TW510056B - Method of manufacturing electro-optical apparatus substrate, electro-optical apparatus substrate, electro-optical apparatus and electronic apparatus - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 372
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 121
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 68
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 61
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 54
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 25
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 488
- 239000010408 film Substances 0.000 description 308
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 89
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 42
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 41
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 34
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 28
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- -1 at least one T i Chemical compound 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 5
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003442 weekly effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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510056 Α7 Β7 五、發明説明(1 ) 發明背景 1 ·發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種電光裝置基底之製造方法,該電光 裝置基底循序的具有一預定圖樣之遮光層,一絕緣層,和 一電晶體在一透光基底之表面上,和由該製造方法所製造 之電光裝置基底,具有該電光裝置基底之電光裝置,和一 電子裝置。 2 ·相關技藝之說明 用以形成單晶矽薄膜在一絕緣基底上和於後形成單晶 矽薄膜之半導體裝置之s 〇 I (絕緣體上之矽)之技術具 有之優點爲使元件之速度更快,使能量耗損較低,和使整 合程度更高。因此,最好使用在如液晶裝置等之電光裝置 中〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當此S 0 I技術應用在電光裝置中時,薄膜之單晶矽 層藉由疊層單晶矽基底在一透光基底上,而後將其拋光而 形成。因此,如用以驅動液晶之Μ 0 S F E T之電晶體元 件乃由單晶矽層所構成。 藉此,在在例如使用液晶裝置之投射器之投射裝置中 ,光從透光基底側(即液晶裝置之一表面)輸入,其爲構 成液晶裝置之兩基底之一。爲了防止當光輸入至形成在另 一基底表面上之電晶體元件之通道區域時產生光漏電流, 典型的設計一遮光層在輸入光之電晶體元件側上。 但是,即使遮光層形成在光輸入之電晶體元件之側上 ...........................................:——_______________________________________________________________________________________________________________________丨丨丨丨丨丨-4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 510056 A7 B7 ___ 五、發明説明(2 ) 時,當形成有電晶體元件之基底具有透光特性時’輸入至 液晶裝置之光可反射在形成有電晶體元件之基底背面之邊 界面上,和可輸入至電晶體元件之通道部份當成返回光。 此返回光在比例上相對於從液晶裝置表面輸入之光量而言 相當少。但是,產生在使用非常強光源如投射器之裝置中 之光漏電流卻相當可觀。亦即,來自形成有電晶體元件之 基底背面之此返回光對元件之開關特性具有影響,且會使 元件之效能受到破壞。於此,假設形成單晶矽層之平面視 爲基底之表面,和相對側視爲背面。 日本專利(JP— A — H10 — 293320)揭示 一技術以形成一遮光層在形成有電晶體元件之基底表面上 ,相關於每一電晶體元件。此專利揭示之方法爲形成預定 .圖樣之遮光層在基底表面上,和形成一絕緣層在遮光層上 ,而後拋光和使絕緣層表面平滑,和疊層或結合一單晶矽 基底在拋光表面上。 但是,在典型的電光裝置中,電晶體元件只形成在基 底表面上之顯示區域中(圖素部份),和電晶體元件未形 成在非顯示區域中。以此方式,於此有電晶體元件擁擠之 區域(形成區域),和非擁擠區域(非形成區域),其中 電晶體元件不擁擠。因此,相關於電晶體元件設置之每片 遮光層以相似的密度分佈。結果,在形成在遮光層上之絕 緣層表面上形成凹和凸部份,和一確定分佈亦感應在此凹 凸部份中。因此,即使絕緣層表面受到拋光,在拋光程度 上之變化會感應在基底表面上。因此,即使基底之整個表 -—---^__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) III^-----1%.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(3 ) 面受到拋光,在凸部份擁擠之部份中,絕緣層變成相當厚 ,和在凸部份不擁擠之部份中(即凹部份擁擠之部份中) ,絕緣層變成相當薄。因此,在拋光後,會有在絕緣層表 面上平滑性受到破壞之疑慮。 如圖19 (a)所示,在基底1〇〇1表面上有遮光 層1 0 0 3擁擠之區域1 0 1 〇和遮光層1 〇 〇 3不擁擠 之區域1 0 2 0,形成在遮光層1 〇 〇 3不擁擠之區域 1 0 2 0上之凹部份面積和數目比遮光層1 0 0 3擁擠之 區域1 01 0之面積和數目大且寬,在形成在已形成遮光 層1 0 0 3之基底1 0 0 1上之絕緣層1 〇 0 4之表面上 。藉此,即使在遮光層1 0 0 3擁擠之區域10 1 0中, 根據遮光層1 0 0 3之圖樣,在絕緣層1 〇 0 4表面上形 .成微小凹和凸部份。但是,爲了簡化起見,在圖1 9 ( a )中省略。 如上所述,如果具有在凹和凸部份中之分佈之絕緣層 1 0 0 4表面受到拋光時,在絕緣層1 0 0 4表面上,凸 部份面積較窄之區域(即,遮光層1 0 0 3不擁擠之區域 1 0 2 0)比凸部份面積較寬之區域(遮光層1 〇 〇 3擁 擠之區域1 0 1 0 )更快速拋光。結果,如圖1 9 ( b ) 所示,在遮光層1 0 0 3不擁擠之區域1 0 2 0中之絕緣 層1 0 0 4過度拋光,因此使在絕緣層1 〇 〇 4表面上, 介於遮光層1 0 0 3擁擠之區域1 〇 1 〇和遮光層不擁濟 之區域1 0 2 0間有階級差異。因此,絕緣層1 〇 0 4之 表面上之平滑性較低。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) J___I_____ΙΦΙ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-ιτ 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(4 ) 如上所述,在絕緣層表面上平滑性之下降會導致下歹[J 問題。關於第一問題方面,會有在介於絕緣層和單晶矽層 間之疊層邊界上感應一空洞之疑慮,且如此會使形成在存 在有空洞之區域中之電晶體元件之效能受到破壞。關於第 二問題方面,會有介於絕緣層和單晶矽層間之疊層強度降 低之疑慮,其會在單晶矽層形成後引起膜條之缺陷感應在 形成電晶體元件之處理中,而導致產品良率之下降。 此外,即使絕緣層表面可受到平滑,於此亦無偵測拋 光終止點,即絕緣層已完全平滑之時之方法。因此,只有 藉由拋光時段而控制此拋光處理。但是,由於拋光率會因 如批次或多數使用拋光液體,在拋光機器之型式差異等因 素而改變,絕緣層已完全平滑之時段亦會因此時之實際拋 光條件而改變。因此,於此會有之例爲絕緣層表面無法完 全平滑,即使拋光進行一段固定時段。 發明槪要 本發明乃鑒於上述問題而提出。因此,本發明之目的 乃在提供:一種電光裝置基底之製造方法,因此,疊層有 單晶矽層之絕緣層表面可受到平滑;電光裝置基底;具有 電光裝置基底之電光裝置;和具有電光裝置之電子裝置。 本發明之另一目的乃在提供:一種電光裝置基底之製 造方法’因此形成有遮光層和絕緣層且疊層一單晶砂層之 透光基底表面可受到平滑,和拋光之終止點可在拋光絕緣 層時輕易偵測;電光裝置基底;具有電光裝置基底之電光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 __ _ B7 _ 五、發明説明(5 ) 裝置;和具有電光裝置之電子裝置。 I:——in? (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明人發現,在透光基底表面上凹部份面積相當大 之例中,如同在遮光層只形成在電晶體元件之形成區域之 例中,藉由下述之方法可達成上述目的,因此,可使疊層 有單晶矽層之絕緣層表面受到平滑。 亦即,藉由電光裝置基底之第一製造方法可達成本發 明之上述目的,該第一方法包括之步驟爲··形成一遮光層 在一透光基底之一表面上;定圖樣該遮光層藉以形成一定 圖樣遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域 中;形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上,其上已形 成定圖樣遮光層;形成第二絕緣層在第一絕緣層上,其拋 光率低於第一絕緣層之拋光率;拋光第二絕緣層之表面; 疊層一單晶矽層在第二絕緣層之拋光表面上方;和藉由使 用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明人發現,在透光基底表面上凹部份面積相當大 之例中,如同在遮光層只形成在電晶體元件之形成區域之 例中,在(i )形成第一絕緣層在已形成定圖樣遮光層之 透光基底上和(i i )形成拋光率低於(即其拋光慢於) 第一絕緣層之第二絕緣層後,藉由第二絕緣層之存在而拋 光基底表面以防止產生過度拋光部份,可使絕緣層表面平 滑。此外,在實施例部份將更詳細說明以此方法使絕緣層 表面平滑之理由。 在本發明之第一方法之一觀點中,藉由拋光第二絕緣 層表面之步驟而使第一絕緣層部份曝露。 _—-^- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 510056 A7 B7 ~Μ·Π 圓 11丨丨丨"丨丨丨 ............... 丨丨 ..................................................—咖丨丨—·ιιιιιιιιιιιι_丨丨丨丨__·| ............................................... ...............................................丨丨·丨丨丨丨I 丨丨 五、發明説明(6 ) 在此觀點中,相關於該透光基底之該表面之第一絕緣 層之一曝露表面之高度和該第二絕緣層之拋光表面之高度 相同。 在本發明之第一方法之另一觀點中,在定圖樣該遮光 層之步驟上,該定圖樣遮光層只形成在每一電晶體元件之 形成區域中。 本發明人亦發現,在凹部份之區域在透光基底表面上 相當小之例中,如同遮光層亦形成在電晶體元件之非形成 區域之例,藉由下述方法可達成上述目的,因此,可使疊 層有單晶砂層之絕緣層表面平滑。 亦即,藉由電光裝置基底之第二製造方法,可達成本 發明之上述目的,該第二方法包括之步驟爲··形成一遮光 層在一透光基底之一表面上;定圖樣該遮光層藉以形成一 定圖樣遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區 域中;形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上,其上已 形成定圖樣遮光層;形成第二絕緣層在第一絕緣層上,其 拋光率低於第一絕緣層之拋光率;形成第三絕緣層在第二 絕緣層上,其拋光率高於第二絕緣層之拋光率;拋光第三 絕緣層之表面;疊層一單晶矽層在第三絕緣層之拋光表面 上方;和藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。 本發明人發現,在透光基底表面上凹部份面積相當小 之例中,如同在遮光層亦形成在電晶體元件之非形成區域 之例中,在(i )形成第一絕緣層在已形成定圖樣遮光層 之透光基底上(i i )形成拋光率低於(即其拋光慢於) -—-9---- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) II-----If (請先閲讀背面之注意事項存填寫本I)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 __五、發明説明(7 ) 第一絕緣層之第二絕緣層,和(i i i )形成形成拋光率 高於(即其拋光快於)第二絕緣層之第三絕緣層後,藉由 第二絕緣層之存在,藉由拋光基底表面,以防止產生過度 拋光部份,可使絕緣層表面平滑。此外,在實施例部份將 更詳細說明以此方法使絕緣層表面平滑之理由。 在本發明之第二方法之一觀點中,該第二絕緣層藉由 拋光第三絕緣層之表面之步驟而部份曝露。 在此觀點中,相關於該透光基底之該表面之第二絕緣 層之一曝露表面之高度和該第三絕緣層之拋光表面之高度 相同。 在本發明之第二方法之另一觀點中,在定圖樣該遮光 層之步驟上,該定圖樣遮光層形成在每一電晶體元件之非 形成區域中,其中未形成該電晶體。 藉由電光裝置基底之第三製造方法,可達成本發明之 上述目的,該第三方法包括之步驟爲:形成一遮光層在一 透光基底之一表面上;定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣 遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域中; 形成一絕緣層在該透光基底之該表面上,其上已形成定圖 樣遮光層;拋光該絕緣層之表面直到曝露該定圖樣遮光層 之表面;疊層一單晶矽層在該絕緣層之拋光表面和該定圖 樣遮光層之表面上方;和藉由使用該單晶矽層而形成每一 電晶體元件。 本發明人發現,藉由在已形成遮光層之透光基底上形 成絕緣層和而後拋光表面直到遮光層以此方式曝露,可使 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -%i. 訂 線 510056 A7 B7 五、發明説明(8 ) 疊層有單晶矽層之透光基底之表面平滑,和藉由使用遮光 層和絕緣層之材料互相不同之事實而提供拋光阻止功能, 可輕易偵測拋光之停止點。 例如,在使用CMP方法中,由於包含金屬等之遮光 層不會與拋光液體起化學反應,在遮光層表面曝露時,介 於拋光透光基底之拋光墊和透光基底間之磨擦力會下降。 再者,用以保持透光基底之基底保持器之振動亦會改變。 因此,藉由偵測介於拋光墊和透光基底間之磨擦力或基底 保持器之振動,可輕易的偵測拋光停止點。 在本發明中,”遮光層具有拋光阻止功能”意即”藉 由偵測遮光層曝露之時而偵測拋光之停止點”,如上所述 〇 再者,由於事先形成氧化膜在使用在疊層側疊層之單 晶矽基底表面上,因此,即使在疊層單晶矽基底後直接在 包含金屬等之遮光層表面執行電晶體元件之形成,而後使 此單晶矽基底變薄爲單晶矽層,亦可防止從遮光層至電晶 體元件之污染。 但是,即使在氧化膜形成在單晶矽基底表面之例中, 如果此表面氧化膜非常薄,因此,可能有污染從遮光層至 電晶體元件時,最好在疊層單晶矽基底前,形成一絕緣層 在遮光層表面上。在此一例中,所需的是下述第四方法。 藉由電光裝置基底之第四製造方法,可達成本發明之 上述目的,該第四方法包括之步驟爲:形成一遮光層在一 透光基底之一表面上;定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣 __;_____画 11 __ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ I____;_____IP — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、tT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域中; 形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上,其上已形成定 圖樣遮光層;拋光第一絕緣層之表面直到曝露該定圖樣遮 光層之表面;形成第二絕緣層在第一絕緣層之拋光表面上 方;疊層一單晶矽層在第二絕緣層上方;和藉由使用該單 晶矽層而形成每一電晶體元件。 依照本發明之第四方法,藉由形成第一絕緣層在已形 成遮光層之透光基底上,和藉由拋光已形成第一絕緣層之 透光基底表面直到曝露遮光層表面,第一絕緣層和遮光層 表面可受到平滑。而後,藉由形成第二絕緣層,由於第二 絕緣層表面爲平滑的,因此可使疊層有單晶矽層之透光基 底表面平滑。再者,在此例中,由於第二絕緣層形成在遮 光層和電晶體元件間,因此可完全的防止從遮光層至電晶 體元件之污染。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依照上述本發明第一至第四方法,由於絕緣層表面可 受到平滑,在介於絕緣層間之疊層邊界上幾乎無空洞,因 此,可防止電晶體元件之特性免於受到破壞。再者,由於 介於絕緣層和單晶矽層間之疊層應力相當強,因此可防止 如膜條等在形成電晶體元件之處理時感應之缺點,因此, 可改善良率。 藉由第一電光裝置基底,可達成本發明之上述目的, 該第一*電光裝置基底包含· 一'疋圖樣遮光層具有一*預定圖 樣,一絕緣膜和一電晶體,其循序的形成在一透光基底之 一表面上方,該絕緣膜包含(i )第一絕緣層和(i i ) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 510056 A7 B7 __ 五、發明説明(10 ) 第二絕緣層,其部份的形成在第一絕緣層上且其拋光率低 於第一絕緣層之拋光率,因此該絕緣膜之表面平滑,該電 晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層。 依照本發明之第一電光裝置基底,其可以上述本發明 之第一方法製造,在介於絕緣層和單晶矽層間之疊層邊界 上幾乎無空洞,介於絕緣層和單晶矽層間之疊層應力相當 強,因此在電晶體之性質上難以會有振動和缺點。 在本發明之第一電光裝置基底之一觀點中,該定圖樣 遮光層只形成在該電晶體元件之形成區域中。 在本發明之第一電光裝置基底之另一觀點中,該第一 絕緣層包含氧化矽,和該第二絕緣層包含氮化矽。 藉由第二電光裝置基底,可達成本發明之上述目的, 該第二電光裝置基底包含:一定圖樣遮光層具有一預定圖 樣,一絕緣膜和一電晶體,其循序的形成在一透光基底之 一表面上方,該絕緣膜包含(i )第一絕緣層,(i i ) 第二絕緣層,其形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一 絕緣層之拋光率,和(i i i )第三絕緣層,其部份的形 成在第二絕緣層上且其拋光率高於第二絕緣層之拋光率, 因此該絕緣膜之表面平滑,該電晶體元件具有一半導體層 包含一單晶政層。 依照本發明之第二電光裝置基底,其可以上述本發明 之第二方法製造,在介於絕緣層和單晶矽層間之疊層邊界 上幾乎無空洞,介於絕緣層和單晶矽層間之疊層應力相當 強’因此在電晶體之性質上難以會有振動和缺點。 ------- _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — — I:------P, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(11 ) — II------f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明之第二電光裝置基底之一觀點中,該定圖樣 遮光層形成在該每一電晶體元件之非形成區域中,其中未 形成該每一電晶體。 在本發明之第二電光裝置基底之另一觀點中,該第一 絕緣層和第三絕緣層包含氧化矽,和該第二絕緣層包含氮 化矽。 藉由第三電光裝置基底,可達成本發明之上述目的, 該第三電光裝置基底包含:一定圖樣層,具有一預定圖樣 在一透光基底之一表面上方;一絕緣層,其形成在該透光 基底之表面上方,在未形成有定圖樣遮光層之一區域上, 且其厚度和該定圖樣遮光層相同,和其表面爲平滑的;一 電晶體元件,其形成在該定圖樣遮光層上方,且具有一半 導體層包含一單晶矽層。 依照本發明之第三電光裝置基底,其可以上述本發明 之第三或第四方法製造,在介於絕緣層和單晶矽層間之疊 層邊界上幾乎無空洞,介於絕緣層和單晶矽層間之疊層應 力相當強,因此在電晶體之性質上難以會有振動和缺點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明之第三電光裝置基底之一觀點中,該絕緣層 藉由拋光形成在已形成該定圖樣遮光層之透光基底之一表 面上之一絕緣膜之一表面而形成,和該定圖樣該遮光層作 用當成在拋光該絕緣層之處理中之用於拋光之阻止器。 在本發明之第三電光裝置基底之另一觀點中,在該定 圖樣遮光層之表面和該絕緣層上形成第二絕緣層,和該電 晶體兀件設置在該第二絕緣層之一表面上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^ 510056 A7 B7 五、發明説明(12 ) 藉由提供電光裝置,亦可達成本發明之上述目的,該 電光裝置,包含: (A)本發明上述第一,第二,第三電 1.1 — I----IP, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 光裝置基底之任一者;(B)另一透光基底設置以相對該 電光裝置基底之透光基底之該表面;和(C) 一電光材料 層夾在兩透光基底間。 依照本發明之電光裝置,由於其提供有依照本發明之 電光裝置基底,因此可提供具有良好效能之電光裝置,如 L C D 等。 本發明之上述目的可藉由提供有上述本發明之電光裝 置之電子裝置而達成。 依照本發明之電子裝置,由於其提供有依照本發明之 電光裝置,其可提供具有良好效能之電子裝置,如投影機 等。 由下述之說明伴隨附圖之解說,其中本發明之較佳實 施例以說明例顯示,可更加明瞭本發明之上述和其它目的 ’特徵,和優點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖式簡單說明 圖1爲在依照本發明之第一實施例之電光裝置中,構 成一圖素部份之各種元件和接線之等效電路圖; 圖2爲在依照本發明之第一實施例之電光裝置中,互 相鄰近T F T陣列基底之多數圖素群之平面圖; 圖3爲在第一實施例中沿圖2之A — A ’線所截取之 截面圖; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 510056 A7 ___ B7 五、發明説明(13) 圖4 ( a )至4 ( c )爲依照本發明之第一實施例之 電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖5 (a)至5 (c)爲依照本發明之第一實施例之 電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖6 ( a )至6 ( e )爲依照本發明之第一實施例之 電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖7 ( a )至7 ( d )爲依照本發明之第一*貫施例之 電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖8 ( a )至8 ( e )爲依照本發明之第一實施例之 電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖9 ( a )至9 ( d )爲依照本發明之第一實施例之 電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖1 0 ( a )至1 〇 ( c )爲依照本發明之第一實施 例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖11(a)至11(c)爲依照本發明之第一實施 例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖1 2爲當具有使用依照本發明之第一實施例之電光 裝置基底之製造方法製造之電光裝置基底之電光裝置之 T F T陣列基底和相關元件一起從一相對基底側觀察之平 面圖; 圖1 3爲沿圖1 2之Η — Η ’線所截取之截面圖; 圖14(a)至14(c)爲依照本發明之第二實施 例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖1 5 ( a )和1 5 ( b )爲依照本發明之第二實施 -;____ _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 释· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(14 ) 例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖1 6爲在依照本發明之第三實施例中沿圖2之A -A ’線所截取之截面圖; 圖1 7 ( a )至1 7 ( c )爲依照本發明之第三實施 例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖; 圖1 8爲在依照本發明之第一和第二實施例中,投射 顯示器之一構造圖,該投射顯示器爲使用具有由電光裝置 基底製造方法製造之電光裝置基底之電光裝置之電子裝寶 之例;和 圖1 9 ( a )和1 9 ( b )爲說明習知問題之視圖。 符號說明 la 半導體層 1 a 通道形成區域 1 b,1 d 源極區域 1 c,1 e 汲極區域 2 閘極絕緣膜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填、寫本耳』 3 多晶層 3 a 掃描線 3 b 電容線 4 第二中間層絕緣膜 5 接觸孔 6 金屬膜 6 a 資料線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17- 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(15 ) 7 第三中間層絕緣膜 8 接觸孔 9 透明導電薄膜 9 a 圖素電極 1 0 T F T陣列基板 1 0 A 基板主體 11a 第一遮光膜 12 第一中間層絕緣膜 1 2 A 第一絕緣層 1 2 B 第二絕緣層 1 2 C 第三絕緣層 1 2 X 絕緣層 13 接觸孔 16 定向膜 2 0 相對基板 2 0 A 基板主體 2 1 相對電極 2 2 定向膜 23 第二遮光膜 3 0 TFT 5 0 液晶層 5 2 密封構件 5 3 第二遮光膜 6 1 摻雜劑 ____-18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 批1»· 訂 線 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(16 ) 6 2 阻止物 7 0 累積電容 10 0 投影面 1 0 1 資料線驅動電路 1 0 2 安裝瑞 10 4 掃描線驅動電路 10 5 接線 106 導電材料 1 2 0 第一中間層絕緣膜 206 單晶矽層 2 0 6 a 單晶矽基板 206b 氧化膜 2 0 7 光阻物 3 0 1 阻止膜 3 0 2 摻雜劑 3 0 3 摻雜劑 3 0 5 阻止膜 3 0 6 阻止膜 3 0 7 阻止膜 3 0 8 阻止膜 3 0 9 阻止膜 3 10 阻止膜 3 11 阻止膜 906 投影透鏡單元 ______- 19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X29<7公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線· 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(17 ) 910 顏色合成稜鏡 920 光源單元 921-922 透鏡板 9 2 3 光學系統 924 顏色分離光學系統 9 2 5 光閥 927 光導系統 9 3 1 反射鏡 941 藍綠反射分色鏡 9 4 2 綠反射分色鏡 9 4 2 反射鏡 9 4 4 輸出單元 945 輸出單元 9 4 6 輸出單元 951,952 集光透鏡 954 集光透鏡 960 輸入側偏振單元 961 輸出側偏振單元 962 液晶裝置 9 7 1 輸入側反射鏡 972 輸出側反射鏡 9 7 3 中間透鏡 1 0 0 1 基板 1 0 0 3 遮光層 _-20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 線_· 510056 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(18 ) 1004 絕緣層 1010 區域 1 0 2 0 區域 1100 投影顯示器 較佳實施例之詳細說明 以下參考圖式詳細說明本發明之實施例。在下述第一 至第三實施例中,使用τ F T (當成電晶體元件之一例) 當成開關元件之主動矩陣型液晶裝置當成電光裝置之例。 再者,第一和第二實施例之特徵在於形成第一中間層絕緣 膜(當成絕緣膜之一例)在透光基底表面上之處理,在該 透光基底上已形成第一遮光膜(當成遮光層之例),和第 一中間層絕緣膜(絕緣膜)之形成構造。 I .第一實施例 (電光裝置之構造) 首先,依照本發明之第一實施例之電光裝置之構造說 明當成一液晶裝置。在此實施例中之電光裝置(如液晶裝 置)具有由在此實施例中之電光裝置基底製造方法所製造 之T F T陣列基底(當成電光裝置基底之例)。 再者,在此實施例中,說明後述之第一遮光膜(遮光 層之例)只形成在電晶體元件之形成區域中(圖素部份) 之例。 圖1爲在矩陣形狀且構成液晶裝置之圖素部份(顯示 -—----21 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) P.
、1T 線 尽紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 510056 A7 B7 五、發明説明(19 ) 區域)之多數圖素中之各種元件和接線之等效電路圖。圖 2爲丁 F T陣列基底之多數圖素群互相相鄰之擴大平面圖 ’其中形成有資料線,掃瞄線,圖素電極,和遮光膜等。 圖3爲沿圖2之A — A ’線所截取之截面圖。在圖1至圖 3中,每一層和每一元件之刻劃不同,以指示每一層和每 一元件以它們在圖上實質可辨識之尺寸。 在圖1中,矩陣形且構成液晶裝置之圖素部份之多數 圖素乃提供有:多數圖素電極9 a以矩陣型式,和TFT (電晶體元件)3 0用以控制圖素電極9 a。傳送視頻訊 號之資料線6 a電連接至T F T 3 0之源極。寫至資料線 6 A之視頻訊號S 1,S 2,…S η可以此順序循序傳送 ’或亦可傳送至每一群互相相鄰之多數資料線6 a。掃瞄 線3 a電連接至T F T 3 0之閘極。設計以使掃瞄訊號 G 1,G 2,…G m以脈衝方式,在預定時間,循序的應 用至掃瞄線3 a。 圖素電極9 a電連接至TFT30之汲極。藉由關閉 當成開關元件之T F T 3 0之開關只一段時間,從資料線 6 a傳送之視頻訊號S 1 ,S 2,…S η在預定時間寫入 。經由圖素電極9 a寫至液晶之預定位準之視頻訊號S 1 ,S 2至S η在後述形成在相對基底上之相對電極和圖素 電極9 a間保持一段時間。 在液晶中,由於分子組之順序和方向乃根據所應用電 壓位準而改變,可調制光藉以達成一分級顯示。根擄所應 用電壓,正常白色模式使通過液晶部份之輸入光無效。根 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 __ 五、發明説明(20 ) 據所應用電壓,正常黑色模式使通過液晶部份之輸入光致 能。根據一視頻訊號而具有一對比之光整體從液晶裝置輸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 出。 於此,爲了防止相關於顯示之問題,如對比之下降, 閃爍等免於因所保持視頻訊號之漏電流而感應,一累積電 容7 0並聯於介於圖素電極9 a和相反電極間產生之液晶 之電容。例如,圖素電極9 a之電壓保持比一時間段長三 位之時間段,而一電壓應用至此資料線。因此,可進一步 改善保持特性,以獲得具有高對比之液晶裝置。在此實施 例中,特別的,爲了形成此一累積電容7 0,電阻已降低 之電容線3 b藉由使用和掃瞄線相同層,或導電遮光膜而 安裝。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次’參考圖2詳細說明在T F T陣列基底之電晶體 元件(即圖素部份)之形成區域內之平坦表面構造。如圖 2所示’多數透明圖素電極9 a (其輪廓以虛線部份9 a ’表示)以矩陣型式提供在液晶裝置之T F T陣列基底上 之電晶體元件(即圖素部份)之形成區域內。資料線6 a ,掃瞄線3 a和電容線3 b沿圖素電極9 a之相當垂直和 水平邊界提供。資料線6 a經由一接觸孔5電連接至在單 晶矽層之半導體層1 a中之源極區域。圖素電極9 a經由 一接觸孔8電連接至在單晶政層之半導體層1 a中之汲極 區域。再者’設置掃瞄線3 a以相對於在半導體層1 a中 之通道區域(其爲以向右方上升之傾斜線所表示之區域) 。掃瞄線3 a作用當成一閘電極。 _;______ _ 〇3 « 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) 510056 A7 B7 五、發明説明(21 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電容線3 b具有一主線部份實質筆直沿掃瞄線3 a延 伸(亦即,第一區域’當平坦觀察時,其沿掃瞄線3 a形 成),和一突起部份,其從資料線6 a之交叉部份沿資料 線6 a突起至即級側(圖2之上方)(亦即,第二區域, 當平坦觀察時,其沿資料線6 a延伸設置)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多數第一遮光膜(即,遮光層)a設置在由圖中 向右上升之傾斜線所表示之區域中。實際上,每個第一遮 光S吴1 1 a設置在當從T F T陣列基底1 〇之基底主體側 觀察時,包含在圖素部份中之半導體層i a之通道區域之 T F T受到覆蓋之位置上。再者,其具有一主線部份沿相 對於電容線3 B之主線部份之掃瞄線3 A筆直延伸,和一 突起部份’其從資料線6 a之交叉部份沿資料線6 a突出 至相鄰級側(即,圖2之下方)。在第一遮光膜1 1 a之 每一級(每一圖素線)中之向下突起部份之尖部重疊在資 料線6 a下方,在次一級中之電容線3 b之向上突起部之 尖部。使第一遮光膜1 1 a和電容線3 b互相電連接之一 接觸孔1 3設置在此重疊部份。亦即,在此實施例中,第 一遮光膜1 1 a在前級或後級上,經由接觸孔1 3電連接 至電容線3 b。 再者,在此實施例中,圖素電極9 a ,T F T,和第 一遮光膜1 1 a只設置在圖素部份內。 其次,參考圖3說明在液晶裝置之圖素部份內之截面 圖。如圖3所示,在液晶裝置中,液晶層5 0設置在 T F T陣列基底1 〇和相對安排之相對基底2 0間。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -24- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 _ 五、發明説明(22 ) T F T陣列基底主要提供有:由透光基底或石英構成 之基底主體10A; —圖素電極9 a ,一 TFT30 (電 晶體元件)和一定向膜1 6,其在面對液晶層5 0之側形 成在基底主體1 0A表面。相對基底2 0主要具有:由透 明玻璃,石英等之透光基底構成之基底主體2 0 A ; —相 對電極(共同電極)2 1和一定向膜2 2,其在面對液晶 層5 0之側形成在基底主體2 0 A表面。 圖素電極9 a設置在TFT陣列基底1 0之基底主體 1 0 A之表面上,在其面對液晶層5 0之側上。已施加預 定定向處理,如磨擦處理等,之定向膜1 6設置在其面對 液晶層5 0之側之圖素電極9 a表面上。圖素電極9 a以 例如I T〇(銦錫氧化物)之透明導電膜構成。定向膜 .1 6以例如聚醯亞胺之有機薄膜構成。 用以在每一圖素電極9 a上執行開關控制之圖素開關 TF T 3 0設置在鄰近每一圖素電極9 a之位置,如圖3 所示,在其面對液晶層5 0之側之基底主體1 0 A表面上 〇 另一方面,相對電極(即,共同電極)2 1設置在相 對基底2 0之基底主體2 0 A之整個表面上,在其面對液 晶層5 0之側上。已施加預定定向處理,如磨擦處理等, 之定向膜2 2設置在其面對液晶層5 0之側之相對電極 2 1表面上。相對電極2 1以例如I T 0 (銦錫氧化物) 之透明導電膜構成。定向膜2 2以例如聚醯亞胺之有機薄 膜構成。 __—咖_—____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
510056 A7 __ B7 _ 五、發明説明(23 ) 再者’在面對液晶層5 0之側上之基底主體2 0 A表 面上,如圖3所示,進一步設置第二遮光膜2 3在除了每 一圖素部份之開放區域之區域中。此種在相對基底2 0側 上之第二遮光膜2 3之構造可防止輸入光從相對基底2 0 進入圖像開關TFT3 0之半導體層1 a之通道區域 la’ ,和L D D (輕摻雜區)區域1 b和1 c ,藉以改 善對比。 如上述構成在相對基底2 0和T F T陣列基底1 0間 以使圖素電極9 a和相對電極2 1設置互相相對下,液晶 (電光材料之一例)密封在由形成在兩基底之週邊邊緣間 之密封構件(未顯示)所圍繞之空間中,因此,可形成液 晶層(電光材料層)5 0。 液晶層5 0由一種或多種混合之向列液晶之液晶所構 成。在未應用來自圖素電極9 a之電場之條件下,由定向 膜1 6和2 2決定預定定向狀態。 密封構件由例如光硬化黏劑,熱固黏劑等黏劑構成, 以互相疊層或結合T F T陣列基底1 〇和相對基底2 0在 它們週邊邊緣上。以玻璃纖維或玻璃珠等構成之間隔器可 混合在密封構件內,以保持介於兩基底間之距離爲預定値 〇 如圖3所示,第一遮光膜(遮光層)1 1 a設置在相 關於每一圖素開關T F T 3 0之位置上,在面對液晶層 5 0之側上之T F T陣列基底1 〇之基底主體1 〇 A表面 上。第一遮光膜1 1 a最好由單一金屬單元,合金,金屬 ———…’_ -2B-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X29<7公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(24 ) 矽化物等構成,其包括至少一 T i ,C r,W ’ T a,
Mo,和Pd之一,且爲具高熔點之不透明金屬。 由於第一遮光膜1 1 a由上述材料構成在T F T陣列 基底1 0之基底主體1 0A表面上,因此可保護第一遮光 膜1 1 a免於在形成圖素開關T F T 3 0之處理時’在執 行第一遮光膜1 1 a之處理橫所執行之高溫處理之破裂或 熔融。 在此實施例中,第一遮光膜1 1 a如上所述形成在 T F T陣列基底1 0中。因此,可防止來自T F T陣列基 底1 0之返回光等輸入至圖素開關TFT3 0之通道區域 1 a’和LDD區域1 b和1 c,且可保護當成電晶體元 件之圖素開關T F T 3 0之效能免於因爲光流之產生而受 到破壞。 第一中間層絕緣膜(絕緣層)1 2設置在第一遮光膜 1 1 a和多數圖素開關T F T 3 0間。第一中間層絕緣膜 1 2設置以電絕緣構成圖素開關T F T 3 0之半導體層 1 a和第一遮光膜1 1 a。第一中間層絕緣膜1 2形成在 基底主體1 0A之整個表面上。 上述在T F T陣列基底1 0上之第一中間層絕緣膜 1 2之構造亦可使第一遮光膜1 1 a免於污染圖素開關 T F T 3 0 等。 在此實施例中,第一中間層絕緣膜1 2由第一絕緣層 和第二絕緣層構成,第二絕緣層部份的形成在第一絕緣層 表面上’且其拋光率低於第一絕緣層。第一中間層絕緣膜 ——— ___·?7· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) — II-----1? (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(25 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2表面爲平滑的。在說明在此實施例中之電光裝置基底 製造方法(T F T陣列基底1 〇之製造方法)時’會更詳 細說明第一中間層絕緣膜1 2之內部構造。 再者,在此實施例中’閘絕緣膜2從相對於掃瞄線 3 a之位置延伸設置,且其使用當成累積電容7 〇之介電 膜。此半導體層1 a延伸設置’且其使用當成累積電容 7 0之第一累積電容電極1 f。再者’相對於它們之一部 份電容線3 b使用當成累積電容7 〇之第二累積電容電極 。以此,可構成累積電容7 〇 ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 詳細而言,半導體層1 a之高濃度汲極區域1 e延伸 設置在資料線6 a和掃瞄線3 a下方’和相似的相對的經 由絕緣膜2設置在沿掃瞄線3 a和資料線6 a延伸之電容 線3 b之部份上。因此,可構成第一累積電容電極(半導 體層)1 f 。特別的,當成累積電容7 〇之介電之絕緣膜 2不超過以高溫氧化形成在單晶矽層上之T F τ 3 0之閘 極絕緣膜2。因此,其可爲具有高耐電壓之薄絕緣膜。因 此,累積電容7 0可構造成具有相當小面積且大電容之累 積電容。 再者,在累積電容7 0中,由圖2和3可知,藉由相 關於第一累積電容電極1 f ’經由第一中間層絕緣膜1 2 ,相對的設置第一遮光膜1 1 a當成第三累積電容電極在 當成第二累積電容電極(在圖3右側上之累積電容7 0 ) 之電容線3 b相對側上,可進一步提供累積電容。亦即, 在此實施例中’藉由建立雙累積電容構造,其中累積電容 國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -28- 510056 A7 B7 五、發明説明(26 ) 提供至互相面對之兩側,而第一累積電容電極1 f於其間 ,可進一步增加累積電容。在此實施例之液晶裝置中’此 構造可改善防止顯示圖像之閃爍和過燒之功能。 結果,可有效的使用超過開放區域之空間,如沿掃瞄 線3 a產生之液晶之方向缺陷區域和在資料線6 a下方之 區域(即,形成電容線之區域),且因此,可增加圖素電 極9a之累積電容。 在此實施例中,第一遮光膜1 1 a (和電連接至此之 電容線3 b )乃電連接至固定電位源。因此,第一遮光膜 1 1 a和電容線3 b保持在固定電位。因此,在第一遮光 膜1 1 a中之電位變化對於設置相對於第一遮光膜1 1 a 之圖素開關T F T 3 0無不良影響。再者,電容線3 b可 良好的作用當成累積電容7 0之第二累積電容電極。關於 它們的固定電位源方面,可使用傳送至一週邊電路(如掃 瞄線驅動電路,資料線驅動電路等)以驅動在此實施例中 之液晶裝置之負電源,如正電源之固定電位電源等,接地 電源,和傳送至相對電極2 1之固定電位電源等。如上所 述’使用用於週邊電路之電源可抵銷設置專屬電位接線或 專屬外部輸入端之需要,而第一遮光膜1 1 a和電容線 3 b保持在固定電位。 如圖2和3所示,除了第一遮光膜1 1 a設置在 T F T陣列基底1 〇中之構造外,此實施例設計以使第一 遮光膜1 1 a經由接觸孔1 3電連接至在前級或後級上之 電容線3 b。藉由採用此一構造,介於(i )第一遮光膜 ----- -9Q- 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(27 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 a和電容線3 b形成在沿圖素部份之開放區域之緣之 資料線6 a之重疊下之區域,和(i i )非此區域之其它 區域間之級差異,相較於當每一第一遮光膜1 1 a電連接 至自我級之電容線時之例而言,是較小的。由於沿圖素部 份之開放區域之源之級差異較小,因此可抑制由級差異所 引起之液晶之方向缺陷。因此,可使圖素部份之開放區域 更寬。 接觸孔1 3形成在第一遮光膜1 1 a之突起部份,從 主線部份筆直延伸突出。於此,關於接觸孔1 3之開放位 置方面,當其接近邊緣時,由於應力易於散佈或因爲其它 理由,因此難以發生龜裂。因此,在製造處理時,施加至 第一遮光膜1 la之應力根據其接近突起部份之尖部之程 度而鬆弛,和形成接觸孔(最好,根據其接近尖部幾乎至 邊緣之程度)。因此,可有效的防止龜裂以改善良率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者,電容線3 b和掃瞄線3 a由相同多晶矽膜製成 。累積電容7 0之解驗膜和T F T 3 0之閘極絕緣膜2由 相同高溫氧化膜製成。再者,TFT30之第一累積電容 電極1 f ,通道形成區域1 a ’源極區域1 d,和汲極區 域1 e由相同半導體層1 a構成。因此’可簡化形成在 TFT陣列基底1 0之基以主體1 〇A之表面上之疊層構 造。再者,電容線3 b和掃瞄線3 a可藉由相薄膜形成處 理而同時形成,和閘極絕緣膜2和累積電容7 0之介電膜 可藉由在後述液晶裝置之製造方法中相同薄膜形成處理而 同時形成。 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!〇X297公釐) 510056 A7 B7 五、發明説明(28 ) 再者,如圖2所示,第一遮光膜1 1 a分別沿掃瞄線 3 a延伸,和進一步分成多條在沿資料線6 a之方向。因 此,相較於整合形成環繞每一圖素部份之開放區域之柵形 遮光膜之構造例而言,在由第一遮光膜1 1 a ,構成掃瞄 線3 a和電容線3 b之多晶矽膜,構成資料線6 a之金屬 膜,和中間層絕緣膜等之此實施例之液晶裝置之疊層構造 中,在製造處理時,由加熱和冷卻操作所引起導因於介於 相關膜之物理特性間之差異而引起之應力可受到極度抑制 。於此,可防止在第一遮光膜1 1 a上感應到龜裂,且因 此可改善良率。 藉此,在圖2中,形成第一遮光膜1 1 a之筆直主線 部份以實質和電容線3 b之筆直主線部份重疊。但是,只 要第一遮光膜1 1 a設置在覆蓋TFT3 0之通道區域之 位置上且在任意位置重疊電容線3 b以形成接觸孔1 3時 ,第一遮光膜1 1 a可具有對TFT3 0遮蔽光之功能, 和降低電容線之電阻之功能。因此,第一遮光膜1 1 a可 設置在介於互相相鄰之掃瞄線3 a和電容線3 b間沿掃瞄 線3 a之縱向間隙中,或甚至在和掃瞄線3 a些微重疊之 位置上。 電容線3 b和第一遮光膜1 1 a經由在第一中間層絕 緣膜1 2中形成之接觸孔1 3在確保高度可靠條件下而互 相電連接。但是,此一接觸孔1 3亦可製造以用於每一圖 素,或製造以用於構成多數圖素之每一圖素群。 如果接觸孔1 3製造用於每一圖素時,可經由第一遮 -31 —— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •^^1. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 _^_ 五、發明説明(29 ) 光膜1 1 a而促進電容線3 b之電阻之下降,和進一步可 增加介於它們間之冗餘構造之程度。另一方面’如果接觸 孔1 3製造以用於構成多數圖素之圖素群時(例如,用於 兩或三個圖素時),在考量電容線3 b和第一遮光膜 1 1 a之片電阻,驅動頻率,和所需規格等下,可保持介 於(i )導因於經由第一遮光膜1 1 a之冗餘構造和在電 容線3 b之電阻之下降之優點和(i i )導因於因爲形成 多數接觸孔1 3之複雜製造方法或液晶裝置之缺陷等缺點 間之調制平衡。因此,其非常有益於實際應用。 如上所述,設置用於每一圖素或用於每一圖素群之接 觸孔1 3當從相對基底2 0側觀察時乃設置在資料線6 a 下方。因此,接觸孔1 3設置在圖素部份之開放區域外, .和進一步設置在未形成T F T 3 0和第一累積電容電極 1 f之第一中間層絕緣膜1 2之部份上。因爲形成有接觸 孔1 3,因此可保護T F T 3 0,和其它接線等免於受到 破壞,和達成圖素部份之有效使用。 再者,如圖3所示,圖素開關TFT 3 0具有LDD (輕摻雜汲極)構造,且其提供有:掃瞄線3 a ;半導體 層1 a之通道區域1 a ’ ,其中通道由來自掃瞄線3 a之 電場所形成;閘極絕緣膜2用以在掃瞄線3 a和半導體層 1 a間絕緣;資料線6 a ;半導體層1 a之低濃度源極區 域(源極側L D D區域)1 b和低濃度汲極區域(汲極側 L D D區域)1 c ;半導體層1 a之高濃度源極區域1 d 和高濃度汲極區域1 e。 ___-32-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 __ B7 _ 五、發明説明(30) 在多數圖素電極9 a中之相關圖素電極9 a連接至高 濃度汲極區域1 e。源極區域1 b和1 d和汲極區域1 c 和1 e藉由摻雜以具有預定濃度之N型或P型摻雜劑,根 據N型或P型通道之形成而形成在半導體層1 a上,如後 所述。N型通道之T F T具有之優點爲其操作速度快,且 其使用在許多例中當成圖素開關T F T 3 0之圖素開關元 件。 資料線6 a由具有遮光特性之薄膜所構成,如A 1之 金屬膜,金屬矽化物之合金膜等。再者,第二中間層絕緣 膜4,其中分別形成連接至高濃度源極區域1 d之接觸孔 5和連接至高濃度汲極區域1 e之接觸孔8,乃形成在掃 瞄線3 a ,閘極絕緣膜2和第一中間層絕緣膜1 2上。資 料線6 a經由接觸孔5電連接至高濃度源極區域Γ d。 再者,第三中間層絕緣膜7,其中形成有至高濃度汲 極區域1 e之接觸孔8,乃形成在資料線6 a和第二中間 層絕緣膜4上。圖素電極9 a經由至高濃度汲極區域1 e 之接觸孔8而電連接至高濃度汲極區域1 e。上述之圖素 電極9 a設置在具有上述構造之第三中間層絕緣膜7之表 面上。藉此,圖素電極9 a和高濃度汲極區域1 e可經由 和資料線6 a相同之A 1膜或和掃瞄線3 b相同之多晶矽 膜而互相電連接。 圖素開關TF T 3 0最好具有上述之LDD構造。但 是,其可具有偏置構造,其中雜質離子未植入低濃度源極 區域1 b和低濃度汲極區域1 c,或可爲自我對準型 ________________:…-_ ___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) —II-----—mr, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 _五、發明説明(31 ) T F T,其中雜質離子以閘電極(掃瞄線3 a )當成光罩 而以高濃度植入,而後以自我對準方式形成高濃度源極和 汲極區域。 再者,使用單晶構造,其中圖素開關T F T 3 0之一 閘電極(掃瞄線3 a )設置在源極和汲極區域1 b和1 e 間。但是,亦可在它們間設置兩或多個閘電極。此時,設 計以施加相同訊號至每一閘電極。如果T F T以此方式由 兩,三,或多閘極構成時,可防止在通道和每一源極和汲 極區域間之接面上之漏電流,和可降低在關閉時間上之電 流。如果雙,三,或多數閘電極之至少一者具有L D D構 造或偏置構造時,可進一步降低在關閉時間上之電流,藉 以達成穩定的開關元件。 於此,典型的,在構成半導體層1 a之通道區域 la’ ,低濃度源極區域1 b和低濃度汲極區域1 c之單 晶矽層中,當光輸入時,由矽之光電轉換效果感應光流, 和如此導致對圖素開關T F T 3 0之電晶體效能之損壞。 但是,在此實施例中,資料線6 a由具有遮光特性之金屬 膜如鋁所構成,以從上方覆蓋掃瞄線3 a。因此,至少可 防止入射光輸入至半導體層1 a之通道區域1 a’和 LDD區域lb和lc。 如上所述,第一遮光膜1 1 a設置在圖素開關 T f T 3 0之下側(即在基底主體1 0 A之側上)。因此 ,至少可防止返回光輸入至半導體層1 a之通道區域 1 a ’和L D D區域1 b和1 c。....................................-— ’___-34-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -^^1. 訂 ,線· 510056 A7 B7 五、發明説明(32 ) 藉此,在此實施例中,第一遮光膜1 1 a和電容線 3 b,其設置用於在前級和後級上互相相鄰之圖素,乃互 相連接。因此,需要電容線3 b以傳送固定電位至第一遮 光膜1 1 a ,以用於位在頂級或底級上之圖素。因此,關 於電容線3 b之數目方面,建議提供比垂直圖素數目多一 條預備線。 (電光裝置之製造方法) 以下參考圖4至1 1說明具有上述構造之液晶裝置之 製造方法。 首先,在此實施例中,根據圖4至圖1 1,TF 丁陣 列基底1 0之製造方法說明當成電光裝置基底之製造方法 。圖4,圖5,和圖6至11以互相不同之尺寸表示。 首先,參考圖4和5詳細說明在T F T陣列基底1 〇 之基底主體1 0A上形成第一遮光膜(遮光層)1 1 a和 第一中間層絕緣膜1 2之步驟。圖4和5爲在相關步驟中 之T F T陣列基底之一部份之步驟圖,其相當於圖2之A 一 A ’部份,和圖3相似。 首先,準備如石英基底,硬玻璃等基底體(透光基底 )1 0 A。而後,需要執行預先處理,藉由執行在基底主 體1 0 A上之退火處理,最好在惰性氣體下,如N 2等,在 約8 5 0至1 3 0 0 °C,最好爲1 〇 〇 〇 °C之高溫下,以 抑制在後續執行之高溫處理中感應在基以主體1 0 A上之 扭曲。亦即,在考量在製造步驟中之處理诗之最高溫度, -—~__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 Μ Β7 五、發明説明(33 ) 最好執行在基底主體1 0 A上之熱處理,以等於或高於最 高溫度之溫度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 單一金屬單元,合金’金屬矽化物等,其包括至少一 T i ,Cr ,W,Ta ,Mo ’和Pd之一,乃設置在經 上述處理之基底主體1 0 A之整個表面上,藉由使用如圖 4 ( a )所示之濺鍍法,C V D法’電子束加熱沉積法等 。而後,它們沉積約1 5 0至2 0 〇 nm之膜厚度。因此 ’可形成遮光層1 1。 其次,在光阻物形成在基底主體1 0 A之整個表面上 後,具有最後形成之第一遮光膜1 1 a之圖樣(參考圖2 )之光罩乃使用以曝露該光阻物。而後,顯影該光阻物以 形成具有最後形成之第一遮光膜1 1 a之光阻物2 0 7, .如圖4 ( b )所示。 在本實施例中,由於第一遮光膜1 1 a形成在電晶體 元件之形成區域(圖素部份)中,光阻物2 0 7只形成在 電晶體元件之形成區域內。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而後,以光阻物2 0 7當成光罩,蝕刻遮光層1 1。 而後,光阻物2 0 7之條紋使具有預定圖樣(參考圖2 ) 之第一遮光膜(遮光層)1 1 a只形成在電晶體元件之形 成區域中(圖素部份),在基底主體10A之表面上,如 圖4 ( c )所示。第一遮光膜1 1 a之膜厚度爲例如 150至20〇11111。 如圖5 ( a )所示,第一絕緣膜1 2 A形成在基底主 體1 0 A表面上,其上已藉由濺鍍法或C V D法等形成第 ______Ί_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 29<7公釐) 510056 A7 __ B7 __ 五、發明説明(34) 一遮光膜1 1 a。關於第一絕緣層1 2 A之材料方面,可 使用氧化矽或高絕緣玻璃如N S G (非摻雜矽玻璃), P S G (磷矽鹽玻璃),B S G (硼矽鹽玻璃), BPSG (硼磷矽鹽玻璃)等。再者,第一絕緣層12A 之膜厚度設定爲至少比第一遮光膜1 1 a厚,且約爲 400 至 l〇〇〇nm,最好爲 800nm。 如圖5 ( b )所示拋光率低於(難以拋光)第一絕緣 層1 2 A之第二絕緣層1 2 B藉由使用濺鍍法,C V D法 等形成在第一絕緣層1 2 A表面上。如果第一絕緣層 1 2 A以氧化矽製成時,可使用氮化矽當成第二絕緣層 1 2 B之材料,其拋光率低於第一絕緣層1 2 A。氮化矽 之拋光率約爲氧化矽之拋光率之1 / 3至1 / 5。 第二絕緣層1 2 B之膜厚度根據介於第一和第二絕緣 層1 2 A和1 2 B間之拋光率差異而決定。其設定爲在後 續拋光步驟中可實質抑制過度拋光操作之厚度,如約5 0 至 1 5 0 n m。 如圖5 ( b )所示,在形成第二絕緣層1 2 B後之基 底主體1 0 A表面在電晶體元件之形成區域中爲凹和凸的 。電晶體元件之非形成區域爲平凹的。 其次,形成有第二絕緣層1 2 B之基底主體1 0 A表 面藉由使用如C Μ P (化學機械拋光)法等拋光而形成。 在此步驟中,凸部份只形成在電晶體元件之形成區域 中。因此,在電晶體元件形成區域中,拋光率是低的,和 拋光速度相當慢。但是,在凸表面上之第二絕緣層1 2 Β ——___-37-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 丨丨:-----1? (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(35 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 受到拋光。在凸部份上之第二絕緣層1 2 B移除後’凸部 份由拋光率較低之第一絕緣層1 2 A所構成。因此’在此 區域中可增進凸部份之拋光程度。此時,凹表面由拋光率 低於凸部份之拋光率之第二絕緣層1 2 B構成。因此’可 保護凹表面免於受到拋光,且因此可只拋光凸部份。 當凸部份降低且拋光深度到達在電晶體元件之形成區 域和非形成區域中之凹表面上之第二絕緣層1 2 B之高度 時,由拋光率較低之第二絕緣層1 2 B所佔據之面積增加 ,和在基底主體10A表面上之拋光速度下降,如圖5 ( c )所示。因此,此時拋光操作之停止使形成第一中間層 絕緣膜(絕緣層)1 2,其表面爲平坦的,且其由第一絕 緣層1 2 A和部份形成在第一絕緣層1 2 A上且拋光率低 於第一絕緣層1 2 A之第二絕緣層1 2 B構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉此,在此步驟中,在電晶體元件之形成區域和非形 成區域中,在凹表面上之第二絕緣層1 2 B無法完全拋光 ’或可些微拋光且因此變薄。此拋光操作至少進行以使第 一絕緣層1 2 A不曝露在電晶體元件之形成區域和非形成 區域中之凹表面上。 以下參考圖6至1 1說明從已形成有平坦表面之第一 中間層絕緣膜1 2之基底主體1 〇 A製造T F T陣列基底 1 0之方法。圖6至1 1爲在相關步驟中,T F T陣列基 底之一部份之步驟圖,其和圖3相似,且相當於圖2之a 一 A ’部份。 再者,圖6 ( a )以不同尺寸顯示一部份圖5 ( c ) ------ _ - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格公釐) '一^ - 510056 A7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(36) 。再者,在圖6至1 1中’爲簡化起見,省略構成第一中 間層絕緣膜1 2之第一和第二絕緣層1 2 A和1 2 B之說 明。 如圖6 ( b )所示,單晶矽基底2 0 6 a和已形成具 有平坦表面之第一中間層絕緣膜(絕緣層)1 2之基底主 體1 0 A疊層。 使用以疊層之單晶矽基底2 0 6 a之厚度爲例如 6 0 0 。氧化膜層2 0 6 b形成在單晶矽基底 2 0 6 a表面上,在其面對基底主體1 0A之側疊層’和 以10 OKeV之加速電壓和1 0xl016/cm2之劑量 植入氫離子( H + )。藉由氧化單晶矽基底2 0 6 a表面約 0 · 05至0 · 8//m可形成氧化膜層206b。 疊層步驟可使用如直接疊層兩基底之方法,如藉由執 行熱處理在3 0 0 °C下兩小時。再者,爲了進一步增加疊 層強度,需要進一步增加熱處理溫度至約4 5 0 °C。但是 ,在單晶矽基底2 0 6 a和以石英等製成之基底主體 1 0 A間有相當大的熱膨脹係數差異。因此,如果加熱時 ,會在單晶矽層中帶來如龜裂之缺點,而導致在所製造之 T F T陣列基底1 〇中有受到破壞之疑慮。 爲了抑制發生如上述龜裂等缺點,最好能藉由濕蝕刻 或C Μ P操作,而後執行更高溫度之熱處理,而降低單晶 矽基底2 0 6 a (其已施加有用於疊層之3 0 0 熱處理 )之厚度至約1 0 〇至1 5 0 μ m。例如,最好使用 8 0 °C之K〇Η水溶液以執行蝕刻操作,因此,單晶矽基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公瘦) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -^1. 訂 線 510056 A7 B7 五、發明説明(37 ) 底2 〇 6 a之厚度變成1 5 0 //m,和而後疊層單晶5夕基 底2 〇 6 a和基底主體1 〇A,和再度執行進一步熱處理 在4 5 〇 t:,藉以增加疊層強度。
如圖6 ( c )所示,執行熱處理以從基底主體1 〇 A 剝除單晶矽基底2 0 6 a ,而留下單晶矽層2 0 6和氧化 膜2 0 6 b在疊層單晶矽基底2 0 6 a之疊層側上。由於 在接近單晶矽基底2 0 6 a表面之層中之矽之結合因爲氫 離子植入單晶矽基底2 0 6 a而分離,因此會導致基底之 剝離現象。 藉由以每分鐘上升2 0°C之溫度上升加熱兩疊層至 6 0 0 °C,可完成此熱處理。此熱處理使疊層單晶矽基底 2 0 6 a從基底主體1 〇 A分離。因此,約2 0 0 nm±5 nm之單晶矽層2 0 6形成在基底主體1 〇 A表面上。藉 由改變施加至單晶矽基底2 〇 6 a之氫離子植入之加速電 壓’可形成膜厚度5 0 nm至3 0 0 0 nm之單晶矽層 2 0 6° 此外,藉由以和上述不同之方法,亦可獲得膜厚度降 低之單晶矽層2 0 6。亦即,可藉由拋光單晶矽基底表面 以降低其膜厚度至3至5 #ιπ之方法’和進一^步藉由使用 P A C Ε (電漿輔助化學蝕刻)法蝕刻其膜厚度至約 0 ·0 5至0· 8 // in而後將其完成以獲得,或亦可藉由 E L T R A N (磊晶層傳送)法以藉由纖維矽層之選擇性 飩刻而傳送形成在纖維矽上之之磊晶矽層至一疊層基底而 得。 _______ -40- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(38 ) 其次,如圖6 ( d )所示,具有如圖2所示預定圖樣 之半導體層1 a藉由光微顯影步驟,蝕刻步驟等而形成。 亦即,特別的,從構成圖素開關T F T 3 0之半導體層 1 a延伸之第一累積電容電極1 f形成在沿掃瞄線3 a形 成之電容線3 b之區域和電容線3 b形成在資料線6 a下 方之區域。 如圖6 ( e )所示,第一累積電容電極1 f和構成圖 素開關T F T 3 0之半導體層1 a —起在8 5 0至 1 3 0 0 °C之溫度上熱氧化,且最好爲約1 〇 〇 〇它,約 7 2分鐘。因此,可形成熱氧化矽膜,其具有相當薄之厚 度約爲6 0 n m,和用於電容形成之閘極絕緣膜2和圖素 開關T F T 3 0之閘極絕緣膜2 —起形成。結果,半導體 層1 a和第一累積電容電極1 f之厚度爲約3 0至1 7 0 n m,和閘極絕緣膜2之厚度約爲6 0 n m。 如圖7 ( a )所示,一阻止膜3 0 1形成在相關於N 通道型之半導體層1 a之區域中,和第V族元素之摻雜劑 ,如磷等,以低濃度(如P離子在7 0 K e V之加速電壓 和2 XI O^/cm2之劑量)摻雜在P通道型半導體層 1 a上。 如圖7 ( b )所示,一阻止膜形成在相關於P通道型 之半導體層1 a之區域中(未顯示),和第I I I族元素 之摻雜劑3 0 3,如硼等,以低濃度(如B離子在 3 5 K e V之加速電壓和1 X 1 〇 1 2 / c m 2之劑量)摻雜 在N通道型半導體層1 a上。 -:_________ -41 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) P.
、1T 線 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 510056 A7 B7 五、發明説明(39) 如圖7 ( c )所示’一阻止膜3 0 5形成在除了用於 每一 P通道和N通道之半導體層1 a之通道區域1 a’端 外之基底1 0表面上。而後’關於P通道方面,第V族元 素之摻雜劑3 0 6,如P等’以等於約如圖7 ( a )所示 之步驟中之一至十倍之劑量摻雜。關於N通道方面,第 I I I族元素之摻雜劑3 0 6 ’如B等,以等於約如圖7 (b )所示之步驟中之一至十倍之劑量摻雜。 如圖7 (d)所示’爲了降低由半導體層1 a延伸所 構成之第一累積電容電極If之電阻,一阻止膜307( 其寬度比掃瞄線3 a寬)形成在基底主體1 〇 A表面上相 關於掃瞄線3 a (閘電極)之部份。而後,以其當成光罩 ,第V族元素之摻雜劑3 0 8,如P等,以低濃度(如P 離子在70KeV之加速電壓和3xl014/cm2之劑量 )從上方摻雜。 其次,如圖8 (a)所示,連接至第一遮光膜11 a 之接觸孔1 3藉由使用一乾鈾刻,如一反應飩刻,一反應 離子束蝕刻,或濕蝕刻等形成在第一中間層絕緣膜1 2上 。此時,藉由各向異性蝕刻,如反應蝕刻或反應離子束蝕 刻而形成接觸孔1 3之方法提供了開孔之形狀可實質等於 光罩之優點。但是,如果這些孔藉由使用乾蝕刻和濕蝕刻 結合而形成時,接觸孔1 3會漸尖,如此可提供保護接線 免於在接線連接時斷開之優點。 如圖8 ( b )所示,在多晶矽層3以解壓縮C V D法 等而沉積3 5 0 n m厚後,磷(P )熱擴散以使多晶矽膜 ——_ __4?___ 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^^1.
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(40 ) 3導電。或者,和多晶矽膜3之膜形成同時植入p離子之 摻雜矽膜可使用以改善多晶矽層3之導電性質。 如圖8 ( c )所示,藉由光微顯影步驟使用阻止光罩 ’和餓刻步驟等,電容線3 b和具有如圖2所示預定圖樣 之掃瞄線3 a —起形成。而後,留在基底主體1 0 A背面 之多晶矽藉由以阻止膜覆蓋基底主體1 0 A表面而飩刻和 移除。 如圖8 (d)所示,爲了形成在半導體層中之P通道 之LDD區域,相關於N通道之半導體層1 a之區域覆蓋 以阻止膜3 0 9。而後,以掃瞄線3 a (閘電極)當成擴 散光罩,第I I I族元素之摻雜劑3 1 0,如B等,首先 以低濃度(如B F 2離子在9 0 K e V之加速電壓和3 X 1 0 1 3 / c m 2之劑量)摻雜。因此,可形成用於P通道 之低濃度源極區域1 b和低濃度汲極區域1 c。 而後,如圖8 (e)所示,爲了在半導體層la中形 成用於P通道之高濃度源極區域1 d和高濃度汲極區域 1 e ,在相關於N通道之半導體層1 a之區域覆蓋以阻止 膜3 0 9之條件,和雖然未顯示,一阻止層形成在相關於 P通道之掃瞄線3 a上,以一光罩具有寬度寬於掃瞄線 3 a之寬度之條件下,第I I I族元素之摻雜劑3 1 1 , 如B等,相似的以高濃度(如B F 2離子在9 0 K e V之加 速電壓和2xl015/cm2之劑量)摻雜。 其次,如圖9 (a)所示,爲了形成在半導體層la 中之N通道之LDD區域,相關於p通道之半導體層1 a 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -- ,τ Γ 510056 A7 B7 五、發明説明(41 ) 之區域覆蓋以阻止膜(未顯示)。而後,以掃瞄線3 a ( 閘電極)當成擴散光罩,第V族元素之摻雜劑6 0 ’如P 等,以低濃度(如P離子在7 0 K e V之加速電壓和6 X 1 012/cm2之劑量)摻雜。因此,可形成用於N通道 之低濃度源極區域1 b和低濃度汲極區域1 c。 而後,如圖9 ( b )所示,爲了在半導體層1 a中形 成用於N通道之高濃度源極區域1 d和高濃度汲極區域 1 e ,在一阻止物6 2形成在相關於N通道之掃瞄線3 a 上後,以一光罩具有寬度寬於掃瞄線3 a之寬度之條件下 ,第V族元素之摻雜劑6 1,如P等’相似的以高濃度( 如P離子在7〇KeV之加速電壓和4x1015/cm2之 劑量)摻雜。 其次,如圖9 ( c )所示,爲了一起覆蓋電容線3 b 和掃瞄線3 a和在圖素開關T F T 3 0中之掃瞄線3 a , 使用如一正常壓力或解壓縮C V D法;和T E 0 S氣體等 以形成由矽石玻璃,如NSG,PSG,BSG, B P S G等,氮化砂膜,和氧化矽膜等構成之第二中間層 絕緣膜4。第二中間層絕緣膜4之膜厚度最好爲5 0 0至 1500nm,且更好爲800nm。 而後,執行約8 5 0 °C之退火約2 0分鐘以活化高濃 度源極區域1 d和高濃度汲極區域1 e。 如圖9 ( d )所示,至資料線3 1之接觸孔5以乾蝕 刻,如反應蝕刻,反應離子束鈾刻等,或濕蝕刻形成。再 者,掃瞄線3 a和電容線3 b所經由連接至接線(未顯不 -44 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1. 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(42) )之接觸孔藉由和接觸孔5相同的步驟形成在第一中間層 絕緣膜4中。 其次,如圖1 0 ( a )所示,具有遮光特性之低電阻 金屬,如A 1等,和金屬矽化物等,乃藉由使用濺鍍法等 沉積約100至700nm,最好爲35〇nm在第一中 間層絕緣膜4上,當成金屬膜6。再者’如圖1 0 ( b ) 所示,藉由使用光微顯影步驟,蝕刻步驟等’形成資料線 6 a 〇 如圖1 0 ( c )所示,爲了覆蓋資料線6 a ’使用正 常壓力或解壓縮CVD法,使用TEOS氣體等以形成第 三中間層絕緣膜7,其由矽石玻璃,如N s G ’ P S G, B S G,B P S G等,氮化矽膜,和氧化矽膜等構成。第 三中間層絕緣膜7之膜厚度最好爲5 0 0至1 5 0 0 n m ,且更好爲800nm。 其次,如圖1 1 (a)所示,圖素電極9 a和局濃度 汲極區域1 e在圖素開關T F T 3 0中互相電連接之接觸 孔8藉由使用乾蝕刻,如反應蝕刻,反應離子鈾刻等形成 〇 如圖1 1 ( b )所示,透明導電膜9 ,如I τ 0等, 乃藉由使用濺鍍處理等沉積厚度約5 0至2 0 0 n m在第 三中間層絕緣膜7上。再者’如圖1 1 ( c )所示,藉由 使用光微顯影步驟,蝕刻步驟等形成圖素電極9 a。如果 在此實施例中之液晶裝置爲反射型液晶裝置時,圖素電極 9 a可以具有高反射率之不透明材料,如A丨等製成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 510056 A7 _____ B7 五、發明説明(43) 而後,在用於聚醯亞胺系統之定向膜之塗覆溶液塗覆 在圖素電極9 a上後,在預定方向上執行磨擦處理以提供 一預定預傾角。因此,可形成定向膜1 6 (參考圖1 3 ) 〇 依照在此實施例之電光裝置基底之製造方法,第一遮 光膜(遮光層)1 1 a只形成在電晶體元件之形成區域( 圖素部份)中,在基底主體(透光基底)1 0A表面上。 而後,第一絕緣層1 2 A和拋光率低於第一絕緣層1 2 A 之第二絕緣層1 2 B循序的疊層在基底主體1 〇 A表面上 ,其上已形成第一遮光膜1 1 a。而後,拋光基底主體 1 0 A表面藉以形成表面已平坦之第一中間層絕緣膜(絕 緣層)1 2。因此,在介於第一中間層絕緣膜(絕緣層) 1 2和單晶矽層2 0 6間之疊層中難以導致空洞之形成。 因此,可避免損壞T F T (電晶體元件)3 0之效能。 再者,介於第一中間層絕緣膜1 2和單晶矽層2 0 6 間之疊層強度可保留,藉以防止如膜條紋等感應在形成 T F T (電晶體元件)3 0之步驟中。因此,可改善產品 之良率。 以下說明相對基底2 0之製造方法和從T F T陣列基 底1 0和相對基底2 0製造液晶裝置之方法。 關於如圖3所示之相對基底2 0,準備如玻璃基底等 之透光基底當成基底主體2 0A。而後,第二遮光膜2 3 和當成週邊區分之第二遮光膜形成在基底主體2 0 A表面 上。第二遮光膜2 3和當成週邊區分之第二遮光膜,在濺 _______4fi__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 x 297公釐1 " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 0—· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(44) 鍍如C r ,N i ,A 1等金屬材料後,以光微顯影步驟和 飩刻步驟等形成。除了上述金屬材料外,第二遮光膜亦可 以如樹脂黑(其中碳,T i等散佈在光阻物中)之材料製 成。 而後,藉由使用如濺鍍法等,如Γ T 0等之透明導電 薄S旲丨几積厚度約爲5 0至2 0 0 nm在基底主體2 0 A之 整個表面上。再者,在用於聚醯亞胺之定向膜之塗覆溶液 塗覆在相對電極2 1之整個表面上後,藉由執行在預定方 向之磨擦處理而形成定向膜22 (參考圖3),以提供預 定預傾角。因此,如上述可形成相對基底2 0。 最後,如上所述製造之相對基底2 0和T F T陣列基 底1 0經由密封構件疊層或結合,以使定向膜1 6和2 2 互相相對。而後,以例如混合多數向列液晶而構成之液晶 藉由使用真空吸附法等吸附至介於兩基底間之空間。因此 ’具有預定厚度之液晶層5 0形成以用於製造具有上述構 造之液晶裝置。 (液晶裝置之整體構成) 以下參考圖1 2和1 3說明具有上述構造之此實施例 之液晶裝置之整體構成。圖1 2爲當從相對基底2 0側觀 察之T F T陣列基底1 〇之平面圖,和圖1 3爲沿圖1 2 t H - Η ’線所截取之截面圖,包括相對基底2 0。 在圖1 2中,密封構件5 2沿T F Τ陣列基底1 〇表 面設置。如圖1 3所示,具有實質等於如圖1 2所示之密 -:~^--- --47- _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(45 ) 封構件5 2之輪廓之相對基底2 0以密封構件黏著至 T F T陣列基底1 〇。 如圖1 2所示,當成以和第二遮光膜2 3相同材料製 成之週邊部份之第二遮光膜5 3平行於密封構件5 2 & pg 側週邊設置在相對基底2 0表面上。第二遮光膜5 3亦司* 以和第二遮光膜2 3不同的材料製成。 在T F Τ陣列基底1 0中,資料線驅動電路1 〇 1和 一安裝端1 0 2沿T F Τ陣列基底1 〇之側安裝在密封構 件5 2之外側區域中。一掃瞄線驅動電路1 0 4沿與上述 側相鄰之兩側安裝。如果送至掃瞄線3 a之掃瞄訊號之延
遲無不良影響時,可只安裝掃瞄線驅動電路1 0 4在一個J 〇 再者,資料線驅動電路1 0 1亦可安裝在沿顯示區域 (圖素部份)側之兩側上。例如,奇數列之資料線6 a亦 可設計以從沿顯示區域一側安裝之資料線驅動電路傳送視 頻訊號,和偶數列之資料線6 a亦可設計以從沿顯示區域 另一側安裝之資料線驅動電路傳送視頻訊號。如果資料線 6 a以上述梳齒方式驅動時,由資料線驅動電路所佔據之 面積可擴展,藉以設計一複雜電路。 再者,用於在安裝在顯示區域兩側上之掃瞄線驅動電 路1 0 4間連接之多數接線1 〇 5安裝在T F T陣列基底 1 0之剩餘側。再者’一預充電電路可隱藏的安裝在’當 成週邊部份之第二遮光膜5 3下方。再者,用以提供介於 T F T陣列基底1 0和相對基底2 0間之電導性之導電材 ................. -4R- 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS )八4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 _____B7 五、發明説明(46) 料1 0 6安裝在介於T F τ陣列基底i 〇和相對基底2 〇 間之角落之至少一部份上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在製造方法或在船運時用以檢查液晶裝置之品質和缺 陷等之檢查電路可進一步形成在T F T陣列基底1 〇表面 上。除了安裝資料線驅動電路1 〇 1和掃瞄線驅動電路 1 0 4在T F T陣列基底1 〇表面上外,它們亦可經由設 置在TFT陣列基底1 〇之週邊區域中之各向異性導電膜 ’如安裝在TAB (帶自動結合基底)上之驅動LSI , 而電和機械連接。 一偏光膜,一相位差異膜,和一偏光單元等乃設置在 預定方向’在相對基底2 0之光輸入至之相對基底側上, 和光所輸出之T F T陣列基底1 〇側上,根據操作模式, .如T N (扭曲向列)模式,s T N (超T N )模式,D — STN (雙掃瞄一 STN)模式等,或一般白色模式/一 般黑色模式等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如果在此實施例中之液晶裝置應用至彩色液晶投影器 時(當成投影型顯示裝置之一例),三個液晶裝置分別使 用當成用於R G B之光閥。從用於分解相關R G B顏色之 分色鏡分解之相關顏色光當成投影光分別輸入至相關板。 因此,在此例中,濾色器未設置在相對基底2 0上,如上 述實施例所述。 但是,在側面面對液晶層5 0之相對基底2 0中之基 底主體2 0A表面上,RGB濾色器和其保護膜一起形成 在相對於未形成有第二遮光膜2 3之圖素電極9 a之預定 ______-4Q-__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 510056 A7 B7 __ 五、發明説明(47 ) 區域中。此種構造使在上述實施例中之液晶裝置可應用至 彩色液晶裝置,如非液晶投影器之直接觀看型或反射型彩 色液晶電視等。 再者,可在相對基底2 0表面上構成微透鏡以一對一 關係對應圖素。藉由使用此種構造,可改善入射光之集光 效率,藉以獲得明亮液晶裝置。再者,反射係數互相不同 之數個干擾層設置在相對基底2 0表面上’因此可構成藉 由光之干擾形成R G B彩色之分色器。此具有分色器之相 對基底可達成更明亮液晶裝置。 藉此,和習知技藝相似的,在此實施例中之液晶裝置 設計以從相對基底2 0側輸入入射光。但是,由於其構造 成在TFT陣列基底1 0中具有第一遮光膜1 1 a ,其可 設計從T F T陣列基底1 0輸入入射光和而後從相對基底 2 0側輸出光。亦即,即使液晶裝置以此方式安裝在液晶 投影器中,亦可防止光輸入至半導體層1 a之通道區域 1 a ’和L D D區域1 b和1 c,藉以顯示高品質圖像。 習知的,爲了防止在T F T陣列基底1 0背側上之反 射,需要分離的安裝一偏光裝置,其上塗覆有用於防止反 射之A R (抗反射)膜,或黏著A R膜。但是’在此實施 例中,第一遮光膜1 1 a至少形成在介於T F T陣列基底 10表面和半導體層la之通道區域la’和LDD區域 1 b和1 c間。因此’無需使用AR塗覆裝置或AR膜, 或使用在T F T陣列基底1 0本身上應用A R處理之基底 〇 _______ _ F;n -_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(48 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此’依照上述實施例,可降低材料之成本,且當黏 著偏光單元時,良率不會因灰塵,裂痕等而下降。因此, 此種構造非常有效。再者,其光阻特性相當良好。因此, 即使使用一明亮光源或使用一偏光束***器執行偏光轉換 以改善光使用效率時,亦難以在圖像品質上發生由光所引 起之如串音之缺點。 再者’在此實施例中之液晶裝置具有由此實施例之電 光裝置基底製造方法所製造之TFT陣列基底(電光裝置 基底)1 0。因此,在介於第一中間層絕緣膜(絕緣層) 1 2和單晶矽層2 0 6間之疊層邊界上幾乎無空洞。介於 第一中間層絕緣膜(絕緣層)1 2和單晶矽層2 0 6間之 疊層強度相當強。因此,在T F T (電晶體元件)3 0之 性質上幾乎無變化和缺陷。因此,其效能相當優異。 I I ·第二實施例 (電光裝置基底之製造方法) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以下說明T F T陣列基底之製造方法當成依照本發明 之第二實施例之電光裝置基底之製造方法。 在此實施例之電光裝置基底之製造方法和在第一實施 例中之電光裝置基底之製造方法之差異僅在於第一遮光膜 之形成區域和第一中間層絕緣膜之製造方法。 因此,於此只參考圖1 4和1 5說明直到第一中間層 絕緣膜形成在T F T陣列基底之基底主體表面上之步驟。 圖1 4和1 5爲對應於第一實施例之圖4和圖5之圖。在 _—----_____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(49) 圖1 5和圖1 5後之製造步驟,亦即,在形成第一中間層 絕緣膜後之步驟乃和在第一實施例之圖6至圖1 1相同。 再者,在圖1 4和1 5中,和第一實施例相同的構成兀件 以相同參考數字表示,因此省略其說明.。 在此實施例中,所說明之例爲非定圖樣第一遮光膜( 遮光層)形成在電晶體元件之非形成區域和電晶體元件之 形成區域中。 在此實施例中,電晶體元件之非形成區域實際意涵塗 覆有疊層相對基底之密封構件之一密封區域,用以驅動資 料線和掃瞄線之驅動電路之週邊部份,和形成輸入輸出訊 號線連接之連接端之端墊區域等。它們存在於電晶體元件 之形成區域(圖素部份)之週邊區域上。 如圖1 4 ( a )所示,和第一實施例相似的,具有預 定圖樣之第一遮光膜(遮光層)1 1 a形成在T F T陣列 基底1 0之基底主體1 0A表面上。在此實施例中,具有 預定圖樣(參考圖2)之第一遮光膜(遮光層)1 1 a形 成在電晶體元件之形成區域中,和非定圖樣第一遮光膜( 絕緣層)1 1 a形成在電晶體元件之非形成區域中。第一 遮光膜1 1 a之厚度約爲1 50至200nm。 如圖1 4 ( b )所示,和第一實施例相似的,第一絕 緣層1 2 A形成在已形成第一遮光膜(絕緣層)1 1 a之 基底主體1 0 A表面上。第一絕緣層1 2 A之膜厚度設定 爲至少比第一遮光膜厚。例如,其設定爲約4 0 0至 lOOOnm,最好爲800nm。 --------R9-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) P. 訂 線 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____ B7五、發明説明(50 ) 如圖1 4 ( C )所示,和第一實施例相似的,拋光率 低於第一絕緣層1 2 A之第二絕緣層1 2 B乃形成在第一 絕緣層1 2 A表面上。第二絕緣層1 2 B之膜厚度根據與 在後續步驟中形成之第三絕緣層1 2 C之拋光率差異而決 定,且設定之厚度爲在後續拋光步驟中可防止過度拋光之 厚度,其約爲50至150nm。 其次’如圖1 5 ( a )所示,藉由濺鍍法和c V D法 等,形成拋光率高於第二絕緣層1 2 B之第三絕緣層 1 2 C在第二絕緣層1 2 B表面上。第三絕緣層1 2 C之 膜厚度設定爲至少高於已形成第二絕緣層1 2 B之基底主 體1 0 A表面上形成之級差異之高度。亦即,第三絕緣層 1 2 C之膜厚度設定至少厚於第一遮光膜1 1 a。例如, .其設定約爲3 0 0 n m。 氧化矽可爲第一絕緣層1 2 A和第三絕緣層1 2 C之 材料例。氮化矽可爲第二絕緣層1 2 B之材料例,其拋光 率低於第一絕緣層1 2 A和第三絕緣層1 2 C。氮化矽之 拋光率約爲氧化矽之拋光率之1 / 3至1 / 5。 形成有第三絕緣層1 2 C之基底主體1 〇 A表面在電 晶體兀件之形成區域中爲凹和凸的,如圖1 5 ( a )所示 ,和在電晶體元件之非形成區域中爲平凸的。 其次,形成有第三絕緣層1 2 C之基底主體1 〇 a表 面以C Μ P (化學機械拋光)法拋光。 在此步驟中,具有高拋光率之第三絕緣層1 2 C首先 在非形成區域和在電晶體元件之形成區域中之凸部份拋光 --——:——_ - Μ - _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1. 訂 線一 510056 A7 _ B7 五、發明説明(51 ) 。而後,當在非形成區域和在電晶體元件之形成區域中之 凸部份中之拋光深度達到第二絕緣層1 2 B之高度時,由 拋光率較低之第二絕緣層1 2 B所佔據之面積在基底主體 1 0 A表面上增加,且拋光速度下降。因此,此時停止拋 光操作使形成第一中間層絕緣膜1 2 0,其由:第一絕緣 層1 2A ;形成在第一絕緣層1 2 A表面且拋光率低於第 一絕緣層1 2 A之第二絕緣層1 2 B ;和部份形成在第二 絕緣層1 2 B表面且拋光率高於第二絕緣層1 2 B之第三 絕緣層1 2 C所構成,如圖1 5 ( b )所示。因此,第一 中間層絕緣膜1 2 0表面受到平滑。 藉此,在此步驟中,在電晶體元件之形成區域和非形 成區域中之凸部份上之第二絕緣層1 2 B不會完全拋光, 或亦可些微拋光且因此變薄。在任一例中,拋光操作進行 以使第一絕緣層1 2 A不曝露在基底主體1 0 A表面上。 依照在此實施例之電光裝置基底之製造方法,第一遮 光膜(絕緣層)1 1 a甚至形成在電晶體元件之非形成區 域中,在基底主體(透光基底)l〇A表面上。而後,第 一絕緣層1 2 A,拋光率低於第一絕緣層1 2 A之第二絕 緣層1 2 B,和拋光率高於第二絕緣層1 2 B之第三絕緣 層1 2 C形成在基底主體10 A表面上,其上已形成有第 一遮光膜(遮光層)1 1 a。而後,基底主體1 0A表面 受拋光藉以形成表面已平滑之第一中間層絕緣膜(絕緣層 )1 2 0。因此,在介於第一中間層絕緣膜(絕緣層) 1 2 0和單晶矽層間之疊層邊界上難以導致空洞生成。因 ____________- fu -____ 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(52) 此,可防止T F T (電晶體元件)之效能受到破壞° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 介於第一中間層絕緣膜(絕緣層)1 2 0和單晶砂® 間之疊層強度可保留,藉以防止如膜條紋等之缺點在形成 T F T (電晶體元件)之步驟中導入。因此,可改善產品 之良率。 在此實施例中之電光裝置基底之製造方法可提供T F T陣列基底(電光裝置基底)(i )其具有第一中間層絕 緣膜(絕緣層)1 2 0提供有:第一絕緣層1 2 A ;形成 在第一絕緣層1 2 A表面且拋光率低於第一絕緣層1 2 A 之第二絕緣層1 2 B ;和部份形成在第二絕緣層1 2 B表 面且拋光率高於第二絕緣層1 2 B之第三絕緣層1 2 C ’ 藉以具有平滑表面,和(i i )其中構成T F T (電晶體 元件)之半導體層以單晶矽層形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者,由於其包含在此實施例中由電光裝置基底之製 造方法所製造之TFT陣列基底(電光裝置基底),因此 可提供具有良好效能之液晶裝置(電光裝置),其中在介 於第一中間層絕緣膜(絕緣層)1 2 0和單晶矽層間之疊 層邊界上幾乎無空洞,且介於第一中間層絕緣膜(絕緣層 )1 2 0和單晶矽層間之疊層強度較強,因此,在電晶體 元件之性質上不會有變化和缺陷。 此外,在此實施例中,只說明之例爲其中非定圖樣第 一遮光糢(遮光層)形成在電晶體元件之非形成區域中。 但是,在任何圖樣中,如形成在電晶體元件之非形成區域 中之第一遮光膜之圖樣等於形成在電晶體元件之形成區域 -FIR. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 510056 A7 B7 五、發明説明(53 ) 中之第一遮光膜之例中,亦可獲得相似的效果。 I I I ·第三實施例 (電光裝置之構造) 其次參圖1 6說明依照本發明之第三實施例之電光裝 置之構造。 介於此實施例之電光裝置之構造和在第一實施例中者 間之差異爲相關於第一遮光膜1 1 a之第一中間層絕緣膜 1 2之構造。另一方面,第二實施例之構造和圖1至3所 示之第一實施例之構造相同。因此,於此參考圖1 6只說 明此差異特徵。圖1 6相當於第一實施例之圖3,且爲從 圖2之A — A ’線所截取之截面圖。在圖1 6中,和圖1 .至3所示第一實施例相同構成元件以相同參考數字表示, 因此省略其說明。 如圖1 6所示,在第三實施例中,在未形成第一遮光 膜1 1 a之區域中,在基底主體1 〇A正上方,形成有第 一絕緣層1 2 A ’ 。第一絕緣層1 2 a ’具有和第一遮光 膜1 1 a相同的厚度,且其表面爲平滑的。在第一遮光膜 1 1 a和第一絕緣層1 2 A ’表面上,形成第二絕緣層 12B’ 。第二絕緣層12B’形成在基底主體10A整 體表面上。因此,第一絕緣膜1 2 A ’ ,其乃用於電隔離 構成圖素開關T F T 3 0之半導體層1 a和第一遮光膜 1 1 a,乃由在T F T陣列基底1 0上之第一絕緣層 1 2 A,和第二絕緣層1 2 B ’所構成。 — _Ί_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •狀^-· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(54 ) ~ (電光裝置基底之製造方法) 其次’參考圖1 7說明依照本發明之第三實施例之電 光裝置之製造方法。 介於此實施例之電光裝置之製造方法和在第一實施例 中者間之差異爲相關於第一遮光膜1 1 a之第一中間層絕 緣膜1 2之處理。另一方面,第二實施例之製造方法和第 一實施例相同。因此,於此參考圖1 7只說明此差異特徵 。圖1 7相當於第一實施例之圖5且爲在相關步階中顯示 一部份T F T陣列基底之步階圖,和相似於圖1 6,相當 於圖2之A — A ’線所截取之截面。在圖1 7中,和第一 實施例相同構成元件以相同參考數字表示,因此省略其說 明。 首先,圖4 (a)至4 (c)所示之方法以和第一實 施例相同的方式執行。 而後,如圖1 7 ( a )所示,藉由濺鍍法,和C V D 法等,一絕緣層1 2 X形成在基底主體1 〇 A整體表面上 ,其上已形成第一遮光膜1 1 a。關於絕緣膜1 2 X之材 料方面,可使用氧化矽,氮化矽,或高絕緣玻璃如N s G (非摻雜矽玻璃),P S G (磷矽鹽玻璃)’ B S G (硼 矽鹽玻璃),:B P S G (硼磷矽鹽玻璃)等。再者’絕緣 層1 2X之膜厚度設定爲至少比第一遮光膜1 1 a厚’且 約爲400至lOOOnm,最好爲800nm° 如圖1 7 ( b )所示,藉由C Μ P法等,其上已形成 ____ ----- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1. 訂 -線· 510056 A7 B7 五、發明説明(55) 絕緣層1 2X之基底主體1 〇A表面受到拋光直到曝露第 一遮光膜1 1 a表面。 藉由以此方式拋光基底主體1 〇 A表面,形成在第一 遮光膜1 1 a之位準上方之絕緣層1 2 X之部份受到移除 ’因此,絕緣層1 2 X之部份留在未形成第一遮光膜 11 a之區域。亦即,只留下第一絕緣層12A’ ,其具 有和第一遮光膜1 1 a相同的厚度,和基底主體1 〇A表 面爲平滑的。 再者,在此方法中,藉由最佳的使用第一遮光層 1 1 a之材料和絕緣層1 2 X (即,絕緣層1 2 A ’ )之 材料互相不同之事實,可偵測拋光之停止點。例如,在使 用CMP法拋光之例中,由於包含金屬等之第一遮光膜 1 1 a不會和拋光液體起化學反應,在第一遮光膜1 1 a 表面曝露時,介於用於拋光基底主體1 Ο A之拋光墊和基 底主體1 Ο A間之磨擦力下降。再者,用以保持基底主體 1 0 A之基底保持器之振動於此時改變。因此,藉由偵測 介於拋光墊和基底主體1 Ο A間之磨擦力之改變,或基底 保持器之振動,可輕易的偵測拋光之停止點。 以此方式,在本實施例中,由於可藉由偵測第一遮光 膜1 1 a ’表面曝露時而偵測拋光停止點,因此,第一遮 光膜1 1 a具有同時拋光之功能,或具有所謂阻止拋光之 功能。 而後,如圖5 ( c )所示,藉由使用濺鍍法,和
C V D法等,第二絕緣層1 2 B ’形成在基底主體1 0 A -- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明(56 ) 整體上,其上已形成第一遮光膜1 1 a和第一絕緣層 1 2 A ’ 。關於第二絕緣層1 2 B ’之材料方面,可使用 氧化矽,氮化矽,或高絕緣玻璃如N S G,P S G, BSG,BPSG等。此外,雖然第二絕緣層12B’之 材料可與第一絕緣層1 2 A ’不同,但是最好使第二絕緣 層1 2 B ’之材料和第一絕緣層1 2 A ’相同,以簡化製 造方法。 由於第二絕緣層1 2 B ’形成在表面爲平滑之第一遮 光膜1 1 a和第一絕緣層1 2 A ’上,因此由此方法所形 成之第二絕緣膜1 2 B ’之表面爲平滑的。因此,可形成 表面爲平滑的第一絕緣膜1 2 ’其由第一絕緣層1 2 A ’和第二絕緣層1 2 B ’組成。 而後,執行和圖6至1 1所不之第一實施例相同的方 法。 依照此實施例之電光裝置基底之製造方法,由於絕緣 層1 2X形成在基底主體(透光基底)1 0A上,其上已 形成第一遮光膜(遮光層)1 l a,且已形成有絕緣層 1 2X之基底主體1 0A表面受到拋光直到曝露第一遮光 膜1 1 a ,因此,在未形成第一遮光膜1 1 a之區域中, 第一絕緣層1 2 A ’形成有如第一遮光膜1 1 a之厚度, 因此,可使已形成有第一遮光膜1 1 a和第一絕緣層 1 2 A ’之基底主體1 0 A表面受到平滑,且可輕易偵測 拋光之停止點。 再者,藉由形成第二絕緣層1 2 B’在表面已平滑之 ___ - fiQ 一 ___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 OX297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^1. 訂 線 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7 _五、發明説明(57) 第一絕緣層1 2 A ’和第一遮光膜1 1 a上時,可形成表 面已平滑之第一絕緣膜1 2 ’ ,其由第一絕緣層1 2 A ’ 和第二絕緣層1 2 B ’組成。因此,可使疊層在單晶矽層 2 0 6上之基底主體1 0 A表面平滑。以此方式,由於疊 層在單晶矽層2 0 6上之基底主體1 0 A表面平滑,因此 ,可防止在介於第一中間層絕緣膜1 2和單晶矽層2 0 6 間之邊界上感應產生空洞,且因此可防止T F T (電晶體 元件)3 0之性質受到破壞。 再者,介於第一中間層絕緣膜1 2和單晶矽層2 0 6 間之疊層強度可保留,藉以防止如膜條紋等之缺點在形成 TFT (電晶體元件)3 0之步驟中導入。因此,可改善 產品之良率。 再者,在本實施例中,在形成第一絕緣層1 2 A ’後 ,第二絕緣層1 2 B ’形成在第一遮光膜1 1 a和第一絕 緣層1 2 A ’表面上,和T F T (電晶體元件)3 0形成 在第二絕緣層12 B’表面上。因此,幾乎可完全防止來 自第一遮光膜1 1 a對TFT (電晶體元件)3 0之污染 〇 此外,由於氧化膜2 0 6 b事先形成在單晶矽基底 2 0 6 a表面上,在其使用以疊層之疊層側上,因此,即 使單晶矽基底2 0 6 a直接疊層在包含金屬等之第一遮光 膜1 1 a表面上藉以形成T F T (電晶體元件)3 0於其 上,如果藉由氧化膜2 0 6 b可充分防止從第一遮光膜 1 1 a至T F T (電晶體元件)3 0之污染,最好在剛好 ________- Rn -___ 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •^1. 訂 線 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(58) 形成第一遮光膜1 1 a和第一絕緣層1 2 A ’後,而未形 成第二絕緣層12 B’時,疊層單晶矽基底206 a。藉 此,由於省略形成第二絕緣層1 2 B ’之步驟,因此可簡 化製造方法。 在此例中,可提供T F T陣列基底(電光裝置基底) ,其具有:第一遮光膜11a ,具有預定圖樣;第一絕緣 層1 2A’ ,其形成在未形成第一遮光膜1 1 a之區域, 且其厚度和第一遮光膜(遮光層)1 1 a相同和其表面爲 平滑的;和T F T (電晶體元件)3 0直接形成在第一遮 光膜1 1 a表面上,在基底主體(透光基底)1 0A之一 袠面上。 此外,在此實施例中,只說明之例爲其中第一遮光膜 1 1 a只形成在電晶體元件(圖素區域)之形成區域內。 但是,本發明並不限於此。第一遮光膜1 1 a亦可形成在 電晶體元件之非形成區域中,而仍可獲得相似的效果。如 果第一遮光膜1 1 a形成在電晶體元件之非形成區域內時 ’在電晶體元件之非形成區域內之第一遮光膜1 1 a之圖 樣可和在電晶體元件之形成區域中相同,或不同圖樣,任 何圖樣,或始終無圖樣。 (電子裝置) 關於使用具有由依照第一,第二,或第三實施例之電 光裝置基底製造方法製造之電光裝置基底之液晶裝置(電 光裝置)之電子裝置之例方面,以下參考圖1 8說明投影 _;____ 麵 » 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •^^1. 訂 線 510056 A7 B7 五、發明説明(59) 顯示裝置之構造。 在圖1 8中,投影顯示器1 1 0 0包括三個液晶裝置 ’每一液晶裝置具有由依照第一,第二,或第三實施例之 電光裝置基底製造方法製造之電光裝置基底。於此顯示在 投影顯示裝置中之光學系統之示意構造圖,其分別使用如 R G B液晶裝置9 6 2 R,9 6 2 G,9 6 2 B之相關裝 置。 在此貫施例中之投影顯不裝置之光學系統使用一光源 單元9 2 0和一規則照明光學系統9 2 3。此投影顯示裝 置具有:一顏色分離光學系統9 2 4當成用以將從此規則 照明光學系統9 2 3輸出之一光通W分離成紅色(R ), 綠色(G ),和藍色(B )之彩色分離器;三個光閥 925R,925G,和925B,當成用以調制相關顏 色光通R ’ G,B之調制器;一顏色合成稜鏡9 1 0,當 成顏色合成器以在調制後再度合成顏色光通;和一投影透 鏡9 0 6 ’當成一投影器以擴大所合成光通和而後投影在 投影面1 0 0表面上。再者,其亦包括一光導系統9 2 7 ,用以引導藍色光通至對應光閥9 2 5 B。 規則照明光學系統9 2 3具有兩透鏡板9 2 1和 9 2 2和一反射鏡9 3 1。其設計成兩透鏡板9 2 1和 9 2 2互相正交,而反射鏡9 3 1介於其間。在規則照明 光學系統9 2 3中之每一透鏡板9 2 1和9 2 2具有多數 矩形透鏡安排成矩陣型式。從光源單元9 2 0輸出之光通 由第一透鏡板9 2 1之矩形透鏡分成多數部份光通。而後 -----------— _- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明(60) ’部份光通由第二透鏡板9 2 2之矩形透鏡而互相重疊在 接近三光閥9 2 5 R,9 2 5 G,9 2 5 B處。因此,規 則照明光學系統9 2 3之使用使三光閥9 2 5 R, 9 2 5 G ’ 9 2 5 B在規則照明光下照明,即使光源單元 9 2 0在輸出光通部份具有不規則照明分佈。 每一顏色分離光學系統9 2 4由藍綠反射分色鏡 9 4 1,綠反射分色鏡9 4 2,和一反射鏡9 4 3所組成 。首先,藍綠反射分色鏡9 4 1反射由光通W包含之藍光 通B和綠光通G,和它們受引導至綠反射分色鏡9 4 2側 。紅光通R通過此鏡9 4 1 ,和由背反射鏡9 4 3方形的 反射’而後從紅光通R之輸出單元9 4 4輸出至稜鏡 9 1 0 側。 其次,綠反射分色鏡9 4 2在由藍綠反射分色鏡 9 4 1反射之藍和綠光通B和G中,只方形的反射綠光通 G。而後,其從綠光通G之輸出單元9 4 5輸出至顏色合 成光學系統。通過綠反射分色鏡9 4 2之藍光通B從藍光 通B之輸出單元9 4 6輸出至光導系統9 2 7。此例設計 以使從規則照明光學系統之光通W之輸出單元至在顏色分 離光學系統9 2 4中之相關顏色光之輸出單元9 4 4, 9 4 5和9 4 6之距離實質互相相等。 集光透鏡9 5 1和9 5 2分別設置在顏色分離光學系 統9 2 4中之紅和綠光通R和G之輸出單元9 5 1和 9 5 2之輸出側。因此,從相關輸出單元輸出之紅和綠光 通R和G輸入至它們的集光透鏡9 5 1和9 5 2,且互相 _;---- . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 OX297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •tl·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 . B7 五、發明説明(61 ) 平行。 平行之紅和綠光通R和G輸入至光閥9 2 5 R和 9 2 5 G,和分別受到調制。而後,相關於每一顏色光之 視頻訊號添加至它們之每一個。亦即,一驅動器(未顯示 )根據視頻資訊執行在液晶裝置上之開關控制。因此,通 過它們之相關顏色光受到調制。另一方面,藍光通B受引 導經由光導系統9 2 7至相關光閥9 2 5 B。於此,其相 似的根據視頻資訊而調制。藉此,在此例中之光閥 9 2 5 R,9 2 5 G,和9 2 5 B爲液晶光閥,其分別進
一步由輸入側偏振單元9 6 0 R,9 6 0 G,和9 6 0 B ,輸出側偏振單元9 6 1 R,9 6 1 G和9 6 1 B,和介 於其間之液晶裝置9 6 2 R,9 6 2 G和9 6 2 B所組成 〇 光導系統9 2 7提供有:集光透鏡9 5 4設置在用於 藍光通b之輸出單元9 4 6之輸出側;一輸入側反射鏡 9 7 1 ; —輸出側反射鏡9 7 2 ; —中間鏡9 7 3設置在 汉射鏡間;和一集光透鏡9 5 3設置在光閥9 2 5 B之前 側上。從集光透鏡9 4 6輸出之藍光通B受引導經由光導 系統9 2 7至液晶裝置9 6 2 B,和藉此調制。關於用於
相關顏色光通之光路徑長度方面,亦即,關於從光通W之 輸出單元至相厕液晶裝置9 6 2 R,9 6 2 G,9 6 2 B 之距離方面,用於藍光通B之光路徑最長。因此,在藍光 通之光量損失最大。但是,光導系統9 2 7之介入使光量 損失受到抑制。 -^-—_____ R4 -____ 本紙張尺度適用肀國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
510056 A7 B7 五、發明説明(62 ) 經由相關光閥9 2 5 R,9 2 5 G ’ 9 2 5 B調制之 相關顏色光通R,G,B輸入至顏色合成稜鏡9 1 0 ’和 藉此合成。而後,由此顏色合成稜鏡9 1 0合成之光擴大 和經由投影透鏡單元9 0 6投影在位在預定位置上之投影 平面10 0表面上。 在此例中,第一遮光膜(遮光層)設置在T F T下側 上,在液晶裝置962R,962G,和962B中。因 此,即使一部份反射光根據來自液晶裝置9 6 2 R, 9 6 2 G,和9 6 2 B之反射光而從在液晶投影器內之投 影光學系統而來,當反射光通過時來自T F T陣列基底表 面之反射光,和在來自另一液晶裝置之輸出輸入當成來自 T F T陣列基底側之返回光後從投影系統突出之投影光, 相關於用於開關圖素電極之T F T之通道’亦可有效的執 行遮光動作。 因此,即使適於小型化之稜鏡單元使用在此投影光學 系統中時,亦無需分離的安裝一膜以保護返回光或在偏振 單元上,在相關液晶裝置96 2R,96 2G,和 9 6 2 B和稜鏡單元間執行返回光投影處理。因此’可非 常有利於使構造更小且更簡化。 在此實施例中,可抑制由返回光所引起對T F T之通 道區域上之影響。因此,無需直接黏著偏振單元9 6 1 R ,96 1G,96 1B在執行返回光保護處理之液晶裝置 上。 因此,如圖1 9所示,偏振單元可從液晶裝置分離構 ______ _的___ 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 ___ B7 五、發明説明(63 ) 成。實際上,在一側之偏振單元9 6 1 R,9 6 1 G, 9 6 1 B可黏著在稜鏡單元9 1 0上,和在另一側上之偏 振單元9 6 0R,9 6 0G,9 6 0B可黏著在集光透鏡 95 1 ,945,和944上。以此方式,藉由黏著偏振 單元在稜鏡上或在集光透鏡上,偏振單元之熱可由稜鏡單 元或集光透鏡所吸引。因此,可防止液晶裝置之溫度上升 〇 再者,雖然於此省略說明,藉由安排液晶裝置和偏振 單元互相分離,在液晶裝置和偏振單元間可產生空氣層。 因此,藉由安裝如冷卻器和傳送如冷風等在液晶裝置和偏 振單元間,可進一步抑制液晶裝置之溫度上升。因此,可 防止因液晶裝置之溫度上升而引起之錯誤操作。 本發明並不限於上述之實施例,且於此仍可達成各種 改變和修飾,但其仍屬本發明之精神和範疇。因此,本發 明之精神和範疇應由下述申請專利範圍界定之。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ____- RR - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 29<7公釐)
Claims (1)
- 510056 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1 · 一種電光裝置基底之製造方法,包含之步驟爲: 形成一遮光層在一透光基底之一表面上; 定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形 成之每一電晶體元件之一形成區域中; 形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上,其上已形 成定圖樣遮光層; 形成第二絕緣層在第一絕緣層上,其拋光率低於第一 絕緣層之拋光率; 拋光第二絕緣層之表面;‘ 疊層一單晶矽層在第二絕緣層之拋光表面上方;和 藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中該第一絕緣 層藉由拋光第二絕緣層之表面之步驟而部份曝露。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法,其中相關於該透 光基底之該表面之第一絕緣層之一曝露表面之高度和該第 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中在定圖樣該 遮光層之步驟上,該定圖樣遮光層只形成在每一電晶體元 件之形成區域中。 5 . —種電光裝置基底之製造方法,包含之步驟爲: 形成一遮光層在一透光基底之一表面上; 定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形 成之每一電晶體元件之一形成區域中; - 形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上,其上已形 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -67 - 510056 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 成定圖樣遮光層; 形成第二絕緣層在第一絕緣層上,其拋光率低於第一 絕緣層之拋光率; 形成第三絕緣層在第二絕緣層上,其拋光率高於第二 絕緣層之拋光率; 拋光第三絕緣層之表面.; 疊層一單晶矽層在第三絕緣層之拋光表面上方;和 藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。 6 ·如申請專利範圍第5項之方法,其中該第二絕緣 層藉由拋光第三絕緣層之表面之步驟而部份曝露。 7 ·如申請專利範圍第6項之方法,其中相關於該透 光基底之該表面之第二絕緣層之一曝露表面之高度和該第 三絕緣層之拋光表面之高度相同。 8 ·如申請專利範圍第5項之方法,其中在定圖樣該 遮光層之步驟上,該定圖樣遮光層形成在每一電晶體元件 之非形成區域中,其中未形成該電晶體。 9 · 一種電光裝置基底之製造方法,包含之步驟爲: 形成一遮光層在一透光基底之一表面上; 定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形 成之每一電晶體元件之一形成區域中.; ‘ 形成一絕緣層在該透光基底之該表面上,其上已形成 定圖樣遮光層; 拋光該絕緣層之表面直到曝露該定圖樣遮光層之表面 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -68 - 510056 A8 B8 C8 D8 ~、申請專利範圍 疊層一單晶砂層在該絕緣層之拋光表面和該定圖樣遮 光層之表面上方;和. 藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。 1 0 . —種電光裝置基底之製造方法,包含之步驟爲 形成一'遮光層在一透光基底之一'表面上; 定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形 成之每一電晶體元件之一形成區域中; 形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上,其上已形 成定圖樣遮光層; 拋光第一絕緣層之表面直到曝露該定圖樣遮光層之表 面; 形成第二絕緣層在第一絕緣層之拋光表面上方; 疊層一單晶矽層在第二絕緣層上方;和 藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。 1 1 · 一種電光裝置基底,包含一定福樣遮光層具有 一預定圖樣,一絕緣膜和一電晶體,其循序的形成在一透 光基底之一表面上方, 該絕緣膜包含(i )第一絕緣層和(i i )第二絕緣 層,其部份的形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕 緣層之拋光率,因此該絕緣膜之表面平滑, 該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之電光裝置基底,其 中該定圖樣遮光層只形成在該電晶體元件之形成區域中。 本‘張歧逋用中國國家標準(€叫八4胁(2獻297公釐)-69 - : (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之電光裝置基底,其 中該第一絕緣層包含氧化矽,和該第二絕緣層包含氮化矽 〇 1 4 · 一種電光裝置基底,包含一定圖樣遮光層具有 一預定圖樣,一絕緣膜和一電晶體,其循序的形成在一透 光基底之一表面上方, 該絕緣膜包含(i )第一絕緣層,(i i )第二絕緣 層,其形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之 拋光率,和(i i i )第三絕緣層,其部份的形成在第二 絕緣層上且其拋光率高於第二絕緣層之拋光率,因此該絕 緣膜之表面平滑, 該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之電光裝置基底,其 中該定圖樣遮光層形成在該每一電晶體元件之非形成區域 中,其中未形成該每一電晶體。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項之電光裝置基底,其 中該第一絕緣層和第三絕緣層包含氧化矽,和該第二絕緣 層包含氮化砂。 17. —種電光裝置基底,包含: 一定圖樣層,具有一預定圖樣在一透光基底之一表面 上方; 一絕緣層,其形成在該透光基底之表面上方,在未形 成有定圖樣遮光層之一區域上,且其厚度和該定圖樣遮光 層相同,和其表面爲平滑的; 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -70 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A8 B8 C8 D8 5、申請專利範圍 一電晶體元件’其形成在該定圖樣遮光層上方,且具 有一半導體層包含一單晶矽層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之電光裝置基底,其 中該絕緣層藉由拋光形成在已形成該定圖樣遮光層之透光 基底之一表面上之一絕緣膜之一表面而形成, 該定圖樣該遮光層作用當成在拋光該絕緣層之處理中 之用於拋光之阻止器。 .1 9 ·如申請專利範圍第1 7項之電光裝置基底,其 中在該定圖樣遮光層之表面和該絕緣層上形成第二絕緣層 該電晶體兀件設置在該第二絕緣層之一'表面上。 20. —種電光裝置,包含: (A ) —電光裝置基底,包含一定圖樣遮光層具有一 預定圖樣,一絕緣膜和一電晶體,其循序的形成在一透光 基底之一表面上方, 該絕緣膜包含(i )第一絕緣層,(i i )第二絕緣 層,其部份的形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕 緣層之拋光率,因此該絕緣膜之表面平滑, 該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層; (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透 光基底之該表面;和 (C ) 一電光材料層夾在兩透光基底間。 2 1· —種電光裝置,包含: - (A) —電光裝置基底,包含一定圖樣遮光層具有一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -71 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製510056 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 預定圖樣’ 一絕緣膜和一電晶體,其循序的形成在一透光 基底之一表面上方, 該絕緣膜包含(i )第一絕緣層,(i i )第二絕緣 層’其形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之 拋光率’和(i i i )第三絕緣層,其部份的形成在第二 絕緣層上且其拋光率高於第二絕緣層之拋光率,因此該絕 緣膜之表面平滑, 該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層; (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透 光基底之該表面;和 (C ) 一電光材料層夾在兩透光基底間。 22· —種電光裝置,包含: (A)—電光裝置基底,包含: 一定圖樣遮光層具有一預定圖樣在一透光基底之一表 面上方; 一絕緣層,其形成在該透光基底之該表面上方,在未 形成該定圖樣遮光層之區域上,且具有和該定圖樣遮光層 相同之厚度,和其表面爲平滑的; 一電晶體元件,其形成在該定圖樣遮光層上方,且具 有一半導體層包含一單晶矽層; . ‘ (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透 光基底之該表面;和 (C ) 一電光材料層夾在兩透光基底間。 ’ 23. —種電光裝置,包含: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^1. 訂 -線_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) H 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (A) —電光裝置基底,包含一定圖樣遮光層具有一 預定圖樣,一絕緣膜和一電晶體,其循序的形成在一透光 基底之一表面上方, 該絕緣膜包含(i )第一絕緣層,和(i i )第二絕 緣層,其部份的形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一 絕緣層之拋光率,因此該絕.緣膜之表面平滑, 該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層; (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透 光基底之該表面;和 (C ) 一電光材料層夾在兩透光基底間。 2 4 · —種電光裝置,包含: (A) —電光裝置基底,包含一定圖樣遮光層具有一 預定圖樣,一絕緣膜和一電晶體,其循序的形成在一透光 基底之一表面上方, 該絕緣膜包含(i )第一絕緣層,(i i )第二絕緣 層,其形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之 拋光率,和(i i i )第三絕緣層,其部份的形成在第二 絕緣層上且其拋光率高於第二絕緣層之拋光率,因此該絕 緣膜之表面平滑, 該電晶體兀件具有一半導體層包.含一車晶砂層; (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透 光基底之該表面;和 (C)一電光材料層夾在兩透光基底間。 -2 5 . —種電光裝置,包含: 本張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公73 - : (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)510056 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 (A)—電光裝置基底,包含: 一定圖樣遮光層具有一預定圖樣在一透光基底之一表 面上方; 一絕緣層,其形成在該透光基底之該表面上方,在未 形成該定圖樣遮光層之區域上,且具有和該定圖樣遮光層 相同之厚度,和其表面爲平滑的; 一電晶體元件,其形成在該定圖樣遮光層上方,且具 有一半導體層包含一單晶矽層; (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透 光基底之該表面;和 (C ) 一電光材料層夾在兩透光基底間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -74 -
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000288460A JP4701487B2 (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | 電気光学装置用基板の製造方法 |
JP2000291005A JP4843840B2 (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW510056B true TW510056B (en) | 2002-11-11 |
Family
ID=26600508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090122518A TW510056B (en) | 2000-09-22 | 2001-09-11 | Method of manufacturing electro-optical apparatus substrate, electro-optical apparatus substrate, electro-optical apparatus and electronic apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6661025B2 (zh) |
KR (1) | KR100454515B1 (zh) |
CN (1) | CN1165967C (zh) |
TW (1) | TW510056B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI471635B (zh) * | 2008-01-21 | 2015-02-01 | Japan Display West Inc | 光電裝置及光電裝置之製造方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3909583B2 (ja) | 2001-08-27 | 2007-04-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
JP3700697B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2005-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US6692983B1 (en) * | 2002-08-01 | 2004-02-17 | Chih-Chiang Chen | Method of forming a color filter on a substrate having pixel driving elements |
KR101032337B1 (ko) | 2002-12-13 | 2011-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
JP2004247610A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Canon Inc | 基板の製造方法 |
KR100930492B1 (ko) * | 2003-06-02 | 2009-12-09 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치용 백라이트유닛 |
JP4389626B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2009-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
JP4433405B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TWI271871B (en) * | 2005-12-30 | 2007-01-21 | Ind Tech Res Inst | Thin film transistor |
CN101840899B (zh) * | 2009-03-19 | 2012-05-02 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 接地结构 |
KR102238994B1 (ko) * | 2014-07-17 | 2021-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
US10157561B2 (en) * | 2015-05-01 | 2018-12-18 | Apple Inc. | Electronic device display with zigzag pixel design |
CN205264316U (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示器件 |
CN105652541B (zh) * | 2016-01-20 | 2018-11-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板的制作方法及液晶显示面板 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5475514A (en) * | 1990-12-31 | 1995-12-12 | Kopin Corporation | Transferred single crystal arrayed devices including a light shield for projection displays |
KR100294026B1 (ko) * | 1993-06-24 | 2001-09-17 | 야마자끼 순페이 | 전기광학장치 |
JP3537938B2 (ja) * | 1995-12-22 | 2004-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス表示装置の作製方法 |
JP3531415B2 (ja) | 1997-04-22 | 2004-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | Soi基板とその製造方法及びこれを用いた半導体装置及び液晶パネル |
JP4302194B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2009-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3767154B2 (ja) * | 1997-06-17 | 2006-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置 |
KR100469109B1 (ko) * | 1998-11-26 | 2005-02-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치 및 그 제조방법 및 전자기기 |
JP3826618B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2006-09-27 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
-
2001
- 2001-09-05 US US09/945,830 patent/US6661025B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-11 TW TW090122518A patent/TW510056B/zh active
- 2001-09-21 KR KR10-2001-0058728A patent/KR100454515B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-22 CN CNB01137232XA patent/CN1165967C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020023161A (ko) | 2002-03-28 |
CN1346146A (zh) | 2002-04-24 |
KR100454515B1 (ko) | 2004-11-05 |
US6661025B2 (en) | 2003-12-09 |
CN1165967C (zh) | 2004-09-08 |
US20020037600A1 (en) | 2002-03-28 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |