TW202033704A - 黏著帶 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種即便於使用在伴隨達到260℃之高溫處理之步驟中之情形時亦可保護被黏著體，並且可無糊劑殘留地進行剝離之黏著帶。本發明係一種具有基材膜與積層於上述基材膜之單面之紫外線硬化型黏著劑層之黏著帶，對上述黏著帶之上述基材膜側之表面照射3000 mJ/cm2 之405 nm之紫外線後之上述紫外線硬化型黏著層之凝膠分率為90%以上，將對上述黏著帶之上述基材膜側之表面照射3000 mJ/cm2 之上述405 nm之紫外線後之黏著帶於X℃下之拉伸彈性模數設為Et（X）時，Et（270）之值為1.0×107 Pa以上。

Description

黏著帶
本發明係關於一種黏著帶。
於半導體晶片之製造步驟中，為了使晶圓或半導體晶片之加工之操作變得容易且防止破損，而使用黏著帶。例如於將自高純度之矽單晶等切出之厚膜晶圓研磨至特定厚度而製成薄膜晶圓之情形時，於將黏著帶貼合於厚膜晶圓後進行研磨。
對於用於此種黏著帶之接著劑組成物，要求於加工步驟中具有可將晶圓或半導體晶片等被黏著體牢固地固定之程度之高接著性，並且於步驟結束後可被剝離而不損傷晶圓或半導體晶片等被黏著體（以下亦稱為「高接著易剝離」）。 作為實現高接著易剝離之接著劑組成物，於專利文獻1中揭示有一種使用了藉由照射紫外線等光進行硬化從而使黏著力降低之光硬化型黏著劑之黏著帶。藉由使用光硬化型黏著劑作為黏著劑，可於加工步驟中確實地固定被黏著體，並且可藉由照射紫外線等而容易地剝離。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開平5-32946號公報
[發明所欲解決之課題]
近年，因半導體製品之薄化、小型化，開始製造於晶圓上積層有多個半導體晶片之半導體元件。於此種積層有多個半導體晶片之半導體元件之製造中，於藉由黏著帶保護晶圓或半導體晶片之狀態下，藉由熱壓接合步驟將半導體晶片固定於晶圓或半導體晶片上。 本發明者等發現，於熱壓接合中施加超過260℃之習知之高溫處理之高溫，故而即便為習知之使用了硬化型黏著劑之黏著帶亦無法承受高溫處理之熱，黏著帶之基材膜收縮，因該收縮使得黏著劑層被拉伸，而導致黏著帶剝離。又，於熱壓接合中除高溫以外亦施加壓力，故而黏著劑容易過度接著，從而容易產生糊劑殘留。 進而，經過熱壓接合步驟之大多晶圓會於黏著帶之貼附面形成有凹凸較大之凸塊，若黏著劑進入至凹凸之深處部分，則會於剝離時破碎而成為糊劑殘留。
本發明之目的在於提供一種即便於使用在伴隨達到260℃之高溫處理之步驟中之情形時亦可保護被黏著體，並且可無糊劑殘留地進行剝離之黏著帶。 [解決課題之技術手段]
本發明係一種具有基材膜與積層於上述基材膜之單面之紫外線硬化型黏著劑層之黏著帶，對上述黏著帶之上述基材膜側之表面照射3000 mJ/cm2 之405 nm之紫外線後之上述紫外線硬化型黏著層之凝膠分率為90%以上，將對上述黏著帶之上述基材膜側之表面照射3000 mJ/cm2 之上述405 nm之紫外線後之黏著帶於X℃下之拉伸彈性模數設為Et（X）時，Et（270）之值為1.0×107 Pa以上。 以下對本發明進行詳細敍述。
本發明之黏著帶具有積層於上述基材膜之單面之紫外線硬化型黏著劑層。 藉由使黏著帶具有紫外線硬化型黏著劑層，從而能以充分之黏著力貼附於被黏著體而保護被黏著體，並且藉由在貼附後使紫外線硬化型黏著劑層硬化，從而即便於進行高溫處理之情形時亦能夠保護被黏著體。又，於不需要保護後，可容易地無糊劑殘留地剝離黏著帶。
本發明之黏著帶於對上述黏著帶之上述基材膜側之表面照射3000 mJ/cm2 之405 nm之紫外線後之上述紫外線硬化型黏著層之凝膠分率為90%以上。 藉由使紫外線照射後之紫外線硬化型黏著劑層之凝膠分率為90%以上，從而即便於高溫下過度接著亦難以持續，故而於不需要保護後，可無糊劑殘留地剝離黏著帶。又，亦可提高黏著帶之耐化學品性。又，若可對上述基材膜側之表面照射紫外線使紫外線硬化型黏著劑層硬化，則可於將黏著帶與被黏著體貼合後使紫外線硬化型黏著劑層硬化。就進一步提高黏著帶之過度接著之抑制性與耐化學品性之觀點而言，紫外線照射後之上述紫外線硬化型黏著劑層之凝膠分率較佳為93%以上，更佳為95%以上，進而較佳為97%以上。 再者，紫外線照射後之上述紫外線硬化型黏著劑層之凝膠分率通常為100%以下。 再者，於本發明之黏著帶為於基材膜之另一面亦積層有黏著劑層等其他層之結構之情形時，上述基材膜側係指基材膜之積層有紫外線硬化型黏著劑層之面相反側之面。
本發明之黏著帶於將對上述黏著帶之上述基材膜側之表面照射3000 mJ/cm2 之上述405 nm之紫外線後之黏著帶於X℃下之拉伸彈性模數設為Et（X）時，Et（270）之值為1.0×107 Pa以上。 藉由使紫外線照射後之黏著帶於270℃下具有上述範圍之拉伸彈性模數，能夠製成耐熱性優異之黏著帶，即便進行達到260℃之高溫處理，黏著帶亦難以軟化、收縮，可抑制黏著帶之意外剝離。上述Et（270）之較佳之下限為3.0×107 Pa，更佳之下限為5.0×107 Pa，進而較佳之下限為1.0×108 Pa。上述Et（270）之上限並無特別限定，就黏著帶之操作性之觀點而言，較佳為1.0×109 Pa。 再者，上述黏著帶之拉伸彈性模數可利用以下方法進行測定。 藉由以累計強度成為3000 mJ/cm2 之方式自基材膜側之表面對紫外線硬化型黏著劑層照射405 nm之紫外線，從而使紫外線硬化型黏著劑層硬化。其次，以長邊與帶製造時之行進方向一致之方式使用衝壓刃進行衝壓，藉此製作5 mm×35 mm之試驗片。將所獲得之試驗片浸漬於液態氮而冷卻至-50℃，其後，使用黏彈性譜儀（DVA-200、IT Meter. and Control, Inc.製造，或其同等品），於定速升溫拉伸模式之10℃/分鐘、頻率10 Hz之條件下升溫至300℃，測定拉伸彈性模數。將於此時之溫度X℃下之拉伸彈性模數（E'）之值設為Et（X）。即，於溫度270℃下之拉伸彈性模數（E'）之值為Et（270）。
本發明之黏著帶之Et（270）/Et（200）之值較佳為0.1以上。 藉由使紫外線照射後之黏著帶於270℃中之拉伸彈性模數與於200℃中之拉伸彈性模數之差較小，能夠製成耐熱性更優異之黏著帶，可進一步抑制黏著帶之意外剝離。就進一步抑制上述剝離之觀點而言，上述Et（270）/Et（200）之值更佳為0.2以上，進而較佳為0.3以上，特佳為0.5以上。上述Et（270）/Et（200）之值之上限並無特別限定，越接近1越好，通常為1以下，較佳為未達0.8。
本發明之黏著帶於對上述黏著帶之上述基材膜側之表面照射3000 mJ/cm2 之上述405 nm之紫外線後，自25℃以5℃/min之速度升溫至280℃，於升溫後保持10分鐘時之重量減少率較佳為5%以下。 於280℃之高溫下之重量減少較少，即，於高溫下難以發生熱分解，藉此因熱分解而產生之脫氣量變少，可抑制聚集於被黏著體與黏著帶之界面之脫氣成為起點而剝離。就抑制於高溫下之剝離之觀點而言，上述重量減少率更佳為4%以下，進而較佳為3%以下，通常為0%以上。 再者，上述重量減少率可利用以下方法進行測定。 藉由以累計強度成為3000 mJ/cm2 之方式自基材膜側之表面對紫外線硬化型黏著劑層照射405 nm之紫外線，從而使紫外線硬化型黏著劑層硬化。其次，將黏著帶衝壓成
Figure 02_image001
5 mm之圓狀，製作測定樣本。測定所獲得之測定樣本之重量，使用示差熱熱重量同時測定裝置（TG-DTA；STA7200，日立高新技術科技股份有限公司製造，或其同等品）進行測定。將升溫速度設為5℃/min，自25℃升溫至280℃，測定於280℃之狀態下保持10分鐘之後之測定樣本之重量。能夠根據加熱前後之重量算出重量減少率。
上述基材膜之405 nm之紫外線穿透率較佳為1%以上。 藉由使基材膜之405 nm之紫外線穿透率為1%以上，能夠隔著基材膜使紫外線硬化型黏著劑層硬化，易調整上述紫外線照射後之紫外線硬化型黏著層之凝膠分率。其結果，可抑制因過度接著而於被黏著體上產生之糊劑殘留。上述紫外線穿透率更佳為10%以上，進而較佳為50%以上，特佳為70%以上。因上述紫外線穿透率為該等下限以上，故而即便不使用光敏劑，亦可使紫外線硬化型黏著劑層充分地硬化。上述紫外線穿透率之上限並無特別限定，越高越好，通常為100%以下。 再者，紫外線穿透率可使用分光光度計（U-3900，日立製作所公司製造，或其同等品）進行測定。更具體而言，於800～200 nm之區域以掃描速度300 nm/min、狹縫間隔4 nm進行測定，能夠測定405 nm中之穿透率。
將於X℃下之拉伸彈性模數設為Ef（X）時，上述基材膜之Ef（270）之值較佳為5.0×107 Pa以上。 因上述基材膜於270℃下之拉伸彈性模數為上述範圍，故而可製成耐熱性更優異之黏著帶，可抑制因高溫處理中之基材膜之熱收縮或軟化而導致之剝離。上述Ef（270）之更佳之下限為1.0×108 Pa，進而較佳之下限為5.0×108 Pa，特佳之下限為1.0×109 Pa。上述Ef（270）之上限並無特別限定，就黏著帶之操作性之觀點而言，較佳為1.0×1010 Pa。 再者，上述基材膜之拉伸彈性模數可利用與上述黏著帶之拉伸彈性模數相同之方法進行測定。
上述基材膜只要所獲得之黏著帶滿足上述範圍之拉伸彈性模數及凝膠分率即可，並無特別限定，就耐熱性與強度優異之方面而言，較佳為上述基材膜含有於重複單位之主鏈骨架中具有選自由醯胺、醯亞胺、醚及酮所組成之群中之至少1種之樹脂。 作為上述於重複鍵結單位之主鏈骨架中具有選自由醯胺、醯亞胺、醚及酮所組成之群中之至少1種之樹脂，例如可列舉聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚、聚酮等。其中，就於耐熱性與強度上更優異之方面而言，較佳為上述基材膜含有聚醯胺樹脂，進而就紫外線穿透性亦優異之方面而言，更佳為含有於重複單位之主鏈骨架中具有碳數為4以上且12以下之長鏈烷基或芳香族之聚醯胺樹脂。 作為上述於重複單位之主鏈骨架中具有碳數為4以上且12以下之長鏈烷基或芳香族之聚醯胺樹脂，例如可列舉尼龍9T、尼龍6T等。
上述基材膜之厚度並無特別限定，較佳之下限為25 μm，更佳之下限為50 μm，較佳之上限為250 μm，更佳之上限為125 μm。藉由使上述基材膜為該範圍內，可製成操作性優異之黏著帶。
構成上述紫外線硬化型黏著劑層之黏著劑只要為紫外線硬化型即可，並無特別限定，例如可列舉以聚合性聚合物為主成分，含有紫外線聚合起始劑作為聚合起始劑之紫外線硬化型黏著劑。作為上述聚合性聚合物，例如可列舉(甲基)丙烯酸聚合物、丙烯酸胺酯聚合物等。其中，就容易滿足上述凝膠分率與上述Et（270）之方面而言，較佳為(甲基)丙烯酸聚合物，更佳為於分子內具有自由基聚合性之不飽和鍵之(甲基)丙烯酸烷基酯系之聚合性聚合物。 上述(甲基)丙烯酸烷基酯系之聚合性聚合物例如可藉由如下方法而獲得：預先合成於分子內具有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物，使其和於分子內具有與上述官能基反應之官能基及自由基聚合性之不飽和鍵之化合物反應。再者，以下將「於分子內具有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物」之聚合物稱為「含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物」，將「於分子內具有與上述之官能基反應之官能基及自由基聚合性之不飽和鍵之化合物」之化合物稱為「含官能基不飽和化合物」。
上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物係藉由以烷基之碳數通常於2～18之範圍之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯為主要單體，藉由常規方法使其與含官能基單體、及進而視需要之可與該等共聚之其他改質用單體共聚而獲得者。上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量通常為20萬～200萬左右。再者，於本說明書中，重量平均分子量通常可利用GPC法而決定，例如可於40℃中使用THF作為溶出液，使用HSPgel HR MB-M6.0×150 mm（Waters公司製造）作為管柱，藉由聚苯乙烯標準而決定。
作為上述含官能基單體，例如可列舉：含羧基單體、含羥基單體、含環氧基單體、含異氰酸基單體、及含胺基單體等。作為上述含羧基單體，可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸等。作為上述含羥基單體，可列舉：丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基乙酯等。作為上述含環氧基單體，可列舉：丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等。作為上述含異氰酸基單體，可列舉：丙烯酸異氰酸酯基乙酯、甲基丙烯酸異氰酸酯基乙酯等。作為上述含胺基單體，可列舉：丙烯酸胺基乙酯、甲基丙烯酸胺基乙酯等。
作為上述可共聚之其他改質用單體，例如可列舉乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等通常用於(甲基)丙烯酸系聚合物之各種單體。
作為與上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物反應之含官能基不飽和化合物，可根據上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基而使用與上述含官能基單體相同者。例如，於上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為羧基之情形時，可使用含環氧基單體或含異氰酸基單體。於該官能基為羥基之情形時，可使用含異氰酸基單體。於該官能基為環氧基之情形時，可使用含羧基單體或丙烯醯胺等含醯胺基單體。於該官能基為胺基之情形時，可使用含環氧基單體。
上述紫外線聚合起始劑，例如可列舉藉由照射200～410 nm之波長之紫外線而活化者。作為此種紫外線聚合起始劑，例如可列舉：苯乙酮衍生物化合物、或安息香醚系化合物、縮酮衍生物化合物、氧化膦衍生物化合物、雙(η5-環戊二烯基)二茂鈦衍生物化合物、二苯甲酮、米其勒酮、氯-9-氧硫
Figure 108147493-A0304-12-01
Figure 108147493-A0304-12-02
、十二烷基-9-氧硫
Figure 108147493-A0304-12-01
Figure 108147493-A0304-12-02
、二甲基-9-氧硫
Figure 108147493-A0304-12-01
Figure 108147493-A0304-12-02
、二乙基-9-氧硫
Figure 108147493-A0304-12-01
Figure 108147493-A0304-12-02
、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。作為上述苯乙酮衍生物化合物，可列舉甲氧基苯乙酮等。作為上述安息香醚系化合物，可列舉安息香丙醚、安息香異丁醚等。作為上述縮酮衍生物化合物，苯偶醯二甲基縮酮、苯乙酮二乙基縮酮等。該等紫外線聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述紫外線硬化型黏著劑層較佳為含有自由基聚合性之多官能低聚物或單體。藉由上述紫外線硬化型黏著劑層含有自由基聚合性之多官能低聚物或單體，使紫外線硬化性得以提高。 上述多官能低聚物或單體較佳為重量平均分子量為1萬以下者，更佳為其重量平均分子量為5000以下且分子內之自由基聚合性之不飽和鍵之數為2～20個者，以便高效率地完成藉由紫外線之照射進行之紫外線硬化型黏著劑層之三維網狀化。上述重量平均分子量例如可使用GPC測定法而決定。
上述多官能低聚物或單體例如可列舉：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯或與上述相同之甲基丙烯酸酯類等。此外，可列舉：1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售之寡酯丙烯酸酯、與上述相同之甲基丙烯酸酯類等。該等多官能低聚物或單體可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述紫外線硬化型黏著劑層亦可含有以提高紫外線硬化型黏著劑之凝聚力為目的之交聯劑。 作為上述交聯劑，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑等。其中，就進一步提高紫外線硬化型黏著劑之凝聚力之方面而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
上述交聯劑較佳為於上述黏著劑層中含有0.1～20重量%。藉由使交聯劑處於上述範圍內，可適度地交聯紫外線硬化型黏著劑，維持較高之黏著力，並且進一步提高紫外線硬化型黏著劑之凝聚力。就維持較高之黏著力並且進一步提高紫外線硬化型黏著劑之凝聚力之觀點而言，上述交聯劑之含量之更佳之下限為0.5重量%，進而較佳之下限為1.0重量%，更佳之上限為15重量%，進而較佳之上限為10重量%。
上述紫外線硬化型黏著劑層較佳為含有聚矽氧或氟化合物。 藉由使上述紫外線硬化型黏著劑層含有聚矽氧或氟化合物，於紫外線硬化型黏著劑層與被黏著體之界面處聚矽氧或氟化合物滲出，故而於處理結束後可容易地且無糊劑殘留地剝離黏著帶。作為上述聚矽氧或氟化合物，例如可列舉聚矽氧二丙烯酸酯、具有氟烷基之高分子（例如具有源自氟丙烯酸酯之結構單元之(甲基)丙烯酸系共聚物）等。
上述聚矽氧或氟化合物較佳為具有上述可與聚合性聚合物交聯之官能基。 藉由使上述聚矽氧或氟化合物具有上述可與聚合性聚合物交聯之官能基，藉由交聯劑或紫外線照射，聚矽氧或氟化合物能夠與聚合性聚合物發生化學反應，與聚合性聚合物鍵結。藉此，因聚矽氧或氟化合物附著於被黏著體而導致之污染得以抑制。 作為上述可與聚合性聚合物交聯之官能基，根據上述聚合性聚合物中所含之官能基進行適當選擇，例如可列舉：羧基、自由基聚合性之不飽和鍵、羥基、醯胺基、異氰酸基、環氧基等。其中，較佳為自由基聚合性之不飽和鍵。藉由使上述聚矽氧或氟化合物具有作為上述可與聚合性聚合物交聯之官能基之自由基聚合性之不飽和鍵，而利用紫外線照射可使聚矽氧或氟化合物與聚合性聚合物進行化學反應而被引入至聚合性聚合物中，故而因聚矽氧或氟化合物附著於被黏著體而導致之污染得到進一步抑制。 上述聚矽氧或氟化合物中之可交聯之官能度，例如為2～6，較佳為2～4，更佳為2。
作為上述可與聚合性聚合物交聯之官能基，根據上述聚合性聚合物中所含之官能基適當決定，例如於聚合性聚合物為於分子內具有自由基聚合性之不飽和鍵之(甲基)丙烯酸烷基酯系之情形時，較佳為選擇可與不飽和鍵交聯之官能基。 上述可與不飽和鍵交聯之官能基係具有不飽和雙鍵之官能基，具體而言，例如選擇含有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、烯丙基、馬來醯亞胺基等之聚矽氧或氟化合物等。
於上述紫外線硬化型黏著劑層中之上述聚矽氧或氟化合物之含量，較佳之下限為2重量%，更佳之下限為5重量%，進而較佳之下限為10重量%，較佳之上限為40重量%，更佳之上限為35重量%，進而較佳之上限為30重量%。 藉由使上述聚矽氧或氟化合物之含量為上述範圍，能夠減少自黏著帶產生之脫氣量，能夠製成耐熱性與防糊劑殘留性能更優異之黏著帶。
上述紫外線硬化型黏著劑層較佳為含有丙烯酸胺酯。 藉由使上述紫外線硬化型黏著劑層含有丙烯酸胺酯，可提高黏著帶之柔軟性，使所獲得之黏著帶不易破碎。
上述紫外線硬化型黏著劑層中之上述丙烯酸胺酯之含量較佳之上限為20重量%，更佳之上限為15重量%，進而較佳之上限為10重量%。藉由使上述丙烯酸胺酯之含量為上述範圍內，能夠製成於耐熱性與糊劑殘留抑制性能上更優異之黏著帶。上述丙烯酸胺酯之含量之下限並無特別限定，就進一步使黏著帶不易破碎並抑制糊劑殘留之觀點而言，較佳為1重量%。
上述紫外線硬化型黏著劑層中之上述聚矽氧或氟化合物、與上述丙烯酸胺酯之合計含量較佳為50重量%以下。 藉由使上述聚矽氧或氟化合物與上述丙烯酸胺酯之合計含量為上述範圍內，能夠抑制因該等成分之熱分解而產生之脫氣量，故而能夠提高耐熱性，並且抑制因脫氣而導致之意外剝離。就進一步抑制上述剝離之觀點而言，上述聚矽氧或氟化合物、與上述丙烯酸胺酯之合計含量之更佳之上限為40重量%，進而較佳之上限為25重量%。
上述紫外線硬化型黏著劑層較佳為含有填料。 藉由使上述紫外線硬化型黏著劑層含有填料，使彈性模數得以提高，故而能夠提高黏著帶之耐熱性。作為上述填料之材料，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、碳黑、鈣、硼、鎂、氧化鋯等。其中，就進一步提高耐熱性之方面而言，較佳為二氧化矽。
上述填料之平均粒子徑並無特別限定，較佳之下限為0.06 μm，更佳之下限為0.07 μm，較佳之上限為2 μm，更佳之上限為1 μm。藉由使填料之平均粒子徑為上述範圍內，能夠進一步提高對紫外線硬化型黏著劑之分散性。
上述紫外線硬化型黏著劑層中之上述填料之含量較佳之下限為1重量%，更佳之下限為3重量%，較佳之上限為18重量%，更佳之上限為12重量%。 藉由使上述填料之含量為上述範圍內，能夠製成耐熱性更優異之黏著帶。
上述紫外線硬化型黏著劑層較佳為含有藉由刺激而產生氣體之氣體產生劑。 藉由使上述紫外線硬化型黏著劑層含有氣體產生劑，於步驟結束後施以刺激產生氣體，藉此於被黏著體與黏著帶之間產生因氣體而導致之間隙，故而可更容易地剝離黏著帶。 上述氣體產生劑並無特別限定，就可使用於高溫處理步驟中之方面而言，較佳為藉由光而產生氣體之氣體產生劑。其中，就對伴隨加熱之處理之耐性優異之方面而言，較佳為苯乙酸、二苯乙酸、三苯乙酸等羧酸化合物或其鹽、或1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5,5-偶氮雙-1H-四唑等四唑化合物或其鹽等。此種氣體產生劑一方面藉由照射紫外線等光而產生氣體，另一方面具有即便於260℃左右之高溫下亦不會分解之較高之耐熱性。
上述紫外線硬化型黏著劑層亦可含有光敏劑。藉由含有上述光敏劑，即便於上述基材膜之405 nm之紫外線穿透率為較低之情形時，亦可充分地使紫外線硬化型黏著劑層硬化。又，上述光敏劑因具有放大光對上述氣體產生劑之刺激之效果，故而可藉由照射更少之光來釋出氣體。又，可藉由更廣之波長區域之光來釋出氣體。 作為上述光敏劑，例如可列舉2,4-二乙基-9-氧硫
Figure 108147493-A0304-12-01
Figure 108147493-A0304-12-02
等9-氧硫
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Figure 108147493-A0304-12-02
系化合物、或二丁基蒽、二丙基蒽等蒽系化合物等。又，亦可列舉2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、二苯甲酮、2,4-二氯二苯甲酮、o-苯甲醯苯甲酸甲酯、4,4'-雙(二甲胺基)二苯甲酮、4-苯甲醯基-4'甲基二苯硫醚等。該等光敏劑可單獨使用，亦可組合2種以上使用。再者，上述光敏劑於高溫下熱分解而產生脫氣，使紫外線硬化型黏著劑層發泡，故而若大量使用，則存在導致糊劑殘留或意外剝離之情況。因此，較佳為儘可能減少上述光敏劑之使用量。
上述紫外線硬化型黏著劑層亦可含有塑化劑、樹脂、界面活性劑、蠟等公知之添加劑。該等添加劑可單獨使用，亦可組合多個使用。
上述紫外線硬化型黏著劑層之紫外線照射前之儲存彈性模數G'並無特別限定，較佳為於23℃中之儲存彈性模數G'為5.0×103 Pa以上、1.0×105 Pa以下。藉由使紫外線照射前之紫外線硬化型黏著劑層於23℃中之儲存彈性模數G'為上述範圍內，則能以充分之黏著力來保護被黏著體。紫外線照射前之紫外線硬化型黏著劑層於23℃中之儲存彈性模數G'可根據構成紫外線硬化型黏著劑層之黏著劑之種類、填料之種類及量等進行調節。 上述紫外線硬化型黏著劑層於23℃中之紫外線照射前之儲存彈性模數G'係可使用黏彈性譜儀（例如DVA-200、IT Meter. and Control, Inc.製造），於定速升溫剪切模式、升溫速度10℃/分鐘、頻率10 Hz之條件下測定儲存彈性模數而求出。
上述紫外線硬化型黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳為下限為5 μm，上限為100 μm。若上述紫外線硬化型黏著劑層之厚度為上述範圍內，則能以充分之黏著力保護被黏著體，進而亦可抑制剝離時之糊劑殘留。就進一步提高黏著力並且進一步抑制剝離時之糊劑殘留之觀點而言，上述紫外線硬化型黏著劑層之厚度之更佳之下限為10 μm，更佳之上限為60 μm。
本發明之黏著帶較佳為於上述基材膜之積層有上述紫外線硬化型黏著劑層之面相反側之面具有黏著劑層。 藉由使本發明之黏著帶為於基材膜之單面具有紫外線硬化型黏著劑層、於另一面具有黏著劑層之雙面黏著帶，能夠經由雙面黏著帶接著玻璃等支持體與被黏著體，故而能夠進行使用有支持體之半導體元件之製造步驟。
構成上述黏著劑層之黏著劑並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺酯系黏著劑等。其中，就耐熱性優異之方面而言，較佳為丙烯酸系或聚矽氧系黏著劑。 又，作為構成上述黏著劑層之黏著劑，亦能夠使用如上述之紫外線硬化型黏著劑。藉由使用上述紫外線硬化型黏著劑，能夠利用充分之黏著力保持支持體，於支持體為透明支持體之情形時，於貼附後使由上述紫外線硬化型黏著劑所構成之黏著劑層硬化，從而，即便於進行高溫處理之情形時，亦能夠保持支持體。又，於不需要支持體後，可容易地除去支持體。
上述黏著劑層較佳為含有藉由刺激而產生氣體之氣體產生劑。 藉由使上述黏著劑層含有氣體產生劑，於步驟結束後施以刺激而產生氣體，藉此可容易地將支持體與黏著帶剝離。 上述氣體產生劑可使用與上述紫外線硬化型黏著劑層之氣體產生劑相同者。
上述黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳為下限為5μm，上限為30 μm。若上述黏著劑層之厚度為上述範圍內，則能以充分之黏著力與支持體接著。就進一步提高與支持體之接著力之觀點而言，上述黏著劑層之厚度之更佳之下限為10 μm，更佳之上限為20 μm。
上述黏著劑層亦可含有光敏劑、塑化劑、樹脂、界面活性劑、蠟、微粒子填充劑等公知之添加劑。該等添加劑可單獨使用，亦可組合多個使用。
本發明之黏著帶亦可於上述基材膜與上述紫外線硬化型黏著劑層之間具有錨定層。 若於上述基材膜與上述紫外線硬化型黏著劑層之間具有錨定層，則於紫外線硬化型黏著劑層含有聚矽氧或氟化合物之情形時，能夠抑制聚矽氧或氟化合物向基材膜側滲出而使紫外線硬化型黏著劑層自基材膜剝離。
作為上述錨定層，例如可列舉丙烯酸系黏著劑、胺酯系黏著劑等。其中，就錨定性能優異之方面而言，較佳為丙烯酸系黏著劑。
上述錨定層視需要亦可含有無機填充劑、熱穩定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、塑化劑、樹脂、界面活性劑、蠟等公知之添加劑。該等添加劑可單獨使用，亦可組合多個使用。
上述錨定層之厚度並無特別限定，較佳之下限為1 μm，較佳之上限為30 μm。若上述錨定層之厚度為該範圍內，則可進一步提高上述紫外線硬化型黏著劑層與基材膜之錨定力。就進一步提高上述紫外線硬化型黏著劑層與基材膜之錨定力之觀點而言，上述錨定層之厚度之更佳之下限為3 μm，更佳之上限為10 μm。
製造本發明之黏著帶之方法並無特別限定，可使用習知公知之方法。例如能夠藉由將上述紫外線硬化型黏著劑成分之溶液塗佈於實施了脫模處理之膜上並使其乾燥而形成紫外線硬化型黏著劑層，與基材膜貼合而進行製造。又，於本發明之黏著帶具有上述黏著劑層之情形時，能夠藉由使用構成上述黏著劑層之黏著劑之溶液，以與上述紫外線硬化型黏著劑層相同之方法形成黏著劑層，並將其貼合於基材膜之貼合有上述紫外線硬化型黏著劑層之面相反側之面而進行製造。
本發明之黏著帶之用途並無特別限定，即便於如高溫且施加壓力之嚴酷之環境下使用之情形時，亦可保護被黏著體且無糊劑殘留地剝離，故而於電子零件之製造中，可特別適合用作用以保護晶圓或半導體晶片等之保護帶。 作為製造此種電子零件之方法，例如可列舉如以下之電子零件之製造方法。即為依序包含以下步驟之方法：基板貼附步驟，其將本發明之黏著帶自紫外線硬化型黏著劑層貼附到基板；硬化步驟，其照射紫外線使上述紫外線硬化型黏著劑層硬化；熱處理步驟，其將上述基板於260℃以上之高溫下進行處理；及剝離步驟，其將上述基板自本發明之黏著帶剝離。 又，亦可列舉如下電子零件之製造方法，該電子零件之製造方法使用了作為本發明之一實施態樣之於上述基材膜之積層有上述紫外線硬化型黏著劑層之面相反側之面具有黏著劑層之黏著帶。即為依序包含以下步驟之方法：基板貼附步驟，其將黏著帶自紫外線硬化型黏著劑層貼附至基板；支持體貼附步驟，其將支持體貼附於上述黏著劑層上；硬化步驟，其照射紫外線使上述紫外線硬化型黏著劑層硬化；熱處理步驟，其將上述基板於260℃以上之高溫下進行處理；及剝離步驟，其將上述基板自黏著帶剝離。又，為依序包含以下步驟之方法：基板貼附步驟，其將黏著帶自紫外線硬化型黏著劑層貼附至基板；硬化步驟，其照射紫外線使上述紫外線硬化型黏著劑層硬化；支持體貼附步驟，其將支持體貼附於上述黏著劑層上；熱處理步驟，其將上述基板於260℃以上之高溫下進行處理；及剝離步驟，其將上述基板自黏著帶剝離。
上述基板並無特別限定，例如可列舉矽晶圓、半導體晶圓、半導體晶片等。 上述支持體並無特別限定，例如可列舉玻璃、聚醯亞胺膜、玻璃環氧化物基板等。 上述於260℃以上之高溫下進行處理之熱處理步驟之溫度上限並無特別限定，例如為400℃，較佳為300℃。 上述於260℃以上之高溫下進行處理之熱處理步驟並無特別限定，例如可列舉基板製造步驟、晶片安裝步驟、熱壓接合步驟、回焊步驟等。更具體而言，例如可列舉將黏著帶於數十秒～1分鐘之間左右加熱至260℃以上之熱壓接合步驟或回焊步驟等。 [發明之效果]
根據本發明，提供一種即便於使用在伴隨達到260℃之高溫處理之步驟中之情形時，亦可保護被黏著體並且可無糊劑殘留地剝離之黏著帶。
以下舉出實施例對本發明之態樣進一步進行詳細說明，但本發明並不僅限定於該等實施例。
（實施例1） （紫外線硬化型黏著劑A之製造） 準備具備溫度計、攪拌機、冷卻管之反應器，向該反應器內添加作為(甲基)丙烯酸烷基酯之丙烯酸-2-乙基己酯94重量份、作為含官能基單體之甲基丙烯酸羥基乙酯6重量份、月桂硫醇0.01重量份、及乙酸乙酯80重量份之後，對反應器進行加熱而開始回流。繼而，向上述反應器內添加作為聚合起始劑之1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，於回流下開始聚合。其次，於聚合開始起1小時後及2小時後，亦各添加1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，進而，於聚合開始起4小時後添加過氧化特戊酸三級己酯0.05重量份使聚合反應繼續進行。並且，於自聚合開始起8小時後，獲得固形物成分55重量%、重量平均分子量60萬之含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液。 對所獲得之含有含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份添加作為含官能基不飽和化合物之甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯3.5重量份進行反應，獲得聚合性聚合物（丙烯酸聚合物）A。其後，對所獲得之丙烯酸聚合物A之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份混合脫模劑（聚矽氧）20重量份、填料3重量份、丙烯酸胺酯10重量份、交聯劑0.2重量份、光聚合起始劑1重量份，獲得紫外線硬化型黏著劑A之乙酸乙酯溶液。再者，脫模劑（聚矽氧）、填料、丙烯酸胺酯、交聯劑、光聚合起始劑使用了以下類型。 脫模劑（聚矽氧）：聚矽氧二丙烯酸酯、EBECRYL 350、DAICEL-ALLNEX公司製造、重量平均分子量1000 填料：二氧化矽填料、Reolosil MT-10、德山化學公司製造 丙烯酸胺酯：UN-5500、根上工業公司製造 交聯劑：異氰酸酯系交聯劑、Coronate L、日本聚胺酯公司製造 光聚合起始劑：Esacure ONE、日本SiberHegner公司製造
（黏著劑層用黏著劑A之製造） 對紫外線硬化型黏著劑A之製造中所獲得之丙烯酸聚合物A之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份混合脫模劑（聚矽氧）10重量份、填料12重量份、丙烯酸胺酯20重量份、交聯劑1.2重量份、光聚合起始劑1重量份、氣體產生劑10重量份，獲得黏著劑層用黏著劑A之乙酸乙酯溶液。再者，脫模劑（聚矽氧）、填料、丙烯酸胺酯、交聯劑及光聚合起始劑使用了與紫外線硬化型黏著劑之製造中相同之類型。氣體產生劑使用了以下式（A）所表示之雙四唑化合物之鹽。
Figure 02_image003
（錨定層用黏著劑之製造） 對丙烯酸聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份混合填料12重量份、交聯劑5重量份，獲得錨定層用黏著劑之乙酸乙酯溶液。再者，丙烯酸聚合物、填料、交聯劑使用了以下物質。 丙烯酸聚合物：SK Dyne1604N、綜研化學公司製造 填料：二氧化矽填料、Reolosil MT-10、德山化學公司製造 交聯劑：異氰酸酯系交聯劑、Coronate L、日本聚胺酯公司製造
（黏著帶之製造） 以乾燥後黏著劑層之厚度成為130 μm之方式將所獲得之紫外線硬化型黏著劑A之乙酸乙酯溶液塗佈於厚度50 μm之經過脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜之脫模處理面上之後，於100℃乾燥10分鐘形成紫外線硬化型黏著劑層。 另一方面，以乾燥後黏著劑層之厚度成為20 μm之方式將所獲得之黏著劑層用黏著劑A之乙酸乙酯溶液塗佈於另一厚度50 μm之經過脫模處理之PET膜之脫模處理面上之後，於110℃乾燥5分鐘形成黏著劑層。 進而，以乾燥後黏著劑層之厚度成為10 μm之方式將所獲得之錨定層用黏著劑之乙酸乙酯溶液塗佈於另一厚度50 μm之經過脫模處理之PET膜之脫模處理面上之後，於110℃乾燥5分鐘形成錨定層。 其次，準備由在雙面經過電暈處理之厚度25 μm之尼龍9T（UNIAMIDE，Unitika公司製造）所構成之膜（尼龍9T膜）作為基材膜，將所製作之錨定層層壓於尼龍9T膜之單面，剝離PET膜而於基材膜上形成錨定層。其後，將所獲得之紫外線硬化型黏著劑層貼合於尼龍9T膜之形成有錨定層之面上，將所獲得之黏著劑層貼合於尼龍9T膜之形成有錨定層之面相反側之面上，獲得具有紫外線硬化型黏著劑層/錨定層/基材膜/黏著劑層之構造之黏著帶。
（基材膜之紫外線穿透率之測定） 使用分光光度計（U-3900，日立製作所公司製造），測定基材膜之405 nm處之紫外線之穿透率。
（Ef（270）之測定） 以長邊與基材膜製造時之行進方向一致之方式使用衝壓刃將基材膜衝壓成5×35 mm之尺寸，藉此獲得測定樣本。將所獲得之測定樣本浸漬於液態氮中冷卻至-50℃，其後，使用黏彈性譜儀（DVA-200，IT Meter. and Control, Inc.製造），於定速升溫拉伸模式、升溫速度10℃/分鐘、頻率10 Hz之條件下進行拉伸彈性模數之測定，測定基材膜於270℃下之拉伸彈性模數。
（紫外線照射前之儲存彈性模數G'之測定） 對紫外線硬化型黏著層使用黏彈性譜儀（DVA-200、IT Meter. and Control, Inc.製造），於定速升溫剪切模式、升溫速度10℃/分鐘、頻率10 Hz之條件下進行儲存彈性模數之測定，求出紫外線照射前之紫外線硬化型黏著劑層於23℃下之儲存彈性模數G'。
（紫外線照射後之凝膠分率之測定） 使用高壓水銀紫外線照射機，以累計強度成為3000 mJ/cm2 之方式自所獲得之黏著帶之基材膜側對黏著帶表面照射405 nm之紫外線，使紫外線硬化型黏著劑層交聯、硬化。其次，只刮取0.1 g之硬化後之紫外線硬化型黏著劑層，浸漬於乙酸乙酯50 ml中，利用振盪機於溫度23度、120 rpm之條件下振盪24小時（以下，將刮取之紫外線硬化型黏著劑層稱為黏著劑組成物）。振盪後，使用金屬網（網眼＃200網），將乙酸乙酯與吸收乙酸乙酯而膨潤後之黏著劑組成物分離。使分離後之黏著劑組成物於110℃之條件下乾燥1小時。測定乾燥後之包含金屬網之黏著劑組成物之重量，利用下式算出紫外線照射後之凝膠分率。 凝膠分率（%）＝100×（W1 －W2 ）/W0 （W0 ：黏著劑組成物初始重量，W1 ：乾燥後之包含金屬網之黏著劑組成物重量，W2 ：金屬網之初始重量）
（Et（270）之測定） 使用高壓水銀紫外線照射機，以累計強度成為3000 mJ/cm2 之方式自所獲得之黏著帶之基材膜側對黏著帶表面照射405 nm之紫外線，使紫外線硬化型黏著劑層交聯、硬化。其次，以長邊與黏著帶製造時之行進方向一致之方式使用衝壓刃進行衝壓，藉此製作5 mm×35 mm之試驗片。將所獲得之試驗片浸漬於液態氮中，冷卻至-50℃，其後，使用黏彈性譜儀（DVA-200、IT Meter. and Control, Inc.製造），於定速升溫拉伸模式、升溫速度10℃/分鐘、頻率10 Hz之條件升溫至300℃，測定拉伸彈性模數。將此時於溫度X℃下之拉伸彈性模數（E'）之值設為Et（X）。即，將於溫度270℃下之拉伸彈性模數（E'）之值設為Et（270）。
（Et（270）/Et（200）之算出） 對所獲得之黏著帶利用與Et（270）相同之方法，測定於200℃下之黏著帶之拉伸彈性模數（Et（200））。根據所獲得之Et（270）及Et（200）之結果算出Et（270）/Et（200）。
（重量減少率之測定） 使用高壓水銀紫外線照射機，以累計強度成為3000 mJ/cm2 之方式自所獲得之黏著帶之基材膜側對黏著帶表面照射405 nm之紫外線，使紫外線硬化型黏著劑層交聯、硬化。其次，將黏著帶衝壓成
Figure 02_image001
5 mm之圓狀而獲得測定樣本。測定所獲得之測定樣本之重量，使用示差熱熱重量同時測定裝置（TG-DTA；STA7200，日立高新技術科技股份有限公司製造），測定以升溫速度5℃/min自25℃升溫至280℃後保持10分鐘後之重量減少量。根據加熱前後之重量算出重量減少率。
（實施例2～10、比較例1～4） 除如表1所示變更基材膜之材料及厚度、紫外線硬化型黏著劑層之組成以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶，進行各測定。將各材料之詳細示於以下。再者，於實施例5中，使用以下所示之紫外線硬化型黏著劑B。 （1）基材膜之材料 EXPEEK：芳香族聚醚醚酮、Kurabo公司製造 Upilex：聯苯四羧酸二酐與對苯二胺之共聚物、宇部興產公司製造 Torcena：特殊聚酯、Kurabo公司製造 Kapton：均苯四甲酸二酐與二胺基二苯醚之共聚物、東麗杜邦公司製造
（2）紫外線硬化型黏著劑B （紫外線硬化型黏著劑B之製造） 準備具備溫度計、攪拌機、冷卻管之反應器，向該反應器內添加作為(甲基)丙烯酸烷基酯之丙烯酸-2-乙基己酯94重量份、作為含官能基單體之甲基丙烯酸羥基乙酯6重量份、月桂硫醇0.01重量份、及乙酸乙酯80重量份之後，對反應器進行加熱而開始回流。繼而，向上述反應器內添加作為聚合起始劑之1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，於回流下開始聚合。其次，於聚合開始起1小時後及2小時後，均各添加1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，進而，於聚合開始起4小時後添加過氧化特戊酸三級己酯0.05重量份使聚合反應繼續進行。並且，於自聚合開始起8小時後，獲得固形物成分55重量%、重量平均分子量60萬之含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液。 對所獲得之含有含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份添加作為含官能基不飽和化合物之甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯1.0重量份進行反應，獲得聚合性聚合物（丙烯酸聚合物）B。其後，對所獲得之丙烯酸聚合物B之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份混合脫模劑（聚矽氧）20重量份、填料3重量份、丙烯酸胺酯10重量份、交聯劑0.2重量份、光聚合起始劑1重量份，獲得紫外線硬化型黏著劑B之乙酸乙酯溶液。再者，脫模劑（聚矽氧）、填料、丙烯酸胺酯、交聯劑、光聚合起始劑使用了與紫外線硬化型黏著劑A同種類之物質。
（3）其他 光敏劑：KAYACURE DETX-S、日本化藥公司製造
＜評價＞ 對實施例及比較例中所獲得之黏著帶，藉由以下方法進行了評價。將結果示於表1。
（耐熱性之評價） 將切斷成直徑20 cm之圓形之黏著帶之紫外線硬化型黏著劑層側貼附於直徑20 cm、厚度約750 μm之矽晶圓。其次，將黏著帶之黏著劑層側貼附於直徑20 cm、厚度0.6 mm之玻璃晶圓（Tempax、SCHOTT公司製造）。貼附後，於利用濾波器截斷365 nm以下之波長之狀態下，以累計強度成為3000 mJ/cm2 之方式自玻璃晶圓面側對紫外線硬化型黏著劑層照射405 nm之波長之紫外線光，使紫外線硬化型黏著劑層及黏著劑層交聯、硬化。將所獲得之矽晶圓/黏著帶/玻璃晶圓之積層體以矽晶圓側朝下之方式載置於設定為280℃之加熱板（NINOSND-3H、AZONE公司製造）上，測定直至產生黏著帶之剝離之時間。
（剝離性之評價） 將黏著帶之紫外線硬化型黏著劑層側與直徑20 cm、厚度約750 μm之矽晶圓貼合，進而，將黏著劑層側貼於附直徑20 cm、厚度0.6 mm之玻璃晶圓，獲得積層體。其次，使用高壓水銀紫外線照射機，自玻璃晶圓側照射30秒405 nm之紫外線，調節照度以使對黏著帶之黏著帶表面之照射強度成為100 mW/cm2 ，使紫外線硬化型黏著劑層及黏著劑層交聯、硬化。其後，以矽晶圓側朝下之方式將積層體載置於設定為280℃之加熱板上，進行10分鐘之熱處理並冷卻。冷卻後，將黏著帶自矽晶圓剝離。將於剝離時能夠容易剝離黏著帶之情形標記為「○」，將無法剝離之情形標記為「×」，以此評價剝離性。再者，黏著帶於10分鐘以內剝離之情形時，於剝離之階段停止熱處理，對冷卻後之剝離性進行評價。
（糊劑殘留之評價） 於剝離性之評價中，利用光學顯微鏡觀察黏著帶剝離後之矽晶圓，將糊劑殘留之面積未達矽晶圓全體之5%之情形標記為「◎」，將糊劑殘留之面積為5%以上未達20%之情形標記為「○」、將糊劑殘留之面積為20%以上且未達50%之情形標記為「△」，將糊劑殘留之面積為50%以上之情形標記為「×」，從而評價糊劑殘留。
（熱壓合時之剝離性之評價） 將切斷成直徑20cm之圓形之黏著帶之紫外線硬化型黏著劑層側貼附於直徑20cm、厚度50 μm之附凸塊之矽晶圓（凸塊直徑
Figure 02_image001
＝20 μm、凸塊間距離30 μm、凸塊高度45 μm）之形成有凸塊之面。其次，將黏著帶之黏著劑層側貼附於直徑20 cm、厚度0.6 mm之玻璃晶圓（Tempax、SCHOTT公司製造）。貼附後，於利用濾波器截斷365 nm以下之波長之狀態下，以累計強度成為3000 mJ/cm2 之方式自玻璃晶圓面側對紫外線硬化型黏著劑層照射405 nm之波長之紫外線光，使紫外線硬化型黏著劑層及黏著劑層交聯、硬化。利用設定為200℃之烘箱將所獲得之矽晶圓/黏著帶/玻璃晶圓之積層體以玻璃晶圓側朝下之方式靜置1小時，進行加熱處理。 加熱處理後，使用倒裝芯片接合機（FC6000，SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION製造），將厚度50 μm之單晶矽薄晶圓晶片積層於恢復至常溫之積層體之矽晶圓上。具體而言，於設定為80℃之SUS載置台上，以矽晶圓面朝上之方式吸附積層體，使用頭部尺寸10 mm×10 mm之陶瓷工具積層單晶矽薄晶圓晶片（附有9.8 mm×9.8 mm、厚度50 μm、表面粗糙度未達0.1 μm、厚度25 μm之接合膜）。將積層時之頭部之溫度設為280℃，壓力設為300 N，積層時間設為90秒。 積層單晶矽薄晶圓晶片之後，將黏著帶自矽晶圓剝離。將於剝離時能夠容易剝離黏著帶之情形標記為「○」，將無法剝離之情形標記為「×」，以此評價熱壓合時之剝離性。
（熱壓合時之糊劑殘留之評價） 於熱壓合時之剝離性之評價中，利用光學顯微鏡觀察黏著帶剝離後之矽晶圓。於500 μm見方之範圍內存在之凸塊中，將有糊劑殘留之凸塊為5%以下之情形標記為「◎」，將有糊劑殘留之凸塊多於5%且為20%以下之情形標記為「〇」，將有糊劑殘留之凸塊多於20%且為50%以下之情形標記為「△」，將有糊劑殘留之凸塊多於50%之情形標記為「×」，以此評價熱壓合時之糊劑殘留。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
黏著帶 基材膜 材料 UNIAMIDE 透明聚醯亞胺 EXPEEK Upilex UNIAMIDE Upilex Upilex UNIAMIDE Torcena UNIAMIDE 聚萘二甲酸乙二酯 Kapton 無 UNIAMIDE
紫外線穿透率(%) 79 78 60 3 79 1 0.8 79 79 79 66 0 - 79
Ef(270)(Pa) 9.0×107 3.0×109 6.0×109 2.0×109 9.0×107 2.0×109 2.0×109 9.0×107 2.0×107 9.0×107 3.0×104 2.0×108 - 9.0×107
厚度（μm) 25 25 25 25 25 50 75 25 25 25 25 25 - 25
紫外線硬化型黏著劑層 紫外線硬化型黏著劑 A A A A B A A A A A A A A A
光敏劑(重量份） 0 0 0 5 0 5 5 0 0 0 0 0 0 0
光聚合起始劑（重量份） 1 1 1 1 1 1 1 0.5 1 1 1 1 1 0.05
脫模劑（重量份） 20 20 20 20 20 20 20 20 20 40 20 20 20 20
紫外線照射前之儲存彈性模數G'(Pa) 3.1×104 3.1×104 3.1×104 3.1×104 3.1×104 3.1×104 3.1×104 3.1×104 3.1×104 2.2×104 3.1×104 3.1×104 3.1×104 3.1×104
紫外線照射後之凝膠分率（%) 98 97 98 93 93 90 91 95 98 98 99 50 - 85
Et(270)(Pa) 1.7×107 2.8×108 7.3×108 7.5×108 1.2×107 8.4×107 9.1×107 1.3×107 1.1×107 1.7×107 4.3×106 2.2×108 1.4×107 1.5×107
Et(270)/Et(200) 0.31 0.57 0.65 0.80 0.30 0.85 0.95 0.15 0.08 0.31 0.06 1.21 0.80 0.20
重量減少率（%) 4 4 4 5 5 5 5 4 4 10 4 4 4 4
評價 耐熱性(280℃) 5 min 9 min 10 min 10 min 6 min 10 min 11 min 3 min 2 min 3 min ＜1 min 7 min 5 min 7 min
剝離性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 × 〇
糊劑殘留 ◎ ◎ ◎ 〇 〇 △ △ ◎ ◎ ◎ ◎ × × ×
熱壓合時之剝離性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 × 〇
熱壓合時之糊劑殘留 〇 〇 〇 △ 〇 × × ◎ ◎ ◎ ◎ × × ×
[產業上之可利用性]
根據本發明，能夠提供一種即便於使用在伴隨達到260℃之高溫處理之步驟中之情形時，亦可保護被黏著體，並且可無糊劑殘留地剝離之黏著帶。
無
無

Claims (10)

  1. 一種黏著帶，其具有基材膜與積層於上述基材膜之單面之紫外線硬化型黏著劑層，且 對上述黏著帶之上述基材膜側之表面照射3000 mJ/cm2 之405 nm之紫外線後的上述紫外線硬化型黏著層之凝膠分率為90%以上， 將對上述黏著帶之上述基材膜側之表面照射3000 mJ/cm2 之上述405 nm之紫外線後之黏著帶於X℃下之拉伸彈性模數設為Et（X）時，Et（270）之值為1.0×107 Pa以上。
  2. 如請求項1之黏著帶，其中，上述基材膜之405 nm之紫外線穿透率為1%以上。
  3. 如請求項1或2之黏著帶，其中，Et（270）/Et（200）之值為0.1以上。
  4. 2或3之黏著帶，其中，將上述基材膜於X℃下之拉伸彈性模數設為Ef（X）時，Ef（270）之值為5.0×107 Pa以上。
  5. 2、3或4之黏著帶，其中，對上述黏著帶之上述基材膜側之表面照射3000 mJ/cm2 之上述405 nm之紫外線後，以5℃/min之速度自25℃升溫至280℃，於升溫後保持10分鐘時之重量減少率為5%以下。
  6. 2、3、4或5之黏著帶，其中，上述基材膜含有樹脂，該樹脂於重複單位之主鏈骨架中具有選自由醯胺、醯亞胺、醚及酮所組成之群中之至少1種。
  7. 2、3、4、5或6之黏著帶，其中，上述基材膜含有聚醯胺樹脂，該聚醯胺樹脂於重複單位之主鏈骨架中具有碳數為4以上且12以下之長鏈烷基或芳香族。
  8. 2、3、4、5、6或7之黏著帶，其中，上述紫外線硬化型黏著劑層具有： 於分子內具有自由基聚合性之不飽和鍵的(甲基)丙烯酸烷基酯系之聚合性聚合物、 聚合起始劑、及 具有可與上述聚合性聚合物交聯之官能基之聚矽氧或氟化合物。
  9. 2、3、4、5、6、7或8之黏著帶，其中，於上述基材膜之積層有上述紫外線硬化型黏著劑層之面相反側之面具有黏著劑層。
  10. 2、3、4、5、6、7、8或9之黏著帶，其用於製造電子零件。
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