelectronics Corp SELF-CLEANING WIRE SAW TYPE APPARATUS AND METHOD
JP5494558B2 (ja) * 2011-04-20 2014-05-14 信越半導体株式会社 ワイヤソーの運転再開方法及びワイヤソー
JP2013038116A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Iii族窒化物結晶基板の製造方法
US20130144421A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 Memc Electronic Materials, Spa Systems For Controlling Temperature Of Bearings In A Wire Saw
KR101449572B1 (ko) 2013-03-25 2014-10-13 한국생산기술연구원 리프트-업 스윙을 구현하는 와이어 쏘
JP6132621B2 (ja) * 2013-03-29 2017-05-24 Sumco Techxiv株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
DE102015200198B4 (de) * 2014-04-04 2020-01-16 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben von einem Werkstück mit einem Sägedraht
CN105082380B (zh) * 2015-09-09 2016-09-07 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 硅片切割后的取出方法
US10315337B2 (en) 2016-08-25 2019-06-11 GlobalWafers Co. Ltd. Methods and system for controlling a surface profile of a wafer
CN117656267A (zh) * 2022-08-31 2024-03-08 天津市环智新能源技术有限公司 一种工件切透的处理方法及处理***
TWI839152B (zh) * 2023-03-10 2024-04-11 環球晶圓股份有限公司 晶圓夾持治具

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2885270B2 (ja) * 1995-06-01 1999-04-19 信越半導体株式会社 ワイヤーソー装置及びワークの切断方法
TW355151B (en) * 1995-07-07 1999-04-01 Tokyo Seimitsu Co Ltd A method for cutting single chip material by the steel saw
JPH0985736A (ja) * 1995-09-22 1997-03-31 Toray Eng Co Ltd ワイヤ式切断装置
JPH09286021A (ja) * 1996-04-22 1997-11-04 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体インゴットの切断方法
WO1998000273A1 (en) * 1996-06-28 1998-01-08 Crystal Systems, Inc. Method and apparatus to produce a radial cut profile

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103240805A (zh) * 2012-02-09 2013-08-14 硅电子股份公司 从工件同时切割多个切片的设备和方法
CN103240805B (zh) * 2012-02-09 2016-02-17 硅电子股份公司 从工件同时切割多个切片的设备和方法
US9346188B2 (en) 2012-02-09 2016-05-24 Siltronic Ag Apparatus and method for simultaneously slicing a multiplicity of slices from a workpiece
JP2015047673A (ja) * 2013-09-03 2015-03-16 新日鐵住金株式会社 反りの低減が可能なマルチワイヤー加工方法及びマルチワイヤー加工装置
CN110076669A (zh) * 2019-05-14 2019-08-02 玉田县昌通电子有限公司 一种多线切割机的切割方法及其多线切割机
CN110076669B (zh) * 2019-05-14 2023-12-05 玉田县昌通电子有限公司 一种多线切割机的切割方法及其多线切割机
CN114932636A (zh) * 2022-04-28 2022-08-23 广东先导微电子科技有限公司 一种自动取片机
CN114932636B (zh) * 2022-04-28 2023-10-24 广东先导微电子科技有限公司 一种自动取片机
CN115041995A (zh) * 2022-06-27 2022-09-13 青岛高测科技股份有限公司 进给装置及切割设备
CN115041995B (zh) * 2022-06-27 2023-11-17 青岛高测科技股份有限公司 进给装置及切割设备

Also Published As

Publication number Publication date
US6065461A (en) 2000-05-23
KR19980080074A (ko) 1998-11-25
DE19811579A1 (de) 1998-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10249700A (ja) ワイヤソーによるインゴットの切断方法及び装置
JP2885270B2 (ja) ワイヤーソー装置及びワークの切断方法
TWI437628B (zh) A cutting method and a method for manufacturing an epitaxial wafer
TWI453811B (zh) Cutting method and wire saw device
JP4076130B2 (ja) 被加工物から基板を切り離す方法
CN111954586B (zh) 锭的切断方法及线锯
TWI746817B (zh) 鑄塊的切斷方法
EP0803336B1 (en) Wire saw and work slicing method
KR101230268B1 (ko) 와이어 소우 머신의 장력 조절 장치
US6352071B1 (en) Apparatus and method for reducing bow and warp in silicon wafers sliced by a wire saw
US11584037B2 (en) Wire saw apparatus and method for manufacturing wafer
KR20200094576A (ko) 잉곳 절단장치 제조방법
JP3053336B2 (ja) スライシング方法及び装置
JP2001328058A (ja) ワイヤソーおよびこれを用いた切断方法
JP7466006B2 (ja) 一連の切断動作中にワイヤソーによって被加工物から複数のスライスを切断する方法
JP2671728B2 (ja) ワイヤソーによる切断方法
JP3242317B2 (ja) ワイヤソー装置
JPH11138412A (ja) 固定砥粒付ワイヤソー及びその被加工物切断方法
JPH02274460A (ja) ワイヤ式切断装置の切断速度制御方法およびその装置
JP3242319B2 (ja) ワイヤソー装置
JP2000141364A (ja) インゴット切断方法およびワイヤソー装置
JPH1174234A (ja) ワイヤソー切断方法及び装置
KR102498344B1 (ko) 에지링 외경 가공장치 및 방법
JP2000108012A (ja) ワイヤソー
JP2011042025A (ja) ワイヤソー