JP4021118B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板等の基板を処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造におけるリソグラフィ技術では，基板処理装置にて半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）等の基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成した後に，ウェハを基板処理装置とは別の露光装置に搬送して，露光装置にて露光されたウェハを基板処理装置に再度搬送し，このウェハに現像液を供給して現像処理するようにしている。
【０００３】
ところで，基板処理装置にはウェハにレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット，レジスト塗布処理終了後のウェハや露光処理後のウェハを加熱処理する加熱処理ユニット，加熱処理後のウェハを冷却処理する冷却処理ユニット，ウェハに現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等の種々の処理ユニットが個別に備えられており，これらの処理ユニット間におけるウェハの搬送，並びにウェハの搬入出は，搬送手段によって行われている。そして，搬送手段は各種処理ユニットに対して所定の順番でウェハを搬送するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来では，このようにウェハを搬送する順番については考慮されていても，ウェハの搬送経路についてはあまり考慮されていなかった。そのため，ウェハの搬送経路が複雑化してしまう場合があり，必ずしもウェハを効率よく搬送できるとは限らず，例えばウェハの搬送に遅れが生じる等の弊害が発生するおそれがあった。
【０００５】
そこで本発明は，搬送手段による基板の搬送経路が複雑化せず，基板を効率よく搬送することのできる新規な基板処理装置を提供して，上記課題を解決することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために，請求項１によれば，基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記第１の搬送経路に沿って配置された処理ユニット間で基板を搬送し，前記第２の搬送経路に沿って配置された処理ユニット間で基板を搬送する搬送手段を備え，前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【０００７】
請求項１に記載の基板処理装置によれば，基板は別の処理装置，例えば露光装置に搬入されるまで搬送手段によって第１の搬送経路を通じて搬送され，第１の搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユニットにて処理される。次いで，基板は別の処理装置に搬送されて処理された後に，搬送手段によって第１の搬送経路とは別の第２の搬送経路を通じて搬送され，第２の搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユニットにて処理される。このように，互いに独立した第１の搬送経路と第２の搬送経路とを通じて各々基板を搬送するので，第１の搬送経路および第２の搬送経路が複雑化することを防止できる。しかも作業者が空間部に進入し，第１の搬送経路，第２の搬送経路に沿って配置されている処理ユニットの点検や整備を容易に行うことができる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は，請求項１に記載の基板処理装置において，前記搬送手段は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第１の搬送手段と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第２の搬送手段とからなることを特徴としている。
【０００９】
請求項２に記載の基板処理装置によれば，別の処理装置にて処理される前の基板は，第１の搬送経路を通じて，第１の搬送手段によって搬送される。次いで，基板は別の処理装置にて処理された後に，第２の搬送経路を通じて，第２搬送手段によって搬送される。このように，第１，第２の搬送手段によって基板の搬送をそれぞれ分担させるので，従来のように一の搬送手段で基板を搬送する場合よりも，各搬送手段の基板を搬送する際の負担を減少させることができる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は，請求項１，２に記載の基板処理装置において，前記処理ユニットは，多段に積み重ねられたことを特徴としている。
【００１３】
請求項３に記載の基板処理装置によれば，処理ユニットを多く配置して基板の処理枚数の増加を図れる。
【００１４】
請求項４に記載の発明は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置は，基板を露光処理する構成であって，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置にて露光処理された前記基板を現像処理する現像処理ユニットを備えていることを特徴としている。請求項５に記載の発明は，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，ユニット上部に配置されたケミカルフィルタと，ユニット内部の空気を上方から下方へ流す機構とを備えていることを特徴としている。請求項６に記載の発明は，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，ＨＥＰＡフィルタを備えていることを特徴としている。
【００１５】
請求項４〜６に記載の基板処理装置によれば，装置内にケミカルフィルタやＨＥＰＡフィルタが設けられていることにより，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング膜を得ることができる。
【００１６】
請求項７に記載の発明は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度及び湿度を調整する第１の調整機構と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度を制御する第２の調整機構とを備えていることを特徴としている。
【００１７】
請求項７に記載の基板処理装置によれば，第１の調整機構により，別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度及び湿度を制御することでき，第２の調整機構により，別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度を制御することができる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する前に所定の処理を施す膜形成前処理ユニットと，前記膜形成前処理ユニットに対して搬送される基板が載置される載置台とを備え，前記膜形成前処理ユニットは，前記載置台から前記膜形成前処理ユニットに対し，前記基板を受け渡すための開口部を備えていることを特徴としている。
【００１９】
請求項８に記載の基板処理装置によれば，１または２以上の膜形成前処理ユニットに開口部を形成し，基板の受け渡し場所を多数設ける。そうなると，基板処理装置内の基板の処理状況に応じて，最適な基板の受け渡し場所を決定することができ，スループットを向上させることができる。
【００２０】
請求項９に記載の発明は，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記基板を現像処理した後に所定の処理を施す現像後処理ユニットと，前記現像後処理ユニットにて処理された前記基板が載置される載置台とを備え，前記現像後処理ユニットは，前記現像後処理ユニットから前記載置台に対し，前記基板を受け渡すための開口部を備えていることを特徴としている。
【００２１】
請求項９に記載の基板処理装置によれば，１または２以上の現像後処理ユニットに開口部を形成し，基板の受け渡し場所を多数設ける。そうなると，基板処理装置内の基板の処理状況に応じて，最適な基板の受け渡し場所を決定することができ，スループットを向上させることができる。
【００２２】
請求項１０に記載の発明は，前記第１の搬送経路の終わりに配置された第１の不良基板回収手段と，前記第２の搬送経路の終わりに配置された第２の不良基板回収手段とを備えていることを特徴としている。請求項１１に記載の発明は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットで処理された基板を検査する第１の検査手段と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットで処理された基板を検査する第２の検査手段とを備えていることを特徴としている。請求項１２に記載の発明は，前記第１の搬送経路の終わりに配置され，前記第１の検査手段にて不良と判断された基板を回収する第１の不良基板回収手段と，前記第２の搬送経路の終わりに配置され，前記第２の検査手段にて不良と判断された基板を回収する第２の不良基板回収手段とを備えていることを特徴としている。
【００２３】
請求項１０〜１２に記載の基板処理装置によれば，まず請求項４の記載から，別の処理装置による露光処理の前に行われる膜形成処理の搬送経路は，第１の搬送経路となり，露光処理後に行われる現像処理の搬送経路は，第２の搬送経路とな。このように，それぞれの処理の搬送経路が独立して設けられているため，第１の搬送経路に第１の不良基板回収手段を，第２の搬送経路に第２の不良基板回収手段をそれぞれ設置して，膜形成処理による不良基板，現像処理による不良基板をそれぞれ効率よく回収することができる。更に，第１の搬送経路で行われた処理で不良と判断された基板は回収されるので，別の処理装置に投入される基板は全て良品基板となる。その結果，膜形成処理，露光処理，現像処理の一連の処理工程を経て形成される基板のうち，不良基板の占める割合が少なくなり，効率良く良品基板を製造することができる。
【００２４】
請求項１３によれば，基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第１の搬送手段と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第２の搬送手段とを備え，第１の搬送経路と前記第２の搬送経路とを略平行に配置して，該第１の搬送経路と第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部を形成し前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，前記空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００２５】
請求項１３に記載の基板処理装置によれば，基板は別の処理装置にて処理されるまで，第１の搬送手段によって第１の搬送経路を通じて搬送されながら，第１の搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユニットにて処理される。次いで，基板は別の処理装置にて所定の処理が行われた後に，第２の搬送手段によって第２の搬送経路を通じて搬送されながら，第２の搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユニットにて処理される。このように，第１，第２の搬送経路が独立しているので，基板の搬送経路が複雑化することを防止できる。さらに，第１の搬送経路と第２の搬送経路とを略平行に配置し，第１，第２の搬送経路の間に，何らの装置も配置されていない空間部を形成し前記空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有しているようにしたので，例えば空間部に進入した作業者が，第１の搬送経路，第２の搬送経路に沿って配置する各種処理ユニットの点検や整備を容易に行うことができる。
【００２６】
請求項１４によれば，基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニットを備え，前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００２７】
請求項１４に記載の基板処理装置によれば，請求項１３と同様に基板の搬送経路が複雑化することを防止できる。
【００２８】
請求項１５によれば，基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニットと，ユニット上部に配置されたケミカルフィルタと，ユニット内部の空気を上方から下方へ流す機構とを備え，前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００２９】
請求項１５に記載の基板処理装置によれば，請求項１３，１４と同様に基板の搬送経路が複雑化することを防止できる。また，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング膜を得ることができる。
【００３０】
請求項１６によれば，基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニットを備え，前記第１の搬送経路の終わりに，不良と判断された基板を回収する第１の不良基板回収手段を配置し，前記第２の搬送経路の終わりに，不良と判断された基板を回収する第２の不良基板回収手段を配置し，前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，
前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００３１】
請求項１６に記載の基板処理装置によれば，請求項１３〜１５と同様に基板の搬送経路が複雑化することを防止できる。また，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング膜を得ることができる。また，不良基板を回収して，効率良く良品基板を製造することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下，添付図面に基づき，本発明の実施の形態について説明する。図１は，本発明の第１の実施の形態にかかる基板処理装置の概略的な平面図を示している。
【００３３】
基板処理装置１は，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から基板処理装置１内に搬入出し，カセットＣにウェハＷを搬入出するカセットステーション２と，ウェハＷに対して枚葉式に所定の処理を施す各種の処理ユニットを多段に配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接する露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００３４】
カセットステーション２では，カセット載置台５上にカセットＣが，ウェハＷの出入口を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って載置自在である。そして，このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体６が搬送路７に沿って移動可能であり，カセットＣに対して各々選択的にアクセスできるようになっている。このウェハ搬送体６はθ方向にも回転自在に構成されており，後述する第１熱処理ユニット群５０のエクステンションユニット５４や，第４熱処理ユニット群８０のエクステンションクーリングユニット８２やエクステンションユニット８３にアクセスできるように構成されている。
【００３５】
処理ステーション３には正面側に膜形成ユニット群１０と，背面側に現像処理ユニット群１５とがそれぞれ配置されている。
【００３６】
膜形成ユニット群１０は，カップＣＰに収容されたウェハＷ上に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニット１１と，カップＣＰに収容されたウェハＷ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理ユニット１２とがそれぞれ３段に積み重ねられた状態で２列に配置されている。そして，膜形成ユニット１０群の下部には，ウェハＷにレジスト液を供給するレジスト液供給タンク（図示せず）等を収納可能なケミカルボックス（図示せず）が設けられている。
【００３７】
現像処理ユニット群１５は，カップＣＰに収容されたウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理ユニット１６からなり，この現像処理ユニット１６が２段に積み重ねられた状態で２列に配置されている。そして，現像処理ユニット群１５の下部には，ウェハＷに現像液を供給する現像液供給タンク（図示せず）を収納可能なケミカルボックス（図示せず）が設けられている。
【００３８】
処理ステーション３の中心部には空間部２０が形成されており，空間部２０はインターフェイス部４に設けられた開閉自在な後記の扉９６と連通している。そして，空間部２０を挟んで膜形成ユニット群１０と現像処理ユニット群１５とは対向配置しており，膜形成ユニット群１０と空間部２０との間にはウェハＷを搬送する第１の搬送手段３０が，現像処理ユニット群１５と空間部２０との間にはウェハＷを搬送する第２の搬送手段４０が対向配置している。
【００３９】
第１の搬送手段３０は露光処理前のウェハＷを第１の搬送経路３０Ａを通じて搬送するようになっており，第２の搬送手段４０は露光処理後のウェハＷを第２の搬送経路４０Ａを通じて搬送するようになっている。そして，第１の搬送手段３０と第２の搬送手段４０とは基本的に同一の構成を有しており，第１の搬送手段３０の構成を図２に基づいて説明すると，第１の搬送手段３０には，上端及び下端で相互に接続され対向する一体の壁部３１，３２からなる筒状支持体３３の内側に，上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送機構３４が設けられている。筒状支持体３３はモータ３５の回転軸に接続されており，このモータ３５によって，前記回転軸を中心としてウェハ搬送機構３４と一体に回転するようになっている。従って，ウェハ搬送機構３４はθ方向に回転自在となっている。
【００４０】
ウェハ搬送機構３４の搬送基台３６上には，ウェハＷを保持する３本のピンセット３７，３８，３９が上中下にそれぞれ備えられている。これらのピンセット３７，３８，３９は基本的に同様の構成を有しており，いずれも筒状支持体３３の側面開口部３３ａを通過自在な形態及び大きさを有している。また，ピンセット３７，３８，３９は搬送基台３６に内蔵されたモータ（図示せず）によって前後方向に移動自在となっている。なお，第２の搬送手段４０には，ピンセット３７，３８，３９と同様の機能及び構成を有するピンセット４７，４８，４９が上中下にそれぞれ備えられている。
【００４１】
第１の搬送手段３０の両側には，膜形成前処理ユニットを有する第１熱処理ユニット群５０及び第２熱処理ユニット群６０が配置されており，第２の搬送手段４０の両側には，第３熱処理ユニット群７０及び現像後処理ユニットを有する第４熱処理ユニット群８０がそれぞれ配置されている。そして，第１熱処理ユニット群５０および第４熱処理ユニット群８０はカセットステーション２側に，第２熱処理ユニット群６０及び第３熱処理ユニット群７０はインターフェイス部４側にそれぞれ配置されている。
【００４２】
基板処理装置１において，第１の搬送経路３０Ａに沿って，膜形成ユニット群１０，第１熱処理ユニット群５０及び第２熱処理ユニット群６０が配置されている。第２の搬送経路４０Ａに沿って，現像処理ユニット群１５，第３熱処理ユニット群７０及び第４熱処理ユニット群８０が配置されている。
【００４３】
ここで，カセットステーション２側から見た処理ステーション３のＰ−Ｐ線断面図を示す図３に基づいて第１熱処理ユニット群５０及び第４熱処理ユニット群８０の構成を説明すると，第１熱処理ユニット群５０には，ウェハＷを冷却処理するクーリングユニット５１，５１，ウェハＷの表面に疎水化処理を施すアドヒージョンユニット５２，ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユニット５３，ウェハＷを待機させるエクステンションユニット５４，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニット５５，５５，５５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット５６，５６が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００４４】
一方，第４熱処理ユニット群８０には，クーリングユニット８１，待機したウェハＷを冷却するエクステンションクーリングユニット８２，エクステンションユニット８３，クーリングユニット８４，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット８５，８５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット８６，８６，８６，８６が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００４５】
インターフェイス部４側から見た処理ステーション３のＱ−Ｑ線断面図を示す図４に基づいて第２熱処理ユニット群６０及び第３熱処理ユニット群７０の構成を説明すると，第２熱処理ユニット群６０には，クーリングユニット６１，エクステンションクーリングユニット６２，エクステンションユニット６３，６３，クーリングユニット６４，６４およびプリベーキングユニット６５，６５，６５，６５が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００４６】
一方，第３熱処理ユニット群７０には，クーリングユニット７１，７１，エクステンションユニット７２，７２，ポストエクスポージャベーキングユニット７３，７３，７３およびポストベーキングユニット７４，７４，７４が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００４７】
インターフェイス部４には，ウェハＷの周辺部を露光する周辺露光装置９０と，ウェハＷを収納可能なカセット９１と，露光装置（図示せず）にて露光されたウェハＷを載置して冷却する冷却載置台９２と，カセット９１，冷却載置台９２および露光装置（図示せず）の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体９３と，第２熱処理ユニット群６０のエクステンションユニット６３，６３，周辺露光装置９０およびカセット９１の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体９４とが設けられている。
【００４８】
ウェハ搬送体９４を挟んで周辺露光装置９０の反対側には副搬送体９５が設けられており，副搬送体９５は，ウェハ搬送体９４の搬送するウェハＷを受け取って，第３熱処理ユニット群７０のエクステンションユニット７２，７２にウェハＷを搬入することができるようになっている。また，インターフェイス部４には処理ステーション３の空間部２０に連通する開閉自在な前出の扉９６が設けられており，作業者は扉９６を開けてインターフェイス部４から空間部２０に入り込むことができるように構成されている。
【００４９】
本発明の第１の実施の形態にかかる基板処理装置１は以上のように構成されている。次に，基板処理装置１の作用効果について説明する。
【００５０】
カセット載置台５に例えば２５枚の未処理のウェハＷを収納したカセットＣが載置されると，ウェハ搬送体６がカセットＣにアクセスして未処理のウェハＷを１枚取り出す。そして，このウェハＷは別の処理装置としての露光装置（図示せず）に搬送されて露光されるまで第１の搬送手段３０によって第１の搬送経路３０Ａを通じて各種処理ユニットに対して順次搬送されて行く。
【００５１】
即ち，ウェハ搬送体６によって取り出されたウェハＷは，第１熱処理ユニット群５０のエクステンションユニット５４に搬送される。更に，第１の搬送手段３０によって，エクステンションユニット５４内のウェハＷは取り出され，第１熱処理ユニット群５０のアライメントユニット５３に搬送され，アライメントユニット５３にて所定の位置合わせが行われる。次いで，ウェハＷは第１の搬送手段３０に装備されたピンセット３９に保持された状態で，同じ第１熱処理ユニット群５０のアドヒージョンユニット５２に搬送される。このアドヒージョンユニット５２にて疎水化処理の行われたウェハＷはピンセット３９に保持されて，膜形成ユニット群１０の反射防止膜形成ユニット１１に搬送される。
【００５２】
反射防止膜形成ユニット１１にて反射防止膜の形成されたウェハＷは，第１の搬送手段３０のピンセット３８に保持された状態で，レジスト塗布処理ユニット１２に搬送されて，反射防止膜の上面にレジスト膜が形成される。次いで，ウェハＷは第１の搬送手段３０のピンセット３７に保持された状態で，第２熱処理ユニット群６０のプリベーキングユニット６５に搬送されて加熱処理される。
【００５３】
かかる加熱処理終了後のウェハＷは第１の搬送手段３０のピンセット３９に保持された状態で，第２熱処理ユニット群６０のエクステンションクーリングユニット６２に搬送されて，所定温度まで冷却処理された後に，その場で待機する。こうして，第１の搬送手段３０による第１の搬送経路３０Ａを通じたウェハＷの搬送が終了する。
【００５４】
次いで，ウェハＷはエクステンションクーリングユニット６２からウェハ搬送体９４によって搬出されて，周辺露光装置９０に搬送される。この周辺露光装置９０で周辺部の不要なレジスト膜が除去されたウェハＷは，別の処理装置としての露光装置（図示せず）に搬送されて露光される。
【００５５】
露光後のウェハＷは，ウェハ搬送体９３によって冷却載置台９２に載置されて冷却された後，ウェハ搬送体９４に受け渡されて搬送される。そして，このウェハＷはウェハ搬送体９４から副搬送体９５に受け渡された後に副搬送装置９５によって第３熱処理ユニット群７０のエクステンションユニット７２に搬送されて，その場で待機する。その後，エクステンションユニット７２にて待機しているウェハＷは第２の搬送手段４０によって第２の搬送経路４０Ａを通じて各種処理ユニットに対して搬送されて行く。
【００５６】
即ち，ウェハＷは第２の搬送手段４０によってエクステンションユニット７２からポストエクスポージャベーキングユニット７３に搬送され，その後このウェハＷに対する露光処理後の加熱処理が行われる。そして，露光処理後の加熱処理の終了したウェハＷは，第２の搬送手段４０のピンセット４９に保持された状態で，クーリングユニット７１に搬送されて冷却処理された後に，現像処理ユニット群１５の現像処理ユニット１６に搬送されて現像処理される。
【００５７】
そして，現像処理後のウェハＷはピンセット４７に保持された状態で，第４熱処理ユニット群８０のポストベーキングユニット８６に搬送されて加熱処理される。次いで，ポストベーキング処理後のウェハＷはピンセット４９に保持されて，第４熱処理ユニット群８０のクーリングユニット８１に搬送されて冷却処理される。次いで，ウェハＷはクーリングユニット８１からエクステンションユニット８３に搬送されて，その場で待機する。こうして，第２の搬送手段４０によって第２の搬送経路４０Ａを通じたウェハＷの搬送が終了する。
【００５８】
そして，ウェハＷはウェハ搬送体６によってエクステンションユニット８３からカセット載置台５上のカセットＣに搬送され収納される。こうして，ウェハＷに対する一連の処理が終了する。
【００５９】
本発明の第１の実施の形態にかかる基板処理装置１では，ウェハＷは露光装置（図示せず）に搬送されて処理されるまでの間，第１の搬送手段３０によって第１の搬送経路３０Ａを通じて搬送される。即ち，ウェハＷは第１熱処理ユニット群５０，膜形成ユニット群１０，第２熱処理ユニット群６０の順に搬送され，その後露光装置（図示せず）に搬送されて露光される。次いで，露光の終了したウェハＷは，カセットＣに収納されるまでの間，今度は第２の搬送手段４０によって第２の搬送経路４０Ａを通じて搬送される。即ち，ウェハＷは第３熱処理ユニット群７０，現像処理ユニット群１５，第４熱処理ユニット群８０の順に搬送され，その後カセットＣに収納されて一連の処理が終了する。
【００６０】
このように，独立した第１の搬送経路３０Ａと第２の搬送経路４０Ａとを通じてウェハＷが搬送されるので，第１の搬送経路３０Ａと第２の搬送経路４０Ａとが複雑化することを防止することができる。
【００６１】
また，露光装置（図示せず）にて処理される前のウェハＷは第１の搬送手段３０によって搬送されるようになっており，露光装置（図示せず）にて既に処理されたウェハＷは第１の搬送手段３０とは別の第２の搬送手段４０によって搬送されるようになっている。即ち，ウェハＷの搬送を第１，第２の搬送手段３０，４０によって分担しているので，従来のように一の搬送手段でウェハＷを搬送する場合よりも，第１，第２の搬送手段３０，４０によるウェハＷの搬送距離がそれぞれ短縮化して，各搬送手段３０，４０のウェハＷを搬送する際の負担が減少する。従って，この点からもウェハＷの搬送経路が複雑化することを防止でき，効率よくウェハＷを搬送することが可能である。
【００６２】
そして，第１の搬送経路３０Ａと第２の搬送経路４０Ａとの間に扉９６と連通する空間部２０を処理ステーション３の中心部に形成するようにしたので，作業者が扉９６を開けて空間部２０に入り込み，各処理ユニットの点検や整備を行うことができる。
【００６３】
次に，本発明の第２の実施の形態にかかる基板処理装置を説明する。
【００６４】
この基板処理装置１００には図５に示すように，カセットステーション３に設けられた搬送レール１０１上を往復移動自在であって，かつ第１の搬送経路１０２に沿って配置する各種処理ユニットに対してウェハＷを搬送する第１の搬送手段１０４と，搬送レール１０１と対向する搬送レール１０５上を往復移動自在であって，かつ第２の搬送経路１０３に沿って配置する各種処理ユニットに対してウェハＷを搬送する第２の搬送手段１０６とが備えられている。そして，第１の搬送経路１０２と第２の搬送経路１０３とは略平行となるように形成されており，第１の搬送経路１０２と第２の搬送経路１０３との間には，例えば作業者が開閉自在な扉９６を開いてインターフェイス部４から進入することのできる空間部１０７が形成されている。
【００６５】
かかる基板処理装置１００によれば，第１の搬送経路１０２と第２の搬送経路１０３とが略平行に配置されているので，露光処理前のウェハＷを処理する各種処理ユニットと，露光処理後のウェハＷを処理する各種処理ユニットとが略平行に配置される。従って，これら第１，第２の搬送経路１０２，１０３の間に形成された空間部１０７に進入した作業者は，この空間部１０７に沿って移動しながら，略平行に配置した各種処理ユニットの点検，整備をより容易に実施することができる。
【００６６】
次に，本発明の第３の実施の形態にかかる基板処理装置について，図６を用いて説明する。第３の実施の形態にかかる基板処理装置２００は，前記第１の実施の形態にかかる基板処理装置１と比較し，ケミカルフィルタなどの清浄機構が設けられている点で異なるが，他の構造については同様のため，清浄機構についてのみ説明する。図中，処理ステーション２０３は，第１の実施の形態では処理ステーション３に相当する。処理ステーション２０３の中心部には，第１の実施の形態の空間２０に相当する空間部２２０が形成されている。第１熱処理ユニット群２５０は，第１の実施の形態の第１熱処理ユニット５０に相当し，第４熱処理ユニット群２８０は，第１の実施の形態の第４熱処理ユニット群８０に相当する。膜形成ユニット群２１０は，第１の実施の形態の膜形成ユニット群１０に相当し，現像処理ユニット群２１５は，第１の実施の形態の現像処理ユニット群１５に相当する。反射防止膜形成ユニット２１１は，第１の実施の形態の反射防止膜形成ユニット１１に相当し，現像処理ユニット２１６は，第１の実施の形態の現像処理ユニット１６に相当する。第１の実施の形態と同様に，膜形成ユニット群２１０，第１熱処理ユニット２５０，レジスト塗布処理ユニット，第２熱処理ユニット群は，第１の搬送経路に沿って配置され，現像処理ユニット群２１５，第４熱処理ユニット群２８０，第３熱処理ユニットは，第２の搬送経路に沿って配置されている。
【００６７】
第３の実施の形態においては，処理ステーション２０３内は，第１の搬送経路に沿ってウェハＷ（基板）が搬送される第１の領域２０５と，第２の搬送経路に沿ってウェハＷ（基板）が搬送される第２の領域２０６とに，空間的に分離されている。第１の領域２０５は，側板２０７ａ，２０７ｂ，天板２０７ｅ，底板２０７ｆで取り囲まれている。第２の領域２０６は，側板２０７ｃ，２０７ｄ，天板２０７ｅ，底板２０７ｆで取り囲まれている。第１の領域２０５内には，膜形成ユニット群２１０，第１熱処理ユニット群２５０，レジスト塗布処理ユニット，第２熱処理ユニット群が配置されている。第２の領域２０６内には，現像処理ユニット群２１５，第４熱処理ユニット群２８０，第３熱処理ユニットが配置されている。第１の領域２０５及び第２の領域２０６内は，それぞれ上部から下部に向けて領域内の空気が流れるダウンフロー構造をそれぞれ有している。
【００６８】
第１の領域２０５内には，側板２０７ａに沿って，垂直ダクト２３０が形成されている。第１の領域２０５内の上部には，空気清浄機構としてケミカルフィルタ２３１が配置され，天板２０７ｅとケミカルフィルタ２３１との間には上部空間２３２が形成されている。この上部空間２３２は垂直ダクト２３０に連通している。上部空間２３２には，ファン２３３が配置されている。第１の領域２０５内の底部には多孔板２３４が配置され，底板２０７ｆと多孔板２３４との間には下部空間２３５が形成されている。多孔板２３４には多数の通気孔が形成され，第１の領域２０５内のダウンフローエアが通気孔を通って下部空間２３５に流れ込むようになっている。
【００６９】
底部２０７ｆには循環通路２３６に連通する排気口２３７が形成されており，循環通路２３６を介して下部空間２３５内の空気が，第１の調整機構としての温度・湿度制御部２３８に送られるようになっている。
【００７０】
第１の領域２０５内から排出された空気は，温度・湿度制御部２３８で空気の温度と湿度が制御され，供給通路２３９を介して，垂直ダクト２３０及び上部空間２３２を通って，第１の領域２０５内に再び供給されるようになっている。再び供給された空気は，ケミカルフィルタ２３１を通ることにより，アンモニアやアミンなどが除去される。アンモニアやアミンなどが除去された空気は，下方に向けて吹き出され，膜形成ユニット群２１０，レジスト塗布処理ユニット群を通って，下部空間２３５までに流れる。また，膜形成ユニット群２１０やレジスト塗布処理ユニット群の各ユニット内には，各ユニット内の温度，湿度を検出するための制御センサが配置されている。制御センサによる検出結果は制御部２４０に送られ，制御センサにより検出された結果に基づいて温度・湿度制御部２３８を制御する。
【００７１】
第２の領域２０６内には，側板２０７ｄに沿って，垂直ダクト２６０が形成されている。第２の領域２０６内の上部には，空気清浄機構としてのケミカルフィルタ２６１，ＨＥＰＡフィルタ２６２が配置され，天板２０７ｅとケミカルフィルタ２６１との間には上部空間２６３が形成されている。この上部空間２６３は，垂直ダクト２６０に連通している。上部空間２６３には，ファン２６４が配置されている。第２の領域２０６内の底部には多孔板２６５が配置され，底板２０７ｆと多孔板２６５との間には下部空間２６６が形成されている。多孔板２６５には多数の通気孔が形成され，第２の領域２０６内のダウンフローエアが通気孔を通って下部空間２６６に流れ込むようになっている。
【００７２】
底板２０７ｆには，循環通路２６７に連通する排気口２６８が形成されており，循環通路２６７を介して下部空間２６６内の空気が，第２の調整機構としての温度制御部２６９に送られるようになっている。
【００７３】
第２の領域２０６内から排出された空気は，温度制御部２６９で空気の温度が制御され，供給通路２７０を介して，垂直ダクト２６０及び上部空間２６３を通って，第２の領域２０６内に再び供給されるようになっている。再び供給された空気は，ケミカルフィルタ２６１を通ることにより，アンモニアやアミンなどが除去される。更に，空気は，ＨＥＰＡフィルタ２６２により，パーティクルが除去される。その後，空気は，下方に向けて吹き出され，現像処理ユニット群２１５の各ユニットを通って，下部空間２６６までに流れる。また，現像処理ユニット群２１５の各ユニット内には，各ユニット内の温度を検出するための制御センサが配置されている。制御センサによる検出結果は制御部２７１に送られ，制御センサにより検出された結果に基づいて温度制御部２６９を制御する。なお，図中における矢印は空気の流れを示すものである。
【００７４】
更に，露光処理後，ウェハＷが第２の領域２０６内へ搬入されるまでの間に通るインターフェース部の上部には，ケミカルフィルタが設けられている。
【００７５】
図７に示すように，第１熱処理ユニット群２５０には，ウェハＷを冷却処理するクーリングユニット２５１，２５１，ウェハＷの表面に疎水化処理を施すアドヒージョンユニット２５２，ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユニット２５３，ウェハＷを待機させるエクステンションユニット２５４，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニット２５５，２５５，２５５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット２５６，２５６が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００７６】
第３熱処理ユニット群２８０には，クーリングユニット２８１，待機したウェハＷを冷却するエクステンションクーリングユニット２８２，エクステンションユニット２８３，クーリングユニット２８４，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット２８５，２８５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット２８６，２８６，２８６，２８６が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００７７】
第３の実施の形態では，ウェハＷ上に何らかの膜が形成されるユニットが配置される第１の領域２０５及び露光後のウェハが配置されるインターフェース部内には，ケミカルフィルタ２３１が配置され，現像処理されるユニットが配置される第２の領域２０６内には，ケミカルフィルタ２６１に加え，ＨＥＰＡフィルタ２６２が配置されている。尚，第１の領域２０５内に配置されるフィルタとしてケミカルフィルタ２３１の他にパーティクルを除去するＨＥＰＡフィルタを設けてもよい。また，ＨＥＰＡフィルタとケミカルフィルタの２種類のフィルタを設ける場合，その配置順は限定されない。
【００７８】
レジスト材として化学増幅型レジストを用いる場合は，ウェハＷが露光処理後から現像処理終了までに配置されるインターフェース部内と第２の領域２０６内にケミカルフィルタを設けることが望ましく，ケミカルフィルタにより内部のアルカリ成分を除去することができる。化学増幅型レジスト材は，レジスト中に感光剤として酸発生剤，酸感応物質を含有してなり，露光処理によって酸が発生する。そして，露光処理に続く加熱処理によって，酸を触媒として酸感応物質が反応し，レジストの溶解性を変化させる。従って，処理雰囲気中にアンモニアやアミンといったアルカリ成分が存在すると，これらアルカリ成分と酸とが中和してしまい，反応が進まなくなる。このため，化学増幅側レジスト材を用いる場合，露光処理後から現像処理終了までの間は，処理雰囲気内からアルカリ成分を除去することが，反応が速やかに行われるために重要となり，露光処理後から現像処理終了までの間にウェハが配置される処理室内にケミカルフィルタを配置することが望ましい。
【００７９】
また，第３の実施の形態では，何らかの膜が形成されるユニットが配置される第１の領域２０５内に供給される空気について温度・湿度制御を行っているが，現像処理ユニットが配置される第２の領域２０６内に供給される空気については温度制御のみが行われている。これは，何らかの膜をウェハＷ（基板）上に形成するときには，特に湿度の変化が膜厚に影響を及ぼすため，何らかの膜が形成されるユニット内に供給される空気の湿度を調整する機構を設けることが望ましいためである。
【００８０】
このように第３の実施の形態においては，基板処理装置２００内に，ケミカルフィルタ２３１，２６１，ＨＥＰＡフィルタ２６２等が設けられていることにより，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング膜を得ることができる。
【００８１】
次に，第４の実施の形態にかかる基板処理装置について，図８を用いて説明する。第４の実施の形態にかかる基板処理装置３０１は，第１の実施の形態にかかる基板処理装置１と比較し，第１の搬送経路に沿って処理された基板を検査する第１の検査装置と，第１の検査装置によって不良と判断された基板を回収する第１の不良基板回収手段と，第２の搬送経路に沿って処理された基板を検査する第２の検査装置と，第２の検査装置によって不良と判断された基板を回収する第２の不良基板回収手段とを更に有する点で異なる。他の構造については同様のため，同様の点については詳細な説明を省略する。
【００８２】
基板処理装置３０１は，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から基板処理装置３０１内に搬入出し，カセットＣにウェハＷを搬入出するカセットステーション３０２と，ウェハＷに対して枚葉式に所定の処理を施す各種の処理ユニットを多段に配置してなる処理ステーション３０３と，この処理ステーション３０３に隣接する露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部３０４とを一体に接続した構成を有している。
【００８３】
カセットステーション３０２では，カセット載置台３０５上にカセットＣが，ウェハＷの出入口を処理ステーション３０３側に向けてＸ方向に沿って載置自在である。そして，このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体３０６が搬送路３０７に沿って移動可能であり，カセットＣに対して各々選択的にアクセスできるようになっている。このウェハ搬送体３０６はθ方向にも回転自在に構成されており，後述する第１熱処理ユニット群３５０のエクステンションユニット３５４，アライメントユニット３５３や，第４熱処理ユニット群３８０のエクステンションクーリングユニット３８２，エクステンションユニット３８３，クーリングユニット３８１及び３８４にアクセスできるように構成されている。
【００８４】
また，カセット載置台３０５上には，後述する第２の搬送経路３４０Ａの終わりに配置された第２の不良基板回収手段としての第２の不良基板回収カセット３２４が載置されている。第２の搬送経路３４０Ａを通って処理されたウェハＷ（基板）は，現像処理後のパターニング膜の膜厚や膜質などを検査する第２の検査装置３２３へ，ウェハ搬送体３０６により搬送され，検査される。検査により，不良と判断されたものは，第２の不良基板回収カセット３２４に回収される。
【００８５】
処理ステーション３０３には，膜形成ユニット群３１０と，現像処理ユニット群３１５とがそれぞれ配置されている。膜形成ユニット群３１０は，反射防止膜形成ユニット３１１と，レジスト塗布処理ユニット３１２とがそれぞれ３段に積み重ねられた状態で２列に配置されている。現像処理ユニット群３１５は，現像処理ユニット３１６が２段に積み重ねられた状態で２列に配置されている。
【００８６】
処理ステーション３０３の中心部には空間部３２０が形成されており，空間部３２０はインターフェイス部３０４に設けられた開閉自在な後記の扉３９６と連通している。そして，空間部３２０を挟んで膜形成ユニット群３１０と現像処理ユニット群３１５とは隙間をもって対向配置しており，膜形成ユニット群３１０と空間部３２０との間にはウェハＷを搬送する第１の搬送手段３３０が，現像処理ユニット群３１５と空間部３２０との間にはウェハＷを搬送する第２の搬送手段３４０が対向配置している。
【００８７】
第１の搬送手段３３０は露光処理前のウェハＷを第１の搬送経路３３０Ａを通じて搬送するようになっており，第２の搬送手段３４０は露光処理後のウェハＷを第２の搬送経路３４０Ａを通じて搬送するようになっている。そして，第１の搬送手段３３０と第２の搬送手段３４０とは基本的に同一の構成を有しており，それぞれウェハＷを保持するピンセット３３７，３４７を有している。
【００８８】
第１の搬送手段３３０の両側には，第１熱処理ユニット群３５０及び第２熱処理ユニット群３６０が配置されており，第２の搬送手段３４０の両側には，第３熱処理ユニット群３７０及び第４熱処理ユニット群３８０がそれぞれ配置されている。そして，第１熱処理ユニット群３５０および第４熱処理ユニット群３８０はカセットステーション３０２側に，第２熱処理ユニット群３６０及び第３熱処理ユニット群３７０はインターフェイス部３０４側にそれぞれ配置されている。
【００８９】
ここで，図９を用いて，第１熱処理ユニット群３５０及び第４熱処理ユニット群３８０の構成を説明する。
【００９０】
第１熱処理ユニット群３５０には，ウェハＷを冷却処理するクーリングユニット３５１，３５１，ウェハＷの表面に疎水化処理を施すアドヒージョンユニット３５２，ウェハＷの位置合わせを行う膜形成前処理ユニットとしてのアライメントユニット３５３，ウェハＷを待機させる膜形成前処理ユニットとしてのエクステンションユニット３５４，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニット３５５，３５５，３５５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット３５６，３５６が下から順に１０段に積み重ねられている。カセットステーション３０２と第１熱処理ユニット群３５０とのウェハＷの受け渡しは，アライメントユニット３５３に形成された開口部４０１またはエクステンションユニット３５４に形成された開口部４０２を介して行われる。
【００９１】
第１の実施の形態の基板処理装置１においては，カセット載置台５に載置されたウェハＷと第１熱処理ユニット群５０とのウェハＷの受け渡しは，エクステンションユニット５４に設けられた開口部を介して行われる。これに対し，第３の実施の形態の基板処理装置３０１においては，エクステンションユニット３５４に形成された開口部４０２に加え，アライメントユニット３５３に形成された開口部４０１を介してもウェハＷの受け渡しを行うことができる。従って，エクステンションユニット３５４を通らずに，アライメントユニット３５３内にウェハＷを搬入することができ，基板処理装置３０１内のウェハＷの処理状況に応じて，最適なウェハＷの搬入場所（受け渡し場所）を決定することができ，スループットを向上させることができる。
【００９２】
一方，第４熱処理ユニット群３８０には，現像後処理ユニットとしてのクーリングユニット３８１，待機したウェハＷを冷却する現像後処理ユニットとしてのエクステンションクーリングユニット３８２，エクステンションユニット３８３，クーリングユニット３８４，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット３８５，３８５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット３８６，３８６，３８６，３８６が下から順に１０段に積み重ねられている。カセットステーション３０２と第４熱処理ユニット群３８０とのウェハＷの受け渡しは，クーリングユニット３８１に形成された開口部４０５，エクステンションクーリングユニット３８２に形成された開口部４０６，エクステンションユニット３８３に形成された開口部４０７，クーリングユニット３８４に形成された開口部４０８を介して行われる。
【００９３】
第１の実施の形態の基板処理装置１においては，カセットステーション２と第４熱処理ユニット群８０とのウェハＷの受け渡しは，エクステンションユニット８３，エクステンションクーリングユニット８２に形成された開口部を介して行われている。これに対し，第３の実施の形態の基板処理装置３０１においては，エクステンションクーリングユニット３８２に形成された開口部４０６，エクステンションユニット３８３に形成された開口部４０７に加え，クーリングユニット３８１に形成された開口部４０５，クーリングユニット３８４に形成された開口部４０８を介してもウェハＷの受け渡しを行うことができる。従って，エクステンションクーリングユニット３８２，エクステンションユニット３８３を通らずにウェハＷを搬送することができる。従って，クーリングユニット３８１，３８４内からウェハＷを直接取り出すことができ，基板処理装置３０１内のウェハＷの処理状況に応じて，最適なウェハＷの取り出し場所（受け渡し場所）を決定することができ，スループットを向上させることができる。
【００９４】
インターフェイス部３０４には，ウェハＷの周辺部を露光する周辺露光装置３９０と，ウェハＷを収納可能なカセット３９１と，露光装置（図示せず）にて露光されたウェハＷを載置して冷却する冷却載置台３９２と，カセット３９１，冷却載置台３９２および露光装置（図示せず）の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体３９３と，第２熱処理ユニット群３６０のエクステンションユニット，周辺露光装置３９０およびカセット３９１の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体３９４とが設けられている。
【００９５】
更に，インターフェース部３０４には，第１の搬送経路３３０Ａの終わりに配置された第１不良基板回収手段としての第１の不良基板回収カセット３２２が載置されている。第１の搬送経路３３０Ａを通って処理されたウェハＷ（基板）は，成膜された膜の膜厚や膜質などを検査する第１の検査装置３２１へ，ウェハ搬送体３９４により搬送され，検査される。検査により，不良と判断されたものは，第１の不良基板回収カセット３２２に回収される。
【００９６】
ウェハ搬送体３９４を挟んで周辺露光装置３９０の反対側には副搬送体３９５が設けられており，副搬送体３９５は，ウェハ搬送体３９４の搬送するウェハＷを受け取って，第３熱処理ユニット群３７０のエクステンションユニットにウェハＷを搬入することができるようになっている。また，インターフェイス部３０４には処理ステーション３０３の空間部３２０に連通する開閉自在な前出の扉３９６が設けられており，作業者は扉３９６を開けてインターフェイス部３０４から空間部３２０に入り込むことができるように構成されている。
【００９７】
第４の実施の形態にかかる基板処理装置３０１においては，図示しない露光装置による露光処理の前に行われる膜形成処理と，露光処理後に行われる現像処理のそれぞれの処理の搬送経路が独立して設けられているため，第１の搬送経路３３０Ａに不良基板回収カセット３２２を，第２の搬送経路３４０Ａに不良基板回収カセット３２４をそれぞれ設置して，膜形成処理による不良基板，現像処理による不良基板をそれぞれ効率よく回収することができる。更に，第１の搬送経路３３０Ａで行われた処理で不良と判断されたウェハＷ（基板）は回収されるので，露光装置に投入されるウェハＷは全て良品ウェハ（良品基板）となる。その結果，膜形成処理，露光処理，現像処理の一連の処理工程を経て形成されるウェハＷのうち，不良ウェハ（不良基板）の占める割合が少なくなり，効率良く良品ウェハを製造することができる。
【００９８】
なお，前記実施の形態では基板にウェハＷを使用した例を挙げて説明したが，本発明に使用可能な基板はウェハＷには限定されず，例えばＬＣＤ基板やＣＤ基板等であってもよい。
【００９９】
以上説明した各実施の形態は，あくまでも本発明の技術的内容を明らかにする意図のものにおいて，本発明はそうした具体例にのみ限定して狭義に解釈されるものではなく，本発明の精神とクレームに述べる範囲で，いろいろと変更して実施することができるものである。
【０１００】
【発明の効果】
請求項１〜１６に記載の発明では，基板の搬送経路が複雑化しないので，基板を効率よく搬送することができる。しかも処理ユニットの点検や整備をより容易に実施することができる。
【０１０１】
特に請求項２，１３に記載の発明では，第１の搬送手段と第２の搬送手段とで基板を分担して搬送するので，第１の搬送手段および第２の搬送手段の基板搬送時の負担が減少する。従って，基板の搬送経路が複雑化することをより確実に防止することができる。
【０１０３】
請求項４〜６，１５，１６に記載の発明では，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング膜を得ることができる。
【０１０４】
請求項７に記載の発明では，処理ユニット内の湿度や温度を制御することができる。
【０１０５】
請求項８，９に記載の発明では，板処理装置内の基板の処理状況に応じて，最適な基板の受け渡し場所を決定することができ，スループットを向上させることができる。
【０１０６】
請求項１０〜１２，１６に記載の発明では，不良基板を回収して，効率良く良品基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置に装備された第１の搬送手段の構成を示す斜視図である。
【図３】図１の基板処理装置をカセットステーション側から見た側面図である。
【図４】図１の基板処理装置をインターフェイス部側から見た側面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態にかかる基板処理装置の平面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態にかかる基板処理装置をカセットステーション側からみた側面図である。
【図７】図６の基板処理装置の第１熱処理ユニット群及び第３熱処理ユニット群を拡大して示した側面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態にかかる基板処理装置の平面図である。
【図９】図８の基板処理装置のカセットステーション側からみた第１熱処理ユニット群及び第３熱処理ユニット群の斜視図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置
１０ 膜形成ユニット群
１５ 現像処理ユニット群
２０ 空間部
３０ 第１の搬送手段
４０ 第２の搬送手段
５０ 第１熱処理ユニット群
６０ 第２熱処理ユニット群
７０ 第３熱処理ユニット群
８０ 第４熱処理ユニット群
９６ 扉
Ｃ カセット
Ｗ ウェハ
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板等の基板を処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造におけるリソグラフィ技術では，基板処理装置にて半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）等の基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成した後に，ウェハを基板処理装置とは別の露光装置に搬送して，露光装置にて露光されたウェハを基板処理装置に再度搬送し，このウェハに現像液を供給して現像処理するようにしている。
【０００３】
ところで，基板処理装置にはウェハにレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット，レジスト塗布処理終了後のウェハや露光処理後のウェハを加熱処理する加熱処理ユニット，加熱処理後のウェハを冷却処理する冷却処理ユニット，ウェハに現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等の種々の処理ユニットが個別に備えられており，これらの処理ユニット間におけるウェハの搬送，並びにウェハの搬入出は，搬送手段によって行われている。そして，搬送手段は各種処理ユニットに対して所定の順番でウェハを搬送するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来では，このようにウェハを搬送する順番については考慮されていても，ウェハの搬送経路についてはあまり考慮されていなかった。そのため，ウェハの搬送経路が複雑化してしまう場合があり，必ずしもウェハを効率よく搬送できるとは限らず，例えばウェハの搬送に遅れが生じる等の弊害が発生するおそれがあった。
【０００５】
そこで本発明は，搬送手段による基板の搬送経路が複雑化せず，基板を効率よく搬送することのできる新規な基板処理装置を提供して，上記課題を解決することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために，請求項１によれば，基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記第１の搬送経路に沿って配置された処理ユニット間で基板を搬送し，前記第２の搬送経路に沿って配置された処理ユニット間で基板を搬送する搬送手段を備え，前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【０００７】
請求項１に記載の基板処理装置によれば，基板は別の処理装置，例えば露光装置に搬入されるまで搬送手段によって第１の搬送経路を通じて搬送され，第１の搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユニットにて処理される。次いで，基板は別の処理装置に搬送されて処理された後に，搬送手段によって第１の搬送経路とは別の第２の搬送経路を通じて搬送され，第２の搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユニットにて処理される。このように，互いに独立した第１の搬送経路と第２の搬送経路とを通じて各々基板を搬送するので，第１の搬送経路および第２の搬送経路が複雑化することを防止できる。しかも作業者が空間部に進入し，第１の搬送経路，第２の搬送経路に沿って配置されている処理ユニットの点検や整備を容易に行うことができる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は，請求項１に記載の基板処理装置において，前記搬送手段は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第１の搬送手段と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第２の搬送手段とからなることを特徴としている。
【０００９】
請求項２に記載の基板処理装置によれば，別の処理装置にて処理される前の基板は，第１の搬送経路を通じて，第１の搬送手段によって搬送される。次いで，基板は別の処理装置にて処理された後に，第２の搬送経路を通じて，第２搬送手段によって搬送される。このように，第１，第２の搬送手段によって基板の搬送をそれぞれ分担させるので，従来のように一の搬送手段で基板を搬送する場合よりも，各搬送手段の基板を搬送する際の負担を減少させることができる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は，請求項１，２に記載の基板処理装置において，前記処理ユニットは，多段に積み重ねられたことを特徴としている。
【００１３】
請求項３に記載の基板処理装置によれば，処理ユニットを多く配置して基板の処理枚数の増加を図れる。
【００１４】
請求項４に記載の発明は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置は，基板を露光処理する構成であって，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置にて露光処理された前記基板を現像処理する現像処理ユニットを備えていることを特徴としている。請求項５に記載の発明は，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，ユニット上部に配置されたケミカルフィルタと，ユニット内部の空気を上方から下方へ流す機構とを備えていることを特徴としている。請求項６に記載の発明は，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，ＨＥＰＡフィルタを備えていることを特徴としている。
【００１５】
請求項４〜６に記載の基板処理装置によれば，装置内にケミカルフィルタやＨＥＰＡフィルタが設けられていることにより，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング膜を得ることができる。
【００１６】
請求項７に記載の発明は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度及び湿度を調整する第１の調整機構と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度を制御する第２の調整機構とを備えていることを特徴としている。
【００１７】
請求項７に記載の基板処理装置によれば，第１の調整機構により，別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度及び湿度を制御することでき，第２の調整機構により，別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度を制御することができる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する前に所定の処理を施す膜形成前処理ユニットと，前記膜形成前処理ユニットに対して搬送される基板が載置される載置台とを備え，前記膜形成前処理ユニットは，前記載置台から前記膜形成前処理ユニットに対し，前記基板を受け渡すための開口部を備えていることを特徴としている。
【００１９】
請求項８に記載の基板処理装置によれば，１または２以上の膜形成前処理ユニットに開口部を形成し，基板の受け渡し場所を多数設ける。そうなると，基板処理装置内の基板の処理状況に応じて，最適な基板の受け渡し場所を決定することができ，スループットを向上させることができる。
【００２０】
請求項９に記載の発明は，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記基板を現像処理した後に所定の処理を施す現像後処理ユニットと，前記現像後処理ユニットにて処理された前記基板が載置される載置台とを備え，前記現像後処理ユニットは，前記現像後処理ユニットから前記載置台に対し，前記基板を受け渡すための開口部を備えていることを特徴としている。
【００２１】
請求項９に記載の基板処理装置によれば，１または２以上の現像後処理ユニットに開口部を形成し，基板の受け渡し場所を多数設ける。そうなると，基板処理装置内の基板の処理状況に応じて，最適な基板の受け渡し場所を決定することができ，スループットを向上させることができる。
【００２２】
請求項１０に記載の発明は，前記第１の搬送経路の終わりに配置された第１の不良基板回収手段と，前記第２の搬送経路の終わりに配置された第２の不良基板回収手段とを備えていることを特徴としている。請求項１１に記載の発明は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットで処理された基板を検査する第１の検査手段と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットで処理された基板を検査する第２の検査手段とを備えていることを特徴としている。請求項１２に記載の発明は，前記第１の搬送経路の終わりに配置され，前記第１の検査手段にて不良と判断された基板を回収する第１の不良基板回収手段と，前記第２の搬送経路の終わりに配置され，前記第２の検査手段にて不良と判断された基板を回収する第２の不良基板回収手段とを備えていることを特徴としている。
【００２３】
請求項１０〜１２に記載の基板処理装置によれば，まず請求項４の記載から，別の処理装置による露光処理の前に行われる膜形成処理の搬送経路は，第１の搬送経路となり，露光処理後に行われる現像処理の搬送経路は，第２の搬送経路とな。このように，それぞれの処理の搬送経路が独立して設けられているため，第１の搬送経路に第１の不良基板回収手段を，第２の搬送経路に第２の不良基板回収手段をそれぞれ設置して，膜形成処理による不良基板，現像処理による不良基板をそれぞれ効率よく回収することができる。更に，第１の搬送経路で行われた処理で不良と判断された基板は回収されるので，別の処理装置に投入される基板は全て良品基板となる。その結果，膜形成処理，露光処理，現像処理の一連の処理工程を経て形成される基板のうち，不良基板の占める割合が少なくなり，効率良く良品基板を製造することができる。
【００２４】
請求項１３によれば，基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第１の搬送手段と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第２の搬送手段とを備え，第１の搬送経路と前記第２の搬送経路とを略平行に配置して，該第１の搬送経路と第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部を形成し前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，前記空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００２５】
請求項１３に記載の基板処理装置によれば，基板は別の処理装置にて処理されるまで，第１の搬送手段によって第１の搬送経路を通じて搬送されながら，第１の搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユニットにて処理される。次いで，基板は別の処理装置にて所定の処理が行われた後に，第２の搬送手段によって第２の搬送経路を通じて搬送されながら，第２の搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユニットにて処理される。このように，第１，第２の搬送経路が独立しているので，基板の搬送経路が複雑化することを防止できる。さらに，第１の搬送経路と第２の搬送経路とを略平行に配置し，第１，第２の搬送経路の間に，何らの装置も配置されていない空間部を形成し前記空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有しているようにしたので，例えば空間部に進入した作業者が，第１の搬送経路，第２の搬送経路に沿って配置する各種処理ユニットの点検や整備を容易に行うことができる。
【００２６】
請求項１４によれば，基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニットを備え，前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００２７】
請求項１４に記載の基板処理装置によれば，請求項１３と同様に基板の搬送経路が複雑化することを防止できる。
【００２８】
請求項１５によれば，基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニットと，ユニット上部に配置されたケミカルフィルタと，ユニット内部の空気を上方から下方へ流す機構とを備え，前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００２９】
請求項１５に記載の基板処理装置によれば，請求項１３，１４と同様に基板の搬送経路が複雑化することを防止できる。また，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング膜を得ることができる。
【００３０】
請求項１６によれば，基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニットを備え，前記第１の搬送経路の終わりに，不良と判断された基板を回収する第１の不良基板回収手段を配置し，前記第２の搬送経路の終わりに，不良と判断された基板を回収する第２の不良基板回収手段を配置し，前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，
前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００３１】
請求項１６に記載の基板処理装置によれば，請求項１３〜１５と同様に基板の搬送経路が複雑化することを防止できる。また，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング膜を得ることができる。また，不良基板を回収して，効率良く良品基板を製造することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下，添付図面に基づき，本発明の実施の形態について説明する。図１は，本発明の第１の実施の形態にかかる基板処理装置の概略的な平面図を示している。
【００３３】
基板処理装置１は，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から基板処理装置１内に搬入出し，カセットＣにウェハＷを搬入出するカセットステーション２と，ウェハＷに対して枚葉式に所定の処理を施す各種の処理ユニットを多段に配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接する露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００３４】
カセットステーション２では，カセット載置台５上にカセットＣが，ウェハＷの出入口を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って載置自在である。そして，このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体６が搬送路７に沿って移動可能であり，カセットＣに対して各々選択的にアクセスできるようになっている。このウェハ搬送体６はθ方向にも回転自在に構成されており，後述する第１熱処理ユニット群５０のエクステンションユニット５４や，第４熱処理ユニット群８０のエクステンションクーリングユニット８２やエクステンションユニット８３にアクセスできるように構成されている。
【００３５】
処理ステーション３には正面側に膜形成ユニット群１０と，背面側に現像処理ユニット群１５とがそれぞれ配置されている。
【００３６】
膜形成ユニット群１０は，カップＣＰに収容されたウェハＷ上に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニット１１と，カップＣＰに収容されたウェハＷ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理ユニット１２とがそれぞれ３段に積み重ねられた状態で２列に配置されている。そして，膜形成ユニット１０群の下部には，ウェハＷにレジスト液を供給するレジスト液供給タンク（図示せず）等を収納可能なケミカルボックス（図示せず）が設けられている。
【００３７】
現像処理ユニット群１５は，カップＣＰに収容されたウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理ユニット１６からなり，この現像処理ユニット１６が２段に積み重ねられた状態で２列に配置されている。そして，現像処理ユニット群１５の下部には，ウェハＷに現像液を供給する現像液供給タンク（図示せず）を収納可能なケミカルボックス（図示せず）が設けられている。
【００３８】
処理ステーション３の中心部には空間部２０が形成されており，空間部２０はインターフェイス部４に設けられた開閉自在な後記の扉９６と連通している。そして，空間部２０を挟んで膜形成ユニット群１０と現像処理ユニット群１５とは対向配置しており，膜形成ユニット群１０と空間部２０との間にはウェハＷを搬送する第１の搬送手段３０が，現像処理ユニット群１５と空間部２０との間にはウェハＷを搬送する第２の搬送手段４０が対向配置している。
【００３９】
第１の搬送手段３０は露光処理前のウェハＷを第１の搬送経路３０Ａを通じて搬送するようになっており，第２の搬送手段４０は露光処理後のウェハＷを第２の搬送経路４０Ａを通じて搬送するようになっている。そして，第１の搬送手段３０と第２の搬送手段４０とは基本的に同一の構成を有しており，第１の搬送手段３０の構成を図２に基づいて説明すると，第１の搬送手段３０には，上端及び下端で相互に接続され対向する一体の壁部３１，３２からなる筒状支持体３３の内側に，上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送機構３４が設けられている。筒状支持体３３はモータ３５の回転軸に接続されており，このモータ３５によって，前記回転軸を中心としてウェハ搬送機構３４と一体に回転するようになっている。従って，ウェハ搬送機構３４はθ方向に回転自在となっている。
【００４０】
ウェハ搬送機構３４の搬送基台３６上には，ウェハＷを保持する３本のピンセット３７，３８，３９が上中下にそれぞれ備えられている。これらのピンセット３７，３８，３９は基本的に同様の構成を有しており，いずれも筒状支持体３３の側面開口部３３ａを通過自在な形態及び大きさを有している。また，ピンセット３７，３８，３９は搬送基台３６に内蔵されたモータ（図示せず）によって前後方向に移動自在となっている。なお，第２の搬送手段４０には，ピンセット３７，３８，３９と同様の機能及び構成を有するピンセット４７，４８，４９が上中下にそれぞれ備えられている。
【００４１】
第１の搬送手段３０の両側には，膜形成前処理ユニットを有する第１熱処理ユニット群５０及び第２熱処理ユニット群６０が配置されており，第２の搬送手段４０の両側には，第３熱処理ユニット群７０及び現像後処理ユニットを有する第４熱処理ユニット群８０がそれぞれ配置されている。そして，第１熱処理ユニット群５０および第４熱処理ユニット群８０はカセットステーション２側に，第２熱処理ユニット群６０及び第３熱処理ユニット群７０はインターフェイス部４側にそれぞれ配置されている。
【００４２】
基板処理装置１において，第１の搬送経路３０Ａに沿って，膜形成ユニット群１０，第１熱処理ユニット群５０及び第２熱処理ユニット群６０が配置されている。第２の搬送経路４０Ａに沿って，現像処理ユニット群１５，第３熱処理ユニット群７０及び第４熱処理ユニット群８０が配置されている。
【００４３】
ここで，カセットステーション２側から見た処理ステーション３のＰ−Ｐ線断面図を示す図３に基づいて第１熱処理ユニット群５０及び第４熱処理ユニット群８０の構成を説明すると，第１熱処理ユニット群５０には，ウェハＷを冷却処理するクーリングユニット５１，５１，ウェハＷの表面に疎水化処理を施すアドヒージョンユニット５２，ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユニット５３，ウェハＷを待機させるエクステンションユニット５４，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニット５５，５５，５５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット５６，５６が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００４４】
一方，第４熱処理ユニット群８０には，クーリングユニット８１，待機したウェハＷを冷却するエクステンションクーリングユニット８２，エクステンションユニット８３，クーリングユニット８４，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット８５，８５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット８６，８６，８６，８６が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００４５】
インターフェイス部４側から見た処理ステーション３のＱ−Ｑ線断面図を示す図４に基づいて第２熱処理ユニット群６０及び第３熱処理ユニット群７０の構成を説明すると，第２熱処理ユニット群６０には，クーリングユニット６１，エクステンションクーリングユニット６２，エクステンションユニット６３，６３，クーリングユニット６４，６４およびプリベーキングユニット６５，６５，６５，６５が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００４６】
一方，第３熱処理ユニット群７０には，クーリングユニット７１，７１，エクステンションユニット７２，７２，ポストエクスポージャベーキングユニット７３，７３，７３およびポストベーキングユニット７４，７４，７４が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００４７】
インターフェイス部４には，ウェハＷの周辺部を露光する周辺露光装置９０と，ウェハＷを収納可能なカセット９１と，露光装置（図示せず）にて露光されたウェハＷを載置して冷却する冷却載置台９２と，カセット９１，冷却載置台９２および露光装置（図示せず）の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体９３と，第２熱処理ユニット群６０のエクステンションユニット６３，６３，周辺露光装置９０およびカセット９１の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体９４とが設けられている。
【００４８】
ウェハ搬送体９４を挟んで周辺露光装置９０の反対側には副搬送体９５が設けられており，副搬送体９５は，ウェハ搬送体９４の搬送するウェハＷを受け取って，第３熱処理ユニット群７０のエクステンションユニット７２，７２にウェハＷを搬入することができるようになっている。また，インターフェイス部４には処理ステーション３の空間部２０に連通する開閉自在な前出の扉９６が設けられており，作業者は扉９６を開けてインターフェイス部４から空間部２０に入り込むことができるように構成されている。
【００４９】
本発明の第１の実施の形態にかかる基板処理装置１は以上のように構成されている。次に，基板処理装置１の作用効果について説明する。
【００５０】
カセット載置台５に例えば２５枚の未処理のウェハＷを収納したカセットＣが載置されると，ウェハ搬送体６がカセットＣにアクセスして未処理のウェハＷを１枚取り出す。そして，このウェハＷは別の処理装置としての露光装置（図示せず）に搬送されて露光されるまで第１の搬送手段３０によって第１の搬送経路３０Ａを通じて各種処理ユニットに対して順次搬送されて行く。
【００５１】
即ち，ウェハ搬送体６によって取り出されたウェハＷは，第１熱処理ユニット群５０のエクステンションユニット５４に搬送される。更に，第１の搬送手段３０によって，エクステンションユニット５４内のウェハＷは取り出され，第１熱処理ユニット群５０のアライメントユニット５３に搬送され，アライメントユニット５３にて所定の位置合わせが行われる。次いで，ウェハＷは第１の搬送手段３０に装備されたピンセット３９に保持された状態で，同じ第１熱処理ユニット群５０のアドヒージョンユニット５２に搬送される。このアドヒージョンユニット５２にて疎水化処理の行われたウェハＷはピンセット３９に保持されて，膜形成ユニット群１０の反射防止膜形成ユニット１１に搬送される。
【００５２】
反射防止膜形成ユニット１１にて反射防止膜の形成されたウェハＷは，第１の搬送手段３０のピンセット３８に保持された状態で，レジスト塗布処理ユニット１２に搬送されて，反射防止膜の上面にレジスト膜が形成される。次いで，ウェハＷは第１の搬送手段３０のピンセット３７に保持された状態で，第２熱処理ユニット群６０のプリベーキングユニット６５に搬送されて加熱処理される。
【００５３】
かかる加熱処理終了後のウェハＷは第１の搬送手段３０のピンセット３９に保持された状態で，第２熱処理ユニット群６０のエクステンションクーリングユニット６２に搬送されて，所定温度まで冷却処理された後に，その場で待機する。こうして，第１の搬送手段３０による第１の搬送経路３０Ａを通じたウェハＷの搬送が終了する。
【００５４】
次いで，ウェハＷはエクステンションクーリングユニット６２からウェハ搬送体９４によって搬出されて，周辺露光装置９０に搬送される。この周辺露光装置９０で周辺部の不要なレジスト膜が除去されたウェハＷは，別の処理装置としての露光装置（図示せず）に搬送されて露光される。
【００５５】
露光後のウェハＷは，ウェハ搬送体９３によって冷却載置台９２に載置されて冷却された後，ウェハ搬送体９４に受け渡されて搬送される。そして，このウェハＷはウェハ搬送体９４から副搬送体９５に受け渡された後に副搬送装置９５によって第３熱処理ユニット群７０のエクステンションユニット７２に搬送されて，その場で待機する。その後，エクステンションユニット７２にて待機しているウェハＷは第２の搬送手段４０によって第２の搬送経路４０Ａを通じて各種処理ユニットに対して搬送されて行く。
【００５６】
即ち，ウェハＷは第２の搬送手段４０によってエクステンションユニット７２からポストエクスポージャベーキングユニット７３に搬送され，その後このウェハＷに対する露光処理後の加熱処理が行われる。そして，露光処理後の加熱処理の終了したウェハＷは，第２の搬送手段４０のピンセット４９に保持された状態で，クーリングユニット７１に搬送されて冷却処理された後に，現像処理ユニット群１５の現像処理ユニット１６に搬送されて現像処理される。
【００５７】
そして，現像処理後のウェハＷはピンセット４７に保持された状態で，第４熱処理ユニット群８０のポストベーキングユニット８６に搬送されて加熱処理される。次いで，ポストベーキング処理後のウェハＷはピンセット４９に保持されて，第４熱処理ユニット群８０のクーリングユニット８１に搬送されて冷却処理される。次いで，ウェハＷはクーリングユニット８１からエクステンションユニット８３に搬送されて，その場で待機する。こうして，第２の搬送手段４０によって第２の搬送経路４０Ａを通じたウェハＷの搬送が終了する。
【００５８】
そして，ウェハＷはウェハ搬送体６によってエクステンションユニット８３からカセット載置台５上のカセットＣに搬送され収納される。こうして，ウェハＷに対する一連の処理が終了する。
【００５９】
本発明の第１の実施の形態にかかる基板処理装置１では，ウェハＷは露光装置（図示せず）に搬送されて処理されるまでの間，第１の搬送手段３０によって第１の搬送経路３０Ａを通じて搬送される。即ち，ウェハＷは第１熱処理ユニット群５０，膜形成ユニット群１０，第２熱処理ユニット群６０の順に搬送され，その後露光装置（図示せず）に搬送されて露光される。次いで，露光の終了したウェハＷは，カセットＣに収納されるまでの間，今度は第２の搬送手段４０によって第２の搬送経路４０Ａを通じて搬送される。即ち，ウェハＷは第３熱処理ユニット群７０，現像処理ユニット群１５，第４熱処理ユニット群８０の順に搬送され，その後カセットＣに収納されて一連の処理が終了する。
【００６０】
このように，独立した第１の搬送経路３０Ａと第２の搬送経路４０Ａとを通じてウェハＷが搬送されるので，第１の搬送経路３０Ａと第２の搬送経路４０Ａとが複雑化することを防止することができる。
【００６１】
また，露光装置（図示せず）にて処理される前のウェハＷは第１の搬送手段３０によって搬送されるようになっており，露光装置（図示せず）にて既に処理されたウェハＷは第１の搬送手段３０とは別の第２の搬送手段４０によって搬送されるようになっている。即ち，ウェハＷの搬送を第１，第２の搬送手段３０，４０によって分担しているので，従来のように一の搬送手段でウェハＷを搬送する場合よりも，第１，第２の搬送手段３０，４０によるウェハＷの搬送距離がそれぞれ短縮化して，各搬送手段３０，４０のウェハＷを搬送する際の負担が減少する。従って，この点からもウェハＷの搬送経路が複雑化することを防止でき，効率よくウェハＷを搬送することが可能である。
【００６２】
そして，第１の搬送経路３０Ａと第２の搬送経路４０Ａとの間に扉９６と連通する空間部２０を処理ステーション３の中心部に形成するようにしたので，作業者が扉９６を開けて空間部２０に入り込み，各処理ユニットの点検や整備を行うことができる。
【００６３】
次に，本発明の第２の実施の形態にかかる基板処理装置を説明する。
【００６４】
この基板処理装置１００には図５に示すように，カセットステーション３に設けられた搬送レール１０１上を往復移動自在であって，かつ第１の搬送経路１０２に沿って配置する各種処理ユニットに対してウェハＷを搬送する第１の搬送手段１０４と，搬送レール１０１と対向する搬送レール１０５上を往復移動自在であって，かつ第２の搬送経路１０３に沿って配置する各種処理ユニットに対してウェハＷを搬送する第２の搬送手段１０６とが備えられている。そして，第１の搬送経路１０２と第２の搬送経路１０３とは略平行となるように形成されており，第１の搬送経路１０２と第２の搬送経路１０３との間には，例えば作業者が開閉自在な扉９６を開いてインターフェイス部４から進入することのできる空間部１０７が形成されている。
【００６５】
かかる基板処理装置１００によれば，第１の搬送経路１０２と第２の搬送経路１０３とが略平行に配置されているので，露光処理前のウェハＷを処理する各種処理ユニットと，露光処理後のウェハＷを処理する各種処理ユニットとが略平行に配置される。従って，これら第１，第２の搬送経路１０２，１０３の間に形成された空間部１０７に進入した作業者は，この空間部１０７に沿って移動しながら，略平行に配置した各種処理ユニットの点検，整備をより容易に実施することができる。
【００６６】
次に，本発明の第３の実施の形態にかかる基板処理装置について，図６を用いて説明する。第３の実施の形態にかかる基板処理装置２００は，前記第１の実施の形態にかかる基板処理装置１と比較し，ケミカルフィルタなどの清浄機構が設けられている点で異なるが，他の構造については同様のため，清浄機構についてのみ説明する。図中，処理ステーション２０３は，第１の実施の形態では処理ステーション３に相当する。処理ステーション２０３の中心部には，第１の実施の形態の空間２０に相当する空間部２２０が形成されている。第１熱処理ユニット群２５０は，第１の実施の形態の第１熱処理ユニット５０に相当し，第４熱処理ユニット群２８０は，第１の実施の形態の第４熱処理ユニット群８０に相当する。膜形成ユニット群２１０は，第１の実施の形態の膜形成ユニット群１０に相当し，現像処理ユニット群２１５は，第１の実施の形態の現像処理ユニット群１５に相当する。反射防止膜形成ユニット２１１は，第１の実施の形態の反射防止膜形成ユニット１１に相当し，現像処理ユニット２１６は，第１の実施の形態の現像処理ユニット１６に相当する。第１の実施の形態と同様に，膜形成ユニット群２１０，第１熱処理ユニット２５０，レジスト塗布処理ユニット，第２熱処理ユニット群は，第１の搬送経路に沿って配置され，現像処理ユニット群２１５，第４熱処理ユニット群２８０，第３熱処理ユニットは，第２の搬送経路に沿って配置されている。
【００６７】
第３の実施の形態においては，処理ステーション２０３内は，第１の搬送経路に沿ってウェハＷ（基板）が搬送される第１の領域２０５と，第２の搬送経路に沿ってウェハＷ（基板）が搬送される第２の領域２０６とに，空間的に分離されている。第１の領域２０５は，側板２０７ａ，２０７ｂ，天板２０７ｅ，底板２０７ｆで取り囲まれている。第２の領域２０６は，側板２０７ｃ，２０７ｄ，天板２０７ｅ，底板２０７ｆで取り囲まれている。第１の領域２０５内には，膜形成ユニット群２１０，第１熱処理ユニット群２５０，レジスト塗布処理ユニット，第２熱処理ユニット群が配置されている。第２の領域２０６内には，現像処理ユニット群２１５，第４熱処理ユニット群２８０，第３熱処理ユニットが配置されている。第１の領域２０５及び第２の領域２０６内は，それぞれ上部から下部に向けて領域内の空気が流れるダウンフロー構造をそれぞれ有している。
【００６８】
第１の領域２０５内には，側板２０７ａに沿って，垂直ダクト２３０が形成されている。第１の領域２０５内の上部には，空気清浄機構としてケミカルフィルタ２３１が配置され，天板２０７ｅとケミカルフィルタ２３１との間には上部空間２３２が形成されている。この上部空間２３２は垂直ダクト２３０に連通している。上部空間２３２には，ファン２３３が配置されている。第１の領域２０５内の底部には多孔板２３４が配置され，底板２０７ｆと多孔板２３４との間には下部空間２３５が形成されている。多孔板２３４には多数の通気孔が形成され，第１の領域２０５内のダウンフローエアが通気孔を通って下部空間２３５に流れ込むようになっている。
【００６９】
底部２０７ｆには循環通路２３６に連通する排気口２３７が形成されており，循環通路２３６を介して下部空間２３５内の空気が，第１の調整機構としての温度・湿度制御部２３８に送られるようになっている。
【００７０】
第１の領域２０５内から排出された空気は，温度・湿度制御部２３８で空気の温度と湿度が制御され，供給通路２３９を介して，垂直ダクト２３０及び上部空間２３２を通って，第１の領域２０５内に再び供給されるようになっている。再び供給された空気は，ケミカルフィルタ２３１を通ることにより，アンモニアやアミンなどが除去される。アンモニアやアミンなどが除去された空気は，下方に向けて吹き出され，膜形成ユニット群２１０，レジスト塗布処理ユニット群を通って，下部空間２３５までに流れる。また，膜形成ユニット群２１０やレジスト塗布処理ユニット群の各ユニット内には，各ユニット内の温度，湿度を検出するための制御センサが配置されている。制御センサによる検出結果は制御部２４０に送られ，制御センサにより検出された結果に基づいて温度・湿度制御部２３８を制御する。
【００７１】
第２の領域２０６内には，側板２０７ｄに沿って，垂直ダクト２６０が形成されている。第２の領域２０６内の上部には，空気清浄機構としてのケミカルフィルタ２６１，ＨＥＰＡフィルタ２６２が配置され，天板２０７ｅとケミカルフィルタ２６１との間には上部空間２６３が形成されている。この上部空間２６３は，垂直ダクト２６０に連通している。上部空間２６３には，ファン２６４が配置されている。第２の領域２０６内の底部には多孔板２６５が配置され，底板２０７ｆと多孔板２６５との間には下部空間２６６が形成されている。多孔板２６５には多数の通気孔が形成され，第２の領域２０６内のダウンフローエアが通気孔を通って下部空間２６６に流れ込むようになっている。
【００７２】
底板２０７ｆには，循環通路２６７に連通する排気口２６８が形成されており，循環通路２６７を介して下部空間２６６内の空気が，第２の調整機構としての温度制御部２６９に送られるようになっている。
【００７３】
第２の領域２０６内から排出された空気は，温度制御部２６９で空気の温度が制御され，供給通路２７０を介して，垂直ダクト２６０及び上部空間２６３を通って，第２の領域２０６内に再び供給されるようになっている。再び供給された空気は，ケミカルフィルタ２６１を通ることにより，アンモニアやアミンなどが除去される。更に，空気は，ＨＥＰＡフィルタ２６２により，パーティクルが除去される。その後，空気は，下方に向けて吹き出され，現像処理ユニット群２１５の各ユニットを通って，下部空間２６６までに流れる。また，現像処理ユニット群２１５の各ユニット内には，各ユニット内の温度を検出するための制御センサが配置されている。制御センサによる検出結果は制御部２７１に送られ，制御センサにより検出された結果に基づいて温度制御部２６９を制御する。なお，図中における矢印は空気の流れを示すものである。
【００７４】
更に，露光処理後，ウェハＷが第２の領域２０６内へ搬入されるまでの間に通るインターフェース部の上部には，ケミカルフィルタが設けられている。
【００７５】
図７に示すように，第１熱処理ユニット群２５０には，ウェハＷを冷却処理するクーリングユニット２５１，２５１，ウェハＷの表面に疎水化処理を施すアドヒージョンユニット２５２，ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユニット２５３，ウェハＷを待機させるエクステンションユニット２５４，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニット２５５，２５５，２５５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット２５６，２５６が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００７６】
第３熱処理ユニット群２８０には，クーリングユニット２８１，待機したウェハＷを冷却するエクステンションクーリングユニット２８２，エクステンションユニット２８３，クーリングユニット２８４，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット２８５，２８５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット２８６，２８６，２８６，２８６が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００７７】
第３の実施の形態では，ウェハＷ上に何らかの膜が形成されるユニットが配置される第１の領域２０５及び露光後のウェハが配置されるインターフェース部内には，ケミカルフィルタ２３１が配置され，現像処理されるユニットが配置される第２の領域２０６内には，ケミカルフィルタ２６１に加え，ＨＥＰＡフィルタ２６２が配置されている。尚，第１の領域２０５内に配置されるフィルタとしてケミカルフィルタ２３１の他にパーティクルを除去するＨＥＰＡフィルタを設けてもよい。また，ＨＥＰＡフィルタとケミカルフィルタの２種類のフィルタを設ける場合，その配置順は限定されない。
【００７８】
レジスト材として化学増幅型レジストを用いる場合は，ウェハＷが露光処理後から現像処理終了までに配置されるインターフェース部内と第２の領域２０６内にケミカルフィルタを設けることが望ましく，ケミカルフィルタにより内部のアルカリ成分を除去することができる。化学増幅型レジスト材は，レジスト中に感光剤として酸発生剤，酸感応物質を含有してなり，露光処理によって酸が発生する。そして，露光処理に続く加熱処理によって，酸を触媒として酸感応物質が反応し，レジストの溶解性を変化させる。従って，処理雰囲気中にアンモニアやアミンといったアルカリ成分が存在すると，これらアルカリ成分と酸とが中和してしまい，反応が進まなくなる。このため，化学増幅側レジスト材を用いる場合，露光処理後から現像処理終了までの間は，処理雰囲気内からアルカリ成分を除去することが，反応が速やかに行われるために重要となり，露光処理後から現像処理終了までの間にウェハが配置される処理室内にケミカルフィルタを配置することが望ましい。
【００７９】
また，第３の実施の形態では，何らかの膜が形成されるユニットが配置される第１の領域２０５内に供給される空気について温度・湿度制御を行っているが，現像処理ユニットが配置される第２の領域２０６内に供給される空気については温度制御のみが行われている。これは，何らかの膜をウェハＷ（基板）上に形成するときには，特に湿度の変化が膜厚に影響を及ぼすため，何らかの膜が形成されるユニット内に供給される空気の湿度を調整する機構を設けることが望ましいためである。
【００８０】
このように第３の実施の形態においては，基板処理装置２００内に，ケミカルフィルタ２３１，２６１，ＨＥＰＡフィルタ２６２等が設けられていることにより，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング膜を得ることができる。
【００８１】
次に，第４の実施の形態にかかる基板処理装置について，図８を用いて説明する。第４の実施の形態にかかる基板処理装置３０１は，第１の実施の形態にかかる基板処理装置１と比較し，第１の搬送経路に沿って処理された基板を検査する第１の検査装置と，第１の検査装置によって不良と判断された基板を回収する第１の不良基板回収手段と，第２の搬送経路に沿って処理された基板を検査する第２の検査装置と，第２の検査装置によって不良と判断された基板を回収する第２の不良基板回収手段とを更に有する点で異なる。他の構造については同様のため，同様の点については詳細な説明を省略する。
【００８２】
基板処理装置３０１は，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から基板処理装置３０１内に搬入出し，カセットＣにウェハＷを搬入出するカセットステーション３０２と，ウェハＷに対して枚葉式に所定の処理を施す各種の処理ユニットを多段に配置してなる処理ステーション３０３と，この処理ステーション３０３に隣接する露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部３０４とを一体に接続した構成を有している。
【００８３】
カセットステーション３０２では，カセット載置台３０５上にカセットＣが，ウェハＷの出入口を処理ステーション３０３側に向けてＸ方向に沿って載置自在である。そして，このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体３０６が搬送路３０７に沿って移動可能であり，カセットＣに対して各々選択的にアクセスできるようになっている。このウェハ搬送体３０６はθ方向にも回転自在に構成されており，後述する第１熱処理ユニット群３５０のエクステンションユニット３５４，アライメントユニット３５３や，第４熱処理ユニット群３８０のエクステンションクーリングユニット３８２，エクステンションユニット３８３，クーリングユニット３８１及び３８４にアクセスできるように構成されている。
【００８４】
また，カセット載置台３０５上には，後述する第２の搬送経路３４０Ａの終わりに配置された第２の不良基板回収手段としての第２の不良基板回収カセット３２４が載置されている。第２の搬送経路３４０Ａを通って処理されたウェハＷ（基板）は，現像処理後のパターニング膜の膜厚や膜質などを検査する第２の検査装置３２３へ，ウェハ搬送体３０６により搬送され，検査される。検査により，不良と判断されたものは，第２の不良基板回収カセット３２４に回収される。
【００８５】
処理ステーション３０３には，膜形成ユニット群３１０と，現像処理ユニット群３１５とがそれぞれ配置されている。膜形成ユニット群３１０は，反射防止膜形成ユニット３１１と，レジスト塗布処理ユニット３１２とがそれぞれ３段に積み重ねられた状態で２列に配置されている。現像処理ユニット群３１５は，現像処理ユニット３１６が２段に積み重ねられた状態で２列に配置されている。
【００８６】
処理ステーション３０３の中心部には空間部３２０が形成されており，空間部３２０はインターフェイス部３０４に設けられた開閉自在な後記の扉３９６と連通している。そして，空間部３２０を挟んで膜形成ユニット群３１０と現像処理ユニット群３１５とは隙間をもって対向配置しており，膜形成ユニット群３１０と空間部３２０との間にはウェハＷを搬送する第１の搬送手段３３０が，現像処理ユニット群３１５と空間部３２０との間にはウェハＷを搬送する第２の搬送手段３４０が対向配置している。
【００８７】
第１の搬送手段３３０は露光処理前のウェハＷを第１の搬送経路３３０Ａを通じて搬送するようになっており，第２の搬送手段３４０は露光処理後のウェハＷを第２の搬送経路３４０Ａを通じて搬送するようになっている。そして，第１の搬送手段３３０と第２の搬送手段３４０とは基本的に同一の構成を有しており，それぞれウェハＷを保持するピンセット３３７，３４７を有している。
【００８８】
第１の搬送手段３３０の両側には，第１熱処理ユニット群３５０及び第２熱処理ユニット群３６０が配置されており，第２の搬送手段３４０の両側には，第３熱処理ユニット群３７０及び第４熱処理ユニット群３８０がそれぞれ配置されている。そして，第１熱処理ユニット群３５０および第４熱処理ユニット群３８０はカセットステーション３０２側に，第２熱処理ユニット群３６０及び第３熱処理ユニット群３７０はインターフェイス部３０４側にそれぞれ配置されている。
【００８９】
ここで，図９を用いて，第１熱処理ユニット群３５０及び第４熱処理ユニット群３８０の構成を説明する。
【００９０】
第１熱処理ユニット群３５０には，ウェハＷを冷却処理するクーリングユニット３５１，３５１，ウェハＷの表面に疎水化処理を施すアドヒージョンユニット３５２，ウェハＷの位置合わせを行う膜形成前処理ユニットとしてのアライメントユニット３５３，ウェハＷを待機させる膜形成前処理ユニットとしてのエクステンションユニット３５４，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニット３５５，３５５，３５５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット３５６，３５６が下から順に１０段に積み重ねられている。カセットステーション３０２と第１熱処理ユニット群３５０とのウェハＷの受け渡しは，アライメントユニット３５３に形成された開口部４０１またはエクステンションユニット３５４に形成された開口部４０２を介して行われる。
【００９１】
第１の実施の形態の基板処理装置１においては，カセット載置台５に載置されたウェハＷと第１熱処理ユニット群５０とのウェハＷの受け渡しは，エクステンションユニット５４に設けられた開口部を介して行われる。これに対し，第３の実施の形態の基板処理装置３０１においては，エクステンションユニット３５４に形成された開口部４０２に加え，アライメントユニット３５３に形成された開口部４０１を介してもウェハＷの受け渡しを行うことができる。従って，エクステンションユニット３５４を通らずに，アライメントユニット３５３内にウェハＷを搬入することができ，基板処理装置３０１内のウェハＷの処理状況に応じて，最適なウェハＷの搬入場所（受け渡し場所）を決定することができ，スループットを向上させることができる。
【００９２】
一方，第４熱処理ユニット群３８０には，現像後処理ユニットとしてのクーリングユニット３８１，待機したウェハＷを冷却する現像後処理ユニットとしてのエクステンションクーリングユニット３８２，エクステンションユニット３８３，クーリングユニット３８４，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット３８５，３８５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット３８６，３８６，３８６，３８６が下から順に１０段に積み重ねられている。カセットステーション３０２と第４熱処理ユニット群３８０とのウェハＷの受け渡しは，クーリングユニット３８１に形成された開口部４０５，エクステンションクーリングユニット３８２に形成された開口部４０６，エクステンションユニット３８３に形成された開口部４０７，クーリングユニット３８４に形成された開口部４０８を介して行われる。
【００９３】
第１の実施の形態の基板処理装置１においては，カセットステーション２と第４熱処理ユニット群８０とのウェハＷの受け渡しは，エクステンションユニット８３，エクステンションクーリングユニット８２に形成された開口部を介して行われている。これに対し，第３の実施の形態の基板処理装置３０１においては，エクステンションクーリングユニット３８２に形成された開口部４０６，エクステンションユニット３８３に形成された開口部４０７に加え，クーリングユニット３８１に形成された開口部４０５，クーリングユニット３８４に形成された開口部４０８を介してもウェハＷの受け渡しを行うことができる。従って，エクステンションクーリングユニット３８２，エクステンションユニット３８３を通らずにウェハＷを搬送することができる。従って，クーリングユニット３８１，３８４内からウェハＷを直接取り出すことができ，基板処理装置３０１内のウェハＷの処理状況に応じて，最適なウェハＷの取り出し場所（受け渡し場所）を決定することができ，スループットを向上させることができる。
【００９４】
インターフェイス部３０４には，ウェハＷの周辺部を露光する周辺露光装置３９０と，ウェハＷを収納可能なカセット３９１と，露光装置（図示せず）にて露光されたウェハＷを載置して冷却する冷却載置台３９２と，カセット３９１，冷却載置台３９２および露光装置（図示せず）の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体３９３と，第２熱処理ユニット群３６０のエクステンションユニット，周辺露光装置３９０およびカセット３９１の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体３９４とが設けられている。
【００９５】
更に，インターフェース部３０４には，第１の搬送経路３３０Ａの終わりに配置された第１不良基板回収手段としての第１の不良基板回収カセット３２２が載置されている。第１の搬送経路３３０Ａを通って処理されたウェハＷ（基板）は，成膜された膜の膜厚や膜質などを検査する第１の検査装置３２１へ，ウェハ搬送体３９４により搬送され，検査される。検査により，不良と判断されたものは，第１の不良基板回収カセット３２２に回収される。
【００９６】
ウェハ搬送体３９４を挟んで周辺露光装置３９０の反対側には副搬送体３９５が設けられており，副搬送体３９５は，ウェハ搬送体３９４の搬送するウェハＷを受け取って，第３熱処理ユニット群３７０のエクステンションユニットにウェハＷを搬入することができるようになっている。また，インターフェイス部３０４には処理ステーション３０３の空間部３２０に連通する開閉自在な前出の扉３９６が設けられており，作業者は扉３９６を開けてインターフェイス部３０４から空間部３２０に入り込むことができるように構成されている。
【００９７】
第４の実施の形態にかかる基板処理装置３０１においては，図示しない露光装置による露光処理の前に行われる膜形成処理と，露光処理後に行われる現像処理のそれぞれの処理の搬送経路が独立して設けられているため，第１の搬送経路３３０Ａに不良基板回収カセット３２２を，第２の搬送経路３４０Ａに不良基板回収カセット３２４をそれぞれ設置して，膜形成処理による不良基板，現像処理による不良基板をそれぞれ効率よく回収することができる。更に，第１の搬送経路３３０Ａで行われた処理で不良と判断されたウェハＷ（基板）は回収されるので，露光装置に投入されるウェハＷは全て良品ウェハ（良品基板）となる。その結果，膜形成処理，露光処理，現像処理の一連の処理工程を経て形成されるウェハＷのうち，不良ウェハ（不良基板）の占める割合が少なくなり，効率良く良品ウェハを製造することができる。
【００９８】
なお，前記実施の形態では基板にウェハＷを使用した例を挙げて説明したが，本発明に使用可能な基板はウェハＷには限定されず，例えばＬＣＤ基板やＣＤ基板等であってもよい。
【００９９】
以上説明した各実施の形態は，あくまでも本発明の技術的内容を明らかにする意図のものにおいて，本発明はそうした具体例にのみ限定して狭義に解釈されるものではなく，本発明の精神とクレームに述べる範囲で，いろいろと変更して実施することができるものである。
【０１００】
【発明の効果】
請求項１〜１６に記載の発明では，基板の搬送経路が複雑化しないので，基板を効率よく搬送することができる。しかも処理ユニットの点検や整備をより容易に実施することができる。
【０１０１】
特に請求項２，１３に記載の発明では，第１の搬送手段と第２の搬送手段とで基板を分担して搬送するので，第１の搬送手段および第２の搬送手段の基板搬送時の負担が減少する。従って，基板の搬送経路が複雑化することをより確実に防止することができる。
【０１０３】
請求項４〜６，１５，１６に記載の発明では，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング膜を得ることができる。
【０１０４】
請求項７に記載の発明では，処理ユニット内の湿度や温度を制御することができる。
【０１０５】
請求項８，９に記載の発明では，板処理装置内の基板の処理状況に応じて，最適な基板の受け渡し場所を決定することができ，スループットを向上させることができる。
【０１０６】
請求項１０〜１２，１６に記載の発明では，不良基板を回収して，効率良く良品基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置に装備された第１の搬送手段の構成を示す斜視図である。
【図３】図１の基板処理装置をカセットステーション側から見た側面図である。
【図４】図１の基板処理装置をインターフェイス部側から見た側面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態にかかる基板処理装置の平面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態にかかる基板処理装置をカセットステーション側からみた側面図である。
【図７】図６の基板処理装置の第１熱処理ユニット群及び第３熱処理ユニット群を拡大して示した側面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態にかかる基板処理装置の平面図である。
【図９】図８の基板処理装置のカセットステーション側からみた第１熱処理ユニット群及び第３熱処理ユニット群の斜視図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置
１０ 膜形成ユニット群
１５ 現像処理ユニット群
２０ 空間部
３０ 第１の搬送手段
４０ 第２の搬送手段
５０ 第１熱処理ユニット群
６０ 第２熱処理ユニット群
７０ 第３熱処理ユニット群
８０ 第４熱処理ユニット群
９６ 扉
Ｃ カセット
Ｗ ウェハ
Claims (16)
- 基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，
前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，
前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，
前記第１の搬送経路に沿って配置された処理ユニット間で基板を搬送し，前記第２の搬送経路に沿って配置された処理ユニット間で基板を搬送する搬送手段を備え，
前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，
前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置。 - 前記搬送手段は，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第１の搬送手段と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第２の搬送手段とからなることを特徴とする，請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記処理ユニットは，多段に積み重ねられたことを特徴とする，請求項１または２に記載の基板処理装置。
- 前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置は，基板を露光処理する構成であって，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置にて露光処理された前記基板を現像処理する現像処理ユニットを備えていることを特徴とする，請求項１，２または３に記載の基板処理装置。
- 前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，ユニット上部に配置されたケミカルフィルタと，ユニット内部の空気を上方から下方へ流す機構とを備えていることを特徴とする，請求項１，２，３または４に記載の基板処理装置。
- 前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，ＨＥＰＡフィルタを備えていることを特徴とする，請求項１，２，３，４または５に記載の基板処理装置。
- 前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度及び湿度を調整する第１の調整機構と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度を制御する第２の調整機構とを備えていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５または６に記載の基板処理装置。
- 前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する前に所定の処理を施す膜形成前処理ユニットと，前記膜形成前処理ユニットに対して搬送される基板が載置される載置台とを備え，前記膜形成前処理ユニットは，前記載置台から前記膜形成前処理ユニットに対し，前記基板を受け渡すための開口部を備えていることを特徴とする，請求項４に記載の基板処理装置。
- 前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記基板を現像処理した後に所定の処理を施す現像後処理ユニットと，前記現像後処理ユニットにて処理された前記基板が載置される載置台とを備え，前記現像後処理ユニットは，前記現像後処理ユニットから前記載置台に対し，前記基板を受け渡すための開口部を備えていることを特徴とする，請求項４または８に記載の基板処理装置。
- 前記第１の搬送経路の終わりに配置された第１の不良基板回収手段 と，前記第２の搬送経路の終わりに配置された第２の不良基板回収手段とを備えていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８または９に記載の基板処理装置。
- 前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットで処理された基板を検査する第１の検査手段と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットで処理された基板を検査する第２の検査手段とを備えていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９または１０に記載の基板処理装置。
- 前記第１の搬送経路の終わりに配置され，前記第１の検査手段にて不良と判断された基板を回収する第１の不良基板回収手段と，前記第２の搬送経路の終わりに配置され，前記第２の検査手段にて不良と判断された基板を回収する第２の不良基板回収手段とを備えていることを特徴とする，請求項１１に記載の基板処理装置。
- 基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，
前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，
前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，
前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第１の搬送手段と，
前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第２の搬送手段とを備え，
第１の搬送経路と前記第２の搬送経路とを略平行に配置して，該第１の搬送経路と第２の搬送経路との間に，何らの装置も配置されていない空間部を形成し，
前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，
前記空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置。 - 基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，
前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，
前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，
前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，
前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニットを備え，
前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，
前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置。 - 基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，
前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，
前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，
前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，
前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニットと，ユニット上部に配置されたケミカルフィルタと，ユニット内部の空気を上方から下方へ流す機構とを備え，
前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，
前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有していることを特徴とする，基板処理装置。 - 基板を１または２以上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，
前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，
前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，
前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，
前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニットを備え，
前記第１の搬送経路の終わりに，不良と判断された基板を回収する第１の不良基板回収手段を配置し，
前記第２の搬送経路の終わりに，不良と判断された基板を回収する第２の不良基板回収手段を配置し，
前記第１の搬送経路と第２の搬送経路は，互いに独立した搬送系路であり，
前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路との間に何らの装置も配置されていない空間部が形成され，当該空間部は，当該空間部に進入した作業員がこの空間部に沿って移動可能な形態を有しているたことを特徴とする，基板処理装置。
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