TW510056B

TW510056B - Method of manufacturing electro-optical apparatus substrate, electro-optical apparatus substrate, electro-optical apparatus and electronic apparatus

Info

Publication number: TW510056B
Application number: TW090122518A
Authority: TW
Inventors: Yukiya Hirabayashi
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-09-22
Filing date: 2001-09-11
Publication date: 2002-11-11
Also published as: KR20020023161A; CN1346146A; KR100454515B1; US6661025B2; CN1165967C; US20020037600A1

Description

510056 Α7 Β7 五、發明説明（1 ) 發明背景 1 ·發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種電光裝置基底之製造方法，該電光裝置基底循序的具有一預定圖樣之遮光層，一絕緣層，和一電晶體在一透光基底之表面上，和由該製造方法所製造之電光裝置基底，具有該電光裝置基底之電光裝置，和一電子裝置。 2 ·相關技藝之說明用以形成單晶矽薄膜在一絕緣基底上和於後形成單晶矽薄膜之半導體裝置之s 〇 I (絕緣體上之矽）之技術具有之優點爲使元件之速度更快，使能量耗損較低，和使整合程度更高。因此，最好使用在如液晶裝置等之電光裝置中〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製當此S 0 I技術應用在電光裝置中時，薄膜之單晶矽層藉由疊層單晶矽基底在一透光基底上，而後將其拋光而形成。因此，如用以驅動液晶之Μ 0 S F E T之電晶體元件乃由單晶矽層所構成。藉此，在在例如使用液晶裝置之投射器之投射裝置中，光從透光基底側（即液晶裝置之一表面）輸入，其爲構成液晶裝置之兩基底之一。爲了防止當光輸入至形成在另一基底表面上之電晶體元件之通道區域時產生光漏電流，典型的設計一遮光層在輸入光之電晶體元件側上。但是，即使遮光層形成在光輸入之電晶體元件之側上 ...........................................:——_______________________________________________________________________________________________________________________丨丨丨丨丨丨-4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 510056 A7 B7 ___ 五、發明説明（2 ) 時，當形成有電晶體元件之基底具有透光特性時’輸入至液晶裝置之光可反射在形成有電晶體元件之基底背面之邊界面上，和可輸入至電晶體元件之通道部份當成返回光。此返回光在比例上相對於從液晶裝置表面輸入之光量而言相當少。但是，產生在使用非常強光源如投射器之裝置中之光漏電流卻相當可觀。亦即，來自形成有電晶體元件之基底背面之此返回光對元件之開關特性具有影響，且會使元件之效能受到破壞。於此，假設形成單晶矽層之平面視爲基底之表面，和相對側視爲背面。日本專利（JP— A — H10 — 293320)揭示一技術以形成一遮光層在形成有電晶體元件之基底表面上，相關於每一電晶體元件。此專利揭示之方法爲形成預定 .圖樣之遮光層在基底表面上，和形成一絕緣層在遮光層上，而後拋光和使絕緣層表面平滑，和疊層或結合一單晶矽基底在拋光表面上。但是，在典型的電光裝置中，電晶體元件只形成在基底表面上之顯示區域中（圖素部份），和電晶體元件未形成在非顯示區域中。以此方式，於此有電晶體元件擁擠之區域（形成區域），和非擁擠區域（非形成區域），其中電晶體元件不擁擠。因此，相關於電晶體元件設置之每片遮光層以相似的密度分佈。結果，在形成在遮光層上之絕緣層表面上形成凹和凸部份，和一確定分佈亦感應在此凹凸部份中。因此，即使絕緣層表面受到拋光，在拋光程度上之變化會感應在基底表面上。因此，即使基底之整個表 -—---^__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） III^-----1%.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（3 ) 面受到拋光，在凸部份擁擠之部份中，絕緣層變成相當厚，和在凸部份不擁擠之部份中（即凹部份擁擠之部份中），絕緣層變成相當薄。因此，在拋光後，會有在絕緣層表面上平滑性受到破壞之疑慮。如圖19 (a)所示，在基底1〇〇1表面上有遮光層1 0 0 3擁擠之區域1 0 1 〇和遮光層1 〇〇 3不擁擠之區域1 0 2 0，形成在遮光層1 〇〇 3不擁擠之區域 1 0 2 0上之凹部份面積和數目比遮光層1 0 0 3擁擠之區域1 01 0之面積和數目大且寬，在形成在已形成遮光層1 0 0 3之基底1 0 0 1上之絕緣層1 〇 0 4之表面上。藉此，即使在遮光層1 0 0 3擁擠之區域10 1 0中，根據遮光層1 0 0 3之圖樣，在絕緣層1 〇 0 4表面上形 .成微小凹和凸部份。但是，爲了簡化起見，在圖1 9 ( a )中省略。如上所述，如果具有在凹和凸部份中之分佈之絕緣層 1 0 0 4表面受到拋光時，在絕緣層1 0 0 4表面上，凸部份面積較窄之區域（即，遮光層1 0 0 3不擁擠之區域 1 0 2 0)比凸部份面積較寬之區域（遮光層1 〇〇 3擁擠之區域1 0 1 0 )更快速拋光。結果，如圖1 9 ( b ) 所示，在遮光層1 0 0 3不擁擠之區域1 0 2 0中之絕緣層1 0 0 4過度拋光，因此使在絕緣層1 〇〇 4表面上，介於遮光層1 0 0 3擁擠之區域1 〇 1 〇和遮光層不擁濟之區域1 0 2 0間有階級差異。因此，絕緣層1 〇 0 4之表面上之平滑性較低。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） J___I_____ΙΦΙ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-ιτ 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（4 ) 如上所述，在絕緣層表面上平滑性之下降會導致下歹[J 問題。關於第一問題方面，會有在介於絕緣層和單晶矽層間之疊層邊界上感應一空洞之疑慮，且如此會使形成在存在有空洞之區域中之電晶體元件之效能受到破壞。關於第二問題方面，會有介於絕緣層和單晶矽層間之疊層強度降低之疑慮，其會在單晶矽層形成後引起膜條之缺陷感應在形成電晶體元件之處理中，而導致產品良率之下降。此外，即使絕緣層表面可受到平滑，於此亦無偵測拋光終止點，即絕緣層已完全平滑之時之方法。因此，只有藉由拋光時段而控制此拋光處理。但是，由於拋光率會因如批次或多數使用拋光液體，在拋光機器之型式差異等因素而改變，絕緣層已完全平滑之時段亦會因此時之實際拋光條件而改變。因此，於此會有之例爲絕緣層表面無法完全平滑，即使拋光進行一段固定時段。發明槪要本發明乃鑒於上述問題而提出。因此，本發明之目的乃在提供：一種電光裝置基底之製造方法，因此，疊層有單晶矽層之絕緣層表面可受到平滑；電光裝置基底；具有電光裝置基底之電光裝置；和具有電光裝置之電子裝置。本發明之另一目的乃在提供：一種電光裝置基底之製造方法’因此形成有遮光層和絕緣層且疊層一單晶砂層之透光基底表面可受到平滑，和拋光之終止點可在拋光絕緣層時輕易偵測；電光裝置基底；具有電光裝置基底之電光本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 __ _ B7 _ 五、發明説明（5 ) 裝置；和具有電光裝置之電子裝置。 I:——in? (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明人發現，在透光基底表面上凹部份面積相當大之例中，如同在遮光層只形成在電晶體元件之形成區域之例中，藉由下述之方法可達成上述目的，因此，可使疊層有單晶矽層之絕緣層表面受到平滑。亦即，藉由電光裝置基底之第一製造方法可達成本發明之上述目的，該第一方法包括之步驟爲··形成一遮光層在一透光基底之一表面上；定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域中；形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上，其上已形成定圖樣遮光層；形成第二絕緣層在第一絕緣層上，其拋光率低於第一絕緣層之拋光率；拋光第二絕緣層之表面；疊層一單晶矽層在第二絕緣層之拋光表面上方；和藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明人發現，在透光基底表面上凹部份面積相當大之例中，如同在遮光層只形成在電晶體元件之形成區域之例中，在（i )形成第一絕緣層在已形成定圖樣遮光層之透光基底上和（i i )形成拋光率低於（即其拋光慢於）第一絕緣層之第二絕緣層後，藉由第二絕緣層之存在而拋光基底表面以防止產生過度拋光部份，可使絕緣層表面平滑。此外，在實施例部份將更詳細說明以此方法使絕緣層表面平滑之理由。在本發明之第一方法之一觀點中，藉由拋光第二絕緣層表面之步驟而使第一絕緣層部份曝露。 _—-^- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 510056 A7 B7 ~Μ·Π 圓 11丨丨丨"丨丨丨 ............... 丨丨 ..................................................—咖丨丨—·ιιιιιιιιιιιι_丨丨丨丨__·| ............................................... ...............................................丨丨·丨丨丨丨I 丨丨五、發明説明（6 ) 在此觀點中，相關於該透光基底之該表面之第一絕緣層之一曝露表面之高度和該第二絕緣層之拋光表面之高度相同。在本發明之第一方法之另一觀點中，在定圖樣該遮光層之步驟上，該定圖樣遮光層只形成在每一電晶體元件之形成區域中。本發明人亦發現，在凹部份之區域在透光基底表面上相當小之例中，如同遮光層亦形成在電晶體元件之非形成區域之例，藉由下述方法可達成上述目的，因此，可使疊層有單晶砂層之絕緣層表面平滑。亦即，藉由電光裝置基底之第二製造方法，可達成本發明之上述目的，該第二方法包括之步驟爲··形成一遮光層在一透光基底之一表面上；定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域中；形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上，其上已形成定圖樣遮光層；形成第二絕緣層在第一絕緣層上，其拋光率低於第一絕緣層之拋光率；形成第三絕緣層在第二絕緣層上，其拋光率高於第二絕緣層之拋光率；拋光第三絕緣層之表面；疊層一單晶矽層在第三絕緣層之拋光表面上方；和藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。本發明人發現，在透光基底表面上凹部份面積相當小之例中，如同在遮光層亦形成在電晶體元件之非形成區域之例中，在（i )形成第一絕緣層在已形成定圖樣遮光層之透光基底上（i i )形成拋光率低於（即其拋光慢於） -—-9---- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） II-----If (請先閲讀背面之注意事項存填寫本I)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 __五、發明説明（7 ) 第一絕緣層之第二絕緣層，和（i i i )形成形成拋光率高於（即其拋光快於）第二絕緣層之第三絕緣層後，藉由第二絕緣層之存在，藉由拋光基底表面，以防止產生過度拋光部份，可使絕緣層表面平滑。此外，在實施例部份將更詳細說明以此方法使絕緣層表面平滑之理由。在本發明之第二方法之一觀點中，該第二絕緣層藉由拋光第三絕緣層之表面之步驟而部份曝露。在此觀點中，相關於該透光基底之該表面之第二絕緣層之一曝露表面之高度和該第三絕緣層之拋光表面之高度相同。在本發明之第二方法之另一觀點中，在定圖樣該遮光層之步驟上，該定圖樣遮光層形成在每一電晶體元件之非形成區域中，其中未形成該電晶體。藉由電光裝置基底之第三製造方法，可達成本發明之上述目的，該第三方法包括之步驟爲：形成一遮光層在一透光基底之一表面上；定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域中；形成一絕緣層在該透光基底之該表面上，其上已形成定圖樣遮光層；拋光該絕緣層之表面直到曝露該定圖樣遮光層之表面；疊層一單晶矽層在該絕緣層之拋光表面和該定圖樣遮光層之表面上方；和藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。本發明人發現，藉由在已形成遮光層之透光基底上形成絕緣層和而後拋光表面直到遮光層以此方式曝露，可使本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -%i. 訂線 510056 A7 B7 五、發明説明（8 ) 疊層有單晶矽層之透光基底之表面平滑，和藉由使用遮光層和絕緣層之材料互相不同之事實而提供拋光阻止功能，可輕易偵測拋光之停止點。例如，在使用CMP方法中，由於包含金屬等之遮光層不會與拋光液體起化學反應，在遮光層表面曝露時，介於拋光透光基底之拋光墊和透光基底間之磨擦力會下降。再者，用以保持透光基底之基底保持器之振動亦會改變。因此，藉由偵測介於拋光墊和透光基底間之磨擦力或基底保持器之振動，可輕易的偵測拋光停止點。在本發明中，”遮光層具有拋光阻止功能”意即”藉由偵測遮光層曝露之時而偵測拋光之停止點”，如上所述〇再者，由於事先形成氧化膜在使用在疊層側疊層之單晶矽基底表面上，因此，即使在疊層單晶矽基底後直接在包含金屬等之遮光層表面執行電晶體元件之形成，而後使此單晶矽基底變薄爲單晶矽層，亦可防止從遮光層至電晶體元件之污染。但是，即使在氧化膜形成在單晶矽基底表面之例中，如果此表面氧化膜非常薄，因此，可能有污染從遮光層至電晶體元件時，最好在疊層單晶矽基底前，形成一絕緣層在遮光層表面上。在此一例中，所需的是下述第四方法。藉由電光裝置基底之第四製造方法，可達成本發明之上述目的，該第四方法包括之步驟爲：形成一遮光層在一透光基底之一表面上；定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣 __;_____画 11 __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ I____；_____IP — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、tT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域中；形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上，其上已形成定圖樣遮光層；拋光第一絕緣層之表面直到曝露該定圖樣遮光層之表面；形成第二絕緣層在第一絕緣層之拋光表面上方；疊層一單晶矽層在第二絕緣層上方；和藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。依照本發明之第四方法，藉由形成第一絕緣層在已形成遮光層之透光基底上，和藉由拋光已形成第一絕緣層之透光基底表面直到曝露遮光層表面，第一絕緣層和遮光層表面可受到平滑。而後，藉由形成第二絕緣層，由於第二絕緣層表面爲平滑的，因此可使疊層有單晶矽層之透光基底表面平滑。再者，在此例中，由於第二絕緣層形成在遮光層和電晶體元件間，因此可完全的防止從遮光層至電晶體元件之污染。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製依照上述本發明第一至第四方法，由於絕緣層表面可受到平滑，在介於絕緣層間之疊層邊界上幾乎無空洞，因此，可防止電晶體元件之特性免於受到破壞。再者，由於介於絕緣層和單晶矽層間之疊層應力相當強，因此可防止如膜條等在形成電晶體元件之處理時感應之缺點，因此，可改善良率。藉由第一電光裝置基底，可達成本發明之上述目的，該第一*電光裝置基底包含· 一'疋圖樣遮光層具有一*預定圖樣，一絕緣膜和一電晶體，其循序的形成在一透光基底之一表面上方，該絕緣膜包含（i )第一絕緣層和（i i ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 510056 A7 B7 __ 五、發明説明（10 ) 第二絕緣層，其部份的形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之拋光率，因此該絕緣膜之表面平滑，該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層。依照本發明之第一電光裝置基底，其可以上述本發明之第一方法製造，在介於絕緣層和單晶矽層間之疊層邊界上幾乎無空洞，介於絕緣層和單晶矽層間之疊層應力相當強，因此在電晶體之性質上難以會有振動和缺點。在本發明之第一電光裝置基底之一觀點中，該定圖樣遮光層只形成在該電晶體元件之形成區域中。在本發明之第一電光裝置基底之另一觀點中，該第一絕緣層包含氧化矽，和該第二絕緣層包含氮化矽。藉由第二電光裝置基底，可達成本發明之上述目的，該第二電光裝置基底包含：一定圖樣遮光層具有一預定圖樣，一絕緣膜和一電晶體，其循序的形成在一透光基底之一表面上方，該絕緣膜包含（i )第一絕緣層，（i i ) 第二絕緣層，其形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之拋光率，和（i i i )第三絕緣層，其部份的形成在第二絕緣層上且其拋光率高於第二絕緣層之拋光率，因此該絕緣膜之表面平滑，該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶政層。依照本發明之第二電光裝置基底，其可以上述本發明之第二方法製造，在介於絕緣層和單晶矽層間之疊層邊界上幾乎無空洞，介於絕緣層和單晶矽層間之疊層應力相當強’因此在電晶體之性質上難以會有振動和缺點。 ------- _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — — I:------P, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（11 ) — II------f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明之第二電光裝置基底之一觀點中，該定圖樣遮光層形成在該每一電晶體元件之非形成區域中，其中未形成該每一電晶體。在本發明之第二電光裝置基底之另一觀點中，該第一絕緣層和第三絕緣層包含氧化矽，和該第二絕緣層包含氮化矽。藉由第三電光裝置基底，可達成本發明之上述目的，該第三電光裝置基底包含：一定圖樣層，具有一預定圖樣在一透光基底之一表面上方；一絕緣層，其形成在該透光基底之表面上方，在未形成有定圖樣遮光層之一區域上，且其厚度和該定圖樣遮光層相同，和其表面爲平滑的；一電晶體元件，其形成在該定圖樣遮光層上方，且具有一半導體層包含一單晶矽層。依照本發明之第三電光裝置基底，其可以上述本發明之第三或第四方法製造，在介於絕緣層和單晶矽層間之疊層邊界上幾乎無空洞，介於絕緣層和單晶矽層間之疊層應力相當強，因此在電晶體之性質上難以會有振動和缺點。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在本發明之第三電光裝置基底之一觀點中，該絕緣層藉由拋光形成在已形成該定圖樣遮光層之透光基底之一表面上之一絕緣膜之一表面而形成，和該定圖樣該遮光層作用當成在拋光該絕緣層之處理中之用於拋光之阻止器。在本發明之第三電光裝置基底之另一觀點中，在該定圖樣遮光層之表面和該絕緣層上形成第二絕緣層，和該電晶體兀件設置在該第二絕緣層之一表面上。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ 510056 A7 B7 五、發明説明（12 ) 藉由提供電光裝置，亦可達成本發明之上述目的，該電光裝置，包含：（A)本發明上述第一，第二，第三電 1.1 — I----IP, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 光裝置基底之任一者；（B)另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透光基底之該表面；和（C) 一電光材料層夾在兩透光基底間。依照本發明之電光裝置，由於其提供有依照本發明之電光裝置基底，因此可提供具有良好效能之電光裝置，如 L C D 等。本發明之上述目的可藉由提供有上述本發明之電光裝置之電子裝置而達成。依照本發明之電子裝置，由於其提供有依照本發明之電光裝置，其可提供具有良好效能之電子裝置，如投影機等。由下述之說明伴隨附圖之解說，其中本發明之較佳實施例以說明例顯示，可更加明瞭本發明之上述和其它目的 ’特徵，和優點。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖式簡單說明圖1爲在依照本發明之第一實施例之電光裝置中，構成一圖素部份之各種元件和接線之等效電路圖；圖2爲在依照本發明之第一實施例之電光裝置中，互相鄰近T F T陣列基底之多數圖素群之平面圖；圖3爲在第一實施例中沿圖2之A — A ’線所截取之截面圖；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 510056 A7 ___ B7 五、發明説明（13) 圖4 ( a )至4 ( c )爲依照本發明之第一實施例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖5 (a)至5 (c)爲依照本發明之第一實施例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖6 ( a )至6 ( e )爲依照本發明之第一實施例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖7 ( a )至7 ( d )爲依照本發明之第一*貫施例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖8 ( a )至8 ( e )爲依照本發明之第一實施例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖9 ( a )至9 ( d )爲依照本發明之第一實施例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖1 0 ( a )至1 〇 ( c )爲依照本發明之第一實施例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖11(a)至11(c)爲依照本發明之第一實施例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖1 2爲當具有使用依照本發明之第一實施例之電光裝置基底之製造方法製造之電光裝置基底之電光裝置之 T F T陣列基底和相關元件一起從一相對基底側觀察之平面圖；圖1 3爲沿圖1 2之Η — Η ’線所截取之截面圖；圖14(a)至14(c)爲依照本發明之第二實施例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖1 5 ( a )和1 5 ( b )爲依照本發明之第二實施 -;____ _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 释· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（14 ) 例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖1 6爲在依照本發明之第三實施例中沿圖2之A -A ’線所截取之截面圖；圖1 7 ( a )至1 7 ( c )爲依照本發明之第三實施例之電光裝置基底之製造方法之步驟圖；圖1 8爲在依照本發明之第一和第二實施例中，投射顯示器之一構造圖，該投射顯示器爲使用具有由電光裝置基底製造方法製造之電光裝置基底之電光裝置之電子裝寶之例；和圖1 9 ( a )和1 9 ( b )爲說明習知問題之視圖。符號說明 la 半導體層 1 a 通道形成區域 1 b，1 d 源極區域 1 c，1 e 汲極區域 2 閘極絕緣膜經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填、寫本耳』 3 多晶層 3 a 掃描線 3 b 電容線 4 第二中間層絕緣膜 5 接觸孔 6 金屬膜 6 a 資料線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（15 ) 7 第三中間層絕緣膜 8 接觸孔 9 透明導電薄膜 9 a 圖素電極 1 0 T F T陣列基板 1 0 A 基板主體 11a 第一遮光膜 12 第一中間層絕緣膜 1 2 A 第一絕緣層 1 2 B 第二絕緣層 1 2 C 第三絕緣層 1 2 X 絕緣層 13 接觸孔 16 定向膜 2 0 相對基板 2 0 A 基板主體 2 1 相對電極 2 2 定向膜 23 第二遮光膜 3 0 TFT 5 0 液晶層 5 2 密封構件 5 3 第二遮光膜 6 1 摻雜劑 ____-18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 批1»· 訂線 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（16 ) 6 2 阻止物 7 0 累積電容 10 0 投影面 1 0 1 資料線驅動電路 1 0 2 安裝瑞 10 4 掃描線驅動電路 10 5 接線 106 導電材料 1 2 0 第一中間層絕緣膜 206 單晶矽層 2 0 6 a 單晶矽基板 206b 氧化膜 2 0 7 光阻物 3 0 1 阻止膜 3 0 2 摻雜劑 3 0 3 摻雜劑 3 0 5 阻止膜 3 0 6 阻止膜 3 0 7 阻止膜 3 0 8 阻止膜 3 0 9 阻止膜 3 10 阻止膜 3 11 阻止膜 906 投影透鏡單元 ______- 19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X29<7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 線· 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（17 ) 910 顏色合成稜鏡 920 光源單元 921-922 透鏡板 9 2 3 光學系統 924 顏色分離光學系統 9 2 5 光閥 927 光導系統 9 3 1 反射鏡 941 藍綠反射分色鏡 9 4 2 綠反射分色鏡 9 4 2 反射鏡 9 4 4 輸出單元 945 輸出單元 9 4 6 輸出單元 951，952 集光透鏡 954 集光透鏡 960 輸入側偏振單元 961 輸出側偏振單元 962 液晶裝置 9 7 1 輸入側反射鏡 972 輸出側反射鏡 9 7 3 中間透鏡 1 0 0 1 基板 1 0 0 3 遮光層 _-20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 線_· 510056 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（18 ) 1004 絕緣層 1010 區域 1 0 2 0 區域 1100 投影顯示器較佳實施例之詳細說明以下參考圖式詳細說明本發明之實施例。在下述第一至第三實施例中，使用τ F T (當成電晶體元件之一例）當成開關元件之主動矩陣型液晶裝置當成電光裝置之例。再者，第一和第二實施例之特徵在於形成第一中間層絕緣膜（當成絕緣膜之一例）在透光基底表面上之處理，在該透光基底上已形成第一遮光膜（當成遮光層之例），和第一中間層絕緣膜（絕緣膜）之形成構造。 I .第一實施例 (電光裝置之構造）首先，依照本發明之第一實施例之電光裝置之構造說明當成一液晶裝置。在此實施例中之電光裝置（如液晶裝置）具有由在此實施例中之電光裝置基底製造方法所製造之T F T陣列基底（當成電光裝置基底之例）。再者，在此實施例中，說明後述之第一遮光膜（遮光層之例）只形成在電晶體元件之形成區域中（圖素部份）之例。圖1爲在矩陣形狀且構成液晶裝置之圖素部份（顯示 -—----21 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) P.

、1T 線尽紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 510056 A7 B7 五、發明説明（19 ) 區域）之多數圖素中之各種元件和接線之等效電路圖。圖 2爲丁 F T陣列基底之多數圖素群互相相鄰之擴大平面圖 ’其中形成有資料線，掃瞄線，圖素電極，和遮光膜等。圖3爲沿圖2之A — A ’線所截取之截面圖。在圖1至圖 3中，每一層和每一元件之刻劃不同，以指示每一層和每一元件以它們在圖上實質可辨識之尺寸。在圖1中，矩陣形且構成液晶裝置之圖素部份之多數圖素乃提供有：多數圖素電極9 a以矩陣型式，和TFT (電晶體元件）3 0用以控制圖素電極9 a。傳送視頻訊號之資料線6 a電連接至T F T 3 0之源極。寫至資料線 6 A之視頻訊號S 1，S 2，…S η可以此順序循序傳送 ’或亦可傳送至每一群互相相鄰之多數資料線6 a。掃瞄線3 a電連接至T F T 3 0之閘極。設計以使掃瞄訊號 G 1，G 2，…G m以脈衝方式，在預定時間，循序的應用至掃瞄線3 a。圖素電極9 a電連接至TFT30之汲極。藉由關閉當成開關元件之T F T 3 0之開關只一段時間，從資料線 6 a傳送之視頻訊號S 1 ，S 2，…S η在預定時間寫入。經由圖素電極9 a寫至液晶之預定位準之視頻訊號S 1 ，S 2至S η在後述形成在相對基底上之相對電極和圖素電極9 a間保持一段時間。在液晶中，由於分子組之順序和方向乃根據所應用電壓位準而改變，可調制光藉以達成一分級顯示。根擄所應用電壓，正常白色模式使通過液晶部份之輸入光無效。根 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 __ 五、發明説明（20 ) 據所應用電壓，正常黑色模式使通過液晶部份之輸入光致能。根據一視頻訊號而具有一對比之光整體從液晶裝置輸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 出。於此，爲了防止相關於顯示之問題，如對比之下降，閃爍等免於因所保持視頻訊號之漏電流而感應，一累積電容7 0並聯於介於圖素電極9 a和相反電極間產生之液晶之電容。例如，圖素電極9 a之電壓保持比一時間段長三位之時間段，而一電壓應用至此資料線。因此，可進一步改善保持特性，以獲得具有高對比之液晶裝置。在此實施例中，特別的，爲了形成此一累積電容7 0，電阻已降低之電容線3 b藉由使用和掃瞄線相同層，或導電遮光膜而安裝。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次’參考圖2詳細說明在T F T陣列基底之電晶體元件（即圖素部份）之形成區域內之平坦表面構造。如圖 2所示’多數透明圖素電極9 a (其輪廓以虛線部份9 a ’表示）以矩陣型式提供在液晶裝置之T F T陣列基底上之電晶體元件（即圖素部份）之形成區域內。資料線6 a ，掃瞄線3 a和電容線3 b沿圖素電極9 a之相當垂直和水平邊界提供。資料線6 a經由一接觸孔5電連接至在單晶矽層之半導體層1 a中之源極區域。圖素電極9 a經由一接觸孔8電連接至在單晶政層之半導體層1 a中之汲極區域。再者’設置掃瞄線3 a以相對於在半導體層1 a中之通道區域（其爲以向右方上升之傾斜線所表示之區域）。掃瞄線3 a作用當成一閘電極。 _；______ _ 〇3 « 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 510056 A7 B7 五、發明説明（21 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電容線3 b具有一主線部份實質筆直沿掃瞄線3 a延伸（亦即，第一區域’當平坦觀察時，其沿掃瞄線3 a形成），和一突起部份，其從資料線6 a之交叉部份沿資料線6 a突起至即級側（圖2之上方）（亦即，第二區域，當平坦觀察時，其沿資料線6 a延伸設置）。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製多數第一遮光膜（即，遮光層）a設置在由圖中向右上升之傾斜線所表示之區域中。實際上，每個第一遮光S吴1 1 a設置在當從T F T陣列基底1 〇之基底主體側觀察時，包含在圖素部份中之半導體層i a之通道區域之 T F T受到覆蓋之位置上。再者，其具有一主線部份沿相對於電容線3 B之主線部份之掃瞄線3 A筆直延伸，和一突起部份’其從資料線6 a之交叉部份沿資料線6 a突出至相鄰級側（即，圖2之下方）。在第一遮光膜1 1 a之每一級（每一圖素線）中之向下突起部份之尖部重疊在資料線6 a下方，在次一級中之電容線3 b之向上突起部之尖部。使第一遮光膜1 1 a和電容線3 b互相電連接之一接觸孔1 3設置在此重疊部份。亦即，在此實施例中，第一遮光膜1 1 a在前級或後級上，經由接觸孔1 3電連接至電容線3 b。再者，在此實施例中，圖素電極9 a ，T F T，和第一遮光膜1 1 a只設置在圖素部份內。其次，參考圖3說明在液晶裝置之圖素部份內之截面圖。如圖3所示，在液晶裝置中，液晶層5 0設置在 T F T陣列基底1 〇和相對安排之相對基底2 0間。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 _ 五、發明説明（22 ) T F T陣列基底主要提供有：由透光基底或石英構成之基底主體10A; —圖素電極9 a ，一 TFT30 (電晶體元件）和一定向膜1 6，其在面對液晶層5 0之側形成在基底主體1 0A表面。相對基底2 0主要具有：由透明玻璃，石英等之透光基底構成之基底主體2 0 A ; —相對電極（共同電極）2 1和一定向膜2 2，其在面對液晶層5 0之側形成在基底主體2 0 A表面。圖素電極9 a設置在TFT陣列基底1 0之基底主體 1 0 A之表面上，在其面對液晶層5 0之側上。已施加預定定向處理，如磨擦處理等，之定向膜1 6設置在其面對液晶層5 0之側之圖素電極9 a表面上。圖素電極9 a以例如I T〇（銦錫氧化物）之透明導電膜構成。定向膜 .1 6以例如聚醯亞胺之有機薄膜構成。用以在每一圖素電極9 a上執行開關控制之圖素開關 TF T 3 0設置在鄰近每一圖素電極9 a之位置，如圖3 所示，在其面對液晶層5 0之側之基底主體1 0 A表面上〇另一方面，相對電極（即，共同電極）2 1設置在相對基底2 0之基底主體2 0 A之整個表面上，在其面對液晶層5 0之側上。已施加預定定向處理，如磨擦處理等，之定向膜2 2設置在其面對液晶層5 0之側之相對電極 2 1表面上。相對電極2 1以例如I T 0 (銦錫氧化物）之透明導電膜構成。定向膜2 2以例如聚醯亞胺之有機薄膜構成。 __—咖_—____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

510056 A7 __ B7 _ 五、發明説明（23 ) 再者’在面對液晶層5 0之側上之基底主體2 0 A表面上，如圖3所示，進一步設置第二遮光膜2 3在除了每一圖素部份之開放區域之區域中。此種在相對基底2 0側上之第二遮光膜2 3之構造可防止輸入光從相對基底2 0 進入圖像開關TFT3 0之半導體層1 a之通道區域 la’ ，和L D D (輕摻雜區）區域1 b和1 c ，藉以改善對比。如上述構成在相對基底2 0和T F T陣列基底1 0間以使圖素電極9 a和相對電極2 1設置互相相對下，液晶 (電光材料之一例）密封在由形成在兩基底之週邊邊緣間之密封構件（未顯示）所圍繞之空間中，因此，可形成液晶層（電光材料層）5 0。液晶層5 0由一種或多種混合之向列液晶之液晶所構成。在未應用來自圖素電極9 a之電場之條件下，由定向膜1 6和2 2決定預定定向狀態。密封構件由例如光硬化黏劑，熱固黏劑等黏劑構成，以互相疊層或結合T F T陣列基底1 〇和相對基底2 0在它們週邊邊緣上。以玻璃纖維或玻璃珠等構成之間隔器可混合在密封構件內，以保持介於兩基底間之距離爲預定値〇如圖3所示，第一遮光膜（遮光層）1 1 a設置在相關於每一圖素開關T F T 3 0之位置上，在面對液晶層 5 0之側上之T F T陣列基底1 〇之基底主體1 〇 A表面上。第一遮光膜1 1 a最好由單一金屬單元，合金，金屬 ———…’_ -2B-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X29<7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（24 ) 矽化物等構成，其包括至少一 T i ，C r，W ’ T a，

Mo，和Pd之一，且爲具高熔點之不透明金屬。由於第一遮光膜1 1 a由上述材料構成在T F T陣列基底1 0之基底主體1 0A表面上，因此可保護第一遮光膜1 1 a免於在形成圖素開關T F T 3 0之處理時’在執行第一遮光膜1 1 a之處理橫所執行之高溫處理之破裂或熔融。在此實施例中，第一遮光膜1 1 a如上所述形成在 T F T陣列基底1 0中。因此，可防止來自T F T陣列基底1 0之返回光等輸入至圖素開關TFT3 0之通道區域 1 a’和LDD區域1 b和1 c，且可保護當成電晶體元件之圖素開關T F T 3 0之效能免於因爲光流之產生而受到破壞。第一中間層絕緣膜（絕緣層）1 2設置在第一遮光膜 1 1 a和多數圖素開關T F T 3 0間。第一中間層絕緣膜 1 2設置以電絕緣構成圖素開關T F T 3 0之半導體層 1 a和第一遮光膜1 1 a。第一中間層絕緣膜1 2形成在基底主體1 0A之整個表面上。上述在T F T陣列基底1 0上之第一中間層絕緣膜 1 2之構造亦可使第一遮光膜1 1 a免於污染圖素開關 T F T 3 0 等。在此實施例中，第一中間層絕緣膜1 2由第一絕緣層和第二絕緣層構成，第二絕緣層部份的形成在第一絕緣層表面上’且其拋光率低於第一絕緣層。第一中間層絕緣膜 ——— ___·?7· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） — II-----1? (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（25 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2表面爲平滑的。在說明在此實施例中之電光裝置基底製造方法（T F T陣列基底1 〇之製造方法）時’會更詳細說明第一中間層絕緣膜1 2之內部構造。再者，在此實施例中’閘絕緣膜2從相對於掃瞄線 3 a之位置延伸設置，且其使用當成累積電容7 〇之介電膜。此半導體層1 a延伸設置’且其使用當成累積電容 7 0之第一累積電容電極1 f。再者’相對於它們之一部份電容線3 b使用當成累積電容7 〇之第二累積電容電極。以此，可構成累積電容7 〇 ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製詳細而言，半導體層1 a之高濃度汲極區域1 e延伸設置在資料線6 a和掃瞄線3 a下方’和相似的相對的經由絕緣膜2設置在沿掃瞄線3 a和資料線6 a延伸之電容線3 b之部份上。因此，可構成第一累積電容電極（半導體層）1 f 。特別的，當成累積電容7 〇之介電之絕緣膜 2不超過以高溫氧化形成在單晶矽層上之T F τ 3 0之閘極絕緣膜2。因此，其可爲具有高耐電壓之薄絕緣膜。因此，累積電容7 0可構造成具有相當小面積且大電容之累積電容。再者，在累積電容7 0中，由圖2和3可知，藉由相關於第一累積電容電極1 f ’經由第一中間層絕緣膜1 2 ，相對的設置第一遮光膜1 1 a當成第三累積電容電極在當成第二累積電容電極（在圖3右側上之累積電容7 0 ) 之電容線3 b相對側上，可進一步提供累積電容。亦即，在此實施例中’藉由建立雙累積電容構造，其中累積電容國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 510056 A7 B7 五、發明説明（26 ) 提供至互相面對之兩側，而第一累積電容電極1 f於其間，可進一步增加累積電容。在此實施例之液晶裝置中’此構造可改善防止顯示圖像之閃爍和過燒之功能。結果，可有效的使用超過開放區域之空間，如沿掃瞄線3 a產生之液晶之方向缺陷區域和在資料線6 a下方之區域（即，形成電容線之區域），且因此，可增加圖素電極9a之累積電容。在此實施例中，第一遮光膜1 1 a (和電連接至此之電容線3 b )乃電連接至固定電位源。因此，第一遮光膜 1 1 a和電容線3 b保持在固定電位。因此，在第一遮光膜1 1 a中之電位變化對於設置相對於第一遮光膜1 1 a 之圖素開關T F T 3 0無不良影響。再者，電容線3 b可良好的作用當成累積電容7 0之第二累積電容電極。關於它們的固定電位源方面，可使用傳送至一週邊電路（如掃瞄線驅動電路，資料線驅動電路等）以驅動在此實施例中之液晶裝置之負電源，如正電源之固定電位電源等，接地電源，和傳送至相對電極2 1之固定電位電源等。如上所述’使用用於週邊電路之電源可抵銷設置專屬電位接線或專屬外部輸入端之需要，而第一遮光膜1 1 a和電容線 3 b保持在固定電位。如圖2和3所示，除了第一遮光膜1 1 a設置在 T F T陣列基底1 〇中之構造外，此實施例設計以使第一遮光膜1 1 a經由接觸孔1 3電連接至在前級或後級上之電容線3 b。藉由採用此一構造，介於（i )第一遮光膜 ----- -9Q- 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（27 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 a和電容線3 b形成在沿圖素部份之開放區域之緣之資料線6 a之重疊下之區域，和（i i )非此區域之其它區域間之級差異，相較於當每一第一遮光膜1 1 a電連接至自我級之電容線時之例而言，是較小的。由於沿圖素部份之開放區域之源之級差異較小，因此可抑制由級差異所引起之液晶之方向缺陷。因此，可使圖素部份之開放區域更寬。接觸孔1 3形成在第一遮光膜1 1 a之突起部份，從主線部份筆直延伸突出。於此，關於接觸孔1 3之開放位置方面，當其接近邊緣時，由於應力易於散佈或因爲其它理由，因此難以發生龜裂。因此，在製造處理時，施加至第一遮光膜1 la之應力根據其接近突起部份之尖部之程度而鬆弛，和形成接觸孔（最好，根據其接近尖部幾乎至邊緣之程度）。因此，可有效的防止龜裂以改善良率。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製再者，電容線3 b和掃瞄線3 a由相同多晶矽膜製成。累積電容7 0之解驗膜和T F T 3 0之閘極絕緣膜2由相同高溫氧化膜製成。再者，TFT30之第一累積電容電極1 f ，通道形成區域1 a ’源極區域1 d，和汲極區域1 e由相同半導體層1 a構成。因此’可簡化形成在 TFT陣列基底1 0之基以主體1 〇A之表面上之疊層構造。再者，電容線3 b和掃瞄線3 a可藉由相薄膜形成處理而同時形成，和閘極絕緣膜2和累積電容7 0之介電膜可藉由在後述液晶裝置之製造方法中相同薄膜形成處理而同時形成。 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!〇X297公釐） 510056 A7 B7 五、發明説明（28 ) 再者，如圖2所示，第一遮光膜1 1 a分別沿掃瞄線 3 a延伸，和進一步分成多條在沿資料線6 a之方向。因此，相較於整合形成環繞每一圖素部份之開放區域之柵形遮光膜之構造例而言，在由第一遮光膜1 1 a ，構成掃瞄線3 a和電容線3 b之多晶矽膜，構成資料線6 a之金屬膜，和中間層絕緣膜等之此實施例之液晶裝置之疊層構造中，在製造處理時，由加熱和冷卻操作所引起導因於介於相關膜之物理特性間之差異而引起之應力可受到極度抑制。於此，可防止在第一遮光膜1 1 a上感應到龜裂，且因此可改善良率。藉此，在圖2中，形成第一遮光膜1 1 a之筆直主線部份以實質和電容線3 b之筆直主線部份重疊。但是，只要第一遮光膜1 1 a設置在覆蓋TFT3 0之通道區域之位置上且在任意位置重疊電容線3 b以形成接觸孔1 3時，第一遮光膜1 1 a可具有對TFT3 0遮蔽光之功能，和降低電容線之電阻之功能。因此，第一遮光膜1 1 a可設置在介於互相相鄰之掃瞄線3 a和電容線3 b間沿掃瞄線3 a之縱向間隙中，或甚至在和掃瞄線3 a些微重疊之位置上。電容線3 b和第一遮光膜1 1 a經由在第一中間層絕緣膜1 2中形成之接觸孔1 3在確保高度可靠條件下而互相電連接。但是，此一接觸孔1 3亦可製造以用於每一圖素，或製造以用於構成多數圖素之每一圖素群。如果接觸孔1 3製造用於每一圖素時，可經由第一遮 -31 —— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •^^1. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 _^_ 五、發明説明（29 ) 光膜1 1 a而促進電容線3 b之電阻之下降，和進一步可增加介於它們間之冗餘構造之程度。另一方面’如果接觸孔1 3製造以用於構成多數圖素之圖素群時（例如，用於兩或三個圖素時），在考量電容線3 b和第一遮光膜 1 1 a之片電阻，驅動頻率，和所需規格等下，可保持介於（i )導因於經由第一遮光膜1 1 a之冗餘構造和在電容線3 b之電阻之下降之優點和（i i )導因於因爲形成多數接觸孔1 3之複雜製造方法或液晶裝置之缺陷等缺點間之調制平衡。因此，其非常有益於實際應用。如上所述，設置用於每一圖素或用於每一圖素群之接觸孔1 3當從相對基底2 0側觀察時乃設置在資料線6 a 下方。因此，接觸孔1 3設置在圖素部份之開放區域外， .和進一步設置在未形成T F T 3 0和第一累積電容電極 1 f之第一中間層絕緣膜1 2之部份上。因爲形成有接觸孔1 3，因此可保護T F T 3 0，和其它接線等免於受到破壞，和達成圖素部份之有效使用。再者，如圖3所示，圖素開關TFT 3 0具有LDD (輕摻雜汲極）構造，且其提供有：掃瞄線3 a ;半導體層1 a之通道區域1 a ’ ，其中通道由來自掃瞄線3 a之電場所形成；閘極絕緣膜2用以在掃瞄線3 a和半導體層 1 a間絕緣；資料線6 a ;半導體層1 a之低濃度源極區域（源極側L D D區域）1 b和低濃度汲極區域（汲極側 L D D區域）1 c ;半導體層1 a之高濃度源極區域1 d 和高濃度汲極區域1 e。 ___-32-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 __ B7 _ 五、發明説明（30) 在多數圖素電極9 a中之相關圖素電極9 a連接至高濃度汲極區域1 e。源極區域1 b和1 d和汲極區域1 c 和1 e藉由摻雜以具有預定濃度之N型或P型摻雜劑，根據N型或P型通道之形成而形成在半導體層1 a上，如後所述。N型通道之T F T具有之優點爲其操作速度快，且其使用在許多例中當成圖素開關T F T 3 0之圖素開關元件。資料線6 a由具有遮光特性之薄膜所構成，如A 1之金屬膜，金屬矽化物之合金膜等。再者，第二中間層絕緣膜4，其中分別形成連接至高濃度源極區域1 d之接觸孔 5和連接至高濃度汲極區域1 e之接觸孔8，乃形成在掃瞄線3 a ，閘極絕緣膜2和第一中間層絕緣膜1 2上。資料線6 a經由接觸孔5電連接至高濃度源極區域Γ d。再者，第三中間層絕緣膜7，其中形成有至高濃度汲極區域1 e之接觸孔8，乃形成在資料線6 a和第二中間層絕緣膜4上。圖素電極9 a經由至高濃度汲極區域1 e 之接觸孔8而電連接至高濃度汲極區域1 e。上述之圖素電極9 a設置在具有上述構造之第三中間層絕緣膜7之表面上。藉此，圖素電極9 a和高濃度汲極區域1 e可經由和資料線6 a相同之A 1膜或和掃瞄線3 b相同之多晶矽膜而互相電連接。圖素開關TF T 3 0最好具有上述之LDD構造。但是，其可具有偏置構造，其中雜質離子未植入低濃度源極區域1 b和低濃度汲極區域1 c，或可爲自我對準型 ________________:…-_ ___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —II-----—mr, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T -線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 _五、發明説明（31 ) T F T，其中雜質離子以閘電極（掃瞄線3 a )當成光罩而以高濃度植入，而後以自我對準方式形成高濃度源極和汲極區域。再者，使用單晶構造，其中圖素開關T F T 3 0之一閘電極（掃瞄線3 a )設置在源極和汲極區域1 b和1 e 間。但是，亦可在它們間設置兩或多個閘電極。此時，設計以施加相同訊號至每一閘電極。如果T F T以此方式由兩，三，或多閘極構成時，可防止在通道和每一源極和汲極區域間之接面上之漏電流，和可降低在關閉時間上之電流。如果雙，三，或多數閘電極之至少一者具有L D D構造或偏置構造時，可進一步降低在關閉時間上之電流，藉以達成穩定的開關元件。於此，典型的，在構成半導體層1 a之通道區域 la’ ，低濃度源極區域1 b和低濃度汲極區域1 c之單晶矽層中，當光輸入時，由矽之光電轉換效果感應光流，和如此導致對圖素開關T F T 3 0之電晶體效能之損壞。但是，在此實施例中，資料線6 a由具有遮光特性之金屬膜如鋁所構成，以從上方覆蓋掃瞄線3 a。因此，至少可防止入射光輸入至半導體層1 a之通道區域1 a’和 LDD區域lb和lc。如上所述，第一遮光膜1 1 a設置在圖素開關 T f T 3 0之下側（即在基底主體1 0 A之側上）。因此，至少可防止返回光輸入至半導體層1 a之通道區域 1 a ’和L D D區域1 b和1 c。....................................-— ’___-34-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -^^1. 訂，線· 510056 A7 B7 五、發明説明（32 ) 藉此，在此實施例中，第一遮光膜1 1 a和電容線 3 b，其設置用於在前級和後級上互相相鄰之圖素，乃互相連接。因此，需要電容線3 b以傳送固定電位至第一遮光膜1 1 a ，以用於位在頂級或底級上之圖素。因此，關於電容線3 b之數目方面，建議提供比垂直圖素數目多一條預備線。 (電光裝置之製造方法）以下參考圖4至1 1說明具有上述構造之液晶裝置之製造方法。首先，在此實施例中，根據圖4至圖1 1，TF 丁陣列基底1 0之製造方法說明當成電光裝置基底之製造方法。圖4，圖5，和圖6至11以互相不同之尺寸表示。首先，參考圖4和5詳細說明在T F T陣列基底1 〇之基底主體1 0A上形成第一遮光膜（遮光層）1 1 a和第一中間層絕緣膜1 2之步驟。圖4和5爲在相關步驟中之T F T陣列基底之一部份之步驟圖，其相當於圖2之A 一 A ’部份，和圖3相似。首先，準備如石英基底，硬玻璃等基底體（透光基底 )1 0 A。而後，需要執行預先處理，藉由執行在基底主體1 0 A上之退火處理，最好在惰性氣體下，如N 2等，在約8 5 0至1 3 0 0 °C，最好爲1 〇〇〇 °C之高溫下，以抑制在後續執行之高溫處理中感應在基以主體1 0 A上之扭曲。亦即，在考量在製造步驟中之處理诗之最高溫度， -—~__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 Μ Β7 五、發明説明（33 ) 最好執行在基底主體1 0 A上之熱處理，以等於或高於最高溫度之溫度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 單一金屬單元，合金’金屬矽化物等，其包括至少一 T i ，Cr ，W，Ta ，Mo ’和Pd之一，乃設置在經上述處理之基底主體1 0 A之整個表面上，藉由使用如圖 4 ( a )所示之濺鍍法，C V D法’電子束加熱沉積法等。而後，它們沉積約1 5 0至2 0 〇 nm之膜厚度。因此 ’可形成遮光層1 1。其次，在光阻物形成在基底主體1 0 A之整個表面上後，具有最後形成之第一遮光膜1 1 a之圖樣（參考圖2 )之光罩乃使用以曝露該光阻物。而後，顯影該光阻物以形成具有最後形成之第一遮光膜1 1 a之光阻物2 0 7， .如圖4 ( b )所示。在本實施例中，由於第一遮光膜1 1 a形成在電晶體元件之形成區域（圖素部份）中，光阻物2 0 7只形成在電晶體元件之形成區域內。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而後，以光阻物2 0 7當成光罩，蝕刻遮光層1 1。而後，光阻物2 0 7之條紋使具有預定圖樣（參考圖2 ) 之第一遮光膜（遮光層）1 1 a只形成在電晶體元件之形成區域中（圖素部份），在基底主體10A之表面上，如圖4 ( c )所示。第一遮光膜1 1 a之膜厚度爲例如 150至20〇11111。如圖5 ( a )所示，第一絕緣膜1 2 A形成在基底主體1 0 A表面上，其上已藉由濺鍍法或C V D法等形成第 ______Ί_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 29<7公釐） 510056 A7 __ B7 __ 五、發明説明（34) 一遮光膜1 1 a。關於第一絕緣層1 2 A之材料方面，可使用氧化矽或高絕緣玻璃如N S G (非摻雜矽玻璃）， P S G (磷矽鹽玻璃），B S G (硼矽鹽玻璃）， BPSG (硼磷矽鹽玻璃）等。再者，第一絕緣層12A 之膜厚度設定爲至少比第一遮光膜1 1 a厚，且約爲 400 至 l〇〇〇nm，最好爲 800nm。如圖5 ( b )所示拋光率低於（難以拋光）第一絕緣層1 2 A之第二絕緣層1 2 B藉由使用濺鍍法，C V D法等形成在第一絕緣層1 2 A表面上。如果第一絕緣層 1 2 A以氧化矽製成時，可使用氮化矽當成第二絕緣層 1 2 B之材料，其拋光率低於第一絕緣層1 2 A。氮化矽之拋光率約爲氧化矽之拋光率之1 / 3至1 / 5。第二絕緣層1 2 B之膜厚度根據介於第一和第二絕緣層1 2 A和1 2 B間之拋光率差異而決定。其設定爲在後續拋光步驟中可實質抑制過度拋光操作之厚度，如約5 0 至 1 5 0 n m。如圖5 ( b )所示，在形成第二絕緣層1 2 B後之基底主體1 0 A表面在電晶體元件之形成區域中爲凹和凸的。電晶體元件之非形成區域爲平凹的。其次，形成有第二絕緣層1 2 B之基底主體1 0 A表面藉由使用如C Μ P (化學機械拋光）法等拋光而形成。在此步驟中，凸部份只形成在電晶體元件之形成區域中。因此，在電晶體元件形成區域中，拋光率是低的，和拋光速度相當慢。但是，在凸表面上之第二絕緣層1 2 Β ——___-37-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）丨丨：-----1? (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（35 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 受到拋光。在凸部份上之第二絕緣層1 2 B移除後’凸部份由拋光率較低之第一絕緣層1 2 A所構成。因此’在此區域中可增進凸部份之拋光程度。此時，凹表面由拋光率低於凸部份之拋光率之第二絕緣層1 2 B構成。因此’可保護凹表面免於受到拋光，且因此可只拋光凸部份。當凸部份降低且拋光深度到達在電晶體元件之形成區域和非形成區域中之凹表面上之第二絕緣層1 2 B之高度時，由拋光率較低之第二絕緣層1 2 B所佔據之面積增加，和在基底主體10A表面上之拋光速度下降，如圖5 ( c )所示。因此，此時拋光操作之停止使形成第一中間層絕緣膜（絕緣層）1 2，其表面爲平坦的，且其由第一絕緣層1 2 A和部份形成在第一絕緣層1 2 A上且拋光率低於第一絕緣層1 2 A之第二絕緣層1 2 B構成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製藉此，在此步驟中，在電晶體元件之形成區域和非形成區域中，在凹表面上之第二絕緣層1 2 B無法完全拋光 ’或可些微拋光且因此變薄。此拋光操作至少進行以使第一絕緣層1 2 A不曝露在電晶體元件之形成區域和非形成區域中之凹表面上。以下參考圖6至1 1說明從已形成有平坦表面之第一中間層絕緣膜1 2之基底主體1 〇 A製造T F T陣列基底 1 0之方法。圖6至1 1爲在相關步驟中，T F T陣列基底之一部份之步驟圖，其和圖3相似，且相當於圖2之a 一 A ’部份。再者，圖6 ( a )以不同尺寸顯示一部份圖5 ( c ) ------ _ - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格公釐） '一^ - 510056 A7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（36) 。再者，在圖6至1 1中’爲簡化起見，省略構成第一中間層絕緣膜1 2之第一和第二絕緣層1 2 A和1 2 B之說明。如圖6 ( b )所示，單晶矽基底2 0 6 a和已形成具有平坦表面之第一中間層絕緣膜（絕緣層）1 2之基底主體1 0 A疊層。使用以疊層之單晶矽基底2 0 6 a之厚度爲例如 6 0 0 。氧化膜層2 0 6 b形成在單晶矽基底 2 0 6 a表面上，在其面對基底主體1 0A之側疊層’和以10 OKeV之加速電壓和1 0xl016/cm2之劑量植入氫離子（ H + )。藉由氧化單晶矽基底2 0 6 a表面約 0 · 05至0 · 8//m可形成氧化膜層206b。疊層步驟可使用如直接疊層兩基底之方法，如藉由執行熱處理在3 0 0 °C下兩小時。再者，爲了進一步增加疊層強度，需要進一步增加熱處理溫度至約4 5 0 °C。但是，在單晶矽基底2 0 6 a和以石英等製成之基底主體 1 0 A間有相當大的熱膨脹係數差異。因此，如果加熱時，會在單晶矽層中帶來如龜裂之缺點，而導致在所製造之 T F T陣列基底1 〇中有受到破壞之疑慮。爲了抑制發生如上述龜裂等缺點，最好能藉由濕蝕刻或C Μ P操作，而後執行更高溫度之熱處理，而降低單晶矽基底2 0 6 a (其已施加有用於疊層之3 0 0 熱處理 )之厚度至約1 0 〇至1 5 0 μ m。例如，最好使用 8 0 °C之K〇Η水溶液以執行蝕刻操作，因此，單晶矽基本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公瘦） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -^1. 訂線 510056 A7 B7 五、發明説明（37 ) 底2 〇 6 a之厚度變成1 5 0 //m，和而後疊層單晶5夕基底2 〇 6 a和基底主體1 〇A，和再度執行進一步熱處理在4 5 〇 t：，藉以增加疊層強度。

如圖6 ( c )所示，執行熱處理以從基底主體1 〇 A 剝除單晶矽基底2 0 6 a ，而留下單晶矽層2 0 6和氧化膜2 0 6 b在疊層單晶矽基底2 0 6 a之疊層側上。由於在接近單晶矽基底2 0 6 a表面之層中之矽之結合因爲氫離子植入單晶矽基底2 0 6 a而分離，因此會導致基底之剝離現象。藉由以每分鐘上升2 0°C之溫度上升加熱兩疊層至 6 0 0 °C，可完成此熱處理。此熱處理使疊層單晶矽基底 2 0 6 a從基底主體1 〇 A分離。因此，約2 0 0 nm±5 nm之單晶矽層2 0 6形成在基底主體1 〇 A表面上。藉由改變施加至單晶矽基底2 〇 6 a之氫離子植入之加速電壓’可形成膜厚度5 0 nm至3 0 0 0 nm之單晶矽層 2 0 6° 此外，藉由以和上述不同之方法，亦可獲得膜厚度降低之單晶矽層2 0 6。亦即，可藉由拋光單晶矽基底表面以降低其膜厚度至3至5 #ιπ之方法’和進一^步藉由使用 P A C Ε (電漿輔助化學蝕刻）法蝕刻其膜厚度至約 0 ·0 5至0· 8 // in而後將其完成以獲得，或亦可藉由 E L T R A N (磊晶層傳送）法以藉由纖維矽層之選擇性飩刻而傳送形成在纖維矽上之之磊晶矽層至一疊層基底而得。 _______ -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（38 ) 其次，如圖6 ( d )所示，具有如圖2所示預定圖樣之半導體層1 a藉由光微顯影步驟，蝕刻步驟等而形成。亦即，特別的，從構成圖素開關T F T 3 0之半導體層 1 a延伸之第一累積電容電極1 f形成在沿掃瞄線3 a形成之電容線3 b之區域和電容線3 b形成在資料線6 a下方之區域。如圖6 ( e )所示，第一累積電容電極1 f和構成圖素開關T F T 3 0之半導體層1 a —起在8 5 0至 1 3 0 0 °C之溫度上熱氧化，且最好爲約1 〇〇〇它，約 7 2分鐘。因此，可形成熱氧化矽膜，其具有相當薄之厚度約爲6 0 n m，和用於電容形成之閘極絕緣膜2和圖素開關T F T 3 0之閘極絕緣膜2 —起形成。結果，半導體層1 a和第一累積電容電極1 f之厚度爲約3 0至1 7 0 n m，和閘極絕緣膜2之厚度約爲6 0 n m。如圖7 ( a )所示，一阻止膜3 0 1形成在相關於N 通道型之半導體層1 a之區域中，和第V族元素之摻雜劑，如磷等，以低濃度（如P離子在7 0 K e V之加速電壓和2 XI O^/cm2之劑量）摻雜在P通道型半導體層 1 a上。如圖7 ( b )所示，一阻止膜形成在相關於P通道型之半導體層1 a之區域中（未顯示），和第I I I族元素之摻雜劑3 0 3，如硼等，以低濃度（如B離子在 3 5 K e V之加速電壓和1 X 1 〇 1 2 / c m 2之劑量）摻雜在N通道型半導體層1 a上。 -：_________ -41 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) P.

、1T 線本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 510056 A7 B7 五、發明説明（39) 如圖7 ( c )所示’一阻止膜3 0 5形成在除了用於每一 P通道和N通道之半導體層1 a之通道區域1 a’端外之基底1 0表面上。而後’關於P通道方面，第V族元素之摻雜劑3 0 6，如P等’以等於約如圖7 ( a )所示之步驟中之一至十倍之劑量摻雜。關於N通道方面，第 I I I族元素之摻雜劑3 0 6 ’如B等，以等於約如圖7 (b )所示之步驟中之一至十倍之劑量摻雜。如圖7 (d)所示’爲了降低由半導體層1 a延伸所構成之第一累積電容電極If之電阻，一阻止膜307( 其寬度比掃瞄線3 a寬）形成在基底主體1 〇 A表面上相關於掃瞄線3 a (閘電極）之部份。而後，以其當成光罩，第V族元素之摻雜劑3 0 8，如P等，以低濃度（如P 離子在70KeV之加速電壓和3xl014/cm2之劑量 )從上方摻雜。其次，如圖8 (a)所示，連接至第一遮光膜11 a 之接觸孔1 3藉由使用一乾鈾刻，如一反應飩刻，一反應離子束蝕刻，或濕蝕刻等形成在第一中間層絕緣膜1 2上。此時，藉由各向異性蝕刻，如反應蝕刻或反應離子束蝕刻而形成接觸孔1 3之方法提供了開孔之形狀可實質等於光罩之優點。但是，如果這些孔藉由使用乾蝕刻和濕蝕刻結合而形成時，接觸孔1 3會漸尖，如此可提供保護接線免於在接線連接時斷開之優點。如圖8 ( b )所示，在多晶矽層3以解壓縮C V D法等而沉積3 5 0 n m厚後，磷（P )熱擴散以使多晶矽膜 ——_ __4?___ 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^^1.

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（40 ) 3導電。或者，和多晶矽膜3之膜形成同時植入p離子之摻雜矽膜可使用以改善多晶矽層3之導電性質。如圖8 ( c )所示，藉由光微顯影步驟使用阻止光罩 ’和餓刻步驟等，電容線3 b和具有如圖2所示預定圖樣之掃瞄線3 a —起形成。而後，留在基底主體1 0 A背面之多晶矽藉由以阻止膜覆蓋基底主體1 0 A表面而飩刻和移除。如圖8 (d)所示，爲了形成在半導體層中之P通道之LDD區域，相關於N通道之半導體層1 a之區域覆蓋以阻止膜3 0 9。而後，以掃瞄線3 a (閘電極）當成擴散光罩，第I I I族元素之摻雜劑3 1 0，如B等，首先以低濃度（如B F 2離子在9 0 K e V之加速電壓和3 X 1 0 1 3 / c m 2之劑量）摻雜。因此，可形成用於P通道之低濃度源極區域1 b和低濃度汲極區域1 c。而後，如圖8 (e)所示，爲了在半導體層la中形成用於P通道之高濃度源極區域1 d和高濃度汲極區域 1 e ，在相關於N通道之半導體層1 a之區域覆蓋以阻止膜3 0 9之條件，和雖然未顯示，一阻止層形成在相關於 P通道之掃瞄線3 a上，以一光罩具有寬度寬於掃瞄線 3 a之寬度之條件下，第I I I族元素之摻雜劑3 1 1 ，如B等，相似的以高濃度（如B F 2離子在9 0 K e V之加速電壓和2xl015/cm2之劑量）摻雜。其次，如圖9 (a)所示，爲了形成在半導體層la 中之N通道之LDD區域，相關於p通道之半導體層1 a 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -- ,τ Γ 510056 A7 B7 五、發明説明（41 ) 之區域覆蓋以阻止膜（未顯示）。而後，以掃瞄線3 a ( 閘電極）當成擴散光罩，第V族元素之摻雜劑6 0 ’如P 等，以低濃度（如P離子在7 0 K e V之加速電壓和6 X 1 012/cm2之劑量）摻雜。因此，可形成用於N通道之低濃度源極區域1 b和低濃度汲極區域1 c。而後，如圖9 ( b )所示，爲了在半導體層1 a中形成用於N通道之高濃度源極區域1 d和高濃度汲極區域 1 e ，在一阻止物6 2形成在相關於N通道之掃瞄線3 a 上後，以一光罩具有寬度寬於掃瞄線3 a之寬度之條件下，第V族元素之摻雜劑6 1，如P等’相似的以高濃度（如P離子在7〇KeV之加速電壓和4x1015/cm2之劑量）摻雜。其次，如圖9 ( c )所示，爲了一起覆蓋電容線3 b 和掃瞄線3 a和在圖素開關T F T 3 0中之掃瞄線3 a ，使用如一正常壓力或解壓縮C V D法；和T E 0 S氣體等以形成由矽石玻璃，如NSG，PSG，BSG， B P S G等，氮化砂膜，和氧化矽膜等構成之第二中間層絕緣膜4。第二中間層絕緣膜4之膜厚度最好爲5 0 0至 1500nm，且更好爲800nm。而後，執行約8 5 0 °C之退火約2 0分鐘以活化高濃度源極區域1 d和高濃度汲極區域1 e。如圖9 ( d )所示，至資料線3 1之接觸孔5以乾蝕刻，如反應蝕刻，反應離子束鈾刻等，或濕蝕刻形成。再者，掃瞄線3 a和電容線3 b所經由連接至接線（未顯不 -44 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1. 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（42) )之接觸孔藉由和接觸孔5相同的步驟形成在第一中間層絕緣膜4中。其次，如圖1 0 ( a )所示，具有遮光特性之低電阻金屬，如A 1等，和金屬矽化物等，乃藉由使用濺鍍法等沉積約100至700nm，最好爲35〇nm在第一中間層絕緣膜4上，當成金屬膜6。再者’如圖1 0 ( b ) 所示，藉由使用光微顯影步驟，蝕刻步驟等’形成資料線 6 a 〇如圖1 0 ( c )所示，爲了覆蓋資料線6 a ’使用正常壓力或解壓縮CVD法，使用TEOS氣體等以形成第三中間層絕緣膜7，其由矽石玻璃，如N s G ’ P S G， B S G，B P S G等，氮化矽膜，和氧化矽膜等構成。第三中間層絕緣膜7之膜厚度最好爲5 0 0至1 5 0 0 n m ，且更好爲800nm。其次，如圖1 1 (a)所示，圖素電極9 a和局濃度汲極區域1 e在圖素開關T F T 3 0中互相電連接之接觸孔8藉由使用乾蝕刻，如反應蝕刻，反應離子鈾刻等形成〇如圖1 1 ( b )所示，透明導電膜9 ，如I τ 0等，乃藉由使用濺鍍處理等沉積厚度約5 0至2 0 0 n m在第三中間層絕緣膜7上。再者’如圖1 1 ( c )所示，藉由使用光微顯影步驟，蝕刻步驟等形成圖素電極9 a。如果在此實施例中之液晶裝置爲反射型液晶裝置時，圖素電極 9 a可以具有高反射率之不透明材料，如A丨等製成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 510056 A7 _____ B7 五、發明説明（43) 而後，在用於聚醯亞胺系統之定向膜之塗覆溶液塗覆在圖素電極9 a上後，在預定方向上執行磨擦處理以提供一預定預傾角。因此，可形成定向膜1 6 (參考圖1 3 ) 〇依照在此實施例之電光裝置基底之製造方法，第一遮光膜（遮光層）1 1 a只形成在電晶體元件之形成區域（圖素部份）中，在基底主體（透光基底）1 0A表面上。而後，第一絕緣層1 2 A和拋光率低於第一絕緣層1 2 A 之第二絕緣層1 2 B循序的疊層在基底主體1 〇 A表面上，其上已形成第一遮光膜1 1 a。而後，拋光基底主體 1 0 A表面藉以形成表面已平坦之第一中間層絕緣膜（絕緣層）1 2。因此，在介於第一中間層絕緣膜（絕緣層） 1 2和單晶矽層2 0 6間之疊層中難以導致空洞之形成。因此，可避免損壞T F T (電晶體元件）3 0之效能。再者，介於第一中間層絕緣膜1 2和單晶矽層2 0 6 間之疊層強度可保留，藉以防止如膜條紋等感應在形成 T F T (電晶體元件）3 0之步驟中。因此，可改善產品之良率。以下說明相對基底2 0之製造方法和從T F T陣列基底1 0和相對基底2 0製造液晶裝置之方法。關於如圖3所示之相對基底2 0，準備如玻璃基底等之透光基底當成基底主體2 0A。而後，第二遮光膜2 3 和當成週邊區分之第二遮光膜形成在基底主體2 0 A表面上。第二遮光膜2 3和當成週邊區分之第二遮光膜，在濺 _______4fi__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210 x 297公釐1 " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 0—· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（44) 鍍如C r ，N i ，A 1等金屬材料後，以光微顯影步驟和飩刻步驟等形成。除了上述金屬材料外，第二遮光膜亦可以如樹脂黑（其中碳，T i等散佈在光阻物中）之材料製成。而後，藉由使用如濺鍍法等，如Γ T 0等之透明導電薄S旲丨几積厚度約爲5 0至2 0 0 nm在基底主體2 0 A之整個表面上。再者，在用於聚醯亞胺之定向膜之塗覆溶液塗覆在相對電極2 1之整個表面上後，藉由執行在預定方向之磨擦處理而形成定向膜22 (參考圖3)，以提供預定預傾角。因此，如上述可形成相對基底2 0。最後，如上所述製造之相對基底2 0和T F T陣列基底1 0經由密封構件疊層或結合，以使定向膜1 6和2 2 互相相對。而後，以例如混合多數向列液晶而構成之液晶藉由使用真空吸附法等吸附至介於兩基底間之空間。因此 ’具有預定厚度之液晶層5 0形成以用於製造具有上述構造之液晶裝置。 (液晶裝置之整體構成）以下參考圖1 2和1 3說明具有上述構造之此實施例之液晶裝置之整體構成。圖1 2爲當從相對基底2 0側觀察之T F T陣列基底1 〇之平面圖，和圖1 3爲沿圖1 2 t H - Η ’線所截取之截面圖，包括相對基底2 0。在圖1 2中，密封構件5 2沿T F Τ陣列基底1 〇表面設置。如圖1 3所示，具有實質等於如圖1 2所示之密 -:~^--- --47- _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（45 ) 封構件5 2之輪廓之相對基底2 0以密封構件黏著至 T F T陣列基底1 〇。如圖1 2所示，當成以和第二遮光膜2 3相同材料製成之週邊部份之第二遮光膜5 3平行於密封構件5 2 & pg 側週邊設置在相對基底2 0表面上。第二遮光膜5 3亦司* 以和第二遮光膜2 3不同的材料製成。在T F Τ陣列基底1 0中，資料線驅動電路1 〇 1和一安裝端1 0 2沿T F Τ陣列基底1 〇之側安裝在密封構件5 2之外側區域中。一掃瞄線驅動電路1 0 4沿與上述側相鄰之兩側安裝。如果送至掃瞄線3 a之掃瞄訊號之延

遲無不良影響時，可只安裝掃瞄線驅動電路1 0 4在一個J 〇再者，資料線驅動電路1 0 1亦可安裝在沿顯示區域 (圖素部份）側之兩側上。例如，奇數列之資料線6 a亦可設計以從沿顯示區域一側安裝之資料線驅動電路傳送視頻訊號，和偶數列之資料線6 a亦可設計以從沿顯示區域另一側安裝之資料線驅動電路傳送視頻訊號。如果資料線 6 a以上述梳齒方式驅動時，由資料線驅動電路所佔據之面積可擴展，藉以設計一複雜電路。再者，用於在安裝在顯示區域兩側上之掃瞄線驅動電路1 0 4間連接之多數接線1 〇 5安裝在T F T陣列基底 1 0之剩餘側。再者’一預充電電路可隱藏的安裝在’當成週邊部份之第二遮光膜5 3下方。再者，用以提供介於 T F T陣列基底1 0和相對基底2 0間之電導性之導電材 ................. -4R- 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 _____B7 五、發明説明（46) 料1 0 6安裝在介於T F τ陣列基底i 〇和相對基底2 〇間之角落之至少一部份上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在製造方法或在船運時用以檢查液晶裝置之品質和缺陷等之檢查電路可進一步形成在T F T陣列基底1 〇表面上。除了安裝資料線驅動電路1 〇 1和掃瞄線驅動電路 1 0 4在T F T陣列基底1 〇表面上外，它們亦可經由設置在TFT陣列基底1 〇之週邊區域中之各向異性導電膜 ’如安裝在TAB (帶自動結合基底）上之驅動LSI ，而電和機械連接。一偏光膜，一相位差異膜，和一偏光單元等乃設置在預定方向’在相對基底2 0之光輸入至之相對基底側上，和光所輸出之T F T陣列基底1 〇側上，根據操作模式， .如T N (扭曲向列）模式，s T N (超T N )模式，D — STN (雙掃瞄一 STN)模式等，或一般白色模式/一般黑色模式等。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如果在此實施例中之液晶裝置應用至彩色液晶投影器時（當成投影型顯示裝置之一例），三個液晶裝置分別使用當成用於R G B之光閥。從用於分解相關R G B顏色之分色鏡分解之相關顏色光當成投影光分別輸入至相關板。因此，在此例中，濾色器未設置在相對基底2 0上，如上述實施例所述。但是，在側面面對液晶層5 0之相對基底2 0中之基底主體2 0A表面上，RGB濾色器和其保護膜一起形成在相對於未形成有第二遮光膜2 3之圖素電極9 a之預定 ______-4Q-__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 510056 A7 B7 __ 五、發明説明（47 ) 區域中。此種構造使在上述實施例中之液晶裝置可應用至彩色液晶裝置，如非液晶投影器之直接觀看型或反射型彩色液晶電視等。再者，可在相對基底2 0表面上構成微透鏡以一對一關係對應圖素。藉由使用此種構造，可改善入射光之集光效率，藉以獲得明亮液晶裝置。再者，反射係數互相不同之數個干擾層設置在相對基底2 0表面上’因此可構成藉由光之干擾形成R G B彩色之分色器。此具有分色器之相對基底可達成更明亮液晶裝置。藉此，和習知技藝相似的，在此實施例中之液晶裝置設計以從相對基底2 0側輸入入射光。但是，由於其構造成在TFT陣列基底1 0中具有第一遮光膜1 1 a ，其可設計從T F T陣列基底1 0輸入入射光和而後從相對基底 2 0側輸出光。亦即，即使液晶裝置以此方式安裝在液晶投影器中，亦可防止光輸入至半導體層1 a之通道區域 1 a ’和L D D區域1 b和1 c，藉以顯示高品質圖像。習知的，爲了防止在T F T陣列基底1 0背側上之反射，需要分離的安裝一偏光裝置，其上塗覆有用於防止反射之A R (抗反射）膜，或黏著A R膜。但是’在此實施例中，第一遮光膜1 1 a至少形成在介於T F T陣列基底 10表面和半導體層la之通道區域la’和LDD區域 1 b和1 c間。因此’無需使用AR塗覆裝置或AR膜，或使用在T F T陣列基底1 0本身上應用A R處理之基底〇 _______ _ F；n -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（48 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此’依照上述實施例，可降低材料之成本，且當黏著偏光單元時，良率不會因灰塵，裂痕等而下降。因此，此種構造非常有效。再者，其光阻特性相當良好。因此，即使使用一明亮光源或使用一偏光束***器執行偏光轉換以改善光使用效率時，亦難以在圖像品質上發生由光所引起之如串音之缺點。再者’在此實施例中之液晶裝置具有由此實施例之電光裝置基底製造方法所製造之TFT陣列基底（電光裝置基底）1 0。因此，在介於第一中間層絕緣膜（絕緣層） 1 2和單晶矽層2 0 6間之疊層邊界上幾乎無空洞。介於第一中間層絕緣膜（絕緣層）1 2和單晶矽層2 0 6間之疊層強度相當強。因此，在T F T (電晶體元件）3 0之性質上幾乎無變化和缺陷。因此，其效能相當優異。 I I ·第二實施例 (電光裝置基底之製造方法）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以下說明T F T陣列基底之製造方法當成依照本發明之第二實施例之電光裝置基底之製造方法。在此實施例之電光裝置基底之製造方法和在第一實施例中之電光裝置基底之製造方法之差異僅在於第一遮光膜之形成區域和第一中間層絕緣膜之製造方法。因此，於此只參考圖1 4和1 5說明直到第一中間層絕緣膜形成在T F T陣列基底之基底主體表面上之步驟。圖1 4和1 5爲對應於第一實施例之圖4和圖5之圖。在 _—----_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（49) 圖1 5和圖1 5後之製造步驟，亦即，在形成第一中間層絕緣膜後之步驟乃和在第一實施例之圖6至圖1 1相同。再者，在圖1 4和1 5中，和第一實施例相同的構成兀件以相同參考數字表示，因此省略其說明.。在此實施例中，所說明之例爲非定圖樣第一遮光膜（遮光層）形成在電晶體元件之非形成區域和電晶體元件之形成區域中。在此實施例中，電晶體元件之非形成區域實際意涵塗覆有疊層相對基底之密封構件之一密封區域，用以驅動資料線和掃瞄線之驅動電路之週邊部份，和形成輸入輸出訊號線連接之連接端之端墊區域等。它們存在於電晶體元件之形成區域（圖素部份）之週邊區域上。如圖1 4 ( a )所示，和第一實施例相似的，具有預定圖樣之第一遮光膜（遮光層）1 1 a形成在T F T陣列基底1 0之基底主體1 0A表面上。在此實施例中，具有預定圖樣（參考圖2)之第一遮光膜（遮光層）1 1 a形成在電晶體元件之形成區域中，和非定圖樣第一遮光膜（絕緣層）1 1 a形成在電晶體元件之非形成區域中。第一遮光膜1 1 a之厚度約爲1 50至200nm。如圖1 4 ( b )所示，和第一實施例相似的，第一絕緣層1 2 A形成在已形成第一遮光膜（絕緣層）1 1 a之基底主體1 0 A表面上。第一絕緣層1 2 A之膜厚度設定爲至少比第一遮光膜厚。例如，其設定爲約4 0 0至 lOOOnm，最好爲800nm。 --------R9-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) P. 訂線 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____ B7五、發明説明（50 ) 如圖1 4 ( C )所示，和第一實施例相似的，拋光率低於第一絕緣層1 2 A之第二絕緣層1 2 B乃形成在第一絕緣層1 2 A表面上。第二絕緣層1 2 B之膜厚度根據與在後續步驟中形成之第三絕緣層1 2 C之拋光率差異而決定，且設定之厚度爲在後續拋光步驟中可防止過度拋光之厚度，其約爲50至150nm。其次’如圖1 5 ( a )所示，藉由濺鍍法和c V D法等，形成拋光率高於第二絕緣層1 2 B之第三絕緣層 1 2 C在第二絕緣層1 2 B表面上。第三絕緣層1 2 C之膜厚度設定爲至少高於已形成第二絕緣層1 2 B之基底主體1 0 A表面上形成之級差異之高度。亦即，第三絕緣層 1 2 C之膜厚度設定至少厚於第一遮光膜1 1 a。例如， .其設定約爲3 0 0 n m。氧化矽可爲第一絕緣層1 2 A和第三絕緣層1 2 C之材料例。氮化矽可爲第二絕緣層1 2 B之材料例，其拋光率低於第一絕緣層1 2 A和第三絕緣層1 2 C。氮化矽之拋光率約爲氧化矽之拋光率之1 / 3至1 / 5。形成有第三絕緣層1 2 C之基底主體1 〇 A表面在電晶體兀件之形成區域中爲凹和凸的，如圖1 5 ( a )所示，和在電晶體元件之非形成區域中爲平凸的。其次，形成有第三絕緣層1 2 C之基底主體1 〇 a表面以C Μ P (化學機械拋光）法拋光。在此步驟中，具有高拋光率之第三絕緣層1 2 C首先在非形成區域和在電晶體元件之形成區域中之凸部份拋光 --——:——_ - Μ - _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1. 訂線一 510056 A7 _ B7 五、發明説明（51 ) 。而後，當在非形成區域和在電晶體元件之形成區域中之凸部份中之拋光深度達到第二絕緣層1 2 B之高度時，由拋光率較低之第二絕緣層1 2 B所佔據之面積在基底主體 1 0 A表面上增加，且拋光速度下降。因此，此時停止拋光操作使形成第一中間層絕緣膜1 2 0，其由：第一絕緣層1 2A ;形成在第一絕緣層1 2 A表面且拋光率低於第一絕緣層1 2 A之第二絕緣層1 2 B ;和部份形成在第二絕緣層1 2 B表面且拋光率高於第二絕緣層1 2 B之第三絕緣層1 2 C所構成，如圖1 5 ( b )所示。因此，第一中間層絕緣膜1 2 0表面受到平滑。藉此，在此步驟中，在電晶體元件之形成區域和非形成區域中之凸部份上之第二絕緣層1 2 B不會完全拋光，或亦可些微拋光且因此變薄。在任一例中，拋光操作進行以使第一絕緣層1 2 A不曝露在基底主體1 0 A表面上。依照在此實施例之電光裝置基底之製造方法，第一遮光膜（絕緣層）1 1 a甚至形成在電晶體元件之非形成區域中，在基底主體（透光基底）l〇A表面上。而後，第一絕緣層1 2 A，拋光率低於第一絕緣層1 2 A之第二絕緣層1 2 B，和拋光率高於第二絕緣層1 2 B之第三絕緣層1 2 C形成在基底主體10 A表面上，其上已形成有第一遮光膜（遮光層）1 1 a。而後，基底主體1 0A表面受拋光藉以形成表面已平滑之第一中間層絕緣膜（絕緣層 )1 2 0。因此，在介於第一中間層絕緣膜（絕緣層） 1 2 0和單晶矽層間之疊層邊界上難以導致空洞生成。因 ____________- fu -____ 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（52) 此，可防止T F T (電晶體元件）之效能受到破壞° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 介於第一中間層絕緣膜（絕緣層）1 2 0和單晶砂® 間之疊層強度可保留，藉以防止如膜條紋等之缺點在形成 T F T (電晶體元件）之步驟中導入。因此，可改善產品之良率。在此實施例中之電光裝置基底之製造方法可提供T F T陣列基底（電光裝置基底）（i )其具有第一中間層絕緣膜（絕緣層）1 2 0提供有：第一絕緣層1 2 A ;形成在第一絕緣層1 2 A表面且拋光率低於第一絕緣層1 2 A 之第二絕緣層1 2 B ;和部份形成在第二絕緣層1 2 B表面且拋光率高於第二絕緣層1 2 B之第三絕緣層1 2 C ’ 藉以具有平滑表面，和（i i )其中構成T F T (電晶體元件）之半導體層以單晶矽層形成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製再者，由於其包含在此實施例中由電光裝置基底之製造方法所製造之TFT陣列基底（電光裝置基底），因此可提供具有良好效能之液晶裝置（電光裝置），其中在介於第一中間層絕緣膜（絕緣層）1 2 0和單晶矽層間之疊層邊界上幾乎無空洞，且介於第一中間層絕緣膜（絕緣層 )1 2 0和單晶矽層間之疊層強度較強，因此，在電晶體元件之性質上不會有變化和缺陷。此外，在此實施例中，只說明之例爲其中非定圖樣第一遮光糢（遮光層）形成在電晶體元件之非形成區域中。但是，在任何圖樣中，如形成在電晶體元件之非形成區域中之第一遮光膜之圖樣等於形成在電晶體元件之形成區域 -FIR. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 510056 A7 B7 五、發明説明（53 ) 中之第一遮光膜之例中，亦可獲得相似的效果。 I I I ·第三實施例 (電光裝置之構造）其次參圖1 6說明依照本發明之第三實施例之電光裝置之構造。介於此實施例之電光裝置之構造和在第一實施例中者間之差異爲相關於第一遮光膜1 1 a之第一中間層絕緣膜 1 2之構造。另一方面，第二實施例之構造和圖1至3所示之第一實施例之構造相同。因此，於此參考圖1 6只說明此差異特徵。圖1 6相當於第一實施例之圖3，且爲從圖2之A — A ’線所截取之截面圖。在圖1 6中，和圖1 .至3所示第一實施例相同構成元件以相同參考數字表示，因此省略其說明。如圖1 6所示，在第三實施例中，在未形成第一遮光膜1 1 a之區域中，在基底主體1 〇A正上方，形成有第一絕緣層1 2 A ’ 。第一絕緣層1 2 a ’具有和第一遮光膜1 1 a相同的厚度，且其表面爲平滑的。在第一遮光膜 1 1 a和第一絕緣層1 2 A ’表面上，形成第二絕緣層 12B’ 。第二絕緣層12B’形成在基底主體10A整體表面上。因此，第一絕緣膜1 2 A ’ ，其乃用於電隔離構成圖素開關T F T 3 0之半導體層1 a和第一遮光膜 1 1 a，乃由在T F T陣列基底1 0上之第一絕緣層 1 2 A，和第二絕緣層1 2 B ’所構成。 — _Ί_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •狀^-· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（54 ) ~ (電光裝置基底之製造方法）其次’參考圖1 7說明依照本發明之第三實施例之電光裝置之製造方法。介於此實施例之電光裝置之製造方法和在第一實施例中者間之差異爲相關於第一遮光膜1 1 a之第一中間層絕緣膜1 2之處理。另一方面，第二實施例之製造方法和第一實施例相同。因此，於此參考圖1 7只說明此差異特徵。圖1 7相當於第一實施例之圖5且爲在相關步階中顯示一部份T F T陣列基底之步階圖，和相似於圖1 6，相當於圖2之A — A ’線所截取之截面。在圖1 7中，和第一實施例相同構成元件以相同參考數字表示，因此省略其說明。首先，圖4 (a)至4 (c)所示之方法以和第一實施例相同的方式執行。而後，如圖1 7 ( a )所示，藉由濺鍍法，和C V D 法等，一絕緣層1 2 X形成在基底主體1 〇 A整體表面上，其上已形成第一遮光膜1 1 a。關於絕緣膜1 2 X之材料方面，可使用氧化矽，氮化矽，或高絕緣玻璃如N s G (非摻雜矽玻璃），P S G (磷矽鹽玻璃）’ B S G (硼矽鹽玻璃），：B P S G (硼磷矽鹽玻璃）等。再者’絕緣層1 2X之膜厚度設定爲至少比第一遮光膜1 1 a厚’且約爲400至lOOOnm，最好爲800nm° 如圖1 7 ( b )所示，藉由C Μ P法等，其上已形成 ____ ----- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1. 訂 -線· 510056 A7 B7 五、發明説明（55) 絕緣層1 2X之基底主體1 〇A表面受到拋光直到曝露第一遮光膜1 1 a表面。藉由以此方式拋光基底主體1 〇 A表面，形成在第一遮光膜1 1 a之位準上方之絕緣層1 2 X之部份受到移除 ’因此，絕緣層1 2 X之部份留在未形成第一遮光膜 11 a之區域。亦即，只留下第一絕緣層12A’ ，其具有和第一遮光膜1 1 a相同的厚度，和基底主體1 〇A表面爲平滑的。再者，在此方法中，藉由最佳的使用第一遮光層 1 1 a之材料和絕緣層1 2 X (即，絕緣層1 2 A ’ ）之材料互相不同之事實，可偵測拋光之停止點。例如，在使用CMP法拋光之例中，由於包含金屬等之第一遮光膜 1 1 a不會和拋光液體起化學反應，在第一遮光膜1 1 a 表面曝露時，介於用於拋光基底主體1 Ο A之拋光墊和基底主體1 Ο A間之磨擦力下降。再者，用以保持基底主體 1 0 A之基底保持器之振動於此時改變。因此，藉由偵測介於拋光墊和基底主體1 Ο A間之磨擦力之改變，或基底保持器之振動，可輕易的偵測拋光之停止點。以此方式，在本實施例中，由於可藉由偵測第一遮光膜1 1 a ’表面曝露時而偵測拋光停止點，因此，第一遮光膜1 1 a具有同時拋光之功能，或具有所謂阻止拋光之功能。而後，如圖5 ( c )所示，藉由使用濺鍍法，和

C V D法等，第二絕緣層1 2 B ’形成在基底主體1 0 A -- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明（56 ) 整體上，其上已形成第一遮光膜1 1 a和第一絕緣層 1 2 A ’ 。關於第二絕緣層1 2 B ’之材料方面，可使用氧化矽，氮化矽，或高絕緣玻璃如N S G，P S G， BSG，BPSG等。此外，雖然第二絕緣層12B’之材料可與第一絕緣層1 2 A ’不同，但是最好使第二絕緣層1 2 B ’之材料和第一絕緣層1 2 A ’相同，以簡化製造方法。由於第二絕緣層1 2 B ’形成在表面爲平滑之第一遮光膜1 1 a和第一絕緣層1 2 A ’上，因此由此方法所形成之第二絕緣膜1 2 B ’之表面爲平滑的。因此，可形成表面爲平滑的第一絕緣膜1 2 ’其由第一絕緣層1 2 A ’和第二絕緣層1 2 B ’組成。而後，執行和圖6至1 1所不之第一實施例相同的方法。依照此實施例之電光裝置基底之製造方法，由於絕緣層1 2X形成在基底主體（透光基底）1 0A上，其上已形成第一遮光膜（遮光層）1 l a，且已形成有絕緣層 1 2X之基底主體1 0A表面受到拋光直到曝露第一遮光膜1 1 a ，因此，在未形成第一遮光膜1 1 a之區域中，第一絕緣層1 2 A ’形成有如第一遮光膜1 1 a之厚度，因此，可使已形成有第一遮光膜1 1 a和第一絕緣層 1 2 A ’之基底主體1 0 A表面受到平滑，且可輕易偵測拋光之停止點。再者，藉由形成第二絕緣層1 2 B’在表面已平滑之 ___ - fiQ 一 ___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^1. 訂線 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7 _五、發明説明（57) 第一絕緣層1 2 A ’和第一遮光膜1 1 a上時，可形成表面已平滑之第一絕緣膜1 2 ’ ，其由第一絕緣層1 2 A ’ 和第二絕緣層1 2 B ’組成。因此，可使疊層在單晶矽層 2 0 6上之基底主體1 0 A表面平滑。以此方式，由於疊層在單晶矽層2 0 6上之基底主體1 0 A表面平滑，因此，可防止在介於第一中間層絕緣膜1 2和單晶矽層2 0 6 間之邊界上感應產生空洞，且因此可防止T F T (電晶體元件）3 0之性質受到破壞。再者，介於第一中間層絕緣膜1 2和單晶矽層2 0 6 間之疊層強度可保留，藉以防止如膜條紋等之缺點在形成 TFT (電晶體元件）3 0之步驟中導入。因此，可改善產品之良率。再者，在本實施例中，在形成第一絕緣層1 2 A ’後，第二絕緣層1 2 B ’形成在第一遮光膜1 1 a和第一絕緣層1 2 A ’表面上，和T F T (電晶體元件）3 0形成在第二絕緣層12 B’表面上。因此，幾乎可完全防止來自第一遮光膜1 1 a對TFT (電晶體元件）3 0之污染〇此外，由於氧化膜2 0 6 b事先形成在單晶矽基底 2 0 6 a表面上，在其使用以疊層之疊層側上，因此，即使單晶矽基底2 0 6 a直接疊層在包含金屬等之第一遮光膜1 1 a表面上藉以形成T F T (電晶體元件）3 0於其上，如果藉由氧化膜2 0 6 b可充分防止從第一遮光膜 1 1 a至T F T (電晶體元件）3 0之污染，最好在剛好 ________- Rn -___ 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •^1. 訂線 510056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（58) 形成第一遮光膜1 1 a和第一絕緣層1 2 A ’後，而未形成第二絕緣層12 B’時，疊層單晶矽基底206 a。藉此，由於省略形成第二絕緣層1 2 B ’之步驟，因此可簡化製造方法。在此例中，可提供T F T陣列基底（電光裝置基底），其具有：第一遮光膜11a ，具有預定圖樣；第一絕緣層1 2A’ ，其形成在未形成第一遮光膜1 1 a之區域，且其厚度和第一遮光膜（遮光層）1 1 a相同和其表面爲平滑的；和T F T (電晶體元件）3 0直接形成在第一遮光膜1 1 a表面上，在基底主體（透光基底）1 0A之一袠面上。此外，在此實施例中，只說明之例爲其中第一遮光膜 1 1 a只形成在電晶體元件（圖素區域）之形成區域內。但是，本發明並不限於此。第一遮光膜1 1 a亦可形成在電晶體元件之非形成區域中，而仍可獲得相似的效果。如果第一遮光膜1 1 a形成在電晶體元件之非形成區域內時 ’在電晶體元件之非形成區域內之第一遮光膜1 1 a之圖樣可和在電晶體元件之形成區域中相同，或不同圖樣，任何圖樣，或始終無圖樣。 (電子裝置）關於使用具有由依照第一，第二，或第三實施例之電光裝置基底製造方法製造之電光裝置基底之液晶裝置（電光裝置）之電子裝置之例方面，以下參考圖1 8說明投影 _;____ 麵 » 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •^^1. 訂線 510056 A7 B7 五、發明説明（59) 顯示裝置之構造。在圖1 8中，投影顯示器1 1 0 0包括三個液晶裝置 ’每一液晶裝置具有由依照第一，第二，或第三實施例之電光裝置基底製造方法製造之電光裝置基底。於此顯示在投影顯示裝置中之光學系統之示意構造圖，其分別使用如 R G B液晶裝置9 6 2 R，9 6 2 G，9 6 2 B之相關裝置。在此貫施例中之投影顯不裝置之光學系統使用一光源單元9 2 0和一規則照明光學系統9 2 3。此投影顯示裝置具有：一顏色分離光學系統9 2 4當成用以將從此規則照明光學系統9 2 3輸出之一光通W分離成紅色（R )，綠色（G )，和藍色（B )之彩色分離器；三個光閥 925R，925G，和925B，當成用以調制相關顏色光通R ’ G，B之調制器；一顏色合成稜鏡9 1 0，當成顏色合成器以在調制後再度合成顏色光通；和一投影透鏡9 0 6 ’當成一投影器以擴大所合成光通和而後投影在投影面1 0 0表面上。再者，其亦包括一光導系統9 2 7 ，用以引導藍色光通至對應光閥9 2 5 B。規則照明光學系統9 2 3具有兩透鏡板9 2 1和 9 2 2和一反射鏡9 3 1。其設計成兩透鏡板9 2 1和 9 2 2互相正交，而反射鏡9 3 1介於其間。在規則照明光學系統9 2 3中之每一透鏡板9 2 1和9 2 2具有多數矩形透鏡安排成矩陣型式。從光源單元9 2 0輸出之光通由第一透鏡板9 2 1之矩形透鏡分成多數部份光通。而後 -----------— _- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 B7 五、發明説明（60) ’部份光通由第二透鏡板9 2 2之矩形透鏡而互相重疊在接近三光閥9 2 5 R，9 2 5 G，9 2 5 B處。因此，規則照明光學系統9 2 3之使用使三光閥9 2 5 R， 9 2 5 G ’ 9 2 5 B在規則照明光下照明，即使光源單元 9 2 0在輸出光通部份具有不規則照明分佈。每一顏色分離光學系統9 2 4由藍綠反射分色鏡 9 4 1，綠反射分色鏡9 4 2，和一反射鏡9 4 3所組成。首先，藍綠反射分色鏡9 4 1反射由光通W包含之藍光通B和綠光通G，和它們受引導至綠反射分色鏡9 4 2側。紅光通R通過此鏡9 4 1 ，和由背反射鏡9 4 3方形的反射’而後從紅光通R之輸出單元9 4 4輸出至稜鏡 9 1 0 側。其次，綠反射分色鏡9 4 2在由藍綠反射分色鏡 9 4 1反射之藍和綠光通B和G中，只方形的反射綠光通 G。而後，其從綠光通G之輸出單元9 4 5輸出至顏色合成光學系統。通過綠反射分色鏡9 4 2之藍光通B從藍光通B之輸出單元9 4 6輸出至光導系統9 2 7。此例設計以使從規則照明光學系統之光通W之輸出單元至在顏色分離光學系統9 2 4中之相關顏色光之輸出單元9 4 4， 9 4 5和9 4 6之距離實質互相相等。集光透鏡9 5 1和9 5 2分別設置在顏色分離光學系統9 2 4中之紅和綠光通R和G之輸出單元9 5 1和 9 5 2之輸出側。因此，從相關輸出單元輸出之紅和綠光通R和G輸入至它們的集光透鏡9 5 1和9 5 2，且互相 _；---- . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •tl·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 . B7 五、發明説明（61 ) 平行。平行之紅和綠光通R和G輸入至光閥9 2 5 R和 9 2 5 G，和分別受到調制。而後，相關於每一顏色光之視頻訊號添加至它們之每一個。亦即，一驅動器（未顯示 )根據視頻資訊執行在液晶裝置上之開關控制。因此，通過它們之相關顏色光受到調制。另一方面，藍光通B受引導經由光導系統9 2 7至相關光閥9 2 5 B。於此，其相似的根據視頻資訊而調制。藉此，在此例中之光閥 9 2 5 R，9 2 5 G，和9 2 5 B爲液晶光閥，其分別進

一步由輸入側偏振單元9 6 0 R，9 6 0 G，和9 6 0 B ，輸出側偏振單元9 6 1 R，9 6 1 G和9 6 1 B，和介於其間之液晶裝置9 6 2 R，9 6 2 G和9 6 2 B所組成〇光導系統9 2 7提供有：集光透鏡9 5 4設置在用於藍光通b之輸出單元9 4 6之輸出側；一輸入側反射鏡 9 7 1 ; —輸出側反射鏡9 7 2 ; —中間鏡9 7 3設置在汉射鏡間；和一集光透鏡9 5 3設置在光閥9 2 5 B之前側上。從集光透鏡9 4 6輸出之藍光通B受引導經由光導系統9 2 7至液晶裝置9 6 2 B，和藉此調制。關於用於

相關顏色光通之光路徑長度方面，亦即，關於從光通W之輸出單元至相厕液晶裝置9 6 2 R，9 6 2 G，9 6 2 B 之距離方面，用於藍光通B之光路徑最長。因此，在藍光通之光量損失最大。但是，光導系統9 2 7之介入使光量損失受到抑制。 -^-—_____ R4 -____ 本紙張尺度適用肀國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

510056 A7 B7 五、發明説明（62 ) 經由相關光閥9 2 5 R，9 2 5 G ’ 9 2 5 B調制之相關顏色光通R，G，B輸入至顏色合成稜鏡9 1 0 ’和藉此合成。而後，由此顏色合成稜鏡9 1 0合成之光擴大和經由投影透鏡單元9 0 6投影在位在預定位置上之投影平面10 0表面上。在此例中，第一遮光膜（遮光層）設置在T F T下側上，在液晶裝置962R，962G，和962B中。因此，即使一部份反射光根據來自液晶裝置9 6 2 R， 9 6 2 G，和9 6 2 B之反射光而從在液晶投影器內之投影光學系統而來，當反射光通過時來自T F T陣列基底表面之反射光，和在來自另一液晶裝置之輸出輸入當成來自 T F T陣列基底側之返回光後從投影系統突出之投影光，相關於用於開關圖素電極之T F T之通道’亦可有效的執行遮光動作。因此，即使適於小型化之稜鏡單元使用在此投影光學系統中時，亦無需分離的安裝一膜以保護返回光或在偏振單元上，在相關液晶裝置96 2R，96 2G，和 9 6 2 B和稜鏡單元間執行返回光投影處理。因此’可非常有利於使構造更小且更簡化。在此實施例中，可抑制由返回光所引起對T F T之通道區域上之影響。因此，無需直接黏著偏振單元9 6 1 R ，96 1G，96 1B在執行返回光保護處理之液晶裝置上。因此，如圖1 9所示，偏振單元可從液晶裝置分離構 ______ _的___ 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A7 ___ B7 五、發明説明（63 ) 成。實際上，在一側之偏振單元9 6 1 R，9 6 1 G， 9 6 1 B可黏著在稜鏡單元9 1 0上，和在另一側上之偏振單元9 6 0R，9 6 0G，9 6 0B可黏著在集光透鏡 95 1 ，945，和944上。以此方式，藉由黏著偏振單元在稜鏡上或在集光透鏡上，偏振單元之熱可由稜鏡單元或集光透鏡所吸引。因此，可防止液晶裝置之溫度上升〇再者，雖然於此省略說明，藉由安排液晶裝置和偏振單元互相分離，在液晶裝置和偏振單元間可產生空氣層。因此，藉由安裝如冷卻器和傳送如冷風等在液晶裝置和偏振單元間，可進一步抑制液晶裝置之溫度上升。因此，可防止因液晶裝置之溫度上升而引起之錯誤操作。本發明並不限於上述之實施例，且於此仍可達成各種改變和修飾，但其仍屬本發明之精神和範疇。因此，本發明之精神和範疇應由下述申請專利範圍界定之。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 -線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ____- RR - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29<7公釐）

Claims

510056 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1 · 一種電光裝置基底之製造方法，包含之步驟爲：形成一遮光層在一透光基底之一表面上；定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域中；形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上，其上已形成定圖樣遮光層；形成第二絕緣層在第一絕緣層上，其拋光率低於第一絕緣層之拋光率；拋光第二絕緣層之表面；‘ 疊層一單晶矽層在第二絕緣層之拋光表面上方；和藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一絕緣層藉由拋光第二絕緣層之表面之步驟而部份曝露。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法，其中相關於該透光基底之該表面之第一絕緣層之一曝露表面之高度和該第 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中在定圖樣該遮光層之步驟上，該定圖樣遮光層只形成在每一電晶體元件之形成區域中。 5 . —種電光裝置基底之製造方法，包含之步驟爲：形成一遮光層在一透光基底之一表面上；定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域中； - 形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上，其上已形本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -67 - 510056 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍成定圖樣遮光層；形成第二絕緣層在第一絕緣層上，其拋光率低於第一絕緣層之拋光率；形成第三絕緣層在第二絕緣層上，其拋光率高於第二絕緣層之拋光率；拋光第三絕緣層之表面.；疊層一單晶矽層在第三絕緣層之拋光表面上方；和藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。 6 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中該第二絕緣層藉由拋光第三絕緣層之表面之步驟而部份曝露。 7 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中相關於該透光基底之該表面之第二絕緣層之一曝露表面之高度和該第三絕緣層之拋光表面之高度相同。 8 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中在定圖樣該遮光層之步驟上，該定圖樣遮光層形成在每一電晶體元件之非形成區域中，其中未形成該電晶體。 9 · 一種電光裝置基底之製造方法，包含之步驟爲：形成一遮光層在一透光基底之一表面上；定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域中.； ‘ 形成一絕緣層在該透光基底之該表面上，其上已形成定圖樣遮光層；拋光該絕緣層之表面直到曝露該定圖樣遮光層之表面 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -68 - 510056 A8 B8 C8 D8 ~、申請專利範圍疊層一單晶砂層在該絕緣層之拋光表面和該定圖樣遮光層之表面上方；和. 藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。 1 0 . —種電光裝置基底之製造方法，包含之步驟爲形成一'遮光層在一透光基底之一'表面上；定圖樣該遮光層藉以形成一定圖樣遮光層至少在欲形成之每一電晶體元件之一形成區域中；形成第一絕緣層在該透光基底之該表面上，其上已形成定圖樣遮光層；拋光第一絕緣層之表面直到曝露該定圖樣遮光層之表面；形成第二絕緣層在第一絕緣層之拋光表面上方；疊層一單晶矽層在第二絕緣層上方；和藉由使用該單晶矽層而形成每一電晶體元件。 1 1 · 一種電光裝置基底，包含一定福樣遮光層具有一預定圖樣，一絕緣膜和一電晶體，其循序的形成在一透光基底之一表面上方，該絕緣膜包含（i )第一絕緣層和（i i )第二絕緣層，其部份的形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之拋光率，因此該絕緣膜之表面平滑，該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之電光裝置基底，其中該定圖樣遮光層只形成在該電晶體元件之形成區域中。本‘張歧逋用中國國家標準（€叫八4胁（2獻297公釐)-69 - ： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之電光裝置基底，其中該第一絕緣層包含氧化矽，和該第二絕緣層包含氮化矽〇 1 4 · 一種電光裝置基底，包含一定圖樣遮光層具有一預定圖樣，一絕緣膜和一電晶體，其循序的形成在一透光基底之一表面上方，該絕緣膜包含（i )第一絕緣層，（i i )第二絕緣層，其形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之拋光率，和（i i i )第三絕緣層，其部份的形成在第二絕緣層上且其拋光率高於第二絕緣層之拋光率，因此該絕緣膜之表面平滑，該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之電光裝置基底，其中該定圖樣遮光層形成在該每一電晶體元件之非形成區域中，其中未形成該每一電晶體。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項之電光裝置基底，其中該第一絕緣層和第三絕緣層包含氧化矽，和該第二絕緣層包含氮化砂。 17. —種電光裝置基底，包含：一定圖樣層，具有一預定圖樣在一透光基底之一表面上方；一絕緣層，其形成在該透光基底之表面上方，在未形成有定圖樣遮光層之一區域上，且其厚度和該定圖樣遮光層相同，和其表面爲平滑的；本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -70 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A8 B8 C8 D8 5、申請專利範圍一電晶體元件’其形成在該定圖樣遮光層上方，且具有一半導體層包含一單晶矽層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之電光裝置基底，其中該絕緣層藉由拋光形成在已形成該定圖樣遮光層之透光基底之一表面上之一絕緣膜之一表面而形成，該定圖樣該遮光層作用當成在拋光該絕緣層之處理中之用於拋光之阻止器。 .1 9 ·如申請專利範圍第1 7項之電光裝置基底，其中在該定圖樣遮光層之表面和該絕緣層上形成第二絕緣層該電晶體兀件設置在該第二絕緣層之一'表面上。 20. —種電光裝置，包含： (A ) —電光裝置基底，包含一定圖樣遮光層具有一預定圖樣，一絕緣膜和一電晶體，其循序的形成在一透光基底之一表面上方，該絕緣膜包含（i )第一絕緣層，（i i )第二絕緣層，其部份的形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之拋光率，因此該絕緣膜之表面平滑，該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層； (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透光基底之該表面；和 (C ) 一電光材料層夾在兩透光基底間。 2 1· —種電光裝置，包含： - (A) —電光裝置基底，包含一定圖樣遮光層具有一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -71 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

510056 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍預定圖樣’ 一絕緣膜和一電晶體，其循序的形成在一透光基底之一表面上方，該絕緣膜包含（i )第一絕緣層，（i i )第二絕緣層’其形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之拋光率’和（i i i )第三絕緣層，其部份的形成在第二絕緣層上且其拋光率高於第二絕緣層之拋光率，因此該絕緣膜之表面平滑，該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層； (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透光基底之該表面；和 (C ) 一電光材料層夾在兩透光基底間。 22· —種電光裝置，包含： (A)—電光裝置基底，包含：一定圖樣遮光層具有一預定圖樣在一透光基底之一表面上方；一絕緣層，其形成在該透光基底之該表面上方，在未形成該定圖樣遮光層之區域上，且具有和該定圖樣遮光層相同之厚度，和其表面爲平滑的；一電晶體元件，其形成在該定圖樣遮光層上方，且具有一半導體層包含一單晶矽層； . ‘ (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透光基底之該表面；和 (C ) 一電光材料層夾在兩透光基底間。 ’ 23. —種電光裝置，包含： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^1. 訂 -線_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） H 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510056 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (A) —電光裝置基底，包含一定圖樣遮光層具有一預定圖樣，一絕緣膜和一電晶體，其循序的形成在一透光基底之一表面上方，該絕緣膜包含（i )第一絕緣層，和（i i )第二絕緣層，其部份的形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之拋光率，因此該絕.緣膜之表面平滑，該電晶體元件具有一半導體層包含一單晶矽層； (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透光基底之該表面；和 (C ) 一電光材料層夾在兩透光基底間。 2 4 · —種電光裝置，包含： (A) —電光裝置基底，包含一定圖樣遮光層具有一預定圖樣，一絕緣膜和一電晶體，其循序的形成在一透光基底之一表面上方，該絕緣膜包含（i )第一絕緣層，（i i )第二絕緣層，其形成在第一絕緣層上且其拋光率低於第一絕緣層之拋光率，和（i i i )第三絕緣層，其部份的形成在第二絕緣層上且其拋光率高於第二絕緣層之拋光率，因此該絕緣膜之表面平滑，該電晶體兀件具有一半導體層包.含一車晶砂層； (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透光基底之該表面；和 (C)一電光材料層夾在兩透光基底間。 -2 5 . —種電光裝置，包含：本張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公73 - ： (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

510056 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 (A)—電光裝置基底，包含：一定圖樣遮光層具有一預定圖樣在一透光基底之一表面上方；一絕緣層，其形成在該透光基底之該表面上方，在未形成該定圖樣遮光層之區域上，且具有和該定圖樣遮光層相同之厚度，和其表面爲平滑的；一電晶體元件，其形成在該定圖樣遮光層上方，且具有一半導體層包含一單晶矽層； (B )另一透光基底設置以相對該電光裝置基底之透光基底之該表面；和 (C ) 一電光材料層夾在兩透光基底間。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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