TW202240278A - 極紫外遮罩吸收劑材料 - Google Patents

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Abstract

本文揭示極紫外（EUV）遮罩坯料、其製造方法及其生產系統。EUV遮罩坯料包括：基板；在基板上的反射層之多層堆疊；在反射層之多層堆疊上的覆蓋層；及在覆蓋層上的吸收劑層，吸收劑層包括選自以下的合金：釕（Ru）與矽（Si）之合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之合金。

Description

極紫外遮罩吸收劑材料
本揭示案大致上關於極紫外微影術，並且更具體而言關於具有合金吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造之方法。
極紫外（EUV）微影術，亦稱為軟X射線投影微影術，用於製造0.0135微米及更小的最小特徵尺寸的半導體元件。然而，通常在5至100奈米波長範圍中的極紫外光在幾乎所有的材料中被強烈地吸收。因此，極紫外系統藉由光之反射而不是藉由光之透射來運作。透過使用一系列鏡，或透鏡元件，及反射元件，或遮罩坯料，以非反射吸收劑遮罩圖案塗佈，圖案化光化學光線被反射至阻劑塗佈的半導體基板上。
以例如鉬（Mo）及矽（Si）的材料的反射多層塗層來塗佈極紫外微影系統之透鏡元件及遮罩坯料。藉由使用塗佈有多層塗層的基板已獲得每一透鏡元件或遮罩坯料大約65%的反射值，多層塗層強烈地反射在極窄的紫外帶通內的光，舉例而言，對於13.5奈米紫外光的12.5至14.5奈米的帶通。
第1圖圖示由EUV遮罩坯料形成的習知EUV反射遮罩10，其包含在基板14上的反射多層堆疊12，其藉由布拉格干涉在未遮蔽部分反射EUV輻射。習知EUV反射遮罩10之遮蔽（非反射）區域16藉由蝕刻緩衝層18及吸收層20來形成。吸收層通常具有在51 nm至77 nm的範圍中的厚度。覆蓋層22形成在反射多層堆疊12上方，並且在蝕刻製程期間保護反射多層堆疊12。如以下將進一步論述的，EUV遮罩坯料在塗佈有多層、覆蓋層及吸收層的低熱膨脹材料基板上製成，然後將其蝕刻以提供遮蔽（非反射）區域16及反射區域24。
國際半導體技術發展藍圖（ITRS）將節點的覆蓋要求指定為技術的最小半間距特徵尺寸之某個百分比。由於對所有反射微影系統中固有的圖像放置及覆蓋誤差的影響，EUV反射遮罩將需要遵守更精確的平坦度規格用於未來的生產。另外，EUV坯料對坯料之工作區域上的缺陷具有非常低的容忍度。此外，儘管吸收層的角色為吸收光，但由於吸收層的折射率與真空的折射率（n=1）之間的差異，也存在相位移(phase shift)效應，此相位移解釋了3D遮罩效應。需要提供具有更薄吸收劑的EUV遮罩坯料以減輕3D遮罩效應。
本揭示案之一或更多個實施例針對一種製造極紫外（EUV）遮罩坯料之方法，包括：在基板上形成反射EUV輻射的多層堆疊，此多層堆疊包括複數個反射層對；在多層堆疊上形成覆蓋層；及在覆蓋層上形成吸收劑層，此吸收劑層選自合金，合金選自由以下合金組成的群組：合金選自釕（Ru）與矽（Si）之合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之合金。
本揭示案之另外的實施例針對一種EUV遮罩坯料，包括：基板；反射EUV輻射的多層堆疊，此多層堆疊包括複數個反射層對；在反射層之多層堆疊上的覆蓋層；及在覆蓋層上的吸收劑層，此吸收劑層選自由以下合金組成的群組：合金選自釕（Ru）與矽（Si）之合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之合金。
在描述本揭示案之幾個示例性實施例之前，應理解，本揭示案不限於以下描述中記載的構造或製程步驟之細節。本揭示案能夠有其他實施例並且能夠以各種方式來實踐或執行。
如本文所使用的用語「水平」界定為與遮罩坯料之平面或表面平行的平面，無論其定向如何。用語「垂直」指與剛界定的水平垂直的方向。用語例如「上方」、「下方」、「底部」、「頂部」、「側面」（如以「側壁」）、「更高」、「更低」、「上部」、「之上」及「之下」為相對於水平面界定的，如圖所示。
用語「在……上」指示元件之間存在直接接觸。用語「直接在……上」指示元件之間存在直接接觸而沒有中間元件。
本領域具有通常知識者將理解，使用例如「第一」及「第二」的序數來描述製程區域並不暗示處理腔室內的特定位置或處理腔室內的暴露之順序。
如在此說明書及所附申請專利範圍中所使用的，用語「基板」指製程作用於其上的表面或表面之一部分。本領域具有通常知識者亦將理解，對基板的參照僅指基板之一部分，除非上下文另有明確指示。另外，參照在基板上沉積的步驟意指裸基板以及具有沉積或形成在其上的一或更多個膜或特徵的基板兩者。
現參照第2圖，圖示極紫外微影系統100之示例性實施例。極紫外微影系統100包含用於產生極紫外光112的極紫外光源102、一組反射元件，以及目標晶圓110。反射元件包含聚光器104、EUV反射遮罩106、光學減小組件108、遮罩坯料、鏡或其組合。
極紫外光源102產生極紫外光112。極紫外光112為具有在5至50奈米（nm）的範圍中的波長的電磁輻射。舉例而言，極紫外光源102包含雷射、雷射產生的電漿、放電產生的電漿、自由電子雷射、同步輻射或其組合。
極紫外光源102產生具有各種特性的極紫外光112。極紫外光源102在一波長範圍內產生寬帶極紫外輻射。舉例而言，極紫外光源102產生具有範圍從5至50 nm的波長的極紫外光112。在一或更多個實施例中，極紫外光源102產生具有窄帶寬的極紫外光112。舉例而言，極紫外光源102產生13.5 nm的極紫外光112。波長峰值之中心為13.5 nm。
聚光器104為用於反射及聚焦極紫外光112的光學單元。聚光器104反射並且集中來自極紫外光源102的極紫外光112以照射EUV反射遮罩106。
儘管聚光器104圖示為單一元件，但應理解，在一些實施例中，聚光器104包含一或更多個反射元件，例如凹面鏡、凸面鏡、平面鏡或其組合，用於反射並且集中極紫外光112。舉例而言，在一些實施例中，聚光器104為單一凹面鏡或具有凸面、凹面及平面光學元件的光學組件。
EUV反射遮罩106為具有遮罩圖案114的極紫外反射元件。EUV反射遮罩106產生微影圖案以形成將在目標晶圓110上形成的電路佈局。EUV反射遮罩106反射極紫外光112。遮罩圖案114界定電路佈局之一部分。
光學減小組件108為用於減小遮罩圖案114之圖像的光學單元。來自EUV反射遮罩106的極紫外光112之反射被光學減小組件108減小並且被反射至目標晶圓110上。在一些實施例中，光學減小組件108包含鏡及其他光學元件，以減小遮罩圖案114之圖像之尺寸。舉例而言，在一些實施例中，光學減小組件108包含用於反射並且聚焦極紫外光112的凹面鏡。
光學減小組件108減小目標晶圓110上的遮罩圖案114之圖像之尺寸。舉例而言，在一些實施例中，遮罩圖案114藉由光學減小組件108以4:1的比例成像在目標晶圓110上以在目標晶圓110上形成由遮罩圖案114表示的電路。在一些實施例中，極紫外光112與目標晶圓110同步地掃描EUV反射遮罩106，以在目標晶圓110上形成遮罩圖案114。
現參照第3圖，圖示極紫外反射元件生產系統200之實施例。極紫外反射元件包含EUV遮罩坯料204、極紫外鏡205或其他反射元件，例如EUV反射遮罩106。
在一些實施例中，極紫外反射元件生產系統200產生遮罩坯料、鏡或反射第2圖之極紫外光112的其他元件。極紫外反射元件生產系統200藉由將薄塗層施加至源基板203來製造反射元件。
EUV遮罩坯料204為用於形成第2圖之EUV反射遮罩106的多層結構。在一些實施例中，使用半導體製造技術形成EUV遮罩坯料204。在一些實施例中，EUV反射遮罩106具有藉由蝕刻及其他製程形成在EUV遮罩坯料204上的第2圖之遮罩圖案114。
極紫外鏡205為在極紫外光112之範圍中具反射性的多層結構。在一些實施例中，使用半導體製造技術形成極紫外鏡205。在一些實施例中，EUV遮罩坯料204與極紫外鏡205為關於在每個元件上形成的層的類似結構，然而，極紫外鏡205不具有遮罩圖案114。
反射元件為極紫外光112之有效反射器。在實施例中，EUV遮罩坯料204與極紫外鏡205具有大於60%的極紫外反射率。若反射元件反射超過60%的極紫外光112，則反射元件為有效的。
極紫外反射元件生產系統200包含晶圓裝載與載具傳送系統202，源基板203被裝載至晶圓裝載與載具傳送系統202中，並且反射元件從晶圓裝載與載具傳送系統202卸載。大氣傳送系統206提供對晶圓傳送真空腔室208的存取。在一些實施例中，晶圓裝載與載具傳送系統202包含基板傳輸箱、裝載閘及其他部件，以將來自大氣的基板傳送至系統內部的真空。因為EUV遮罩坯料204用於以非常小的尺度形成元件，所以源基板203與EUV遮罩坯料204為在真空系統中處理，以防止污染及其他缺陷。
在一些實施例中，晶圓傳送真空腔室208含有兩個真空腔室，第一真空腔室210及第二真空腔室212。第一真空腔室210包含第一晶圓傳送系統214，第二真空腔室212包含第二晶圓傳送系統216。儘管以兩個真空腔室描述晶圓傳送真空腔室208，但應理解在一些實施例中，系統可具有任何數量的真空腔室。
在一些實施例中，晶圓傳送真空腔室208具有圍繞其周圍的複數個端口，用於附接各種其他系統。第一真空腔室210具有脫氣系統218、第一物理氣相沉積系統220、第二物理氣相沉積系統222及預清潔系統224。脫氣系統218用於從基板熱解吸濕氣。預清潔系統224用於清潔晶圓、遮罩坯料、鏡或其他光學部件之表面。
在一些實施例中，物理氣相沉積系統，例如第一物理氣相沉積系統220及第二物理氣相沉積系統222，用於在源基板203上形成導電材料之薄膜。舉例而言，在一些實施例中，物理氣相沉積系統包含真空沉積系統，例如磁控濺射系統、離子濺射系統、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積，或其組合。物理氣相沉積系統（例如磁控濺射系統）在源基板203上形成薄層，其包含矽、金屬、合金、化合物或其組合之層。
物理氣相沉積系統形成反射層、覆蓋層及吸收劑層。舉例而言，在一些實施例中，物理氣相沉積系統形成矽、鉬、釕、鉭、銻、氧化鈦、二氧化鈦、氧化釕、氧化鈮、銥、氧化銥、釕鎢、釕鉬、釕鈮、鉻、鉑、鐵、銅、硼、鎳、鉍、碲、鉿、鉭、氮化物、化合物或其組合之層。儘管一些化合物被描述為氧化物，但應理解在一些實施例中，化合物包含氧化物、二氧化物、具有氧（O）原子的原子混合物，或其組合。
第二真空腔室212具有與其連接的第一多陰極源226、化學氣相沉積系統228、固化腔室230及超平滑沉積腔室232。舉例而言，在一些實施例中，化學氣相沉積系統228包含可流動式化學氣相沉積系統（FCVD）、電漿輔助化學氣相沉積系統（CVD）、氣溶膠輔助CVD系統、熱絲CVD系統或類似的系統。在另一個示例中，在一些實施例中，化學氣相沉積系統228、固化腔室230及超平滑沉積腔室232在與極紫外反射元件生產系統200分開的系統中。
在一些實施例中，化學氣相沉積系統228在源基板203上形成材料之薄膜。舉例而言，在一些實施例中，化學氣相沉積系統228用以在源基板203上形成材料之層，包含單晶層、多晶層、非晶層、磊晶層，或其組合。在一些實施例中，化學氣相沉積系統228形成矽、氧化矽、碳氧化矽、鉭、碲、銻、鉑、銥、鉿、鐵、銅、硼、鎳、鎢、鉍、碳化矽、氮化矽、氮化鈦、金屬、合金及其他適用於化學氣相沉積的材料之層。舉例而言，在一些實施例中，化學氣相沉積系統228形成平坦化層。
第一晶圓傳送系統214能夠在大氣傳送系統206與在連續真空中圍繞第一真空腔室210之周圍的各種系統之間移動源基板203。第二晶圓傳送系統216能夠使源基板203圍繞第二真空腔室212移動，同時將源基板203維持在連續真空中。在一些實施例中，極紫外反射元件生產系統200在連續真空中在第一晶圓傳送系統214、第二晶圓傳送系統216之間傳送源基板203及EUV遮罩坯料204。
現參照第4圖，圖示極紫外反射元件302之實施例。在一或更多個實施例中，極紫外反射元件302為第3圖之EUV遮罩坯料204或第3圖之極紫外鏡205。EUV遮罩坯料204與極紫外鏡205為用於反射第2圖之極紫外光112的結構。在一些實施例中，EUV遮罩坯料204用以形成第2圖所示的EUV反射遮罩106。
極紫外反射元件302包含基板304、反射層之多層堆疊306以及覆蓋層308。在一或更多個實施例中，極紫外鏡205用以形成在第2圖之聚光器104或第2圖之光學減小組件108中使用的反射結構。
極紫外反射元件302，其在一些實施例中為EUV遮罩坯料204，包含基板304、反射層之多層堆疊306、覆蓋層308以及吸收劑層310。在一些實施例中，極紫外反射元件302為EUV遮罩坯料204，其用以藉由將吸收劑層310圖案化成具有所需電路之佈局而形成第2圖之EUV反射遮罩106。
在以下部分中，為了簡化，用於EUV遮罩坯料204的用語與用於極紫外鏡205的用語可互換使用。在一或更多個實施例中，EUV遮罩坯料204包含除了形成第2圖之遮罩圖案114之外添加了吸收劑層310的極紫外鏡205之部件。
EUV遮罩坯料204為用於形成具有遮罩圖案114的EUV反射遮罩106的光學平坦結構。在一或更多個實施例中，EUV遮罩坯料204之反射表面形成用於反射入射光（例如第2圖之極紫外光112）的平坦焦平面。
基板304為用於對極紫外反射元件302提供結構支撐的元件。在一或更多個實施例中，基板304由具有低熱膨脹係數（CTE）的材料製成，以在溫度改變期間提供穩定性。在一或更多個實施例中，基板304具有例如針對機械循環、熱循環、晶體形成或其組合的穩定性的性質。根據一或更多個實施例，基板304由例如矽（Si）、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷或其組合的材料形成。
多層堆疊306為對極紫外光112具反射性的結構。多層堆疊306包含第一反射層312與第二反射層314之交替反射層。
第一反射層312與第二反射層314形成第4圖之反射對316。在非限制性實施例中，多層堆疊306包含20~60個反射對316的範圍而總共多達120個反射層。
在一些實施例中，第一反射層312及第二反射層314由各種材料形成。在實施例中，第一反射層312及第二反射層314分別由矽（Si）及鉬（Mo）形成。儘管這些層圖示為矽（Si）及鉬（Mo），但應理解在一些實施例中，交替層由其他材料形成或具有其他內部結構。
在一些實施例中，第一反射層312及第二反射層314具有各種結構。在實施例中，第一反射層312及第二反射層314兩者皆由單層、多層、分層結構、不均勻結構或其組合形成。
因為大多數材料吸收極紫外波長的光，所以使用的光學元件為反射性的，而不是如在其他微影系統中使用的為透射性的。多層堆疊306藉由具有不同光學性質的交替的薄材料層來形成反射結構，以產生布拉格反射器或鏡。
在實施例中，每個交替層對於極紫外光112具有不同的光學常數。當交替層之厚度之週期為極紫外光112之波長之一半時，交替層提供共振反射率。在實施例中，對於波長為13 nm的極紫外光112，交替層約6.5 nm厚。應理解，所提供的大小及尺寸在典型元件的正常工程公差內。
在一些實施例中，多層堆疊306以各種方式形成。在實施例中，第一反射層312及第二反射層314由磁控濺射、離子濺射系統、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積或其組合形成。
在說明性實施例中，多層堆疊306使用物理氣相沉積技術形成，例如磁控濺射。在實施例中，多層堆疊306之第一反射層312及第二反射層314具有藉由磁控濺射技術所形成的特性，包含精確的厚度、低粗糙度及在層之間的清潔界面。在實施例中，多層堆疊306之第一反射層312及第二反射層314具有藉由物理氣相沉積所形成的特性，包含精確的厚度、低粗糙度及在層之間的清潔界面。
在一些實施例中，精確地控制使用物理氣相沉積技術所形成的多層堆疊306之層之物理尺寸以增加反射率。在實施例中，第一反射層312，例如矽（Si）之層，具有4.1 nm的厚度。第二反射層314，例如鉬（Mo）之層，具有2.8 nm的厚度。層之厚度指定極紫外反射元件之峰值反射率波長。若層之厚度不正確，則在一些實施例中在期望的波長13.5 nm下的反射率減少。
在實施例中，多層堆疊306具有大於60%的反射率。在實施例中，使用物理氣相沉積所形成的多層堆疊306具有在66%~67%的範圍中的反射率。在一或更多個實施例中，在多層堆疊306上方由較硬材料形成覆蓋層308提高反射率。在一些實施例中，使用低粗糙度層、在層之間的清潔界面、改善的層材料或其組合來達成大於70%的反射率。
在一或更多個實施例中，覆蓋層308為允許極紫外光112之透射的保護層。在實施例中，覆蓋層308直接形成在多層堆疊306上。在一或更多個實施例中，覆蓋層308保護多層堆疊306免受污染及機械損壞。在一個實施例中，多層堆疊306對於氧（O）、鉭（Ta）、氫化鉭(hydrotantalums)或其組合的污染敏感。根據實施例的覆蓋層308與污染物相互作用以中和污染物。
在一或更多個實施例中，覆蓋層308為對極紫外光112透明的光學均勻結構。極紫外光112穿過覆蓋層308以反射離開多層堆疊306。在一或更多個實施例中，覆蓋層308具有1%至2%的總反射率損失。在一或更多個實施例中，每個不同的材料取決於厚度具有不同的反射率損失，但他們都將在1%至2%的範圍中。
在一或更多個實施例中，覆蓋層308具有平滑表面。舉例而言，在一些實施例中，覆蓋層308之表面具有小於0.2 nm RMS（均方根度量）的粗糙度。在另一個示例中，覆蓋層308之表面對於在1/100 nm與1/1 μm的範圍中的長度具有0.08 nm RMS的粗糙度。RMS粗糙度將根據其量測範圍而變化。對於100 nm至1微米的特定範圍而言，粗糙度為0.08 nm或更小。在較大的範圍中，粗糙度將較高。
在一些實施例中，覆蓋層308以各種方法形成。在實施例中，覆蓋層308藉由磁控濺射、離子濺射系統、離子束沉積、電子束蒸發、射頻（RF）濺射、原子層沉積（ALD）、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積或其組合形成在或直接形成在多層堆疊306上。在一或更多個實施例中，覆蓋層308具有藉由磁控濺射技術所形成的物理特性，包含精確的厚度、低粗糙度及在層之間的清潔界面。在實施例中，覆蓋層308具有藉由物理氣相沉積所形成的物理特性，包含精確的厚度、低粗糙度及在層之間的清潔界面。
在一或更多個實施例中，覆蓋層308由具有足以在清潔期間抵抗侵蝕的硬度的各種材料形成。在一個實施例中，釕（Ru）用作覆蓋層材料，因為釕為良好的蝕刻終止並且在操作條件下為相對惰性的。然而，應理解在一些實施例中，可使用其他材料來形成覆蓋層308。在特定的實施例中，覆蓋層308具有在2.5與5.0 nm的範圍中的厚度。
在一或更多個實施例中，吸收劑層310為吸收極紫外光112的層。在實施例中，吸收劑層310用以藉由提供不反射極紫外光112的區域而在EUV反射遮罩106上形成圖案。根據一或更多個實施例，吸收劑層310包括對於極紫外光112之特定頻率（例如約13.5 nm）具有高吸收係數的材料。在實施例中，吸收劑層310直接形成在覆蓋層308上，並且使用微影製程蝕刻吸收劑層310以形成EUV反射遮罩106之圖案。
根據一或更多個實施例，極紫外反射元件302（例如極紫外鏡205）由基板304、多層堆疊306及覆蓋層308形成。極紫外鏡205具有光學平坦的表面，並且在一些實施例中有效地且均勻地反射極紫外光112。
根據一或更多個實施例，極紫外反射元件302（例如EUV遮罩坯料204）由基板304、多層堆疊306、覆蓋層308及吸收劑層310形成。遮罩坯料204具有光學平坦的表面，並且在一些實施例中有效地且均勻地反射極紫外光112。在實施例中，遮罩圖案114由EUV遮罩坯料204之吸收劑層310形成。
根據一或更多個實施例，在覆蓋層308上方形成吸收劑層310增加EUV反射遮罩106之可靠性。覆蓋層308用作吸收劑層310的蝕刻終止層。當第2圖之遮罩圖案114被蝕刻至吸收劑層310中時，位於吸收劑層310下的覆蓋層308停止蝕刻作用以保護多層堆疊306。在一或更多個實施例中，吸收劑層310對覆蓋層308具有蝕刻選擇性。在一些實施例中，覆蓋層308包括釕（Ru），並且吸收劑層310對釕（Ru）具有蝕刻選擇性。
在實施例中，吸收劑層310包括釕（Ru）與矽（Si）之合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金；以及釕（Ru）與鉬（Mo）之合金。在一些實施例中，吸收劑具有小於約100 nm的厚度。在一些實施例中，吸收劑層具有小於約65 nm的厚度，包含小於約60 nm、小於約55 nm、小於約50 nm、小於約45 nm、小於約40 nm或小於約35 nm。在其他實施例中，吸收劑層310的厚度在從約0.5 nm至約100 nm、從約0.5 nm至約85 nm、從約0.5 nm至約75 nm、從約0.5 nm至約65 nm的範圍中，包含從約1 nm至約100 nm、從約1 nm至約90 nm、從約1 nm至約80 nm、從約1 nm至約70 nm、從約1 nm至約60 nm、1 nm至約55 nm及15 nm至約50 nm的範圍中。
包括選自釕（Ru）與矽（Si）之合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之合金的合金的吸收劑之模擬測試與氮化鉭（TaN）吸收劑相比表現出更好的微影效能。與TaN吸收劑相比，本文所述的合金吸收劑表現出更好的焦深（Depth of Focus; DOF）、正歸化成像對數斜率（Normalized Image Log-Slope; NILS）及遠心度誤差（Telecentricity error;TCE）。在一或更多個實施例中，本文所述的合金吸收劑表現出π至1.3π的相位移，其具有比傳統的EUV吸收劑材料（例如TaN）更薄的厚度。
在一或更多個實施例中，吸收劑層包括釕（Ru）與矽（Si）之合金，並且此合金包括基於合金之總重量從約78.3重量%至約98.6重量%的釕（Ru）與從約1.4重量%至約21.7重量%的矽（Si）。在一或更多個實施例中，此合金包括基於合金之總重量從約68.3重量%至約88.6重量%的釕（Ru）與從約11.4重量%至約31.7重量%的矽（Si）。在一或更多個實施例中，此合金包括基於合金之總重量從約58.3重量%至約78.6重量%的釕（Ru）與從約21.4重量%至約41.7重量%的矽（Si）。在一或更多個實施例中，釕（Ru）與矽（Si）之合金為單相合金。
在一或更多個實施例中，鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金包括基於合金之總重量從約9.3重量%至約89.3重量%的鉭（Ta）與從約10.7重量%至約90.7重量%的鉑（Pt）。在一或更多個實施例中，鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金包括基於合金之總重量從約19.3重量%至約79.3重量%的鉭（Ta）與從約20.7重量%至約80.7重量%的鉑（Pt）。在一或更多個實施例中，鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金包括基於合金之總重量從約29.3重量%至約69.3重量%的鉭（Ta）與從約30.7重量%至約70.7重量%的鉑（Pt）。在一或更多個實施例中，鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金為單相合金。
在一或更多個實施例中，吸收劑層包括釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，並且此合金包括從約10.5重量%至約90.4重量%的釕（Ru）與從約9.6重量%至約89.5重量%的鉬（Mo）。在一或更多個實施例中，此合金包括基於合金之總重量從約20.5重量%至約80.4重量%的釕（Ru）與從約19.6重量%至約79.5重量%的鉬（Mo）。在一或更多個實施例中，此合金包括基於合金之總重量從約30.5重量%至約70.4重量%的釕（Ru）與從約29.6重量%至約69.5重量%的鉬（Mo）。在一或更多個實施例中，釕（Ru）與鉬（Mo）之合金為單相合金。
在一或更多個實施例中，釕（Ru）與矽（Si）之合金、鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金或釕（Ru）與鉬（Mo）之合金包括摻雜劑。摻雜劑可選自氮（N）或氧（O）之一或更多者。在實施例中，摻雜劑包括氧（O）。在替代實施例中，摻雜劑包括氮（N）。在實施例中，摻雜劑在合金中基於合金之重量以約0.1重量%至約5重量%的範圍中的量存在。在其他實施例中，摻雜劑在合金中以約0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1.0重量%、1.1重量%、1.2重量%、1.3重量%、1.4重量%、1.5重量%、1.6重量%、1.7重量%、1.8重量%、1.9重量%、2.0重量%、2.1重量%、2.2重量%、2.3重量%、2.4重量%、2.5重量%、2.6重量%、2.7重量%、2.8重量%、2.9重量%、3.0重量%、3.1重量%、3.2重量%、3.3重量%、3.4重量%、3.5重量%、3.6重量%、3.7重量%、3.8重量%、3.9重量%、4.0重量%、4.1重量%、4.2重量%、4.3重量%、4.4重量%、4.5重量%、4.6重量%、4.7重量%、4.8重量%、4.9重量%或5.0重量%的量存在。
在一或更多個實施例中，吸收劑層之合金為在物理沉積腔室中使用包括合金之每種金屬成分的多個靶材形成的共同濺射的合金吸收劑材料，在一些實施例中，此提供更薄的吸收劑層厚度（例如，小於100 nm、小於90 nm、小於80 nm、小於70 nm、小於60 nm、小於50 nm、小於40 nm或小於30 nm），同時達成小於2%的反射率及適合的蝕刻性質。在一或更多個實施例中，吸收劑層之合金與選自氬（Ar）、氧（O 2）或氮（N 2）之一或更多者的氣體共同濺射。在實施例中，在一些實施例中，吸收劑層之合金藉由氬氣與氧氣（Ar + O 2）之混合物共同濺射。在一些實施例中，在氬氣與氧氣（Ar + O 2）之混合物中共同濺射形成對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）之氧化物及/或矽（Si）之氧化物，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，形成鉭（Ta）之氧化物及/或鉑（Pt）之氧化物，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，形成釕（Ru）之氧化物及/或鉬（Mo）之氧化物。在其他實施例中，藉由氬氣與氧氣（Ar + O 2）之混合物的共同濺射不會形成本文揭示的每種合金之一或更多種成分之氧化物。在實施例中，在一些實施例中，吸收劑層之合金在氬氣與氮氣（Ar + N 2）之混合物中共同濺射。在一些實施例中，在氬氣與氮氣（Ar + N 2）之混合物中共同濺射形成對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）之氮化物及/或矽（Si）之氮化物，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，形成鉭（Ta）之氮化物及/或鉑（Pt）之氮化物，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，形成釕（Ru）之氮化物及/或鉬（Mo）之氮化物。在其他實施例中，在氬氣與氮氣（Ar + N 2）之混合物中共同濺射不會形成本文揭示的合金之一或更多種成分之氮化物。在實施例中，在一些實施例中，吸收劑層之合金在氬氣與氧氣與氮氣（Ar + O 2+ N 2）之混合物中共同濺射。在一些實施例中，在氬氣與氧氣與氮氣（Ar + O 2+ N 2）之混合物中共同濺射形成對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）之氧化物及/或氮化物及/或矽（Si）之氧化物及/或氮化物，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，形成鉭（Ta）之氧化物及/或氮化物及/或鉑之氧化物及/或氮化物（Pt），或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，形成釕（Ru）之氧化物及/或氮化物及/或鉬（Mo）之氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，在氬氣與氧氣與氮氣（Ar + O 2+ N 2）之混合物中共同濺射不會形成本文所述的合金之一或更多種成分之氧化物或氮化物。在實施例中，在一些實施例中，吸收劑層之蝕刻性質及/或其他性質藉由控制如上所述的一或更多種合金百分比來客製化以合乎規範。在實施例中，在一些實施例中，一或更多種合金百分比藉由物理氣相沉積腔室之操作參數例如電壓、壓力、流量等來精確控制。在實施例中，製程氣體用於進一步修改材料性質，舉例而言，N 2氣體用於形成釕（Ru）與矽（Si）之合金、鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金或釕（Ru）與鉬（Mo）之合金之一或更多種成分之氮化物。
在一或更多個實施例中，如本文所使用的「共同濺射」意指至少兩個靶材，對於釕（Ru）與矽（Si）之合金，包括釕（Ru）的第一靶材與包括矽（Si）的第二靶材，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，包括鉭（Ta）的第一靶材與包括鉑（Pt）的第二靶材，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）合金，由釕（Ru）組成的第一靶材與由鉬（Mo）組成的第二靶材，使用選自氬（Ar）、氧（O 2）或氮（N 2）的一或更多種氣體同時濺射此等靶材，以沉積/形成選自釕（Ru）與矽（Si）之合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之合金的吸收劑層。
在其他實施例中，使用選自氬（Ar）、氧（O 2）或氮（N 2）之一或更多者的氣體，釕（Ru）與矽（Si）之合金、鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金或釕（Ru）與鉬（Mo）之合金被逐層沉積而作為釕（Ru）層與矽（Si）層之疊層、鉭（Ta）層與鉑（Pt）層之疊層或釕（Ru）層與鉬（Mo）層之疊層。在實施例中，在一些實施例中，使用氬氣與氧氣（Ar + O 2）之混合物，吸收劑層之合金被逐層沉積而作為釕（Ru）層與矽（Si）層之疊層、鉭（Ta）層與鉑（Pt）層之疊層或釕（Ru）層與鉬（Mo）層之疊層。在一些實施例中，使用氬氣與氧氣（Ar + O 2）之混合物的逐層沉積形成對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）之氧化物及/或矽（Si）之氧化物（Si），或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，形成鉭（Ta）之氧化物及/或鉑（Pt）之氧化物，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，形成釕（Ru）之氧化物及/或鉬（Mo）之氧化物。在其他實施例中，使用氬氣與氧氣（Ar + O 2）之混合物的逐層沉積不會形成構成這些疊層的金屬之氧化物。在實施例中，在一些實施例中，使用氬氣與氮氣（Ar + N 2）之混合物，吸收劑層之合金被逐層沉積而作為對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）層與矽（Si）層之疊層，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金的鉭（Ta）層與鉑（Pt）層之疊層，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金的釕（Ru）層與鉬（Mo）層之疊層。在一些實施例中，使用氬氣與氮氣（Ar + N 2）之混合物的逐層沉積形成對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）之氮化物及/或矽（Si）之氮化物，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，形成鉭（Ta）之氮化物及/或鉑（Pt）之氮化物，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，形成釕（Ru）之氮化物及/或鉬（Mo）之氮化物。在其他實施例中，使用氬氣與氮氣（Ar + N 2）之混合物的逐層沉積不會形成構成這些疊層中之每一者的金屬之氮化物。在實施例中，在一些實施例中，使用氬氣與氧氣與氮氣（Ar + O 2+ N 2）之混合物，吸收劑層之合金被逐層沉積而作為對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）層與矽（Si）層之疊層，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金的鉭（Ta）層與鉑（Pt）層之疊層，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金的釕（Ru）層與鉬（Mo）層之疊層。在一些實施例中，使用氬氣與氧氣與氮氣（Ar + O 2+ N 2）之混合物的逐層沉積形成對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）之氧化物及/或氮化物及/或矽（Si）之氧化物及/或氮化物，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，形成鉭（Ta）之氧化物及/或氮化物及/或鉑（Pt）之氧化物及/或氮化物，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，形成釕（Ru）之氧化物及/或氮化物及/或鉬（Mo）之氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，使用氬氣與氧氣與氮氣（Ar + O 2+ N 2）之混合物的逐層沉積不會形成這些疊層之一或更多種成分之氧化物或氮化物。
在一或更多個實施例中，本文所述的合金組合物之塊狀(bulk)靶材可藉由使用選自氬（Ar）、氧（O 2）或氮（N 2）之一或更多種氣體的一般濺射來製成。在一或更多個實施例中，合金為使用具有與合金相同組成的塊狀靶材來沉積並且使用選自氬（Ar）、氧（O 2）或氮（N 2）之一或更多種氣體來濺射，以形成吸收劑層。在實施例中，在一些實施例中，吸收劑層之合金為使用具有與合金相同組成的塊狀靶材來沉積並且使用氬氣與氧氣（Ar + O 2）之混合物來濺射。在一些實施例中，使用氬氣與氧氣（Ar + O 2）之混合物的塊狀靶材沉積形成對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）之氧化物及/或矽（Si）之氧化物，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，形成鉭（Ta）之氧化物及/或鉑（Pt）之氧化物，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，形成釕（Ru）之氧化物及/或鉬（Mo）之氧化物。在其他實施例中，使用氬氣與氧氣（Ar + O 2）之混合物的塊狀靶材沉積不會形成這些疊層之每種金屬之氧化物。在實施例中，在一些實施例中，吸收劑層之合金為使用具有與合金相同組成的塊狀靶材來沉積並且使用氬氣與氮氣（Ar + N 2）之混合物來濺射。在一些實施例中，使用氬氣與氮氣（Ar + N 2）之混合物的塊狀靶材沉積形成對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）之氮化物及/或矽（Si）之氮化物，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，形成鉭（Ta）之氮化物及/或鉑（Pt）之氮化物，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，形成釕（Ru）之氮化物及/或鉬（Mo）之氮化物。在其他實施例中，使用氬氣與氮氣（Ar + N 2）之混合物的塊狀靶材沉積不會形成合金之一或更多種成分之氮化物。在實施例中，在一些實施例中，吸收劑層之合金為使用具有與合金相同組成的塊狀靶材來沉積並且使用氬氣與氧氣與氮氣（Ar + O 2+ N 2）之混合物來濺射。在一些實施例中，使用氬氣與氧氣與氮氣（Ar + O 2+ N 2）之混合物的塊狀靶材沉積形成對於釕（Ru）與矽（Si）之合金的釕（Ru）之氧化物及/或氮化物及/或矽（Si）之氧化物及/或氮化物，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，形成鉭（Ta）之氧化物及/或氮化物及/或鉑（Pt）之氧化物及/或氮化物，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，形成釕（Ru）之氧化物及/或氮化物及/或鉬（Mo）之氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，使用氬氣與氧氣與氮氣（Ar + O 2+ N 2）之混合物的塊狀靶材沉積不會形成合金之一或更多種成分之氧化物或氮化物。在一些實施例中，釕（Ru）與矽（Si）之合金、鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金或釕（Ru）與鉬（Mo）之合金被摻雜在從0.1重量%至5重量%的範圍中的氮（N）或氧（O）之一或更多者。
在一些實施例中，EUV遮罩坯料在物理沉積腔室中製成，此物理沉積腔室具有包括第一吸收劑材料的第一陰極、包括第二吸收劑材料的第二陰極、包括第三吸收劑材料的第三陰極、包括第四吸收劑材料的第四陰極以及包括第五吸收劑材料的第五陰極，其中第一吸收劑材料、第二吸收劑材料、第三吸收劑材料、第四吸收劑材料及第五吸收劑材料彼此不同，並且吸收劑材料之每一者具有與其他材料不同的吸光係數(extinction coefficient)，並且吸收劑材料之每一者具有與其他吸收劑材料不同的折射率。
現參照第5圖，極紫外遮罩坯料400圖示為包括基板414、在基板414上的反射層之多層堆疊412，反射層之多層堆疊412包含複數個反射層對。在一或更多個實施例中，複數個反射層對由選自含鉬（Mo）材料及含矽（Si）材料的材料製成。在一些實施例中，複數個反射層對包括鉬（Mo）及矽（Si）之交替層。極紫外遮罩坯料400進一步包含在反射層之多層堆疊412上的覆蓋層422，並且在覆蓋層422上具有吸收劑層之多層堆疊420。在一或更多個實施例中，複數個反射層412為選自含鉬（Mo）材料及含矽（Si）材料，並且覆蓋層422包括釕（Ru）。
吸收劑層之多層堆疊420包含複數個吸收劑層對420a、420b、420c、420d、420e、420f，每對（420a/420b、420c/420d、420e/420f）選自釕（Ru）與矽（Si）之合金。在某些420a/420b/420c及420d/420e/420f中，每者皆包括鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金。在一些420a/420b/420c及420d/420e/420f中，每者皆包括釕（Ru）與鉬（Mo）之合金。
在一個實例中，吸收劑層420a由釕（Ru）製成並且形成吸收劑層420b的材料為矽（Si）。同樣地，吸收劑層420c由釕（Ru）製成並且形成吸收劑層420d的材料為矽（Si），並且吸收劑層420e由釕（Ru）材料製成並且形成吸收劑層420f的材料為矽（Si）。在另一個示例中，吸收劑層420a由鉭（Ta）製成並且形成吸收劑層420b的材料為鉑（Pt）。同樣地，吸收劑層420c由鉭（Ta）製成並且形成吸收劑層420d的材料為鉑（Pt），並且吸收劑層420e由鉭（Ta）製成並且形成吸收劑層420f的材料為鉑（Pt）。在另一個示例中，吸收劑層420a由釕（Ru）製成並且形成吸收劑層420b的材料為鉬（Mo）。同樣地，吸收劑層420c由釕（Ru）材料製成並且形成吸收劑層420d的材料為鉬（Mo），並且吸收劑層420e由釕（Ru）製成並且形成吸收劑層420f的材料為鉬（Mo）。
在實施例中，吸收劑層310由選自以下的合金製成：釕（Ru）與矽（Si）之合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之合金。在一或更多個實施例中，吸收劑層包括釕（Ru）與矽（Si）之合金，並且此合金包括基於合金之總重量從約78.3重量%至約98.6重量%的釕（Ru）與從約1.4重量%至約21.7重量%的矽（Si）。在一或更多個實施例中，合金包括基於合金之總重量從約68.3重量%至約88.6重量%的釕（Ru）與從約11.4重量%至約31.7重量%的矽（Si）。在一或更多個實施例中，合金包括基於合金之總重量從約58.3重量%至約78.6重量%的釕（Ru）與從約21.4重量%至約41.7重量%的矽（Si）。在一或更多個實施例中，釕（Ru）與矽（Si）之合金為單相合金。
在一或更多個實施例中，鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金包括基於合金之總重量從約9.3重量%至約89.3重量%的鉭（Ta）與從約10.7重量%至約90.7重量%的鉑（Pt）。在一或更多個實施例中，鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金包括基於合金之總重量從約19.3重量%至約79.3重量%的鉭（Ta）與從約20.7重量%至約80.7重量%的鉑（Pt）。在一或更多個實施例中，鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金包括基於合金之總重量從約29.3重量%至約69.3重量%的鉭（Ta）與從約30.7重量%至約70.7重量%的鉑（Pt）。在一或更多個實施例中，鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金為單相合金。
在一或更多個實施例中，吸收劑層包含釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，並且此合金包括從約10.5重量%至約90.4重量%的釕（Ru）與從約9.6重量%至約89.5重量%的鉬（Mo）。在一或更多個實施例中，合金包括基於合金之總重量從約20.5重量%至約80.4重量%的釕（Ru）與從約19.6重量%至約79.5重量%的鉬（Mo）。在一或更多個實施例中，合金包括基於合金之總重量從約30.5重量%至約70.4重量%的釕（Ru）與從約29.6重量%至約69.5重量%的鉬（Mo）。在一或更多個實施例中，釕（Ru）與鉬（Mo）之合金為單相合金。
根據一或更多個實施例，吸收劑層對包括第一吸收劑層（420a、420c、420e）及第二吸收劑層（420b、420d、420f），第一吸收劑層（420a、420c、420e）與第二吸收劑層（420b、420d、420f）中之每一者具有在0.1 nm與10 nm的範圍中的厚度，舉例而言，在1 nm與5 nm的範圍中，或在1 nm與3 nm的範圍中。在一或更多個具體實施例中，第一層420a之厚度為0.5 nm、0.6 nm、0.7 nm、0.8 nm、0.9 nm、1 nm、1.1 nm、1.2 nm、1.3 nm、1.4 nm、1.5 nm、1.6 nm、1.7 nm、1.8 nm、1.9 nm、2 nm、2.1 nm、2.2 nm、2.3 nm、2.4 nm、2.5 nm、2.6 nm、2.7 nm、2.8 nm、2.9 nm、3 nm、3.1 nm、3.2 nm、3.3 nm、3.4 nm、3.5 nm、3.6 nm、3.7 nm、3.8 nm、3.9 nm、4 nm、4.1 nm、4.2 nm、4.3 nm、4.4 nm、4.5 nm、4.6 nm、4.7 nm、4.8 nm、4.9 nm及5 nm。在一或更多個實施例中，每對之第一吸收劑層與第二吸收劑層之厚度相同或不同。舉例而言，第一吸收劑層與第二吸收劑層具有厚度使得第一吸收劑層厚度對於第二吸收劑層厚度具有以下的比例：1:1、1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1或20:1，這造成在每個對中第一吸收劑層的厚度等於或大於第二吸收劑層厚度。或者，第一吸收劑層與第二吸收劑層具有厚度使得第二吸收劑層厚度對於第一吸收劑層厚度具有以下的比例：1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1或20:1，這造成在每個對中第二吸收劑層的厚度等於或大於第一吸收劑層厚度。
根據一或更多個實施例，選擇不同的吸收劑材料及吸收劑層之厚度，使得極紫外光由於吸光度以及由於與來自反射層之多層堆疊的光的破壞性干涉所引起的相變而被吸收。儘管第5圖所示的實施例圖示三個吸收劑層對420a/420b、420c/420d及420e/420f，但申請專利範圍不應限於特定數量的吸收劑層對。根據一或更多個實施例，在一些實施例中，EUV遮罩坯料400包含在5與60個的範圍中的吸收劑層對或在10與40個的範圍中的吸收劑層對。
根據一或更多個實施例，吸收劑層具有提供小於2%的反射率及其他蝕刻性質的厚度。在一些實施例中，供應氣體用於進一步修改吸收劑層之材料性質，舉例而言，在一些實施例中，氮氣（N 2）用於形成上述材料之氮化物。根據一或更多個實施例的吸收劑層之多層堆疊為不同材料之個別厚度之重複圖案，使得EUV光不僅由於吸光度而被吸收，而且也由於多層吸收劑堆疊將與來自下方反射材料之多層堆疊的光破壞性地干涉所引起的相變而被吸收，以提供更好的對比度。
本揭示案之另一種態樣針對製造極紫外（EUV）遮罩坯料之方法，包括：在基板上形成反射層之多層堆疊於基板上，此多層堆疊包含複數個反射層對，在反射層之多層堆疊上形成覆蓋層，及在覆蓋層上形成吸收劑層，吸收劑層選自由合金組成的群組，合金選自釕（Ru）與矽（Si）之合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之合金。
在一些實施例中，EUV遮罩坯料具有以上關於第4圖及第5圖所述的實施例之任何特性，並且在一些實施例中方法在關於第3圖所述的系統中執行。
因此，在實施例中，複數個反射層選自含鉬（Mo）材料及含矽（Si）材料，並且吸收劑層為選自以下的合金：釕（Ru）與矽（Si）之合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金；及釕（Ru）之鉬（Mo）之合金。
在另一個具體方法實施例中，不同的吸收劑層在物理沉積腔室中形成，此物理沉積腔室具有包括第一吸收劑材料的第一陰極及包括第二吸收劑材料的第二陰極。現參照第6圖，圖示根據實施例的多陰極腔室500之上部分。多陰極腔室500包含基底結構501，具有由頂部配接器504覆蓋的圓柱形主體部分502。頂部配接器504具有定位在頂部配接器504周圍用於數個陰極源的供給，例如陰極源506、508、510、512及514。
在一或更多個實施例中，方法形成具有在5 nm與60 nm的範圍中的厚度的吸收劑層。在一或更多個實施例中，吸收劑層具有在51 nm與57 nm的範圍中的厚度。在一或更多個實施例中，選擇用於形成吸收劑層的材料以影響吸收劑層之蝕刻性質。在一或更多個實施例中，吸收劑層之合金為藉由對在物理沉積腔室中形成的合金吸收劑材料共同濺射而形成，在一些實施例中，這提供比TaN吸收劑層薄得多的吸收劑層厚度並且達成小於2%的反射率及期望的蝕刻性質。在實施例中，在一些實施例中，吸收劑層之蝕刻性質及其他期望的性質藉由控制每種吸收劑材料之合金百分比來客製化以合乎規範。在實施例中，在一些實施例中，合金百分比藉由物理氣相沉積腔室之操作參數例如電壓、壓力、流量等來精確控制。在實施例中，製程氣體用於進一步修改材料性質，舉例而言，氮氣（N 2）用於形成對於合金釕（Ru）與矽（Si）的釕（Ru）之氮化物及/或矽（Si）之氮化物，或對於鉭（Ta）與鉑（Pt）合金，形成鉭（Ta）之氮化物及/或鉑（Pt）之氮化物，或對於釕（Ru）與鉬（Mo）之合金，形成釕（Ru）之氮化物及/或鉬（Mo）之氮化物。
在一些實施例中，多陰極源腔室500為第3圖所示的系統之一部分。在實施例中，極紫外（EUV）遮罩坯料生產系統包括用於產生真空的基板傳送真空腔室、在真空中用於傳輸裝載在基板傳送真空腔室中的基板的基板傳送平臺，以及由基板傳送平臺存取的多個子腔室，用於形成EUV遮罩坯料，包含在基板上的反射層之多層堆疊，此多層堆疊包含複數個反射層對，在反射層之多層堆疊上的覆蓋層，及在覆蓋層上的吸收劑層，此吸收劑層由選自以下的合金製成：釕（Ru）與矽（Si）之合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之合金。在一些實施例中，系統用於製作關於第4圖或第5圖所示的EUV遮罩坯料，並且具有以上關於第4圖或第5圖所述的關於EUV遮罩坯料所述的任何性質。
製程通常可作為軟體常式儲存在記憶體中，當由處理器執行時，致使製程腔室執行本揭示案之製程。軟體常式亦可由第二處理器（未圖示）儲存及/或執行，第二處理器位於由處理器控制的硬體遠端。本揭示案之部分或全部方法亦可在硬體中執行。如此，製程可以軟體實現並且使用電腦系統來執行、在硬體中作為例如特殊應用積體電路或其他類型的硬體實現，或者作為軟體與硬體之組合。當由處理器執行時，軟體常式將通用電腦轉換成控制腔室操作的專用電腦（控制器），從而執行製程。
貫穿本說明書中對「一個實施例」、「某些實施例」、「一或更多個實施例」或「實施例」的參照意指結合此實施例描述的特定特徵、結構、材料或特性被包含在本揭示案之至少一個實施例中。因此，貫穿本說明書在各處出現的例如「在一或更多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」、或「在實施例中」的片語未必指稱本揭示案之相同實施例。此外，特定特徵、結構、材料或特性在一或更多個實施例中可以任何適合的方式組合。
儘管本揭示案在此已參照特定實施例描述，但應理解，此等實施例僅為本揭示案之原理與應用之說明。對於本領域具有通常知識者而言顯而易見的是，在不脫離本揭示案之精神與範疇的情況下，可對本揭示案之方法及設備進行各種修改與變化。因此，預期本揭示案包含在所附申請專利範圍及其均等物之範疇內的修改與變化。
10:習知EUV反射遮罩 12:反射多層堆疊 14:基板 16:遮蔽（非反射）區域 18:蝕刻緩衝層 20:吸收層 22:覆蓋層 24:反射區域 100:極紫外微影系統 102:極紫外光源 104:聚光器 106:EUV反射遮罩 108:光學減小組件 110:目標晶圓 112:極紫外光 114:遮罩圖案 200:極紫外反射元件生產系統 202:晶圓裝載與載具傳送系統 203:源基板 204:EUV遮罩坯料 205:極紫外鏡 206:大氣傳送系統 208:晶圓傳送真空腔室 210:第一真空腔室 212:第二真空腔室 214:第一晶圓傳送系統 216:第二晶圓傳送系統 218:脫氣系統 220:第一物理氣相沉積系統 222:第二物理氣相沉積系統 224:預清潔系統 226:第一多陰極源 228:化學氣相沉積系統 230:固化腔室 232:超平滑沉積腔室 302:極紫外反射元件 304:基板 306:反射層之多層堆疊 308:覆蓋層 310:吸收劑層 312:第一反射層 314:第二反射層 316:反射對 400:極紫外遮罩坯料 412:反射層之多層堆疊 414:基板 420:吸收劑層之多層堆疊 420a~420f:吸收劑層對 422:覆蓋層 500:多陰極腔室 501:基底結構 502:圓柱形主體部分 504:頂部配接器 506、508、510、512、514:陰極源
為了能夠詳細理解本揭示案之上述特徵的方式，藉由參照實施例可具有以上簡要總結的本揭示案之更特定描述，實施例中之一些實施例繪示於附圖中。然而，應注意，附圖僅繪示此揭示案之典型實施例，因此不應視為限制此揭示案的範疇，因為本揭示案可允許其他等效實施例。
第1圖示意繪示採用習知吸收劑的背景技術EUV反射遮罩；
第2圖示意繪示極紫外微影系統之實施例；
第3圖繪示極紫外反射元件生產系統之實施例；
第4圖繪示極紫外反射元件例如EUV遮罩坯料之實施例；
第5圖繪示極紫外反射元件例如EUV遮罩坯料之實施例；及
第6圖繪示多陰極物理沉積腔室之實施例。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
400:極紫外遮罩坯料
412:反射層之多層堆疊
414:基板
420:吸收劑層之多層堆疊
420a~420f:吸收劑層對
422:覆蓋層

Claims (20)

  1. 一種製造一極紫外（EUV）遮罩坯料之方法，包括以下步驟： 在一基板上形成一多層堆疊，該多層堆疊反射EUV輻射，該多層堆疊包括複數個反射層對； 在該多層堆疊上形成一覆蓋層；及 在該覆蓋層上形成一吸收劑層，該吸收劑層選自由以下合金組成的群組：選自釕（Ru）與矽（Si）之一合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之一合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之一合金。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該吸收劑層包括釕（Ru）與矽（Si）之一合金，並且該合金包括從約78.3重量%至約98.6重量%的釕（Ru）與從約1.4重量%至約21.7重量%的矽（Si）。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該吸收劑層包括鉭（Ta）與鉑（Pt）之一合金，並且該合金包括從約9.3重量%至約89.3重量%的鉭（Ta）與從約10.7重量%至約90.7重量%的鉑（Pt）。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該吸收劑層包括釕（Ru）與鉬（Mo）之一合金，並且該合金包括從約10.5重量%至約90.4重量%的釕（Ru）與從約9.6重量%至約89.5重量%的鉬（Mo）。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該合金為非晶的(amorphous)。
  6. 如請求項2所述之方法，其中該合金為藉由將分別的釕（Ru）靶材及矽（Si）靶材與選自氬（Ar）、氧（O 2）或氮（N 2）之一或更多者的一氣體共同濺射而形成，以形成該吸收劑層。
  7. 如請求項3所述之方法，其中該合金為藉由將分別的鉭（Ta）靶材及鉑（Pt）靶材與選自氬（Ar）、氧（O 2）或氮（N 2）之一或更多者的一氣體共同濺射而形成，以形成該吸收劑層。
  8. 如請求項4所述之方法，其中該合金為藉由將分別的釕（Ru）靶材及鉬（Mo）靶材與選自氬（Ar）、氧（O 2）或氮（N 2）之一或更多者的一氣體共同濺射而形成，以形成該吸收劑層。
  9. 如請求項1所述之方法，其中使用選自氬（Ar）、氧（O 2）或氮（N 2）之一或更多者的一氣體，該合金被逐層沉積而作為選自由以下組成的群組的交替層之一疊層：釕（Ru）層與矽（Si）層、鉭（Ta）層與鉑（Pt）層及釕（Ru）層與鉬（Mo）層，以形成該吸收劑層。
  10. 如請求項1所述之方法，其中該合金為藉由具有與該合金相同組成的一塊狀(bulk target)靶材來沉積，並且藉由選自氬（Ar）、氧（O 2）或氮（N 2）之一或更多者的一氣體來濺射，以形成該吸收劑層。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該合金被摻雜在從0.1重量%至5重量%的範圍中的氮（N）或氧（O）之一或更多者。
  12. 一種極紫外（EUV）遮罩坯料，包括： 一基板； 一多層堆疊，該多層堆疊反射EUV輻射，該多層堆疊包括複數個反射層對； 一覆蓋層，在該反射層之多層堆疊上；及 一吸收劑層，選自由以下合金組成的群組：合金選自釕（Ru）與矽（Si）之一合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之一合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之一合金。
  13. 如請求項12所述之極紫外（EUV）遮罩坯料，其中該吸收劑層包括釕（Ru）與矽（Si）之一合金，並且該合金包括從約78.3重量%至約98.6重量%的釕（Ru）與從約1.4重量%至約21.7重量%的矽（Si）。
  14. 如請求項12所述之極紫外（EUV）遮罩坯料，其中該吸收劑層包括鉭（Ta）與鉑（Pt）之一合金，並且該合金包括從約9.3重量%至約89.3重量%的鉭（Ta）與從約10.7重量%至約90.7重量%的鉑（Pt）。
  15. 如請求項12所述之極紫外（EUV）遮罩坯料，其中該吸收劑層包括釕（Ru）與鉬（Mo）之一合金，並且該合金包括從約10.5重量%至約90.4重量%的釕（Ru）與從約9.6重量%至約89.5重量%的鉬（Mo）。
  16. 如請求項12所述之極紫外（EUV）遮罩坯料，其中該合金為非晶的。
  17. 如請求項12所述之極紫外（EUV）遮罩坯料，其中該吸收劑層具有小於60 nm的一厚度。
  18. 如請求項12所述之極紫外（EUV）遮罩坯料，其中該吸收劑層進一步包括在從約0.1重量%至約5重量%的範圍中選自氮（N）或氧（O）之一或更多者的一摻雜劑。
  19. 如請求項18所述之極紫外（EUV）遮罩坯料，其中該吸收劑層具有小於60 nm的一厚度。
  20. 一種極紫外（EUV）遮罩坯料，包括： 一基板； 一多層堆疊，該多層堆疊反射EUV輻射，該多層堆疊包括複數個反射層對，其包含鉬（Mo）與矽（Si）； 一覆蓋層，在該反射層之多層堆疊上；及 一吸收劑層，選自由以下合金組成的群組：合金選自釕（Ru）與矽（Si）之一合金；鉭（Ta）與鉑（Pt）之一合金；及釕（Ru）與鉬（Mo）之一合金。
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