TW438992B - Matrix-type display device and the manufacturing method of the same - Google Patents

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經濟部中央操準局員工消費合作杜印製 4 3 8 9 9 2 A7 ____B7_ 五、發明説明（彳） [技術領域〕 本發明係爲關於矩陣型顯示元件及其製造方法，特別 是具有選擇性地將螢光材料（發光材料）或光調變材料等 的光學材料配置在顯示基板上的所定位置，針對光學材料 至少在被塗敷之際爲液狀之矩陣型顯示元件及其製造方法 ，而使其將光學材料正確地配置在所定位置。 〔背景技術〕 L C D (Liquid Crystal Display)或 E L'( Electroluminescense)顯示元件等的矩陣型顯示元件，已多 種且多數被用作爲實現輕量、薄型、高畫質及高精細之顯 示元件。矩陣型顯示元件，係爲以矩陣狀的匯流排配線， 及光學材料（發光材料或是光調變材料），及因應於所須 的其他構造等而被構成。 在此處，若爲單色的矩陣型顯示元件，則配線或電極 必須以矩陣狀配置在顯示基板上，但光學材料也能一樣地 塗敷在顯示基板全面。 對於此點，例如以自己發光形態的E L顯示元件使其 實現所謂彩色的矩陣型顯示元件時，在每一像素，對應於 RG B之光的三原色而配置3個像素電極，同時，在各像 素電極必須塗敷對應於R B G任何一個的光學材枓。也就 是造成必須將光學材料選擇性的配置在所定的位置。 此處*期望開發將光學材料圖案處理的方法，但有效 的圖案處理方法，列舉有蝕刻及塗敷。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4规格< 210X297公釐) ' -4- (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-.-IT 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Γ 438992 五、發明説明（2 ) 蝕刻時的過程，說明如下。 首先，在顯示基板上的全面形成光學材料之層。其次 ，在光學材料之層的上面形成抗蝕膜1介由遮罩而在曝光 後將該抗蝕膜圖案處理。然後，進行蝕刻，因應於抗蝕的 圖案，而進行光學材料之層的圖案處理。 不過，此情況，由於過去程數較多，各材料、裝置爲 高價，因而提高成本。另外，由於過程數較多，各過程複 雜，因而也惡化生產量。進而，因光學材料的化學性質， 所以降低對於抗蝕或蝕刻液的耐性，也造成這些過程爲不 可能的情況。 另則，塗敷時之過程，說明如下。 首先，將光學材料溶解在溶媒而成液狀，將此液狀的 光學材料，以噴黑方式等而選擇性地塗敷在顯示基板上的 所定位置。然後，因應於所須，以加熱或光照射，而將光 學材料固形化。此情況，由於過程數較少；各材料、裝置 爲低價，因而降低成本。另外由於過程數較少，各過程簡 單，所以生產量也較佳。進而，無關光材料的化學性質， 若爲液狀化，則這些過程爲可能。 如上述的塗敷之圖案處理方法，也被認爲是能容易地 執行。但是，本發明者等嘗試進行實驗，在以噴墨方式塗 敷光學材料時，由於必須以溶媒將該光學材料稀釋數十倍 以上，所以判定爲其流動性提高，在塗敷過後至完成其固 形化爲止保持在塗敷位置造成困難 也就是起因於液狀的光學材料之流動性，而造成圖案 本紙張尺度適用_中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (#先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線； -5- 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 li38992 ^ 五、發明説明（3 ) 處理的精度惡化。例如，塗敷在一個像素之光學材料，由 於流出至所鄰接的像素，因而劣化像素的光學特性。另外 ，在各像素，由於塗敷面積產生不均衡，因而塗敷厚度產 生不均衡，且光學材料的光學特性產生不均衡》 此問題點，在塗敷之際，爲液狀，之後被固形化之 E L顯示元件用的發光材料等較爲顯著，但將塗敷之際及 其後也爲液狀的液晶，選擇性的塗敷在顯示基板上時，也 是產生同樣的問題點。 本發明，係爲著眼於過去技術所具有的未解決之課題 ，其目的係爲提供可以維持低成本、高生產量及光學材料 的高自由度等的特徵，且將液狀的光學材料確實地配置在 所定位置之矩陣型顯示元件及其製造方法》 〔發明之開示〕 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第1項、係 爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材 料之構成：前述光學材料至少在被塗敷在前述所定位置之 際爲液狀之矩陣型顯示元件，在前述所定位置與其周圍的 境界部分，具有爲了選擇性的塗敷前述光學材料之段差。 依據本發明申請範圍第1項，由於具有如上述的段差 ，而在塗敷之際就是光學材料爲液狀，也可以將其光學材 料選擇性的配置在所定位置。也就是專利申請範圍第1項 之矩陣型顯示元件，係爲光學材料正確地被配置在所定位 置之高性能的矩陣型顯示元件。 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） (諳先M·讀背面之注項再填寫本頁)

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T -6- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 ? 43899 2 a7 _______B7 五、發明説明（4 ) 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第2項，係 爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇的配置光學材料 之構成；前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際 爲液狀之矩陣型顯示元件的製造方法，具備將爲了塗敷前 述液狀的光學材料之段差，形成在前述顯示基板上的前述 所定位置與其周圍的境界部之過程，及利用前述段差而在 前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料之過程。 依據本發明專利申請範圍第2項，由於在塗敷液狀的 光學材料形成段差，所以能以此段差阻止被塗敷在所定位 置之液狀的光學材料擴散到周圔。此結果，形成爲能維持 低成本'高生產量及光學材料的高自由度等的特徵，且使 其提尚圖案處理的精度。 依據本發明專利申請範圍第3項，係爲針對本發明上 述專利申請範圍第2項之矩陣型元件的製造方法：前述段 差’係爲前述所定位置比其周圍還低的凹型段差，使其將 塗敷前述顯示基板的前述液狀光學材料之面朝上，而在前 述所定位置塗敷前述液狀的光學材料。 依據本發明專利申請範圍第3項，將塗敷顯示基板的 光學材料之面朝上，則形成爲以段差而被形成的凹部也朝 上。然後’在其凹部的內側塗敷液狀的光學材料，則形成 爲以重力而在凹部內集結光學材料；所被塗覆的液狀光學 材料’只限於光學材料不是極端大量下，以重力或表面張 力等而可以集結在凹部內，所以在此狀態，例如使其乾燥 後將光學材料固形化也不致有問題，能進行高精度的圖案 本紙張尺度朝巾關家辟（CNS ) A4祕（21DX297公幻 —J--^----;.!------、IT—-----線、 (祷先聞诗背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 『 43899 2 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 處理。 對於此點，本發明專利申請範圍第4項，係爲針對本 發明上述專利範圍第2項之矩陣型顯示元件的製造方法； 前述段差，係爲前述所定位置比其周圍還高之凸型段差， 使其將塗敷前述顯示基板的前述液狀光學材料之面朝下， 而在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料》 依據本發明專利申請範圍第4項，將塗敷顯示基板的 光學材料之面朝下，則形成爲以段差而被形成的凸部也朝 下。然後在其凸部塗敷液狀的光學材料，則形成爲以表面 張力而在凸部上集結光學材料：所被塗敷的液狀之光學材 料，係爲只限於該光學材料不是極端大量下，以表面張力 而可以集結在凸部上，所以在此狀態，例如使其乾燥後就 是將光學材料固形化也不致有問題*能進行高精度的圖案 處理。 爲了達成上述目的’本發明專利申請範圍第5項，係 爲針對具有在前述光學材料上的所定位置選擇性的配置光 學材料之構成，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位 置之際爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法，具備在前述 顯示基板上，形成複數個第1匯流排配線之過程、及將爲 了塗敷前述液狀的光學材料之段差，·形成在顯示基板上的 前述所定位置與其周圍的境界部分之過程，及利用前述段 差而在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料之過程，及 形成與前述第1匯流排交叉的複數個第2匯流排配線而使 其覆蓋前述光學材料之過程。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS) Α4規格（210X297公釐） ---Ί,--1------ 』 _ (許先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線、、 • 8 · 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 4389 9 2 A? __________B7___ 五、發明説明（6 ) « 依據本發明專利申請範圍第5項，針對所謂被動矩陣 型元件之製造方法’可以達成與上述專利申請範圍第2項 同樣的作用效果。 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第6項，係 爲針對具有在顯75基板上選擇性的配置光學材料之構成； 前述光學材料至少在被塗敷至前述所位置之際爲液狀之矩 陣型顯示元件的製造方法；具備在前述顯示基板上，形成 複數個第1匯流排配線之過程，及將爲了塗敷前述液狀的 光學材料之段差，形成在前述顯示基板上的前述所定位置 與其周圍的境界部分之過程，利用前述段差而在前述所定 位置塗敷前述液狀的光學材料之過程，及在剝離用基板上 ，介由剝離層而形成複數個第2匯流排配線之過程，及在 塗敷前述光學材料之顯示基板上，轉印從前述剝離用基板 上的前述剝離層所被剝離的構造，而使其交叉前述第1匯 流排線與前述第2匯流排配線》 依據本發明專利申請範圍第6項，係爲針對所謂被動 矩陣顯示元件之製造方法，可以達成與本發明專利申請範 圍第2項同樣的作用效果，同時在配置光學材料後，於其 上面形成第2匯流排配線用之層，蝕刻此層的過程’爲無法 進行的部分，能輕減對光學材料等的下層材料其後過程之 破損。 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第7項，係 爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材 料：前述光學材料至少在塗敷至前述所定位置之際爲液狀 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ιτ -9- 經濟部中央標準局男工消費合作社印製 43899 2 a? B7 五、發明説明（7 ) 之矩陣型顯示元件的製造方法，具備在前述顯示基板上， 形成含有複數個掃描線訊號線的配線，與對應於前述所定 位置的像素電極，與爲了因應於前述配線的狀態而控制前 述像素電極之狀態的開關元件之過程；及將爲了塗敷前述 液狀的光學材料之段差，形成在前述顯示基板上的前述所 定位置與其周圍的境界部分之過程；及利用前述段差而在 前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料之過程。 依據本發明申請專利範圍第7項，係爲針對所謂主動 矩陣型顯示元件之製造方法，可以達成與本發明上述專利 申請範圍第2項同樣的作用效果。 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第8項，係 爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材 料’前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液 狀之矩陣型顯示元件的製造方法，具備將爲了塗敷前述液 狀的光學材料之段差，形成在前述顯示基板上的前述所定 位置與其周圍的境界部分之過程；及在剝離用基板上介由 剝離層而形成複數個掃描線及訊號線的配線，與對應於前 述所定位置的像素電極，與爲了因應於前述配線的狀態而 控制前述像素電極的狀態的開關處理元件之過程；及在塗 敷前述光學材料的顯示基板上，轉印從前述剝離用基板上 的前述剝離層所被剝離的構造之過程。 依據本發明專利申請範圍第8項，係爲針對所謂主動 矩陣顯示元件之製造方法，可以達成與本發明專利申請範 圍第2項同樣的作用效果，同時在配置光學材料之後，於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（U0X297公釐） (#先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線」 -10- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 43 89 9 2 a? ________'_B7 五、發明説明（8 ) 其上面形成配線用之層或像素電極用之層且蝕刻這些層之 過程爲無法進行之部分，能輕減對光學材料的下層材料其 後過程之破損，或對掃描線、訊號線、像素電極或是開關 處理元件等光學材料的塗敷之破損。 本發明專利申請範圍第9項，係爲針對本發明上述專 利申請範圍第5或第6項之矩陣型顯示元件的製造方法； 前述段落，係爲利用前述第1匯流排配線而被形成，前述 所定位置比其周圍還低的凹型段差；在塗敷前述液狀的光 學材料之過程，將塗敷前述顯示基板之前述液狀的光學材 料之面朝上，而形成爲在前述所定位置塗敷前述液狀的光 學材料。 依據本發明專利申請專利範圍第9項，針對所謂被動 矩陣顯示元件之製造方法；可以達成與本發明上述專利申 請範圍第3項同樣的作用效果*同時利用第1匯流排配線 而形成段差之結果，形成第1匯流排配線之過程的一部分 或是全部，形成爲兼爲形成段差之過程，所以可以抑制過 程的增加。 本發明專利申請範圍第1 0項，係爲針對上述專利申 請範圍第7項之矩陣型顯示元件的製造方法；前述段差， 係爲利用前述配線而被形成，前述所定位置比其周圍還低 的凹型差段*在塗敷前述液狀的光學材料之過程，將塗敷 前述顯示基板之前述液狀的光學材料之面朝上，而形成爲 在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料。 依據本發明專利申請範圍第1 0項，係爲針對所謂主 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -11 - 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 動矩陣顯示元件之製造方法，可以達成與本發明上述專利 申請範圍第3項同樣的作用效果，同時利用配線而形成段 差之結果，形成配線之過程的一部分或是全部，因使其兼 爲形成段差之過程，所以可以抑制過程的增加。 本發明專利申請範圍第1 1項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第7項之矩陣型顯示元件的製造方法；前述 段差，係爲利用前述像素電極而被形成，前述所定位置比 其周圍還高的凸型段差，在塗敷前述液狀的光學材料之過 程，將塗敷前述顯示基板之前述液狀的光學材料之面朝下 ，而形成爲在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料。 依據本發明專利申請範圍第1 1項，針對所謂主動矩 陣顯示元件之製造方法：可以達成與上述專利申請範圍第 4項同樣的作用效果，同時利用像素電極而形成段差之結 果’形成像素電極之過程的一部分或是全部，因使其兼爲 形成段差之過程，所以可以抑制過程的增加。 本發明專利申請範圍第1 2項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第5〜8項之矩陣型顯示元件的製造方法·, 具備形成層間絕緣膜之過程；前述段差，係爲利用前述層 間絕緣膜而被形成，前述所定位置比其周圍還低的凹型段 差；在塗敷前述液狀的光學材料之過程，將塗敷前述顯示 基板之前述液狀的光學材料之面朝上，而形成爲在前述所 定位置塗敷前述液狀的光學材料。 依據本發明專利申請範圍第1 2項，針對所請被動矩 陣顯示元件之製造方法及所謂主動矩陣顯示元件之製造方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS M4規格（210X297公潑） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -12- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 43 89 9 2 a? ___ B7 五、發明説明（10 ) 法；可以達成與本發明上述專利申請範圍第3項同樣的作 用效果，同時利用層間絕緣膜而形成段差之結果，形成層 間絕緣膜之過程的一部分或是全部，因使其兼爲形成段差 之過程，所以可以抑制過程的增加。 本發明專利申請範圍第1 3項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第5〜8項之矩陣型顯示元件的製造方法； 具備形成遮光曆之過程；前述段差，係爲利用前述遮光層 而被形成，前述所定位置比其周圍還低的凹型段差；在塗 敷前述液光的光學材料之過程，將塗敷前述顯示基板之前 述液狀的光學材料之面朝上，而形成爲在前述所定位置塗 敷前述液狀的光學材料。 依據本發明專利申請範圍第1 3項，針對所謂被動矩 陣顯示元件之製造方法及所謂主動矩陣顯示元件之製造方 法，達成與本發明上述專利申請範圍第3項同樣的作用效 果，同時利甩遮光層而形成段差之結果，形成遮光層之過 程的一部分或是全部，因使其兼爲形爲段差的過程，所以 可以抑制過程的增加》 本發明專利申請範圍第1 4項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第2、 3、 5〜8項之矩陣型顯示元件的製 造方法；形成前述段差之過程，係爲在塗敷液狀的材料後 ，由於選擇性的除去此材料而使其形成段差。作爲液狀的 材料可以適用抗蝕劑，當適用抗蝕劑時，在顯示基板全面 旋轉塗敷抗蝕劑而形成適當厚度的抗蝕膜，曝光•蝕刻該 抗蝕膜後對應於所定位置而形成凹部，以此凹部而可以形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） τ « - ------'--- _ _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) t -13- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 438992 五、發明説明) 成段差。 依據本發明專利範圍第1 4項，加上本發明上述專利 範圍第2、 3、 5〜8項的作用效果，而在與形成段差之 過程的簡單化形成爲可能的同時，能輕減對下層材料之破 壞，也容易地形成高低差較大的段差。 本發明申請專利範圍第1 5項，係爲針對上述申請範 圍第2、 3、 5、 7項之矩陣型顯示元件的製造方法；形 成前述段差之過程，係爲在剝離用基板介由剝離層彤成段 差，將從其剝離用基板上的剝離層所被剝離的構造轉印在 顯示基板上。 依據本發明專利申請範圍第1 5項，加上本發明上述 專利申請範圍第2、 3、 5、 7項的作用效果，形成爲在 剝離基板上使其轉印別法所形成的段差，所以能使形成段 差的過程簡單作用，同時形成爲能輕減下層材料之破損， 並且也容易形成高低差的較大段差。 本發明專利申請範圍第1 6項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第2、 3、 5〜10、 12〜15項之矩陣 型顯示元件的製造方法；前述段差的高度d r，使其滿足下 述（1 )式， . d a < d r ...... ( 1 ) d a係爲前述液狀的光學材料每一次的塗敷厚度。 依據本發明專利申請範圍第1 6項，就是不依靠液狀 光學材料的表面張力，也能超越凹型的段差，而控制光學 材料流出至所定位置的周圍。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） (諳先聞讀背面之注再填寫本頁) 訂 -14- 438992 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（彳2 ) ; 依據本發明專利申請範圍第1 7項，係爲針對本發明 上述專利申請範圍第1 6項之矩陣型顯示元件的製造方法 ’使其滿足下述（2 )式。 V d / ( d b · r ) > E t ...... ( 2 ) V d係爲被加入至前述光學材料的驅動電壓：d b係爲 前述液狀光學材料的各塗敷厚度之和：r係爲前.述液狀光 學材料的濃度；E t係爲前述光學材料出現光學特性變化之 最少的電界強度（臨界電界強度）^ 依據本發明專利申請範圍第1 7項，加上本發明上述 專利申請範圍第1 6項的作用效果，塗敷厚度與驅動電壓 的關係被明確化，且補償光學材料出現電光學效果。 本發明專利申請範圍第18項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第2、 3、 5〜10、 12〜15項的矩陣 型顯示元件之製造方法：前述段差的高度d r，使其滿足下 述（3 )式， df=dr ...... (3) d r爲前述光學材料之完成時厚度。 依據本發明專利申請範圍第1 8項，確保段差與完成 時的光學材料之平坦性，且形成爲能有光學材料之光學特 性變化的一樣性，及短路的防止。 本發明專利申請範圍第1 9項，係爲針對本發明上述 專利範圍第1 8項的矩陣型顯示元件之製造方法；前述完 成時的厚度dr，使其滿足下述（4)式。 Vd/di>Et ...... (4) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -β 影··

I -15- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 4 3 8 9 9 2; at B7 五、發明説明（13 ) v d係爲被加入至前述光學材料之驅動電壓；E t係爲 前述光學材料出現光學特性變化之最少的電界強度（臨界 電界強度）。 依據本發明專利申請範圍第1 9項，加上本發明上述 專利申請範圍第1 8項的作用效果，而塗敷厚度與躔動電 壓的關係被明確*光學材料出現光電學效果被補償。 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第2 0項， 係爲針對具有在基板上的所定位置選擇性的配置光學材料 之構成，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際 爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法：具備比其周圍的親 液性還相對地加強前述顯示基板上的前述所定位置之親液 性之過程，及在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料。 依據本發明專利申請範圍第2 0項，由於在塗敷液狀 的光學材料之前使其加強所定位置之親液性，所以被塗敷 在所定位置之液狀的光學材料，形成爲比其周圍還易於集 結在所定位置，若非常地增大所定位置與其周圍的親液性 之差，則被塗敷在所定位置之液狀的光學材料不會擴散至 其周圍。此結果，能維持低成本、高生產量及光學材料的 高自由度等的特徵，且使其提高圖案處理的精度。' 然而，比其周圍的親液性還相對地加強顯示基板上的 所定位置之親液性，係爲考量加強所定位置之親液性、或 是加強所定位匱的周圍之撥液性，或者是進行該兩者。 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第2 1項， 係爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (讀先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 命 -16- 4389 9 2 ;7 五、發明説明（14) 材料之構成，前述光學材料至少在被塗敷至前定位置之際 爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法；具備在前述基板上 形成複數個第1匯流排配線之過程，及比其周圍之親液性 還相對地加強前述顯示基板上的前述所定位置之親液性之 過程，及在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料之過程 ，及形成與前述第1匯流排配線交叉的複數個第2匯流排 配線，而使其覆蓋前述光學材料之過程。 依據本發明專利範圍第2 1項，係爲針對所謂被動矩 陣型顯示元件之製造方法：可以達成與本發明上述專利申 請範圍第2 0項同樣的作用效果。 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 (請先開讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第2 2項， 係爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學 材料之構成，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置 之際爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法；具備在前述顯 示基板上形成複數個第1匯流排配線之過程，及比其周圍 的親液性還相對地加強前述顯示基板上的前述所定位置之 親液性之過程，及在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材 料之過程’及在剝離用基板上介由剝離層而形成複數個第 2匯流排配線之過程，及在塗敷前述光學材料之顯示基板 上’轉印從前述剝離用基板上的前述剝離層所被剝離之構 造，而使其交叉前述第1匯流排配線與前述第2匯流排配 線。 依據本發明專利申請範圍第2 2項，針對所謂被動矩 陣顯示元件之製造方法，可以達成與本發明上述專利申請 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公嫠） -17· 438992 五、發明説明（15) 範圍第2 0項同樣的作用效果，同時在配置光學材料之後 ，在其上面形成第2匯流排配線用之層，蝕刻此層之過程 爲無法進行的部分，形成爲能輕減對光學材料等的下層材 料其後的過程之破損。 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第2 3項， 係爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配匱光學 材料之構成，前述光學材料在至少被塗敷至前述所定位置 之際爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法；具備在前述基 板上形成含有複數個掃描線及訊號線的配線，與對應於前 述所定位置的.像素電極，與爲了因應於前述配線的狀態而 控制前述像素電極的狀態之開關處理元件之過程：及比其 周圍的親液性還相對地加強前述顯示基板上的前述所定位 置之親液性之過程；及在前述所定位置塗敷前述液狀的光 學材料之過程。 依據本發明專利範圍第2 3項》針對所謂主動矩陣型 顯示元件之製造方法：可以達成與本發明上述專利申請範 圍第20項同樣的作用效果。 經濟部中央標準局員工消費合作社印衷 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -每：、 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第2 4項， 係爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學 材料之構成，前述光學材料在至少被塗敷在前述所定位置 之際爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法；具備比其周圍 的親液性還相對地加強前述顯示基板上的前述所定位置之 親液性之過程；及在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材 料之過程；及在剝離用基板上介由剝離層而形成含有複數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公產） -18- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 f 438992 五、發明説明（16 ) 個掃描線及訊號線的配線，與對應於前述所定位置的像素 電極，與爲了因應於前述配線的狀態而控制前述像素電極 的狀態的開關處理元件之過程；及在塗敷前述光學材料之 顯示基板上，轉印從前述剝離用基板上的前述剝離層所被 剝離的構造之過程β 依據本發明專利申請範圍第2 4項，針對所謂主動矩 陣顯示元件之製造方法，可以達成與本發明上述專利申請 範圍第2 0項同樣的作用效果，同時在配置光學材料之後 ，在其上面形成配線用之層或像素電極用之層且使其蝕刻 這些層之過程爲無法進行的部分，形成爲能輕減對光學材 料的下層材料其後的過程之破損；或對掃描線、訊號線、 像素電極或是開關處理元件等的光學材料的塗敷等之破損 〇 本發明專利申請範圍第2 5項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第2 1或是第2 2項的矩陣型顯示之製造方 法，由於沿著前述顯示基板上的前述第1匯流排配線，形 成撥液性較強的分布，因而形成爲使其比其周圔之親液性 還相對地加強前述顯示基板上的前述所定位置之親液性。 依據本發明專利申請範圍第2 5項，針對所謂被動矩 陣顯示元件之製造方法；可以達成與本發明上述專利申請 範圍第2 0項同樣的作用效果，同時沿著第1匯流排配線 ，形成親液性較強的分布之結果，形成第1匯流排配線之 過程的一部分或是全部，因使其兼爲比其周圍之親液性還 相對地加強前述所定位置之親液性之過程，所以可以抑制 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (諳先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- -線、 -19- 4 3 8 9 9 2 Αν ____B7 五、發明説明（17 ) 過程的增加。 依據本發明專利申請範圍第2 6項，針對本發明上述 專利申請範圍的矩陣型顯示元件之製造方法；由於沿著前 述顯示基板上的前述配線形成撥液性較強的分布，所以形 成爲使其比其周圍之親液性還相對地加強前述顯示基板上 的前述所定位置之親液性。 依據本發明專利範圍第2 6項，針對所謂主動顯示元 件之製造方法：可以達成與本發明上述專利申請範圍第 2 0項同樣的作用，同時沿著配線形成親液性較強的分布 之結果，形成配線之過程的一部分或是全部，因使其兼爲 比其周圍之親液性還相對地加強前述所定位置之親液性， 所以可以抑制過程的增加。 本發明專利申請範圍第2 7項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第2 3項的矩陣型顯示元件之製造方法；由 於加強前述顯示基板上的前述像素電極表面之親液性，因 而形成爲使其比其周圍還相對地加強前述顯示基板上的前 述所定位置之親液性。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱1*背面之注意事項再填寫本頁) 線 依據本發明專利申請範圍第2 7項，針對所謂主動矩 陣顯示元件之製造方法，可以達成與本發明上述專利範圍 第2 0項同樣的作用效果，同時加強像素電極表面之親液 性的結果，形成像素電極之過程的一部分或是全部，因使 其兼爲比其周圍之親液性還相對地加強前述所定位置之親 液性之過程，所以可以抑制過程的增加。 本發明專利範圍第2 8項，係爲針對本發明上述專利 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 438992 A7 _______B7___ 五、發明説明（18 ) 範圍第2 1〜2 4項的矩陣型顯示元件之製造方法；具備 形成層間絕緣膜之過程；由於沿著前述顯示基板上的前述 層間絕緣膜形成撥液性較強的分布，所以形成爲使其比其 周圍的親液性還相對地加強前述顯示基板上的前述所定位 置之親液性β 依據本發明専利申請範圍第2 8項，針對所謂被動矩 陣顯示元件之製造方法及所謂主動矩陣顯示元件之製造方 法；可以達成與本發明上述專利範圍第2 0項同樣的作用 效果，同時沿著層間絕緣膜形成親液性較強的分布之結果 ，形成層間絕緣膜之過程的一部分或是全部，因使其兼爲 比其周圍之親液性還相對地加強前述所定位置之親液性之 過程，所以可以抑制過程的增加。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (讀先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 本發明專利申請範圍第2 9項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第2 3項的矩陣型顯示元件之製造方法：具 備形成層間絕緣膜而使其露出前述像素電極的表面之過程 ，在形成前述層間絕緣膜之際，將爲了塗敷前述液狀的光 學材料之段差，形成在露出前述像素電極的表面之部分與 其周圍的境界部分，由於加強前述層間絕緣膜的表面之撥 液性，因而形成爲使其比其周圍之親液性還相對地加強前 述顯示基板上的前述所定位置之親液性。 依據本發明專利申請範圔第2 9項，在塗敷液狀的光 學材料之前，以層間絕緣膜形成如本發明上述專利範圍第 3項的凹型段差，同時由於加強其層間絕緣膜的表面之撥 液性因而所定位置的親液性比其周圍的親液性還相對地力口 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) Α4規格（210 X 297公釐） -21 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 43 899 2 Α7 Β7 五、發明説明（19 ) 強。因此，形成爲發揮本發明上述專利申請範圍第3項的 作用，及本發明上述專利範圍第2 〇項的作用之兩者，所 以能更確實地阻止被塗敷在所定位置之液狀的光學材料擴 散到周圍。此結果，能維持低成本、高生產量及光學材料 的高自由度等的特徵，並且更而使其提高圖案處理的精度 本發明專利申請範圍第3 0項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第2 1〜2 4項的矩陣型顯示元件之製造方 法；具備形成遮光層之過程，由於沿著前述顯示基板上的 前述遮光層形成撥液性較強的分布，因而形成爲使其比其 周圍之親液性還相對地加強前述顯示基板上的前述所定位 置之親液性。 依據本發明專利申請範圍第3 0項，針對所謂被動矩 陣顯示元件之製造方法及所謂主動矩陣型顯示元件之製造 方法；可以達成本發明上述專利申請範圍第2 0項同樣的 作用效果，同時沿著遮光板形成親液性較強的分布之結果 ，形成遮光層之過程的一部分或是全部，因使其兼爲比其 周圍的親液性還相對地加強前述所定位置的親液性之過程 ，所以可以抑制過程的增加。 本發明專利申請範圍第3 1項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第2 0〜3 0項的矩陣型顯示元件之製造方 法；由於照射紫外線或是照射〇2、CF3、Ar等的電漿 ，因而形成爲使其加大前述所定位置與其周圍的親液性之 差0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210XW7公釐） (背先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 線」 -22- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 438992 : 五、發明説明（20 ) 依據本發明專利範圍第3 1項，例如可以容易地加強 層間絕緣膜表面等之撥液性。 本發明專利申請範圍第3 2項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第2〜19項的矩陣型顯示元件之製造方法 ;具備比其周圍之親液性還相對地加強前述顯示基板上的 前述所定位匱之親液性。 另外，本發明專利申請範圍第3 3項，係爲針對本發 明專利申請範圍第20〜28、 31項的矩陣型顯示元件 之製造方法；具備將.爲了塗敷前述液狀的光學材料之段差 形成在前述顯示基板上的前述所定位置與其周圍的境界部 分之過程。 然後依據這些本發明專利範圍第3 2或3 3項，與本 發明上述專利範圍第2 9項同樣地，在塗敷液狀的光學材 料之前，形成所定的段差，同時所定位置的親液性比其周 圍的親液性還相對地加強。因此，形成爲發揮本發明上述 專利申請範圍第3項之作用，及本發明上述専利申請範圍 第2 0項之作用的雨者，所以能更確實地阻止被塗敷在所 定位置之液狀的光學材料擴散到周圍。此結果，形成爲維 持低成本、高生產量及光學材料的較自由度等的特徵，並 且更使其提高圖案處理的精度。 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第3 4項， 係爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學 材料之構造，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置 之際爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法；具備在前述顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } A4規格（21〇X297公釐> (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-*

T •23· 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 438992 五、發明説明（21 ) 示基板上形成電位分布而使其形成爲前述所定位置與其周 爲相異的電位之過程，及利用前述電位分布而將前述液狀 的光學材料選擇性的塗敷在前述所定位置之過程。 依據本發明專利申請範圍第3 4項，在塗敷液狀的光 學材料之前爲了形成電位分布，所以能依其電位分布而阻 止被塗敷在所定位置之液狀的光學材料擴散到周圍。此結 果，能維持低成本、高生產量及光學材料的高自由度等的 特徵，並且使其提高圖案處理的精度。 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第3 5項， 係爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配匱光學 材料之構成，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置 之際爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法；具備在前述顯 示基板上形成電位分布而使其形成爲前述所定位置與其周 圍爲相異的電位之過程，及將前述液狀的光學材料，在與 前述所定位置的周圍之間使其帶有產生斥力的電位後，塗 敷在前述所定位置之過程》 依據本發明專利申請範圍第3 5項，因在所被塗敷之 液狀的光學材料與所定位置的周圍之間產生斥力，所以能 P且止被塗敷在所定位置之液狀的光學材料擴散到周圍。此 結果，能維持低成本、高生產量及光學材料的高自由度的 特徵，並且使其提高圖案處理的精度》 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第3 6項， 係爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學 材料之構成’前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置 本紙張尺度適用中國國家標準< CNS ) A4規格（210X297公楚） (#先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -24- 經濟部中央標準局男工消費合作杜印製 『43 89 9 2 a? B7 五、發明説明（22 ) 之際爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法；具備在前述顯 示基板上形成複數個第1匯流排配線之過程，及在前述顯 示基板上形成電位分布而使其形成爲前述所定位置與其周 園爲相異的電位之過程，及將前述液狀的光學材料，在與 前述所定位置的周圍之間使其帶有產生斥力的電位後，塗 敷在前述所定位置之過程，及形成與前述第1匯流排配線 交叉的複數個第2匯流排配線而使其覆蓋前述光學材料之 過程。 依據本發明專利申請範圍第3 6項，針對所謂被動矩 陣型顯示元件之製造方法，可以達成與本發明上述專利申 請範圍第35項同樣的作用效果。 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第3 7項，: 係爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學 材料之構成，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置 之際爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法；具備在前述顯 示基板上形成複數個第1匯流排配線之過程，及在前述顯 示基板上形成電位分布而使其形成爲前述所定位置與其周 圍爲相異的電位之過程，及將前述液狀的光學材料，在與 前述所定位置的周圍之間使其帶有產生斥力的電位後，塗 敷在前述所定位置之過程，及在剝離用基板上介由剝離層 而形成複數個第2匯流排配線之過程，及在塗敷前述光學 材料之顯示基板上，轉印從前述剝離用基板上的前述剝離 層所被剝離之構造而使其交叉前述第1匯流排配線與前述 第2匯流排配線之過程。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 -線' -25- 4-3899 2 at _____B7 _ 五、發明説明（23 ) 依據本發明專利申請範圍第3 7項，針對所謂被動矩 陣顯示元件之製造方法，可以達成與本發明上述專利申請 範圍第3 5項同樣的作用效果，同時在配置光學材料之後 ，在其上面形成第2匯流排配線用之層且蝕刻此層之過程 爲無法進行的部分，形成爲能輕減對光學材料等的下層材 料之其後過程之破損。 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第3 8項， 係爲針對具有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學 材料之構成，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置 之際爲液狀的矩陣型顯示元件之製造方法具備形成在前 述顯示基板上含有複數個掃描線及訊號線的配線，與對應 於前述所定位置的像素電極，與爲了因應於前述配線狀態 而控制前述像素電極之狀態的開關處理元件之過程；及在 目丨J述顯不基板上形成電位分布而使其形成爲前述所定位置 與其周圍爲相異的電位之過程；及將前述液狀的光學材料 ’在與前述所定位置的周圍之間使其帶有產生斥力的電位 後’塗敷在前述所定位置。 經濟部中央標準局負工消費合作社印袋 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明專利申請第3 8項，針對所謂主動矩陣型 顯示元件之製造方法，可以達成與本發明專利申請範圍第 35項同樣的作用效果》 爲了達成上述目的，本發明專利申請範圍第3 9項， 係對針對具有在基板上的所定位置配置光學材料之構成， 前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀的 矩陣型顯示元件之製造方法，·具備在前述顯示基板上形成 本歸尺度適用中關家標準（CNS ) A4· ( 21QX297公釐） · -26- 鯉濟部中央標準局員工消費合作社印製 43 89 9 2 37 五、發明説明（24) 電位分布而使其形成爲前述所定位置與其周圍爲相異的電 位之過程：及將前述液狀的光學材料，在與前述所定位置 的周圍之間使其帶有產生斥力的電位後，塗敷在前述所定 位置之過程；及在剝離基板上，介由剝離層而形成含有複 數個掃描線及訊號線的配線，與對應於前述所定位置的像 素電極，與爲了因應於前述配線之狀態而控制前述像素電 極之狀態的開關元件等之過程；及在塗敷前述光學材料之 顯示基板上，轉印從前述剝離用基板上的前述剝離層所被 剝離的構造之過程。 依據本發明專利範圍第3 9項，針對所謂主動矩陣顯 示元件之製造方法，可以達成與本發明上述專利申請範圍 第3 5項同樣的作用效果，同時在配置光學材料之後，在 其上面形成配線用之層或像素電極用之層且蝕刻這些層之 過程爲無法.進行的部分，形成爲能輕減光學材料等的下層 材料的其後之過程之破損、或對掃描線、訊號線、像素電 極或是開關處理元件等光學材料的塗敷等之破損〃 本發明專利申請範圍第4 0項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第3 5〜3 9項的矩陣型顯示元件之製造方 法；前述電位分布，係爲至少前述顯示基板上的前述所定 位置的周圍使其形成爲帶電。 依據本發明專利範圍第4 0項，形成爲由於使其帶有 液狀的光學材料因而可以確實地使其產生斥力。 本發明專利申請範圍第4 1項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第3 6或是3 7項的矩陣型顯示元件之製造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 -27- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 43 89 9 2 A7 _____B7 五、發明说明（25) 方法：前述電位分布，係爲在前述第1匯流排配線加入電 壓而使其形成。 另外，本發明專利範圍第4 2項，係爲針對本發明專 利申請範圍第3 8項的矩陣型顯示元件之製造方法：前述 電位分布，係爲在前述配線加入電壓而使其形成。 然且，本發明專利申請第4 3項，係爲針對本發明上 述專利申請範圍第3 8項的矩陣型顯示元件之製造方法； 前述電位分布，係爲在前述像素電極加入電壓而使其形成 0 進而，本發明專利申請第4 4項，係爲針對本發明上 述專利申請範圍第3 8項的矩陣型顯示元件之製造方法； 前述電位分布，係爲在前述掃描線依順加入電壓*同時在 前述訊號線加入電位，在前述像素電極介由前述開關處理 元件而加入電壓後使其形成。 另外，本發明專利申請範圍第4 5項，係爲針對本發 明專利申請範圍第3 5〜3 9項的矩陣型顯示元件之製造 方法：具備形成遮光層之過程；前述電位分布，係爲在前 述遮光層加入電壓而使其形成。 依據本發明這些專利申請範圍第4 1〜4 5項，由於 利用具備矩陣型顯示元件的構成而形成電位分布，因而可 以控制過程的增加。 本發明專利申請範圍第4 6項，係爲針對本發明上述 專利申請範圍第3 4〜4 5項的矩陣型顯示元件之製造方 法；前述電位分布，係爲前述所定位置與其周圍爲相反極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公麓） (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 'ΪΤ· 線 -28 - 438992 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（26) ~ ' 性而使其形成》 依據本發明專利申請範圍，由於在液狀的光學材料與 所定位置之間產生引力，在液狀的光學材料與所定位置的 周圍之間產生斥力’因而在所定位置易於集結光學材料， 且更提高圖案處理的精度。 然而’本發明上述專利申請範圍第2〜4 6項的矩陣 型顯不兀件之製造方法的前述光學材料，例如如本發明專 利申請範圍第4 7項，可以適用無機或是有機的螢光材料 。螢光材料（發光材料）以EL ( Electroluminescense)較 爲合適。由於是液狀的光學材料，所以溶解於適當的溶媒 作爲溶液即可。 另外，本發明上述專利申請範圍第2、3、5〜10 、12〜31、 33〜46項的矩陣型顯示元件之製造方 法的述光學材料，例如如本發明專利申請範圍第4 8項 ，可以適用液晶。 本發明專利申請範圍第4 9項，係爲針對本發明上述 專利範圍第7、 8、 10、 11、 13、 23、 24、 26、 27、 28、 38、 39、 42〜44項的矩陣型 顯示元件之製造方法：前述開關處理元件，係爲以·非晶質 矽、6 0 〇°C以上的高溫處理所形成的多結晶矽或是以 6 0 0°C以下的低溫處理所形成的多結晶矽而使其形成。 就是以本發明專利申請範圍第4 9項，也形成爲能使 其提高光學材料之圖案處理的精度。特別是在使用以低溫 處理所形成的多結晶矽時，使用玻璃基板所形成的低成本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (#先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 線、- -29-

V 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __/i_g_8 9 9 2___B7____ $、發明説明（27 ) /1及高移動度所形成的高性能化都可以成立》 / 〔圖面之簡單說明〕 第1圖係爲表示本發明第1實施形態之顯示裝置的— 部分之電路圖。第2圖係爲表示像素領域的平面構造之擴 大平面圖。第3〜5圖係爲表示第1實施形態的製造過程 的流向之斷面圖。第6圖係爲表示第1實施形態的變形例 之斷面圖。第7圖係爲表示第2實施形態之平面圖及斷面 圖。第8圖係爲表示第3實施形態之製作過程的一部分之 斷面圖。第9圖係爲表示第4實施形態之製作過程的一部 分之斷面圖。第1 0圖係爲表示第5實施形態之製作過程 一部分之斷面圖。第1 1圖係爲表示第6實施形態之製作 過程的一部分之斷面圖。第1 2圖係爲表示第8實施形態 之製作過程的一部分之斷面圖。第1 3圖係爲表示第8實 施形態的變形例之斷面圖。 〔實施發明之最佳形態〕 以下，根據圖面說明本發明的理想實施形態》 (1 )第1實施形態 第1圖至第5圖係爲表示本發明第1實施形態之圖> 此實施形態，係爲將本發明的矩陣型顯示元件及其製造方 法，適用於用E L顯示元件的主動矩陣型之顯示裝置。更 具體的是表示利用作爲配線的掃描線、訊號線及共通給電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ί〇Χ；Ζ97公釐） 1.——1—----^i.------訂------線、 <諳先聞诗背面之注意事項再填寫本頁) -30 - 4 3 8 S d 2 ^ 4 3 8 S d 2 ^ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明说明（28 ) 線，而進行作爲光學材料之發光材料的塗敷之例。 第1圖係爲表示本實施形態之顯示裝置1的一部分之 電路圖。此顯示裝置1，係爲在透明的顯示基板上，具有 .分別配設複數個掃描線1 3 1 ’及對於這些掃描線1 3 1 而朝所交叉的方向延伸之複數個訊號線1 3 2 ’及並排地 延伸這些訊號線1 3 2之複數個共通給電線1 3 3之構成 ，同時在每個掃描線1 3 1及訊號線1 3 2的各交點，設 置像素領域1 A。 對於訊號線，係爲被設有具備位移暫存器、準位位移 器、視訊線、類比開關之資料側驅動電路3。 另外，對於掃描線1 3 1，係爲被設有具備位移暫存 器及準位位移器之掃描側驅動電路4 *進而，在各個像素 領域1 A，被設有介由掃描線1 3 1而掃描訊號被供給至 閘極電極之開關處理薄膜電晶體1 4 2，及保持介由此開 關處理薄膜電晶體1 4 2而從訊號線1 3 2所供給的畫像 訊號之保持容量c a p，及以該保持容量c a p而被保持 的畫像訊號被供給至閘極電極之電流型薄膜電晶體1 4 3 ，及介由此電流型薄膜電晶體1 4 3而導電地連接至共通 給電線1 3 3時從其共通給電線1 3 3流入驅動電’流之像 素電極1 4 1，及被挾持在此像素電極1 4 1與反射電極 154之間的發光元件140。 若爲此構成，則驅動掃描線1 3 1後開關處理薄膜電 晶體1 4 2形成爲導通，則此時訊號線1 3 2的電位被保 持在保持容量c a p，因應於該保持容量c a p的狀態， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X；297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 線- -31 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 i 438992 A7 ______B7_ 五、發明説明（29 ) 而決定電流型薄膜電晶體1 4 3的導通•關閉狀態。然後 ，介由電流型薄膜電晶體1 4 3的通道，而從共通給電線 1 3 3電流流動至像素電極1 4 1，進而通過發光元件而 電流流動至反射電極15 4，所以發光元件，係爲因應於 流動此電流的電流量而發光。 在此處，各像素領域1 Α的平面構造，如同除去反射 電極或發光元件的狀態下之擴大平面圖的第2圖所示，平 面形狀爲長方形的像素電極1 4 1之四邊，形成爲以訊號 線132 ’共通給電線133，掃描線131及其他像素 電極用的掃描線（未圖示）而被包圍之配置。 第3圖〜第5圖係爲依順表示像素領域1A的製造過 程之斷面圖，相當於第2圖的A — A線斷面。以下，根據 第3圖〜第5圖說明像素領域1 A之製造過程。 首先，如第3 ( a )圖所示，對於透明的顯示基板 121 ，因應於須須，用TEOS (四乙氧基矽烷）或氧 氣等爲原料氣體，以電漿C VD法形成厚度爲約2 0 0 0 〜5 Ο Ο Ο A的矽氧化膜所形成的下層保護膜（未圖示） 。繼而，將顯示基板1 2 1的溫度設定在3 5 0 °C，而在 下層保護膜的表面以電漿CVD法形成厚度約爲3 0 0〜 7 0 0 A的非晶質矽膜所形成的半導體膜2 0 0。繼而對 於以非晶質矽膜所形成的半導體膜2 0 0，進行雷射退火 或是固相成長法等的結晶化過程，將半導體膜2 0 0結晶 化爲聚合矽膜。在雷射退火法，例如以激光雷射器使用光 束長寸爲4 0 0mm的直線光束，其輸出強度例如爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - -32- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 438992 a? —_ B7_____ 五、發明説明（30 ) 2 0 〇m J /c rri。針對直線光束係爲相當於其短寸方向 之雷射強度峰値的9 0 %之部分掃描直線光束而使其重疊 在各領域。 其次，如第3 (b)圖所示，圖案處理半導體膜 200後作爲島狀的半導體膜2 1 0，對於其表面用 TEOS(四乙氧基矽烷）或氧氣等爲原料以電漿CVD 法形成厚度約爲6 0 0〜1 5 Ο Ο A的矽氧化膜或是氮化 膜所形成之閘極絕緣膜2 2 0。然而，半導體膜2 1 0， 係爲以電流型薄膜電晶體1 4 3的通道領域及源極•汲極 領域所形成，但在於相異的斷面位置，也是以開關處理薄 膜電晶體1 4 2的通道領域及源極·汲極領域所形成之半 導體膜而被形成。也就是在第3圖〜第5圖所示的製造過 程，爲同時製作二種的電晶體142、 143，但由於是 以相同順序所被製作，所以在以下的說明，關於電晶體， 係爲只說明電流型薄膜電晶體1 4 3，開關處理薄膜電晶 體1 4 2則省略說明。 其次，如第3 ( c )圖所示，係爲以濺射法而形成以 鋁、钽、鉬、鈦、鎢等的金屬膜所形成的導電膜後，進行 圖案處理’形成閘極電極143Α。 在此狀態，注入高濃度的磷離子而矽薄膜2 1 0 ’對 於閘極電極1 4 3 Α而自己整合地形成源極•汲極領域 143a、 143b。然而，未被導入不純物的部分形成 爲通道領域143c。 其次，如第3 (d)圖所示，形成層間絕緣膜230 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· -線·. -33- 4 3 S9 9 2 A7 _____B7_ 五、發明説明（31 ) 後，形成接觸孔232、 234’在這些接觸孔232、 234內埋入中繼電極236、 238。 其次，如第3 (e)圖所示，在層間絕緣膜230上 形成訊號線1 3 2、共通給電線及掃描線（在第3圖未圖 示）。此時，訊號線132、共通給電線133及掃描線 的各配線，在配線所必要的厚度未被捕集，而形成爲相當 的厚度具體上是將各配線形成爲1〜2 程度的厚度 。在此處，中繼電極2 3 8及各配線，在同一過程而被形 成亦可。此時，中繼電極236，係爲以後述的I T 0膜 而被形成。 然後，形成層間絕緣膜2 4 0而使其覆蓋各配線的上 面，在對應於中繼電極2 3 6之位置形成接觸孔2 4 2， 形成I TO膜也使其埋入至該接觸孔24 2內，圖案處理 該I TO膜，而在被包圍在訊號線1 3 2、共通給電線 1 3 3及掃描線之所定位置，形成導電連接至源極•汲極 領域143a之像素電極141。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 此處，在第3 (e)圖，被挾持在訊號線132及共 通給電線1 3 3之部分，相當於選擇性的配置光學材料之 所定位置。然後，在該所定位置與其周圍之間，以訊號線 1 3 2或共通給電線1 3 3而形成段差1 1 1。具體上是 形成所定位置比其周圍還低的凹墊段差111。 其次，如第4 (a)圖所示，在顯示基板121的上 面朝上的狀態，以噴墨頭方式，吐出爲了形成接觸到發光 元件1 4 0的下層部分之正孔注入層的液狀（被溶解在溶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -34- 438992 A? ___'_Β7____ 五、發明説明（32) 媒的溶液狀）光學材料（前驅體）1 1 4Α ’選擇性的塗 敷在以段差11 1包圍該材料的領域內（所定位置）°然 而，噴墨方式的具體內容，由於並不是本發明的重’所以 省略（針對此方式，例如參照日本專利特開昭 56 - 1 3 1 8 4號公報或特開平2 — 1 67 7 5 1號公 報）。 爲了形成正孔注入層之材料，列舉有聚合物前驅體爲 聚四氫苯硫基亞苯的聚二苯乙烯、1，1 一二酚基一（4 _Ν，Ν —二甲苯胺基亞苯）環乙烷、3個（8 —羥基喹 啉酚）鋁等。 此時，液狀的前驅體1 1 4Α，由於是高流動性’所 以朝水平方向擴散，但因形成段差1 1 1而使其包圍所被 塗敷的位置，所以若該液狀的前驅體1 1 4Α的每1次之 塗敷量不是極端的大量，則防止液狀的前驅體1 1 4 Α超 越段差1 1 1而擴散到所定位匱的外側。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，如第4 ( b )圖所示，以加熱或是光照射而使 其蒸發液狀的前驅體1 i 1 A之溶媒，在像素電極1 4 1 上，形成固形較薄的正孔注入層1 4 0 a。在此處，液狀 的前驅體114A之濃度而只形成較薄的正注入層_ 140a。該處，在必要更厚的正注入層140a時’返 復執行第4(a)圖及4(b)圖的過程必要次數’如第 4 ( c )圖所示，形成足夠厚度的正孔注入層1 4 0A。 其次，如第5 (a)圖所示，在顯示基板121的上 面朝上的狀態，以噴墨頭方式，吐出爲了形成接觸到發光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） -35- 438992 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五 、發明説明（ 33 ) ! 1 元 件 1 4 0 的 上層 部分 的 有 機半導體 膜之 液狀 ( 被 溶 解 在 1 1 溶 媒 之 溶 液 ) 的光 學 材 料 ( 有機螢光 材料 )1 1 4 B 選 1 1 擇 性 的 塗 敷 在段差 1 1 1 包 圍此材料 之領 域內 ( 所 定 位 置 請 1 先 1 ) 〇 閲 讀 !- 背 1 作 爲 有 機 螢光 材料 被 列舉有氫 基聚 二苯 乙 烯 > 聚 二 之 ( 苯 乙 烯 、 聚 烷 基聚 二 苯 2 ，3，6 ，7 —四 氫 化 — 1 1 汪 意 事 1 1 I 一 撤 基 — 1 Η ，5 Η 1 1 Η、（ 1 )苯 並吡 喃 C 6 Ϊ 7 再 § > 8 •— i j ) —喹 諾 里 嗪 — 1 0 —香 芹酮 酸； 1 > 1 ， 二 寫 本 頁 1 1 酚 基 — ( 4 — N， Ν —二甲苯胺基苯） 環乙烷； 2 1 I 1 3 1 4 〆 -二 羥 基 亞 苯 ;3個（ 8 - 羥基 喳 啉 酚 ) 鋁 1 1 1 ， 2 3 6 ，7 聚 四 氫 — 9 _甲基 -1 1 - 羥 基 — 1 Η 1 1 訂 1 i 5 Η 1 1 Η ( 1 ) 苯 並 吡喃〔6 ，7 ，8 — i j ) — 喹 諾 里 嗪 阿 洛瑪 狄 克 斯 二 胺感電體 (Τ D Ρ 噁 二 唑 感 1 | 電 體 ( P B D )； 胱 氣 酰 基 丙炔感電 體（ D S A ) T 喹 啉 1 I 酚 系 金 屬 錯 體 ;鈹 —- 苯 並 口奎 啉酚錯體 (Β e b Q ) ; 三 苯 1 1 電 體 na 線 基 胺 感 電 體 ( Μ Τ D A T A ):聯苯 乙烯 (感 ) 吡 ) 唑 他 瑪 亞 鉛 錯 體： 紅 熒 烯 Β奎吖酮； 三氮 雜茂 感 電 體 聚 1 1 •— 苯 多 聚 阮 基芴 、 多 聚 烷 基噻吩； 甲亞 胺亞 船 錯 體 聚 1 | 吡啉 亞 錯 錯 Hitfa 體 :苯 並 德唑酮亞鉛錯體 菲繞琳銪錯鹘 1等。 1 此 時 > 液狀的 有 機 螢 光 材料1 1 4 Β ，由 於 是 高 流 動 I 1 I 性 所 以 仍 然 朝水 平 方 向 擴 散，但是 由於 形成 段 差 1 1 1 i 而使其包 圍 所被塗 覆 的位置 ，所以若該液狀的前驅體 1 1 1 1 4 B 的 每 1次 之 塗 敷 量 不.是極端 的大 量， 則 防 止 液狀 1 I 的 刖 驅 mi 1 1 4 Β 超 越 段 差 1 1 1而 擴散 到所 定 位 置 的 外 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Μ規格（210X297公釐） -36- 438992 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五 、 發明説明（34 ) 1 1 側 0 1 1 其 次 如第5 (b )圖 所示， 以 加 熱 或 是 光 照 射 而使 i 1 其 蒸 發 有 機 螢光材料1 1 4 B之溶媒 在正孔注入層 請 A. 1 1 1 4 0 A 上 形成固 形較薄的 有機半 導 體 膜 1 4 0 b 〇 在 此 ✓Li 閱 讀 Jjf. l 1 > 液 狀 的 有 機螢光 材料1 1 4 B的 濃 度 也 只 形 成 較 薄 的 η 面 之 1 注 f 有 機 半 導 體 膜1 4 0 b。該 處，在 必 須 更 厚 的 有 機 半 導 體 意 事 1 膜 1 4 0 b 時，返 復執行第 5 ( a ) 及 第 5 ( b ) 圖 的 過 項 再 填 1 J 程 必 要 次 數 ，如第 5(c) 圖所示 形 成足 夠 厚 度 的 有 機 寫 本 頁 Nw» i I 半 導 體 膜 1 4 0 B 。以正孔 注入層 1 4 0 A 及 有 機 半 導 體 1 I 膜 1 4 0 B 而構成 發光元件 14 0 〇 最 後 如 第 5 ( d ) 1 1 圖 所 示 在 顯示基 板1 2 1 的表面 全 體 aSL 呈 條 狀 地 形 成 反射 1 1 電 極 1 5 4 0 訂 1 此 樣 本實施 形態，係 爲形成 訊 號 線 1 3 2 共 通 配 1 I 線 1 3 3 等 的配線 而使其從 四方包 圍 配 置 發 光材 料 1 4 0 1 1 I 的 處 理 位 置 ，同時 比通常還 厚的形 成 這 些 配 線 後 形 成 段 差 1 1 線 J 1 1 1 然 後，由 於使其選 擇性的 塗 敷 流 動液 狀 的 前 驅 體 1 1 4 A 或 液狀的 有機螢光 材料1 1 4 B > 所 以 具 有 發 光 1 I 元件 1 4 0 的尚圖 案處理精度之優點 1 I 然 且 形成段 差1 1 1 ，則反 射 電 極 1 5 4 形成 在 較 1 1 大 凹 凸 之 面 ，但若 一定程度 加厚該 反射 電 極 1 5 4 的 厚 度 1 9 則 產 生 斷 線等的 缺點之可能性極度減小。 1 並 且 由於利 用訊號線 13 2 或 共 通 配 線 1 3 3 等 的 1 I 配 線 而 形 成 段差1 1 1，所 以特別 是 不 必 增 加 新 的 過 程 f 1 | 因 此也 不 致 導致製 造過程的大幅複雜化等。 K 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 3 8992 a? __B7___ 五、發明説明（35 ) 然而，液狀的前驅體1 1 4A或液狀的有機螢光材料 1 1 4B，爲了更確實地防止從段差1 1 1的內側流出至 外側，所以期望在液狀的前驅體1 1 4A或液狀的有機螢 光材料114B之塗敷厚度da與段差111的高度dr2 間，使其成立下式的關係。 d a < d r ...... Cl) 不過，在塗敷液狀的有機螢光材料1 1 B之際，由於 已經形成有正孔注入層140A，所以段差1 1 1的高度 d r，被設爲是必須從當初的高度減去該正孔注入層 1 4 Ο A的部分。 另外，滿足上述（1 )式，同時在被加入至有機半導 體膜1 4 Ο B之驅動電壓Vd，及液狀的有機螢光材料 1 1 4B之各塗敷厚度之和db，及液狀的有機螢光材料 114B之濃度r ，及在有機半導體膜140B出現光特 性變化之最小的電界強度（臨界電界強度）E t之間，若成 立下式的關係，

Vd//(db* r) >Et ...... (2) 則確定塗敷厚度與驅動電壓之關係，且補償有機半導體膜 140B出現電光學效果。 另則，可以確保段差1 1 1與發光元件1 4 0的平坦 性，爲了使有機半導體膜1 4 Ο B之光學特性變化的一樣 性，及能防止短路，所以在發光元件1 4 0的完成時厚度 df，及段差1 1 1的高度之間，若成立下式的關係即可。 d f = d r ...... ( 3 ) 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） I — --------^------訂------ . i -. · {請先鬩讀背面之注f項再填寫本頁) -38- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 • 438992 五、發明説明（36 ) 進而，滿足上述（3 )式，同時滿足下述（4 )式， 則確定發光元件1 4 0的完成時厚度與驅動電壓之關係， 且補償有機螢光材料出現電氣光學效果。 V d / d f > E t ...... ( 4 ) 不過，此情況的d,，不是發光元件140全體而有機 半導體膜140B完成時的厚度。 然而，形成發光元件1 4 0的上層部之光學材料，並 不限於有機螢光材料，無機的螢光材料亦可。 另外，作爲開關處理元件的各電晶體14 2、 143 ，期望以6 0 0°C以下的低溫處理所形成的多結晶矽而形 成，由於此因，使用玻璃基板的低成本化，及高移動度的 高性能化都可以形成。然而開關處理元件，以非晶質矽或 是6 0 0 °C以上的高溫處理所形成的多結晶矽而形成亦可 〇 然且，除了開關處理薄膜電晶體1 4 2及流通薄膜電 晶體1 4 3之外，設置其他形式的電晶體亦可，或是以一 個電晶體驅動的形式亦可β 另外，段差1 1 1，係爲以被動矩陣型顯示元件的第 1匯流排配線、主動矩陣型顯示元件的掃描線1 31、及 遮光層而形成亦可。 然而，作爲發光元件1 4 0，省略稍微降下的發光效 率（正孔注入率）之正孔注入層1 4 0Α亦可。另外，取 代正孔注入層14 0 Α而在有機半導體膜1 4 0 Β與反射 電極1 5 4之間形成電子注入層亦可，或是形成正孔注入 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS 規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) - 線. -39- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 4389 9 2 A7 ___B7_ 五、發明説明（37 ) 層及電子注入層的兩者亦可" 另外，在上述實施形態，特別是針對彩色顯示•說明 選擇性的配置各螢光元件1 4 0全體的情況，但例如在單 色顯示的顯示裝置1時，如第6圖所示，有機半導體膜 140B，一樣地彤成在顯示基板121的全面亦可。不 適此情況，爲了防止串音，所以正孔注入層1 4 Ο A必須 選擇性的配置在各所定位置，因此利用段差1 1 1的塗敷 爲極度有效。 C 2 )第2實施形態 第7圖係爲表示本發明第2實施形態之圖，此實施形 態，係爲將本發明的矩陣型顯示元件及其製造方法，適用 於使用E L顯示元件之被動矩陣型的顯示裝置。然而，第 7 ( a )圖係爲表示複數個第1匯流排配線3 0 0、及朝 與第1匯流排配線310正交的方向所配設的複數個第2 匯流排配線310，的配置關係之平面圖；第7 (b)圖 係爲同（a )的B — B線斷面圖。然而，在與上述第1實 施形態同樣的構成，附註同一圖號，省略其重複說明。由 於細部製造過程等也是與上述第1實施形態同樣，'因而省 略其圖示及說明。 即是本實施形態，例如配設s i 〇2等的絕緣膜3 2 0 而使其包圍配置發光元件1 4 0的所定位置，由於此因， 在所定位置與其周圍之間，形成段差1 1 1。 此樣的構成，也是與上述第1實施形態同樣，在選擇 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） 1.._—----^----------1τ------^ J - I (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -40- 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 4 3 8 9 9 2 A7 B7 五、發明説明（38) 性的塗敷液狀的前驅體114A或液狀的有機螢光材料 1 1 4 B之際’可以防止這些流出至周圍，具可能進行高 精度的圖案處理之優點》 (3 )第3實施形態 第8圖係爲表示本發明第3實施形態之圖，此實施形 態，也是與上述第1實施形態同樣，將本發明矩陣型顯示 裝置及其製造方法，適用於使用E L顯示元件的主動矩陣 型顯示裝置。更具體上，由於利用像素電極1 4 1而形成 段差1 1 1，因而使其能進行高精度的圖案處理。然而， 在與上述實施形態同樣的構成，附註同一圖號。另外，第 8圖係爲表示製造過程的中途之斷面圖，其前後與上述第 1實施形態略相同，所以省略其圖示及說明。 即是在本實施形態，比通常還厚地形成像素電極 141 ，由於此因，在與其周圍之間形成段差1 1 1。也 就是在本實施形態，形成在之後塗敷光學材料之像素電極 141比其周圍還高的凸型段差。 然後，與上述第1實施形態同樣，以噴墨頭方式吐出 爲了形成接觸到發光元件1 4 0的下層部分之正孔注入層 的液狀（被溶解在溶媒之溶液狀）光學材料（前驅體） 1 1 4A，塗敷在像素電極1 4 1上面。 不過，與上述第1形態的情況相異，在使顯示基板 1 2 1上下相反的狀態，也就是在使塗敷液狀的前驅體 1 1 4A之像素電極1 4 1上面朝向下方的狀態，進行塗 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) A4規格（2〗0X297公釐） {諳先聞讀背面之注$項再填寫本頁) r % 41 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 438992 五、發明説明（39 ) 敷液狀的前驅體1 1 4 A。 所以液狀的前驅體1 1 4Α，係爲以重力及表面張力 而集結在像素電極1 4 1上面，不致擴散到其周圍。所以 若進行加熱或光照射而固形化，則可以形成與第4 ( b ) 圖同樣的薄形正孔注入層，若返復此方法則形成正孔注入 層。以同樣的方法，有機半導體膜也被形成。 此樣，在本實施形態，利用凸型的段差1 1 1而塗敷 液狀的光學材料後可以提高發光元件的圖案處理精度。 然而，利用離心力等的慣性力，而使其調整集結在像 素電極141上面的液狀光學材料之量亦可。 (4 )第4實施形態 第9圖係爲表示本發明第4實施形態之圖，此實施形 態，也是與上述第1實施形態同樣，將本發明矩陣型顯示 元件及其製造方法，適用於使用E L顯示元件的主動矩陣 型之顯示裝置。然而，在與上述實施形態同樣的構成，附 註同一圖號。另外，第9圖係爲表示製造過程的中途之斷 面圖，由於其前後與上述第1實施形態略相同，所以省略 其圖示及說明。 即是在本實施形態，首先，在顯示基板1 2 1上，形 成反射電極1 5 4，其次，在反射電極1 5 4上，形成絕 緣膜3 2 0而使其包圍在之後配置發光元件1 4 0的所定 位置，由於此因，形成所定位置比其周圍還低的凹型段差 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 -42- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 3 B 9 9 2 A7 B7 ~ I I -_· _ ___ _ _ _ ____ 五、發明説明（40) 然後，與上述第1實施彤態同樣，在以段差1 1 1所 包圍的領域內，由於用噴墨方式選擇性的塗敷液狀的光學 材料，而形成光學元件140。 另則，在剝離用基板122上，介由剝離層152， 而形成掃描線131、訊號線13 2、像素電極141、 開關處理薄膜電晶體1 4 2、電流型薄膜電晶體1 4 3及 絕緣膜2 4 Ο β 最後，在顯示基板1 2 1上，轉印從剝離用基板 1 2 2上的剝離層1 2 2所被剝離的構造。 此樣，本實施形態，也是利用段差1 1 1而使其塗敷 光學材料，所以能進行高精度的圖案處理。 進而，在本實施形態，形成爲能輕減對發光元件 1 4 0等下層材料的其後過程之破損、或者是對掃描線 131、訊號線132、像素電極141、開關處理薄膜 電晶體142、電流型薄膜電晶體143或絕緣膜240 的塗敷光學材料等之破損。 在本實施形態，以主動矩陣型顯示元件已說明過，但 是以被動矩陣型顯示元件亦可。 (5 )第5實施形態 第1 0圖係爲表示本發明第6實施形態之圖，此實施 形態，也是與上述第1實施形態同樣，將本發明矩陣型顯 示元件及其製造方法，適用於使用E L顯示元件的主動矩 陣型之顯示裝置。然而，在與上述實施形態同樣的構成， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ----.——^----7------,玎------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -43- 4389 9 2 A7 ____B7 五 '發明説明（41 ) 附註同一圖號。另外，第1 0圖係爲表示製造過程的中途 之斷面圖’由於其前後與上述第1實施形態略相同，所以 省略其圖示及說明。 即是在本實施形態’利用層間絕緣膜2 4 0而形成凹 型的段差1 1 1 ’由於此因’使其得到與上述第1實施形 態同樣的作用效果》 另外’由於利用層間絕緣膜2 4 0而形成段差1 1 1 ，所以不須要特別增加新的過程，因此也不致造成製造過 程的大幅複雜化。 (6 )第6實施形態 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (諳先間讀背面之注ί項再填寫本頁) 線 第11圖係爲表示本發明第6實施形態之圖，此實施 形態，也是與上述第1實施形態同樣，將本發明的矩陣型 顯示元件及其製造方法，適用於使用E L顯示元件的主動 矩陣型之顯示裝置。然而，在與上述實施形態同樣的構成 ，附註同一圖號。另外，第1 1圖係爲表示製造過程的中 途之斷面圖，由於其前後與上述第1實施形態略相同，所 以省略其圖示及說明。 即是在本實施形態，不是利用段差而使其提高圖案處 理的精度，由於是比其周圍的親水性還相對地加強塗敷液 狀光學材料之所定位置的親水性，因而使所被塗敷的液狀 光學材料不致擴散到周圍。 具體上，如第11圖所示，在形成層間絕緣膜240 後，在其上面形成非晶質矽層1 5 5。非晶質矽層1 5 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ2Μ公釐） 44 - A7 B7 438992 五、發明説明（42 ) ，由於是比形成像素電極1 4 1的I TO還相對地加強撥 水性，所以在此處像素電極1 4 1表面的親水性比其周圍 的親水性還相對地加強，形成撥水性•親水性的分布》 然且，與上述第1實施形態同樣，由於朝向像素電極 1 4 1的上面，以噴墨方式選擇性的塗敷液狀的光學材料 ，所以形成發光元件1 4 0，且在最後形成反射電極* 此樣，本實施形態，也是因使其形成所須的撥水性· 親液性的分布後塗敷液狀的光學材料，所以可以使其提高 圖案處理的精度。 然而，本實施形態的情況，當然是可以適用於被動矩 陣型顯示元件。 另外•含有將介由剝離-1 5 2而被形成在剝離用基 板1 2 1上之構造，轉印在顯示基板1 2 1亦可。 進而，.在本實施形態，以非晶質矽層1 5 5而形成所 須的撥水性·親水性之分布，但是撥水性•親水性之分布 ，係爲以金屬，或陽極氧化膜、聚醯亞胺；或者是氧化矽 等的絕緣膜，或其他的材料所形成亦可。然而，若爲被動 矩陣型顯示元件，或若爲主動矩陣型顯示元件，則以掃描 線131、訊號線132、像素電極141、絕緣膜 2 4 0或遮光層而形成亦可。 另外，在本實施形態，以液狀的光學材料爲水溶液作 前提已說明過，但使用其他液體的溶液之液狀光學材料亦 可。此情況，對於該溶液若使其得到撥液性•親液性即可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 i 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -45- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4389 9 2 A7 B7 五、發明説明（43 ) (7 )第7實施形態 本發明第7實施形態，由於斷面構造與上述第5實施 形態所使用的第1 0圖同樣，用此形態作說明。 即是在本實施形態，以S i 〇2形成層間絕緣膜2 4 0 ，同時在其表面照射紫外線，其後，使其露出像素電極 1 4 1表面，然後選擇性的塗敷液狀的光學材料》 若爲此樣的製造過程，則不只是形成段差1 1 1，由 於沿著層間絕緣膜2 4 0表面而形成撥液性較強的分布， 因而所被塗敷的液狀光學材料形成爲因段差111與層間 絕緣膜2 4 0的撥液性兩者的作用而易於集結在所定位置 。也就是發揮上述第5實施形態，與上述第6實施形態的 兩者之作用，所以進而可以使其提高發光元件1 4 0的圖 案處理精度。 然而，照射紫外線的時間，爲使其露出像素電極 1 4 1的表面之前後的任何時間皆可，因應於形成層間絕 緣膜2 4 0的材料，或形成像素電極1 4 1的材料等而適 當選定時間。若爲在使其露出像素電極1 4 1的表面之前 照射紫外線時，則因段差1 1 1的內壁面不能加強撥液性 ，所以對於在段差111所包圍的領域集結液狀的光學材 料爲有助益。與此相反地，在使其露出像素電極1 4 1的 表面之後照射紫外線時，必須垂直的照射紫外線而使其加 強段差111的內壁面之撥液性，但是由於在露出像素電 極1 4 1的表面之際的蝕刻過程之後照射紫外線，因而具 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (許先聞谇背面之注意事項再填寫本頁) -訂. •線 -46- A7 B7 五、發明説明（44) 有不致因該蝕刻過程而減弱撥液性的擔心之優點。

另外，作爲形成層間絕緣膜2 4 0之材料，例如可以 用光抗触刻，或是用聚醯亞胺亦可，若爲這材料則會有可 以以旋轉塗敷而形成膜之優點V 然且，以形成層間絕緣膜2 4 0的材料，不是照射紫 外線，例如照射0 2、C F 3、A r等的電漿而使其加強撥 液性亦可。 (8 )第8實施形態 第1 2圖係爲表示本發明第8實施形態，此實施形態 ，也是與上述第1實施形態同樣，將本發明矩陣型顯示元 件及其製造方法，適用於使用E L顯示元件的主動矩陣型 之顯示裝置。然而，在與上述實施形態同樣的構成，附註 相同圖號。另外，第1 2圖係爲表示製造的中途之斷面圖 ，由於其前後與上述第1實施形態略相同，所以省略圖示 及說明。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 線 即是在本實施形態*不是利用段差或撥液性·親液性 的分布等而使其提高圖案處理精度，而是利用電位之引力 或斥力而達到提高圖案處理精度。 也就是如第1 2圖所示，驅動訊號線1 3 2或共通給 電線1 3 3，同時由於適當接通•開關電晶體（未圖示） ，因而形成像素電極1 4 1爲負電位，層間絕緣膜2 4 0 爲正電位之電位分布。然後，以噴墨方式，將帶正電的液 狀光學材料i i 4選擇性的塗敷在所定位置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 438992 A7 __________B7_____ 五、發明説明（45 ) 此樣，若爲本實施形態，則在顯示基板1 2 1上形％ 所須的電位，利用該電位分布與帶正電的液狀光學材料 1 1 4之間的引力及斥力，而選擇性的塗敷液狀光學材料 ，所以可以使其提高圖案處理的精度》 特別是在本實施形態，因使液狀的光學材料1 1 電，所以不只是自發分極，也利用帶電電荷，因而更提高 提昇圖案處理精度的效果。 在本實施形態，表示適用於主動矩陣型顯示元件的情 況，但被動矩陣型顯示元件也能適用》 然而，含有將介由剝離層1 5 2而被形成在剝離用基 板1 2 1上之構造，轉印在顯示基板1 2 1的過程亦可。 另外，在本實施形態，所須的電位分布，係爲依順將 電位加入至掃描線1 3 1，同時將電位加入至訊號線 132及共通線133，介由開關處理薄膜電晶體142 及電流型薄膜電晶體1 4 3而將電位加入至像素電極 1 4 1而被形成。由於以掃描槔1 3 1、訊號線1 3 2、 共通線1 3 3及像素電極1 4 1而形成電位分布，因此可 以抑制過程的增加。然而，若爲被動矩陣型顯示元件，則 電位分布可以以第1匯流排配線及遮光層而形成。^ 進而，在本實施形態，將電位加諸到像素電極1 4 1 ，與其周圍的層間絕緣膜2 4 0的兩者，但是不限於此’ 例如如第1 3圖所示，在像素電極1 4 1不加諸電位而只 在層間絕緣膜2 4 0加諸正電位’然後，將液狀的光學材 料1 1 4使其帶正電後使其塗敷亦可。若以此樣’在被塗 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210X297公釐） (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -48- ! 438992 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（Μ ) 46 敷後，液狀的光學材料1 1 4也可以確實地維持帶正電的 狀態，所以依與周圍的層間絕緣膜2 4 0之間的斥力，而 形成爲可以更確實地防止液狀的光學材料114流出至周 .圍.。 然而，與在上述各實施形態所說明過相異，例如，以 塗敷液狀的材料而形成段差1 1 1亦可，或是在剝離用基 板上介由剝離層而形成材料，在顯示基板上轉印從剝離用 基板上的剝離層所被剝離之構造*而形成段差1 1 1亦可 〇 另外，在上述各實施形態，能適用有機或是無機的 E L作爲光學材料已說明過，但並不限於此，光學材料爲 液晶亦可。 〔產業上之利用可能性〕 如上述所說明過，依據本發明，因利用段差，或所須 的撥液性·親液性的分布，或所須的電位分布而塗敷液狀 的光學材料，所以是具有可以提高光學材料的圖案處理精 度之效果。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210x297公釐} -49-

Claims (1)

1. 第86 1 1 3 637號專利申請案 — 中文申請專利範圍修正本 (請先間讀背而之注意事項再填寫本頁) 民國9 0年1月修正 1 . 一種矩陣型顯示元件’係爲針對具有在顯示基扳 上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成，前述光學材 料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀之矩陣型顯示 元件；其特徵爲： 在前述所定位置與其周圍的境界部分，具有爲了選擇 性的塗敷前述光學材料之段差。 2 —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具有 在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成， 前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀之 矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵舄具備： 將爲了塗敷前述液狀的光學材料之段差，形成在前述 顯示基板上的前述所定位置與其周圍的境界部分之過程， 及 利用前述段差而在前述所定位置塗敷前述液狀的光學 經濟部智慧財4局員工消費合作社印¾ 材料之過程。 3 .如申請專利範圍第2項的矩陣型顯示元件之製造 方法，其中前述段差’係爲前述所定位置比其周圍還低的 凹型段差’將塗敷前述顯示基板的前述液狀光學材料之面 朝上，而在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料。 4，如申請專利範圍第2項的矩陣型顯示元件之製造 方法’其中前述段差’係爲前述所定位置比其周圍還高的 本紙張尺度賴中@目家標準（CNS ) A4規格UIGX297公瘦)] -- 4389 9 2 I ' 六、申請專利範圍 凸型段差’將塗敷則述顯7Κ基板的前述液狀光學材料之面 朝下，而在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料。 5 . —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具有 在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成， 前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀的 矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上形成複數個第i匯流排配線之過程 ，及 將爲了塗敷前述液狀的光學材料之段差，形成在顯示 基板上的前述所定位置與其周圍的境界部分之過程，及 利用前述段差而在前述所定位置塗敷前述液狀的光學 材料之過程，及 形成與那述第1匯流排配線交叉的複數個第2匯流排 配線而使其覆蓋前述光學材料之過程。 6 . —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具有 在顯不基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成， 前述光學材料至少被塗敷至前述所定位置之際爲液狀的矩 陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上形成複數個第1匯流排配線之過程 ，及 將爲了塗敷前述液狀的光學材料之段差，形成在前述 顯示基板上的前述所定位置與其周圍的境界部分之過程， 及 利用前述段差而在前述所定位置塗敷前述液狀的光學 本紙張疋度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---^--1----裝-- {諳先閱讀背面之注意事項再植"?本頁) 訂 經濟部皙慧財J-局員工消費合作社印製 -2- 經濟部智蒽財產局員工消費合作社印製 4389 9 2 bI . D8 六、申請專利範園 材料之過程，及 在剝離用基板上，介由剝離層而形成複數個第2匯流 排配線之過程，及 在塗敷前述光學材料之顯不基板上，轉印從前述剝離 用基板上的前述剝離層所被剝離之構造，而使其交叉前述 第1匯流排配線與前述第2匯流排配線之過程。 7 —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具有 在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成， 前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀的 矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上，形成含有複數個掃描線及訊號線 的配線’與因應於前述所定位置的像素電極，與爲了因應 於前述配線的狀態而控制前述像素電極的狀態之開關處理 兀件等之過程，及 將爲了塗敷前述液狀的光學材料之段差，形成在前述 顯不基板上的前述所定位置與其周圍的境界部分之過程， 及 利用前述段差而在前述所定位置塗敷前述液狀的光學 材料之過程。 8 .—種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具有 在削述基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成， 前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀的 矩陣型顯示元件之製造方法：其特徵爲具備： 將爲了塗敷前述液狀的光學材料之段差，形成在前述 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210 X 297公嫠） ---：--「----,' 裝·------訂-------^ (諸先K1讀背面之注意事項再填寫本頁) 438992 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 顯示基板上的前述所定位置.與其周圍的境界部分之過程， 及 利用前述段差而在前述所定位置塗敷前述液狀的光學 材料之過程，及 在剝離用基板上’介由剝離層而形成含有複數個掃描 線及訊號線的配線，與對應於前述所定位置的像素電極， 與爲了因應於前述配線的狀態而控制前述像素電極的狀態 的開關處理元件之過程，及 在塗敷前述光學材料的顯示基板上，轉印從前述剝離 用基板上的前述剝離層所被剝離的構造之過程。 9 .如申請專利範圍第5或6項的矩陣型顯示元件之 製造方法，其中前述段差，係爲利用前述第1匯流排配線 而被形成，且前述所定位置比其周圍還低的凹型段差， 在塗敷前述液狀的光學材料之過程，將前述顯示基板 的前述液狀光學材料之面朝上，而形成爲在前述所定位置 塗敷前述液狀的光學材料。 1 0 如申請專利範圍第7項之矩陣型顯示元件之製 造方法，其中前述段差，係爲利用前述配線而被形成，且 前述所定位置比其周圍還低之凹型段差， 在塗敷前述液狀的光學材料之過程，將前述顯示基板 的前述液狀光學材料之面朝上，而形成爲在前述所定位置 塗敷前述液狀的光學材料。 1 1 ·如申請專利範圍第7項的矩陣型顯示元件之製 造方法，其中前述段差，係爲利用前述像素電極而被胗成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）.4 ---^、----r.裝— (請先閱諳背而之：¾意寧；再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 VO 8 8 8 ABCD 438992 六、申請專利範園 ，且前述所定位置比其周圍還高的凸型段差， (請先閱讀背面之注意事巧再填寫本肓) 在塗敷前述液狀的光學材料之過程，將塗敷前述顯示 基板的前述液狀光學材料之面朝下，而形成爲在前述所定 位置塗敷前述液狀的光學材料。 1 2 .如申請專利範圍第5、6、7或8項中之任何 一項的矩陣型顯示元件之製造方法，其中具備層間絕緣膜 之過程， 前述段差，係爲利用前述層間絕緣膜而被形成，且前 述所定位置比其周圍還低的凹型段差， 在塗敷前述液狀的光學材料之過程，將塗敷前述顯示 基板的前述液狀光學材料之面朝上，而形成爲在前述所定 位置塗敷前述液狀的光學材料。 Γ 3 .如申請專利範圍第5、6、7或8項中之任何 一項的矩陣型顯示元件之製造方法，其中具備形成遮光層 之過程， 前述段差’係爲利用前述遮光層而被形成，且前述所 定位置比其周圍還低的凹型段差， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印絜 在塗敷前述液狀的光學材料之過程，將塗敷前述顯示 基板的則述液狀光學材料之面朝上，而形成爲在前述所定 位置塗敷前述液狀的光學材料。 1 4 如申請專利範圍第2、 3、 5、 6、7或8項 中之任何一項的矩陣型顯示元件之製造方法，其中形成前 述段差之過程’係爲塗敷液狀的材料之後，形成爲選擇性 的除去此液狀材料而形成段差。 嶽度適用中^ ΒΚ C8 D8 ί 438992 六、申請專利範圍 1 5 ·如申請專利範圍第2、 3、 5或7項中之任何 一項的矩陣型顯不兀件之製造方法，其中形成前述段差之 過程，係爲在剝離用基板上介由剝離層形成段差，形成爲 將從該剝離用基板上的剝離層所被剝離之構造轉印到顯示 基板上。 1 6 .如申請專利範圔第2、3、5、6、 7、8或 1 0項中之任何一項的矩陣型顯示元件之製造方法，其中 前述段差的高度d r滿足下述（1 )式； da〈dr ...... (1) 不過’ d a :前述液狀的光學材料每一回之塗敷厚度。 1 7，如申請專利範圍第1 6項的矩陣型顯示元件之 製造方法；其中滿足下述（2 )式； Υ λ / (dh· r) >Et ...... (2) 不過，Vd :被加入至前述光學材料之驅動電壓 :前述液狀光學材料的各塗敷厚度之和 r :前述液狀光學材料之濃度 E t :前述光學材料出現光學特性變化之最少的 電界強度（臨界電界強度）。 18-如專利申請範圍第2、 3、 5、 6 7 8或 1 0項中之任何一項的矩陣型顯示元件之製造方法；其中 前述段差的高度d r滿足下述（3 )式； d f = d r ...... (3) 不過，dt :前述光學材料的完成時厚度。 1 9，如專利申請範圍第丄8項的矩陣型顯示元件之 $紙张尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（ΐΐ〇Χ2Τ!^]----— {諸先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 裝' -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 43 89 9 2 aS C：8 08 六、申請專利範圍 製造方法；其中則述完成的厚度d i滿足下述（4 )式. V ,ι / d f > E ^ ’ ...... ( 4 ) 不過，V d :被加入至前述光學材料之驅動電壓 E t :前述光學材料出現光學特性變化之最少的 電界強度（臨界電界強度）。 2 0 .—種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 ’前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 之矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 比其周圍的親液性還相對地加強前述顯示基板上的前 述所定位置之親液性之過程，及 在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料之過程。 2 1 . —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 有在顯不基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 ，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 之矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備·· 在前述顯示基板上’形成複數個第1匯流排配線之過 程，及 比其周圍的親液性還相對地加強前述顯示基板上的前 述所定位置之親液性之過程，及 在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料之過程，及 形成與前述第1匯流排配線交叉的配線個第2匯流排 配線而使其覆蓋前述光學材料之過程。 2 2，一種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 本紙張尺度適用中國國家榇準（0阳）六4泥格（21〇父297公楚)~ ^ - 7 ' (讀先間諳背面之注意亊項再填寫本頁) 裝. -a -'^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 438992 經濟部智葸財.4局員工消費合作钍印製 Λ iS Β8 C8 D8六、申請專利範圍 有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 ’前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 的矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上，形成複數個第1匯流排配線之過 程|及 比其周圍的親液性還相對地加強前述顯示基板上的前 述所定位置之親液性之過程，及 在前述所定位置塗敷前述液狀的光學材料之過程，及 在剝離用基板上，介由剝離層而形成複數個匯流排配 線之過程，及 在塗敷前述光學材料之顯示基板上，轉印從前述剝離 用基板上的前述剝離層所被剝離之構造，而使其交叉前述 第1匯流排配線與前述第2匯流排配線之過程。 2 3 · —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 ’前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 的矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上，予以形成含有複數個掃描線及訊 號線的配線，與對應於前述所定位置的像素電極，與爲了 因應於前述配線的狀態而控制前述像素電極的狀態的開關 處理元件等之過程，及 比其周圍的親液性還相對地加強前述顯示基板上的前 述所定位置之親液性之過程，及 塗敷前述液狀之光學材料於前述所定位置之過程。 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X2们公釐） (請先閣諳背面之注意事碩再填寫本頁) 裝 訂 -8- B8 C8 D8 438992 六、申請專利範圍 2 4 · —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 ’前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 的矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 比其周圍的親液性還相對地加強前述顯示基板上的前 述所定位置之親液性之過程，及 塗敷前述液狀之光學材料於前述所定位置之過程，及 在剝離用基板上，介由剝離層而形成含有複數個掃描 線及訊號線的配線，與對應於前述所定位置的像素電極， 與爲了因應於前述配線的狀態而控制前述像素電極的狀態 的開關處理元件等之過程，及 在塗敷前述光學材料之顯示基板上，轉印從前述剝離 用基板上的前述剝離層所被剝離的構造之過程。 2 5 如申請專利範圍第2 1或2 2項的矩陣型顯示 元件之製造方法，其中由於沿著前述顯示基板上的前述第 1匯流排配線而形成撥液性較強的分布，所以比其周圍的 親液性還相對地加強前述顯示基板上的前述所定位置之親 液性。 2 6 .如申請專利範圍第2 3項的矩陣型顯示元件之 製造方法，其中由於沿著前述顯示基板上的前述配線而形 成撥液性較強的分布，所以比其周圍的親液性還相對地加 強前述顯示基板上的所定位置之親液性。 2 7 ·如申請專利範圍第2 3項的矩陣型顯示元件之 製造方法，其中由於加強前述顯示基板上的前述像素電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2〗0X297公釐）_ g _ (請先閲^背面之注意事碩再填寫本頁〕 裝- ，-° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 438992 Β8 C8 D8 經濟部智慧时4局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 表面之親液性，所以比其周圍的親液性還相對地加強前述 顯示基扳上的前述所定位置之親液性。 2 8 .如申請.專利範圍第2 1、22、2 3或2 4項 中之任何一項的矩陣型顯示元件之製造方法，其中具備瑕 成層間絕緣膜之過程， 由於沿著前述顯示基板上的前述層間絕緣膜而形成撥 液性較強的分布，所以比其周圍的親液性還相對地加強前 述顯示基板上的前述所定位置之親液性。 2 9 .如申請專利範圍第2 3項的矩陣型顯示元件之 製造方法’其中具備彤成層間絕緣膜而使其前述像素電極 的表面露出， 在彩成前述層間絕綠膜之際，將爲了塗敷前述液狀的 光學材料之段差，形成在前述像素電極的表面露出之部分 與其周圍的境界部分， 由於加強前述層間絕緣膜的表面之撥液性，所以比其 周圍的親液性還相對地加強前述顯示基板上的前述所定位 置之親液性。 30.如申請專利範圍第21' 22、 23或24項 中之任何一項的矩陣型顯示元件之製造方法，其中具備形 成遮光層之過程， 由於沿著前述基板上的前述遮光層而形成撥液性較強 的分布’所以比其周圍的親液性還相對地加強前述顯示基 板上的前述所定位置之親液性。 31 .如申請專利範圍第20、 21、 22、23、 本紙張尺度適用中國國家標4 ( CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） ； Ί "、裝 i 訂 i 1* f A (讀先閏-背而之注意事項再填寫本頁) -10 - A 3 89 9 2 六、申請專利範圍 24' 26' 27' 29或30項中之任何一項的矩陣型 顯示元件之製造方法，其中由於照射紫外線或是照射〇 2、 C F 3、A r等的電桀’所以加大前述所定位置與其周圍的 親液性之差。 3 2 .如申請專利範圍第2、 3、4、 5、 6 7 8、1 0或1 1項中之任何一項的矩陣型顯示元件之製造 方法，其中具備比其周圍的親液性還相對地加強前述顯示 基板上的前述所定位置之親液性之過程。 3 3 .如申請專利範圍第2 0、 21、 22、 2 3 2 4、2 6或2 7項中之任何一項的矩陣型顯示元件之製 造方法，其中具備將爲了塗敷前述液狀的光學材料之段差 '形成在前述顯示基板上的所定位置與其周圍的境界部分 之過程' 3 4 . —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 ，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 的矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上，形成電位分布而使其形成前述所 定位置與其周圍相異的電位之過程，及 利用前述電位分布而將前述液狀的光學材料選擇性的 塗敷在前述所定位置之過程。 3 5 . —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 ’前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請先閲锖背面之注意事項再靖寫本頁) ,1r 經濟部智蒽財產局員工消費合作社印製 -11 - -ο Κ- 8 8 ABCD 438992 六、申請專利範圍 的矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上.，形成電位分布而使其形成前述所 定位置與其周圍爲相異的電位之過程，及 將削述液狀的光學材料，在與前述所定位置的周圍之 間使其帶有產生斥力之電位後，塗敷在前述所定位置之過 程σ 3 6 . —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 1前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 的矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上，形成複數個第1匯流排配線之過 程，及 在前述顯示基板上，形成電位分布而使其形成前述所 定位置與其周圍相異的電位之過程，及 將前述液狀的光學材料，在與前述所定位置的周圍之 間使其帶有產生斥力的電位後，塗敷在前述所定位置之過 程 > 及 形成與前述第1匯流排配線交叉的複數個第2匯流排 配線，而使其覆蓋前述光學材料之過程。 3 7 . —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 ，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 的矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上，形成複數個第1匯流排配線之過 1 1J ί Η. 1 . - - - I (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局R工消費合作钍印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 438992 K C8 ___ D8 六、申請專利範圍 程，及 在前述顯示基板上、，形成電位分布而使其形成前述所 定位置與其周圍相異的電位之過程； ikf即述液狀的光學材料，在與前述所定位置的周圍之 間使其帶有產生斥力的電位後，塗敷在前述所定位置之過 程，及 在剝離用基板上’介由剝離層而形成複數個第2匯流 排配線之過程1及 在塗敷前述光學材料之顯示基板上，轉印從前述剝離 用基板上的前述剝離層所被剝離之構造，而使其交差前述 第1匯流排配線與前述第2匯流排配線之過程。 3 8 . —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 ，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 的矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上，形成含有複數個掃描線及訊號線 的配線’與對應於前述所定位置的像素電極，與爲了因應 於前述配線的狀態而控制前述像素電極的狀態之開關處理 元件等之過程，及 在前述顯示基板上，形成電位分布而使其形成前述所 定位置與其周圍相異的電位之過程，及 將則述液狀的光學材料，在與前述所定位置的周圍之 間使其帶有產生斥力的電位後，塗敷在前述所定位置之過 程。 I - - 1 11 ..... ——^1 - -J·1^1 ^^1 rl^i- .^n —11J-eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用令國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -13 - 2 9 9 8 3 4 S 8 8 Λ BCD 六、申請專利範圍 3 9 · —種矩陣型顯示元件之製造方法，係爲針對具 有在顯示基板上的所定位置選擇性的配置光學材料之構成 ，前述光學材料至少在被塗敷至前述所定位置之際爲液狀 的矩陣型顯示元件之製造方法；其特徵爲具備： 在前述顯示基板上，形成電位分布而使其形成前述所 定位置與其周圍相異的電位之過程，及 將前述液狀的光學材料，在與前述所定位置的周圍之 間使其帶有產生斥力的電位後，塗敷在前述所定位置之過 程，及 在剝離用基板上，介由剝離層而形成含有複數個掃描 線及訊號線的配線，與對應於前述所定位置的像素電極1 與爲了因應於前述配線的狀態而控制前述像素電極的狀態 之開關處理元件等之過程，及 在塗敷前述光學材料之顯示基板上，轉印從前述剝離 用基板上的前述剝離層所被剝離的構造之過程。 40.如申請專利範圍第35、 36、 37、 38或 3 9項中之任何一項的矩陣型顯示元件之製造方法，其中 前述電位分布，係爲至少前述顯示基板上的前述所定位置 的周圍形成爲使其帶電。 4 1 ·如申請專利範圍第3 6或3 7項的矩陣型顯示 元件之製造方法，其中前述電位分布，係爲因在前述第1 匯流排配線加入電壓而形成。 4 2 .如申請專利範圍第3 8項的矩陣型顯示元件之 製造方法，其中前述電位分布，係爲因在前述配線加入電 (請先間諸背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經渍部晳慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS M4現格（210X 297公釐） -14 - Β8 C8 D8 438992 六、申請專利範圍 壓而形成。 _________^ ______訂 (諳先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 43.如申請專利範圍第38項的矩陣型顯示元件之 製造方法，其中前述電位分布，係爲因前述像素電極加入 電壓而形成。 4 4 .如申請專利範圍第3 8項的矩陣型顯示元件之 製造方法，其中前述電位分布，係爲因在前述掃描線依順 加入電壓，同時在前述訊號線加入電位，在前述像素電極 介由前述開關處理元件加入電壓，而形成。 45. 如申請專利範圍第35、 36、 37、 38或 3 9項中之任何一項的矩陣型顯示元件之製造方法，其中 前述電位分布，係爲因在前述遮光層加入電壓而形成。 46. 如申請專利範圍第34、 35、 36、 37、 38、 39、 42、 43或44項中之任何一項的矩陣型 顯示元件之製造方法’其中前述電位分布’係爲使其前述 所定位置與其周圍爲相反極性而形成。 47. 如申請專利範圍第2' 3、 4、 5、 6、 7、 8、1〇、11、20、21、22、23、24 經濟部智·"时表局R工消費合作社印製 、26、2 7、29、34、35、36、37、38、 39、 42、 43或44項中之任何一項的矩陣型顯示元 件之製造方法，其中前述光學材料’係爲無機或是有機的 螢光材料。 48. 如申請專利範圍第2、 3、 5、 6、 7、 8、 10、20、21、22、23、24、26、27、 29、34、35、36、37、38' 39、42、 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐）· ·|5 - 438992 C8 D8 六、申請專利範圍 4 3或4 4項中之任何一項的矩陣型顯示元件之製造方法 ，其中前述光學材料爲液晶。 4 9 如 甲 請 專 利 範 圍 第 7 、 8 、 1 0 V 1 1 、 2 3 ' 2 4 ' 2 6 ' 2 7 、 3 8 、 3 9 ' 4 2 、 4 3 或 4 4 項 中 之 任 何 — 項 的 矩 陣 型 顯 示 元 件 之 製 造 方 法 ί 其 中 -W· 刖 述 開 關 處 理 元 件 係 爲 以 非 晶 質 矽 > 在 6 0 0 °c 以 上 的 局 溫 處 理 所 被 形 成 的 多 結 晶 矽 或 曰 疋 在 6 0 0 °C 以 下 的 低 溫 處 理 所 形成的多結晶矽，而形成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -16 -