TW439111B - Discharging method and processing apparatus having discharging function - Google Patents

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TW439111B TW087106536A TW87106536A TW439111B TW 439111 B TW439111 B TW 439111B TW 087106536 A TW087106536 A TW 087106536A TW 87106536 A TW87106536 A TW 87106536A TW 439111 B TW439111 B TW 439111B
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Kiyohisa Tateyama
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Description

Α7 Β7 經濟部中央標率局只工消费合作社印装 五、發明説明(j ) 發明背景 本發明係關於一種放電方法•用以對提供預定處理至 欲處理之物體之處理裝置放電,該處理裝置例如一液晶顯 示(L C D )基底或一半導體晶圓。本發明亦關於具有放 電功能之處理裝置。 在L C D和半導體裝置之製造中,以所謂的石印術形 成一電路,其中當成處理物體之基底受塗覆以光阻物,光 阻物依照電路圖樣而曝光,和所得之產品受到顯影。 此種阻止物塗覆和顯影處理以一阻止物塗覆和顯影系 統執行,該阻止物塗覆和顯影系統具有一淸潔單元用以淸 潔基底,一黏著單元用以提供黏著處理至基底,一塗覆單 元用以將阻止物塗層塗覆在基底上,一加熱單元用以加熱 基底,一冷卻單元用以冷卻受加熱之基底至一般溫度,和 一顯影單元用以提供顯影處理至曝光之基底。 在此種阻止物塗覆和顯影系統中•一基底安裝基台和 —真空卡盤呈現在每個單元中。基底以一傳送臂傳送至每 個單元。但是,基底安裝基台•真空卡盤·和傳送臂會輕 易的受到充電,且因此極易產生靜電。而後,在產生靜電 之部份上會輕易的吸收顆粒。所產生之顆粒對於基底具有 不良的影響。再者*其亦會引起靜電之損壊。爲了解決上 述之問題,習知技術使用離子器以對產生靜電之部份放電 〇 但是,離子器爲大尺寸且昂貴之裝置,且其需要維修 。再者*由於離子器之接附位置受到限制,有些部份無法 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本 訂 本紙張尺度遺用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -4 - 經濟部中央橾準局Μ工消费合作社印裂 _B7_五、發明説明^ ) 放電。再者,離子器本身亦會產生顆粒。 發明槪要 本發明之目的乃在提供一種可對處理裝置輕易且確實 放電之放電方法,而無需使用離子器,和提供一種具有放 電功能以執行此種放電之處理裝置。 依照本發明之第一觀點,本發明提供一種放電方法, 用以對提供預定處理至欲處理之物體之處理裝置放電•包 含之步驟爲:使具有靜電中性化功能之構件以至少欲處理 之物體之一部份之處理流流入處理裝置中。 依照本發明之第二觀點,本發明提供一種處理裝置, 具有放電功能,包含: 處理機構用以提供處理至欲處理之物體: 一物體保持部份用以保持該欲處理之物體: —待機部份用以設置具有靜電中性化功能之構件在一 待機狀況: 傳送機構用以選擇性的傳送欲處理之物體和具有靜電 中性化功能之構件至/由處理機構:和 控制器用以控制該傳送機構以使具有靜電中性化功能 之構件在處理預定數目之物體完成後,以至少欲處理之物 體之一部份之處理流流入處理裝置中,藉此•該處理裝置 可由具有靜電中性化功能之構件放電。 依照本發明之第三觀點,本發明提供一種處理裝置, 具有放電功能,包含: 本紙»•尺度適用中國國家糅率(CNS ) Α4规格(210X297公釐) : ' (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央搮準扃負工消费合作社印裝 4 3 91 M . ^ a? _Β7五、發明説明^ ) 一處理部份具有多數之處理機構以提供處理至欲處理 之物體; 一物體保持部份用以保持欲處理之物體; —待機部份,提供在該物體保持部份中,用以設置具 有靜電中性化功能之構件在待機狀況; 第一傳送機構用以選擇性的傳送該欲處理之物體和該 具有靜電中性化功能之構件至/由該處理機構: 第二傳送機構用以傳送該欲處理之物體和該具有靜電 中性化功能之構件至/由在該處理部份中之每個處理機構 :和 控制器用以控制第一和第二傳送機構以使該具有靜電 中性化功能之構件在預定數目之物體之處理完成後,以至 少欲處理之物體之一部份處理流流入處理裝置中,藉此, 處理裝置可由具有靜電中性化功能之構件放電。 依照本發明之第一觀點,具有靜電中性化功能之構件 以至少欲處理之物體之一部份流流入處理裝置中,藉以對 處理裝置放電》因此,由欲處理之物體所產生靜電在處理 裝置上之部份可確實的放電,而無需使用例如離子器之大 尺寸裝置。 依照第二和第三觀點,在預定數目之物體之處理完成 後,控制機構控制傳送機構以使具有靜電中性化功能之構 件由待機部份以至少欲處理之物體之一部份流流入裝置中 ,藉以對該處理裝置放電。因此,由欲處理之物體所產生 之靜電在裝置上之部份可確實且自動的放電,而無需使用 {請先β讀背面之注意事項再填寫本茛) 本紙法尺度逍用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -6- 鲤濟部中央標準局真工消费合作社印裝 _B7五、發明説明(4 ) 例如離子器之大尺寸裝置》 本發明之其它目的和優點將說明如下,其中一部份可 由說明書中得知*或可藉由實施本發明而獲得。本發明之 目的和優點可藉由特別在上述中指出之設施及其結合而實 現與獲得。 圖式之簡單說明 下述之附圖,其倂於此且構成說明書之一部份,顯示 了本發明之較佳實施例*且其伴隨上述之一般說明和下述 之較佳實施例之詳细說明,共同用以說明本發明之原理》 圖1爲本發明所應用之阻止物塗覆和顯影系統之平面_, 圖2爲使用於本發明中之具有靜電中性化功能之構件 之一例之立體圖, 圖3爲應用至圖1之塗覆和顯影系統之傳送機構和主 傳送裝置之控制系統之示意圖; 圖4爲具有靜電中性化功能之構件之待機部份之另一 例之平面圖; 圖5爲具有靜電中性化功能之構件之待機部份之另一 例之側視圖:和 圖6爲放電裝置提供在具有靜電中性化功能之構件之 待機部份中之狀態之側視圖。 主要元件對照 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印装 五、 發明説明& ) 1 卡匣台 2 處理部份 3 介面部份 C 卡匣 G 基底 10 傳送機構 11 臂 10a 傳送路徑 4 待機部份 41 片 42 芯心材料 2a 前台部份 2b 中間台部份 2c 後台部份 12 傳送路徑 13 傳送路徑 14 傳送路徑 15 繼電器部份 16 繼電器部份 21a 淸潔單元 21b 淸潔單元 25 紫外線輻射和冷卻單元 26 熱處理單元 27 冷卻單元 (請先閱婧背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度逍用中國國家揉準(CNS >戍4規<格(210X297公釐) -8- -- A7 B7 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 五、 發明説明^ ) 17,18,19 主傳送裝置 22 阻止物塗覆處理單元 23 緣阻止物移除單元 28 熱處理單元 29 熱處理和冷卻單元 30 黏著處理和冷卻單元 24a 顯影處理單元 24b 顯影處理單元 24c 顯影處理單元 31 熱處理單元 32 熱處理和冷卻單元 32 熱處理和冷卻單元 34 化學供應單元 35 空間 17a,18a,19a 臂 36 延伸部 37 緩衝台 38 傳送機構 39 傳送臂 38a 傳送機構 51 控制器 52 CPU 60 放電裝置 (諳先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 订 *1 本紙張尺度適用中國國家揉準(CMS ) A4規格(210X297公釐) -9 - 4391 1 1 A7 B7_ 五、發明説明9 ) 本發明之詳細說明 以下參考附圖說明本發明之實施例。 圖1爲應用本發明之L. C D基底之塗覆和顯影系統之 平面圖。 塗覆和顯影系統包含一卡匣台1,處理部份2,和介 面部份3·卡匣台1安裝含多數基底G之卡匣C·處理部 份2具有多數之處理單元以提供一序列之處理,包括阻止 物塗覆和顯影,至基底G »介面部份3執行介於曝光裝置 (未顯示))和介面間之基底G之運送。卡匣台1和介面 部份3分別安排在處理部份2之兩端* 卡匣台1具有傳送機構1 〇以傳送L CD基底在卡匣 C和處理部份2間》在卡匣台1上,卡匣C受攜進或出。 傳送機構1 0具有一臂1 1,其可在沿卡匣陣列方向形成 之傳送路徑1 0 a上方移動》基底G由傳送臂1 1在卡匣 C和處理部份2間傳送。 卡匣台1亦具有待機部份4平行於卡匣C安排。待機 部份4設置用以中性化靜電之構件Ν在待機狀況中。如圖 2所示,具有靜電中性化功能之構件Ν形成以使由具有中 性化靜電功能之材料製成之片4 1和芯心材料4 2互相叠 層。構件表面之尺寸和形狀實質和基底G相同。關於片4 1方面,可使用具有靜電中性化功能之合成橡膠(so Id ion )和板形芯心材料之表面塗覆以釋材料和酒精受到吸收而 獲得之材料。 以下說明傅送臂11選擇性的傳送基底G和具有靜電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4规格(210X297公釐) ----------..木------訂----- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局工消资合作社印製 -10- 經濟部中央橾準局Μ;工消费合作社印«. B7 _ 五、發明説明4 ) 中性化功能之構件N。 處理部份2區分成前台部份2 a ·中間台部份2 b, 和後台部份2 c。台2 a至2 c之中央分別具有傳送路徑 1 2,1 3 · 1 4。相關的處理單元乃提供在傳送路徑之 兩側上。而後,在其間形成繼電器部份1 5和1 6。 前台部份2 a具有主傳送裝置1 7沿傳送路徑1 2移 動。兩淸潔單元(SCR) 21a和21b安排在傳送路 徑1 2之一側上。一紫外線輻射和冷卻單元( UV/COL) 25,一熱處理單元(HP) 26,其具 有上和下台,和一冷卻單元(COL) 27,其具有上和 下台,乃安排在傳送路徑1 2之另一側上。 中間台部份2 b具有一主傳送裝置1 8沿傳送路徑 1 3移動。阻止物塗覆處理單元(CT) 2 2和緣阻止物 移除單元(ER) 2 3用以移除在基底G之緣上之阻止物 乃安排成一單元在傳送路徑1 3之一側上》—熱處理單元 (HP) 28,一熱處理和冷卻單元(HP/COL) 29,和黏著處理和冷卻單元(AD/COL) 3 0安排 在傳送路徑13之另一側上。熱處理單元(HP) 28堆 叠兩台。熱處理和冷卻單元(HP/COL) 29藉由上 下疊層熱處理單元和冷卻處理單元而形成。黏著處理和冷 卻單元(AD/COL) 3 0以上下疊層黏著處理單元和 冷卻單元而形成》 後台部份2 c具有生傳送裝置1 9,其可沿傳送路徑 14移動。三個顯影處理單元24a,24b | 24c安 本紙張尺度適用中固國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) ^1- I— I n ==- n —.1 ϋ— (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印«. Δ? » 1 Α7 ___Β7_ 五、發明説明彡) 排在傳送路徑1 4之一側上。一熱處理單元3 1,和兩熱 處理和冷卻單元(HP/COL) 32;和33安排在傳送 路徑14之另一側上。 熱處理單元3 1由上和下台構成》熱處理和冷卻單元 (H P/COL) 32和33以上下叠層熱處理單元和冷 卻處理單元而形成。 在處理部份2中,只有旋敷系統單元,如淸潔處理單 元2 1 a,阻止物處理單元2 2,和顯影處理單元2 4 a 安排在一側以將傳送路徑夾於其間•再者•只有熱系統處 理軍元如熱處理單元和冷卻處理單元安排在另一側上。 再者,化學供應單元3 4乃安排在繼電器1 5和1 6 之安排側之旋敷系統單元上,且在主傳送裝置移進或出之 處形成空間3 5。 每個主傳送裝置1 7,1 8,1 9在水平面上具有兩 向X,Y軸驅動機構,和垂直方向之Z軸驅動機構。 再者,主傳送裝置1 7,1 8和1 9具有轉動驅動機 構繞著Z軸轉動,和分別用以支持基底G之臂1 7 a, 1 8 a 和 1 9 a。 主傳送裝置17具有下述之功能。 特別的,基底G在傳送機構1 0之臂1 1和傳送裝置 間運送,基底G運送至由前台部份2 a之每個處理單元, 和基底G在繼電器部份15和傳送裝置間運送。 再者,主傳送裝置1 8具有下述之功能。 特別的,基底G在繼電器部份1 5和傳送裝置間運送 本紙張尺度適用中國S家揉準( CNsTa4規格(210X297公釐) ~ ----------^------it-----r—'t (请先閱讀背面之注意事項再4寫本ί 經濟部中央標準局負工消费合作杜印製 A7 ___B7_ 五、發明説明(0 ) ’基底G運送至/由前台部份2 b之每個處理單元,和基 底G在繼電器部份16和傅送裝置間運送。 再者’主傳送裝置1 9具有下述之功能。 特別的,基底G在繼電器部份1 6和傳送裝置間運送 ,基底G運送至/由前台部2 c之處理單元,和基底G在 介面部份3和傳送裝置間運送* 値得注意的是,繼電器部份1 5和1 6亦作用當成冷 卻板。 介面部份3包含一延伸部3 6,兩緩衝台3 7,和一 傳送機構3 8。 延伸部3 6在基底於處理部份2和介面3間運送時, 暫時的握持基底。緩衝台3 7提供在延伸部3 6之兩側上 以放置緩衝卡匣,傳送機構3 8將基底G運進/出緩衝台 和曝光裝置(未顯示)間。傳送機構3 8具有一傳送臂 3 9,該傳送臂3 9可在一傳送路徑3 8 a上移動,而該 傳送路徑3 8 a沿著安排有延伸部3 6和緩衝台7之方向 形成。基底G之傳送藉由傳送臂3 9在處理部份2和曝光 裝置間執行。 驅動系統,包括卡匣台1之傳送機構1 0和主傳送裝 置1 7,1 8,1 9,乃連接至由來自控制器5 1之控制 訊號所控制之控制器5 1 ·如圖3所示,用以控制整個系 統之C P U 5 2控制控制器5 1。控制器5 1控制包括傳 送臂1 1和主臂18,19之驅動系統.,如下所述。 特別的•在完成預定數目之基底之塗覆和顯影處理後 本紙張尺度逋用中國國家揉率(CNS > A4規格(2丨0X297公釐) ----------^------訂-----^—'t (讶先閱T*背面之注意事項再填寫本頁) -13 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 _B7_五、發明説明(彳) ,控制器51由待機部份13採取具有靜電中性化功能之 構件N ·而後,控制器5 1控制驅動系統以使構件N以如 同基底G之流動或一部份基底G之流動而流入裝置中。 在上述構造之塗覆和顯影系統中,卡匣C之基底G傳 送至處理部份2。在處理部份2,首先,藉由前台部份2 a之紫外線幅射和冷卻單元(u/c ο 1 ) 2 5而對基底 G提供表面改善和淸潔處理,而後冷卻基底G *而後,以 淸潔單元(SCR) 21 a和2 1 b提供基底G刮除淸潔 ,且基底G以熱處理單元(Hp)26加熱和乾燥,而後 以冷卻單元(col) 27冷卻。 而後,基底G傳送至中間台部份2b,而後,爲了改 善阻止物之固定,以單元3 0之上台之黏著處理單元(A D)提供基底G恐水處理(HMDS處理)。而後,以冷 卻單元(COL)冷卻基底G。而後*以阻止物塗覆單元 (CT)22提供基底G阻止物塗覆,而在基底G之緣上 之額外阻止物以緣阻止物移除單元(ER) 2 3移除。而 後,基底G以中間台部份2b之一熱處理單元(HP)預 先烘烤,並由單元2 9或3 0之下台之冷卻單元(C〇L )冷卻。 而後,基底G以主傳送裝置由繼電器部份1 6經由介 面部份3而傳送至曝光裝置。此時,以曝光裝置曝光預定 圖樣· 而後•基底G再度經由介面部份3傳送,並以顯影處 理單元(DEV) 24a,24b,24c顯影,藉以形 本紙法尺度適用中國國家揉準(CNS) 見格(210X297公釐) ~~ -14 - n·—^ - -- - ^^1 : - I! - -II I 11 I ^^1 ^^1 —^1 (讀先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局貝工消費合作杜印裝 B7五、發明説明(12 ) 成一預定電路圇樣,已顯影之基底G以後台部份2 c之熱 處理單元(HP )之一後置烘烤。而後,後置烘烤之基底 G以冷卻單元(COL)冷卻,並以主傳送裝置19, 1 8 1 1 7和傳送機構1 0保持在卡匣台1之預定卡匣上 β 在完成預定數目之基底之處理後,控制器5 1控制包 括傳送機構1 0和主傳送裝置1 7,1 8,1 9之驅動系 統,如下所述。 特別的,控制器5 1由待機部份4拾取具有靜電中性 化功能之構件Ν ·而後·控制器5 1控制驅動系統以使構 件Ν以和基底G相同的流動或一部份基底G之流動而流入 裝置中* 因此,構件Ν以和基底G相同的流動或一部份基底G 相同的流動流入裝置中。結果,即使安裝台之每個單元, 真空卡盤,臂11,和臂17a,18a,19a充電時 ,在其上所產生之靜電亦會由構件N所中性化而實質的抵 消。 如上所述,構件Ν以和基底G相同的流動或一部份基 底G相同的流動流入裝置中,藉以使處理裝置放電。因此 ,由基底G所產生靜電之部份可確實且自動的放電•而無 需使用例如離子器之大尺寸裝置。再者,具有靜電中性化 功能之構件Ν之尺寸和形狀實質的和基底G相同,結果, 構件Ν可以如同基底G,相同的流_流入裝置中·此時, 可確實對由基底G所產生之靜電進行放電· (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) •15- 4391 1 1 A7 B7_ 五、發明説明(3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明並不限於上述之實施例*於此仍有許多之變化 例可行。例如,在上述實施例中*具有靜電中性化功能之 構件N之待機部份4設置在接近卡匣C處*但是,如圖4 所示,待機部份4亦可設置在卡匣台1之側部份上》或是 ,如圇5所示,待機部份4可設置成內建於卡匣台1之卡 匣C之下部份中•藉由設定待機部份4至此一位置,用於 卡匣C之安裝孔不可能減少。再者,構件N之待機部份亦 可簡單的設置在卡匣C之上部份上》再者,構件N待機部 份之位置並不限於卡匣台。待機部份可設置在處理部份之 任何位置上。例如,待機部份可設置在任何熱處理單元( HP )上,或繼電器部份1 5或1 6之上或下部份上♦換 言之|待機部份可設置在其可由主傳送機構1 7,1 8, 1 9和傅送機構1 0所傳送之任何位置上。在此例中,在 卡匣台1中之待機部份之形成可受引導至構件N可輕易的 以和基底G之流動相同之流動而傳送之點上。 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印裝 如圖6所示,在待機部份1中,提供有例如離子器放 電裝置之放電裝置6 0以對具有靜電中性化功能之構件N 放電。因此,即使靜霉中性化能力有限*構件N亦可由放 電裝置6 0放電,因此構件N可重覆的使用。在此例中, 由於放電裝置6 0只需對構件N放電|因此不需要大尺寸 之放電裝置。 上述之實施例說明本發明應用至阻止物塗覆和顯影系 統之例》但是,本發明亦可應用至其它處理。再者,上述 之實施例說明使用L C D基底當成欲處理之物體之例。但 本紙張尺度逋用中S國家揉準(CNS ) A4A格(210X297公釐) -16- B7 經濟部中央標準局員工消f合作杜印装 五、發明说明(4 ) 是,無庸赘言的,本發明亦可應用至處理半導體晶圓之其 它物體之例。 對於熟悉此項技藝之人士而言,將可迅速的獲得本發 明之優點及其修改例。因此,本發明以其較廣泛的觀點並 不限於上述之特別細節和代表實施例。因此,於此可達成 各種不同的變化,但這些變化仍未能悖離下述申請專利範 圍和其等效例所界定之一般發明槪念之精神和範疇。 (婧先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度遑用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -17-

Claims (1)

  1. 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裂 B8 C8 _ D8六、申請專利範圍 1 .—種放電方法,用以對提供預定處理至欲處理之 物體之處理裝置放電,包含之步厲爲:使具有靜電中性化 功能之構件以至少欲處理之物體之一部份之處理流流入處 理裝置中。 2 .如申請專利範圔第1項之放電方法,其中具有靜 電中性化功能之構件表面具有和處理物體相同的尺寸和形 狀。 3.—種處理裝置,具有放電功能,包含: 處理機構用以提供處理至欲處理之物體: 一物體保持部份用以保持該欲處理之物體: 一待機部份用以設置具有靜電中性化功能之構件在一 待機狀況: 傳送機構用以選擇性的傳送欲處理之物體和具有靜電 中性化功能之構件至/由處理機構;和 控制器用以控制該傳送機構以使具有靜電中性化功能 之構件在處理預定數目之物體完成後》以至少欲處理之物 體之一部份之處理流流入處理裝置中,藉此,該處理裝置 可由具有靜電中性化功能之構件放電* 4 .如申請專利範圍第3項之處理裝置,其中該具有 靜電中性化功能之構件表面具有和處理物體相同的尺寸和 形狀。 5 .如申請專利範圍第3項之處理裝置,進一步包含 放電機構用以在該待機部份上對具有靜.電中性化功能之構 件放電β 本纸涑尺度適用中SS家揉準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐>~- 18 * --------i------ir------d <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) f' Αϋ Β8 CS D8 經濟部中央標準局貞工消费合作社印11 六、申請專利範園 6 .如申請專利範圔第3項之處理裝置,其中該待機 部份位在該物體保持部份上。 7. —種處理裝置,具有放電功能,包含: —處理部份具有多數之處理機構以提供處理至欲處理 之物體: —物體保持部份用以保持欲處理之物體; —待機部份,提供在該物體保持部份中,用以設置具 有靜電中性化功能之構件在待機狀況; 第一傳送機構用以選擇性的傳送該欲處理之物體和該 具有靜電中性化功能之構件至/由該處理機構; 第二傳送機構用以傳送該欲處理之物體和該具有靜電 中性化功能之構件至/由在該處理部份中之每個處理機構 ;和 控制器用以控制第一和第二傳送機構以使該具有靜電 中性化功能之構件在預定數目之物體之處理完成後,以至 少欲處理之物體之一部份處理流流入處理裝置中* 藉此*處理裝置可由具有靜電中性化功能之構件放電 〇 8 .如申請專利範圍第7項之處理裝置,其中該具有 靜電中性化功能之構件表面具有和處理物體相同的尺寸和 形狀。 9.如申請專利範圍第7項之處理裝置,進一步包含 放電機構用以在待機部份放電具有靜電中性化功能之構件 ---------^------iT------^ (請先Μ讀背面之ii意事項再填寫本頁) 本纸張尺度逍用中國國家標準(CNS)A4规格( 210X297公鼇} -19-
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