JPH0836169A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0836169A JPH0836169A JP6172738A JP17273894A JPH0836169A JP H0836169 A JPH0836169 A JP H0836169A JP 6172738 A JP6172738 A JP 6172738A JP 17273894 A JP17273894 A JP 17273894A JP H0836169 A JPH0836169 A JP H0836169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- substrates
- display device
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配向欠陥の発生箇所にのみ遮光膜を形成して
開口率の低下を最小限に抑えると共に耐ショック対策を
施すことができるようにする。 【構成】 強誘電性液晶７を挟む基板１ａ、１ｂの近傍
の液晶分子が基板に対してプレティルト角度をもって配
列され、その液晶分子を基板面から見たとき、液晶分子
の基板に近い側から遠い側へ引いた第１の仮想直線の基
板面に平行な方向成分が両基板において同一である。強
誘電性液晶７のシェブロン層構造の或る層につき基板界
面における位置から両基板間の中央付近における位置へ
と引いた第２の仮想直線の基板面に平行な方向成分が第
１の仮想直線の基板面に平行な方向成分と同一方向であ
る。両基板１ａ、１ｂ間には壁５が形成され、第１の仮
想直線の向いた方向の下流側の壁面近傍の液晶７部分を
覆って遮光膜６が設けられている。
開口率の低下を最小限に抑えると共に耐ショック対策を
施すことができるようにする。 【構成】 強誘電性液晶７を挟む基板１ａ、１ｂの近傍
の液晶分子が基板に対してプレティルト角度をもって配
列され、その液晶分子を基板面から見たとき、液晶分子
の基板に近い側から遠い側へ引いた第１の仮想直線の基
板面に平行な方向成分が両基板において同一である。強
誘電性液晶７のシェブロン層構造の或る層につき基板界
面における位置から両基板間の中央付近における位置へ
と引いた第２の仮想直線の基板面に平行な方向成分が第
１の仮想直線の基板面に平行な方向成分と同一方向であ
る。両基板１ａ、１ｂ間には壁５が形成され、第１の仮
想直線の向いた方向の下流側の壁面近傍の液晶７部分を
覆って遮光膜６が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示媒体として強誘電
性液晶を用いた液晶表示装置およびその製造方法に関す
る。
性液晶を用いた液晶表示装置およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】上記液晶表示装置は、通常、キラルスメ
クティックＣ相という液晶相を利用する。この液晶相
は、バルク状態では螺旋構造を有する分子配列をとる
が、螺旋ピッチより短い基板間距離を持つ液晶セルに注
入すると螺旋がほどけ、図９に示すように複数の層１０
１が平行に積層された層構造を有し、液晶分子１００が
層１０１に対して傾いて配列した構成をとる。
クティックＣ相という液晶相を利用する。この液晶相
は、バルク状態では螺旋構造を有する分子配列をとる
が、螺旋ピッチより短い基板間距離を持つ液晶セルに注
入すると螺旋がほどけ、図９に示すように複数の層１０
１が平行に積層された層構造を有し、液晶分子１００が
層１０１に対して傾いて配列した構成をとる。
【０００３】この構成の液晶相においては、電界の印加
により、図９（ａ）に示す状態と図９（ｂ）に示す状態
との双安定な状態が出現する。その理由は以下のとおり
である。強誘電性液晶は、図９において紙面に対して垂
直な方向に自発分極（Ｐｓ）をもっており、その方向に
電界（Ｅ）を印加すると液晶分子１００は電界の方向に
自発分極を揃えるように再配列するからである。
により、図９（ａ）に示す状態と図９（ｂ）に示す状態
との双安定な状態が出現する。その理由は以下のとおり
である。強誘電性液晶は、図９において紙面に対して垂
直な方向に自発分極（Ｐｓ）をもっており、その方向に
電界（Ｅ）を印加すると液晶分子１００は電界の方向に
自発分極を揃えるように再配列するからである。
【０００４】このような液晶を有する液晶セルを一対の
偏光板（偏光子と検光子）で挟んだ構成とすることによ
り、図９（ａ）に示す明状態の表示と図９（ｂ）に示す
暗状態の表示とを選択的に行うことができる（Ｎ．Ａ．
Ｃｌａｒｋ ａｎｄ Ｓ．Ｔ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌ，Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３６，８９９（１９８
０）．）。
偏光板（偏光子と検光子）で挟んだ構成とすることによ
り、図９（ａ）に示す明状態の表示と図９（ｂ）に示す
暗状態の表示とを選択的に行うことができる（Ｎ．Ａ．
Ｃｌａｒｋ ａｎｄ Ｓ．Ｔ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌ，Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３６，８９９（１９８
０）．）。
【０００５】上記図９（ａ）の状態と図９（ｂ）の状態
との切替えは、電界と自発分極との直接な相互作用によ
って起こるため、電界付与の方向を替えることによりマ
イクロ秒オーダーでの高速応答が可能となる。また、強
誘電性液晶は電界を切った後も電界を切る前の状態を保
つ性質、いわゆるメモリ性を有する。したがって、高速
応答性とメモリ性とを利用することにより、１走査線ご
とに高速で表示内容を書き込んでいくことができ、単純
マトリクス型の大表示容量ディスプレイが可能となる。
との切替えは、電界と自発分極との直接な相互作用によ
って起こるため、電界付与の方向を替えることによりマ
イクロ秒オーダーでの高速応答が可能となる。また、強
誘電性液晶は電界を切った後も電界を切る前の状態を保
つ性質、いわゆるメモリ性を有する。したがって、高速
応答性とメモリ性とを利用することにより、１走査線ご
とに高速で表示内容を書き込んでいくことができ、単純
マトリクス型の大表示容量ディスプレイが可能となる。
【０００６】図１０（ａ）に、強誘電性液晶を用いた液
晶表示装置の基本構造を示す。この液晶表示装置は、２
枚のガラス基板１０１上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎＯｘｉｄｅ）からなる電極膜１０２が形成され、その
上に絶縁膜１０３と配向膜１０４とが形成される。配向
膜１０４には通常ポリイミドなどの高分子膜が用いら
れ、その表面はラビング処理される。かかる２枚の基板
１０１は、セル厚を１．５μｍ程度として貼り合わさ
れ、両基板１０１の間に液晶１０５が注入され、周囲が
シール剤１０６にて封止される。この液晶セルの前後に
一対の偏光板、例えば一方に検光子１０７を他方に偏光
子１０８を設け、各電極膜１０２に駆動回路（図示せ
ず）が接続された構成とされる。
晶表示装置の基本構造を示す。この液晶表示装置は、２
枚のガラス基板１０１上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎＯｘｉｄｅ）からなる電極膜１０２が形成され、その
上に絶縁膜１０３と配向膜１０４とが形成される。配向
膜１０４には通常ポリイミドなどの高分子膜が用いら
れ、その表面はラビング処理される。かかる２枚の基板
１０１は、セル厚を１．５μｍ程度として貼り合わさ
れ、両基板１０１の間に液晶１０５が注入され、周囲が
シール剤１０６にて封止される。この液晶セルの前後に
一対の偏光板、例えば一方に検光子１０７を他方に偏光
子１０８を設け、各電極膜１０２に駆動回路（図示せ
ず）が接続された構成とされる。
【０００７】かかる構成の強誘電性液晶表示装置は、セ
ル厚が１．５μｍ程度と薄いことと、液晶１０５が強誘
電性液晶であることとを除けば、図１０（ｂ）に示す従
来の単純マトリクス型液晶表示装置と変わるところはな
い。なお、この図１０（ｂ）は、図１０（ａ）と同一部
分には同一番号を附しており、図中の１０５ａは強誘電
性ではない液晶を示す。
ル厚が１．５μｍ程度と薄いことと、液晶１０５が強誘
電性液晶であることとを除けば、図１０（ｂ）に示す従
来の単純マトリクス型液晶表示装置と変わるところはな
い。なお、この図１０（ｂ）は、図１０（ａ）と同一部
分には同一番号を附しており、図中の１０５ａは強誘電
性ではない液晶を示す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した構
成の強誘電性液晶を用いた液晶表示装置においては、シ
ョックや圧力に弱いという大きな問題点がある（Ｎ．Ｗ
ａｋｉｔａ ｅｔ ａｌ．，Ａｂｓｔｒ．４ｔｈ Ｉｎ
ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ
Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌｓ，３６７（１９９３）．）。これは、液晶表示
装置が圧力やショックを受けると、セル内の強誘電性液
晶の液晶分子が動き、初期の分子配列が破壊され、自然
復帰しないためと考えられている。
成の強誘電性液晶を用いた液晶表示装置においては、シ
ョックや圧力に弱いという大きな問題点がある（Ｎ．Ｗ
ａｋｉｔａ ｅｔ ａｌ．，Ａｂｓｔｒ．４ｔｈ Ｉｎ
ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ
Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌｓ，３６７（１９９３）．）。これは、液晶表示
装置が圧力やショックを受けると、セル内の強誘電性液
晶の液晶分子が動き、初期の分子配列が破壊され、自然
復帰しないためと考えられている。
【０００９】耐ショック性を高めるためには、ショック
によって強誘電性の液晶セル内での液晶分子の流れが生
じないようにすることが必要と考えられ、一つの方法は
図１１に示すように、一対の基板の間に壁１１０を作る
ことである。図１１は、図１０と同一部分には同一番号
を附している。壁１１０の作製技術については、例えば
特開昭５９−２０１０２１にはスペーサ部材によって壁
を作る技術が開示されている。また、特開平３−１９２
３３４にも、仕切り材によって壁を作ることが開示され
ている。加えて、特願平４−１１０２２３には、液晶セ
ルに光硬化性樹脂と液晶材料の混合物を注入し、紫外線
をフォトマスクを通して照射することにより、光重合性
ポリマーの壁を形成する技術が開示されている。
によって強誘電性の液晶セル内での液晶分子の流れが生
じないようにすることが必要と考えられ、一つの方法は
図１１に示すように、一対の基板の間に壁１１０を作る
ことである。図１１は、図１０と同一部分には同一番号
を附している。壁１１０の作製技術については、例えば
特開昭５９−２０１０２１にはスペーサ部材によって壁
を作る技術が開示されている。また、特開平３−１９２
３３４にも、仕切り材によって壁を作ることが開示され
ている。加えて、特願平４−１１０２２３には、液晶セ
ルに光硬化性樹脂と液晶材料の混合物を注入し、紫外線
をフォトマスクを通して照射することにより、光重合性
ポリマーの壁を形成する技術が開示されている。
【００１０】しかし、強誘電性の液晶セルに壁を形成す
ると、壁の近傍で配向欠陥が生じ易く、この配向欠陥の
部分の影響で表示品位が低下する。
ると、壁の近傍で配向欠陥が生じ易く、この配向欠陥の
部分の影響で表示品位が低下する。
【００１１】この対策として、図１２に示すように、壁
１１０の近傍の配向欠陥部分を遮光膜１１１で覆ってし
まうことが考えられる。例えば、特願平５−１３４３４
７や、特願平５−９８０８２には、壁を形成した強誘電
性の液晶表示装置に遮光層を設ける技術が開示されてい
る。しかし、これらの場合には、遮光膜１１１で覆われ
ず表示に寄与する表示部１１２が遮光膜１１１の部分だ
け減るわけであり、開口率が低下して表示が暗くなる。
また、これらには、配向欠陥の発生箇所を特定した記述
はない。
１１０の近傍の配向欠陥部分を遮光膜１１１で覆ってし
まうことが考えられる。例えば、特願平５−１３４３４
７や、特願平５−９８０８２には、壁を形成した強誘電
性の液晶表示装置に遮光層を設ける技術が開示されてい
る。しかし、これらの場合には、遮光膜１１１で覆われ
ず表示に寄与する表示部１１２が遮光膜１１１の部分だ
け減るわけであり、開口率が低下して表示が暗くなる。
また、これらには、配向欠陥の発生箇所を特定した記述
はない。
【００１２】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、配向欠陥の発生箇所にの
み遮光膜を形成して開口率の低下を最小限に抑えること
ができると共に耐ショック対策を施すことのできる強誘
電性の液晶表示装置およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
決すべくなされたものであり、配向欠陥の発生箇所にの
み遮光膜を形成して開口率の低下を最小限に抑えること
ができると共に耐ショック対策を施すことのできる強誘
電性の液晶表示装置およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、強誘電性液晶を間に挟んで対向配設された一対の基
板の各々の液晶側に、少なくとも電極膜と配向膜とが該
配向膜を該液晶側に配して形成され、各基板の近傍にお
ける液晶分子が基板に対してプレティルト角度をもって
配列され、各基板の近傍における液晶分子を基板面から
見たとき、該液晶分子の基板に近い側から遠い側へ引い
た第１の仮想直線の基板面に平行な方向成分が両基板に
おいて同一であるように形成されている液晶表示装置で
あって、該強誘電性液晶がシェブロン層構造を有し、該
シェブロン層構造の或る層につき基板界面における位置
から両基板間の中央付近における位置へと引いた第２の
仮想直線の基板面に平行な方向成分が該第１の仮想直線
の基板面に平行な方向成分と同一方向であり、両基板間
に、基板表面を横切る方向に絶縁性の非液晶物質からな
る壁が形成され、該壁の全壁面における該第１の仮想直
線の向いた方向の下流側の壁面近傍の液晶部分を覆うよ
うに、両基板のいずれか一方に遮光膜が設けられている
ので、そのことにより上記目的が達成される。
は、強誘電性液晶を間に挟んで対向配設された一対の基
板の各々の液晶側に、少なくとも電極膜と配向膜とが該
配向膜を該液晶側に配して形成され、各基板の近傍にお
ける液晶分子が基板に対してプレティルト角度をもって
配列され、各基板の近傍における液晶分子を基板面から
見たとき、該液晶分子の基板に近い側から遠い側へ引い
た第１の仮想直線の基板面に平行な方向成分が両基板に
おいて同一であるように形成されている液晶表示装置で
あって、該強誘電性液晶がシェブロン層構造を有し、該
シェブロン層構造の或る層につき基板界面における位置
から両基板間の中央付近における位置へと引いた第２の
仮想直線の基板面に平行な方向成分が該第１の仮想直線
の基板面に平行な方向成分と同一方向であり、両基板間
に、基板表面を横切る方向に絶縁性の非液晶物質からな
る壁が形成され、該壁の全壁面における該第１の仮想直
線の向いた方向の下流側の壁面近傍の液晶部分を覆うよ
うに、両基板のいずれか一方に遮光膜が設けられている
ので、そのことにより上記目的が達成される。
【００１４】本発明の液晶表示装置において、前記強誘
電性液晶が負の誘電異方性を有し、電圧−メモリパルス
幅曲線において極小値を示すものを使用した構成とする
ことができる。
電性液晶が負の誘電異方性を有し、電圧−メモリパルス
幅曲線において極小値を示すものを使用した構成とする
ことができる。
【００１５】本発明の液晶表示装置において、前記配向
膜が有機高分子膜であり、ラビングによってプレティル
ト角が付与されている構成とすることができる。
膜が有機高分子膜であり、ラビングによってプレティル
ト角が付与されている構成とすることができる。
【００１６】本発明の液晶表示装置の製造方法は、対向
配設した一対の基板間に、光重合性モノマーと強誘電性
液晶との混合物を封入する工程と、所定のパターンを持
つフォトマスクを用いて該混合物に光を照射し、光照射
部分に絶縁性の高分子の壁を作る工程とを含むので、そ
のことにより上記目的が達成される。
配設した一対の基板間に、光重合性モノマーと強誘電性
液晶との混合物を封入する工程と、所定のパターンを持
つフォトマスクを用いて該混合物に光を照射し、光照射
部分に絶縁性の高分子の壁を作る工程とを含むので、そ
のことにより上記目的が達成される。
【００１７】
【作用】強誘電性液晶を用いた液晶表示装置が提案され
た当初、液晶の層構造は図１（ａ）に示すように複数の
層３１が基板３０に垂直に存在する、いわゆる「ブック
シェルフ層構造」をとっていると考えられていた。しか
し、その後の研究により、図１（ｂ）に示すように、層
３１が途中で折曲した”く”の字状をした「シェブロン
層構造」をとることが分かってきた。さらに我々は、対
向する一対の基板の各々に同一方向にプレティルト角を
付与した強誘電性の液晶表示装置においては、シェブロ
ン層構造内の分子配列の違いにより４つの配向状態、つ
まりＣ１Ｕ（Ｃ１−ユニフォーム），Ｃ１Ｔ，Ｃ２Ｕ，
Ｃ２Ｔが存在することを報告している｛M.Koden et al.
Jpn. Appl. Phys., 31,3632(1992)参照｝。Ｃ１とＣ２
とは、プレティルト角の方向とシェブロン層の方向とか
ら決められる。図２（ａ）および（ｂ）は共に、この４
つの配向状態のうち実用的に重要なＣ１ＵおよびＣ２Ｕ
配向の分子配向モデルを示す。
た当初、液晶の層構造は図１（ａ）に示すように複数の
層３１が基板３０に垂直に存在する、いわゆる「ブック
シェルフ層構造」をとっていると考えられていた。しか
し、その後の研究により、図１（ｂ）に示すように、層
３１が途中で折曲した”く”の字状をした「シェブロン
層構造」をとることが分かってきた。さらに我々は、対
向する一対の基板の各々に同一方向にプレティルト角を
付与した強誘電性の液晶表示装置においては、シェブロ
ン層構造内の分子配列の違いにより４つの配向状態、つ
まりＣ１Ｕ（Ｃ１−ユニフォーム），Ｃ１Ｔ，Ｃ２Ｕ，
Ｃ２Ｔが存在することを報告している｛M.Koden et al.
Jpn. Appl. Phys., 31,3632(1992)参照｝。Ｃ１とＣ２
とは、プレティルト角の方向とシェブロン層の方向とか
ら決められる。図２（ａ）および（ｂ）は共に、この４
つの配向状態のうち実用的に重要なＣ１ＵおよびＣ２Ｕ
配向の分子配向モデルを示す。
【００１８】このうちＣ２Ｕ配向において、誘電異方性
が正か０付近の場合、バイアス電圧によって分子の大き
な揺らぎが生じ、高コントラストが得られない。しか
し、負の誘電異方性（△ε＜０）を有する強誘電性液晶
材料が示す特異なτ−Ｖmin特性を利用すると、ＡＣス
タビライズ効果、つまり液晶分子を基板に平行にさせよ
うとするＡＣ電界の効果によってＣ２Ｕ配向で高コント
ラストが可能となる。
が正か０付近の場合、バイアス電圧によって分子の大き
な揺らぎが生じ、高コントラストが得られない。しか
し、負の誘電異方性（△ε＜０）を有する強誘電性液晶
材料が示す特異なτ−Ｖmin特性を利用すると、ＡＣス
タビライズ効果、つまり液晶分子を基板に平行にさせよ
うとするＡＣ電界の効果によってＣ２Ｕ配向で高コント
ラストが可能となる。
【００１９】通常の強誘電性液晶材料では、液晶に与え
る電圧（Ｖ）を高くしていくと応答速度（τ）は単調に
速くなっていく。しかし、誘電異方性が負で、自発分極
があまり大きくない場合には、図３に、各温度における
パルス電圧（Ｖ）とメモリパルス幅（μｓｅｃ）との関
係である曲線（τ−Ｖmin特性）に極小値が現れる。こ
れは、電圧の実効値が大きくなると、図２に示した誘電
異方性の効果が大きくなるためである。つまり、前記Ａ
Ｃスタビライズ効果が現れるためである。
る電圧（Ｖ）を高くしていくと応答速度（τ）は単調に
速くなっていく。しかし、誘電異方性が負で、自発分極
があまり大きくない場合には、図３に、各温度における
パルス電圧（Ｖ）とメモリパルス幅（μｓｅｃ）との関
係である曲線（τ−Ｖmin特性）に極小値が現れる。こ
れは、電圧の実効値が大きくなると、図２に示した誘電
異方性の効果が大きくなるためである。つまり、前記Ａ
Ｃスタビライズ効果が現れるためである。
【００２０】一般に、Ｃ１配向とＣ２配向とでは、Ｃ１
配向が高温側で現れ、温度の低下と共にＣ２配向の方が
安定になる。また、Ｃ１Ｕ配向は、温度変化や駆動によ
ってＣ２配向やＣ１Ｔ配向に変化しやすい。それ故、Ｃ
２Ｕ配向は広い動作温度範囲を確保するのに有利な配向
状態と言える。また、Ｃ２Ｕ配向とＣ１Ｕ配向とでは、
Ｃ２Ｕ配向の方が応答速度が速く、メモリ性が良い。そ
れ故、Ｃ２Ｕ配向を用い、かつ、上記極小値を持つτ−
Ｖmin特性での表示モードは、高速書き込み速度、高コ
ントラスト、広い動作温度範囲などの点で優れたモード
と言える。
配向が高温側で現れ、温度の低下と共にＣ２配向の方が
安定になる。また、Ｃ１Ｕ配向は、温度変化や駆動によ
ってＣ２配向やＣ１Ｔ配向に変化しやすい。それ故、Ｃ
２Ｕ配向は広い動作温度範囲を確保するのに有利な配向
状態と言える。また、Ｃ２Ｕ配向とＣ１Ｕ配向とでは、
Ｃ２Ｕ配向の方が応答速度が速く、メモリ性が良い。そ
れ故、Ｃ２Ｕ配向を用い、かつ、上記極小値を持つτ−
Ｖmin特性での表示モードは、高速書き込み速度、高コ
ントラスト、広い動作温度範囲などの点で優れたモード
と言える。
【００２１】また、耐ショック性を高めるためには、シ
ョックによって強誘電性液晶セル内での液晶分子の流れ
が生じないようにすることが必要と考えられ、一つの方
法は図１１に示したように、両基板間に壁を作ることで
ある。
ョックによって強誘電性液晶セル内での液晶分子の流れ
が生じないようにすることが必要と考えられ、一つの方
法は図１１に示したように、両基板間に壁を作ることで
ある。
【００２２】壁の近傍では配向欠陥が生じ易く、配向状
態がＣ２Ｕ配向の場合、図４（ａ）に示すようにある一
方向のみにジグザグ欠陥（ライトニング欠陥）Ｘが発生
することが分かった。この図４（ａ）は平面模式図であ
り、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ−Ａ’線での断
面図である。配向状態はＣ２Ｕである。尚、図４（ｂ）
の断面図では、透明電極膜、絶縁膜および配向膜などは
省略して描いている。
態がＣ２Ｕ配向の場合、図４（ａ）に示すようにある一
方向のみにジグザグ欠陥（ライトニング欠陥）Ｘが発生
することが分かった。この図４（ａ）は平面模式図であ
り、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ−Ａ’線での断
面図である。配向状態はＣ２Ｕである。尚、図４（ｂ）
の断面図では、透明電極膜、絶縁膜および配向膜などは
省略して描いている。
【００２３】図４（ａ）および（ｂ）から理解されるよ
うに、上記ジグザグ欠陥Ｘは、壁３２のプレティルト方
向に向いた側に発生している。このジグザグ欠陥Ｘと強
誘電性液晶の層構造との関係は既に知られており、その
知見に基づくと、図４（ａ）のジグザグ欠陥Ｘ部分で
は、図４（ｂ）に示すように、壁３２の影響を受けて層
の形がひし形となったひし形層Ｙを壁３２近傍に有する
層構造になっていることが推定される。また、そのよう
な層構造となっているが故に、ジグザグ欠陥Ｘが発生す
る。
うに、上記ジグザグ欠陥Ｘは、壁３２のプレティルト方
向に向いた側に発生している。このジグザグ欠陥Ｘと強
誘電性液晶の層構造との関係は既に知られており、その
知見に基づくと、図４（ａ）のジグザグ欠陥Ｘ部分で
は、図４（ｂ）に示すように、壁３２の影響を受けて層
の形がひし形となったひし形層Ｙを壁３２近傍に有する
層構造になっていることが推定される。また、そのよう
な層構造となっているが故に、ジグザグ欠陥Ｘが発生す
る。
【００２４】したがって、本発明は、壁の影響を受け
ず、かつ、Ｃ２Ｕ配向状態が得られる部分では遮光層の
形成を省略し、壁近傍のジグザグ欠陥Ｘの発生する方向
にのみ遮光膜３３を設けるようにする。これにより、開
口率の低下を最小限にすることが可能となる。また、壁
の存在により耐ショック性の向上を図ることができる。
ず、かつ、Ｃ２Ｕ配向状態が得られる部分では遮光層の
形成を省略し、壁近傍のジグザグ欠陥Ｘの発生する方向
にのみ遮光膜３３を設けるようにする。これにより、開
口率の低下を最小限にすることが可能となる。また、壁
の存在により耐ショック性の向上を図ることができる。
【００２５】更に、本発明によれば、表示部に良好な配
向性を実現できる。通常の強誘電性液晶セルにおいて
は、画素内にジグザグ欠陥Ｘなどの欠陥が発生し易い。
しかし、壁を形成すると、図４に示すように、壁の付近
にジグザグ欠陥Ｘが集中し、他の部分に欠陥が発生しに
くい。これは層構造の歪みが壁の付近のジグザグ欠陥Ｘ
によって解消されるため、他の部分での欠陥が発生しに
くくなったものと思われる。本発明では、壁付近のジグ
ザグ欠陥Ｘ部分に遮光膜を設けるため、表示部分には欠
陥のない良好な配向が得られることになる。
向性を実現できる。通常の強誘電性液晶セルにおいて
は、画素内にジグザグ欠陥Ｘなどの欠陥が発生し易い。
しかし、壁を形成すると、図４に示すように、壁の付近
にジグザグ欠陥Ｘが集中し、他の部分に欠陥が発生しに
くい。これは層構造の歪みが壁の付近のジグザグ欠陥Ｘ
によって解消されるため、他の部分での欠陥が発生しに
くくなったものと思われる。本発明では、壁付近のジグ
ザグ欠陥Ｘ部分に遮光膜を設けるため、表示部分には欠
陥のない良好な配向が得られることになる。
【００２６】なお、本発明の適用対象である液晶表示装
置は、以下のような構造のものである。図４に示すよう
に、基板３０の近傍における液晶分子を基板３０表面側
から見たとき、液晶分子の基板３０に近い側から遠い側
へ引いた第１の仮想直線の基板３０表面に平行な方向成
分、つまり上記プレティルト方向が両基板３０において
同一のものである。加えて、強誘電性液晶におけるシェ
ブロン層構造の或る層につき基板３０界面における位置
から両基板３０間の中央付近（表示媒体の厚み中央付
近）における位置へと引いた第２の仮想直線の基板３０
表面に平行な方向成分が該第１の仮想直線の基板３０表
面に平行な方向成分と同一方向である。
置は、以下のような構造のものである。図４に示すよう
に、基板３０の近傍における液晶分子を基板３０表面側
から見たとき、液晶分子の基板３０に近い側から遠い側
へ引いた第１の仮想直線の基板３０表面に平行な方向成
分、つまり上記プレティルト方向が両基板３０において
同一のものである。加えて、強誘電性液晶におけるシェ
ブロン層構造の或る層につき基板３０界面における位置
から両基板３０間の中央付近（表示媒体の厚み中央付
近）における位置へと引いた第２の仮想直線の基板３０
表面に平行な方向成分が該第１の仮想直線の基板３０表
面に平行な方向成分と同一方向である。
【００２７】また、本発明において、均一なＣ２Ｕ配向
を得るためには、配向膜に対してプレティルト角を付与
することが必要であり、通常、３〜８゜の中程度のプレ
ティルト角が好ましい。プレティルト角を付与するため
には、斜方蒸着法、ラビング法など種々の方法を用いる
ことができる。
を得るためには、配向膜に対してプレティルト角を付与
することが必要であり、通常、３〜８゜の中程度のプレ
ティルト角が好ましい。プレティルト角を付与するため
には、斜方蒸着法、ラビング法など種々の方法を用いる
ことができる。
【００２８】上記壁の作製は、例えば、ポリイミド、フ
ォトレジストなどの高分子膜や、ＳｉＯ2などの無機絶
縁膜を形成した後に、パターンニングすることにより行
うことができる。また、別な方法としては、図５に示す
ような方法も可能である。すなわち、まず図５（ａ）の
ように、対向配設された一対の基板１ａ、１ｂ間に少な
くとも強誘電性液晶と光重合性モノマーとを含む混合物
を挟持させる。この場合、強誘電性液晶セルの端の一部
から該混合物を注入する方法や混合物を直接一対の基板
で挟む方法などを用いることができる。該混合物には更
に、重合開始剤、界面活性剤などを添加してもよい。次
に、図５（ｂ）のようにフォトマスクを用いて上記混合
物に光を照射する。これによって、図５（ｃ）のように
光照射部分に非液晶物質領域、つまり壁５が形成され、
非照射部分に表示を行うための強誘電性液晶を残すこと
ができる。なお、図５において、２ａ、２ｂは透明電極
膜であり、３ａ、３ｂは絶縁膜、４ａ、４ｂは配向膜で
ある。
ォトレジストなどの高分子膜や、ＳｉＯ2などの無機絶
縁膜を形成した後に、パターンニングすることにより行
うことができる。また、別な方法としては、図５に示す
ような方法も可能である。すなわち、まず図５（ａ）の
ように、対向配設された一対の基板１ａ、１ｂ間に少な
くとも強誘電性液晶と光重合性モノマーとを含む混合物
を挟持させる。この場合、強誘電性液晶セルの端の一部
から該混合物を注入する方法や混合物を直接一対の基板
で挟む方法などを用いることができる。該混合物には更
に、重合開始剤、界面活性剤などを添加してもよい。次
に、図５（ｂ）のようにフォトマスクを用いて上記混合
物に光を照射する。これによって、図５（ｃ）のように
光照射部分に非液晶物質領域、つまり壁５が形成され、
非照射部分に表示を行うための強誘電性液晶を残すこと
ができる。なお、図５において、２ａ、２ｂは透明電極
膜であり、３ａ、３ｂは絶縁膜、４ａ、４ｂは配向膜で
ある。
【００２９】また、本発明においては、壁は各画素の四
方を囲むように設けてもよいし、３方、２方、または１
方でも良い。いずれにしても、遮光膜を壁のプレティル
トの方向の側に設けることが必要である。
方を囲むように設けてもよいし、３方、２方、または１
方でも良い。いずれにしても、遮光膜を壁のプレティル
トの方向の側に設けることが必要である。
【００３０】遮光膜は、不透明な金属膜や、ブラックマ
トリクス膜などにより形成できる。金属膜を用いる場合
には、配線の低抵抗化の効果も兼ね合わせることもでき
る。
トリクス膜などにより形成できる。金属膜を用いる場合
には、配線の低抵抗化の効果も兼ね合わせることもでき
る。
【００３１】
【実施例】以下に本発明の実施例を具体的に説明する。
【００３２】（実施例１）図６は、本実施例１に係る強
誘電性液晶表示装置を示す断面図である。この液晶表示
装置は、対向配設された一対の基板１ａ、１ｂの間に強
誘電性液晶７が挟持されている。一方（上側）の基板１
ａの液晶７側には、基板１ａ側から透明電極膜２ａ、絶
縁膜３ａおよび配向膜４ａがこの順に形成されている。
もう一方の基板１ｂの液晶７側には、基板１ｂ側から透
明電極膜２ｂ、絶縁膜３ｂおよび配向膜４ｂがこの順に
形成されている。
誘電性液晶表示装置を示す断面図である。この液晶表示
装置は、対向配設された一対の基板１ａ、１ｂの間に強
誘電性液晶７が挟持されている。一方（上側）の基板１
ａの液晶７側には、基板１ａ側から透明電極膜２ａ、絶
縁膜３ａおよび配向膜４ａがこの順に形成されている。
もう一方の基板１ｂの液晶７側には、基板１ｂ側から透
明電極膜２ｂ、絶縁膜３ｂおよび配向膜４ｂがこの順に
形成されている。
【００３３】各基板１ａ、１ｂの近傍における液晶分子
は、基板１ａ、１ｂに対してプレティルト角度をもって
配列される。この配列は、配向膜４ａ、４ｂに対してラ
ビング処理を施すことによりなされている。この場合に
おいて、各基板１ａ、１ｂの近傍における液晶分子を基
板表面側から見たとき、該液晶分子の基板１ａ、１ｂに
近い側から遠い側へ引いた第１の仮想直線の基板面に平
行な方向成分が両基板１ａ、１ｂにおいて同一である。
は、基板１ａ、１ｂに対してプレティルト角度をもって
配列される。この配列は、配向膜４ａ、４ｂに対してラ
ビング処理を施すことによりなされている。この場合に
おいて、各基板１ａ、１ｂの近傍における液晶分子を基
板表面側から見たとき、該液晶分子の基板１ａ、１ｂに
近い側から遠い側へ引いた第１の仮想直線の基板面に平
行な方向成分が両基板１ａ、１ｂにおいて同一である。
【００３４】また、強誘電性液晶７は、シェブロン層構
造を有し、このシェブロン層構造の或る層につき基板界
面における位置から両基板間の中央付近における位置へ
と引いた第２の仮想直線の基板面に平行な方向成分が、
上記第１の仮想直線の基板面に平行な方向成分と同一方
向である。
造を有し、このシェブロン層構造の或る層につき基板界
面における位置から両基板間の中央付近における位置へ
と引いた第２の仮想直線の基板面に平行な方向成分が、
上記第１の仮想直線の基板面に平行な方向成分と同一方
向である。
【００３５】両基板１ａ、１ｂ間には、基板表面を横切
る方向に絶縁性の非液晶物質からなる壁５が形成されて
いる。この壁５は、透明電極膜２ａと２ｂとが対向する
部分にて規定される画素の４方を包囲するように形成さ
れており、隣合う画素間には同一の壁５部分が存在する
ようになっている。この壁５の全壁面における上記第１
の仮想直線の向いた方向の下流側、つまり図示例では左
側の壁面近傍の液晶部分を覆うように、一方の基板１ａ
と上記透明電極膜２ａとの間に遮光膜６が設けられてい
る。
る方向に絶縁性の非液晶物質からなる壁５が形成されて
いる。この壁５は、透明電極膜２ａと２ｂとが対向する
部分にて規定される画素の４方を包囲するように形成さ
れており、隣合う画素間には同一の壁５部分が存在する
ようになっている。この壁５の全壁面における上記第１
の仮想直線の向いた方向の下流側、つまり図示例では左
側の壁面近傍の液晶部分を覆うように、一方の基板１ａ
と上記透明電極膜２ａとの間に遮光膜６が設けられてい
る。
【００３６】次に、かかる構成の強誘電性液晶を用いた
液晶表示装置の製造方法について説明する。
液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００３７】先ず、ガラスなどからなる基板１ａ上に、
Ｍｏ等からなる遮光膜用の膜を形成し、この膜をフォト
リソグラフィーによってパターンニングして遮光膜６を
形成する。
Ｍｏ等からなる遮光膜用の膜を形成し、この膜をフォト
リソグラフィーによってパターンニングして遮光膜６を
形成する。
【００３８】次に、ＩＴＯ等からなる透明電極膜用の膜
を作製し、この膜をフォトリソグラフィーなどの手法で
ストライプ状にパターンニングして透明電極膜２ａを形
成する。
を作製し、この膜をフォトリソグラフィーなどの手法で
ストライプ状にパターンニングして透明電極膜２ａを形
成する。
【００３９】次に、この上にＳｉＯ2からなる絶縁性の
壁用の層を１．５μm積層し、この層をフォトリソグラ
フィーを用いて所定のパターンにパターンニングし壁５
を形成する。
壁用の層を１．５μm積層し、この層をフォトリソグラ
フィーを用いて所定のパターンにパターンニングし壁５
を形成する。
【００４０】次に、この状態の基板１ａ上に、ＳｉＯ2
等からなる絶縁膜３ａおよびポリイミド等からなる配向
膜４ａを塗布等にて形成し、配向膜４ａにラビング処理
を施す。ラビング処理は特に特定しないが、壁５の形成
パターンに平行に、図６においては紙面に垂直な方向に
ラビングするのが好ましい。
等からなる絶縁膜３ａおよびポリイミド等からなる配向
膜４ａを塗布等にて形成し、配向膜４ａにラビング処理
を施す。ラビング処理は特に特定しないが、壁５の形成
パターンに平行に、図６においては紙面に垂直な方向に
ラビングするのが好ましい。
【００４１】次に、ガラスなどからなるもう一方の基板
１ｂ上にＩＴＯ等からなる透明電極膜用の膜を作製し、
この膜をフォトリソグラフィーなどの手法でストライプ
状にパターンニングして透明電極膜２ｂを形成する。
１ｂ上にＩＴＯ等からなる透明電極膜用の膜を作製し、
この膜をフォトリソグラフィーなどの手法でストライプ
状にパターンニングして透明電極膜２ｂを形成する。
【００４２】次に、この上にＳｉＯ2等からなる絶縁膜
３ｂを形成し、次いで、ポリイミド等からなる配向膜４
ｂを塗布等にて形成し、この配向膜４ｂをラビング処理
する。この基板１ｂ側の作製は、上記基板１ａ側の作製
と前後して行ってもよい。
３ｂを形成し、次いで、ポリイミド等からなる配向膜４
ｂを塗布等にて形成し、この配向膜４ｂをラビング処理
する。この基板１ｂ側の作製は、上記基板１ａ側の作製
と前後して行ってもよい。
【００４３】次に、上述のような基板１ａ上に、強誘電
性液晶７を乗せ、更に適度な温度を付与しつつ、もう一
方の基板１ｂをラビング方向が平行となるように貼り合
わせる。
性液晶７を乗せ、更に適度な温度を付与しつつ、もう一
方の基板１ｂをラビング方向が平行となるように貼り合
わせる。
【００４４】このようにして作製された強誘電性の液晶
表示装置においては、図６に示すように、強誘電性液晶
７における壁５の近傍に生じたひし形層Ｙの存在によ
り、液晶の配向欠陥であるジグザグ欠陥が発生しても、
その上が遮光膜６にて覆われているので、開口率の低下
を最小限にした状態で、耐ショック対策の施されたもの
となる。更に、開口部には、欠陥のない良好な配向が得
られる。
表示装置においては、図６に示すように、強誘電性液晶
７における壁５の近傍に生じたひし形層Ｙの存在によ
り、液晶の配向欠陥であるジグザグ欠陥が発生しても、
その上が遮光膜６にて覆われているので、開口率の低下
を最小限にした状態で、耐ショック対策の施されたもの
となる。更に、開口部には、欠陥のない良好な配向が得
られる。
【００４５】（実施例２）図７は、本実施例２に係る強
誘電性の液晶表示装置を示す断面図である。この液晶表
示装置は、図６とは基板の配置が上下逆に、つまり基板
１ｂが上に基板１ａが下になっており、遮光膜６が上側
の基板１ｂ側に設けられている点を除いて他は図６と同
様な構造となっている。
誘電性の液晶表示装置を示す断面図である。この液晶表
示装置は、図６とは基板の配置が上下逆に、つまり基板
１ｂが上に基板１ａが下になっており、遮光膜６が上側
の基板１ｂ側に設けられている点を除いて他は図６と同
様な構造となっている。
【００４６】かかる構造の液晶表示装置の製造方法を以
下に説明する。
下に説明する。
【００４７】先ず、ガラスなどからなる基板１ａ上にＩ
ＴＯ等からなる透明電極膜用の膜を作製し、この膜をフ
ォトリソグラフィーなどの手法でストライプ状にパター
ンニングして透明電極膜２ａを形成する。
ＴＯ等からなる透明電極膜用の膜を作製し、この膜をフ
ォトリソグラフィーなどの手法でストライプ状にパター
ンニングして透明電極膜２ａを形成する。
【００４８】次に、この上にＳｉＯ2等からなる絶縁膜
３ａを積層形成し、次いで、ポリイミド等からなる配向
膜４ａを塗布等により形成し、この配向膜４ａにラビン
グ処理を施す。
３ａを積層形成し、次いで、ポリイミド等からなる配向
膜４ａを塗布等により形成し、この配向膜４ａにラビン
グ処理を施す。
【００４９】次いで、１．５μmのスペーサを混合した
フォトレジストからなる壁５を全面に塗布し、フォトマ
スクを用いて露光し、現像して所定のパターンを得る。
このとき、フォトレジストの中に、黒色染料を入れるな
どして、非透光性にすると、非画素部分の遮光にもなり
より好ましい。
フォトレジストからなる壁５を全面に塗布し、フォトマ
スクを用いて露光し、現像して所定のパターンを得る。
このとき、フォトレジストの中に、黒色染料を入れるな
どして、非透光性にすると、非画素部分の遮光にもなり
より好ましい。
【００５０】次に、ガラスなどからなるもう一方の基板
１ｂ上にＩＴＯ等からなる透明電極膜用の膜を作製し、
この膜をフォトリソグラフィーなどの手法でストライプ
状にパターンニングして透明電極膜２ｂを形成する。
１ｂ上にＩＴＯ等からなる透明電極膜用の膜を作製し、
この膜をフォトリソグラフィーなどの手法でストライプ
状にパターンニングして透明電極膜２ｂを形成する。
【００５１】次いで、Ｍｏ等からなる遮光膜用の膜を形
成し、この膜をフォトリソグラフィーによってパターン
ニングして遮光膜６を形成する。
成し、この膜をフォトリソグラフィーによってパターン
ニングして遮光膜６を形成する。
【００５２】次に、この上にＳｉＯ2等からなる絶縁膜
３ｂを形成し、次いで、ポリイミド等からなる配向膜４
ｂを塗布等にて形成し、ラビングする。この基板１ｂ側
の作製は、上記基板１ａ側の作製と前後して行ってもよ
い。
３ｂを形成し、次いで、ポリイミド等からなる配向膜４
ｂを塗布等にて形成し、ラビングする。この基板１ｂ側
の作製は、上記基板１ａ側の作製と前後して行ってもよ
い。
【００５３】次に、基板１ａ上に、強誘電性液晶７を乗
せ、更に適度な温度を付与しつつ、もう一方の基板１ｂ
をラビング方向が平行となるように貼り合わせ、図７の
ような液晶セルとする。
せ、更に適度な温度を付与しつつ、もう一方の基板１ｂ
をラビング方向が平行となるように貼り合わせ、図７の
ような液晶セルとする。
【００５４】このようにして作製された強誘電性の液晶
表示装置においては、図７に示すように、強誘電性液晶
７における壁５の近傍に生じるひし形層Ｙの存在によ
り、液晶の配向欠陥であるジグザグ欠陥が発生しても、
その上が遮光膜６にて覆われているので、開口率の低下
を最小限にした状態で、耐ショック対策の施されたもの
となる。
表示装置においては、図７に示すように、強誘電性液晶
７における壁５の近傍に生じるひし形層Ｙの存在によ
り、液晶の配向欠陥であるジグザグ欠陥が発生しても、
その上が遮光膜６にて覆われているので、開口率の低下
を最小限にした状態で、耐ショック対策の施されたもの
となる。
【００５５】（実施例３）図８は、本実施例３に係る強
誘電性の液晶表示装置を示す断面図である。この液晶表
示装置は、図７で説明した液晶表示装置と同一の構成で
あるが、壁５の作製方法が異なっている。
誘電性の液晶表示装置を示す断面図である。この液晶表
示装置は、図７で説明した液晶表示装置と同一の構成で
あるが、壁５の作製方法が異なっている。
【００５６】かかる構成の液晶表示装置の製造方法につ
いて以下に説明する。
いて以下に説明する。
【００５７】先ず、図８（ａ）の断面図に示すように、
ガラスなどからなる基板１ａ上にＩＴＯ等からなる透明
電極膜用の膜を作製し、この膜をフォトリソグラフィー
などの手法でストライプ状にパターニングして透明電極
膜２ａを形成する。
ガラスなどからなる基板１ａ上にＩＴＯ等からなる透明
電極膜用の膜を作製し、この膜をフォトリソグラフィー
などの手法でストライプ状にパターニングして透明電極
膜２ａを形成する。
【００５８】次に、この上にＳｉＯ2等からなる絶縁膜
３ａを積層し、次いで、ポリイミド等からなる配向膜４
ａを塗布等により形成し、この配向膜４ａにラビング処
理を施す。
３ａを積層し、次いで、ポリイミド等からなる配向膜４
ａを塗布等により形成し、この配向膜４ａにラビング処
理を施す。
【００５９】次に、ガラスなどからなるもう一方の基板
１ｂ上にＩＴＯ等からなる透明電極膜用の膜を作製し、
この膜をフォトリソグラフィーなどの手法でストライプ
状にパターンニングして透明電極膜２ｂを形成する。
１ｂ上にＩＴＯ等からなる透明電極膜用の膜を作製し、
この膜をフォトリソグラフィーなどの手法でストライプ
状にパターンニングして透明電極膜２ｂを形成する。
【００６０】次いで、Ｍｏ等からなる遮光膜用の膜を形
成し、この膜をフォトリソグラフィーによってパターン
ニングして遮光膜６を形成する。
成し、この膜をフォトリソグラフィーによってパターン
ニングして遮光膜６を形成する。
【００６１】次に、この上にＳｉＯ2等からなる絶縁膜
３ｂを形成し、ポリイミド等からなる配向膜４ｂを塗布
等により形成し、この配向膜４ｂにラビング処理を施
す。
３ｂを形成し、ポリイミド等からなる配向膜４ｂを塗布
等により形成し、この配向膜４ｂにラビング処理を施
す。
【００６２】次に、基板１ａともう一方の基板１ｂと
を、ラビング方向が平行になるように、セル厚２μmで
貼り合わせ、この間に、強誘電性液晶、光重合性モノマ
ー、重合開始剤を含む混合物を基板間に注入する。
を、ラビング方向が平行になるように、セル厚２μmで
貼り合わせ、この間に、強誘電性液晶、光重合性モノマ
ー、重合開始剤を含む混合物を基板間に注入する。
【００６３】次に、図８（ｂ）のようにフォトマスクを
用いて上記混合物に光を照射する。これにより、図８
（ｃ）のように照射部分に壁５が形成され、非照射部分
に強誘電性液晶を残す液晶セルができる。
用いて上記混合物に光を照射する。これにより、図８
（ｃ）のように照射部分に壁５が形成され、非照射部分
に強誘電性液晶を残す液晶セルができる。
【００６４】このようにして作製された強誘電性液晶表
示装置においては、強誘電性液晶における壁５の近傍に
生じるひし形層（図示せず）の存在により、液晶の配向
欠陥であるジグザグ欠陥が発生しても、その上が遮光膜
６にて覆われているので、開口率の低下を最小限にした
状態で、耐ショック対策の施されたものとなる。
示装置においては、強誘電性液晶における壁５の近傍に
生じるひし形層（図示せず）の存在により、液晶の配向
欠陥であるジグザグ欠陥が発生しても、その上が遮光膜
６にて覆われているので、開口率の低下を最小限にした
状態で、耐ショック対策の施されたものとなる。
【００６５】上記実施例では壁５を画素の４方を包囲す
るように形成しているが、本発明はこれに限らず、３
方、２方または１方のみに対して形成してもよい。この
場合において、遮光膜の形成は、壁の全壁面における第
１の仮想直線の向いた方向の下流側の壁面近傍の液晶部
分を覆うように行えばよい。また、両基板に対して、ま
たはいずれか一方に設けるようにしてもよい。
るように形成しているが、本発明はこれに限らず、３
方、２方または１方のみに対して形成してもよい。この
場合において、遮光膜の形成は、壁の全壁面における第
１の仮想直線の向いた方向の下流側の壁面近傍の液晶部
分を覆うように行えばよい。また、両基板に対して、ま
たはいずれか一方に設けるようにしてもよい。
【００６６】上記各実施例では強誘電性液晶の特性につ
いては明言していないが、本発明は、負の誘電異方性を
有し、電圧−メモリパルス幅曲線において極小値を示す
強誘電性液晶を使用するのが好ましい。この強誘電性液
晶を使用する場合には、作用の欄で説明したように、高
速書き込み速度や高コントラストを図れ、広い動作温度
範囲が得られるなどの利点がある。但し、本発明はＣ２
Ｕ配向に限るのではなく、Ｃ１Ｕ配向などの他の配向状
態を使用してもよいことはもちろんである。
いては明言していないが、本発明は、負の誘電異方性を
有し、電圧−メモリパルス幅曲線において極小値を示す
強誘電性液晶を使用するのが好ましい。この強誘電性液
晶を使用する場合には、作用の欄で説明したように、高
速書き込み速度や高コントラストを図れ、広い動作温度
範囲が得られるなどの利点がある。但し、本発明はＣ２
Ｕ配向に限るのではなく、Ｃ１Ｕ配向などの他の配向状
態を使用してもよいことはもちろんである。
【００６７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
には、配向欠陥の発生箇所にのみ遮光膜を形成するの
で、そのことにより開口率の低下を最小限に抑えること
ができ、また壁が存在するため耐ショック対策を施すこ
とが可能となる。したがって、高コントラストで、耐シ
ョック性があり、かつ明るい強誘電性の液晶表示装置を
得ることができる。
には、配向欠陥の発生箇所にのみ遮光膜を形成するの
で、そのことにより開口率の低下を最小限に抑えること
ができ、また壁が存在するため耐ショック対策を施すこ
とが可能となる。したがって、高コントラストで、耐シ
ョック性があり、かつ明るい強誘電性の液晶表示装置を
得ることができる。
【図１】強誘電性液晶における層構造を説明するための
模式的断面図であり、（ａ）は強誘電性液晶を用いた液
晶表示装置が提案された当初のものであり、（ｂ）はそ
の後の研究により分かったものである。
模式的断面図であり、（ａ）は強誘電性液晶を用いた液
晶表示装置が提案された当初のものであり、（ｂ）はそ
の後の研究により分かったものである。
【図２】強誘電性液晶デバイスにおけるＣ１Ｕ配向とＣ
２Ｕ配向を説明するための分子配向模式図である。
２Ｕ配向を説明するための分子配向模式図である。
【図３】負の誘電異方性を有する強誘電性液晶材料にお
けるτ−Ｖmin特性の一例を示す図である。
けるτ−Ｖmin特性の一例を示す図である。
【図４】本発明における壁構造を示すと共に、Ｃ２配向
を有する強誘電性液晶の液晶表示装置における欠陥発生
を説明するための模式図である。
を有する強誘電性液晶の液晶表示装置における欠陥発生
を説明するための模式図である。
【図５】本発明における壁の作製方法例を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図６】本発明にかかる強誘電性の液晶表示装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】本発明の他の実施例にかかる強誘電性の液晶表
示装置を示す断面図である。
示装置を示す断面図である。
【図８】本発明の更に他の実施例にかかる強誘電性の液
晶表示装置を示す断面図である。
晶表示装置を示す断面図である。
【図９】強誘電性液晶の動作原理を示す模式図である。
【図１０】（ａ）は強誘電性液晶を用いた液晶表示装置
例を示す断面図であり、（ｂ）は従来の単純マトリクス
液晶表示装置例を示す断面図である。
例を示す断面図であり、（ｂ）は従来の単純マトリクス
液晶表示装置例を示す断面図である。
【図１１】従来の、壁を有する強誘電性の液晶表示装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１２】従来の、壁を有する強誘電性の液晶表示装置
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１ａ 基板 １ｂ 基板 ２ａ 透明電極膜 ２ｂ 透明電極膜 ３ａ 絶縁膜 ３ｂ 絶縁膜 ４ａ 配向膜 ４ｂ 配向膜 ５ 壁 ６ 遮光膜 ７ 強誘電性液晶
Claims (3)
- 【請求項１】 強誘電性液晶を間に挟んで対向配設され
た一対の基板の各々の液晶側に、少なくとも電極膜と配
向膜とが該配向膜を該液晶側に配して形成され、各基板
の近傍における液晶分子が基板に対してプレティルト角
度をもって配列され、各基板の近傍における液晶分子を
基板面から見たとき、該液晶分子の基板に近い側から遠
い側へ引いた第１の仮想直線の基板面に平行な方向成分
が両基板において同一であるように形成されている液晶
表示装置であって、 該強誘電性液晶がシェブロン層構造を有し、該シェブロ
ン層構造の或る層につき基板界面における位置から両基
板間の中央付近における位置へと引いた第２の仮想直線
の基板面に平行な方向成分が該第１の仮想直線の基板面
に平行な方向成分と同一方向であり、両基板間に、基板
表面を横切る方向に絶縁性の非液晶物質からなる壁が形
成され、該壁の全壁面における該第１の仮想直線の向い
た方向の下流側の壁面近傍の液晶部分を覆うように、両
基板のいずれか一方に遮光膜が設けられている液晶表示
装置。 - 【請求項２】 前記強誘電性液晶が負の誘電異方性を有
し、電圧−メモリパルス幅曲線において極小値を示すも
のである請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 対向配設した一対の基板間に、光重合性
モノマーと強誘電性液晶との混合物を封入する工程と、 所定のパターンを持つフォトマスクを用いて該混合物に
光を照射し、光照射部分に絶縁性の高分子の壁を作る工
程とを含む請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6172738A JPH0836169A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US08/434,487 US5644371A (en) | 1994-07-25 | 1995-05-04 | Liquid crystal display device and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6172738A JPH0836169A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836169A true JPH0836169A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15947406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6172738A Withdrawn JPH0836169A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5644371A (ja) |
| JP (1) | JPH0836169A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0821262A1 (en) * | 1996-07-26 | 1998-01-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69636766T2 (de) * | 1995-06-22 | 2007-10-18 | Sharp K.K. | Herstellungsverfahren einer ferroelektrischen Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| JPH09127516A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-16 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| US5959710A (en) * | 1996-08-26 | 1999-09-28 | Si Diamond Technology, Inc. | Display device with spacers made of carbon, graphite or diamond and method of making same |
| CN100485904C (zh) * | 1996-09-19 | 2009-05-06 | 精工爱普生株式会社 | 矩阵式显示元件及其制造方法 |
| JPH10123499A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Denso Corp | 液晶パネル |
| GB9813839D0 (en) | 1998-06-27 | 1998-08-26 | Sharp Kk | Ferroelectric liquid crystal devices |
| JP2000105386A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-04-11 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US6338976B1 (en) * | 2000-01-21 | 2002-01-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming optoelectronic microelectronic fabrication with attenuated bond pad corrosion |
| CN106371254A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-02-01 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59201021A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
| FR2618587B1 (fr) * | 1987-07-20 | 1992-04-24 | Commissariat Energie Atomique | Ecran a cristal liquide, a electrodes opacifiees dans la zone non commutable de l'ecran et procedes d'obtention d'espaceurs et de traitement de cet ecran |
| JPH03192334A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル |
| US5347381B1 (en) * | 1991-01-25 | 1997-07-01 | Sharp Kk | Ferroelectric liquid crystal display device with molecules between hairpin and lightning defects following the lightning defects |
| ATE147519T1 (de) * | 1991-10-30 | 1997-01-15 | Canon Kk | Flüssigkristallvorrichtung und anzeigevorrichtung |
| US5404237A (en) * | 1992-04-28 | 1995-04-04 | Katsuse; Hirofumi | Ferroelectric liquid crystal display having c2u alignment and the rewriting voltage<non-rewriting voltage |
| JP2930496B2 (ja) * | 1992-04-28 | 1999-08-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
| JPH06308500A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Sharp Corp | 強誘電性液晶表示素子 |
| JPH06347765A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
-
1994
- 1994-07-25 JP JP6172738A patent/JPH0836169A/ja not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-05-04 US US08/434,487 patent/US5644371A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0821262A1 (en) * | 1996-07-26 | 1998-01-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| US6016180A (en) * | 1996-07-26 | 2000-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| US6118510A (en) * | 1996-07-26 | 2000-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5644371A (en) | 1997-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5956112A (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| JP3850002B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| US5822031A (en) | Liquid crystal device | |
| JP2002277877A5 (ja) | ||
| JP3566117B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0836169A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| US5452114A (en) | Ferroelectric liquid crystal device with grooves between electrode on one substrate, ridges on the other | |
| JPH03261914A (ja) | 液晶表示素子 | |
| US6690440B1 (en) | Liquid crystal element and manufacturing method thereof | |
| JP2000193980A (ja) | 液晶表示素子とその製造方法 | |
| JP2806673B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPS6218522A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0829790A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2683032B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JP3045628B2 (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| KR100294686B1 (ko) | 복합전계방식 액정표시소자 | |
| JP3204256B2 (ja) | 液晶素子及びその製造方法並びに液晶表示素子及びその駆動方法 | |
| JP4656526B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH08271921A (ja) | 液晶装置及びその製造方法 | |
| JPH11249141A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH10268322A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2640259B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JP3136437B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH07301803A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JPH0895052A (ja) | 液晶表示パネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |