JP2001126867A - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インクジェットプロセスにより発光層が形成
される有機エレクトロルミネッセンス表示装置におい
て、混色抑制と短絡回避のために、第１の絶縁膜および
第２の絶縁膜を備えた素子分離構造に対して、第２の絶
縁膜2のエッチング残さやサイドエッチの発生を、抑制
する。 【解決手段】 陽極上に、第１の絶縁膜を成膜し、その
あと、液相プロセスにより第２の絶縁膜を成膜し、その
あと、第２の絶縁膜を陽極上の発光させたい部分に開口
部がくるようにパターニングし、そのあと、第１の絶縁
膜を陽極上の発光させたい部分に開口部がくるようにパ
ターニングし、そのあと、インクジェットプロセスによ
り発光層を形成する。また、第１の絶縁膜も、液相プロ
セスにより形成される。この構成により、第１の絶縁膜
1の表面が平坦化され、第２の絶縁膜2の膜厚が均一化さ
れるので、第２の絶縁膜2エッチング残さやサイドエッ
チの発生を、抑制できる。
される有機エレクトロルミネッセンス表示装置におい
て、混色抑制と短絡回避のために、第１の絶縁膜および
第２の絶縁膜を備えた素子分離構造に対して、第２の絶
縁膜2のエッチング残さやサイドエッチの発生を、抑制
する。 【解決手段】 陽極上に、第１の絶縁膜を成膜し、その
あと、液相プロセスにより第２の絶縁膜を成膜し、その
あと、第２の絶縁膜を陽極上の発光させたい部分に開口
部がくるようにパターニングし、そのあと、第１の絶縁
膜を陽極上の発光させたい部分に開口部がくるようにパ
ターニングし、そのあと、インクジェットプロセスによ
り発光層を形成する。また、第１の絶縁膜も、液相プロ
セスにより形成される。この構成により、第１の絶縁膜
1の表面が平坦化され、第２の絶縁膜2の膜厚が均一化さ
れるので、第２の絶縁膜2エッチング残さやサイドエッ
チの発生を、抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェットプ
ロセスにより発光層が形成される、有機エレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法に関する。
ロセスにより発光層が形成される、有機エレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】近年、有機エレクトロルミネッセンス表示
装置は、将来的に究極の薄型、軽量、小型、低消費電力
などを実現するディスプレイとして、注目されている。
この有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、今後広
汎かつ多数用いられるようになると期待されている。特
に、低温多結晶シリコン薄膜トランジスタと組み合わせ
ることにより、さらなる薄型化、軽量化、小型化が実現
できる。低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ駆動有機
エレクトロルミネッセンス表示装置は、理想的な表示装
置のひとつと成り得る（T. Shimoda, M. Kimura, et a
l., Proc. AsiaDisplay 98, 217(1998), M. Kimura, et
al., IEEE Trans. Elec. Dev., to bepublished）。
装置は、将来的に究極の薄型、軽量、小型、低消費電力
などを実現するディスプレイとして、注目されている。
この有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、今後広
汎かつ多数用いられるようになると期待されている。特
に、低温多結晶シリコン薄膜トランジスタと組み合わせ
ることにより、さらなる薄型化、軽量化、小型化が実現
できる。低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ駆動有機
エレクトロルミネッセンス表示装置は、理想的な表示装
置のひとつと成り得る（T. Shimoda, M. Kimura, et a
l., Proc. AsiaDisplay 98, 217(1998), M. Kimura, et
al., IEEE Trans. Elec. Dev., to bepublished）。
【０００３】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法としては、真空プロセスと、液相プロセスがある。
一般に、低分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子
には、蒸着法、スパッタ法等の、真空プロセスが用いら
れる。一方、高分子系の有機エレクトロルミネッセンス
素子には、スピンコート法、スキージ塗布法、インクジ
ェットプロセス等の、液相プロセスが用いられる。特に
インクジェットプロセスは、成膜とパターニングを同時
に行うことが可能な、有望なプロセスである。
方法としては、真空プロセスと、液相プロセスがある。
一般に、低分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子
には、蒸着法、スパッタ法等の、真空プロセスが用いら
れる。一方、高分子系の有機エレクトロルミネッセンス
素子には、スピンコート法、スキージ塗布法、インクジ
ェットプロセス等の、液相プロセスが用いられる。特に
インクジェットプロセスは、成膜とパターニングを同時
に行うことが可能な、有望なプロセスである。
【０００４】有機エレクトロルミネッセンス素子をイン
クジェットプロセスにより形成する場合は、各画素間
に、素子分離構造を設けておくことが、望ましい。素子
分離構造とは、各画素間に設けられ、各画素の有機エレ
クトロルミネッセンス素子を、分離する構造である。
クジェットプロセスにより形成する場合は、各画素間
に、素子分離構造を設けておくことが、望ましい。素子
分離構造とは、各画素間に設けられ、各画素の有機エレ
クトロルミネッセンス素子を、分離する構造である。
【０００５】素子分離構造として、第１の絶縁膜および
第２の絶縁膜を備えた構造が、考えられている（T. Shi
moda, M. Kimura, et al., Proc. Asia Display 98, 21
7(1998), M. Kimura, et al., IEEE Trans. Elec. De
v., to be published）。図２に、第１の絶縁膜および
第２の絶縁膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス表
示装置の断面図を、示す。ここでは、有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置は、ITOで形成された陽極3上に、
SiO2で形成された第１の絶縁膜1と、ポリイミドにより
形成された第２の絶縁膜2を備えている。第１の絶縁膜1
と第２の絶縁膜2が形成された後に、インクジェットプ
ロセスにより、発光層4が成膜される。陰極5が成膜さ
れ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置が完成す
る。
第２の絶縁膜を備えた構造が、考えられている（T. Shi
moda, M. Kimura, et al., Proc. Asia Display 98, 21
7(1998), M. Kimura, et al., IEEE Trans. Elec. De
v., to be published）。図２に、第１の絶縁膜および
第２の絶縁膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス表
示装置の断面図を、示す。ここでは、有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置は、ITOで形成された陽極3上に、
SiO2で形成された第１の絶縁膜1と、ポリイミドにより
形成された第２の絶縁膜2を備えている。第１の絶縁膜1
と第２の絶縁膜2が形成された後に、インクジェットプ
ロセスにより、発光層4が成膜される。陰極5が成膜さ
れ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置が完成す
る。
【０００６】第２の絶縁膜2は、適当な表面処理によ
り、撥液性に制御される。これにより、インクジェット
プロセスにより各画素に塗布される、各色に対応して異
なる材料で形成される発光層4の、混色が抑制される。
り、撥液性に制御される。これにより、インクジェット
プロセスにより各画素に塗布される、各色に対応して異
なる材料で形成される発光層4の、混色が抑制される。
【０００７】しかしながら、前述のように、第２の絶縁
膜2は撥液性に制御されるため、第２の絶縁膜2の周辺で
は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子を均一に成
膜することは、困難である。すなわち、第２の絶縁膜の
エッジの周辺には、発光層がより薄い領域6が、発生し
てしまう。この部分に、陽極3および陰極5が存在する
と、短絡が発生し、リーク電流が著しく増加してしま
う。そこで、第２の絶縁膜2のエッジの周辺では、短絡
が発光しないように、第１の絶縁膜1が設けられてい
る。
膜2は撥液性に制御されるため、第２の絶縁膜2の周辺で
は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子を均一に成
膜することは、困難である。すなわち、第２の絶縁膜の
エッジの周辺には、発光層がより薄い領域6が、発生し
てしまう。この部分に、陽極3および陰極5が存在する
と、短絡が発生し、リーク電流が著しく増加してしま
う。そこで、第２の絶縁膜2のエッジの周辺では、短絡
が発光しないように、第１の絶縁膜1が設けられてい
る。
【０００８】さらに、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜
により、バス配線の寄生容量が、低減されている（T. S
himoda, M. Kimura, et al., Proc. Asia Display 98,
217(1998), M. Kimura, et al., IEEE Trans. Elec. De
v., to be published）。すなわち、バス配線から陰極
を遠ざけることで、バス配線の寄生容量が、低減されて
いる。また、バス配線の寄生容量を低減するために、か
なり厚い薄膜が使用されることが望ましい。
により、バス配線の寄生容量が、低減されている（T. S
himoda, M. Kimura, et al., Proc. Asia Display 98,
217(1998), M. Kimura, et al., IEEE Trans. Elec. De
v., to be published）。すなわち、バス配線から陰極
を遠ざけることで、バス配線の寄生容量が、低減されて
いる。また、バス配線の寄生容量を低減するために、か
なり厚い薄膜が使用されることが望ましい。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】バス配線の寄生容量を
低減するために、第１の絶縁膜1および第２の絶縁膜2に
は、かなり厚い薄膜が使用される。例えば、第１の絶縁
膜1は0.5μm、第２の絶縁膜2は2.0μmほどである。図３
は、従来の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の製造方法
を示す図である。ここでは、陽極3はITOで形成され、第
１の絶縁膜1はTEOSのPECVD法によりSiO2で形成され、第
２の絶縁膜2はポリイミドのスピンコート法により形成
されている。
低減するために、第１の絶縁膜1および第２の絶縁膜2に
は、かなり厚い薄膜が使用される。例えば、第１の絶縁
膜1は0.5μm、第２の絶縁膜2は2.0μmほどである。図３
は、従来の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の製造方法
を示す図である。ここでは、陽極3はITOで形成され、第
１の絶縁膜1はTEOSのPECVD法によりSiO2で形成され、第
２の絶縁膜2はポリイミドのスピンコート法により形成
されている。
【００１０】本従来例では、ITOで形成された陽極3上
に、第１の絶縁膜1が成膜され（図３(a)）、そのあと、
陽極3上の発光させたい部分に開口部がくるようにパタ
ーニングされる（図３(b)）。次に、液相プロセスによ
り、第２の絶縁膜2が成膜され（図３(c)）、そのあと、
陽極3上の発光させたい部分に開口部がくるようにパタ
ーニングされる（図３(d)）。
に、第１の絶縁膜1が成膜され（図３(a)）、そのあと、
陽極3上の発光させたい部分に開口部がくるようにパタ
ーニングされる（図３(b)）。次に、液相プロセスによ
り、第２の絶縁膜2が成膜され（図３(c)）、そのあと、
陽極3上の発光させたい部分に開口部がくるようにパタ
ーニングされる（図３(d)）。
【００１１】図３を見ればわかるように、第２の絶縁膜
2は、液相プロセスにより形成されるが故に、第１の絶
縁膜1の開口部で、他の部分より厚くなっている。前述
のように第１の絶縁膜1には、かなり厚い薄膜が使用さ
れているので、第２の絶縁膜2の、第１の絶縁膜1の開口
部での厚さは、他の部分より大幅に厚くなっている。第
２の絶縁膜2をエッチングする際に、薄い部分に合わせ
てエッチング時間を設定すれば、厚い部分でエッチング
残さが発生する恐れがある。7は、こうして発生した、
開口部のエッチング残さである。また、厚い部分に合わ
せてエッチング時間を設定すれば、薄い部分で大きなサ
イドエッチが発生する恐れがある。
2は、液相プロセスにより形成されるが故に、第１の絶
縁膜1の開口部で、他の部分より厚くなっている。前述
のように第１の絶縁膜1には、かなり厚い薄膜が使用さ
れているので、第２の絶縁膜2の、第１の絶縁膜1の開口
部での厚さは、他の部分より大幅に厚くなっている。第
２の絶縁膜2をエッチングする際に、薄い部分に合わせ
てエッチング時間を設定すれば、厚い部分でエッチング
残さが発生する恐れがある。7は、こうして発生した、
開口部のエッチング残さである。また、厚い部分に合わ
せてエッチング時間を設定すれば、薄い部分で大きなサ
イドエッチが発生する恐れがある。
【００１２】また、第１の絶縁膜1は、真空プロセスに
より形成されているため、第１の絶縁膜1の表面を平坦
でない。すなわち、陽極3の有無により、表面に起伏が
存在している。そして、この表面の起伏に対応して、第
２の絶縁膜2の膜厚不均一性が存在し、この膜厚不均一
性に起因して、第２の絶縁膜2のエッチング残さが発生
する恐れがある。8は、こうして発生した、表面起伏部
のエッチング残さである。また、この表面起伏部のエッ
チング残さ8を完全に除去しようと思うと、他の場所
で、大きなサイドエッチが発生する恐れがある。
より形成されているため、第１の絶縁膜1の表面を平坦
でない。すなわち、陽極3の有無により、表面に起伏が
存在している。そして、この表面の起伏に対応して、第
２の絶縁膜2の膜厚不均一性が存在し、この膜厚不均一
性に起因して、第２の絶縁膜2のエッチング残さが発生
する恐れがある。8は、こうして発生した、表面起伏部
のエッチング残さである。また、この表面起伏部のエッ
チング残さ8を完全に除去しようと思うと、他の場所
で、大きなサイドエッチが発生する恐れがある。
【００１３】そこで、本発明の目的は、インクジェット
プロセスにより発光層が形成される有機エレクトロルミ
ネッセンス表示装置において、第２の絶縁膜2のエッチ
ング残さやサイドエッチの発生を、抑制することを目的
とする。
プロセスにより発光層が形成される有機エレクトロルミ
ネッセンス表示装置において、第２の絶縁膜2のエッチ
ング残さやサイドエッチの発生を、抑制することを目的
とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】（１）請求項１記載の本
発明は、インクジェットプロセスにより発光層が形成さ
れる表示装置の製造方法であって、陽極上に、第１の絶
縁膜を成膜し、そのあと、液相プロセスにより第２の絶
縁膜を成膜し、そのあと、第２の絶縁膜を陽極上の発光
させたい部分に開口部がくるようにパターニングし、そ
のあと、第１の絶縁膜を陽極上の発光させたい部分に開
口部がくるようにパターニングし、そのあと、インクジ
ェットプロセスにより発光層を形成することを特徴とす
る表示装置の製造方法である。
発明は、インクジェットプロセスにより発光層が形成さ
れる表示装置の製造方法であって、陽極上に、第１の絶
縁膜を成膜し、そのあと、液相プロセスにより第２の絶
縁膜を成膜し、そのあと、第２の絶縁膜を陽極上の発光
させたい部分に開口部がくるようにパターニングし、そ
のあと、第１の絶縁膜を陽極上の発光させたい部分に開
口部がくるようにパターニングし、そのあと、インクジ
ェットプロセスにより発光層を形成することを特徴とす
る表示装置の製造方法である。
【００１５】本構成によれば、第１の絶縁膜1の開口部
における第２の絶縁膜2のエッチング残さや、これを除
去するときに他の場所で発生するサイドエッチを、抑制
することが、可能となる。
における第２の絶縁膜2のエッチング残さや、これを除
去するときに他の場所で発生するサイドエッチを、抑制
することが、可能となる。
【００１６】（２）請求項２記載の本発明は、請求項１
記載の表示装置の製造方法において、第１の絶縁膜も、
液相プロセスにより形成されることを特徴とする表示装
置の製造方法である。
記載の表示装置の製造方法において、第１の絶縁膜も、
液相プロセスにより形成されることを特徴とする表示装
置の製造方法である。
【００１７】本構成によれば、陽極の膜厚等により発生
する第１の絶縁膜1の表面起伏部における第２の絶縁膜2
のエッチング残さや、これを除去するときに他の場所で
発生するサイドエッチを、抑制することが、可能とな
る。
する第１の絶縁膜1の表面起伏部における第２の絶縁膜2
のエッチング残さや、これを除去するときに他の場所で
発生するサイドエッチを、抑制することが、可能とな
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施例を
説明する。
説明する。
【００１９】図１は、本発明の第１の絶縁膜および第２
の絶縁膜の製造方法を示す図である。ここでは、陽極は
ITOで形成され、第１の絶縁膜1はポリシラザンのスピン
コート法によりSiO2で形成され、第２の絶縁膜2はポリ
イミドのスピンコート法により形成されている。
の絶縁膜の製造方法を示す図である。ここでは、陽極は
ITOで形成され、第１の絶縁膜1はポリシラザンのスピン
コート法によりSiO2で形成され、第２の絶縁膜2はポリ
イミドのスピンコート法により形成されている。
【００２０】本実施形態では、請求項１に記載されてい
るように、陽極3上に、第１の絶縁膜1を成膜し（図１
(a)）、そのあと、液相プロセスであるスピンコート法
により第２の絶縁膜2を成膜し（図１(b)）、そのあと、
第２の絶縁膜2を陽極3上の発光させたい部分に開口部が
くるようにパターニングし（図１(c)）、そのあと、第
１の絶縁膜1を陽極3上の発光させたい部分に開口部がく
るようにパターニングする（図１(d)）。本構成によれ
ば、第２の絶縁膜2の膜厚を均一化できるので、第２の
絶縁膜2をエッチングする際に、第２の絶縁膜2のエッチ
ング残さやサイドエッチの発生を、抑制することが、可
能となる。
るように、陽極3上に、第１の絶縁膜1を成膜し（図１
(a)）、そのあと、液相プロセスであるスピンコート法
により第２の絶縁膜2を成膜し（図１(b)）、そのあと、
第２の絶縁膜2を陽極3上の発光させたい部分に開口部が
くるようにパターニングし（図１(c)）、そのあと、第
１の絶縁膜1を陽極3上の発光させたい部分に開口部がく
るようにパターニングする（図１(d)）。本構成によれ
ば、第２の絶縁膜2の膜厚を均一化できるので、第２の
絶縁膜2をエッチングする際に、第２の絶縁膜2のエッチ
ング残さやサイドエッチの発生を、抑制することが、可
能となる。
【００２１】また、本実施形態では、請求項２に記載さ
れているように、第１の絶縁膜1も、液相プロセスであ
るスピンコート法により形成されている。このため、第
１の絶縁膜1の表面を平坦化することが可能になる。そ
して、陽極3の膜厚等により発生する第２の絶縁膜2の膜
厚不均一性を低減し、この膜厚不均一性に起因していた
第２の絶縁膜2のエッチング残さやサイドエッチの発生
を、抑制することが、可能となる。
れているように、第１の絶縁膜1も、液相プロセスであ
るスピンコート法により形成されている。このため、第
１の絶縁膜1の表面を平坦化することが可能になる。そ
して、陽極3の膜厚等により発生する第２の絶縁膜2の膜
厚不均一性を低減し、この膜厚不均一性に起因していた
第２の絶縁膜2のエッチング残さやサイドエッチの発生
を、抑制することが、可能となる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
絶縁膜を液相プロセスであるスピンコート法により成膜
するので、絶縁膜の膜厚を均一にする事ができる。した
がって、絶縁膜をエッチングする際のエッチング残さや
サイドエッチの発生を抑制することができる。
絶縁膜を液相プロセスであるスピンコート法により成膜
するので、絶縁膜の膜厚を均一にする事ができる。した
がって、絶縁膜をエッチングする際のエッチング残さや
サイドエッチの発生を抑制することができる。
【図１】第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を備えた有機
エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図。
エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図。
【図２】従来の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の製造
方法を示す図。
方法を示す図。
【図３】本発明の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の製
造方法を示す図。
造方法を示す図。
１ 第１の絶縁膜 ２ 第２の絶縁膜 ３ 陽極 ４ 発光層 ５ 陰極 ６ 発光層がより薄い領域 ７ 開口部のエッチング残さ ８ 表面起伏部のエッチング残さ
Claims (2)
- 【請求項１】 インクジェットプロセスにより発光層が
形成される表示装置の製造方法であって、 陽極上に、第１の絶縁膜を成膜し、そのあと、液相プロ
セスにより第２の絶縁膜を成膜し、そのあと、前記第２
の絶縁膜を前記陽極上の発光させたい部分に開口部がく
るようにパターニングし、そのあと、前記第１の絶縁膜
を前記陽極上の発光させたい部分に開口部がくるように
パターニングし、そのあと、インクジェットプロセスに
より発光層を形成することを特徴とする表示装置の製造
方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の表示装置において、 前記第１の絶縁膜も、液相プロセスにより形成されるこ
とを特徴とする表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30403299A JP2001126867A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | 表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30403299A JP2001126867A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | 表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001126867A true JP2001126867A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17928248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30403299A Withdrawn JP2001126867A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | 表示装置の製造方法 |
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