JP2015049468A - マイクロレンズアレイ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロレンズアレイ基板10の製造方法は、基板11の上面11aにアライメントマーク17を形成する工程と、基板11の上面11aに複数の凹部12を形成する工程と、基板11の上面11aにアライメントマーク17と複数の凹部12とを覆うように、複数の凹部12の形状が反映された複数の凹部14を有する透光材料層13aを形成する工程と、透光材料層13aを覆い複数の凹部14を埋め込むように透光材料層13aとは異なる屈折率を有する透光材料層15aを形成する工程と、隣り合う複数の凹部14の境界部分で透光材料層13aが露出し、かつ、アライメントマーク17が露出しないように、透光材料層15aに対して平坦化処理を施す工程とを備える。
【選択図】図6
Description
<電気光学装置>
ここでは、電気光学装置として、薄膜トランジスター(Thin Film Transistor;TFT)を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置(プロジェクター)の光変調素子(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができるものである。
続いて、第1の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板10について、図4を参照して説明する。図4は、第1の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略図である。詳しくは、図4(a)はマイクロレンズアレイ基板の概略平面図であり、図4(b)は図4(a)のB−B’線に沿った概略断面図である。
次に、第1の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板10の製造方法について、図5および図6を参照して説明する。図5および図6は、第1の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。なお、図5および図6の各図は、図4(a)のB−B’線に沿ったW方向における断面図に相当する。
第2の実施形態では、第1の実施形態と比べて、素子基板が備えるマイクロレンズアレイ基板の構成が異なるが他の構成はほぼ同じであるので、素子基板が備えるマイクロレンズアレイ基板の構成および製造方法について、第1の実施形態に対する相違点を説明する。図7は、第2の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。詳しくは、図7は、図1のA−A’線に沿った概略断面図である。図8は、第2の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略図である。詳しくは、図8(a)はマイクロレンズアレイ基板の概略平面図であり、図8(b)は図8(a)のB−B’線に沿った概略断面図である。
マイクロレンズアレイ基板10Aは、基板11と、透光層13Aと、透光層15Aとを備えている。透光層13Aは、基板11に形成された複数の凹部12の形状が反映された複数の凹部14Aを有している。透光層13Aは、第1の実施形態に係る透光層13よりも厚い膜厚で形成されている。そのため、凹部14Aの径は、第1の実施形態に係る凹部14の径よりも小さく形成されている。透光層15Aは、複数の凹部14Aを埋め込むように設けられている。
第2の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板10Aの製造方法は、第1の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板10の製造方法とほぼ同様であるので、図5および図6を参照して説明する。
次に、上述した実施形態の電気光学装置を適用可能な電子機器の一例について図9を参照して説明する。図9は、電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。
上記の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法では、基板11に凹部12を形成する凹部形成工程の後にアライメントマーク17を透光材料層13aで覆う構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、凹部形成工程の前にアライメントマーク17を別の透光材料層で覆う構成としてもよい。図10は、変形例1に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。なお、図10の各図は、図4(a)のB−B’線に沿ったW方向における断面図に相当する。図10(b),(c),(d),(e)に示す工程は、第1の実施形態における図5(c),(d),(e),図6(a)に示す工程にそれぞれ相当する。
また、凹部形成工程の前にアライメントマーク17のみを別の透光材料層で覆う構成としてもよい。図11は、変形例2に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。なお、図11の各図は、図4(a)のB−B’線に沿ったW方向における断面図に相当する。また、図11(b),(c),(d),(e)に示す工程は、第1の実施形態における図5(c),(d),(e),図6(a)に示す工程にそれぞれ相当する。
上記の実施形態および変形例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法では、マークとしてアライメントマーク17を設ける構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。マークとして、平坦化工程における透光層13,13Aの膜厚測定用マークを設ける構成としてもよい。図12は、変形例3に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略図である。詳しくは、図12(a)はマイクロレンズアレイ基板の概略平面図であり、図12(b)は図12(a)のB−B’線に沿った概略断面図である。
上記の実施形態および変形例では、アライメントマーク17を非晶質シリコン、多結晶シリコン、金属材料で形成する構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。アライメントマーク17を、基板11に掘り込んで形成する構成としてもよい。基板11に掘り込んでアライメントマーク17を形成する場合でも、透光層13,13Aが設けられていないと、平坦化工程で隣り合う凹部14同士の間で基板11が露出して透光層15が離間されるまで平坦化処理を施すと、アライメントマーク17が消失してしまうおそれがある。上記の実施形態および変形例のように、透光層13,13Aを設けることで、アライメントマーク17の消失を抑止することができる。
上記の実施形態および変形例では、素子基板20(マイクロレンズアレイ基板10)と対向基板30(マイクロレンズアレイ基板31)との双方にマイクロレンズMLを備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。素子基板20のみにマイクロレンズMLを備え、対向基板30にはマイクロレンズMLを備えていない構成としてもよい。また、この場合、素子基板20側から光が入射することとしてもよい。
上記の実施形態および変形例では、マイクロレンズML(凹部14)が断面視で曲面状に形成されていたが、本発明はこのような形態に限定されない。マイクロレンズML(凹部14)が断面視で、例えば、底部に平坦面を有する曲面状、斜面を有する曲面状、V字状など他の形状を有していてもよい。
上記の実施形態および変形例では、透光層15,15Aを基板11よりも光屈折率の高い材料で形成していたが、本発明はこのような形態に限定されない。透光層15,15Aを、基板11よりも光屈折率の低い材料で形成してもよい。
上記の実施形態および変形例では、マイクロレンズアレイ基板10,10A,10Cを素子基板20に備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、マイクロレンズアレイ基板10,10A,10Cを対向基板30に備えた構成としてもよい。また、マイクロレンズアレイ基板10,10A,10Cを素子基板20および対向基板30の双方に備えた構成としてもよい。
上記の実施形態および変形例では、マイクロレンズアレイ基板10,10A,10Cにおいて、マイクロレンズML(凹部14)がマトリックス状に配列された構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。マイクロレンズMLの配列は、画素Pの配列に対応して、例えば、ハニカム状の配列など異なる配列であってもよい。
上述した実施形態および変形例では、マイクロレンズアレイ基板10,10A,10Cにおいて、一つのマイクロレンズMLが一つの画素Pに対応して設けられた構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3つの画素Pが画像を形成する際の一つの単位となる場合などに、一つのマイクロレンズMLが赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3つの画素Pに対応して設けられた構成としてもよい。
上述した実施形態および変形例のマイクロレンズアレイ基板10,10A,10Cを適用可能な電気光学装置は、液晶装置1に限定されない。マイクロレンズアレイ基板10,10A,10Cは、液晶装置以外の電気光学装置にも応用することができ、例えば、撮像素子(イメージセンサー)を有する撮像装置に応用することができる。マイクロレンズアレイ基板10,10A,10Cを備えた撮像装置では、撮像素子に入射する光をマイクロレンズMLによって集光することができる。撮像素子としては、CCD(Charge Coupled Device)型が挙げられる。
上述した実施形態の液晶装置1,1Aを適用可能な電子機器は、プロジェクター100に限定されない。液晶装置1,1Aは、例えば、投射型のHUD(ヘッドアップディスプレイ)や直視型のHMD(ヘッドマウントディスプレイ)、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、POSなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
Claims (8)
- 複数のマイクロレンズが配置された第1領域と、前記第1領域の外側に位置する第2領域と、を有するマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
光透過性を有する基板の第1面の前記第2領域にマークを形成するマーク形成工程と、
前記基板の前記第1面の前記第1領域に複数の第1凹部を形成する凹部形成工程と、
前記基板の前記第1面の前記第1領域および前記第2領域に前記マークと前記複数の第1凹部とを覆うように透光性材料を所定の膜厚で配置して、前記複数の第1凹部の形状が反映された複数の第2凹部を有する第1透光材料層を形成する第1透光材料層形成工程と、
前記第1透光材料層を覆い前記複数の第2凹部を埋め込むように、光透過性を有し前記第1透光材料層とは異なる屈折率を有する第2透光材料層を形成する工程と、
隣り合う前記複数の第2凹部の境界部分で前記第1透光材料層の少なくとも一部が露出し、かつ、前記マークが露出しないように、前記第2透光材料層に対して平坦化処理を施す平坦化工程と、を備えていることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記複数のマイクロレンズは、第1方向、前記第1方向と交差する第2方向、前記第1方向および前記第2方向と交差する第3方向に配列され、
前記平坦化工程では、前記第1方向、前記第2方向、および前記第3方向において隣り合う前記複数の第2凹部の境界部分で前記第1透光材料層が露出するように平坦化処理を施すことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項2に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記第1透光材料層形成工程では、前記所定の膜厚として、前記第1方向、前記第2方向、および前記第3方向において隣り合う前記複数の第2凹部の境界部分における前記第1透光材料層の上面が前記マークの上面よりも高くなる膜厚で前記第1透光材料層を形成することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記基板と前記第1透光材料層とは、略同一の熱膨張係数を有する無機材料からなることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記凹部形成工程は、
前記基板の前記第1面の前記第1領域と前記第2領域とにマスク層を形成する工程と、
前記マスク層の前記第1領域に前記基板が露出する複数の開口部を形成する工程と、
前記マスク層の前記開口部を介して前記基板にエッチングを施すことにより前記複数の第1凹部を形成する工程と、
前記マスク層を除去する工程と、を含み、
前記マーク形成工程と前記凹部形成工程との間に、前記マークを覆う第3の透光材料層を形成する工程を有することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記マーク形成工程で形成するマークは、アライメントマークを含むことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記マーク形成工程で形成するマークは、前記平坦化工程における前記第1透光材料層の層厚測定用のマークを含むことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 第1基板と、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された電気光学層と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、
請求項1から7のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板を前記第1基板に備え、
前記マイクロレンズアレイ基板の前記第2透光材料層の上層にスイッチング素子を形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
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